JP2002314372A - 弾性表面波フィルタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 通過帯域低域側のフィルタ特性の急峻性に優
れており、阻止域における減衰量を充分な大きさとし得
る、弾性表面波フィルタ装置を提供する。 【解決手段】 一端子対弾性表面波共振子からなる複数
の直列腕共振子１１１ａ，１１１ｂ及び複数の並列腕共
振子１１２ａ〜１１２ｃを有する梯子型回路構成の弾性
表面波フィルタ装置であって、入力端１００Ａまたは出
力端１００Ｂに接続された第１の並列腕共振子１１２
ａ，１１２ｃの静電容量Ｃｐ１と、直列腕共振子１１２
ａ，１１２ｂ間の接続点Ａに接続された第２の並列腕共
振子１１２ｂの静電容量Ｃｐ２が、Ｃｐ１×２＜Ｃｐ２
の関係にあり、インダクタンス１１３ｂがインダクタン
ス１１３ａ，１１３ｃ以下とされている、弾性表面波フ
ィルタ装置１００。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の一端子対弾
性表面波素子を用いて構成された弾性表面波フィルタ装
置に関し、より詳細には、ラダー型回路を構成するよう
に複数の一端子対弾性表面波共振子により並列腕共振子
及び直列腕共振子が構成されている弾性表面波フィルタ
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、入力端と出力端との間の直列腕に
弾性表面共振子からなる直列腕共振子を挿入し、直列腕
とアース電位との間に構成される並列腕に弾性表面共振
子からなる並列腕共振子を有する弾性表面波フィルタが
種々提案されている。梯子型回路構成を有する弾性表面
波フィルタは、低損失かつ広帯域であるため、バンドパ
スフィルタとして利用するのに適しており、携帯電話機
用帯域フィルタとして幅広く用いられている。

【０００３】特開平５−１８３３８０号公報には、図２
９に示すように、破線で示す単位フィルタ５０１，５０
２を影像接続することにより、ラダー型回路構成を有す
る弾性表面波フィルタの整合性が改善されると述べられ
ている。なお、単位フィルタとは、１個の直列腕共振子
と１個の並列腕共振子で構成される回路部分をいうもの
とする。図２９に示す弾性表面波フィルタでは、３個の
単位フィルタ５０１〜５０３が接続されている。ここ
で、単位フィルタ５０１，５０２の共振子を合成した場
合、図３０に示すように表される。

【０００４】図３０に示す回路構成では、入力端５０４
と出力端５０５との間に、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２が接
続されており、２個の並列腕にそれぞれ、並列腕共振子
Ｐ１，Ｐ２が設けられている。ここで、入力端側に位置
する並列腕共振子Ｐ１の容量をＣｐ１、直列腕共振子Ｓ
１，Ｓ２間の並列腕に位置する並列腕共振子Ｐ２の容量
をＣｐ２とした時、Ｃｐ２／Ｃｐ１＝２とされている。

【０００５】他方、特開平１１−５５０６７号公報に
は、Ｃｐ２／Ｃｐ１が２以上とされており、かつ直列腕
共振子間に存在する並列腕共振子Ｐ２の一端に接続され
るインダクタンスを他の並列腕共振子に接続されるイン
ダクタンスよりも大きくした構成が開示されている。こ
のような構成により、図３１に示すように、通過帯域よ
りも低い周波数領域（ｆｒｂ〜ｆｒａ）における減衰量
が確保されると述べられている。

【０００６】上記のように、従来、複数の直列腕共振子
及び複数の並列腕共振子を有するラダー型の弾性表面波
フィルタでは、並列腕共振子の静電容量については、イ
ンピーダンス整合を重視すると、Ｃｐ２／Ｃｐ１＝２に
設定すればよいこと、並びに、通過帯域よりも低域側の
減衰量を確保するには、Ｃｐ２／Ｃｐ１を１：２以上と
し、かつ直列腕共振子間に位置している並列腕の並列腕
共振子の一端に接続されるインダクタンスを他の並列腕
共振子に接続されるインダクタンスよりも大きくすれば
よいことが知られていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
５−１８３３８０号公報に記載のように、Ｃｐ２／Ｃｐ
１＝２とした場合には、通過帯域よりも低域側における
フィルタ特性の急峻性が損なわれるという問題があっ
た。低域側におけるフィルタ特性の急峻性は、図３２に
示す周波数特性において、ある減衰量Ａから減衰量Ｂま
での周波数間隔Δｆで表される値であり、Δｆが小さい
ほど選択度が高くなる。

【０００８】他方、特開平１１−５５０６７号公報に記
載のように、Ｃｐ２／Ｃｐ１を２以上とし、かつ直列腕
共振子間に存在する並列腕共振子の一端に接続されるイ
ンダクタンス値を他の並列腕共振子に接続されるインダ
クタンス値よりも大きくした場合には、上記のように通
過帯域よりも低域側の減衰量が高められる。また、特開
平１１−５５０６７号公報には明記されていないもの
の、通過帯域低域側における急峻性も高められる。

【０００９】しかしながら、特開平１１−５５０６７号
公報に記載の構成では、逆に、通過帯域よりも高域側に
おける減衰量が悪化することがわかった。本発明の目的
は、上述した従来技術の欠点を解消し、通過帯域よりも
低域側及び高域側の各阻止域における減衰量が充分であ
り、通過帯域の近傍の低周波数領域におけるフィルタ特
性の急峻性が優れた、梯子型回路構成を有する弾性表面
波フィルタ装置及び該弾性表面波フィルタ装置を用いた
通信機を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、一端子対弾性表面波共振子からなる直列腕共振子及
び並列腕共振子を有する梯子型回路構成の弾性表面波フ
ィルタ装置であって、圧電性基板と、前記圧電性基板上
に形成された複数の並列腕共振子及び直列腕共振子と、
前記各並列腕共振子に直列に接続されたインダクタンス
とを備え、前記複数の並列腕共振子が、入力端または出
力端に接続された第１の並列腕共振子と、直列腕共振子
間の接続点に接続された第２の並列腕共振子とを有し、
第１の並列腕共振子の静電容量をＣｐ１、第２の並列腕
共振子の静電容量をＣｐ２とした時、Ｃｐ１×２＜Ｃｐ
２の関係にあり、かつ前記第２の並列腕共振子に接続さ
れているインダクタンスのインダクタンス値が、第１の
並列腕共振子に接続されているインダクタンスのインダ
クタンス値以下とされていることを特徴とする弾性表面
波フィルタ装置が提供される。

【００１１】本発明の特定の局面では、Ｃｐ１×２＜Ｃ
ｐ２＜Ｃｐ１×１０の範囲とされているため、フィルタ
特性の急峻性が高められているだけでなく、帯域幅が比
較的広い弾性表面波フィルタを得ることができる。

【００１２】本発明の別の特定の局面では、第２の並列
腕共振子の共振周波数が、第１の並列腕共振子の共振周
波数よりも低くされており、フィルタ特性の急峻性がよ
り一層高められる。

【００１３】本発明にかかる弾性表面波フィルタ装置の
他の特定の局面では、前記圧電性基板上に前記直列腕共
振子及び並列腕共振子が構成されている弾性表面波素子
を収納しており、かつ該弾性表面波素子の直列腕共振子
または並列腕共振子に接続される複数の電極パッドを有
するパッケージと、前記パッケージの電極パッドと、前
記直列腕共振子または並列腕共振子とを接続するボンデ
ィングワイヤとをさらに備え、前記第２の並列腕共振子
に接続されているボンディングワイヤの長さが、前記第
１の並列腕共振子に接続されているボンディングワイヤ
の長さ以下とされており、それによって第２の並列腕共
振子に接続されているインダクタンスの値が、第１の並
列腕共振子に接続されているインダクタンスの値以下と
されている。この場合には、通過帯域近傍における急峻
性が高められるだけでなく、通過帯域よりも高域側にお
ける減衰量をさらに改善することができる。

【００１４】本発明の別の特定の局面では、前記直列腕
共振子及び並列腕共振子が圧電性基板上に形成されてい
る弾性表面波素子を収納しており、かつ直列腕共振子ま
たは並列腕共振子に接続される複数の電極パッドを有す
るパッケージと、前記電極パッドと直列腕共振子または
並列腕共振子とを接続しているボンディングワイヤとを
さらに備え、前記第２の並列腕共振子の一端がボンディ
ングワイヤにより前記複数の電極パッドの内、グラウン
ド電位に接続される少なくとも２個の電極パッドに電気
的に接続されており、それによって第２の並列腕共振子
に接続されるインダクタンスの値が、第１の並列腕共振
子に接続されるインダクタンスの値以下とされている。
この場合においても、通過帯域近傍の急峻性が優れてい
るだけでなく、通過帯域よりも高域側における減衰量を
さらに改善することができる。

【００１５】本発明にかかる通信機は、本発明に従って
構成された弾性表面波フィルタ装置を帯域フィルタとし
て備えており、従って、選択度に優れた通信機を提供す
ることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明は、上述した特開平１１−
５５０６７号公報に記載の弾性表面波フィルタにおける
問題点を解消すべくなされたものである。本願発明者ら
は、この先行技術に記載の構成により通過帯域よりも低
い周波数領域における減衰量は高められるものの、上記
のように逆に通過帯域よりも高い周波数領域における減
衰量が悪化することを見出し、この原因を調べた。

【００１７】ラダー型の弾性表面波フィルタの減衰量
は、並列腕共振子にインダクタンス成分が含まれていな
い場合、直列腕共振子の容量Ｃｓと並列腕共振子の容量
Ｃｐとの比により決定される。しかしながら、一般に弾
性表面波フィルタを構成する場合、パッケージの電極ラ
ンドと弾性表面波素子の端子とはボンディングワイヤを
用いて電気的に接続されることが多い。ボンディングワ
イヤはインダクタンス成分として作用するため、並列腕
共振子にはインダクタンス成分が自然に接続される。ま
た、パッケージ内の引き回し電極などもインダクタンス
成分を構成する。従って、並列腕共振子に直列に接続さ
れるこれらのインダクタンス成分が、帯域外減衰量に大
きな影響を与えざるを得なかった。

【００１８】通過帯域よりも低い周波数領域において
は、これらのインダクタンス成分の影響は小さいもの
の、通過帯域よりも高い周波数領域においてはこれらの
インダクタンス成分の影響が顕著となる。

【００１９】図２は１ポート型ＳＡＷ共振子の等価回路
を示し、図３はこのインピーダンス特性を示す。また、
図４は弾性表面波共振子に直列にインダクタンスＬ２が
接続されている構成の等価回路を示し、図５はこのイン
ピーダンス特性を示す。

【００２０】図３に示されているように、弾性表面波共
振子のインピーダンス特性では、１個の共振点ｆｒと１
個の反共振点ｆａが存在する。ところが、図５に示され
ているようにＳＡＷ共振子に直列にインダクタンスが接
続されていると、第２の共振点ｆｒ２が反共振点ｆａよ
りも高い側に発生し、第２の共振点ｆｒ２の周波数が、
反共振点ｆａよりも充分高ければ、第２の共振点ｆｒ２
の周波数は、下記の式（１）により求められる。

【００２１】 ｆｒ２≒（Ｌ２×Ｃ０）^-0.5／（２×π）…式（１） 従って、電極の容量Ｃ０と、接続されたインダクタンス
Ｌ２に、第２の共振点ｆｒ２の周波数が依存し、電極容
量Ｃ０及びインダクタンスＬ２が大きくなるほど低くな
ることがわかる。なお、第２の共振点ｆｒ２が反共振点
ｆａに近づくと、式（１）により求められる第２の共振
点ｆｒ２の周波数精度は悪くなるものの、ｆｒ２が容量
Ｃ０及びインダクタンスＬ２が大きくなるほど低くなる
という傾向は変わらない。

【００２２】弾性表面波共振子を用いたラダー型弾性表
面波フィルタの広い周波数特性を見た場合、上記ＳＡＷ
共振子の第２の共振点ｆｒ２が減衰極となり、この周波
数において減衰量は改善される。しかしながら、第２の
共振点ｆｒ２よりも高い周波数領域においては、図４に
示した等価回路が全体としてインダクタンス素子として
作用するので、ハイパスフィルタのように働き、ｆｒ２
よりも高い周波数における減衰量が悪化することにな
る。

【００２３】これをより具体的に説明するために、ＳＡ
Ｗ共振子に直列にインダクタンスを接続した素子を並列
接続した場合の伝送特性を図６に示す。なお、この伝送
特性を得た回路構成は図７に示す通りである。弾性表面
波共振子Ｐ１として、３６°ＬｉＴａＯ₃基板上に、交
叉幅５０μｍ、電極指の対数４０対、及び電極指ピッチ
１．０５μｍ、ｈ／λ＝０．０９のインターデジタルト
ランスデューサを形成したものを用いた。なお、インダ
クタンスＬｗのインダクタンス値は１ｎＨとした。

【００２４】図６から明らかなように、この回路構成に
よれば、共振点ｆｒ及び第２の共振点ｆｒ２において減
衰極が発生しているが、第２の共振点ｆｒ２よりも高い
周波数において減衰量が悪化していることがわかる。

【００２５】さらに、図８に示すように、２個の並列腕
を構成し、各並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２に、それぞれ、イ
ンダクタンスＬｗが接続されている構成において、並列
腕共振子Ｐ１，Ｐ２の容量比を１：２とした場合の伝送
特性を図９に示す。

【００２６】なお、図９に示した伝送特性を得た回路で
は、並列腕共振子Ｐ１は、図６に示した伝送特性を得た
場合と同様に構成し、並列腕共振子Ｐ２については、交
叉幅を１００μｍとしたことを除いては並列腕共振子Ｐ
１と同様とした。

【００２７】図９から明らかなように、並列腕共振子Ｐ
１の第２の共振点による減衰極が周波数ｆｒ２に表わ
れ、並列腕共振子Ｐ２の第２の共振点による極が周波数
ｆｒ３に表われており、これらの周波数ｆｒ２，ｆｒ３
が異なっていることがわかる。従って、図９に示した伝
送特性によれば、図６に示した伝送特性に比べて全体的
に減衰量が改善されている。

【００２８】ところが、この２つの極の周波数間隔が離
れ過ぎると、極間の減衰量が著しく悪化する傾向がある
ことがわかった。すなわち、上記並列腕共振子Ｐ１，Ｐ
２の容量比を、１：２、１：３、１：４と変化させた場
合の伝送特性を図１０に示す。この場合の各共振子の電
極パラメータを下記の表１に示す。ここでは、並列腕共
振子Ｐ１の容量を小さくし、並列腕共振子Ｐ２の容量が
大きくされており、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２の容量の合
計は変わらないように、容量比が変化されている。

【００２９】

【表１】

【００３０】図１０から明らかなように、上記容量比が
大きくなるに従って、２つの減衰極の間の減衰量が悪化
していることがわかる。上述した式（１）に示すよう
に、インダクタンス値が同じであっても、電極の容量が
大きくなれば共振周波数は低くなり、電極容量が小さく
なれば共振周波数は高くなる。従って、上記容量比を
１：２から１：４まで変化させるに従って、２つの減衰
極の間隔はますます広がっていくため、上記のように２
つの減衰極間における減衰量が悪化している。

【００３１】また、特開平１１−５５０６７号公報に記
載の先行技術では、大きな静電容量を有する並列腕共振
子Ｐ２に接続されるインダクタンス成分が相対的に大き
くされているので、それによって上記２つの減衰極の周
波数間隔がより大きくなり、減衰量がさらに悪化してい
ると考えられる。

【００３２】これに対して、本発明によれば、通過帯域
低域側近傍におけるフィルタ特性の急峻性が高められ、
かつ通過帯域高域側における減衰量が改善される。これ
を以下において説明する。

【００３３】（１）通過帯域低域側における急峻性の改
善 通過帯域低域側におけるフィルタ特性の急峻性を改善す
るために、本願発明では、入力端または出力端に接続さ
れた第１の並列腕共振子の静電容量Ｃｐ１と、直列腕共
振子の接続点に接続された第２の並列腕共振子の静電容
量Ｃｐ２とが、前述したようにＣｐ１×２＜Ｃｐ２を満
たす範囲とされている。

【００３４】ラダー型弾性表面波フィルタを複数段接続
した場合の電極容量の最適化法は、前述した特開平５−
１８３３８０号公報に開示されている。すなわち、図２
９及び図３０を参照したように、インピーダンスマッチ
ングを重視し、影像接続すればよい。そのため、入出力
端のいずれかに最も近接するように配置された並列腕共
振子、本発明における第１の並列腕共振子に相当する並
列腕共振子の容量を同様にＣｐ１、直列腕共振子間の接
続点に接続された並列腕共振子、すなわち本発明におけ
る第２の並列腕共振子の容量をＣｐ２とした場合、Ｃｐ
２／Ｃｐ１＝２とすればよい。

【００３５】また、ラダー型弾性表面波フィルタ全体の
減衰量は、並列腕共振子の静電容量Ｃｐと直列腕共振子
の静電容量Ｃｓとの比により決定されることが知られて
いる。この比Ｃｐ／Ｃｓが大きいほど減衰量を拡大する
ことができる。もっとも、実際には、帯域外減衰量は、
ボンディングワイヤによるインダクタンス成分の影響を
大きく受けるが、インダクタンス成分の付加による共振
点は反共振周波数よりも高い周波数に発生するので、通
過帯域の低域側では依然としてＣｐ／Ｃｓの影響が支配
的である。

【００３６】また、通過帯域の中心周波数ｆ０と、入出
力インピーダンスＺ０が決定されれば、直列腕共振子と
並列腕共振子の容量の積の最適値は、パッケージの寄生
成分を考慮しない場合、下記の式（２）により決定され
ることが知られている（特開平６−６９７５０号公
報）。従って、結果として、Ｃｐ２／Ｃｐ１＝２とした
場合、静電容量の絶対値の自由度は小さくなる。なお、
パッケージの寄生成分を考慮した場合でも容量の絶対値
の自由度は大きくなるわけではないことを指摘してお
く。

【００３７】 Ｚ０²＝１／（ω０²×Ｃｓ×Ｃｐ）…式（２） なお、式（２）において、ω０は、通過帯域のｆ０に対
する角周波数を示す。すなわち、一定の減衰量を確保す
るには、まず容量比Ｃｐ／Ｃｓが決定され、また入出力
インピーダンスとフィルタの中心周波数ｆ０とにより容
量積Ｃｐ×Ｃｓが決定され、さらに影像接続が前提であ
れば、各並列腕共振子の静電容量も決定されることにな
る。従って、各共振子の容量の絶対値の自由度は非常に
低いことがわかる。

【００３８】他方、ラダー型弾性表面波フィルタの低域
側の急峻性は、並列腕共振子の共振周波数と反共振周波
数との間隔Δｆが小さければ小さいほど高められる。ま
た、弾性表面波共振子にインダクタンスを直列接続した
構成では、共振周波数は低下し、Δｆは大きくなる。こ
の時、Δｆは、インダクタンス成分が大きくかつ電極の
容量が大きいほど大きくなる。従って、フィルタ特性の
急峻性を高めようとした場合には、インダクタンス成分
を小さくすること、あるいは電極容量を小さくすること
が望ましい。

【００３９】インダクタンス成分の大きさは、ボンディ
ングワイヤの長さや接続構造を工夫することによりある
程度小さくされるものの、ある一定の大きさ以上に小さ
くすることは困難である。従って、通過帯域近傍におけ
る急峻性を高めるには、並列腕共振子の容量が小さけれ
ば小さいほど好ましいことがわかる。

【００４０】ところが、従来の影像接続を利用した方法
では、並列腕共振子の容量は一義的に定められる。従っ
て、通過帯域外減衰量の改善とフィルタ特性の急峻性の
改善はトレードオフの関係となり、通過帯域外減衰量の
拡大及びフィルタ特性の急峻性の向上の双方を実現する
ことは非常に困難であった。

【００４１】ラダー型の弾性表面波フィルタを複数段接
続した場合の各並列腕共振子がフィルタ特性に与える影
響を説明する。複数の並列腕共振子により複数の減衰極
が発生する場合、フィルタの低域側の急峻性は、通過帯
域の低域側において最も近接している減衰極がどの位置
に存在するかにより決定される。例えば、図３１に示し
たフィルタ特性において、減衰極はｆｒａとｆｒｂの位
置に存在するが、ｆｒａの周波数位置が高くなれば、よ
り急峻性は高められ、ｆｒａの周波数が低くなれば通過
帯域低域側における急峻性は悪くなる。そして、通過帯
域に最も近接した減衰極を構成するｆｒａとは異なり、
ｆｒｂの位置はフィルタ特性の急峻性には大きな影響を
与えないことがわかる。

【００４２】従って、通過帯域の低域側において最も近
接している減衰極を生じさせる並列腕共振子において、
容量を相対的に小さく、あるいはインピーダンスを大き
くすれば、通過帯域低域側における通過帯域近傍の急峻
性を高めることができる。

【００４３】しかしながら、通過帯域よりも離れた周波
数領域において減衰極を確保しようとした場合、容量比
Ｃｐ／Ｃｓを大きくする必要があり、かつ複数の並列腕
共振子の合計の容量Ｃ₀ｐにはある最適値が存在する。
従って、複数の直列腕共振子及び並列腕共振子を有する
梯子型回路構成の弾性表面波フィルタ装置では、上述し
た第２の並列腕共振子と第１の並列腕共振子の容量Ｃｐ
２，Ｃｐ１の比Ｃｐ２／Ｃｐ１を２以上とし、かつＣｐ
１とＣｐ２との和をＣ₀ｐとすることにより、フィルタ
特性の急峻性を高めることができると共に、通過帯域外
減衰量を改善することができる。すなわち、第１の並列
腕共振子の容量Ｃｐ１により通過帯域の低域側における
通過帯域近傍の急峻性が高められ、第２の並列腕共振子
の容量Ｃｐ２により通過帯域から離れた領域における減
衰量を確保することができる。

【００４４】（２）通過帯域高域側の減衰量の改善 次に、本発明に従って、通過帯域高域側における減衰量
が改善される理由を説明する。

【００４５】前述したように、特開平１１−５５０６７
号公報に記載の構成では、通過帯域よりも高域側の減衰
量が悪化するという問題が生じる。これに対して、第２
の並列腕共振子、すなわち直列腕共振子間の接続点に接
続されている並列腕共振子に直列に接続されるインダク
タンス値を小さくすると、前述した式（１）の関係によ
り共振周波数は高くなる。従って、第１，第２の並列腕
共振子の減衰極の周波数間隔が狭くなり、通過帯域高域
側全体の減衰量は大幅に改善される。

【００４６】これをより具体的に説明する。図８に示し
た回路を用い、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２の電極容量の比
を１：３とし、並列腕共振子Ｐ１に接続されるインダク
タンスＬｗの値を１．０ｎＨとして固定し、並列共振子
Ｐ２に接続されるインダクタンスＬｗの値を０．７ｎ
Ｈ、１．０ｎＨ及び１．３ｎＨと変化させた場合の各特
性を図１１に示す。図１１において、実線が０．７ｎＨ
の場合、破線が１．０ｎＨの場合、一点鎖線が１．３ｎ
Ｈの場合を示す。

【００４７】図１１から明らかなように、並列腕共振子
Ｐ２に接続されるインダクタンスを大きくすると、並列
腕共振子Ｐ１，Ｐ２の減衰極が離れ過ぎ、全体の減衰量
が悪化する。これに対して、並列腕共振子Ｐ２に接続さ
れるインダクタンスを１ｎＨとすることにより減衰量が
改善され、０．７ｎＨとすればさらに減衰量が改善され
ることがわかる。

【００４８】また、Ｃｐ２／Ｃｐ１を２以上とすると、
前述した特開平１１−５５０６７号公報に示されている
ように、反射特性が悪くなる。通過帯域の低域側で反射
特性が悪くなると、局部的に損失が悪化し、フィルタ特
性の急峻性も劣化する。この点については、第２の並列
腕共振子すなわち電極容量が大きな並列腕共振子の共振
周波数を低くすることにより解決することができる。こ
れを、図１２及び図１３を参照して説明する。

【００４９】図１２は、一端子対弾性表面波共振子の電
極容量が大きい場合と小さい場合のインピーダンス特性
を示す。図１２から明らかなように、電極容量が大きな
弾性表面波共振子のインピーダンス値の方が、インピー
ダンス特性全体にわたり低くなっていることがわかる。
一端子対弾性表面波共振子を梯子型回路構成の弾性表面
波フィルタの並列腕共振子として用いた場合、弾性表面
波共振子の共振周波数から反共振周波数までの間隔（ｆ
ｒ〜ｆａ）が通過帯域の低域側を構成することになる。
従って、第２の並列腕共振子Ｃｐ２の容量を通常よりも
大きくすると、通過帯域低域側におけるインピーダンス
が最適値から小さくなる。すなわち、Ｃｐ１×２＜Ｃｐ
２となるように第２の並列腕共振子の容量を大きくする
と、通過帯域低域側におけるインピーダンスが最適値か
ら小さくされる。

【００５０】他方、図１２に示した容量の大きな弾性表
面波共振子を変形し、その共振周波数を１０ＭＨｚ低く
した場合のインピーダンス特性を図１３に実線で示す。
図１３において、比較のために、図１２に示した容量の
小さな弾性表面波共振子の周波数特性を破線で示す。

【００５１】図１３から明らかなように、容量の大きな
弾性表面波共振子の共振子周波数を低めることにより、
通過帯域低域側に相当するｆｒ〜ｆａの周波数領域にお
けるインピーダンスは、電極容量が小さな共振子のイン
ピーダンス値とほぼ重なることがわかる。従って、容量
を変えると同時に、容量の大きな共振子の周波数を低く
することにより、通過帯域低域側におけるインピーダン
スを最適な値に補正することができ、インピーダンスマ
ッチングを良好に図ることができ、反射特性を改善する
ことができる。

【００５２】上記のように、本発明では、第１，第２の
並列腕共振子の容量Ｃｐ１，Ｃｐ２がＣｐ１×２＜Ｃｐ
２を満たしているので通過帯域近傍のフィルタ特性の急
峻性が高められ、さらに第２の並列腕共振子に直列接続
されているインダクタンスの値が第１の並列腕共振子に
直列接続されているインダクタンスの値以下とされてい
るので、通過帯域高域側の減衰量が確保される。

【００５３】次に、本発明のより具体的な実施例につき
説明する。図１は、本発明の第１の実施例にかかる弾性
表面波フィルタ装置の回路構成を示す図であり、図１４
はその略図的平面図である。

【００５４】図１に示すように、本実施例の弾性表面波
フィルタ装置１００では、入力端１００Ａと出力端１０
０Ｂとの間に延びる直列腕に、直列腕共振子１１１ａ，
１１１ｂが設けられている。

【００５５】また、弾性表面波フィルタ装置１００で
は、３本の並列腕が構成されており、３本の並列腕に、
それぞれ、並列腕共振子１１２ａ〜１１２ｃが設けられ
ている。また、各並列腕共振子１１２ａ〜１１２ｃに直
列にアース電位との間にインダクタンス１１３ａ〜１１
３ｃが接続されている。

【００５６】並列腕共振子１１２ａ〜１１２ｃのうち、
並列腕共振子１１２ａ，１１２ｃが第１の並列腕共振子
であり、それぞれ、入力端１００Ａまたは出力端１００
Ｂに接続されている。並列腕共振子１１２ｃは本発明に
おける第２の並列腕共振子であり、直列腕共振子１１１
ａ，１１１ｂ間の接続点Ｘに接続されている。

【００５７】なお、入力端１００Ａまたは出力端１００
Ｂと複数の並列腕共振子１１２ａ〜１１２ｃとの間に、
整合容量が挿入されてもよい。図１４に示すように、パ
ッケージ１０１内に、弾性表面波フィルタ素子１１０が
収納されている。パッケージ１０１の構造は特に限定さ
れないが、本実施例では、パッケージ１０１に設けられ
た凹部内に弾性表面波フィルタ素子１１０が収納されて
いる。弾性表面波フィルタ素子１１０の両側には上方に
突出した２本の段部が形成されており、一方の段部に電
極パッド１０１ａ〜１０１ｃが、他方の段部上に電極パ
ッド１０１ｄ〜１０１ｆが形成されている。

【００５８】他方、弾性表面波フィルタ素子１１０は、
３６°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板からなる圧電性
基板上に上記直列腕共振子１１１ａ，１１１ｂ、並列腕
共振子１１２ａ〜１１２ｃ及びこれらを接続するための
配線パターンが形成された構造を有する。また、図１４
から明らかなように、直列腕共振子１１１ａ，１１１ｂ
及び並列腕共振子１１２ａ〜１１２ｃは、いずれも１個
のインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）と、Ｉ
ＤＴの表面波伝搬方向両側に配置された反射器とを有す
る一端子対ＳＡＷ共振子により構成されている。

【００５９】上記直列腕共振子１１１ａ，１１１ｂは、
電極指交叉幅を４０μｍ、ＩＤＴの電極指の対数が１０
５対、反射器の電極指の本数は１００本、電極指ピッチ
が２．０７μｍ（表面波の波長λは４．１４μｍ）とさ
れており、同じ構造を有する。

【００６０】並列腕共振子１１２ａ〜１１２ｃについて
は、交叉幅を種々異ならせ、第１の並列腕共振子１１２
ａ，１１２ｃの容量Ｃｐ１と、第２の並列腕共振子１１
２ｂの容量Ｃｐ２との比を変化させ、種々の弾性表面波
装置を構成した。なお、各並列腕共振子の電極パラメー
タは下記の表２に示す通りとした。

【００６１】

【表２】

【００６２】また、並列腕共振子１１２ａ〜１１２ｃ
は、ボンディングワイヤ１１３Ａ〜１１３Ｃにより、そ
れぞれ、アース電位に接続される電極パッド１０１ａ，
１０１ｆ，１０１ｃに電気的接続されている。ここで、
ボンディングワイヤ１１３Ａ，１１３Ｃの長さは、イン
ダクタンスが約１ｎＨとなるように、ボンディングワイ
ヤ１１３Ｂの長さは、インダクタンスが約０．７ｎＨと
なるようにボンディングワイヤ１１３Ａ，１１３Ｃより
も短くされている。

【００６３】上記のように、並列腕共振子１１２ａ〜１
１２ｃの電極指交叉幅を変化することにより、第２の並
列腕共振子１１２ｂの容量Ｃｐ２と、第１の並列腕共振
子１１２ａ，１１２ｃの容量Ｃｐ１との比を異ならせて
得られた各弾性表面波フィルタ装置における通過帯域低
域における急峻性を調べた。すなわち、電極容量は対数
及び交叉幅に比例するため、交叉幅を変えることにより
電極容量を調整した。

【００６４】なお、急峻性は、通過帯域の低域側におい
て減衰量が４ｄＢである周波数位置と、減衰量が１２ｄ
Ｂにある周波数位置との周波数間隔を測定することによ
り評価した。結果を図１５に示す。

【００６５】図１５から明らかなように、従来例に相当
する容量比Ｃｐ２／Ｃｐ１が２の場合に比べて、容量比
Ｃｐ２／Ｃｐ１を高めていくにつれて急峻性が改善され
ることがわかる。これは、両端に位置する第１の並列腕
共振子１１２ａ，１１２ｃの容量Ｃｐ１が小さくなるに
つれて、インピーダンスが高くなるためと考えられる。

【００６６】代表的な周波数特性として、上記容量比Ｃ
ｐ２／Ｃｐ１が２である従来例に相当する場合の特性
と、Ｃｐ２／Ｃｐ１＝５とした場合の特性を図１６に、
それぞれ、実線及び破線で示す。

【００６７】図１６から明らかなように、Ｃｐ２／Ｃｐ
１＝５（破線）とすることにより、従来例に比べて、低
域側における急峻性が大幅に高められていることがわか
る。また、図１７に、図１６に示した特性をより広い周
波数範囲で表す。図１７から明らかなように、Ｃｐ２／
Ｃｐ１＝５の場合には、第２の並列腕共振子１１２ｂに
接続されるボンディングワイヤによるインダクタンスが
０．７ｎＨと小さいため、２７００ＭＨｚ付近まで減衰
量が劣化していないことがわかる。

【００６８】比較のために、Ｃｐ２／Ｃｐ１＝５の上記
実施例の弾性表面波フィルタ装置に対し、第２の並列腕
共振子１１２ｂに接続されるインダクタンス値が１．０
ｎＨとなるようにボンディングワイヤを接続した例及び
１．３ｎＨとなるようにボンディングワイヤを接続した
例の周波数特性を図１８に示す。図１８において、実線
が１．０ｎＨの場合、破線が１．３ｎＨの場合を示す。
図１８から明らかなように、第２の並列腕共振子に接続
されるインダクタンスの大きさが大きくなるにつれて、
２７００ＭＨｚ付近の減衰量が悪化していることがわか
る。

【００６９】また、表２に示されているように、中央の
第２の並列腕共振子の電極ピッチが容量比によって変え
られており、容量比が大きくなるほど大きな値とされて
いる。これは、第２の並列腕共振子の周波数を低めてい
るのと同じことになる。すなわち、上記容量比Ｃｐ２／
Ｃｐ１を大きくすると、通過帯域低域側におけるインピ
ーダンス整合による損失が増大し、急峻性が劣化する
が、第２の並列腕共振子の電極ピッチを大きくすること
により、周波数を低め、急峻性の劣化を抑制している。

【００７０】図１９は、上記実施例の弾性表面波フィル
タ装置における容量比Ｃｐ２／Ｃｐ１と帯域幅との関係
を示す。なお、帯域幅は減衰量が４ｄＢである帯域の幅
を言うものとする。

【００７１】特開平５−１８３３８０号公報に開示され
ているように、並列腕共振子にインダクタンスが直列接
続されると、共振周波数が低くなり、通過帯域が広くな
る。しかしながら、並列腕共振子の容量が小さくなる
と、共振周波数はシフトし難くなり、通過帯域が減少す
ることになる。

【００７２】他方、図１５に示したように、容量比が大
きくなるほど急峻性は高まるものの、Ｃｐ２／Ｃｐ１が
１０以上になると急峻性を改善する程度が小さくなる。
従って、好ましくは、Ｃｐ２／Ｃｐ１を２〜１０の範囲
とすることが望ましく、それによって急峻性に優れ、か
つ帯域幅も比較的広いフィルタ特性を得ることができ
る。

【００７３】図２０は、第２の実施例の弾性表面波フィ
ルタ装置の回路構成を示す図であり、図２１はその略図
的平面断面図である。第２の実施例の弾性表面波フィル
タ装置２００では、入力端２００Ａと出力端２００Ｂと
の間に延びる直列腕に直列腕共振子２１１ａ，２１１ｂ
が配置されている。また、第１の並列腕共振子２１２ａ
が入力端２００Ａに接続されており、該並列腕共振子２
１２ａにインダクタンス２１３ａが直列に接続されてい
る。また、直列腕共振子２１１ａ，２１１ｂ間の接続点
Ｙに第２の並列腕共振子２１２ｂが接続されている。並
列腕共振子２１２ｂには、アース電位との間に、インダ
クタンス２１３ｂ１，２１３ｂ２が直列に接続されてい
る。もっとも、インダクタンス２１３ｂ１，２１３ｂ２
は互いに並列に接続されている。

【００７４】パッケージ２０１内は第１の実施例と同様
に構成されており、パッケージ２０１は、電極パッド２
０１ａ〜２０１ｆを有する。また、弾性表面波フィルタ
素子２１０は、第１の実施例と同じ圧電基板上に、上記
直列腕共振子２１１ａ，２１１ｂ、並列腕共振子２１２
ａ，２１２ｂ及びこれらを接続するための配線パターン
を形成することにより構成されている。

【００７５】直列腕共振子２１１ａ，２１１ｂ及び並列
腕共振子２１２ａ，２１２ｂは、第１の実施例と同様に
一端子対弾性表面波共振子により構成されている。より
具体的には、直列腕共振子２１２ａのＩＤＴにおける交
叉幅を４０μｍ、電極指の対数が１０５対、反射器にお
ける電極指の本数は１００本、電極指ピッチは２．０７
μｍすなわち弾性表面波の波長λは４．１４μｍとされ
ている。直列共振子２１１ｂでは、交叉幅が８０μｍと
されていることを除いては、直列腕共振子２１１ａと同
様に構成されている。

【００７６】並列腕共振子２１２ａ，２１２ｂは、下記
の表３に示すように、様々な交叉幅を有するように構成
されており、それによって並列腕共振子２１２ａの容量
Ｃｐ１と、並列腕共振子２１２ｂの静電容量Ｃｐ２との
容量比が種々異なる弾性表面波フィルタ装置２００を作
製した。なお、各並列腕共振子２１２ａ，２１２ｂの電
極パラメータは下記の表３に示す通りである。

【００７７】

【表３】

【００７８】また、並列腕共振子２１２ａ，２１２ｂ
は、ボンディングワイヤ２１３Ａ，２１３Ｂ１，２１３
Ｂ２により、パッケージの電極パッド２０１ａ，２０１
ｃ，２０１ｆに電気的接続されている。この場合、ボン
ディングワイヤ２１３Ａによるインダクタンスが約１ｎ
Ｈとなるようにボンディングワイヤ２１３Ａの長さが選
ばれており、ボンディングワイヤ２１３Ｂ１，２１３Ｂ
２は、異なる電極パッド２０１ｃ，２０１ｆに接続され
ており、それによって並列腕共振子２１２ｂとアース電
位との間に約０．５５ｎＨのインダクタンスが直列に接
続されるように構成されている。

【００７９】上記のようにして得た各弾性表面波フィル
タ装置における通過帯域低域側の急峻性と容量比との関
係を調べた。結果を図２２に示す。フィルタ特性の急峻
性は第１の実施例と同様にして評価した。

【００８０】図２２から明らかなように、従来例に相当
する容量比Ｃｐ２／Ｃｐ１＝２の場合に比べて、容量比
Ｃｐ２／Ｃｐ１を高めていくに従って、急峻性が改善さ
れることがわかる。これは、第１の並列腕共振子２１２
ａの容量Ｃｐ１が極端に小さくなり、高インピーダンス
になるためと考えられる。

【００８１】代表的な特性として、Ｃｐ２／Ｃｐ１＝２
である従来例と、Ｃｐ２／Ｃｐ１＝５の場合の伝送特性
を図２３に示す。図２３において、実線が実施例を、破
線が従来例を示す。

【００８２】図２３から明らかなように、Ｃｐ２／Ｃｐ
１＝５とした場合、通過帯域低域側の急峻性が効果的に
高められることがわかる。また、周波数範囲を広げた場
合の特性を、図２４に示す。

【００８３】図２４では、直列腕共振子２１３ｂに接続
されるボンディングワイヤ１１３Ｂ１，１１３Ｂ２によ
り加わる合計のインダクタンスが１．３ｎＨとされてい
る例と、１．０ｎＨとされている場合の特性を示す。図
２４から明らかなように、容量の大きな並列腕共振子２
１３ｂに接続されるインダクタンス値を大きくした場合
には、２７００ＭＨｚ付近の減衰量が悪化していること
がわかる。

【００８４】また、上記容量比と急峻性の関係及びイン
ダクタンスと減衰量との関係は、第１の実施例の場合の
３個の並列腕共振子を用いた場合と同じ傾向を示してい
る。従って、第１，第２の実施例から、２個以上の直列
腕共振子と、２個以上の並列腕共振子とを有する梯子型
回路構成の弾性表面波フィルタにおいては、第１の実施
例のように入出力が対称である構造、及び第２の実施例
のように入出力が非対称な構造のいずれにおいても本発
明の効果の得られることがわかる。

【００８５】第３の実施例として、中心周波数が１９６
０ＭＨｚの梯子型回路構成を有する弾性表面波フィルタ
装置につき説明する。なお、第３の実施例では、回路構
成については、第１の実施例と同様とし、従って、第１
の実施例について示した図１及び図１４を参照して第３
の実施例を説明することとする。

【００８６】第３の実施例では、直列腕共振子１１１
ａ，１１１ｂにおいて、交叉幅が２０μｍ、ＩＤＴの対
数が１００対、反射器の電極指の本数が１００本、電極
指ピッチが１．００μｍ（表面波の波長λは２．００μ
ｍ）とされており、直列腕共振子１１１ａ，１１１ｂは
同じ構造を有するように構成した。

【００８７】並列腕共振子１１２ａ〜１１２ｃについて
は、交叉幅を異ならせることにより、容量Ｃｐ１とＣｐ
２との比を種々異ならせた。並列腕共振子１１２ａ〜１
１２ｃの電極パラメータは下記の表４に示す通りであ
る。

【００８８】

【表４】

【００８９】また、並列腕共振子１１２ａ，１１２ｃに
直列に接続されるインダクタンスが約１ｎＨであるよう
に、ボンディングワイヤ１１３Ａ，１１３Ｃの長さが相
対的に長くされており、並列腕共振子１１２ｂに直列に
接続されるインダクタンスが約０．７ｎＨとなるように
ボンディングワイヤ１１３Ｂの長さが相対的に短くされ
ている。

【００９０】上記のようにして得た各弾性表面波フィル
タ装置における通過帯域低域側における急峻性と容量比
Ｃｐ２／Ｃｐ１との関係を調べた。急峻性は第１の実施
例と同様にして評価した。結果を図２５に示す。

【００９１】図２５から明らかなように、従来例に相当
する容量比Ｃｐ２／Ｃｐ１＝２の場合に比べて、容量比
を高めていくに従って急峻性が改善されることがわか
る。代表的な特性として、容量比Ｃｐ２／Ｃｐ１＝２の
場合の従来例の伝送特性と、容量比Ｃｐ２／Ｃｐ１＝５
の場合の伝送特性を図２６に示す。

【００９２】図２６から明らかなように、容量比Ｃｐ２
／Ｃｐ１を５とすることにより、従来例に比べて、急峻
性が高められていることがわかる。また、容量の大きな
並列腕共振子１１２ｂに接続されるインダクタンス値を
１．３ｎＨと大きくした場合の例と、上記実施例の弾性
表面波フィルタ装置（容量比＝５、並列腕共振子１１２
ｂに接続されるインダクタンス０．７ｎＨ）の伝送特性
を図２７により広い周波数範囲にわたって示す。第３の
実施例においては、周波数が第１，第２の実施例に比べ
て高いため、通過帯域の３倍付近の周波数である５８０
０ＭＨｚ付近では減衰量が悪化しているものの、通過帯
域の高域側における減衰量の悪化を従来例に比べて抑制
し得ることがわかる。

【００９３】また、容量比と急峻性との関係及びインダ
クタンスと減衰量との関係は、第１の実施例の８００Ｍ
Ｈｚのラダー型の弾性表面波フィルタ装置と同じ傾向を
示している。従って、第１，第３の実施例によれば、中
心周波数の高低に関わらず、本発明に従って通過帯域低
域側における急峻性を高めることができ、かつ広い周波
数範囲に減衰量の悪化を抑制し得ることがわかる。

【００９４】次に、本発明に従って構成された弾性表面
波フィルタ装置を帯域フィルタとして備える通信機を説
明する。図２８は、本発明に係る弾性表面波装置を用い
た通信機１６０を説明するための概略ブロック図であ
る。

【００９５】図２８において、アンテナ１６１に、デュ
プレクサ１６２が接続されている。デュプレクサ１６２
と受信側ミキサ１６３との間に、ＲＦ段を構成する弾性
表面波フィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されてい
る。さらにミキサ１６３にＩＦ段の表面波フィルタ１６
９が接続されている。また、デュプレクサ１６２と送信
側のミキサ１６６との間には、ＲＦ段を構成する増幅器
１６７及び弾性表面波フィルタ１６８が接続されてい
る。

【００９６】上記通信機１６０におけるＲＦ段の表面波
フィルタ１６４として本発明に従って構成された弾性表
面波フィルタ装置を好適に用いることができる。

【００９７】

【発明の効果】本発明にかかる弾性表面波フィルタ装置
では、一端子対弾性表面波共振子からなる直列腕共振子
及び並列腕共振子を複数個備え、各並列腕共振子に直列
にインダクタンスが接続されている構成において、入力
端または出力端に接続された第１の並列腕共振子及び直
列腕共振子間の接続点に接続された第２の並列腕共振子
の静電容量Ｃｐ１，Ｃｐ２が、Ｃｐ１×２＜Ｃｐ２の関
係にあるため、すなわち容量比Ｃｐ２／Ｃｐ１が２より
大きいため、通過帯域の低域側におけるフィルタ特性の
急峻性が高められる。また、第２の並列腕共振子に接続
されているインダクタンスのインダクタンス値が、第１
の並列腕共振子に接続されているインダクタンスのイン
ダクタンス値以下とされているので、通過帯域外減衰量
を充分な大きさとすることができる。よって、フィルタ
特性の急峻性に優れているだけでなく、阻止域における
減衰量が充分な大きさの、良好なフィルタ特性を実現す
ることが可能となる。

【００９８】特に、Ｃｐ１×２＜Ｃｐ２＜Ｃｐ１×１０
とされている場合には、フィルタ特性の急峻性及び阻止
域における減衰量の向上だけでなく、帯域幅を充分な広
さとすることができる。

【００９９】また、第２の並列腕共振子の共振周波数
が、第１の並列腕共振子の共振周波数よりも低い場合に
は、通過帯域低域側における反射特性の劣化を抑制する
ことができ、それによってフィルタ特性の急峻性をより
一層効果的に高めることができる。

【０１００】本発明において、上記各並列腕共振子に直
列に接続されるインダクタンスを構成する部材について
は特に限定されないが、パッケージの電極パッドと並列
腕共振子とを接続するボンディングワイヤの長さを調整
することにより、上記並列腕共振子に接続されるインダ
クタンスの大きさを調整することができる。すなわち、
第２の並列腕共振子に接続されているボンディングワイ
ヤの長さが、第１の並列腕共振子に接続されているボン
ディングワイヤの長さ以下とすることにより、第２の並
列腕共振子に接続されているインダクタンス値を第１の
並列腕共振子に接続されているインダクタンス値以下と
することができる。同様に、第２の並列腕共振子の一端
が複数のボンディングワイヤにより複数の電極パッドに
電気的に接続されている構成を採用することによって
も、第２の並列腕共振子に接続されるインダクタンスの
値を第１の並列腕共振子に接続されるインダクタンスの
値以下とすることができる。

【０１０１】本発明にかかる通信機では、本発明に従っ
て構成された弾性表面波フィルタ装置を帯域フィルタと
して備えているため、帯域フィルタにおけるフィルタ特
性が改善されるので、選択度に優れた通信機を提供する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例にかかる弾性表面波フィ
ルタ装置の回路構成を示す図。

【図２】一般的な弾性表面波共振子の等価回路を示す
図。

【図３】図２に示した弾性表面波共振子のインピーダン
ス特性を示す図。

【図４】弾性表面波共振子に直列にインダクタンスが接
続された構成の等価回路を示す図。

【図５】図４に示した等価回路のインピーダンス特性を
示す図。

【図６】１個の並列腕共振子に直列にインダクタンスが
接続された回路構成の伝送特性を示す図。

【図７】図６に示した伝送特性を有する回路構成を示す
図。

【図８】２個の並列腕共振子が従属接続されており、各
並列腕共振子にインダクタンスが直列に接続されている
回路を示す図。

【図９】図８の回路構成の伝送特性を示す図。

【図１０】図８の回路構成において、並列腕共振子Ｐ
１，Ｐ２の静電容量の割合を異ならせた場合の伝送特性
の変化を示す図。

【図１１】図８に示した回路構成において、並列腕共振
子Ｐ１，Ｐ２の容量比を１：３とし、並列腕共振子Ｐ２
に接続されるインダクタンスの値を変化させた場合の伝
送特性の変化を示す図。

【図１２】静電容量が異なる一端子対弾性表面波共振子
のインピーダンス特性を示す図。

【図１３】図１２に示した静電容量の大きな弾性表面波
共振子において、周波数を１０ＭＨｚ低下させた場合の
インピーダンス特性と、図１２に示した静電容量の小さ
な弾性表面波共振子のインピーダンス特性を示す図。

【図１４】第１の実施例の弾性表面波フィルタ装置の略
図的平面図。

【図１５】第１の実施例において、容量比Ｃｐ２／Ｃｐ
１を変化させた場合のフィルタ特性の通過帯域低域側に
おける急峻性の変化を示す図。

【図１６】従来例に相当するＣｐ２／Ｃｐ１＝２の場合
の弾性表面波フィルタ装置の伝送特性と、第１の実施例
（Ｃｐ２／Ｃｐ１＝５）の弾性表面波フィルタ装置の伝
送特性を示す図。

【図１７】図１６に示した伝送特性をより広い周波数範
囲にわたって示した図。

【図１８】第１の実施例の弾性表面波フィルタ装置にお
いて、Ｃｐ２／Ｃｐ１＝５とし、第２の並列腕共振子に
接続されるインダクタンスの値を異ならせた場合の伝送
特性を示す図。

【図１９】第１の実施例において、容量比Ｃｐ２／Ｃｐ
１と帯域幅との関係を示す図。

【図２０】第２の実施例の弾性表面波フィルタ装置の回
路構成を示す図。

【図２１】第２の実施例の弾性表面波フィルタ装置の略
図的平面図。

【図２２】第２の実施例において、容量比Ｃｐ２／Ｃｐ
１と急峻性との関係を示す図。

【図２３】第２の実施例（Ｃｐ２／Ｃｐ１＝５）の弾性
表面波フィルタ装置、及び従来例（Ｃｐ２／Ｃｐ１＝
２）の各弾性表面波フィルタ装置の伝送特性を示す図。

【図２４】第２の実施例の弾性表面波フィルタ装置にお
いて、第２の並列腕共振子に接続されるインダクタンス
の値を変化させた場合の伝送特性の変化を示す図。

【図２５】第３の実施例における容量比Ｃｐ２／Ｃｐ１
とフィルタ特性の急峻性との関係を示す図。

【図２６】第３の実施例（Ｃｐ２／Ｃｐ１＝５）の弾性
表面波フィルタ装置及び比較のために用意した従来例
（Ｃｐ２／Ｃｐ１＝２）の弾性表面波フィルタ装置の伝
送特性を示す図。

【図２７】第２の並列腕共振子に接続されるインダクタ
ンスの大きさを変化させた場合の伝送特性の変化を示す
図。

【図２８】本発明の弾性表面波フィルタ装置を備える通
信機を説明するための概略ブロック図。

【図２９】従来の弾性表面波フィルタ装置の回路構成を
説明するための回路図。

【図３０】従来の弾性表面波フィルタ装置の回路構成の
他の例を説明するための回路図。

【図３１】図３０に示した弾性表面波フィルタ装置の伝
送特性を示す図。

【図３２】従来の弾性表面波フィルタ装置の周波数特性
におけるフィルタ特性の急峻性を説明するための図。

【符号の説明】

１００Ａ…入力端 １００Ｂ…出力端 １０１…パッケージ １０１ａ〜１０１ｆ…電極パッド １１１ａ，１１１ｂ…直列腕共振子 １１２ａ，１１２ｃ…第１の並列腕共振子 １１２ｂ…第２の並列腕共振子 １１３ａ〜１１３ｃ…インダクタンス １１３Ａ〜１１３Ｃ…ボンディングワイヤ ２００…弾性表面波フィルタ装置 ２００Ａ…入力端 ２００Ｂ…出力端 ２０１…パッケージ ２０１ａ〜２０１ｆ…電極パッド ２１１ａ，２１１ｂ…直列腕共振子 ２１２ａ…第１の並列腕共振子 ２１２ｂ…第２の並列腕共振子 ２１３ａ，２１３ｂ１，２１３ｂ２、…インダクタンス ２１３Ａ，２１３Ｂ１，２１３Ｂ２…ボンディングワイ
ヤ Ａ，Ｂ…接続点

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一端子対弾性表面波共振子からなる直列
   腕共振子及び並列腕共振子を有する梯子型回路構成の弾
   性表面波フィルタ装置であって、 圧電性基板と、 前記圧電性基板上に形成された複数の並列腕共振子及び
   直列腕共振子と、 前記各並列腕共振子に直列に接続されたインダクタンス
   とを備え、 前記複数の並列腕共振子が、入力端または出力端に接続
   された第１の並列腕共振子と、直列腕共振子間の接続点
   に接続された第２の並列腕共振子とを有し、 第１の並列腕共振子の静電容量をＣｐ１、第２の並列腕
   共振子の静電容量をＣｐ２とした時、Ｃｐ１×２＜Ｃｐ
   ２の関係にあり、かつ前記第２の並列腕共振子に接続さ
   れているインダクタンスのインダクタンス値が、第１の
   並列腕共振子に接続されているインダクタンスのインダ
   クタンス値以下とされていることを特徴とする弾性表面
   波フィルタ装置。
2. 【請求項２】 前記第２の並列腕共振子の静電容量Ｃｐ
   ２が、Ｃｐ１×２＜Ｃｐ２＜Ｃｐ１×１０の範囲とされ
   ている、請求項１に記載の弾性表面波フィルタ装置。
3. 【請求項３】 前記第２の並列腕共振子の共振周波数
   が、前記第１の並列腕共振子の共振周波数よりも低い、
   請求項１または２に記載の弾性表面波フィルタ装置。
4. 【請求項４】 前記圧電性基板上に前記直列腕共振子及
   び並列腕共振子が構成されている弾性表面波素子を収納
   しており、かつ該弾性表面波素子の直列腕共振子または
   並列腕共振子に接続される複数の電極パッドを有するパ
   ッケージと、前記パッケージの電極パッドと、前記直列
   腕共振子または並列腕共振子とを接続するボンディング
   ワイヤとをさらに備え、 前記第２の並列腕共振子に接続されているボンディング
   ワイヤの長さが、前記第１の並列腕共振子に接続されて
   いるボンディングワイヤの長さ以下とされており、それ
   によって第２の並列腕共振子に接続されているインダク
   タンスの値が、第１の並列腕共振子に接続されているイ
   ンダクタンスの値以下とされている、請求項１〜３のい
   ずれかに記載の弾性表面波フィルタ装置。
5. 【請求項５】 前記直列腕共振子及び並列腕共振子が圧
   電性基板上に形成されている弾性表面波素子を収納して
   おり、かつ直列腕共振子または並列腕共振子に接続され
   る複数の電極パッドを有するパッケージと、前記電極パ
   ッドと直列腕共振子または並列腕共振子とを接続してい
   るボンディングワイヤとをさらに備え、 前記第２の並列腕共振子の一端がボンディングワイヤに
   より前記複数の電極パッドの内、グラウンド電位に接続
   される少なくとも２個の電極パッドに電気的に接続され
   ており、それによって第２の並列腕共振子に接続される
   インダクタンスの値が、第１の並列腕共振子に接続され
   るインダクタンスの値以下とされている、請求項１〜３
   のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ装置。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の弾性表
   面波フィルタ装置を帯域フィルタとして備える通信機。