JPH05241138A - 液晶光学素子 - Google Patents
液晶光学素子Info
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- JPH05241138A JPH05241138A JP4339509A JP33950992A JPH05241138A JP H05241138 A JPH05241138 A JP H05241138A JP 4339509 A JP4339509 A JP 4339509A JP 33950992 A JP33950992 A JP 33950992A JP H05241138 A JPH05241138 A JP H05241138A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドメイン広がりの影響を改善し、所望の中間
調を安定して得る。 【構成】 電極と基板とをもつ一対の電極基板および該
一対の電極基板間に配置したカイラルスメクチック液晶
を有する液晶光学素子において、前記一対の電極基板の
うち少なくとも一方の電極基板の電極に微細な絶縁部を
規則的にまたはランダムに設ける。
調を安定して得る。 【構成】 電極と基板とをもつ一対の電極基板および該
一対の電極基板間に配置したカイラルスメクチック液晶
を有する液晶光学素子において、前記一対の電極基板の
うち少なくとも一方の電極基板の電極に微細な絶縁部を
規則的にまたはランダムに設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶光学素子に関し、と
くに自発分極を有し、この作用により光学応答を伴うカ
イラルスメクチック液晶を用いた液晶光学素子に関する
ものである。
くに自発分極を有し、この作用により光学応答を伴うカ
イラルスメクチック液晶を用いた液晶光学素子に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】自発分極を有する液晶として強誘電性カ
イラルスメクチック液晶は、その高速応答性やメモリ性
等の利点に注目され、表示素子、ライトバルブ等の目的
のために積極的に開発されている。上記利点を生かした
装置として、光シャッタアレイ、単純マトリックス駆動
による高精細表示装置、光導電体と組み合わせた高密度
記録のライトバルブ等が実用化されている。
イラルスメクチック液晶は、その高速応答性やメモリ性
等の利点に注目され、表示素子、ライトバルブ等の目的
のために積極的に開発されている。上記利点を生かした
装置として、光シャッタアレイ、単純マトリックス駆動
による高精細表示装置、光導電体と組み合わせた高密度
記録のライトバルブ等が実用化されている。
【０００３】また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を用
いたアクティブマトリクス駆動による動画像表示にも適
用が期待され、この特性は例えば、Ｕ．Ｓ．Ｐ．４８４
０４６２号やProceeding of the SID 、vol 30／2 、19
89 "Ferroelectric Liquid Crystal Video Display" 等
に示されている。例えばこの種の液晶光学素子の駆動法
はＵ．Ｓ．Ｐ．４８４０４６２号に示されるように、リ
セットとライト（書き込み）信号を水平周期に時間分割
して挿入するという方法をとっていた。また、例えば上
記駆動法により階調表示を行う素子は、図７に示すよう
に、ガラス等の基板１１上に電極層１２を形成し、しか
るのち、カイラルスメクチック液晶１４を配向させるた
めの配向層１３を設けラビングしカイラルスメクチック
液晶１４を注入する工程を経て作られていた。
いたアクティブマトリクス駆動による動画像表示にも適
用が期待され、この特性は例えば、Ｕ．Ｓ．Ｐ．４８４
０４６２号やProceeding of the SID 、vol 30／2 、19
89 "Ferroelectric Liquid Crystal Video Display" 等
に示されている。例えばこの種の液晶光学素子の駆動法
はＵ．Ｓ．Ｐ．４８４０４６２号に示されるように、リ
セットとライト（書き込み）信号を水平周期に時間分割
して挿入するという方法をとっていた。また、例えば上
記駆動法により階調表示を行う素子は、図７に示すよう
に、ガラス等の基板１１上に電極層１２を形成し、しか
るのち、カイラルスメクチック液晶１４を配向させるた
めの配向層１３を設けラビングしカイラルスメクチック
液晶１４を注入する工程を経て作られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の液晶光学素子を駆動する場合、一般的に以下のよう
な問題点が生じていた。その１つは、カイラルスメクチ
ック液晶に対し長時間の直流電圧（ＤＣ成分）が連続し
て印加されると、液晶の応答が疎外されることである。
この原因としては上記ＤＣ成分により液晶の内部イオン
の偏在が誘起され、これが電界を形成するためと考えら
れる。これに対し、補助パルスによりＤＣ成分をキャン
セルする提案が例えばヨーロッパ公開明細書第４４８１
０５号でなされている。さらにまた、カイラルスメクチ
ック液晶では分子自身が自発分極に対して偏在する内部
イオンが電界を形成すると考えられる。これに対して
は、リセット区間内に上記自発分極に対して誘起された
内部電界を緩和するような時定数（ＣＲ）を有するカイ
ラルスメクチック液晶材料を用いた素子構成により自発
分極による作用を次フレームに影響させることなく中間
調を安定に形成できる提案が例えばヨーロッパ公開明細
書第４４８０３２号でなされている。しかしながらカイ
ラルスメクチック液晶のドメイン階調を行う場合、電極
／配向層／カイラルスメクチック液晶間での電荷の移動
が行われると同時に、カイラルスメクチック液晶界面で
のチャージ移動の影響により、ドメインが徐々に広が
り、特に高階調を実現する際に悪影響を及ぼすという問
題点があった。
来の液晶光学素子を駆動する場合、一般的に以下のよう
な問題点が生じていた。その１つは、カイラルスメクチ
ック液晶に対し長時間の直流電圧（ＤＣ成分）が連続し
て印加されると、液晶の応答が疎外されることである。
この原因としては上記ＤＣ成分により液晶の内部イオン
の偏在が誘起され、これが電界を形成するためと考えら
れる。これに対し、補助パルスによりＤＣ成分をキャン
セルする提案が例えばヨーロッパ公開明細書第４４８１
０５号でなされている。さらにまた、カイラルスメクチ
ック液晶では分子自身が自発分極に対して偏在する内部
イオンが電界を形成すると考えられる。これに対して
は、リセット区間内に上記自発分極に対して誘起された
内部電界を緩和するような時定数（ＣＲ）を有するカイ
ラルスメクチック液晶材料を用いた素子構成により自発
分極による作用を次フレームに影響させることなく中間
調を安定に形成できる提案が例えばヨーロッパ公開明細
書第４４８０３２号でなされている。しかしながらカイ
ラルスメクチック液晶のドメイン階調を行う場合、電極
／配向層／カイラルスメクチック液晶間での電荷の移動
が行われると同時に、カイラルスメクチック液晶界面で
のチャージ移動の影響により、ドメインが徐々に広が
り、特に高階調を実現する際に悪影響を及ぼすという問
題点があった。
【０００５】尚、ドメイン階調とは、印加電圧の波高値
またはパルス幅が階調に応じた値に設定され、かかる印
加電圧に応じて画素内に白ドメインと黒ドメインとの比
率を可変することによって表現する階調法で、例えば、
Ｕ．Ｓ．Ｐ．４６５５５６１号、Ｕ．Ｓ．Ｐ．４７１２
８７７号、Ｕ．Ｓ．Ｐ．４７６５７２０号、Ｕ．Ｓ．
Ｐ．４７９６９８０号等に明らかにされている。
またはパルス幅が階調に応じた値に設定され、かかる印
加電圧に応じて画素内に白ドメインと黒ドメインとの比
率を可変することによって表現する階調法で、例えば、
Ｕ．Ｓ．Ｐ．４６５５５６１号、Ｕ．Ｓ．Ｐ．４７１２
８７７号、Ｕ．Ｓ．Ｐ．４７６５７２０号、Ｕ．Ｓ．
Ｐ．４７９６９８０号等に明らかにされている。
【０００６】本発明は、上記従来技術の欠点に鑑みなさ
れたものであって、ドメイン階調を行う場合、ドメイン
広がりの影響を改善し、所望の中間調を安定して得るこ
とができる液晶光学素子の提供を目的とする。
れたものであって、ドメイン階調を行う場合、ドメイン
広がりの影響を改善し、所望の中間調を安定して得るこ
とができる液晶光学素子の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、まず、電極と
基板とをもつ一対の電極基板および該一対の電極基板間
に配置したカイラルスメクチック液晶を有する液晶光学
素子において、前記一対の電極基板のうち少なくとも一
方の電極基板の電極に微細な絶縁部を規則的にまたはラ
ンダムに設けてなる液晶光学素子に第１の特徴点があ
り、また、電極と基板とをもつ一対の電極基板および該
一対の電極基板間に配置したカイラルスメクチック液晶
を有する液晶光学素子において、前記一対の電極基板の
うち少なくとも一方の電極基板の電極が該電極の横方向
におけるチャージの移動を抑制するのに十分な微細な絶
縁部を規則的にまたはランダムに形成してなる液晶光学
素子に第２の特徴点がある。
基板とをもつ一対の電極基板および該一対の電極基板間
に配置したカイラルスメクチック液晶を有する液晶光学
素子において、前記一対の電極基板のうち少なくとも一
方の電極基板の電極に微細な絶縁部を規則的にまたはラ
ンダムに設けてなる液晶光学素子に第１の特徴点があ
り、また、電極と基板とをもつ一対の電極基板および該
一対の電極基板間に配置したカイラルスメクチック液晶
を有する液晶光学素子において、前記一対の電極基板の
うち少なくとも一方の電極基板の電極が該電極の横方向
におけるチャージの移動を抑制するのに十分な微細な絶
縁部を規則的にまたはランダムに形成してなる液晶光学
素子に第２の特徴点がある。
【０００８】本発明で用いる液晶としては、強誘電性を
示すカイラルスメクチック液晶が好ましく、カイラルス
メクチックＣ相（ＳｍＣ＊）またはＨ相（ＳｍＨ＊）さ
らにＳｍＩ＊、ＳｍＦ＊、ＳｍＧ＊等を示すものが適し
ている。勿論、本発明の素子構成の範囲で用いられる他
の液晶についても後述するような充分な効果が得られ
る。またこれらの液晶駆動時に、所望の温度範囲内に保
持するために熱的制御を行っても良い。例えば、ポリイ
ミド、ポリピロール、ポリビニルアルコール等の有機膜
を配向層に用いてセルを構成する。
示すカイラルスメクチック液晶が好ましく、カイラルス
メクチックＣ相（ＳｍＣ＊）またはＨ相（ＳｍＨ＊）さ
らにＳｍＩ＊、ＳｍＦ＊、ＳｍＧ＊等を示すものが適し
ている。勿論、本発明の素子構成の範囲で用いられる他
の液晶についても後述するような充分な効果が得られ
る。またこれらの液晶駆動時に、所望の温度範囲内に保
持するために熱的制御を行っても良い。例えば、ポリイ
ミド、ポリピロール、ポリビニルアルコール等の有機膜
を配向層に用いてセルを構成する。
【０００９】
【作用】このような構成の場合、外部から電圧を印加し
駆動しようとするとき、液晶／配向膜間の膜厚方向のチ
ャージのやりとりがスムーズに行えると、前記外部電圧
ＤＣ成分と自発分極によるイオン偏在を素早く緩和する
ことができる。特にテレビレート等の高周波数で階調を
表示する際には、液晶および配向膜ともに抵抗値を下げ
かつ時定数を小さくする等の手段が実用的である。しか
しながら、材料の抵抗値を下げることにより、液晶／配
向膜界面でのチャージのやりとりはスムーズになるもの
のこれがドメイン広がりの傾向も増大させる。これは、
横方向のチャージ拡散等の作用も促進されていると考え
られるからである。そこで、横方向にチャージが移動す
ることによってドメインが広がることを防ぐために、液
晶と電極との界面を絶縁物質で画素内全域にわたって細
かく区切ることにより膜厚方向にはチャージ緩和が素早
く行われるのに対し、ドメイン広がりの影響を改善し、
所望の中間調を安定して表示することができる。
駆動しようとするとき、液晶／配向膜間の膜厚方向のチ
ャージのやりとりがスムーズに行えると、前記外部電圧
ＤＣ成分と自発分極によるイオン偏在を素早く緩和する
ことができる。特にテレビレート等の高周波数で階調を
表示する際には、液晶および配向膜ともに抵抗値を下げ
かつ時定数を小さくする等の手段が実用的である。しか
しながら、材料の抵抗値を下げることにより、液晶／配
向膜界面でのチャージのやりとりはスムーズになるもの
のこれがドメイン広がりの傾向も増大させる。これは、
横方向のチャージ拡散等の作用も促進されていると考え
られるからである。そこで、横方向にチャージが移動す
ることによってドメインが広がることを防ぐために、液
晶と電極との界面を絶縁物質で画素内全域にわたって細
かく区切ることにより膜厚方向にはチャージ緩和が素早
く行われるのに対し、ドメイン広がりの影響を改善し、
所望の中間調を安定して表示することができる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す。同図は
液晶素子の片側の基板上の１画素の断面を示す。この素
子は、例えばガラス基板１上にＩＴＯ等の透明電極２
（１２００Å）を設け、その上に絶縁物３を図のように
画素に対し充分小さいパターンに形成する。その後カイ
ラルスメクチック液晶を配向させるために例えばＳｉＯ
斜方蒸着法により、図示したようなカラム４を形成す
る。このパターンは画素全域に形成することが望まし
く、パターン形状は特に問わない。例えば図２および図
３に示すパターンを形成する。いずれの図も１画素を上
から見た時の電極上の絶縁物の形状を示す。図２は島状
パターンを表し、図３は格子パターンを表している。絶
縁物３は例えばポリイミド３００Å厚をスピンナー塗布
で膜形成で膜形成し、フォトリソ工程によりパターニン
グを行って形成する。パターンのサイズは、図３に示し
た格子パターンマスクを用いライン巾０．４μｍ程度の
ものを形成する。このライン巾はＳｉＯ斜方蒸着カラム
４のカラム径より充分大きい。上記構成によりＦＬＣと
電極界面は導通がよくかつ、ドメインの横拡がりが絶縁
物パターンにより阻害され安定な中間調を形成すること
ができる。
液晶素子の片側の基板上の１画素の断面を示す。この素
子は、例えばガラス基板１上にＩＴＯ等の透明電極２
（１２００Å）を設け、その上に絶縁物３を図のように
画素に対し充分小さいパターンに形成する。その後カイ
ラルスメクチック液晶を配向させるために例えばＳｉＯ
斜方蒸着法により、図示したようなカラム４を形成す
る。このパターンは画素全域に形成することが望まし
く、パターン形状は特に問わない。例えば図２および図
３に示すパターンを形成する。いずれの図も１画素を上
から見た時の電極上の絶縁物の形状を示す。図２は島状
パターンを表し、図３は格子パターンを表している。絶
縁物３は例えばポリイミド３００Å厚をスピンナー塗布
で膜形成で膜形成し、フォトリソ工程によりパターニン
グを行って形成する。パターンのサイズは、図３に示し
た格子パターンマスクを用いライン巾０．４μｍ程度の
ものを形成する。このライン巾はＳｉＯ斜方蒸着カラム
４のカラム径より充分大きい。上記構成によりＦＬＣと
電極界面は導通がよくかつ、ドメインの横拡がりが絶縁
物パターンにより阻害され安定な中間調を形成すること
ができる。
【００１１】図４は本発明の別の実施例を示す。同図は
液晶素子の片側の基板上の１画素の断面を示す。この素
子はガラス基板１上に、ＩＴＯ等の透明電極２を１００
０〜１５００Å程度反応性スパッタ等で膜形成し、表面
を酸素雰囲気中（１０-3〜１０-5Ｔｏｒｒ程度）で基板
温度１５０〜３００℃に保持し、所望のパターンをＥＢ
描画したものである。これにより、０．５〜０．１μｍ
巾の図３のような格子パターン位置に絶縁部を設けるこ
とができる。さらにその上にＳｉＯ斜方蒸着でカラム４
を形成しこれによりＦＬＣを配向させる。上記構成によ
りＦＬＣと電極界面は、導通が良くかつドメインの横拡
がり電極表面上に形成された絶縁部３により阻害され安
定な中間調を形成することができる。
液晶素子の片側の基板上の１画素の断面を示す。この素
子はガラス基板１上に、ＩＴＯ等の透明電極２を１００
０〜１５００Å程度反応性スパッタ等で膜形成し、表面
を酸素雰囲気中（１０-3〜１０-5Ｔｏｒｒ程度）で基板
温度１５０〜３００℃に保持し、所望のパターンをＥＢ
描画したものである。これにより、０．５〜０．１μｍ
巾の図３のような格子パターン位置に絶縁部を設けるこ
とができる。さらにその上にＳｉＯ斜方蒸着でカラム４
を形成しこれによりＦＬＣを配向させる。上記構成によ
りＦＬＣと電極界面は、導通が良くかつドメインの横拡
がり電極表面上に形成された絶縁部３により阻害され安
定な中間調を形成することができる。
【００１２】図５は、本発明のさらに別の実施例の素子
構成を示し素子の片側の基板上の２つの画素の断面を示
したものである。この素子はガラス基板１上に、ＩＴＯ
等の透明電極２を１０００〜１５００Å反応性スパッタ
等で膜形成し、その上にポリシロキサンポリマーにＳｎ
Ｏ2 −Ｓｂの超微粒子を分散させた導電性配向膜４をス
ピナー塗布したのち、１５０℃程度でベークし、５００
〜１０００Åの膜を形成したものである。つぎに該ポリ
シロキサン系導電膜４の表面をラビング処理し、ラビン
グ面を内側に向かい合うようにして１．３μｍのギャッ
プを設け、ＦＬＣを真空注入する。上記導電性ポリマー
４は液晶パネルに一括してスピナー塗布し、膜形成する
ため、図に示すように画素間にも導電性ポリマー層４′
が形成される。この導電性ポリマー層４、４′を、電子
ビームで部分的にポリマーの結合を切断し絶縁化し、図
３に示すような格子状に形成する。また、格子巾は０．
１〜０．６μｍ程度に形成する。用いる導電性ポリマー
は、上記以外にも通常用いられるポリピロール等でもよ
い。また、電子ビーム条件として材料によっては基板加
熱（例えば１００〜３５０℃）を行ってもよい。さらに
電子ビーム以外にレーザ等を用いてもよい。上記構成に
より、カイラルスメクチック液晶と電極界面は、導通が
よく、かつドメインの横拡がりが導電性ポリマー膜中に
形成した絶縁層部によって阻害または抑制され安定な中
間調を形成することができる。さらに前述の実施例に示
したような斜方蒸着カラムを配向層として設けず、本実
施例のように導電性ポリマーを配向層に用いた場合、図
５に示すように画素間にもチャージ移動が起こりこれが
クロストークの原因となる。そこで、本実施例では導電
性ポリマーに絶縁部を形成する際のパターニング工程で
画素間を断絶する。これによりクロストーク等の問題点
が解決される。
構成を示し素子の片側の基板上の２つの画素の断面を示
したものである。この素子はガラス基板１上に、ＩＴＯ
等の透明電極２を１０００〜１５００Å反応性スパッタ
等で膜形成し、その上にポリシロキサンポリマーにＳｎ
Ｏ2 −Ｓｂの超微粒子を分散させた導電性配向膜４をス
ピナー塗布したのち、１５０℃程度でベークし、５００
〜１０００Åの膜を形成したものである。つぎに該ポリ
シロキサン系導電膜４の表面をラビング処理し、ラビン
グ面を内側に向かい合うようにして１．３μｍのギャッ
プを設け、ＦＬＣを真空注入する。上記導電性ポリマー
４は液晶パネルに一括してスピナー塗布し、膜形成する
ため、図に示すように画素間にも導電性ポリマー層４′
が形成される。この導電性ポリマー層４、４′を、電子
ビームで部分的にポリマーの結合を切断し絶縁化し、図
３に示すような格子状に形成する。また、格子巾は０．
１〜０．６μｍ程度に形成する。用いる導電性ポリマー
は、上記以外にも通常用いられるポリピロール等でもよ
い。また、電子ビーム条件として材料によっては基板加
熱（例えば１００〜３５０℃）を行ってもよい。さらに
電子ビーム以外にレーザ等を用いてもよい。上記構成に
より、カイラルスメクチック液晶と電極界面は、導通が
よく、かつドメインの横拡がりが導電性ポリマー膜中に
形成した絶縁層部によって阻害または抑制され安定な中
間調を形成することができる。さらに前述の実施例に示
したような斜方蒸着カラムを配向層として設けず、本実
施例のように導電性ポリマーを配向層に用いた場合、図
５に示すように画素間にもチャージ移動が起こりこれが
クロストークの原因となる。そこで、本実施例では導電
性ポリマーに絶縁部を形成する際のパターニング工程で
画素間を断絶する。これによりクロストーク等の問題点
が解決される。
【００１３】別の実施例として、図５の実施例と同様の
方法で、導電性ポリマーに絶縁部を設け画素内を細かく
区切った上に、さらにＳｉＯ斜方蒸着によってカラムを
形成し、配向を制御してもよい。このような構成におい
ても前述の図５の実施例と同様の効果が得られる。
方法で、導電性ポリマーに絶縁部を設け画素内を細かく
区切った上に、さらにＳｉＯ斜方蒸着によってカラムを
形成し、配向を制御してもよい。このような構成におい
ても前述の図５の実施例と同様の効果が得られる。
【００１４】図６は隣合う２画素の電極表面を示すもの
で、上記実施例と同様の工程でＩＴＯ電極を１０００〜
１５００Å形成しその上に、住友電工社製「フロロポ
ア」（商品名）を張りつけ画素内および画素間共にチャ
ージの横拡がりを防止する絶縁部を設けてある。さらに
その上にＳｉＯ斜方蒸着によりＳｉＯカラムを形成し、
ＦＬＣを配向させる層とする。「フロロポア」はポリテ
トラフルオロエチレンのパウダーを押し固めたのち特定
の条件下で急速に延伸するという製法で作られ、フィブ
リルという非常に微細な繊維構造をもった多孔質体であ
って、その繊維構造の太さは、例えば０．０１〜５μ
ｍ、孔径は０．０２〜１５μｍと巾広く変化させること
ができる。望ましくは、２５６階調等の高階調光学素子
に対しては繊維は０．１μｍより小さく、孔径も５μｍ
より低い「フロロポア」を用いる。以上の構成により、
上記各実施例と同様の効果が得られる。「フロロポア」
以外でも、微細繊維で形成され絶縁性を有している材料
であれば、上記効果を同様に得ることができる。
で、上記実施例と同様の工程でＩＴＯ電極を１０００〜
１５００Å形成しその上に、住友電工社製「フロロポ
ア」（商品名）を張りつけ画素内および画素間共にチャ
ージの横拡がりを防止する絶縁部を設けてある。さらに
その上にＳｉＯ斜方蒸着によりＳｉＯカラムを形成し、
ＦＬＣを配向させる層とする。「フロロポア」はポリテ
トラフルオロエチレンのパウダーを押し固めたのち特定
の条件下で急速に延伸するという製法で作られ、フィブ
リルという非常に微細な繊維構造をもった多孔質体であ
って、その繊維構造の太さは、例えば０．０１〜５μ
ｍ、孔径は０．０２〜１５μｍと巾広く変化させること
ができる。望ましくは、２５６階調等の高階調光学素子
に対しては繊維は０．１μｍより小さく、孔径も５μｍ
より低い「フロロポア」を用いる。以上の構成により、
上記各実施例と同様の効果が得られる。「フロロポア」
以外でも、微細繊維で形成され絶縁性を有している材料
であれば、上記効果を同様に得ることができる。
【００１５】図６中の四角枠内が電極６１であって、１
つの画素を定義づけている。図６中の微細な線状構造が
符号６２で表される繊維構造体であって、白抜部が孔径
０．０２〜１５μｍの多孔質体を構成する空孔部であ
る。
つの画素を定義づけている。図６中の微細な線状構造が
符号６２で表される繊維構造体であって、白抜部が孔径
０．０２〜１５μｍの多孔質体を構成する空孔部であ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、１画素内の電極と液晶との界面で絶縁部分とそうで
ない部分とを細かく隣接させ、かつ隣合う画素間も絶縁
する構成によって、ドメインの横拡がりによる中間調レ
ベル変化のないかつクロストークのない安定した階調表
示を行うことができた。
は、１画素内の電極と液晶との界面で絶縁部分とそうで
ない部分とを細かく隣接させ、かつ隣合う画素間も絶縁
する構成によって、ドメインの横拡がりによる中間調レ
ベル変化のないかつクロストークのない安定した階調表
示を行うことができた。
【図１】 本発明の実施例に係わる液晶素子の電極界面
の断面図である。
の断面図である。
【図２】 本発明に係わる液晶素子の電極上の絶縁層配
置パターンの１例を示す平面図である。
置パターンの１例を示す平面図である。
【図３】 本発明に係わる液晶素子の電極上の絶縁層配
置パターンの別の例を示す平面図である。
置パターンの別の例を示す平面図である。
【図４】 本発明の別の実施例に係わる液晶素子の電極
界面の断面図である。
界面の断面図である。
【図５】 本発明のさらに別の実施例に係わる液晶素子
の電極界面での隣接する２画素部分の断面図である。
の電極界面での隣接する２画素部分の断面図である。
【図６】 本発明の実施例に係わる液晶素子の電極上の
絶縁繊維配置パターンを示す平面図である。
絶縁繊維配置パターンを示す平面図である。
【図７】 従来の液晶素子の構成図である。
１：ガラス基板、２：透明電極、３：絶縁部、４，
４′：導電性配向膜（導電性ポリマー層）、６１：電
極、６２：繊維構造体。
４′：導電性配向膜（導電性ポリマー層）、６１：電
極、６２：繊維構造体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 智子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 電極と基板とをもつ一対の電極基板およ
び該一対の電極基板間に配置したカイラルスメクチック
液晶を有する液晶光学素子において、 前記一対の電極基板のうち少なくとも一方の電極基板の
電極に微細な絶縁部を規則的にまたはランダムに設けて
なることを特徴とする液晶光学素子。 - 【請求項２】 前記微細な絶縁部を設けた電極の上に配
向膜を設けてなる請求項１記載の液晶光学素子。 - 【請求項３】 前記配向膜がラビングしたポリマー膜で
形成した請求項２記載の液晶光学素子。 - 【請求項４】 前記配向膜が斜方蒸着で成膜したＳｉＯ
膜である請求項２記載の液晶光学素子。 - 【請求項５】 前記微細な絶縁膜が２次元的な微小面積
のポリマー膜であって、多数形成した請求項１記載の液
晶光学素子。 - 【請求項６】 前記微細な絶縁膜が前記電極に対して酸
素をドープすることによって形成した微小な絶縁部であ
る請求項１記載の液晶光学素子。 - 【請求項７】 前記微細な絶縁膜が前記電極上に設けた
超微粒子を分散含有した導電性ポリマー膜に対して、微
細な絶縁領域が選択的に形成されるように、絶縁化処理
されてなる請求項１記載の液晶光学素子。 - 【請求項８】 前記微細な絶縁膜が前記電極上に設けた
多孔質体の微細な絶縁性繊維によって形成されてなる請
求項１記載の液晶光学素子。 - 【請求項９】 電極と基板とをもつ一対の電極基板およ
び該一対の電極基板間に配置したカイラルスメクチック
液晶を有する液晶光学素子において、 前記一対の電極基板のうち少なくとも一方の電極基板の
電極が該電極の横方向におけるチャージの移動を抑制す
るのに十分な微細な絶縁部を規則的にまたはランダムに
形成してなることを特徴とする液晶光学素子。 - 【請求項１０】 電極と基板とをもつ一対の電極基板お
よび該一対の電極基板間に配置したカイラルスメクチッ
ク液晶を有する液晶光学素子において、 前記一対の電極基板のうち少なくとも一方の電極基板の
電極が該電極の横方向におけるチャージの移動が抑制さ
れ、該電極の膜厚方向におけるチャージの移動が横方向
におけるチャージの移動より速くなるように、微細な絶
縁膜を規則的にまたはランダムに形成してなることを特
徴とする液晶光学素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34856691 | 1991-12-06 | ||
| JP3-348566 | 1991-12-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241138A true JPH05241138A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=18397884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4339509A Pending JPH05241138A (ja) | 1991-12-06 | 1992-11-27 | 液晶光学素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5270844A (ja) |
| EP (1) | EP0545733B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05241138A (ja) |
| AT (1) | ATE151893T1 (ja) |
| DE (1) | DE69219078T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327272A (en) * | 1991-03-27 | 1994-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation element |
| JP3100014B2 (ja) * | 1991-12-10 | 2000-10-16 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法 |
| US5594571A (en) * | 1991-12-10 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device and process for production thereof |
| US5467209A (en) * | 1992-01-24 | 1995-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with particular layer thicknesses at non-pixel portions and pixel portions |
| US5465169A (en) * | 1992-08-25 | 1995-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with electroconductive protective film and electroconductive alignment film |
| JP3456493B2 (ja) * | 1992-10-24 | 2003-10-14 | ソニー株式会社 | 液晶素子 |
| US5446570A (en) * | 1993-04-27 | 1995-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with projecting portions on the electrodes |
| KR0178418B1 (ko) * | 1994-05-31 | 1999-05-01 | 윤종용 | 액정패널의 제조방법 |
| ATE216090T1 (de) * | 1994-08-04 | 2002-04-15 | Canon Kk | Flüssigkristallvorrichtung |
| US5706064A (en) * | 1995-03-31 | 1998-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer |
| US6181397B1 (en) * | 1997-04-01 | 2001-01-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Reflection-type liquid crystal display panel and method of fabricating the same |
| JP2001117110A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Pioneer Electronic Corp | 液晶パネル |
| US20060044500A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic thin film, method of producing the same, and field effect transistor using the same |
| US7777848B2 (en) * | 2006-03-02 | 2010-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of liquid crystal panel and deuterium oxide surface treatment method of alignment film |
| US11787884B2 (en) * | 2019-12-13 | 2023-10-17 | Kj Chemicals Corporation | Photopolymerization initiator |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS602650B2 (ja) * | 1980-06-26 | 1985-01-23 | シャープ株式会社 | 液晶セル |
| US4561725A (en) * | 1983-02-09 | 1985-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electro-optical device having homogeneous alignment layer hardened with cross-linking agents |
| US4655561A (en) * | 1983-04-19 | 1987-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| JPS60144721A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-07-31 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| US4712877A (en) * | 1985-01-18 | 1987-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric display panel of varying thickness and driving method therefor |
| US4832466A (en) * | 1985-04-13 | 1989-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element |
| US4900135A (en) * | 1985-04-13 | 1990-02-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element |
| JP2654940B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1997-09-17 | キヤノン株式会社 | 電気光学素子の製造方法 |
| US4796980A (en) * | 1986-04-02 | 1989-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal optical modulation device with regions within pixels to initiate nucleation and inversion |
| JP2505756B2 (ja) * | 1986-07-22 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 光学変調素子の駆動法 |
| NL8700627A (nl) * | 1987-03-17 | 1988-10-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het besturen van een vloeibaar kristalweergeefinrichting en bijbehorende weergeefinrichting. |
| US5122888A (en) * | 1987-07-10 | 1992-06-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Focusing plate having phase grating formed by using liquid crystal |
| FR2618587B1 (fr) * | 1987-07-20 | 1992-04-24 | Commissariat Energie Atomique | Ecran a cristal liquide, a electrodes opacifiees dans la zone non commutable de l'ecran et procedes d'obtention d'espaceurs et de traitement de cet ecran |
| US5054890A (en) * | 1988-06-23 | 1991-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| JP2756978B2 (ja) * | 1988-08-04 | 1998-05-25 | キヤノン株式会社 | 液晶セル |
| JPH02216128A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体用透明基板 |
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| JP2805253B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶装置 |
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- 1992-12-04 AT AT92311105T patent/ATE151893T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-12-04 DE DE69219078T patent/DE69219078T2/de not_active Expired - Fee Related
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-
1993
- 1993-09-01 US US08/114,397 patent/US5321538A/en not_active Expired - Fee Related
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| ATE151893T1 (de) | 1997-05-15 |
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