JP3459037B2 - 排ガス浄化装置 - Google Patents
排ガス浄化装置Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/10—Internal combustion engine [ICE] based vehicles
- Y02T10/12—Improving ICE efficiencies
Landscapes
- Exhaust Gas After Treatment (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車等の内燃機関か
ら排出される排ガスの浄化装置に関するものである。
ら排出される排ガスの浄化装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】自動車等の内燃機関の排ガス浄化用触媒
としては、一酸化炭素 (CO) 及び炭化水素 (HC) の酸化
と、窒素酸化物 (NOx)の還元を同時に行なう触媒が汎用
されている。このような触媒は、例えば特公昭58−2030
7 号公報にもみられるように、耐火性担体上のアルミナ
コート層に、パラジウム (Pd) 、白金 (Pt) およびロジ
ウム (Rh) の貴金属、及び場合により助触媒成分として
セリウム (Ce) 、ランタン (La) 等の希土類金属または
ニッケル (Ni) 等のベースメタル酸化物を添加したもの
がほとんどである。
としては、一酸化炭素 (CO) 及び炭化水素 (HC) の酸化
と、窒素酸化物 (NOx)の還元を同時に行なう触媒が汎用
されている。このような触媒は、例えば特公昭58−2030
7 号公報にもみられるように、耐火性担体上のアルミナ
コート層に、パラジウム (Pd) 、白金 (Pt) およびロジ
ウム (Rh) の貴金属、及び場合により助触媒成分として
セリウム (Ce) 、ランタン (La) 等の希土類金属または
ニッケル (Ni) 等のベースメタル酸化物を添加したもの
がほとんどである。
【０００３】かかる触媒は、排ガス温度とエンジンの設
定空燃比の影響を強く受ける。自動車用触媒が浄化能を
発揮する排ガス温度としては、一般に300 ℃以上必要で
あり、また空燃比は、HCとCOの酸化とNOx の還元のバラ
ンスがとれる理論空燃比（Ａ／Ｆ＝14.6) 付近で触媒が
最も有効に働く。従って、従来の三元触媒を用いる排ガ
ス浄化装置を取り付けた自動車では、三元触媒が有効に
働くような位置に設置されており、また排気系の酸素濃
度を検出して、混合気を理論空燃比付近に保つようフィ
ードバック制御が行なわれている。
定空燃比の影響を強く受ける。自動車用触媒が浄化能を
発揮する排ガス温度としては、一般に300 ℃以上必要で
あり、また空燃比は、HCとCOの酸化とNOx の還元のバラ
ンスがとれる理論空燃比（Ａ／Ｆ＝14.6) 付近で触媒が
最も有効に働く。従って、従来の三元触媒を用いる排ガ
ス浄化装置を取り付けた自動車では、三元触媒が有効に
働くような位置に設置されており、また排気系の酸素濃
度を検出して、混合気を理論空燃比付近に保つようフィ
ードバック制御が行なわれている。
【０００４】従来の三元触媒をエキゾーストマニホール
ド直後に設置しても、排ガス温度が低い（300 ℃以下)
エンジン始動直後には触媒活性が低く、始動直後（コー
ルドスタート時）に大量に排出されるHCは浄化されずに
そのまま排出されてしまうという問題がある。
ド直後に設置しても、排ガス温度が低い（300 ℃以下)
エンジン始動直後には触媒活性が低く、始動直後（コー
ルドスタート時）に大量に排出されるHCは浄化されずに
そのまま排出されてしまうという問題がある。
【０００５】上記の課題を解決するための排ガス浄化装
置として、触媒コンバータの排気上流側にコールドHCを
吸着するための吸着剤を納めたHCトラッパーを配置した
ものが特開平２−135126号公報や特開平３−141816号公
報に提案されている。
置として、触媒コンバータの排気上流側にコールドHCを
吸着するための吸着剤を納めたHCトラッパーを配置した
ものが特開平２−135126号公報や特開平３−141816号公
報に提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
２−135126号公報に記載されている自動車排気ガス浄化
装置では、 (1) 吸着材の下流側に触媒成分を含浸しているため、触
媒が活性温度に達する前に上流側の吸着材からHCが脱離
してしまう。 (2) ゼオライトへ触媒金属溶液を含浸しているため、触
媒成分の耐久性に乏しい。また、特開平３−141816号公
報に記載されている排気ガス浄化装置では、 (3) 吸着したHCの脱離制御を温度センサ、バイパス管、
制御装置等を用いて行なっているため、システムが複雑
で信頼性や排気レイアウト上実用的ではない。 という問題があった。
２−135126号公報に記載されている自動車排気ガス浄化
装置では、 (1) 吸着材の下流側に触媒成分を含浸しているため、触
媒が活性温度に達する前に上流側の吸着材からHCが脱離
してしまう。 (2) ゼオライトへ触媒金属溶液を含浸しているため、触
媒成分の耐久性に乏しい。また、特開平３−141816号公
報に記載されている排気ガス浄化装置では、 (3) 吸着したHCの脱離制御を温度センサ、バイパス管、
制御装置等を用いて行なっているため、システムが複雑
で信頼性や排気レイアウト上実用的ではない。 という問題があった。
【０００７】従って本発明の目的は、上記従来技術に存
在する問題を解決し、エンジン始動時に排出される高濃
度のHCを効率よく吸着し、吸着層からHCが脱離し始める
温度においても脱離したHCが効率よく浄化される排ガス
浄化装置を提供することにある。
在する問題を解決し、エンジン始動時に排出される高濃
度のHCを効率よく吸着し、吸着層からHCが脱離し始める
温度においても脱離したHCが効率よく浄化される排ガス
浄化装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記の従
来技術に存在する問題に着目し、HC吸着に有効なゼオラ
イト層上に触媒層を備えたことを特徴とする吸着触媒の
製造方法を特願平５−273780号および特願平５−273781
号公報で提案した。これらの方法で得られた触媒は表層
の触媒層が内層のゼオライトよりも早く加熱されるた
め、ゼオライト層からHCが脱離する段階において触媒層
が活性化されており、HCが良好に浄化される。本発明者
等はさらに鋭意研究を重ねた結果、上記吸着触媒を床下
位置に装着し、エンジン始動直後に緩やかに加速もしく
は低速走行を続けた場合、表層の触媒層が活性化する前
に内層のゼオライト層から吸着していたHCの一部が脱離
するため、エンジン始動時に排出されたHCの浄化能が少
し低下するということがわかった。
来技術に存在する問題に着目し、HC吸着に有効なゼオラ
イト層上に触媒層を備えたことを特徴とする吸着触媒の
製造方法を特願平５−273780号および特願平５−273781
号公報で提案した。これらの方法で得られた触媒は表層
の触媒層が内層のゼオライトよりも早く加熱されるた
め、ゼオライト層からHCが脱離する段階において触媒層
が活性化されており、HCが良好に浄化される。本発明者
等はさらに鋭意研究を重ねた結果、上記吸着触媒を床下
位置に装着し、エンジン始動直後に緩やかに加速もしく
は低速走行を続けた場合、表層の触媒層が活性化する前
に内層のゼオライト層から吸着していたHCの一部が脱離
するため、エンジン始動時に排出されたHCの浄化能が少
し低下するということがわかった。
【０００９】本発明は、上記問題点を解決するために、
排気上流側から、プリ三元触媒、触媒Ａ及び吸着触媒Ｂ
をこの順で直列に配置して成り、ヒータを有しない排ガ
ス浄化装置であって、上記触媒Ａは、炭化水素、一酸化
炭素及び窒素酸化物を理論空燃比近傍で浄化する三元触
媒を担体にコーティングして成り、上記吸着触媒Ｂは、
担体に、炭化水素の吸着に有効な層を下層として、触媒
層を上層として配して成り、かつ上記触媒Ａから流出し
た排ガスのみが直接流入するように配置されていること
を特徴とする排ガス浄化装置に関するものである。
排気上流側から、プリ三元触媒、触媒Ａ及び吸着触媒Ｂ
をこの順で直列に配置して成り、ヒータを有しない排ガ
ス浄化装置であって、上記触媒Ａは、炭化水素、一酸化
炭素及び窒素酸化物を理論空燃比近傍で浄化する三元触
媒を担体にコーティングして成り、上記吸着触媒Ｂは、
担体に、炭化水素の吸着に有効な層を下層として、触媒
層を上層として配して成り、かつ上記触媒Ａから流出し
た排ガスのみが直接流入するように配置されていること
を特徴とする排ガス浄化装置に関するものである。
【００１０】また、流入側の触媒Ａと流出側の吸着触媒
Ｂの距離は任意でよいが、近すぎると背圧上昇によるエ
ンジン性能の低下を引き起こす可能性があり、逆に離れ
すぎていると、流出側の吸着触媒表層の触媒温度が上が
らず脱離HCの浄化率が低下する可能性もある。従って触
媒Ａと吸着触媒Ｂの距離は10〜50mmの範囲とするのが好
ましい。
Ｂの距離は任意でよいが、近すぎると背圧上昇によるエ
ンジン性能の低下を引き起こす可能性があり、逆に離れ
すぎていると、流出側の吸着触媒表層の触媒温度が上が
らず脱離HCの浄化率が低下する可能性もある。従って触
媒Ａと吸着触媒Ｂの距離は10〜50mmの範囲とするのが好
ましい。
【００１１】上記吸着触媒Ｂとしては、ゼオライト層上
に活性セリアおよび／またはアルミナを主成分とした粉
末に触媒成分として白金 (Pt) 、パラジウム (Pd) およ
びロジウム (Rh) からなる群から選ばれた１種以上の貴
金属を含む触媒層を備えるものが好ましい。
に活性セリアおよび／またはアルミナを主成分とした粉
末に触媒成分として白金 (Pt) 、パラジウム (Pd) およ
びロジウム (Rh) からなる群から選ばれた１種以上の貴
金属を含む触媒層を備えるものが好ましい。
【００１２】本発明で使用される担体は、モノリス型の
ハニカム形状のもので、コージエライト質担体、メタル
担体等任意のものが使用される。
ハニカム形状のもので、コージエライト質担体、メタル
担体等任意のものが使用される。
【００１３】一般的にゼオライトは低温時にHCを吸着
し、昇温とともに脱離する。触媒がある温度で急激に活
性化するのに対し、ゼオライトからの脱離は温度上昇に
対してある分布を持って排出される。そして、排ガス温
度の上昇に伴い、吸着触媒前に配置した触媒も活性化
し、反応熱によって触媒出口温度、すなわち吸着触媒入
口温度が上昇する。この温度上昇によって吸着触媒表層
の触媒も早く活性化するため、ゼオライト層から吸着し
ていたHCが脱離するときに、効率よく浄化することがで
きる。しかも、吸着触媒前に触媒を配置することによ
り、ゼオライト層の温度上昇も抑えられるため吸着能も
向上する。
し、昇温とともに脱離する。触媒がある温度で急激に活
性化するのに対し、ゼオライトからの脱離は温度上昇に
対してある分布を持って排出される。そして、排ガス温
度の上昇に伴い、吸着触媒前に配置した触媒も活性化
し、反応熱によって触媒出口温度、すなわち吸着触媒入
口温度が上昇する。この温度上昇によって吸着触媒表層
の触媒も早く活性化するため、ゼオライト層から吸着し
ていたHCが脱離するときに、効率よく浄化することがで
きる。しかも、吸着触媒前に触媒を配置することによ
り、ゼオライト層の温度上昇も抑えられるため吸着能も
向上する。
【００１４】ゼオライトには多くの種類があるが、本発
明の吸着触媒Ｂに用いるゼオライトとしては、常温ない
し比較的高い温度まで水存在雰囲気下でも充分なHC吸着
能を有し、かつ耐久性の高いものを適宜選択する。例え
ば、モルデナイト、ＵＳＹ、βゼオライト、ＺＳＭ−５
等が挙げられる。排ガス中の多種類のHCを効率よく吸着
するためには、細孔構造の異なるゼオライトを２種以上
混合するのがより好ましい。
明の吸着触媒Ｂに用いるゼオライトとしては、常温ない
し比較的高い温度まで水存在雰囲気下でも充分なHC吸着
能を有し、かつ耐久性の高いものを適宜選択する。例え
ば、モルデナイト、ＵＳＹ、βゼオライト、ＺＳＭ−５
等が挙げられる。排ガス中の多種類のHCを効率よく吸着
するためには、細孔構造の異なるゼオライトを２種以上
混合するのがより好ましい。
【００１５】各種ゼオライトはＨ型でも十分な吸着能力
を有するが、Pd, Ag, Cu, Cr, Co,Nd等の金属をイオン
交換法、含浸法、浸漬法等の通常の方法を用いて担持し
たゼオライトが、吸着特性および脱離抑制能をさらに向
上することができるため好ましい。各担持量は任意でよ
いが、例えば0.1 〜15重量％位が好ましい。0.1 重量％
より少ないと吸着特性および脱離抑制効果が少なく、逆
に15重量％を越えても効果は変わらない。
を有するが、Pd, Ag, Cu, Cr, Co,Nd等の金属をイオン
交換法、含浸法、浸漬法等の通常の方法を用いて担持し
たゼオライトが、吸着特性および脱離抑制能をさらに向
上することができるため好ましい。各担持量は任意でよ
いが、例えば0.1 〜15重量％位が好ましい。0.1 重量％
より少ないと吸着特性および脱離抑制効果が少なく、逆
に15重量％を越えても効果は変わらない。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例、比較例および試験例
によりさらに詳細に説明する。尚例中の部は特記しない
限り重量部を表す。実施例１ Ptを担持した活性セリア粉末（以下、Pt／CeO2と記す)1
00部、アルミナ50部、２％硝酸150 部を磁気ポットに仕
込み、振動ミル装置で40分間もしくは、ユニバーサルボ
ールミル装置で6.5 時間混合粉砕して、ウォッシュコー
トスラリーを製造した。コーディエライト製モノリス担
体を吸引コート法で給水処理した後、前記製造したスラ
リーを担体断面全体に均一に投入し、吸引コート法で余
分なスラリーを除去した。その後、乾燥を行い、400 ℃
で１時間仮焼成した。これにより、Pt／CeO2層が100g／
L コート量で担体にコートされた。上記ウォシュコー
ト、乾燥、焼成をさらに繰り返して合計200g／L のPt／
CeO2層をコートした。次に、Rhを担持したアルミナ粉末
（以下、Rh／Al2O3 と記す）100 部、アルミナ50部、２
％硝酸150 部を磁器ポットに仕込み、前記と同様にして
ウォシュコートスラリーを製造し、同方法でPt／CeO2層
の上に50 g／L のRh／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥
後、空気雰囲気650 ℃で３時間の焼成を行い、排気流入
側の（触媒Al) を得た。また、Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／
Al2O3 ＝700)（以下ＺＳＭ−５と記す）100 部、シリカ
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部及び水15部
を磁性ポットに仕込み、前記と同様にしてＺＳＭ−５ス
ラリーを製造し、同方法でモノリス担体上に150g／L コ
ートし、乾燥、400 ℃で１時間焼成を行った。前記と同
様にしてＺＳＭ−５層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層
をコートし、乾燥、400 ℃で１時間焼成を行った。さら
にPt／CeO2層の上にRh／Al2O3 触媒層を50 g／L コート
し、乾燥後、空気雰囲気650 ℃で３時間の焼成を行い、
排気流出側の（吸着触媒Ｂ１）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１）を得た。
によりさらに詳細に説明する。尚例中の部は特記しない
限り重量部を表す。実施例１ Ptを担持した活性セリア粉末（以下、Pt／CeO2と記す)1
00部、アルミナ50部、２％硝酸150 部を磁気ポットに仕
込み、振動ミル装置で40分間もしくは、ユニバーサルボ
ールミル装置で6.5 時間混合粉砕して、ウォッシュコー
トスラリーを製造した。コーディエライト製モノリス担
体を吸引コート法で給水処理した後、前記製造したスラ
リーを担体断面全体に均一に投入し、吸引コート法で余
分なスラリーを除去した。その後、乾燥を行い、400 ℃
で１時間仮焼成した。これにより、Pt／CeO2層が100g／
L コート量で担体にコートされた。上記ウォシュコー
ト、乾燥、焼成をさらに繰り返して合計200g／L のPt／
CeO2層をコートした。次に、Rhを担持したアルミナ粉末
（以下、Rh／Al2O3 と記す）100 部、アルミナ50部、２
％硝酸150 部を磁器ポットに仕込み、前記と同様にして
ウォシュコートスラリーを製造し、同方法でPt／CeO2層
の上に50 g／L のRh／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥
後、空気雰囲気650 ℃で３時間の焼成を行い、排気流入
側の（触媒Al) を得た。また、Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／
Al2O3 ＝700)（以下ＺＳＭ−５と記す）100 部、シリカ
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部及び水15部
を磁性ポットに仕込み、前記と同様にしてＺＳＭ−５ス
ラリーを製造し、同方法でモノリス担体上に150g／L コ
ートし、乾燥、400 ℃で１時間焼成を行った。前記と同
様にしてＺＳＭ−５層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層
をコートし、乾燥、400 ℃で１時間焼成を行った。さら
にPt／CeO2層の上にRh／Al2O3 触媒層を50 g／L コート
し、乾燥後、空気雰囲気650 ℃で３時間の焼成を行い、
排気流出側の（吸着触媒Ｂ１）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１）を得た。
【００１７】実施例２
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 100部、シリカゾ
ル（固形分20％）215部、10％硝酸100 部及び水15部を
磁性ポットに仕込み、実施例１と同様にしてＺＳＭ−５
スラリーを製造し、同方法でモノリス担体上に150g／L
コート、乾燥、400 ℃で１時間焼成を行なった。次に、
Pdを担持したアルミナ粉末（以下、Pd／Al2O3 と記す）
100 部、アルミナ50部、２％硝酸150 部を磁器ポットに
仕込み、実施例１と同方法でウォシュコートスラリーを
製造し、同コート方法でＺＳＭ−５層の上に100g／L の
Pd／Al2O 3 層をコートし、乾燥、焼成を行なった。さら
に、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3
層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触
媒Ｂ２）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出
側に（吸着触媒Ｂ２）を組合せ、（タンデム型吸着触媒
−２）を得た。
ル（固形分20％）215部、10％硝酸100 部及び水15部を
磁性ポットに仕込み、実施例１と同様にしてＺＳＭ−５
スラリーを製造し、同方法でモノリス担体上に150g／L
コート、乾燥、400 ℃で１時間焼成を行なった。次に、
Pdを担持したアルミナ粉末（以下、Pd／Al2O3 と記す）
100 部、アルミナ50部、２％硝酸150 部を磁器ポットに
仕込み、実施例１と同方法でウォシュコートスラリーを
製造し、同コート方法でＺＳＭ−５層の上に100g／L の
Pd／Al2O 3 層をコートし、乾燥、焼成を行なった。さら
に、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3
層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触
媒Ｂ２）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出
側に（吸着触媒Ｂ２）を組合せ、（タンデム型吸着触媒
−２）を得た。
【００１８】実施例３
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 50 部、Ｈ型ＵＳ
Ｙ (SiO2／Al2O3 ＝50) （以下ＵＳＹと記す）50部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５とＵＳＹの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に150g／Lコートし、乾
燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５とＵＳＹの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50g/L コート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ３）を得た。排気
流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ３）
を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３）を得た。
Ｙ (SiO2／Al2O3 ＝50) （以下ＵＳＹと記す）50部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５とＵＳＹの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に150g／Lコートし、乾
燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５とＵＳＹの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50g/L コート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ３）を得た。排気
流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ３）
を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３）を得た。
【００１９】実施例４
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700 ）50部、Ｈ型ＵＳ
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50）50部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合ス
ラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリ
ス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合層の
上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼
成を行った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触
媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成
を行い、（吸着触媒Ｂ４）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ４）を組合せ、（タ
ンデム型吸着触媒−４）を得た。
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50）50部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合ス
ラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリ
ス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合層の
上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼
成を行った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触
媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成
を行い、（吸着触媒Ｂ４）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ４）を組合せ、（タ
ンデム型吸着触媒−４）を得た。
【００２０】実施例５
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 67 部、Ｈ型ＵＳ
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50）33部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合ス
ラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリ
ス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合層の
上に100g／L のPt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成
を行った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒
層をPt／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を
行い、（吸着触媒Ｂ５）を得た。排気流入側に（触媒Ａ
１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ５）を組合せ、（タン
デム型吸着触媒−５）を得た。
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50）33部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合ス
ラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリ
ス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合層の
上に100g／L のPt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成
を行った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒
層をPt／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を
行い、（吸着触媒Ｂ５）を得た。排気流入側に（触媒Ａ
１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ５）を組合せ、（タン
デム型吸着触媒−５）を得た。
【００２１】実施例６
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 67 部、Ｈ型ＵＳ
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50）33部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合ス
ラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリ
ス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合層の
上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼
成を行った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触
媒層をPt／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成
を行い、（吸着触媒Ｂ６）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ６）を組合せ、（タ
ンデム型吸着触媒−６）を得た。
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50）33部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合ス
ラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリ
ス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合層の
上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼
成を行った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触
媒層をPt／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成
を行い、（吸着触媒Ｂ６）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ６）を組合せ、（タ
ンデム型吸着触媒−６）を得た。
【００２２】実施例７
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 50 部、Ｈ型モル
デナイト（以下モルデナイトと記す）（SiO2／Al2O3 ＝
200) 50 部、シリカゾル（固形分20％）215 部、10％硝
酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同
方法でＺＳＭ−５とモルデナイトの混合スラリーを製造
した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に15
0g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１
と同方法でＺＳＭ−５とモルデナイトの混合層の上に10
0g／LのPt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt
／CeO2層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、
（吸着触媒Ｂ７）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、
排気流出側に（吸着触媒Ｂ７）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−７）を得た。
デナイト（以下モルデナイトと記す）（SiO2／Al2O3 ＝
200) 50 部、シリカゾル（固形分20％）215 部、10％硝
酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同
方法でＺＳＭ−５とモルデナイトの混合スラリーを製造
した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に15
0g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１
と同方法でＺＳＭ−５とモルデナイトの混合層の上に10
0g／LのPt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt
／CeO2層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、
（吸着触媒Ｂ７）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、
排気流出側に（吸着触媒Ｂ７）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−７）を得た。
【００２３】実施例８
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 50 部、Ｈ型モル
デナイト（SiO2／Al2O 3 ＝200) 50 部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とモルデナ
イトの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同
方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とモル
デナイトの混合層の上に100g／LのPd／Al2O3 触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／Al2O3 層上に50 g／L コ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ８）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
８）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−８）を得た。
デナイト（SiO2／Al2O 3 ＝200) 50 部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とモルデナ
イトの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同
方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とモル
デナイトの混合層の上に100g／LのPd／Al2O3 触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／Al2O3 層上に50 g／L コ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ８）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
８）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−８）を得た。
【００２４】実施例９
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 50 部、Ｈ型βゼ
オライト（以下βゼオライトと記す）（SiO2／Al2O3 ＝
100) 50 部、シリカゾル（固形分20％）215 部、10％硝
酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同
方法でＺＳＭ−５とβゼオライトの混合スラリーを製造
した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に15
0g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１
と同方法でＺＳＭ−５とβゼオライトの混合層の上に10
0g／LのPt／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行
った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層を
Pt／CeO2層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、
（吸着触媒Ｂ９）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、
排気流出側に（吸着触媒Ｂ９）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−９）を得た。
オライト（以下βゼオライトと記す）（SiO2／Al2O3 ＝
100) 50 部、シリカゾル（固形分20％）215 部、10％硝
酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同
方法でＺＳＭ−５とβゼオライトの混合スラリーを製造
した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に15
0g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１
と同方法でＺＳＭ−５とβゼオライトの混合層の上に10
0g／LのPt／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行
った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層を
Pt／CeO2層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、
（吸着触媒Ｂ９）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、
排気流出側に（吸着触媒Ｂ９）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−９）を得た。
【００２５】実施例10
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 50 部、Ｈ型βゼ
オライト（SiO2／Al2O 3 ＝100) 50 部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオラ
イトの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同
方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とβゼ
オライトの混合層の上に100g／LのPd／Al2O3 触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ10）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
10）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−10）を得た。
オライト（SiO2／Al2O 3 ＝100) 50 部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオラ
イトの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同
方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とβゼ
オライトの混合層の上に100g／LのPd／Al2O3 触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ10）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
10）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−10）を得た。
【００２６】実施例11
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 67 部、Ｈ型βゼ
オライト（SiO2／Al2O 3 ＝100) 33 部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオラ
イトの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同
方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼ
オライトの混合層の上に100g／LのPt／CeO2触媒層をコ
ートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方
法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ11）を得た。排気
流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ11）
を組合せ、（タンデム型吸着触媒−11）を得た。
オライト（SiO2／Al2O 3 ＝100) 33 部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオラ
イトの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同
方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼ
オライトの混合層の上に100g／LのPt／CeO2触媒層をコ
ートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方
法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ11）を得た。排気
流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ11）
を組合せ、（タンデム型吸着触媒−11）を得た。
【００２７】実施例12
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 67 部、Ｈ型βゼ
オライト（SiO2／Al2O 3 ＝100) 33 部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオラ
イトの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同
方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とβゼ
オライトの混合層の上に100g／LのPd／Al2O3 触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ12）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
12）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−12）を得た。
オライト（SiO2／Al2O 3 ＝100) 33 部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオラ
イトの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同
方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とβゼ
オライトの混合層の上に100g／LのPd／Al2O3 触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ12）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
12）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−12）を得た。
【００２８】実施例13
Ｈ型ＵＳＹ (SiO2／Al2O3 ＝50) 100 部、シリカゾル
（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でＵＳＹスラリーを
製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上
に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施
例１と同方法でＵＳＹ層の上に100g／L のPt／CeO2触媒
層をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１
と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L
コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ13）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ13）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−13）を得
た。
（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でＵＳＹスラリーを
製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上
に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施
例１と同方法でＵＳＹ層の上に100g／L のPt／CeO2触媒
層をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１
と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L
コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ13）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ13）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−13）を得
た。
【００２９】実施例14
Ｈ型ＵＳＹ (SiO2／Al2O3 ＝50) 100 部、シリカゾル
（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でＵＳＹスラリーを
製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上
に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施
例２と同方法でＵＳＹ層の上に100g／L のPd／Al2O3 触
媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例
１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g
／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ14）を
得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着
触媒Ｂ14）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−14）を得
た。
（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でＵＳＹスラリーを
製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上
に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施
例２と同方法でＵＳＹ層の上に100g／L のPd／Al2O3 触
媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例
１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g
／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ14）を
得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着
触媒Ｂ14）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−14）を得
た。
【００３０】実施例15
Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 100部、シリカ
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でβゼオライト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例１と同方法でβゼオライト層の上に100g／
L のPt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。
さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／Ce
O2層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着
触媒Ｂ15）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流
出側に（吸着触媒Ｂ15）を組合せ、（タンデム型吸着触
媒−15）を得た。
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でβゼオライト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例１と同方法でβゼオライト層の上に100g／
L のPt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。
さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／Ce
O2層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着
触媒Ｂ15）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流
出側に（吸着触媒Ｂ15）を組合せ、（タンデム型吸着触
媒−15）を得た。
【００３１】実施例16
Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 100部、シリカ
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でβゼオライト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例２と同方法でβゼオライト層の上に100g／
L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd
／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、
（吸着触媒Ｂ16）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、
排気流出側に（吸着触媒Ｂ16）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−16）を得た。
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でβゼオライト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例２と同方法でβゼオライト層の上に100g／
L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd
／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、
（吸着触媒Ｂ16）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、
排気流出側に（吸着触媒Ｂ16）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−16）を得た。
【００３２】実施例17
Ｈ型モルデナイト（SiO2／Al2O3 ＝200) 100部、シリカ
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でモルデナイト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例１と同方法でモルデナイト層の上に100g／
L のPt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。
さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／Ce
O2層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着
触媒Ｂ17）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流
出側に（吸着触媒Ｂ17）を組合せ、（タンデム型吸着触
媒−17）を得た。
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でモルデナイト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例１と同方法でモルデナイト層の上に100g／
L のPt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。
さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／Ce
O2層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着
触媒Ｂ17）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流
出側に（吸着触媒Ｂ17）を組合せ、（タンデム型吸着触
媒−17）を得た。
【００３３】実施例18
Ｈ型モルデナイト（SiO2／Al2O3 ＝200) 100部、シリカ
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でモルデナイト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例２と同方法でモルデナイト層の上に100g／
L のPt／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd
／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、
（吸着触媒Ｂ18）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、
排気流出側に（吸着触媒Ｂ18）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−18）を得た。
ゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でモルデナイト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例２と同方法でモルデナイト層の上に100g／
L のPt／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd
／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、
（吸着触媒Ｂ18）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、
排気流出側に（吸着触媒Ｂ18）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−18）を得た。
【００３４】実施例19
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Ｈ型ＵＳ
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、Ｈ型モルデナイト (SiO2
／Al2O3 ＝200) 33 部、シリカゾル（固形分20％）215
部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モルデナイトの
混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法で
モノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モ
ルデナイトの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ19）を得た。排
気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ1
9）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−19）を得た。
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、Ｈ型モルデナイト (SiO2
／Al2O3 ＝200) 33 部、シリカゾル（固形分20％）215
部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モルデナイトの
混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法で
モノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モ
ルデナイトの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ19）を得た。排
気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ1
9）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−19）を得た。
【００３５】実施例20
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Ｈ型ＵＳ
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、Ｈ型モルデナイト (SiO2
／Al2O3 ＝200) 33 部、シリカゾル（固形分20％）215
部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モルデナイトの
混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法で
モノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モ
ルデナイトの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層
をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と
同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L
コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ20）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ20）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−20）を得
た。
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、Ｈ型モルデナイト (SiO2
／Al2O3 ＝200) 33 部、シリカゾル（固形分20％）215
部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モルデナイトの
混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法で
モノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モ
ルデナイトの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層
をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と
同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L
コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ20）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ20）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−20）を得
た。
【００３６】実施例21
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Ｈ型ＵＳ
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、Ｈ型βゼオライト (SiO2
／Al2O3 ＝100) 33 部、シリカゾル（固形分20％）215
部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、βゼオライトの
混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法で
モノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、β
ゼオライトの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ21）を得た。排
気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ2
1）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−21）を得た。
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、Ｈ型βゼオライト (SiO2
／Al2O3 ＝100) 33 部、シリカゾル（固形分20％）215
部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、βゼオライトの
混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法で
モノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、β
ゼオライトの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同
方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ21）を得た。排
気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ2
1）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−21）を得た。
【００３７】実施例22
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Ｈ型ＵＳ
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、Ｈ型βゼオライト (SiO2
／Al2O3 ＝100) 33 部、シリカゾル（固形分20％）215
部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、βゼオライトの
混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法で
モノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、β
ゼオライトの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層
をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と
同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L
コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ22）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ22）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−22）を得
た。
Ｙ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、Ｈ型βゼオライト (SiO2
／Al2O3 ＝100) 33 部、シリカゾル（固形分20％）215
部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、βゼオライトの
混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法で
モノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、β
ゼオライトの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層
をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と
同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L
コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ22）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ22）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−22）を得
た。
【００３８】実施例23
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Agをイオ
ン交換したＺＳＭ−５（以下、Ag−ＺＳＭ−５と記す）
（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33部、Ｈ型Ｕ
ＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−ＺＳＭ−
５、ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾
燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Ag−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に100g／L の
Pt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。さら
に、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層
上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒
Ｂ23）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側
に（吸着触媒Ｂ23）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−
23）を得た。
ン交換したＺＳＭ−５（以下、Ag−ＺＳＭ−５と記す）
（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33部、Ｈ型Ｕ
ＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−ＺＳＭ−
５、ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾
燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Ag−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に100g／L の
Pt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。さら
に、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層
上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒
Ｂ23）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側
に（吸着触媒Ｂ23）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−
23）を得た。
【００３９】実施例24
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Ag担持Ｚ
ＳＭ−５（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型ＵＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、シリカゾル
（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−
ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に150g／L コー
トし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法で
ＺＳＭ−５、Ag−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に10
0g／L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行
った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層を
Pd／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行
い、（吸着触媒Ｂ24）を得た。排気流入側に（触媒Ａ
１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ24）を組合せ、（タン
デム型吸着触媒−24）を得た。
ＳＭ−５（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型ＵＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、シリカゾル
（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−
ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に150g／L コー
トし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法で
ＺＳＭ−５、Ag−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に10
0g／L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行
った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層を
Pd／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行
い、（吸着触媒Ｂ24）を得た。排気流入側に（触媒Ａ
１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ24）を組合せ、（タン
デム型吸着触媒−24）を得た。
【００４０】実施例25
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Pdをイオ
ン交換したＺＳＭ−５（以下、Pd−ＺＳＭ−５と記す）
（Pd担持量２重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33部、Ｈ型Ｕ
ＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Pd−ＺＳＭ−
５、ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾
燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Pd−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に100g／L の
Pt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。さら
に、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層
上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒
Ｂ25）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側
に（吸着触媒Ｂ25）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−
25）を得た。
ン交換したＺＳＭ−５（以下、Pd−ＺＳＭ−５と記す）
（Pd担持量２重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33部、Ｈ型Ｕ
ＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、シリカゾル（固形分20
％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポットに仕
込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Pd−ＺＳＭ−
５、ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾
燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Pd−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に100g／L の
Pt／CeO2触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。さら
に、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層
上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒
Ｂ25）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側
に（吸着触媒Ｂ25）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−
25）を得た。
【００４１】実施例26
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Pd担持Ｚ
ＳＭ−５（Pd担持量２重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型ＵＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、シリカゾル
（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Pd−
ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に150g／L コー
トし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法で
ＺＳＭ−５、Pd−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に10
0g／L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行
った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層を
Pd／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行
い、（吸着触媒Ｂ26）を得た。排気流入側に（触媒Ａ
１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ26）を組合せ、（タン
デム型吸着触媒−26）を得た。
ＳＭ−５（Pd担持量２重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型ＵＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝50) 33部、シリカゾル
（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Pd−
ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に150g／L コー
トし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法で
ＺＳＭ−５、Pd−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に10
0g／L のPd／Al2O3 触媒層をコートし、乾燥、焼成を行
った。さらに、実施例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層を
Pd／Al2O3 層上に50 g／L コートし、乾燥、焼成を行
い、（吸着触媒Ｂ26）を得た。排気流入側に（触媒Ａ
１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ26）を組合せ、（タン
デム型吸着触媒−26）を得た。
【００４２】実施例27
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Ag担持Ｚ
ＳＭ−５（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 33部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Ag−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合スラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−ＺＳＭ−５、βゼオライ
トの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コートし、
乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ27）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ27）を組
合せ、（タンデム型吸着触媒−27）を得た。
ＳＭ−５（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 33部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Ag−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合スラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−ＺＳＭ−５、βゼオライ
トの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コートし、
乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ27）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ27）を組
合せ、（タンデム型吸着触媒−27）を得た。
【００４３】実施例28
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Ag担持Ｚ
ＳＭ−５（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 33部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Ag−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合スラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
２と同方法でＺＳＭ−５、Ag−ＺＳＭ−５、βゼオライ
トの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ28）を得た。排気
流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ28）
を組合せ、（タンデム型吸着触媒−28）を得た。
ＳＭ−５（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 33部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Ag−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合スラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
２と同方法でＺＳＭ−５、Ag−ＺＳＭ−５、βゼオライ
トの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ28）を得た。排気
流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ28）
を組合せ、（タンデム型吸着触媒−28）を得た。
【００４４】実施例29
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Pd担持Ｚ
ＳＭ−５（Pd担持量２重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 33部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Pd−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合スラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
１と同方法でＺＳＭ−５、Pd−ＺＳＭ−５、βゼオライ
トの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コートし、
乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ29）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ29）を組
合せ、（タンデム型吸着触媒−29）を得た。
ＳＭ−５（Pd担持量２重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 33部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Pd−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合スラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
１と同方法でＺＳＭ−５、Pd−ＺＳＭ−５、βゼオライ
トの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コートし、
乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ29）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ29）を組
合せ、（タンデム型吸着触媒−29）を得た。
【００４５】実施例30
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 34 部、Pd担持Ｚ
ＳＭ−５（Pd担持量２重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 33部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Pd−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合スラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
２と同方法でＺＳＭ−５、Pd−ＺＳＭ−５、βゼオライ
トの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ30）を得た。排気
流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ30）
を組合せ、（タンデム型吸着触媒−30）を得た。
ＳＭ−５（Pd担持量２重量％、SiO2／Al2O3 ＝30) 33
部、Ｈ型βゼオライト（SiO2／Al2O3 ＝100) 33部、シ
リカゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15
部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Pd−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合スラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
150g／L コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
２と同方法でＺＳＭ−５、Pd−ＺＳＭ−５、βゼオライ
トの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3 触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50 g／L コート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ30）を得た。排気
流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ30）
を組合せ、（タンデム型吸着触媒−30）を得た。
【００４６】実施例31
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 50 部、Agをイオ
ン交換したＵＳＹ（以下、Ag−ＵＳＹと記す）（Ag担持
量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝12) 50部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−ＵＳ
Ｙの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方
法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を
行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−Ｕ
ＳＹの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コートし、
乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ31）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ31）を組
合せ、（タンデム型吸着触媒−31）を得た。
ン交換したＵＳＹ（以下、Ag−ＵＳＹと記す）（Ag担持
量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝12) 50部、シリカゾル（固
形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−ＵＳ
Ｙの混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方
法でモノリス担体上に150g／L コートし、乾燥、焼成を
行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ag−Ｕ
ＳＹの混合層の上に100g／L のPt／CeO2触媒層をコート
し、乾燥、焼成を行った。さらに、実施例１と同方法で
Rh／Al2O3 触媒層をPt／CeO2層上に50 g／L コートし、
乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ31）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ31）を組
合せ、（タンデム型吸着触媒−31）を得た。
【００４７】実施例32
Ｈ型ＺＳＭ−５ (SiO2／Al2O3 ＝700) 50 部、Ag−ＵＳ
Ｙ（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝12) 50部、シリ
カゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Ag−ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そして、実
施例１と同方法でモノリス担体上に150g／L コートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ
−５、Ag−ＵＳＹの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3
触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施
例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50
g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ32）
を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸
着触媒Ｂ32）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−32）を
得た。
Ｙ（Ag担持量５重量％、SiO2／Al2O3 ＝12) 50部、シリ
カゾル（固形分20％）215 部、10％硝酸100 部、水15部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、Ag−ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そして、実
施例１と同方法でモノリス担体上に150g／L コートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ
−５、Ag−ＵＳＹの混合層の上に100g／L のPd／Al2O3
触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。さらに、実施
例１と同方法でRh／Al2O3 触媒層をPd／Al2O3 層上に50
g／L コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ32）
を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸
着触媒Ｂ32）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−32）を
得た。
【００４８】実施例33
実施例１と同方法でPd／CeO2層を200g／L コートし、乾
燥、焼成を行った。さらに、同方法でPd／CeO2層上にRh
／Al2O3 層を50 g／L ートし、乾燥後、雰囲気650 ℃で
３時間の焼成を行い、（触媒Ａ２）を得た。排気流入側
に（触媒Ａ２）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ５）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−33）を得た。
燥、焼成を行った。さらに、同方法でPd／CeO2層上にRh
／Al2O3 層を50 g／L ートし、乾燥後、雰囲気650 ℃で
３時間の焼成を行い、（触媒Ａ２）を得た。排気流入側
に（触媒Ａ２）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ５）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−33）を得た。
【００４９】実施例34
排気流入側に（触媒Ａ２）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
９）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−33）を得た。
９）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−33）を得た。
【００５０】比較例１
Ｈ型ＵＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝50) を100 部、シリカゾル
（固形分20％）215 部、10％硝酸水100 部、水15部を磁
器ポットに仕込み、実施例１と同方法でウォッシュコー
トスラリーを製造し、同コート方法でモノリス担体に15
0g/Lコート、乾燥、焼成を行ない、（吸着触媒Ｂ35）を
得た。排気流入側に（吸着触媒35）、排出流出側に（触
媒Ａ１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−35）を得
た。
（固形分20％）215 部、10％硝酸水100 部、水15部を磁
器ポットに仕込み、実施例１と同方法でウォッシュコー
トスラリーを製造し、同コート方法でモノリス担体に15
0g/Lコート、乾燥、焼成を行ない、（吸着触媒Ｂ35）を
得た。排気流入側に（吸着触媒35）、排出流出側に（触
媒Ａ１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−35）を得
た。
【００５１】比較例２
Ｈ型ＵＳＹ（SiO2／Al2O3 ＝７) を100 部、シリカゾル
（固形分20％）215 部、10％硝酸水100 部、水15部を磁
器ポットに仕込み、実施例１と同方法でウォッシュコー
トスラリーを製造し、同コート方法でモノリス担体に15
0g/Lコート、乾燥、焼成を行ない、（吸着触媒−36）を
得た。排気流入側に（吸着触媒Ｂ36）、排出流出側に
（触媒Ａ１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−36）を
得た。
（固形分20％）215 部、10％硝酸水100 部、水15部を磁
器ポットに仕込み、実施例１と同方法でウォッシュコー
トスラリーを製造し、同コート方法でモノリス担体に15
0g/Lコート、乾燥、焼成を行ない、（吸着触媒−36）を
得た。排気流入側に（吸着触媒Ｂ36）、排出流出側に
（触媒Ａ１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−36）を
得た。
【００５２】比較例３
排気流入側に（吸着触媒Ｂ13）、排気流出側に（触媒Ａ
１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−37）を得た。
１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−37）を得た。
【００５３】試験例
実施例１〜34および比較例１〜４の触媒Ａと吸着触媒Ｂ
を用いたタンデム型吸着触媒を使用して下記評価条件で
ＨＣ吸着・浄化特性評価（ＦＴＰ75Abag）を日産自動車
（株）製車両（排気量３リットル）を用いて行った。各
吸着触媒Ｂの浄化特性は吸着触媒未装着システム（触媒
Ａのみ）と性能比較を行なった。即ち、評価は、(1) エ
ンジン始動時に排出されるＨＣの吸着能を評価するため
Abag０〜125 秒間のエミッション低減率を測定し、(2)
エンジン始動時および昇温後のＨＣの吸着浄化能を評価
するためAbag０〜505 秒間のエミッション低減率を測定
した。
を用いたタンデム型吸着触媒を使用して下記評価条件で
ＨＣ吸着・浄化特性評価（ＦＴＰ75Abag）を日産自動車
（株）製車両（排気量３リットル）を用いて行った。各
吸着触媒Ｂの浄化特性は吸着触媒未装着システム（触媒
Ａのみ）と性能比較を行なった。即ち、評価は、(1) エ
ンジン始動時に排出されるＨＣの吸着能を評価するため
Abag０〜125 秒間のエミッション低減率を測定し、(2)
エンジン始動時および昇温後のＨＣの吸着浄化能を評価
するためAbag０〜505 秒間のエミッション低減率を測定
した。
【００５４】
ガス組成 エンジン始動時 （０〜125 秒) 芳香族 44.4％
パラフィン 33.3％
オレフィン 22.3％
エンジン暖気時（ 125〜505 秒) 芳香族 43.7％
パラフィン 20.1％
オレフィン 36.2％
流入側触媒Ａの入口温度 ０秒 25℃
100秒 190℃
200秒 340℃
300秒 470℃
400秒 420℃
500秒 400℃
【００５５】尚評価に当たっては図1 示すようにエンジ
ン１のエギゾーストマニホールド２にプリ三元触媒３
（0.5L) として40g/cfのPt／RhがPt：Rh＝５：１の比で
担持した触媒を、850 ℃で100 時間エンジン耐久（燃焼
カット有）したPt−Rh系触媒の耐久品を配置し、床下三
元触媒Ａ４（1.3 L)の後に吸着触媒Ｂ５（1.3 L)を装着
した排ガス浄化装置を用い、吸着触媒Ｂ未装着の場合と
性能比較を行った。評価結果を表１に示す。
ン１のエギゾーストマニホールド２にプリ三元触媒３
（0.5L) として40g/cfのPt／RhがPt：Rh＝５：１の比で
担持した触媒を、850 ℃で100 時間エンジン耐久（燃焼
カット有）したPt−Rh系触媒の耐久品を配置し、床下三
元触媒Ａ４（1.3 L)の後に吸着触媒Ｂ５（1.3 L)を装着
した排ガス浄化装置を用い、吸着触媒Ｂ未装着の場合と
性能比較を行った。評価結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の排ガ
ス浄化装置においては、担体上に触媒活性成分を含む無
機物をコートした触媒を排気流入側に配置し、担体上に
HC吸着に有効なゼオライトからなる吸着層がコートされ
た吸着触媒を排気流出側に配置することにより、吸着層
からHCが脱離し始める温度においても、脱離したHCが良
好に浄化される。
ス浄化装置においては、担体上に触媒活性成分を含む無
機物をコートした触媒を排気流入側に配置し、担体上に
HC吸着に有効なゼオライトからなる吸着層がコートされ
た吸着触媒を排気流出側に配置することにより、吸着層
からHCが脱離し始める温度においても、脱離したHCが良
好に浄化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】試験例に用いた排ガス浄化装置の系統図であ
る。
る。
１ エンジン
２ エキゾ−ストマニホールド
３ プリ三元触媒
４ 触媒Ａ
５ 吸着触媒Ｂ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｆ０１Ｎ 3/20 ＺＡＢ Ｆ０１Ｎ 3/24 Ｂ
3/24 Ｂ０１Ｄ 53/36 １０２Ｈ
(56)参考文献 特開 平５−31359（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−86910（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−65819（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
F01N 3/20,3/24
B01D 53/36
Claims (5)
- 【請求項１】 排気上流側から、プリ三元触媒、触媒Ａ
及び吸着触媒Ｂをこの順で直列に配置して成り、ヒータ
を有しない排ガス浄化装置であって、 上記触媒Ａは、炭化水素、一酸化炭素及び窒素酸化物を
理論空燃比近傍で浄化する三元触媒を担体にコーティン
グして成り、 上記吸着触媒Ｂは、担体に、炭化水素の吸着に有効な層
を下層として、触媒層を上層として配して成り、かつ上
記触媒Ａから流出した排ガスのみが直接流入するように
配置されていることを特徴とする排ガス浄化装置。 - 【請求項２】 上記プリ三元触媒をエンジンのエキゾー
ストマニホールド位置に装着し、かつ上記吸着触媒Ｂを
床下位置に装着したことを特徴とする請求項１記載の排
ガス浄化装置。 - 【請求項３】 上記触媒Ａと吸着触媒Ｂとは、１０〜５
０ｍｍの距離範囲で配置されることを特徴とする請求項
１又は２記載の排ガス浄化装置。 - 【請求項４】 吸着触媒Ｂにおけるゼオライトとしてモ
ルデナイト、ＵＳＹ、βゼオライトおよびＺＳＭ−５か
らなる群から選ばれた少なくとも１種以上を用いたこと
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の排ガス
浄化装置。 - 【請求項５】 吸着触媒Ｂにおけるゼオライトは、金属
をイオン交換して担持したゼオライトであることを特徴
とする請求項１〜４いずれか一項記載の排ガス浄化装
置。
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP17461798A JP3459037B2 (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 排ガス浄化装置 |
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| JP5319931A Division JP3052710B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 排ガス浄化装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317949A JPH10317949A (ja) | 1998-12-02 |
| JP3459037B2 true JP3459037B2 (ja) | 2003-10-20 |
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ID=15981730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17461798A Expired - Lifetime JP3459037B2 (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 排ガス浄化装置 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-06-22 JP JP17461798A patent/JP3459037B2/ja not_active Expired - Lifetime
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