JPS60144721A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、画像形成法及びその装置に関し、詳しくは液
晶、特に強誘電性液晶を用いた画像形成法及びその装置
に関する。

液晶素子は、装置を小型化、薄形化あるいは低消費電力
化が可能なことから、これまでにもディスプレイや光シ
ャッタなどの分野で利用されて来ている。特にディスプ
レイの分野ではいくつかの優れた発明に基いて飛躍的な
進歩がとげられた。

ディスプレイの分野で利用されている液晶素子は、一般
に画像表示単位（画素）をマトリクス状に配置するため
にＸ−Ｙマトリクス電極構造が採用されている。

このディスプレイ素子の駆動法としては、走査電極群に
順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群に
は所定の情報信号をアドレス信号と同期させて並列的に
選択印加する時分割駆動が採用されているが、この表示
素子及びその駆動法は画素数を多くするとデユーティ比
が減少し、このため画像コントラストの低下やクロスト
ークの発生などの問題点を有している他１画素を小さく
して画像の解像力を向上させるにはマ）　ＩＪクス電、
極を高密度で配線することが必要で、このために製造が
煩雑となる欠点を有している。又、画素毎に薄膜トラン
ジスタ（ＴＰＴ　）を設け、画素毎にスイッチングする
方式のディスプレイが提案されているが、画素毎にＴＰ
Ｔを設ける手段が煩雑となっているために、コストの点
において改善が望まれている。

一方１画像信号を液晶素子に与える方法として、前述の
マ）　ＩＪクス電極構造を用いる他にも、例えば長波長
レーザなどによる熱走査方式のものが知られている。画
像信号を熱走査により与える方式のものは、前述した高
密度マ）　ＩＪクス電極構造を必要としないので、リー
ド線の数がはるかに少なくすることができる利点がある
。例えば、第１図み に熱走査により液晶素子に書き逆運像を形成する方法を
表わす。

第１図において１１はガラス等の透明支持板、１２はＩ
　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ　）等の
透明導電層、１３はアルミニウム反射膜、１４は液晶の
配向を制御するための配向制御膜であり、有機または無
機の薄層あるいは蒸着層等が使用適れている。１５は、
温度によりスメクティック相→ネマティック相→等方相
状態と相転移する液晶層であり、この液晶８１５の厚み
はスペーサー１０により保たれている。また、液晶層５
の液晶分子は配向制御膜１４の壁面効果によりセル面に
対し通常一様に垂直（ホメオロピンク）あるいは水平（
ホモジニアス）に保たれる。以下にこの液晶素子の動作
について説明する。画像書き込み時においては液晶層１
５はスメクティックーネマティック相転移の温度近傍の
スメクティック側に保たれる。

これに対し、ＹＡＧレーザー等により像状のレーザ照射
１７’を行なうことにより液晶層１５のうち照射された
像状部分１９のみをネマティック相あるいは等方相状態
へ相転移する。レーザー照射を取り去ると、相転移した
部分は急冷状態となり、散乱状態のスメクティック相如
転移する。このセルに対し読み出し光１７を透明導電層
１２側から照射すると照射光１７ａと１７ｃはほぼ一定
方向にアルミニウム反射膜１３により反射するのに対し
、散乱部分１９に照射される照射光１７ｂは散乱される
。したがってこの反射光１７ｂをスクリーン１６に投影
させることにより１７ａと１７ｃのみはスクリーン１６
上に投射され１７ｂはほとんど投射されない。したがっ
て液晶層１５に記録された像がそのままスクリーン１６
上に投影されることになる。

この像の消去は交流電源１８によりセルに電圧を印加す
るかあるいはセル全体をネマティックあるいは等方状態
に加熱して比較的ゆっくりと冷やすことで可能である。

このような液晶表示素子は、メモリー性のある高密度で
大画面の表示を可能とするが大出力のレーザーを必要と
し、１画面の書き込みに長時間を要し、又液晶素子の面
積を大きくするとさらに書き込み時間が長くなるため拡
大投影型のディスプレイ装置にしか用いる事ができない
という欠点を有している。この他の電極マトリックスを
用いない方法として、電子ビームにより書き込みを行な
う方法があるが、これはＣＲＴと同様に電子ビームの拡
がりにより高い解像力が得られない他、装置の奥行きが
大きくなる等の欠点を有している。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した新規なな画イ９
形成法及びその装置を提供するととＫある。

本発明の別の目的は、高密度で大画面のディスプレイを
形成することができる画像形成法及びその装置を提供す
ることにある。

本発明のかかる目的は、液晶、特に双安定性スメクテイ
ック液晶を挟持する導電体と電荷受容体のうち、前記電
荷受容体の全面又は部分面に亘って一様な極性の電荷を
付与し、前記導電体と電荷受容体の間に電場を形成する
ことによって、液晶の配列方向を一様に第１の安定状態
としてから、前記極性とは反対極性の電荷を電荷受答体
に付与することによって、かかる電荷が伺与された電荷
受答体と導電体の間に電場を形成することによって、前
記液晶の配列方向を第２の安定状態とする工程を有する
画像形成法によって達成される。

又、本発明の方法は液晶とし゛Ｃ前述の双安定性スメク
テイック液晶の他にも、例えばネマティック液晶（正の
誘電的異方性のものあるいは負の誘電的異方性のもの）
やコレステリック液晶を用いることができるが、以下本
発明を双安定性スメクテイック液晶の例で説明する。

以下１本発明を図面に従って説明する。

第２図は１本発明の方法及び装置を模式的に表わす断面
図である。

われる手段として液晶寞子２０２を配装置した例である
。イオン発生器２０１は、例えば特開昭５４−７８１３
４号公報や特公昭５６−３５８７４号公報などに記載の
ものを使用することができる。

第２図に示すイオン発生器２０１は、電極２０３に交流
高電圧が印加され、これと電極２０４との間に生じた電
界により、気体放電を発生させることによって絶縁層２
０５を充放電する。すなわち、絶縁層２０５を充放電す
ることにより、電極２０４の開口部２（］６には正又は
負のイオン源が作られる。２０７は、電極２０４と電極
２０８の間隙を保つ絶縁部材である。

電極２０８と液晶素子２０２の基板２１３（ガラス、プ
ラスチックなど）に設けられた電極２１０との間に直流
電圧を印加することによって、開口部２０６から液晶素
子２０２の電荷受容体２０９に向けてイオンが照射され
る。この際、電極２０４と２０８の間の電界の向きを選
択することによって、正又は負のイオンのうち何れか１
方のイオンが電極２０８に向けることができる。電極２
０８と電極２１０の間は、直流電界により正ゾは負のう
ち何れか一方のイオンのみが電極２１０に向けて照射さ
れる。従って、電極２０４にデジタル画像信号に応じた
信号電圧を印加することによって。

電荷受容体２０９に画像様のイオンが照射されて。

電荷像を形成することができる。

第２図に示すイオン発生器２０１は、開口部２０６を１
画素とすることができ、従って開口部２０６を紙面垂直
方向に多数配置して開口部アレイを形成し、この開口部
アレイを火桶２１１の方向に走査すると、液晶素子２０
２の全面にわたって画偉状の電荷を与えることが可能と
なる。この方式においては開口数だけの駆動素子は必要
とせず、電極２０３への交流印加電圧と電極２０４への
画像信号電圧の間でマトリックス駆動を行なわせること
により、駆動素子の数は大巾に減少させることができる
。

液晶層２１２には１例えばポリイミド、ポリアミドなど
のプラスチックでできた電荷受容体２０９上の静電荷（
例えば、図中では○とした）とそれに誘導されて存在す
る電極２１０中の電荷（例えば、図中では■とした）に
より電界が加わりこの電界により液晶の配列方向に変化
を生じさせる。

液晶層２１２と電荷受容体２０９の間あるいは液晶層２
１２と透明電極２１０の間には、配向制御膜例えばＳｉ
Ｏ＋　５ｉ０２　、、　ＴｉＯ２などの無機化合物の膜
あるいはポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコー
ル、ポリエステルなどの有機化合物の膜を設けることが
でき、透明型ｗＬ２１０の上に設けたこれらの膜は絶縁
膜としても機能することができる。

ここで使用しうる液晶としてはネマティック液晶、コレ
ステリック液晶、スメクティック液晶、り さらにカイラルスメ、ティック液晶等の強誘電性液晶等
電界効果型液晶が最適である。

配向変化を生じさせる電界強度は、液晶の種類により変
化するが０．５〜１０　Ｘ　１０’Ｖ／　ｍ　程度であ
り、これは与えるべき電荷量で表わすと液晶層２１２及
び電荷受容体２０９の誘電率によって変わるが１．５〜
４４ｘｌｃ）’クーロン／コ程度である。

電荷受容層２０９の厚さは、液晶層２１２へ分配印加さ
れる電圧へは余り影響を与えないが、厚くなると電界の
拡がりにより解像方が劣化してぐるので厚さは１画素の
大きさ程度、望ましくはその半分以下がよい。たとえば
１画素の大きさが６０ミクロンであったとすると、その
半分の３０ミクロン程度以下の厚さとすることが望まし
い。

静電荷により、電荷受容体２０９と電極２１０の間には
静電引力が働勤〈ので、電荷受容体２０９が変形りない
よう充分な密度でスベー？−’２１１を設けることが好
ましい。

スペーサー２１１の部分は１画像表示コントラストに悪
影響を及ぼさないように表示方式によっては黒色又は光
散乱状態とする。スベーｔ−２１１のピッチと画素のピ
ッチの比が整数に近くなるとモアレが発生することがあ
るので、これを避けるためにはスペーサー２１１ピツチ
又は角度を選んだり又はランダムに配置することも可能
である。

電荷受容体２０９の抵抗呟は双安定性スメクテイック液
晶の如きメモリー性を有するものを使用する場合には配
向変化に必要な間のみ電荷を保持すれば良いので１０”
Ω・傭程度の低抵抗のものまで用いることができる。こ
の場合には電荷受容層又 に電荷が蓄積しない様に端部を接地外は低い電位に接続
しておくことが望ましい。

画像を書き換える場合には、使用する液晶相に応じた種
々の方法により画像を消去することができる。例えば全
面に一様な電界を加えて書き込み画像を消去することが
でき、この方式の場合にはコロナ放電器を別に設けて帯
電又は除電゛を行なっても良いが、イオン発生器２０１
を用いて、画像信号の代りに消去信号を印加することに
よっても可能である。

次に、このように外部より与えられた一定量の電荷によ
る電界により実効的に液晶の配向変化を得る場合１強誘
電゛性液晶は、他のたとえばネマティック液晶等に比べ
ｌＯ″Ω・ｃｗＬ以上と極めて高インピーダンスである
為電荷をリークさせ為ことがなく最適である。強誘電性
液晶としてカイラルスメクテイック液晶があり、そのう
ちカイラルスメクテイックＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（
ＳｍＨ＊）の液晶が適している。又、この強誘電性液晶
は、電界に対して双安定性を有しており、しかも電界効
果により何れか一方の安定状態に配列したあと、かかる
電界を取り除いてもこの安定状態が維持されるので、本
発明の画像形成法において特に適したものである。

すなわち、本発明の好ましい具体例では、液晶層２１２
け強誘電性液晶が適しており、特に双安定性スメクテイ
ック液晶によって得られる。仁の様な液晶層２１２の具
体例としては、カイラルスメクテイックＣ相（ＳｍＣ”
　）又はＨ相（ＳｍＨ＊）が利用され石。

強誘電性液晶の詳細については、たとえばＬＥ　ＪＯＵ
ＲＮＡＬ　ＤＥ　ＰＨＹＳＩＱＵＥ　ＩＪＴＴＩＪＩＳ
　”　３６（Ｌ−６９）１９７５、　ｒ　Ｆｅｒｒｏｅ
ｌｅｃｔｒｉｃ　ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ　Ｊ　
；　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｉ、ｅｔｔｅｒ
ｓ　”３６　（１］　）１９８０　ｒｓｕｂｍｉｃｒｏ
　５ｅｃｏｎｄ　Ｂ１−５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｏ
ｐｔｉｃ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｉｎ　Ｌｉｑｕｉｄ　
Ｃｒｙｓｔａｌｓ　に”固体物理”１６（１４１）１９
８１　ｒ液晶」等に記載されており１本発明ではこれら
に開示された双安定性を示す強誘電性液晶を用いること
ができる。

強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブチル　シンナメ
ート（ＤＯＢＡＭＢＣ）　、ヘキシルオキシベンジリデ
ン−Ｐ′−アミノ−２−クロロプロビルシンナメ−）　
（ＨＯＢＡＣＰＣ）、　４−Ｏ−（２−メチル）−ブチ
ルレゾルシリダン−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ
８　）　が挙げられる。

これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
がＳｍＣ＊相又はＳｍＨ＊相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等により支持することができる。

第３図は、強誘電性液晶の動作説明のために。

セルの例を模式的に描いたものである。この際、便宜上
前述の電荷受容体と電荷の関係を電極構造で表わす。

電極３１と３１’の間に液晶分子層３２が電極面に垂直
になるよう配向したＳｍＣ相又はＳｍＨ＊相の液晶が封
入されている。太線で示した線３３が液晶分子を表わし
ており、この液晶分子３３はその分子に直交した方向に
双極子モーメント（Ｐ土）３４を有している。電極３１
と３１’の電極間に一定の開直以上の電圧を印加すると
、液晶分子３３のらせん構造がほどけ、双極子モーメン
ト（ＰＪＬ　）　３４がすべて電界方向に向くよう、液
晶分子３３は配向方向を変えることができる。液晶分子
３３は、細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸
方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上
下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極
性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子となるこ
とは、容易に理解される。

本発明の液晶素子２０１で好ましく用いられる液晶セル
構造は、その厚さを充分に薄く（例えばｌＯμ以下）す
る仁とができる。このように液晶層が薄くなるにしたが
い、第４図に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造を形成し
、その双極子モーメン）ＰまたはＰ′は上向−き（４４
）又は下向き（４４’　）のどちらか一方の安定状態を
とる。

このようなセルに、第４図に示す如く一定の閾１１な以
−ヒの極性の弄る電界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段４１と
４１′により刊本すると、双極子モーメントは、電界Ｅ
又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４４又は下向
き４４′と向きを変え、それに応じて液晶分子は、第１
の安定状態４３かあるいは第２の安定状態４３′の何れ
か１方に配向する。

このような強誘電性液晶を素子として用す石ことの利点
は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答速度が
極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双安定
性を有することである。第２の点を、例えば第４図によ
って更に説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第
１の安定状態４３に配向するが、この状態は電界を切っ
ても安定である。又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、
液晶分子は第２の安定状態４３′に配向してその分子の
向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留っ
ている。又、与える電界Ｅが一定の聞直を越えない限り
、それぞれの配向状態にやはり維持されている。このよ
うな応答速度の速さと。

双安定性が有効に実現されるにはセルとしては出来るだ
け薄い方が好ましい。一般的には０．５μ〜２０μ、特
に１μ〜５μが適している。この種の強誘電性液晶を用
いたマ）　ＩＪクス電極構造を有す　−る液晶素子は、
例えばクラークとラガバルにより、米国特許第４３６７
９２４号公報で提案されている。

第５図は１１本発明の画像形成装置をディスプレイに適
用した際の態様を表わしている。

第５図に示す液晶素子５０１は、反射Ｍ、溝構造もので
、誘電体ミラー５０２が配置されている。

この誘電体ミラー５０２は一般的に可視光に対しては十
分に高い反射率を有しており、具体的にはＧｅ　／　Ｍ
、ｇＦｔ　（］　／　４λ）　／　Ｃｅｎ２（１／　４
λ）　／　ＭｇＦ＊（ｌ／４λ）　／　ｃｅｏ、　（−
１／　４λ）からなる多層膜が知られている。さらに、
本発明の装置では第１の安定状態と第２の安定状態の間
で生じる光学変調を得るために偏光ビームスプリッタ−
５０３が配置されている。

液晶素子５０１は、誘電体ミラー５０２を設けた電、荷
受容体５０４とＩＴＯなどの透明電極５０５を設けたガ
ラスなどの基体５０６の間に液晶層５０７を挟持したセ
ル構造を有しており、このセル構造の間隔はスペーサ５
０８で保持されている。

まず、画像形成に先立って、イオン発生器５０９より負
のイオンビームを電荷受容体５０４に全面に亘って照射
することによって均一に負電荷を与え、これによる電圧
ｇ　ａ／が液晶層５０７に実質的に印加され、この際の
電圧が液晶の開直電圧より大きくすると、例えば液晶が
第５図（ｂ）に示す第１の安定状態に配列した液晶５１
０を均一に生じることになる。

次に、イオン発生器５０９より正のイオンビームを画像
状ＫＷｔ荷受容体５　（１４Ｋｌ（４射する。この際、
イオン発生器５０９かあるいは液晶素子５０１を移動さ
せて電荷受容体５０４にイオンビームを走査することが
できる。このイオンビームの照射により電荷受容体５０
４には、１シ（中の（ｌｌｆ）重荷が画像状に付与され
、Ｅ　ａ／の電界方向とは逆方向の電界Ｅａが液晶層５
０７に生じることになる。この電圧ＥＩＬが閾ａ電圧を
越えることによって第１の安定状態に配列していた液晶
５１０が第２の安定状態に配列した液晶５１１に変化さ
れる。、電荷受容体５０４に付与された電荷は、リーク
して消滅するとともに液晶層５０７に印加される電圧も
消滅するが、本例の如く液晶層５（１７が強ＡＳπτ性
液晶の場合ではメモリー性をもっているので、翫゛録画
像は保持される。

記録された画像をディスプレイするに肖って、投射光５
１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃが偏光ビームスプリッタ−
５０３を通して液晶素子５０１に照射され、液晶層に記
録された画像が投射スクリーン５１３に投射され為。偏
光ビームスプリッタ−５０３の偏光方向を５］０で示さ
れる液晶の配列方向と平行又は直角方向とし２例えば投
射光５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃをＰ成分の偏光光と
すると、この投射光５１２　＆　、　５１２　ｂ　、　
５１２Ｃは偏光ビームスプリッタ−５０３を通してＰ成
分の偏光光として液晶素子５０１に照射される。

このＰ成分の偏光光のうち５１２ａと５１２ｃは第１の
安定状態に配列している液晶５１０を通過し、誘電体ミ
ラー５０２で反射され、そのままＰ成分の偏光光として
偏光ビームスプリッタ−を通過した光５１２　ａ’と５
１２０’となる。一方、Ｐ成分の偏光光のうち、投射光
５１２ｂは、第２の安定状態に配列している液晶５１１
を通過し、誘？Ｉｔ体ミラー５０２で反射され、Ｓ成分
を含む偏光光に変調され、この光のうちＳ成分の偏光光
のみが偏光ビームスプリッタ−５０３で反射された光５
１２　ｂｌと々す、この元が投射スクリーン５１３に投
影されて、液晶素子５０１に記録された画像が投射スク
リーン５１３に映し出される。

本発明の別の具体例では、液晶層としてスメクテイック
相を用い、イオン発生器により印加された電界の存在下
に等吉相状態まで加熱したあと、スメクテイック相まで
急冷するごとによって電界が印加された個所では透明状
態のスメクテイック相とすることができ、一方電界が印
加されていない個所では光散乱状態のスメクテイック相
とすることができる。第６り１に示す液晶素子６０１は
、ガラスなどの透明支持体６０２、この上に設けたスト
ライプ状の透明電極６０３、スペーサ６０４と電荷受容
体６０５で構成されるセル構造体に液晶層６０６が配置
されている。この際、電荷受容る 体６０５は白色又は着色処理が施されていＡｂことが好
ましい。イオン発生器６（）７は、モータ６０８により
駆動されるボールネジ６０９に支持され、火桶６１０の
方向に往復動作する。液晶層６（）６への加熱は、スト
ライプ状の透明電極６０３を通電することによって行な
われる。この通電は、イオン発生器６０７の動きと同期
して行なわれ、画像のイオンが電荷受容体６（）５に付
与されるわプか前又はｌ改ぼ同時に順次通電し、加熱す
る。又。

加熱手段としてはストライプ状電極を用いず、赤外線ヒ
ータをイオン発生器６０７とともに走査することもでき
る。

前述の実施し゛りにおいて、イオン発生器６０７よりの
放電により生じる活性気体が電極の腐しょくや絶縁性の
材料の劣化等をまねき、このために短寿命となるために
、例えば第６図における、容器内をネオンやアルゴン等
の不活性ガスにより置換することが望ましい。又、減圧
することにより放電を容易に行う様にしてイオン発生時
−め電圧を低下させることもできる。

以上の説明のように、電荷受容体を設けた液晶素子にイ
オン源を走査して書き込むことにより、微矧１な電極配
線が不要となり２駆動素子δ数も減小させることができ
、高精細な画像の表示を小さな形状で実現させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の画像形成装置を表わす断面図である。 第２１′Ａは、本発明を模式的に表わす断面図である。 第３図および第４図は、本発明で用いる液晶素子を模式
的に表わした斜視図である。第５図（ａ）は、本発明の
１つの実施態様を模式的に表わした断面図である。第５
図（ｂ）は液晶層の配向変化を示す平面図である。第６
図（ａ）は、本発明の別の態様を表わす断面図である。 第６図（ｂ）Ｆｉ、第６図（ａ）で用いた液晶素子の断
面図である。 ２０１．５０９，６０７；　イオン発生Ｂ（電荷１Ｉ４
手段） ２０２．５０１，６０１；　液晶素子 ２０９．５０４，６０５；　電荷受容体２１２．５０７
，６０６；　液晶層 ５０２；　誘電体ミラー ５０３；　偏光ビームスプリッタ− ５１３；　投射スクリーン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）導電体と電荷受容体の間に液晶を挟持したセル構
   造の液晶素子と前記電荷受容体の表面に液晶の開直電圧
   を越える電荷を付与する電荷付与手段を有することを特
   徴とする画像形成装置。 （２）前記電荷付与手段がイオン発生器である特許請求
   の範囲第１項記載の画像形成装置。 （３）前記液晶素子の外側に偏光ビームスプリッタ−を
   備えた特許請求の範囲第１項記載の画像形成装置。 （４）　前記電荷付与手段を電荷受容体に′沿って移動
   させる移動手段を備えた特許請求の範囲第１項記載の画
   像形成装置。 （５）前記液晶が強誘電性液晶である特許請求の範囲第
   １項記載の画像形成装置。 （６）前記強誘電性液晶が双安定性スメクティック液晶
   である特許請求の範囲第４項記載の画像形成装置。 許請求の範囲第５項記載の画像形成装置。 （８）双安定性スメクテイック液晶を挟持する導電体と
   電荷受容体のうち２、前記電荷受容体の全面又は部分面
   に亘って一様な極性の電荷を付与し、前記導電体と電荷
   受容体の間に電場を形成することによって、前記液晶の
   配列方向を一様に第１の安定状態としてから、前記極性
   とは反対極性の電荷を前記電荷受容体忙付与することＫ
   よって、かかる電荷が付与された電荷受容体と前記導電
   体の間に電場を形成することによって、前記液晶の配列
   方向を第２の安定状態とする工程を有することを特徴と
   する画像形成法。 （９）　前記双安定性スメクテイツク液晶がカイラルス
   メクテイツクＣ相又はＨ相の液晶である特許請求の範囲
   第８項記載の画像形成法。 ０Ｉ　前記カイラルスメクテイックＣ相又はＨ相が非ら
   せん構造である特許請求の範囲第９項記載の画像形成法
   。 αυ　前記液晶素子に一方の偏光成分をもつ偏光光を照
   射し、前記第１の安定状態と第２の安定状態に配列して
   いる双安定性スメクテイック液晶との間で生じる光学的
   変調を検出することによって画像を形成する特許請求の
   範囲第８項記載の画像形成法。 （２）前記一方の偏光成分をもつ偏光光が偏光ビームス
   プリッタ−から生じた偏光光である特許請求の範囲第１
   １項記載の画像形成法。