JP3498204B2 - 弾性表面波フィルタ、それを用いた通信機装置 - Google Patents
弾性表面波フィルタ、それを用いた通信機装置Info
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スーパーヘテロダ
イン方式に用いられる弾性表面波フィルタおよびそれを
用いた通信機装置に関する。
イン方式に用いられる弾性表面波フィルタおよびそれを
用いた通信機装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に自動車電話や携帯電話などの移動
体通信機装置では、感度や安定度を高くするためにスー
パーヘテロダイン方式という受信技術が用いられてい
る。これは、二つの信号波ｆ1、ｆ2を混合すると、その
和と差（ｆ1±ｆ2）の信号波が得られるという現象を利
用し、受信した信号波を低い周波数に変換する方式であ
る。この方式を用いた典型的な通信機装置を図１６に示
す。
体通信機装置では、感度や安定度を高くするためにスー
パーヘテロダイン方式という受信技術が用いられてい
る。これは、二つの信号波ｆ1、ｆ2を混合すると、その
和と差（ｆ1±ｆ2）の信号波が得られるという現象を利
用し、受信した信号波を低い周波数に変換する方式であ
る。この方式を用いた典型的な通信機装置を図１６に示
す。
【０００３】図１６に示すように、通信機装置１００で
は、アンテナ１１０に高周波モジュール１２０が接続さ
れ、高周波モジュール１２０の後段に信号処理回路１３
０が接続されている。
は、アンテナ１１０に高周波モジュール１２０が接続さ
れ、高周波モジュール１２０の後段に信号処理回路１３
０が接続されている。
【０００４】高周波モジュール１２０は、二つの帯域通
過フィルタ１２１、１２２、二つの増幅器１２３、１２
４、ミキサー１２５、局部発振器１２６から構成されて
いる。
過フィルタ１２１、１２２、二つの増幅器１２３、１２
４、ミキサー１２５、局部発振器１２６から構成されて
いる。
【０００５】第一の帯域通過フィルタ１２１は、アンテ
ナ１１０から受信した受信信号を通過させ、アンテナ１
１０から受信した受信信号以外の信号を減衰させるよう
に通過帯域が選択されている。
ナ１１０から受信した受信信号を通過させ、アンテナ１
１０から受信した受信信号以外の信号を減衰させるよう
に通過帯域が選択されている。
【０００６】第一の増幅器１２３は、第一の帯域通過フ
ィルタ１２１を通過した受信信号を増幅している。
ィルタ１２１を通過した受信信号を増幅している。
【０００７】局部発振器１２６は、その局部発振信号と
受信信号との和もしくは差が目的の中間周波信号となる
ように、局部発振信号の周波数が設定されている。
受信信号との和もしくは差が目的の中間周波信号となる
ように、局部発振信号の周波数が設定されている。
【０００８】ミキサー１２５は局部発振器１２６から出
力された、局部発振信号と受信信号を混合し、中間周波
信号に変換している。
力された、局部発振信号と受信信号を混合し、中間周波
信号に変換している。
【０００９】第二の帯域通過フィルタ１２２は、ミキサ
ー１２５で局部発振信号と受信信号が混合された際に発
生する目的の中間周波信号以外の影像周波信号を減衰さ
せ、目的の中間周波信号を通過させるように通過帯域が
選択されている。
ー１２５で局部発振信号と受信信号が混合された際に発
生する目的の中間周波信号以外の影像周波信号を減衰さ
せ、目的の中間周波信号を通過させるように通過帯域が
選択されている。
【００１０】第二の増幅器１２４は、第二の帯域通過フ
ィルタ１２２を通過した中間周波信号を増幅して、高周
波モジュール１２０の後段に接続された信号処理回路１
３０に伝送する。
ィルタ１２２を通過した中間周波信号を増幅して、高周
波モジュール１２０の後段に接続された信号処理回路１
３０に伝送する。
【００１１】信号処理回路１３０は、伝送された中間周
波信号を処理して、例えば、音声等に変換している。
波信号を処理して、例えば、音声等に変換している。
【００１２】このような通信機装置１００では、局部発
振器１２６の局部発振信号の周波数および第二の帯域通
過フィルタ１２２の中心周波数により、影像周波信号の
周波数（以下、影像周波数という）が決定されるが、こ
の影像周波数は一般に第二の帯域通過フィルタ１２２の
通過帯域から数百ＭＨｚ離れたところに発生する。
振器１２６の局部発振信号の周波数および第二の帯域通
過フィルタ１２２の中心周波数により、影像周波信号の
周波数（以下、影像周波数という）が決定されるが、こ
の影像周波数は一般に第二の帯域通過フィルタ１２２の
通過帯域から数百ＭＨｚ離れたところに発生する。
【００１３】従来、第二の帯域通過フィルタ１２２とし
て、特開平５−１８３３８０号に見られるような複数の
弾性表面波共振子を梯子状に接続するラダー型弾性表面
波フィルタが主として用いられている。
て、特開平５−１８３３８０号に見られるような複数の
弾性表面波共振子を梯子状に接続するラダー型弾性表面
波フィルタが主として用いられている。
【００１４】ラダー型弾性表面波フィルタは、もともと
通過帯域近傍には高い減衰量を持つ領域が形成される。
上記、特開平５−１８３３８０号では並列腕に配置され
る共振子にインダクタンスを付加することでフィルタの
通過帯域幅を拡大し、これにより高減衰領域を低域側に
移動させ、通過帯域近傍の低域側の減衰特性を改善して
いる。しかしながら、この方法では、、通過帯域幅の拡
大も同時に伴ってしまうため、影像周波数のようにフィ
ルタの通過帯域から数百ＭＨｚ離れたところに発生する
ものを減衰させるのには適さなかった。
通過帯域近傍には高い減衰量を持つ領域が形成される。
上記、特開平５−１８３３８０号では並列腕に配置され
る共振子にインダクタンスを付加することでフィルタの
通過帯域幅を拡大し、これにより高減衰領域を低域側に
移動させ、通過帯域近傍の低域側の減衰特性を改善して
いる。しかしながら、この方法では、、通過帯域幅の拡
大も同時に伴ってしまうため、影像周波数のようにフィ
ルタの通過帯域から数百ＭＨｚ離れたところに発生する
ものを減衰させるのには適さなかった。
【００１５】また、特開平９−２６１００２号のように
ボンディングワイヤー等の接続手段によるインダクタン
ス成分とボンディングパッド部等の接続部が基準電位と
の間で発生するキャパシタンス成分とが並列に介挿され
ることにより、通過帯域幅の拡大を抑えつつ高減衰領域
を通過帯域の低域側の所望の点に設定していた。
ボンディングワイヤー等の接続手段によるインダクタン
ス成分とボンディングパッド部等の接続部が基準電位と
の間で発生するキャパシタンス成分とが並列に介挿され
ることにより、通過帯域幅の拡大を抑えつつ高減衰領域
を通過帯域の低域側の所望の点に設定していた。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
９−２６１００２号の方法では、通過帯域の低域側に生
じる影像周波数を減衰させることは可能であるが、通過
帯域の高域側に生じる影像周波数を減衰させることは困
難であった。
９−２６１００２号の方法では、通過帯域の低域側に生
じる影像周波数を減衰させることは可能であるが、通過
帯域の高域側に生じる影像周波数を減衰させることは困
難であった。
【００１７】また、キャパシタンス成分を取るためにボ
ンディングパッド部等の接続部や浮き電極を大きく取る
必要があり、これによって弾性表面波素子サイズが大型
化してしまうため、弾性表面波フィルタの小型化にも限
界があった。
ンディングパッド部等の接続部や浮き電極を大きく取る
必要があり、これによって弾性表面波素子サイズが大型
化してしまうため、弾性表面波フィルタの小型化にも限
界があった。
【００１８】さらに、十分なキャパシタンス成分を取り
つつ、弾性表面波素子サイズの大型化を防ごうとする
と、浮き電極およびボンディングパッド部の接続部等を
隙間無く配置する必要があり、それぞれの配置および接
続の設計に自由度が少なかった。
つつ、弾性表面波素子サイズの大型化を防ごうとする
と、浮き電極およびボンディングパッド部の接続部等を
隙間無く配置する必要があり、それぞれの配置および接
続の設計に自由度が少なかった。
【００１９】本発明の目的は、弾性表面波素子サイズを
大型化すること無しに、通過帯域の高域側および低域側
のどちらに生じる影像周波数をも減衰させることのでき
る弾性表面波フィルタを提供することにある。
大型化すること無しに、通過帯域の高域側および低域側
のどちらに生じる影像周波数をも減衰させることのでき
る弾性表面波フィルタを提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１に係る
弾性表面波フィルタでは、圧電基板上に少なくとも一つ
のＩＤＴとこのＩＤＴに接続される入出力端子および基
準電位端子とが形成された少なくとも一つの弾性表面波
素子と、前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性
表面波素子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ
接続される電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接
続する外部端子とを有するパッケージから構成され、ス
ーパーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波フィル
タにおいて、前記弾性表面波素子のＩＤＴの容量と前記
弾性表面波素子の基準電位端子から前記パッケージの外
部端子までのインダクタンスにより形成される共振器の
共振周波数を前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変
換の際に生じる影像周波数近傍に位置するようにしてい
る。
弾性表面波フィルタでは、圧電基板上に少なくとも一つ
のＩＤＴとこのＩＤＴに接続される入出力端子および基
準電位端子とが形成された少なくとも一つの弾性表面波
素子と、前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性
表面波素子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ
接続される電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接
続する外部端子とを有するパッケージから構成され、ス
ーパーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波フィル
タにおいて、前記弾性表面波素子のＩＤＴの容量と前記
弾性表面波素子の基準電位端子から前記パッケージの外
部端子までのインダクタンスにより形成される共振器の
共振周波数を前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変
換の際に生じる影像周波数近傍に位置するようにしてい
る。
【００２１】請求項２に係る弾性表面波フィルタでは、
圧電基板上に入出力端子および基準電位端子を形成し、
前記入出力端子間に直列腕ＩＤＴを配置し、該直列腕Ｉ
ＤＴと基準電位端子との間に並列腕ＩＤＴを配置してラ
ダー型回路を構成した少なくとも一つの弾性表面波素子
と、前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性表面
波素子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ接続
される電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接続す
る外部端子とを有するパッケージから構成され、スーパ
ーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波フィルタに
おいて、前記並列腕ＩＤＴの容量と前記弾性表面波素子
の基準電位端子から前記パッケージの外部端子までのイ
ンダクタンスにより形成される共振器の共振周波数を前
記スーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じる
影像周波数近傍に位置するようにしている。
圧電基板上に入出力端子および基準電位端子を形成し、
前記入出力端子間に直列腕ＩＤＴを配置し、該直列腕Ｉ
ＤＴと基準電位端子との間に並列腕ＩＤＴを配置してラ
ダー型回路を構成した少なくとも一つの弾性表面波素子
と、前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性表面
波素子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ接続
される電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接続す
る外部端子とを有するパッケージから構成され、スーパ
ーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波フィルタに
おいて、前記並列腕ＩＤＴの容量と前記弾性表面波素子
の基準電位端子から前記パッケージの外部端子までのイ
ンダクタンスにより形成される共振器の共振周波数を前
記スーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じる
影像周波数近傍に位置するようにしている。
【００２２】請求項３に係る弾性表面波フィルタでは、
一つのパッケージに複数の弾性表面波素子が収納され、
少なくとも一つの弾性表面波素子の中心周波数が他の弾
性表面波素子の中心周波数と異なるスーパーヘテロダイ
ン方式に使用される弾性表面波フィルタにおいて、前記
少なくとも一つの弾性表面波素子の中心周波数とこれに
対応する前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変換の
際に生じる影像周波数との周波数差ｆｄ１と、前記他の
弾性表面波素子のうち少なくとも一つの弾性表面波素子
の中心周波数とこれに対応する前記スーパーヘテロダイ
ン方式の周波数変換の際に生じる影像周波数との周波数
差ｆｄ２とをほぼ等しくしている。
一つのパッケージに複数の弾性表面波素子が収納され、
少なくとも一つの弾性表面波素子の中心周波数が他の弾
性表面波素子の中心周波数と異なるスーパーヘテロダイ
ン方式に使用される弾性表面波フィルタにおいて、前記
少なくとも一つの弾性表面波素子の中心周波数とこれに
対応する前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変換の
際に生じる影像周波数との周波数差ｆｄ１と、前記他の
弾性表面波素子のうち少なくとも一つの弾性表面波素子
の中心周波数とこれに対応する前記スーパーヘテロダイ
ン方式の周波数変換の際に生じる影像周波数との周波数
差ｆｄ２とをほぼ等しくしている。
【００２３】請求項４に係る弾性表面波フィルタでは、
請求項３の構成に加えて、前記複数の弾性表面波素子の
うち任意の弾性表面波素子は、圧電基板上に少なくとも
一つのＩＤＴとこのＩＤＴに接続される入出力端子およ
び基準電位端子とが形成されてなり、前記パッケージ
は、前記複数の弾性表面波素子を内部に収納し、前記複
数の弾性表面波素子の入出力端子および基準電位端子に
それぞれ接続される電極ランドとこの電極ランドを外部
回路に接続する外部端子が形成されてなり、前記任意の
弾性表面波素子のＩＤＴの容量と前記任意の弾性表面波
素子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子まで
のインダクタンスにより形成される共振器の共振周波数
を前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生
じる影像周波数近傍に位置するようにしている。
請求項３の構成に加えて、前記複数の弾性表面波素子の
うち任意の弾性表面波素子は、圧電基板上に少なくとも
一つのＩＤＴとこのＩＤＴに接続される入出力端子およ
び基準電位端子とが形成されてなり、前記パッケージ
は、前記複数の弾性表面波素子を内部に収納し、前記複
数の弾性表面波素子の入出力端子および基準電位端子に
それぞれ接続される電極ランドとこの電極ランドを外部
回路に接続する外部端子が形成されてなり、前記任意の
弾性表面波素子のＩＤＴの容量と前記任意の弾性表面波
素子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子まで
のインダクタンスにより形成される共振器の共振周波数
を前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生
じる影像周波数近傍に位置するようにしている。
【００２４】請求項５に係る弾性表面波フィルタでは、
請求項３の構成に加えて、前記複数の弾性表面波素子の
うち任意の弾性表面波素子は、圧電基板上に入出力端子
および基準電位端子を形成し、前記入出力端子間に直列
腕ＩＤＴを配置し、該直列腕ＩＤＴと基準電位端子との
間に並列腕ＩＤＴを配置してラダー型回路を構成してな
り、前記パッケージは、前記複数の弾性表面波素子を内
部に収納し、前記複数の弾性表面波素子の入出力端子お
よび基準電位端子にそれぞれ接続される電極ランドとこ
の電極ランドを外部回路に接続する外部端子が形成され
てなり、前記任意の弾性表面波素子の並列腕ＩＤＴの容
量と前記任意の弾性表面波素子の基準電位端子から前記
パッケージの外部端子までのインダクタンスにより形成
される共振器の共振周波数を前記スーパーヘテロダイン
方式の周波数変換の際に生じる影像周波数近傍に位置す
るようにしている。
請求項３の構成に加えて、前記複数の弾性表面波素子の
うち任意の弾性表面波素子は、圧電基板上に入出力端子
および基準電位端子を形成し、前記入出力端子間に直列
腕ＩＤＴを配置し、該直列腕ＩＤＴと基準電位端子との
間に並列腕ＩＤＴを配置してラダー型回路を構成してな
り、前記パッケージは、前記複数の弾性表面波素子を内
部に収納し、前記複数の弾性表面波素子の入出力端子お
よび基準電位端子にそれぞれ接続される電極ランドとこ
の電極ランドを外部回路に接続する外部端子が形成され
てなり、前記任意の弾性表面波素子の並列腕ＩＤＴの容
量と前記任意の弾性表面波素子の基準電位端子から前記
パッケージの外部端子までのインダクタンスにより形成
される共振器の共振周波数を前記スーパーヘテロダイン
方式の周波数変換の際に生じる影像周波数近傍に位置す
るようにしている。
【００２５】請求項６に係る弾性表面波フィルタでは、
請求項１、２、４、５の構成に加えて、前記弾性表面波
素子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子まで
のインダクタンスは、前記弾性表面波素子の基準電位端
子と前記パッケージの電極ランドを接続するボンディン
グワイヤのインダクタンスを含むようにしている。
請求項１、２、４、５の構成に加えて、前記弾性表面波
素子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子まで
のインダクタンスは、前記弾性表面波素子の基準電位端
子と前記パッケージの電極ランドを接続するボンディン
グワイヤのインダクタンスを含むようにしている。
【００２６】請求項７に係る弾性表面波フィルタでは、
請求項１、２、４、５の構成に加えて、前記弾性表面波
素子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子まで
のインダクタンスは、圧電基板上に形成されたストリッ
プラインまたはマイクロストリップラインのインダクタ
ンスを含むようにしている。
請求項１、２、４、５の構成に加えて、前記弾性表面波
素子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子まで
のインダクタンスは、圧電基板上に形成されたストリッ
プラインまたはマイクロストリップラインのインダクタ
ンスを含むようにしている。
【００２７】請求項８に係る弾性表面波フィルタでは、
請求項１、２、４、５の構成に加えて、前記弾性表面波
素子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子まで
のインダクタンスは、パッケージ上に形成されたストリ
ップラインまたはマイクロストリップラインのインダク
タンスを含むようにしている。
請求項１、２、４、５の構成に加えて、前記弾性表面波
素子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子まで
のインダクタンスは、パッケージ上に形成されたストリ
ップラインまたはマイクロストリップラインのインダク
タンスを含むようにしている。
【００２８】請求項９に係る弾性表面波フィルタでは、
圧電基板上に少なくとも一つのＩＤＴとこのＩＤＴに接
続される入出力端子および基準電位端子とが形成された
弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子を内部に収納
し、前記弾性表面波素子の入出力端子および基準電位端
子にそれぞれ接続される電極ランドとこの電極ランドを
外部回路に接続する外部端子とを有するパッケージと、
前記弾性表面波素子の基準電位端子と前記パッケージの
電極ランドを接続するボンディングワイヤとから構成さ
れ、スーパーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波
フィルタにおいて、前記弾性表面波素子のＩＤＴの容量
と前記弾性表面波素子の基準電位端子から前記パッケー
ジの外部端子までのインダクタンスにより形成される共
振器の共振周波数を前記スーパーヘテロダイン方式の周
波数変換の際に生じる影像周波数近傍に位置するよう
に、前記ＩＤＴの容量、前記基準電位端子に接続される
前記ボンディングワイヤの本数、前記基準電位端子が前
記ボンディングワイヤを介して接続される電極ランドの
数、前記ボンディングワイヤの前記基準電位端子および
前記電極ランドに対応する接続位置を設定している。
圧電基板上に少なくとも一つのＩＤＴとこのＩＤＴに接
続される入出力端子および基準電位端子とが形成された
弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子を内部に収納
し、前記弾性表面波素子の入出力端子および基準電位端
子にそれぞれ接続される電極ランドとこの電極ランドを
外部回路に接続する外部端子とを有するパッケージと、
前記弾性表面波素子の基準電位端子と前記パッケージの
電極ランドを接続するボンディングワイヤとから構成さ
れ、スーパーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波
フィルタにおいて、前記弾性表面波素子のＩＤＴの容量
と前記弾性表面波素子の基準電位端子から前記パッケー
ジの外部端子までのインダクタンスにより形成される共
振器の共振周波数を前記スーパーヘテロダイン方式の周
波数変換の際に生じる影像周波数近傍に位置するよう
に、前記ＩＤＴの容量、前記基準電位端子に接続される
前記ボンディングワイヤの本数、前記基準電位端子が前
記ボンディングワイヤを介して接続される電極ランドの
数、前記ボンディングワイヤの前記基準電位端子および
前記電極ランドに対応する接続位置を設定している。
【００２９】請求項１０に係る弾性表面波フィルタで
は、圧電基板上に入出力端子および基準電位端子を形成
し、前記入出力端子間に直列腕ＩＤＴを配置し、該直列
腕ＩＤＴと基準電位端子との間に並列腕ＩＤＴを配置し
てラダー型回路を構成した少なくとも一つの弾性表面波
素子と、前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性
表面波素子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ
接続される電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接
続する外部端子とを有するパッケージと、前記基準電位
端子と前記パッケージの電極ランドを接続するボンディ
ングワイヤとから構成され、スーパーヘテロダイン方式
に使用される弾性表面波フィルタにおいて、前記並列腕
ＩＤＴの容量と前記弾性表面波素子の基準電位端子から
前記パッケージの外部端子までのインダクタンスにより
形成される共振器の共振周波数を前記スーパーヘテロダ
イン方式の周波数変換の際に生じる影像周波数近傍に位
置するように、前記並列腕ＩＤＴの容量、前記基準電位
端子に接続される前記ボンディングワイヤの本数、前記
基準電位端子が前記ボンディングワイヤを介して接続さ
れる電極ランドの数、前記ボンディングワイヤの前記基
準電位端子および前記電極ランドに対する接続位置を設
定している。
は、圧電基板上に入出力端子および基準電位端子を形成
し、前記入出力端子間に直列腕ＩＤＴを配置し、該直列
腕ＩＤＴと基準電位端子との間に並列腕ＩＤＴを配置し
てラダー型回路を構成した少なくとも一つの弾性表面波
素子と、前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性
表面波素子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ
接続される電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接
続する外部端子とを有するパッケージと、前記基準電位
端子と前記パッケージの電極ランドを接続するボンディ
ングワイヤとから構成され、スーパーヘテロダイン方式
に使用される弾性表面波フィルタにおいて、前記並列腕
ＩＤＴの容量と前記弾性表面波素子の基準電位端子から
前記パッケージの外部端子までのインダクタンスにより
形成される共振器の共振周波数を前記スーパーヘテロダ
イン方式の周波数変換の際に生じる影像周波数近傍に位
置するように、前記並列腕ＩＤＴの容量、前記基準電位
端子に接続される前記ボンディングワイヤの本数、前記
基準電位端子が前記ボンディングワイヤを介して接続さ
れる電極ランドの数、前記ボンディングワイヤの前記基
準電位端子および前記電極ランドに対する接続位置を設
定している。
【００３０】請求項１１に係る通信機装置では、請求項
１から請求項１０記載の弾性表面波フィルタを用いてい
る。
１から請求項１０記載の弾性表面波フィルタを用いてい
る。
【００３１】以上のように、請求項１〜１０に係る弾性
表面波フィルタでは、ＩＤＴの容量と直列にインダクタ
ンスが付加されてトラップ共振器となるので、所望の影
像周波数を減衰させることができる。
表面波フィルタでは、ＩＤＴの容量と直列にインダクタ
ンスが付加されてトラップ共振器となるので、所望の影
像周波数を減衰させることができる。
【００３２】また、請求項３〜１０に係る弾性表面波フ
ィルタでは、前記少なくとも一つの弾性表面波素子の中
心周波数とこれに対応する前記スーパーヘテロダイン方
式の周波数変換の際に生じる影像周波数との周波数差ｆ
ｄ１と、前記他の弾性表面波素子のうち少なくとも一つ
の弾性表面波素子の中心周波数とこれに対応する前記ス
ーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じる影像
周波数との周波数差ｆｄ２とをほぼ等しくしているの
で、これら複数の弾性表面波素子により構成される複数
のフィルタに対して中間周波信号以降の処理を行う回路
を共通化することができる。
ィルタでは、前記少なくとも一つの弾性表面波素子の中
心周波数とこれに対応する前記スーパーヘテロダイン方
式の周波数変換の際に生じる影像周波数との周波数差ｆ
ｄ１と、前記他の弾性表面波素子のうち少なくとも一つ
の弾性表面波素子の中心周波数とこれに対応する前記ス
ーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じる影像
周波数との周波数差ｆｄ２とをほぼ等しくしているの
で、これら複数の弾性表面波素子により構成される複数
のフィルタに対して中間周波信号以降の処理を行う回路
を共通化することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１〜４を用いて説明する。図１は本発明の第１の実
施の形態を示す弾性表面波フィルタの蓋部を取って内部
を見た平面図であり、図２は図１のＸ−Ｘ線断面図、図
３は図１の等価回路図、図４は図1の周波数特性図であ
る。
を図１〜４を用いて説明する。図１は本発明の第１の実
施の形態を示す弾性表面波フィルタの蓋部を取って内部
を見た平面図であり、図２は図１のＸ−Ｘ線断面図、図
３は図１の等価回路図、図４は図1の周波数特性図であ
る。
【００３４】図１に示すように、弾性表面波フィルタ１
は、パッケージ２内に収納された弾性表面波素子３およ
びパッケージ２と弾性表面波素子３を接続するボンディ
ングワイヤ４とから構成されている。
は、パッケージ２内に収納された弾性表面波素子３およ
びパッケージ２と弾性表面波素子３を接続するボンディ
ングワイヤ４とから構成されている。
【００３５】パッケージ２はアルミナなどにより形成さ
れており、蓋部を有している。また、パッケージ２の内
部には入出力側電極ランド５ａ、５ｂ、基準電位側電極
ランド５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆが金属を印刷・焼成した
りメッキしたりすることなどにより形成されている。さ
らに、図２に示すように、基準電位側電極ランド５ｃ、
５ｅは引き回し電極６を介して入出力側外部端子７ｃ、
７ｅに接続されている。なお、図示しないが、入出力側
電極ランド５ａ、５ｂも同様に引き回し電極を介して入
出力側外部端子に接続されており、基準電位側電極ラン
ド５ｄ、５ｆも同様に引き回し電極を介して基準電位側
外部端子に接続されている。
れており、蓋部を有している。また、パッケージ２の内
部には入出力側電極ランド５ａ、５ｂ、基準電位側電極
ランド５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆが金属を印刷・焼成した
りメッキしたりすることなどにより形成されている。さ
らに、図２に示すように、基準電位側電極ランド５ｃ、
５ｅは引き回し電極６を介して入出力側外部端子７ｃ、
７ｅに接続されている。なお、図示しないが、入出力側
電極ランド５ａ、５ｂも同様に引き回し電極を介して入
出力側外部端子に接続されており、基準電位側電極ラン
ド５ｄ、５ｆも同様に引き回し電極を介して基準電位側
外部端子に接続されている。
【００３６】弾性表面波素子３は、圧電基板３ａとその
上に形成されたＩＤＴ（インターデジタルトランスデュ
ーサ）８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅと入出力端子９
ａ、９ｂおよび基準電位端子９ｃ、９ｅ、９ｇより構成
される。
上に形成されたＩＤＴ（インターデジタルトランスデュ
ーサ）８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅと入出力端子９
ａ、９ｂおよび基準電位端子９ｃ、９ｅ、９ｇより構成
される。
【００３７】圧電基板３ａとしては、水晶、ＬｉＴａＯ
3、ＬｉＮｂＯ3等の圧電基板、あるいはサファイア等の
絶縁基板上にＺｎＯ膜を形成したものなどが用いられ
る。なお、３６°回転ＹカットＸ方向伝搬ＬｉＴａＯ3
基板を用いれば、他の材料に比べて電気機械結合係数が
比較的高いので、通過帯域の広帯域化を図ることができ
る。
3、ＬｉＮｂＯ3等の圧電基板、あるいはサファイア等の
絶縁基板上にＺｎＯ膜を形成したものなどが用いられ
る。なお、３６°回転ＹカットＸ方向伝搬ＬｉＴａＯ3
基板を用いれば、他の材料に比べて電気機械結合係数が
比較的高いので、通過帯域の広帯域化を図ることができ
る。
【００３８】ＩＤＴ８ａ〜８ｅは、それぞれ伝送線路に
よって接続され、図３に示すように梯子型を構成してお
り、ＩＤＴ８ａ、８ｂが直列に配置され、ＩＤＴ８ｃ〜
８ｅが並列に配置されている。なお、ＩＤＴ８ａ〜８ｅ
の表面波伝搬方向の両側には反射器がそれぞれ配置さ
れ、エネルギーを効果的に閉じ込めているが、ＩＤＴの
対数が多い場合や端面で反射させる場合などエネルギー
が十分に閉じ込められている場合には、反射器は必要と
しない。これらＩＤＴ８ａ〜８ｅやそれに対応する反射
器、伝送線路、入出力端子９ａ、９ｂおよび基準電位端
子９ｃ、９ｅ、９ｇは、ＡｌまたはＡｌを主成分とする
金属を蒸着またはスパッタリングし、フォトリソグラフ
ィーなどの手法で形成される。
よって接続され、図３に示すように梯子型を構成してお
り、ＩＤＴ８ａ、８ｂが直列に配置され、ＩＤＴ８ｃ〜
８ｅが並列に配置されている。なお、ＩＤＴ８ａ〜８ｅ
の表面波伝搬方向の両側には反射器がそれぞれ配置さ
れ、エネルギーを効果的に閉じ込めているが、ＩＤＴの
対数が多い場合や端面で反射させる場合などエネルギー
が十分に閉じ込められている場合には、反射器は必要と
しない。これらＩＤＴ８ａ〜８ｅやそれに対応する反射
器、伝送線路、入出力端子９ａ、９ｂおよび基準電位端
子９ｃ、９ｅ、９ｇは、ＡｌまたはＡｌを主成分とする
金属を蒸着またはスパッタリングし、フォトリソグラフ
ィーなどの手法で形成される。
【００３９】また、図１に示すように、入出力端子９ａ
はワイヤー４を介してパッケージ２の入出力側電極ラン
ド５ａに接続され、入出力端子９ｂはワイヤー４を介し
てパッケージ２の入出力側電極ランド５ｂに接続されて
いる。基準電位端子９ｃはワイヤー４を介してパッケー
ジ２の基準電位側電極ランド５ｃに接続され、基準電位
端子９ｇはワイヤー４を介してパッケージ２の入出力側
電極ランド５ｅに接続され、基準電位端子９ｅはワイヤ
ー４を介してパッケージ２の入出力側電極ランド５ｅに
接続されている。なお、パッケージ２の基準電位側電極
ランド５ｄ、５ｆは弾性表面波素子３と接続されておら
ず、浮き電極ランドとなっている。
はワイヤー４を介してパッケージ２の入出力側電極ラン
ド５ａに接続され、入出力端子９ｂはワイヤー４を介し
てパッケージ２の入出力側電極ランド５ｂに接続されて
いる。基準電位端子９ｃはワイヤー４を介してパッケー
ジ２の基準電位側電極ランド５ｃに接続され、基準電位
端子９ｇはワイヤー４を介してパッケージ２の入出力側
電極ランド５ｅに接続され、基準電位端子９ｅはワイヤ
ー４を介してパッケージ２の入出力側電極ランド５ｅに
接続されている。なお、パッケージ２の基準電位側電極
ランド５ｄ、５ｆは弾性表面波素子３と接続されておら
ず、浮き電極ランドとなっている。
【００４０】以上のような構成の弾性表面波フィルタの
周波数特性を図４に示す。このとき、ＩＤＴ８ａは電極
指長３２μｍで対数が８０対、ＩＤＴ８ｂは電極指長３
２μｍで対数が８０対、ＩＤＴ８ｃは電極指長８８μｍ
で対数が７２対、ＩＤＴ８ｄは電極指長１１７μｍで対
数が１１６対、ＩＤＴ８ｅは電極指長８８μｍで対数が
７２対にしている。また、基準電位端子９ｃから基準電
位までのインダクタンスを０．６ｎＨとし、基準電位端
子９ｇから基準電位までのインダクタンスを０．８ｎＨ
とし、基準電位端子９ｅから基準電位までのインダクタ
ンスを０．６ｎＨとしている。
周波数特性を図４に示す。このとき、ＩＤＴ８ａは電極
指長３２μｍで対数が８０対、ＩＤＴ８ｂは電極指長３
２μｍで対数が８０対、ＩＤＴ８ｃは電極指長８８μｍ
で対数が７２対、ＩＤＴ８ｄは電極指長１１７μｍで対
数が１１６対、ＩＤＴ８ｅは電極指長８８μｍで対数が
７２対にしている。また、基準電位端子９ｃから基準電
位までのインダクタンスを０．６ｎＨとし、基準電位端
子９ｇから基準電位までのインダクタンスを０．８ｎＨ
とし、基準電位端子９ｅから基準電位までのインダクタ
ンスを０．６ｎＨとしている。
【００４１】この弾性表面波フィルタはＧＳＭ用の受信
側ＲＦフィルタとして構成しているため、図４に示すよ
うに、中心周波数が９４７．５ＭＨｚに設定されてい
る。ＧＳＭ用では中間周波信号の周波数は７１ＭＨｚが
一般的であるため、通信機装置において問題となる影像
周波信号の中心周波数は例えば１０８９．５ＭＨｚに生
じる。図４に示すように、この弾性表面波フィルタで
は、１１００ＭＨｚ付近にトラップが形成されており、
その点における減衰量は約４２ｄＢと効果的に大きくな
っていることがわかる。このトラップは、並列腕に配置
されたＩＤＴ８ｃ、８ｄ、８ｅの容量と、基準電位端子
９ｃ、９ｇ、９ｅから基準電位までのインダクタンスに
よって構成される共振器の共振周波数に一致する。ま
た、このようなトラップを影像周波信号の中心周波数近
傍に設定すればトラップによってその近傍の減衰量が改
善されるため、トラップと影像周波信号の中心周波数を
一致させなくてもよいが、トラップ近傍の減衰程度から
みて、トラップの周波数は影像周波信号の中心周波数の
約５％以内であることが望ましい。
側ＲＦフィルタとして構成しているため、図４に示すよ
うに、中心周波数が９４７．５ＭＨｚに設定されてい
る。ＧＳＭ用では中間周波信号の周波数は７１ＭＨｚが
一般的であるため、通信機装置において問題となる影像
周波信号の中心周波数は例えば１０８９．５ＭＨｚに生
じる。図４に示すように、この弾性表面波フィルタで
は、１１００ＭＨｚ付近にトラップが形成されており、
その点における減衰量は約４２ｄＢと効果的に大きくな
っていることがわかる。このトラップは、並列腕に配置
されたＩＤＴ８ｃ、８ｄ、８ｅの容量と、基準電位端子
９ｃ、９ｇ、９ｅから基準電位までのインダクタンスに
よって構成される共振器の共振周波数に一致する。ま
た、このようなトラップを影像周波信号の中心周波数近
傍に設定すればトラップによってその近傍の減衰量が改
善されるため、トラップと影像周波信号の中心周波数を
一致させなくてもよいが、トラップ近傍の減衰程度から
みて、トラップの周波数は影像周波信号の中心周波数の
約５％以内であることが望ましい。
【００４２】近年、このような弾性表面波フィルタを用
いるＧＳＭ、ＥＧＳＭでは中間周波信号の高周波化が検
討されている。このような中間周波信号の高周波化にと
もなって影像周波数信号も高くなる。
いるＧＳＭ、ＥＧＳＭでは中間周波信号の高周波化が検
討されている。このような中間周波信号の高周波化にと
もなって影像周波数信号も高くなる。
【００４３】そこで、図５に示すように弾性表面波フィ
ルタ１ａを作成した。弾性表面波フィルタ１ａと図１に
示した弾性表面波フィルタ１との相違点は、弾性表面波
素子３の基準電位端子９ｇとパッケージ２の基準電位側
ランド５ｃを接続するボンディングワイヤ４がある点で
ある。これによって、図６の等価回路に示すように中央
の並列腕に配置されたＩＤＴ８ｄに接続される基準電位
端子９ｇに対してボンディングワイヤ４−引き回し電極
６−基準電位側外部端子７ｅの経路によるインダクタン
スに加えて、ボンディングワイヤ４−引き回し電極６−
基準電位側外部端子７ｃの経路によるインダクタンスが
並列に配置される。このため、基準電位端子９ｇから基
準電位までのインダクタンスは、図１に示した弾性表面
波フィルタ１に比べて小さくなる。したがって、ＩＤＴ
８ｄの容量と基準電位端子９ｇから基準電位までのイン
ダクタンスにより構成される共振器の共振周波数は弾性
表面波フィルタ１の場合に比べて高くなる。また、同様
にＩＤＴ８ｃにそれぞれ接続される基準電位端子９ｃに
おいても、基準電位端子９ｃから基準電位までのインダ
クタンスは、図１に示した弾性表面波フィルタ１に比べ
て小さくなるので、ＩＤＴ８ｃの容量と基準電位端子９
ｃから基準電位までのインダクタンスにより構成される
共振器の共振周波数は弾性表面波フィルタ１の場合に比
べて高くなる。
ルタ１ａを作成した。弾性表面波フィルタ１ａと図１に
示した弾性表面波フィルタ１との相違点は、弾性表面波
素子３の基準電位端子９ｇとパッケージ２の基準電位側
ランド５ｃを接続するボンディングワイヤ４がある点で
ある。これによって、図６の等価回路に示すように中央
の並列腕に配置されたＩＤＴ８ｄに接続される基準電位
端子９ｇに対してボンディングワイヤ４−引き回し電極
６−基準電位側外部端子７ｅの経路によるインダクタン
スに加えて、ボンディングワイヤ４−引き回し電極６−
基準電位側外部端子７ｃの経路によるインダクタンスが
並列に配置される。このため、基準電位端子９ｇから基
準電位までのインダクタンスは、図１に示した弾性表面
波フィルタ１に比べて小さくなる。したがって、ＩＤＴ
８ｄの容量と基準電位端子９ｇから基準電位までのイン
ダクタンスにより構成される共振器の共振周波数は弾性
表面波フィルタ１の場合に比べて高くなる。また、同様
にＩＤＴ８ｃにそれぞれ接続される基準電位端子９ｃに
おいても、基準電位端子９ｃから基準電位までのインダ
クタンスは、図１に示した弾性表面波フィルタ１に比べ
て小さくなるので、ＩＤＴ８ｃの容量と基準電位端子９
ｃから基準電位までのインダクタンスにより構成される
共振器の共振周波数は弾性表面波フィルタ１の場合に比
べて高くなる。
【００４４】図７に、この弾性表面波フィルタ１ａの周
波数特性を示す。このとき、ＩＤＴ８ａ〜８ｅは、電極
指長・対数・中心周波数は全て図４に示した弾性表面波
フィルタのものと同じものを用いている。また、基準電
位端子９ｃから基準電位までのインダクタンスは０．３
ｎＨとなり、基準電位端子９ｄから基準電位までのイン
ダクタンスは０．４ｎＨとなり、基準電位端子９ｅから
基準電位までのインダクタンスは０．３ｎＨとなる。
波数特性を示す。このとき、ＩＤＴ８ａ〜８ｅは、電極
指長・対数・中心周波数は全て図４に示した弾性表面波
フィルタのものと同じものを用いている。また、基準電
位端子９ｃから基準電位までのインダクタンスは０．３
ｎＨとなり、基準電位端子９ｄから基準電位までのイン
ダクタンスは０．４ｎＨとなり、基準電位端子９ｅから
基準電位までのインダクタンスは０．３ｎＨとなる。
【００４５】図７に示すように、この弾性表面波フィル
タでは、１１７０ＭＨｚ付近にトラップが形成されてお
り、その点における減衰量は約４２ｄＢと効果的に大き
くなっていることがわかる。したがって、中間周波信号
の中心周波数１１０ＭＨｚに対応することができる。
タでは、１１７０ＭＨｚ付近にトラップが形成されてお
り、その点における減衰量は約４２ｄＢと効果的に大き
くなっていることがわかる。したがって、中間周波信号
の中心周波数１１０ＭＨｚに対応することができる。
【００４６】次に、更に高周波化した例として、図８に
示すように弾性表面波フィルタ１ｂを作成した。弾性表
面波フィルタ１ｂと図５に示した弾性表面波フィルタ１
ａとの相違点は、弾性表面波素子３の基準電位端子９ｄ
とパッケージ２の基準電位側ランド５ｄを接続するボン
ディングワイヤ４があり、弾性表面波素子３の基準電位
端子９ｆとパッケージ２の基準電位側ランド５ｆを接続
するボンディングワイヤ４がある点である。また、図９
に示すように、パッケージ２の内底面にダイアタッチ部
１０を形成し、これを引き回し電極６に接続している。
示すように弾性表面波フィルタ１ｂを作成した。弾性表
面波フィルタ１ｂと図５に示した弾性表面波フィルタ１
ａとの相違点は、弾性表面波素子３の基準電位端子９ｄ
とパッケージ２の基準電位側ランド５ｄを接続するボン
ディングワイヤ４があり、弾性表面波素子３の基準電位
端子９ｆとパッケージ２の基準電位側ランド５ｆを接続
するボンディングワイヤ４がある点である。また、図９
に示すように、パッケージ２の内底面にダイアタッチ部
１０を形成し、これを引き回し電極６に接続している。
【００４７】これによって、図１０の等価回路に示すよ
うに、ＩＤＴ８ｃに接続される基準電位端子９ｄに対し
てボンディングワイヤ４−引き回し電極６−基準電位側
外部端子７ｄの経路によるインダクタンスが並列に付加
され、ＩＤＴ８ｅに接続される基準電位端子９ｄに対し
てボンディングワイヤ４−引き回し電極６−基準電位側
外部端子７ｆの経路によるインダクタンスが並列に付加
されている。
うに、ＩＤＴ８ｃに接続される基準電位端子９ｄに対し
てボンディングワイヤ４−引き回し電極６−基準電位側
外部端子７ｄの経路によるインダクタンスが並列に付加
され、ＩＤＴ８ｅに接続される基準電位端子９ｄに対し
てボンディングワイヤ４−引き回し電極６−基準電位側
外部端子７ｆの経路によるインダクタンスが並列に付加
されている。
【００４８】さらに、この二つの経路はダイアタッチ部
１０により接続されているため、お互いに並列となりさ
らにＩＤＴ８ｃ〜８ｅに接続されるインダクタンスが小
さくなる。これにより、ＩＤＴ８ｃ、８ｅの容量とそれ
に接続されたインダクタンスにより構成される共振器の
周波数が高くなる。
１０により接続されているため、お互いに並列となりさ
らにＩＤＴ８ｃ〜８ｅに接続されるインダクタンスが小
さくなる。これにより、ＩＤＴ８ｃ、８ｅの容量とそれ
に接続されたインダクタンスにより構成される共振器の
周波数が高くなる。
【００４９】この弾性表面波フィルタ１ｂでは、図１１
に示すように、１４００ＭＨｚ付近にトラップが形成さ
れており、その点における減衰量は約４７ｄＢと効果的
に大きくなるため、中間周波信号の中心周波数２２０Ｍ
Ｈｚに対応することができる。
に示すように、１４００ＭＨｚ付近にトラップが形成さ
れており、その点における減衰量は約４７ｄＢと効果的
に大きくなるため、中間周波信号の中心周波数２２０Ｍ
Ｈｚに対応することができる。
【００５０】したがって、例えば通信機装置の中間周波
信号の中心周波数２２０ＭＨｚであった場合、図１の弾
性表面波フィルタ１では１４００ＭＨｚ付近の減衰量が
約３０ｄＢであるのに対し、図８の弾性表面波フィルタ
１ｂでは１４００ＭＨｚ付近の減衰量が約４７ｄＢ得る
ことができ、その減衰量はさらに１７ｄＢ改善すること
ができる。
信号の中心周波数２２０ＭＨｚであった場合、図１の弾
性表面波フィルタ１では１４００ＭＨｚ付近の減衰量が
約３０ｄＢであるのに対し、図８の弾性表面波フィルタ
１ｂでは１４００ＭＨｚ付近の減衰量が約４７ｄＢ得る
ことができ、その減衰量はさらに１７ｄＢ改善すること
ができる。
【００５１】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。第２の実施の形態は、図１において説明した
弾性表面波フィルタ１の並列腕に配されたＩＤＴ８ｃ〜
８ｅの容量を小さくすることにより、ＩＤＴ８ｃ〜８ｅ
の容量とそれに接続されたインダクタンスにより構成さ
れる共振器の周波数を高くするものである。なお、ＩＤ
Ｔ８ｃ〜８ｅの容量を小さくする手法としては、交差幅
を小さくする、対数を少なくする等の手法を用いること
ができる。
説明する。第２の実施の形態は、図１において説明した
弾性表面波フィルタ１の並列腕に配されたＩＤＴ８ｃ〜
８ｅの容量を小さくすることにより、ＩＤＴ８ｃ〜８ｅ
の容量とそれに接続されたインダクタンスにより構成さ
れる共振器の周波数を高くするものである。なお、ＩＤ
Ｔ８ｃ〜８ｅの容量を小さくする手法としては、交差幅
を小さくする、対数を少なくする等の手法を用いること
ができる。
【００５２】図１２は、図１の弾性表面波フィルタ１に
おけるＩＤＴ８ｃ、８ｅの容量を約２０％低減し、ＩＤ
Ｔ８ｄの容量を約４０％低減してその特性を測定したも
のである。この弾性表面波フィルタはＧＳＭ用の受信側
ＲＦフィルタとして構成しているため、図１２に示すよ
うに、中心周波数が９４７．５ＭＨｚに設定されてい
る。この時、１５６０ＭＨｚ付近にトラップが形成され
ており、その点における減衰量は約４０ｄＢと効果的に
大きくなっていることがわかる。したがって、本実施の
形態の弾性表面波フィルタでは、中間周波信号の周波数
３００ＭＨｚに対応することができ、第１の実施の形態
で説明した弾性表面波フィルタに比べて、さらに中間周
波信号の高周波化が可能となる。
おけるＩＤＴ８ｃ、８ｅの容量を約２０％低減し、ＩＤ
Ｔ８ｄの容量を約４０％低減してその特性を測定したも
のである。この弾性表面波フィルタはＧＳＭ用の受信側
ＲＦフィルタとして構成しているため、図１２に示すよ
うに、中心周波数が９４７．５ＭＨｚに設定されてい
る。この時、１５６０ＭＨｚ付近にトラップが形成され
ており、その点における減衰量は約４０ｄＢと効果的に
大きくなっていることがわかる。したがって、本実施の
形態の弾性表面波フィルタでは、中間周波信号の周波数
３００ＭＨｚに対応することができ、第１の実施の形態
で説明した弾性表面波フィルタに比べて、さらに中間周
波信号の高周波化が可能となる。
【００５３】また、第１の実施の形態と同様にボンディ
ングワイヤの本数によってさらに中間周波信号の高周波
化が望める。すなわち、図８の弾性表面波フィルタ１ｂ
におけるＩＤＴ８ｃ、８ｅの容量を約２０％低減し、Ｉ
ＤＴ８ｄの容量を約４０％低減してその特性を測定した
ものを図１３に示す。この弾性表面波フィルタでは、１
８７０ＭＨｚ付近にトラップが形成されており、その点
における減衰量は約４２ｄＢと効果的に大きくなるた
め、中間周波信号の中心周波数４６０ＭＨｚに対応する
ことができる。
ングワイヤの本数によってさらに中間周波信号の高周波
化が望める。すなわち、図８の弾性表面波フィルタ１ｂ
におけるＩＤＴ８ｃ、８ｅの容量を約２０％低減し、Ｉ
ＤＴ８ｄの容量を約４０％低減してその特性を測定した
ものを図１３に示す。この弾性表面波フィルタでは、１
８７０ＭＨｚ付近にトラップが形成されており、その点
における減衰量は約４２ｄＢと効果的に大きくなるた
め、中間周波信号の中心周波数４６０ＭＨｚに対応する
ことができる。
【００５４】したがって、第１の実施の形態と第２の実
施の形態を組み合わせることによって、中間周波信号７
１〜４６０ＭＨｚの範囲であれば効果的に影像周波数信
号における減衰量を向上させることができる。
施の形態を組み合わせることによって、中間周波信号７
１〜４６０ＭＨｚの範囲であれば効果的に影像周波数信
号における減衰量を向上させることができる。
【００５５】なお、第１の実施の形態と同様に、このよ
うなトラップを影像周波信号の中心周波数近傍に設定す
ればトラップによってその近傍の減衰量が改善されるた
め、トラップと影像周波信号の中心周波数を一致させな
くてもよいが、トラップ近傍の減衰程度からみて、トラ
ップの周波数は影像周波信号の中心周波数の約５％以内
であることが望ましい。
うなトラップを影像周波信号の中心周波数近傍に設定す
ればトラップによってその近傍の減衰量が改善されるた
め、トラップと影像周波信号の中心周波数を一致させな
くてもよいが、トラップ近傍の減衰程度からみて、トラ
ップの周波数は影像周波信号の中心周波数の約５％以内
であることが望ましい。
【００５６】次に、本発明の第３の実施の形態を図１４
を用いて説明する。図１４は本発明の第３の実施の形態
を示す弾性表面波フィルタの蓋部を取って内部を見た平
面図である。
を用いて説明する。図１４は本発明の第３の実施の形態
を示す弾性表面波フィルタの蓋部を取って内部を見た平
面図である。
【００５７】図１４に示すように、本実施の形態では中
心周波数の異なる２つの帯域通過フィルタ２１、３１を
備えたデュアルバンド弾性表面波フィルタ１１は、パッ
ケージ１２内に収納された圧電基板１３ａおよびパッケ
ージ１２と圧電基板１３ａ上の端子とを接続するボンデ
ィングワイヤとから構成されている。
心周波数の異なる２つの帯域通過フィルタ２１、３１を
備えたデュアルバンド弾性表面波フィルタ１１は、パッ
ケージ１２内に収納された圧電基板１３ａおよびパッケ
ージ１２と圧電基板１３ａ上の端子とを接続するボンデ
ィングワイヤとから構成されている。
【００５８】パッケージ１２はアルミナなどにより形成
されており、図示しない蓋部を有している。また、パッ
ケージ１２の内部には入出力側電極ランド２５ａ、２５
ｂ、３５ａ、３５ｂ及び基準電位側電極ランド２５ｃ、
２５ｅ、３５ｃ〜３５ｆが金属を印刷・焼成したりメッ
キしたりすることなどにより形成されている。さらに、
第１の実施の形態で説明した弾性表面波フィルタのパッ
ケージと同様に、入出力側電極ランド２５ａ、２５ｂ、
３５ａ、３５ｂ及び基準電位側電極ランド２５ｃ、２５
ｅ、３５ｃ〜３５ｆは引き回し電極を介して外部端子に
それぞれ接続されている。
されており、図示しない蓋部を有している。また、パッ
ケージ１２の内部には入出力側電極ランド２５ａ、２５
ｂ、３５ａ、３５ｂ及び基準電位側電極ランド２５ｃ、
２５ｅ、３５ｃ〜３５ｆが金属を印刷・焼成したりメッ
キしたりすることなどにより形成されている。さらに、
第１の実施の形態で説明した弾性表面波フィルタのパッ
ケージと同様に、入出力側電極ランド２５ａ、２５ｂ、
３５ａ、３５ｂ及び基準電位側電極ランド２５ｃ、２５
ｅ、３５ｃ〜３５ｆは引き回し電極を介して外部端子に
それぞれ接続されている。
【００５９】圧電基板１３ａ上には複数のＩＤＴと複数
の入出力端子および基準電位端子が形成されて二つの弾
性表面波素子が構成されており、それぞれ帯域通過フィ
ルタ２１、３１となっている。
の入出力端子および基準電位端子が形成されて二つの弾
性表面波素子が構成されており、それぞれ帯域通過フィ
ルタ２１、３１となっている。
【００６０】帯域通過フィルタ２１は、図３と同じ等価
回路を構成しており、その中心周波数は１８４２．５Ｍ
Ｈｚに設定されている。この帯域通過フィルタ２１は、
図１５に示すように、複数の並列腕に配されたＩＤＴの
容量とそれに接続された基準電位端子までのインダクタ
ンスによる共振器の共振周波数を１４３０ＭＨｚ付近に
設定しているため、中間周波信号の中心周波数が２２０
ＭＨｚの時の影像周波数で約４０ｄＢ以上の減衰量が得
られている。このようにＩＤＴの容量とそれに接続され
た基準電位端子までのインダクタンスを設定して、通過
帯域の低域側の影像周波数にも対応することができる。
回路を構成しており、その中心周波数は１８４２．５Ｍ
Ｈｚに設定されている。この帯域通過フィルタ２１は、
図１５に示すように、複数の並列腕に配されたＩＤＴの
容量とそれに接続された基準電位端子までのインダクタ
ンスによる共振器の共振周波数を１４３０ＭＨｚ付近に
設定しているため、中間周波信号の中心周波数が２２０
ＭＨｚの時の影像周波数で約４０ｄＢ以上の減衰量が得
られている。このようにＩＤＴの容量とそれに接続され
た基準電位端子までのインダクタンスを設定して、通過
帯域の低域側の影像周波数にも対応することができる。
【００６１】また、帯域通過フィルタ３１は、図１０と
同じ等価回路を構成しており、その中心周波数は９４
７．５ＭＨｚに設定されている。この帯域通過フィルタ
３１は、図１１に示すように、複数の並列腕に配された
ＩＤＴの容量とそれに接続された基準電位端子までのイ
ンダクタンスによる共振器の共振周波数を１４００ＭＨ
ｚ付近に設定しているため、中間周波信号の中心周波数
が２２０ＭＨｚの時の影像周波数で約４７ｄＢ以上の減
衰量が得られている。
同じ等価回路を構成しており、その中心周波数は９４
７．５ＭＨｚに設定されている。この帯域通過フィルタ
３１は、図１１に示すように、複数の並列腕に配された
ＩＤＴの容量とそれに接続された基準電位端子までのイ
ンダクタンスによる共振器の共振周波数を１４００ＭＨ
ｚ付近に設定しているため、中間周波信号の中心周波数
が２２０ＭＨｚの時の影像周波数で約４７ｄＢ以上の減
衰量が得られている。
【００６２】すなわち、上記デュアルバンド弾性表面波
フィルタでは、第１の弾性表面波フィルタの中心周波数
と影像周波数との周波数差ｆｄ１と第２の弾性表面波フ
ィルタの中心周波数と影像周波数との周波数差ｆｄ２と
をほぼ等しくしているので、中間周波信号が共に２２０
ＭＨｚとなっている。これによって、中間周波信号以降
の処理を行う回路を共通化することができる。
フィルタでは、第１の弾性表面波フィルタの中心周波数
と影像周波数との周波数差ｆｄ１と第２の弾性表面波フ
ィルタの中心周波数と影像周波数との周波数差ｆｄ２と
をほぼ等しくしているので、中間周波信号が共に２２０
ＭＨｚとなっている。これによって、中間周波信号以降
の処理を行う回路を共通化することができる。
【００６３】なお、本実施の形態では、帯域通過フィル
タ２１、３１は同一圧電基板１３ａ上に形成したがこれ
に限るものではなく、帯域通過フィルタ２１、３１をそ
れぞれ別の圧電基板で構成しても良い。同一圧電基板上
で構成した方が工程数、製造コスト、小型化という点で
は良いが、帯域通過フィルタ２１、３１の特性を大きく
異ならせる場合には、それぞれ別の異なる圧電基板を用
いた方が良い。
タ２１、３１は同一圧電基板１３ａ上に形成したがこれ
に限るものではなく、帯域通過フィルタ２１、３１をそ
れぞれ別の圧電基板で構成しても良い。同一圧電基板上
で構成した方が工程数、製造コスト、小型化という点で
は良いが、帯域通過フィルタ２１、３１の特性を大きく
異ならせる場合には、それぞれ別の異なる圧電基板を用
いた方が良い。
【００６４】また、本発明の第１〜第３の実施の形態で
説明した弾性表面波フィルタは図１６で説明したような
通信機装置に用いるものであり、ＩＤＴの容量とＩＤＴ
から基準電位までのインダクタンスにより構成されるト
ラップ共振器の共振周波数は、減衰させたい影像周波数
によって適宜変更するものである。
説明した弾性表面波フィルタは図１６で説明したような
通信機装置に用いるものであり、ＩＤＴの容量とＩＤＴ
から基準電位までのインダクタンスにより構成されるト
ラップ共振器の共振周波数は、減衰させたい影像周波数
によって適宜変更するものである。
【００６５】
【発明の効果】以上のように、本発明請求項１〜１０に
係る弾性表面波フィルタでは、ＩＤＴの容量と直列にイ
ンダクタンスが付加されてトラップ共振器となるので、
所望の影像周波数を減衰させることができる。
係る弾性表面波フィルタでは、ＩＤＴの容量と直列にイ
ンダクタンスが付加されてトラップ共振器となるので、
所望の影像周波数を減衰させることができる。
【００６６】また、トラップ共振器の共振周波数はＩＤ
Ｔの容量及びそれに直列なインダクタンスの値を適宜設
定することで通過帯域の高域側及び低域側のどちらでも
減衰させることができ、中間周波信号の高周波化にも対
応することができる。
Ｔの容量及びそれに直列なインダクタンスの値を適宜設
定することで通過帯域の高域側及び低域側のどちらでも
減衰させることができ、中間周波信号の高周波化にも対
応することができる。
【００６７】また、トラップ共振器の共振周波数を変化
させるだけなので、通過帯域の挿入損失を損なうことな
く影像周波数を減衰させることができる。
させるだけなので、通過帯域の挿入損失を損なうことな
く影像周波数を減衰させることができる。
【００６８】また、ＩＤＴの容量ボンディングワイヤや
パッケージのインダクタンス等現状使用している構造で
トラップ共振器を構成しているので、弾性表面波フィル
タ全体の小型化が容易である。
パッケージのインダクタンス等現状使用している構造で
トラップ共振器を構成しているので、弾性表面波フィル
タ全体の小型化が容易である。
【００６９】また、請求項３〜１０に係る弾性表面波フ
ィルタでは、前記少なくとも一つの弾性表面波素子の中
心周波数とこれに対応する前記スーパーヘテロダイン方
式の周波数変換の際に生じる影像周波数との周波数差ｆ
ｄ１と、前記他の弾性表面波素子のうち少なくとも一つ
の弾性表面波素子の中心周波数とこれに対応する前記ス
ーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じる影像
周波数との周波数差ｆｄ２とをほぼ等しくしているの
で、これら複数の弾性表面波素子により構成される複数
のフィルタに対して中間周波信号以降の処理を行う回路
を共通化することができる。したがって機器の部品点数
を削減することができる。
ィルタでは、前記少なくとも一つの弾性表面波素子の中
心周波数とこれに対応する前記スーパーヘテロダイン方
式の周波数変換の際に生じる影像周波数との周波数差ｆ
ｄ１と、前記他の弾性表面波素子のうち少なくとも一つ
の弾性表面波素子の中心周波数とこれに対応する前記ス
ーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じる影像
周波数との周波数差ｆｄ２とをほぼ等しくしているの
で、これら複数の弾性表面波素子により構成される複数
のフィルタに対して中間周波信号以降の処理を行う回路
を共通化することができる。したがって機器の部品点数
を削減することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波フ
ィルタの平面図である。
ィルタの平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】図１の弾性表面波フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図４】図１の弾性表面波フィルタの周波数特性図であ
る。
る。
【図５】本発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係
る弾性表面波フィルタの平面図である。
る弾性表面波フィルタの平面図である。
【図６】図５の弾性表面波フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図７】図５の弾性表面波フィルタの周波数特性図であ
る。
る。
【図８】本発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係
る弾性表面波フィルタの平面図である。
る弾性表面波フィルタの平面図である。
【図９】図８のＹ−Ｙ線断面図である。
【図１０】図８の弾性表面波フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図１１】図８の弾性表面波フィルタの周波数特性図で
ある。
ある。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る弾性表面波
フィルタの周波数特性図である。
フィルタの周波数特性図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態の第１の変形例に
係る弾性表面波フィルタの周波数特性図である。
係る弾性表面波フィルタの周波数特性図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る弾性表面波
フィルタの平面図である。
フィルタの平面図である。
【図１５】図１４の第１の帯域通過フィルタ２１の周波
数特性図である。
数特性図である。
【図１６】スーパーヘテロダイン方式の通信機装置のブ
ロック図である。
ロック図である。
１ 表面波フィルタ
２ パッケージ
３ 弾性表面波素子
３ａ 圧電基板
４ ボンディングワイヤ
５ａ、５ｂ 入出力側電極ランド
５ｃ、５ｄ、５ｅ 基準電位側電極ランド
６ 引き回し電極
７ａ、７ｂ 入出力側外部端子
７ｃ、７ｄ、７ｅ 基準電位側外部端子
８ａ、８ｂ 直列腕に配されたＩＤＴ
８ｃ、８ｄ、８ｅ 並列腕に配されたＩＤＴ
９ａ、９ｂ 入出力端子
９ｃ、９ｄ、９ｅ、９ｆ、９ｇ 基準電位端子
１０ ダイアタッチ部
Claims (11)
- 【請求項１】 圧電基板上に少なくとも一つのＩＤＴと
このＩＤＴに接続される入出力端子および基準電位端子
とが形成された少なくとも一つの弾性表面波素子と、 前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性表面波素
子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ接続され
る電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接続する外
部端子とを有するパッケージから構成され、 スーパーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波フィ
ルタにおいて、 前記弾性表面波素子のＩＤＴの容量と前記弾性表面波素
子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子までの
インダクタンスにより形成される共振器の共振周波数を
前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じ
る影像周波数近傍に位置するようにしたことを特徴とす
る弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 圧電基板上に入出力端子および基準電位
端子を形成し、前記入出力端子間に直列腕ＩＤＴを配置
し、該直列腕ＩＤＴと基準電位端子との間に並列腕ＩＤ
Ｔを配置してラダー型回路を構成した少なくとも一つの
弾性表面波素子と、 前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性表面波素
子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ接続され
る電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接続する外
部端子とを有するパッケージから構成され、 スーパーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波フィ
ルタにおいて、 前記並列腕ＩＤＴの容量と前記弾性表面波素子の基準電
位端子から前記パッケージの外部端子までのインダクタ
ンスにより形成される共振器の共振周波数を前記スーパ
ーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じる影像周波
数近傍に位置するようにしたことを特徴とする弾性表面
波フィルタ。 - 【請求項３】 一つのパッケージに複数の弾性表面波素
子が収納され、少なくとも一つの弾性表面波素子の中心
周波数が他の弾性表面波素子の中心周波数と異なるスー
パーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波フィルタ
において、 前記少なくとも一つの弾性表面波素子の中心周波数とこ
れに対応する前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変
換の際に生じる影像周波数との周波数差ｆｄ１と、 前記他の弾性表面波素子のうち少なくとも一つの弾性表
面波素子の中心周波数とこれに対応する前記スーパーヘ
テロダイン方式の周波数変換の際に生じる影像周波数と
の周波数差ｆｄ２とをほぼ等しくしたことを特徴とする
弾性表面波フィルタ。 - 【請求項４】 前記複数の弾性表面波素子のうち任意の
弾性表面波素子は、圧電基板上に少なくとも一つのＩＤ
ＴとこのＩＤＴに接続される入出力端子および基準電位
端子とが形成されてなり、 前記パッケージは、前記複数の弾性表面波素子を内部に
収納し、前記複数の弾性表面波素子の入出力端子および
基準電位端子にそれぞれ接続される電極ランドとこの電
極ランドを外部回路に接続する外部端子が形成されてな
り、 前記任意の弾性表面波素子のＩＤＴの容量と前記任意の
弾性表面波素子の基準電位端子から前記パッケージの外
部端子までのインダクタンスにより形成される共振器の
共振周波数を前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変
換の際に生じる影像周波数近傍に位置するようにしたこ
とを特徴とする請求項３記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項５】 前記複数の弾性表面波素子のうち任意の
弾性表面波素子は、圧電基板上に入出力端子および基準
電位端子を形成し、前記入出力端子間に直列腕ＩＤＴを
配置し、該直列腕ＩＤＴと基準電位端子との間に並列腕
ＩＤＴを配置してラダー型回路を構成してなり、 前記パッケージは、前記複数の弾性表面波素子を内部に
収納し、前記複数の弾性表面波素子の入出力端子および
基準電位端子にそれぞれ接続される電極ランドとこの電
極ランドを外部回路に接続する外部端子が形成されてな
り、 前記任意の弾性表面波素子の並列腕ＩＤＴの容量と前記
任意の弾性表面波素子の基準電位端子から前記パッケー
ジの外部端子までのインダクタンスにより形成される共
振器の共振周波数を前記スーパーヘテロダイン方式の周
波数変換の際に生じる影像周波数近傍に位置するように
したことを特徴とする請求項３記載の弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項６】 前記弾性表面波素子の基準電位端子から
前記パッケージの外部端子までのインダクタンスは、前
記弾性表面波素子の基準電位端子と前記パッケージの電
極ランドを接続するボンディングワイヤのインダクタン
スを含むことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項
４または請求項５記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項７】 前記弾性表面波素子の基準電位端子から
前記パッケージの外部端子までのインダクタンスは、圧
電基板上に形成されたストリップラインまたはマイクロ
ストリップラインのインダクタンスを含むことを特徴と
する請求項１、請求項２、請求項４または請求項５記載
の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項８】 前記弾性表面波素子の基準電位端子から
前記パッケージの外部端子までのインダクタンスは、パ
ッケージ上に形成されたストリップラインまたはマイク
ロストリップラインのインダクタンスを含むことを特徴
とする請求項１、請求項２、請求項４または請求項５記
載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項９】 圧電基板上に少なくとも一つのＩＤＴと
このＩＤＴに接続される入出力端子および基準電位端子
とが形成された弾性表面波素子と、 前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性表面波素
子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ接続され
る電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接続する外
部端子とを有するパッケージと、 前記弾性表面波素子の基準電位端子と前記パッケージの
電極ランドを接続するボンディングワイヤとから構成さ
れ、 スーパーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波フィ
ルタにおいて、 前記弾性表面波素子のＩＤＴの容量と前記弾性表面波素
子の基準電位端子から前記パッケージの外部端子までの
インダクタンスにより形成される共振器の共振周波数を
前記スーパーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じ
る影像周波数近傍に位置するように、前記ＩＤＴの容
量、前記基準電位端子に接続される前記ボンディングワ
イヤの本数、前記基準電位端子が前記ボンディングワイ
ヤを介して接続される電極ランドの数、前記ボンディン
グワイヤの前記基準電位端子および前記電極ランドに対
応する接続位置を設定したことを特徴とする弾性表面波
フィルタ。 - 【請求項１０】 圧電基板上に入出力端子および基準電
位端子を形成し、前記入出力端子間に直列腕ＩＤＴを配
置し、該直列腕ＩＤＴと基準電位端子との間に並列腕Ｉ
ＤＴを配置してラダー型回路を構成した少なくとも一つ
の弾性表面波素子と、 前記弾性表面波素子を内部に収納し、前記弾性表面波素
子の入出力端子および基準電位端子にそれぞれ接続され
る電極ランドとこの電極ランドを外部回路に接続する外
部端子とを有するパッケージと、 前記基準電位端子と前記パッケージの電極ランドを接続
するボンディングワイヤとから構成され、 スーパーヘテロダイン方式に使用される弾性表面波フィ
ルタにおいて、 前記並列腕ＩＤＴの容量と前記弾性表面波素子の基準電
位端子から前記パッケージの外部端子までのインダクタ
ンスにより形成される共振器の共振周波数を前記スーパ
ーヘテロダイン方式の周波数変換の際に生じる影像周波
数近傍に位置するように、前記並列腕ＩＤＴの容量、前
記基準電位端子に接続される前記ボンディングワイヤの
本数、前記基準電位端子が前記ボンディングワイヤを介
して接続される電極ランドの数、前記ボンディングワイ
ヤの前記基準電位端子および前記電極ランドに対する接
続位置を設定したことを特徴とする弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項１１】 請求項１から請求項１０記載の弾性表
面波フィルタを用いたことを特徴とする通信機装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06348599A JP3498204B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 弾性表面波フィルタ、それを用いた通信機装置 |
| US09/512,531 US6369672B1 (en) | 1999-03-10 | 2000-02-24 | Surface acoustic wave filter and communications apparatus using the same |
| KR1020000011724A KR100340283B1 (ko) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | 탄성 표면파 필터 및 이를 사용하는 통신장치 |
| CNB2004100040448A CN1315256C (zh) | 1999-03-10 | 2000-03-10 | 表面声波滤波器和使用它的通信装置 |
| CNB001037870A CN1167196C (zh) | 1999-03-10 | 2000-03-10 | 表面声波滤波器和使用它的通信装置 |
| EP00400665A EP1050961A3 (en) | 1999-03-10 | 2000-03-10 | Surface accoustic wave filter and communications apparatus using the same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06348599A JP3498204B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 弾性表面波フィルタ、それを用いた通信機装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000261344A JP2000261344A (ja) | 2000-09-22 |
| JP3498204B2 true JP3498204B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=13230606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06348599A Expired - Lifetime JP3498204B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 弾性表面波フィルタ、それを用いた通信機装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1050961A3 (ja) |
| JP (1) | JP3498204B2 (ja) |
| KR (1) | KR100340283B1 (ja) |
| CN (2) | CN1315256C (ja) |
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| EP1296454B1 (en) * | 2001-09-25 | 2013-05-22 | TDK Corporation | SAW element and SAW device |
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| JP3853303B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2006-12-06 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 分波器 |
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