[go: up one dir, main page]

JP3100014B2 - 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法 - Google Patents

強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法

Info

Publication number
JP3100014B2
JP3100014B2 JP04351573A JP35157392A JP3100014B2 JP 3100014 B2 JP3100014 B2 JP 3100014B2 JP 04351573 A JP04351573 A JP 04351573A JP 35157392 A JP35157392 A JP 35157392A JP 3100014 B2 JP3100014 B2 JP 3100014B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
ferroelectric liquid
alignment
film
crystal device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04351573A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05273537A (ja
Inventor
正信 朝岡
誠 小嶋
英昭 高尾
勝利 中村
由紀夫 羽生
隆亜 和田
泰人 小寺
修 谷口
正 三原
薫央 堀田
健次 大沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of JPH05273537A publication Critical patent/JPH05273537A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3100014B2 publication Critical patent/JP3100014B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶素子及び
該素子の製造方法に関し、更に詳しくは駆動特性を改善
したセル構造を有する強誘電性液晶素子及び該素子の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォ
ル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開
昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２
４号明細書等）。
【０００３】この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域
において、非らせん構造のカイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、この状態に
おいて、加えられる電界に応答して第１の光学的安定状
態と第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電界
の印加のないときはその状態を維持する性質、すなわち
双安定性を有し、また電界の変化に対する応答も速やか
であり、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い利
用が期待されている。
【０００４】この双安定性を有する液晶を用いた光学変
調素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関
係に上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起るよ
うな分子配列状態にあることが必要である。
【０００５】また、液晶の複屈折を利用した液晶素子の
場合、直交ニコル下での透過率は、
【０００６】
【数５】 （式中、Ｉ0 ：入射光強度、Ｉ：透過光強度、θ：チル
ト角、Δｎ：屈折率異方性、ｄ：液晶層の膜厚、λ：入
射光の波長である。）で表わされる。
【０００７】前述の非らせん構造におけるチルト角θは
第１と第２の配向状態でのねじれ配列した液晶分子の平
均分子軸方向の角度として現われることになる。上式に
よれば、かかるチルト角θが２２．５°の角度の時最大
の透過率となり、双安定性を実現する非らせん構造での
チルト角θが２２．５°にできる限り近いことが必要で
ある。
【０００８】ところで、強誘電性液晶の配向方法として
は、大きな面積に亙って、スメクチック液晶を形成する
複数の分子で組織された液晶分子層を、その法線に沿っ
て一軸に配向させることができ、しかも製造プロセス工
程も簡便なラビング処理により実現できるものが望まし
い。
【０００９】強誘電性液晶、特に非らせん構造のカイラ
ルスメクチック液晶のための配向方法としては、例え
ば、米国特許第４，５６１，７２６号明細書等が知られ
ている。
【００１０】しかしながら、前記した強誘電性液晶セル
を長時間駆動し続けると、セル端部のセル厚がしだいに
増加していき、黄色に色付いて見えてくるという問題が
認められた。
【００１１】このように、表示部の一方側が黄色に色付
いて見えると、表示画像の品質の低下が生ずるという問
題がある。この黄色の色付は白黒画像表示に限ることな
く、カラー表示では色バランスのズレという形で表われ
るため、高品位画像表示というには充分でなくなるとい
う問題がある。
【００１２】尚、この表示素子は、通常カイラルスメク
チック液晶をマルチプレクシング駆動するための走査電
極と信号電極とで構成したマトリックス電極を備え、走
査電極には順次走査信号が印加され、該走査信号と同期
して信号電極には情報信号が印加される。
【００１３】又、本発明者の実験によれば、ラビング処
理したポリイミド膜によって配向させて得られた非らせ
ん構造の強誘電性液晶でのチルト角θ（後述の図６に示
す角度）がらせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角
Ｈ（後述の図５に示す角度）と較べて小さくなっている
ことが判明した。特に、従来のラビング処理したポリイ
ミド膜によって配向させて得た非らせん構造の強誘電性
液晶でのチルト角θは、一般に３°〜８°程度で、その
時の透過率はせいぜい３〜５％程度であった。
【００１４】この様に、クラークとラガウォールによれ
ば双安定性を実現する非らせん構造の強誘電性液晶での
チルト角がらせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角
と同一の角度をもつはずであるが、実際には非らせん構
造でのチルト角θの方が、らせん構造でのチルト角Ｈよ
り小さくなっている。しかも、この非らせん構造でのチ
ルト角θがらせん構造でのチルト角Ｈより小さくなる原
因が非らせん構造での液晶分子のねじれ配列に起因して
いることが判明した。つまり、非らせん構造をもつ強誘
電性液晶では、液晶分子が基板の法線に対して上基板に
隣接する液晶分子の軸より下基板に隣接する液晶分子の
軸（ねじれ配列の方向）へ連続的にねじれ角δでねじれ
て配列しており、このことが非らせん構造でのチルト角
θがらせん構造でのチルト角Ｈより小さくなる原因とな
っている。
【００１５】尚、上記のような強誘電性液晶素子を得る
方法として交流を印加して配向を変化させた液晶素子が
提案されている（特開昭６２−１６１１２３）。この技
術により非らせん構造におけるチルト角θを増大させる
ことができ、さらに液晶の配列を上下基板間でツイスト
配向からほぼ同じＣ−ダイレクタを有するパラレル配向
（ユニフォーム配向）にできることからクロスニコル下
における暗状態の透過率を少なくすることができる。こ
れにより高いコントラストが得られることが知られてい
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、強誘
電性液晶を用いる液晶セルにおいて、その端部でのセル
厚の増加を低減することにある。
【００１７】又、本発明の目的は、絶縁層表面をラビン
グ処理することにより、黄変を防止する、或いは黄変の
発生を遅延させることにある。
【００１８】加えて本発明の目的は、前記従来技術の問
題点に鑑み、強誘電性液晶素子において、前記液晶の移
動を抑制し、セル厚増加による黄変や空隙の発生を防止
することにある。
【００１９】更に本発明の目的は、上述の従来技術の問
題点に鑑みなされたもので、素子の長期駆動時の液晶分
子の移動現象をおさえ、高コントラストで残像の少な
い、表示特性の信頼性を改善した強誘電性液晶素子を提
供することにある。
【００２０】又、本発明は、上記問題点に鑑みなされた
ものであって、強誘電性液晶を用いた液晶素子におい
て、液晶駆動によるセル厚の局部的変化を防止した強誘
電性液晶素子及びその製造方法の提供を目的とする。
【００２１】又、本発明は、上記問題点に鑑みなされた
ものであって、安定な配向性を保持したまま、液晶の移
動を低減させるような最適な形状、大きさ、密度の凹凸
を形成できる配向制御膜形成方法の提供を目的とする。
【００２２】又、本発明の目的は、前述の問題点を解決
した強誘電性液晶素子を提供すること、特にカイラルス
メクチック液晶の非らせん構造での大きなチルト角θを
生じ、高コントラストな画像で、且つ残像を生じないデ
ィスプレイを達成できる強誘電性液晶素子を提供するこ
とにある。
【００２３】さらに、他の目的は、液晶素子の構成を改
良することにより、特性を有する材料の選択の幅を広
げ、それにより低温による簡便な製造プロセスにおいて
も形成することができ、生産性に優れる上、カラーフィ
ルター等の他の材料の選択の幅をも広げることが可能と
なる素子構成を有する強誘電性液晶素子を提供すること
にある。
【００２４】
【００２５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、それぞ
れ配向制御層を有する一対の電極基板間に強誘電性液晶
を保持してなり、該配向制御層の少なくとも一方の表面
には、径０．１〜１０μｍ、高低差２〜３０ｎｍの凹凸
形状が１００００個／ｍｍ 2 以上の密度で形成され、か
つ該凹凸形状が、主溶剤と該主溶剤より高い沸点を有す
る副溶剤とからなる混合溶剤を含む配向制御層形成用溶
液を電極基板上に塗布後、焼成することにより、配向制
御層を形成する過程で形成されたものであることを特徴
とする強誘電性液晶素子を提供することである。また、
本発明は、それぞれ配向制御層を有する一対の電極基板
間に強誘電性液晶を保持してなり、該配向制御層の少な
くとも一方の表面には、径０．１〜１０μｍ、高低差２
〜３０ｎｍの凹凸形状が１００００個／ｍｍ 2 以上の密
度で形成され、かつ該凹凸形状が、配向制御層を一旦層
形成した後、微粒子を表面に吹き付けることにより形成
されたものであることを特徴とする強誘電性液晶素子を
提供することである。さらに、本発明は、それぞれ配向
制御層を有する一対の電極基板間に強誘電性液晶を保持
してなり、該配向制御層の少なくとも一方の表面には、
径０．１〜１０μｍ、高低差２〜３０ｎｍの凹凸形状が
１００００個／ｍｍ 2 以上の密度で形成され、かつ該凹
凸形状が、配向制御層を一旦層形成した後、その表面に
スタンパーの表面凹凸形状を圧着、転写することにより
形成されたものであることを特徴とする強誘電性液晶素
子を提供することである。また、本発明は、それぞれ配
向制御層を有する一対の電極基板間に強誘電性液晶を保
持してなり、該配向制御層の少なくとも一方の表面に
は、径０．１〜１０μｍ、高低差２〜３０ｎｍの凹凸形
状が１００００個／ｍｍ 2 以上の密度で形成され、かつ
該凹凸形状が、一対の電極基板間隙と同等あるいはそれ
以下の粒径を有する微粒子を混入した配向制御層形成用
溶液を電極基板上に塗布し、加熱により層形成し、微粒
子を除去することにより該配向制御層を形成する過程で
形成されたものであることを特徴とする強誘電性液晶素
子を提供することである。
【００２６】
【００２７】
【００２８】本発明は、透明電極の形成された一対の基
板のうち、少なくとも一方の基板にポリイミド配向膜を
有し、これらの基板間に強誘電性液晶を挟持している液
晶素子において、前記配向膜は、その表面に微細な凹凸
形状を有するとともに、表面近傍の炭素原子比率が化学
構造から算出される比率より大きい強誘電性液晶素子を
提供することである。
【００２９】
【００３０】本発明は、強誘電性液晶と、この強誘電性
液晶を間に保持して対向するとともに、その対向面には
それぞれ強誘電性液晶に電圧を印加するための電極が形
成され、強誘電性液晶を配向するための一軸性配向処理
が施された一対の基板を備えた液晶素子において、液晶
を配向するための配向膜の厚さｄを１００Å以下にし、
かつ配向膜の下地の凹凸の平均高低差が５００Å以下
で、凹凸の平均周期が１０００Å以下である強誘電性液
晶素子を提供することである。
【００３１】また、本発明は、強誘電性液晶と、この強
誘電性液晶を間に保持して対向するとともに、その対向
面にはそれぞれ強誘電性液晶に電圧を印加するための電
極が形成され、強誘電性液晶を配向するための一軸性配
向処理が施された一対の基板を備え、実効的なチルト角
がＡＣ電界印加によって、ＡＣ電界印加前より広くされ
た液晶素子であって、配向膜の下地の凹凸の平均高低差
が５００Å以下で、凹凸の平均周期が１０００Å以下で
ある強誘電性液晶素子を提供することである。
【００３２】
【００３３】また、本発明は、電極の形成された一対の
基板のうち、少なくとも一方の基板上には、少なくとも
一層以上の絶縁膜、及び一軸性配向処理の施された配向
制御膜が配置されており、その基板間に強誘電性液晶を
挟持している液晶素子において、上記絶縁膜表面に、 幅 ０．１〜２０μｍ 高低差 １００〜２０００Å 密度 ２，５００個／ｍｍ2 以上 の凹凸形状を有する強誘電性液晶素子を提供することで
ある。
【００３４】また、本発明は、電極上に配向膜を設けた
一対の電極基板を対向配置し、該基板間に強誘電性液晶
を封入した液晶素子の製造方法において、電極を形成し
た基板上に配向膜形成用溶液を塗布し、この状態で所定
時間以上放置し、該所定の放置時間はセル厚変化を所定
値以下に抑えるのに十分な量の凹凸を配向膜表面に形成
するために必要な時間である強誘電性液晶素子の製造方
法を提供することである。
【００３５】加えて、本発明は、電極上に配向膜を設け
た一対の電極基板を対向配置し、該基板間に強誘電性液
晶を封入した液晶表示素子の製造方法において、前記両
基板間の間隙またはそれ以下の粒径の粒子を前記配向膜
形成用溶液に混入し、配向膜形成後に前記粒子を除去し
て該粒子跡の配向膜表面に凹凸を形成する強誘電性液晶
素子の製造方法を提供することである。
【００３６】更に、本発明は、液晶駆動用の電極群をそ
れぞれ有する１組の基板間に絶縁層を介して強誘電性液
晶を保持して成る強誘電性液晶素子の製造方法におい
て、各基板の絶縁層を形成するに際しては、液晶駆動用
の電極群が形成された基板面の上に第１の絶縁層を形成
する第１工程と、第１の絶縁層が形成された基板面の上
に直径１μｍ以下の無機微粒子を散布する第２工程と、
無機微粒子が散布された基板上に第２の絶縁層を形成す
る第３工程とを具備する強誘電性液晶素子の製造方法を
提供することである。
【００３７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明者
は、上述した黄色の色付きについて解析を行なった。本
発明者の研究によれば、上述したセル端部でのセル厚の
増加は駆動により液晶自身が液晶セル間の所定の方向へ
移動することによって、セル端部での圧力が増加し、そ
の結果セル厚が増加していることが認められた。液晶分
子が液晶セルの中を移動する力の発生原因は、おそらく
駆動パルスによる交流的な電界により、液晶分子の双極
子モーメントが揺らぐことにより発生する電気力学的効
果であろうと推定される。
【００３８】また、本発明者の実験によれば、図１
（Ａ）に示すように、移動の方向２２はラビング方向２
０と液晶分子の平均分子軸方向２１、２１′により決ま
っている。液晶分子の移動方向がこのようにラビングの
方向に依存することから、その現象は基板界面でのプレ
チルトの状態に依存していることが推測される。平均分
子軸方向２１、２１′は強誘電性液晶分子の双安定状態
における平均的な分子位置を示している。ここで、例え
ば、平均分子軸方向が２１で示した状態で液晶がスイッ
チングしない程度の適当な交流電界を印加すると、矢印
２２方向に液晶分子が移動する。但し、ここでは自発分
極の向きが負である液晶材料を用いた場合について述べ
ている。さらに、この液晶移動現象はセルの配向状態に
依存している。即ち、後述するＣ２配向ではこの現象は
極めて起こりにくく、Ｃ１配向で且つユニフォーム配向
において顕著に観測される。
【００３９】Ｃ１およびＣ２の２種類の配向状態は、図
２に示すようなスメクチック層のシェブロン構造の違い
で説明できる。図２で、３１はスメクチック層、３２は
Ｃ１配向の領域、３３はＣ２配向の領域を表す。スメク
チック液晶は一般に層構造をもつが、ＳｍＡ（スメクチ
ックＡ）相からＳｍＣ（スメクチックＣ）相またはＳｍ
Ｃ* 相に移転すると層間隔が縮むので図３のように層が
上下基板１１ａ、１１ｂの中央で折れ曲がった構造（シ
ェブロン構造）をとる。折れ曲がる方向は図に示すよう
にＣ１とＣ２の２つあり得るが、よく知られているよう
にラビングによって基板界面の液晶分子は基板に対して
角度をなし（プレチルト）、その傾斜方向はラビング方
向Ａに向かって液晶分子先端が上昇し先端が浮いた格好
になる向きである。このプレチルトのためにＣ１配向と
Ｃ２配向は弾性エネルギー的に等価でなく、上述のよう
にある温度で転移が起こる。また、機械的な歪みで転移
が起こることもある。図２の層構造を平面的にみると、
ラビング方向Ａに向かってＣ１配向からＣ２配向に移る
ときの境界３４はジグザグの稲妻状でライトニング欠陥
と呼ばれ、Ｃ２からＣ１に移るときの境界３５は幅の広
い、ゆるやかな曲線状でヘアピン欠陥と呼ばれる。
【００４０】強誘電性液晶を配向するための相互にほぼ
平行で同一方向の−軸性配向処理が施された一対の基板
を備え、強誘電性液晶のプレチルト角をα、チルト角
（コーン角の１／２）をΘ、ＳｍＣ* 層傾斜角をδと
し、強誘電性液晶は、式（１）で表される配向状態を有
するようにすると、Ｃ１配向状態においてさらにシェブ
ロン構造を有する４つの状態が存在する。
【００４１】
【数６】Θ＜α＋δ 式（１）
【００４２】この４つのＣ１配向状態は、従来のＣ１配
向状態とは異なっており、なかでも４つのＣ１配向状態
のうちの２つの状態は、双安定状態（ユニフォーム状
態）を形成している。ここて、無電界時のみかけのチル
ト角をθａとすれば、Ｃ１配向状態にける４つの状態の
うち、式（２）の関係を示す状態をユニフォーム状態と
いう。
【００４３】
【数７】Θ＞θａ＞Θ／２ 式（２）
【００４４】ユニフォーム状態においては、その光学的
性質からみてダイレクタが上下基板間でねじれていない
と考えられる。図３（Ａ）はＣ１配向の各状態における
基板間の各位置でのダイレクタの配置を示す模式図であ
る。図中５１〜５４は各状態においてダイレクタをコー
ンの底面に投影し、これを底面方向から見た様子を示し
ており、５１及び５２がスプレイ状態、５３および５４
がユニフォーム状態と考えられるダイレクタの配置であ
る。同図から分かるとおり、ユニフォームの２状態５３
と５４においては、上下いずれかの基板界面の液晶分子
の位置がスプレイ状態の位置と入れ替わっている。図３
（Ｂ）はＣ２配向を示しており、界面のスイッチングは
なく内部のスイッチングで２状態５５と５６がある。こ
のＣ１配向のユニフォーム状態は、従来用いていたＣ２
配向における双安定状態よりも大きなチルト各θａを生
じ、輝度を大きくできコントラストを高くすることがで
きる。
【００４５】前述した液晶分子の移動は、実際の液晶セ
ルでは、図１（Ａ）に示すように、例えばセル全体で液
晶分子位置が平均分子軸方向２１で示した状態にあった
とすると、セル内部で矢印２２の方向、つまり図の紙面
の右から左へ液晶の移動が生じる。その結果、図１
（Ｂ）に示すように領域２３のセル厚が経時的に厚くな
り、色付を生じてくることになる。液晶分子が矢印２
１′で示した状態にあるときは、交流電界下での移動方
向は逆になるが、いずれにせよ、ラビング方向２０に対
して垂直な方向、即ちスメクチック層内において液晶の
移動が生じる。
【００４６】又、本発明者の実験によれば、図４に例示
するように、矢印Ａ方向にラビング処理したポリイミド
膜によるハイプレチルト配向構造を有する非らせん構造
の強誘電性液晶セルにおいて、白または黒の定型パター
ン６１または６３を書き込んで駆動し続けると、白と黒
に対応する分子位置に応じた方向で、カイラルスメクチ
ックＣ状態の層方向ＢまたはＣに液晶分子が移動する。
そして、移動方向へ液晶が蓄積し、セルギャップを押し
拡げて液晶層の厚さを拡大することにより、セル端部領
域６５が黄色に着色（黄変）する。また、移動の反対側
には、液晶分子が無くなって空隙領域６７が形成され
る。この現象は、セルのシール６９近傍が最も顕著であ
り、セルの内側へと拡大する。
【００４７】このように、長期間の駆動により液晶分子
の一方向への移動が生じ、その結果セル厚の微妙な変化
が伴ない、表示特性上、色づき現象が観察されることを
本発明者は見出した。
【００４８】具体的には、液晶分子の移動方向では、セ
ル厚が厚い方向に変化し、次第に黄色味を帯びた状態に
変化する。又、反対方向においては、液晶量の少ない状
態が生じ、配向の乱れた現象等が生じてくる。従って、
これらの現象により、長期間駆動を行った液晶素子の均
一表示性能は、初期状態に比べ著しく劣化し、信頼性上
の問題を有していることを見出した。
【００４９】又、上記のごとき液晶の移動によるセル厚
の変動は、駆動電圧しきい値特性の変化につながるほ
か、液晶素子の長時間連続駆動における耐久性に悪影響
を与える。
【００５０】そして、本発明者は、電極基板上に設ける
配向制御層の表面に微細な凹凸形状を設けることにより
液晶の分子の面方向での移動が効果的に抑制され、上記
したセル端部でのセル厚の増加という問題が解決される
ことを見出したのである。
【００５１】また、本発明者は、配向制御層表面に、所
定の凹凸形状（ないしディンプル）を付与することで、
このような液晶の移動を大幅に減少させた均一配向を実
現することが可能であることを見出した。
【００５２】つまり、本発明者は、前述した液晶の状態
は基板界面、即ち、配向制御膜表面の物理的状態に強く
依存し、配向制御膜表面に適当なサイズの凹凸を設ける
ことにより、液晶の移動が著しく低減されることを見出
した。
【００５３】先に述べた双安定性を有し、この双安定性
を用いた光学変調素子が所定の駆動特性を発揮するため
には、一対の平行基板間に配列される液晶が電界の印加
状態とは無関係に、２つの安定状態間での変換が効率的
に起こる配向状態、つまり一軸性の良好な配向状態であ
ることは重要である。
【００５４】また、高輝度、高スピードのスイッチング
素子を実現するためには大きな自発分極を有する強誘電
性液晶を用いる必要がある。しかしながら、配向膜厚が
厚い、または高インピーダンスの絶縁膜を用いた時は、
大きな自発分極によってもたらされる逆電場のためスイ
ッチング特性が著しく損なわれ、表示素子として機能し
なくなる場合があるので、注意を要する。
【００５５】さらに、上記逆電場の影響を少なくする為
に、配向制御膜を薄くしていくと、強誘電性液晶の配向
の均一性が損なわれ、これまた表示素子としては機能し
なくなる場合があるので注意を要することが本発明者の
実験で明らかになった。
【００５６】上記した本発明の目的は配向膜の下地とな
る絶縁層や電極の表面及び／又は配向膜の表面に凹凸を
形成するこによって達成される。
【００５７】すなわち、本発明では、絶縁層や電極の表
面及び／又は配向膜の表面に所望の凹凸を形成すること
によって、液晶の移動を防止又は減少し、その結果生ず
るセル厚の増加に伴うセルの黄変や空隙の発生を防止又
は減少して、高コントラストで表示特性の経時変化の少
ない強誘電性液晶素子を提供する。
【００５８】又、本発明では、上記した絶縁層や電極あ
るいは配向膜の凹凸を簡単で且つ再現性の良い方法を用
いて形成する。
【００５９】凹凸の形成は、本発明では、配向膜となる
層を設けた後に所望時間を経過してから該層を焼成して
配向膜としたり、配向膜となる層中に微粒子を混入した
り、該混入された微粒子をラビング処理によって脱落さ
せたりして配向膜の表面に凹凸を形成する、あるいは、
絶縁膜となる層中に微粒子を混入したり、その後絶縁層
表面に配向膜を設け、この配向膜をラビングすることで
絶縁層中の微粒子を脱落させたり、絶縁層表面をラビン
グすることで絶縁層や配向膜の表面に凹凸を形成する。
さらには、配向膜形成後微粒子を配向膜表面に吹きつけ
たり、スタンパーで機械的に処理することで配向膜表面
に凹凸を形成したりする方法を好ましい具体的な一例と
して挙げることができる。尚、上記処理は夫々の処理を
適宜組合せて良いことはもちろんである。
【００６０】形成される凹凸は使用する液晶材料、配向
膜材料、配向膜や絶縁層の膜厚セル間ギャップ、液晶素
子の駆動条件等によって多少変化するものであるが、好
ましくは以下の様にする。
【００６１】絶縁層又は電極は、たとえば凹凸の幅を
０．１〜２０μｍ、凹凸の高低差を好ましくは１００〜
２０００Å、より好ましくは１００〜５００Åとするの
が望ましい。この際、凹凸が個々の凸部又は／及び凹部
で形成されている場合には、その凹凸の周期を好ましく
は１０００Å以下、より好ましくは１００〜１０００Å
とし、その凸部又は凹部の密度を２，５００個／ｍｍ2
以上とすることが好ましい。
【００６２】絶縁層上に設けられる配向膜の厚さにもよ
るが、絶縁層又は電極の平均高低差が５００Åより大き
くなると、凹凸が大きすぎるために物理的に液晶の配向
が乱されやすく、又平均高低差が１００Åよりも小さく
なると配向膜を設けることによってその効果が充分なも
のでなくなる場合がある。上記凹凸の周期は１００Åよ
り小さいと配向膜を形成することによってその効果が充
分なものでなくなる場合があり、１０００Åより大きく
なると凹凸が疎になるために充分な効果を得ることがで
きない場合がある。
【００６３】
【００６４】しかしながら、絶縁層の表面の凹凸の程度
は後に形成される配向膜の表面の凹凸に密接に関連する
ので重要な事項ではあるが、配向膜の表面に形成される
凹凸の方が本発明においてはより重要である。
【００６５】配向膜の表面に形成される凹凸はその高低
差を好ましくは５００Å以下、より好ましくは２０Å〜
５００Å、さらに好ましくは２０Å〜３００Åとし、凹
凸の周期を好ましくは１０００Å以下、より好ましくは
１００〜１０００Åとするのが望ましい。
【００６６】また、凹凸の密度で示すと、好ましくは１
００００個／ｍｍ以上、より好ましくは１００００〜２
×１０7 個／ｍｍ2 とするのが望ましい。凹凸の形状は
特に決められていないが、凹部の形状をデインプル形状
（又は凸部の形状を球状）とすることは微粒子を利用し
た凹凸形成で容易に形成し得るために好ましい。又同様
に円形形状のものも望ましい形状の１つである。
【００６７】また、配向膜の厚さは、液晶の移動の防止
や低減がはかれ、充分な配向性が得られるのであれば良
いものであるが、好ましくは３０Å〜１μｍ、より好ま
しくは５０Å〜１０００Å、更に好ましくは１００Å以
下とするのが望ましい。
【００６８】形成されるディンプル又は凹部は配向膜の
膜厚をｄａ、形成されたディンプル又は凹部の深さをＤ
ａとすると、ｄａ＜Ｄ＜１００ｄａとされるのが望まし
い。
【００６９】尚、本発明は、強誘電液晶を利用した液晶
素子に適用した場合に最も効果的なものである。また、
使用される強誘電液晶は、プレチルト角が大きい方がよ
り効果的であり、具体的な角度でいえば、プレチルト角
が好ましくは５°以上、より好ましくは１０°以上、更
に好ましくは１５°以上の場合に一層本発明は効果的で
ある。
【００７０】尚、図５及び図６の液晶セルの模式的斜視
図を用いて強誘電性液晶の動作を説明する。
【００７１】図５は、強誘電性液晶の動作説明のため
に、セルの例を模式的に描いたものである。５２１ａと
５２１ｂは、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 あるいはＩＴＯ等の
薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラス板）で
あり、その間に液晶分子層５２２がガラス基板面に垂直
になるよう配向したＳｍＣ* （カイラルスメクチック
Ｃ）相又はＳｍＨ* （カイラルスメクチックＨ）相の液
晶が封入されている。太線で示した線５２３は液晶分子
を表わしており、この液晶分子５２３はその分子に直交
した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）５２４を有してい
る。基板５２１ａと５２１ｂ上の電極間に一定の閾値以
上の電圧を印加すると、液晶分子５２３のらせん構造が
ほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）５２４がすべて電界
方向に向くよう、液晶分子５２３は配向方向を変えるこ
とができる。液晶分子５２３は、細長い形状を有してお
り、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス基板面の上下に互いにクロスニコルの
偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わ
る液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。
【００７２】本発明の液晶素子で用いる双安定性配向状
態の表面安定型強誘電性液晶セルは、その厚さを充分に
薄く（例えば、０．１〜３μｍ）することができる。こ
のように液晶層が薄くなるにしたがい、図６に示すよう
に、電界を印加していない状態でも液晶分子のらせん構
造がほどけ、非らせん構造となり、その双極子モーメン
トＰａまたはＰｂは上向き（５３４ａ）又は下向き（５
３４ｂ）のどちらかの状態をとる。
【００７３】このようなセルに、図６に示す如く一定の
閾値以上の極性の異なる電界Ｅａ又はＥｂを電圧印加手
段５３１ａと５３１ｂにより付与すると、双極子モーメ
ントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対応して上
向き５３４ａ又は下向き５３４ｂと向きを変え、それに
応じて液晶分子は、第１の安定状態５３３ａあるいは第
２の安定状態５３３ｂの何れか一方に配向する。
【００７４】この強誘電性液晶セルによって得られる効
果は、その第１に応答速度が極めて速いことであり、第
２に液晶分子の配向が双安定性を有することである。第
２の点を、例えば図６によって更に説明すると、電界Ｅ
ａを印加すると液晶分子は第１の安定状態５３３ａに配
向するが、この状態は電界を切っても安定である。又、
逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定
状態５３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留まっている。また、与
える電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞれの
配向状態にやはり維持されている。
【００７５】以下、図面を用いて本発明を説明する。図
１２は本発明の強誘電性液晶素子（セル）の一態様を模
式的に示す断面図である。
【００７６】図１２に示すようにこの液晶セルは、一対
の平行に配置した上基板１２１１ａ及び下基板１２１１
ｂとそれぞれの基板に配線した、例えば厚さが約４００
〜３０００Åの透明電極１２１２ａと１２１２ｂを備え
ている。透明電極１２１２ａおよび１２１２ｂ上には、
例えば厚さが１００〜３０００Åの絶縁膜１２１３ａ及
び１２１３ｂならび配向制御層（膜）１２１４ａ、１２
１４ｂが形成されている。本明細書においては、１２１
１ａ〜１２１４ａ及び１２１１ｂ〜１２１４ｂの結合体
のそれぞれを電極基板と称している。そして上基板１２
１１ａを含む上側電極基板１２１０ｂと下基板１２１１
ｂを含む下側電極基板１２１０ｂとの間には強誘電性液
晶、好ましくは少なくとも２つの安定状態をもつ非らせ
ん構造の強誘電性スメクチック液晶１２１５が配置され
ている。
【００７７】本発明における絶縁膜１２１２ａ、１２１
２ｂは塗布、焼成タイプの無機酸化物でもよいしスパッ
タ膜でもよい。また、２層構成以上の多層膜でもよい。
【００７８】配向制御層１２１４ａ、１２１４ｂは、先
に述べた範囲の膜厚とされるが、好ましくは、５〜１０
０ｎｍ、（５０〜１０００Å）、好ましくは１５〜４０
ｎｍ（１５０〜４００Å）の膜厚で形成される。通常、
高分子ポリマーが用いられるが、この発明における素子
では、フッ素含有ポリイミド等の高いプレチルト角を与
える配向制御膜が好適である。
【００７９】本発明に従い、上記したような配向制御層
１２１４ａ、１２１４ｂの少なくとも一方好ましくは双
方に、径０．１〜１０μｍ、好ましくは０．３〜４μ
ｍ、高低差２〜３０ｎｍ、好ましくは５〜１５ｎｍの凹
凸形状を１００００個／ｍｍ2以上、好ましくは１００
０００〜２×１０7 個／ｍｍ2 の密度で形成する。ここ
で凹凸形状の径が０．１μｍ未満では所望の液晶分子移
動抑制効果が不充分な場合があり、１０μｍを超える
と、配向欠陥の原因になる場合がある。
【００８０】凹凸形状（ないしはディンプル）の平面形
状は、先に述べたようにほぼ円径のものが好ましいほ
か、楕円形あるいは不規則形状であってもよい。また円
径以外の場合は、短径を基準に０．１〜１０μｍの径を
定めるとよい。
【００８１】凹凸形状の高低差が２０Å未満では、所望
の液晶分子移動抑制効果が不充分となる場合があり、３
００Åを超えると、配向欠陥の原因になる場合がある。
【００８２】凹凸形状の密度は、所望の液晶分子移動抑
制効果を得るために１００００個／ｍｍ2 以上、特に１
×１０5 〜２×１０7 個／ｍｍ2 の密度で存在すること
が好ましい。形態は、個々の凹凸形状の中により小さな
凹凸形状が含まれる複合凹凸形状であってもよい。また
凹凸形状の密度が大きく、一見連続して存在する場合に
は、上記径および高低差は単位凹部あるいは凸部によっ
て満たされることになる。
【００８３】配向制御層に上記したような凹凸形状を形
成する方法には、かなりの多様性があり、例えば以下の
１）〜４）のような方法が好ましく用いられる。
【００８４】１）主溶剤と該主溶剤より高い沸点を有す
る副溶剤とからなる混合溶剤を含む配向制御層形成溶液
を電極基板上に塗布後、焼成することにより配向制御層
を形成する過程で凹凸形状を形成する方法。
【００８５】この際、主溶剤は配向制御層形成用樹脂
（またはその前駆体）に対して良好な溶解能を示し、成
膜のための乾燥性の観点から、沸点が好ましくは１４０
〜２１０℃の範囲にある良溶媒、例えばＮ−メチルピロ
リドン、ｎ−ブチルセロソルブ、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルフォキシド
等から選択した少なくとも一種が好ましく用いられる。
また副溶剤としては、前期主溶剤よりも沸点が２０〜４
０℃高く、且つ配向制御層形成のための焼成温度（例え
ば２００〜２７０℃）よりも２０〜４０℃低い沸点を有
する配向制御層形成樹脂に対する良好な溶解能と、主溶
剤に対する良好な混和性を示す溶剤が好ましく、例え
ば、ｎ−ブチルカルビトール、ｎ−プロピルカルビトー
ル、クレゾール等から選択した少なくとも一種が好まし
く用いられる。
【００８６】これら副溶剤は、溶剤全体の１０〜７０重
量％、特に２０〜６０重量％の割合で含まれることが好
ましく、また配向制御層形成用樹脂（またはその前駆
体）は、１〜１０重量％、特に２〜６重量％と、比較的
薄い濃度とすることが均一な薄膜形成を可能にするため
に好ましい。
【００８７】このようにして形成した配向制御層形成用
樹脂溶液を電極基板上に塗布後、室温近傍の温度（例え
ば２０〜３０℃）で、３０分以上、好ましくは６０分以
上放置して、塗膜を熟成した後、例えば２００〜２７０
℃で焼成することにより配向制御層が形成され、この焼
成あるいは焼成のための昇温の過程で、主として副溶剤
の揮散により所望の凹凸形状が形成される。
【００８８】あるいは、絶縁膜層表面の凹凸形状を形成
するために、沸点の異なる溶剤、好ましくは（主溶剤の
沸点）＜（貧溶剤の沸点）となる２種以上の溶剤を含む
絶縁膜溶液を塗布、焼成する。主溶剤として具体的に
は、トルエン、ジエチルセロソルブ、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、ジアセトンアルコール、メトキ
シメトキシエタノール、ブチルセロソルブ、ジエチルカ
ルビトール、ジブチルセロソルブ、メチルカルビトー
ル、エチルカルビトール、ジブチルカルビトール、ブチ
ルカルビトール、ｎ−ブチルアセテート、エトキシプロ
パノール等の多価アルコール及び、その誘導体、貧溶剤
として具体的には、ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチル
ラクトン等が挙げられる。
【００８９】２）配向制御層を一旦層形成した後、微粒
子を表面に吹き付けることにより凹凸形状を形成する方
法。このための微粒子としては、例えばスプレーノズル
から微細に噴霧された純水を液体窒素で急冷することに
より形成した微小均一な氷の粒子が好ましく用いられる
ほか、シリカ、アルミナ、セライト、ジルコニア等の粒
径の揃った無機酸化物微粒子が好ましく用いられる。こ
の際、微粒子としては平均粒径が５〜５０μｍの範囲の
ものが好ましい。
【００９０】３）配向制御層を一旦層形成した後、その
表面にスタンパーの表面凹凸形状を圧着、転写すること
により形成する方法。
【００９１】この際凹凸の高低差は、スタンパーの押し
圧を変化させることにより任意に設定できる。また、凹
凸形状は、スタンパーの凹凸形状を変化させることによ
り種々の形状が得られる。
【００９２】４）一対の電極基板間隙と同等あるいはそ
れ以下の粒径を有する微粒子を混入した配向制御層形成
用溶液を電極基板上に塗布し、加熱により層形成し、微
粒子を除去することにより該配向制御層を形成する過程
で凹凸形状を形成する方法。
【００９３】この際用いる微粒子は、上述したように一
対の電極基板間隙と同等あるいはそれ以下の粒径を有す
ることが好ましい。他方、粒径の下限としては、その除
去の容易性から、配向制御層の厚さの１５倍以上である
ことが好ましい。
【００９４】また、微粒子は配向制御層形成のための焼
成に耐えるべく、２００℃以上、特に３００℃以上の耐
熱性を有することが好ましい。
【００９５】微粒子の除去は、焼成による配向制御層形
成後のラビングによる一軸配向処理過程で達成できるほ
か、有機溶剤および水の少なくとも一つを含む液体中で
の電極基板の超音波洗浄によっても達成できる。この電
極基板の超音波洗浄は一軸配向処理の後処理工程として
も、実施できる。
【００９６】上記した１）〜３）の方法において、一般
には凹凸形状を形成した後に一軸配向処理を行なうこと
が好ましいが、２）および３）の方法においては、一軸
配向処理後に凹凸形状を付与してもよい。
【００９７】本発明では強誘電性液晶としてカイラルス
メクチック相状態のものを用いることができ、具体的に
は、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ* ）、Ｈ相（Ｓ
ｍＨ* ）、Ｉ相（ＳｍＩ* ）、Ｋ相（ＳｍＫ* ）、Ｇ相
（ＳｍＧ* ）やＦ相（ＳｍＦ* ）の液晶を用いることが
できる。
【００９８】特に、好ましい強誘電性液晶としては、こ
れより高温側でコレステリック相を示すものを用いるこ
とができ、例えば、下述の相転移温度および物性値を示
すピリミジン混合液晶を用いることができる。 （ピリミジン系混合液晶）
【００９９】
【数８】
【０１００】図１２に示す本発明の強誘電性液晶素子
は、前述のようにして形成した一対の電極基板１２１０
ａと１２１０ｂのいずれか一方の配向制御層の上に、シ
リカビーズ、アルミナビーズ等からなるスペーサービー
ズ１２１６を散布した後、一対の配向制御層１２１４
ａ、１２１４ｂに付した一軸配向処理方向が図示のよう
にほぼ平行（またはほぼ逆平行）となるように組み合わ
せ、必要に応じてスペーサービーズとともに用いる粒状
接着剤並びに周縁部を封ずるエポキシ樹脂接着剤によ
り、両電極基板を互いに接着して注入口を有する空セル
を形成し、上記のような液晶を、好ましくはコレステリ
ック相以上の温度に加熱して注入し、注入口を封口後、
カイラルスメクチック相温度まで除冷し、更に、両側に
クロスニコルの位置関係に一対の偏光板１２１７ａ、１
２１７ｂを配置することにより得られる。
【０１０１】強誘電性液晶の詳細については、例えばＬ
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＱＵＥ ＬＥＴ
ＴＥＲＳ”３６（Ｌ−６９）１９７５、「Ｆｅｒｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓ」；”Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ”３６（１１）１９８０「Ｓｕｂｍｉｃｒｏ Ｓｅ
ｃｏｎｄ Ｂｉ−ｓｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔ
ｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｓ」；”固体物理”１６（１４１）１９８１
「液晶」、米国特許第４，５６１，７２６号公報、米国
特許第４，５８９，９９６号公報、米国特許第４，５９
２，８５８号公報、米国特許第４，５９６，６６７号公
報、米国特許第４，６１３，２０９号公報、米国特許第
４，６１４，６０９号公報、米国特許第４，６２２，１
６５号公報等に記載されており、本発明ではこれらに開
示された強誘電性液晶を用いることができる。
【０１０２】以下、本発明の参考例として絶縁層中に微
粒子を混入させた場合の液晶素子について説明する。
【０１０３】図２２は本発明の参考例の強誘電性液晶素
子の一例を示す模式図である。同図２２において、２２
１１ａと２２１１ｂは各々Ｉｎ2Ｏ3やＩＴＯ（インジウ
ム チン オキサイド；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）等の透明電極２２１２ａと２２１２ｂで被覆され
た基板（ガラス基板）であり、その上に５０Å〜２００
０Å厚の絶縁膜２２１３ａと２２１３ｂ（例えば、Ｔｉ
−Ｓｉ等の塗布膜）と５０Å〜１０００Å厚の配向膜２
２１４ａと２２１４ｂとが各々積層されている。この
際、絶縁膜２２１３ａと２２１３ｂの中にはシリカやア
ルミナ等の微粒子２２１８が分散されている。
【０１０４】また、この際、配向膜２２１４ａと２２１
４ｂは平行かつ同一向き（図２２でいえばＡ方向）にな
るようラビング処理が施され配置されている。基板２２
１１ａと２２１１ｂとの間には、強誘電性カイラルスメ
クチック液晶２２１５が配置され、基板２２１１ａと２
２１１ｂとの間隔の距離は、強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶１５のらせん配列構造の形成を抑制するのに十
分に小さい距離（例えば、０．１μｍ〜３μｍ）に設定
され、強誘電性カイラルスメクチック液晶２２１５は双
安定性配向状態を生じている。上述の十分に小さい、強
誘電性カイラルスメクチック液晶２２１５が配置されて
いる液晶間距離は、配向膜２２１４ａと２２１４ｂとの
間に配置されたビーズスペーサー２２１６（例えば、シ
リカビーズ、アルミナビーズ等）によって保持される。
また、２２１７ａ, ２２１７ｂは偏光板を示す。
【０１０５】本発明において用いられる配向膜は、特に
制限するものではないが、好ましくは以下の一般式
（１）で示されるようなポリイミドおよび一般式（２）
で示されるようなポリアミドが好ましい。
【０１０６】
【化３】
【０１０７】（式中、Ａは４価の有機残基、Ｒ1 ，Ｒ2
は炭素原子数１〜１０のアルキル基またはフルオロアル
キル基を示す。ただし、Ｒ1 ，Ｒ2 は同じでも又は異な
っていてもよい。）
【０１０８】
【化４】
【０１０９】（式中、Ｂは２価の有機残基、Ｒ3 ，Ｒ4
は炭素原子数１〜１０のアルキル基またはフルオロアル
キル基を示す。ただし、Ｒ3 ，Ｒ4 は同じでも又は異な
っていてもよい。）
【０１１０】本発明における絶縁層を基板上に設ける際
には、絶縁層を形成する材料をヘキシレングリコール、
ｎ−ブチルセロソルブ、イソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）等の溶剤により０．０１〜４０（重量）％溶液に調
製し、該溶液をスピンナー塗布法、スプレイ塗布法、ロ
ール塗布法などの方法により基板上に塗布する。この
際、あらかじめ微粒子をボールミル法、ＵＳ分散法等に
より溶液中に分散させておく。塗布した基板は、６０〜
１５０℃の温度で例えば約１０分間仮焼成し溶媒を蒸発
させ、その後ＵＶ照射を行ない、次いで２５０℃〜３５
０℃で例えば約１時間焼成を行なう。
【０１１１】本発明で用いる絶縁層は、３０Å〜１μｍ
程度、好ましくは５０Å〜２０００Åの膜厚に設定す
る。
【０１１２】この様にして形成された絶縁層の表面に
は、微小の凹凸が生じる。これが斜方蒸着により形成さ
れるカラムと同様の作用をし、その斜面に沿って液晶分
子が順次並び、それによってコントラストの高い配向状
態が導かれるものと思われる。
【０１１３】また、本発明で用いる配向膜を基板上に設
ける際には、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドンなどの溶剤により０．０１〜４０重量％溶液に調
製し、該溶液をスピンナー塗布法、スプレイ塗布法、ロ
ール塗布法などにより基板上に塗布した後、１００〜３
００℃、好ましくは１５０〜２５０℃の温度で加熱して
配向膜を形成することができる。この配向膜は、しかる
後に布などでラビング処理される。
【０１１４】図２５は本発明の液晶素子におけるポリア
ミドまたはポリイミド配向膜を用いた配向方法により配
向した液晶分子の配向状態を模式的に示す断面図、図２
６はそのＣ−ダイレクタを示す図である。
【０１１５】図２５に示す２５５１ａ及び２５５１ｂ
は、それぞれ上基板及び下基板を表わしている。２５５
０は液晶分子２５５２で組織された液晶分子層で、液晶
分子２５５２が円錐２５５３の底面２５５４（円形）に
沿った位置を変化させて配列している。
【０１１６】図２６は、Ｃ−ダイレクタを示す図であ
る。同図２６のＵ1 は一方の安定配向状態でのＣ−ダイ
レクタ２５８１で、Ｕ2 は他方の安定配向状態でのＣ−
ダイレクタ２５８１である。Ｃ−ダイレクタ２５８１
は、図２５に示す液晶分子層２５５０の法線に対して垂
直な仮想面への分子長軸の写影である。
【０１１７】一方、従来のラビング処理したポリイミド
膜或いはポリアミド膜によって生じた配向状態は、図２
７のＣ−ダイレクタ図によって示される。図２７に示す
配向状態は、上基板２５５１ａから下基板２５５１ｂに
向けて分子軸のねじれが大きいため、チルト角θは小さ
くなっている。
【０１１８】次に、図２８（Ａ）は、Ｃ−ダイレクタ２
５８１が図２６の状態（ユニフォーム配向状態という）
でのチルト角θを示す説明図、および図２８（Ｂ）はＣ
−ダイレクタ２５８１が図２７の状態（スプレイ配向状
態という）でのチルト角θを示す説明図である。図中、
２５６０は前述した本発明の特定のポリアミドまたはポ
リイミド膜に施したラビング処理軸を示し、２５６１ａ
は配向状態Ｕ1 での平均分子軸、２５６１ｂは配向状態
Ｕ2 での平均分子軸、２５６２ａは配向状態Ｓ1 での平
均分子軸、２５６２ｂは配向状態Ｓ2 での平均分子軸を
示す。平均分子軸２５６１ａと２５６１ｂとは、互いに
閾値電圧を超えた逆極性電圧の印加によって変換するこ
とができる。同様のことは平均分子軸２５６２ａと２５
６２ｂとの間でも生じる。
【０１１９】次に、逆電界Ｖrev による光学応答の遅れ
（残像）に対するユニフォーム配向状態の有用性につい
て説明する。
【０１２０】液晶セルの絶縁層（配向膜）の容量Ｃi 、
液晶層の容量をＣLC及び液晶の自発分極をＰｓとする
と、残像の原因となるＶrev は、下式で表わされる。
【０１２１】
【数９】
【０１２２】図２９（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、各々液
晶セル内の電荷の分布、自発分極Ｐs の方向及び逆電界
Ｖrev の方向を模式的に示した断面図である。図２９
（Ａ）はパルス電界印加前のメモリー状態下における＋
及び−電荷の分布状態を示し、この時の自発分極Psの向
きは＋電荷から−電荷の方向である。図２９（Ｂ）は、
パルス電界解除直後の自発分極Psの向きが図２９（Ａ）
の時の向きに対して逆向き（従って、液晶分子は一方の
安定配向状態から他方の安定配向状態に反転を生じてい
る）であるが、＋及び−電荷の分布状態は、図２９
（Ａ）の時と同様であるため、液晶内に逆電界Ｖrev が
矢印Ｂ方向に生じている。この逆電界Ｖrev はしばらく
した後、図２９（Ｃ）に示すように消滅し、＋及び−電
荷の分布状態が変化する。
【０１２３】図３０は従来のポリイミド配向膜或いはポ
リアミド配向膜によって生じたスプレイ配向状態の光学
応答の変化をチルト角θの変化に換えて示した説明図で
ある。図３０に示す様に、パルス電界印加時において
は、矢印Ｘ1 の方向に沿ってスプレイ配向状態下の平均
分子軸Ｓ（Ａ）から最大チルト角Ｈ付近のユニフォーム
配向状態下の平均分子軸Ｕ2 までオーバーシュートし、
パルス電界解除直後においては、図２９（Ｂ）に示す逆
電界Ｖrev の作用が働いて、矢印Ｘ2 の方向に沿ってス
プレイ配向状態下の平均分子軸Ｓ（Ｂ）までチルト角θ
が減少し、そして図２９（ｃ）に示す逆電界Ｖrev の減
衰の作用により、矢印Ｘ3 の方向に沿ってスプレイ配向
状態下の平均分子軸Ｓ（Ｃ）までチルト角θが若干増大
した安定配向状態が得られる。図３１はこの時の光学応
答の状態を示すグラフである。
【０１２４】本発明によれば、前述した特定の構造を有
するポリアミドまたはポリイミド膜を用いているため、
その配向処理により得られた配向状態では、図３０に示
したスプレイ状態下の平均分子軸Ｓ（Ａ），Ｓ（Ｂ）及
びＳ（Ｃ）を生じることが無く、従って最大チルト角Ｈ
に近いチルト角θを生じる平均分子軸に配列させること
ができる。図３２は、この時の本発明の光学応答の状態
を示すグラフである。図３２によれば、残像に原因する
光学応答の遅れを生じないことと、メモリー状態下での
高いコントラストを引き起こしていることが認められ
る。
【０１２５】又、本発明においては、配向膜の凹凸に加
えて、配向膜の炭素原子含有比率を調整することによっ
て、より一層上記した目的を達成することができる。こ
のことについて、以下に説明する。
【０１２６】同図１２において、１２１１ａと１２１１
ｂは各々Ｉｎ2 Ｏ3 やＩＴＯ（インジウム チン オキ
サイド；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明
電極１２１２ａと１２１２ｂで被覆された基板（ガラス
基板）であり、その上に２００Å〜１５００Å厚の絶縁
膜１２１３ａと１２１３ｂ（例えば、ＳｉＯ2 膜、Ｔｉ
Ｏ2 膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜など）と前記ポリイミドで形成し
た５０Å〜１０００Å厚の配向膜１２１４ａと１２１４
ｂとが各々積層されている。
【０１２７】この際、平行且つ同一向きになるようラビ
ング処理（図１２でいえばＡの矢印方向）した配向膜１
２１４ａと１２１４ｂが配置されている。基板１２１１
ａ１２１１ｂとの間には、強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶１２１５が配置され、基板１２１１ａと１２１１
ｂとの間隔の距離は、強誘電性カイラルスメクチック液
晶１２１５のらせん配列構造の形成を制御するのに十分
に小さい距離（例えば、０．１μｍ〜３μｍ）に設定さ
れ、強誘電性カイラルスメクチック液晶１２１５は双安
定性配向状態を生じている。上述の十分に小さい、強誘
電性カイラルスメクチック液晶１２１５が配置されてい
る液晶間距離は、配向膜１２１４ａと１２１４ｂとの間
に配置されたビーズスペーサー１２１６（例えばシリカ
ビーズ、アルミナビーズ等）によって保持される。また
１２１７ａ、１２１７ｂは偏光板を示す。
【０１２８】本発明において、ポリイミド配向膜１２１
４ａ，１２１４ｂは、その表面に微細な凹凸形状あるい
は、突起形状を有し、さらにその表面近傍の炭素原子濃
度が本来の化学構造から算出される理論的な値を上回る
比率にするのが望ましい。本発明者は、この様にするこ
とで液晶分子の移動現象に対し、その阻止能力として効
果を発揮することを見い出した。これは、物理的な表面
凹凸形状による液晶分子の移動を阻止する作用及び、炭
素リッチな表面が液晶分子との適度な相互作用を持ち、
液晶分子を動かしにくくしているものと推測される。
【０１２９】上記ポリイミド配向膜の形成方法として
は、例えば（１）沸点、浴解性の異なる２種以上の溶媒
組成をもつコーティング液より乾燥成膜する方法や、
（２）微粒子を分散混合したコーティング液より乾燥成
膜する方法や、（３）常法により形成された平坦性の塗
膜上を化学的あるいは物理的手法でエッチングする方法
等が挙げられるが、簡便な方法で形成できる（１）がよ
り好ましい。
【０１３０】また、上記ポリイミド配向膜表面に形成す
る凹凸形状あるいは、突起形状のサイズは、大きさで約
５００〜１００００Å程度、段差で１０〜５００Å程度
のものが好ましく、さらには、表面近傍の炭素原子比率
は化学構造から算出される比率より０．５程度大きいも
のが望ましい。
【０１３１】上記ポリイミド配向膜を基板上に設けるに
は、具体的には、例えばポリイミドの前駆体であるポリ
アミック酸を膜表面状態を制御するのに適切な溶媒系に
溶解し、０．０１〜４０重量％溶液として、該溶液をス
ピンナー塗布法、スプレイ塗布法、ロール塗布法などに
より基板上に塗布した後、１００〜３５０℃、好ましく
は２００〜３００℃の温度で加熱して、脱水閉環させポ
リイミド膜を形成する。このポリイミド膜は、しかる後
に布などでラビング処理される。又、本発明でで用いる
ポリイミド配向膜は、３０Å〜１μｍ程度、好ましくは
２００〜２０００Åの膜厚に設定される。この際には、
図１２に示す絶縁膜１２１３ａと１２１３ｂの使用を省
略することができる。又、本発明では、絶縁膜１２１３
ａと１２１３ｂの上にポリイミド配向膜を設ける際に
は、このポリイミド配向膜の膜厚は５００Å以下、好ま
しくは３００Å以下に設定することができる。
【０１３２】上述のように本発明のポリイミド配向膜で
は、物理的な表面形状と化学的な液晶分子への相互作用
の両面から、素子の長期駆動時における液晶分子の移動
現象を阻止し、均一な表示特性に対する信頼性の向上を
図っている。なお、配向膜の炭素原子濃度の評価には、
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）を用いた角度変化法により
測定している。
【０１３３】本発明における配向膜は、上記の条件を満
足するものであればよく、特に構造を限定されるもので
はないが、例えば、以下の様なものが挙げられる。ポリ
イミドを構成するテトラカルボン酸成分としては、例え
ばピロメリット酸二無水物，ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物，ナフタレンテトラカルボン酸二無水物，シ
クロブタンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
【０１３４】また、ジアミン成分としては、例えば下記
の一般式（１）で示されるビス［４−（アミノフェノキ
シ）フェニル］化合物が使用できる。
【０１３５】
【化５】
【０１３６】（式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，はＣＦ3 （ＣＦ2 ）
m （ＣＨ2 ）L −等のフルオロアルキル鎖（ただし、Ｌ
≧０，ｍ≧０）を表わし、Ｒ1 とＲ2 は同一でも異なっ
ていてもよい。）
【０１３７】さらに、本発明において用いられる液晶物
質としては、降温過程で、等方相，コレステリック相，
スメクチックＡ相を通してカイラルスメクチックＣ相を
生じる液晶が好ましい。特に、コレステリック相の時の
ピッチが０．８μｍ以上のものが好ましい（但し、コレ
ステリック相でのピッチは、コレステリック相の温度範
囲における中央点で測定したもの）。その具体的な液晶
物質としては、例えば下記の構造式で示される液晶物質
「ＬＣ−１」、「８０Ｂ」及び「８０ＳＩ* 」を下記の
比率で含有させた液晶組成物が好ましく用いられる。
【０１３８】
【化６】
【０１３９】液 晶 （１） （ＬＣ−１）90／（８０Ｂ）10 （２） （ＬＣ−１）80／（８０Ｂ）20 （３） （ＬＣ−１）70／（８０Ｂ）30 （４） （ＬＣ−１）60／（８０Ｂ）40 （５） ８０ＳＩ* （上記の配合比率は、それぞれ重量比を表わしてい
る。）
【０１４０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
【０１４１】実施例１ 図７は本発明の第１の実施例に係る液晶セルを模式的に
示す断面図である。図７に示すように、この液晶セル
は、一対の平行に配置した上基板７１１ａおよび下基板
７１１ｂと、それぞれの基板に配線した例えば厚さが約
４００〜２０００Åの透明電極７１２ａと７１２ｂを備
えている。上基板７１１ａと下基板７１１ｂとの間には
強誘電性液晶、好ましくは少なくとも２つの安定状態を
もつ非らせん構造の強誘電性スメクチック液晶７１６が
配置されている。
【０１４２】透明基板７１２ａおよび７１２ｂ上には、
例えば厚さが１００〜２０００Åの絶縁膜７１７ａ、７
１７ｂが形成されている。本実施例では、有機チタン化
合物と有機ケイ素化合物との混合溶液を印刷により塗布
し、その後この膜を３００℃で１時間焼成することによ
り、１０００Åの絶縁膜７１７ａ、１７１ｂを形成し
た。さらに、この絶縁膜７１７ａ、７１７ｂ上に、例え
ば厚さが１５０〜４００Åの配向制御膜７１３ａ、７１
３ｂが形成されている。
【０１４３】本実施例では、配向膜形成用溶液として、
日立化成（株）社製ＬＱ１８０２（商品名）をｎ−ブチ
ルカルビトールおよびＮＭＰ（Ｎ−メチル−ピロリド
ン）により樹脂濃度３．８ｗｔ％に調整したものを用い
た。また、この溶液中に含まれるｎ−ブチルカルビトー
ルは３４ｗｔ％になるように調整した。この溶液を印刷
により上記絶縁膜７１７ａ、７１７ｂ上に塗布し、２２
℃、４８％ＲＨの環境中に３０分放置した後、２７０℃
で１時間焼成することにより、２００Åの配向制御膜７
１３ａ、７１３ｂを形成した。さらこの配向制御膜７１
３ａと７１３ｂには配向方向が平行且つ同一方向になる
ように、ラビング処理した。次に一方の基板に平均粒径
１．５μｍのシリカビーズ７１４を散布した後、他方の
基板を貼り合わせ、セルを作成した。このようにして得
られたセルに強誘電性液晶を注入しパルス印加後のセル
厚変化を評価した。
【０１４４】本発明では強誘電性液晶としてカイラルス
メクチック相状態のものを用いることができ、具体的に
は、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ* ）、Ｈ相（Ｓ
ｍＨ* ）、Ｉ相（ＳｍＩ* ）、Ｋ相（ＳｍＫ* ）やＧ相
（ＳｍＧ* ）の液晶を用いることができる。
【０１４５】特に好ましい強誘電性液晶としては、これ
より高温でコレステリック相を示すものを用いることが
できる。本実施例では、以下の表に示す相転移温度及び
物性を有するピリミジン系混合液晶を用いた。尚、特に
示さない限り、以下の実施例も本実施例と同様の液晶材
料を使用した。
【０１４６】
【表１】
【０１４７】またセルに形成した配向制御膜のプレチル
ト角αは１７°であり、前記式１および式２の各式を満
たし、前述したＣ１ユニフォーム配向が得られ、本実施
例による液晶セルが安定な配向性を保持することが確認
された。
【０１４８】次にセル全体の配向を、図１（Ａ）におけ
る、平均分子軸方向２１に揃え、パルス巾Δｔ＝２５μ
ｓ、電圧振幅Ｖｐｐ＝４０Ｖ、１／２デューティーの矩
形波を約７時間印加した後に、図１（Ｂ）領域２３にお
けるセル厚を測定したところ、初期に比較して約１０％
しか増加しなかった。
【０１４９】比較のため、配向膜形成用溶液の印刷塗布
後、２０分放置したこと以外は、実施例１と全く同じよ
うにして作成した液晶セルを第１の実施例と同じ手法で
図１（Ｂ）領域２３のセル厚変化を測定したところ、初
期と比較して約３０％増加していた。
【０１５０】ここで本実施例により得られた配向膜表面
を観察すると、図８に示すような形状のディンプル７１
８が観測された。その径は０．３μｍ〜０．４μｍで約
０．５個／μｍ2 の密度で存在していた。これに対し比
較例の配向膜表面を観察した結果本実施例と同様の形状
のディンプルが観察されたが、その径は０．１μｍ〜
０．２μｍで約０．４個／μｍ2 の存在密度であった。
【０１５１】このように本実施例の如く、３０分放置す
ることで、ディンプル７１８の径が増大し、液晶の移動
を低減してセル厚変化を小さくしていることがわかる。
また、本実施例によれば、配向制御膜の凹凸形状の際に
直接表面処理する工程が存在しないため、安定な配向を
保持することを可能としている。
【０１５２】実施例２ 次に本発明の第２の実施例について説明する。この実施
例では、配向制御膜の印刷後の放置時間を６０分とした
以外は前記第１の実施例と同様に液晶セルを作成した。
この素子について第１の実施例と同様の評価を行なった
ところ、図１（Ｂ）領域２３におけるセル厚の増加は、
初期に比較して約５％であった。
【０１５３】ここで、配向制御膜表面を観察すると、そ
の径が０．６〜０．７μｍ、存在密度が０．５個／μｍ
2 のディンプルが観測された。また、配向の均一性に関
しても第１の実施例と同程度となり、本実施例でも安定
な配向性が保持されていることが確認された。このよう
に、配向制御膜の印刷後の放置時間を増すことによりデ
ィンプルの径が増大し、液晶移動の抑制効果が増大す
る。
【０１５４】比較のために配向制御膜の印刷後の放置時
間を２分とした以外は第１の実施例と同様に液晶セルを
作成し、第１の実施例と同様の評価を行ったところセル
厚の増加は、初期に比較して約４０％増加した。さらに
この配向制御膜の表面を観察すると図８に示したような
ディンプルは観測できなかった。
【０１５５】実施例３ 第３の実施例として，配向制御膜の印刷後の放置時間を
９０分として第１の実施例と全く同様に液晶セルを作成
し、第１の実施例と同様の評価を行ったところ、セル厚
の増加は初期に比較して約５％であった。ここで配向制
御膜の表面を観察すると、その径が０．７〜０．８μ
ｍ、存在密度が約０．５個／μｍ2 のディンプルが観測
された。また配向の均一性についても第１の実施例と同
程度に良好であった。
【０１５６】実施例４ 第４の実施例として、配向膜形成用溶液の樹脂濃度を
５．５ｗｔ％に調整したこと以外は第２の実施例と同様
に液晶セルを作成した。このときの配向制御膜の厚さは
３００Åであった。この素子について第１の実施例と同
様の評価を行ったことろ、図１（Ｂ）領域２３における
セル厚の増加は、初期に比較して約３％であった。ここ
で配向制御膜表面を観察するとその径が０．６５μｍ〜
０．７５μｍ、存在密度が約０．８個／μｍ2 のディン
プルが観測された。また配向の均一性に関しては、第１
の実施例と同程度であり、本実施例でも安定な配向性が
保持されていることが確認された。このように、配向制
御膜の厚さを大きくすることにより、ディンプルの大き
さと存在密度が増え、液晶移動に対する抑制効果が増大
する。
【０１５７】実施例５ 次に本発明の第５の実施例について説明する。本実施例
では、配向膜形成用溶液として、日立化成（株）社製Ｌ
Ｑ１８０２（商品名）をＮＭＰ（Ｎ−メチル−ピロリド
ン）により樹脂濃度３．８ｗｔ％になるよう調整し、こ
の溶液１００ｇに対し、１．３μｍ径のＳｉＯ2 ビーズ
を５ｇ添加しこれを均一に分散させたものを用いた。こ
の溶液を印刷により前記絶縁膜上に塗布し、２７０℃で
１時間焼成して２００Åの配向制御膜を形成した。この
ときの基板上のＳｉＯ2 ピーズ７２８および基板を模式
的に示したのが図９（Ａ）である。
【０１５８】次に、この配向制御膜に配向方向が平行且
つ同一方向になるようにラビング処理した。このとき、
基板上のＳｉＯ2 ビーズ７２８は配向制御膜の薄膜によ
り固定されているにすぎないため、ラビング布にこすら
れることで容易に脱落する。また、ＳｉＯ2 ビーズ７２
８が脱落したときの形状７１８の断面を模式的に示した
のが図９（Ｂ））である。このようにして形成された配
向制御膜の凹凸は、約０．６μｍの径で約０．１個／μ
ｍ2 の存在密度を示すことが観測された。
【０１５９】次にこの基板をＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）中で超音波洗浄を行い、ＳｉＯ2 ビーズ７２８
の完全除去を図るとともにラビング時の発塵物の除去を
行った。その後、一方の基板にセルギャップ保持用の平
均粒径１．５μｍのＳｉＯ2ビーズ７１４を散布してか
ら、他方の基板を貼合わせ、セルを作成した。このよう
にして得られたセルに強誘電性液晶を注入し、パルス印
加後のセル厚の変化を以下のようにして評価した。
【０１６０】即ち、セル全体の配向を、図１（Ａ）にお
ける、平均分子軸方向２１に揃え、パルス巾Δｔ＝２５
μＳ、電圧振幅Ｖｐｐ＝４０Ｖ、１／２デューティーの
矩形波を約７時間印加した後に、図１（Ｂ）領域２３に
おけるセル厚を測定したところ、初期に比較して約１０
％しか増加しなかった。
【０１６１】比較のため、この配向膜形成用溶液に、Ｓ
ｉＯ2 ビーズ７２８を混入させないでセルを作成し、本
実施例と同じ手法で、図１（Ｂ）領域２３におけるセル
厚変化を測定したことろ初期と比較して約３０％増加し
ていた。
【０１６２】実施例６ 第６の実施例として、配向膜形成用溶液に混入するＳｉ
Ｏ2 ビーズ７２８の量を配向膜形成用溶液１００ｇに対
し１５ｇとし以外は第５の実施例と同様に液晶セルを作
成した。この実施例について、第５の実施例と同様にセ
ル厚変化を評価したことろ図１（Ｂ）領域２３における
セル厚の増加は初期に比較して約８％であった。ここで
配向制御膜を観察すると、約０．６μｍの径で約０．３
個／μｍ2 の密度の凹凸が観測された。
【０１６３】実施例７ 第７の実施例として、配向膜形成用溶液に混入するＳｉ
Ｏ2 ビーズ７２８の直径を１．５μｍとした以外は第５
の実施例と同様に液晶セルを作成し、第５の実施例と同
様にセル厚変化を評価したことろ、図１（Ｂ）領域２３
のセル厚増加は、初期に比較して約９％であった。ここ
で、配向制御膜を観察すると約０．８μｍの径で約０．
１個／μｍ2 の存在密度の凹凸が観測された。
【０１６４】実施例８ 第８の実施例として、配向膜形成用溶液に混入するＳｉ
Ｏ2 ビーズ７２８の直径を１．５μｍとした以外は第６
の実施例と同様に液晶セルを作成し、第５の実施例と同
様にセル厚変化を評価したことろ、図１（Ｂ）領域２３
のセル厚増加は、初期に比較して約７％であった。ここ
で、配向制御膜を観察すると約０．８μｍの径で約０．
３個／μｍ2 の存在密度の凹凸が観測された。
【０１６５】参考例１ 図１０は本参考例の液晶セルを模式的に示す断面図であ
る。図１０に示すように、この液晶セルは、一対の平行
に配置した上基板１０１１ａおよび下基板１０１１ｂ
と、それぞれの基板に配線した例えば厚さが約４００〜
３０００Åの透明電極１０１２ａと１０１２ｂを備えて
いる。上基板１０１１ａと下基板１０１１ｂとの間には
強誘電性液晶好ましくは、少なくとも２つの安定状態を
持つ非らせん構造の強誘電性スメクチック液晶１０１５
が封入されている。
【０１６６】透明電極１０１２ａおよび１０１２ｂ上に
は、例えは厚さが１００〜３０００Åの絶縁膜１０１３
ａおよび１０１３ｂが形成されている。１０１４ａおよ
び１０１４ｂは配向制御膜であり、５０〜１０００Åの
膜厚で形成されている。通常高分子ポリマーが用いられ
るが、この発明における素子ではフッ素含有ポリイミド
等の高いプレチルト角を与える配向制御膜が好適であ
る。
【０１６７】この実施例に係る液晶セルは、ガラス基板
１０１１ａ、１０１１ｂ上に透明電極ＩＴＯを形成し、
その上に塗布焼成タイプの絶縁膜、具体的には有機チタ
ン化合物と有機ケイ素化合物混合液を用い、その中に宇
部日東化成（株）製の粒径２０００Åのシリカ微粒子を
混合し、オングストローマーにより１０００Åに印刷塗
布した後、３００℃で焼成している。なお、上記絶縁膜
下に酸化タンタルをスパッタして２層構造としてもよ
い。その上に日立化成（株）製のポリアミド配向膜ＬＱ
１８０２の１％ＮＭＰ溶液をスピンナで塗布し、２７０
℃で１時間焼成した。次に、この基板をラビングし、同
じ処理をしたもう１枚の基板とラビング方向が平行かつ
同方向になるよに１．５μｍのギャップを保って貼り合
わせ、セルを作成しピリミジン系液晶Ａを９０℃で注入
し、前述のＣＩユニフォーム配向を得た。
【０１６８】次にセル全体の配向を、図１（Ａ）におけ
る、平均分子軸方向２１に揃え、バルス巾Δｔ＝２５μ
Ｓ、電圧振幅Ｖｐｐ＝４０Ｖ、１／２デューティーの矩
形波を約７時間印加した後に、図１（Ｂ）領域２３にお
けるセル厚を測定したところ、初期に比較して約１０％
しか増加しなかった。
【０１６９】参考例２ 参考例１ において絶縁膜中に混ぜる微粒子として日本ペ
イント製の粒径５０００Åの商品名マイクロジェルを用
い、その他は全く同じ処理を行い液晶セルを作成し、全
く同じ測定を行ったことろ、初期に比較してセル厚は約
５％しか増加しなかった。
【０１７０】
【０１７１】実施例９ 図１１（Ａ）に示すように、あらかじめ用意した基板１
１１４上に、ＩＴＯによる透明電極１１０１を基板１１
１４上に形成した。次にその上に、図１１（Ｂ）に示す
ように、タンタルの酸化物（ＴａＯx）による膜厚６０
０Åの第１の絶縁膜１１０２をスパッタにより形成し
た。次に、図１１（Ｃ）に示すように、この第１の絶縁
膜１１０２の上にＳｉＯ2の真球ビーズ１１０３を２，
０００，０００個／ｍｍ2の密度で散布し吸着させた。
【０１７２】次に、図１１（Ｄ）示すように、その上か
ら、タンタルの酸化物（ＴａＯx ）による膜厚６００Å
の第２の絶縁膜１１０４を蒸着（スパッタ）により形成
した。次に、図１１（Ｅ）に示すように、ビーズ１１０
３超音波洗浄で完全に除去することにり、直径２〜３μ
ｍφで深さ６００Åのディンプル（ｄｉｍｐｌｅ）１１
０４を形成した。この後、その上に配向膜を形成し、そ
れにラビング処理を施した。
【０１７３】そして、このようにして形成した２枚の基
板１１１４を用いて液晶セルを組み立てて強誘電性液晶
を充填し、一様なユニフォーム配向とした。次に、この
液晶セルを、駆動電圧Ｖ0p＝２０Ｖとして、５００時間
駆動させて耐久テストを行った。この結果、５００時間
経過後も、液晶分子の移動による黄変はまったく観察さ
れなかった。
【０１７４】実施例１０ 第１の絶縁膜１１０２を、チタン−シリコン膜（Ｔｉ−
Ｓｉ）を用い、印刷法によって形成し、これを燒結して
約１０００Åの膜厚とした以外は、実施例９と同様の方
法により同様の液晶セルを作製し、これについて実施例
９と同様の方法で駆動耐久テストを行った。この結果、
５００時間の駆動後もまったく液晶分子の移動による黄
変は観察されなかった。
【０１７５】尚、第１工程で通常の真空装置により成膜
あるいは塗布型の絶縁層として第１絶縁層が形成された
後、その上に、通常は真球で直径１μｍ以下の無機微粒
子が、例えば、１０，０００〜１０，０００，０００個
／ｍｍ2 の密度で散布・吸着され、そしてその上から真
空装置により、例えば、１０００Å以下の膜厚の第２の
絶縁層を形成する際、無機微粒子によるシャドイング
（ｓｈａｄｏｗｉｎｇ）効果により、直径数μｍ、深さ
１０００Å以下のディンプル（ｄｉｍｐｌｅ）が形成さ
れる。そしてその後、付着している無機微粒子は、洗浄
等により取り除かれ、ディンプルが形成された第２絶縁
層の上に通常は配向膜が形成されるのであるが、ディン
プルのため配向膜上に数百Åの凹凸が生じる。
【０１７６】この凹凸は、強誘電性液晶を配向膜上に配
置した際のそのＳｍＣ* 層の連続一様性を画素内におい
て崩す作用をする。この作用は配向の一様性を損なわな
い範囲で行わせることが可能であるとともに、その作用
により、液晶分子の移動トルクの中心になる部位が液晶
層の方向に不連続となり、上述の液晶移動の速度が著し
く低減される。したがって、このような工程を経て製造
された素子においては、駆動による液晶分子の移動が抑
止されるため、長時間駆動しても実用上の問題が生じな
い。なお、無機微粒子が残留していても、ゼルギャップ
の正常な形成が疎外されずに液晶パネルが構成され得
る。
【０１７７】実施例１１ 図１２に示されるような液晶素子において１００ｎｍ厚
のＩＴＯ膜が設けられている対角５インチで１．１ｍｍ
厚のガラス板を２枚用意し、その上に有機チタン化合物
と有機ケイ素化合物（Ｔｉ：Ｓｉ＝１：１）の混合溶液
（東京応化社製）を塗布し３００℃で１時間焼成するこ
とにより１２０ｎｍの絶縁層を形成した。
【０１７８】その後、含フッ素ポリアミック酸を、ＮＭ
Ｐ（Ｎ−メチルピロリドン）：ｎ−プチルセルフルブ：
ｎ−ブチルカルビトール＝５：１：３混合溶媒の４％溶
液として印刷後、２７０℃で焼成２０ｎｍの膜厚の（含
フッ素）ポリイミド配向制御層とした。表面を通常のラ
ビング処理した後、配向制御層表面をＳＴＭ（走査型ト
ンネル顕微鏡、セイコー電子社製「ＳＡＭ３１００」）
により観察し、また写真（図１３）を撮影した。図１３
を見てもわかるように配向制御層表面には、以下の寸法
の楕円形の凹凸（ディンプル）が形成されていた。
【０１７９】径 ０．４〜０．６μ、 高低差 ５〜８ｎｍ 密度 約２×１０6 個／ｍｍ2
【０１８０】これらの２枚の基板を、１．２μｍのシリ
カビーズを介して平行ラビングとなるように接合して液
晶セル（空セル）を作成した。該セルに前記ピリミジン
系混合液晶Ａを９０℃で注入し、温室まで除冷して液晶
セルを形成した。
【０１８１】このセルについて測定したチルト角Θは１
４°、層の傾斜角δは１１°、見かけのチルト角θａ＝
１１°、配向制御膜のプレチルト角αは１７°であり、
前記式（１）および式（２）を満たす前述したＣ１ユニ
フォーム配向が得られた。
【０１８２】次に、セル全体の配向を、図１（Ａ）にお
ける、平均分子軸方向２１に揃え、パルス巾Δｔ＝２μ
Ｓ、電圧振幅Ｖｐｐ＝４０Ｖ、１／２デューティーの矩
形波を約７時間印加した後に、図１（Ｂ）領域２３にお
けるセル厚を測定したところ、初期に比較して約６％し
か増加しなかった。また、このセルをクロスニコルの偏
光版にはさみ、目視で色付きを確認したところ、セル厚
の増加した領域は認識できなかった。
【０１８３】実施例１２ 実施例１１ の方法で、ポリイミド膜を成膜した基板を作
製した。但しポリイミド印刷時におけるポリイミド形成
溶液には、ｎ−ブチルカルビトールを添加せずＮＭＰ：
ｎ−ブチルセロソルブ＝７：３の溶液で印刷を行なった
ことろ走査電子顕微鏡および走査トンネル顕微鏡による
ポリイミド膜表面の観察によればディンプル状の凹凸表
面は観察されなかった。
【０１８４】次に、このポリイミド膜表面に氷の微粒子
（平均粒径約３０μｍ）を噴き付けるブラスト処理を行
なった。ラビング処理を行なった後、ポリイミド膜表面
を前述の方法で観察したことろ、図１４に示すように最
大径約０．４μｍ、最大深さ約５ｎｍのディンプル状の
凹凸を密度約１００，０００個／ｍｍ2 で有する表面が
確認された。
【０１８５】上記のこと以外に実施例１１と同様のセル
作成および評価を行なった。その結果、端部セル厚は７
％しか増加しなかった。またこのセルをクロスニコルの
偏光板にはさみ目視で色付きを確認したが、セル厚の増
加した領域は認識できなかった。
【０１８６】実施例１３ 実施例１１ と同様にＮＭＰ：ｎ−ブチルセロソルブ＝
７：３混合溶剤を用いてポリイミド膜を作成した後、径
２μｍの凸部を２００００／ｍｍ2の密度で有する、ス
タンパーを微小ストロークで圧着することにより図１４
と類似した高低差約８ｎｍのディンプル状凹部を配向制
御層に形成し、ラビング処理を行なった。このようにし
て形成した一対の電極基板を用いること以外は実施例１
２と同様にセルを作成し、評価した。
【０１８７】端部セル厚は、６％しか増加しなかった。
またこのセルをクロスニコルの偏光板にはさみ目視で色
付きを確認したところセル厚の増加した領域は認識でき
なかった。上記実施例１１〜１３の比較例について説明
する。
【０１８８】塗布溶剤として（ＮＭＰ：ｎ−ブチルセロ
ソルブ＝７：３混合液）を用いて形成した実施例１２の
配向制御層を、氷微粒子を吹き付けることなく直ちにラ
ビングして得た電極基板を用いる以外には、実施例１２
と同様にしてセルを作成し、評価を行なった。ラビング
後の配向制御層表面のＳＴＭ観察では凹凸は全く見られ
なかった（図１５）。実施例１１と同じ条件での７時間
の交流印加駆動後のセル厚の増加は４０％であり、この
セルをクロスニコルの偏光板にはさみ目視で色付きを確
認したところ、セル厚の増加した領域が黄色に変色して
見え、顕著なしきい値変化が認められた。
【０１８９】実施例１４ それぞれＩＴＯ透明電極を有する厚さが１．１ｍｍ厚の
２枚のガラス板上に、実施例１と同様にして厚さが１２
０ｎｍのＴｉ：Ｓｉ混合酸化物絶縁膜を形成した。日立
化成（株）社製ポリイミド前駆体ＬＱ１８０２（商品
名）を、ｎ−ブチルカルビトールおよびＮＭＰ（Ｎ−メ
チル−ピロリドン）により希釈し樹脂濃度３．８ｗｔ
％、ｎ−ブチルカルビトール濃度は３４ｗｔ％に調整し
たポリイミド形成液を、印刷により塗布し、２２℃、４
８％ＲＨの環境中に３０分放置した後、２７０℃で１時
間焼成することにより、２０ｎｍの配向制御膜を形成し
た。さらにこのようにして得た一対の配向制御膜（図１
２の１２１４ａと１２１４ｂ）には、配向方向が平行且
つ同一方向になるようにラビング処理した。ラビング処
理後の配向制御層表面のＳＴＭ観察結果によれば、図１
３に示すような平面形状（その断面膜写図を図８に示
す）で径が０．３〜０．４μｍのディンプルが約５×１
０5個／ｍｍ2の密度で存在していた。
【０１９０】次に一方の基板に、平均粒径１．２μｍの
シリカビーズを散布した後、他方の基板を貼り合わせセ
ルを作成した。このようにして得られたセルに前記ピリ
ミジン系強誘電性混合液晶Ａを注入して作成したセルに
ついての、顕微鏡観察によれば実施例１と同様な均一な
Ｃ１ユニフォーム配向状態が確認された。次いで、実施
例１と同様にパルス印加後のセル厚変化を評価した。そ
の結果セル端部（図１（Ｂ）の領域２３）におけるセル
厚増加は初期に比較して約１０％に止まった。
【０１９１】比較のため、配向膜形成用溶液の印刷塗布
後、２０分放置したこと以外は上記と全く同じようにし
て作成した液晶セルを上記と同じ手法で図１（Ｂ）領域
２３のセル厚変化を測定したところ、初期と比較して約
３０％増加していた。この際の、配向膜表面を観察した
結果では同様の形状の「ディンプル」が観察されたが、
その径は０．１μｍ〜０．２μｍで約４×１０5 個／ｍ
ｍ2 の存在密度であった。
【０１９２】さらに、比較のために配向制御膜の印刷後
の放置時間を２分とした以外は上記と同様に液晶セルを
作成し、同様の評価を行なったところ、端部セル厚の増
加は、初期に比較して約４０％増加した。さらにこの場
合のラビング後の配向制御膜の表面を観察すると図５に
示したようなディンプルは観測できなかった。（図１５
と同等）。
【０１９３】実施例１５ 配向制御膜の印刷後の放置時間を６０分とした以外は、
実施例１４と全く同様にして液晶セルを作成した。この
素子を実施例１４と同様の評価を行なったところ、図１
（Ｂ）領域２３におけるセル厚の増加は、初期に比較し
て約５％であった。
【０１９４】ラビング後の配向制御膜表面を観察する
と、その径が０．６〜０．７μｍ、存在密度が約５×１
０5個／ｍｍ2のディンプルが観測された。また、配向の
均一性に関しても実施例１４と同程度となり、本実施例
でも安定な配向性が保持されていることが確認された。
このように、配向制御膜の印刷後の放置時間を実施例１
４よりもさらに増すことで、ディンプルの径が増大し、
液晶移動の抑制効果が増大する。
【０１９５】実施例１６ 配向制御膜の印刷後の放置時間を９０分とした以外は実
施例１４と全く同様に液晶セルを作成し、実施例１４と
同様の評価を行なったところ、セル厚の増加は、初期に
比較して約５％であった。ここで配向制御膜の表面を観
察すると、その径が０．７〜０．８μｍ、存在密度が約
５×１０5個／ｍｍ2のディンプルが観測された。また配
向も実施例１と同程度であった。
【０１９６】実施例１７ 配向膜形成用溶液の樹脂濃度を５．５重量％に調整した
以外は、実施例５と全く同様に液晶セルを作成した。こ
のとき配向制御膜の厚さは３０ｎｍであった。この素子
を実施例１６と同様の評価を行なったことろ、図１
（Ｂ）領域２３におけるセル厚の増加は初期に比較して
約３％であった。ここでラビング後の配向制御膜表面を
観察すると、その径が０．６５μｍ〜０．７５μｍ、存
在密度が約８×１０5個／ｍｍ2のディンプルが観測され
た。
【０１９７】また、配向の均一性に関しては、実施例１
４と同程度であり、本実施例でも安定な配向性が保持さ
れていることが確認された。このように配向制御膜の厚
さを大きくすることで、ディンプルの大きさと存在密度
が増え、液晶移動に対する制御効果も増大する。
【０１９８】実施例１８ 実施例１４ と同様に厚さ１００ｎｍのＴｉ：Ｓｉ混合酸
化物絶縁膜まで形成した。別途、日立化成（株）社製ポ
リイミド前駆体ＬＱ１８０２（商品名）をＮＭＰ（Ｎ−
メチル−ピロリドン）により希釈して樹脂濃度３．８ｗ
ｔ％になるよう調整し、この溶液１００ｇに対し、１．
３μｍ径のＳｉＯ2ビーズを５ｇ添加し、均一に分散さ
せるものを用いた。この分散液を印刷により、前記絶縁
膜上に塗布し、２７０℃で１時間焼成し、２０ｎｍの配
向制御膜を形成した。このときの基板上のＳｉＯ2ビー
ズ及び基板を模式的に示したのが図９（Ａ）である。
【０１９９】次に、この配向制御膜に、配向方向が平行
かつ同一方向になるようにラビング処理をした。このと
き、基板上のＳｉＯ2 ビーズは配向制御膜の薄膜によ
り、固定されているに過ぎない為、ラビング布にこすら
れることで、容易に脱落した。このように、ＳｉＯ2 ビ
ーズが脱落した後の電極基板形状の断面を模式的に示し
たのが図９（Ｂ）である。このようにして形成された配
向制御膜のディンプル７１８ａは約０．６μｍの径で約
１×１０5 個／ｍｍ2 の存在密度を示すことが観測され
た。
【０２００】次に、この基板をＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）中で超音波洗浄を行ない、ＳｉＯ2 ビーズの
完全除去をはかるとともに、ラビング時の発塵物の除去
を行なった。その後、一方の基板にセルギャップ保持用
の平均粒径１．５μｍのＳｉＯ2 ビーズを散布してか
ら、他方の基板を貼り合わせ、セルを作成した。このよ
うにして得られたセルに実施例１と同じ強誘電性混合液
晶Ａを注入して得られたセルについての顕微鏡観察によ
れば、実施例１と同様な均一なＣ１ユニフォーム配向状
態が確認された。次いでこのセルに実施例１と同様に交
流パルスを７時間印加後、セル厚の変化を評価した。そ
の結果、セル端部（図１（Ｂ）領域２３におけるセル厚
は、初期に比較して約１０％しか増加しなかった。
【０２０１】比較のため、該配向膜形成用溶液に、該Ｓ
ｉＯ2 ビーズを混入させないこと以外は、全く同様にセ
ルを作成し、本実施例と同じ手法で図１（Ｂ）領域２３
におけるセル厚変化を測定したところ、初期と比較して
約３０％増加していた。
【０２０２】実施例１９ 配向膜形成用溶液に混入するＳｉＯ2ビーズの量を配向
膜形成用溶液１００ｇに対し、１５ｇとした以外は実施
例１８と全く同様に液晶セルを作成し、実施例１８と同
様にセル厚変化を評価したところ、図１（Ｂ）領域２３
におけるセル厚の増加は、初期に比較して約８％であっ
た。ここでラビング後の配向制御膜を観察すると、約
０．６μｍの径で３×１０5個／ｍｍ2の存在密度の凹凸
が観測された。
【０２０３】実施例２０ 配向膜形成用溶液に混入するＳｉＯ2ビーズの直径を
１．５μｍとした以外は、実施例１８と全く同様に液晶
セルを作成し、実施例１８と同様にセル厚変化を評価し
たところ、図１（Ｂ）領域２３のセル厚増加は初期に比
較して約９％であった。この例のラビング後の配向制御
膜を観察した結果によれば約０．８μｍの径の凹凸（デ
ィンプル）が約１×１０5個／ｍｍ2の存在密度で観測さ
れた。
【０２０４】実施例２１ 配向膜形成用溶液に混入するＳｉＯ2ビーズの直径を
１．５μｍとした以外は、実施例１９と全く同様に液晶
セルを作成し、実施例１８と同様にセル厚変化を評価し
たことろ、図１１（Ｂ）領域２３のセル厚増加は、初期
に比較して約７％であった。この例のラビング後の配向
制御膜を観察した結果によれば、約０．８μｍの径の凹
凸が約３×１０5個／ｍｍ2の存在密度で観測された。
【０２０５】比較参考例１ 図１７は、本発明の比較参考例１に係る液晶セルを模式
的に示す断面図である。同図に示すように、この液晶セ
ルは、一対の平行に配置した上基板１７１１ａ及び下基
板１７１１ｂと、それぞれの基板に配線した例えば厚さ
が約４００〜２０００Åの透明電極１７１２ａと１７１
２ｂを備えている。上基板１７１１ａと下基板１７１１
ｂとの間には強誘電性液晶、好ましくは少なくとも２つ
の安定状態をもつ非らせん構造の強誘電性スメクチック
液晶１７１７が配置されている。透明電極１７１２ａお
よび１７１２ｂ上には、例えば厚さが１００〜２０００
Åの絶縁膜１７１８ａおよび１７１８ｂがそれぞれ形成
されている。
【０２０６】絶縁膜１７１８ａ，１７１８ｂは塗布・焼
成タイプの絶縁膜材料で形成するのが好ましく、具体的
には、有機チタン化合物と有機ケイ素化合物との混合溶
液を用いることができる。そしてたとえば、この混合溶
液を、オングストローマ等により、印刷・塗布した後、
約１５０℃で乾燥し、３００℃で焼成することにより形
成される。
【０２０７】絶縁膜１７１８ａ，１７１８ｂ上には、略
円柱状のディンプル１７０１を有する。図１６（Ａ）は
その模式的な正面図、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）のＡ
−Ａ線断面図である。ディンプル１７０１は絶縁膜材料
の乾燥後、焼成前に、スタンパー等により形成される。
ディンプル１７０１の直径は、例えば、０．１〜１．０
μｍであり、密度は、例えば０．１〜１０個／μｍ2 で
ある。深さＤは、絶縁層１７１８ａ，１７１８ｂ上に形
成される配向制御膜１７１３ａ，１７１３ｂの膜厚をｄ
ａとすれば、ｄａ＜Ｄ＜１００ｄａで定められる範囲が
好ましい。具体的には、例えば、１ｎｍ〜５０ｎｍとさ
れる。ディンプル１７０１の形状は、略円柱状に限らず
適当なサイズの凹または凸形状であれば、同様の効果が
得られる。
【０２０８】上下基板間の絶縁性をさらに高めるため、
絶縁膜１７１８ａ，１７１８ｂと透明電極１７１２ａ、
１７１２ｂとの間に、例えば、スパッタリング法を用
い、厚さが２００〜３０００Åの無機酸化物絶縁膜層を
形成するようにしても良い。
【０２０９】配向制御膜１７１３ａ，１７１３ｂは、絶
縁膜１７１８ａ，１７１８ｂを焼成した後、その上に例
えば、ポリイミド等の高分子有機膜を１０〜１０００Å
の厚さで積層することにより形成される。また、配向制
御膜１７１３ａ，１７１３ｂには、配向方向が平行かつ
同一向きとなるようにラビング処理が施される。基板間
隔は液晶層１７１７内に散布された平均粒径約１．５μ
ｍ（一般に０．１〜３．５μｍ）のシリカビーズ１７１
４により保持される。
【０２１０】このような構成のセルにおいて、セル全体
の配向を、図１（Ａ）に示す平均分子軸方向２１に揃
え、パルス巾Δｔが２５μｓ、電圧振幅Ｖｐｐが４０Ｖ
で、１／２デューティの矩形波を約７時間印加した後
に、図１（Ｂ）の領域を２３におけるセル厚（間隙）を
測定したところ、初期に比較して約１０％しか増加しな
かった。
【０２１１】比較のため、絶縁膜１７１８ａ，１７１８
ｂ上にディンプル１７０１を形成しないこと以外は全く
同じセルを作成し、前記と同じ手法で、図１（Ｂ）の領
域２３におけるセル厚変化を測定したところ、初期に比
較して約３０％増加していた。
【０２１２】比較参考例２ 図１８は本発明の比較参考例２に係る液晶セルを模式的
に示す断面図である。比較参考例１と異なるのは、絶縁
膜１７１８にディンプルを付与することに代えて、絶縁
膜１７１８ａ，１７１８ｂ上に微粒子１７１９を散布し
た点である。
【０２１３】微粒子１９としては、例えばシリカ、チタ
ン等の無機材料微粒子やアクリル、スチレン等の有機材
料微粒子を用いることができ、その平均粒径Ｒは、絶縁
膜１７１８ａ，１７１８ｂ上に形成される配向制御膜の
膜厚をｄａとすれば，ｄａ＜Ｒ＜１００ｄａで定められ
る範囲が好ましく、さらに５ｄａ＜Ｒ＜５０ｄａである
のがより好ましい。具体的には、配向制御膜の膜厚を１
０〜１００ｎｍとして、平均粒径Ｒを５０〜５０００ｎ
ｍとすることができる。また、散布密度は、０．１〜１
０個／μｍ2 が好ましく、０．５〜５個／μｍ2 がより
好ましい。
【０２１４】他のセル作製プロセスは比較参考例１とほ
ぼ同様である。この液晶セルについて比較参考例１の場
合と同様の評価を行ったところ、ほぼ同程度の、液晶の
移動を制御する効果が得られた。
【０２１５】実施例２２ 図１９は本発明の強誘電性液晶素子の一例を模式的に示
す断面図である。図１９に示すように、この液晶素子は
一対の平行に配置した上基板１９１１ａ及び下基板１９
１１ｂと、それぞれの基板に配置した、例えば厚さが約
４００〜３０００Åの透明電極１９１２ａと１９１２ｂ
を備えている。上基板１９１１ａと下基板１９１１ｂと
の間には強誘電性液晶、好ましくは少なくとも２つの安
定状態を持つ非らせん構造の強誘電性スメクチック液晶
１９１５が配置されている。透明電極１９１２ａ及び１
９１２ｂには例えば厚さが１００〜３０００Åの絶縁膜
１９１３ａ及び１９１３ｂが形成されている。本実施例
では、塗布、焼成タイプの絶縁膜を少なくとも一層形成
し、またスパッタ膜との複層構造でもよい。１９１４ａ
及び１９１４ｂは配向制御膜であり、５０〜１０００Å
の膜厚で形成される。
【０２１６】本実施例では電極１９１２ａ，１９１２ｂ
として約１０００Å厚のＩＴＯ膜が設けられている。
１．１ｍｍ厚のガラス板を２枚用意し、その上に塗布型
絶縁膜用溶液（Ｔｉ：Ｓｉ＝１：１）（東京応化社製）
とトリプロピレングリコールモノメチルエーテルと酢酸
エチルカルビトールの２：１：１混合液を１５００ｒｐ
ｍ、２０秒でスピンコートし、１００℃で３分間乾燥し
た後、３００℃で６０分本焼成することより厚さ約１０
００Åの絶縁膜１９１３ａ，１９１３ｂを形成した。こ
の絶縁膜表面をＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）で観察
したところ、 高低差 ４００〜８００Å 幅 ０．５〜１．０μｍ 密度 約２，０００，０００個／ｍｍ2 の凹凸が形成されていた。
【０２１７】この上に、日立化成（株）製のポリアミド
酸ＬＱ１８０２の１％ＮＭＰ溶液をスピナーで塗布し、
２７０℃で１時間焼成し、２００Åの膜厚とした。これ
ら２枚の基板をナイロン布で平行且つ同一方向にラビン
グした後、１．２μｍのシリカービスを用いて液晶セル
を製作した。このセルに前述のピリミジン系混合液晶Ａ
を１００℃で注入したところＣ１ユニフォーム配向が得
られた。
【０２１８】次に、セル全体の配向を、図１（Ａ）にお
ける、平均分子軸方向２１に揃え、パルス幅ΔＴ＝２５
μＳ、電圧振幅Ｖｐｐ＝４０Ｖ、１／２デューティーの
矩形波を約１２時間印加した後に、図１（Ｂ）領域２３
におけるセル厚を測定したことろ、初期に比較して約１
０％しか増加しなかった。また、このセルをクロスニコ
ルの偏光板にはさみ目視で色付きを観察したことろ、セ
ル厚の増加した領域は認識できなかった。
【０２１９】実施例２３ 約１０００Å厚のＩＴＯ膜が設けられている１．１ｍｍ
厚のガラス板を２枚用意し、その上に塗布型絶縁膜用溶
液セラメートＣＬＲ（触媒化成社製）とγ−ブチロラク
トンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテルの
７：１：２混合液を１５００ｒｐｍ、２０秒でスピンコ
ートし、１００℃で３分間加熱した後、３００℃で６０
分本焼成することにより厚さ約２０００Åの絶縁膜を形
成した。この絶縁膜表面をＳＴＭ（走査型トンネル顕微
鏡）で観察したことろ、 高低差 １０００〜１５００Å 幅 １．０〜２．０μｍ 密度 約１，０００，０００個／ｍｍ2 の凹凸が形成されていた。
【０２２０】この上に、日立化成（株）製のポリアミド
酸ＬＱ１８０２の１％ＮＭＰ溶液をスピナーで塗布し、
２７０℃で１時間焼成し、２００Åの膜厚とした。これ
ら２枚の基板をナイロン布で平行且つ同一方向にラビン
グした後、１．２μｍのシリカビーズを用いて液晶セル
を製作した。このセルに前述のピリミジン系混合液晶Ａ
を１００℃で注入したところＣ１ユニフォーム配向が得
られた。
【０２２１】次に、セル全体の配向を、図１（Ａ）にお
ける、平均分子軸方向２１に揃え、パルス幅ΔＴ＝２５
μＳ、電圧振幅Ｖｐｐ＝４０Ｖ、１／２デューティーの
矩形波を約１２時間印加した後に、図１（Ｂ）領域２３
におけるセル厚を測定したところ、初期に比較して約５
％しか増加しなかった。また、このセルをクロスニコル
の偏光板にはさみ目視で色付きを観察したところ、セル
厚の増加した領域は認識できなかった。
【０２２２】比較例 約１０００Å厚のＩＴＯ膜が設けられている１．１ｍｍ
厚のガラス板を２枚用意し、その上に塗布型絶縁膜用溶
液（Ｔｉ：Ｓｉ）（東京応化社製）を１５００ｒｐｍ、
２０秒でスピンコートし、１００℃で３分間乾燥した
後、３００℃で６０分本焼成することにより厚さ約１５
００Åの絶縁膜を形成した。この絶縁膜表面をＳＭＴ
（走査トンネル顕微鏡）で観察したことろ、約５０Åの
不規則な凹凸が形成されていた。この上に、日立化成
（株）製のポリアミド酸ＬＱ１８０２の１％ＮＭＰ溶液
をスピナーで塗布し２７０℃で１時間焼成し、２００Å
の膜厚とした。これら２枚の基板をナイロン布で平行且
つ同一方向にラビングした後、１．２μｍのシリカビー
ズを用いて液晶セルを製作した。このセルに前述のピリ
ミジン系混合液晶Ａを１００℃で注入したところＣ１ユ
ニフォーム配向が得られた。
【０２２３】次に、セル全体の配向を図１（Ａ）におけ
る、平均分子軸方向２１に揃え、パルス幅ΔＴ＝２５μ
Ｓ、電圧振幅Ｖｐｐ＝４０Ｖ、１／２デューティーの矩
形波を約１２時間印加した後に、図１（Ｂ）領域２３に
おけるセル厚を測定したところ、初期に比較して約５０
％も増加していた。また、このセルをクロスニコルの偏
光板にはさみ目視で色付きを観察したところ、セル厚の
増加した領域は黄色く色づいて見えた。
【０２２４】比較参考例３ 先ず始めに本比較参考例の液晶素子を用いた液晶表示装
置についてその概略を説明する。図２０は、本比較参考
例の液晶素子の一例を示す図面であり、図２１は図２０
の断面図である。
【０２２５】図２０と図２１で示すセル構造体は１．１
ｍｍ厚のガラス板基板２０１１ａと２０１１ｂをビーズ
スペーサー２０１６（シリカビーズ、アルミナビーズ
等）で０．１〜３μｍの間隔に保持して対向させ、この
一対の基板をシール接着剤２０１７によって接着したセ
ル構造を有している。基板２０１１ａ上には複数の透明
電極２０１２ａからなる電極群（マトリクス電極構造の
うちの走査電圧印加用電極群）が帯状パターンで形成さ
れており、基板２０１１ｂの上には前述の透明電極２０
１２ａと交差させた複数の透明電極２０１２ｂからなる
電極群（マトリクス電極構造のうちの情報信号電圧印加
用電極群）が形成されている。そして透明電極２０１２
ａと２０１２ｂがそれぞれ形成された基板２０１１ａと
２０１１ｂ上に、ショート防止用絶縁体膜２０１３ａと
２０１３ｂが、さらにその上に配向制御膜２０１４ａと
２０１４ｂが、それぞれ積層されている。基板２０１１
ａと２０１１ｂとの間には強誘電性スメクチック液晶２
０１５が充填されている。
【０２２６】透明電極１０１２ａと２０１２ｂにはＩｎ
2 Ｏ3 やＩＴＯなどが使用され、膜厚は１５００Å程度
に設定される。
【０２２７】ショート防止用絶縁体膜２０１３ａと２０
１３ｂは２００〜３０００Åの膜厚に設定され、ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 などの無機絶縁物質をスパッ
タリング法などで成膜することによって得られる。ま
た、これらの無機絶縁物質の代わりに、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔ
ａ，Ｚｒ，Ａｌ等のうち少なくとも１種以上の金属を含
む、有機金属化合物を塗布、焼成して得られる無機系絶
縁膜を用いることもできる。
【０２２８】このショート防止用絶縁膜２０１３ａと２
０１３ｂにおいて、前述の如き無機絶縁膜又は無機系絶
縁膜を形成した後に、その表面を一方向にラビング（摺
擦）することにって絶縁膜表面に凹凸をつける。本発明
においてはこれが主たる特徴になっている。ラビング材
としては、グラスウール、スチールウール、或いはナイ
ロン、アセテート、ポリエステルのパイル系を有するラ
ビング布が好ましく用いられる。中でも、グラスウール
やスチールウールといった堅い材質のラビング材が本発
明の効果を得る上で好ましく用いられる。
【０２２９】配向制御膜２０１４ａと２０１４ｂは５０
〜１０００Å、好ましくは２００Å以下の膜厚に設定さ
れ、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、
ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロー
ス樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂など
の有機絶縁物質を用いて被膜形成したものを用いる。
【０２３０】この配向制御膜２０１４ａと２０１４ｂに
おいて、前述の如き有機絶縁物質を被膜形成した後に、
その表面を一方向にラビングすることによって、ラビン
グ方向と実質的に同一方向の一軸性配向軸が付与され
る。
【０２３１】２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意しそ
れぞれのガラス板上にＩＴＯのストライプ状電極を形成
した。さらに上下電流のショート防止絶縁体膜としてＳ
ｉＯ2 をスパッタ法により１０００Åに形成した。次に
２枚の基板のショート防止絶縁体膜に対してラビング処
理を施した。ラビング材としては硬質の材料としてグラ
スウールとスチールウール、軟質の材料としてナイロ
ン、アセテート、ポリエステルのパイル系を有するラビ
ング布をそれぞれ用いた。また比較例としてショート防
止絶縁体に対してラビング処理を施さないものも作成し
た。ショート防止絶縁体の上には、ポリイミド形成液Ｌ
Ｑ１８０２（日立化成社製）をスピンナーで塗布し、加
熱処理を施してポリイミド配向膜を形成した。膜厚は２
００Å以下であった。
【０２３２】次に２枚の基板の焼成後のポリイミド被膜
に対しナイロン製のラビング布でラビング処理を行っ
た。ラビング処理後、一方の基板に平均粒径約１．５μ
ｍのシリカビーズを散布した後、もう一方の基板にエポ
キシ樹脂の接着剤をスクリーン印刷で形成し、２枚の基
板を電極が平面的に交差するように貼り合わせパネルを
作成した。次にこれらの各パネルにフェニルピリミジン
を主成分とする混合強誘電性液晶を注入口から注入し、
これをカイラルスメクチック相まで徐冷して配向させ
た。
【０２３３】これらのセルにおいて、セル全体の配向を
一方の光学的安定状態に備え、パルス巾２５μｓ、電圧
振幅４０Ｖ、１／２デューティの矩形波を約１６時間印
加し、その後セル周辺の端部をセル厚を測定した。それ
ぞれ比較参考例、比較例の、セル厚増加が最大の部分の
増加率を表２に示す。
【０２３４】
【表２】
【０２３５】以上の結果から、絶縁体膜へのラビングに
よって液晶の移動が抑えられていることがわかった。ま
た、より堅いラビング材で絶縁体膜にラビングし、より
深い凹凸を付けた方が液晶の移動が強く抑えられること
がわかった。
【０２３６】実施例２４ １０００Å厚のＩＴＯ膜が設けられている１．１ｍｍ厚
のガラス板を２枚用意し、それぞれのガラス板上に、下
記構造式（２９−Ｉ）で示すポリアミック酸を特定の表
面形状を形成するのに最適な溶媒系Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン／ｎ−ブチルセロソルブ／ｎ−ブチルカルビト
ール＝３．０／１．０／２．２（重量比）で３０重量％
溶液に調整、これを用い、スピンコートにて成膜後、約
１時間、２５０℃加熱焼成処理を施した。この時の膜厚
は、約２５０Åであった。
【０２３７】
【化７】
【０２３８】次に、この様にして形成された塗布膜に、
ナイロン植毛布による一方向ラビング処理を行なった。
ラビング前後における膜表面の炭素原子濃度をＸＰＳに
て確認したことろ、下記の表３の値を示し、ぼほ理論値
より大きな特徴的傾向を示した。また、これらの表面状
態のＳＥＭ（捜査形電子顕微鏡）による観察で、直径約
５０００Åレベル、段差約５０Åレベルの微小な凹凸形
状も確認された。
【０２３９】
【表３】
【０２４０】その後、平均粒径約１．５μｍのアルミナ
ビーズを一方の基板上に散布した後、それぞれのラビン
グ処理軸が互いに平行で、かつ同一処理方向となる様に
２枚のガラス基板を重ね合わせてセルを作製した。
【０２４１】このセル内にチッソ（株）社製の強誘電性
スメクチック液晶である「ＣＳ−１０１４」（商品名）
を等方相下で真空注入してから、等方相から０．５℃／
ｈで３０℃まで徐冷することによって配向させることが
できた。この強誘電性液晶「ＣＳ−１０１４」を用いた
本実施例のセルでの相変化は、下記のとおりであった。
【０２４２】
【数１０】 （Ｉｓｏ．＝等方相、Ｃｈ＝コレステリック相、ＳｍＡ
＝スメクチックＡ相、ＳｍＣ* ＝カイラルスメクチック
Ｃ相）
【０２４３】上述の液晶セルを一対の９０°クロスニコ
ル偏光子の間に挟み込んで、５０μｓｅｃの３０Ｖパル
スを印加してから、９０°クロスニコルを消光位（最暗
状態）にセットし、この時の透過率をホトマルチプレタ
ーにより測定し、続いて５０μｓｅｃの−３０Ｖパルス
を印加し、この時の透過率（明状態）を同様の方法で測
定したところ、チルト角θは１５°であり、最暗状態時
の透過率は１％で、明状態時の透過率は３２％であり、
従ってコントラスト比は３２：１であった。
【０２４４】このように、極めて高いコントラストを示
す素子となっており、さらに、この液晶セルに対し、マ
ルチプレクシング駆動による表示を継続して実施した
が、液晶の移動現象から生じるセル厚変化は、全く認め
られなく、均一な高コントラスト表示が維持されてい
た。
【０２４５】比較例実施例２４ におけるポリアミック酸の溶媒組成を通常の
平坦膜を得る為に最適な系、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン／ｎ−ブチルセロソルブ＝１．０／１．１（重量比）
に変更した以外は、実施例２４と同様にしてセルを作製
した。
【０２４６】なお、ラビング前後における膜表面の炭素
原子濃度をＸＰＳにて確認したところ、下記の表４の値
を示し、実施例に比べ炭素濃度が小さく、ほぼ通常通り
の理論値付近あるいは理論値以下の特徴的な傾向を示し
た。また、これらの表面状態をＳＥＭで観察したとこ
ろ、ほぼ平坦な膜表面状態が確認された。
【０２４７】
【表４】
【０２４８】この液晶セルは、初期に実施例と同じレベ
ルのコントラスト比を有していたが、マルチプレクシン
グ駆動による表示を継続して行なったところ、１００時
間程度で液晶の移動現象から生じるセル厚変化が認めら
れ、一方向の画面端には黄味付いた部分が、又、逆方向
の画面端には、液晶量不足による配向の乱れが確認さ
れ、均一な表示特性を失い、信頼性に欠けるものであっ
た。
【０２４９】参考例３ １０００Å厚のＩＴＯ膜が設けられている１．１ｍｍ厚
のガラス板を２枚用意し、それぞれのガラス板上に、絶
縁層を形成する、あらかじめ平均粒子径５００Åのシリ
カよりなる微粒子を分散させたＴｉ−Ｓｉ＝１：１より
なる成分の絶縁膜の６．０重量％の溶液を、１６μｍの
粗さの展色板を用いて印刷を行なった。１００℃で約１
０分間仮焼成した後、ＵＶ照射を行ない、その後３００
℃で約１時間加熱焼成処理を施した。この時の膜厚は９
００Åであった。
【０２５０】この基板の上に、下記の構造式（３０−
１）で示されるポリアミドのＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の
２．０重量％溶液をスピンコートにて成膜後、約１時
間，２２０℃で加熱焼成処理を施した。この時の膜厚は
２５０Åであった。
【０２５１】
【化８】
【０２５２】この様にして形成された塗布膜に、ナイロ
ン殖毛布による一方向ラビング処理を行なった。
【０２５３】その後、平均粒径約１．５μｍのアルミナ
ビーズを一方の基板上に散布した後、それぞれのラビン
グ処理軸が互いに平行で、かつ同一処理方向となる様に
２枚のガラス基板を重ね合せてセルを作製した。
【０２５４】このセル内にチッソ（株）社製の強誘電性
スメクチック液晶である「ＣＳ−１０１４」（商品名）
を等方相下で真空注入してから、等方相から０．５℃／
ｍｉｎで３０℃まで徐冷することによって配向させるこ
とができた。この強誘電性液晶「ＣＳ−１０１４」を用
いた本参考例のセルでの相変化は、下記のとおりであっ
た。
【０２５５】
【数１１】 （Ｉｓｏ．＝等方相、Ｃｈ＝コレステリック相、ＳｍＡ
＝スメクチックＡ相、ＳｍＣ* ＝カイラルスメクチック
Ｃ相）
【０２５６】上述の液晶セルを一対の９０°クロスニコ
ル偏光子の間に挾み込んで、５０μｓｅｃの３０Ｖパル
スを印加してから、９０°クロスニコルを消光位（最暗
状態）にセットし、この時の透過率をホトマルチプライ
ヤーにより測定し、続いて５０μｓｅｃの−３０Ｖパル
スを印加し、この時の透過率（明状態）を同様の方法で
測定したところ、チルト角θは１５°であり、最暗状態
時の透過率は１．３％で、明状態時の透過率は３２％で
あり、従ってコントラスト比は２５：１であった。ま
た、残像の原因となる光学応答の遅れは０．３秒以下で
あった。
【０２５７】さらに、この液晶セルを図３３に示す駆動
波形を用いたマルチプレクシング駆動による表示を行っ
たところ、高コントラストな高品位表示が得られ、また
所定の文字入力による画像表示の後に全画面を白の状態
に消去したところ、残像の発生は判読できなかった。
尚、図３３のＳN ，ＳN+1 ，ＳN+2 は走査線に印加した
電圧波形を表わしており、Ｉは代表的な情報線に印加し
た電圧波形を表わしている。（Ｉ−ＳN ）は、情報線Ｉ
と走査線ＳN との交差部に印加された合成波形である。
又、本実施例では、Ｖ0 ＝５〜８Ｖ、ΔＴ＝２０〜７０
μｓｅｃで行った。
【０２５８】参考例４ 平均粒子径２００Åのシリカ微粒子を６．０重量％のＴ
ｉ：Ｓｉ＝１：１の比率よりなる絶縁膜溶液中に分散
し、５μｍの展色板を用いて印刷を行ない、以下の構造
式（３１−１）で示されるポリイミドを配向膜として用
い、この配向膜を２７０℃で焼成した以外は、参考例３
と同様にしてセルを作製した。この時の絶縁層の膜厚は
２００Åであった。
【０２５９】
【化９】
【０２６０】参考例３と同様の試験を行い、コントラス
ト比＝２３：１、光学応答のおくれ時間＝０．２秒の結
果を得た。又、参考例３と同様のマルチプレクシング駆
動による表示を行ったところ、コントラスト及び残像に
ついては参考例３と同様に良好な結果が得られた。
【０２６１】参考例５ 平均粒子径１５０Åのシリカ微粒子を６．０重量％のＴ
ｉ：Ｓｉ＝１：１の比率よりなる絶縁膜溶液中に分散
し、５μｍの展色板を用いて印刷を行なった以外は、参
考例３と同様にしてセルを作製した。この時の絶縁層の
膜厚は２００Åであった。
【０２６２】参考例３と同様の試験を行い、コントラス
ト比＝２４：１、光学応答のおくれ時間＝０．３秒の結
果を得た。又、参考例３と同様のマルチプレクシング駆
動による表示を行ったところ、コントラスト及び残像に
ついては参考例３と同様に良好な結果が得られた。
【０２６３】
【０２６４】
【０２６５】
【０２６６】実施例２５ １５００Å厚のＩＴＯ透明電極が付いたガラス基板に、
東レ（株）製の有機配向制御膜セミコファインＬｐ６４
をＮＭＰ／ｎ−ＢＣ＝２／１溶液で０．４ｗｔ％に希釈
した溶液を２７００ｒｐｍ、２０Ｓの条件でスピンコー
トし、２００℃で１時間焼成した。この時配向膜厚はエ
リプソメーターで測定し、３０Åであった。また、下地
のＩＴＯ表面の凹凸はＳＴＭ（トンネル走査型顕微鏡）
で観察した結果、平均高低差１５０Å、凹凸の平均周期
２００Åであった。
【０２６７】この基板をナイロン布で押し込み量０．４
ｍｍ、回転数１０００ｒｐｍ、基板送り速度１２ｍｍ／
Ｓのラビング条件で擦り、配向制御膜に一軸性を与え
た。次に、この基板を１．５μｍ粒径のビーズスペーサ
を介して貼り合わせ、セルを作成した。この空セルに下
記の物性値を持つＦＬＣ１を減圧下で液体相に昇温し、
毛管現象によって注入した。
【０２６８】ＦＬＣ１の物性（２５℃） Θ＝２７°、 Ｐｓ＝９０ｎＣ／ｃｍ2
【０２６９】
【数１２】相系列
【０２７０】このサンプルに±１０Ｖ、１０Ｈｚの矩形
波電圧を印加しながら、８０℃から２５℃まで徐冷した
ところ、均一な縞状配向が得られ、みかけのチルト角は
２５．５°であった。
【０２７１】この状態にΔＴ＝４０μＳ、±１０Ｖの双
極性パルス電圧を印加した時の透過光特性を測定した
所、図３４の（ａ）のような良好なスイッチングメモリ
ー特性が得られた。尚、本実施例の基板を図２４に、Ｉ
ＴＯの膜厚を２００Åとし、凹凸の度合が少なく、乱れ
た配向となった例を図２３に夫々示す。
【０２７２】参考例６ ２価スズアセチルアセトンを１．５ｗｔ％の割合で溶解
したブタノール溶液に平均粒径５００Åのシリカビーズ
を０．１ｗｔ％の割合で混ぜ超音波分散した後、３００
０ｒｐｍ、３０ｓのスピン条件で厚さ７００ÅのＩＴＯ
付ガラス基板に塗布した。成膜後約１時間、３０℃で加
熱焼成処理を施し、スズ酸化物膜を形成した。この時の
膜厚は３００Åであった。この時の表面凹凸は平均高低
差２００Å、凹凸の平均周期１０００Åであった。
【０２７３】また、この塗膜にアルミニウムを電極とし
て蒸着し、１００℃で減圧乾燥後、アルミニウム電極
（１ｃｍ2 ）と透明電極間の抵抗値を、Ｙ．Ｈ．Ｐ社製
４１９２Ａ ＬＦ ＩＭＰＥＤＡＮＣＥ ＡＮＡＬＹＺ
ＥＲ により２０ＫＨｚの交流で測定したところ８Ωで
あった。
【０２７４】次に、この上に東レ（株）製の有機配向制
御膜、セミコファインＬｐ６４をＮＭＰ／ｎ−ＢＣ＝２
／１溶液で１．０＝ｗｔ％に希釈した溶液を２７００ｒ
ｐｍ、２０Ｓの条件でスピンコートし、２００℃で１時
間焼成した。
【０２７５】この時の配向膜厚は９０Åであった。この
基板をナイロン布で押込み０．４ｍｍ、回転数１０００
ｒｐｍ、基板送り速度１２ｍｍ／ｓの条件でラビング
し、１．５μｍ粒径のビーズを介して貼り合わせセルを
作成した。この空セルにＦＬＣ１を実施例３３と同様に
注入、配向させたところ良好な縞状配向が得られた。こ
の状態にΔＴ＝４０μＳ、±１０Ｖの双極性パルス電圧
を印加した時の透過光特性を測定したところ、図２
（ｂ）の特性が得られ、良好なスイッチング、メモリー
特性が得られた。
【０２７６】実施例２６ １５００Å厚のＩＴＯ透明電極が付いたガラス基板に、
日産化学（株）製の有機配向制御膜サンエバーＳＥ１０
０をＮＭＰ／ｎ−ＢＣ＝１／１溶液で０．４ｗｔ％に希
釈した溶液スピナーで塗布し、２７０℃で１時間焼成し
た。この時配向膜厚は３０Åあった。この下地のＩＴＯ
表面の凹凸は実施例２５と同様である。
【０２７７】この基板をナイロン布で押込み量０．４ｍ
ｍ、回転数１０００ｒｐｍ、基板送り速度１２ｍｍ／ｓ
のラビング条件で擦り、配向制御膜に一軸性を与えた。
次に、この基板を１．５μｍの粒径のビーズを介して
貼り合わせ、セルを作成した。この空セルに下記の物性
値を持つＦＬＣ２を減圧下で液体相に昇温し、毛管現象
によって注入した。
【０２７８】ＦＬＣ２の物性（２５℃） Θ＝２３°、 Ｐｓ＝２８ｎＣ／ｃｍ2
【０２７９】
【数１３】相系列
【０２８０】このサンプルを液体相からＳｃ* 相（２５
℃）に徐冷し、±２５Ｖ、１０Ｈｚの矩形波電圧を印加
した。その結果均一な縞状配向が得られ、スイッチン
グ、メモリー特性も良好であった。
【０２８１】ところで、配向制御膜の希釈濃度を１．０
ｗｔ％にし、スピンコート条件を２０００ｒｐｍ、２０
ｓとした所、配向制御膜厚が１５０Åにした以外は、実
施例１と全く同様の処理を行なった所、配向状態は均一
で縞状配向が形成されたが、スイッチングメモリー特性
は図２（３）に示すように１００％スイッチング、メモ
リーせず、良好な特性は得られなかった。
【０２８２】又、２００Å厚のＩＴＯの付いたガラス基
板を用いた以外は実施例２５と全く同様の処理を行なっ
た所、縞状配向は形成されたものの、縞の傾きに場所に
よるばらつき、つまり軸性の乱れがあった。この状態で
は、良好なスイッチング、メモリー特性は得られなかっ
た。（図２３参照）
【０２８３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶素子
によれば、配向膜の物理的及び化学的な表面状態を改善
することにより、コントラストの良い表示特性を得るこ
とができる上、長期駆動時に生じる液晶分子の移動現象
を阻止でき、均一で優れた表示特性を長期間保持でき
る。
【０２８４】また、本発明によれば、表面に特定の寸法
の凹凸形状（好ましくはディンプル）を特定の密度で形
成した配向制御層を用いることにより、強誘電性液晶の
連絡駆動により起こり得るセル端部での厚さ変動の原因
となる液晶分子の移動が効果的に抑制された安定な駆動
特性の強誘電性液晶素子が提供される。
【０２８５】更に、本発明によれば、絶縁膜表面に凹凸
を形状することより、素子駆動時に生じる液晶分子の移
動を減少させ、セル端部でのセル厚の増加による変色を
著しく低減でき、長時間の駆動に対して安定な配向状態
を維持することが可能になった。
【０２８６】
【０２８７】
【０２８８】
【０２８９】又、本発明によれば、第１の絶縁層上に無
機微粒子を散布し、その上に真空成膜装置によって第２
の絶縁層を形成するようにしたため、無機微粒子のシャ
ドイング効果により所望のディンプルを形成することが
でき、その液晶移動低減作用による黄変や空隙発生の抑
止効果を最適化することができる。
【０２９０】加えて、本発明によれば、液晶の移動が抑
えられ、セル厚に偏りを生じにくいため、セル端部での
黄変が防止され、高品質な画像表示装置や記録装置を提
供できる。
【０２９１】また、本発明によれば、安定なＣ１ユニフ
ォーム配向が得れ、従来用いられていたＣ２配向におけ
る双安定性状態よりも、輝度が大きく、しかも、コント
ラストが高い画像表示が可能となった。
【０２９２】更に、本発明によれば、たとえば、一対の
電極とポリイミド配向膜を有する基板間に強誘電性液晶
を封入した液晶表示素子において、電極を設けた基板上
に、ｎ−ブチルカルビトールを２０〜６０ｗｔ％含みポ
リイミドまたはその前駆体の樹脂濃度が２〜６ｗｔ％で
ある配向膜形成用溶液を塗布した後、温度１８〜２７
℃、湿度３５〜６０％ＲＨの環境中に３０分以上放置
し、その後加熱処理により１５０〜４００Åの膜厚を有
するポリイミド配向膜を形成することにより、液晶の移
動を制御できると同時に均一な配向性を保持した液晶表
示素子が得られる。
【０２９３】またセルギャップと同等あるいはそれ以下
の大きさの粒子を混入した配向膜形成用溶液を電極を設
けた基板上に塗布した後、加熱処理により配向制御膜を
形成し、その後粒子を除去することにより、液晶の移動
を低減させるような凹凸が配向制御膜表面に形成される
ため、混入する粒子径、混入量を制御することにより、
凹凸を安定して、確実に作ることができる。したがっ
て、液晶の移動を確実に制御することができる。
【０２９４】本発明によれば、配向膜厚を所望の厚み以
下にし、配向膜の下地の凹凸を最適化することによっ
て、配向が均一でしかも、スイッチング及びメモリー性
の良好な強誘電性液晶素子を実現できる。
【０２９５】又、本発明によれば、配向膜材料の選択の
幅が広がりポリアミド等の高温処理を必要としない材料
をも使用でき、生産性に優れかつ得られた液晶素子にお
いては、明状態と暗状態でのコントラストが高く、特に
マルチプレクシング駆動時の表示コントラストが非常に
大きく高品位の表示が得られ、しかも目ざわりな残像現
象が生じない。
【０２９６】尚、前記配向膜形成用溶液に混入する粒子
はＳｉＯ2ビーズに限らず、焼成温度を、たとえば約３
００℃以上の耐熱性のある材料であればよい。又、本発
明は本発明の主旨の範囲内で変形、組合せて良いのは、
いうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は夫々液晶分子の移
動方向と結果として起こるセル端部領域での厚さ増加を
説明するための模式図である。
【図２】カイラルスメクチック液晶のＣ１配向とＣ２配
向を模式的に説明するための説明図である。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、それぞれＣ１配
向およびＣ２配向の各状態における基板間の各位置での
ダイレクタの配置を示す説明図である。
【図４】液晶の移動の様子を模式的に説明するための説
明図である。
【図５】強誘電性液晶の動作を説明するために、セルを
模式的に描いた説明図である。
【図６】非らせん構造の分子配列をもつカイラルスメク
チック液晶の動作を説明するために、セルを模式的に描
いた説明図である。
【図７】本発明の実施例に係る液晶セルを模式的に示す
断面図である。
【図８】本発明に係るディンプルの形状を模式的に示す
断面図である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）はそれぞれ配向制御
膜のＳｉＯ2 ビーズの除去前および除去後の形状を模式
的に示す断面図である。
【図１０】本発明の参考例に係る液晶セルを模式的に示
す断面図である。
【図１１】図１１（Ａ）〜図１１（Ｅ）は夫々本発明の
一実施例に係る絶縁層形成プロセスを説明するための模
式的断面図である。
【図１２】本発明の実施例に係る液晶セルを模式的に示
す断面図である。
【図１３】実施例１１に従い、配向制御層上に形成され
た凹凸形状を示すための薄膜のＳＴＭ（走査型トンネル
顕微鏡）写真である。
【図１４】実施例１２に従い、配向制御層上に形成され
た凹凸形状を示すための薄膜のＳＴＭ（走査型トンネル
顕微鏡）写真である。
【図１５】実施例１１〜１３の比較例として作製された
凹凸形状の実質的に形成されなかった配向制御層、表面
層を示すための薄膜のＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）
写真である。
【図１６】図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）は夫々本発明
におけるディンプルの形状を説明するための模式的説明
図である。
【図１７】本発明の比較参考例に係る液晶セルを模式的
に示す断面図である。
【図１８】本発明の比較参考例に係る液晶セルを模式的
に示す断面図である。
【図１９】本発明の実施例に係る液晶セルを模式的に示
す断面図である。
【図２０】本発明の比較参考例に係る強誘電性液晶素子
の模式的平面図である。
【図２１】本発明の比較参考例に係る液晶セルを模式的
に示す断面図である。
【図２２】本発明の参考例に係る液晶セルを模式的に示
す断面図である。
【図２３】本発明の比較例の配向状態を説明すための薄
膜の顕微鏡写真である。
【図２４】本発明の実施例２５で得られた基板の配向状
態を説明するための薄膜の顕微鏡写真である。
【図２５】本発明における配向膜による配向方法で配向
したカイラルスメクチック液晶の配向状態を示す模式的
断面図である。
【図２６】図２５のカイラルスメクチック液晶のユニフ
ォーム配向状態におけるＣ−ダイレクタ図である。
【図２７】スプレイ配向状態におけるＣ−ダイレクタ図
である。
【図２８】図２８（Ａ）はユニフォーム配向状態におけ
るチルト角θを示す説明図、図２８（Ｂ）はスプレイ配
向状態におけるチルト角θを示す説明図である。
【図２９】図２９（Ａ）〜図２９（Ｃ）は夫々強誘電性
液晶内の電荷分布、自発分極Ｐｓの向き及び逆電界Ｖ
rev の向きを示す模式的断面図である。
【図３０】電界印加時及び印加後のチルト角θの変化を
示す説明図である。
【図３１】従来の液晶素子における光学応答特性を説明
するためのグラフである。
【図３２】本発明の液晶素子における光学応答特性の一
例を示すグラフである。
【図３３】本発明の参考例３で用いた駆動電圧の波形図
である。
【図３４】本発明の実施例２５とその比較例のスイッチ
ングメモリー特性を説明するための透過特性図である。
【符号の説明】
１１ａ 上基板 １１ｂ 下基板 １７ａ，１７ｂ 偏光板 ２２ 液晶移動方向 ２０ ラビング方向 ２２ 矢印 ２３ 領域 ２１，２１′ 平均分子軸方向 ３１ スメクチック層 ３２ Ｃ１配向の領域 ３３ Ｃ２配向の領域 ３４ ライトニング欠陥 ３５ ヘアピン欠陥 ５１，５２ スプレイ状態 ５３，５４ ユニフォーム状態 ５５，５６ 内部のスイッチングでの状態 ６１，６３ 白または黒の定型パターン ６５ セル端部領域 ６７ 空隙領域 ６９ セルのシール ５２１ａ，５２１ｂ 基板 ５２２ 液晶分子層 ５２３ 液晶分子 ５２４ 双極子モーメント ５３１ａ，５３１ｂ 電圧印加手段 ５３２ 垂直層 ５３３ａ 第１の安定状態 ５３３ｂ 第２の安定状態 ５３４ａ 上向き双極子モーメント ５３４ｂ 下向き双極子モーメント Ｅａ，Ｅｂ 電界 ７１１ａ 上基板 ７１１ｂ 下基板 ７１２ａ，７１２ｂ 透明電極 ７１３ａ，７１３ｂ 配向制御膜 ７１４ シリカビーズ ７１６ 強誘電性スメクチック液晶 ７１７ａ，７１７ｂ 絶縁膜 ７１８ ディンプル ７２８ ＳｉＯ2 ビーズ １０１１ａ 上基板 １０１１ｂ 下基板 １０１２ａ，１０１２ｂ 透明電極 １０１３ａ，１０１３ｂ 絶縁膜 １０１４ａ，１０１４ｂ 配向制御膜 １０１５ 強誘電性スメクチック液晶 １１０１ 透明電極 １１０２ 第１の絶縁膜 １１０３ ＳｉＯ2 の真球ビーズ １１０４ ディンプル（ｄｉｍｐｌｅ） １１１４ 基板 １２１１ａ 上基板 １２１１ｂ 下基板 １２１２ａ，１２１２ｂ 透明電極 １２１３ａ，１２１３ｂ 絶縁膜 １２１４ａ、１２１４ｂ 配向制御層（膜） １２１０ｂ 上側電極基板 １２１０ｂ 下側電極基板 １２１５ 強誘電性スメクチック液晶 １２１７ａ、１２１７ｂ 偏光板 １９１１ａ，１９１１ｂ 基板 １９１２ａ，１９１２ｂ 透明電極 １９１３ａ，１９１３ｂ 絶縁膜 １９１４ａ，１９１４ｂ 配向制御膜 １９１５ 強誘電性スメクチック液晶 １９１６ シール剤 １９１７ スペーサー １９１８ 接着微粒子 ２２１１ａ，２２１１ｂ ガラス基板 ２２１２ａ，２２１２ｂ 透明電極 ２２１３ａ，２２１３ｂ 絶縁膜 ２２１４ａ，２２１４ｂ 配向膜 ２２１５ 強誘電性カイラルスメクチック液晶 ２２１６ ビーズスペーサー ２２１８ 微粒子 ２５５０ 液晶分子層 ２５５１ａ 上基板 ２５５１ｂ 下基板 ２５５２ 液晶分子 ２５５３ 円錐 ２５５４ 底面 ２５６０ ラビング処理軸 ２５６１ａ 配向状態Ｕ1 での平均分子軸 ２５６１ｂ 配向状態Ｕ2 での平均分子軸 ２５６２ａ 配向状態Ｓ1 での平均分子軸 ２５６２ｂ 配向状態Ｓ2 での平均分子軸 ２５８１ Ｃ−ダイレクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平4−18430 (32)優先日 平成４年１月８日(1992．1．8) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平4−31358 (32)優先日 平成４年１月23日(1992．1．23) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平4−32860 (32)優先日 平成４年１月24日(1992．1．24) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平4−36901 (32)優先日 平成４年１月29日(1992．1．29) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平4−40606 (32)優先日 平成４年１月31日(1992．1．31) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 中村 勝利 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 羽生 由紀夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 和田 隆亜 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 小寺 泰人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 谷口 修 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 三原 正 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 堀田 薫央 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 大沼 健次 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−22623（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−126227（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−252624（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−44078（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−72323（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1333 505 G02F 1/1337 510 G02F 1/1337 520 G02F 1/1337 525

Claims (37)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 それぞれ配向制御層を有する一対の電極
    基板間に強誘電性液晶を保持してなり、該配向制御層の
    少なくとも一方の表面には、径０．１〜１０μｍ、高低
    差２〜３０ｎｍの凹凸形状が１００００個／ｍｍ 2 以上
    の密度で形成され、かつ該凹凸形状が、主溶剤と該主溶
    剤より高い沸点を有する副溶剤とからなる混合溶剤を含
    む配向制御層形成用溶液を電極基板上に塗布後、焼成す
    ることにより、配向制御層を形成する過程で形成された
    ものであることを特徴とする強誘電性液晶素子。
  2. 【請求項２】 それぞれ配向制御層を有する一対の電極
    基板間に強誘電性液晶を保持してなり、該配向制御層の
    少なくとも一方の表面には、径０．１〜１０μｍ、高低
    差２〜３０ｎｍの凹凸形状が１００００個／ｍｍ 2 以上
    の密度で形成され、かつ該凹凸形状が、配向制御層を一
    旦層形成した後、微粒子を表面に吹き付けることにより
    形成されたものであることを特徴とする強誘電性液晶素
    子。
  3. 【請求項３】 前記微粒子が氷の微粒子である請求項２
    記載の強誘電性液晶素子。
  4. 【請求項４】 前記微粒子が無機酸化物微粒子である請
    求項２記載の強誘電性液晶素子。
  5. 【請求項５】 それぞれ配向制御層を有する一対の電極
    基板間に強誘電性液晶を保持してなり、該配向制御層の
    少なくとも一方の表面には、径０．１〜１０μｍ、高低
    差２〜３０ｎｍの凹凸形状が１００００個／ｍｍ 2 以上
    の密度で形成され、かつ該凹凸形状が、配向制御層を一
    旦層形成した後、その表面にスタンパーの表面凹凸形状
    を圧着、転写することにより形成されたものであること
    を特徴とする強誘電性液晶素子。
  6. 【請求項６】 それぞれ配向制御層を有する一対の電極
    基板間に強誘電性液晶を保持してなり、該配向制御層の
    少なくとも一方の表面には、径０．１〜１０μｍ、高低
    差２〜３０ｎｍの凹凸形状が１００００個／ｍｍ 2 以上
    の密度で形成され、かつ該凹凸形状が、一対の電極基板
    間隙と同等あるいはそれ以下の粒径を有する微粒子を混
    入した配向制御層形成用溶液を電極基板上に塗布し、加
    熱により層形成し、微粒子を除去することにより該配向
    制御層を形成する過程で形成されたものであることを特
    徴とする強誘電性液晶素子。
  7. 【請求項７】 該微粒子が２００℃以上の耐熱性を有す
    る請求項６記載の強誘電性液晶素子。
  8. 【請求項８】 該微粒子の除去を該配向制御層への一軸
    性配向処理と実質的に同時に行なう請求項６記載の強誘
    電性液晶素子。
  9. 【請求項９】 該微粒子の除去を、有機溶剤および水の
    少なくとも一つを含む液体中での配向制御層の超音波洗
    浄により行なう請求項６記載の強誘電性液晶素子。
  10. 【請求項１０】 透明電極の形成された一対の基板のう
    ち、少なくとも一方の基板にポリイミド配向膜を有し、
    これらの基板間に強誘電性液晶を挟持している液晶素子
    において、前記配向膜は、その表面に微細な凹凸形状を
    有するとともに、表面近傍の炭素原子比率が化学構造か
    ら算出される比率より大きいことを特徴とする強誘電性
    液晶素子。
  11. 【請求項１１】 強誘電性液晶と、この強誘電性液晶を
    間に保持して対向するとともに、その対向面にはそれぞ
    れ強誘電性液晶に電圧を印加するための電極が形成さ
    れ、強誘電性液晶を配向するための一軸性配向処理が施
    された一対の基板を備えた液晶素子において、液晶を配
    向するための配向膜の厚さｄを１００Å以下にし、かつ
    配向膜の下地の凹凸の平均高低差が５００Å以下で、凹
    凸の平均周期が１０００Å以下であることを特徴とする
    強誘電性液晶素子。
  12. 【請求項１２】 前記配向制御膜の下地が透明電極であ
    り、その透明電極の厚さを制御することによって所定の
    凹凸を得ることを特徴とする請求項１１記載の強誘電性
    液晶素子。
  13. 【請求項１３】 前記配向制御膜の下地が凹凸を有する
    低抵抗ショート防止層であることを特徴とする請求項１
    １記載の強誘電性液晶素子。
  14. 【請求項１４】 前記低抵抗配向制御膜の凹凸形成が微
    粒子によってなされていることを特徴とする請求項１３
    記載の強誘電性液晶素子。
  15. 【請求項１５】 前記液晶素子の配向状態は、交流電場
    を印加されて見かけのチルト角θａが小さい状態から、
    大きい状態に変化することを特徴とする請求項１１記載
    の強誘電性液晶素子。
  16. 【請求項１６】 前記凹凸の平均高低差が１００〜５０
    ０Åである請求項１１記載の強誘電性液晶素子。
  17. 【請求項１７】 前記凹凸の平均周期が１００〜１００
    ０Åである請求項１１記載の強誘電性液晶素子。
  18. 【請求項１８】 強誘電性液晶と、この強誘電性液晶を
    間に保持して対向するとともに、その対向面にはそれぞ
    れ強誘電性液晶に電圧を印加するための電極が形成さ
    れ、強誘電性液晶を配向するための一軸性配向処理が施
    された一対の基板を備え、実効的なチルト角がＡＣ電界
    印加によって、ＡＣ電界印加前より広くされた液晶素子
    であって、配向膜の下地の凹凸の平均高低差が５００Å
    以下で、凹凸の平均周期が１０００Å以下であることを
    特徴とする強誘電性液晶素子。
  19. 【請求項１９】 前記凹凸の平均高低差が１００〜５０
    ０Åである請求項１８記載の強誘電性液晶素子。
  20. 【請求項２０】 前記凹凸の平均周期が１００〜１００
    ０Åである請求項１８記載の強誘電性液晶素子。
  21. 【請求項２１】 電極の形成された一対の基板のうち、
    少なくとも一方の基板上には、少なくとも一層以上の絶
    縁膜、及び一軸性配向処理の施された配向制御膜が配置
    されており、その基板間に強誘電性液晶を挟持している
    液晶素子において、上記絶縁膜表面に、 幅 ０．１〜２０μｍ 高低差 １００〜２０００Å 密度 ２，５００個／ｍｍ2以上 の凹凸形状を有することを特徴とする強誘電性液晶素
    子。
  22. 【請求項２２】 強誘電性液晶が少なくとも２つの安定
    状態を示し、それらの光学軸のなす角度の１／２である
    θａと強誘電性液晶のチルト角Θとが 【数４】Θ＞θａ＞Θ／２ で表される配向状態を有することを特徴とする請求項２
    １記載の強誘電性液晶素子。
  23. 【請求項２３】 請求項２１に記載の強誘電性液晶を製
    造する方法であって、互いに沸点の異なる２種以上の溶
    剤の混合溶液を用いた絶縁膜溶液を塗布焼成することに
    より、基板上に絶縁膜を形成することを特徴とする強誘
    電性液晶素子の製造方法。
  24. 【請求項２４】 絶縁膜溶液として、主溶剤と、それよ
    りも沸点の高い貧溶剤の混合液を用いることを特徴とす
    る請求項２３記載の強誘電性液晶素子の製造方法。
  25. 【請求項２５】 電極上に配向膜を設けた一対の電極基
    板を対向配置し、該基板間に強誘電性液晶を封入した液
    晶素子の製造方法において、電極を形成した基板上に配
    向膜形成用溶液を塗布し、この状態で所定時間以上放置
    し、該所定の放置時間はセル厚変化を所定値以下に抑え
    るのに十分な量の凹凸を配向膜表面に形成するために必
    要な時間であることを特徴とする強誘電性液晶素子の製
    造方法。
  26. 【請求項２６】 前記十分な量の凹凸は、セル厚変化を
    約１０％以下に抑える量の凹凸であることを特徴とする
    請求項２５記載の強誘電性液晶素子の製造方法。
  27. 【請求項２７】 前記放置時間は３０分以上であること
    を特徴とする請求項２５記載の強誘電性液晶素子の製造
    方法。
  28. 【請求項２８】 前記配向膜形成用溶液はｎ−ブチルカ
    ルビトールを含むことを特徴とする請求項２５記載の強
    誘電性液晶素子の製造方法。
  29. 【請求項２９】 前記配向膜はポリイミド配向膜である
    ことを特徴とする請求項２５記載の強誘電性液晶素子の
    製造方法。
  30. 【請求項３０】 電極上に配向膜を設けた一対の電極基
    板を対向配置し、該基板間に強誘電性液晶を封入した液
    晶表示素子の製造方法において、前記両基板間の間隙ま
    たはそれ以下の粒径の粒子を前記配向膜形成用溶液に混
    入し、配向膜形成後に前記粒子を除去して該粒子跡の配
    向膜表面に凹凸を形成することを特徴とする強誘電性液
    晶素子の製造方法。
  31. 【請求項３１】 前記粒子を、配向膜ラビング工程で除
    去して配向膜表面に凹凸を形成することを特徴とする請
    求項３０記載の強誘電性液晶素子の製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記粒子を、有機溶剤を含む溶液を用
    いた超音波洗浄により除去して配向膜表面に凹凸を形成
    することを特徴とする請求項３０記載の強誘電性液晶素
    子の製造方法。
  33. 【請求項３３】 液晶駆動用の電極群をそれぞれ有する
    １組の基板間に絶縁層を介して強誘電性液晶を保持して
    成る強誘電性液晶素子の製造方法において、各基板の絶
    縁層を形成するに際しては、液晶駆動用の電極群が形成
    された基板面の上に第１の絶縁層を形成する第１工程
    と、第１の絶縁層が形成された基板面の上に直径１μｍ
    以下の無機微粒子を散布する第２工程と、無機微粒子が
    散布された基板上に第２の絶縁層を形成する第３工程と
    を具備することを特徴とする強誘電性液晶素子の製造方
    法。
  34. 【請求項３４】 前記強誘電性液晶は、そのコーン角Θ
    および見かけのチルト角θａの間に、Θ＞θａ＞Θ／２
    の関係を有するユニフォーム配向であることを特徴とす
    る請求項３３記載の強誘電性液晶素子の製造方法。
  35. 【請求項３５】 前記各基板の電極群は、それぞれ選択
    電極と共通電極である請求項３３記載の強誘電性液晶素
    子の製造方法。
  36. 【請求項３６】 前記第３工程の後に、基板面から無機
    微粒子を取り除く第４工程を有する請求項３３記載の強
    誘電性液晶素子の製造方法。
  37. 【請求項３７】 前記第２の絶縁層を真空成膜装置で形
    成する請求項３３記載の強誘電性液晶素子の製造方法。
JP04351573A 1991-12-10 1992-12-09 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法 Expired - Fee Related JP3100014B2 (ja)

Applications Claiming Priority (16)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3-349775 1991-12-10
JP34977591 1991-12-10
JP35128091 1991-12-13
JP3-351280 1991-12-13
JP1815092 1992-01-06
JP1843092 1992-01-08
JP3135892 1992-01-23
JP3286092 1992-01-24
JP3690192 1992-01-29
JP4-18150 1992-01-31
JP4-36901 1992-01-31
JP4-31358 1992-01-31
JP4060692 1992-01-31
JP4-40606 1992-01-31
JP4-18430 1992-01-31
JP4-32860 1992-01-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05273537A JPH05273537A (ja) 1993-10-22
JP3100014B2 true JP3100014B2 (ja) 2000-10-16

Family

ID=27571841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04351573A Expired - Fee Related JP3100014B2 (ja) 1991-12-10 1992-12-09 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US5381256A (ja)
EP (3) EP0703483B1 (ja)
JP (1) JP3100014B2 (ja)
AT (3) ATE208054T1 (ja)
DE (3) DE69230786T2 (ja)

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5816677A (en) 1905-03-01 1998-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Backlight device for display apparatus
US5739882A (en) * 1991-11-18 1998-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. LCD polymerized column spacer formed on a modified substrate, from an acrylic resin, on a surface having hydrophilic and hydrophobic portions, or at regular spacings
JP3100014B2 (ja) * 1991-12-10 2000-10-16 キヤノン株式会社 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法
US5594571A (en) * 1991-12-10 1997-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device and process for production thereof
US5434685A (en) * 1992-01-10 1995-07-18 Kent State University Ferroelectric liquid crystal cell, a method of making it, and its use
US5467209A (en) * 1992-01-24 1995-11-14 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device with particular layer thicknesses at non-pixel portions and pixel portions
DE69330854D1 (de) * 1992-07-30 2001-11-08 Canon Kk Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
JP3456493B2 (ja) * 1992-10-24 2003-10-14 ソニー株式会社 液晶素子
US5460749A (en) * 1992-12-25 1995-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and liquid crystal display apparatus
US5629788A (en) * 1992-12-29 1997-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device providing tilt angle inclination angle and ps satisfying relationships at 55 degrees
US5546208A (en) * 1993-02-19 1996-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device involving a mixture of liquid crystal, photo curable resins and reaction initiating material for forming resinous columns
CA2121776C (en) * 1993-04-28 1999-05-25 Yasuto Kodera Liquid crystal device with a liquid crystal in an optical modulation region having a pretilt angle smaller than the liquid crystal in a peripheral region surrounding the optical modulation region
US5539545A (en) * 1993-05-18 1996-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making LCD in which resin columns are cured and the liquid crystal is reoriented
JPH07168188A (ja) * 1993-09-30 1995-07-04 Canon Inc 液晶素子、これを用いた液晶装置、及び液晶表示装置
JP2952150B2 (ja) * 1993-10-08 1999-09-20 キヤノン株式会社 液晶素子及びその製造方法
US5673127A (en) * 1993-12-01 1997-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display panel and display device using a display panel
JP2942161B2 (ja) * 1993-12-28 1999-08-30 キヤノン株式会社 液晶の配向処理方法、該方法を用いた液晶素子の製造方法、並びに液晶素子
US5815230A (en) * 1994-01-27 1998-09-29 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and process for production thereof
US5726725A (en) * 1994-03-31 1998-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and process for production thereof with polyimide alignment film rubbed and then baked
DE19514374C2 (de) * 1994-04-18 1997-05-28 Canon Kk Flüssigkristallvorrichtung und Flüssigkristallgerät, das dieselbe enthält
EP0683417A1 (en) * 1994-05-17 1995-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and liquid crystal apparatus
ATE216090T1 (de) * 1994-08-04 2002-04-15 Canon Kk Flüssigkristallvorrichtung
US5844650A (en) * 1994-10-06 1998-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Rubbing treating apparatus and rubbing treating method including suction passages to hold masking sheets in place
US5986736A (en) * 1995-04-26 1999-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device, image display apparatus and image forming apparatus
US6144435A (en) * 1995-04-28 2000-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus
DE69618413T2 (de) * 1995-10-12 2002-06-20 Canon K.K., Tokio/Tokyo Flüssigkristallzusammensetzung, Flüssigkristallvorrichtung und Flüssigkristallanzeigeapparat
EP0782039A3 (en) 1995-12-27 1998-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Display device and process for producing same
US5999157A (en) * 1995-12-27 1999-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Suppressing liquid crystal movement based on the relationship between a display pattern and a driving waveform
US5885482A (en) * 1995-12-28 1999-03-23 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device, production process thereof and liquid crystal apparatus
US6320639B1 (en) 1996-03-11 2001-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and process for production thereof
TW366434B (en) * 1996-03-15 1999-08-11 Mitsubishi Gas Chemical Co Liquid crystal display device
US5956010A (en) * 1996-05-31 1999-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal apparatus and driving method
US5858482A (en) * 1996-07-26 1999-01-12 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and process for production thereof
US6122032A (en) * 1996-07-31 2000-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Wedge shaped LCD with change in dispersion density of spacers
EP0823654A3 (en) 1996-08-06 1998-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Reflection-type liquid crystal apparatus
US5973761A (en) * 1997-01-31 1999-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectic liquid crystal device having a low-resistivity layer below an alignment control layer
US6181397B1 (en) * 1997-04-01 2001-01-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Reflection-type liquid crystal display panel and method of fabricating the same
JP3827806B2 (ja) * 1997-04-30 2006-09-27 シャープ株式会社 液晶表示パネル
JPH10332925A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Canon Inc カラーフィルタ基板とその製造方法、該基板を用いた液晶素子
JPH11100577A (ja) * 1997-07-31 1999-04-13 Canon Inc 液晶の配向方法、液晶素子の製造方法、該製造方法により得られる液晶素子、液晶装置
US6195147B1 (en) 1997-08-01 2001-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal substrate with optical modulation region having different alignment control forces
US6139927A (en) * 1997-09-18 2000-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device
JPH11142863A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nec Corp 液晶表示パネルおよびその製造方法
JP3559719B2 (ja) 1998-01-13 2004-09-02 キヤノン株式会社 プラズマアドレス型の液晶表示装置
JPH11326957A (ja) * 1998-03-20 1999-11-26 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3667215B2 (ja) * 1999-08-31 2005-07-06 キヤノン株式会社 単結晶性薄膜およびその製造方法
US20070076161A1 (en) * 2000-06-07 2007-04-05 Kabushiki Kaisha Advanced Display Liquid-crystal display device and process of fabricating it
JP2003107438A (ja) * 2000-09-12 2003-04-09 Canon Inc 液晶素子
JP2002201473A (ja) 2000-10-25 2002-07-19 Canon Inc スメクチック高分子液晶及びその製造方法、これを用いた液晶素子
JP2002222858A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002244138A (ja) * 2001-02-16 2002-08-28 Science Univ Of Tokyo 高コントラスト比液晶表示素子の製造方法
TWI246197B (en) * 2001-09-27 2005-12-21 Prime View Int Corp Ltd TFT LCD structure containing conductive balls and the manufacturing method thereof
JP3841158B2 (ja) * 2001-11-22 2006-11-01 株式会社日立製作所 配向処理用ラビング布
JP3806340B2 (ja) * 2001-11-22 2006-08-09 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
JP4381928B2 (ja) * 2004-08-26 2009-12-09 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4082413B2 (ja) * 2005-02-07 2008-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4701452B2 (ja) * 2005-02-23 2011-06-15 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノギャップ電極の製造方法
WO2007123844A1 (en) * 2006-04-17 2007-11-01 Dow Corning Corporation Bistable ferroelectric liquid crystal devices
JP5196602B2 (ja) * 2010-12-13 2013-05-15 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノギャップ電極の製造方法
US9484123B2 (en) 2011-09-16 2016-11-01 Prc-Desoto International, Inc. Conductive sealant compositions
JP6946615B2 (ja) * 2016-06-07 2021-10-06 エルジー・ケム・リミテッド 粒子の塗布方法
JP6900279B2 (ja) 2016-09-13 2021-07-07 キヤノン株式会社 トナー及びトナーの製造方法
CN108761883B (zh) * 2018-08-02 2020-11-27 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种曲面显示器及其制造方法、配向曝光装置
JP7133142B2 (ja) * 2018-08-21 2022-09-08 大日本印刷株式会社 調光ユニット、調光部材
WO2022057738A1 (en) 2020-09-21 2022-03-24 The Hong Kong University Of Science And Technology High-contrast ferroelectric liquid crystal cell

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4367924A (en) * 1980-01-08 1983-01-11 Clark Noel A Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device
DE3107456A1 (de) * 1981-02-27 1982-09-16 Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt Anzeigevorrichtung
US4613209A (en) * 1982-03-23 1986-09-23 At&T Bell Laboratories Smectic liquid crystals
EP0115693B1 (en) * 1983-01-06 1987-08-26 Chisso Corporation Liquid crystalline compounds and mixtures thereof
ATE57187T1 (de) * 1983-03-30 1990-10-15 Lilly Industries Ltd Vincaleukoblastin-derivate.
US4614609A (en) * 1983-06-14 1986-09-30 Chisso Corporation Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof
JPS6028487A (ja) * 1983-07-27 1985-02-13 Alps Electric Co Ltd 液晶組成物
US4561726A (en) * 1983-07-29 1985-12-31 At&T Bell Laboratories Alignment of ferroelectric LCDs
JPS6054341A (ja) * 1983-09-05 1985-03-28 Chisso Corp 液晶性炭酸エステル類
JPS60218358A (ja) * 1984-04-13 1985-11-01 Ajinomoto Co Inc 液晶
US4802740A (en) * 1985-02-13 1989-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal alignment layer containing polyvinyl-alcohol and titanium-alkoxide
US4941736A (en) * 1985-04-23 1990-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device and driving method therefor
JPH0723942B2 (ja) * 1985-08-08 1995-03-15 株式会社半導体エネルギ−研究所 液晶装置
DE3630012A1 (de) * 1985-09-04 1987-04-23 Canon Kk Ferroelektrische fluessigkristallvorrichtung
JPS62161123A (ja) * 1985-09-04 1987-07-17 Canon Inc 液晶素子及びその製法
EP0234429B1 (en) * 1986-02-17 1995-05-24 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device with a charge strage structure
US4802743A (en) * 1986-03-20 1989-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device having color filters wherein the color filters formed from a polyamino resin containing coloring materials
US4820026A (en) * 1986-03-20 1989-04-11 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device with modified polyvinyl alcohol alignment film
JPS62291620A (ja) * 1986-06-11 1987-12-18 Canon Inc 液晶素子
JPS63145320A (ja) * 1986-12-09 1988-06-17 Sanyo Chem Ind Ltd ポリウレタンの製法
US5165076A (en) * 1987-06-12 1992-11-17 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device with particular primer alignment, and liquid crystal layers
US5192596A (en) * 1989-06-02 1993-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device
US5076671A (en) * 1988-12-22 1991-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device having two bistable orientation states in the chiral smectic temperature range
JP2614321B2 (ja) * 1989-06-29 1997-05-28 キヤノン株式会社 液晶素子
AU634031B2 (en) * 1990-03-02 1993-02-11 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal element and liquid crystal apparatus using the same
JPH04212127A (ja) * 1990-04-03 1992-08-03 Canon Inc 液晶素子および表示装置
JPH04140718A (ja) * 1990-10-01 1992-05-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶装置
JPH04161923A (ja) * 1990-10-25 1992-06-05 Canon Inc 液晶表示素子
KR930003683B1 (ko) * 1990-11-29 1993-05-08 주식회사 금성사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2802685B2 (ja) * 1991-01-08 1998-09-24 キヤノン株式会社 強誘電性液晶装置
JP2737032B2 (ja) * 1991-03-28 1998-04-08 キヤノン株式会社 液晶セル
JP2767505B2 (ja) * 1991-08-06 1998-06-18 キヤノン株式会社 液晶素子
ATE147519T1 (de) * 1991-10-30 1997-01-15 Canon Kk Flüssigkristallvorrichtung und anzeigevorrichtung
JP2814157B2 (ja) * 1991-11-08 1998-10-22 キヤノン株式会社 カイラルスメクチック液晶素子
JPH05241138A (ja) * 1991-12-06 1993-09-21 Canon Inc 液晶光学素子
JP3100014B2 (ja) * 1991-12-10 2000-10-16 キヤノン株式会社 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法
US5594569A (en) * 1993-07-22 1997-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE69232177T2 (de) 2002-06-06
EP0703483A1 (en) 1996-03-27
EP0550846B1 (en) 2000-03-15
ATE208054T1 (de) 2001-11-15
US5381256A (en) 1995-01-10
DE69230786D1 (de) 2000-04-20
US5764327A (en) 1998-06-09
ATE208055T1 (de) 2001-11-15
EP0550846A1 (en) 1993-07-14
JPH05273537A (ja) 1993-10-22
ATE190734T1 (de) 2000-04-15
EP0703484B1 (en) 2001-10-31
DE69232178T2 (de) 2002-06-06
DE69232177D1 (de) 2001-12-06
DE69230786T2 (de) 2000-08-03
US5835248A (en) 1998-11-10
EP0703483B1 (en) 2001-10-31
EP0703484A1 (en) 1996-03-27
DE69232178D1 (de) 2001-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3100014B2 (ja) 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法
US5742369A (en) Method of aligning liquid crystals by applying an alternating electric field under periodically changing temperature
JP2612503B2 (ja) 液晶素子
JP2814157B2 (ja) カイラルスメクチック液晶素子
JP2952122B2 (ja) 液晶素子、及びこれを用いた表示装置
US5594571A (en) Ferroelectric liquid crystal device and process for production thereof
CN1064138C (zh) 液晶器件
JP2647828B2 (ja) 液晶素子の製造法
JP2556590B2 (ja) 液晶素子
US5668616A (en) Ferroelectric liquid crystal device with alignment layers having surface unevenness different from each other
JP2704814B2 (ja) 液晶素子
JPH05203961A (ja) 強誘電性液晶素子
JP2983724B2 (ja) 強誘電性液晶素子の配向処理法
JP3180171B2 (ja) 強誘電性液晶素子
JP2657879B2 (ja) 液晶素子
JP2675893B2 (ja) 液晶素子
JPH05273558A (ja) 液晶素子
JPH0731325B2 (ja) 液晶表示装置
JP2784699B2 (ja) 液晶素子
JP3062978B2 (ja) 強誘電性液晶素子
JP2556589B2 (ja) 液晶素子
JPH0540266A (ja) 液晶素子
JPH0675228A (ja) 液晶素子
JPH1082989A (ja) 液晶素子
JPH05216034A (ja) 強誘電性液晶素子

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees