JP2007281441A - 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】稼動率の低下、及び／又は液浸部材の不具合に起因する露光精度などの劣化を抑制することができる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、液浸システムと、液浸部材を交換する交換システムを備えている。交換システムは、液浸部材を着脱可能に保持する保持装置及び搬送装置を有する。交換システムを用いることで、液浸部材の洗浄または交換に起因する稼動率の低下などを抑制することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板を露光する露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、基板上に液体の液浸領域を形成し、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が開示されている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

液浸露光装置において、液浸領域の液体と接触する液浸部材に汚染等の不具合が生じると、所望状態の液浸領域を形成できず、その結果、露光精度及び／又は計測精度などが劣化する可能性がある。そのため、不具合が生じた液浸部材に作業者がアクセスし、メンテナンス作業を行なったり、交換作業を行ったりすることが考えられる。しかしながら、液浸部材のメンテナンス作業、交換作業などのために露光装置の動作を停止した場合、露光装置の稼動率が低下する。

本発明は、稼動率の低下、及び／又は液浸部材の不具合に起因する露光精度などの劣化を抑制することができる露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、基板（Ｐ）上に液浸領域（ＬＲ）を形成する液浸システム（８６，８７など）と、液浸システム（８６，８７など）の一部を構成するとともに、液浸領域（ＬＲ）を形成する液体（ＬＱ）と接触する液浸部材（７０）を交換する交換システム（ＣＳ）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第１の態様によれば、液浸部材の交換などによる稼動率の低下を抑制することができる。また、例えば汚染などの不具合が生じた液浸部材の交換などを行う場合、露光精度及び／又は計測精度の劣化などを抑制することができる。

本発明の第２の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置（ＥＸ）であって、基板上に液浸領域（ＬＲ）を形成する液浸システム（８６，８７など）と、液浸領域を形成する液体と接触する液浸部材（７０）と、液浸部材を着脱可能に保持する保持装置（３０）と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第２の態様によれば、保持装置により液浸部材を着脱することで、液浸部材の洗浄または交換による露光装置の稼動率の低下を抑制することができる。また、例えば汚染などの不具合が生じた液浸部材の洗浄または交換を行う場合、露光精度及び／又は計測精度の劣化などを抑制することができる。

本発明の第３の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光装置（ＥＸ）であって、露光光を射出する光学部材（ＦＳ）と基板との間の空間を囲みかつその内側に液浸領域（ＬＲ）の少なくとも一部が形成される液浸部材（７０）と、液浸部材が設けられるフレーム部材（７）と、フレーム部材との間で液浸部材の受け渡しが行われる支持装置（５５）と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第３の態様によれば、液浸部材の取り外し及び取り付けが容易となってその時間短縮を図ることができ、ひいては液浸部材の洗浄または交換に起因する露光装置の稼働率の低下などを抑制することができる。

本発明の第４の態様に従えば、第１、第２及び第３態様のいずれかの露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。

本発明の第４の態様によれば、露光装置の稼動率の低下が抑制され、高い生産性でデバイスを製造することができる。また、例えば汚染などの不具合が生じた液浸部材の洗浄または交換を行う場合、露光精度及び／又は計測精度などの劣化が抑制され、高い精度でデバイスを製造することができる。

本発明の第５の態様に従えば、基板（Ｐ）が対向して配置される液浸部材（７０）を有し、液浸部材で保持される液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）を露光をする露光装置（ＥＸ）のメンテナンス方法であって、液浸部材（７０）を露光装置から取り外すことと、取り外した液浸部材を洗浄（Ｓ３８）又は交換する（Ｓ１８）ことと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第５の態様によれば、液浸部材を洗浄又は交換することにより、露光精度及び／又は計測精度の劣化などを抑制することができる。

本発明の第６の態様に従えば、光学部材（ＦＳ）と基板（Ｐ）との間に液体（ＬＱ）を保持する液浸部材（７０）を有し、光学部材及び液体を介して露光光（ＥＬ）で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、液浸部材の交換（Ｓ１８）または洗浄（Ｓ３８）のためにその搬出入を行うことを含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第６の態様によれば、液浸部材の搬出入によりメンテナンスが容易となる。

本発明の第７の態様に従えば、本発明のメンテナンス方法により液浸部材を有する露光装置をメンテナンス（Ｓ１８、Ｓ３８など）することと、液体を介して基板を露光すること（２０４）と、を含む露光方法が提供される。

本発明の第７の態様によれば、高精度な液浸露光を行うことができる。

本発明の第８の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、露光光を射出する光学部材（ＦＳ）と基板との間の空間を囲む液浸部材（７０）によってその空間に液体を保持しつつ露光光で基板を露光することと、液浸部材の交換（Ｓ１８）または洗浄（Ｓ３８）のためにその搬出入を行うことと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第８の態様によれば、液浸部材の交換または洗浄を容易に行うことができる。

本発明の第９の態様に従えば、第７又は第８の態様の露光方法により基板を露光すること（２０４）と、露光した基板を現像すること（２０４）と、現像した基板を加工すること（２０５）と、を含むデバイスの製造方法が提供される。

本発明の第９の態様によれば、高精度で信頼性の高いデバイスを高いスループットで製造することができる。

本発明によれば、稼動率の低下、及び／又は液浸部材の不具合に起因する露光精度などの劣化を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクＭのパターンを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置３とを備えている。また、露光装置ＥＸは、制御装置３に接続され、露光装置ＥＸに操作信号を入力可能な入力装置１７と、制御装置３に接続され、露光装置ＥＸの動作状況を出力可能な出力装置１８とを備えている。入力装置１７は、例えばキーボード、マウス、及びタッチパネル等の少なくとも１つを含む。出力装置１８は、例えばフラット・パネル・ディスプレイ等の表示装置、光を発する発光装置、及び音（警報を含む）を発する発音装置等の少なくとも１つを含む。

なお、ここでいう基板は、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）を塗布したものを含み、感光膜とは別に保護膜（トップコート膜）などの各種の膜を塗布したものも含む。マスクは、基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系ＰＬの像面側（光射出側）の露光光ＥＬの光路を含む光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように基板Ｐ上に液浸領域ＬＲを形成する液浸システムＬＳを備えている。液浸システムＬＳの動作は制御装置３に制御される。液浸システムＬＳは、光路空間Ｋ近傍に配置され、液体ＬＱを供給可能な供給口７１及び液体ＬＱを回収可能な回収口７２を有する液浸部材７０を備えている。液浸システムＬＳは、液浸部材７０を用いて、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子ＦＳと、投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板ステージ２上の基板Ｐの表面との間の露光光ＥＬの光路を含む光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように基板Ｐ上に液浸領域ＬＲを形成する。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影している間、液浸システムＬＳを用いて基板Ｐ上に液浸領域ＬＲを形成する。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板ステージ２に保持された基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影して、基板Ｐを露光する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、終端光学素子ＦＳと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路を含む光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。

なお、本実施形態においては、主に液浸領域ＬＲが基板Ｐ上に形成される場合について説明するが、投影光学系ＰＬの像面側において、終端光学素子ＦＳと対向する位置に配置された物体、例えば基板ステージ２の一部にも形成可能である。また、例えば基板Ｐの外周付近のショット領域の露光時には、液浸領域ＬＲはその一部が基板Ｐ上に形成され、残り一部が基板ステージ２上に形成される。

また、後に詳述するように、露光装置ＥＸは、液浸部材７０を交換する交換システムＣＳを備えている。交換システムＣＳは、光路空間Ｋ近傍で液浸部材７０を着脱可能に保持する保持装置３０と、液浸部材７０を搬送する搬送装置５０とを備えている。搬送装置５０は、液浸部材７０を、第１位置ＰＳ１と、第１位置ＰＳ１とは異なる第２位置ＰＳ２との間で搬送可能である。本実施形態では、第１及び第２位置ＰＳ１、ＰＳ２がＹ軸方向に離れて設定されている。

また、露光装置ＥＸは、少なくとも投影光学系ＰＬを収容するチャンバ装置１９を備えている。本実施形態においては、チャンバ装置１９には、少なくともマスクステージ１、基板ステージ２、照明系ＩＬの少なくとも一部、投影光学系ＰＬ、液浸システムＬＳの少なくとも一部、及び交換システムＣＳの少なくとも一部が収容されている。また、入力装置１７及び出力装置１８は、チャンバ装置１９の外側に配置されている。

また、チャンバ装置１９の外側には、液浸部材７０を収容可能な収容ステーション２０が配置されている。本実施形態においては、第１位置ＰＳ１には保持装置３０が設けられ、第２位置ＰＳ２には収容ステーション２０が設けられており、搬送装置５０は、液浸部材７０を、保持装置３０と収容ステーション２０との間で搬送可能である。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐのショット領域を投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＡに対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して投影領域ＡＲに露光光ＥＬを照射することによって、投影領域ＡＲに形成されるパターンの像で基板Ｐ上のショット領域を露光する。

露光装置ＥＸは、例えばクリーンルーム内の床面（またはベースプレート）ＦＬ上に設けられた第１コラムＣＬ１、及び第１コラムＣＬ１上に設けられた第２コラムＣＬ２を含むボディＢＤを備えている。第１コラムＣＬ１は、複数の第１支柱１１と、それら第１支柱１１に防振装置９を介して支持された鏡筒定盤７とを備えている。第２コラムＣＬ２は、鏡筒定盤７上に設けられた複数の第２支柱１２と、それら第２支柱１２に防振装置４を介して支持されたマスクステージ定盤６とを備えている。

照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＡを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。なお、図１では照明系ＩＬはその全てがチャンバ装置１９内に配置されているが、照明系ＩＬの一部をチャンバ装置１９の外部に配置してもよい。例えば、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生するＡｒＦエキシマレーザ装置をクリーンルームの床下に配置し、ビームマッチングユニットを含む伝送光学系によって、少なくとも一部がチャンバ装置１９内に配置される照明光学系に露光光ＥＬを導いてもよい。

マスクステージ１は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置１Ｄの駆動により、マスクＭを保持して、マスクステージ定盤６上で、少なくともＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ１は、エアベアリング（エアパッド）により、マスクステージ定盤６の上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。マスクステージ１は、基板Ｐの露光時に露光光ＥＬを通過させるための第１開口１Ｋを有しており、マスクステージ定盤６は、露光光ＥＬを通過させるための第２開口６Ｋを有している。照明系ＩＬから射出され、マスクＭのパターン形成領域を照明した露光光ＥＬは、マスクステージ１の第１開口１Ｋ、及びマスクステージ定盤６の第２開口６Ｋを通過した後、投影光学系ＰＬに入射する。

マスクステージ１（ひいてはマスクＭ）の位置情報（回転情報を含む）はレーザ干渉計１３によって計測される。レーザ干渉計１３は、マスクステージ１上に固設された移動鏡の反射面（あるいは、マスクステージ１の側面に形成された反射面）１４を用いてマスクステージ１の位置情報を計測する。制御装置３は、レーザ干渉計１３の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置１Ｄを駆動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒５で保持されている。鏡筒５はフランジ５Ｆを有しており、投影光学系ＰＬはフランジ５Ｆを介して鏡筒定盤７に支持されている。また、鏡筒定盤７と鏡筒５との間に防振装置を設けることができる。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、あるいは１／８等の縮小系である。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持する基板ホルダ２Ｈを有しており、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置２Ｄの駆動により、基板ホルダ２Ｈに基板Ｐを保持して、基板ステージ定盤８上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージ２は、エアベアリングにより基板ステージ定盤８の上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。基板ステージ定盤８は、床面ＦＬ上に防振装置１０を介して支持されている。基板ステージ２（ひいては基板Ｐ）の位置情報はレーザ干渉計１５によって計測される。レーザ干渉計１５は、基板ステージ２に設けられた反射面１６を用いて基板ステージ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、露光装置ＥＸは、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）を検出可能な不図示のフォーカス・レベリング検出系を備えている。制御装置３は、レーザ干渉計１５の計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置２Ｄを駆動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。なお、フォーカス・レベリング検出系としては、例えば米国特許第６,６０８,６８１号などに開示されるように、複数の検出点でそれぞれ基板Ｐの高さ情報（Ｚ軸方向に関する位置情報）を検出する多点位置検出系を用いることができる。本実施形態では、複数の検出点はその少なくとも一部が露光領域ＡＲ内に設定されるが、全ての検出点が露光領域ＡＲ（又は液浸領域ＬＲ）の外側に設定されてもよい。また、レーザ干渉計１５は、例えば特表２００１−５１０５７７号公報（対応国際公開第１９９９／２８７９０号パンフレット）などに開示されているように、基板ステージ２のＺ軸、θＸ及びθＹ方向に関する位置情報をも計測可能としてよい。この場合、少なくとも基板Ｐの位置制御ではフォーカス・レベリング検出系の検出結果を用いなくてもよいし、フォーカス・レベリング検出系を投影光学系ＰＬから離して配置してもよい。

また、本実施形態においては、基板ステージ２上には凹部２Ｒが設けられており、基板ホルダ２Ｈはその凹部２Ｒに配置されている。そして、基板ステージ２上のうち凹部２Ｒ以外の上面２Ｆは、基板ホルダ２Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ２Ｈは基板ステージ２と一体に構成してもよい。

次に、図１〜図４を参照しながら、交換システムＣＳ及び液浸システムＬＳについて説明する。図２は、交換システムＣＳの保持装置３０に保持された液浸部材７０を示すＹＺ平面と平行な側断面図、図３は、液浸システムＬＳの液浸部材７０を示す概略斜視図の一部破断図、図４は液浸部材７０を下側から見た斜視図である。

図２に示すように、保持装置３０は、液浸部材７０の上面７５Ａの少なくとも一部と接触する保持面３１を有している。保持面３１は、終端光学素子ＦＳを囲むように設けられている。本実施形態においては、保持面３１は、鏡筒５の一部に設けられており、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、液浸部材７０の上面７５Ａのうち、保持面３１と接触する領域は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。

保持装置３０は、液浸部材７０を吸着する吸着機構３２を有している。吸着機構３２は、保持面３１の複数の所定位置のそれぞれに設けられた吸引口３３と、それら吸引口３３に第１流路３４を介して接続された真空系３５とを備えている。本実施形態においては、第１流路３４は、鏡筒５の内部に形成された第１内部流路３４Ａと、第１内部流路３４Ａと真空系３５とを接続する第１管部材３４Ｂで形成される流路とを含む。吸引口３３は、第１内部流路３４Ａの一端に接続され、第１内部流路３４Ａの他端は第１管部材３４Ｂに接続されている。真空系３５は、例えば真空ポンプ等を含み、制御装置３は、吸着機構３２の真空系３５を駆動して、吸引口３３より気体を吸引することにより、液浸部材７０を保持面３１で吸着保持することができる。また、制御装置７は、真空系３５を含む吸着機構３２を制御して、吸着機構３２による液浸部材７０の吸着を解除することにより、液浸部材７０を保持面３１から離すことができる。

このように、本実施形態においては、制御装置３は、吸着機構３２を含む保持装置３０を制御することにより、液浸部材７０を保持装置３０の保持面３１に取り付け及び取り外しすることができる。なお、保持装置３０の保持面３１は、鏡筒５の内部への液体の浸入を防止するために、撥液性処理が施されていることが望ましい。または、吸引口３３を囲むシール部材を設けて、鏡筒内部への液体の侵入を防止してもよい。

なお、本実施形態においては、保持装置３０の吸着機構３２は、液浸部材７０を真空吸着する真空吸着機構を備えているが、真空吸着機構に限られるものでなく、例えば静電気の力を用いた静電吸着機構を備えていてもよい。静電吸着機構によっても、保持装置３０は液浸部材７０を着脱可能に保持することができる。

保持装置３０に保持された液浸部材７０は、基板Ｐ上に露光光ＥＬを射出する終端光学素子ＦＳの近傍において、基板Ｐ（基板ステージ２）と対向するように配置される。液浸部材７０は環状部材であって、保持装置３０に保持されることにより、基板Ｐ（基板ステージ２）の上方において終端光学素子ＦＳを囲むように配置される。保持装置３０に保持された液浸部材７０と終端光学素子ＦＳとは離れている。

液浸システムＬＳは、液体ＬＱを供給可能な供給口７１及び液体ＬＱを回収可能な回収口７２を有する液浸部材７０と、液浸部材７０の供給口７１に供給流路８１及び第２流路８４を介して接続された液体供給装置８６と、液浸部材７０の回収口７２に回収流路８２及び第３流路８５を介して接続された液体回収装置８７とを備えている。

本実施形態においては、第２流路８４は、鏡筒５の内部に形成された第２内部流路８４Ａと、第２内部流路８４Ａと液体供給装置８６とを接続する第２管部材８４Ｂとで形成される流路とを含む。供給流路８１は液浸部材７０の内部に形成されており、供給口７１は、供給流路８１の一端（下端）に接続され、供給流路８１の他端（上端）は、第２内部流路８４Ａの一端に接続されている。また、第２内部流路８４Ａの他端は、第２管部材８４Ｂに接続されている。

また、本実施形態においては、第３流路８５は、鏡筒５の内部に形成された第３内部流路８５Ａと、第３内部流路８５Ａと液体回収装置８７とを接続する第３管部材８５Ｂとで形成される流路とを含む。回収流路８２は液浸部材７０の内部に形成されており、回収口７２は、回収流路８２の一端（下端）に接続され、回収流路８２の他端（上端）は、第３内部流路８５Ａの一端に接続されている。また、第３内部流路８５Ａの他端は、第３管部材８５Ｂに接続されている。

本実施形態の露光装置ＥＸは、供給流路８１の他端と第２内部流路８４Ａの一端とを接続する第１接続機構１０１と、回収流路８２の他端と第３内部流路８５Ａの一端とを接続する第２接続機構１０２とを備えている。保持装置３０が液浸部材７０を保持したとき、すなわち保持装置３０の保持面３１と液浸部材７０の上面７５Ａとが接触したとき、第１接続機構１０１により供給流路８１の他端と第２内部流路８４Ａの一端とが接続され、第２接続機構１０２により回収流路８２の他端と第３内部流路８５Ａの一端とが接続される。また、保持装置３０が液浸部材７０の保持を解除したとき、すなわち保持装置３０の保持面３１と液浸部材７０の上面７５とが離れたとき、第１接続機構１０１による供給流路８１の他端と第２内部流路８４Ａの一端との接続が解除され、第２接続機構１０２による回収流路８２の他端と第３内部流路８５Ａの一端との接続が解除される。

すなわち、本実施形態においては、保持装置３０で液浸部材７０を保持したとき、第２流路８４と供給流路８１との接続、及び第３流路８５と回収流路８２との接続が自動的に行われ、保持装置３０での液浸部材７０の保持を解除したとき、第２流路８４と供給流路８１との接続、及び第３流路８５と回収流路８２との接続が自動的に解除される。

また、第１接続機構１０１及び第２接続機構１０２は、例えばＯリング等のシール部材を有しており、液体ＬＱの漏れを抑制している。なお、本実施形態では保持装置３０の保持面３１と液浸部材７０の上面７５Ａの両方が平坦面であるものとしたが、保持面３１及び／又は上面７５Ａが平坦面でなくてもよい。また、保持装置３０で液浸部材７０を保持する際に保持面３１と上面７５Ａとがその少なくとも一部で接触しなくてもよい。保持面３１と上面７５Ａとの間にギャップが存在しても、第１及び第２接続機構１０１、１０２によって、第２流路８４と供給流路８１との接続、及び第３流路８５と回収流路８２との接続が行われる。

液体供給装置８６及び液体回収装置８７の動作は制御装置３によって制御される。液体供給装置８６は清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能であり、真空系等を含む液体回収装置８７は液体ＬＱを回収可能である。液体供給装置８６は、第２流路８４、供給流路８１、及び供給口７１を介して液体ＬＱを供給可能であり、液体回収装置８７は、回収口７２、回収流路８２、及び第３流路８５を介して液体ＬＱを回収可能である。

図２及び図３に示すように、液浸部材７０は、終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１と対向する上面７９を有する底板７８を有している。底板７８の一部は、Ｚ軸方向に関して、終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１と基板Ｐ（基板ステージ２）との間に配置されている。

また、図２、図３、及び図４に示すように、底板７８の中央には、露光光ＥＬが通過する開口７８Ｋが形成されている。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの視野内で露光光ＥＬの断面形状（すなわち投影領域ＡＲ）は略矩形状であり、開口７８Ｋは、投影領域ＡＲに応じて略矩形状に形成されている。

液浸部材７０のうち、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面と対向する下面７７は平坦面となっている。下面７７は開口７８Ｋを囲むように底板７８に設けられている。以下の説明においては、液浸部材７０の下面７７を適宜、ランド面７７と称する。ランド面７７は、投影光学系ＰＬの終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１と基板Ｐの表面との間において、露光光ＥＬの光路（開口７８Ｋ）を囲むように設けられている。ランド面７７は、液浸部材７０のうち、基板ステージ２に保持された基板Ｐに最も近い位置に設けられており、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。光路空間Ｋを満たす液体ＬＱは底板７８及び終端光学素子ＦＳに接触する。また、終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１と底板７８の上面７９との間には所定のギャップを有する空間が設けられている。以下の説明においては、終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１と底板７８の上面７９との間の空間を含む液浸部材７０の内側の空間を適宜、内部空間Ｋ２と称する。

供給口７１は内部空間Ｋ２に接続されており、内部空間Ｋ２に液体ＬＱを供給可能である。また、本実施形態においては、供給口７１は、露光光ＥＬが通過可能な開口７８Ｋの外側において開口７８Ｋを挟んだＸ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。

また、液浸部材７０は、内部空間Ｋ２の気体を外部空間（大気空間を含む）に排出（排気）する排出口７３を有している。排出口７３は内部空間Ｋ２に接続されており、本実施形態においては、開口７８Ｋの外側において、開口７８Ｋを挟んだＹ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。内部空間Ｋ２の気体は、排出口７３及び液浸部材７０の内部に設けられた排出流路８３を介して外部空間に排出可能となっている。

回収口７２は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの上方において、その基板Ｐの表面と対向するように設けられている。回収口７２は、開口７８Ｋに対して供給口７１及び排出口７３の外側に設けられており、ランド面７７、供給口７１、及び排出口７３を囲むように環状に設けられている。回収口７２には、複数の孔を有する多孔部材８８が配置されている。多孔部材８８は基板ステージ２に保持された基板Ｐと対向する下面８９を有している。本実施形態においては、多孔部材８８の下面８９はほぼ平坦であり、多孔部材８８の下面８９とランド面７７とはほぼ面一（Ｚ軸方向の位置がほぼ同一）に設けられている。なお、回収流路８２の圧力の最適値（許容範囲）は、例えば実験又はシミュレーションにより予め求めることができる。

ランド面７７は、液体ＬＱに対して親液性を有している。本実施形態においては、ランド面７７を形成する底板７８はチタンによって形成されており、親液性（親水性）を有している。本実施形態においては、ランド面７７における液体ＬＱの接触角は例えば４０°以下である。なお、ランド面７７に親液性を高めるための表面処理を施してもよい。また、本実施形態においては、多孔部材８８はチタン製のメッシュ部材であり、液体ＬＱに対して親液性（親水性）を有している。なお、多孔部材８８に親液性を高めるための表面処理を施してもよい。なお、底板７８及び多孔部材８８の材料はチタンに限られるものでなく、他の材料、例えばアルミニウム、あるいはセラミックスなどでもよい。

また、本実施形態の液浸部材７０は、フランジ７４を備えている。フランジ７４は、液浸部材７０の上部に設けられており、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向のそれぞれに延びるように形成されている。

また、本実施形態においては、液浸部材７０の上面７５Ａと側面７５Ｂとは斜面（テーパ面）７６で接続されている。斜面７６は、上面７５Ａの＋Ｘ側、−Ｘ側、＋Ｙ側、及び−Ｙ側のそれぞれに形成されており、保持面３１に対して所定の角度で形成されている。

また、液浸部材７０のフランジ７４の側面７５Ｂの複数の所定位置のそれぞれには切欠７４Ｋが形成されている。切欠７４Ｋは、フランジ７４の厚み方向（Ｚ軸方向）に延びるように形成されている。本実施形態においては、切欠７４Ｋは、フランジ７４の＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれの側面７５Ｂの所定位置に２つずつ、全部で４つ形成されている。

また、液浸部材７０のフランジ７４の側面７５Ｂの複数の所定位置のそれぞれには凹部７４Ｍが形成されている。本実施形態においては、凹部７４Ｍは、フランジ７４の＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれの側面７５Ｂの所定位置に２つずつ、全部で４つ形成されている。

鏡筒５の内部への液体ＬＱの浸入を防止するために、液浸部材７０の上面７５Ａ、側面７５Ｂ、斜面７６には、撥液性処理が施されていることが望ましい。特に、保持装置３０の保持面３１と液浸部材７０の上面７５Ａの間に、液体が浸入することを防止するために、液浸部材７０の上面７５Ａには撥液性処理が施されていることが望ましく、この場合、前述したように保持装置３０の保持面３１にも撥液性処理が施されていることが望ましい。撥液性処理として、例えば、保持面３１や上面７５Ａに撥液性膜を塗布することができる。撥液性膜としては、例えば、ポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、あるいはシリコン系樹脂材料等を用い得る。このような撥液性膜を上記面に塗布することにより液体ＬＱの接触角を９０°以上にすることができる。これらの撥液性膜は、液浸部材７０のフランジ７４の側面７５Ｂ及び凹部７４Ｍ並びに支持部材４３に設けてもよい。なお、液体の侵入防止などのために、撥液性処理とは別の手法を採用する、例えばシール部材を用いてもよい。

図２に示すように、露光装置ＥＸは、保持装置３０とは別に設けられ、液浸部材７０を支持可能な支持機構４０を備えている。支持機構４０は、液浸部材７０を囲むように設けられた基材４１と、基材４１の内側面４２に形成された開口４２Ｋに配置され、液浸部材７０の側面７５Ｂに設けられた凹部７４Ｍに挿脱可能な支持部材４３とを備えている。基材４１は、保持面３１に対して所定位置に設けられている。本実施形態においては、支持機構４０の基材４１は、保持面３１を囲むように鏡筒５の下面に配置されている。支持部材４３は、複数の凹部７４Ｍに対応するように複数（４つ）設けられている。支持部材４３はピン状の部材であって、例えばエアシリンダ等のアクチュエータにより、その先端をＹ軸方向に移動可能に設けられている。

また、基材４１の内側面４２は、液浸部材７０の斜面（テーパ面）７６に応じた斜面（テーパ面）４４を含む。基材４１の斜面４４と液浸部材７０の斜面７６とが接触することにより、基材４１と液浸部材７０との位置関係が調整され、さらに保持装置３０の保持面３１と液浸部材７０との位置関係が所望状態に調整（位置決め）される。それゆえ、液浸部材７０の斜面７６と基材４１の斜面４４はアライメント装置として機能する。

そして、支持機構４０は、液浸部材７０の凹部７４Ｍに支持部材４３を挿入することにより、液浸部材７０を支持することができる。また、制御装置３は、液浸部材７０が保持装置３０に保持されていないときに、支持機構４０を用いて、液浸部材７０を支持可能である。支持機構４０は、保持装置３０の故障などによって保持装置３０から液浸部材７０が外れたときに支持部材４３で液浸部材７０を支持して、液浸部材７０の落下を防止する。すなわち、支持機構４０は液浸部材７０の落下を防止するための安全機構として機能する。このように、支持機構４０は保持装置３０と独立して液浸部材を支持する。また、支持機構４０は、液浸部材７０の凹部７４Ｍから支持部材４３を抜くことにより、液浸部材７０に対する支持を解除することができる。

なお、図２において、基板Ｐを保持する基板ホルダ２Ｈは、基板ホルダ２Ｈの基材の上面に設けられ、シール部材として機能する周壁２Ａと、周壁２Ａの内側に配置され、基板Ｐの裏面を支持する支持部材２Ｂと、周壁２Ａの内側における基材の上面に設けられた吸引口２Ｃとを備えている。制御装置３は、吸引口２Ｃに接続された真空系を含む吸引装置を駆動し、基板Ｐの裏面と周壁２Ａと基材とで囲まれた空間の気体を吸引して、その空間を負圧にすることによって、基板Ｐの裏面を支持部材２Ｂで吸着保持する。また、吸引口２Ｃに接続された吸引装置による吸引動作を解除することにより、基板ホルダ２Ｈから基板Ｐを外すことができる。このように、本実施形態においては、吸引口２Ｃを用いた吸引動作及び吸引動作の解除を行うことにより、基板Ｐを基板ホルダ２Ｈに対して着脱することができる。本実施形態における基板ホルダ２Ｈは所謂ピンチャック機構を含む。すなわち、支持部材２Ｂは多数のピン状部材を含む。

次に、搬送装置５０について、図１及び図２を参照しながら説明する。搬送装置５０は、液浸部材７０を、第１位置ＰＳ１と、第１位置ＰＳ１とは異なる第２位置ＰＳ２との間で搬送可能である。本実施形態においては、第１位置ＰＳ１には保持装置３０が設けられ、第２位置ＰＳ２には液浸部材７０を収容可能な収容ステーション２０が設けられており、搬送装置５０は、液浸部材７０を、保持装置３０と収容ステーション２０との間で搬送可能である。

搬送装置５０は、第１サブ搬送系５１と、第２サブ搬送系５２とを備えている。第１サブ搬送系５１は、第１位置ＰＳ１において保持装置３０との間で液浸部材７０の受け渡しを行う移動機構５３を含む。

移動機構５３は、基板ステージ２に設けられている。図２に示すように、移動機構５３は、基板ステージ２の基板ホルダ２Ｈの基材の上面に形成された開口５４に配置されるピン状部材５５と、ピン状部材５５をＺ軸方向に移動（昇降）させる駆動装置５６とを備えている。ピン状部材５５は複数（例えば３本）設けられており、駆動装置５６は、複数のピン状部材５５のそれぞれを昇降することができる。

図５は、第１位置ＰＳ１でピン状部材５５が液浸部材７０を支持している状態を示す図である。図５に示すように、移動機構５３のピン状部材５５は、保持部材３０の保持が解除された液浸部材７０のランド面７７を支持可能である。ピン状部材５５の上面には吸引口が設けられており、ピン状部材５５は、液浸部材７０のランド面７７を吸着保持することができる。移動機構５３のピン状部材５５で液浸部材７０を支持する場合には、基板Ｐは基板ホルダ２Ｈに載置されていない。

第１サブ搬送系５１の移動機構５３は、液浸部材７０を支持してＺ軸方向に移動可能であり、保持装置３０の保持面３１（すなわち、終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１）と液浸部材７０の上面７５Ａとの間隔を調整可能である。図５に示すように、制御装置３は、支持機構４０の支持部材４３を液浸部材７０の凹部７４Ｍから抜くとともに、保持装置３０の吸着機構３２による液浸部材７０に対する吸着保持を解除し、第１位置ＰＳ１において移動機構５３のピン状部材５５で液浸部材７０のランド面７７を支持する。移動機構５３のピン状部材５５で液浸部材７０のランド面７７を支持した状態で、駆動装置５６によりピン状部材５５を−Ｚ軸方向に移動することにより、第１位置ＰＳ１から液浸部材７０を−Ｚ軸方向に移動することができ、保持装置３０から液浸部材７０を遠ざけることができる。

また、制御装置３は、移動機構５３を制御してピン状部材５５を＋Ｚ軸方向に移動することにより、ピン状部材５５で支持した液浸部材７０を、保持装置３０に近づくように＋Ｚ軸方向に第１位置ＰＳ１まで上昇させることができる。また、制御装置３は、第１位置ＰＳ１で支持されている液浸部材７０の凹部７４Ｍに支持機構４０の支持部材４３を挿入するとともに、保持装置３０の吸着機構３２により液浸部材７０を保持することによって、液浸部材７０を移動機構５３から保持装置３０へ渡すことができる。このように、移動機構５３を含む第１サブ搬送系５１は、第１位置ＰＳ１において保持装置３０と液浸部材７０の受け渡しを行うことができる。

また、ピン状部材５５を含む移動機構５３は、Ｘ軸及びＹ軸方向に移動可能な基板ステージ２に設けられており、制御装置３は、ピン状部材５５で液浸部材７０を支持した状態で、あるいは基板ステージ２に液浸部材７０を載置した状態で、基板ステージ２を少なくともＹ軸方向に移動することにより、液浸部材７０を、投影光学系ＰＬの直下から移動するとともに、その直下まで移動することができる。すなわち、第１及び第２位置ＰＳ１、ＰＳ２の間での液浸部材７０の移動にあたって、液浸部材７０を搭載した基板ステージ２をＸＹ平面内で駆動しても、Ｚ軸方向に関して液浸部材７０の上面７５Ａは終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１よりも下がっているので、液浸部材７０が終端光学素子ＦＳと接触することがない。これにより、露光装置のメンテナンス時などにおいて、例えば洗浄または交換のための液浸部材７０の搬出入が可能となる。すなわち、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐの露光を行う露光本体部からの液浸部材７０の搬出、及び洗浄または交換された液浸部材の露光本体部への搬入が可能となる。なお、本実施形態では保持装置３０とピン状部材５５との間で液浸部材７０の受け渡しが行われる位置を第１位置ＰＳ１としたが、その受け渡し時にＸＹ平面内で基板ステージ２が配置される位置も、正確にはＺ軸方向に関して第１位置ＰＳ１とは異なるものの、以下では第１位置ＰＳ１と呼ぶものとする。

なお、本実施形態では液浸部材７０の着脱（搬出入）時、移動機構５３によって終端光学素子ＦＳと液浸部材７０とをＺ軸方向に相対移動するものとしたが、これに限らず、例えば液浸部材７０を搭載した基板ステージ２及び／又は投影光学系ＰＬをＺ軸方向に移動してもよい。また、保持装置３０から取り外された液浸部材あるいは保持装置３０に取り付ける液浸部材を支持する、すなわち保持装置３０との間で液浸部材７０の受け渡しが行われる部材はピン状部材５５に限られるものでなく、例えば基板ホルダ２Ｈの支持部材２Ｂ、あるいはＸＹ平面内で移動可能な可動部材（例えば、搬送アーム）などでもよい。

また、本実施形態において、移動機構５３は、基板Ｐの搬送にも使用される。すなわち、移動機構５３は、基板ホルダ２Ｈに対する基板Ｐのロード及びアンロード時において、駆動装置５６によりピン状部材５５を昇降することで、基板Ｐの裏面を支持してＺ軸方向に移動可能である。

第２サブ搬送系５２は、第１搬送機構６１と第２搬送機構６２とを含む。第２サブ搬送系５２は、第１位置ＰＳ１と第２位置ＰＳ２との間に設けられている。なお、第２サブ搬送系５２は、第１位置ＰＳ１と第２位置ＰＳ２とを結ぶ直線上に設けられている必要はなく、第１位置ＰＳ１と第２位置ＰＳ２との間で液浸部材７０を搬送可能に配置されていればよい。本実施形態においては、第１搬送機構６１は、鏡筒５の＋Ｙ側において第１コラムＣＬ１の鏡筒定盤７に設けられている。第２搬送機構６２は、基板ステージ定盤８の＋Ｙ側において床面ＦＬ上に配置されている。

第１搬送機構６１及び第２搬送機構６２を含む第２サブ搬送系５２は、第１位置ＰＳ１及び第２位置ＰＳ２とは異なる第３位置ＰＳ３で、第１サブ搬送系５１との間で液浸部材７０の受け渡しを行うことができる。また、第２サブ搬送系５２は、第３位置ＰＳ３と第２位置ＰＳ２との間で液浸部材７０の搬送を行うことができる。第１搬送機構６１は、液浸部材７０のフランジ７４を保持可能な第１アーム６３を有し、第２搬送機構６２は、液浸部材７０のランド面（下面）７７を保持可能な第２アーム６４を有している。第１搬送機構６１の第１アーム６３及び第２搬送機構６２の第２アーム６４のそれぞれは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。第１搬送機構６１と第２搬送機構６２とは液浸部材７０の受け渡しを行うことができる。第１アーム６３及び第２アーム６４の駆動動作については後述する。

また、第２サブ搬送系５２の第１搬送機構６１は、第３位置ＰＳ３近傍に配置されており、第１サブ搬送系５１の移動機構５３は、基板ステージ２を移動することによって、第１位置ＰＳ１と第３位置ＰＳ３近傍との間で移動可能である。そして、搬送装置５０は、第３位置ＰＳ３で、移動機構５３を含む第１サブ搬送系５１と、第１搬送機構６１を含む第２サブ搬送系５２との間で液浸部材７０の受け渡しを行うことができる。このように、本実施形態においては、搬送装置５０は、保持装置３０が設けられた第１位置ＰＳ１及び収容ステーション２０が設けられた第２位置ＰＳ２とは異なる第３位置ＰＳ３で、液浸部材７０の受け渡しを行う第１サブ搬送系５１と第２サブ搬送系５２とを有している。

また、チャンバ装置１９の収容ステーション２０近傍には開口２１が形成されており、その開口２１には扉２２が配置されている。第２搬送機構６２の第２アーム６４は、収容ステーション２０にアクセス可能となっている。制御装置３は、第２アーム６４を収容ステーション２０にアクセスするとき、扉２２を開けて開口２１を解放する。例えば、第２アーム６４は、収容ステーション２０に収容されている液浸部材７０を収容ステーション２０から取り出すことができるし、保持した液浸部材７０を収容ステーション２０に収容することもできる。こうして搬送装置５０の第２搬送機構６２は、液浸部材７０を第２位置ＰＳ２と第３位置ＰＳ３との間で受け渡しする。

なお、本実施形態の搬送装置５０は、基板Ｐも搬送可能である。制御装置３は、不図示の基板収容ステーション、あるいはコータ装置等の周辺装置からチャンバ装置１９内に搬送された露光処理されるべき基板Ｐを、第２サブ搬送系５２の第２搬送機構６２で受け取ることができる。第２搬送機構６２は、保持した基板Ｐを第１搬送機構６１に渡すことができる。そして、第１搬送機構６１は、保持している基板Ｐを、例えば第３位置ＰＳ３において基板ステージ２に設けられている第１サブ搬送系５１のピン状部材５３を含む移動機構５３に渡すことができる。第１サブ搬送系５１の移動機構５３が第２サブ搬送系５２の第１搬送機構６１から基板Ｐを受け取るときには、ピン状部材５５は上昇しており、第２サブ搬送系５２の第１搬送機構６１は、その上昇しているピン状部材５５に基板Ｐを渡す。そして、制御装置３は、移動機構５３の駆動装置５６を制御して、ピン状部材５５を下降することにより、基板ホルダ２Ｈ上に基板Ｐを載置することができる。また、露光後の基板Ｐを基板ステージ２からアンロードする場合には、制御装置３は、基板ステージ２を第３位置ＰＳ３に移動し、移動機構５３の駆動装置５６を制御してピン状部材５５を上昇させ、基板Ｐを基板ホルダ２Ｈから離す。基板ホルダ２Ｈから離された基板Ｐは、第３位置ＰＳ３において、第２サブ搬送系５２の第１搬送機構６１に渡される。第１搬送機構６１は、その基板Ｐを第２搬送機構６２に渡し、第２搬送機構６２は、その基板Ｐを不図示の基板収容ステーション、あるいはデベロッパ装置等の周辺装置に渡す。なお、本実施形態では液浸部材７０と基板Ｐとで搬送装置５０を兼用するものとしたが、液浸部材７０と基板Ｐとでそれぞれ専用の搬送装置を設けてもよい。また、搬送装置５０は上記構成に限られるものでない。例えば、第１位置ＰＳ１と第３位置ＰＳ３（又は第２位置ＰＳ２）との間を移動可能な可動部材（例えば、搬送アーム）を設け、この可動部材によって液浸部材７０の搬送を行ってもよい。この場合、保持装置３０と可動部材との間で液浸部材７０の受け渡しを行ってもよい。

また、図２に示すように、露光装置ＥＸは、液浸部材７０の状態を検出する検出装置９０を備えている。検出装置９０は、液浸部材７０の回収口７２に接続する流路の圧力を検出する圧力センサ９１を含む。本実施形態においては、圧力センサ９１は、第３流路８５の第３管部材８５Ｂに設けられている。

制御装置３は、圧力センサ９１を用いて、回収口７２に接続する回収流路８２の圧力の値を検出することができるとともに、圧力センサ９１の検出結果に基づいて、回収流路８２の圧力と外部空間の圧力との差を求めることができる。したがって、制御装置３は、圧力センサ９１の検出結果に基づいて、液浸部材７０の回収口７２が所望状態で液体ＬＱを回収しているかどうかを判断することができる。

また、検出装置９０は、液浸部材７０の表面（主に下面）の状態を観察可能な撮像装置９２を含む。図１に示すように、本実施形態においては、撮像装置９２は、基板ステージ２の、基板ホルダ２Ｈとは異なる位置に設けられている。

図６は、撮像装置９２を示す模式図である。基板ステージ２の上面２Ｆの一部には開口部２Ｋが形成されており、その開口２Ｋには石英や蛍石等の透明部材９３が配置されている。なお、透明部材９３の材料は、後述する撮像素子に導かれる光の波長により適宜選択可能である。透明部材９３の上面（撮像装置９２の検出面）は平坦面であり、基板ステージ２の上面２Ｆとほぼ面一となっている。

基板ステージ２には、開口２Ｋに接続する内部空間２Ｌが形成されており、撮像装置９２は内部空間２Ｌに配置されている。撮像装置９２は、透明部材９３の下側に配置された光学系９４と、ＣＣＤ等の撮像素子９５とを備えている。撮像素子９５は、液浸部材７０の下面（ランド面７７、多孔部材８８の下面８９を含む）の光学像（画像）を透明部材９３及び光学系９４を介して取得可能である。また、撮像素子９５は、液体ＬＱ、終端光学素子ＦＳの下面などの光学像（画像）も取得可能である。撮像素子９５は取得した画像を電気信号に変換し、その信号（画像情報）を制御装置３に出力する。また、撮像装置９２は、光学系９４の焦点位置を調整可能な調整機構９６を有している。なお、撮像装置９２はその全てが基板ステージ２に設けられていなくてもよいし、基板ステージ２とは独立に可能な計測ステージ（不図示）に設けてもよい。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸのメンテナンス方法及び露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について、図２３を参照しつつ説明する。マスクＭのパターンの像で基板Ｐを露光する場合、制御装置３は、露光光ＥＬの光路を含む光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすために、液体供給装置８６及び液体回収装置８７のそれぞれを駆動する。液体供給装置８６から送出された液体ＬＱは、第２流路８４を流れた後、液浸部材７０の供給流路８１を介して、供給口７１より内部空間Ｋ２に供給される。供給口７１から内部空間Ｋ２に供給された液体ＬＱは、内部空間Ｋ２を満たした後、開口７８Ｋを介してランド面７７と基板Ｐ（基板ステージ２）との間の空間に流入し、光路空間Ｋを満たす。このように、液浸システムＬＳは、供給口７１から終端光学素子ＦＳと底板７８との間の内部空間Ｋ２に液体ＬＱを供給することによって、終端光学素子ＦＳ（投影光学系ＰＬ）と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路を含む光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。このとき、液体回収装置８７は、単位時間当たり所定量の液体ＬＱを回収している。真空系を含む液体回収装置８７は、回収流路８２を負圧にすることにより、回収口７２（多孔部材８８）と基板Ｐとの間に存在する液体ＬＱを、回収口７２を介して回収することができる。光路空間Ｋに満たされている液体ＬＱは、液浸部材７０の回収口７２を介して回収流路８２に流入し、第３流路８５を流れた後、液体回収装置８７に回収される。制御装置３は、液浸システムＬＳを制御して、液体供給装置８６による液体供給動作と液体回収装置８７による液体回収動作とを並行して行うことで、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上の一部に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。そして、制御装置３は、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で、光路空間Ｋに対して基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ液体ＬＱを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して液浸露光を実行する（Ｓ１０）。

制御装置３は、少なくとも液浸領域ＬＲの形成動作中（基板の露光中を含む）においては、保持装置３０で液浸部材７０を支持している。また、制御装置３は、液浸部材７０の凹部７４Ｍに支持部材４３を挿入する。これにより、例えば液浸領域ＬＲの形成動作中に、何らかの原因で保持装置３０による液浸部材７０の保持が解除されたり、保持力が弱まったりした場合でも、液浸部材７０が落下することを防止することができる。したがって、液浸部材７０の落下に起因して、基板ステージ２、基板ステージ定盤８、及び液浸部材７０等が損傷するなどといった不具合の発生を防止することができる。

ところで、液浸部材７０は劣化及び／又は汚染が生じる可能性がある。例えば、液浸領域ＬＲの液体ＬＱは基板Ｐの表面と液浸部材７０との両方に接触するが、基板Ｐの感光材、あるいは感光材上に塗布されるトップコート等の材料が液体ＬＱ中に異物として混入し、その異物が液浸部材７０に付着し、液浸部材７０を汚染する可能性がある。あるいは、空中を浮遊する異物が液浸部材７０に付着し、液浸部材７０を汚染する可能性もある。液浸部材７０のランド面７７が汚染すると、液浸部材７０と基板Ｐとの間で液体ＬＱを良好に保持できなくなり、例えば液浸部材７０に対して基板Ｐを移動するときに、液体ＬＱの流出を招く可能性がある。また、液浸部材７０の回収口７２に配置された多孔部材８８が汚染されると、液体ＬＱを良好に回収できなくなり、液浸部材７０と基板Ｐとの間で液体ＬＱを良好に保持できなくなる可能性がある。また、液浸部材７０に付着していた異物が、基板Ｐの露光中に液体ＬＱ中に混入し、露光光ＥＬの光路上で浮遊したり、基板Ｐ上に付着したりする可能性がある。また、何らかの原因で、液浸部材７０が損傷する可能性もある。そのような不具合が生じている液浸部材７０（異常状態の液浸部材７０）を使用し続けた場合、所望状態の液浸領域ＬＲを形成できず、その結果、露光精度及び／又は計測精度などが劣化する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、交換システムＣＳを用いて、液浸部材７０を自動的に交換する。

次に、液浸部材７０を交換する動作について、図７〜図１６の模式図を参照して説明する。ここで、液浸部材７０の交換動作は、基板Ｐを露光していないときに実行される。また、液浸部材７０の交換動作を実行する際には、基板ホルダ２Ｈには、基板Ｐは載置されていない。

制御装置３は、液浸部材７０の状態を検出装置９０を用いて検出する。本実施形態においては、図７に示すように、制御装置３は、基板ステージ２の位置を調整して、液浸部材７０の下面と基板ステージ２に設けられている透明部材９３とを対向させ、撮像装置９２を用いて、液浸部材７０の表面の状態、具体的には液浸部材７０のランド面７７、多孔部材８８の状態を観察する(Ｓ１２)。本実施形態においては、制御装置３は、液浸領域ＬＲの液体ＬＱを全て回収した後（液浸部材７０、基板ステージ２などの内部の液体ＬＱも全て除去した後）に、撮像装置９２を用いた液浸部材７０の表面の状態の観察を行う。なお、撮像装置９２を用いた観察動作中において、液浸部材７０と基板ステージ２の上面２Ｆ（透明部材９３）との間に液体ＬＱが満たされていてもよい。この場合、撮像装置９２は、液体ＬＱを介して、液浸部材７０の状態を観察し、撮像装置９２を用いた観察動作の終了後に、液浸部材７０の交換を行う場合には、液浸領域ＬＲの液体ＬＱを全て回収する動作が実行される。

また、本実施形態においては、制御装置３は、検出装置９０の撮像装置９２を用いた液浸部材７０の状態の検出動作を、所定枚数の基板の露光処理が行われるたびに実行する。なお、制御装置３は、検出装置９０の撮像装置９２を用いた液浸部材７０の状態の検出動作を、所定時間間隔で実行してもよい。

撮像装置９２で撮像された画像情報は制御装置３に出力される。制御装置３は、撮像装置９２の検出結果に基づいて、液浸部材７０の交換の要否を判断する(Ｓ１４)。そして、制御装置３は、撮像装置９２の検出結果に応じて、液浸部材７０の交換動作を実行する。例えば、制御装置３は、撮像装置９２で撮像された画像情報を画像処理し、その処理結果に基づいて、液浸部材７０の交換の要否を判断する。

制御装置３には、液浸部材７０の汚染状態についての許容範囲に関する情報が予め記憶されており、制御装置３は、その記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材７０の交換の要否を判断する。例えば、記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材７０の汚染状態が許容範囲内であると判断した場合、制御装置３は、液浸部材７０の交換を行わず、その液浸部材７０を用いた液浸露光動作を継続する（Ｓ１６）。ここで、液浸部材７０の汚染状態が許容範囲内であるとは、その液浸部材７０を用いて所望の露光精度及び計測精度を維持できる状態をいう。汚染状態についての許容範囲は、例えば実験あるいはシミュレーションにより予め求め、制御装置３に記憶しておくことができる。

一方、記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材７０の汚染状態が許容範囲外であると判断した場合、制御装置３は、液浸部材７０の交換動作を開始する(Ｓ１８)。制御装置３は、基板ステージ２上の液体ＬＱを全て回収した後、液浸部材７０の交換動作を開始する。

図８に示すように、制御装置３は、液浸部材７０の下面と基板ステージ２の移動機構５３とが対向するように基板ステージ２の位置を調整するとともに、移動機構５３のピン状部材５５を上昇させ、そのピン状部材５５の上面と液浸部材７０のランド面７７とを接触させる。次に、制御装置３は、支持機構４０の支持部材４３を、液浸部材７０の凹部７４Ｋから抜き、その後に保持装置３０による液浸部材７０の保持を解除する。すなわち、制御装置３は、図５に示した状態にする。これにより、液浸部材７０は、第１位置ＰＳ１において、保持装置３０から第１サブ搬送系５１の移動機構５３に渡される。

次に、制御装置３は、移動機構５３のピン状部材５５で液浸部材７０を支持した状態で、ピン状部材５５を下降する。これにより、図９に示すように、液浸部材７０の上面７５Ａと保持装置３０の保持面３１とが離れる。また、制御装置３は、液浸部材７０の上面７５Ａが終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１よりも下側（−Ｚ側）に配置されるまで、ピン状部材５５を下降する。なお、ピン状部材５５を下降するのみでは、液浸部材７０の上面７５Ａを終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１よりも下側に配置できない場合には、制御装置３は、基板ステージ定盤８を支持する防振装置１０を制御して、基板ステージ定盤８を基板ステージ２とともに下降することができる。防振装置１０は、アクチュエータとダンパ機構とを備えたアクティブ防振装置であり、その防振装置１０のアクチュエータは、基板ステージ定盤８を少なくともＺ軸方向に移動可能である。そのため、制御装置３は、防振装置１０のアクチュエータを駆動して、基板ステージ定盤８を−Ｚ方向に移動することにより、基板ステージ２を−Ｚ方向に移動（下げる）ことができる。したがって、制御装置３は、防振装置１０のアクチュエータを駆動することで、基板ステージ２に設けられている移動機構５３のピン状部材５５に支持されている液浸部材７０も−Ｚ方向に移動することができ、液浸部材７０の上面７５Ａを終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１よりも下側に配置することができる。もちろん、可能であれば、液浸部材７０の上面７５Ａが終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１よりも下側（−Ｚ側）に配置されるように、鏡筒定盤７を＋Ｚ方向に移動してもよいし、鏡筒定盤７と基板ステージ定盤８の両方を動かしてもよい。また、搬送装置５０の少なくとも一部として、ＸＹ平面内で可動かつ液浸部材７０を保持可能な可動部材（例えば、搬送アーム）を設け、基板ステージ２を投影光学系ＰＬの直下から退避させた状態で、液浸部材７０を保持した可動部材をＺ軸方向に移動してもよい。これにより、液浸部材７０のＺ軸方向の移動量を、保持装置３０の保持面３１と終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１との間隔よりも大きくでき、液浸部材７０の上面７５Ａを終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１よりも下側（−Ｚ側）に配置することが可能となる。

次に、制御装置３は、基板ステージ２を少なくともＹ軸方向に移動して、第２サブ搬送系５２の第１搬送機構６１が配置されている第３位置ＰＳ３近傍まで移動する。基板ステージ２が第３位置ＰＳ３近傍まで移動することにより、基板ステージ２の移動機構５３に支持されている液浸部材７０も、基板ステージ２と一緒に第３位置ＰＳ３に移動する。上述のように、液浸部材７０の上面７５Ａは終端光学素子ＦＳの下面Ｔ１よりも下側に配置されているので、基板ステージ２を第３位置ＰＳ３近傍に移動するために、基板ステージ２をＸＹ平面内で移動した場合でも、基板ステージ２上の液浸部材７０と終端光学素子ＦＳとは接触しない。

そして、図１０に示すように、制御装置３は、第１搬送機構６１の第１アーム６３と移動機構５３のピン状部材５５との少なくとも一方をＺ軸方向に移動し、第３位置ＰＳ３近傍に配置されている基板ステージ２上の液浸部材７０と第１アーム６３とを接近させる。次に、制御装置３は、第１アーム６３の支持面が液浸部材７０のフランジ７４の下に位置するように、第１搬送機構６１の第１アーム６３と移動機構５３（基板ステージ２）とを少なくともＸ軸方向に相対的に移動する。次に、制御装置３は、第１アーム６３とピン状部材５５とが離れるようにＺ軸方向に相対的に移動して、第１搬送機構６１の第１アーム６３で、液浸部材７０のフランジ７４を保持する。こうして、液浸部材７０は、第３位置ＰＳ３で、第１サブ搬送系５１の移動機構５３（ピン状部材５５）から、第２サブ搬送系５２の第１搬送機構６１（第１搬送アーム６３）に渡される。

次に、図１１に示すように、制御装置３は、第１搬送機構６１の第１アーム６３で上側から保持されている液浸部材７０を、第２搬送機構６２の第２アーム６４に渡す。第２搬送機構６２の第２アーム６４は、液浸部材７０を下側から受け取る。すなわち、制御装置３は、第１搬送機構６１の−Ｚ側に第２搬送機構６２の第２アーム６４をのばした後、第１アーム６３と第２アーム６４とが近づくようにＺ軸方向に相対的に移動し、第１搬送機構６１の第１アーム６３から第２搬送機構の第２アーム６４へ液浸部材７０を受け渡す。なお、第２搬送アーム６４は液浸部材７０のランド面７７とのみ接触するように液浸部材７０を保持する。

次に、図１２に示すように、制御装置３は、第２搬送機構６２を用いて、液浸部材７０を、第２位置ＰＳ２の収容ステーション２０に収容する。すなわち制御装置３は、第２アーム６４を少なくともＹ軸方向に移動して、収容ステーション２０（第２位置ＰＳ２）に液浸部材７０を搬入する。なお、制御装置３は、第２搬送機構６２を用いて液浸部材７０を収容ステーション２０に収容するとき、扉２２を開けて開口２１を解放する。

次に、制御装置３は、新たな清浄な液浸部材７０を取り付ける動作を実行する。なお、新たな液浸部材７０を取り付ける動作は、液浸部材７０を取り外す動作とほぼ逆の順序で各搬送機構を動作させればよいので、説明は簡略化する。制御装置３は、第２サブ搬送系５２の第２搬送機構６２を用いて、収容ステーション２０に収容されている新たな清浄な液浸部材７０を、その収容ステーション２０から搬出する。図１３に示すように、制御装置３は、その新たな液浸部材７０を、第２搬送機構６２（第２搬送アーム６４）から第１搬送機構６１（第１搬送アーム６３）に渡す。

次に、図１４に示すように、制御装置３は、第３位置ＰＳ３近傍に基板ステージ２を移動するとともに、その第３位置ＰＳ３において、第１搬送機構６１（第１搬送アーム６１）から基板ステージ２上の移動機構５３（ピン状部材５５）に新たな液浸部材７０を渡す。こうして、液浸部材７０は、第３位置ＰＳ３で、第２サブ搬送系５２の第１搬送機構６１から、第１サブ搬送系５１の移動機構５３に渡される。なお、図１４では、基板ステージ２上でピン状部材５５が下降している状態を示している。

次に、図１５に示すように、制御装置３は、基板ステージ２を少なくともＹ軸方向に移動して、基板ステージ２上の液浸部材７０を、保持装置３０（投影光学系ＰＬ）の下方に配置する。なお、基板ステージ２を移動して、液浸部材７０を保持装置３０の下方に配置する際、基板ステージ２上の液浸部材７０と終端光学素子ＦＳとが接触しないように、制御装置３は、鏡筒定盤７と基板ステージ定盤８（すなわち、投影光学系ＰＬと基板ステージ２）をＺ軸方向に相対的に移動しておくことができる。

制御装置３は、基板ステージ２上の液浸部材７０を保持装置３０の下方に配置した後、保持装置３０と、移動機構５３に支持された液浸部材７０とが近づくように、鏡筒定盤７と基板ステージ定盤８とをＺ軸方向に相対的に移動するとともに、第１サブ搬送系５１の移動機構５３を制御して、ピン状部材５５に支持された液浸部材７０を第１位置ＰＳ１まで上昇させる。これにより、図１６に示すように、ピン状部材５５に支持された液浸部材７０は、保持装置３０に接近し、液浸部材７０の上面７５と保持装置３０の保持面３１とが接触する。

図１７は、ピン状部材５５に支持された液浸部材７０を保持装置３０の保持面３１に接近させている状態を示す図である。制御装置３は、ピン状部材５５を上昇させることにより、基材４１に形成された斜面４４でガイドしつつ、そのピン状部材５５に支持されている液浸部材７０を保持装置３０に接近させることができる。新たな液浸部材７０にも斜面７６が形成されており、制御装置３は、基材４１の斜面４４と、液浸部材７０の斜面７６とを接触させつつ、その液浸部材７０の上面７５Ａを保持装置３０の保持面３１に接近させることができる。したがって、基材４１の斜面４４で液浸部材７０の＋Ｚ方向への移動をガイドすることができ、保持装置３０と、その保持装置３０に保持される液浸部材７０との位置関係を調整することができる。

そして、制御装置３は、第１位置ＰＳ１において、保持装置３０の保持面３１と液浸部材７０の上面７５Ａとを接触させた状態で、保持装置３０の吸引機構３２を用いて、液浸部材７０を吸着する。これにより、液浸部材７０は、第１位置ＰＳ１において、第１サブ搬送系５１の移動機構５３により、保持装置３０に渡され、保持装置３０に保持される。ここで、第１流路３４の圧力を検出する圧力センサを設けておくことにより、制御装置３は、その圧力センサの検出結果に基づいて、保持装置３０の吸着機構３２が液浸部材７０を良好に保持できたかどうかを判断することができる。

また、液浸部材７０が保持装置３０に保持されることにより、第１接続機構１０１によって、第２流路８４と供給流路８１とが接続されるとともに、第２接続機構１０２によって、第３流路８５と回収流路８２とが接続される。

また、制御装置３は、そのピン状部材５５に支持されている液浸部材７０を保持装置３０に接近させることができ、支持機構４０の支持部材４３を液浸部材７０の凹部７４Ｍに挿入する。保持装置３０と液浸部材７０との位置関係は、斜面７６、４４によって調整されているので、支持機構４０は、支持部材４３を液浸部材７０の凹部７４Ｍに円滑に挿入することができる。これにより、制御装置３は、液浸部材７０が保持装置３０に保持されていないときにおいて、支持機構４０で液浸部材７０を支持することができる。

保持装置３０で液浸部材７０を保持した後、制御装置３は、液浸部材７０とピン状部材５５とが離れるように、移動機構５３のピン状部材５５を−Ｚ方向に移動し、ピン状部材５５を基板ステージ２内に格納する。なお、ピン状部材５５を−Ｚ方向に移動する前に、支持機構４０の支持部材４３が液浸部材７０の凹部７４Ｍに挿入されているので、万が一、保持装置３０から液浸部材７０が外れたとしても、支持機構４０の支持部材４３で液浸部材７０を支持して、液浸部材７０の落下を防止することができる。

次に、制御装置３は、液浸部材７０と基板ステージ２の上面２Ｆとを対向させた状態で、液体供給装置８６の液体供給動作と液体回収装置８７の液体回収動作とを、所定時間、並行して行う。すなわち、制御装置３は、基板ステージ２の上面２Ｆ上に液浸領域ＬＱを形成しつつ、所定時間、第２流路８４、供給流路８１、回収流路８２、及び第３流路８５に液体ＬＱを流し続け、液体ＬＱと接触する各流路を、液体ＬＱで洗浄（フラッシング）する。また、液体ＬＱを流し続けることにより、液浸部材７０のランド面７７、上面７９等の液体ＬＱと接触する液体接触面、あるいは終端光学素子ＦＳの液体ＬＱと接触する液体接触面を液体ＬＱで洗浄（フラッシング）することができる(Ｓ２０)。また、液浸部材７０の液体接触面（ランド面７７、多孔部材８８の下面８９など）の親液性（親水性）を高めることができる。なお、このフラッシング動作のときに、基板Ｐの代わりに、基板ホルダ２Ｈにダミー基板を載置し、液浸部材７０とダミー基板とを対向させた状態でフラッシングを行うこともできる。

そして、フラッシングの終了後、制御装置３は、次に露光される基板Ｐを基板ステージ２上にロードして、その新たな液浸部材７０を用いて基板Ｐの液浸露光を再開する(Ｓ１６)。

以上説明したように、液浸部材７０を交換する交換システムＣＳを設けたので、その交換システムＣＳを用いて液浸部材７０の交換を円滑に行うことができる。したがって、露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑制することができるとともに、異常状態の液浸部材７０を使用し続けることに起因する露光精度及び計測精度の劣化を抑制することができる。

すなわち、不具合が生じている液浸部材７０を交換あるいはメンテナンスするために、例えば作業者が液浸部材７０にアクセスする場合、露光装置の動作を停止する必要が生じる可能性がある。また、液浸部材７０の交換作業等を円滑に行うために、液浸部材７０の周辺に取り付けられている部材、機器などの取り外し作業、分解作業を行う必要が生じる可能性もある。また、露光装置の動作の停止、あるいは作業者の液浸部材７０へのアクセスにより、空調エリア（チャンバ装置１９内）の環境が変動する可能性もある。また、液浸部材７０の交換作業終了後、露光装置ＥＸの動作を再開させるために、取り外したり分解したりした周辺の部材、機器などを元の状態に戻すための復帰作業や、空調エリアの環境を元の状態に戻すための待ち時間を設定する必要が生じる可能性がある。また、露光装置ＥＸの動作を停止したことにより、露光装置ＥＸを構成する各種機器のキャリブレーション作業を実行する必要が生じる可能性もある。その場合、露光装置ＥＸの稼動率が著しく低下する可能性がある。

本実施形態においては、交換システムＣＳを設けたので、上述のような取り外し作業、分解作業、及び復帰作業や、キャリブレーション作業、あるいは待ち時間の設定を省くことができ、露光装置ＥＸの稼動率の低下を招くことなく、液浸部材７０を円滑に交換することができる。なお、本実施形態では液浸部材７０を介して投影光学系ＰＬに振動が伝達する可能性があるので、例えば防振装置などによってその振動の伝達を抑制してもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について、図１８を参照して説明する。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１８は、第２実施形態に係る露光装置ＥＸの要部を示す断面図である。本実施形態の特徴的な部分は、液浸部材７０を保持するための保持装置３０の保持面３１が、鏡筒５とは別の支持部材１１０に設けられている点にある。支持部材１１０は、終端光学素子ＦＳを囲むように配置された環状部材であって、その下面に、液浸部材７０を保持するための保持面３１が設けられている。支持部材１１０の保持面３１には、上述の第１実施形態と同様、吸着機構３２の吸引口３３が形成されている。

支持部材１１０は、支持機構１１３を介して、第１コラムＣＬ１の鏡筒定盤７に接続されている。支持機構１１３は、鏡筒定盤７に接続された防振装置１１１と、防振装置１１１と支持部材１１０とを接続する接続部材１１２とを含む。そして、第１流路３４の第１内部流路３４Ａは、支持部材１１０及び接続部材１１２の内部に形成されている。また、第２流路８４の第２内部流路８４Ａ、及び第３流路８５の第３内部流路８５Ａも、支持部材１１０及び接続部材１１２の内部に形成されている。

このように、液浸部材７０を保持するための保持面３１を有する部材は任意に設定することができ、本実施形態のように、液浸部材７０を保持するための保持面３１を有する部材が、鏡筒定盤７を含む第１コラムＣＬ１に接続されていてもよい。また、第１コラムＣＬ１の鏡筒定盤７と支持部材１１０及び接続部材１１２とは防振装置１１１を介して接続されているので、支持部材１１０及び接続部材１１２で発生した振動が、鏡筒定盤７に支持された投影光学系ＰＬに伝達することを抑制することができる。

また、保持面３１は、ＸＹ平面と平行に限らず、ＸＹ平面と交差するように（例えば垂直に）配置されていてもよい。また、本実施形態では支持部材１１０が環状であるものとしたが、これに限らず、例えば複数の支柱などでもよい。なお、上述の第１、第２実施形態では、液浸部材７０を設ける部材（鏡筒５あるいは支持部材１１０）が保持面３１を有するものとしたが、液浸部材７０の保持機構の構成などによってはその部材に保持面３１を設けなくてもよい。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について、図１９を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。上述の実施形態においては、第１サブ搬送系５１の移動機構５３のピン状部材５５は、基板ホルダ２Ｈの開口５４内に設けられ、基板Ｐも搬送可能（昇降可能）であったが、本実施形態においては図１９の模式図に示すように、ピン状部材５５が、基板ホルダ２Ｈとは異なる位置に設けられていてもよい。図１９に示す例では、ピン状部材５５は、基板ステージ２の上面２Ｆに配置されている。本実施形態においては、基板Ｐを昇降するピン状部材と、液浸部材７０を昇降するピン状部材とは別の部材である。それゆえ、液浸部材７０を昇降するピン状部材と基板Ｐを昇降するピン状部材の寸法や配置などを、搬送する対象に応じて適宜最適化させることができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について、図２０を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。上述の実施形態においては、第１サブ搬送系５１の移動機構５３は、基板ステージ２に設けられているが、基板ステージ２に設けなくても良い。例えば、図２０に示すように、基板ステージ２とは別の移動体２’に設けられていてもよい。本実施形態においては、移動体２’が、保持装置３０が配置された第１位置ＰＳ１の近傍位置と、第１搬送機構６１が配置された第３位置ＰＳ３の近傍位置との間で移動可能である。

また、本実施形態においては、基板Ｐを搬送する搬送装置５０’と、液浸部材７０を搬送する搬送装置５０とは別の装置である。本実施形態においては、液浸部材７０を搬送する搬送装置５０は、移動体２’を含み、保持装置３０が配置された第１位置ＰＳ１と、収容ステーション２０が配置された第２位置ＰＳ２との間で、液浸部材７０を搬送可能である。また、基板Ｐを搬送する搬送装置５０’は、基板収容ステーション２０’又はコータ・デベロッパ装置等の周辺装置との間で基板Ｐの受け渡しを行う第４位置ＰＳ４で、基板Ｐを基板ステージ２にロード可能である。本実施形態では、第４位置ＰＳ４で基板ステージ２から基板Ｐのアンロードを行うものとしたが、第４位置ＰＳ４と異なる位置でアンロードを行ってもよい。すなわち、基板Ｐのロード位置とアンロード位置とを異ならせてもよい。また、計測部材を有する計測ステージを備える露光装置では、移動体２’としてその計測ステージを用いてもよい。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について、図２１及び図２２を参照して説明する。上述の実施形態においては、保持装置３０に接近する液浸部材７０の移動を斜面４４でガイドすることによって、液浸部材７０と保持装置３０との位置関係を調整しているが、本実施形態の特徴的な部分は、液浸部材７０と保持装置３０との位置関係を調整する装置（アライメント装置）として、搬送装置５０の搬送経路上に設けられ、検出光Ｌａを射出する投射装置１３１及び検出光Ｌａを受光可能な受光装置１３２を有し、搬送装置５０に保持された液浸部材７０の位置情報を光学的に取得する光学装置１３０を設けた点にある。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。

本実施形態においては、光学装置１３０は、第１搬送機構６１の搬送経路上に配置されている。図２１に示すように、光学装置１３０は、第１搬送機構６１の第１アーム６３に対して所定位置に配置された複数の投射装置１３１と、投射装置１３１に対して所定位置に配置された複数の受光装置１３２とを備えている。本実施形態においては、受光装置１３２のそれぞれは、第１搬送機構６１の上板部材６１Ａの下面に設けられ、投射装置１３１のそれぞれは、受光装置１３２と対向するように配置されている。

投射装置１３１及び受光装置１３２のそれぞれは、液浸部材７０に複数（４つ）形成された切欠７４Ｋに対応するように設けられている。投射装置１３１のそれぞれは、液浸部材７０のエッジに形成された切欠７４Ｋ近傍に検出光Ｌａを投射可能である。制御装置３は、液浸部材７０を保持した第１アーム６３を６自由度の方向に動かしつつ、投射装置１３１より検出光Ｌａを射出する。制御装置３は、各投射装置１３１より射出され、各切欠７４Ｋを介した検出光Ｌａのそれぞれが、所定状態で各受光装置１３２に受光されるように、液浸部材７０を保持した第１アーム６３を動かす。このときの第１アーム６３の位置情報は、例えばエンコーダ等の位置検出装置により検出される。制御装置３は、検出光Ｌａのそれぞれが所定状態で各受光装置１３２に受光されたときの第１アーム６３の位置情報、ひいてはそのときの液浸部材７０の位置情報を記憶する。検出光Ｌａのそれぞれが所定状態で各受光装置１３２に受光されるときの液浸部材７０の位置と、保持装置３０の位置との関係は既知であり、制御装置３は、位置検出装置の検出結果、及びレーザ干渉計１５の計測結果等をモニタしつつ、第１搬送機構６１及び基板ステージ２上の移動機構５３を用いて、液浸部材７０を保持装置３０に搬送する。これにより、制御装置３は、保持装置３０に対して所望の位置関係で液浸部材７０を保持装置３０に搬送することができる。このように、本実施形態においては、液浸部材７０と他の部材との接触を少なくして、保持装置３０に液浸部材７０を所望の状態で取り付けることができる。

なお、光学装置１３０の配置は、液浸部材７０の位置、及び／又は回転を検出できれば、任意に決めることができる。すなわち、光学装置１３０は上記構成に限られるものでない。

なお、上述の第１〜第５実施形態においては、制御装置３は、撮像装置９２を用いて液浸部材７０の状態を検出し、その検出結果に基づいて、液浸部材７０の交換の要否を判断しているが、圧力センサ９１の検出結果に基づいて、液浸部材７０の交換の要否を判断してもよい。この場合、撮像装置９２を省いてもよいし、撮像装置９２と圧力センサ９１とを併用して、液浸部材７０の交換の要否を判断するようにしてもよい。

また、液体供給装置８６、及び／又は液体回収装置８７に、液体ＬＱの状態をチェックするセンサ（例えば、パーティクルカウンターなど）を設置して、そのセンサで検出される液体ＬＱの状態に基づいて液浸部材７０の交換の要否を判断するようにしてもよい。なお、上述の第１〜第５実施形態では、検出装置９０が圧力センサ９１、撮像装置９２、及びパーティクルカウンターの少なくとも１つを含むものとしたが、検出装置９０のセンサの種類及び／又は数はこれに限られるものでない。

また、液浸部材７０の下面（ランド面７７など）の汚染など、液浸部材７０が不良状態の場合には、液浸領域ＬＲの形状が所望状態に維持できなくなる可能性がある。したがって、液浸領域ＬＲの形状に基づいて液浸部材７０の交換の要否を判断するようにしてもよい。この場合、例えば、作業者が目視によって又は撮像装置９２の像を観測することによって交換または洗浄の要否を判断し得る。

また、液浸部材７０の下面（ランド面７７など）の汚染など、液浸部材７０が不良状態の場合には、基板Ｐ上に液体ＬＱの滴が残留し、その残留した滴に起因して、基板Ｐ上に形成されたパターンに欠陥が増加する可能性ある。したがって、基板Ｐの露光結果（欠陥）に基づいて液浸部材７０の交換の要否を判断するようにしてもよい。

また、例えば、撮像装置９２の撮像結果を出力装置１８の表示装置で表示するようにしてもよい。作業者は、表示装置の表示内容を確認することができるので、表示装置の表示結果に基づいて、作業者が液浸部材７０の交換に要否を判断するようにしてもよい。そして、表示装置の表示結果に応じて、液浸部材７０の交換動作を実行する場合には、交換システムＣＳを作動させるための指令信号を入力装置１７より入力することができる。制御装置３は、入力装置１７の入力信号に基づいて、液浸部材７０の交換動作を制御することができる。

また、上述の第１〜第５実施形態においては、所定処理基板枚数毎あるいは所定時間間隔毎に撮像装置９２を用いて液浸部材７０の状態を検出しているが、例えば、作業者が、任意のタイミングで、撮像装置９２を用いた検出動作を実行させるための指令信号を入力装置１７より入力するようにしてもよい。そして、制御装置３又は作業者は、その撮像装置９２の検出結果（撮像結果）に基づいて、液浸部材７０の交換の要否を判断することができる。

また、液浸部材７０の交換の要否を判断するための撮像装置９２などを省いて、所定のタイミングで作業者が液浸部材７０の交換の指令を入力装置１７から入力してもよい。または、制御装置３が所定のタイミングで液浸部材７０の交換の指令を出力してもよい。すなわち、作業者または制御装置３が液浸部材７０の交換の要否判断を行うことなく、液浸部材７０の交換を行ってもよい。この場合、検出装置９０などの検出結果を使用しないだけでもよいし、あるいは要否判断のための検出動作を行わなくてもよい。これは、後述の第６実施形態における液浸部材７０の洗浄の要否判断においても全く同様である。

なお、上述の第１〜第５実施形態において、液浸部材７０は、供給口７１と回収口７２との両方を備えているが、液体供給口及び液体回収口のいずれか一方を有する部材を交換システムＣＳで交換するようにしてもよい。また、本実施形態の交換システムＣＳを用いて、例えば特開２００４−２８９１２６号公報（対応米国特許第６,９５２,２５３号及び第７,０７５,６１６号）に開示されているようなシール部材（液浸部材）を交換することもできる。また、液浸部材７０の一部のみを交換システムＣＳを用いて交換するようにしてもよい。

なお、上述の第１〜第５実施形態においては、保持装置３０による液浸部材７０の保持が確実に実行可能であれば、支持機構４０を省いてもよい。

また、上述の第１〜第５実施形態において、液浸部材７０を搬送するための搬送装置５０は、移動機構５３、第１搬送機構６１，第２搬送機構６２を備えているが、これらをすべて必ず備えている必要はなく、保持装置３０が配置される第１位置ＰＳ１と収容ステーション２０が配置された第２位置ＰＳ２との間で液浸部材７０を搬送可能であれば、その構成は任意である。例えば、基板ステージ２を、第２搬送機構６２の近くまで移動することができる場合には、基板ステージ２に配置された移動機構５３（ピン状部材５５）と第２搬送機構６２（第２搬送アーム６４）との間で液浸部材７０の受け渡しを行うことができるので、第１搬送機構６１を省くことができる。また、第２搬送機構６２の第２搬送アーム６４と保持装置３０との間で液浸部材７０の受け渡しが可能な場合には、移動機構５３、第１搬送機構６１を省くことができる。

上述の第１〜第５実施形態において、交換システムＣＳの第２位置ＰＳ２は、チャンバ装置１９の外側に設定されているが、第２位置ＰＳ２はこれに限られず、例えばチャンバ装置１９内に設定してもよい。例えば、搬送システム５０を、Ｚ軸方向において、保持装置３０から液浸部材７０を遠ざける、あるいは保持装置３０に液浸部材７０を接近させる機構（例えば上述の移動機構５３）のみで構成し、第１位置ＰＳ１の直下（−Ｚ側）に第２位置ＰＳ２に設定してもよい。この場合、作業者などが、チャンバ装置１９内にアクセスする必要が生じるが、液浸部材７０の交換に要する時間を短縮することができるので、露光装置ＥＸの稼働率の低下を抑制することができる。

上述の第１〜第５実施形態において、液浸部材７０の交換作業は、交換システムＣＳを用いて行ったが、上記各実施形態のメンテナンス方法においては、交換システムＣＳは必ずしも用いる必要はなく、その交換作業の少なくとも一部を作業者が手作業で行ってもよい。

また、上述の第１〜第５実施形態では、液浸部材７０との交換で別の液浸部材を露光本体部に装着するものとしたが、露光本体部から搬出した液浸部材７０を、例えば露光本体部と隔離された空間（例えば、収容ステーション２０あるいは露光装置の外部など）内で洗浄し、この洗浄した液浸部材７０を露光本体部に搬入して再装着してもよい。すなわち、上述の各実施形態では液浸部材７０の交換ではなく洗浄の要否を判断してもよいし、交換と洗浄の両方の要否を判断してもよい。以下、このメンテナンス動作について説明する。

＜第６実施形態＞
上述の第１〜第５実施形態において、交換システムＣＳを用いて液浸部材７０を清浄な液浸部材７０と交換するメンテナンス動作を説明してきたが、この実施形態では液浸部材７０を交換する代わりに液浸部材７０を洗浄して再利用するメンテナンス動作を説明する。以下の説明において、第１実施形態との相違点のみを図１及び図２４を参照しながら説明し、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。第１実施形態と同様にして図１との関係で説明した露光装置ＥＸを用いて基板Ｐ上の一部に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成し、光路空間Ｋに対して基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して液浸露光を実行する（Ｓ３０）。液浸露光終了後、制御装置３は、液浸部材７０の状態を観察する。液浸部材７０の観察は、図７に示したような撮像装置９２を用いてもよくあるいは作業者が目視で観察してもよい（Ｓ３２）。前者の場合、制御装置３（または作業者）は、撮像装置９２の検出結果に基づいて、液浸部材７０の洗浄の要否を判断し、後者の場合は作業者の目視により液浸部材７０の洗浄の要否を判断する(Ｓ３４)。例えば、制御装置３は、撮像装置９２で撮像された画像情報を画像処理し、その処理結果に基づいて、液浸部材７０の洗浄の要否を判断する。

前述のように制御装置３には、液浸部材７０の汚染状態についての許容範囲に関する情報が予め記憶されており、制御装置３は、その記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材７０の洗浄の要否を判断する。例えば、記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材７０の汚染状態が許容範囲内であると判断した場合、制御装置３は、液浸部材７０の洗浄を行わず、その液浸部材７０を用いた液浸露光動作を継続する（Ｓ３６）。

一方、記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材７０の汚染状態が許容範囲外であると判断した場合、第１実施形態で説明したように第１サブ搬送系５１及び第２サブ搬送系５２を有する搬送装置５０を用いて液浸部材７０をチャンバ装置１９の外部に搬送する。搬送された液浸部材７０の洗浄は、図１に示したように収容ステーション２０とＸ方向に並列して配置されている洗浄ステーション２００で行うことができる。洗浄ステーション２００には、搬送装置５０により搬送された液浸部材７０を洗浄する、例えば洗浄液噴射ノズルを備えた洗浄装置（不図示）などが装備されている。洗浄ステーション２００にて、液浸部材７０に洗浄液、及び純水のようなリンス液が噴射されることで液浸部材７０の洗浄が行われる（Ｓ３８）。洗浄は、洗浄液を充満した容器、桶に液浸部材７０を浸すことによって行ってもよい。洗浄後、液浸部材７０を回転ステージなどに載置して回転ステージの回転により洗浄液及びリンス液を振り払うことができる。回転ステージに代えてまたは回転ステージと共に送風機及び／又はヒータにより液浸部材７０を乾燥してもよい。洗浄後、第１実施形態で説明したように、再び搬送装置５０を用いて液浸部材７０がチャンバ装置１９内に戻され、第２搬送機構６２、第１搬送機構６１、及び基板ステージ２（移動機構５３）を介して保持装置３０により保持される。

制御装置３は、基板ステージ２の上面２Ｆ上に液浸領域ＬＱを形成しつつ、所定時間、第２流路８４、供給流路８１、回収流路８２、及び第３流路８５に液体ＬＱを流し続け、液体ＬＱと接触する各流路を、液体ＬＱで洗浄（フラッシング）する（Ｓ４０）。フラッシングは省略してもよい。フラッシング終了後、制御装置３は、洗浄された液浸部材７０を用いて、次に露光される基板Ｐを基板ステージ２上にロードして、基板Ｐの液浸露光を再開する(Ｓ３６)。

以上説明したように、交換システムＣＳが有する搬送装置５０及び保持装置３０と洗浄ステーション２００とを用いて液浸部材７０をチャンバ装置１９の外部に搬送して液浸部材７０を洗浄することができる。この洗浄動作により露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑制することができるとともに、異常状態の液浸部材７０を使用し続けることに起因する露光精度及び計測精度の劣化を抑制することができる。

この実施形態では、搬送装置５０の移動機構５３を用いて液浸部材７０を保持装置３０に対して着脱したが、それらを用いることなく作業者が手作業で液浸部材７０の着脱作業を行ってもよい。また、液浸部材７０のチャンバ装置１９の外部への搬送は、搬送装置５０を用いることなく作業者が手作業で行ってもよい。すなわち、本実施形態のメンテナンス方法は作業者が手作業で実行してもよい。

上述の第１実施形態で説明した液浸部材７０の交換動作と、第６実施形態で説明した液浸部材７０の洗浄動作とを適宜使い分けることも可能である。例えば、撮像装置９２で液浸部材７０の状態を検出した結果、洗浄により液浸部材７０の汚れを除去できないような場合にのみ液浸部材７０の交換動作を行い、それより低いレベルの汚染であって洗浄が必要なレベルの汚染である場合には液浸部材７０の洗浄動作を実行することができる。これにより、露光装置のスループット（稼働率）の低下を抑制して、きめ細かで且つ効率のよいメンテナンス作業を行うことができる。

なお、上述の第１〜第６実施形態の投影光学系は、終端光学素子（最終光学素子ＦＳ）の像面側（射出面）の光路空間を液体で満たしているが、例えば、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレット（対応する米国特許出願公開第２００５／０２４８８５６号）などに開示されているように、終端光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。そして、その物体面側の光路空間を液体で満たすための液浸部材が設けられている場合には、交換システムＣＳを用いてその液浸部材を交換するようにしてもよい。

また、上述の第１〜第６実施形態では、投影光学系ＰＬを鏡筒定盤７で支持するものとしたが、例えば国際公開第２００６／０３８９５２号パンフレットに開示されているように、投影光学系ＰＬの上方に配置される不図示のメインフレーム部材、あるいはマスクステージ定盤６などに対して投影光学系ＰＬを吊り下げ支持しても良い。さらに、上述の各実施形態では、液浸部材７０を支持部材１１０（すなわち、鏡筒定盤７）または鏡筒５に設けるものとしたが、例えば投影光学系ＰＬと一体に液浸部材７０を吊り下げ支持する、投影光学系ＰＬとは独立に吊り下げ支持される計測フレームに液浸部材７０を設ける、あるいは第１コラムＣＬ１とは別設される架台に液浸部材７０を設けてもよい。また、上述の各実施形態では交換システムＣＳの一部を鏡筒定盤に設けるものとしたが、例えば前述の計測フレームあるいは第１コラムＣＬ１とは別設される架台に交換システムＣＳの少なくとも一部を設けてもよい。

なお、投影光学系ＰＬは縮小系のみならず等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、及び反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系（カタディ・オプトリック系）のいずれであってもよい。例えば、国際公開第２００４／１０７０１１号パンフレット（対応する米国特許出願公開第２００６／０１２１３６４号）などに開示されるように、複数の反射面を有しかつ中間像を少なくとも１回形成する光学系（反射系または反屈系）がその一部に設けられ、かつ単一の光軸を有する、いわゆるインライン型の反射屈折系を用いてもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。さらに、照明領域ＩＡ及び露光領域ＡＲは、投影光学系ＰＬの視野内で光軸を含むオンアクシス領域であるものとしたが、例えばインライン型の反射屈折系のように光軸を含まないオフアクシス領域であってもよい。また、照明領域ＩＡ及び露光領域ＡＲはその形状が矩形に限られず、他の形状、例えば円弧状、台形、あるいは平行四辺形などでもよい。

上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。

そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。

上述の各実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に終端光学素子ＦＳが取り付けられており、この光学素子により投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの終端光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。

なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。

なお、上述の各実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。

なお、上述の各実施形態の液体ＬＱは水（純水）であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、露光光ＥＬがＦ_２レーザ光である場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱは、例えば過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。

ここで、純水よりも屈折率が高い（例えば１．５以上）の液体ＬＱとしては、例えば、屈折率が約１．５０のイソプロパノール、屈折率が約１．６１のグリセロール（グリセリン）といったＣ−Ｈ結合あるいはＯ−Ｈ結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体（有機溶剤）、あるいは屈折率が約１．６０のデカリン(Decalin: Decahydronaphthalene)などが挙げられる。また、液体ＬＱは、これら液体のうち任意の２種類以上の液体を混合したものでもよいし、純水にこれら液体の少なくとも１つを添加（混合）したものでもよい。さらに、液体ＬＱは、純水にＨ^＋、Ｃｓ^＋、Ｋ^＋、Ｃｌ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＰＯ_４ ^２−等の塩基又は酸を添加（混合）したものでもよいし、純水にＡｌ酸化物等の微粒子を添加（混合）したものでもよい。なお、液体ＬＱとしては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、第１、第２投影系ＰＬ１、ＰＬ２、及び／又は基板Ｐの表面に塗布されている感光材（又はトップコート膜あるいは反射防止膜など）に対して安定なものであることが好ましい。また、液体ＬＱとしては、水よりも露光光ＥＬに対する屈折率が高い液体、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。液体ＬＱとして、超臨界流体を用いることも可能である。

また、投影光学系ＰＬの終端光学素子ＦＳを、例えば石英（シリカ）、あるいは、フッ化カルシウム（蛍石）、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成してもよいし、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で形成してもよい。屈折率が１．６以上の材料としては、例えば、国際公開第２００５／０５９６１７号パンフレットに開示されるサファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第２００５／０５９６１８号パンフレットに開示される塩化カリウム（屈折率は約１．７５）等を用いることができる。なお、投影光学系ＰＬの、終端光学素子ＦＳとは別の光学素子が液体ＬＱと接触する場合、その別の光学素子も終端光学素子ＦＳと同様の材料で形成してもよい。例えば、米国特許出願公開第２００５／０２４８８５６号などに開示されているように、投影光学系の終端光学素子ＦＳの物体面側の光路空間も液体ＬＱで満たす場合、終端光学素子ＦＳの物体面側の光学素子を、石英、蛍石、あるいは屈折率が１．６以上の材料などで形成してもよい。また、液体ＬＱと接触する光学素子、例えば終端光学素子ＦＳの表面の一部（少なくとも液体ＬＱとの接触面を含む）又は全部に、親液性及び／又は溶解防止機能を有する薄膜を形成してもよい。なお、石英は液体ＬＱとの親和性が高く、かつ溶解防止膜も不要であるが、蛍石は少なくとも溶解防止膜を形成することが好ましい。さらに、終端光学素子ＦＳの、露光光ＥＬが通過する領域と異なる領域に遮光膜を設け、露光光ＥＬによる光学部品（例えば、シール部材）の劣化などを抑制してもよい。

また、投影光学系ＰＬでは、露光光ＥＬに対する終端光学素子ＦＳの屈折率ｎ_１を、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの屈折率ｎ_２よりも小さくしてもよい。例えば、終端光学素子ＦＳを石英（屈折率は約１．５）で形成し、液体ＬＱはその屈折率ｎ_２が石英の屈折率よりも高い（例えば１．６〜１．８程度）のものが使用される。あるいは、投影光学系ＰＬでは、終端光学素子ＦＳの屈折率ｎ_１を、液体ＬＱの屈折率ｎ_２よりも大きくしてもよい。例えば、屈折率が１．６以上の材料で終端光学素子ＦＳを形成し、液体ＬＱはその屈折率ｎ_２が純水よりも大きくかつ終端光学素子ＦＳよりも小さいものが使用される。この場合、終端光学素子ＦＳの屈折率ｎ_１よりも小さい液体ＬＱの屈折率ｎ_２を、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡよりも大きくすることが好ましい。

上記各実施形態では干渉計システムを用いてマスクステージ１及び基板ステージ３の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。

また、上記各実施形態では露光光ＥＬを発生する光源としてエキシマレーザを用いるものとしたが、水銀ランプ、あるいは半導体レーザなどの高調波発生装置などを用いてもよい。露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、例えば、国際公開第１９９９／４６８３５号パンフレット（対応米国特許７,０２３,６１０号）に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。

また、上述の各実施形態において、液浸部材など液浸システムの構成は上述のものに限られず、例えば国際公開第２００４／０８６４６８号パンフレット（対応米国特許出願公開第２００５／０２８０７９１号）、国際公開第２００５／０２４５１７号パンフレット、欧州特許公開第１４２０２９８号公報、国際公開第２００４／０５５８０３号公報、国際公開第２００４／０５７５８９号公報、国際公開第２００４／０５７５９０号公報、国際公開第２００５／０２９５５９号公報（対応米国特許出願公開第２００６／０２３１２０６号）、及び米国特許第６,９５２,２５３号などに開示されている液浸システムを用いることもできる。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、またはフィルム部材等が適用される。また、基板Ｐの形状は円形のみならず、矩形など他の形状でもよい。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。この場合、投影光学系、例えば、１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系が用いられる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて、第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、上記各実施形態の露光装置は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７、６，４００，４４１、６，５４９，２６９及び６，５９０,６３４）、特表２０００−５０５９５８号公報（対応米国特許５，９６９，４４１）などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型（ツインステージ型）の露光装置でもよい。この場合、すべての基板ステージに移動機構５３を配置して液浸部材の交換に用いてもよいし、特定の基板ステージのみに移動機構５３を配置して液浸部材の交換に用いるようにしてもよい。

更に、上記各実施形態の露光装置は、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、特開２０００−１６４５０４号公報（対応米国特許第６，８９７，９６３号）に開示されているように、基板を保持する基板ステージと、計測部材（例えば、基準マークが形成された基準部材、及び／又は各種の光電センサ）を搭載した計測ステージとを備えた露光装置でもよい。例えば、図２０を参照して説明した移動体２’が計測ステージであってもよい。

また、上記各実施形態の露光装置は、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。

また、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、例えば特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。

上記各実施形態では投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン、ＭＥＭＳ，ＤＮＡチップ、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro−mirror Device）などを含む）を用いてもよい。

また、上記各実施形態の露光装置は、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置でもよい。さらに、上記各実施形態の露光装置は、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよい。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２５に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光工程及び露光した基板の現像工程を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。なお、上述の実施形態で説明した液浸部材の交換及び／または洗浄を含むメンテナンス方法は基板処理ステップ２０４に含まれる。

本発明によれば、液浸部材をメンテナンスすることにより、デバイスの生産性の低下を抑制することができる。特に、液浸部材の汚染に伴う不都合を未然に防止して、高密度な回路パターンを有するデバイスを高いスループットで生産することができる。このため、本発明は、我国の半導体産業を含むハイテク産業及びＩＴ技術の発展に貢献するであろう。

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る露光装置の要部を示す断面図である。 第１実施形態に係る液浸部材を示す斜視図の一部破断図である。 第１実施形態に係る液浸部材を下側から見た斜視図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作の一例を示す図である。 第１実施形態に係る検出装置を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。 第２実施形態に係る露光装置の要部を示す断面図である。 第３実施形態に係る露光装置を示す模式図である。 第４実施形態に係る露光装置を示す模式図である。 第５実施形態に係る露光装置の一部を示す模式図である。 第５実施形態に係る露光装置の一部を示す模式図である。 液浸部材の交換動作を含むメンテナンス方法及び露光方法の一例を示すフローチャート図である。 液浸部材の洗浄動作を含むメンテナンス方法及び露光方法の一例を示すフローチャート図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

１…マスクステージ、２…基板ステージ、２’…移動体、３…制御装置、１７…入力装置、２０…収容ステーション、３０…保持装置、３２…吸着機構、４０…支持機構、４３…支持部材、４４…斜面、５０…搬送装置、５１…第１サブ搬送系、５２…第２サブ搬送系、５３…移動機構、７０…液浸部材、７１…供給口、７２…回収口、７４Ｋ…切欠、７４Ｍ…凹部、７５Ａ…上面、７５Ｂ…下面、７６…斜面、８８…多孔部材、９０…検出装置、９１…圧力センサ、９２…撮像装置、１３０…光学装置、１３１…投射装置、１３２…受光装置、ＣＳ…交換システム、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＦＳ…終端光学素子、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸システム、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、ＰＳ１…第１位置、ＰＳ２…第２位置、ＰＳ３…第３位置

Claims (54)

1. 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
   前記基板上に液浸領域を形成する液浸システムと、
   前記液浸システムの一部を構成するとともに、前記液浸領域を形成する液体と接触する液浸部材を交換する交換システムと、を備えた露光装置。
2. 前記液浸部材は、前記基板が対向して配置される請求項１記載の露光装置。
3. 前記露光光が射出する光学部材を備え、
   前記液浸部材は、前記光学部材を囲むように配置される請求項１又は２記載の露光装置。
4. 前記交換システムは、前記液浸部材を着脱可能に保持する保持装置と、前記液浸部材を搬送する搬送装置とを含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
5. 前記保持装置は、前記液浸部材を吸着する吸着部を含む請求項４記載の露光装置。
6. 前記保持装置とは別に設けられ、前記液浸部材を支持可能な支持機構を更に備える請求項４又は５記載の露光装置。
7. 前記液浸部材が前記保持装置に保持されていないときに、前記支持機構は前記液浸部材を支持可能である請求項６記載の露光装置。
8. 前記保持装置は、前記液浸部材の上面と接触し、
   前記支持機構は、前記液浸部材の側面に設けられた凹部に挿脱可能な支持部材を有する請求項６又は７記載の露光装置。
9. 前記搬送装置は、前記液浸部材を、第１位置と前記第１位置とは異なる第２位置との間で搬送可能である請求項４〜８のいずれか一項記載の露光装置。
10. 前記液浸部材を収容可能な収容ステーションを備え、
    前記収容ステーションは、前記第２位置に設けられている請求項９記載の露光装置。
11. 前記搬送装置は、前記第１位置及び前記第２位置とは異なる所定位置で、前記液浸部材の受け渡しを行う第１サブ搬送系と第２サブ搬送系とを有し、
    前記第１サブ搬送系は、前記第１位置において前記保持装置と前記液浸部材の受け渡しを行い、
    前記第２サブ搬送系は、前記所定位置と前記第２位置との間で前記液浸部材の搬送を行う請求項９又は１０記載の露光装置。
12. 前記第１サブ搬送系は、前記液浸部材を支持して所定方向に移動可能であり、前記保持装置と前記液浸部材との間隔を調整可能な移動機構を含む請求項１１記載の露光装置。
13. 前記移動機構は、前記所定方向とほぼ垂直な方向に移動可能な移動体に設けられている請求項１２記載の露光装置。
14. 前記移動体は、前記基板を保持して移動可能な基板ステージを含む請求項１３記載の露光装置。
15. 前記搬送装置は、前記基板も搬送可能である請求項４〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
16. 前記液浸部材と前記保持装置との位置関係を調整するアライメント装置を備えた請求項４〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
17. 前記アライメント装置は、前記保持装置に接近する前記液浸部材の移動をガイドするガイド面を有する請求項１６記載の露光装置。
18. 前記アライメント装置は、前記搬送装置の搬送経路上に設けられ、検出光を射出する投射装置及び前記検出光を受光可能な受光装置を有し、前記搬送装置に保持された前記液浸部材の位置情報を光学的に取得する光学装置を有する請求項１６又は１７記載の露光装置。
19. 前記液浸部材の状態を検出する検出装置と、
    前記検出装置の検出結果に基づいて、前記液浸部材の交換の要否を判断する制御装置と、を備えた請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光装置。
20. 前記制御装置は、前記検出装置の検出結果に応じて、前記液浸部材の交換動作を実行する請求項１９記載の露光装置。
21. 前記検出装置は、前記液浸部材の液体回収口に接続する流路の圧力を検出する圧力センサを含む請求項１９又は２０記載の露光装置。
22. 前記液体回収口に配置された多孔部材を有する請求項２１記載の露光装置。
23. 前記検出装置は、前記液浸部材の表面の状態を観察可能な撮像装置を含む請求項１９〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
24. 指令信号が入力される入力装置と、
    前記入力装置の入力信号に基づいて、前記液浸部材の交換動作を制御する制御装置と、を備えた請求項１〜２３のいずれか一項記載の露光装置。
25. 前記液浸部材は、前記液浸領域を形成するための液体供給口及び液体回収口の少なくとも一方を有する請求項１〜２４のいずれか一項記載の露光装置。
26. 前記交換システムは、前記液浸システムから取り外されて洗浄が行われた前記液浸部材を前記液浸システムに再装着する請求項１〜２５のいずれか一項記載の露光装置。
27. 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
    前記基板上に液浸領域を形成する液浸システムと、
    前記液浸領域を形成する液体と接触する液浸部材と、
    前記液浸部材を着脱可能に保持する保持装置と、を備える露光装置。
28. 前記保持装置は、前記液浸部材を吸着して保持する請求項２７記載の露光装置。
29. さらに、前記基板との間に前記液浸領域が形成される光学部材を有し、前記基板にパターンの像を投影する投影光学系を備え、前記保持装置は、前記光学部材とは非接触に前記液浸部材を保持する請求項２７記載の露光装置。
30. 前記保持装置は、前記液浸部材を前記投影光学系に着脱可能に保持する請求項２９記載の露光装置。
31. 前記保持装置は、前記液浸部材を、前記投影光学系を支持する部材に着脱可能に保持する請求項２９記載の露光装置。
32. さらに、前記保持装置と独立して前記液浸部材を支持する支持機構を備える請求項２７〜３１のいずれか一項記載の露光装置。
33. 前記支持機構は、前記液浸部材の搬出に先立ち、前記保持装置による保持が解除された前記液浸部材を支持する請求項３２記載の露光装置。
34. 前記保持装置が保持面を有し、該保持面に液浸部材の一面が吸着され、該保持面と液浸部材の一面の少なくとも一方に撥液膜が付与されている請求項２８記載の露光装置。
35. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光を射出する光学部材と前記基板との間の空間を囲みかつその内側に液浸領域の少なくとも一部が形成される液浸部材と、
    前記液浸部材が設けられるフレーム部材と、
    前記フレーム部材との間で前記液浸部材の受け渡しが行われる支持装置と、を備える露光装置。
36. 前記支持装置を含み、前記液浸部材の交換または洗浄のためにその搬出入を行う搬送システムを備える請求項３５記載の露光装置。
37. 前記搬送システムは、前記搬出入時、前記基板が移動する所定の平面と垂直な方向に関して前記液浸部材と前記光学部材とを相対移動する請求項３６記載の露光装置。
38. 前記液浸部材の状態に関する情報を検出する検出装置を備え、前記情報は、少なくとも前記液浸部材のメンテナンスに用いられる請求項３５〜３７のいずれか一項記載の露光装置。
39. 前記フレーム部材に設けられ、前記光学部材を有する投影光学系を備える請求項３５〜３８のいずれか一項記載の露光装置。
40. 請求項１〜３９のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
41. 基板が対向して配置される液浸部材を有し、前記液浸部材で保持される液体を介して前記基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、
    前記液浸部材を前記露光装置から取り外すことと、
    取り外した液浸部材を洗浄又は交換することと、を含むメンテナンス方法。
42. 所定時間または所定枚数の基板の露光ごとに、前記液浸部材を前記露光装置から取り外す請求項４１記載のメンテナンス方法。
43. さらに、前記液浸部材の状態を検出し、該検出結果に基づいて前記液浸部材を前記露光装置から取り外す請求項４１又は４２記載のメンテナンス方法。
44. 前記露光装置が、前記液浸部材を着脱可能に保持する保持装置を有しており、該保持装置による保持を解除して前記液浸部材を前記露光装置から取り外す請求項４１〜４３のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
45. 前記取り外した液浸部材は前記露光装置内の所定位置または外部まで搬送される請求項４１〜４４のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
46. さらに、洗浄又は交換した液浸部材を前記露光装置に取り付けることを含む請求項４１〜４５のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
47. 前記液浸部材によって前記基板との間に前記液体が保持される光学部材を介して前記基板が露光され、前記液浸部材の洗浄又は交換のための搬出入時、前記基板が移動する所定の平面と垂直な方向に関して前記液浸部材と前記光学部材とを相対移動する請求項４１〜４６のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
48. 光学部材と基板との間に液体を保持する液浸部材を有し、前記光学部材及び前記液体を介して露光光で前記基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、
    前記液浸部材の交換または洗浄のためにその搬出入を行うことを含むメンテナンス方法。
49. 前記搬出入時、前記基板が移動する所定の平面と垂直な方向に関して前記液浸部材と前記光学部材とを相対移動する請求項４８記載のメンテナンス方法。
50. 請求項４１〜４９のいずれか一項記載のメンテナンス方法により液浸部材を有する露光装置をメンテナンスすることと、
    液体を介して基板を露光することと、を含む露光方法。
51. 液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    前記露光光を射出する光学部材と前記基板との間の空間を囲む液浸部材によってその空間に前記液体を保持しつつ前記露光光で前記基板を露光することと、
    前記液浸部材の交換または洗浄のためにその搬出入を行うことと、を含む露光方法。
52. 前記搬出入時、前記基板が移動する所定の平面と垂直な方向に関して前記液浸部材と前記光学部材とを相対移動する請求項５１記載の露光方法。
53. 前記液浸部材の状態に関する情報を検出することを含み、前記情報は、少なくとも前記液浸部材のメンテナンスに用いられる請求項５１又は５２記載の露光方法。
54. 請求項５０〜５３のいずれか一項記載の露光方法により基板を露光することと、
    露光した基板を現像することと、
    現像した基板を加工することと、を含むデバイスの製造方法。

Images