JP2008010618A - 電力用半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電極と回路パターン部とのハンダ付け部分における熱ストレスや機械的ストレスによる歪みを無くし、信頼性が高く長寿命の電力用半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置には、絶縁基板における回路パターン部の配置面から回路パターン部の厚みより高く立ち上がるよう形成され弾性を有する立上部と、回路パターン形成面から所定距離を有して配置され立上部により支持された平坦面を有する接合部とを有する段差部が設けられており、電極端子が接合部の平坦面にハンダにより電気的に接続されて構成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は絶縁基板上に形成された金属製の回路パターン部と電極がハンダを用いて接続された構成を有する電力用半導体装置に関する。

絶縁基板上の回路パターン部と電極がハンダにより接続されて構成された従来の電力用半導体装置において、回路パターン部と電極とのハンダ付け部分に実使用時に熱的ストレスや機械的ストレスにより歪みが発生し、クラックが生じる場合がある。その結果、ハンダ付け部分の接触抵抗が増大し、特性不良となっていた。最悪の場合にはハンダ付け部分において破断に至ることがあった。したがって、ハンダ付け部分の歪みは製品の寿命を左右する重要な問題であった。

従来の電力用半導体装置において、電極と金属製の回路パターン部とのハンダ付け部分に生じる歪みを解消するために、電極の一部を薄く形成して、電極と絶縁基板との間に電極の厚みより薄い隙間を形成する方法を提案したものがある（特許文献１参照。）。
また、電極に接続される接続端子に湾曲部を形成して接続端子を伸縮可能に構成した電力用半導体装置（特許文献２参照）や、金属製の回路パターン部にスリットを形成して歪みを解消する構成とした電力用半導体装置（特許文献３参照）が提案されている。
特開平６−００５７６３号公報 特開平７−０９４６２３号公報 特開平４−３４３２８７号公報

産業機器の高機能化等に伴い、さらなる大電力で高性能・高信頼性の電力用半導体装置が求められており、そのような電力用半導体装置においては、電極と回路パターン部とのハンダ付け部分における熱ストレスや機械的ストレスによる歪みの発生をさらに確実に抑制し、高い信頼性と長寿命化が強く要望されている。

本発明においては、電極と回路パターン部とのハンダ付け部分における熱ストレスや機械的ストレスによる歪みを無くし、信頼性が高く寿命の長い電力用半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の電力用半導体装置は、絶縁基板上に接合され電気回路パターンが形成された回路パターン部、
前記絶縁基板における前記電気回路パターンの形成面から前記回路パターン部の厚みより高く立ち上がるよう形成され弾性を有する板状の立上部と、前記電気回路パターンの形成面から所定距離を有して配置され前記立上部により支持された平坦面を有する接合部とを有する段差部、及び
前記接合部の平坦面にハンダにより電気的に接合された電極端子を有する電極、を具備する。このように構成された電力用半導体装置は、電極端子と回路パターン部との間に段差部を設け、この段差部によりハンダ付け部分における熱ストレスや機械的ストレスによる歪みを無くし、信頼性が高く寿命の長い装置となる。

本発明によれば、電極と金属製の電気回路パターンとのハンダ付け部分における熱ストレスや機械的ストレスにより生じる歪みを無くし、信頼性が高く長寿命の電力用半導体装置を提供することができる。

以下、本発明の電力用半導体装置に係る好適な実施例を添付の図面を参照して説明する。

実施例１．
図１は本発明に係る実施例１の電力用半導体装置の構成を示す構造図である。図１において、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の平面図におけるＢ−Ｂ線による断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の平面図におけるＣ−Ｃ線による断面図である。図２は実施例１の電力用半導体装置における絶縁基板上の金属製の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図である。図２において、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。

実施例１の電力用半導体装置はパワーモジュールである。図１において、ケース内には絶縁基板の両面に電気回路パターンを有する金属製の回路パターン部２，５が形成された絶縁回路基板１０が設けられている。ケース外部に露出したコレクタ電極とエミッタ電極のそれぞれの電極は、一方の回路パターン部２の所定位置に電極端子３を介して電気的に接続されている。

図２は回路パターン部２と電極端子３との接合状態を示す図である。図２に示すように、回路パターン部２には段差部２０が形成されており、この段差部２０に電極端子３の屈曲端部３ａがハンダ４により接合されている。段差部２０はその上端面が平坦な接合部２０ａと、絶縁基板１に接合された基部から立ち上がる部位に相当する立上部２０ｂとより構成されている。すなわち、平坦な接合部２０ａの両側に立上部２０ｂが形成されている。図２の（Ｂ）に示すように、接合部２０ａの両側に形成された立上部２０ｂは、対向する方向に斜行しており、段差部２０の接合部２０ａが段差部２０の基部部分より狭くなっている。このように構成された段差部２０は、バネ性を有しており、絶縁基板１と回路パターン部２とを有する絶縁回路基板１０の実動作時の収縮によるストレスを吸収できる構造を有している。例えば、段差部２０の具体的な形状は、基部部分から接合部２０ａまで高さが約１．０ｍｍであり、回路パターン部２の厚み（約０．３ｍｍ）に対して、約３倍に形成されている。段差部２０の接合部２０ａは電極端子３の屈曲端部３ａの接合面より大きく形成されており、電極端子３の接合面が段差部２０の接合部２０ａの平坦部分のみとハンダ４により接合されている。電極端子３における段差部２０との接合部分近傍は、実質的なＬ字状に形成されており、その先端部分である屈曲端部３ａの平坦部分が段差部２０の接合部２０ａに対向して配置され、ハンダ４により確実に接合されている。

実施例１の電力用半導体装置において、絶縁基板１の両面には、例えば銅板や銅合金にエッチング処理により所望の電気回路が形成された回路パターン部２が接合されている。この回路パターン部２には、プレス加工により段差部２０が所定位置に形成されており、コレクタ電極とエミッタ電極のそれぞれに接続された電極端子３が接合されている。絶縁基板１としては、例えば熱伝導性に優れた窒化アルミニウム基板が用いられている。この絶縁基板１に対して活性金属製ロウ材として、例えばＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ロウ材をスクリーン印刷により塗布し、所望の電気回路パターンが形成された回路パターン部２が絶縁基板１上に配置されて、約１×１０^４Ｔｏｒｒの真空中で約８５０℃、約１０分間加熱して、絶縁回路基板１０が作成される。なお、この絶縁回路基板１０には、その裏面に所望の電気回路が形成された金属製の別の回路パターン部５が接合されている。

上記ように構成された実施例１の電力用半導体装置において、電極端子３は回路パターン部２に形成された段差部２０の接合部２０ａにハンダ４により接合されているため、当該電力用半導体装置がオンオフ動作を繰り返すことにより絶縁回路基板１０において生じる熱的ストレス、機械的ストレス及び振動等のストレスは、バネ性を有する段差部２０において確実に吸収され、段差部２０の接合部２０ａと電極端子３の屈曲端部３ａとのハンダ付け部分におけるクラックや破断等の発生を大幅に抑制することができる。

実施例２．
図３は実施例２の電力用半導体装置における絶縁基板上の金属製の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図である。図３において、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。実施例２において、実施例１の電力用半導体装置における要素と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付し、その説明は実施例１の説明を適用する。実施例２の電力用半導体装置においては、絶縁回路基板が有する回路パターン部に段差部２１が形成されており、その段差部２１に接合部２１ａと立上部であるベンド部２１ｂが形成されている。実施例２におけるその他の構成は、実施例１の電力用半導体装置の構成と実質的に同じである。

図３に示すように、回路パターン部２には段差部２１が形成されており、この段差部２１に電極端子３の屈曲端部３ａがハンダ４により接合されている。段差部２１はその上端面が平坦な接合部２１ａと、絶縁基板１に接合された基部から立ち上がるように階段状に形成されたベンド部２１ｂとより構成されている。すなわち、平坦な接合部２１ａの両側に屈曲部分を持つベンド部２１ｂが形成されている。ベント部２１ｂは回路パターン部２の回路パターン形成面と平行な屈曲線を有している。図３の（Ｂ）に示すように、接合部２１ａの両側に形成されたベンド部２１ｂは、裾が広くなる階段状に形成されている。このように構成された段差部２１は、バネ性を有しており、絶縁基板１と回路パターン部２を有する絶縁回路基板の実動作時の収縮によるストレスを吸収できる構造を有している。段差部２１の接合部２１ａは電極端子３の屈曲端部３ａの接合面より大きく形成されており、電極端子３の屈曲端部３ａの接合面が段差部２１の接合部２１ａのみとハンダ４により接合されている。
実施例２の電力用半導体装置は、前述の実施例１の電力用半導体装置と同様に、絶縁基板１の両面に所望の電気回路パターンが形成された回路パターン部２、５が接合されている。

上記ように構成された実施例２の電力用半導体装置においては、電極端子３が回路パターン部２に形成された段差部２１の接合部２１ａにハンダ４により接合されているため、当該電力用半導体装置がオンオフ動作を繰り返すことにより絶縁回路基板において生じる熱的ストレス、機械的ストレス及び振動等のストレスは、バネ性を有する段差部２１において確実に吸収され、段差部２１の接合部２１ａと電極端子３の屈曲端部３ａとのハンダ付け部分におけるクラックや破断等の発生を大幅に抑制することができる。
さらに、実施例２の電力用半導体装置においては、実施例１と比較して段差部２１の高さを低く構成することができ、装置の薄型化を図ることができる。

実施例３．
図４は実施例３の電力用半導体装置における絶縁基板上の金属製の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図である。図４において、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。実施例３において、実施例１の電力用半導体装置における要素と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付し、その説明は実施例１の説明を適用する。実施例３の電力用半導体装置においては、絶縁回路基板が有する金属製の回路パターン部に段差部２２が形成されており、その段差部２２に接合部２２ａと立上部である薄肉部２２ｂが形成されている。実施例３におけるその他の構成は、実施例１の電力用半導体装置の構成と実質的に同じである。

図４に示すように、回路パターン部２には段差部２２が形成されており、この段差部２２に電極端子３の屈曲端部３ａがハンダ４により接合されている。段差部２２はその上端面が平坦な接合部２２ａと、絶縁基板１に接合された基部から立ち上がるように厚みの薄い部分で形成された薄肉部２２ｂとより構成されている。図４の（Ｂ）に示すように、接合部２２ａの両側に形成された薄肉部２２ｂは、裾が広くなるよう形成されている。このように構成された段差部２２は、バネ性を有しており、絶縁基板１と回路パターン部２を有する絶縁回路基板の実動作時の収縮によるストレスを吸収できる構造を有している。段差部２２の接合部２２ａは電極端子３の屈曲端部３ａの接合面より大きく形成されており、電極端子３の屈曲端部３ａの接合面が段差部２２の接合部２２ａのみとハンダ４により接合されている。
実施例３の電力用半導体装置は、前述の実施例１の電力用半導体装置と同様に、絶縁基板１の両面に所望の電気回路が形成された回路パターン部２が接合されている。

上記ように構成された実施例３の電力用半導体装置においては、電極端子３が回路パターン部２に形成された段差部２２の接合部２２ａにハンダ４により接合されているため、当該電力用半導体装置がオンオフ動作を繰り返すことにより絶縁回路基板において生じる熱的ストレス、機械的ストレス及び振動等のストレスは、バネ性を有する段差部２２において確実に吸収され、段差部２２の接合部２２ａと電極端子３の屈曲端部３ａとのハンダ付け部分におけるクラックや破断等の発生を確実に抑制することができる。
さらに、実施例３の電力用半導体装置においては、実施例１と比較して段差部２２の高さを低く且つ小さく構成することができ、装置の薄型化、小型化を図ることができる。

実施例４．
図５は実施例４の電力用半導体装置における絶縁基板上の金属製の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図である。図５において、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。実施例４において、実施例１の電力用半導体装置における要素と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付し、その説明は実施例１の説明を適用する。実施例４の電力用半導体装置においては、絶縁回路基板が有する金属製の回路パターン部２に段差部２３が形成されており、その段差部２３には、前述の実施例１と同様に、接合部２３ａと、その両側に立上部２３ｂが形成されている。また、実施例３においては、段差部２３にはスリット部２３ｃが形成されている。スリット部２３ｃは段差部２３の両側に複数本形成されており、立上部２３ｂは細い板状の帯材を複数平行に配置した構成となっている。
実施例４におけるその他の構成は、実施例１の電力用半導体装置の構成と実質的に同じである。

図５に示すように、回路パターン部２には段差部２３が形成されており、この段差部２３に電極端子３の屈曲端部３ａがハンダ４により接合されている。段差部２３はその上端面が平坦な接合部２３ａと、絶縁基板１に接合された基部から立ち上がるように形成された立上部２３ｂとより構成されている。接合部２３ａの両側に形成された立上部２３ｂにはスリット部２３ｃが形成されており、かつ裾が広くなるよう形成されている。このように構成された段差部２３は、バネ性を有しており、絶縁基板１と回路パターン部２を有する絶縁回路基板の実動作時の収縮のストレスや振動等を吸収できる構造を有している。段差部２３の接合部２３ａは電極端子３の屈曲端部３ａの接合面より大きく形成されており、電極端子３の屈曲端部３ａの接合面が段差部２３の接合部２３ａのみとハンダ４により接合されている。
実施例４の電力用半導体装置は、前述の実施例１の電力用半導体装置と同様に、絶縁基板１の両面に所望の電気回路パターンが形成された回路パターン部２、５が接合されている。

上記ように構成された実施例４の電力用半導体装置においては、電極端子３が回路パターン部２に形成された段差部２３の接合部２３ａにハンダ４により接合されているため、当該電力用半導体装置がオンオフ動作を繰り返すことにより絶縁回路基板において生じる熱的ストレス、機械的ストレス及び振動等のストレスは、バネ性を有する段差部２３において確実に吸収され、段差部２３の接合部２３ａと電極端子３の屈曲端部３ａとのハンダ付け部分におけるクラックや破断等の発生を確実に抑制することができる。
さらに、実施例４の電力用半導体装置においては、実施例３と同様に実施例１と比較して段差部２３の高さを低く且つ小さく構成することができ、装置の薄型化、小型化を図ることができる。そして、金属製の段差部２３を通常の孔開け加工によりスリット部２３ｃを形成して製造することができるため、優れた効果を奏する段差部２３を容易に加工することができる。

実施例５．
図６は実施例５の電力用半導体装置における絶縁基板上の金属製の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図である。図６において、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。実施例５において、実施例１の電力用半導体装置における要素と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付し、その説明は実施例１の説明を適用する。実施例５の電力用半導体装置においては、前述の実施例１と同様に、絶縁回路基板が有する回路パターン部２に段差部２４が形成されており、その段差部２４に接合部２４ａと立上部２４ｂが形成されている。実施例５の電力用半導体装置において、絶縁基板１の電極端子３が接合される表面側には第１の回路パターン部２が接合されており、その裏面側には第２の回路パターン部６が接合されている。第１の回路パターン部２における段差部２４に対応する絶縁基板１の裏面位置、すなわち第１の回路パターン部２と絶縁基板１とが接合されていない絶縁基板１の裏面位置には、第２の回路パターン部６が形成されていない構造を有している。したがって、実施例５の電力用半導体装置では、絶縁基板１の表裏両面において回路パターン部が接合されていない領域が一致している構成である。
実施例５におけるその他の構成は、実施例１の電力用半導体装置の構成と実質的に同じである。

上記ように構成された実施例５の電力用半導体装置においては、回路パターン部２に段差部２４が形成されているため、当該電力用半導体装置がオンオフ動作を繰り返すことにより絶縁回路基板において生じる熱的ストレス、機械的ストレス及び振動等のストレスは、バネ性を有する段差部２４において確実に吸収され、段差部２４の接合部２４ａと電極端子３の屈曲端部３ａとのハンダ付け部分におけるクラックや破断等の発生を確実に抑制することができる。
さらに、実施例５の電力用半導体装置においては、絶縁基板１の両面に回路パターン部が同様に接合されているため、絶縁基板１におけるストレスが大幅に低減されてクラックを抑制でき、電力用半導体装置の長寿命化を図ることが可能となる。

実施例６．
図７は実施例６の電力用半導体装置における絶縁基板上の金属製の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図である。図７において、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。実施例６において、実施例１の電力用半導体装置における要素と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付し、その説明は実施例１の説明を適用する。

実施例６の電力用半導体装置においては、絶縁基板１の両側に所望の電気回路パターンを有する回路パターン部７，８が接合されており、表面側（図７の（Ｂ）における上面側）の回路パターン部７には屈曲部分で形成された電極部材２５がハンダ４により接合されている。電極部材２５は、その上面に平坦な接合部２５ａが形成されており、両側には立上部である階段状のベンド部２５ｂが形成されている。上記のように、実施例６の電力用半導体装置においては、前述の実施例における段差部が回路パターン部と別体で構成された電極部材２５により構成されている。

図７の（Ｂ）に示すように、電極部材２５におけるベント部２５ｂの端部にある回路パターン部７との対向部分は、実質的にＬ字状に屈曲して平坦に形成された取付面２５ｃとなっている。この取付面２５ｃが回路パターン部７の所定位置に配置され、ハンダにより電気的に接合される。
実施例６におけるその他の構成は、実施例１の電力用半導体装置の構成と実質的に同じである。

図７に示すように、実施例６の電力用半導体装置においては、回路パターン部７に別体の電極部材２５が段差部としてハンダ４により接合されており、この電極部材２５に電極端子３の屈曲端部３ａがハンダ４により接合されている。電極部材２５は上端面が平坦な接合部２５ａと、絶縁基板１に接合された基部から立ち上がるように形成されたベント部２５ｂとより構成されている。電極部材２５の接合部２５ａは電極端子３の屈曲端部３ａの接合面より大きく形成されており、電極端子３の屈曲端部３ａの接合面が接合部２５ａとハンダ４により接合されている。

実施例６の電力用半導体装置における電極部材は、図７に示す構成に限定されるものではない。図８は電極部材のその他の構成例を示す図である。図８の（Ａ）は断面が実質的なコ字状である電極部材２５Ａと、図８の（Ｂ）は断面が実質的なロ字状の電極部材２５Ｂを示す側面図である。これらの電極部材２５Ａ，２５Ｂにおいても、その上面が接合部２５ａとなり屈曲端部３ａがハンダ４により接合され、その下面が回路パターン部７の所定の位置にハンダ４により接合される構成である。

上記ように構成された実施例６の電力用半導体装置においては、電極端子３が回路パターン部７上の電極部材２５の接合部２５ａにハンダ４により接合されているため、当該電力用半導体装置がオンオフ動作を繰り返すことにより絶縁回路基板において生じる熱的ストレス、機械的ストレス及び振動等のストレスは、バネ性を有する電極部材２５において確実に吸収され、電極部材２５の接合部２５ａと電極端子３の屈曲端部３ａとのハンダ付け部分におけるクラックや破断等の発生を確実に抑制することができる。
さらに、実施例６の電力用半導体装置においては、段差部を有さない従来構造の絶縁基板がそのまま使用でき、また電極部材２５の標準化を図ることができるので、製造コストの低減を図ることができる。

実施例７．
図９は実施例７の電力用半導体装置における絶縁基板上の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図である。図９において、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。実施例７において、実施例１の電力用半導体装置における要素と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付し、その説明は実施例１の説明を適用する。

実施例７の電力用半導体装置においては、絶縁基板１の両側に所望の電気回路パターンを有する回路パターン部７，８が接合されており、表面側（図９の（Ｂ）における上面側）の回路パターン部７には屈曲部分で形成された電極部材２６が超音波接合により接合されている。電極部材２６は、その上面に平坦な接合部２６ａが形成されており、両側には立上部である階段状のベンド部２６ｂが形成されている。上記のように、実施例７の電力用半導体装置においては、段差部が回路パターン部と別体で構成された電極部材２６により構成されている。

図９の（Ｂ）に示すように、電極部材２６におけるベント部２６ｂの端部にある回路パターン部７との対向部分は、実質的にＬ字状に屈曲して平坦に形成された取付面２６ｃとなっている。この取付面２６ｃが回路パターン部７の所定位置に配置され、超音波接合により電気的に接続状態である。
実施例７におけるその他の構成は、実施例１の電力用半導体装置の構成と実質的に同じである。

図９に示すように、実施例７の電力用半導体装置においては、回路パターン部７に別体の電極部材２６が段差部として超音波接合により接合されており、この電極部材２６に電極端子３の屈曲端部３ａがハンダ４により接合されている。電極部材２６は上端面が平坦な接合部２６ａと、絶縁基板１に接合された基部から立ち上がるように形成されたベント部２６ｂとより構成されている。電極部材２６の接合部２６ａは電極端子３の屈曲端部３ａの接合面より大きく形成されており、電極端子３の屈曲端部３ａの接合面が接合部２６ａとハンダ４により接合されている。

上記のように、実施例７の電力用半導体装置においては、実施例６の電力用半導体装置における電極部材２５と基本的に同じ構造を有しており、電極部材と回路パターン部との接合方法が異なっている。実施例７の電力用半導体装置においては、実施例６の構成による効果を有すると共に、回路パターン部７に電極部材２６を超音波接合により固着しているため、精度高く配置し接合することができる。また、超音波接合を用いることにより接合部分の信頼性が高くなり寿命が長くなるという優れた効果を有する。
なお、実施例７においては、回路パターン部７と電極部材２６とを超音波接合により固着した構成を示したが、活性金属製ロウ材を用いて接合しても、接合部分の信頼性が高くなり寿命の長い電力用半導体装置となる。

本発明は絶縁基板上の金属製の回路パターンと電極がハンダを用いて接合される構成の電力用半導体装置において有用である。

本発明に係る実施例１の電力用半導体装置の構成を示す構造図である。 実施例１の電力用半導体装置における絶縁基板上の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図であり、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。 実施例２の電力用半導体装置における絶縁基板上の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図であり、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。 実施例３の電力用半導体装置における絶縁基板上の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図であり、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。 実施例４の電力用半導体装置における絶縁基板上の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図であり、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。 実施例５の電力用半導体装置における絶縁基板上の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図であり、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。 実施例６の電力用半導体装置における絶縁基板上の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図であり、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。 実施例６の電力用半導体装置における別の構成の絶縁基板上の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す側面図である。 実施例７の電力用半導体装置における絶縁基板上の回路パターン部に電極端子が接合された状態を示す図であり、（Ａ）が平面図であり、（Ｂ）が側面図である。

符号の説明

１ 絶縁基板、２ 回路パターン部、３ 電極端子、４ ハンダ、５ 回路パターン部、６ 回路パターン部、７ 回路パターン部、８ 回路パターン部、２０ 段差部、２０ａ 接合部、２０ｂ 立上部、２１ 段差部、２１ａ 接合部、２１ｂ ベンド部、２２ 段差部、２２ａ 接合部、２２ｂ 薄肉部、２３ 段差部、２３ａ 接合部、２３ｂ 立上部、２４ 段差部、２４ａ 接合部、２４ｂ 立上部、２５ 電極部材、２５ａ 接合部、２５ｂ ベント部、２６電極部材、２６ａ 接合部、２６ｂ ベント部

Claims (7)

1. 絶縁基板上に接合され電気回路パターンが形成された回路パターン部、
   前記絶縁基板における前記電気回路パターンの形成面から前記回路パターン部の厚みより高く立ち上がるよう形成され弾性を有する板状の立上部と、前記電気回路パターンの形成面から所定距離を有して配置され前記立上部により支持された平坦面を有する接合部とを有する段差部、及び
   前記接合部の平坦面にハンダにより電気的に接合された電極端子を有する電極、
   を具備する電力用半導体装置。
2. 前記立上部が屈曲部分を有する階段状に形成された請求項１に記載の電力用半導体装置。
3. 前記立上部が前記接合部の厚みより薄く形成された請求項１に記載の電力用半導体装置。
4. 前記立上部が前記回路パターンの形成面と前記平坦面との間に延設されたスリットを有する請求項１に記載の電力用半導体装置。
5. 前記絶縁基板の両面に回路パターン部が形成され、一方の回路パターン部に段差部が形成され、前記段差部に対向する領域に他方の回路パターン部が配設されていない請求項１に記載の電力用半導体装置。
6. 前記段差部が前記回路パターン部と別体で構成され、前記段差部と前記回路パターン部がハンダにより所定位置に接合された請求項１に記載の電力用半導体装置。
7. 前記段差部が前記回路パターン部と別体で構成され、前記段差部と前記回路パターン部が超音波又は活性金属ロウ付けにより所定位置に接合された請求項１に記載の電力用半導体装置。
   

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