JP2006294223A - 二層光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザー光照射手前側の透過性の高い情報層でも、４５３ｎｍ以上の波長範囲、特にＤＶＤで使用される赤色波長（６５５±５ｎｍ）において、十分な記録特性が得られると共に、奥側の情報層からも十分なデータ信号の記録再生が可能である二層光情報記録媒体の提供。
【解決手段】光の入射側から第一基板、第一情報層、第二情報層及び第二基板をこの順に有する二層光情報記録媒体において、第一基板が光照射側から順に少なくとも第一下部誘電体層、第一記録層、第一上部誘電体層、第一反射層、無機誘電体層を有し、第二情報層が光照射側から順に少なくとも第二下部誘電体層、第二記録層、第二上部誘電体層、第二反射層を有し、第一反射層が９９．８〜９５．０重量％のＣｕと、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｍｏから選ばれる少なくとも一つの金属を含み、かつ、第一反射層の膜厚が４〜１２ｎｍである二層光情報記録媒体。
【選択図】図１

Description

本発明は、４５３ｎｍ以上の波長範囲、特にＤＶＤで使用される赤色波長（６５５±５ｎｍ）において優れた記録特性を有する二層光情報記録媒体に関する。

ＣＤ−Ｒ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）やＣＤ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）などの光ディスクは、ポリカーボネート等のプラスチック製の円形基板、又はその上に設けた記録層に、円周方向に沿って音、文字、画像などの信号を記録し、その面にアルミニウム、金、銀などの金属を蒸着又はスパッタリングして反射層を形成した構成を有している。この場合、光ディスクの基板面側からレーザー光を照射して、信号の記録、再生が行なわれる。
近年、コンピューターメモリ、画像及び音声ファイル用メモリー、光カード等で扱う情報量が急激に増加しているため、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭのように光ディスクの信号記録容量の増大及び信号情報の高密度化が進んでいる。現在、ＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度、ＤＶＤでは４．７ＧＢ程度の容量であるが、更に高記録密度化が要求されている。記録密度を高める方法として、光学系においては、用いる半導体レーザー光源の短波長化と対物レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐａｒｔｕｒｅ）の増大化が検討されている。更に、２次元方向の記録密度の向上のみでなく、記録媒体の厚さ方向に記録層を多層化し、情報記録を蓄積する手法が検討されている。

大容量の光記録媒体を得る手段として、光の入射方向に多層記録層を設け、更に用いるレーザを青色波長とする場合には、以下のような問題点がある。
例えば、記録層を２層構成にした場合、光入射奥側となる第２記録層への光の照射率の向上、また照射戻り光の透過率を向上させるため、光入射側の第１記録層の光の透過性を確保する必要がある。そのためには、光吸収を起こす層の材料及び膜厚の選択が重要となる。特に、記録層材料が課題となるが、吸収を少なくするために膜厚を薄くすると結晶化速度が相対的に低下する傾向があることが特許文献１に開示されている。結晶化速度を向上させる手段は、特許文献２に開示されており、記録層材料自体の結晶化を向上させる手段も用いられている。その方法は、特許文献３に開示されている。また、記録層の膜厚を極薄にすると、光の透過性は増加するが、光が透過する分だけ第１記録層で吸収されるレーザパワーが少なくなり、信号読み取りに充分な記録信号差が得られ難くなってしまう。このように多層構成の実現には技術的に難しい問題がある。

一方、記録層材料の観点から見ると大きく二系統の材料開発の流れがある。
即ち、追記型の記録層材料であるＧｅＴｅ、及び、可逆的に相変化できるＳｂとＴｅの合金であるＳｂ_２Ｔｅ_３、この２つの材料の固溶体又は共晶組成からＧｅＳｂＴｅの三元合金からなる記録層材料が一つの流れである。もう一つの流れは、同じくＳｂとＴｅの合金であるが、ＳｂとＳｂ_２Ｔｅ_３との共晶組成でＳｂ含有量が７０％前後となるＳｂＴｅに、微量元素を添加した記録層材料である。
前者の三元合金系材料は、可逆的相変化が可能なＴｅを主成分にＧｅの添加によりＴｅのアモルファス相の安定化を図り、更に、Ｓｂ_２Ｔｅ_３と混合することによって記録に必要な光エネルギーを小さくすると共に、その混合比を最適な範囲とすることで、高速に情報の記録、消去、書き換えが可能となることが、特許文献４〜８に開示されている。これらのうち、多層記録層を持つものとしては、特許文献５、６及び８がある。
後者のＳｂとＴｅとの合金に関しては、特許文献９に、第１情報記録部の記録材料として、Ｓｂ及びＴｅを主成分とし、その原子比率が２．３＜Ｓｂ／Ｔｅ≦４．０である相変化記録材料を用いた例が開示されている。この相変化記録材料は、結晶化速度が早いため、高転送レートでの安定した記録再生及び書き換えが可能になると記載されている。

しかしながら、前述した特許文献５、６、８の中で示されている、ＧｅＴｅ及びＳｂ_２Ｔｅ_３を結ぶ線上の組成物からなる記録材料系では、それぞれが融点も高く結晶化温度も高いため書き換え速度が十分でなく、線速を向上させるため、記録層の上下に金属合金による結晶化補助層を積層させた構成の特許文献１０や、ＧｅＮ等の界面層を設けた構成が一般的に用いられている。ＧｅＮ等の界面層に関しては、前記特許文献２や非特許文献１に開示されている。ここで、線速を向上するために用いられる層は、少なからず光吸収があるため、光透過性を要求される第１記録層にはマイナスの要因といえる。したがって、第１記録層としては高いパワーを必要とせず記録可能で、更に、シンプルな層構成で形成できる材料が望まれる。更に、ＧｅＴｅ及びＳｂ_２Ｔｅ_３を結ぶ線上の組成物の場合は、Ｃ／Ｎ比（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）が３０ｄＢと小さく、少なくとも４５ｄＢ以上必要といわれている書き換え型の光ディスクシステムを構成する上で安定したシステムを構築し難いという難点がある。

次に、光情報記録媒体の反射層としては金属又は合金が用いられる。例えば、特許文献１１に開示されているようにＡｇ又はＡｇ合金が用いられることが多く、その理由としては、熱伝導性が良好で、しかも光の反射特性に優れている点が挙げられる。しかし、Ａｇ単体は保存特性に課題があり、Ａｇと他の物質との反応を阻害するためのバリア層又は中間層等を設ける必要がある。バリア層又は中間層の材料には炭化物や金属が用いられるため、反射層、バリア層及び中間層による光エネルギーの吸収が、多層記録層を有する構成にとっては光エネルギーの効率的利用の点で不利となる。
Ａｇ反射層材料に関する工夫の例としては、合金化の他に添加物により耐久性と反射率を確保するというトレード・オフの関係を改善す試みなどもある（特許文献１２など）。
Ａｇ又はＡｇ合金以外の例としては、Ｃｕを用いたもの（特許文献１３〜１６）、Ａｕを用いたもの（特許文献１７）などがある。
しかしながら、特許文献１４は、再生専用のＲＯＭ媒体に関するものであり、記録型媒体とは関係がない。また、特許文献１５には反射層にＣｕを用いているが、実施例として示されているのはＡｇＰｄＣｕ合金のみであり、Ｃｕを主成分とする反射層に関する具体的な記載はない。また、特許文献１６には、Ｃｕを主成分とするという記載はあるが、実際にはＡｇ主体の開示であって、Ｃｕに関する詳しい記載はない。
更に、特許文献１８には多層の記録層を持つ光情報媒体が開示されており、その金属の反射層が主にＣｕを含有し、２〜１０ｎｍの範囲から選択された厚さを持つことが記載されているが、実施例にはＣｕのみを用いた例しか記載されておらず、Ｃｕ以外の添加成分に関しては全く記載が無い。しかも実施例には、その他の添加成分によらなくともＣｕのみで保存信頼性が確保できるように記載されている。しかしながら、本発明者等の研究成果によると、Ｃｕ単体では保存後の特性劣化があることが明らかとなった。更に、添加物を加えたとしても、添加物の種類によっては効果が無いことが明らかとなった。

特開２００２−１４４７３６号公報 特開２００２−２９３０２５号公報 特開２００３−１６６８７号公報 特許第２６９２６５４号公報 特許第０３２１６７９４号公報 特開平１０−１１６４４１号公報 特公平８−０３２４８２号公報 特開２００１−１４３３２２号公報 特開２００２−２８８８７６号公報 特開２００２−１２３９７７号公報 特開２００２−１４０８３８号公報 特開２００４−３９１４６号公報 国際公開０２／０２１５２４号パンフレット 特開２００３−３３１３８１号公報 特開２０００−２１５５１６号公報 特開２００２−２５１１５号公報 特許第３０８７４３３号公報 特表２００５−５２４９２２公報 第１０回相変化シンポジウム講演論文集、第８５〜９０頁（１９９８）

本発明は、二層の情報層のうちレーザー光照射手前側の透過性の高い情報層でも、４５３ｎｍ以上の波長範囲、特にＤＶＤで使用される赤色波長（６５５±５ｎｍ）において、十分な記録特性が得られると共に、奥側の情報層からも十分なデータ信号の記録再生が可能である二層光情報記録媒体の提供を目的とする。

上記課題は次の１）〜１２）の発明によって解決される。
１） 光の入射側から第一基板、第一情報層、第二情報層及び第二基板をこの順に有する二層光情報記録媒体において、第一基板が光照射側から順に少なくとも第一下部誘電体層、第一記録層、第一上部誘電体層、第一反射層、無機誘電体層を有し、第二情報層が光照射側から順に少なくとも第二下部誘電体層、第二記録層、第二上部誘電体層、第二反射層を有し、第一反射層が９９．８〜９５．０重量％のＣｕと、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｍｏから選ばれる少なくとも一つの金属を含み、かつ、第一反射層の膜厚が４〜１２ｎｍであることを特徴とする二層光情報記録媒体。
２） 第一情報層及び第二情報層が、光学的に分離可能な間隔で積層され、同一方向からの光照射により記録可能である１）記載の二層光情報記録媒体。
３） 第一基板が透明である１）又は２）記載の二層光情報記録媒体。
４） 第一反射層が９９．８〜９７．０重量％のＣｕと、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ａｕ、及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属を含む１）〜３）の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
５） 第一反射層の膜厚が６〜１２ｎｍである１）〜４）の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
６） 第一記録層及び／又は第二記録層が、少なくともＩｎとＳｂとＧｅとを含む相変化型記録材料からなる１）〜５）の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
７） 第一記録層及び／又は第二記録層が、少なくともＳｂとＴｅとＧｅを含み、Ｇｅ＜Ｔｅ＜Ｓｂである相変化型記録材料からなることを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
８） Ｇｅの含有量が３．５〜１０原子％である６）又は７）記載の二層光情報記録媒体。
９） 第一記録層の厚みが、４〜１６ｎｍである１）〜８）の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
１０） 第一上部誘電体層が、少なくともＳｎの酸化物とＴａの酸化物とを含む１）〜９）の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
１１） 第一下部誘電体層及び第二下部誘電体層が、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を含有する１）〜１０）の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
１２） 光が６５０〜６６０ｎｍの波長のレーザー光である１）〜１１）の何れかに記載の二層光情報記録媒体。

以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明者等は、前記課題を解決すべく、まずシミュレーション（ここで、使用したシミュレーション手段は、ＭＭ・Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｉｎｃ．社製 ＭＵＬＴＩＬＡＹＥＲ，Ｍａｒｃｈ ２００１版）により第一情報層の光吸収量を計算してみた。第一下部誘電体層にＺｎＳＳｉＯ_２（ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０モル％）、第一記録層にＧｅ_５Ｓｂ_８６Ｔｅ_９（原子％）、第一上部誘電体層に第一下部誘電体層と同じＺｎＳＳｉＯ_２、第一反射層に純Ａｇ、無機誘電体層にＩｎ_２Ｏ_３を用いた場合について計算した。その結果を図２に示すが、光の吸収は、記録層と反射層で発生していることが確認された。記録層の光吸収は記録再生に必要不可欠であるから削除できないが、反射層の光吸収は記録再生特性には関係ないから、光吸収が大きいと第二情報層の記録再生用の光エネルギーをロスするだけである。

次に、各種の金属膜について、波長６６０ｎｍにおけるＲＴＡ（Ｒ：反射率、Ｔ：透過率、Ａ：吸収率）データを測定した。測定試料は、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に各金属膜を厚さ１０ｎｍ成膜したものを用いた。その結果は図３のようになった。この結果からＰｔ、Ｐｄ、Ｔｉは透過率が低く吸収率が多いため第一情報層の反射層としては好ましくないと予想された。
次に、透過率が比較的高めで吸収率が小さかったＡｇ、Ｃｕについて膜厚を振って（変化させて）調べたところ、図４及び図５のような結果となった。即ち、Ａｇ膜の方が膜厚による変化が大きいことが分かった。これはＣｕの方がプロセス安定性が優れていることを示している。更に、分光透過率の測定結果を図６に示すが、波長λ＝４５３ｎｍでＡｇとＣｕの透過率が交差しており、４５３ｎｍより短い波長ではＡｇの方が好適であるが、４５３ｎｍより長い波長ではＣｕの方が好適であることが分る。
次に、ＤＶＤ媒体で使用されている波長６６０ｎｍにおいてＡｇ、Ｃｕ、Ａｕの３ＴにおけるＣ／Ｎ（キャリアーとノイズの比率）を測定したところ図７のような結果となり、記録特性的にもＣｕ反射層が６６０ｎｍにおける記録・再生に関して好適であることが分った。

第一反射層の材料としては、純Ｃｕの弱点を補うために、９９．８〜９５．０重量％のＣｕと、添加金属からなる材料を用いる。Ｃｕの比率が９９．８重量％を超えると、金属を添加した効果が得られず、純Ｃｕと同等の結果しか得られない。逆に、９５．０重量％未満であると、金属を添加した弊害が見られ、純Ｃｕの特性、即ち、波長６６０ｎｍでの透過率特性や信号を記録した際のＣ/Ｎ特性を阻害することになる。
添加金属としては、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｍｏから選ばれる少なくとも一つの金属を用いる。Ｔａ、Ｎｂは酸素及び窒素との親和力が強い金属であり、酸素及び窒素のゲッター材として使われることがある。元々、反射層の劣化は化学的には酸化であることが多く、特にＣｕの場合の緑青として知られる反応物は酸化物である。その点からＴａ、Ｎｂに関してはＣｕの劣化に対し効果がある。次に、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｍｏに関しては、これらの金属を添加することで、再結晶化の際膜表面や銅の結晶粒界にＣｕとの合金が析出し、析出することによりＣｕの粒界拡散を抑制することで、Ｃｕのマイグレーションを阻止して劣化の防止に機能する。

反射層には、通常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ等の金属又は半金属の単体あるいはそれらの合金などを用いている。記録マークを形成するためには急冷構造とすることが好ましいため、熱伝導率の高い材料が用いられており、特に熱伝導率の高いＡｇ又はＡｇ合金が多用されている。その理由としては、熱伝導性が高いことに加え、高い反射率が得られることが挙げられる。しかし、硫化物との接触により硫化し易く、耐硫化バリア層又は中間層が必要となるなどの問題がある。レーザ光照射奥側の第二反射層の場合には、この層構成でもよいが、レーザ光照射手前側の第一反射層の場合には好ましくない。そこで、本発明者等は、前述したようにＣｕに注目するに到った。幾つかの金属材料のバルク状態における熱伝導率の値を表１に示すが、ＣｕはＡｇの次に熱伝導性が高い材料である。Ｃｕは熱伝導性の他に、Ａｇなどの他の金属に比べて透過率が高く、膜に対して透過率の減少が小さいので、二層光情報記録媒体のレーザー照射手前側の情報層の反射層に好適である。更に、保存特性に関しても、Ｃｕはイオン化傾向がＡｇよりもイオン化し易い序列にあるにも拘わらず、自己拡散係数が小さいためにマイグレーションを起こし難く、僅かな添加元素により保存信頼性を確保することが可能である。添加元素の添加量は、５重量％以下が好ましい。より好ましくは３重量％以下である。

第一反射層の膜厚は、第一情報層の反射率や、Ｃ/Ｎ、ジッターなどの記録特性について問題のない値が得られ、かつ、第二情報層の記録が行なえる程度の膜厚であることが要求される。即ち、下限は第一情報層の記録特性により制限され、上限は第一記録層の透過率により決定される。通常は４〜１２ｎｍ程度とし、好ましくは６〜９ｎｍとする。
また、第二反射層の膜厚は、第一反射層とは異なり、光透過性が要求されることは無く、記録特性が得られる程度の膜厚があれば良いので、第二基板の変形を起こさない程度に厚くても構わない。通常は１００〜１４０ｎｍ程度とする。

記録層は、材料の観点から見ると、前述したように二系統の材料開発の流れがあるが、二層光情報記録媒体では、特にレーザ光照射手前側の情報層（第一情報層）は、奥側の記録層（第二記録層）の記録再生のために透過率が良いことが要求され、そのために反射層の吸収率を少なくする取り組みと並行して、手前側の記録層（第一記録層）を更に薄膜化することが要求される。記録層を薄くしていくと、結晶化速度が低下するのは公知であるから、第一情報層には結晶化速度の速い記録層を用いるのが有利である。そこで、上記の二系統の流れの中では、後者のＳｂ含有量が７０％前後となるＳｂＴｅ共晶組成のものの方が好ましい。
しかしながら、本発明者等が検討したところ、結晶化速度を早くするために、即ち対応できる線速を速くするためにＳｂ量を増大させていくと、結晶化温度が低下すると共に保存特性が劣化していくことが分った。そこで、少ないＳｂ量で結晶化速度が速い、即ち対応できる線速が速い材料系を検討したところ、ＩｎＳｂ系が少ないＳｂ量で線速を向上できることが分った。したがって、薄い記録層が要求される第一記録層材料としては、ＩｎＳｂ系を用いるのが好適である。中でもＧｅを添加したＩｎＳｂ（Ｇｅ）系が好ましい。このＩｎＳｂ（Ｇｅ）系、ＳｂＴｅにＧｅを添加したＳｂＴｅ（Ｇｅ）系、ＧａＳｂ系について、対応できる線速を比較した結果を図８に示す。但し、図８の評価結果は情報層が一層構成の場合のものである。

次に、本発明者等はＧｅを含有しＳｂ含有量が７０原子％前後となるＳｂＴｅ共晶組成について、Ｓｂ７０原子％近傍で上記ＩｎＳｂ（Ｇｅ）系と同じレベルの転移線速が得られる構造に関して再度検討を加えた。その結果を図１０に示すが、Ｇｅを含有しＳｂ含有量が７０原子％前後となるＳｂＴｅ共晶組成に関しても、速い結晶化速度が要求される第一情報層の記録材料として用いることができることが分った。この記録材料は、少なくともＳｂとＴｅとＧｅを含み、Ｇｅ＜Ｔｅ＜Ｓｂとなる組成を持つものある。Ｓｂ量が７０原子％近傍であれば、保存信頼性を劣化させない範囲と言える。
また、ＳｂＴｅ（Ｇｅ）に添加する材料としては、Ａｇ及びＩｎを選択することができる。Ａｇ及びＩｎを添加することにより、反射率及び初期化容易性を調整できることは従来から知られている。

ＩｎＳｂ（Ｇｅ）やＳｂＴｅ（Ｇｅ）の構成元素の組成割合としては様々な変化が考えられるが、図８及び図１０に示したようにＳｂの量により対応できる記録線速を変化させることができる。二層光情報記録媒体の場合、第一記録層は透過率を得るために薄くする必要があり、薄くなると記録線速が遅い方向に変化するので、それを加味してＳｂ量を増減させればよい。Ｇｅの量に関しては、Ｇｅの機能として特にＳｂ量が共晶系合金量以上となる場合には余剰のＳｂが保存特性を劣化させる傾向があるので、保存安定性の劣化を抑制する方向に働く。通常は、３．５〜１０原子％とするのが好ましく。３．５〜６原子％がより好ましい。
また、レーザー光を透過させつつ記録を行なう第一記録層の膜厚は４〜１６ｎｍ、より好ましくは６〜１０ｎｍとする。４ｎｍ未満では、成膜上膜厚の再現性が不安定であり、１６ｎｍを超えると透過率が２０％未満となるため、第二記録層の記録再生特性が著しく低下する。使用するレーザー光の波長範囲は４５３ｎｍ以上ならばＣｕ反射層の優位性が保たれるが、商品性の観点からＤＶＤの波長である６６０ｎｍも適用可能であるので好適である。
第二記録層の膜厚は、第一記録層とは異なり光透過性を必要としないため、通常の一層の記録層を持つ光情報記録媒体と同等の膜厚、即ち、１２〜２０ｎｍ程度とする。

第一、第二上部誘電体層には、通常ＺｎＳＳｉＯ_２（ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０モル％）を用いている。しかし、ＺｎＳＳｉＯ_２は硫黄を含むため反射層の硫化による劣化等を引き起こすので、バリア層又は中間層と呼ばれる誘電体層又は金属層が配置される。ところが、これらのバリア層又は中間層が光吸収を持つとレーザ光照射奥側情報層の記録再生に問題が生じる。更に、第一情報層では、第一反射層を薄くせざるを得ないために、記録の際の急冷構造が取りにくく、記録時のジッター特性が得にくい。したがって、少なくとも第一上部誘電体層の材料としては、ある程度の熱伝導性即ち導電性が必要であり、更に、反射層を劣化させない材料が好ましい。
このような材料としては、少なくともＳｎの酸化物とＴａの酸化物とを含む材料が挙げられる。それぞれの酸化物が反射層材料に対し劣化を促進しない材料であり、組成比率は生産工程、コスト、生産許容時間などにより選択すればよい。Ｓｎ酸化物が多い場合は記録に必要なパワーが大きくなる傾向にある。Ｔａ酸化物に関しては、成膜速度を低下させない材料ではあるが、第一情報層に関しては特性が出にくくなるので、２０モル％未満とすることが好ましい。少なくともＳｎ酸化物とＴａ酸化物とを含有する層で構成することにより、放熱性を良くして記録感度を高めることができ、比較的低い記録パワーでも変調度を高く取ることができる。
その他の添加できる誘電体としては、熱伝導性即ち導電性を損なわず透明性も確保できる材料が適している。例えば、透明導電膜の材料として用いられるＩｎ酸化物又はＺｎ酸化物が好ましい。このような材料系であれば、第一情報層の光透過率を高めることができるため、第二情報層の記録感度も高めることができる。
一方、Ｓｎ酸化物は５０モル％以上含有していることが好ましい。５０モル％よりも少ないと、第１記録層において充分な結晶化速度が得にくくなり、第１情報層における１０ｍ／ｓ程度の高速記録が難かしくなるし、繰り返し記録のジッターも悪化する。

本発明の二層光情報記録媒体の層構成の一例を図１に示す。この例では、第一透明基板１上に第一下部誘電体層２、第一記録層３、第一上部誘電体層４、第一反射層５、無機誘電体層６、第一環境保護層７からなる第一情報層１０と、第二環境保護層７１、第二下部誘電体層２１、第二記録層３１、第二上部誘電体層４１、第二反射層５１及び第二基板（貼り合わせ基板）９からなる第二情報層２０とが、接着層８を介して積層された構造を有する。
但し、第一情報層１０と第二情報層２０をほぼ同時に作成する場合には、両者をすぐに貼り合わせれば、環境保護層を設ける必要がないので、接着層８の膜厚を、第一環境保護層７、第二環境保護層７１の膜厚を合わせた膜厚とすることにより省略することが可能である。

上記各層の構成材料、膜厚などについて説明するが、既に説明した点は省略する。
第一透明基板としては、ガラス、セラミックス、樹脂などがあるが、樹脂基板が成型性、コストの点で好適である。樹脂の例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。一般的には、ＣＤ及びＤＶＤ用の基板として所定の溝を射出成型法により形成したポリカーボネート樹脂製の透明基板が多用されている。
第二基板には、第一基板と同様の材料を用いることができるが、光が入射しない側であるから透明でない材料を用いてもよい。

第一又は第二下部誘電体層の材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２などの酸化物；Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＺｎＳ、ＴａＳ_４などの硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；ダイヤモンド状カーボン；或いはそれらの混合物が挙げられる。中でもＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８５：１５モル％）、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（７５：２５モル％）などのＺｎＳとＳｉＯ_２からなる材料が好ましく、特に熱膨張変化、高温・室温変化の熱ダメージを伴う記録層と基板の間に位置する第一誘電体層としては、光学定数、熱膨張係数、弾性率が最適化されているＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）が、熱的特性、光学的な特性及び生産性（成膜速度の速さ）が重視され、多用されている。

第一下部、第一上部誘電体層の膜厚は、反射率、変調度、記録感度に大きく影響するので、媒体反射率が極小値近傍となる膜厚を選択することが望ましい。この膜厚領域では記録感度が良好であり、熱ダメージのより小さいパワーで記録が可能になり、オーバーライト性能の向上が図られる。特に二層光情報記録媒体の場合は、記録層が一層の光情報記録媒体より大きな記録パワーが設定される場合が多いので、大きなパワーをかけた場合でも、基板の変形を受けないような膜厚とする。
具体的には、第一下部誘電体層の膜厚は、４０〜８０ｎｍ、又は、１８０〜２４０ｎｍ程度、第一上部誘電体層の膜厚は、１０〜２５ｎｍ程度とする。
また、第二下部誘電体層の膜厚は、６０〜１８０ｎｍ程度、第二上部誘電体層の膜厚は、１０〜２５ｎｍ程度とする。

無機誘電体層には、一般に透明導電膜として用いられているＩｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２の混合組成物）、ＺｎＯ、又それらの混合物、或いは２０モル％以下の金属又は酸化物等の微量添加物を加えた材料などを用いることができる。
無機誘電体層の膜厚は、４０〜８０ｎｍ又は１２０〜１６０ｎｍ程度とする。
環境保護層又は接着層材料としては、紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂を用いることができる。熱硬化性樹脂を用いると基板のチルトに影響することがあるため、一般的には、スピンコート法で作製した紫外線硬化型樹脂が好適である。例えば、エポキシジ（メタ）アクリレートとＣＨ_２＝ＣＯＯＲ（Ｒは炭素数６〜１２の脂環式炭化水素残基）及び上記成分以外のエチレン性不飽和基含有物及び光重合開始剤を含有した材料、全塩素含有量１５００ｐｐｍ以下のビスフェノール型エポキシ樹脂と（メタ）アクリル酸とを三級アミンを触媒として反応して得たエポキシジ（メタ）アクリレートや、その他のアクリレートなどを含有する材料や紫外線硬化型組成物（樹脂）の１質量％メタノール溶液におけるｐＨ値が４．５〜６．８であり、かつ光重合開始剤として、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルホリノ−プロパン−１−オンを０．１〜３質量％含有する紫外線硬化型組成物などを用いることができる。

第一、第二環境保護層の材料としては、大日本インク・アンド・ケミカル ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ社製オーバーコート剤ＳＤ−３１８、サンノプコ株式会社製ノプコキュアシリーズ ｎｏｐｃｏ１３４などが挙げられる。
第一、第二環境保護層の膜厚は、それぞれ３〜１５μｍが適当である。３μｍより薄いと、一つの情報層のみを形成して放置した場合にエラーの増大が認められることがある。一方、１５μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、媒体の機械特性に大きく影響してしまう。そして、二層光情報記録媒体の場合は、第一記録層と第二記録層との間に光学的に分離可能な距離が必要であり、第一環境保護層、第二環境保護層及び接着層の総和で、６６０ｎｍの赤色波長の場合は５５±１５μｍ程度とするのが好適である。
第一、第二環境保護層は、第一基板に第一情報層を形成した後、あるいは、第二基板に第二情報層を形成した後に放置する可能性を考慮して形成する。但し、第一基板の第一情報層と第二基板の第二情報層とをほぼ同時に形成し接着する場合には、５５±１５μｍ程度とする膜厚を確保すれば紫外線硬化型樹脂等による接着層一層としても良い。

本発明によれば、二層の情報層のうちレーザー光照射手前側の透過性の高い情報層でも、４５３ｎｍ以上の波長範囲、特にＤＶＤで使用される赤色波長（６５５±５ｎｍ）において、十分な記録特性が得られると共に、奥側の情報層からも十分なデータ信号の記録再生が可能である二層光情報記録媒体を提供できる。

以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。また、以下の説明では、相変化型の書き換え可能ＤＶＤ二層媒体における標準的な評価方法・基準を用いているが、本発明の媒体は必ずしも特定のフォーマットの媒体に限定されるものではない。

（実施例１）
まず、レーザー照射方向からみて手前側に当る記録層（第一情報記録層と呼ぶ）の製作を以下の手順で行った。
直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍで片面に０．７４μｍの連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート基板の連続溝面上に、第一下部誘電体層（膜厚２２０ｎｍ）、第一相変化型記録層（膜厚８ｎｍ）、第一上部誘電体層（膜厚１２．５ｎｍ）、第一反射層（膜厚８ｎｍ）、無機誘電体層（膜厚１４０ｎｍ）の各層を順次製膜した。
第一下部誘電体層にはＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）を、第一相変化型記録層にはＩｎ_１５Ｓｂ_８０Ｇｅ_５を、第一上部誘電体層にはＴａ_２Ｏ_５：Ａｌ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２＝４：１６：８０（モル％）の混合物を、反射層にはＣｕ：Ｍｏ＝９８．９：１．１（原子％）、無機誘電体層にはＩＺＯ〔Ｉｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝９０：１０（モル％）〕を用いてバルザース社（現ユナクシス社）製の枚葉スパッタ装置（８チャンバー）により、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いてスパッタリングにより形成した。但し、各元素又は化合物の組成比はターゲットに仕込んだ組成の比率を示している。
無機誘電体層を形成した時点で、透過率を測定したところ３９．６％であった。
次に、その上に、スピンコーターを用いて第一環境保護層を設けて第一情報層を製作した。第一環境保護層材料は紫外線硬化樹脂で、エポキシジ（メタ）アクリレートとＣＨ_２＝ＣＯＯＲ（Ｒは炭素数６〜１２の脂環式炭化水素残基）及び上記成分以外のエチレン性不飽和基含有物及び光重合開始剤を含有した材料（三菱レーヨン株式会社製ダイヤビームＮＨ−７６１７Ｎ）であり、硬化後の膜厚は４μｍとした。
この第一情報層を初期化装置（日立コンピュター社製の相変化光ディスク初期化装置：ＰＯＰ１２０−３Ｒａ）により焦点位置を第一相変化型記録層の位置にアジャスターで合わせて初期化した。初期化装置は約１μｍ×（７５±５）μｍの半導体レーザー（発光波長８１０±１０ｎｍ）のサイズを持つピックアップ（ＮＡ０．５５、スポットサイズは約１μｍ×９６±５μｍ）を用いた。初期化条件は、ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）により記録媒体を回転させ、線速３ｍ／ｓ、送り量３６μｍ／回転、半径位置は２３〜５８ｍｍ、初期化パワー７００ｍＷとした。

次に、レーザー照射方向からみて奥側に当る第二情報層の製作を以下の手順で行った。
直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍで片面に０．７４μｍの連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート基板の連続溝面上に、第二反射層（膜厚１４０ｎｍ）、第二上部誘電体層（膜厚２０ｎｍ）、第二相変化型記録層（膜厚１５ｎｍ）、第二下部誘電体層（膜厚１２０ｎｍ）の各層を順次製膜した。
第二下部誘電体層にはＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）を、第二相変化型記録層にはＡｇ_０．４５Ｉｎ_４．９８Ｓｂ_{６８．６１}Ｔｅ_{２３．９５}Ｇｅ_２．０１を、第二上部誘電体層にはＴａ_２Ｏ_５：Ａｌ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２＝４：１６：８０（モル％）の混合物を、反射層にはＡｇ_９８Ｐｄ_１Ｃｕ_１（重量％）を用いて、バルザース社（現ユナクシス社）製枚葉スパッタ装置（８チャンバー）により、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いてスパッタリングにより形成した。
第二相変化型記録層材料の各元素の組成比はＩＣＰ発光分光法（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）によりターゲットの状態で分析した結果である。その上に、第一環境保護層と同じ材料をスピンコートして第二環境保護層を設け、第二情報層を製作した。
第二情報層の初期化は、第一情報層と同じ初期化装置を用いた。但し、基板上の記録層の位置が異なるので、フォーカス位置をその変位分の０．６ｍｍのスペーサーを用い補正した。初期化条件は、ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）により記録媒体を回転させ、線速２．０ｍ／ｓ、送り量３６μｍ／回転、半径位置は同じく２３〜５８ｍｍ、初期化パワー６００ｍＷとした。
次いで、第一情報層と第二情報層を紫外線硬化樹脂（日本化薬社製ＤＶＤ００３）により貼り合わせて二層光情報記録媒体を製作した。貼り合わせ後に、第一環境保護層、第二環境保護層及び接着剤層の膜厚の総和が５５μｍ±１５μｍの範囲に入るように、紫外線硬化樹脂の塗布量及び塗布条件を設定した。

製作された二層光情報記録媒体に対して、下記条件で記録したのち、下記のスペックの半導体レーザーを搭載したピックアップを持つ光ディスク評価装置（Ｐｕｌｓｔｅｃ社ＤＤＵ１０００、レーザー波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５）を用いて評価を行なった。
線速： ３．５〜８．４ｍ／ｓ（ＣＡＶ）
記録パワー（Ｐｗ）： ４０ｍＷ
消去パワー（Ｐｅ）： １６ｍＷ
読み取りパワー（Ｐｒ）： １．４ｍＷ
最適化したパルスストラテジーにより３Ｔパターンの記録を行ない、初期、及び８０℃８５％ＲＨの条件下で３００時間保存後のＣ／Ｎ比を測定したところ、初期が５３〜５６ｄＢ、３００時間保存後が５０〜５３ｄＢであり、３ｄＢの変化であった。また、膜の浮き・膜の剥がれや異常と思われる班点状変色の発現などは観察されなかった。
反射率は７．２％であった（但し、ガラス上に形成した１４０ｎｍの純Ａｇの反射率を同じ測定系で読み取った時のファトダイオードの信号レベルを反射率８７．７％とし、その比を基準に測定値を換算した数値）。
次に、半径位置４０ｍｍの点で３．４９ｍ／ｓの線速度のＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｓｉｔｙ）で測定を行なった。Ｐｗ＝３６ｍＷ、Ｐｅ＝１４ｍＷの記録条件で８Ｔのマルチトラック記録を行なった。
Ｐｒ＝１．４ｍＷ、３．４９ｍ／ｓで再生し、ジッタを測定したところ、中央のトラックにおいて、σ／Ｔ＝７．５％が得られた。このトラックの８０℃、８５％ＲＨの条件下で３００時間保存後のジッターは８．２％と良好であった。

（実施例２〜１０）
第一反射層の添加金属と添加量を変えた点以外は実施例１と同様にして、二層光情報記録媒体を製作し、第一情報層のＣ／Ｎ特性の初期と３００時間保存後の評価を行った。
結果を実施例１と共に表２に示す。表２の結果から、本発明の二層光情報記録媒体は何れも保存前後のＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上であり、優れていることが分る。

（比較例１）
第一反射層材料を純Ａｇに変えた点以外は、実施例１と同様にして二層光情報記録媒体を製作した。無機誘電体層を形成した時点で透過率を測定したところ３４％であった。
次に、実施例１と同様にして第一情報層を評価した。読み取りパワーを１．０ｍＷに変えた点以外は、実施例１と同様にして３Ｔパターンの記録を行った結果、初期が４７ｄＢ、３００時間保存後が４０ｄＢであり、７ｄＢ変化した。結果を表２に示す。
また、反射率は実施例１より１％高めであった。

（比較例２）
第一反射層材料を純Ａｕに変えた点以外は、実施例１と同様にして二層光情報記録媒体を製作した。無機誘電体層を形成した時点で透過率を測定したところ４０％であった。
次に、比較例１と同様にして第一情報層を評価したところ、３Ｔパターンの初期Ｃ／Ｎは４５〜４８ｄＢ、３００時間保存後は３０〜３３ｄＢであり、１５ｄＢ低下した。結果を表２に示す。

（実施例１１〜２１）
第一反射層の材料をＣｕ−Ｔａに変え、Ｔａの添加量を０．２重量から５重量％まで変化させた点以外は、実施例１と全く同様にして、二層光情報記録媒体を製作し、初期ジッター及び３００時間保存後のジッターを評価した。
初期ジッター及び３００時間保存後のジッター変化は９％台であり、特性上問題は無かった。低い添加量での３００時間保存後のジッター変化は第一反射層の変化と考えられる。また、３重量％以上の初期ジッター上昇は第一反射層の熱伝導性の低下によるものと思われる。
更に、膜の透過率を評価するために、ガラス上に８ｎｍの単膜を形成しその透過率を測定した。結果を纏めて表３に示すが、添加量が３重量％までは単膜の透過率へ変化せず、添加量が３重量％を超えると徐々に透過率が上昇する傾向であった。

（比較例３）
第一反射層のＣｕに添加金属を加えなかった点以外は、実施例１と全く同様にして二層光情報記録媒体を製作し、実施例１１〜２１と同様の評価を行なった。結果を表３に示す。
本比較例では単膜の透過率の変化も無く、初期ジッターも６．５％と良好であったが、保存後のジッターが、１００時間で９．５％（３％の増加）、３００時間では１０．８％（４．３％の増加）と大きく変化した。

（比較例４〜６）
第一反射層の材料をＣｕ−Ｔａとし、Ｔａの添加量を５．５重量％（比較例４）、６重量％（比較例５）、７重量％（比較例６）とした点以外は、実施例１と全く同様にして、二層光情報記録媒体を製作し、実施例１１〜２１と同様の評価を行なった。結果を表３に示す。
表３から分るように、添加量が５重量％を超えると、単膜の透過率が添加量と共に上昇し、初期ジッターも大きく変化した。しかし、３００時間保存後のジッター変化は逆に小さかった。

（実施例２２〜２６、比較例７〜９）
実施例１と同一構成・同一材料として、第一反射層の膜厚のみを変えた第一情報層を製作し、実施例１で製作したのと同じ構成の第二情報層と貼り合わせて実施例２２〜２６、及び比較例７〜９の二層光情報記録媒体を製作した。
各二層光情報記録媒体の第一反射層の膜厚は、３ｎｍ（比較例７）、４ｎｍ（実施例２２）、６ｎｍ（実施例２３）、８ｎｍ（実施例２４）、１０ｎｍ（実施例２５）、１２ｎｍ（実施例２６）、１３ｎｍ（比較例８）、１５ｎｍ（比較例９）である。
これらの二層光情報記録媒体について、線速７ｍ／ｓ、消去パワー１６ｍＷで８Ｔ信号を記録したのち消去した際の消去比（記録信号の振幅について消去前と消去後の比を取りデシベルで表した値）を測定した。
結果を図９に示すが、膜厚が６ｎｍ以上では、消去比が−４０ｄＢ程度で大きく変化せず、膜厚４ｎｍで多少消去比が低下し始めているが、まだ−３５ｄＢ以下であり消去比として許容できる範囲であった。しかし、膜厚３ｎｍでは、−２０ｄＢの消去比しか得られず消去前のデータの消し残りが生じた。
次に、上記各二層光情報記録媒体について、第一情報層を透過させて第二情報層にシングルトラックで８Ｔ信号の記録を行ない、再生してジッタを測定した。
結果を図９に示すが、第一反射層の膜厚が１２ｎｍ以下では９％以下という良好なジッターが得られた。しかし、膜厚１３ｎｍ及び１５ｎｍでは、ジッターが９％を超える結果となった。
以上の結果から、第一反射層の膜厚としては、４〜１２ｎｍの範囲が好ましいことが分かった。

（比較例１０〜１３）
第一反射層の材料をＣｕ−Ａｌ＜Ａｌ添加量２．１重量％＞（比較例１０）、Ｃｕ−Ｓｉ＜Ｓｉ添加量２．１重量％＞（比較例１１）、Ｃｕ−Ｚｎ＜Ｚｎ添加量２．１重量％＞（比較例１２）、Ｃｕ−Ｐｄ＜Ｔｉ添加量２．１重量％＞（比較例１３）とした点以外は、実施例１と全く同様にして二層光情報記録媒体を製作し、実施例１と同様にして３Ｔパターンの記録を行ったのち、３００時間保存後のＣ／Ｎ変化の測定を行なった。
結果を表４に示すが、この結果から、添加元素によりＣ／Ｎの変化量が大きく異なり、一般に光情報記録媒体の反射層材料あるいは添加元素として使われている金属でも、Ｃｕの添加元素として不適当なものがあることが分かった。

（実施例２７）
第一情報層の、第一下部誘電体層の膜厚を６０ｎｍ、第一相変化型記録層の材料をＡｇ_０．２Ｉｎ_３．５Ｓｂ_６９．２Ｔｅ_２１．１Ｇｅ_６、膜厚を７．５ｎｍ、第一上部誘電体層は材料をＴａ_２Ｏ_５：ＳｎＯ_２＝２０：８０（モル％）、膜厚を５ｎｍ、無機誘電体層の膜厚を６０ｎｍに変えた点以外は実施例１と同様にして二層光情報記録媒体を製作した。
この二層光情報記録媒体に対し、実施例１と同様にして第一情報層の記録特性の評価を行ったところ、３Ｔパターンの初期Ｃ／Ｎと８５℃８５％ＲＨ条件での３００時間保存後のＣ／Ｎ変化は、初期Ｃ／Ｎが５３ｄＢ、３００時間保存後のＣ／Ｎ変化が３ｄＢであり、初期と３００時間後の何れも良好であった。膜の浮き、膜の剥がれ、異常と思われる班点状変色の発現などは観察されなかった。また、反射率は６．５％であった。
次に、半径位置４０ｍｍの点で、８Ｔのマルチトラックの記録を行い、Ｐｒ＝１．４ｍＷ、３．４９ｍ／ｓで再生し、ジッターを測定したところ、中央のトラックにおいて、σ／Ｔ＝７．０％が得られた。このトラックの８０℃、８５％ＲＨの条件下で３００時間保存後のジッターは８．０％と良好であった。
また、この第一情報層の転移線速を測定した。ここで、転移線速とは、初期化処理により結晶状態となっているトラックに記録媒体の線速を変化させて連続光（パワーは１５ｍＷ）を照射したときの、反射率が変化し始める線速をいう。
本実施例の記録層の第一情報層構成での転移線速は１８ｍ／ｓである。この転移線速は、記録層の結晶化速度を代用した値であり、目的の記録速度を達成するための重要な設計の目安である。

（実施例２８〜３０）
表５の実施例２８〜３０の欄に示した組成の記録層材料を第一記録層に用いた点以外は実施例２７と同様にして光記録媒体を製作し、実施例２７と同様にして第一情報層の記録特性の評価を行った。
それぞれの転移線速と８Ｔマツチトラック記録時の初期ジッターと８０℃、８５％ＲＨの条件下で３００時間保存後のジッターを表５に示すが、この記録層組成でも初期ジッター、３００時間保存後ジッターともに問題ない値が得られた。
転移線速に関しては、図８のデータと共に実施例２７の場合（図中の■）をプロットし、図１０として示したが、ＳｂＴｅ（Ｇｅ）系であっても、二層構成の第一情報層（Ｌ０）の場合には、情報層が一層構成の場合（図中の□）と比較して矢印で示すように左にシフトし、ＩｎＳｂ（Ｇｅ）系と同等の転移線速を示すことが分る。

（比較例１４）
表５の比較例１４の欄に示した組成の記録層材料（ＧｅＳｂＴｅ）を第一記録層に用いた点以外は、実施例２７と同様にして光記録媒体を製作し、実施例２７と同様にして第一情報層の記録特性の評価を行った。
表５に示す結果から分るように、８５％ＲＨの条件下で３００時間保存後の変化は大きくなかったが、初期ジッターが１６％であり、満足できる初期特性が得られなかった。
転移線速に関しては、実施例２７と同じ方法では測定できなかった。

本発明の２層光情報記録媒体の層構成の一例を示す図。 第一記録層のシミュレーション結果の図。 各種反射層材料ののＲＴＡデータを示す図（波長６６０ｎｍ）。 本発明によるＣｕ金属膜のＲＴＡ（Ｒ：反射率、Ｔ：透過率、Ａ：吸収率）を示す図。 Ａｇ合金系金属膜のＲＴＡ（Ｒ：反射率、Ｔ：透過率、Ａ：吸収率）を示す図。 Ａｇ系とＣｕ系金属膜の分光透過率の図。 Ａｇ、Ａｕ、ＣｕのＣ／Ｎを比較した図。 ３種の記録層の線速比較の図。 実施例２２〜２６及び比較例７〜９の消去比と８Ｔジッタの測定結果を示す図。 図８に、実施例２７の場合を追加した図。

符号の説明

１ 第一透明基板
２ 第一下部誘電体層
３ 第一記録層
４ 第一上部誘電体層
５ 第一反射層
６ 無機誘電体膜層
７ 第一環境保護層
８ 接着層
９ 第二基板（貼り合わせ基板）
１０ 第一情報層
２０ 第二情報層
２１ 第二下部誘電体層
３１ 第二記録層
４１ 第二上部誘電体層
５１ 第二反射層
７１ 第二環境保護層
Ｒ 反射率
Ｔ 透過率
Ａ 吸収率
ＬＶ 転移線速
Ｌ０構成 第一情報層の層構成（図１０参照）

Claims (12)

1. 光の入射側から第一基板、第一情報層、第二情報層及び第二基板をこの順に有する二層光情報記録媒体において、第一基板が光照射側から順に少なくとも第一下部誘電体層、第一記録層、第一上部誘電体層、第一反射層、無機誘電体層を有し、第二情報層が光照射側から順に少なくとも第二下部誘電体層、第二記録層、第二上部誘電体層、第二反射層を有し、第一反射層が９９．８〜９５．０重量％のＣｕと、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｍｏから選ばれる少なくとも一つの金属を含み、かつ、第一反射層の膜厚が４〜１２ｎｍであることを特徴とする二層光情報記録媒体。
2. 第一情報層及び第二情報層が、光学的に分離可能な間隔で積層され、同一方向からの光照射により記録可能である請求項１記載の二層光情報記録媒体。
3. 第一基板が透明である請求項１又は２記載の二層光情報記録媒体。
4. 第一反射層が９９．８〜９７．０重量％のＣｕと、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ａｕ、及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属を含む請求項１〜３の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
5. 第一反射層の膜厚が６〜１２ｎｍである請求項１〜４の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
6. 第一記録層及び／又は第二記録層が、少なくともＩｎとＳｂとＧｅとを含む相変化型記録材料からなる請求項１〜５の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
7. 第一記録層及び／又は第二記録層が、少なくともＳｂとＴｅとＧｅを含み、Ｇｅ＜Ｔｅ＜Ｓｂである相変化型記録材料からなることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
8. Ｇｅの含有量が３．５〜１０原子％である請求項６又は７記載の二層光情報記録媒体。
9. 第一記録層の厚みが、４〜１６ｎｍである請求項１〜８の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
10. 第一上部誘電体層が、少なくともＳｎの酸化物とＴａの酸化物とを含む請求項１〜９の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
11. 第一下部誘電体層及び第二下部誘電体層が、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を含有する請求項１〜１０の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
12. 光が６５０〜６６０ｎｍの波長のレーザー光である請求項１〜１１の何れかに記載の二層光情報記録媒体。
    

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