JP5029611B2 - クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を保持する基板保持部材をクリーニングするためのクリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００６年９月８日に出願された特願２００６−２４４２７１号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸露光装置が知られている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット 特開２００４−２８９１２７号公報

液浸露光装置において、基板と基板保持部材との間のギャップ等に液体が浸入すると、その浸入した液体によって、あるいはその液体に混入した異物、不純物などによって基板保持部材の一部が汚染される可能性がある。基板保持部材が汚染された状態を放置しておくと、その基板保持部材で基板を良好に保持できなくなったり、その基板保持部材で保持した基板が汚染されたり、汚染が拡大したりする可能性がある。そのような不具合が生じた場合、基板を良好に露光できなくなる可能性がある。

本発明は、基板保持部材を良好にクリーニングできるクリーニング用部材、及びクリーニング方法を提供することを目的とする。また、そのクリーニングされた基板保持部材で基板を保持してデバイスを製造するデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、露光光が照射される基板の裏面を保持する基板保持部材の少なくとも一部をクリーニングするために基板保持部材に保持されるクリーニング用部材であって、基板よりも小さい外径を有するクリーニング部材が提供される。

本発明の第１の態様によれば、基板保持部材を良好にクリーニングできる。

本発明の第２の態様に従えば、上記態様のクリーニング用部材を基板保持部材に保持して、基板保持部材の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング方法が提供される。

本発明の第２の態様によれば、基板保持部材を良好にクリーニングできる。

本発明の第３の態様に従えば、露光光が照射される基板を保持する基板保持部材の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング方法であって、基板とほぼ同じ外形を有し、該基板よりも小さい外径を有するクリーニング用部材を基板保持部材で保持することと、基板保持部材の少なくとも一部をクリーニングするための液体を供給することと、を含むクリーニング方法が提供される。

本発明の第３の態様によれば、基板保持部材を良好にクリーニングできる。

本発明の第４の態様に従えば、上記態様のクリーニング方法を用いて基板保持部材をクリーニングすることと、基板保持部材で基板を保持することと、基板保持部材に保持された基板を露光光で露光することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第４の態様によれば、良好にクリーニングされた基板保持部材で基板を保持し、その基板を露光することによって、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

本発明によれば、基板保持部材を良好にクリーニングすることができる。したがって、その基板保持部材で良好に保持された基板を良好に露光することができる。

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第１実施形態に係るテーブルの側断面図である。 基板を保持した状態のテーブルの平面図である。 第１実施形態に係るテーブルの要部を示す側断面図である。 第１実施形態に係るテーブルの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係るテーブルの動作を説明するための模式図である。 第１実施形態に係るクリーニング用部材を示す図である。 第１実施形態に係るクリーニング方法を説明するための模式図である。 図８の一部を拡大した図である。 第１実施形態に係るクリーニング方法を説明するための模式図である。 第１実施形態に係るクリーニング方法を説明するための模式図である。 第２実施形態に係るクリーニング用部材を示す図である。 第２実施形態に係るクリーニング用部材を示す図である。 第２実施形態に係るクリーニング用部材を示す図である。 第２実施形態に係るクリーニング方法を説明するための模式図である。 第３実施形態に係るクリーニング方法を説明するための模式図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

４…基板ステージ、４Ｔ…テーブル、１２…液体供給口、２２…液体回収口、３３…第１周壁、３３Ａ…第１上面、３４…第２周壁、３４Ａ…第２上面、６１…第２吸引口、６３…第１吸引口、７０…ノズル部材、８１…第１支持部材、９０…液体噴射口、ＣＰ…クリーニング用部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＨＤ１…第１ホルダ、ＬＱ…液体、ＬＲ…液浸空間、Ｐ…露光用基板

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、露光用の基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板ステージ４に対して基板Ｐを搬送可能な搬送装置１００と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。

なお、ここでいう露光用の基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）が塗布されたもの、あるいは感光材に加え保護膜（トップコート膜）などの各種の膜を塗布したものを含む。露光用基板Ｐは、円板状の部材であって、ＸＹ平面内における露光用基板Ｐの外形は、円形である。マスクＭは、露光用基板Ｐ上に投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いることもできる。透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板Ｐの表面と対向するように配置され、基板Ｐの表面との間に液浸空間ＬＲを形成可能なノズル部材７０を備えている。液浸空間ＬＲは、液体ＬＱで満たされた空間である。ノズル部材７０は、基板Ｐの表面と対向する下面を有しており、その下面と基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。ノズル部材７０は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持して、その基板Ｐの表面との間に液体ＬＱの液浸空間ＬＲを形成可能である。

ノズル部材７０は、投影光学系ＰＬの像面側（光射出側）の露光光ＥＬの光路空間Ｋ、具体的には投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子ＦＬの光射出面（下面）と投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように、液浸空間ＬＲを形成する。露光光ＥＬの光路空間Ｋは、露光光ＥＬが進行する光路を含む空間である。また、本実施形態においては、露光用の液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影している間、ノズル部材７０を用いて液浸空間ＬＲを形成する。露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように液浸空間ＬＲを形成し、その液体ＬＱを介して、マスクＭを通過した露光光ＥＬを基板ステージ４に保持された基板Ｐに照射することによって、その基板Ｐを露光する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影している間、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液浸空間ＬＲの液体ＬＱで覆われるように、ノズル部材７０と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＲを形成する局所液浸方式を採用している。すなわち、ノズル部材７０は、投影光学系ＰＬの像面側において液体ＬＱを保持する液体保持部材（liquid confinement member）として機能する。

なお、本実施形態においては、ノズル部材７０が、基板Ｐの表面との間に液浸空間ＬＲを形成する場合について主に説明するが、ノズル部材７０は、投影光学系ＰＬの像面側において、露光光ＥＬが照射可能な位置に配置された物体の表面との間、すなわち投影光学系ＰＬの光射出面と対向する位置に配置された物体の表面との間にも液浸空間ＬＲを形成可能である。例えば、ノズル部材７０は、基板ステージ４の上面（板部材Ｔ）との間、及び後述するクリーニング用の部材ＣＰとの間にも液浸空間ＬＲを形成可能である。

照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置の駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報は、レーザ干渉計３Ｌによって計測される。レーザ干渉計３Ｌは、マスクステージ３上に設けられた計測ミラー３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計３Ｌの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置を駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置を制御する。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸方向と平行となっている。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ４は、ステージ本体４Ｂと、ステージ本体４Ｂ上に搭載されたテーブル４Ｔと、テーブル４Ｔに設けられ、基板Ｐを着脱可能に保持する第１ホルダＨＤ１と、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの周囲を囲むように配置される板部材Ｔと、テーブル４Ｔに設けられ、板部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダＨＤ２とを備えている。

ステージ本体４Ｂは、エアベアリング４Ａにより、ベース部材ＢＰの上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。ベース部材ＢＰの上面はＸＹ平面とほぼ平行であり、基板ステージ４は、ベース部材ＢＰ上でＸＹ方向に移動可能である。

基板ステージ４は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置の駆動により、第１ホルダＨＤ１に基板Ｐを保持した状態で、ベース部材ＢＰ上で移動可能である。基板ステージ駆動装置は、ステージ本体４Ｂをベース部材ＢＰ上でＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動することによって、ステージ本体４Ｂ上に搭載されているテーブル４ＴをＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能な第１駆動系と、ステージ本体４Ｂに対してテーブル４ＴをＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に移動可能な第２駆動系とを備えている。

第１駆動系は、リニアモータ等のアクチュエータを含み、ステージ本体４ＢをＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に駆動可能である。第２駆動系は、ステージ本体４Ｂとテーブル４Ｔとの間に介在された、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータ４Ｖと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置（エンコーダなど）とを含む。テーブル４Ｔは、少なくとも３つのアクチュエータ４Ｖによってステージ本体４Ｂ上に支持される。アクチュエータ４Ｖのそれぞれは、ステージ本体４Ｂに対してテーブル４ＴをＺ軸方向に独立して駆動可能であり、制御装置７は、３つのアクチュエータ４Ｖそれぞれの駆動量を調整することによって、ステージ本体４Ｂに対してテーブル４Ｔを、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に駆動する。このように、第１、第２駆動系を含む基板ステージ駆動装置は、基板ステージ４のテーブル４Ｔを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。制御装置７は、基板ステージ駆動装置を制御することにより、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの表面の６自由度の方向に関する位置を制御可能である。

基板ステージ４のテーブル４Ｔ（基板Ｐ）の位置情報は、レーザ干渉計４Ｌによって計測される。レーザ干渉計４Ｌは、テーブル４Ｔに設けられた計測ミラー４Ｋを用いて、テーブル４ＴのＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置を駆動し、第１ホルダＨＤ１に保持されている基板Ｐの位置を制御する。

ノズル部材７０は、液体ＬＱを供給可能な液体供給口１２と、液体ＬＱを回収可能な液体回収口２２とを有する。液体回収口２２には多孔部材（メッシュ）が配置されている。液体供給口１２は、ノズル部材７０の内部に形成された供給流路、及び供給管１３を介して、液体ＬＱを送出可能な液体供給装置１１に接続されている。液体回収口２２は、ノズル部材７０の内部に形成された回収流路、及び回収管２３を介して、液体ＬＱを回収可能な液体回収装置２１に接続されている。

液体供給装置１１は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。また、液体回収装置２１は、真空系等を備えており、液体ＬＱを回収可能である。液体供給装置１１及び液体回収装置２１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３、及びノズル部材７０の供給流路を流れた後、液体供給口１２より露光光ＥＬの光路空間Ｋに供給される。また、液体回収装置２１を駆動することにより液体回収口２２から回収された液体ＬＱは、ノズル部材７０の回収流路を流れた後、回収管２３を介して液体回収装置２１に回収される。制御装置７は、液体供給口１２からの液体供給動作と液体回収口２２による液体回収動作とを並行して行うことで、終端光学素子ＦＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように、液体ＬＱの液浸空間ＬＲを形成する。なお、ノズル部材７０の構成は上述のものに限られず、例えば特開２００４−２８９１２７号公報（対応米国特許公報第７，１９９，８５８号公報）に開示されている部材を用いることもできる。

また、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、液体回収口２２より回収した液体ＬＱの品質（水質）を検出可能な検出装置２６を備えている。検出装置２６は、例えば液体ＬＱ中の全有機体炭素を計測するためのＴＯＣ計、微粒子及び気泡を含む異物を計測するためのパーティクルカウンタ等を含み、液体回収口２２より回収した液体ＬＱの汚染状態を検出可能である。

次に、本実施形態に係るテーブル４Ｔについて、図１〜図４を参照して説明する。図２は、第１ホルダＨＤ１で基板Ｐを保持した状態のテーブル４Ｔの側断面図、図３は、第１ホルダＨＤ１で基板Ｐを保持した状態のテーブル４Ｔを上方から見た平面図、図４は、第１ホルダＨＤ１の一部を拡大した側断面図である。

テーブル４Ｔは、基材３０と、基材３０に設けられ、基板Ｐを着脱可能に保持する第１ホルダＨＤ１と、基材３０に設けられ、板部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダＨＤ２とを備えている。第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔは、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの周囲を囲むように配置される。

第１ホルダＨＤ１について説明する。図２〜図４に示すように、第１ホルダＨＤ１は、基材３０上に形成され、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面の周縁領域と対向する第１上面３３Ａを有する第１周壁３３と、基材３０上に形成され、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面と対向する第２上面３４Ａを有し、第１周壁３３を囲むように配置された第２周壁３４と、第１周壁３３の内側に配置され、基板Ｐの裏面を支持する第１支持部材８１とを備えている。第１支持部材８１は、第１周壁３３の内側における基材３０の上面に形成されている。

また、第１ホルダＨＤ１は、基材３０上に形成され、基板Ｐの裏面と対向する第３上面３１Ａを有し、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐと基材３０との間の第１空間４１を囲むように設けられた第３周壁３１と、基材３０上に形成され、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面と対向する第４上面３２Ａを有し、第３周壁３１を囲むように設けられた第４周壁３２とを備えている。第１周壁３３は、第４周壁３２を囲むように配置されている。

第１ホルダＨＤ１は、第１周壁３３の外側に形成され、流体（液体及び気体の少なくとも一方）を吸引可能な第１吸引口６３と、第１周壁３３の内側に形成され、流体（液体及び気体の少なくとも一方）を吸引可能な第２吸引口６１とを有している。第１吸引口６３及び第２吸引口６１のそれぞれは、基材３０の上面に形成されている。

本実施形態においては、第１吸引口６３は、第１周壁３３と第２周壁３４との間に形成されており、その第１周壁３３と第２周壁３４との間の第４空間４４の流体を吸引可能である。第２吸引口６１は、第１周壁３３と第４周壁３２との間に形成されており、その第１周壁３３と第４周壁３２との間の第３空間４３の流体を吸引可能である。

また、第１ホルダＨＤ１は、第３周壁３１と第４周壁３２との間の第２空間４２に対して気体を供給可能な流通口６０を備えている。流通口６０は、基材３０の上面に形成されている。

第３周壁３１は、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状に形成されている。第３周壁３１の第３上面３１Ａは、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面の相対的に外側の領域と対向するように設けられている。第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面側には、基板Ｐの裏面と第３周壁３１と基材３０とで囲まれた第１空間４１が形成される。

第４周壁３２は、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状に形成されており、第３周壁３１と所定距離離れた位置で、第３周壁３１に沿うように形成されている。第４周壁３２の第４上面３２Ａは、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面の相対的に外側の領域と対向するように設けられている。第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面側には、基板Ｐの裏面と第３周壁３１と第４周壁３２と基材３０とで囲まれた第２空間４２が形成される。

第１周壁３３は、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状に形成されており、第４周壁３２と所定距離離れた位置で、第４周壁３２に沿うように形成されている。第１周壁３３の第１上面３３Ａは、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面の周縁領域と対向するように設けられている。第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面側には、基板Ｐの裏面と第４周壁３２と第１周壁３３と基材３０とで囲まれた第３空間４３が形成される。

本実施形態においては、第１周壁３３の第１上面３３Ａの外縁の径（外径）は、基板Ｐの外径よりも小さい。そして、基板Ｐの周縁領域は、第１上面３３Ａの外縁の外側に所定量オーバーハングしている。以下の説明においては、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐのうち第１上面３３Ａの外縁よりも外側にオーバーハングした領域を適宜、オーバーハング領域Ｈ１（図４参照）、と称する。

第２周壁３４は、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状に形成されており、第１周壁３３と所定距離離れた位置で、第１周壁３３に沿うように形成されている。第２周壁３４の第２上面３４Ａは、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と対向するように設けられている。第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面側には、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と第１周壁３３と第２周壁３４と基材３０とで囲まれた第４空間４４が形成される。

本実施形態においては、第１、第２、第３、及び第４周壁のそれぞれは、ほぼ同心である。第１ホルダＨＤ１は、第１空間４１の中心と、基板Ｐの裏面の中心とがほぼ一致するように、基板Ｐを保持する。

図４に示すように、本実施形態においては、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面と第３周壁３１の第３上面３１Ａとの間には、例えば２〜１０μｍ程度の第１ギャップＧ１が形成される。また、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面と第４周壁３２の第４上面３２Ａとの間には、例えば２〜１０μｍ程度の第２ギャップＧ２が形成される。第１周壁３３は、また、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとは接触する。また、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面と第２周壁３４の第２上面３４Ａとの間には、例えば１〜１０μｍ程度の第４ギャップＧ４が形成される。

流通口６０は、外部空間（大気空間）と流路６０Ｒを介して接続されている。また、流通口６０は、第２空間４２と接続されている。すなわち、第２空間４２は、流通口６０及びその流通口６０に接続する流路６０Ｒを介して大気開放されている。本実施形態においては、流通口６０は、第３周壁３１と第４周壁３２との間の基材３０上で第３周壁３１を囲むように所定間隔で複数形成されている。

第２吸引口６１は、真空系等を含む吸引装置と流路６１Ｒを介して接続されている。また、第２吸引口６１は、第３空間４３と接続されている。制御装置７は、第２吸引口６１に接続されている吸引装置を駆動することによって、第２吸引口６１より、第３空間４３の流体を吸引可能である。本実施形態においては、第２吸引口６１は、第４周壁３２と第１周壁３３との間の基材３０上で第４周壁３２を囲むように所定間隔で複数形成されている。

第１吸引口６３は、真空系等を含む吸引装置と流路６３Ｒを介して接続されている。また、第１吸引口６３は、第４空間４４と接続されている。制御装置７は、第１吸引口６３に接続されている吸引装置を駆動することによって、第１吸引口６３より、第４空間４４の流体を吸引可能である。本実施形態においては、第１吸引口６３は、第１周壁３３と第２周壁３４との間の基材３０上で第１周壁３３を囲むように所定間隔で複数形成されている。

第１支持部材８１は、基材３０の上面に形成されたピン状の突起部材であり、基材３０の上面の複数の所定位置のそれぞれに配置されている。本実施形態においては、第１支持部材８１は、第１周壁３３の内側における基材３０の上面に複数配置されている。第１支持部材８１は、第１空間４１及び第３空間４３の基材３０上に複数設けられている。

第１空間４１及び第３空間４３の基材３０上には、第１空間４１及び第３空間４３を負圧にするために流体（主に気体）を吸引する第３吸引口６２が複数設けられている。第１空間４１において、第３吸引口６２は、第１支持部材８１以外の複数の所定位置にそれぞれ形成されている。第３空間４３において、第３吸引口６２は、第４周壁３２に対して第２吸引口６１よりも離れた位置に形成されている。

第３吸引口６２は、真空系等を含む吸引装置と流路６２Ｒを介して接続されている。また、第３吸引口６２は、第１空間４１及び第３空間４３と接続されている。制御装置７は、第３吸引口６２に接続されている吸引装置を駆動することによって、第３吸引口６２より、基板Ｐと第１周壁３３と基材３０とで囲まれた空間、具体的には、第１空間４１及び第３空間４３の流体を吸引可能である。制御装置７は、第３吸引口６２を用いて、基板Ｐの裏面と第１周壁３３と基材３０とで囲まれた空間の流体（主に気体）を吸引して、その空間を負圧にすることによって、基板Ｐの裏面を第１支持部材８１に吸着保持する。また、制御装置７は、第３吸引口６２による吸引動作を解除することにより、第１ホルダＨＤ１より基板Ｐを外すことができる。このように、本実施形態においては、第１ホルダＨＤ１は、基板Ｐを着脱可能に保持する。第１ホルダＨＤ１は、いわゆるピンチャック機構を含む。

次に、板部材Ｔ及びその板部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダＨＤ２について説明する。板部材Ｔは、テーブル４Ｔとは別の部材であって、基材３０に対して着脱可能に設けられている。板部材Ｔの中央には、基板Ｐを配置可能な略円形状の孔ＴＨが形成されている。第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔは、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐを囲むように配置される。本実施形態においては、第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの表面は、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）となるような平坦面となっている。

第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの外側のエッジ（側面）と、第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの内側のエッジ（内側面）との間には、０．１〜１．０ｍｍ程度の第５ギャップＧ５が形成される。また、板部材Ｔの外形はＸＹ平面内において矩形状であり、本実施形態においては、基材３０の外形とほぼ同形状に形成されている。板部材Ｔは、例えばポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂、又はアクリル系樹脂等の撥液性を有する材料によって形成されており、撥液性を有している。

第２ホルダＨＤ２は、基材３０上に形成され、第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの裏面と対向する第５上面３５Ａを有し、第２周壁３４を囲むように設けられた第５周壁３５と、基材３０上に形成され、第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの裏面と対向する第６上面３６Ａを有し、第５周壁３５を囲むように設けられた第６周壁３６と、第５周壁３５と第６周壁３６との間の基材３０上に形成され、板部材Ｔの裏面を支持する第２支持部材８２とを備えている。

第５周壁３５の第５上面３５Ａは、板部材Ｔの裏面のうち、孔ＴＨ近傍の内縁領域（内側のエッジ領域）と対向するように設けられている。また、第６周壁３６の第６上面３６Ａは、板部材Ｔの裏面のうち、外縁領域（外側のエッジ領域）と対向するように設けられている。第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの裏面側には、板部材Ｔの裏面と第５周壁３５と第６周壁３６と基材３０とで囲まれた第５空間４５が形成される。この第５空間４５を負圧とすることによって、第２ホルダＨＤ２の第２支持部材８２上に板部材Ｔが支持される。

本実施形態においては、第５周壁３５は、第２支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と第５上面３５Ａとが接触するように形成され、第６周壁３６は、第２支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と第６上面３６Ａとが接触するように形成される。

第２支持部材８２は、基材３０の上面に形成されたピン状の突起部材であり、第５周壁３５と第６周壁３６との間の基材３０の上面の複数の所定位置のそれぞれに配置されている。

第５空間４５の基材３０の上面には、第５空間４５を負圧空間にするために流体（主に気体）を吸引する第４吸引口６４が設けられている。第４吸引口６４は板部材Ｔを吸着保持するためのものである。第５空間４５において、第４吸引口６４は、第２支持部材８２以外の複数の所定位置にそれぞれ形成されている。

第４吸引口６４は、真空系等を含む吸引装置に流路６４Ｒを介して接続されている。また、第４吸引口６４は、第５空間４５と接続されている。制御装置７は、第４吸引口６４に接続されている吸引装置を駆動することによって、第４吸引口６４より、第５空間４５の流体を吸引可能である。制御装置７は、第４吸引口６４を用いて、板部材Ｔの裏面と第５周壁３５と第６周壁３６と基材３０とで囲まれた第５空間４５の流体（主に気体）を吸引して、第５空間４５を負圧にすることによって、板部材Ｔの裏面を第２支持部材８２上に吸着保持する。また、制御装置７は、第４吸引口６４による吸引動作を解除することにより、第２ホルダＨＤ２より板部材Ｔを外すことができる。このように、本実施形態においては、第２ホルダＨＤ２は、板部材Ｔを着脱可能に保持する。第２ホルダＨＤ２は、いわゆるピンチャック機構を含む。

また、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と第２周壁３４と第５周壁３５と基材３０とで囲まれた第６空間４６は、基板Ｐと板部材Ｔとの間に形成された第５ギャップＧ５を介して、外部空間（大気空間）と接続されている。

また、第４空間４４は、第４ギャップＧ４、及び第５ギャップＧ５を介して、外部空間と接続されている。すなわち、第４、第５ギャップＧ４、Ｇ５によって、第４空間４４と外部空間との間で流体が流通可能となっている。

また、第１周壁３３の外側面と第２周壁３４の内側面との間には、約１ｍｍの第６ギャップＧ６が形成され、第２周壁３４の外側面と第５周壁３５の内側面との間には、約１ｍｍの第７ギャップＧ７が形成される。

次に、上述の構成を有するテーブル４Ｔの動作及び露光装置ＥＸ全体の主な動作について説明する。

制御装置７は、基板交換位置（ローディングポジション）において、搬送装置１００を用いて、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に、露光処理されるべき基板Ｐを搬入（ロード）する。制御装置７は、第３吸引口６２を用いて、第１周壁３３で囲まれた空間を負圧にすることによって、基板Ｐを第１支持部材８１に吸着保持する。なお、基板Ｐが第１ホルダＨＤ１に保持される前に、板部材Ｔが第２ホルダＨＤ２に保持される。

また、本実施形態においては、制御装置７は、第１ホルダＨＤ１に基板Ｐをロードした直後、第２吸引口６１の吸引動作を開始する。また、本実施形態においては、制御装置７は、基板Ｐの液浸露光中においては、第１吸引口６３を用いた吸引動作は実行しない。

制御装置７は、第１ホルダＨＤ１で保持された基板Ｐを液浸露光するために、ノズル部材７０を用いて、ノズル部材７０と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＲを形成する。制御装置７は、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐを液浸空間ＬＲの液体ＬＱを介して露光する。

例えば、基板Ｐの表面の周縁領域を液浸露光する場合、液浸空間ＬＲの一部が基板Ｐの外側の板部材Ｔとノズル部材７０との間に形成される。すなわち、第５ギャップＧ５の上に液体ＬＱの液浸空間ＬＲが形成される。本実施形態においては、第５ギャップＧ５は小さいので、液体ＬＱの表面張力によって、第５ギャップＧ５への液体ＬＱの浸入が抑制される。また、板部材Ｔは撥液性なので、第５ギャップＧ５への液体ＬＱの浸入が抑制される。

また、液浸空間ＬＲの液体ＬＱの圧力変化等に起因して、仮に、第５ギャップＧ５に液体ＬＱが浸入し、その第５ギャップＧ５を介して第６空間４６に浸入した液体ＬＱが、第４ギャップＧ４を介して第４空間４４に浸入した場合においても、基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとは接触（密着）しているので、第１周壁３３の内側への液体ＬＱの浸入が抑制される。

また、本実施形態においては、少なくとも液浸空間ＬＲが形成されている状態においては、第２吸引口６１の吸引動作が実行されており、図５の模式図に示すように、第２空間４２から第２ギャップＧ２を介して第３空間４３に向かう気体の流れＦ２が生成されている。したがって、何らかの原因で、基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとの間に隙間が形成され、その基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとの間を介して、第１周壁３３の内側に液体ＬＱが浸入したとしても、気体の流れＦ２により、第４周壁３２よりも内側への液体ＬＱの浸入が抑制される。

なお、第２ギャップＧ２の大きさは最適化されており、第３空間４３は所望の圧力（負圧状態）に維持される。したがって、第１ホルダＨＤ１による基板Ｐの吸着保持動作は妨げられない。同様に、第１ギャップＧ１の大きさも最適化されており、第１ホルダＨＤ１による基板Ｐの吸着保持動作は妨げられない。

基板Ｐの液浸露光終了後、基板Ｐ上及び板部材Ｔ上の液浸空間ＬＲを無くした後、制御装置７は、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１で保持した状態で、第１吸引口６３による吸引動作を開始する。第１吸引口６３による吸引動作によって、図６の模式図に示すように、外部空間から第５ギャップＧ５を介して第１吸引口６３に向かう気体の流れＦ３が生成される。これにより、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１に付着している液体ＬＱ、及び第４空間４４に存在する液体ＬＱ等は、第１吸引口６３によって回収される。

そして、制御装置７は、第１吸引口６３、第２吸引口６１、及び第３吸引口６２の吸引動作を全て停止した後、不図示の基板昇降機構（いわゆるリフトピン等）を用いて、第１ホルダＨＤ１に対して基板Ｐを上昇させ、基板交換位置において、搬送装置１００を用いて、第１ホルダＨＤ１から基板Ｐを搬出（アンロード）する。

上述のように、第１周壁３３及び第２周壁３４、あるいは第５周壁３５等、テーブル４Ｔの一部が第５ギャップＧ５に浸入した液体ＬＱと接触する可能性があり、その液体ＬＱと接触したテーブル４Ｔの一部が、液体ＬＱによって汚染される可能性がある。基板Ｐと接触した液体ＬＱに基板Ｐの一部の物質（例えば感光材の一部、または感光材を覆うトップコート膜、あるいはその両方）が溶出したり、剥がれて混入したりした場合、第５ギャップＧ５には、その物質を含む液体ＬＱが浸入する可能性がある。その場合、第１周壁３３及び第２周壁３４等には、その物質を含む液体ＬＱが接触することになるので、第１周壁３３及び第２周壁３４等は、液体ＬＱ中に含まれる物質（例えば感光材の一部）等によって、汚染される。なお、第１周壁３３及び第２周壁３４等を汚染する物質としては、液体ＬＱ中の物質に限られず、例えば、露光装置ＥＸが置かれている空間中を浮遊する物質（異物）も含まれる。

ここで、以下の説明において、第１周壁３３及び第２周壁３４、あるいは第５周壁３５等、テーブル４Ｔの一部を汚染する物質を適宜、汚染物質、と称する。

第１周壁３３及び第２周壁３４等、基板Ｐを保持するテーブル４Ｔの少なくとも一部が汚染された状態を放置しておくと、そのテーブル４Ｔで基板Ｐを良好に保持できなくなったり、そのテーブル４Ｔで保持した基板Ｐが汚染されたり、汚染が拡大したりする不具合が生じる可能性がある。例えば、第１周壁３３の第１上面３３Ａに汚染物質が付着した状態を放置しておくと、基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとが良好に接触（密着）せず、テーブル４Ｔで基板Ｐを良好に保持できなくなる可能性がある。また、基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとが良好に接触（密着）していないことに起因して、第１周壁３３の内側に液体ＬＱが多量に浸入したり、基板Ｐの裏面に液体ＬＱが付着する可能性がある。第１周壁３３の内側に液体ＬＱが多量に浸入すると、テーブル４Ｔの基板保持動作に影響を及ぼす可能性がある。また、基板Ｐの裏面に液体ＬＱが付着すると、その基板Ｐをテーブル４Ｔからアンロードする搬送装置１００が濡れたり、汚染したりする可能性がある。また、第１周壁３３と第２周壁３４との間のテーブル４Ｔの表面、あるいは第２周壁３４と第５周壁３５との間のテーブル４Ｔの表面に汚染物質が付着した状態を放置しておくと、その汚染物質が、第５ギャップＧ５を介して、基板Ｐの表面側及び板部材Ｔの表面側の少なくとも一方に形成されている液浸空間ＬＲに混入し、露光精度に影響を与えたり、基板Ｐの表面、板部材Ｔの表面を汚染したりする可能性がある。

そこで、本実施形態においては、クリーニング用の部材ＣＰを用いて、テーブル４Ｔをクリーニングする。以下、本実施形態に係るクリーニング方法について説明する。

図７は、本実施形態に係るクリーニング用の部材ＣＰを示す模式図である。部材ＣＰは、露光光ＥＬが照射される基板Ｐの裏面を保持するテーブル４Ｔの少なくとも一部をクリーニングするために用いられるものであって、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持される。

本実施形態においては、部材ＣＰは、基板Ｐとほぼ同じの外形を有し、その基板Ｐよりも小さい板状の部材である。上述のように、ＸＹ平面内における基板Ｐの外形は、円形であり、ＸＹ平面内における部材ＣＰの外形も、円形である。すなわち、ＸＹ平面内における部材ＣＰの形状は、基板Ｐの形状と相似である。また、本実施形態においては、部材ＣＰは、基板Ｐとほぼ同じ厚さの円板状の部材である。

また、上述したように、第１周壁３３は、基板Ｐとほぼ同じの外形を有している。したがって、部材ＣＰも、基板Ｐと同様、第１周壁３３とほぼ同形状の外形を有する。

以下の説明においては、クリーニング用の部材ＣＰを適宜、基板ＣＰ、とも称する。

基板ＣＰの表面及び裏面のそれぞれは、撥液性を有する。本実施形態においては、基板ＣＰは、例えばポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂、又はアクリル系樹脂等の撥液性を有する材料によって形成されている。なお、基板ＣＰを金属、あるいは基板Ｐの基材（半導体ウエハ）と同じ材料で形成し、その表面及び裏面のそれぞれにフッ素系樹脂等の撥液性材料を被覆するようにしてもよい。

図８は、基板ＣＰを用いて、テーブル４Ｔをクリーニングしている状態を示す模式図、図９は、図８の拡大図である。テーブル４Ｔをクリーニングする際、制御装置７は、搬送装置１００を用いて、基板ＣＰをテーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１にロードする。基板ＣＰは、基板Ｐとほぼ同じ厚さの板状の部材であって、基板Ｐとほぼ同じの外形を有しているため、搬送装置１００は、基板ＣＰを円滑に搬送可能である。なお、基板Ｐを搬送する搬送装置と、基板ＣＰを搬送する搬送装置とは別の装置（部材）であってもよい。

制御装置７は、テーブル４Ｔを制御し、搬送装置１００を用いてテーブル４Ｔにロードした基板ＣＰをテーブル４Ｔで保持する。本実施形態においては、基板ＣＰは、第１周壁３３の第１上面３３Ａの外縁の径よりも小さい外径を有しており、基板Ｐの裏面の周縁領域と対向するようにテーブル４Ｔに設けられた第１周壁３３の第１上面３３Ａの少なくとも一部が露出するように、テーブル４Ｔに保持される。

基板ＣＰは、第１周壁３３の第１上面３３Ａの外縁の径よりも小さい外径を有し、第１周壁３３とほぼ同形状の外形を有しているため、第１周壁３３で囲まれた空間の中心と、基板ＣＰの裏面の中心とがほぼ一致するように、テーブル４Ｔで基板ＣＰを保持することによって、第１周壁３３の第１上面３３Ａの少なくとも一部が露出するように、基板ＣＰをテーブル４Ｔに保持することができる。

また、本実施形態においては、基板ＣＰは、第１周壁３３の第１上面３３Ａの外縁の径よりも小さく、且つ、第１周壁３３の第１上面３３Ａの内縁の径よりも大きい外径を有する。したがって、基板ＣＰの裏面の一部と第１周壁３３の第１上面３３Ａの一部とは接触可能である。

第１ホルダＨＤ１で基板ＣＰを保持することによって、第１ホルダＨＤ１に保持された基板ＣＰの外側のエッジ（側面）と、第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの内側のエッジ（内側面）との間には、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの外側のエッジと板部材Ｔの内側のエッジとの間に形成された第５ギャップＧ５よりも大きい、第８ギャップＧ８が形成される。

テーブル４Ｔのクリーニング動作は、液体を用いて行われる。制御装置７は、第１ホルダＨＤ１で基板ＣＰを保持した状態で、テーブル４Ｔの少なくとも一部をクリーニングするための液体を供給する。液体は、少なくとも第８ギャップＧ８に供給される。

本実施形態においては、クリーニング用の液体として、露光用の液体ＬＱ（水）を使用する。テーブル４Ｔのクリーニング動作を実行するために、制御装置７は、基板ＣＰを保持したテーブル４Ｔの少なくとも一部がノズル部材７０と対向するようにテーブル４Ｔを移動し、基板ＣＰ及びテーブル４Ｔ（板部材Ｔ）とノズル部材７０との間に液体ＬＱの液浸空間ＬＲを形成する。

本実施形態においては、制御装置７は、液体供給口１２からの液体供給動作と液体回収口２２による液体回収動作の少なくとも一部とを並行して行うことで、基板ＣＰ及びテーブル４Ｔ（板部材Ｔ）とノズル部材７０との間に、液体ＬＱの液浸空間ＬＲを形成する。

図８及び図９に示すように、制御装置７は、液浸空間ＬＲの少なくとも一部が第８ギャップＧ８の上に形成されるように、ノズル部材７０に対するテーブル４Ｔの位置を制御する。上述したように、基板ＣＰは基板Ｐよりも小さいので、液体ＬＱの一部は、基板ＣＰのエッジと板部材Ｔとの間のギャップＧ８から容易に浸入し、テーブル４Ｔの一部の領域に接触する。液体ＬＱが接触する領域は、第１周壁３３と第２周壁３４との間のテーブル４Ｔ（基材３０）の表面、及び第１周壁３３の第１上面３３Ａの少なくとも一部を含む。また、液体ＬＱが接触する領域は、第２周壁３４と第５周壁３５との間のテーブル４Ｔの表面、及び第２周壁３４の第２上面３４Ａも含む。

液体ＬＱが接触することによって、これら液体ＬＱが接触するテーブル４Ｔの一部の領域は、液体ＬＱによってクリーニングされる。すなわち、第１周壁３３及び第２周壁３４等、テーブル４Ｔの一部の領域に付着していた汚染物質は、液浸空間ＬＲの液体ＬＱによって、テーブル４Ｔの表面から剥がれる（除去される）。本実施形態においては、液体供給口１２からの液体供給動作と液体回収口２２による液体回収動作とを並行して行っており、汚染物質が付着している可能性のあるテーブル４Ｔの一部の領域には、液体供給口１２から清浄な液体ＬＱが供給され続け、その供給された清浄な液体ＬＱによって、汚染物質を良好に剥がすことができる。また、剥がれた汚染物質は、液体回収口２２によって直ちに回収される。

また、制御装置７は、ノズル部材７０を用いて液浸空間ＬＲを形成している状態において、第１吸引口６３を用いて、液体ＬＱの少なくとも一部を吸引（回収）する。すなわち、本実施形態においては、制御装置７は、液体供給口１２からの液体供給動作と液体回収口２２による液体回収動作と第１吸引口６３による液体回収動作（吸引動作）とを並行して行う。ノズル部材７０の液体回収口２２は、テーブル４Ｔの上方でそのテーブル４Ｔの表面と対向する位置に配置されており、テーブル４Ｔの表面から剥がれ、液体ＬＱ中を浮遊する汚染物質が、例えば重力の作用によって液体回収口２２に円滑に到達できない可能性がある。制御装置７は、テーブル４Ｔの一部（基材３０の上面）に形成されている第１吸引口６３による液体回収動作を実行することによって、液体回収口２２で回収しきれなかった汚染物質を回収することができる。

また、制御装置７は、液体ＬＱを用いたクリーニング動作中、第２吸引口６１による吸引動作を実行する。第２吸引口６１による吸引動作を実行することで、上述したように、第２空間４２から第２ギャップＧ２を介して第３空間４３に向かう気体の流れＦ２が生成されるので、基板ＣＰの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとの間を介して、第１周壁３３の内側に液体ＬＱが浸入したとしても、その浸入した液体ＬＱを第２吸引口６１で回収することができるとともに、生成した気体の流れＦ２により、第４周壁３２よりも内側への液体ＬＱの浸入を抑制することができる。

また、制御装置７は、必要に応じて、テーブル４Ｔに光洗浄効果を有する露光光ＥＬを照射しつつ、液体ＬＱを用いたテーブル４Ｔのクリーニング動作を行う。すなわち、制御装置７は、ノズル部材７０を用いて、第８ギャップＧ８の上に液浸空間ＬＲを形成した状態で、投影光学系ＰＬを介して、第１周壁３３及び第２周壁３４、あるいは第５周壁３５等、テーブル４Ｔの一部に露光光ＥＬを照射する。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、光洗浄効果を有する紫外光であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いているため、テーブル４Ｔのうち、露光光ＥＬが照射された領域は光洗浄される。紫外光である露光光ＥＬが照射されることにより、テーブル４Ｔの表面に付着していた汚染物質（有機物質）は、酸化分解されて除去される。なお、照明系ＩＬ（露光用光源）とは別の発光装置から、光洗浄効果を有する光をテーブル４Ｔに照射するようにしてもよい。

また、本実施形態においては、制御装置７は、液体供給口１２からの液体供給動作と液体回収口２２による液体回収動作の少なくとも一部とを並行して行いつつ、基板Ｐを保持したテーブル４Ｔとノズル部材７０とを相対的に移動する。

例えば、図１０の矢印ｙ１で示すように、液浸空間ＬＲが環状の第８ギャップＧ８（基板ＣＰのエッジ）に沿って移動するように、制御装置７は、液体供給口１２からの液体供給動作と液体回収口２２による液体回収動作とを並行して行いつつ、ノズル部材７０に対して、基板Ｐを保持したテーブル４Ｔを移動する。これにより、テーブル４Ｔの広い範囲をクリーニングすることができる。

基板ＣＰを用いたクリーニング動作終了後、制御装置７は、ノズル部材７０の液体供給口１２からの液体供給動作を停止するとともに、液体回収口２２、第１吸引口６３、及び第２吸引口６１からの吸引動作を実行して、図１１の模式図に示すように、基板ＣＰ及びテーブル４Ｔ（板部材Ｔ）上から液浸空間ＬＲを無くす。また、制御装置７は、液体回収口２２の液体回収動作を停止するとともに、第１吸引口６３による吸引動作、及び第２吸引口６１による吸引動作を所定時間継続する。第１吸引口６３による吸引動作を実行することで、第１周壁３３と第２周壁３４との間のテーブル４Ｔの表面などに残留している液体ＬＱを第１吸引口６３で回収することができ、第１周壁３３と第２周壁３４との間のテーブル４Ｔの表面における液体ＬＱの残留を抑制することができる。また、第２吸引口６１による吸引動作を実行することによって、第１周壁３３の内側に液体ＬＱが浸入したとしても、その第１周壁３３の内側に浸入した液体ＬＱを、第２吸引口６１で回収することができる。

そして、制御装置７は、第１吸引口６３、第２吸引口６１、及び第３吸引口６２の吸引動作を全て停止した後、不図示の基板昇降機構（いわゆるリフトピン等）を用いて、第１ホルダＨＤ１に対して基板ＣＰを上昇させ、基板交換位置において、搬送装置１００（又は別の搬送装置）を用いて、第１ホルダＨＤ１から基板ＣＰを搬出（アンロード）する。

その後、クリーニングされたテーブル４Ｔに、新たな基板Ｐが保持され、そのテーブル４Ｔに保持された基板Ｐに露光光ＥＬを照射することによって、その基板Ｐが露光される。

以上説明したように、基板ＣＰを用いて、テーブル４Ｔを円滑且つ良好にクリーニングすることができる。したがって、テーブル４Ｔに付着した汚染物質に起因する露光精度の劣化を抑制し、基板Ｐを良好に露光することができる。

本実施形態においては、第１周壁３３の第１上面３３Ａが露出するように基板ＣＰを配置することによって、その第１周壁３３の第１上面３３Ａを重点的にクリーニングすることができるので、その第１周壁３３を備えたテーブル４Ｔによって、基板Ｐを良好に保持して露光することができる。

また、本実施形態においては、第８ギャップＧ８を介して外部空間と接続可能な空間（第４空間４４、第６空間４６）を形成する第１周壁３３及び第２周壁３４、あるいは第５周壁３５等を重点的にクリーニングすることができるので、第１周壁３３及び第２周壁３４、あるいは第５周壁３５等に付着している汚染物質が外部空間、及び液浸空間ＬＲに放出されるのを抑制することができる。

また、本実施形態においては、テーブル４Ｔ（第１ホルダＨＤ１）の全部の領域をクリーニングせず、局所的な領域を重点的にクリーニングしているので、クリーニング作業が長時間に及んだり、煩雑になることを抑え、クリーニング作業を短時間で円滑且つ良好に実行することができる。

また、本実施形態においては、液体ＬＱと接触する基板ＣＰの表面及び裏面は、撥液性なので、基板ＣＰの裏面と第１周壁３３との間を介して、第１周壁３３の内側に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。また、液体ＬＱを用いたクリーニング動作終了後、基板ＣＰに接触した液体ＬＱを円滑に回収することができ、基板ＣＰの表面及び裏面等に液体ＬＱが残留することを抑制することができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

上述の第１実施形態においては、図１２Ａの模式図に示すように、基板ＣＰは、第１周壁３３の第１上面３３Ａの外縁の径よりも小さく、且つ、第１周壁３３の第１上面３３Ａの内縁の径よりも大きい外径を有しているが、図１２Ｂに示すように、第１周壁３３の第１上面３３Ａの外縁の径よりも大きい外径を有していてもよい。この場合、第１周壁３３の第１上面３３Ａは露出しないが、基板ＣＰと板部材Ｔとの間の第８ギャップＧ８’は、基板Ｐと板部材Ｔとの間の第５ギャップＧ５よりも大きいので、クリーニング用の液体ＬＱを、第１周壁３３と第２周壁３４との間の空間に供給することができ、その空間に供給された液体ＬＱを用いてテーブル４Ｔの一部をクリーニングすることができる。

また、図１２Ｃに示すように、基板ＣＰは、第１周壁３３の第１上面３３Ａの内縁の径よりも小さい外径を有していてもよい。この場合、図１３に示すように、クリーニング用の液体ＬＱは、第１周壁３３の第１上面３３Ａのほぼ全域に接触することができるので、第１周壁３３の第１上面３３Ａを良好にクリーニングすることができる。

すなわち、基板ＣＰの外径は、テーブル４Ｔの洗浄される領域（空間）に応じて決定することができ、例えば基板Ｐの規格外径よりも２．０ｍｍ〜２０．０ｍｍだけ外径が小さい基板（円形基板の場合の場合には、規格半径よりも１．０〜１０．０ｍｍ半径が小さい円形基板）が用いられる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。図１４は、第３実施形態に係るノズル部材７０の近傍を示す図である。本実施形態においては、ノズル部材７０は、液浸空間ＬＲに液体ＬＱを噴射可能な液体噴射口９０を有し、液浸空間ＬＲ内において液体噴射口９０から液体ＬＱを噴射して、液浸空間ＬＲに液体ＬＱの噴流を形成する。液体ＬＱの噴流は、テーブル４Ｔの表面に作用する。これにより、そのテーブル４Ｔの表面に付着している汚染物質の除去が促進される。

なお、上述の第１〜第３実施形態において、基板ＣＰを用いたクリーニング動作は、例えば基板Ｐを所定枚数処理した毎、ロット毎、所定時間間隔毎等に実行することができる。

また、上述のように、露光装置ＥＸは、液体回収口２２より回収した露光用の液体ＬＱの品質（水質）を検出可能な検出装置２６を備えており、その検出装置２６は、液体回収口２２より回収した露光用の液体ＬＱの汚染状態を検出可能なので、制御装置７は、検出装置２６の検出結果に基づいて、液体回収口２２より回収した露光用の液体ＬＱが汚染していると判断したときに、基板ＣＰを用いたクリーニング動作を実行するようにしてもよい。テーブル４Ｔの汚染状態に応じて、液体回収口２２から回収された液体ＬＱの汚染状態も変化するので、制御装置７は、液体回収口２２より回収された液体ＬＱの汚染状態を検出装置２６を用いて検出することによって、その検出結果に基づいて、テーブル４Ｔの汚染状態を求める（推定する）ことができる。そして、制御装置７は、検出装置２６の検出結果に基づいて、テーブル４Ｔの汚染状態が許容範囲にないと判断した場合、次の露光動作を開始せずに、クリーニング動作を実行する。

なお、基板Ｐをパターンの像で露光し、その基板Ｐ上に形成されたパターンの形状を所定の計測装置で計測し、その計測結果に応じて、基板ＣＰを用いたクリーニング動作を実行するようにしてもよい。例えば、パターンの形状の計測結果に基づいて、パターンの欠陥が許容範囲にないと判断された場合、制御装置７は、テーブル４Ｔの汚染状態も許容範囲にないと判断し、クリーニング動作を実行する。あるいは、第１ホルダＨＤ１に高平坦度の表面を有するダミー基板を保持し、そのダミー基板の表面の形状（フラットネス）を、斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系等で検出し、フラットネスの劣化の度合いが許容範囲にないと判断した場合、制御装置７は、テーブル４Ｔの汚染状態も許容範囲にないと判断し、クリーニング動作を実行することができる。

なお、上述の各実施形態においては、制御装置７は、テーブル４Ｔをクリーニングするために、液体供給口１２からの液体供給動作と液体回収口２２による液体回収動作と第１吸引口６３による液体回収動作（吸引動作）とを並行して行っているが、クリーニング動作中、第１吸引口６３による吸引動作を停止してもよい。また、クリーニング動作中には、第１吸引口６３による吸引動作を実行せず、クリーニング動作終了後、第１吸引口６３による吸引動作を実行することで、第１周壁３３と第２周壁３４との間のテーブル４Ｔの表面における液体ＬＱの残留を抑制することができる。あるいは、クリーニング動作中に、液体回収口２２からの液体回収動作を停止してもよい。

なお、上述の各実施形態においては、制御装置７は、テーブル４Ｔのクリーニング動作中に、第２吸引口６１による吸引動作を実行しているが、クリーニング動作中、第２吸引口６１による吸引動作を停止してもよい。また、クリーニング動作中には、第２吸引口６１による吸引動作を実行せず、クリーニング動作終了後、第２吸引口６１による吸引動作を実行することで、第１周壁３３の内側に浸入した液体ＬＱを、第２吸引口６１で回収することができる。

なお、上述の各実施形態においては、クリーニング用の液体として、露光用の液体ＬＱを用いているが、露光用の液体ＬＱとは別の液体を用いてもよい。クリーニング用の液体としては、例えばエタノール、メタノール等のアルコール類、あるいは界面活性剤を含む液体を用いることができる。また、オゾンガスを水に溶解させたオゾン水、水素を水に溶解させた水素水等、所定の気体を水に溶解させた、いわゆる機能水を、クリーニング用の液体に用いることもできる。

また、クリーニング用の液体に振動（例えば超音波）を与える振動装置を併用してもよい。

また、上述の各実施形態においては、基板Ｐを露光するときに液浸領域ＬＲを形成するノズル部材７０を用いてテーブル４Ｔのクリーニングを行っているが、クリーニング専用のノズル部材を設けて、部材ＣＰ及び板部材Ｔと、クリーニング用のノズル部材との間にクリーニング用の液体を保持して、テーブル４Ｔのクリーニング動作を実行してもよい。

なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐの周囲の平坦部を脱着可能な板部材Ｔで形成しているが、基板Ｐの周囲の平坦部を基材３０と一体的な部材で形成してもよい。すなわち、テーブル４Ｔの構成は上述したものに限られず、液浸露光される基板Ｐを良好に保持できるものであれば、いろいろな構成のテーブル４Ｔを用いることができる。

なお、上述の各実施形態においては、部材ＣＰは、基板Ｐとほぼ同形状の外形を有し、基板Ｐとほぼ同じ厚さの板状部材であるが、テーブル４Ｔ（第１ホルダＨＤ１）で保持したときに、第１周壁３３の第１上面３３Ａの少なくとも一部等、洗浄したい領域を露出させて、その領域とクリーニング用の液体とを接触させることができるのであれば、部材ＣＰは、基板Ｐの外形と異なる外形を有していてもよいし、基板Ｐの厚さと異なる厚さを有していてもよいし、板状でなくてもよい。また、上述の各実施形態においては、部材ＣＰは表面と裏面がクリーニング用の液体に対して撥液性を有しているが、必要に応じて、部材ＣＰの一部の領域が撥液性であればよく、テーブル４Ｔのクリーニングとクリーニング用の液体の回収が円滑に実行されるならば、部材ＣＰに撥液性の領域を形成しなくてもよい。

なお、上述の各実施形態の投影光学系は、終端光学素子の像面（射出面）側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子の物体面（入射面）側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の各実施形態の露光用の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、露光用の液体ＬＱは、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体でもよいし、セダー油でもよい。また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。

液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（最終光学素子ＦＬなど）は、例えば石英（シリカ）、あるいは、フッ化カルシウム（蛍石）、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成してもよい。更に、終端光学素子は、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で形成してもよい。屈折率が１．６以上の材料としては、例えば、国際公開第２００５／０５９６１７号パンフレットに開示されるサファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第２００５／０５９６１８号パンフレットに開示される塩化カリウム（屈折率は約１．７５）等を用いることができる。さらに、終端光学素子の表面の一部（少なくとも液体との接触面を含む）又は全部に、親液性及び／又は溶解防止機能を有する薄膜を形成してもよい。なお、石英は液体との親和性が高く、かつ溶解防止膜も不要であるが、蛍石は少なくとも溶解防止膜を形成することができる。純水よりも屈折率が高い（例えば１．５以上）の液体としては、例えば、屈折率が約１．５０のイソプロパノール、屈折率が約１．６１のグリセロール（グリセリン）といったＣ−Ｈ結合あるいはＯ−Ｈ結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体（有機溶剤）、あるいは屈折率が約１．６０のデカリン(Decalin: Decahydronaphthalene)などが挙げられる。また、液体は、これら液体のうち任意の２種類以上の液体を混合したものでもよいし、純水にこれら液体の少なくとも１つを添加（混合）したものでもよい。さらに、液体は、純水にＨ^＋、Ｃｓ^＋、Ｋ^＋、Ｃｌ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＰＯ_４ ^２−等の塩基又は酸を添加（混合）したものでもよいし、純水にＡｌ酸化物等の微粒子を添加（混合）したものでもよい。なお、液体としては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系、及び／又は基板の表面に塗布されている感光材（又はトップコート膜あるいは反射防止膜など）に対して安定なものであることが好ましい。基板には、液体から感光材や基材を保護するトップコート膜などを設けることができる。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、またはフィルム部材等が適用される。また、基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許第６,３４１,００７号、第６,４００,４４１号、第６,５４９,２６９号及び第６,５９０,６３４号）、特表２０００−５０５９５８号公報（対応米国特許第５,９６９,４４１号）などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型（ツインステージ型）の露光装置にも適用できる。

更に、例えば特開平１１−１３５４００号公報、特開２０００−１６４５０４号公報（対応米国特許第６，８９７，９６３号）等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器：Spatial Light Modulator (ＳＬＭ)とも呼ばれる）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いてもよい。なお、ＤＭＤを用いた露光装置は、例えば米国特許第６,７７８,２５７号公報に開示されている。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

また、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

なお、法令で許容される限りにおいて、上記各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許などの開示を援用して本文の記載の一部とする。

以上のように、上記実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１５に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンを基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

Claims (55)

1. 露光光が照射される基板の裏面を保持する基板保持部材の少なくとも一部をクリーニングするために前記基板保持部材に保持されるクリーニング用部材であって、
   前記基板よりも小さい外径を有する。
2. 前記基板保持部材のクリーニングは、前記基板の裏面の周縁領域と対向するように前記基板保持部材に設けられた第１周壁の第１上面の少なくとも一部が露出した状態で行われる請求項１記載のクリーニング用部材。
3. 前記第１周壁とほぼ同じ外形を有し、
   前記基板とほぼ同じ厚さを有し、
   前記外径は、前記第１周壁の第１上面の外縁の径よりも小さい請求項２記載のクリーニング用部材。
4. 前記外径は、前記第１周壁の第１上面の内縁の径よりも小さい請求項３記載のクリーニング用部材。
5. 前記基板保持部材には、前記第１周壁の内側に、前記基板の裏面を支持する支持部材が形成され、前記第１周壁で囲まれた空間を負圧にすることによって、前記基板の裏面が前記支持部材に支持される請求項２〜４のいずれか一項記載のクリーニング用部材。
6. 前記基板保持部材のクリーニングは、液体を用いて行われる請求項１〜５のいずれか一項記載のクリーニング用部材。
7. 前記基板保持部材に保持された前記基板が純水を介して前記露光光で露光され、
   前記基板保持部材のクリーニングは、純水を用いて行われる請求項６記載のクリーニング用部材。
8. 撥液性の液体接触面を有する請求項６又は７記載のクリーニング用部材。
9. 前記液体接触面は、フッ素系樹脂及びアクリル系樹脂の一方又は両方の材料で形成される請求項８記載のクリーニング用部材。
10. 金属及び半導体ウエハの一方又は両方で形成された基材に前記材料が被覆される請求項９記載のクリーニング用部材。
11. 請求項１〜請求項１０のいずれか一項記載のクリーニング用部材を前記基板保持部材に保持して、前記基板保持部材の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング方法。
12. 前記基板を搬送可能な搬送装置で前記基板保持部材に前記クリーニング用部材がロードされ、前記基板を搬送可能な搬送装置で前記基板保持部材から前記クリーニング用部材がアンロードされる請求項１１記載のクリーニング方法。
13. 露光光が照射される基板を保持する基板保持部材の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング方法であって、
    前記基板とほぼ同じ外形を有し、該基板よりも小さい外径を有するクリーニング用部材を前記基板保持部材で保持することと、
    前記基板保持部材の少なくとも一部をクリーニングするための液体を供給することと、
    を含むクリーニング方法。
14. 前記基板保持部材は第１ホルダの周囲に平坦部を有し、
    前記基板保持部材の前記第１ホルダに保持された前記基板と前記平坦部との間に形成される第１ギャップよりも大きい第２ギャップが、前記第１ホルダに保持された前記クリーニング用部材と前記平坦部との間に形成される請求項１３記載のクリーニング方法。
15. 前記液体は、前記第２のギャップからその下方空間に供給される請求項１４記載のクリーニング方法。
16. 前記第２のギャップからの前記液体が前記基板保持部材の一部の領域に接触する請求項１５記載のクリーニング方法。
17. 前記液体は、前記クリーニング用部材のエッジの外側で、前記基板保持部材の一部の領域に接触する請求項１３〜１６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
18. 前記基板保持部材は、前記基板の裏面の周縁領域と対向する第１上面を有する第１周壁を備え、
    前記クリーニング用部材は、前記第１周壁の第１上面の少なくとも一部が露出するように、前記基板保持部材に保持される請求項１７記載のクリーニング方法。
19. 前記クリーニング用部材の外形は、前記第１周壁とほぼ同じで、
    前記クリーニング用部材の外径は、前記第１周壁の第１上面の外縁の径よりも小さく、
    且つ
    前記クリーニング用部材は、前記基板とほぼ同じ厚さを有する請求項１８記載のクリーニング方法。
20. 前記クリーニング用部材の外径は、前記第１周壁の第１上面の内縁の径よりも小さい請求項１９記載のクリーニング方法。
21. 前記クリーニング用部材は、前記第１周壁とほぼ同じ外形を有し、
    前記クリーニング用部材の外径は、前記第１周壁の第１上面の外縁の径よりも小さく、前記第１上面の内縁の径よりも大きい請求項１８記載のクリーニング方法。
22. 前記基板保持部材は、前記基板の裏面の周縁領域と対向する第１上面を有する第１周壁を備え、
    前記クリーニング用部材は、前記第１周壁とほぼ同じ外形を有し、
    前記クリーニング用部材の外径は、前記第１周壁の第１上面の外縁の径よりも大きい請求１７記載のクリーニング方法。
23. 前記クリーニング用部材の裏面と前記第１周壁の第１上面とが接触する請求項１８〜２２のいずれか一項記載のクリーニング方法。
24. 前記基板保持部材は、前記第１周壁の内側に配置され、前記基板の裏面を支持する支持部材を有し、
    前記第１周壁で囲まれた空間を負圧にすることによって、前記基板の裏面を前記支持部材に吸着保持する請求項１８〜２３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
25. 前記基板保持部材は、前記第１周壁を囲むように配置された第２周壁を有し、
    前記第１周壁と前記第２周壁との間の領域が前記液体でクリーニングされる請求項１８〜２４のいずれか一項記載のクリーニング方法。
26. 前記第１周壁の第１上面が前記液体でクリーニングされる請求項１８〜２５のいずれか一項記載のクリーニング方法。
27. 前記基板保持部材は、前記第１周壁の外側に形成され、流体を吸引可能な第１吸引口を有し、
    前記第１吸引口は、前記液体の少なくとも一部を吸引する請求項１８〜２６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
28. 前記基板保持部材は、前記第１周壁の内側に形成され、流体を吸引可能な第２吸引口を有し、
    前記第２吸引口は、前記液体の少なくとも一部を吸引する請求項１８〜２７のいずれか一項記載のクリーニング方法。
29. 前記基板保持部材に設けられた吸引口から前記液浸部の液体の少なくとも一部が吸引される請求項１３〜１７のいずれか一項記載のクリーニング方法。
30. 前記クリーニング用部材を保持した前記基板保持部材の少なくとも一部が所定部材と対向するように前記基板保持部材を移動することと、
    前記液体によって、前記クリーニング用部材及び前記基板保持部材と前記所定部材との間に液浸部を形成することと、を含む請求項１３〜２９のいずれか一項記載のクリーニング方法。
31. 前記液体は、前記所定部材の液体供給口から供給される請求項３０記載のクリーニング方法。
32. 前記所定部材は液体回収口を有し、
    前記液体供給口からの液体供給動作と前記液体回収口による液体回収動作の少なくとも一部とを並行して行う請求項３１記載のクリーニング方法。
33. 前記液体供給口からの液体供給動作と前記液体回収口による液体回収動作の少なくとも一部とを並行して行いつつ、前記クリーニング用部材を保持した前記基板保持部材と前記所定部材とを相対的に移動する請求項３２記載のクリーニング方法。
34. 前記液浸部は、前記基板保持部材に保持された前記クリーニング用部材の周囲のギャップの上に形成される請求項３０〜３３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
35. 前記液浸部が環状の前記ギャップに沿って移動するように、前記所定部材に対して前記基板保持部材が移動される請求項３４記載のクリーニング方法。
36. 前記基板の露光において、前記所定部材は、前記基板上に露光用液体で液浸空間を形成可能である請求項３０〜３５のいずれか一項記載のクリーニング方法。
37. 前記所定部材は、液体噴射口を有し、
    前記液体噴射口から液体を噴射して、前記液浸部に液体の噴流を形成する請求項３０〜３６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
38. 前記基板保持部材に保持された前記基板が純水を介して前記露光光で露光され、
    前記基板保持部材のクリーニングは、純水を用いて行われる請求項１３〜３７のいずれか一項記載のクリーニング方法。
39. 前記液体は、アルコール類を含む液体、界面活性剤を含む液体、オゾン水、及び水素水の少なくとも一つを含む請求項１３〜３７のいずれか一項記載のクリーニング方法。
40. 前記基板を搬送可能な搬送装置で前記クリーニング用部材が前記基板保持部材にロードされる請求項１３〜３９のいずれか一項記載のクリーニング方法。
41. 前記基板を搬送可能な搬送装置で前記クリーニング用部材が前記基板保持部材からアンロードされる請求項１３〜３９のいずれか一項記載のクリーニング方法。
42. 前記基板保持部材に光洗浄効果を有する光を照射する動作を含む請求項１３〜４１のいずれか一項記載のクリーニング方法。
43. 前記光は前記露光光を含む請求項４２記載のクリーニング方法。
44. 前記液体に振動を与える請求項１３〜４３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
45. 前記液体に超音波振動を与える請求項１３〜４４のいずれか一項記載のクリーニング方法。
46. 前記基板保持部材に保持された前記基板が露光用液体を介して前記露光光で露光され、
    前記基板の露光において液体回収口から回収された前記露光用液体の品質が検出され、
    前記検出の結果に基づいて、前記クリーニング用部材を用いるクリーニングを実行するか否かが判断される請求項１３〜４５のいずれか一項記載のクリーニング方法。
47. 露光により前記基板に形成されたパターンの形状が計測され、
    前記計測の結果に基づいて、前記クリーニング用部材を用いるクリーニングを実行するか否かが判断される請求項１３〜４６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
48. 前記基板保持部材の第１ホルダにダミー基板を保持することと、
    前記ダミー基板の表面の形状を検出することと、を含み、
    前記検出の結果に基づいて、前記クリーニング用部材を用いるクリーニングを実行するか否かが判断される請求項１３〜４７のいずれか一項記載のクリーニング方法。
49. 請求項１３〜請求項４８のいずれか一項記載のクリーニング方法を用いて前記基板保持部材をクリーニングすることと、
    前記基板保持部材で基板を保持することと、
    前記基板保持部材に保持された前記基板を露光光で露光することと、を含むデバイス製造方法。
50. 露光光で基板を露光する液浸露光装置であって、
    前記基板を第１ホルダに保持する基板保持部材と、
    液体供給口と液体回収口とを有するノズル部材と、
    前記基板保持部材の移動を制御可能な制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記基板保持部材の少なくとも一部を液体でクリーニングするために、前記基板とほぼ同じ外形を有し、該基板よりも小さい外径を有するクリーニング用部材を前記第１ホルダに保持した前記基板保持部材を前記ノズル部材に対して移動する露光装置。
51. 前記基板保持部材の少なくとも一部を前記液体でクリーニングするときに、前記ノズル部材の前記液体供給口から前記液体を供給する請求項５０記載の露光装置。
52. 前記基板保持部材の少なくとも一部を前記液体でクリーニングするときに、前記ノズル部材の前記液体回収口から前記液体の少なくとも一部を回収する請求項５０又は５１記載の露光装置。
53. 前記基板保持部材は吸引口を有し、
    前記基板保持部材の少なくとも一部を前記液体でクリーニングするときに、前記吸引口から前記液体の少なくとも一部を回収する請求項５０又は５１記載の露光装置。
54. 前記基板保持部材は、周壁と、該周壁の内側に配置され、前記基板の裏面を支持する支持部材を有し、
    前記液体は、前記周壁の外側の空間に供給される請求項５０〜５２のいずれか一項記載の露光装置。
55. 前記基板保持部材は、前記周壁の外側に吸引口を有し、
    前記基板保持部材の少なくとも一部を前記液体でクリーニングするときに、前記吸引口から前記液体の少なくとも一部を回収する請求項５４記載の露光装置。

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