JP2007102215A - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】非晶質シリコン薄膜トランジスタのしきい電圧の変化を防止して画質の劣化を防止することができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、行列状に配列される複数の画素を有し、各画素は、発光素子と、発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、駆動トランジスタに接続されデータ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタと、駆動トランジスタに接続され逆バイアス電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタとを含み、第１スイッチングトランジスタと第２スイッチングトランジスタは、互いに異なる時間に導通される。
【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置及びその駆動方法に関する。

近来、陰極線管（ＣＲＴ）に代替し得る平板表示装置が活発に研究されており、特に、有機発光表示装置は、輝度の特性及び視野角の特性が優れていて次世代の平板表示装置として注目を受けている。
一般的に、能動型平板表示装置においては、複数の画素が行列状に配列され、付与された輝度の情報に従って各画素の光強度を制御することによって画像を表示する。有機発光表示装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置として、磁気発光型で消費電力が小さく、画素の応答速度が速いので、高画質の動画画像を表示することが容易である。

有機発光表示装置は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）と、これを駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備える。この薄膜トランジスタは、活性層の種類によって多結晶シリコン薄膜トランジスタと、非晶質シリコン薄膜トランジスタなどに区分される。多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は、多様な長所があって一般的に広く使用されているが、多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造工程が複雑で、そのため費用も増加する。また、このような有機発光表示装置は、大画面を得ることが難しい。

一方、非晶質シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は、大画面を得ることが容易で、多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置より製造工程も相対的に少ない。
しかし、非晶質シリコン薄膜トランジスタが有機発光素子に継続的に電流を供給することによって、非晶質シリコン薄膜トランジスタ自体のしきい電圧が変化し、劣化することがある。これにより、同一のデータ電圧が印加されても不均一な電流が有機発光素子に流れるようになり、その結果、有機発光表示装置の画質劣化が発生する。

本発明は、前述のような従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、非晶質シリコン薄膜トランジスタのしきい電圧の変化を防止して画質の劣化を防止することができる表示装置を提供することである。

このような技術的な課題を構成するための本発明の一実施形態に係る表示装置は、行列状に配列される複数の画素を有することを特徴とする。前記各画素は、発光素子と、前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに接続されデータ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタと、前記駆動トランジスタに接続され逆バイアス電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタとを含み、前記第１スイッチングトランジスタと前記第２スイッチングトランジスタは、互いに異なる時間に導通することを特徴とする。

本発明によれば、行を交互に逆バイアス電圧を供給するので、駆動トランジスタのしきい電圧の変化を防止することができ、インパルス効果によってぼけ現象を防止する効果を奏する。

添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書の全体を通して類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

以下、本発明の実施形態に係る表示装置及びその駆動方法について添付した図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のブロック図であり、図２は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、表示板３００と、第１走査駆動部４００と、第２走査駆動部７００と、データ駆動部５００、及び信号制御部６００を備える。

表示板３００は、等価回路によれば、複数の表示信号線（Ｇ₁-Ｇ_n、Ｇ'₁-Ｇ'_n、Ｄ₁-Ｄ_m）と、複数の駆動電圧線（図示せず）、及びこれらに接続され、ほぼ行列状に配列される複数の画素（ＰＸ）を含む。
表示信号線（Ｇ₁-Ｇ_n、Ｇ'₁-Ｇ'_n、Ｄ₁-Ｄ_m）は、走査信号を伝達する複数の第１及び第２走査信号線（Ｇ₁-Ｇ_n、Ｇ'₁-Ｇ'_n）と、データ電圧を伝達する複数のデータ線（Ｄ₁-Ｄ_m）を含む。第１及び第２走査信号線（Ｇ₁-Ｇ_n、Ｇ'₁-Ｇ'_n）は、ほぼ行方向に延びていて互いが分離されており、ほぼ平行である。データ線（Ｄ₁-Ｄ_m）は、ほぼ列方向に延びていて互いが分離されており、ほぼ平行である。

駆動電圧線は、各画素（ＰＸ）に駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達する。
図２に示すように、各画素（ＰＸ）、例えば、ｉ行（ｉ＝１、２、…、ｎ）、ｊ列（ｊ＝１、２、…、ｍ）の画素（ＰＸ）は、有機発光素子（ＬＤ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）、そして第１及び第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２）を含む。

駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、入力端子が駆動電圧（Ｖｄｄ）と接続され、出力端子が有機発光素子（ＬＤ）のアノード電極と接続され、制御端子が第１及び第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２）の出力端子と接続されている。
第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）は、入力端子がデータ線（Ｄｊ）と接続され、出力端子が駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と接続され、制御端子は、第２走査信号線（Ｇ'_i）と接続されている。

第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）は、入力端子が逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）と接続され、出力端子が駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と接続され、制御端子は、第１走査信号線（Ｇ_i）と接続されている。
しかし、隣接した画素行の第１及び第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２）は、第１及び第２走査信号線と反対の接続関係を有する。例えば、ｉ＋１番目行の第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）は、第１走査信号線（Ｇ_i+1）と接続されており、第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）は、第２走査信号線（Ｇ'_i+1）と接続されている。

キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と入力端子との間に接続されている。このようなキャパシタ（Ｃｓｔ）は、第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）からのデータ電圧と駆動電圧（Ｖｄｄ）との差に相応する電荷を充電して維持する。
有機発光素子（ＬＤ）は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）から成り、アノード電極が駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子と接続され、カソード電極が共通電圧（Ｖｃｏｍ）と接続される。このような有機発光素子（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子から駆動電流（Ｉ_LD）の供給を受けて、駆動電流（Ｉ_LD）の大きさによって強度を異にして発光する。駆動電流（Ｉ_LD）の大きさは、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と出力端子との間の電圧（Ｖｇｓ）の大きさに依存する。

スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、非晶質シリコン又は多結晶シリコンで形成されるｎ−チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で構成される。しかし、これらのトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２、Ｑｄ）は、ｐ−チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で構成することもでき、この場合、ｐ−チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、ｎ−チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とが、互いに相補型であるので、ｐ−チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の動作と、電圧及び電流は、ｎ−チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のそれと反対となる。

次に、図２に示した有機発光表示装置の駆動トランジスタ（Ｑｄ）と、有機発光素子（ＬＤ）の詳細な構造について図３及び図４を参照して詳細に説明する。
図３は、図２に示した有機発光表示装置の１つの画素の駆動トランジスタと、有機発光素子の断面の一例を示した断面図であり、図４は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。

絶縁基板１１０上に制御端子電極１２４が形成されている。制御端子電極１２４は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）と銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）と銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）とモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などで形成することが好ましい。しかし、制御端子電極１２４は、物理的な性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造にすることができる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少することができるように低い比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成することができる。これとは異なって、もう１つの導電膜は、他の物質、特に、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的な接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどから形成される。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、制御端子電極１２４は、種々の金属と導電体で形成することができる。制御端子電極１２４は、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は、３０〜８０゜である。

制御端子電極１２４上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などからなる絶縁膜１４０が形成されている。
絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは、略してａ-Ｓｉと記載する）又は多結晶シリコンなどから成る半導体１５４が形成されている。
半導体１５４上には、シリサイド又はｎ型不純物が高濃度にドープされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなる一対のオーミック接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３、１６５が形成されている。

半導体１５４とオーミック接触部材１６３、１６５の側面は、基板１１０面に対して傾斜しており、傾斜角は、３０〜８０゜である。
オーミック接触部材１６３、１６５及び絶縁膜１４０上には、入力端子電極１７３と出力端子電極１７５が形成されている。入力端子電極１７３と出力端子電極１７５は、クロム、モリブデン系金属、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｍｅｔａｌ）からなることが好ましく、耐火性金属などの下部膜（図示せず）と、その上に位置する低抵抗物質上部膜（図示せず）を含む多層膜構造とすることもできる。多層膜構造の例としては、クロム又はモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜−アルミニウム（合金）中間膜−モリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。入力端子電極１７３と出力端子電極１７５も制御端子電極１２４と同様に、その側面が約３０〜８０゜の角度にそれぞれ傾斜している。

入力端子電極１７３と出力端子電極１７５は互いに分離されており、制御端子電極１２４を基準として両側に位置する。制御端子電極１２４、入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５は、半導体１５４と共に駆動トランジスタ（Ｑｄ）を構成し、そのチャンネルは、入力端子電極１７３と出力端子電極１７５との間の半導体１５４に形成される。
オーミック接触部材１６３、１６５は、その下部の半導体１５４とその上部の入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５の間にのみ存在して接触抵抗を低くする。半導体１５４には、入力端子電極１７３と出力端子電極１７５で覆われずに露出される部分がある。

入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５と露出される半導体１５４部分及び絶縁膜１４０上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物又は有機絶縁物などで形成され、表面を平坦化することができる。無機絶縁物の例としては、窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は、感光性を有するものを用いることができ、その誘電定数は、約４．０以下であることが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出される半導体１５４部分を損傷しないように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造とすることができる。

保護膜１８０上には、画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、コンタクトホール１８５を介して出力端子電極１７５と物理的・電気的に接続されており、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム又は銀合金の反射性に優れた金属で形成することができる。
また、保護膜１８０上には、隔壁３６１が形成されている。隔壁３６１は、画素電極１９０の周辺を堤防（ｂａｎｋ）のように取り囲んで開口部を定義するものであり、有機絶縁物質又は無機絶縁物質で形成される。

画素電極１９０上には、有機発光部材３７０が形成されており、有機発光部材３７０は、隔壁３６１で囲まれた開口部に閉じ込められている。
有機発光部材３７０は、図４に示すように、発光層（ＥＭＬ）の他に発光層（ＥＭＬ）の発光効率を向上させるための付帯層を含む多層構造を有する。付帯層には、電子と正孔の均衡を取るための電子輸送層（ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）と、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層（ＥＩＬ）及び正孔注入層（ＨＩＬ）がある。付帯層は、省略することができる。

隔壁３６１及び有機発光部材３７０上には、共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加される共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）などを含む反射性金属又はＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質で形成できる。
不透明な画素電極１９０と透明な共通電極２７０は、表示板３００の上部方向に画像を表示する前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用し、透明な画素電極１９０と不透明な共通電極２７０は、表示板３００の下方向に画像を表示する背面発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用する。

画素電極１９０、有機発光部材３７０及び共通電極２７０は、図２に示した有機発光素子（ＬＤ）を成し、画素電極１９０がアノード、共通電極２７０がカソードとなるか、又は反対に画素電極１９０がカソード、共通電極１９０がアノードとなる。有機発光素子（ＬＤ）は、有機発光部材３７０の材料によって基本色のうちの１つの色相の光を出す。基本色の例としては、赤色、緑色、青色の三原色があり、三原色の空間的な作用で所望の色相を表示する。

再び図１を参照して説明する。第１/第２走査駆動部４００/７００は、第１/第２走査信号線（Ｇ₁-Ｇ_n/Ｇ'₁-Ｇ'_n）に接続されて第１及び第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２）を導通させることができる高電圧（Ｖｏｎ）と非導通にすることができる低電圧（Ｖｏｆｆ）の組み合わせから成る走査信号を第１/第２走査信号線（Ｇ₁-Ｇ_n/Ｇ'₁-Ｇ'_n）に印加する。

データ駆動部５００は、データ線（Ｄ₁-Ｄ_m）に接続されてデータ電圧をデータ線（Ｄ₁-Ｄ_m）に印加する。第１走査駆動部４００、第２走査駆動部７００又はデータ駆動部５００は、少なくとも１つの駆動集積回路チップの形態で表示板３００上に直接装着することができ、または可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で表示板３００に付着することもできる。これとは異なって、第１走査駆動部４００、第２走査駆動部７００又はデータ駆動部５００が信号線及びトランジスタなどと共に表示板３００に形成されてＳＯＰ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ Ｐａｎｅｌ）を実現することもできる。

信号制御部６００は、第１走査駆動部４００、第２走査駆動部７００及びデータ駆動部５００などの動作を制御する。
信号制御部６００には、外部のグラフィック制御部（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）と水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などが提供される。信号制御部６００は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と入力制御信号に基づいて画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を表示板３００の動作条件に合うように適切に処理し、第１走査制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）及び第２走査制御信号（ＣＯＮＴ３）などを生成する。その後、第１走査制御信号（ＣＯＮＴ１）を第１走査駆動部４００に、第２走査制御信号（ＣＯＮＴ３）を第２走査駆動部７００にそれぞれ送出し、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）と処理したデジタル画像データ（ＤＡＴ）は、データ駆動部５００に送出する。

第１走査制御信号（ＣＯＮＴ１）及び第２走査制御信号（ＣＯＮＴ３）は、高電圧（Ｖｏｎ）の走査開始を指示する走査開始信号（ＳＴＶ）と高電圧（Ｖｏｎ）の出力を制御する少なくとも１つのクロック信号などを含む。第１走査制御信号（ＣＯＮＴ１）及び第２走査制御信号（ＣＯＮＴ３）は、また、高電圧（Ｖｏｎ）の持続時間を限定する出力イネーブル信号（ＯＥ）を含むことができる。

データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、１つの画素行のデータ伝送を知らせる水平同期開始信号（ＳＴＨ）とデータ線（Ｄ₁-Ｄ_m）に当該データ電圧の印加を指示するロード信号（ＬＯＡＤ）及びデータクロック信号（ＨＣＬＫ）などを含む。
以下、図５及び図６を参照し、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の動作について詳細に説明する。

図５は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の信号波形図である。
信号制御部６００は、１フレーム（１ＦＴ）を２つの小フレーム（Ｔ１、Ｔ２）に分割して画像を表示する。
まず、第１小フレーム（Ｔ１）でデータ駆動部５００は、デジタル画像信号（ＤＡＴ）をアナログデータ電圧（Ｖｄａｔ）に変換した後、当該データ線（Ｄ₁-Ｄ_m）に印加する。

第１走査駆動部４００は、信号制御部６００から第１走査制御信号（ＣＯＮＴ１）によって奇数番目、例えば、ｉ番目の第１走査信号線（Ｇ_i）に印加される走査信号（Ｖｇ_i）の電圧レベルをハイレバルに変える。ハイレバルの走査信号（Ｖｇ_i）によってｉ番目の第１走査信号線（Ｇ_i）と接続された第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）が導通して、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加される一方、キャパシタ（Ｃｓｔ）に当該電圧が充電される。この時、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）を非導通にすることができるレベルの電圧であって、データ電圧（Ｖｄａｔ）と反対の極性を有して０Ｖ以下にすることができる。

一方、第２走査駆動部７００は、ｉ番目の第２走査信号線（Ｇ'_i）に印加される走査信号（Ｖｇｉ）の電圧レベルは、ローレベルにそのまま維持する。すると、第２走査信号線（Ｇ'_i）と接続されている第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）が非導通の状態であるので、データ線（Ｄ₁-Ｄ_m）に印加されるデータ電圧（Ｖｄａｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）に伝達されない。したがって、駆動トランジスタ（Ｑｄ）が非導通になって有機発光素子（ＬＤ）に駆動電流（Ｉ_LD）を出力しない。

次に、第１走査駆動部４００は、偶数番目、例えば、（ｉ＋１）番目の走査信号線（Ｇ_i+1）に印加される走査信号（Ｖｇ_i+1）の電圧レベルをハイレバルに変える。すると、（ｉ＋１）番目の第１走査信号線（Ｇ_i+1）と接続された第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）が導通して駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子にデータ電圧（Ｖｄａｔ）が印加される一方、キャパシタ（Ｃｓｔ）に当該電圧が充電される。

一方、第２走査駆動部７００は、（ｉ＋１）番目の第２走査信号線（Ｇ'_i+1）に印加される走査信号（Ｖｇ_i+1）の電圧レベルは、ローレベルにそのまま維持する。すると、第２走査信号線（Ｇ'_i）と接続されている第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）が非導通の状態であるので、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）に伝達されない。したがって、駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、データ電圧（Ｖｄａｔ）による駆動電流（Ｉ_LD）を有機発光素子（ＬＤ）のアノード電極に出力し、有機発光素子（ＬＤ）は、印加される駆動電流（Ｉ_LD）によって所定の光を発光する。

このような動作が最後の画素行の画素（ＰＸ）まで繰り返される。
このように逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加されると、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧の変化を減少することができる。つまり、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を一定時間の間駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に供給して駆動トランジスタ（Ｑｄ）を休止させることで、継続的に電流を駆動することに伴うストレスを減らすことができる。

第１小フレーム（Ｔ１）が終わり、第２小フレーム（Ｔ２）が開始すると、データ駆動部５００は、再びデジタル画像信号（ＤＡＴ）をアナログデータ電圧（Ｖｄａｔ）に変換した後、当該データ線（Ｄ₁-Ｄ_m）に供給する。この時、第２小フレーム（Ｔ２）におけるアナログデータ電圧（Ｖｄａｔ）は、第１小フレーム（Ｔ１）におけるそれと同一である。

第２走査駆動部７００は、信号制御部６００からの第２走査制御信号（ＣＯＮＴ３）によって第２走査信号線（Ｇ'₁-Ｇ'_n）に印加される走査信号（Ｖ'ｇ₁-Ｖ'ｇ_n）の電圧レベルをハイレバルに変える。すると、第１小フレーム（Ｔ１）とは反対に各画素の第１及び第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２）が動作し、それによって駆動トランジスタ（Ｑｄ）及び有機発光素子（ＬＤ）も反対に動作する。つまり、第１小フレーム（Ｔ１）において休止していた奇数番目行の駆動トランジスタ（Ｑｄ）と有機発光素子（ＬＤ）は駆動され、第１小フレーム（Ｔ１）で駆動された偶数番目行の駆動トランジスタ（Ｑｄ）と有機発光素子（ＬＤ）とが休止することとなる。

本実施形態で第１小フレーム（Ｔ１）と第２小フレーム（Ｔ２）の時間は、同一であることが好ましい。また、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）のフレーム周波数が６０Ｈｚである場合、信号制御部６００は、１２０Ｈｚのフレーム周波数でデータ駆動部５００に出力デジタル画像データ（ＤＡＴ）を供給する。
図６は、図５に示す駆動方法によって表示される有機発光表示装置の画面を示した概略図である。

図６に示すように、フレーム初期の画面は、奇数番目の画素行には逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）によるブラックが表示され、偶数番目の画素行には直前のフレームの画像が表示される。第１小フレーム（Ｔ１）が開始すると、画面の上段から偶数番目の画素行はデータ電圧（Ｖｄａｔ）による画像を表示し、奇数番目の画素行は逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）によるブラック画像を表示する。

したがって、１/２フレームにおいては、画面全体の奇数番目の画素行に画像が表示される。
次に、第２小フレーム（Ｔ２）が開始すると、画面の上段から偶数番目の画素行は逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）によるブラック画像を表示し、奇数番目の画素行はデータ電圧（Ｖｄａｔ）による画像を表示する。

画素（ＰＸ）は、データ電圧（Ｖｄａｔ）が供給された後から逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されるまでの間で発光し、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加された後から次のフレームのデータ電圧（Ｖｄａｔ）が供給されるまでの間で発光しない。したがって、１フレーム（１ＦＴ）の１/２の間発光しないため、画像がぼけてしまうブラーリング（ｂｌｕｒｒｉｎｇ）現象を防止することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の実施形態に係る有機発光表示装置のブロック図である。 本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の画素に対する等価回路図である。 本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の１つの画素の駆動トランジスタと有機発光素子の断面を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る有機発光素子の概略図である。 本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の動作を説明する波形図である。 図５に示す有機発光表示装置の画面を示した概略図である。

符号の説明

３００ 表示板
４００ 第１走査駆動部
５００ データ駆動部
６００ 信号制御部
７００ 第２走査駆動部
１１０ 絶縁基板
１２４ 制御端子電極
１４０ 絶縁膜
１５４ 半導体
１６３、１６５ オーミック接触部材
１８０ 保護膜
１９０ 画素電極
２７０ 共通電極
３６１ 隔壁
３７０ 有機発光部材

Claims (20)

1. 行列状に配列される複数の画素を有し、
   前記各画素は、
   発光素子と、
   前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、
   前記駆動トランジスタに接続されデータ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタと、
   前記駆動トランジスタに接続され逆バイアス電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタと、
   を備え、前記第１スイッチングトランジスタと前記第２スイッチングトランジスタは、互いに異なる時間に導通されることを特徴とする表示装置。
2. 前記第１スイッチングトランジスタと前記第２スイッチングトランジスタは、交互に導通されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記複数の画素は、第１期間の間、前記第１スイッチングトランジスタが所定時間導通される複数の第１画素と、前記第１期間と異なる第２期間の間、前記第１スイッチングトランジスタが所定時間導通される複数の第２画素とを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１期間と前記第２期間は、交互に繰り返されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１画素と前記第２画素は、隣接した行に配置されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１及び第２スイッチングトランジスタと交互に接続されている複数の第１走査信号線と、
   前記第２及び第１スイッチングトランジスタと交互に、前記第１走査信号線と他のスイッチングトランジスタに接続されている複数の第２走査信号線と、
   前記第１走査信号線に順次に前記第１及び第２スイッチングトランジスタを導通させる第１電圧を印加する第１走査駆動部と、
   前記第２走査信号線に前記第１電圧を順に印加する第２走査駆動部と、
   をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第２走査駆動部は、前記第１走査駆動部が全ての前記第１走査信号線に前記第１電圧を順に印加した後、全ての前記第２走査信号線に前記第１電圧を順に印加することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第１期間と前記第２期間の持続時間は、同一であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１スイッチングトランジスタと接続され前記データ電圧を伝達する複数のデータ線と、
   前記データ線と接続され前記データ電圧を生成して前記データ線に印加するデータ駆動部と、
   をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
10. 前記データ駆動部は、前記各データ線に同一のデータ電圧を順に２回印加することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 前記逆バイアス電圧は、前記駆動トランジスタを非導通状態にすることができる大きさを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
12. 発光素子及び前記発光素子に電流を供給する駆動トランジスタを有し、画素行に配列される複数の画素を有する表示装置の駆動方法であって、
    前記駆動トランジスタにデータ電圧及び逆バイアス電圧を前記画素行を交互に印加する第１電圧印加段階と、
    前記第１電圧印加段階とは反対の順序に前記データ電圧及び前記逆バイアス電圧を前記駆動トランジスタに印加する第２電圧印加段階と、
    を含むことを特徴とする表示装置の駆動方法。
13. 前記第１電圧印加段階は、
    奇数番目の画素行に前記データ電圧を印加する第１データ電圧印加段階と、
    偶数番目の画素行に前記逆バイアス電圧を印加する第１逆バイアス電圧印加段階と、
    を含み、前記第２電圧印加段階は、
    奇数番目の画素行に前記逆バイアス電圧を印加する第２逆バイアス電圧段階と、
    偶数番目の画素行に前記データ電圧を印加する第２データ電圧印加段階と、
    を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の駆動方法。
14. 前記第１データ電圧印加段階と前記第１逆バイアス電圧印加段階は、１つの画素行ずつ交互に行われ、前記第２逆バイアス電圧印加段階と前記第２データ電圧印加段階は、１つの画素行ずつ交互に行われることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の駆動方法。
15. 前記第１電圧印加段階と前記第２電圧印加段階の持続時間は、同一であることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の駆動方法。
16. 前記第１電圧印加段階で印加されるデータ電圧と、前記第２電圧印加段階で印加されるデータ電圧は、同一であることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の駆動方法。
17. 前記第１電圧印加段階は、
    偶数番目の画素行に前記データ電圧を印加する第１データ電圧印加段階と、
    奇数番目の画素行に前記逆バイアス電圧を印加する第１逆バイアス電圧印加段階と、
    を含み、前記第２電圧印加段階は、
    偶数番目の画素行に前記逆バイアス電圧を印加する第２逆バイアス電圧段階と、
    奇数番目の画素行に前記データ電圧を印加する第２データ電圧印加段階と、
    を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の駆動方法。
18. 前記第１データ電圧印加段階と前記第１逆バイアス電圧印加段階は、１つの画素行ずつ交互に行われ、前記第２逆バイアス電圧印加段階と前記第２データ電圧印加段階は、１つの画素行ずつ交互に行われることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の駆動方法。
19. 前記第１電圧印加段階と前記第２電圧印加段階の持続時間は、同一であることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置の駆動方法。
20. 前記第１電圧印加段階で印加されるデータ電圧と前記第２電圧印加段階で印加されるデータ電圧は、同一であることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置の駆動方法。

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