JP2009211094A - 表示装置及び表示装置の駆動方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の画素電極上に、複数の帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルを配置し、前記画素電極の電位により前記帯電粒子を制御することによって明暗を表示することを特徴とした表示装置において、前記画素電極への映像信号の再書き込み動作を、画素に表示する映像が変化する場合に行うことにより、書き込み回数を低減する。
【選択図】図1
Description
本発明の電気泳動表示装置の構成について以下に説明する。本発明の電気泳動表示装置は、絶縁基板上に、ソース信号線駆動回路またはゲート信号線駆動回路もしくはその両方を有し、画素領域にスイッチング用薄膜トランジスタとメモリ回路を有している。
ソース信号線駆動回路101は、第1のラッチ回路104、第2のラッチ回路105等を有する。画素部の左右には、ゲート信号線に入力する信号を制御するための、ゲート信号線駆動回路102が配置されている。なお、図1においては、ゲート信号線駆動回路102は、画素部の左右両側に配置されているが、片側に配置されていても構わない。ただし、画素部の両側に配置した方が、駆動効率、駆動信頼性の面から見て望ましい。
図4に3ビット(8階調)の場合の画素の構成例を示す。図4に示す画素は、1画素あたり3ビットのデジタル映像信号が入力され、23=8階調の表示を行う。それぞれの画素は、スイッチング用TFT407〜409、メモリ回路410〜412、および電気泳動素子413〜415を有する。スイッチング用TFT407〜409のゲート電極はそれぞれ、ゲート信号線G1〜Gyのいずれか一本に接続され、スイッチング用TFT1002のソース領域とドレイン領域とは、一方は、ソース信号線S1〜Sxのいずれか一本に接続され、もう一方は、メモリ回路310〜312のいずれか1つに接続されている。
タイミングチャートに基づいて、動作を説明する。
シフトレジスタ1902〜バッファ1904の構成に関しては、図16に示したものと同様で良い。
このとき、マルチプレクス信号(MPX1〜3)によって、画素への書き込み期間が分割され、各ビットのデジタル映像信号が順次画素内のメモリ回路に書き込まれる。なお、ソース信号線駆動回路における選択スイッチが、ソース信号線を選択するタイミングも、マルチプレクス信号に同期する。
例えば、プラズマCVD法でSiH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜5002aを10〜200[nm](好ましくは50〜100[nm])形成し、同様にSiH4、N2Oから作製される酸化窒化水素化シリコン膜5002bを50〜200[nm](好ましくは100〜150[nm])の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜5002を2層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造として形成しても良い。
ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10〜20[%]程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。W膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は2〜4(代表的には3)であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は20〜50[nm]程度エッチングされることになる。こうして、第1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1の形状の導電層5010〜5013(第1の導電層5010a〜5013aと第2の導電層5010b〜5013b)を形成する。このとき、ゲート絶縁膜5006においては、第1の形状の導電層5010〜5013で覆われない領域は20〜50[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
ドーピングの方法はイオンドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×1014[atoms/cm2]とし、加速電圧を60〜100[keV]として行う。n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではリン(P)を用いる。この場合、導電層5010〜5013がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第1の不純物領域5014〜5016が形成される。第1の不純物領域5014〜5016には1×1020〜1×1021[atoms/cm3]の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する(図12(B))。
第3のエッチング処理によって、第3の形状の導電層5024〜5027(第1の導電層5024a〜5027aと第2の導電層5024b〜5027b)を形成する。このとき、ゲート絶縁膜5006においては、第3の形状の導電層5024〜5027で覆われない領域はさらに20〜50[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
Claims (1)
- 複数の画素電極上に、複数の帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルを配置し、前記画素電極の電位により前記帯電粒子を制御することによって明暗を表示することを特徴とした表示装置において、前記表示装置は前記画素と同一基板上にソース信号線またはゲート信号線を駆動する駆動回路を形成したことを特徴とする表示装置。
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