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KR101469027B1 - 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 구동 방법 Download PDF

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KR101469027B1
KR101469027B1 KR1020080043892A KR20080043892A KR101469027B1 KR 101469027 B1 KR101469027 B1 KR 101469027B1 KR 1020080043892 A KR1020080043892 A KR 1020080043892A KR 20080043892 A KR20080043892 A KR 20080043892A KR 101469027 B1 KR101469027 B1 KR 101469027B1
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Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 대한 발명으로 각각의 화소에 전류 누설부를 포함시켜 유기 발광 소자로 흐르는 전류의 양을 서서히 줄여 한 프레임에서 정상 휘도와 블랙 휘도를 모두 표시하도록 한다. 이로 인하여 별도의 조작없이 간단하게 임펄시브 구동이 가능하다.
임펄스 구동, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 누설 전류

Description

표시 장치 및 그 구동 방법 {DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로서, 특히 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치 등 유지형(hole type) 평판 표시 장치의 경우에는 정지 영상이든 동영상이든 관계 없이 일정 시간, 예를 들면 한 프레임 시간 동안 고정된 영상을 표시한다. 예를 들어 계속해서 움직이는 어떤 물체를 표시할 때 그 물체는 한 프레임 동안 특정 위치에 머물러 있다가, 다음 프레임에는 한 프레임의 시간 후에 그 물체가 이동한 위치에 머물러 있는 등 물체의 움직임이 이산적으로(discrete) 표시된다. 한 프레임의 시간은 잔상이 유지되는 시간 내이기 때문에 이와 같은 방식으로 표시하더라도 물체의 움직임이 연속적으로 보인다.
그러나 계속해서 움직이는 물체를 화면을 통해서 보는 경우 사람의 시선이 물체의 움직임을 따라 연속해서 움직이기 때문에 표시 장치의 이산적인 표시 방식과 충돌하여 화면의 흐려짐(blurring)이 나타난다. 예를 들어 표시 장치가 첫 번째 프레임에서 (가)의 위치에 물체가 머물러 있는 것으로 표시하고 두 번째 프레임에서는 (나)의 위치에 그 물체가 머물러 있는 것으로 표시한다고 하자. 첫 번째 프레임에서 사람의 시선은 (가)의 위치에서 (나)에 이르는 그 물체의 예상 이동 경로를 따라 이동한다. 하지만 실제로 (가)와 (나)를 제외한 그 중간 위치에는 그 물체가 표시되지 않는다.
결국 첫 번째 프레임 동안 사람이 인식한 휘도는 (가)에서 (나) 사이의 경로에 있는 화소들의 휘도를 적분한 값, 즉 물체의 휘도와 배경의 휘도를 적절하게 평균한 값이 나오므로 물체가 흐릿하게 보이는 것이다.
유지형 표시 장치에서 물체가 흐려지는 정도는 표시 장치가 표시를 유지하는 시간과 비례하므로 한 프레임 내에서 일부 시간 동안만 영상을 표시하고 나머지 시간 동안은 검은 색을 표시하는 이른바 임펄시브(impulsive) 구동 방식이 제시되었다. 이 방식의 경우 영상을 표시하는 시간이 짧아져 휘도가 줄어들므로, 표시하는 시간 동안의 휘도를 더 높이거나 검은 색 대신 인접한 프레임과의 중간 휘도를 표시하는 방법이 제시되었다. 그러나 이러한 방법은 소비 전력이 커지고 구동이 복잡해질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 간단하게 임펄시브 구동 방식을 구현한 유기 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법을 제공하는 것이다.
이를 위하여 본 발명의 한 실시예에서는 각각의 화소내에 전류 누설부를 형성한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 발광 소자, 구동 전압과 연결되며, 상기 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터와 연결되어 있으며 데이터 전압을 선택적으로 전달하는 스위칭 트랜지스터, 그리고 상기 구동 트랜지스터를 통해 발광 소자에 공급하는 전류양을 감소시키는 전류 누설부를 포함한다.
상기 전류 누설부는 한 프레임 내에서 상기 발광 소자에 공급되는 전류양을 지속적으로 감소시킬 수 있다.
상기 발광 소자는 상기 한 프레임 내에서 정상 휘도를 표시하다가 블랙 휘도를 표시할 수 있다.
상기 구동 트랜지스터 및 상기 스위칭 트랜지스터는 각각 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 포함하며, 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 상기 스위칭 트랜지스터의 출력 단자 사이에 접점이 있으며, 상기 접점을 통하여 상기 전류 누설부가 연결되어 있을 수 있다.
상기 전류 누설부는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 누설 트랜지스터를 포함하며, 상기 누설 트랜지스터의 입력 단자는 상기 접점과 연결되어 있으며, 상기 누설 트랜지스터의 제어 단자는 상기 입력 단자와 연결되어 있을 수 있다.
상기 발광 소자의 일단은 상기 구동 트랜지스터의 출력 단자와 연결되고, 타단은 공통 전압단과 연결되어 있으며, 상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 상기 공통 전압단과 연결되어 있을 수 있다.
상기 스위칭 트랜지스터의 제어 단자는 주사 신호선과 연결되어 있으며, 상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 상기 주사 신호선과 연결되어 있을 수 있다.
상기 스위칭 트랜지스터의 제어 단자는 제1 주사 신호선과 연결되어 있으며, 상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 제2 주사 신호선과 연결되어 있을 수 있다.
상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 바이어스 전압과 연결되어 있을 수 있다.
상기 바이어스 전압은 적어도 제1 전압 레벨 및 제2 전압 레벨을 가지며, 상기 제1 전압 레벨이 상기 바이어스 전압으로 인가되면 상기 전류 누설부를 통하여 전류가 누설되지 않으며, 상기 제2 전압 레벨이 상기 바이어스 전압으로 인가되면 상기 전류 누설부를 통하여 전류가 누설될 수 있다.
상기 전류 누설부는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 누설 트랜지스터를 포함하며, 상기 누설 트랜지스터의 입력 단자는 상기 접점과 연결되어 있으며, 상기 누설 트랜지스터의 제어 단자는 상기 출력 단자와 연결되어 있을 수 있다.
상기 전류 누설부는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 누설 트랜지스터를 포함하며, 상기 누설 트랜지스터의 입력 단자는 상기 접점과 연결되어 있으며, 상기 누설 트랜지스터의 제어 단자는 제1 바이어스 전압과 연결되어 있을 수 있다.
상기 발광 소자의 일단은 상기 구동 트랜지스터의 출력 단자와 연결되고, 타단은 공통 전압단과 연결되어 있으며, 상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 상기 공통 전압단과 연결되어 있을 수 있다.
상기 스위칭 트랜지스터의 제어 단자는 주사 신호선과 연결되어 있으며, 상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 상기 주사 신호선과 연결되어 있을 수 있다.
상기 스위칭 트랜지스터의 제어 단자는 제1 주사 신호선과 연결되어 있으며, 상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 제2 주사 신호선과 연결되어 있을 수 있다.
상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 상기 제1 바이어스 전압과 연결되어 있을 수 있다.
상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 제2 바이어스 전압과 연결되어 있을 수 있다.
상기 제2 바이어스 전압은 적어도 제1 전압 레벨 및 제2 전압 레벨을 가지며, 상기 제1 전압 레벨이 상기 바이어스 전압으로 인가되면 상기 전류 누설부를 통하여 전류가 누설되지 않으며, 상기 제2 전압 레벨이 상기 바이어스 전압으로 인가되면 상기 전류 누설부를 통하여 전류가 누설될 수 있다.
상기 제1 바이어스 전압은 상기 스위칭 트랜지스터가 연결된 주사 신호선과 다른 주사 신호선으로부터 인가될 수 있다.
상기 구동 트랜지스터의 입력 단자와 상기 접점 사이에 연결된 커패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법은 발광 소자, 상기 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터 및 전류 누설부를 가지는 복수의 화소를 포함하는 표시 장치의 구동 방법으로서, 상기 구동 트랜지스터에 데이터 신호를 인 가하여 상기 발광 소자를 발광시키는 단계, 그리고 상기 전류 누설부를 통하여 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들도록 하는 단계를 포함한다.
상기 전류 누설부를 통하여 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들도록 하는 단계는 상기 전류 누설부에 제1 전압을 인가하여 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들도록 하는 제1 단계와 상기 전류 누설부에 제2 전압을 인가하여 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들지 않도록 하는 제2 단계 중 하나를 선택하여 수행할 수 있다.
상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들어 일정시간 경과 후 상기 화소는 블랙을 표시하도록 할 수 있다.
이와 같이 각각의 화소 내에 전류 누설부를 연결하여 유기 발광 소자를 흐르는 전류의 양이 서서히 줄도록 하여 한 프레임 내에서 정상 휘도와 블랙 휘도를 모두 표시할 수 있도록 하여 임펄시브 구동을 하도록 한다. 그 결과 별도의 조작없이 간단하게 임펄시브 구동을 수행할 수 있다. 또한, 전류 누설부의 특성을 조절하여 블랙 휘도에 이르는 시간을 조절할 수 있으며, 전류 누설부에 인가하는 전압을 조절하여 임펄시브 모드가 동작하지 않도록 할 수도 있다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 한 화소의 등가 회로도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시판(display panel)(300), 주사 구동부(400), 데이터 구동부(500) 및 신호 제어부(600)를 포함한다.
표시판(300)은 복수의 신호선(G1-Gn, D1-Dm), 복수의 전압선(도시하지 않음), 그리고 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(PX)를 포함한다.
신호선(G1-Gn, D1-Dm)은 주사 신호를 전달하는 복수의 주사 신호선(G1-Gn) 및 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(D1-Dm)를 포함한다. 주사 신호선(G1-Gn)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고, 데이터선(D1-Dm)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 각 전압선(도시하지 않음)은 구동 전압(Vdd) 및 공통 전압(Vss)을 전달한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 각 화소(PX)는 유기 발광 소자(LD), 구동 트랜지스터(Qd), 축전기(C1), 스위칭 트랜지스터(Qs) 및 전류 누설부(A)를 포함한다.
구동 트랜지스터(Qd)는 출력 단자, 입력 단자 및 제어 단자를 가진다. 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자는 접점(N)과 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압(Vdd)단과 연결되어 있고, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)의 일단과 연결되어 있다.
축전기(C1)의 일단은 접점(N)과 연결되어 있고, 타단은 구동 전압(Vdd)단과 연결되어 있다. 즉, 축전기(C1)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어, 스위칭 트랜지스터(Qs)를 통하여 공급되는 데이터 전압(Vdata)과 구동 전압(Vdd)의 차에 상응하는 전하를 충전한다.
스위칭 트랜지스터(Qs)도 출력 단자, 입력 단자 및 제어 단자를 가진다. 스위칭 트랜지스터(Qs)의 제어 단자는 주사 신호선(G1-Gn)과 연결되어 게이트 전압(Vgate)을 인가 받고, 입력 단자는 데이터선(D1-Dm)과 연결되어 데이터 전압(Vdata)을 인가 받으며, 출력 단자는 접점(N)과 연결되어 있다. 여기서 게이트 전압(Vgate)은 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)을 포함하며, 게이트 온 전압(Von)은 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 온 되도록 하며, 게이트 오프 전압(Voff)는 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프 되도록 한다.
스위칭 트랜지스터(Qs)는 주사 신호선(G1-Gn)을 통해 공급되는 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴 온 되어 데이터 전압(Vdata)을 접점(N)을 지나 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자로 전달한다.
스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 비정질 규소 또는 다결정 규소로 이루어진 n채널 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 이루어진다. 그러나 이러한 트랜지스터들(Qs, Qd)은 p채널 MOSFET으로도 이루어질 수 있으며, 이 경우 p채널 MOSFET과 n채널 MOSFET 은 서로 상보형(complementary)이므로 p채널 MOSFET의 동작과 전압 및 전류는 n채널 MOSFET의 그것과 반대가 된다.
유기 발광 소자(LD)는 발광층을 가지는 발광 다이오드로서, 애노드(anode)와 캐소드(cathode)를 가지며, 애노드 전극이 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자와 연결되고, 캐소드 전극이 공통 전압(Vss)단과 연결된다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)가 공급하는 전류(ILD)의 크기에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 화상을 표시하며, 이 전류(ILD)의 크기는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이의 전압의 크기에 의존한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 화소에는 전류 누설부(A)가 형성되어 있다. 전류 누설부(A)는 접점(N)과 공통 전압(Vss)단 사이에 연결되어 있다. 전류 누설부(A)는 누설 트랜지스터(Qi)로 이루어져 있다. 누설 트랜지스터(Qi)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자와 입력 단자는 접점(N)에 연결되어 있다. 또한, 출력 단자는 공통 전압(Vss)단에 연결되어 있다.
도 3 및 도 4는 제어 단자를 입력 단자에 연결한 트랜지스터의 동작을 설명하는 도면이다.
도 3은 트랜지스터의 입력 단자 측에 높은 전압이 인가되고 출력 단자 측에 낮은 전압이 인가되는 경우를 설명하고 있으며, 도 4는 트랜지스터의 입력 단자 측 에 낮은 전압이 인가되고 출력 단자 측에 높은 전압이 인가되는 경우를 설명하고 있다.
우선, 도 3을 살펴보면, 입력 단자 측에 높은 전압이 인가되면, 이와 연결된 제어 단자에도 높은 전압이 인가되게 된다. 그 결과 트랜지스터는 온(on) 상태가 되어 전압이 높은 입력 단자 측에서 전압이 낮은 출력 단자 측으로 전류가 흐르게 된다.
한편, 도 4를 살펴보면, 입력 단자 측에 낮은 전압이 인가되면, 제어 단자에도 낮은 전압이 인가된다. 그 결과 트랜지스터는 오프(off) 상태가 되어 전류가 흐르지 않는 상태를 유지하게 된다. 그러므로 입력 단자와 출력 단자 간에 전압차이가 있더라도 트랜지스터를 통하여 전류가 흐르지 않게 된다.
이상과 같은 트랜지스터의 동작은 다이오드의 동작과 유사하다. 즉, 입력 단자의 전압이 높을 때만 전류가 도통되고, 출력 단자의 전압이 높은 경우에는 전류가 흐르지 않는다. 이로 인하여 이와 같은 트랜지스터의 연결을 '다이오드 연결'이라고도 한다.
다시 도 1을 참조하면, 주사 구동부(400)는 표시판(300)의 주사 신호선(G1-Gn)에 연결되어 있으며, 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)의 조합으로 이루어진 게이트 전압(Vgate)을 주사 신호선(G1-Gn)에 인가한다.
데이터 구동부(500)는 표시판(300)의 데이터선(D1-Dm)에 연결되어 있으며 영 상 신호를 나타내는 데이터 전압(Vdata)을 데이터선(D1-Dm)에 인가한다.
신호 제어부(600)는 주사 구동부(400), 데이터 구동부(500) 등의 동작을 제어한다.
이러한 구동 장치(400, 500, 600) 각각은 적어도 하나의 집적 회로 칩의 형태로 표시판(300) 위에 직접 장착되거나, 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되어 TCP(tape carrier package)의 형태로 표시판(300)에 부착되거나, 별도의 인쇄 회로 기판(printed circuit board)(도시하지 않음) 위에 장착될 수도 있다. 이와는 달리, 이들 구동 장치(400, 500, 600)가 신호선(G1-Gn, D1-Dm) 및 트랜지스터(Qs, Qd, Qi) 따위와 함께 표시판(300)에 집적될 수도 있다.
그러면 이러한 유기 발광 표시 장치의 표시 동작에 대하여 도 5 및 도 6을 도 1 및 도 2와 함께 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 시간에 따라 도시한 파형도의 예이고, 도 6은 본 발명의 한 실시예에 다른 유기 발광 표시 장치에서 각 전압을 시간에 따라 도시한 파형도의 예이다.
신호 제어부(600)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 입력 영상 신호(Din) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호(ICON)를 수신한다. 입력 영상 신호(Din)는 각 화소(PX)의 휘도(luminance) 정보를 담고 있으며 휘도는 정해진 수 효, 예를 들면 1024(=210), 256(=28) 또는 64(=26) 개의 계조(gray)를 가지고 있다. 입력 제어 신호(ICON)의 예로는 수직 동기 신호와 수평 동기 신호, 메인 클록 신호, 데이터 제한 신호(data enable signal) 등이 있다.
신호 제어부(600)는 입력 영상 신호(Din)와 입력 제어 신호(ICON)를 기초로 입력 영상 신호(Din)를 표시판(300)의 동작 조건에 맞게 적절히 처리하고 주사 제어 신호(CONT1)와 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성한다. 신호 제어부(600)는 주사 제어 신호(CONT1)를 주사 구동부(400)로 내보내고, 데이터 제어 신호(CONT2)와 출력 영상 신호(Dout)는 데이터 구동부(500)로 내보낸다.
도 6을 참고하면, 주사 구동부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 주사 제어 신호(CONT1)에 따라 주사 신호선(G1-Gn)에 인가되는 주사 신호를 게이트 온 전압(Von)으로 바꾼다.
주사 구동부(400)로부터 게이트 온 전압 (Von)의 주사 신호가 공급되면, 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 온되어 스위칭 트랜지스터(Qs)를 통하여 데이터 전압(Vdata)이 접점(N)으로 유입되며, 이를 지나 구동 트랜지스터 (Qd)의 제어 단자에 인가된다. 구동 트랜지스터(Qd)는 데이터 전압(Vdata)을 인가 받아 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이의 전압의 크기에 따라서 전류(ILD)를 출력한다. 출력된 전류(ILD)는 유기 발광 소자(LD)로 흐르며, 유기 발광 소자(LD)는 공급되는 전류(ILD)에 상응하는 빛을 발광한다.
즉, 도 5와 도 6에서 도시하고 있는 바와 같이 주사 신호가 고전압이 인가되면, 스위칭 트랜지스터(Qs)를 통하여 접점(N)에 데이터 전압(Vdata)이 인가되어 접점에서의 전압(VN)이 급상승한다. 또한, 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자의 전압(접점에서의 전압(VN)과 동일함)이 급상승함에 따라서 출력 단자를 통하여 출력되는 전류(ILD)양도 급상승한다.
전류 누설부(A)는 접점에서의 전압(VN)과 공통 전압(Vss)을 비교하여 접점에서의 전압(VN)이 높은 경우 누설 전류(Ioff)를 공통 전압(Vss)단으로 흐르게 하며, 접점에서의 전압(VN)과 공통 전압(Vss)의 차이가 클수록 누설 전류(Ioff)의 양도 많아진다. 즉, 전류 누설부(A)의 누설 트랜지스터(Qi)는 다이오드 연결을 하고 있어 접점에서의 전압(VN)이 높은 경우 누설 트랜지스터(Qi)가 온(on) 상태가 되어 공통 전압(Vss)측으로 누설 전류(Ioff)가 흐른다. 또한, 누설 트랜지스터(Qi)가 온(on) 상태가 된 경우 접점에서의 전압(VN)과 공통 전압(Vss)간의 전압 차이가 크면 클수록 더 많은 양의 누설 전류(Ioff)가 흐른다.
한편, 누설 전류(Ioff)로 인하여 접점에서의 전압(VN)은 낮아지며, 접점에서의 전압(VN)이 낮아져 누설 트랜지스터(Qi)를 오프(off) 상태로 바꾸면 누설 전류(Ioff)가 더 이상 흐르지 않게 된다. 또한, 공통 전압(Vss)이 접점에서의 전 압(VN)보다 높아지는 경우가 발생하더라도 누설 트랜지스터(Qi)가 다이오드 연결을 하고 있으므로 전류가 흐르지 않는다.
한편, 축전기(C1)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이의 전압을 한 프레임동안 계속 유지하는 역할을 수행하여야 하지만, 전류 누설부(A)를 통하여 전류가 누설되므로 축전기(C1)가 저장하는 전압도 서서히 줄어든다.
도 5 및 도 6와 같이, 전류 누설부(A)로 인하여 축전기(C1)가 저장하는 전압이 줄어들면 출력 단자를 통하여 출력되는 전류(ILD)양이 감소하게 되므로 유기 발광 소자(LD)가 발광하는 휘도가 낮아지며 결국에는 블랙 휘도를 표시하게 된다.
이와 같이 각각의 화소에 전류 누설부(A)를 형성하여 별도의 신호 조작없이 한 프레임 내에서 정상 휘도를 표시하다가 블랙 휘도를 표시하도록 하여 임펄시브 구동이 가능하다.
여기서 누설 전류(Ioff)의 양을 조절하여 정상 휘도에서 블랙 휘도로 진행되는 시간을 조절할 수 있다. 이는 전류 누설부(A)내의 누설 트랜지스터(Qi)의 특성을 조절하여 가능하다. 즉, 누설 트랜지스터(Qi)가 전류 누설이 많게 설계되면 정상 휘도에서 블랙 휘도로 진행되는 시간을 줄일 수 있으며, 그 반대도 가능하다.
한편, 전류 누설부(A)는 다양한 실시예가 가능하며, 이하에서는 전류 누설부의 다양한 실시예를 살펴본다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 전류 누설부의 대표적인 구조를 각각 도시하고 있다.
도 7은 제어 단자와 입력 단자가 연결된 누설 트랜지스터를 도시하고 있으며, 제어단자와 입력 단자는 접점(N)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 B단에 연결되어 있다. 여기서 B단은 도 2와 같이 공통 전압(Vss)단이거나, 주사 신호선일 수도 있으며, 별도의 바이어스 선일 수도 있다. 제어 단자가 다른 단자에 연결된 실시예에 대하여 도 9 내지 도 12에서 상세하게 살펴본다.
한편, 도 8은 제어 단자가 바이어스 선과 연결되어 바이어스 전압(Vbias)을 인가받으며, 입력 단자는 접점(N)과 연결되어 있고, 출력 단자는 B단에 연결되어 있다. 여기서 B단은 공통 전압(Vss)단이거나, 주사 신호선일 수도 있으며, 별도의 바이어스 선일 수도 있다. 이에 대하여 도 13 내지 도 16에서 상세하게 살펴본다.
도 2 및 도 7과 같이 다이오드 연결의 누설 트랜지스터를 가지는 전류 누설부는 A로 도시하였으며, 도 8과 같이 제어 단자에 바이어스 전압(Vbias)을 인가받는 누설 트랜지스터를 가지는 전류 누설부는 A'으로 도시하여 구분하였다.
도 8의 누설 트랜지스터 제어 단자에 인가되는 바이어스 전압(Vbias)은 누설 트랜지스터가 턴 오프 상태를 가지도록 하는 전압값으로 고정되어 있는 것이 보통이다. 누설 전류(Ioff)는 누설 트랜지스터가 턴 온되어 출력 단자로 출력되는 전류가 아니고 누설 트랜지스터의 특성상 누설되는 전류이기 때문이다. 한편, 바이어스 전압(Vbias)으로 누설 트랜지스터가 통 온 상태를 가지도록 할 수도 있다.
이상과 같이 전류 누설부의 다양한 실시예를 구체적으로 도 9 내지 도 16을 통하여 살펴본다.
도 9 내지 도 16은 각각 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 한 화소의 등가 회로도이다.
도 9 내지 도 12는 도 7에 따른 전류 누설부(A)의 실시예를 도시하고 있으며, 도 13 내지 도 16은 도 8에 따른 전류 누설부(A')의 실시예를 도시하고 있다.
도 9 내지 도 16의 구조에서 구동 트랜지스터(Qd), 축전기(C1), 스위칭 트랜지스터(Qs) 및 유기 발광 소자(LD)는 도 2와 동일한 구조를 가지므로 추가 설명하지 않으며, 이상의 구조는 유기 발광 표시 장치의 기본 화소 구조를 이룬다.
우선 도 9에 따른 화소 중 전류 누설부(A)의 구조를 살펴보면 아래와 같다.
전류 누설부(A)는 접점(N)과 주사 신호선 사이에 연결되어 있으며, 다이오드 연결된 누설 트랜지스터(Qi)로 이루어져 있다. 즉, 누설 트랜지스터(Qi)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자와 입력 단자는 묶여 접점(N)에 연결되어 있다. 한편, 출력 단자는 주사 신호선에 연결되어 있다.
이 경우 주사 신호선을 통하여 게이트 온 전압(Von)이 인가되면 접점(N)에서의 전압(VN)이 상승하지만, 게이트 온 전압(Von)이 제거된 이후에는 접점(N)에서의 전압(VN)보다 주사 신호선의 게이트 전압(Vgate)이 낮으므로 누설 전류(Ioff)가 흘러 도 2와 동일한 효과가 있다. 한편, 게이트 전압(Vgate)으로 게이트 온 전압(Von)이 인가되어 접점(N)에서의 전압(VN)보다 높은 전압값을 가진다고 하더라도 전류 누설부(A)의 누설 트랜지스터(Qi)는 다이오드 연결을 하고 있어 전류가 출력 단자에서 입력 단자 방향으로 흐르지 않는다. 또한, 게이트 온 전압(Von)이 인가되는 시간도 짧아 무시할 수 있다.
도 9에서는 누설 트랜지스터(Qi)의 출력 단자가 본단 화소의 주사 신호선에 연결되어 있는 구조를 기술하고 있지만, 이와 달리 다른 행의 주사 신호선에 연결될 수도 있는데, 이는 도 10에서 도시하고 있다.
도 10에 따른 화소 중 전류 누설부(A)의 구조를 살펴보면 아래와 같다.
전류 누설부(A)는 접점(N)과 전행의 주사 신호선(Gate N-1) 사이에 연결되어 있으며, 다이오드 연결된 누설 트랜지스터(Qi)로 이루어져 있다. 즉, 누설 트랜지스터(Qi)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자와 입력 단자는 묶여 접점(N)에 연결되어 있다. 한편, 출력 단자는 전행의 주사 신호선(Gate N-1)에 연결되어 있다.
이 경우 전행의 주사 신호선(Gate N-1)을 통하여 게이트 온 전압(Von)이 인가되면 접점(N)에서의 전압(VN)이 상승하지만, 게이트 온 전압(Von)이 제거된 이후에는 접점(N)에서의 전압(VN)보다 주사 신호선의 게이트 전압(Vgate)이 낮으므로 누설 전류(Ioff)가 흘러 도 2와 동일한 효과가 있다. 전행의 주사 신호선(Gate N-1)을 이용하므로 본 행의 주사 신호선(Gate N)에 게이트 온 전압(Von)이 인가되는 때에도 계속 누설 트랜지스터(Qi)의 출력 단자측 전압이 낮아 게이트 신호로 영향을 적게 받는 장점이 있다.
또한, 전행의 주사 신호선(Gate N-1)으로 게이트 온 전압(Von)이 인가되어 출력 단자측 전압이 높더라도 전류 누설부(A)의 누설 트랜지스터(Qi)는 다이오드 연결을 하고 있어 전류가 출력 단자에서 입력 단자 방향으로 흐르지 않는다.
한편, 도 11에 따른 화소 중 전류 누설부(A)의 구조를 살펴보면 아래와 같다.
전류 누설부(A)는 접점(N)과 공통 전압(Vss)단 사이에 연결되어 있으며, 다이오드 연결된 누설 트랜지스터(Qi)로 이루어져 있다. 여기서 누설 트랜지스터(Qi)는 도 2와 달리 제어 단자가 출력 단자와 연결되어 있다. 본 실시예에서는 공통 전압(Vss)이 높은 전압을 가지는 경우 누설 트랜지스터(Qi)가 턴 온 되는데, 공통 전압(Vss)은 일정하게 낮은 전압을 가지므로 누설 트랜지스터(Qi)가 턴 온되지 않는다. 다만, 접점에서의 전압(VN)이 높을 때에는 누설 트랜지스터(Qi)가 턴 오프상태에서도 자체적으로 누설 전류를 흐르게 하므로, 해당 누설 전류로 인하여 커패시터(C1)에 충전된 전압이 방출되어 도 2의 실시예와 같이 동작한다. 다만, 도 2의 실시예보다 누설 전류(Ioff)의 양이 적다는 장점이 있다.
한편, 도 12에 따른 또 다른 실시예에 따른 전류 누설부(A)의 구조를 살펴보면 아래와 같다.
전류 누설부(A)는 접점(N)과 바이어스 전압(Vbias)단 사이에 연결되어 있으며, 다이오드 연결된 누설 트랜지스터(Qi)로 이루어져 있다. 즉, 누설 트랜지스터(Qi)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자와 입력 단자는 묶여 접점(N)에 연결되어 있다. 한편, 출력 단자는 바이어스 전압(Vbias)단에 연결되어 있다.
이 경우 바이어스 전압(Vbias)의 전압 크기에 따라서 다양한 특성이 나타난 다.
바이어스 전압(Vbias)이 접점(N)에서의 전압(VN)보다 낮게 설정되면 누설 전류(Ioff)가 흐른다. 그러므로 바이어스 전압(Vbias)의 레벨을 조절하면 누설 전류(Ioff)의 전류양을 조절할 수 있다.
또한, 바이어스 전압(Vbias)이 접점(N)에서의 전압(VN)보다 높은 경우(이하 '고전압' 이라 함; 한편, 바이어스 전압(Vbias)이 접점(N)에서의 전압(VN)보다 낮은 경우는 '저전압' 이라 함)에는 누설 전류(Ioff)가 흐르지 않는다. 그 결과 블랙 휘도를 표시하지 못하게 되어 임펄시브 구동이 이루어지지 않는다. 그러므로, 바이어스 전압(Vbias)으로 2개의 전압(고전압, 저전압)을 인가하며, 고전압은 접점(N)에서의 전압(VN)보다 충분히 큰 전압값을 가지며, 저전압은 누설 전류(Ioff)가 발생하는 수준의 전압값을 가지도록 한다. 바이어스 전압(Vbias)으로 고전압을 인가하게 되면 누설 전류(Ioff)가 발생하지 않게 되어 한 프레임 동안 정상 휘도로만 발광하게 되며, 바이어스 전압(Vbias)으로 저전압을 인가하게 되면 임펄시브 구동을 하게 된다. 그 결과 바이어스 전압(Vbias)을 조절하여 임펄시브 구동과 유지형(hole type) 구동간의 모드 전환이 가능하다.
도 13에 따른 또 다른 실시예에 따른 전류 누설부(A')의 구조를 살펴보면 아래와 같다.
전류 누설부(A')는 접점(N)과 공통 전압(Vss)단 사이에 연결되어 있으며, 누설 트랜지스터(Qi)를 포함한다. 누설 트랜지스터(Qi)의 제어 단자는 바이어스 전 압(Vbias)단과 연결되고, 입력 단자는 접점(N)과 연결되며, 출력 단자는 공통 전압(Vss)단에 연결되어 있다.
여기서 바이어스 전압(Vbias)은 누설 트랜지스터(Qi)를 통하여 누설 전류(Ioff)가 발생하는 수준의 전압값으로 누설 트랜지스터(Qi)가 턴 온 되지 않도록 한다.
도 13의 실시예에서 주사 신호선을 통하여 게이트 온 전압(Von)이 인가되면 접점(N)에서의 전압(VN)이 상승하며, 및 유기 발광 소자(LD)를 흐르는 전류(ILD)도 함께 상승한다. 접점(N)에서의 전압(VN)이 공통 전압(Vss)보다 높으므로 누설 트랜지스터(Qi)를 통하여 누설 전류(Ioff)가 접점(N)에서 공통 전압(Vss)단으로 흐르게 되며, 그 결과 발광 휘도가 감소하여 결국 블랙을 표시하게 된다. 즉, 도 2의 실시예와 같이 임펄시브 구동이 가능하다.
한편, 도 14에 따른 또 다른 실시예에 따른 전류 누설부(A')의 구조를 살펴보면 아래와 같다.
도 14의 실시예는 도 13와 달리 누설 트랜지스터(Qi)의 출력 단자가 주사 신호선과 연결되어 있다.
전류 누설부(A')는 접점(N)과 주사 신호선 사이에 연결되어 있으며, 누설 트랜지스터(Qi)를 포함한다. 누설 트랜지스터(Qi)의 제어 단자는 바이어스 전압(Vbias)단과 연결되고, 입력 단자는 접점(N)과 연결되며, 출력 단자는 주사 신호선에 연결되어 있다.
여기서 바이어스 전압(Vbias)은 누설 트랜지스터(Qi)를 통하여 누설 전류(Ioff)가 발생하는 수준의 전압값으로 누설 트랜지스터(Qi)가 턴 온 되지 않도록 한다.
도 14의 실시예도 주사 신호선을 통하여 게이트 온 전압(Von)이 인가되면 접점(N)에서의 전압(VN)이 상승하지만, 게이트 온 전압(Von)이 제거된 이후에는 접점(N)에서의 전압(VN)보다 주사 신호선의 게이트 전압(Vgate)이 낮으므로 누설 전류(Ioff)가 흘러 임펄시브 구동이 가능하다. 한편, 게이트 전압(Vgate)으로 게이트 온 전압(Von)이 인가되어 접점(N)에서의 전압(VN)보다 높은 전압값을 가지게 되는 경우 출력 단자에서 입력 단자측으로 전류가 흐를 수도 있는데, 한 프레임 동안 게이트 온 전압(Von)이 인가되는 시간이 짧아 임펄시브 구동하는데 문제는 없다.
도 14에서는 누설 트랜지스터(Qi)의 출력 단자가 본단 화소의 주사 신호선에 연결되어 있는 구조를 기술하고 있지만, 이와 달리 다른 화소 행의 주사 신호선에 연결될 수도 있다.
한편, 도 15에 따른 또 다른 실시예에 따른 전류 누설부(A')의 구조를 살펴보면 아래와 같다.
도 15의 실시예는 도 13와 달리 누설 트랜지스터(Qi)의 출력 단자가 바이어스 전압(Vbias)단과 연결되어 있다.
즉, 전류 누설부(A')는 접점(N)에 연결되어 있으며, 누설 트랜지스터(Qi)를 포함한다. 누설 트랜지스터(Qi)의 제어 단자 및 출력 단자는 바이어스 전압(Vbias) 단과 연결되고, 입력 단자는 접점(N)과 연결되어 있다.
여기서 바이어스 전압(Vbias)은 누설 트랜지스터(Qi)를 통하여 누설 전류(Ioff)가 발생하는 수준의 전압값으로 누설 트랜지스터(Qi)가 턴 온 되지 않도록 할 수 있다. 뿐만 아니라 바이어스 전압(Vbias)으로 2개의 전압(고전압, 저전압)을 인가하며, 고전압은 접점(N)에서의 전압(VN)보다 충분히 큰 전압값을 가지며, 저전압은 누설 전류(Ioff)가 발생하는 수준의 전압값을 가지도록 한다. 바이어스 전압(Vbias)으로 고전압을 인가하게 되면 누설 전류(Ioff)가 발생하지 않게 되어 한 프레임 동안 동일한 휘도로 발광하게 되며, 바이어스 전압(Vbias)으로 저전압을 인가하게 되면 임펄시브 구동을 하게 된다. 그 결과 바이어스 전압(Vbias)을 조절하여 임펄시브 구동과 유지형(hole type) 구동간의 모드 전환이 가능하다.
한편, 도 16에 따른 또 다른 실시예에 따른 전류 누설부(A')의 구조를 살펴보면 아래와 같다.
도 16의 실시예는 도 13와 달리 누설 트랜지스터(Qi)의 출력 단자가 바이어스 전압(Vbias)단과 연결되어 있으며, 도 15과 달리 누설 트랜지스터(Qi)의 제어 전극에 연결된 바이어스 전압(Vbias1)과 출력 전극에 연결된 바이어스 전압(Vbias2)이 서로 다른 단자이다.
즉, 전류 누설부(A')는 접점(N)에 연결되어 있으며, 누설 트랜지스터(Qi)를 포함한다. 누설 트랜지스터(Qi)의 제어 단자는 제1 바이어스 전압(Vbias1)단과 연결되고, 입력 단자는 접점(N)과 연결되며, 출력 단자는 제2 바이어스 전압(Vbias2) 에 연결되어 있다.
여기서 제1 바이어스 전압(Vbias1)은 누설 트랜지스터(Qi)를 통하여 누설 전류(Ioff)가 발생하는 수준의 전압값으로 누설 트랜지스터(Qi)가 턴 온 되지 않도록 한다.
한편, 제2 바이어스 전압(Vbias2)은 접점(N)에서의 전압(VN)보다 작은 전압(저전압)이 계속 인가될 수도 있으며, 2개의 전압(고전압, 저전압)을 교대로 인가할 수도 있다.
먼저 저전압이 계속 인가되는 경우에는 전류 누설부를 통하여 누설 전류(Ioff)가 계속 누설되므로 임펄시브 구동이 가능하다.
한편, 2개의 전압(고전압, 저전압)을 교대로 인가하면, 고전압을 인가할 때에는 누설 전류(Ioff)가 발생하지 않게 되어 한 프레임 동안 정상 휘도로 발광하게 되며, 저전압을 인가할 때에는 임펄시브 구동을 하게 된다. 그 결과 제2 바이어스 전압(Vbias2)을 조절하여 임펄시브 구동과 유지형(hole type) 구동간의 모드 전환이 가능하다. 여기서 고전압은 접점(N)에서의 전압(VN)보다 충분히 큰 전압값을 가지며, 저전압은 누설 전류(Ioff)가 발생하는 수준의 전압값을 가질 수 있다.
도 13 내지 도 16의 누설 트랜지스터(Qi)의 제어 단자에 바이어스 전압(Vbias)을 인가하기 위하여 전단의 주사 신호선에 누설 트랜지스터(Qi)의 제어 단자를 연결할 수도 있다. 전단의 주사 신호선에 게이트 온 전압 (Von)이 인가될 때 누설 트랜지스터(Qi)가 턴 온되어 접점(N)에서의 전압(VN)이 흘러나가 화소(특히 커패시터(C1))가 초기화되는 장점이 있다.
상부 발광(top emission) 방식의 유기 발광 표시 장치에서는 공통 전압(Vss) 배선이 형성되므로 용이하게 본 발명을 실시할 수 있지만, 하부 발광(bottom emission) 방식의 유기 발광 표시 장치에서는 기판에 공통 전압(Vss) 배선을 형성하지 않는 경우가 있다. 이와 같이 하부 발광 방식의 경우에는 전단 주사 신호선에 연결하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치의 각 화소에 전류 누설부를 포함하는 것을 특징으로 하므로 도 2 및 도 9 내지 도 16과 다른 기본 화소 구조를 가지는 경우에도 전류 누설부를 포함하면 본 발명의 범위에 포함된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 한 화소의 등가 회로도이다.
도 3 및 도 4는 제어 단자를 입력 단자에 연결한 트랜지스터의 동작을 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 시간에 따라 도시한 파형도의 예이다.
도 6는 본 발명의 한 실시예에 다른 유기 발광 표시 장치에서 각 전압을 시간에 따라 도시한 파형도의 예이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 전류 누설부의 대표적인 구조를 도시하고 있다.
도 9 내지 도 16은 각각 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 한 화소의 등가 회로도이다.

Claims (23)

  1. 발광 소자,
    구동 전압과 연결되며, 상기 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터와 연결되어 있으며 데이터 전압을 선택적으로 전달하는 스위칭 트랜지스터, 그리고
    상기 구동 트랜지스터를 통해 발광 소자에 공급하는 전류 양을 감소시키는 전류 누설부를 포함하며,
    상기 전류 누설부는 누설 트랜지스터를 포함하고, 상기 누설 트랜지스터의 입력 단자 및 제어 단자는 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 연결되어 있는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 전류 누설부는 한 프레임 내에서 상기 발광 소자에 공급되는 전류양을 지속적으로 감소시키는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 발광 소자는 상기 한 프레임 내에서 정상 휘도를 표시하다가 블랙 휘도를 표시하는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 구동 트랜지스터 및 상기 스위칭 트랜지스터는 각각 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 포함하며,
    상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 상기 스위칭 트랜지스터의 출력 단자 사이에 접점이 있으며,
    상기 접점을 통하여 상기 전류 누설부가 연결되어 있는 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에서,
    상기 발광 소자의 일단은 상기 구동 트랜지스터의 출력 단자와 연결되고, 타단은 공통 전압단과 연결되어 있으며,
    상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 상기 공통 전압단과 연결되어 있는 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 스위칭 트랜지스터의 제어 단자는 주사 신호선과 연결되어 있으며,
    상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 상기 주사 신호선과 연결되어 있는 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 스위칭 트랜지스터의 제어 단자는 제1 주사 신호선과 연결되어 있으며,
    상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 제2 주사 신호선과 연결되어 있는 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 누설 트랜지스터의 출력 단자는 바이어스 전압과 연결되어 있는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 바이어스 전압은 적어도 제1 전압 레벨 및 제2 전압 레벨을 가지며,
    상기 제1 전압 레벨이 상기 바이어스 전압으로 인가되면 상기 전류 누설부를 통하여 전류가 누설되지 않으며,
    상기 제2 전압 레벨이 상기 바이어스 전압으로 인가되면 상기 전류 누설부를 통하여 전류가 누설되는 표시 장치.
  11. 발광 소자,
    구동 전압과 연결되며, 상기 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터와 연결되어 있으며 데이터 전압을 선택적으로 전달하는 스위칭 트랜지스터, 그리고
    상기 구동 트랜지스터를 통해 발광 소자에 공급하는 전류 양을 감소시키는 전류 누설부를 포함하며,
    상기 전류 누설부는 누설 트랜지스터를 포함하고, 상기 누설 트랜지스터의 입력 단자는 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 연결되어 있고, 상기 누설 트랜지스터의 제어 단자 및 출력 단자는 서로 연결되어 있는 표시 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 발광 소자,
    구동 전압과 연결되며, 상기 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터와 연결되어 있으며 데이터 전압을 선택적으로 전달하는 스위칭 트랜지스터, 그리고
    상기 구동 트랜지스터를 통해 발광 소자에 공급하는 전류 양을 감소시키는 전류 누설부를 포함하며,
    상기 전류 누설부는, 입력 단자가 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 연결되어 있고 제어 단자가 제1 바이어스 전압과 연결되어 있고 출력 단자가 제2 바이어스 전압과 연결되어 있는 누설 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제2 바이어스 전압은 적어도 제1 전압 레벨 및 제2 전압 레벨을 가지며,
    상기 제1 전압 레벨이 상기 제2 바이어스 전압으로 인가되면 상기 전류 누설부를 통하여 전류가 누설되지 않고, 상기 제2 전압 레벨이 상기 제2 바이어스 전압으로 인가되면 상기 전류 누설부를 통하여 전류가 누설되는 표시 장치.
  19. 발광 소자,
    구동 전압과 연결되며, 상기 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터와 연결되어 있으며 데이터 전압을 선택적으로 전달하는 스위칭 트랜지스터, 그리고
    상기 구동 트랜지스터를 통해 발광 소자에 공급하는 전류 양을 감소시키는 전류 누설부를 포함하며,
    상기 전류 누설부는, 입력 단자가 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 연결되어 있고 제어 단자가 제1 바이어스 전압과 연결되어 있는 누설 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 바이어스 전압은 상기 스위칭 트랜지스터가 연결된 주사 신호선과 다른 주사 신호선으로부터 인가되는 표시 장치.
  20. 제4항에서,
    상기 구동 트랜지스터의 입력 단자와 상기 접점 사이에 연결된 커패시터를 더 포함하는 표시 장치.
  21. 발광 소자, 상기 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터 및 전류 누설부를 가지는 복수의 화소를 포함하는 표시 장치의 구동 방법으로서,
    상기 구동 트랜지스터에 데이터 신호를 인가하여 상기 발광 소자를 발광시키는 단계, 그리고
    상기 전류 누설부를 통하여 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들도록 하는 단계를 포함하며,
    상기 전류 누설부를 통하여 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들도록 하는 단계는,
    상기 전류 누설부에 제1 전압을 인가하여 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들도록 하는 제1 단계와,
    상기 전류 누설부에 제2 전압을 인가하여 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들지 않도록 하는 제2 단계 중 하나를 선택하여 수행하는 표시 장치의 구동 방법.
  22. 삭제
  23. 제21항에서,
    상기 발광 소자에 흐르는 전류의 양이 줄어들어 일정시간 경과 후 상기 화소는 블랙을 표시하도록 하는 표시 장치의 구동 방법.
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