JP2004119078A - Ｌｅｄ点灯装置 - Google Patents

Abstract

【課題】限流素子での電力損失を充分に低減することで定格電力の範囲を広げるとともに電源電圧の変動等に対してもＬＥＤを安定に点灯させる。
【解決手段】直流電源４に、ＦＥＴ５、抵抗素子６及び第１のインダクタ７を介してＬＥＤ回路８を接続し、第１のインダクタにＬＥＤ回路とコンデンサ９とを介してダイオード１１を並列に接続する。第１のインダクタと磁気結合して第２のインダクタ１２を設け、このインダクタの一端を、コンデンサ１３を介してＦＥＴの制御端子に接続し、他端を抵抗素子６と第１のインダクタとの接続点に接続する。そして、ＦＥＴのオン動作によりＬＥＤ回路に通電し、抵抗素子の両端間電圧の増大によりＦＥＴの基準端子と制御端子との間の電圧を減少させてターンオフさせる。その後、第１のインダクタに流れる電流がゼロになったとき第２のインダクタに発生する逆起電圧でＦＥＴを再度オンさせる。
【選択図】　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤ点灯装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＥＤ点灯装置としては、負荷であるＬＥＤ（発光ダイオード）への通電路に限流素子として抵抗を接続したものが知られている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２３１４７１公報（段落「００２４」、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＬＥＤへの通電路に限流素子として抵抗を接続した場合、電源電圧の変動やＬＥＤの特性変化に対しＬＥＤの明るさが変動し易いという問題があった。また、抵抗での電力損失が大きいという問題があった。
【０００５】
そこで本発明は、限流素子での電力損失を充分に低減でき、定格電力の範囲を広げることができるとともに電源電圧の変動やＬＥＤの特性変化に対してＬＥＤを安定して点灯させることができるＬＥＤ点灯装置を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、直流電源に、スイッチ素子、インピーダンス素子及び第１のインダクタを直列に介して接続したＬＥＤ回路と、第１のインダクタに並列的に接続され、スイッチ素子がオフしているときに第１のインダクタに蓄えられたエネルギーを放出するためのダイオードと、第１のインダクタと磁気結合し、一端をスイッチ素子の制御端子側に接続し、他端をインピーダンス素子の第１のインダクタとの接続側端に接続した第２のインダクタとを備え、スイッチ素子のオン動作によりインピーダンス素子及び第１のインダクタを介してＬＥＤ回路に通電し、インピーダンス素子の両端間電圧の増大によりスイッチ素子の基準端子と制御端子との間の電圧を減少させてそのスイッチ素子をターンオフさせ、その後、第１のインダクタに流れる電流がゼロになったとき第２のインダクタに発生する逆起電圧でスイッチ素子を再度オンさせ、これを繰り返すことにある。
【０００７】
また、本発明は、直流電源に、第１のスイッチ素子、インピーダンス素子及び第１のインダクタを直列に介して接続したＬＥＤ回路と、第１のインダクタに並列的に接続され、第１のスイッチ素子がオフしているときに第１のインダクタに蓄えられたエネルギーを放出するためのダイオードと、第１のインダクタと磁気結合し、一端を第１のスイッチ素子の制御端子側に接続し、他端をインピーダンス素子の他端である第１のインダクタとの接続側端に接続した第２のインダクタと、インピーダンス素子の一端に制御端子を接続し、他端に基準端子を接続し、オン動作により第１のスイッチ素子の制御端子とインピーダンス素子の第１のインダクタとの接続側を短絡する第２のスイッチ素子を備え、第１のスイッチ素子のオン動作によりインピーダンス素子及び第１のインダクタを介してＬＥＤ回路に通電し、インピーダンス素子の両端間電圧の増大により第２のスイッチ素子をオン動作して第１のスイッチ素子をターンオフさせ、その後、第１のインダクタに流れる電流がゼロになったことにより第２のインダクタに発生する逆起電圧で第１のスイッチ素子を再度オンさせ、これを繰り返すことにある。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【０００９】
（第１の実施の形態）
図１に示すように、商用交流電源１にコンデンサ２を並列に接続すると共にダイオードブリッジからなる全波整流回路３の入力端子を接続し直流電源４を構成している。
【００１０】
前記直流電源４の出力端子間、すなわち、前記全波整流回路３の出力端子間に、スイッチ素子としてのＦＥＴ（電界効果トランジスタ）５、インピーダンス素子としての抵抗素子６及び第１のインダクタ７を直列に介してＬＥＤ回路８を接続している。前記ＬＥＤ回路８にコンデンサ９並びに抵抗素子１０を並列に接続している。
【００１１】
前記第１のインダクタ７に前記ＬＥＤ回路８とコンデンサ９の並列回路を介してダイオード１１を図示極性にして並列に接続している。すなわち、前記ダイオード１１は前記ＦＥＴ５がオフしているときに前記第１のインダクタ７に蓄えられたエネルギーを前記ＬＥＤ回路８やコンデンサ９を介して放出する作用を為す。
【００１２】
前記第１のインダクタ７に第２のインダクタ１２を磁気結合し、この第２のインダクタ１２の一端を、コンデンサ１３を介して前記ＦＥＴ５の制御端子であるゲート端子に接続し、他端を、前記抵抗素子６と第１のインダクタ７との接続点に接続している。また、前記第２のインダクタ１２の一端を、抵抗素子１４，１５を直列に介して前記全波整流回路３の正極側の出力端子に接続している。
【００１３】
前記ＦＥＴ５のゲート端子と前記抵抗素子６と第１のインダクタ７との接続点との間に、ダイオード１６を、そのカソードをゲート端子側にして接続し、また、前記抵抗素子１４，１５の接続点を前記ＦＥＴ５のゲート端子に接続している。
【００１４】
このような構成においては、電源の投入時には、全波整流回路３の正極側の出力端子から、抵抗素子１５，１４、第２のインダクタ１２、第１のインダクタ７及び抵抗素子１０を順次経由して電流が流れ、各抵抗素子１５，１４，１０の抵抗比によってＦＥＴ５のゲート端子に所定の電圧が印加してＦＥＴ５はオンする。こうして装置は起動する。
【００１５】
ＦＥＴ５がオン動作すると、ＦＥＴ５、抵抗素子６、第１のインダクタ７を順次経由してコンデンサ９に電流が流れる。コンデンサ９の充電電圧がＬＥＤ回路８の順方向電圧以上になると、ＬＥＤ回路８に電流が流れ、ＬＥＤ回路８のＬＥＤは点灯を開始する。また、第１のインダクタ７に電流が流れると、第２のインダクタ１２に電圧が誘起され、この電圧がコンデンサ１３を介してＦＥＴ５のゲート端子に駆動信号として印加されＦＥＴ５はオン動作を継続する。
【００１６】
ＦＥＴ５から抵抗素子６、第１のインダクタ７を経由して流れる電流は次第に増加する。電流が増加すると、抵抗素子６の両端間電圧が上昇する。ＦＥＴ５のゲート端子と、抵抗素子６と第１のインダクタ７との接続点との間の電圧はほぼ決まっているので、抵抗素子６の両端間電圧が上昇することは相対的にＦＥＴ５のゲート端子と基準端子であるソースとの間の電圧が低下する。
【００１７】
ＦＥＴ５のゲート、ソース間に印加する電圧がＦＥＴのスレッショルド電圧よりも低下すると、ＦＥＴ５はターンオフする。ＦＥＴ５がオフすると、第１のインダクタ７の蓄えられていたエネルギーがコンデンサ９→ダイオード１１→第１のインダクタ７の閉回路で放出される。このエネルギーの放出により流れる電流によって第２のインダクタ１２に発生する電圧の極性は反転しているので、ＦＥＴ５のオフ状態が維持される。
【００１８】
その後、第１のインダクタ７から放出される電流がゼロになると、第２のインダクタ１２に発生する電圧の極性が再度反転し、今度はＦＥＴ５をターンオンするように作用する。こうして、ＦＥＴ５は再びオン動作を開始し、ＦＥＴ５から抵抗素子６、第１のインダクタ７を経由して電流が流れる。
【００１９】
以後、この動作が繰り返され、ＦＥＴ５は高周波スイッチング動作し、ＬＥＤ回路８は高周波点灯動作を維持する。
【００２０】
このように、ＬＥＤ回路８に対して第１のインダクタ７を介して高周波電流を流して点灯を行うので、限流素子として作用する第１のインダクタ７での電力損失はほとんどなく、限流素子での電力損失を充分に低減できる。そして、第１のインダクタ７での電力損失がほとんどないので、定格電力の範囲を広げることができる。また、電源電圧の変動やＬＥＤの特性変化に対してもＬＥＤを安定して点灯させることができる。また、第１のインダクタ７や第２のインダクタ１２として小形のものが使用できる。
【００２１】
なお、この実施の形態では直流電源として、商用交流電源１にコンデンサ２を並列に接続すると共にダイオードブリッジからなる全波整流回路３の入力端子を接続した直流電源４を使用したが必ずしもこれに限定するものではなく、バッテリーなどからなる直流電源であってもよい。
【００２２】
（第２の実施の形態）
なお、前述した実施の形態と同一の部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００２３】
図２に示すように、第１のスイッチング素子であるＦＥＴ５と第１のインダクタ７との間に、抵抗素子６よりも抵抗値の小さい抵抗素子６１を接続し、この抵抗素子６１を第２のスイッチング素子であるバイポーラ形トランジスタ２１のベース・エミッタ間に接続している。前記トランジスタ２１のコレクタを前記ＦＥＴ５のゲート端子に接続している。
【００２４】
このような構成においては、ＦＥＴ５がオン動作すると抵抗素子６１、第１のインダクタ７を介して電流が流れ、この電流が次第に増加するが、抵抗素子６１の両端間電圧がトランジスタ２１を動作するバイアスに達すると、トランジスタ２１がオン動作し、これによりＦＥＴ５はターンオフされる。
ＦＥＴ５がターンオフした後、再びオン動作するまでの動きは前述した実施の形態と同様である。
【００２５】
このように、抵抗素子６１の両端間電圧をトランジスタ２１のベースバイアスとし、この電圧が所定の電圧に達したときトランジスタ２１をオン動作してＦＥＴ５をターンオフさせるようにしているので、ターンオフのタイミングを第２のインダクタ１２に誘起される電圧値に影響されず常に正確に取ることができる。すなわち、ＦＥＴ５を常に正確にスイッチング動作できる。
【００２６】
また、トランジスタ２１をオン動作するベースバイアスはシリコントランジスタの場合で０．５Ｖと低く、このため、抵抗素子６１での消費電力はほとんど無く、無駄な電力消費を極力防止できる。
なお、この実施の形態においても前述した実施の形態と同様の作用効果が得られるのは勿論である。
【００２７】
（第３の実施の形態）
なお、前述した実施の形態と同一の部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００２８】
図３において、４１は商用交流電源を整流した直流電源やバッテリーなどの直流電源である。２２はＰＷＭ（パルス幅変調）調光信号を発生する調光信号発生器である。前記調光信号発生器２２からのＰＷＭ調光信号を、抵抗素子２３を介してフォトカプラ２４の発光ダイオード２４Ｄに通電している。
【００２９】
バイポーラ形トランジスタ２１のコレクタ・ベース間に前記フォトカプラ２４のホトトランジスタ２４Ｔを接続し、ベース・エミッタ間に抵抗素子２５を接続している。また、ＬＥＤ回路８に代えてＬＥＤ回路８１を使用している。
【００３０】
このような構成においては、ＦＥＴ５をスイッチング動作するゲート端子信号は、図４の（ｂ）に示すように高周波になっているのに対し、発光ダイオード２４Ｄからホトトランジスタ２４Ｔに供給される調光信号は、図４の（ａ）に示すように低周波になっている。
【００３１】
そして、ホトトランジスタ２４Ｔがオン動作すると、トランジスタ２１がオン動作され、ＦＥＴ５は強制的にオフ動作される。従って、ＦＥＴ５は高周波スイッチング動作している最中に、調光信号によって所定の遅い周期で一定時間強制的にオフ動作されることになる。
【００３２】
ＦＥＴ５は強制的にオフ動作されている間ＬＥＤ回路８１への通電は停止される。すなわち、ＬＥＤ回路８１に流れる電流波形は図４の（ｃ）に示すようになる。しかし、調光信号によってＬＥＤ回路８１への通電が停止される状態は低周波といっても人の目では確認できないほど速いので、人の目にはＬＥＤ回路８１の発光量が低下し減光したように見える。
【００３３】
従って、調光信号によるＦＥＴ５の強制オフ動作期間を調整すれば、ＬＥＤ回路８１を調光制御することができる。すなわち、調光信号をパルス幅変調することでＬＥＤ回路８１を簡単に調光制御することができる。
なお、この実施の形態においても前述した実施の形態と同様の作用効果が得られるのは勿論である。
【００３４】
（第４の実施の形態）
なお、前述した実施の形態と同一の部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３５】
図５に示すように、直流電源４を構成する交流電源１の一端とコンデンサ２の一端の間に、交流電圧波形を調光のために半サイクル毎に一部をカットする調光回路２６を接続している。すなわち、前記調光回路２６は、図６の（ａ）に示すように、交流電圧波形を半サイクル毎にその立ち上がりの所定区間をカットし、この所定区間の長さを可変できるようになっている。
【００３６】
なお、カットする区間をここでは立ち上がりの所定区間としているが必ずしもこれに限定するものではなく、半サイクルの途中の区間でも終了の所定区間でもよい。
【００３７】
また、前記コンデンサ２の他端に前記調光回路６の誤動作防止用の抵抗素子３２の一端を接続し、この抵抗素子３２の他端を交流電源１の他端と全波整流回路３の入力端子との接続点に接続している。
【００３８】
前記調光回路２６からの交流波形を波形検出回路２７に供給している。すなわち、前記波形検出回路２７は、入力端子の一端を、抵抗素子２８を介して全波整流回路３の交流入力端子の一端に接続すると共に抵抗素子２９を介して全波整流回路３の交流入力端子の他端に接続し、入力端子の他端を、全波整流回路３の整流出力端子の負極側に接続している。
【００３９】
ＦＥＴ５のゲート端子と、抵抗素子６１と第１のインダクタ７との接続点との間に、調光制御用スイッチング素子としてのＦＥＴ３０のドレイン・ソースを接続している。
【００４０】
前記波形検出回路２７は、入力される全波整流波形から、半サイクル毎の立ち上がりのカット区間を検出し、そのカット区間だけ前記ＦＥＴ３０をオン動作させる調光信号をそのＦＥＴ３０のベースに供給している。なお、前記全波整流回路３の整流出力端子の両端間にコンデンサ３１を接続している。
【００４１】
このような構成においては、交流電源１からの交流電圧波形は調光の度合いに応じて調光回路２６により各半サイクルの立ち上がりの所定区間がカットされ、調光回路２６からは図６の（ａ）に示すような交流電圧波形が出力される。そして、その交流電圧波形のカット区間が半サイクル毎に波形検出回路２７で検出され、その区間だけ波形検出回路２７によりＦＥＴ３０がオン動作される。
【００４２】
ＦＥＴ３０がオン動作すると、ＦＥＴ５は強制的にオフ動作される。従って、ＦＥＴ５は高周波スイッチング動作している最中に、調光信号によって所定の遅い周期で一定時間強制的にオフ動作されることになる。そして、ＦＥＴ５が強制的にオフ動作されている間ＬＥＤ回路８１への通電は停止される。
【００４３】
すなわち、ＦＥＴ５のゲート端子に入力する信号は図６の（ｂ）に示すようになり、ＦＥＴ５は高周波スイッチング動作している最中に所定の遅い周期で一定時間強制的にオフ動作される。これにより、ＬＥＤ回路８１に流れる電流波形は図６の（ｃ）に示すようになり、人の目にはＬＥＤ回路８１の発光量が低下し減光したように見える。
【００４４】
従って、この実施の形態においても調光制御によりＦＥＴ５を強制的にオフする期間を調整することで、ＬＥＤ回路８１を簡単に調光制御することができる。
なお、この実施の形態においても前述した実施の形態と同様の作用効果が得られるのは勿論である。
【００４５】
（第５の実施の形態）
なお、前述した実施の形態と同一の部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４６】
図７に示すように、調光信号によって電圧値を可変できる直流電源４２を設け、この直流電源４２に抵抗素子３３と３４の直列回路を並列に接続している。そして、前記抵抗素子３３と３４との接続点に発生する電圧を電圧検出回路３５で検出している。
【００４７】
前記電圧検出回路３５は、電圧を検出すると、その検出電圧値に応じて所定の期間だけ調光制御用のＦＥＴ３０を、所定の遅い周期で繰り返しオン動作するようになっている。
【００４８】
従って、この実施の形態においても、ＦＥＴ５は高周波スイッチング動作している最中に、調光信号によって所定の遅い周期で一定時間強制的にオフ動作され、その間ＬＥＤ回路８１への通電は停止されることになる。これにより、人の目にはＬＥＤ回路８１の発光量が低下し減光したように見える。
【００４９】
従って、この実施の形態においても調光制御によってＦＥＴ５を強制的にオフする期間を調整することで、ＬＥＤ回路８１を簡単に調光制御することができる。
なお、この実施の形態においても前述した実施の形態と同様の作用効果が得られるのは勿論である。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、限流素子での電力損失を充分に低減でき、定格電力の範囲を広げることができるとともに電源電圧の変動やＬＥＤの特性変化に対してＬＥＤを安定して点灯させることができる。
また、本発明によれば、さらに、ＬＥＤ回路への通電を直接制御するスイッチ素子を常に正確にスイッチング動作させることができるとともに無駄な電力消費を極力防止できる。
また、本発明によれば、さらに、ＬＥＤ回路を簡単に調光制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の、第１の実施の形態を示す回路構成図。
【図２】本発明の、第２の実施の形態を示す回路構成図。
【図３】本発明の、第３の実施の形態を示す回路構成図。
【図４】同実施の形態における各部の信号、電流波形を示す図。
【図５】本発明の、第４の実施の形態を示す回路構成図。
【図６】同実施の形態における各部の信号、電流波形を示す図。
【図７】本発明の、第５の実施の形態を示す回路構成図。
【符号の説明】
４…直流電源、５…ＦＥＴ（スイッチ素子）、６…抵抗素子（インピーダンス素子）、７…第１のインダクタ、８…ＬＥＤ回路、１１…ダイオード、１２…第２のインダクタ。

Claims (6)

1. 直流電源に、スイッチ素子、インピーダンス素子及び第１のインダクタを直列に介して接続したＬＥＤ回路と、前記第１のインダクタに並列的に接続され、前記スイッチ素子がオフしているときに前記第１のインダクタに蓄えられたエネルギーを放出するためのダイオードと、前記第１のインダクタと磁気結合し、一端を前記スイッチ素子の制御端子側に接続し、他端を前記インピーダンス素子の前記第１のインダクタとの接続側端に接続した第２のインダクタとを備え、
   前記スイッチ素子のオン動作により前記インピーダンス素子及び第１のインダクタを介して前記ＬＥＤ回路に通電し、前記インピーダンス素子の両端間電圧の増大により前記スイッチ素子の基準端子と制御端子との間の電圧を減少させてそのスイッチ素子をターンオフさせ、その後、前記第１のインダクタに流れる電流がゼロになったとき前記第２のインダクタに発生する逆起電圧で前記スイッチ素子を再度オンさせ、これを繰り返すことを特徴とするＬＥＤ点灯装置。
2. 直流電源に、第１のスイッチ素子、インピーダンス素子及び第１のインダクタを直列に介して接続したＬＥＤ回路と、前記第１のインダクタに並列的に接続され、前記第１のスイッチ素子がオフしているときに前記第１のインダクタに蓄えられたエネルギーを放出するためのダイオードと、前記第１のインダクタと磁気結合し、一端を前記第１のスイッチ素子の制御端子側に接続し、他端を前記インピーダンス素子の他端である前記第１のインダクタとの接続側端に接続した第２のインダクタと、前記インピーダンス素子の一端に制御端子を接続し、他端に基準端子を接続し、オン動作により前記第１のスイッチ素子の制御端子と前記インピーダンス素子の前記第１のインダクタとの接続側を短絡する第２のスイッチ素子を備え、
   前記第１のスイッチ素子のオン動作により前記インピーダンス素子及び第１のインダクタを介して前記ＬＥＤ回路に通電し、前記インピーダンス素子の両端間電圧の増大により前記第２のスイッチ素子をオン動作して前記第１のスイッチ素子をターンオフさせ、その後、前記第１のインダクタに流れる電流がゼロになったことにより前記第２のインダクタに発生する逆起電圧で前記第１のスイッチ素子を再度オンさせ、これを繰り返すことを特徴とするＬＥＤ点灯装置。
3. 請求項１又は２記載のＬＥＤ点灯装置において、さらに、第１のスイッチ素子を調光のためにＬＥＤ回路への通電のための動作周波数よりも低い周波数でオン、オフさせる調光制御用スイッチング素子を設けたことを特徴とするＬＥＤ点灯装置。
4. 外部入力されるパルス幅変調調光信号により調光制御用スイッチング素子を駆動制御することを特徴とする請求項３記載のＬＥＤ点灯装置。
5. 請求項３記載のＬＥＤ点灯装置において、直流電源として、商用交流電源を整流した直流電源を使用し、さらに、前記商用交流電源からの電圧波形を調光のために半サイクル毎に一部カットする調光回路と、この調光回路での電圧波形のカット区間を検出し、このカット区間だけ調光制御用スイッチング素子をオン動作する波形検出回路を設けたことを特徴とするＬＥＤ点灯装置。
6. 請求項３記載のＬＥＤ点灯装置において、さらに、調光のために可変される電源電圧を検出し、電圧レベルに応じた期間、調光制御用スイッチング素子をオン動作する電圧検出回路を設けたことを特徴とするＬＥＤ点灯装置。

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