JP2885349B2 - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
- Publication number
- JP2885349B2 JP2885349B2 JP1339521A JP33952189A JP2885349B2 JP 2885349 B2 JP2885349 B2 JP 2885349B2 JP 1339521 A JP1339521 A JP 1339521A JP 33952189 A JP33952189 A JP 33952189A JP 2885349 B2 JP2885349 B2 JP 2885349B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diamond
- surface acoustic
- acoustic wave
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02582—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of diamond substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【産業上の利用分野】 本発明は数百MHzからGHz帯の高周波領域で動作する表
面弾性波素子に関するものである。
面弾性波素子に関するものである。
固体の表面にエネルギーが集中して伝搬する表面弾性
波を利用した表面弾性波素子は、小型で性能の安定な物
を作れる事からTV受信器の中間周波フィルター等として
実用されている。 この表面弾性波は通常、圧電体にくし型電極により交
流電界を印加することで励起される。 圧電体材料としては、LiNbO3、LiTaO3等のバルク単結
晶やZnO薄膜を基板上に気相成長させたものなどが用い
られている。 現在のところ、単結晶圧電体を用いたものの他、ガラ
スの上にZnO圧電体を設けたものや、サファイヤの上にZ
nO圧電体を設けたものなどが実用化されている。 一般に、表面弾性波素子の動作周波数ｆはｆ＝v/λ
｛v:表面弾性波の伝搬速度｝で決定される。 波長λは第１図や第２図に示したようにくし型電極の
周期で決定される。 第１図のくし型電極は幅ｄの電極片が3dの隙間をもっ
て一体に形成されたものが、１対向かいあっているもの
である。ひとつ置きに同極の電極があり隣接するものは
異極である。これは最も標準的なくし型電極である。波
長λは、λ＝4dである。 第２図のくし型電極は幅ｄの電極片が間隔ｄを置いて
二つずつ並びこれが5dの間隔をもって繰り返すように形
成されている。この電極構造が向きあった形で形成され
ている。波長λは、λ＝8d/3である。このような電極は
特に３倍高調波が強く励振されることが知られている。 伝搬速度ｖの値は、圧電体材料や、基板材料による
し、表面弾性波のモードによる。 単結晶圧電体のLiNbO3を用いた場合には、伝搬速度ｖ
は3500〜4000（m/s）、LiTaO3では3300〜3400（m/s）程
度である。 ZnOの圧電体薄膜をガラス基板上に成長させたもので
は最大3000（m/s）程度である。 動作周波数ｆを大きくするには、伝搬速度ｖを大きく
するか、波長λを小さくすれば良い。 伝搬速度ｖの値は上述のように材料特性により制限さ
れる。 また微細加工技術の限界によりくし型電極の周期サイ
ズには下限がある。フォトリソグラフィー技術では1.2
μｍまでである。電子ビーム露光技術を使用すればサブ
ミクロンの加工が可能であるが線幅が小さくなるほど歩
留まりは悪くなる。つまり加工技術の限界により、波長
λをあまり小さくすることはできない。 このような理由から現在実用化されている表面弾性波
素子の動作周波数は900MHzまでである。これ以上の周波
数の表面弾性波素子は作られていない。 一方、衛星通信や移動体通信等の通信の高周波化が進
むに伴ってより高周波（GHz帯）で利用できる表面弾性
波素子が必要とされている。このため鋭意開発が進めら
れている。 一般に、基板上に成長させた圧電体薄膜を表面弾性波
素子に応用する場合、基板材料の音速が圧電体の音速よ
りも大きい時には、伝搬速度ｖの異なる複数の表面弾性
波（ここではｖの小さい方から０次モード、１次モー
ド、２次モード，と定義することにする・・・）が励起
される。 また基板材料の音速が大きいほど伝搬速度ｖの値は大
きくなる。 勿論表面弾性波の伝搬速度ｖと基板材料の音速とは異
なる概念で実際の数値も異なる。しかし圧電体が基板の
上に薄く形成されており圧電体の上を伝搬する表面波が
基板の弾性の影響を強く受ける。このため基板材料の音
速が速ければ、表面波の伝搬速度ｖも大きくなる。 そこで、音速の大きい（横波の速度＝6000m/s、縦波
の速度＝12000m/s）サファイヤを基板に用いてZnO圧電
体薄膜を成長させた構造でｖ＝5500（m/s）を有する素
子が試作されている。 また、ダイヤモンドは物質中最高の音速を有しており
（横波の速度＝13000m/s、縦波の速度＝16000m/s）これ
を基材に用いれば10000m/s以上の伝搬速度ｖを実現でき
るはずである。 ダイヤモンド状炭素膜もダイヤモンドと同等の音速を
有しておりこれを基材に用いても同様に大きいｖを実現
できるはずである。 本発明者は特願平１−120635にこれを開示している。
波を利用した表面弾性波素子は、小型で性能の安定な物
を作れる事からTV受信器の中間周波フィルター等として
実用されている。 この表面弾性波は通常、圧電体にくし型電極により交
流電界を印加することで励起される。 圧電体材料としては、LiNbO3、LiTaO3等のバルク単結
晶やZnO薄膜を基板上に気相成長させたものなどが用い
られている。 現在のところ、単結晶圧電体を用いたものの他、ガラ
スの上にZnO圧電体を設けたものや、サファイヤの上にZ
nO圧電体を設けたものなどが実用化されている。 一般に、表面弾性波素子の動作周波数ｆはｆ＝v/λ
｛v:表面弾性波の伝搬速度｝で決定される。 波長λは第１図や第２図に示したようにくし型電極の
周期で決定される。 第１図のくし型電極は幅ｄの電極片が3dの隙間をもっ
て一体に形成されたものが、１対向かいあっているもの
である。ひとつ置きに同極の電極があり隣接するものは
異極である。これは最も標準的なくし型電極である。波
長λは、λ＝4dである。 第２図のくし型電極は幅ｄの電極片が間隔ｄを置いて
二つずつ並びこれが5dの間隔をもって繰り返すように形
成されている。この電極構造が向きあった形で形成され
ている。波長λは、λ＝8d/3である。このような電極は
特に３倍高調波が強く励振されることが知られている。 伝搬速度ｖの値は、圧電体材料や、基板材料による
し、表面弾性波のモードによる。 単結晶圧電体のLiNbO3を用いた場合には、伝搬速度ｖ
は3500〜4000（m/s）、LiTaO3では3300〜3400（m/s）程
度である。 ZnOの圧電体薄膜をガラス基板上に成長させたもので
は最大3000（m/s）程度である。 動作周波数ｆを大きくするには、伝搬速度ｖを大きく
するか、波長λを小さくすれば良い。 伝搬速度ｖの値は上述のように材料特性により制限さ
れる。 また微細加工技術の限界によりくし型電極の周期サイ
ズには下限がある。フォトリソグラフィー技術では1.2
μｍまでである。電子ビーム露光技術を使用すればサブ
ミクロンの加工が可能であるが線幅が小さくなるほど歩
留まりは悪くなる。つまり加工技術の限界により、波長
λをあまり小さくすることはできない。 このような理由から現在実用化されている表面弾性波
素子の動作周波数は900MHzまでである。これ以上の周波
数の表面弾性波素子は作られていない。 一方、衛星通信や移動体通信等の通信の高周波化が進
むに伴ってより高周波（GHz帯）で利用できる表面弾性
波素子が必要とされている。このため鋭意開発が進めら
れている。 一般に、基板上に成長させた圧電体薄膜を表面弾性波
素子に応用する場合、基板材料の音速が圧電体の音速よ
りも大きい時には、伝搬速度ｖの異なる複数の表面弾性
波（ここではｖの小さい方から０次モード、１次モー
ド、２次モード，と定義することにする・・・）が励起
される。 また基板材料の音速が大きいほど伝搬速度ｖの値は大
きくなる。 勿論表面弾性波の伝搬速度ｖと基板材料の音速とは異
なる概念で実際の数値も異なる。しかし圧電体が基板の
上に薄く形成されており圧電体の上を伝搬する表面波が
基板の弾性の影響を強く受ける。このため基板材料の音
速が速ければ、表面波の伝搬速度ｖも大きくなる。 そこで、音速の大きい（横波の速度＝6000m/s、縦波
の速度＝12000m/s）サファイヤを基板に用いてZnO圧電
体薄膜を成長させた構造でｖ＝5500（m/s）を有する素
子が試作されている。 また、ダイヤモンドは物質中最高の音速を有しており
（横波の速度＝13000m/s、縦波の速度＝16000m/s）これ
を基材に用いれば10000m/s以上の伝搬速度ｖを実現でき
るはずである。 ダイヤモンド状炭素膜もダイヤモンドと同等の音速を
有しておりこれを基材に用いても同様に大きいｖを実現
できるはずである。 本発明者は特願平１−120635にこれを開示している。
一般に表面弾性波素子を実現するには （１）その電気機械結合係数K2（電気的エネルギーが機
械的エネルギーに変換される際の変換効率の指標）が大
きい事が望まれる。K2≧0.5％である事が必要である。 （２）さらに動作周波数の高い表面弾性波素子を得るに
は伝搬速度ｖの高い事が要求される。 基板の上に形成された薄膜圧電体を用いる場合には、
伝搬速度ｖ及び電気機械結合係数K2は圧電体材料と基板
材料の物性のみならず圧電体薄膜の膜厚H1にも大きく依
存する。 また、基板が膜状の場合（圧電体薄膜／膜状基板／基
材の積層構造の場合）には膜状基板の膜厚H2にも依存す
る。 しかし現在のところ圧電体薄膜の膜厚H1、膜状基板層
の膜厚H2と、伝搬速度ｖ、電気機械結合係数K2との関係
がダイヤモンドを基板とする場合全く分かっていない。 このためダイヤモンドを膜状基板層とした実用的な表
面弾性波素子は未だ製作されていない。 本発明は、圧電体膜厚H1、膜状基板膜厚H2と、伝搬速
度ｖ、電気機械結合係数K2の関係を与え、極高周波数領
域において使用できる実用的な表面弾性波素子を提供す
ることを目的とする。
械的エネルギーに変換される際の変換効率の指標）が大
きい事が望まれる。K2≧0.5％である事が必要である。 （２）さらに動作周波数の高い表面弾性波素子を得るに
は伝搬速度ｖの高い事が要求される。 基板の上に形成された薄膜圧電体を用いる場合には、
伝搬速度ｖ及び電気機械結合係数K2は圧電体材料と基板
材料の物性のみならず圧電体薄膜の膜厚H1にも大きく依
存する。 また、基板が膜状の場合（圧電体薄膜／膜状基板／基
材の積層構造の場合）には膜状基板の膜厚H2にも依存す
る。 しかし現在のところ圧電体薄膜の膜厚H1、膜状基板層
の膜厚H2と、伝搬速度ｖ、電気機械結合係数K2との関係
がダイヤモンドを基板とする場合全く分かっていない。 このためダイヤモンドを膜状基板層とした実用的な表
面弾性波素子は未だ製作されていない。 本発明は、圧電体膜厚H1、膜状基板膜厚H2と、伝搬速
度ｖ、電気機械結合係数K2の関係を与え、極高周波数領
域において使用できる実用的な表面弾性波素子を提供す
ることを目的とする。
本発明はSi層とダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭
素膜層とZnO圧電体膜層とくし型電極とから成る表面弾
性波素子において、ZnO及びダイヤモンド層の膜厚とモ
ードを指定することにより、大きい表面波伝搬速度（ｖ
≧5500m/s）と大きい電気機械結合係数（K2≧0.5％）を
有する構造のものを提供する。 以下に12の異なる条件、構造のものを説明する。 以下本発明では、ZnOの膜厚はH1ではなく、単にＨと
書く。膜厚Ｈはこれを波長で割って２πを乗じた（２π
H/λ）によって表現する。同様にダイヤモンド基板の膜
厚もH2ではなくHDと書く。膜厚HDはこれを波長で割って
２πを乗じた（２πHD/λ）によって表現する。これら
は無次元のパラメータである。 本発明者の実験によれば、膜厚Ｈ、HDは、絶対的な値
というよりその波長に対する比率が伝搬速度ｖ、電気機
械結合係数K2に影響するということが分かっている。従
って上記のパラメータにより条件を分類することが有用
である。 第３図〜第６図に本発明の表面弾性波素子の断面図を
示す。それぞれ簡単のためＩ、II、III、IV型と略称す
る。 第３図はＩ型のものを示す。これはシリコン基板１の
上に、ダイヤモンド層２を形成し、くし電極４をその上
に設けたものである。この上にさらにZnO層４を形成す
る。これは次に述べるタイプ（１）〜（３）に対応する
構造である。 第４図はII型のものを示す。シリコン基板１の上に、
ダイヤモンド層２を設け、くし型電極４を形成し、ZnO
層３を設ける。ここまでは前例と同じであるが、さらに
ZnO層３の上に短絡用電極５を形成する。これは次に述
べるタイプ（４）〜（６）に対応する。 第５図はIII型のものを示す。シリコン基板１の上
に、ダイヤモンド層２、ZnO層３を設け、この上にくし
型電極４を形成する。これは次に延べるタイプ（７）〜
（９）に対応する。 第６図はIV型のものを示す。シリコン基板１の上に、
ダイヤモンド層２を形成する。この上に短絡用電極５を
設ける。さらにZnO層３を設け、この上にくし型電極４
を形成する。これは次に述べるタイプ（10）〜（12）に
対応する。 以下タイプ（１）〜（12）について説明する。 実験結果と対照しながら述べるので先ず実験結果を示
すグラフを説明する。 第７図〜第10図は、ダイヤモンド層の厚みHDをパラメ
ータとしてZnO層の厚みＨを変化させて位相速度（伝搬
速度）を測定した結果を示すグラフである。横軸は２π
H/λである。縦軸は位相速度（m/s）である。 ZnO層が薄いほうが、音速の大きいダイヤモンド層の
影響を受け易く位相速度が速くなる。 白丸は０次モード、三角は１次モード、四角は２次モ
ード、ペケは３次モードを示す。当然高次モードの方が
位相速度が大きい。しかし単純な倍数関係にはない。 これらは構造による違い（Ｉ、II、III、IV型の違
い）は無視できる範囲内である。 第11図〜第14図はZnO層の厚みＨをパラメータとし
て、ダイヤモンド層の厚みHDを変化させて位相速度ｖを
測定した結果を示すグラフである。 ダイヤモンド層の厚みが大きいほうが位相速度ｖが大
きくなる傾向にあるが、ダイヤモンド層の厚みにはあま
り依存しないといえる。
素膜層とZnO圧電体膜層とくし型電極とから成る表面弾
性波素子において、ZnO及びダイヤモンド層の膜厚とモ
ードを指定することにより、大きい表面波伝搬速度（ｖ
≧5500m/s）と大きい電気機械結合係数（K2≧0.5％）を
有する構造のものを提供する。 以下に12の異なる条件、構造のものを説明する。 以下本発明では、ZnOの膜厚はH1ではなく、単にＨと
書く。膜厚Ｈはこれを波長で割って２πを乗じた（２π
H/λ）によって表現する。同様にダイヤモンド基板の膜
厚もH2ではなくHDと書く。膜厚HDはこれを波長で割って
２πを乗じた（２πHD/λ）によって表現する。これら
は無次元のパラメータである。 本発明者の実験によれば、膜厚Ｈ、HDは、絶対的な値
というよりその波長に対する比率が伝搬速度ｖ、電気機
械結合係数K2に影響するということが分かっている。従
って上記のパラメータにより条件を分類することが有用
である。 第３図〜第６図に本発明の表面弾性波素子の断面図を
示す。それぞれ簡単のためＩ、II、III、IV型と略称す
る。 第３図はＩ型のものを示す。これはシリコン基板１の
上に、ダイヤモンド層２を形成し、くし電極４をその上
に設けたものである。この上にさらにZnO層４を形成す
る。これは次に述べるタイプ（１）〜（３）に対応する
構造である。 第４図はII型のものを示す。シリコン基板１の上に、
ダイヤモンド層２を設け、くし型電極４を形成し、ZnO
層３を設ける。ここまでは前例と同じであるが、さらに
ZnO層３の上に短絡用電極５を形成する。これは次に述
べるタイプ（４）〜（６）に対応する。 第５図はIII型のものを示す。シリコン基板１の上
に、ダイヤモンド層２、ZnO層３を設け、この上にくし
型電極４を形成する。これは次に延べるタイプ（７）〜
（９）に対応する。 第６図はIV型のものを示す。シリコン基板１の上に、
ダイヤモンド層２を形成する。この上に短絡用電極５を
設ける。さらにZnO層３を設け、この上にくし型電極４
を形成する。これは次に述べるタイプ（10）〜（12）に
対応する。 以下タイプ（１）〜（12）について説明する。 実験結果と対照しながら述べるので先ず実験結果を示
すグラフを説明する。 第７図〜第10図は、ダイヤモンド層の厚みHDをパラメ
ータとしてZnO層の厚みＨを変化させて位相速度（伝搬
速度）を測定した結果を示すグラフである。横軸は２π
H/λである。縦軸は位相速度（m/s）である。 ZnO層が薄いほうが、音速の大きいダイヤモンド層の
影響を受け易く位相速度が速くなる。 白丸は０次モード、三角は１次モード、四角は２次モ
ード、ペケは３次モードを示す。当然高次モードの方が
位相速度が大きい。しかし単純な倍数関係にはない。 これらは構造による違い（Ｉ、II、III、IV型の違
い）は無視できる範囲内である。 第11図〜第14図はZnO層の厚みＨをパラメータとし
て、ダイヤモンド層の厚みHDを変化させて位相速度ｖを
測定した結果を示すグラフである。 ダイヤモンド層の厚みが大きいほうが位相速度ｖが大
きくなる傾向にあるが、ダイヤモンド層の厚みにはあま
り依存しないといえる。
第15図〜第18図は、Ｉ型の構造についての電気機械結
合係数K2の測定結果を示すグラフである。 ２次モードの電気機械結合係数K2はいずれの場合にお
いても小さかったので、これらのグラフには図示してい
ない。 第15図、第16図に於いてパラメータはダイヤモンド層
の厚みで、２πHD/λが2.0、4.0の場合について測定し
た。横軸はZnO層の厚みＨを無次元化した２πH/λであ
る。縦軸は電気機械結合係数K2である。 第17図、第18図に於いてパラメータはZnO層の厚み
で、２πH/λが1.0、3.0の場合について測定した。横軸
はダイヤモンド層の厚みHDを無次元化した２πHD/λで
ある。縦軸は電気機械結合係数K2である。 （２π・H/λ）＝１の時は１次モードの電気機械結合
係数K2が大きい。ZnO層の厚みが増すと０次モードの電
気機械結合係数K2が大きくなる傾向にある。ダイヤモン
ド層厚みが違っていてもZnO層が薄いときは１次モード
の電気機械結合係数K2が大きくZnO層が厚いときは０次
モードの電気機械結合係数K2が大きくなる。
合係数K2の測定結果を示すグラフである。 ２次モードの電気機械結合係数K2はいずれの場合にお
いても小さかったので、これらのグラフには図示してい
ない。 第15図、第16図に於いてパラメータはダイヤモンド層
の厚みで、２πHD/λが2.0、4.0の場合について測定し
た。横軸はZnO層の厚みＨを無次元化した２πH/λであ
る。縦軸は電気機械結合係数K2である。 第17図、第18図に於いてパラメータはZnO層の厚み
で、２πH/λが1.0、3.0の場合について測定した。横軸
はダイヤモンド層の厚みHDを無次元化した２πHD/λで
ある。縦軸は電気機械結合係数K2である。 （２π・H/λ）＝１の時は１次モードの電気機械結合
係数K2が大きい。ZnO層の厚みが増すと０次モードの電
気機械結合係数K2が大きくなる傾向にある。ダイヤモン
ド層厚みが違っていてもZnO層が薄いときは１次モード
の電気機械結合係数K2が大きくZnO層が厚いときは０次
モードの電気機械結合係数K2が大きくなる。
第19図〜第22図は、II型の構造についての電気機械結
合係数K2の測定結果を示すグラフである。 第19図、第20図に於いてパラメータはダイヤモンド層
の厚みで、２πHD/λが2.0、4.0の場合について測定し
た。横軸はZnO層の厚みＨを無次元化した２πH/λであ
る。縦軸は電気機械結合係数K2である。 第21図、第22図に於いてパラメータはZnO層の厚み
で、２πH/λが1.0、3.0の場合について測定した。横軸
はダイヤモンド層の厚みHDを無次元化した２πHD/λで
ある。縦軸は電気機械結合係数K2である。 （２π・H/λ）＝１の時は１次モードの電気機械結合
係数K2が大きい。ZnO層の厚みが増すと０次モードの電
気機械結合係数K2が大きくなる傾向にある。ダイヤモン
ド層の厚みが違っていても、ZnO層が薄いときは１次モ
ードの電気機械結合係数K2が大きくなるり、ZnO層が厚
くなると０次モードの電気機械結合係数K2が大きくな
る。 II型とＩ型は短絡用電極の有無だけに於いて異なる。
II型の場合ZnO層が薄いときの１次モードの電気機械結
合係数K2がより大きくなる。
合係数K2の測定結果を示すグラフである。 第19図、第20図に於いてパラメータはダイヤモンド層
の厚みで、２πHD/λが2.0、4.0の場合について測定し
た。横軸はZnO層の厚みＨを無次元化した２πH/λであ
る。縦軸は電気機械結合係数K2である。 第21図、第22図に於いてパラメータはZnO層の厚み
で、２πH/λが1.0、3.0の場合について測定した。横軸
はダイヤモンド層の厚みHDを無次元化した２πHD/λで
ある。縦軸は電気機械結合係数K2である。 （２π・H/λ）＝１の時は１次モードの電気機械結合
係数K2が大きい。ZnO層の厚みが増すと０次モードの電
気機械結合係数K2が大きくなる傾向にある。ダイヤモン
ド層の厚みが違っていても、ZnO層が薄いときは１次モ
ードの電気機械結合係数K2が大きくなるり、ZnO層が厚
くなると０次モードの電気機械結合係数K2が大きくな
る。 II型とＩ型は短絡用電極の有無だけに於いて異なる。
II型の場合ZnO層が薄いときの１次モードの電気機械結
合係数K2がより大きくなる。
第23図〜第24図は、III型の構造についての電気機械
結合係数K2の測定結果を示すグラフである。 第23図、第24図に於いてパラメータはダイヤモンド層
の厚みで、２πHD/λが2.0、4.0の場合について測定し
た。横軸はZnO層の厚みＨを無次元化した２πH/λであ
る。縦軸は電気機械結合係数K2である。 第25図、第26図に於いてパラメータはZnO層の厚み
で、２πH/λが1.0、2.0の場合について測定した。横軸
はダイヤモンド層の厚みHDを無次元化した２πHD/λで
ある。縦軸は電気機械結合係数K2である。 ダイヤモンド層、ZnO層が薄いと電気機械結合係数K2
が小さい。 ダイヤモンド層の厚み（２π・HD/λ）＝２のとき
は、ZnO層が厚い時１次モードが有望である。ダイヤモ
ンド層が厚いと、ZnO層の薄いとき０次モードも電気機
械結合係数K2が0.5％を越える。ダイヤモンド層が厚い
と、ZnO層が厚いとき、３次モードの電気機械結合係数K
2が0.5％を越える。
結合係数K2の測定結果を示すグラフである。 第23図、第24図に於いてパラメータはダイヤモンド層
の厚みで、２πHD/λが2.0、4.0の場合について測定し
た。横軸はZnO層の厚みＨを無次元化した２πH/λであ
る。縦軸は電気機械結合係数K2である。 第25図、第26図に於いてパラメータはZnO層の厚み
で、２πH/λが1.0、2.0の場合について測定した。横軸
はダイヤモンド層の厚みHDを無次元化した２πHD/λで
ある。縦軸は電気機械結合係数K2である。 ダイヤモンド層、ZnO層が薄いと電気機械結合係数K2
が小さい。 ダイヤモンド層の厚み（２π・HD/λ）＝２のとき
は、ZnO層が厚い時１次モードが有望である。ダイヤモ
ンド層が厚いと、ZnO層の薄いとき０次モードも電気機
械結合係数K2が0.5％を越える。ダイヤモンド層が厚い
と、ZnO層が厚いとき、３次モードの電気機械結合係数K
2が0.5％を越える。
第27図〜第30図は、IV型の構造についての電気機械結
合係数K2の測定結果を示すグラフである。 第27図、第28図に於いてパラメータはダイヤモンド層
の厚みで、２πHD/λが2.0、4.0の場合について測定し
た。横軸はZnO層の厚みＨを無次元化した２πH/λであ
る。縦軸は電気機械結合係数K2である。 第29図、第30図に於いてパラメータはZnO層の厚み
で、２πH/λが1.0、2.0の場合について測定した。横軸
はダイヤモンド層の厚みHDを無次元化した２πHD/λで
ある。縦軸は電気機械結合係数K2である。 これはIII型に短絡用電極を設けたものである。広い
範囲にわたって、１次モードの電気機械結合係数K2が大
きくなっている。 ZnO層が厚くなるほど、０次、３次モードの電気機械
結合係数K2が大きくなる。ダイヤモンド層の厚み（２π
・HD/λ）＝４のときは０次モードが、（２π・H/λ）
＝0.5〜2.2で、電気機械結合係数K2が0.5を越える。
合係数K2の測定結果を示すグラフである。 第27図、第28図に於いてパラメータはダイヤモンド層
の厚みで、２πHD/λが2.0、4.0の場合について測定し
た。横軸はZnO層の厚みＨを無次元化した２πH/λであ
る。縦軸は電気機械結合係数K2である。 第29図、第30図に於いてパラメータはZnO層の厚み
で、２πH/λが1.0、2.0の場合について測定した。横軸
はダイヤモンド層の厚みHDを無次元化した２πHD/λで
ある。縦軸は電気機械結合係数K2である。 これはIII型に短絡用電極を設けたものである。広い
範囲にわたって、１次モードの電気機械結合係数K2が大
きくなっている。 ZnO層が厚くなるほど、０次、３次モードの電気機械
結合係数K2が大きくなる。ダイヤモンド層の厚み（２π
・HD/λ）＝４のときは０次モードが、（２π・H/λ）
＝0.5〜2.2で、電気機械結合係数K2が0.5を越える。
【タイプ１から１２までの説明】 Ｉ型・・・タイプ１、２、３ II型・・・タイプ４、５、６ III型・・・タイプ７、８、９ IV型・・・タイプ10、11、12 （１） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層して成
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜
1.5を満たす構造で励起される表面弾性波の０次モード
を利用することを特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝1.3〜1.5におい
てK2＝１〜３％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧3.0である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり３より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場
合があり、またK2は0.5％より小さくなる場合があ
る｝。 （２） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.3〜
2.0を満たす構造で励起される表面弾性波の１次モード
を利用する事を特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.3〜0.5でｖ＝1000
0〜12000m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.75〜
1.25においてK2＝１〜３％と大きくなり望ましい。つま
り（２π・H/λ）＝0.3〜1.25の領域が特に好ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧0.5である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり（２π・HD/λ）＝３以上が特に好ましい。ま
た、0.5より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合が
ある｝。 （３） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧2.5を
満たす構造で励起される表面弾性波の３次モードを利用
する事を特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝2.5でｖ＝約10000m/
s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝2.55…→4.0と大き
くなるほどK2＝0.5…→１％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧0.5である事が
望ましい。｛0.5より小さいとK2が0.5％より小さくなる
場合がある｝。 （４） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層し、そ
の上に表面短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子に
おいて、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚み、
λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜1.5を満たす構造で励起
される表面弾性波の０次モードを利用する事を特徴とす
る表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.5〜1.2及び1.
3〜1.5においてK2＝１〜５％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧2.5である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり2.5より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場
合がある。又（２π・HD/λ）が大きくなるほどK2は大
きくなり2.5より小さいとK2が0.5％より小さくなる場合
がある｝ （５） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層し、そ
の上に表面短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子に
おいて、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚み、
λ：表面弾性波の波長｝＝0.3〜2.5を満たす構造で励起
される表面弾性波の１次モードを利用する事を特徴とす
る表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.3〜0.5でｖ＝1000
0〜12000m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.5〜1.
5においてK2＝２〜５％と大きくなり望ましい。つまり
（２π・H/λ）＝0.3〜1.5の領域が特に好ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧0.5である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり（２π・HD/λ）＝３以上が特に好ましい。ま
た、0.5より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合が
ある｝ （６） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層し、そ
の上に表面短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子に
おいて、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚み、
λ：表面弾性波の波長｝≧2.5を満たす構造で励起され
る表面弾性波の３次モードを利用する事を特徴とする表
面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝2.5でｖ＝約10000m/
s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝2.5…→4.0と大き
くなるほどK2＝0.5…→１％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧0.5である事が
望ましい。｛0.5より小さいとｖが5500m/sより小さくな
る場合がある｝ （７） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にZnO層を積層し、その上にくし型電極を配置してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜
1.5を満たす構造で励起される表面弾性波の０次モード
を利用する事を特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝1.0〜1.25にお
いてK2＝１％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧3.0である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり3.0より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場
合がある。又K2は0.5％より小さくなる場合がある｝ （８） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にZnO層を積層し、その上にくし型電極を配置してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝1.0〜
3.5を満たす構造で励起される表面弾性波の１次モード
を利用する事を特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝1.0でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝1.0…→3.5と大
きくなるほどK2＝0.5…→３％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧2.0である事が
望ましい。｛（２π・H/λ）が大きくなるほどｖは大き
くなり2.0より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合
がある｝ （９） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にZnO層を積層し、その上にくし型電極を配置してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝1.5〜
3.0を満たす構造で励起される表面弾性波の３次モード
を利用することを特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましい｛（２π・H/λ）＝1.5でｖ＝約12000m/
s｝ （10） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上に界面短絡用電極を積層し、その上にZnO層を積層
し、その上にくし型電極を配置してなる表面弾性波素子
において、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚
み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜1.5を満たす構造で
励起される表面弾性波の０次モードを利用する事を特徴
とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.5…→1.5と大
きくなるほどK2＝0.5…→３％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧3.0である事が
望ましい。｛（２π・H/λ）が大きくなるほどｖは大き
くなり3.0より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合
がある。又、（２π・H/λ）が大きくなるほどK2は大き
くなり3.0より小さいとK2が0.5％より小さくなる場合が
ある｝ （11） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上に界面短絡用電極を積層し、その上にZnO層を積層
し、その上にくし型電極を配置してなる表面弾性波素子
において、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚
み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜3.5を満たす構造で
励起される表面弾性波の１次モードを利用する事を特徴
とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝約10000m/
s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.5…→3.5と大き
くなるほどK2＝0.5…→３％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧2.0である事が
望ましい。｛（２π・H/λ）が大きくなるほどｖは大き
くなり2.0より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合
がある｝ （12） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上に界面短絡用電極を積層し、その上にZnO層を積層
し、その上にくし型電極を配置してなる表面弾性波素子
において、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚
み、λ：表面弾性波の波長｝＝1.5〜3.0を満たす構造で
励起される表面弾性波の３次モードを利用する事を特徴
とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましい｛（２π・H/λ）＝1.5でｖ＝約12000m/
s｝
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層して成
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜
1.5を満たす構造で励起される表面弾性波の０次モード
を利用することを特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝1.3〜1.5におい
てK2＝１〜３％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧3.0である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり３より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場
合があり、またK2は0.5％より小さくなる場合があ
る｝。 （２） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.3〜
2.0を満たす構造で励起される表面弾性波の１次モード
を利用する事を特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.3〜0.5でｖ＝1000
0〜12000m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.75〜
1.25においてK2＝１〜３％と大きくなり望ましい。つま
り（２π・H/λ）＝0.3〜1.25の領域が特に好ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧0.5である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり（２π・HD/λ）＝３以上が特に好ましい。ま
た、0.5より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合が
ある｝。 （３） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧2.5を
満たす構造で励起される表面弾性波の３次モードを利用
する事を特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝2.5でｖ＝約10000m/
s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝2.55…→4.0と大き
くなるほどK2＝0.5…→１％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧0.5である事が
望ましい。｛0.5より小さいとK2が0.5％より小さくなる
場合がある｝。 （４） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層し、そ
の上に表面短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子に
おいて、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚み、
λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜1.5を満たす構造で励起
される表面弾性波の０次モードを利用する事を特徴とす
る表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.5〜1.2及び1.
3〜1.5においてK2＝１〜５％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧2.5である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり2.5より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場
合がある。又（２π・HD/λ）が大きくなるほどK2は大
きくなり2.5より小さいとK2が0.5％より小さくなる場合
がある｝ （５） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層し、そ
の上に表面短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子に
おいて、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚み、
λ：表面弾性波の波長｝＝0.3〜2.5を満たす構造で励起
される表面弾性波の１次モードを利用する事を特徴とす
る表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.3〜0.5でｖ＝1000
0〜12000m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.5〜1.
5においてK2＝２〜５％と大きくなり望ましい。つまり
（２π・H/λ）＝0.3〜1.5の領域が特に好ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧0.5である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり（２π・HD/λ）＝３以上が特に好ましい。ま
た、0.5より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合が
ある｝ （６） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にくし型電極を配置し、その上にZnO層を積層し、そ
の上に表面短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子に
おいて、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚み、
λ：表面弾性波の波長｝≧2.5を満たす構造で励起され
る表面弾性波の３次モードを利用する事を特徴とする表
面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝2.5でｖ＝約10000m/
s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝2.5…→4.0と大き
くなるほどK2＝0.5…→１％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧0.5である事が
望ましい。｛0.5より小さいとｖが5500m/sより小さくな
る場合がある｝ （７） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にZnO層を積層し、その上にくし型電極を配置してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜
1.5を満たす構造で励起される表面弾性波の０次モード
を利用する事を特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝1.0〜1.25にお
いてK2＝１％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧3.0である事が
望ましい。｛（２π・HD/λ）が大きくなるほどｖは大
きくなり3.0より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場
合がある。又K2は0.5％より小さくなる場合がある｝ （８） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にZnO層を積層し、その上にくし型電極を配置してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝1.0〜
3.5を満たす構造で励起される表面弾性波の１次モード
を利用する事を特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝1.0でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝1.0…→3.5と大
きくなるほどK2＝0.5…→３％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧2.0である事が
望ましい。｛（２π・H/λ）が大きくなるほどｖは大き
くなり2.0より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合
がある｝ （９） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上にZnO層を積層し、その上にくし型電極を配置してな
る表面弾性波素子において、ZnO層の（２π・H/λ）
｛但しH:ZnO層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝＝1.5〜
3.0を満たす構造で励起される表面弾性波の３次モード
を利用することを特徴とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましい｛（２π・H/λ）＝1.5でｖ＝約12000m/
s｝ （10） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上に界面短絡用電極を積層し、その上にZnO層を積層
し、その上にくし型電極を配置してなる表面弾性波素子
において、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚
み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜1.5を満たす構造で
励起される表面弾性波の０次モードを利用する事を特徴
とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝7000〜800
0m/s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.5…→1.5と大
きくなるほどK2＝0.5…→３％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧3.0である事が
望ましい。｛（２π・H/λ）が大きくなるほどｖは大き
くなり3.0より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合
がある。又、（２π・H/λ）が大きくなるほどK2は大き
くなり3.0より小さいとK2が0.5％より小さくなる場合が
ある｝ （11） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上に界面短絡用電極を積層し、その上にZnO層を積層
し、その上にくし型電極を配置してなる表面弾性波素子
において、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚
み、λ：表面弾性波の波長｝＝0.5〜3.5を満たす構造で
励起される表面弾性波の１次モードを利用する事を特徴
とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましいが｛（２π・H/λ）＝0.5でｖ＝約10000m/
s｝、K2に関しては（２π・H/λ）＝0.5…→3.5と大き
くなるほどK2＝0.5…→３％と大きくなり望ましい。 ダイヤモンド層は天然或は超高圧合成法による単結晶
ダイヤモンド又は気相合成法による膜状ダイヤモンドの
いずれでも良いが、膜状ダイヤモンド層を用いる場合或
はダイヤモンド状炭素膜層を用いる場合には（２π・HD
/λ）｛但しHD:ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素
膜層の厚み、λ：表面弾性波の波長｝≧2.0である事が
望ましい。｛（２π・H/λ）が大きくなるほどｖは大き
くなり2.0より小さいとｖが5500m/sより小さくなる場合
がある｝ （12） ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素膜層の
上に界面短絡用電極を積層し、その上にZnO層を積層
し、その上にくし型電極を配置してなる表面弾性波素子
において、ZnO層の（２π・H/λ）｛但しH:ZnO層の厚
み、λ：表面弾性波の波長｝＝1.5〜3.0を満たす構造で
励起される表面弾性波の３次モードを利用する事を特徴
とする表面弾性波素子。 ｖに関しては（２π・H/λ）は小さいほどｖは大きく
なり望ましい｛（２π・H/λ）＝1.5でｖ＝約12000m/
s｝
上記の条件で作製され所定のモードで動作する表面弾
性波素子はいずれも位相速度ｖが大きく、電気機械結合
係数K2が大きい。 ダイヤモンド膜及びダイヤモンド状炭素膜は炭化水素
等のガスを原料としてガラス、Si、金属など各種基材上
に気相合成できる。 気相合成法としては、 電子放出材を加熱して原料ガスを活性化する。 プラズマによりガスを分解励起する。 光によりガスを分解励起する。 イオン衝撃により成長させる。 ガスを燃焼させる。 等の方法があるが、いずれの合成法によっても適したダ
イヤモンド膜或はダイヤモンド状炭素膜を得る事ができ
る。 ダイヤモンド膜或はダイヤモンド状炭素膜の上にくし
型電極を配置する場合は｛（１）〜（６）の場合｝これ
らは絶縁性であることが必要でその抵抗率は107Ω・cm
以上、さらに好ましくは109Ω・cm以上であらねばなら
ない。 またダイヤモンド膜或はダイヤモンド状炭素膜の表面
は平坦である事が望ましく、必要に応じて表面研磨等を
施す必要がある。 ZnO膜はスパッタ法やCVD法の気相合成法を用いる事に
よって大きな圧電性を有したｃ軸配向性の優れたものを
成長させることができる。 このｃ軸配向性が小さすぎたり、ZnO膜の抵抗率が小
さ過ぎるとＫは小さくなってしまうので、σ値≦３゜
｛ZnOのｃ軸に対するＸ線ロッキングカーブから求めた
配向性｝及び、抵抗率≧105Ω・cmである事が望まし
い。 くし型電極はAl等の金属を用いて通常のフォトリソグ
ラフィー技術により線幅1.2μｍ程度のものまで製作で
きる。この線幅は細くなればなるほどｆを大きくできる
訳であるが、例えば線幅が1.2μｍでλ＝4.8μｍ、ｖ＝
10000m/s、で設計すればｆ＝2.08GHzの高周波を実現で
きる。 電子ビーム露光の技術を用いればさらに細かいパター
ニングも可能であり、動作周波数ｆをさらに高くする事
ができる。
性波素子はいずれも位相速度ｖが大きく、電気機械結合
係数K2が大きい。 ダイヤモンド膜及びダイヤモンド状炭素膜は炭化水素
等のガスを原料としてガラス、Si、金属など各種基材上
に気相合成できる。 気相合成法としては、 電子放出材を加熱して原料ガスを活性化する。 プラズマによりガスを分解励起する。 光によりガスを分解励起する。 イオン衝撃により成長させる。 ガスを燃焼させる。 等の方法があるが、いずれの合成法によっても適したダ
イヤモンド膜或はダイヤモンド状炭素膜を得る事ができ
る。 ダイヤモンド膜或はダイヤモンド状炭素膜の上にくし
型電極を配置する場合は｛（１）〜（６）の場合｝これ
らは絶縁性であることが必要でその抵抗率は107Ω・cm
以上、さらに好ましくは109Ω・cm以上であらねばなら
ない。 またダイヤモンド膜或はダイヤモンド状炭素膜の表面
は平坦である事が望ましく、必要に応じて表面研磨等を
施す必要がある。 ZnO膜はスパッタ法やCVD法の気相合成法を用いる事に
よって大きな圧電性を有したｃ軸配向性の優れたものを
成長させることができる。 このｃ軸配向性が小さすぎたり、ZnO膜の抵抗率が小
さ過ぎるとＫは小さくなってしまうので、σ値≦３゜
｛ZnOのｃ軸に対するＸ線ロッキングカーブから求めた
配向性｝及び、抵抗率≧105Ω・cmである事が望まし
い。 くし型電極はAl等の金属を用いて通常のフォトリソグ
ラフィー技術により線幅1.2μｍ程度のものまで製作で
きる。この線幅は細くなればなるほどｆを大きくできる
訳であるが、例えば線幅が1.2μｍでλ＝4.8μｍ、ｖ＝
10000m/s、で設計すればｆ＝2.08GHzの高周波を実現で
きる。 電子ビーム露光の技術を用いればさらに細かいパター
ニングも可能であり、動作周波数ｆをさらに高くする事
ができる。
第３図〜第６図に示した４種類の構造の表面弾性波フ
ィルターをZnO膜及びダイヤモンド膜の膜厚を種々変化
させて作製した。 そのフィルター特性を測定しその中心周波数ｆより表
面弾性波のｖ＝f/λを求めた。またくし型電極の放射イ
ンピーダンスの測定より、電気機械結合係数K2を求め
た。 ダイヤモンド膜はマイクロ波プラズマCDV法によりSi
（12mm角）基材上に成長させた。 マイクロ波プラズマCVD成長条件は、 原料ガス:CH/H2＝1/100 マイクロ波パワー:400W 反応圧力:50Torr であった。 成長後これらのダイヤモンド膜には表面研磨を施し、
種々の膜厚（0.5〜５μｍ）のものを作製した。これら
の膜はいずれも109Ω・cm以上の抵抗率を有していた。 ZnO膜はRFマグネトロンスパッタ法により形成した。 スパッタリング条件は、 基板温度:400度 スパッタリングガス:Ar/O2＝1/1 RFパワー:150 圧力:0.01Torr であった。 スパッタリングの時間を変えることで種々の膜厚（0.
5〜５μｍ）のものを作製した。これらのZnO薄膜はＸ線
ロッキングカーブのσ値が1.8〜2.1と良好なｃ軸配向性
を示した。 くし型電極及び短絡用電極はAlを真空蒸着して形成し
た。 ２対のくし型電極は通常のフォトリソグラフィーによ
り第２図のタイプのものを形成した。 線幅は２μｍ（λ＝８μｍ）で、電極片対の数は25で
ある。 ｖ及びＫの測定結果は既に述べたように第７図〜第30
図に示す通りであった。 この結果より、
ィルターをZnO膜及びダイヤモンド膜の膜厚を種々変化
させて作製した。 そのフィルター特性を測定しその中心周波数ｆより表
面弾性波のｖ＝f/λを求めた。またくし型電極の放射イ
ンピーダンスの測定より、電気機械結合係数K2を求め
た。 ダイヤモンド膜はマイクロ波プラズマCDV法によりSi
（12mm角）基材上に成長させた。 マイクロ波プラズマCVD成長条件は、 原料ガス:CH/H2＝1/100 マイクロ波パワー:400W 反応圧力:50Torr であった。 成長後これらのダイヤモンド膜には表面研磨を施し、
種々の膜厚（0.5〜５μｍ）のものを作製した。これら
の膜はいずれも109Ω・cm以上の抵抗率を有していた。 ZnO膜はRFマグネトロンスパッタ法により形成した。 スパッタリング条件は、 基板温度:400度 スパッタリングガス:Ar/O2＝1/1 RFパワー:150 圧力:0.01Torr であった。 スパッタリングの時間を変えることで種々の膜厚（0.
5〜５μｍ）のものを作製した。これらのZnO薄膜はＸ線
ロッキングカーブのσ値が1.8〜2.1と良好なｃ軸配向性
を示した。 くし型電極及び短絡用電極はAlを真空蒸着して形成し
た。 ２対のくし型電極は通常のフォトリソグラフィーによ
り第２図のタイプのものを形成した。 線幅は２μｍ（λ＝８μｍ）で、電極片対の数は25で
ある。 ｖ及びＫの測定結果は既に述べたように第７図〜第30
図に示す通りであった。 この結果より、
【課題を解決するための手段】のとこ
ろで述べた（１）〜（12）の構造においてｖ≧5500m/
s、かつK2≧0.5％の大きい伝搬速度と大きい結合係数を
有する表面弾性波を利用したフィルターを実現できるこ
とを確認した。
ろで述べた（１）〜（12）の構造においてｖ≧5500m/
s、かつK2≧0.5％の大きい伝搬速度と大きい結合係数を
有する表面弾性波を利用したフィルターを実現できるこ
とを確認した。
【発明の効果】 本発明によれば、位相速度ｖ、電気機械結合係数K2が
大きい表面弾性波素子を与えることができるので、極高
周波域において使用できる表面弾性波素子を提供するこ
とができる。 表面弾性波素子の例としては、最初に述べたフィルタ
ーに加えて、共振器、遅延線、信号処理素子、コンボル
バなどが挙げられる。
大きい表面弾性波素子を与えることができるので、極高
周波域において使用できる表面弾性波素子を提供するこ
とができる。 表面弾性波素子の例としては、最初に述べたフィルタ
ーに加えて、共振器、遅延線、信号処理素子、コンボル
バなどが挙げられる。
第１図はひとつの電極片が交互に並ぶようにしたくし型
電極の例を示す平面図。 第２図は二つの電極片が交互に並ぶようにしたくし型電
極の例を示す平面図。 第３図は本発明のＩ型の表面弾性波素子の概略断面図。 第４図は本発明のII型の表面弾性波素子の概略断面図。 第５図は本発明のIII型の表面弾性波素子の概略断面
図。 第６図は本発明のIV型の表面弾性波素子の概略断面図。 第７図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ダイヤモンド層の厚さHDが（２π・HD/λ）＝1.0に成る
ようにしたときZnO層の厚みをＨとして変数（２π・H/
λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測定
結果を示すグラフ。白丸が０次モード、三角が１次モー
ド、四角が２次モード、ペケが３次モードである。 第８図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ダイヤモンド層の厚さHDが（２π・HD/λ）＝2.0に成る
ようにしたときZnO層の厚みをＨとして変数（２π・H/
λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測定
結果を示すグラフ。 第９図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ダイヤモンド層の厚さHDが（２π・HD/λ）＝3.0に成る
ようにしたときZnO層の厚みをＨとして変数（２π・H/
λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測定
結果を示すグラフ。 第10図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ダイヤモンド層の厚さHDが（２π・HD/λ）＝4.0に成る
ようにしたときZnO層の厚みをＨとして変数（２π・H/
λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測定
結果を示すグラフ。 第11図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるようにした
とき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２π・HD
/λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測
定結果を示すグラフ。 第12図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝2.0になるようにした
とき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２π・HD
/λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測
定結果を示すグラフ。 第13図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝3.0になるようにした
とき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２π・HD
/λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測
定結果を示すグラフ。 第14図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝4.0になるようにした
とき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２π・HD
/λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測
定結果を示すグラフ。 第15図は本発明のＩ型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝2.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。白丸は０次モード、三角は１
次モード、ペケは３次モードを示す。（２次モードは図
示していない。） 第16図は本発明のＩ型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝4.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。 第17図は本発明のＩ型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第18図は本発明のＩ型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝3.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第19図は本発明のII型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝2.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。白丸は０次モード、三角は１
次モード、ペケは３次モードを示す。 第20図は本発明のII型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝4.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。 第21図は本発明のII型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第22図は本発明のII型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝3.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第23図は本発明のIII型の実施例に係る表面弾性波素子
においてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝
2.0になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。白丸は０次モード、三角は１
次モード、ペケは３次モードを示す。 第24図は本発明のIII型の実施例に係る表面弾性波素子
においてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝
4.0になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。 第25図は本発明のIII型の実施例に係る表面弾性波素子
においてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるよ
うにしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数
（２π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K
2の測定結果を示すグラフ。 第26図は本発明のIII型の実施例に係る表面弾性波素子
においてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝2.0になるよ
うにしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数
（２π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K
2の測定結果を示すグラフ。 第27図は本発明のIV型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝2.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。白丸は０次モード、三角は１
次モード、ペケは３次モードを示す。 第28図は本発明のIV型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝4.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。 第29図は本発明のIV型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第30図は本発明のIV型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝2.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 １……シリコン基板 ２……ダイヤモンド層 ３……ZnO層 ４……くし型電極 ５……短絡用電極
電極の例を示す平面図。 第２図は二つの電極片が交互に並ぶようにしたくし型電
極の例を示す平面図。 第３図は本発明のＩ型の表面弾性波素子の概略断面図。 第４図は本発明のII型の表面弾性波素子の概略断面図。 第５図は本発明のIII型の表面弾性波素子の概略断面
図。 第６図は本発明のIV型の表面弾性波素子の概略断面図。 第７図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ダイヤモンド層の厚さHDが（２π・HD/λ）＝1.0に成る
ようにしたときZnO層の厚みをＨとして変数（２π・H/
λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測定
結果を示すグラフ。白丸が０次モード、三角が１次モー
ド、四角が２次モード、ペケが３次モードである。 第８図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ダイヤモンド層の厚さHDが（２π・HD/λ）＝2.0に成る
ようにしたときZnO層の厚みをＨとして変数（２π・H/
λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測定
結果を示すグラフ。 第９図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ダイヤモンド層の厚さHDが（２π・HD/λ）＝3.0に成る
ようにしたときZnO層の厚みをＨとして変数（２π・H/
λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測定
結果を示すグラフ。 第10図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ダイヤモンド層の厚さHDが（２π・HD/λ）＝4.0に成る
ようにしたときZnO層の厚みをＨとして変数（２π・H/
λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測定
結果を示すグラフ。 第11図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるようにした
とき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２π・HD
/λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測
定結果を示すグラフ。 第12図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝2.0になるようにした
とき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２π・HD
/λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測
定結果を示すグラフ。 第13図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝3.0になるようにした
とき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２π・HD
/λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測
定結果を示すグラフ。 第14図は本発明の実施例に係る表面弾性波素子において
ZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝4.0になるようにした
とき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２π・HD
/λ）に対する各モードの表面弾性波の位相速度ｖの測
定結果を示すグラフ。 第15図は本発明のＩ型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝2.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。白丸は０次モード、三角は１
次モード、ペケは３次モードを示す。（２次モードは図
示していない。） 第16図は本発明のＩ型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝4.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。 第17図は本発明のＩ型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第18図は本発明のＩ型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝3.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第19図は本発明のII型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝2.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。白丸は０次モード、三角は１
次モード、ペケは３次モードを示す。 第20図は本発明のII型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝4.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。 第21図は本発明のII型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第22図は本発明のII型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝3.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第23図は本発明のIII型の実施例に係る表面弾性波素子
においてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝
2.0になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。白丸は０次モード、三角は１
次モード、ペケは３次モードを示す。 第24図は本発明のIII型の実施例に係る表面弾性波素子
においてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝
4.0になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。 第25図は本発明のIII型の実施例に係る表面弾性波素子
においてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるよ
うにしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数
（２π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K
2の測定結果を示すグラフ。 第26図は本発明のIII型の実施例に係る表面弾性波素子
においてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝2.0になるよ
うにしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数
（２π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K
2の測定結果を示すグラフ。 第27図は本発明のIV型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝2.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。白丸は０次モード、三角は１
次モード、ペケは３次モードを示す。 第28図は本発明のIV型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてダイヤモンド層の厚みHDが（２π・HD/λ）＝4.0
になるようにしたとき、ZnO層の厚みをＨとして変数
（２π・H/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2
の測定結果を示すグラフ。 第29図は本発明のIV型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝1.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 第30図は本発明のIV型の実施例に係る表面弾性波素子に
おいてZnO層の厚みＨが（２π・H/λ）＝2.0になるよう
にしたとき、ダイヤモンド層の厚みをHDとして変数（２
π・HD/λ）に対する各モードの電気機械結合係数K2の
測定結果を示すグラフ。 １……シリコン基板 ２……ダイヤモンド層 ３……ZnO層 ４……くし型電極 ５……短絡用電極
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−62911（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−156217（ＪＰ，Ａ) 武田文雄外「ＺｎＯ／Ａｌ▲下２▼Ｏ ▲下３▼／Ｇｌａｓｓ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｆｉｌｔｅｒ」 電子情報通信学会技術研究報告 ＵＳ86 −50
Claims (8)
- 【請求項１】Si基材の上に、ダイヤモンド層或はダイヤ
モンド状炭素膜層を配置し、その上にくし型電極を配置
し、その上にZnO層を積層して成る表面弾性波素子に於
いて、ZnO層の厚みをＨ、ダイヤモンド層或はダイヤモ
ンド状炭素膜層の厚みをHD、表面弾性波の波長をλとし
て、（２π・H/λ）の値が、（２π・H/λ）＝0.3〜2.0
を満たし、かつ、（２π・HD/λ）の値が（２π・HD/
λ）≧0.5を満たす構造で励起される表面弾性波の１次
モードを利用する事を特徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項２】Si基材の上に、ダイヤモンド層或いはダイ
ヤモンド状炭素膜層を配置し、その上にくし型電極を配
置し、その上にZnO層を積層して成る表面弾性波素子に
於いて、ZnO層の厚みをＨ、ダイヤモンド層或はダイヤ
モンド状炭素膜層の厚みをHD、表面弾性波の波長をλと
して、（２π・H/λ）の値が、（２π・H/λ）≧2.5を
満たし、かつ、（２π・HD/λ）の値が、（２π・HD/
λ）≧0.5を満たす構造で励起される表面弾性波の３次
モードを利用することを特徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項３】Si基材の上にダイヤモンド層或はダイヤモ
ンド状炭素膜層を配置し、その上にくし型電極を配置
し、その上にZnO層を積層し、その上に表面短絡用電極
を積層して成る表面弾性波素子に於いて、ZnO層の厚み
をＨ、ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素層の厚み
をHD、表面弾性波の波長をλとして、（２π・H/λ）の
値が、（２π・H/λ）＝0.3〜2.5を満たし、かつ、（２
π・HD/λ）の値が（２π・HD/λ）≧0.5を満たす構造
で励起される表面弾性波の１次モードを利用する事を特
徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項４】Si基材の上にダイヤモンド層或いはダイヤ
モンド状炭素膜層を配置し、その上にくし型電極を配置
し、その上にZnO層を積層し、その上に表面短絡用電極
を積層して成る表面弾性波素子に於いて、ZnO層の厚み
をＨ、ダイヤモンド層或はダイヤモンド状炭素層の厚み
をHD、表面弾性波の波長をλとして、（２π・H/λ）の
値が、（２π・H/λ）≧2.5を満たし、かつ、（２π・H
D/λ）の値が（２π・HD/λ）≧0.5を満たす構造で励起
される表面弾性波の３次モードを利用する事を特徴とす
る表面弾性波素子。 - 【請求項５】Si基材の上に、ダイヤモンド層或いはダイ
ヤモンド状炭素膜層を配置し、その上にZnO層を配置
し、その上にくし型電極を配置して成る表面弾性波素子
に於いて、ZnO層の厚みをＨ、ダイヤモンド層或はダイ
ヤモンド状炭素膜層の厚みをHD、表面弾性波の波長をλ
として、（２π・H/λ）の値が、（２π・H/λ）＝1.0
〜3.5を満たし、かつ（２π・HD/λ）の値が（２π・HD
/λ）≧2.0を満たす構造で励起される表面弾性波の１次
モードを利用することを特徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項６】Si基材の上に、ダイヤモンド層或いはダイ
ヤモンド状炭素膜層を配置し、その上にZnO層を配置
し、その上にくし型電極を配置して成る表面弾性波素子
に於いて、ZnO層の厚みをＨ、ダイヤモンド層またはダ
イヤモンド状炭素膜層の厚みをHD、表面弾性波の波長を
λとして、（２π・H/λ）の値が、（２π・H/λ）＝1.
5〜3.0を満たし、かつ、（２π・HD/λ）の値が（２π
・HD/λ）≧2.0を満たす構造で励起される表面弾性波の
３次モードを利用することを特徴とする表面弾性波素
子。 - 【請求項７】Si基材の上に、ダイヤモンド層或いはダイ
ヤモンド状炭素膜層を配置し、その上に界面短絡用電極
を積層し、その上にZnO層を配置し、その上にくし型電
極を配置してなる表面弾性波素子に於いて、ZnO層の厚
みをＨ、ダイヤモンド層またはダイヤモンド状炭素膜層
の厚みをHD、表面弾性波の波長をλとして、（２π・H/
λ）の値が、（２π・H/λ）＝0.5〜3.5を満たし、か
つ、（２π・HD/λ）の値が（２π・HD/λ）≧2.0を満
たす構造で励起される表面弾性波の１次モードを利用す
ることを特徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項８】Si基材の上に、ダイヤモンド層或いはダイ
ヤモンド状炭素膜層を配置し、その上に界面短絡用電極
を積層し、その上にZnO層を配置し、その上にくし型電
極を配置してなる表面弾性波素子に於いて、ZnO層の厚
みをＨ、ダイヤモンド層またはダイヤモンド状炭素膜層
の厚みをHD、表面弾性波の波長をλとして、（２π・H/
λ）の値が、（２π・H/λ）＝1.5〜3.0を満たし、か
つ、（２π・HD/λ）の値が（２π・HD/λ）≧2.0を満
たす構造で励起される表面弾性波の３次モードを利用す
ることを特徴とする表面弾性波素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1339521A JP2885349B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 表面弾性波素子 |
| EP90125084A EP0435189B1 (en) | 1989-12-26 | 1990-12-21 | Surface acoustic wave device |
| DE69029080T DE69029080T2 (de) | 1989-12-26 | 1990-12-21 | Akustische Oberflächenwellenanordnung |
| US07/634,321 US5160869A (en) | 1989-12-26 | 1990-12-26 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1339521A JP2885349B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 表面弾性波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03198412A JPH03198412A (ja) | 1991-08-29 |
| JP2885349B2 true JP2885349B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=18328268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1339521A Expired - Lifetime JP2885349B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 表面弾性波素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5160869A (ja) |
| EP (1) | EP0435189B1 (ja) |
| JP (1) | JP2885349B2 (ja) |
| DE (1) | DE69029080T2 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04358410A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子及びその製造方法 |
| EP0534354A1 (en) * | 1991-09-25 | 1993-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
| JP3248258B2 (ja) * | 1991-09-26 | 2002-01-21 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JP3109060B2 (ja) * | 1991-09-26 | 2000-11-13 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| US5440189A (en) * | 1991-09-30 | 1995-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP3225495B2 (ja) * | 1992-02-21 | 2001-11-05 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子及びその製造方法 |
| JP3205976B2 (ja) * | 1992-09-14 | 2001-09-04 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| TW241397B (ja) * | 1993-01-14 | 1995-02-21 | Murata Manufacturing Co | |
| JP3163606B2 (ja) * | 1993-01-29 | 2001-05-08 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| DE69404347T4 (de) * | 1993-02-16 | 1998-04-09 | Sumitomo Electric Industries | Polykristallines Substrat aus Diamant sowie Verfahren zur dessen Herstellung |
| JP3344441B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2002-11-11 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JP3282645B2 (ja) * | 1994-06-16 | 2002-05-20 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JP3295921B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2002-06-24 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子用ダイヤモンド基材及び素子 |
| US5576589A (en) * | 1994-10-13 | 1996-11-19 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond surface acoustic wave devices |
| JP3407459B2 (ja) * | 1995-03-23 | 2003-05-19 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子フィルタ |
| US5959389A (en) * | 1995-08-08 | 1999-09-28 | Sumitomo Electronic Industries, Ltd. | Diamond-ZnO surface acoustic wave device |
| US5783896A (en) * | 1995-08-08 | 1998-07-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond-Zn0 surface acoustic wave device |
| JP3205978B2 (ja) * | 1995-08-08 | 2001-09-04 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JP2765529B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 導波路形光デバイス |
| JP3205981B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2001-09-04 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JPH09223943A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Nec Corp | 弾性表面波デバイス |
| US5723934A (en) * | 1996-08-09 | 1998-03-03 | Toda; Kohji | Surface acoustic wave position-sensing device |
| US6072263A (en) * | 1996-08-09 | 2000-06-06 | Toda; Kohji | Surface acoustic wave transducing device |
| WO1998018204A1 (fr) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface |
| US5838089A (en) * | 1997-02-18 | 1998-11-17 | Kobe Steel Usa Inc. | Acoustic wave devices on diamond with an interlayer |
| US6127768A (en) * | 1997-05-09 | 2000-10-03 | Kobe Steel Usa, Inc. | Surface acoustic wave and bulk acoustic wave devices using a Zn.sub.(1-X) Yx O piezoelectric layer device |
| US6337531B1 (en) | 1999-02-16 | 2002-01-08 | Sumitomo Electric Industrial, Ltd. | Surface-acoustic-wave device |
| EP1225693B1 (en) | 1999-10-15 | 2008-05-21 | Seiko Epson Corporation | Saw device |
| JP3941502B2 (ja) | 1999-10-15 | 2007-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 表面弾性波素子 |
| CA2374468A1 (en) | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US6566983B2 (en) * | 2000-09-02 | 2003-05-20 | Lg Electronics Inc. | Saw filter using a carbon nanotube and method for manufacturing the same |
| EP1515436A3 (en) | 2003-08-29 | 2005-08-31 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave element and electronic equipment provided with the element |
| JP4299360B2 (ja) * | 2007-08-21 | 2009-07-22 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子及びそれを用いた液体吐出装置 |
| CN113114158A (zh) * | 2021-05-11 | 2021-07-13 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种兰姆波谐振器及弹性波装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58156217A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nobuo Mikoshiba | 弾性表面波素子 |
| JPS58197912A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Hitachi Ltd | 分波機能を有する弾性表面波フイルタ |
| JPS60119114A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| JPS60124112A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Clarion Co Ltd | 表面弾性波素子 |
| JPS60169210A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| JPS6437413A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Production of ultrafine particle of silicon boride |
| JPS6462911A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-09 | Sumitomo Electric Industries | Surface acoustic wave element |
| EP0363495A4 (en) * | 1988-03-17 | 1991-03-20 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
| JPH02910A (ja) * | 1988-03-18 | 1990-01-05 | Asahi Optical Co Ltd | 焦点検出光学装置 |
| JPH0239715A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Nec Corp | 反射型可変抵抗減衰器 |
| US4952832A (en) * | 1989-10-24 | 1990-08-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP1339521A patent/JP2885349B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-12-21 EP EP90125084A patent/EP0435189B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-21 DE DE69029080T patent/DE69029080T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-26 US US07/634,321 patent/US5160869A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 武田文雄外「ＺｎＯ／Ａｌ▲下２▼Ｏ▲下３▼／Ｇｌａｓｓ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｆｉｌｔｅｒ」 電子情報通信学会技術研究報告 ＵＳ８６−５０ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0435189A3 (en) | 1991-11-13 |
| US5160869A (en) | 1992-11-03 |
| EP0435189A2 (en) | 1991-07-03 |
| DE69029080D1 (de) | 1996-12-12 |
| EP0435189B1 (en) | 1996-11-06 |
| JPH03198412A (ja) | 1991-08-29 |
| DE69029080T2 (de) | 1997-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2885349B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP3205976B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP3163606B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| US9413334B2 (en) | Elastic wave device using SH surface acoustic wave | |
| JPH10507599A (ja) | ダイヤモンド表面音波デバイスとその製造方法 | |
| JP2001524295A (ja) | 分離されたくし形電極を含む表面弾性波デバイス | |
| US5646468A (en) | Diamond-LiTaO3 surface acoustic wave device | |
| US5838089A (en) | Acoustic wave devices on diamond with an interlayer | |
| CN115314018A (zh) | 一种声表面波滤波器及其制备方法 | |
| US6940208B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPH08222990A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP3205981B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP3941502B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPS6341449B2 (ja) | ||
| JPH06326548A (ja) | 高配向性ダイヤモンド薄膜を使用した表面弾性波素子 | |
| KR102561687B1 (ko) | Saw 필터 장치의 소스 억제를 위한 변환기 구조물 | |
| JP2002141768A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP3248258B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP3132078B2 (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
| JP3341759B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPS59213A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH09219632A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP3276826B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH02299309A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| Tomar et al. | Improvements in the temperature stability of an IDT/ZnO/fused-quartz thin film SAW device with ZnO over-layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080212 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090212 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090212 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100212 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |