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JP2004319644A - High heat dissipation type plastic package and manufacturing method thereof - Google Patents

High heat dissipation type plastic package and manufacturing method thereof Download PDF

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JP2004319644A
JP2004319644A JP2003109491A JP2003109491A JP2004319644A JP 2004319644 A JP2004319644 A JP 2004319644A JP 2003109491 A JP2003109491 A JP 2003109491A JP 2003109491 A JP2003109491 A JP 2003109491A JP 2004319644 A JP2004319644 A JP 2004319644A
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重尚 苫米地
Akihiro Hamano
明弘 浜野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a high heat dissipation type plastic package which has less bleeding of the resin of an adhesive, is inexpensive, has satisfactory bonding precision and has a thin thickness without using a thick adhesive such as a prepreg between a resin substrate and a heat dissipation plate, and to provide a manufacturing method thereof. <P>SOLUTION: In the high heat dissipation type plastic package 10, a resin film 11 with Cu foil which is formed by joining an adhesive resin 13 on the Cu foil 23 and has a notch 15 formed by drilling, for a cavity 14 for placing a semiconductor element on a substantial center in a plan view and a heat dissipating plate 12 for dissipating heat from the semiconductor element are directly joined with the adhesive resin 13. The heat dissipating plate 12 has a blocking portion 20 for preventing the resin from bleeding at the time of joining the film 11 and the adhesive resin 13. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体素子搭載用の高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法に関し、より詳細には、樹脂基板と放熱板を貼り合わせて形成する高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の半導体素子の高性能化、小型化にともない、半導体素子を搭載するためのプラスチックパッケージは、半導体素子からの発熱量の増大、外部と接続するための端子の多端子化、半導体素子の実装性、低コスト化、低インピーダンス化等の観点から、高放熱構造を有するBGA(Ball Grid Array)タイプ等の高放熱型プラスチックパッケージが多く用いられている。この高放熱型プラスチックパッケージは、片面又は両面にCu箔を接合して形成した導体層を備えたBT樹脂(ビスマイレイミドトリアジンを主成分にした樹脂)やポリイミド樹脂等からなる1層又は多層の高耐熱性の樹脂基板に熱伝導率の高いCu等の金属板からなる放熱板をプリプレグ等の接着材を介して接合したものである(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
【0003】
図7(A)〜(D)を参照して、従来の高放熱型プラスチックパッケージ50の製造方法を説明する。図7(A)に示すように、Cu箔52が接合されているガラスクロスを含有する樹脂基板51には、表、裏面の導通を取るためにスルーホール53用の貫通孔53aを穿設し、表、裏面及び貫通孔53aの壁面に無電解Cuめっき被膜を設け、更に、この無電解Cuめっき被膜に通電して電解Cuめっき被膜を設けてCuめっき被膜54を形成している。次に、図7(B)に示すように、このCuめっき被膜54上にドライフィルムを貼着し、パターンマスクを当接して露光、現像するフォトリソグラフィ法でエッチングレジストパターンを形成し、エッチングレジストパターンの開口部から露出するCuめっき被膜54及びCu箔52をエッチングで除去し、ドライフィルムを剥離除去して配線パターン55を形成している。次に、図7(C)に示すように、配線パターン55が形成された樹脂基板51に半導体素子を搭載するためのキャビティ部を形成するために、ルーター加工機を用いて平面視して実質的に矩形状からなる切り欠き56を形成する。次に、図7(D)に示すように、樹脂基板51とCu板等からなる放熱板57をプリプレグ等の接着材58を介して加熱圧着して接合し、高放熱型プラスチックパッケージ50を作製している。なお、樹脂基板51の上面側には、通常、必要な部分の配線パターン55が開口部から露出するソルダーレジスト膜59が形成されている。
【0004】
放熱性が良好なBGA型のパッケージには、放熱性の良好な補強板にTAB(Tape Automated Bonding)テープを熱硬化性接着材で接合するパッケージが提案されている(例えば、特許文献3参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平7−321250号公報(第1−14頁、第1図)
【特許文献2】
特開平10−308467号公報(第1−5頁、第2図)
【特許文献3】
特開2001−68512号公報(第1−6頁、第1図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような従来の高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法には、次のような問題がある。
(1)導体配線パターン形成用基材と放熱板は、後付けされる接着材が用いられて接合されているので、接着材部分の厚さによって接合された後の全体の厚さが厚くなり、軽薄短小化が求められている、例えば、携帯電話やパソコン等の電子機器への利用の妨げとなっている。
(2)導体配線パターン形成用基材と放熱板の接合に後付の接着材が用いられる場合には、樹脂基板、又は放熱板に接着材を精度よく塗布したり、あるいは接着シートを精度よく貼着したりするのに、時間、工数、及び材料費を必要とし、高放熱型プラスチックパッケージのコストアップとなっている。また、接着材や、接着シートを用いて接合する場合には、接合時に接着用樹脂のキャビティ部への染みだしが発生し、キャビティ部に半導体素子を実装する時の信頼性の低下となっている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、樹脂基板と放熱板の間にプリプレグ等の厚さの厚い接着材を用いることなく、接着材の樹脂染みだしが少なく、安価で、接合精度がよく、厚さの薄い高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う本発明に係る高放熱型プラスチックパッケージは、Cu箔に接着用樹脂が接合されて形成され、平面視して実質的中央部に半導体素子を載置させるためのキャビティ部用の切り欠きが穿設されて有するCu箔付き樹脂フィルムと、半導体素子からの発熱を放熱するための放熱板が、接着用樹脂で直接接合される高放熱型プラスチックパッケージであって、放熱板にはCu箔付き樹脂フィルムの接着用樹脂の接合時の樹脂染みだしを防止するための制止部を有する。これにより、導体配線パターン形成用基材であるCu箔付き樹脂フィルムと放熱板の接合にプリプレグ等の後付けの接着材を用いていないので、パッケージの厚さが薄く、安価であり、Cu箔付き樹脂フィルムと放熱板の接合精度のよい高放熱型プラスチックパッケージが提供できる。また、接着用樹脂の接合時のキャビティ部への樹脂染みだしを防止できるので、半導体素子の実装信頼性を向上することができる高放熱型プラスチックパッケージが提供できる。
【0008】
ここで、高放熱型プラスチックパッケージは、制止部が切り欠きに若干のクリアランスを有して装着できる段差からなるのがよい。これにより、キャビティ部を凸状に突出するように形成できる段差部分で接着用樹脂のキャビティ部への樹脂染みだしを防止できるので、半導体素子の実装信頼性を向上することができる高放熱型プラスチックパッケージが提供できる。
【0009】
また、高放熱型プラスチックパッケージは、制止部が切り欠きの周縁に沿って形成される溝からなるのがよい。これにより、溝部分で接着用樹脂のキャビティ部への樹脂染みだしを防止できるので、半導体素子の実装信頼性を向上することができる高放熱型プラスチックパッケージが提供できる。
【0010】
前記目的に沿う本発明に係る高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、Cu箔に接着用樹脂を接合し、平面視して実質的中央部に半導体素子を載置させるためのキャビティ部用の切り欠きを穿設して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、半導体素子からの発熱を放熱するための放熱板を、接着用樹脂で直接接合して形成する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、放熱板にはCu箔付き樹脂フィルムの切り欠きの周縁に沿うように段差又は溝を形成する工程と、接着用樹脂を加熱してCu箔付き樹脂フィルムと放熱板を接合すると共に、接着用樹脂の樹脂染みだしを段差又は溝で制止させる工程を有する。これにより、Cu箔付き樹脂フィルムの接着用樹脂で放熱板と容易に、精度よく、一度に接合でき、厚みの薄い安価な高放熱型プラスチックパッケージの製造方法を提供できる。また、キャビティ部の放熱板上に接着用樹脂の樹脂染みだしの発生を段差又は溝部分で防止できるので、半導体素子の接合信頼性を高くして実装でき、半導体素子からの発熱を効率よく放熱できる高放熱型プラスチックパッケージの製造方法を提供できる。
【0011】
また、前記目的に沿う本発明に係る他の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、Cu箔に接着用樹脂を接合し、平面視して実質的中央部に半導体素子を載置させるためのキャビティ部用の切り欠きを穿設して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、半導体素子からの発熱を放熱するための放熱板を、接着用樹脂で直接接合して形成する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、Cu箔付き樹脂フィルムの切り欠きに嵌合できる凸部を有する押さえ治具を用いて低融点樹脂フィルムを介する離型フィルムをキャビティ部及びCu箔付き樹脂フィルム上に押し付ける工程と、接着用樹脂を加熱してCu箔付き樹脂フィルムと放熱板を接合すると共に、接着用樹脂の樹脂染みだしを低融点樹脂フィルムを介する離型フィルムで制止させる工程と、押さえ治具を除去すると共に、低融点樹脂フィルムを介する離型フィルムを除去する工程を有する。これにより、Cu箔付き樹脂フィルムの接着用樹脂で放熱板と容易に、精度よく、一度に接合でき、厚みの薄い安価な高放熱型プラスチックパッケージの製造方法を提供できる。また、キャビティ部の放熱板上に接着用樹脂の樹脂染みだしの発生を押さえ治具で押し付けられた低融点樹脂フィルムを介する離型フィルムで防止できるので、半導体素子の接合信頼性を高くして実装でき、半導体素子からの発熱を効率よく放熱できる高放熱型プラスチックパッケージの製造方法を提供できる。
【0012】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1(A)、(B)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージの斜視図、縦断面図、図2(A)〜(C)はそれぞれ同変形例の高放熱型プラスチックパッケージの上面側斜視図、下面側斜視図、縦断面図、図3(A)、(B)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージ及び変形例の高放熱型プラスチックパッケージの放熱板の制止部の説明図、図4(A)〜(E)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージの製造方法の説明図、図5(A)〜(E)はそれぞれ同変形例の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法の説明図、図6(A)〜(D)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージ及び変形例の高放熱型プラスチックパッケージの他の製造方法の説明図である。
【0013】
図1(A)、(B)に示すように、本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージ10は、Cu箔付き樹脂フィルム11と放熱板12で構成されている。Cu箔付き樹脂フィルム11は、Cu箔に、ガラスクロス基材を含まない接着用樹脂13を塗布してフィルム状に形成されている。このCu箔付き樹脂フィルム11には、平面視してパッケージの実質的中央部に半導体素子を搭載させるためのキャビティ部14用の切り欠き15が打ち抜きプレス等で穿孔して設けられている。一方、放熱板12は、半導体素子からの発熱を効率よく放熱させることができるように熱伝導率の良いCu板等からなり、接着用樹脂13との接合強度を向上させるために表面に表面粗化が施されている。また、この放熱板12には、Cu箔付き樹脂フィルム11に接合して形成されている接着用樹脂13との接合時にキャビティ部14に発生する樹脂染みだしを防止するための制止部が設けられている。そして、Cu箔付き樹脂フィルム11と放熱板12は、Cu箔付き樹脂フィルム11を構成する熱硬化性の接着用樹脂13と放熱板12を当接させ、加熱しながら加圧して接着用樹脂13を硬化させながら接合されている。
【0014】
この高放熱型プラスチックパッケージ10には、Cu箔付き樹脂フィルム11のCu箔上にCuめっきが施された後、フォトリソグラフィ法とエッチングによって形成される導体配線パターン16が設けられている。更に、この高放熱型プラスチックパッケージ10には、導体配線パターン16が形成された面に、導体配線パターン16の必要部分を開口部から露出させるためにソルダーレジスト膜17が設けられている。
【0015】
図2(A)〜(C)に示すように、本発明の一実施の形態に係る変形例の高放熱型プラスチックパッケージ10aは、前記の高放熱型プラスチックパッケージ10の場合の構造に加えて半導体素子からの発熱を放熱するための放熱板12aの下面側にも導体配線パターン16aが設けられている。この場合の放熱板12aには、上、下面側の導体配線パターン16、16a間の電気的導通を取るためのスルーホール19用の貫通孔18が、予めドリル等を用いて設けられている。そして、この貫通孔18には、貫通孔18の壁面で短絡しないように形成された導体配線によって、上、下面側の導体配線パターン16、16a間の電気的導通が形成されている。また、放熱板12aには、前記の高放熱型プラスチックパッケージ10の場合と同様に、Cu箔付き樹脂フィルム11に接合して形成されている接着用樹脂13との接合時にキャビティ部14に発生する樹脂染みだしを防止するための制止部が設けられている。
【0016】
この高放熱型プラスチックパッケージ10aは、上面側に半導体素子を実装し、下面側に半田ボール等の外部接続端子を接続するキャビティアップ型のパッケージが構成でき、半導体素子からの発熱を効率よく放熱させると同時に、パッケージの両面を有効に利用して、パッケージの寸法を極めて小さくすることができる。なお、この変形例の高放熱型プラスチックパッケージ10aは、下面側の導体配線パターン16aがプリプレグを介して接合されているCu箔をもとに形成されたものであってもよく、下面側の導体配線パターン16aがCu箔付き樹脂フィルム11をもとにして形成されたものであってもよい。
【0017】
ここで、図3(A)、(B)を参照しながら本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージ10及び変形例の高放熱型プラスチックパッケージ10aの放熱板12、12aの制止部20の形態について説明する。なお、図3(A)、(B)では、高放熱型プラスチックパッケージ10を代表として説明する。図3(A)に示すように、高放熱型プラスチックパッケージ10に用いられる放熱板12には、Cu箔付き樹脂フィルム11がこのCu箔付き樹脂フィルム11に設けられた切り欠き15の周縁に若干のクリアランスを有して装着できる段差21からなる制止部20を有するのがよい。この段差21によって、放熱板12の半導体素子が実装されるキャビティ部14は、Cu箔付き樹脂フィルム11が接合される部分より高くした凸形状に形成されている。Cu箔付き樹脂フィルム11を放熱板12に加熱圧着した時の接着用樹脂13の樹脂染みだしは、段差21からなる制止部20によって遮られるので、キャビティ部14上への樹脂染みだしを少なくすることができる。
【0018】
また、図3(B)に示すように、高放熱型プラスチックパッケージ10に用いられる放熱板12には、Cu箔付き樹脂フィルム11がこのCu箔付き樹脂フィルム11に設けられた切り欠き15の周縁に沿って形成される溝22からなる制止部20を有するのがよい。この溝22は、放熱板12の半導体素子が実装されるキャビティ部14と、Cu箔付き樹脂フィルム11が接合される部分との間を隔離部分を形成している。Cu箔付き樹脂フィルム11を放熱板12に加熱圧着した時の接着用樹脂13の樹脂染みだしは、溝22からなる制止部20に樹脂を落とし込むことができるので、キャビティ部14上への樹脂染みだしを少なくすることができる。なお、放熱板12に形成される制止部20の形態は、溝22を有すると共に、キャビティ部14をCu箔付き樹脂フィルム11が接合される部分より高くした凸形状に形成したものであってもよい。
【0019】
次いで、図4(A)〜(E)を参照しながら本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージ10の製造方法を説明する。
図4(A)に示すように、放熱板12と接合して高放熱型プラスチックパッケージ10を作製するためのCu箔付き樹脂フィルム11は、10〜20μm程度の厚みのCu箔23に、ガラスクロス基材を含まない熱硬化型のBステージ状態の接着用樹脂13をドクターブレード法や、ロールコーター法等で50〜100μm程度に塗布してフィルム状に形成している。なお、Cu箔は、予め、還元性雰囲気で熱処理を行ったものを用いると、接着用樹脂13を接合した後に接合強度の高い安定した引き剥がし強さを得ることができる。
【0020】
次に、図4(B)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム11には、半導体素子を搭載するためのキャビティ部14(図4(E)参照)用の切り欠き15を打ち抜きプレス加工機等で穿設して設けている。Cu箔付き樹脂フィルム11には、Cu箔23と接着用樹脂13の接合体であるので、樹脂がガラスクロス等を含まず接合体自体が薄いので、ルーター加工機等を用いることなく、打ち抜きプレス加工機の打ち抜きで効率的に精度よく、安価に切り欠き15を形成することができる。
【0021】
次に、図4(C)に示すように、Cuや、Cu合金等の熱伝導率が高く、0.2mm程度の厚みの金属製部材からなる放熱板12には、制止部20の一例である、例えば、エッチングや、切削加工等によってキャビティ部14となる部分が凸形状になるようにしている。これによって、この凸形状からなるキャビティ部14の周縁には、Cu箔付き樹脂フィルム11に設けた切り欠き15の周縁に若干のクリアランスを有して沿うようになるように周囲に段差21からなる接着用樹脂13の樹脂染みだしを防止するための制止部20が形成される。なお、図示しないが制止部20は、例えば、エッチングや、切削加工等によって形成される溝22(図3(B)参照)で形成されていてもよい。また、放熱板12には、ホーニィング加工や、ブラックオキサイド等によって表面を表面粗化して接着用樹脂13と貼り合せた時の接合強度を向上させることができるようにしてもよい。
【0022】
次に、図4(D)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム11と放熱板12は、Cu箔付き樹脂フィルム11の接着用樹脂13側と放熱板12を直接当接させ、真空プレス等を用いて加熱圧着している。真空プレス機を用いて加熱圧着する場合には、例えば、真空度を50mmHg以下とし、温度170〜190℃、圧力2〜3MPa、175℃以上の温度中を40分以上加熱及び加圧を保持させて接着用樹脂13を硬化させて貼り合わせている。この加熱圧着によって、接着用樹脂13には、樹脂染みだしが発生するが、制止部20でこの樹脂染みだしを制止して、キャビティ部14上への樹脂染みだしを少なくしている。
【0023】
次に、図4(E)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム11のCu箔23上には、無電解Cuめっき及び電界CuめっきからなるCuめっき(図示せず)が施された後、通常のセミアディテブや、サブトラクティブ等によって導体配線パターン16が形成される。更に、導体配線パターン16が形成された面に、導体配線パターン16の必要部分を開口部から露出させるためにソルダーレジスト膜17が形成されることで、高放熱型プラスチックパッケージ10が作製されている。なお、高放熱型プラスチックパッケージ10は、シート状基材に多数個が形成されているので、半導体素子等が実装された後、最終的には切断箇所24で切断して作製している。
【0024】
次いで、図5(A)〜(E)を参照しながら本発明の一実施の形態に係る変形例の高放熱型プラスチックパッケージ10aの製造方法を説明する。
図5(A)に示すように、高放熱型プラスチックパッケージ10aを作製するためのCu箔付き樹脂フィルム11は、高放熱型プラスチックパッケージ10の場合と同様にCu箔23に接着用樹脂13を塗布してフィルム状に作製され、打ち抜きプレス加工機で切り欠き15を形成している。
【0025】
次に、図5(B)に示すように、Cuや、Cu合金等の熱伝導率の高い金属製部材からなる放熱板12aには、高放熱型プラスチックパッケージ10の場合と同様に、キャビティ部14を凸形状になるようにして、このキャビティ部14の周縁に段差21からなる接着用樹脂13の樹脂染みだしを防止するための制止部20を形成している。なお、図示しないが、高放熱型プラスチックパッケージ10の場合と同様に、制止部20は、例えば、溝22(図3(B)参照)で形成されていてもよい。そして、放熱板12aには、パッケージの上、下面側の導体配線パターン16、16a(図5(E)参照)間の電気的導通を取るためのスルーホール19用の貫通孔18をドリルマシーン等を用いて形成している。更に、放熱板12aには、ホーニィング加工や、ブラックオキサイド等によって表面に表面粗化を行っている。そして、放熱板12aの下面側には、下面側の導体配線パターン16aを形成するためのプリプレグ25及びCu箔23aを準備している。
【0026】
次に、図5(C)に示すように、放熱板12aの上面側の表面には、切り欠き15を形成したCu箔付き樹脂フィルム11の接着用樹脂13を直接当接させると同時に、放熱板12aの下面側の表面には、プリプレグ25を介してCu箔23aを当接し、高放熱型プラスチックパッケージ10の場合と同様に真空プレス等を用いて加熱しながら加圧して、全体を一度に接合して貼り合わせている。この貼り合せによって、放熱板12aの貫通孔18内には、接着用樹脂13やプリプレグ25で充填される。この加熱圧着によって、接着用樹脂13には、樹脂染みだしが発生するが、制止部20でこの樹脂染みだしを制止して、キャビティ部14上への樹脂染みだしを少なくしている。
【0027】
次に、図5(D)に示すように、接着用樹脂13やプリプレグ22で充填された貫通孔18の壁面が樹脂で被覆されるようにして貫通孔18の径よりも小さい径からなるスルーホール19用の孔26をドリルマシーン等で穿設する。そして、無電解Cuめっき及び電界Cuめっきを施して孔26の壁面にCuめっき膜27が形成されてなるスルーホール19を介して上面側のCu箔23及びCuめっき膜27と、下面側のCu箔23a及びCuめっき膜27とを電気的に導通状態とする。
【0028】
次に、図5(E)に示すように、高放熱型プラスチックパッケージ10の場合と同様に、上面側のCu箔23及びCuめっき膜27と、下面側のCu箔23a及びCuめっき膜27の両面に、通常のセミアディテブ法や、サブトラクティブ法等によって導体配線パターン16、16aが形成される。更に、導体配線パターン16、16aが形成された面に、導体配線パターン16、16aの必要部分を開口部から露出させるためにソルダーレジスト膜17、17aが形成されることで、高放熱型プラスチックパッケージ10aが作製されている。
【0029】
なお、高放熱型プラスチックパッケージ10aは、高放熱型プラスチックパッケージ10の場合と同様に、シート状基材に多数個が形成されているので、半導体素子等が実装された後、最終的には切断箇所24で切断して作製している。また、半導体素子が搭載されるキャビティ部14の下側には、放熱板12aに接続しソルダーレジスト膜17aの開口部から露出するサーマルビア(図示せず)を設けることで、半導体素子からの発熱を放熱する効果を更に向上させることができる。また、半導体素子が搭載されるキャビティ部14の下側の放熱板12aの裏面側には、放熱板12aの上面側に設けた段差21からなる制止部20と同様の凸形状部(図示せず)を形成し、上記と同様のサーマルビア(図示せず)を設けることもできる。これにより、半導体素子からの発熱の放熱効果を向上できると共に、放熱板12aの両面に均等な凸形状部を形成することで、放熱板12aの反りの発生を防止することができる。更に、上述の高放熱型プラスチックパッケージ10aの製造方法においては、放熱板12aの下面側の導体配線パターン16aを形成するためにプリプレグ25及びCu箔23aを用いているが、上面側の導体配線パターン16を形成するために用いたCu箔付き樹脂フィルム11と同様のCu箔付き樹脂フィルム11を用いて形成してもよい。
【0030】
次いで、図6(A)〜(D)を参照しながら本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージ10及び変形例の高放熱型プラスチックパッケージ10aの他の製造方法を説明する。なお、図6(A)〜(D)では、高放熱型プラスチックパッケージ10を用いた他の製造方法を代表として説明する。
図6(A)に示すように、高放熱型プラスチックパッケージ10を作製するためのCu箔付き樹脂フィルム11は、前記の全てのパッケージの場合と同様にCu箔23に接着用樹脂13を塗布してフィルム状に作製され、このCu箔付き樹脂フィルム11に打ち抜きプレス加工機で切り欠き15を形成している。
【0031】
次に、図6(B)に示すように、半導体素子からの発熱を放熱するためにCuや、Cu合金等の熱伝導率の高い金属製部材からなり、ホーニング加工や、ブラックオキサイド等によって表面を表面粗化して接着用樹脂13と貼り合せた時に接合強度を向上させることができる放熱板12を準備する。また、Cu箔付き樹脂フィルム11に形成した切り欠き15に嵌合できる凸部28を備え、樹脂や、金属で形成された押さえ治具29を準備する。更に、押さえ治具29とCu箔付き樹脂フィルム11との間に挟み込むための低融点樹脂フィルム30と離型フィルム31を準備する。
【0032】
次に、図6(C)に示すように、放熱板12上には、Cu箔付き樹脂フィルム11をCu箔付き樹脂フィルム11の接着用樹脂13側が放熱板12上に接するように載置し、更に、低融点樹脂フィルム30を介する離型フィルム31をキャビティ部14及びCu箔付き樹脂フィルム11上に載置し、低融点樹脂フィルム30の上から押さえ治具29で押し付けるている。押さえ治具29の凸部28は、Cu箔付き樹脂フィルム11の切り欠き15に嵌合しているので、この凸部28によって、キャビティ部14が低融点樹脂フィルム30を介する離型フィルム31でシールすることができる。そして、この状態のままで接着用樹脂13を加熱してCu箔付き樹脂フィルム11と放熱板12を接合させると共に、接着用樹脂13のキャビティ部14への樹脂染みだしを低融点樹脂フィルム30を介する離型フィルム31で制止させている。
【0033】
次に、図6(D)に示すように、Cu箔付き樹脂フィルム11と放熱板12の接合後は、押さえ治具29を取り外し、更に、低融点樹脂フィルム30を介する離型フィルム31を除去している。なお、この後は、上述の製造方法と同様にして作製され、高放熱型プラスチックパッケージ10及び変形例の高放熱型プラスチックパッケージ10aが作製されている。
【0034】
【発明の効果】
請求項1及びこれに従属する請求項2又は3記載の高放熱型プラスチックパッケージは、Cu箔に接着用樹脂が接合されて形成され、キャビティ部用の切り欠きが穿設されて有するCu箔付き樹脂フィルムと、放熱板が、接着用樹脂で直接接合される高放熱型プラスチックパッケージであって、放熱板にはCu箔付き樹脂フィルムの接着用樹脂との接合時の樹脂染みだしを防止するための制止部を有するので、Cu箔付き樹脂フィルムと放熱板の接合にプリプレグ等の後付けの接着材を用いていないで、パッケージの厚さが薄く、安価であり、接合精度のよい高放熱型プラスチックパッケージが提供できる。また、接着用樹脂の接合時のキャビティ部への樹脂染みだしを防止でき、半導体素子の実装信頼性を向上することができる。
【0035】
特に、請求項2記載の高放熱型プラスチックパッケージは、制止部が切り欠きに若干のクリアランスを有して装着できる段差からなるので、キャビティ部に形成できる段差部分で接着用樹脂のキャビティ部への樹脂染みだしを防止でき、半導体素子の実装信頼性を向上することができる。
【0036】
また、請求項3記載の高放熱型プラスチックパッケージは、制止部が切り欠きの周縁に沿って形成される溝からなるので、溝部分で接着用樹脂のキャビティ部への樹脂染みだしを防止でき、半導体素子の実装信頼性を向上することができる。
【0037】
請求項4記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、Cu箔に接着用樹脂を接合し、キャビティ部用の切り欠きを穿設して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、放熱板を、接着用樹脂で直接接合して形成する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、放熱板にはCu箔付き樹脂フィルムの切り欠きの周縁に沿うように段差又は溝を形成する工程と、接着用樹脂を加熱してCu箔付き樹脂フィルムと放熱板を接合すると共に、接着用樹脂の樹脂染みだしを段差又は溝で制止させる工程を有するので、接着用樹脂で放熱板と容易に、精度よく、一度に接合でき、厚みの薄い安価な高放熱型プラスチックパッケージを製造できる。また、キャビティ部の放熱板上に接着用樹脂の樹脂染みだしの発生を段差又は溝部分で防止でき、半導体素子の接合信頼性を高くして実装でき、半導体素子からの発熱を効率よく放熱できる高放熱型プラスチックパッケージを製造できる。
【0038】
請求項5記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、Cu箔に接着用樹脂を接合し、キャビティ部用の切り欠きを穿設して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、放熱板を、接着用樹脂で直接接合して形成する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、切り欠きに嵌合できる凸部を有する押さえ治具を用いて低融点樹脂フィルムを介する離型フィルムをキャビティ部及びCu箔付き樹脂フィルム上に押し付ける工程と、接着用樹脂を加熱してCu箔付き樹脂フィルムと放熱板を接合すると共に、接着用樹脂の樹脂染みだしを低融点樹脂フィルムを介する離型フィルムで制止させる工程と、押さえ治具を除去すると共に、低融点樹脂フィルムを介する離型フィルムを除去する工程を有するので、接着用樹脂で放熱板と容易に、精度よく、一度に接合でき、厚みの薄い安価な高放熱型プラスチックパッケージを製造できる。また、キャビティ部の放熱板上に接着用樹脂の樹脂染みだしの発生を押さえ治具で押し付けられた低融点樹脂フィルムを介する離型フィルムで防止でき、半導体素子の接合信頼性を高くして実装でき、半導体素子からの発熱を効率よく放熱できる高放熱型プラスチックパッケージを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)、(B)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高放熱型プラスチックパッケージの斜視図、縦断面図である。
【図2】(A)〜(C)はそれぞれ同変形例の高放熱型プラスチックパッケージの上面側斜視図、下面側斜視図、縦断面図である。
【図3】(A)、(B)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージ及び変形例の高放熱型プラスチックパッケージの放熱板の制止部の説明図である。
【図4】(A)〜(E)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージの製造方法の説明図である。
【図5】(A)〜(E)はそれぞれ同変形例の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法の説明図である。
【図6】(A)〜(D)はそれぞれ同高放熱型プラスチックパッケージ及び変形例の高放熱型プラスチックパッケージの他の製造方法の説明図である。
【図7】(A)〜(D)は従来の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法の説明図である。
【符号の説明】
10、10a:高放熱型プラスチックパッケージ、11:Cu箔付き樹脂フィルム、12、12a:放熱板、13:接着用樹脂、14:キャビティ部、15:切り欠き、16、16a:導体配線パターン、17、17a:ソルダーレジスト膜、18:貫通孔、19:スルーホール、20:制止部、21:段差、22:溝、23、23a:Cu箔、24:切断箇所、25:プリプレグ、26:孔、27:Cuめっき膜、28:凸部、29:押さえ治具、30:低融点樹脂フィルム、31:離型フィルム
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a high heat dissipation plastic package for mounting a semiconductor element and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a high heat dissipation plastic package formed by bonding a resin substrate and a heat sink, and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
With the recent increase in performance and miniaturization of semiconductor elements, plastic packages for mounting semiconductor elements have increased the amount of heat generated from the semiconductor elements, increased the number of terminals for connection to the outside, and mounted semiconductor elements. From the viewpoints of performance, cost reduction, impedance reduction, and the like, a high heat dissipation type plastic package such as a BGA (Ball Grid Array) type having a high heat dissipation structure is often used. This high heat radiation type plastic package has a single-layer or multi-layer structure made of a BT resin (a resin having bismaileimide triazine as a main component) or a polyimide resin having a conductor layer formed by bonding Cu foil on one or both surfaces. A heat radiating plate made of a metal plate such as Cu having a high thermal conductivity is bonded to a high heat-resistant resin substrate via an adhesive such as a prepreg (for example, see Patent Documents 1 and 2).
[0003]
With reference to FIGS. 7A to 7D, a method of manufacturing a conventional high heat radiation type plastic package 50 will be described. As shown in FIG. 7A, a through-hole 53a for a through-hole 53 is formed in a resin substrate 51 containing a glass cloth to which a Cu foil 52 is bonded so as to conduct the front and back surfaces. An electroless Cu plating film is provided on the front and back surfaces and the wall surfaces of the through-holes 53a. Next, as shown in FIG. 7B, an etching resist pattern is formed by a photolithography method in which a dry film is stuck on the Cu plating film 54, exposed and developed by contacting a pattern mask, and the etching resist is formed. The Cu plating film 54 and the Cu foil 52 exposed from the opening of the pattern are removed by etching, and the dry film is peeled off to form the wiring pattern 55. Next, as shown in FIG. 7C, in order to form a cavity for mounting a semiconductor element on the resin substrate 51 on which the wiring pattern 55 is formed, a router processing machine is used to substantially form the cavity. A rectangular cutout 56 is formed. Next, as shown in FIG. 7 (D), a resin substrate 51 and a heat radiating plate 57 made of a Cu plate or the like are joined by heating and pressure bonding through an adhesive 58 such as a prepreg to form a high heat radiating plastic package 50. are doing. Note that a solder resist film 59 is formed on the upper surface side of the resin substrate 51 so that a necessary portion of the wiring pattern 55 is exposed from the opening.
[0004]
As a BGA type package having good heat dissipation, a package in which a TAB (Tape Automated Bonding) tape is joined to a reinforcing plate having good heat dissipation with a thermosetting adhesive has been proposed (for example, see Patent Document 3). .
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-7-321250 (page 1-14, FIG. 1)
[Patent Document 2]
JP-A-10-308467 (pages 1-5, FIG. 2)
[Patent Document 3]
JP 2001-68512 A (Pages 1-6, FIG. 1)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional high heat radiation type plastic package and the method for manufacturing the same as described above have the following problems.
(1) Since the base material for forming the conductor wiring pattern and the heat sink are joined by using an adhesive to be attached later, the total thickness after joining becomes thicker depending on the thickness of the adhesive portion, It is required to be light and thin, for example, which hinders use in electronic devices such as mobile phones and personal computers.
(2) When a post-adhesive material is used for joining the conductive wiring pattern forming base material and the heat sink, the adhesive material is applied to the resin substrate or the heat sink with high accuracy, or the adhesive sheet is applied with high accuracy. It takes time, man-hours, and material costs to attach, and the cost of the high heat radiation type plastic package is increased. In addition, when bonding is performed using an adhesive or an adhesive sheet, the bonding resin oozes into the cavity at the time of bonding, resulting in reduced reliability when mounting the semiconductor element in the cavity. I have.
The present invention has been made in view of such circumstances, without using a thick adhesive such as a prepreg between the resin substrate and the heat sink, less resin exudation of the adhesive, inexpensive, An object of the present invention is to provide a high heat radiation type plastic package having good joining accuracy and a small thickness, and a method of manufacturing the same.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The high heat radiation type plastic package according to the present invention, which meets the above object, is formed by bonding an adhesive resin to a Cu foil, and is provided with a cutout for a cavity portion for mounting a semiconductor element at a substantially central portion in plan view. A high heat radiation type plastic package in which a resin film with a Cu foil having a notch formed therein and a heat radiation plate for dissipating heat generated from the semiconductor element are directly bonded with an adhesive resin, and the heat radiation plate has Cu It has a stopping portion for preventing resin seepage during bonding of the resin for adhesion of the resin film with foil. As a result, since a post-adhesive material such as a prepreg is not used for joining the resin film with a Cu foil, which is a base material for forming a conductor wiring pattern, and a heat sink, the package is thin, inexpensive, and has a Cu foil. It is possible to provide a high heat radiation type plastic package with good joining accuracy between the resin film and the heat radiation plate. In addition, since the resin exuding into the cavity at the time of joining the adhesive resin can be prevented, a high heat radiation type plastic package which can improve the mounting reliability of the semiconductor element can be provided.
[0008]
Here, the high heat radiation type plastic package is preferably made of a step which can be mounted with a slight clearance in the notch in the notch. As a result, the resin can be prevented from exuding into the cavity at the stepped portion where the cavity can be formed so as to protrude in a convex shape, so that the high heat radiation type plastic can improve the mounting reliability of the semiconductor element. Package can be provided.
[0009]
Further, in the high heat radiation type plastic package, it is preferable that the stopping portion is formed of a groove formed along the periphery of the notch. Thus, the resin can be prevented from seeping into the cavity at the groove portion, so that a high heat radiation type plastic package which can improve the mounting reliability of the semiconductor element can be provided.
[0010]
A method of manufacturing a high heat radiation type plastic package according to the present invention, which meets the above-mentioned object, comprises bonding a bonding resin to a Cu foil, and cutting a cavity portion for mounting a semiconductor element at a substantially central portion in plan view. A method for manufacturing a high heat radiation type plastic package, wherein a resin film with a Cu foil formed by forming a notch and a heat radiating plate for radiating heat generated from a semiconductor element are directly bonded with an adhesive resin. A step of forming a step or groove along the periphery of the notch of the resin film with Cu foil on the heat sink, and bonding the resin film with Cu foil to the heat sink by heating the adhesive resin, A step of stopping resin exudation of the resin by steps or grooves. This makes it possible to provide a method of manufacturing a low-cost, high-heat-dissipation plastic package that can be easily and accurately bonded to the heat radiating plate at a time with the resin for bonding the resin film with the Cu foil, and that is thin and inexpensive. In addition, since the occurrence of resin exudation of the adhesive resin on the heat sink in the cavity can be prevented by the steps or grooves, the semiconductor element can be mounted with high bonding reliability, and heat generated from the semiconductor element can be efficiently radiated. It is possible to provide a method for manufacturing a high heat radiation type plastic package.
[0011]
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a high heat radiation type plastic package according to the present invention, comprising bonding an adhesive resin to a Cu foil, and placing a semiconductor element at a substantially central portion in plan view. Manufacture of a high heat radiation type plastic package formed by directly bonding a resin film with a Cu foil formed by forming a cutout for a part and a heat radiating plate for radiating heat generated from a semiconductor element with an adhesive resin. And pressing the release film through the low melting point resin film on the cavity and the resin film with Cu foil using a holding jig having a convex portion that can be fitted into the notch of the resin film with Cu foil. The resin for bonding is heated to join the resin film with Cu foil and the heat sink, and the resin exuding of the resin for bonding is controlled by the release film via the low melting point resin film. A step of, to remove the pressing jig, comprising the step of removing the release film through a low-melting point resin film. This makes it possible to provide a method of manufacturing a low-cost, high-heat-dissipation plastic package that can be easily and accurately bonded to the heat radiating plate at a time with the resin for bonding the resin film with the Cu foil, and that is thin and inexpensive. In addition, since the occurrence of resin exudation of the adhesive resin on the heat sink in the cavity portion can be prevented by the release film via the low melting point resin film pressed by the holding jig, the bonding reliability of the semiconductor element is improved. It is possible to provide a method of manufacturing a high heat radiation type plastic package which can be mounted and efficiently radiates heat generated from a semiconductor element.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention.
Here, FIGS. 1A and 1B are a perspective view and a longitudinal sectional view, respectively, of a high heat radiation type plastic package according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3A and 3B are respectively a top perspective view, a bottom perspective view, and a vertical cross-sectional view of the high heat radiation plastic package of FIG. 4 (A) to 4 (E) are explanatory diagrams of a method of manufacturing the high heat radiation type plastic package, and FIGS. 5 (A) to 5 (E) are high heat radiation type plastics of the same modification. FIGS. 6A to 6D are explanatory views of a method of manufacturing a package, and FIGS. 6A to 6D are explanatory views of another method of manufacturing the high-heat-dissipation plastic package and the modified high-heat-dissipation plastic package, respectively.
[0013]
As shown in FIGS. 1A and 1B, a high heat radiation type plastic package 10 according to an embodiment of the present invention includes a resin film 11 with a Cu foil and a heat radiation plate 12. The resin film 11 with a Cu foil is formed in a film shape by applying an adhesive resin 13 not containing a glass cloth base material to a Cu foil. In the resin film 11 with Cu foil, a notch 15 for a cavity portion 14 for mounting a semiconductor element in a substantially central portion of the package in a plan view is provided by punching with a punching press or the like. On the other hand, the heat radiating plate 12 is made of a Cu plate or the like having a high thermal conductivity so that heat generated from the semiconductor element can be efficiently radiated, and has a rough surface to improve the bonding strength with the bonding resin 13. Has been applied. Further, the heat radiating plate 12 is provided with a stopping portion for preventing resin seepage generated in the cavity portion 14 at the time of bonding with the bonding resin 13 formed by bonding to the resin film 11 with Cu foil. ing. Then, the resin film 11 with the Cu foil and the heat radiating plate 12 are brought into contact with the thermosetting adhesive resin 13 and the heat radiating plate 12 constituting the resin film 11 with the Cu foil, and pressurized while being heated. Are bonded while curing.
[0014]
The high heat radiation type plastic package 10 is provided with a conductor wiring pattern 16 formed by applying a Cu plating on a Cu foil of the resin film 11 with a Cu foil and then performing photolithography and etching. Further, the high heat radiation type plastic package 10 is provided with a solder resist film 17 on the surface on which the conductor wiring pattern 16 is formed in order to expose a necessary portion of the conductor wiring pattern 16 from the opening.
[0015]
As shown in FIGS. 2A to 2C, a modified example of the high heat dissipation plastic package 10a according to the embodiment of the present invention includes a semiconductor in addition to the structure of the high heat dissipation plastic package 10 described above. A conductor wiring pattern 16a is also provided on the lower surface side of the heat radiating plate 12a for radiating heat generated from the elements. In this case, the heat radiating plate 12a is provided with a through hole 18 for a through hole 19 for establishing electrical continuity between the upper and lower conductor wiring patterns 16, 16a using a drill or the like in advance. In the through hole 18, electrical conduction between the upper and lower conductor wiring patterns 16 and 16 a is formed by conductor wiring formed so as not to cause a short circuit on the wall surface of the through hole 18. Further, as in the case of the high heat radiation type plastic package 10, the heat radiation plate 12a is generated in the cavity portion 14 when the heat radiation plate 12a is joined to the bonding resin 13 formed by joining the resin film 11 with the Cu foil. A stop is provided to prevent resin seepage.
[0016]
The high heat radiation type plastic package 10a can be configured as a cavity-up type package in which a semiconductor element is mounted on the upper surface side and an external connection terminal such as a solder ball is connected on the lower surface side, and heat generated from the semiconductor element is efficiently radiated. At the same time, the dimensions of the package can be made extremely small by effectively utilizing both sides of the package. The high heat radiation type plastic package 10a of this modification may be formed from a Cu foil to which the lower-side conductor wiring pattern 16a is joined via a prepreg. The wiring pattern 16a may be formed based on the resin film 11 with Cu foil.
[0017]
Here, with reference to FIGS. 3A and 3B, the high heat radiation type plastic package 10 according to the embodiment of the present invention and the restraining portions of the heat radiation plates 12 and 12a of the high heat radiation type plastic package 10a of the modified example. Twenty embodiments will be described. 3A and 3B, the high heat radiation type plastic package 10 will be described as a representative. As shown in FIG. 3 (A), the heat dissipation plate 12 used in the high heat dissipation type plastic package 10 has a resin film 11 with a Cu foil slightly around the notch 15 provided in the resin film 11 with the Cu foil. It is good to have the stopping part 20 which consists of the level | step difference 21 which can be attached with clearance of. Due to the step 21, the cavity portion 14 of the heat sink 12 where the semiconductor element is mounted is formed in a convex shape higher than the portion where the resin film 11 with the Cu foil is joined. The resin seepage of the adhesive resin 13 when the resin film 11 with the Cu foil is heat-pressed to the heat radiating plate 12 is blocked by the stopping portion 20 composed of the step 21, so that the resin seepage onto the cavity portion 14 is reduced. be able to.
[0018]
As shown in FIG. 3 (B), the heat dissipation plate 12 used in the high heat dissipation type plastic package 10 has a resin film 11 with a Cu foil provided around the notch 15 provided in the resin film 11 with the Cu foil. It is good to have the stopping part 20 which consists of the groove | channel 22 formed along. The groove 22 forms an isolated portion between the cavity portion 14 of the heat sink 12 where the semiconductor element is mounted and the portion where the resin film 11 with Cu foil is joined. The resin seepage of the adhesive resin 13 when the resin film 11 with the Cu foil is heat-pressed to the heat radiating plate 12 can be poured into the stopping portion 20 formed by the groove 22, so that the resin seeping onto the cavity portion 14. Dashi can be reduced. In addition, the form of the restraining portion 20 formed on the heat sink 12 has a groove 22 and the cavity portion 14 is formed in a convex shape higher than a portion where the resin film 11 with the Cu foil is joined. Good.
[0019]
Next, a method of manufacturing the high heat radiation type plastic package 10 according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 4 (A), a resin film 11 with a Cu foil for manufacturing a high heat radiation type plastic package 10 by bonding to a heat radiation plate 12 is formed by forming a glass cloth on a Cu foil 23 having a thickness of about 10 to 20 μm. A thermosetting B-stage adhesive resin 13 containing no base material is applied to a thickness of about 50 to 100 μm by a doctor blade method, a roll coater method, or the like to form a film. If a Cu foil that has been previously heat-treated in a reducing atmosphere is used, a stable peeling strength with high bonding strength can be obtained after bonding the bonding resin 13.
[0020]
Next, as shown in FIG. 4B, a notch 15 for a cavity portion 14 (see FIG. 4E) for mounting a semiconductor element is punched out in the resin film 11 with a Cu foil. And the like. Since the resin film 11 with the Cu foil is a bonded body of the Cu foil 23 and the bonding resin 13, the resin itself does not include glass cloth or the like, and the bonded body itself is thin. The notch 15 can be formed efficiently, accurately and inexpensively by punching of a processing machine.
[0021]
Next, as shown in FIG. 4C, the heat radiation plate 12 made of a metal member having a high thermal conductivity such as Cu or a Cu alloy and having a thickness of about 0.2 mm is provided as an example of the stopping portion 20. For example, a portion to be the cavity portion 14 is made convex by, for example, etching or cutting. As a result, a step 21 is formed around the periphery of the cavity portion 14 having the convex shape so as to have a slight clearance along the periphery of the notch 15 provided in the resin film 11 with Cu foil. A stopper 20 is formed to prevent the resin 13 for adhesion from seeping out of the resin. Although not shown, the stopper 20 may be formed by a groove 22 (see FIG. 3B) formed by, for example, etching or cutting. Further, the heat radiating plate 12 may be configured so that the surface thereof is roughened by honing or black oxide or the like to improve the bonding strength when the heat radiating plate 12 is bonded to the bonding resin 13.
[0022]
Next, as shown in FIG. 4D, the resin film 11 with the Cu foil and the heat radiating plate 12 are brought into direct contact with the adhesive resin 13 side of the resin film 11 with the Cu foil and the heat radiating plate 12, and a vacuum press or the like is performed. And thermocompression bonding. In the case of thermocompression bonding using a vacuum press machine, for example, the degree of vacuum is set to 50 mmHg or less, the temperature is 170 to 190 ° C., the pressure is 2 to 3 MPa, and the heating and pressurization are maintained for 40 minutes or more in a temperature of 175 ° C. or more. The adhesive resin 13 is hardened and bonded. Resin exudation occurs in the bonding resin 13 due to the heat compression bonding. The exudation of the resin is suppressed by the restricting portion 20 to reduce the amount of resin exuding onto the cavity portion 14.
[0023]
Next, as shown in FIG. 4 (E), after Cu plating (not shown) made of electroless Cu plating and electric field Cu plating is performed on the Cu foil 23 of the resin film 11 with Cu foil, The conductor wiring pattern 16 is formed by ordinary semi-additive, subtractive, or the like. Further, a solder resist film 17 is formed on the surface on which the conductor wiring pattern 16 is formed in order to expose a necessary portion of the conductor wiring pattern 16 from the opening, whereby the high heat radiation type plastic package 10 is manufactured. . Since a large number of the high heat radiation type plastic packages 10 are formed on a sheet-like base material, the high heat radiation type plastic packages 10 are finally cut at cut portions 24 after the semiconductor elements and the like are mounted.
[0024]
Next, with reference to FIGS. 5A to 5E, a description will be given of a method of manufacturing a high heat radiation type plastic package 10a according to a modification of the embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 5A, the resin film 11 with a Cu foil for producing the high heat radiation type plastic package 10a is formed by applying the adhesive resin 13 to the Cu foil 23 similarly to the case of the high heat radiation type plastic package 10. The notch 15 is formed by a punching press machine.
[0025]
Next, as shown in FIG. 5 (B), the radiating plate 12a made of a metal member having a high thermal conductivity such as Cu or a Cu alloy is provided with a cavity portion as in the case of the high heat radiating plastic package 10. A stopper 20 is formed on the periphery of the cavity 14 so as to prevent the exudation of the adhesive resin 13 formed of the step 21 from the resin. Although not shown, the stopper 20 may be formed of, for example, a groove 22 (see FIG. 3B), as in the case of the high heat radiation type plastic package 10. In the heat sink 12a, a through hole 18 for a through hole 19 for establishing electrical continuity between the conductor wiring patterns 16, 16a (see FIG. 5 (E)) on the upper and lower surfaces of the package is provided with a drill machine or the like. It is formed by using. Further, the surface of the heat sink 12a is roughened by honing, black oxide or the like. The prepreg 25 and the Cu foil 23a for forming the conductor wiring pattern 16a on the lower surface side are prepared on the lower surface side of the heat sink 12a.
[0026]
Next, as shown in FIG. 5 (C), the adhesive resin 13 of the resin film 11 with the Cu foil on which the notch 15 is formed is brought into direct contact with the upper surface side of the heat sink 12a, The Cu foil 23a is brought into contact with the surface on the lower surface side of the plate 12a via the prepreg 25, and is pressed while heating using a vacuum press or the like as in the case of the high heat radiation type plastic package 10, and the whole is simultaneously formed. Joined and bonded. By this bonding, the inside of the through hole 18 of the heat sink 12a is filled with the bonding resin 13 and the prepreg 25. Resin exudation occurs in the bonding resin 13 due to the heat compression bonding. The exudation of the resin is suppressed by the restricting portion 20 to reduce the amount of resin exuding onto the cavity portion 14.
[0027]
Next, as shown in FIG. 5D, the wall of the through hole 18 filled with the adhesive resin 13 or the prepreg 22 is covered with the resin so that the through hole 18 has a diameter smaller than the diameter of the through hole 18. A hole 26 for the hole 19 is formed by a drill machine or the like. Then, the Cu foil 23 and the Cu plating film 27 on the upper surface side and the Cu plating film 27 on the lower surface side The foil 23a and the Cu plating film 27 are electrically connected.
[0028]
Next, as shown in FIG. 5E, the Cu foil 23 and the Cu plating film 27 on the upper surface side and the Cu foil 23a and the Cu plating film 27 on the lower surface side are formed similarly to the case of the high heat radiation type plastic package 10. Conductive wiring patterns 16 and 16a are formed on both sides by a normal semi-additive method, a subtractive method, or the like. Further, the solder resist films 17 and 17a are formed on the surfaces on which the conductor wiring patterns 16 and 16a are formed so as to expose necessary portions of the conductor wiring patterns 16 and 16a from the openings. 10a has been fabricated.
[0029]
Since a large number of the high heat dissipation plastic packages 10a are formed on the sheet-like substrate similarly to the case of the high heat dissipation plastic package 10, after the semiconductor element and the like are mounted, the high heat dissipation plastic package 10a is finally cut. It is manufactured by cutting at a location 24. Further, a thermal via (not shown) connected to the heat radiating plate 12a and exposed from the opening of the solder resist film 17a is provided below the cavity portion 14 in which the semiconductor element is mounted, thereby generating heat from the semiconductor element. Can be further improved. On the back side of the radiator plate 12a below the cavity portion 14 in which the semiconductor element is mounted, a convex portion (not shown) similar to the stop portion 20 formed by the step 21 provided on the upper surface side of the radiator plate 12a. ) Can be formed, and a thermal via (not shown) similar to the above can be provided. Thereby, the heat radiation effect of the heat generated from the semiconductor element can be improved, and the occurrence of warpage of the heat radiation plate 12a can be prevented by forming uniform convex portions on both surfaces of the heat radiation plate 12a. Further, in the method of manufacturing the high heat radiation type plastic package 10a described above, the prepreg 25 and the Cu foil 23a are used to form the conductor wiring pattern 16a on the lower surface side of the heat sink 12a, but the conductor wiring pattern on the upper surface side is used. 16 may be formed using the same resin film 11 with Cu foil used as the resin film 11 with Cu foil used.
[0030]
Next, another method of manufacturing the high heat radiation type plastic package 10 according to the embodiment of the present invention and the modified high heat radiation type plastic package 10a will be described with reference to FIGS. 6A to 6D, another manufacturing method using the high heat radiation type plastic package 10 will be described as a representative.
As shown in FIG. 6A, a resin film 11 with a Cu foil for producing a high heat radiation type plastic package 10 is obtained by applying an adhesive resin 13 to a Cu foil 23 in the same manner as in all the above-described packages. The cutout 15 is formed in the resin film 11 with the Cu foil by a punching press machine.
[0031]
Next, as shown in FIG. 6B, a metal member having a high thermal conductivity such as Cu or a Cu alloy is used to radiate heat generated from the semiconductor element. A heat radiating plate 12 capable of improving the bonding strength when the surface is roughened and bonded to the bonding resin 13 is prepared. In addition, a holding jig 29 provided with a convex portion 28 that can be fitted into the notch 15 formed in the resin film 11 with a Cu foil and made of resin or metal is prepared. Further, a low melting point resin film 30 and a release film 31 to be sandwiched between the holding jig 29 and the resin film 11 with Cu foil are prepared.
[0032]
Next, as shown in FIG. 6C, the resin film 11 with the Cu foil is placed on the heat radiating plate 12 such that the bonding resin 13 side of the resin film 11 with the Cu foil is in contact with the heat radiating plate 12. Further, the release film 31 via the low melting point resin film 30 is placed on the cavity portion 14 and the resin film 11 with Cu foil, and is pressed from above the low melting point resin film 30 by the holding jig 29. Since the convex portion 28 of the holding jig 29 is fitted into the notch 15 of the resin film 11 with the Cu foil, the convex portion 28 allows the cavity portion 14 to be formed by the release film 31 via the low melting point resin film 30. Can be sealed. Then, in this state, the adhesive resin 13 is heated to join the resin film 11 with the Cu foil and the heat radiating plate 12, and the resin exuding the cavity 13 of the adhesive resin 13 into the low melting point resin film 30 is performed. The release film 31 intervenes.
[0033]
Next, as shown in FIG. 6D, after the resin film 11 with the Cu foil and the heat sink 12 are joined, the holding jig 29 is removed, and the release film 31 via the low melting point resin film 30 is further removed. are doing. After that, the high heat radiation type plastic package 10 and the modified high heat radiation type plastic package 10a are manufactured in the same manner as the above-described manufacturing method.
[0034]
【The invention's effect】
The high heat radiation type plastic package according to claim 1 or claim 2 or 3 is formed by bonding an adhesive resin to a Cu foil, and has a cutout for a cavity portion with a Cu foil. A high heat dissipation plastic package in which a resin film and a heat radiating plate are directly joined with an adhesive resin. The heat radiating plate is used to prevent resin exudation when the resin film with Cu foil is joined to the adhesive resin. Since the resin film with Cu foil and the heat radiating plate are not bonded using a post-adhesive material such as prepreg, the thickness of the package is thin, inexpensive, and a high heat radiation type plastic with good bonding accuracy. Package can be provided. In addition, it is possible to prevent the resin from leaking into the cavity when the bonding resin is joined, and to improve the mounting reliability of the semiconductor element.
[0035]
In particular, in the high heat radiation type plastic package according to the second aspect, the stopping portion has a step which can be mounted with a slight clearance in the notch. Resin seepage can be prevented, and the mounting reliability of the semiconductor element can be improved.
[0036]
Further, in the high heat radiation type plastic package according to the third aspect, since the stopping portion is formed by the groove formed along the periphery of the notch, it is possible to prevent the resin from leaking into the cavity portion of the bonding resin at the groove portion, The mounting reliability of the semiconductor element can be improved.
[0037]
The method of manufacturing a high heat radiation type plastic package according to claim 4, wherein the resin film with the Cu foil formed by bonding the adhesive resin to the Cu foil and forming a cutout for the cavity is bonded to the heat radiation plate. Forming a step or a groove along the periphery of a notch of a resin film with a Cu foil on a heat radiating plate, the method comprising: A step of heating the resin to join the resin film with the Cu foil and the heat sink and stopping the resin exudation of the adhesive resin with a step or groove, easily and accurately with the heat sink with the adhesive resin, It can be joined at once, and a thin and inexpensive high heat radiation type plastic package can be manufactured. In addition, the occurrence of resin exudation of the adhesive resin on the heat radiating plate in the cavity portion can be prevented by the step or the groove portion, the semiconductor device can be mounted with high bonding reliability of the semiconductor device, and the heat generated from the semiconductor device can be efficiently radiated. High heat radiation type plastic package can be manufactured.
[0038]
The method of manufacturing a high heat radiation type plastic package according to claim 5, wherein a resin film with a Cu foil formed by bonding a bonding resin to a Cu foil and forming a cutout for a cavity is bonded to the heat radiation plate. A method for manufacturing a high heat radiation type plastic package formed by directly joining with a resin for use, comprising: using a holding jig having a convex portion that can be fitted into a notch; Step of pressing on the resin film with Cu foil, heating the adhesive resin to join the resin film with Cu foil and the heat sink, and controlling the resin exudation of the adhesive resin with the release film via the low melting point resin film And a step of removing the holding jig and removing the release film through the low melting point resin film. , Accurately, can joined at a time, it can be produced small thickness inexpensive high heat dissipation plastic package. In addition, the release of the adhesive resin onto the heat sink in the cavity can be prevented by the release film via the low-melting resin film pressed by the holding jig, and the bonding reliability of the semiconductor element is increased. As a result, a high heat dissipation plastic package capable of efficiently dissipating heat generated from the semiconductor element can be manufactured.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B are a perspective view and a longitudinal sectional view, respectively, of a high heat radiation type plastic package according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A to 2C are a top perspective view, a bottom perspective view, and a longitudinal sectional view, respectively, of a high heat radiation type plastic package of the modification.
FIGS. 3A and 3B are explanatory views of a stop portion of a heat radiating plate of the high heat radiation type plastic package and the modified high heat radiation type plastic package, respectively.
FIGS. 4A to 4E are diagrams illustrating a method of manufacturing the high heat radiation type plastic package.
FIGS. 5A to 5E are diagrams illustrating a method of manufacturing a high heat radiation type plastic package according to the modification.
FIGS. 6A to 6D are diagrams illustrating another method of manufacturing the high heat radiation plastic package and the modified high heat radiation plastic package, respectively.
FIGS. 7A to 7D are explanatory views of a conventional method for manufacturing a high heat radiation plastic package.
[Explanation of symbols]
10, 10a: High heat radiation type plastic package, 11: Resin film with Cu foil, 12, 12a: Heat radiation plate, 13: Adhesive resin, 14: Cavity, 15: Notch, 16, 16a: Conductor wiring pattern, 17 , 17a: solder resist film, 18: through hole, 19: through hole, 20: stop, 21: step, 22: groove, 23, 23a: Cu foil, 24: cut, 25: prepreg, 26: hole, 27: Cu plating film, 28: convex portion, 29: holding jig, 30: low melting point resin film, 31: release film

Claims (5)

Cu箔に接着用樹脂が接合されて形成され、平面視して実質的中央部に半導体素子を載置させるためのキャビティ部用の切り欠きが穿設されて有するCu箔付き樹脂フィルムと、前記半導体素子からの発熱を放熱するための放熱板が、前記接着用樹脂で直接接合される高放熱型プラスチックパッケージであって、
前記放熱板には前記Cu箔付き樹脂フィルムの前記接着用樹脂との接合時の樹脂染みだしを防止するための制止部を有すること特徴とする高放熱型プラスチックパッケージ。
A resin film with a Cu foil formed by bonding an adhesive resin to a Cu foil, and a cutout for a cavity portion for mounting a semiconductor element in a substantially central portion in plan view is provided; A heat radiating plate for radiating heat generated from the semiconductor element is a high heat radiating plastic package directly joined with the bonding resin,
A high heat radiation type plastic package, wherein the heat radiation plate has a stopping portion for preventing resin seepage when the resin film with the Cu foil is bonded to the adhesive resin.
請求項1記載の高放熱型プラスチックパッケージにおいて、前記制止部が前記切り欠きに若干のクリアランスを有して装着できる段差からなることを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージ。2. The high heat radiation type plastic package according to claim 1, wherein said stopping portion comprises a step which can be attached to said notch with a slight clearance. 請求項1記載の高放熱型プラスチックパッケージにおいて、前記制止部が前記切り欠きの周縁に沿って形成される溝からなることを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージ。2. The high heat radiation type plastic package according to claim 1, wherein said stopping portion comprises a groove formed along a peripheral edge of said notch. Cu箔に接着用樹脂を接合し、平面視して実質的中央部に半導体素子を載置させるためのキャビティ部用の切り欠きを穿設して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、前記半導体素子からの発熱を放熱するための放熱板を、前記接着用樹脂で直接接合して形成する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、
前記放熱板には前記Cu箔付き樹脂フィルムの前記切り欠きの周縁に沿うように段差又は溝を形成する工程と、
前記接着用樹脂を加熱して前記Cu箔付き樹脂フィルムと前記放熱板を接合すると共に、前記接着用樹脂の樹脂染みだしを前記段差又は溝で制止させる工程を有することを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージの製造方法。
A resin film with a Cu foil formed by bonding an adhesive resin to a Cu foil and forming a cutout for a cavity portion for mounting a semiconductor element substantially in a central portion in plan view; A method for manufacturing a high heat radiation type plastic package in which a heat radiating plate for radiating heat generated from a direct bonding with the adhesive resin is formed.
A step of forming a step or a groove on the heat sink along the periphery of the notch of the resin film with the Cu foil;
A step of heating the bonding resin to join the resin film with the Cu foil to the heat sink and stopping resin exudation of the bonding resin at the step or groove. Manufacturing method of plastic package.
Cu箔に接着用樹脂を接合し、平面視して実質的中央部に半導体素子を載置させるためのキャビティ部用の切り欠きを穿設して形成するCu箔付き樹脂フィルムと、前記半導体素子からの発熱を放熱するための放熱板を、前記接着用樹脂で直接接合して形成する高放熱型プラスチックパッケージの製造方法であって、
前記Cu箔付き樹脂フィルムの前記切り欠きに嵌合できる凸部を有する押さえ治具を用いて低融点樹脂フィルムを介する離型フィルムを前記キャビティ部及び前記Cu箔付き樹脂フィルム上に押し付ける工程と、
前記接着用樹脂を加熱して前記Cu箔付き樹脂フィルムと前記放熱板を接合すると共に、前記接着用樹脂の樹脂染みだしを前記低融点樹脂フィルムを介する前記離型フィルムで制止させる工程と、
前記押さえ治具を除去すると共に、前記低融点樹脂フィルムを介する前記離型フィルムを除去する工程を有することを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージの製造方法。
A resin film with a Cu foil formed by bonding an adhesive resin to a Cu foil and forming a cutout for a cavity portion for mounting a semiconductor element substantially in a central portion in plan view; A method for manufacturing a high heat radiation type plastic package in which a heat radiating plate for radiating heat generated from a direct bonding with the adhesive resin is formed.
Pressing a release film through a low melting point resin film onto the cavity and the resin film with Cu foil using a holding jig having a convex portion that can be fitted into the notch of the resin film with Cu foil,
A step of heating the bonding resin to join the resin film with the Cu foil and the heat sink, and stopping resin exudation of the bonding resin with the release film via the low melting point resin film,
A method for manufacturing a high heat radiation type plastic package, comprising a step of removing the holding jig and a step of removing the release film via the low melting point resin film.
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