JP2003197368A - 有機電界発光表示装置 - Google Patents
有機電界発光表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部光の反射率を大幅に減らして具現される
画像のコントラストと輝度とを向上させ、特に外部光を
遮断するための偏光板を除去して生産性の向上を図れる
有機電界発光表示装置を提供する。 【解決手段】 透明な基板５０と、基板５０の上面に所
定パターンで形成されて透明な導電性材質よりなる第１
電極部６０と、第１電極部６０の上部に所定のパターン
の有機膜が積層されてなる有機電界発光部７０と、第１
電極部６０と対応するように有機電界発光部７０の上面
に所定のパターンで形成された第２電極部８０と、前記
第１電極部、電界発光部、第２電極部を覆って保護する
ように形成されるとともに、第１成分とＦｅ、Ｃｏ、
Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された
一つ以上の第２成分とを含んでなる封止層９０とによ
り、有機電界発光表示装置が構成されるものとする。
画像のコントラストと輝度とを向上させ、特に外部光を
遮断するための偏光板を除去して生産性の向上を図れる
有機電界発光表示装置を提供する。 【解決手段】 透明な基板５０と、基板５０の上面に所
定パターンで形成されて透明な導電性材質よりなる第１
電極部６０と、第１電極部６０の上部に所定のパターン
の有機膜が積層されてなる有機電界発光部７０と、第１
電極部６０と対応するように有機電界発光部７０の上面
に所定のパターンで形成された第２電極部８０と、前記
第１電極部、電界発光部、第２電極部を覆って保護する
ように形成されるとともに、第１成分とＦｅ、Ｃｏ、
Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された
一つ以上の第２成分とを含んでなる封止層９０とによ
り、有機電界発光表示装置が構成されるものとする。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光表示装
置に係り、より詳細には電極構造及び封止層、外部光反
射防止構造が改善された有機電界発光表示装置に関す
る。
置に係り、より詳細には電極構造及び封止層、外部光反
射防止構造が改善された有機電界発光表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電界発光表示装置は能動発光型表示素子
であって、視野角が広くてコントラストが優秀なだけで
なく応答速度が速いという長所があって次世代表示素子
として注目されている。このような電界発光表示装置は
発光層を形成する物質によって無機電界発光表示装置と
有機電界発光装置とに区分される。
であって、視野角が広くてコントラストが優秀なだけで
なく応答速度が速いという長所があって次世代表示素子
として注目されている。このような電界発光表示装置は
発光層を形成する物質によって無機電界発光表示装置と
有機電界発光装置とに区分される。
【０００３】前記無機電界発光表示装置はもともと緑色
発光ディスプレーとして商品化されたが、プラズマ表示
装置と同じく交流バイアス駆動であり、駆動に数百Ｖが
必要である。また発光のための材料が無機物であるため
分子設計による発光波長の制御が難しくて画像のカラー
化し難い。
発光ディスプレーとして商品化されたが、プラズマ表示
装置と同じく交流バイアス駆動であり、駆動に数百Ｖが
必要である。また発光のための材料が無機物であるため
分子設計による発光波長の制御が難しくて画像のカラー
化し難い。
【０００４】そして、前記有機電界発光表示装置は、蛍
光性有機化合物を電気的に励起して発光させる自発光型
ディスプレーであって、低電圧で駆動が可能で、薄型化
が容易であり、光視野角、速い応答速度など液晶表示装
置の問題点を解決できる次世代ディスプレーとして注目
されている。このような有機電界発光表示装置はイース
トマンコダック社により積層型として開発され、パイオ
ニア社により寿命が改善された緑色のディスプレーとし
て商品化された。一方、有機電界発光表示装置（以下、
有機ＥＬ素子と略称する）においては、有機材料の長所
である分子構造が多様な新規材料が開発されて直流低電
圧駆動、薄型、自発光性などに優れる特性を有するカラ
ーディスプレーに関する研究が活発に進んでいる。
光性有機化合物を電気的に励起して発光させる自発光型
ディスプレーであって、低電圧で駆動が可能で、薄型化
が容易であり、光視野角、速い応答速度など液晶表示装
置の問題点を解決できる次世代ディスプレーとして注目
されている。このような有機電界発光表示装置はイース
トマンコダック社により積層型として開発され、パイオ
ニア社により寿命が改善された緑色のディスプレーとし
て商品化された。一方、有機電界発光表示装置（以下、
有機ＥＬ素子と略称する）においては、有機材料の長所
である分子構造が多様な新規材料が開発されて直流低電
圧駆動、薄型、自発光性などに優れる特性を有するカラ
ーディスプレーに関する研究が活発に進んでいる。
【０００５】このような有機ＥＬ素子の一例が日本国特
開平１０−３３５０６０号に開示されており、これを図
１５に示した。
開平１０−３３５０６０号に開示されており、これを図
１５に示した。
【０００６】図面を参照すれば、有機ＥＬ素子１０は、
発光領域を含む有機積層構造１１が陽極１２と陰極１３
との間に取り付けられるとともに、前記陰極がアルミニ
ウムと、アルミニウムより大きい仕事関数を有する少な
くとも一種の材料を含有した封止層１４とにより保護さ
れる構成を有する。
発光領域を含む有機積層構造１１が陽極１２と陰極１３
との間に取り付けられるとともに、前記陰極がアルミニ
ウムと、アルミニウムより大きい仕事関数を有する少な
くとも一種の材料を含有した封止層１４とにより保護さ
れる構成を有する。
【０００７】前記のように構成された従来の有機ＥＬ素
子は陰極１３と封止層１４とにより外部光が反射される
ので画像の読取り能（ｒｅａｄａｂｉｌｉｔｙ）が劣る
という問題点を有している。特に太陽光に露出された室
外では前記陰極１３による外部光反射により相対的に輝
度とコントラストが急激に低下する。
子は陰極１３と封止層１４とにより外部光が反射される
ので画像の読取り能（ｒｅａｄａｂｉｌｉｔｙ）が劣る
という問題点を有している。特に太陽光に露出された室
外では前記陰極１３による外部光反射により相対的に輝
度とコントラストが急激に低下する。
【０００８】米国特許ＵＳＰ５,０５９,８６１号にはカ
ソードがアルカリメタル以外の多種メタルで構成された
有機ＥＬ素子の構成が開示されている。
ソードがアルカリメタル以外の多種メタルで構成された
有機ＥＬ素子の構成が開示されている。
【０００９】米国特許ＵＳＰ５,０４７,６８７号にはカ
ソードがアルカリメタルでない仕事関数が低い金属を少
なくとも一つ以上含む多種の金属で構成された有機ＥＬ
素子が開示されている。ここで前記金属はアルミニウ
ム、バナジウム、コバルト等を含む。
ソードがアルカリメタルでない仕事関数が低い金属を少
なくとも一つ以上含む多種の金属で構成された有機ＥＬ
素子が開示されている。ここで前記金属はアルミニウ
ム、バナジウム、コバルト等を含む。
【００１０】日本国特開平９−２７４９９０号には陽
極、有機膜層構造、陰極を覆う封止層がシリカゲル、ゼ
オライト、塩化カルシウム、活性炭、ナイロン及びポリ
ビニルアルコールよりなる群から選択された少なくとも
１種以上の吸湿剤が含まれた構成が開示されている。
極、有機膜層構造、陰極を覆う封止層がシリカゲル、ゼ
オライト、塩化カルシウム、活性炭、ナイロン及びポリ
ビニルアルコールよりなる群から選択された少なくとも
１種以上の吸湿剤が含まれた構成が開示されている。
【００１１】米国特許ＵＳＰ５,０７３,４４６号、日本
国特開平５−３６４７５号、特開平８−２２２３６８
号、および特開平７−１６１４７４号には陽極、有機膜
積層構造、陰極及び陰極保護のための封止層及び密封層
の構造が開示されている。
国特開平５−３６４７５号、特開平８−２２２３６８
号、および特開平７−１６１４７４号には陽極、有機膜
積層構造、陰極及び陰極保護のための封止層及び密封層
の構造が開示されている。
【００１２】一方、従来の有機電界発光表示装置の大部
分は電極及び有機膜積層構造により輝度が低下すること
を防止するために、基板の表面に偏光板を使用して外部
光反射による画像の輝度低下を減らしている。しかし、
前記のように偏光板を使用すれば、有機膜積層構造から
発生する光の一部が遮光されるので実質的な輝度減少を
誘発する。
分は電極及び有機膜積層構造により輝度が低下すること
を防止するために、基板の表面に偏光板を使用して外部
光反射による画像の輝度低下を減らしている。しかし、
前記のように偏光板を使用すれば、有機膜積層構造から
発生する光の一部が遮光されるので実質的な輝度減少を
誘発する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の技術的課題
は、入射される外部光の反射を減らして画像のコントラ
スト及び輝度を向上させ、外部光反射を減らすための偏
光板を除去できる有機電界発光表示装置を提供すること
にある。
は、入射される外部光の反射を減らして画像のコントラ
スト及び輝度を向上させ、外部光反射を減らすための偏
光板を除去できる有機電界発光表示装置を提供すること
にある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を達成す
るための本発明の有機電界発光表示装置は、透明な基板
と、前記基板の上面に所定パターンで形成されて透明な
導電性材質よりなる第１電極部と、前記第１電極部の上
部に所定のパターンの有機膜が積層されてなる有機電界
発光部と、前記第１電極部と対応するように前記有機電
界発光部の上面に所定のパターンで形成された第２電極
部と、前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記第２
電極部を覆って保護するように形成されるとともに、第
１成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔより
なる群から選択された一つ以上の第２成分とを含んでな
る封止層とを備えることを特徴とする。
るための本発明の有機電界発光表示装置は、透明な基板
と、前記基板の上面に所定パターンで形成されて透明な
導電性材質よりなる第１電極部と、前記第１電極部の上
部に所定のパターンの有機膜が積層されてなる有機電界
発光部と、前記第１電極部と対応するように前記有機電
界発光部の上面に所定のパターンで形成された第２電極
部と、前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記第２
電極部を覆って保護するように形成されるとともに、第
１成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔより
なる群から選択された一つ以上の第２成分とを含んでな
る封止層とを備えることを特徴とする。
【００１５】本発明において、前記第１成分はＳｉＯｘ
（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、Ｃａ
Ｆ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）よりなる群から選
択される一つ以上の誘電性物質であり、前記第１成分と
第２成分が封止層の厚さによって漸進的な濃度勾配を有
する。前記漸進的な濃度勾配は前記封止層の厚さ方向に
沿って外部光の入射方向から離れるほど光吸収率が漸進
的に増加する。
（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、Ｃａ
Ｆ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）よりなる群から選
択される一つ以上の誘電性物質であり、前記第１成分と
第２成分が封止層の厚さによって漸進的な濃度勾配を有
する。前記漸進的な濃度勾配は前記封止層の厚さ方向に
沿って外部光の入射方向から離れるほど光吸収率が漸進
的に増加する。
【００１６】前記技術的課題を達成するための本発明の
有機電界発光表示装置の他の特徴は、透明な基板と、前
記基板の上面に所定パターンで形成されて透明な導電性
材質よりなる第１電極部と、前記第１電極部の上部に所
定パターンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部
と、前記電界発光部の上面に形成されるとともに、第１
成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりな
る群から選択された一つ以上の第２成分とよりなる第２
電極部と、前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記
第２電極部を覆う封止層とを含んでなることを特徴とす
る。
有機電界発光表示装置の他の特徴は、透明な基板と、前
記基板の上面に所定パターンで形成されて透明な導電性
材質よりなる第１電極部と、前記第１電極部の上部に所
定パターンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部
と、前記電界発光部の上面に形成されるとともに、第１
成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりな
る群から選択された一つ以上の第２成分とよりなる第２
電極部と、前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記
第２電極部を覆う封止層とを含んでなることを特徴とす
る。
【００１７】また、前記技術的課題を達成するための本
発明の有機電界発光表示装置のさらに他の特徴は、透明
な基板と、前記透明な基板の上面に形成されて外部光を
吸収する外光吸収膜と、前記外光吸収膜の上面に形成さ
れた第２電極部と、前記第２電極部の上面に所定パター
ンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前記有
機電界発光部の上面に所定パターンで形成された第１電
極部とを含んでなることを特徴とする。
発明の有機電界発光表示装置のさらに他の特徴は、透明
な基板と、前記透明な基板の上面に形成されて外部光を
吸収する外光吸収膜と、前記外光吸収膜の上面に形成さ
れた第２電極部と、前記第２電極部の上面に所定パター
ンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前記有
機電界発光部の上面に所定パターンで形成された第１電
極部とを含んでなることを特徴とする。
【００１８】本発明において、前記外光吸収膜はＳｉＯ
ｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ
２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯより
なる群から選択される一つ以上の誘電性物質よりなる第
１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよ
りなる群から選択された一つ以上の第２成分とよりな
り、前記外光吸収膜は漸進的な濃度勾配を有するように
構成される。
ｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ
２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯより
なる群から選択される一つ以上の誘電性物質よりなる第
１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよ
りなる群から選択された一つ以上の第２成分とよりな
り、前記外光吸収膜は漸進的な濃度勾配を有するように
構成される。
【００１９】前記技術的課題を達成するための本発明の
有機電界発光表示装置は、透明な基板と、前記基板に形
成されたバッファ層と、前記バッファ層に形成された薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを埋め込む中
間絶縁体層と、前記中間絶縁体層の上面に所定のパター
ンで形成されて前記薄膜トランジスタにより選択的に電
位が印加される透明電極層と、前記透明電極層が露出さ
れるように開口部が形成された絶縁性保護膜と、前記透
明電極層の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光
部と、前記有機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に
所定のパターンで形成されたカソード層とを含み、前記
有機電界発光部と対応する領域を除外した中間絶縁体層
と絶縁性保護膜との間に外光吸収膜が形成されたことを
特徴とする。
有機電界発光表示装置は、透明な基板と、前記基板に形
成されたバッファ層と、前記バッファ層に形成された薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを埋め込む中
間絶縁体層と、前記中間絶縁体層の上面に所定のパター
ンで形成されて前記薄膜トランジスタにより選択的に電
位が印加される透明電極層と、前記透明電極層が露出さ
れるように開口部が形成された絶縁性保護膜と、前記透
明電極層の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光
部と、前記有機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に
所定のパターンで形成されたカソード層とを含み、前記
有機電界発光部と対応する領域を除外した中間絶縁体層
と絶縁性保護膜との間に外光吸収膜が形成されたことを
特徴とする。
【００２０】前記技術的課題を達成するための本発明の
さらに他の有機電界発光表示装置は、透明な基板と、前
記基板に形成されたバッファ層と、前記バッファ層に形
成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを
埋め込む中間絶縁体層と、前記中間絶縁体層の上面に所
定のパターンで形成されて前記薄膜トランジスタにより
選択的に電位が印加される透明電極層と、前記透明電極
層が露出されるように開口部が形成された絶縁性保護膜
と、前記透明電極層の上面に有機膜が積層されてなる有
機電界発光部と、前記有機電界発光部と前記絶縁性保護
膜の上面に所定のパターンで形成された透明なカソード
層とを含み、前記カソード層が誘電性物質である第１成
分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりな
る群から選択された一つ以上の第２成分とを含んでなる
ことを特徴とする。
さらに他の有機電界発光表示装置は、透明な基板と、前
記基板に形成されたバッファ層と、前記バッファ層に形
成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを
埋め込む中間絶縁体層と、前記中間絶縁体層の上面に所
定のパターンで形成されて前記薄膜トランジスタにより
選択的に電位が印加される透明電極層と、前記透明電極
層が露出されるように開口部が形成された絶縁性保護膜
と、前記透明電極層の上面に有機膜が積層されてなる有
機電界発光部と、前記有機電界発光部と前記絶縁性保護
膜の上面に所定のパターンで形成された透明なカソード
層とを含み、前記カソード層が誘電性物質である第１成
分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりな
る群から選択された一つ以上の第２成分とを含んでなる
ことを特徴とする。
【００２１】前記技術的課題を達成するための本発明の
有機電界発光表示装置の製造方法は、透明な基板を備え
る第１段階と、前記基板に所定パターンの第１電極部を
形成する第２段階と、前記第１電極部の上面に多数の有
機膜が積層されてなる有機電界発光部を形成する第３段
階と、前記有機電界発光部の上面に第１電極部と共に前
記有機電界発光部を駆動させるための第２電極部を形成
する第４段階と、誘電性物質の第１成分と金属物質の第
２成分とが濃度勾配を有し、かつ前記第１電極部、前記
有機電界発光部及び前記第２電極部を覆う封止層を形成
する第５段階とを含んでなることを特徴とする。
有機電界発光表示装置の製造方法は、透明な基板を備え
る第１段階と、前記基板に所定パターンの第１電極部を
形成する第２段階と、前記第１電極部の上面に多数の有
機膜が積層されてなる有機電界発光部を形成する第３段
階と、前記有機電界発光部の上面に第１電極部と共に前
記有機電界発光部を駆動させるための第２電極部を形成
する第４段階と、誘電性物質の第１成分と金属物質の第
２成分とが濃度勾配を有し、かつ前記第１電極部、前記
有機電界発光部及び前記第２電極部を覆う封止層を形成
する第５段階とを含んでなることを特徴とする。
【００２２】本発明において、前記第５段階は、相異な
る融点特性を有する誘電性物質のＳｉＯを３ないし５０
重量％含みかつＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の金属を５
０ないし９７重量％含んでなる誘電性物質と金属の混合
物を、一つの蒸着ボートに投入する段階と、前記封止層
を形成するため前記蒸着ボートの温度を順次増加させつ
つＳｉＯと金属とを蒸着する段階とを含む。
る融点特性を有する誘電性物質のＳｉＯを３ないし５０
重量％含みかつＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の金属を５
０ないし９７重量％含んでなる誘電性物質と金属の混合
物を、一つの蒸着ボートに投入する段階と、前記封止層
を形成するため前記蒸着ボートの温度を順次増加させつ
つＳｉＯと金属とを蒸着する段階とを含む。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。
発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。
【００２４】本発明による有機電界発光表示装置は、封
止層または電極が外部光を吸収可能にして画像の輝度を
高めるものであって、その一実施形態を図１に示した。
止層または電極が外部光を吸収可能にして画像の輝度を
高めるものであって、その一実施形態を図１に示した。
【００２５】図面を参照すれば、本発明による有機電界
発光表示装置は、透明な基板５０の上面に所定のパター
ンで形成された透明な第１電極部６０と、前記第１電極
部６０の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光部
７０と、前記有機電界発光部７０の上面に所定のパター
ンで形成される第２電極部８０と、前記第１電極部６
０、前記有機電界発光部７０、前記第２電極部８０を覆
うように前記基板５０に形成された、誘電性物質の第１
成分と少なくとも一つ以上の金属よりなる第２成分とを
含む封止層９０とを具備する。
発光表示装置は、透明な基板５０の上面に所定のパター
ンで形成された透明な第１電極部６０と、前記第１電極
部６０の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光部
７０と、前記有機電界発光部７０の上面に所定のパター
ンで形成される第２電極部８０と、前記第１電極部６
０、前記有機電界発光部７０、前記第２電極部８０を覆
うように前記基板５０に形成された、誘電性物質の第１
成分と少なくとも一つ以上の金属よりなる第２成分とを
含む封止層９０とを具備する。
【００２６】前記第１電極部６０は透明な基板５０の上
面に形成される陽極であって、透明な導電性材質のＩＴ
Ｏよりなり、図面には明確に図示されていないが、相互
平行に取り付けられるストライプ状の電極よりなりう
る。
面に形成される陽極であって、透明な導電性材質のＩＴ
Ｏよりなり、図面には明確に図示されていないが、相互
平行に取り付けられるストライプ状の電極よりなりう
る。
【００２７】前記有機電界発光部７０は前記第１電極部
６０の上面から順次に積層されるホール輸送層７１、発
光層７２、電子輸送層７３を含む。前記有機電界発光部
７０は有機化合物よりなる有機薄膜であって、特に前記
発光層７２の材料としてはトリス（８−ヒドロキシキノ
リン）アルミニウム（Ａｌｑ３）のような低分子または
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ
−５−（２′−エチルヘキシルオキシ）−１、４−フェ
ニレンビニレン）などの高分子を使用する。
６０の上面から順次に積層されるホール輸送層７１、発
光層７２、電子輸送層７３を含む。前記有機電界発光部
７０は有機化合物よりなる有機薄膜であって、特に前記
発光層７２の材料としてはトリス（８−ヒドロキシキノ
リン）アルミニウム（Ａｌｑ３）のような低分子または
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ
−５−（２′−エチルヘキシルオキシ）−１、４−フェ
ニレンビニレン）などの高分子を使用する。
【００２８】前記第２電極部８０は導電性金属よりな
り、前記第１電極部６０と直交する方向に形成される多
数のストライプ状の電極よりなりうる。
り、前記第１電極部６０と直交する方向に形成される多
数のストライプ状の電極よりなりうる。
【００２９】前記封止層９０は透明な基板５０の上面に
形成されて第１電極部６０、有機電界発光部７０及び第
２電極部８０を覆うが、外部から入射される光を吸収で
きるように構成される。
形成されて第１電極部６０、有機電界発光部７０及び第
２電極部８０を覆うが、外部から入射される光を吸収で
きるように構成される。
【００３０】これをより詳細に説明すれば、前記封止層
９０は誘電性物質の前記第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、
Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ
以上の第２成分とを含んでなり、図２に示されたように
厚さによって順次に成分濃度勾配を有する。封止層９０
をなす第１成分はＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞
１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉ
ｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上
の誘電性物質よりなる。
９０は誘電性物質の前記第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、
Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ
以上の第２成分とを含んでなり、図２に示されたように
厚さによって順次に成分濃度勾配を有する。封止層９０
をなす第１成分はＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞
１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉ
ｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上
の誘電性物質よりなる。
【００３１】前記封止層９０の厚さ方向への漸進的な濃
度勾配は、図３及び図４に示されたように前記封止層９
０の厚さ方向に沿って外部光の入射方向から離れるほど
光吸収率が漸進的に増加または減少する。また前記濃度
勾配を有する封止層９０は、外部光の入射方向から離れ
るほど前記誘電性物質の含量は順次に減少し、前記金属
成分の含量は順次に増加するように分布される。
度勾配は、図３及び図４に示されたように前記封止層９
０の厚さ方向に沿って外部光の入射方向から離れるほど
光吸収率が漸進的に増加または減少する。また前記濃度
勾配を有する封止層９０は、外部光の入射方向から離れ
るほど前記誘電性物質の含量は順次に減少し、前記金属
成分の含量は順次に増加するように分布される。
【００３２】一方、前記第２電極部８０は図５に示され
たようにＣａよりなる第１電極層８１と、この第１電極
層８１の上面に導電性透明物質のＩＴＯよりなる第２電
極層８２が積層されて面抵抗を１Ω／□以下にすること
が望ましい。そして、前記第２電極部８０がＩＴＯより
なりうるが、この場合、外部光の入射方向から離れるほ
ど前記ＩＴＯ物質の含量は順次に減少し、前記金属成分
の含量は順次に増加する分布にすることが望ましい。ま
た前記封止層９０の内部には水分の遮断のために第１電
極部６０、有機電界発光部７０及び第２電極部８０を覆
う保護膜１００がさらに備わりうる。
たようにＣａよりなる第１電極層８１と、この第１電極
層８１の上面に導電性透明物質のＩＴＯよりなる第２電
極層８２が積層されて面抵抗を１Ω／□以下にすること
が望ましい。そして、前記第２電極部８０がＩＴＯより
なりうるが、この場合、外部光の入射方向から離れるほ
ど前記ＩＴＯ物質の含量は順次に減少し、前記金属成分
の含量は順次に増加する分布にすることが望ましい。ま
た前記封止層９０の内部には水分の遮断のために第１電
極部６０、有機電界発光部７０及び第２電極部８０を覆
う保護膜１００がさらに備わりうる。
【００３３】図６には本発明による有機電界発光表示装
置の他の実施形態を示した。この実施形態において図５
に示された実施形態の場合と同じ符号は同じ構成要素を
示す。
置の他の実施形態を示した。この実施形態において図５
に示された実施形態の場合と同じ符号は同じ構成要素を
示す。
【００３４】図面を参照すれば、本発明による有機電界
発光表示装置は、透明な基板５０、導電性材質よりなる
所定パターンの第１電極部６０、前記複数の有機膜より
なる有機電界発光部７０が順次に積層される。そして前
記有機電界発光部７０の上部には第２電極部１１０が形
成されるが、前記第２電極部１１０は誘電性物質の前記
第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ
よりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよりな
る。前記第２電極部１１０はその厚さ方向に漸進的な成
分濃度勾配を有するが、この漸進的な濃度勾配は前記第
２電極部１１０の厚さ方向に外部光の入射方向から離れ
るほど光吸収率が漸進的に増加するようになっており、
図７に示されたように外部光の入射方向から離れるほど
前記誘電性物質の第１成分含量は順次に増加し、前記金
属成分の第２成分含量は順次に減少するように分布され
る。
発光表示装置は、透明な基板５０、導電性材質よりなる
所定パターンの第１電極部６０、前記複数の有機膜より
なる有機電界発光部７０が順次に積層される。そして前
記有機電界発光部７０の上部には第２電極部１１０が形
成されるが、前記第２電極部１１０は誘電性物質の前記
第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ
よりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよりな
る。前記第２電極部１１０はその厚さ方向に漸進的な成
分濃度勾配を有するが、この漸進的な濃度勾配は前記第
２電極部１１０の厚さ方向に外部光の入射方向から離れ
るほど光吸収率が漸進的に増加するようになっており、
図７に示されたように外部光の入射方向から離れるほど
前記誘電性物質の第１成分含量は順次に増加し、前記金
属成分の第２成分含量は順次に減少するように分布され
る。
【００３５】そして第１電極部６０、有機電界発光部７
０、第２電極部１１０は封止層１２０により覆われる
が、この封止層１２０はアルミニウムまたはこの合金よ
りなり、前記封止層１２０と第１電極部６０は絶縁層２
１により絶縁される。
０、第２電極部１１０は封止層１２０により覆われる
が、この封止層１２０はアルミニウムまたはこの合金よ
りなり、前記封止層１２０と第１電極部６０は絶縁層２
１により絶縁される。
【００３６】図８には本発明による有機電界発光表示装
置の他の実施形態を示した。
置の他の実施形態を示した。
【００３７】図面を参照すれば、本発明による有機電界
発光表示装置は、透明な基板１３１の上面に形成されて
外部光を吸収する外光吸収膜１３２と、前記外光吸収膜
１３２の上面に形成された第２電極部１３３と、前記第
２電極部１３３の上面に所定パターンの有機膜が積層さ
れてなる有機電界発光部１３４と、前記有機電界発光部
１３４の上面に所定のパターンで形成された透明な第１
電極部１３５とを含む。
発光表示装置は、透明な基板１３１の上面に形成されて
外部光を吸収する外光吸収膜１３２と、前記外光吸収膜
１３２の上面に形成された第２電極部１３３と、前記第
２電極部１３３の上面に所定パターンの有機膜が積層さ
れてなる有機電界発光部１３４と、前記有機電界発光部
１３４の上面に所定のパターンで形成された透明な第１
電極部１３５とを含む。
【００３８】前記外光吸収膜１３２はＳｉＯｘ（ｘ＞
１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ
２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群か
ら選択される一つ以上の誘電性物質よりなる第１成分
と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる
群から選択された一つ以上の第２成分とよりなり、漸進
的な濃度勾配を有し、外部光の入射方向から離れるほど
前記第１成分の誘電性物質の含量は順次に減少し、前記
第２成分の金属成分の含量は順次に増加する分布を有す
る。
１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ
２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群か
ら選択される一つ以上の誘電性物質よりなる第１成分
と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる
群から選択された一つ以上の第２成分とよりなり、漸進
的な濃度勾配を有し、外部光の入射方向から離れるほど
前記第１成分の誘電性物質の含量は順次に減少し、前記
第２成分の金属成分の含量は順次に増加する分布を有す
る。
【００３９】図９及び図１０にはＡＭタイプの有機電界
発光表示装置（Ａｃｔｉｖｅ ｍａｒｔｉｘ ｏｒｇａｎ
ｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ；
ＡＭＯＬＥＤ ）の一例を示した。
発光表示装置（Ａｃｔｉｖｅ ｍａｒｔｉｘ ｏｒｇａｎ
ｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ；
ＡＭＯＬＥＤ ）の一例を示した。
【００４０】図示されたように透明な基板２００にはバ
ッファ層２０１が形成され、このバッファ層２０１の上
部には各々画素とその画素の形成のための透明電極２１
０を有する画素領域３００と、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）とキャパシタ２５０とが形成された駆動領域４００
とが設けられる。
ッファ層２０１が形成され、このバッファ層２０１の上
部には各々画素とその画素の形成のための透明電極２１
０を有する画素領域３００と、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）とキャパシタ２５０とが形成された駆動領域４００
とが設けられる。
【００４１】前記駆動領域４００はバッファ層２０１の
上面に所定のパターンで配列されたｐ型またはｎ型の半
導体層２０２がゲート絶縁層２０３により埋込められ、
前記ゲート絶縁層２０３の上面には前記半導体層２０２
と対応するゲート電極層２０４と、これを埋込む中間絶
縁膜２０５と、前記中間絶縁膜２０５とゲート絶縁層２
０３とに形成されたコンタクトホール２０６ａ、２０７
ａを通じて前記半導体層２０２の両側に各々連結され、
かつ中間絶縁膜２０５の上部に形成されたドレーン電極
２０６、ソース電極２０７よりなる薄膜トランジスタ
と、前記ソース電極２０７と連結されて前記中間絶縁膜
２０５の上面に形成された第１電極２５１と、この第１
電極２５１と対向して中間絶縁層２０５に埋込められる
第２電極２５２とよりなるキャパシタ２５０とが設けら
れる。
上面に所定のパターンで配列されたｐ型またはｎ型の半
導体層２０２がゲート絶縁層２０３により埋込められ、
前記ゲート絶縁層２０３の上面には前記半導体層２０２
と対応するゲート電極層２０４と、これを埋込む中間絶
縁膜２０５と、前記中間絶縁膜２０５とゲート絶縁層２
０３とに形成されたコンタクトホール２０６ａ、２０７
ａを通じて前記半導体層２０２の両側に各々連結され、
かつ中間絶縁膜２０５の上部に形成されたドレーン電極
２０６、ソース電極２０７よりなる薄膜トランジスタ
と、前記ソース電極２０７と連結されて前記中間絶縁膜
２０５の上面に形成された第１電極２５１と、この第１
電極２５１と対向して中間絶縁層２０５に埋込められる
第２電極２５２とよりなるキャパシタ２５０とが設けら
れる。
【００４２】そして、前記中間絶縁膜２０５の保護膜２
０８と、画素形成領域３００に開口部２０９ａが形成さ
れた平坦化膜２０９とが形成される。前記平坦化膜２０
９の開口部２０９ａの底面には前記ドレーン電極２０６
と電気的に連結された透明電極２１０が形成され、この
透明電極２１０の上部には有機膜２２０が積層され、前
記有機膜２２０と平坦化膜２０９との上部にはカソード
層２３０が形成される。
０８と、画素形成領域３００に開口部２０９ａが形成さ
れた平坦化膜２０９とが形成される。前記平坦化膜２０
９の開口部２０９ａの底面には前記ドレーン電極２０６
と電気的に連結された透明電極２１０が形成され、この
透明電極２１０の上部には有機膜２２０が積層され、前
記有機膜２２０と平坦化膜２０９との上部にはカソード
層２３０が形成される。
【００４３】一方、前記駆動領域４００をなす薄膜トラ
ンジスタとキャパシタ２５０との下部、すなわち第２領
域と対応する基板２００とバッファ層２０１との間には
外光吸収膜２４０が形成される。この外光吸収膜２４０
は前述した実施形態のようにＳｉＯｘ（ｘ＞１）、Ｓｉ
Ｎｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓ
ｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択され
る一つ以上の誘電性物質よりなる第１成分と、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択さ
れた一つ以上の第２成分とよりなり漸進的な濃度勾配を
有する。前記外光吸収膜２４０は外部光の入射方向から
離れるほど前記第１成分の誘電性物質の含量は順次に減
少し、前記第２成分の金属成分の含量は順次に増加する
分布にすることが望ましい。
ンジスタとキャパシタ２５０との下部、すなわち第２領
域と対応する基板２００とバッファ層２０１との間には
外光吸収膜２４０が形成される。この外光吸収膜２４０
は前述した実施形態のようにＳｉＯｘ（ｘ＞１）、Ｓｉ
Ｎｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓ
ｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択され
る一つ以上の誘電性物質よりなる第１成分と、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択さ
れた一つ以上の第２成分とよりなり漸進的な濃度勾配を
有する。前記外光吸収膜２４０は外部光の入射方向から
離れるほど前記第１成分の誘電性物質の含量は順次に減
少し、前記第２成分の金属成分の含量は順次に増加する
分布にすることが望ましい。
【００４４】外光吸収膜２４０は図１０に示されたよう
に画素形成領域の画素領域３００を除外した領域に形成
できる。外光吸収膜２４０は図１１に示されたように全
面発光型で画素領域３００と対応する保護膜２０８と平
坦化膜２０９との間に形成できる。また外光吸収膜２４
０は図１２に示されたように全面発光型の有機電界発光
表示装置の場合には基板２００とバッファ膜２０１との
間の全面に形成できる。
に画素形成領域の画素領域３００を除外した領域に形成
できる。外光吸収膜２４０は図１１に示されたように全
面発光型で画素領域３００と対応する保護膜２０８と平
坦化膜２０９との間に形成できる。また外光吸収膜２４
０は図１２に示されたように全面発光型の有機電界発光
表示装置の場合には基板２００とバッファ膜２０１との
間の全面に形成できる。
【００４５】全面発光型誘電電界発光表示装置の他の実
施形態を図１３に示した。
施形態を図１３に示した。
【００４６】図面を参照すれば、画素を構成する部分の
アノード層の透明電極２１０が前記の第１成分のうちＩ
ＴＯ成分と第２成分とよりなる。この時に前記透明電極
２１０は基板側で第２成分の濃度が高くて有機発光層側
で第１成分の濃度が高い構造を有する。
アノード層の透明電極２１０が前記の第１成分のうちＩ
ＴＯ成分と第２成分とよりなる。この時に前記透明電極
２１０は基板側で第２成分の濃度が高くて有機発光層側
で第１成分の濃度が高い構造を有する。
【００４７】本発明の他の実施形態としては、図１４に
示されたように有機電界発光表示装置が背面発光型であ
る場合には前記カソード層２３０は前記第１成分と第２
成分とよりなり、濃度勾配を有するように形成すること
が望ましい。
示されたように有機電界発光表示装置が背面発光型であ
る場合には前記カソード層２３０は前記第１成分と第２
成分とよりなり、濃度勾配を有するように形成すること
が望ましい。
【００４８】図１を再び参照すれば、前述したように構
成された有機電界発光表示装置は第１電極部６０及び第
２電極部８０に所定の電圧が印加されれば、陽極の第１
電極部６０から注入されたホールがホール輸送層７１を
経由して発光層７２に移動し、電子は第２電極部８０か
ら電子輸送層７３を経由して発光層７２に注入される。
この発光層７２で電子とホールとが再結合して励起子を
生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化する
につれて、発光層７２の蛍光性分子が発光して画像が形
成される。
成された有機電界発光表示装置は第１電極部６０及び第
２電極部８０に所定の電圧が印加されれば、陽極の第１
電極部６０から注入されたホールがホール輸送層７１を
経由して発光層７２に移動し、電子は第２電極部８０か
ら電子輸送層７３を経由して発光層７２に注入される。
この発光層７２で電子とホールとが再結合して励起子を
生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化する
につれて、発光層７２の蛍光性分子が発光して画像が形
成される。
【００４９】前述したように駆動される有機電界発光表
示装置は、前記封止層９０または第２電極部８０が誘電
性物質と金属とが混合された物質よりなって入射される
外部光を吸収できるようになっているので、入射された
外部光の反射を減らして有機電界発光部７０により形成
される画像の輝度及びコントラストが低下することを防
止できる。
示装置は、前記封止層９０または第２電極部８０が誘電
性物質と金属とが混合された物質よりなって入射される
外部光を吸収できるようになっているので、入射された
外部光の反射を減らして有機電界発光部７０により形成
される画像の輝度及びコントラストが低下することを防
止できる。
【００５０】このような作用効果は前記有機電界発光表
示装置の実施例と比較例の輝度の実験を通じてより明ら
かになる。
示装置の実施例と比較例の輝度の実験を通じてより明ら
かになる。
【００５１】＜実施例１＞透明な基板の上面にＩＴＯよ
りなる第１電極部を形成し、この第１電極部の上面にホ
ール注入層としてフタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐ
ｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）を４００℃で２
００Åの厚さに蒸着させ、その上部にホール輸送層の役
割をするＮ、Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、
Ｎ′−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）を３００℃で
５００Åの厚さに蒸着させた。そして、ホール輸送層の
上部にはトリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
（Ａｌｑ３）とフッ化リチウム（ＬｉＦ）及びＣａを各
々４００Å、１０Å、２０００Åの厚さに蒸着し、この
上部に第１成分のＳｉＯと第２成分のＴｉとを濃度勾配
を有するように１０００Åの厚さに封止層を形成した。
りなる第１電極部を形成し、この第１電極部の上面にホ
ール注入層としてフタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐ
ｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）を４００℃で２
００Åの厚さに蒸着させ、その上部にホール輸送層の役
割をするＮ、Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、
Ｎ′−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）を３００℃で
５００Åの厚さに蒸着させた。そして、ホール輸送層の
上部にはトリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
（Ａｌｑ３）とフッ化リチウム（ＬｉＦ）及びＣａを各
々４００Å、１０Å、２０００Åの厚さに蒸着し、この
上部に第１成分のＳｉＯと第２成分のＴｉとを濃度勾配
を有するように１０００Åの厚さに封止層を形成した。
【００５２】前述したように製造された有機電界発光表
示装置によると、下記表１に示したように反射率が１０
％未満で光強度が５０ｃｄ／ｍ2 である場合にも具現さ
れる画像のコントラストが１００：１の優秀な光学特性
が確保できた。
示装置によると、下記表１に示したように反射率が１０
％未満で光強度が５０ｃｄ／ｍ2 である場合にも具現さ
れる画像のコントラストが１００：１の優秀な光学特性
が確保できた。
【００５３】＜実施例２＞Ｃａ電極上に導電性透明物質
のＩＴＯを蒸着し、前記第２電極部の面抵抗を１Ω／□
以下にしたことを除いては実施例１と同じ方法によって
実施してパターニングされたブラックマトリックスを製
造した。
のＩＴＯを蒸着し、前記第２電極部の面抵抗を１Ω／□
以下にしたことを除いては実施例１と同じ方法によって
実施してパターニングされたブラックマトリックスを製
造した。
【００５４】前述したように製造された有機電界発光表
示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０
％未満に減らすことができた。
示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０
％未満に減らすことができた。
【００５５】＜実施例３＞前記第２電極部をＩＴＯを利
用して製造し、封止層としてＩＴＯ−メタル系のＴｉを
利用したことを除いては実施例１と同じ方法によって実
施してパターニングされたブラックマトリックスを製造
した。
用して製造し、封止層としてＩＴＯ−メタル系のＴｉを
利用したことを除いては実施例１と同じ方法によって実
施してパターニングされたブラックマトリックスを製造
した。
【００５６】前述したように製造された有機電界発光表
示装置によると、下記表１に示したように反射率を２０
％未満に減らすことができた。
示装置によると、下記表１に示したように反射率を２０
％未満に減らすことができた。
【００５７】＜実施例４＞前記第２電極部をＩＴＯを蒸
着して製造して、封止層の内面に第１電極部及び有機電
界維持発光部及び第２電極部を覆って水分を遮断する保
護膜を形成したことを除いては実施例１と同じ方法によ
って実施してパターニングされたブラックマトリックス
を製造した。
着して製造して、封止層の内面に第１電極部及び有機電
界維持発光部及び第２電極部を覆って水分を遮断する保
護膜を形成したことを除いては実施例１と同じ方法によ
って実施してパターニングされたブラックマトリックス
を製造した。
【００５８】前述したように製造された有機電界発光表
示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０
％未満に減らすことができ、輝度を後述する比較例の有
機電界発光表示装置に比べて５０％以上向上させること
ができた。
示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０
％未満に減らすことができ、輝度を後述する比較例の有
機電界発光表示装置に比べて５０％以上向上させること
ができた。
【００５９】＜実施例５＞透明な基板の上面に誘電性物
質の第１成分のＳｉＯと金属成分の第２成分のＴｉとを
濃度勾配を有するように１０００Åの厚さで光吸収層を
形成し、この上部にＩＴＯよりなる第１電極部を形成
し、この第１電極部の上面にホール注入層としてフタロ
シアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃ
ｙａｎｉｎｅ）を４００℃で２００Åの厚さに蒸着さ
せ、その上部にホール輸送層の役割をするＮ、Ｎ−ジ
（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ′−ジフェニル−ベ
ンジジン（ＮＰＢ）を３００℃で５００Åの厚さに蒸着
させた。そして、ホール輸送層の上部にはトリス−８−
ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）とＬｉＦ
及びＣａを各々４００Å、１０Å、２０００Åの厚さに
蒸着させた。
質の第１成分のＳｉＯと金属成分の第２成分のＴｉとを
濃度勾配を有するように１０００Åの厚さで光吸収層を
形成し、この上部にＩＴＯよりなる第１電極部を形成
し、この第１電極部の上面にホール注入層としてフタロ
シアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃ
ｙａｎｉｎｅ）を４００℃で２００Åの厚さに蒸着さ
せ、その上部にホール輸送層の役割をするＮ、Ｎ−ジ
（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ′−ジフェニル−ベ
ンジジン（ＮＰＢ）を３００℃で５００Åの厚さに蒸着
させた。そして、ホール輸送層の上部にはトリス−８−
ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）とＬｉＦ
及びＣａを各々４００Å、１０Å、２０００Åの厚さに
蒸着させた。
【００６０】前述したように製造された有機電界発光表
示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０
％未満に減らすことができ、後述する比較例に比べて輝
度を７０％以上向上させることができた。
示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０
％未満に減らすことができ、後述する比較例に比べて輝
度を７０％以上向上させることができた。
【００６１】＜実施例６＞薄膜トランジスタを利用した
背面発光型ＡＭタイプの有機電界発光表示装置におい
て、薄膜トランジスタとキャパシタとが形成された第２
領域と対応する基板とバッファ層との間に誘電性物質の
第１成分のＳｉＯと第２成分のＴｉとで濃度勾配を有す
るように外光吸収膜を形成した。
背面発光型ＡＭタイプの有機電界発光表示装置におい
て、薄膜トランジスタとキャパシタとが形成された第２
領域と対応する基板とバッファ層との間に誘電性物質の
第１成分のＳｉＯと第２成分のＴｉとで濃度勾配を有す
るように外光吸収膜を形成した。
【００６２】前述したように製造された有機電界発光表
示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０
％未満に減らすことができ、後述した比較例に比べて輝
度を２００％以上向上させることができた。
示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０
％未満に減らすことができ、後述した比較例に比べて輝
度を２００％以上向上させることができた。
【００６３】＜比較例１＞透明な基板の上面にＩＴＯよ
りなる第１電極部を形成し、この第１電極部の上面にホ
ール注入層としてフタロシアニン（ＣｕＰｃ）を４００
℃で２００Åに蒸着させ、その上部にホール輸送層の役
割をするＮ、Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、
Ｎ′−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）を３００℃で
５００Åの厚さに蒸着させた。そしてホール輸送層の上
部にはトリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
（Ａｌｑ３）とＬｉＦ及びＡｌを各々４００Å、１０
Å、２０００Åの厚さに蒸着させ、封止材を利用して密
封した。
りなる第１電極部を形成し、この第１電極部の上面にホ
ール注入層としてフタロシアニン（ＣｕＰｃ）を４００
℃で２００Åに蒸着させ、その上部にホール輸送層の役
割をするＮ、Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、
Ｎ′−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）を３００℃で
５００Åの厚さに蒸着させた。そしてホール輸送層の上
部にはトリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
（Ａｌｑ３）とＬｉＦ及びＡｌを各々４００Å、１０
Å、２０００Åの厚さに蒸着させ、封止材を利用して密
封した。
【００６４】前述したように製造された有機電界発光表
示装置によると、Ａｌ層の反射率が９０％以上で有機電
界発光装置を１００ｃｄ／ｍ2 で駆動し、外部光の強度
が５０ｃｄ／ｍ2 の場合、具現されるコントラストが
２：１程度で視認性が大きく減少した。
示装置によると、Ａｌ層の反射率が９０％以上で有機電
界発光装置を１００ｃｄ／ｍ2 で駆動し、外部光の強度
が５０ｃｄ／ｍ2 の場合、具現されるコントラストが
２：１程度で視認性が大きく減少した。
【００６５】前述したように実施例と比較例との実験結
果を表１に示した。
果を表１に示した。
【００６６】
【表１】
【００６７】一方、前述したように外部光を吸収する有
機電界発光表示装置の封止層、第２電極部または外光吸
収膜は次のような工程を通じて製造できる。
機電界発光表示装置の封止層、第２電極部または外光吸
収膜は次のような工程を通じて製造できる。
【００６８】まず、基板の上面に第１電極部と有機電界
発光部及び第２電極部を順次に形成した後、前記基板を
真空蒸着器内に蒸着ボートと対向するように固定する段
階を行う。そして相異なる融点を有する金属と誘電性物
質の混合物、すなわち、前記第１成分と第２成分のうち
いずれか一つが選択されて混合された混合物を一つの蒸
着ボートに投入する段階を行う。ここで、金属と誘電性
物質の混合物はＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分
の金属の５０ないし９７重量％と、前記第１成分のＳｉ
Ｏｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、Ｃａ
Ｆ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ ３及びＩＴＯよ
りなる群から選択される一つ以上の誘電性物質の３ない
し５０重量％とよりなる。
発光部及び第２電極部を順次に形成した後、前記基板を
真空蒸着器内に蒸着ボートと対向するように固定する段
階を行う。そして相異なる融点を有する金属と誘電性物
質の混合物、すなわち、前記第１成分と第２成分のうち
いずれか一つが選択されて混合された混合物を一つの蒸
着ボートに投入する段階を行う。ここで、金属と誘電性
物質の混合物はＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分
の金属の５０ないし９７重量％と、前記第１成分のＳｉ
Ｏｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、Ｃａ
Ｆ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ ３及びＩＴＯよ
りなる群から選択される一つ以上の誘電性物質の３ない
し５０重量％とよりなる。
【００６９】次いで、金属と誘電性物質の混合物が入っ
ている蒸着ボートの温度を変化させつつ真空熱蒸着を実
施する。この時、蒸着ボートの温度を変化させるために
は蒸着ボートに印加される電圧を徐々に高める方法を使
用する。
ている蒸着ボートの温度を変化させつつ真空熱蒸着を実
施する。この時、蒸着ボートの温度を変化させるために
は蒸着ボートに印加される電圧を徐々に高める方法を使
用する。
【００７０】経時的に蒸着温度を徐々に高めれば誘電性
成分のＳｉＯが先に蒸着され、これより高い温度では誘
電性成分と金属成分との２つの成分が同時に蒸着され、
最終的に最も高い温度ではこれ以上の誘電性成分が残ら
ず、純粋に金属成分だけが蒸着される。その結果、図２
に示されたようにＳｉＯは外部光入射方向から離れるほ
ど次第に減少する分布で存在し、金属成分は外部光の入
射方向から離れるほど次第に増加する分布で存在する封
止層を形成できる。
成分のＳｉＯが先に蒸着され、これより高い温度では誘
電性成分と金属成分との２つの成分が同時に蒸着され、
最終的に最も高い温度ではこれ以上の誘電性成分が残ら
ず、純粋に金属成分だけが蒸着される。その結果、図２
に示されたようにＳｉＯは外部光入射方向から離れるほ
ど次第に減少する分布で存在し、金属成分は外部光の入
射方向から離れるほど次第に増加する分布で存在する封
止層を形成できる。
【００７１】そして前記封止層または電極層の他の形成
方法は次の通りである。
方法は次の通りである。
【００７２】まず、基板の上面に第１電極部と有機電界
発光部及び第２電極部を順次に形成した後、前記基板を
真空蒸着器内に蒸着ボートと対向するように固定する段
階を行う。相異なる融点特性を有する誘電性物質よりな
るターゲットと、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の金属よ
りなるターゲットとを利用してスパッタリングすること
によって封止層を形成する。
発光部及び第２電極部を順次に形成した後、前記基板を
真空蒸着器内に蒸着ボートと対向するように固定する段
階を行う。相異なる融点特性を有する誘電性物質よりな
るターゲットと、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の金属よ
りなるターゲットとを利用してスパッタリングすること
によって封止層を形成する。
【００７３】
【発明の効果】前記本発明の有機電界発光装置及びこの
製造方法は、外部光の反射率を大幅に減らして具現され
る画像のコントラストと輝度とを向上させ、特に外部光
を遮断するための偏光板を除去して生産性の向上を図れ
る。
製造方法は、外部光の反射率を大幅に減らして具現され
る画像のコントラストと輝度とを向上させ、特に外部光
を遮断するための偏光板を除去して生産性の向上を図れ
る。
【図１】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装
置の断面図。
置の断面図。
【図２】図１に示された封止層の厚さによる濃度勾配を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図３】封止層の濃度勾配を示す図。
【図４】封止層の濃度勾配を示す図。
【図５】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図６】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図７】図５に示された第２電極部の濃度勾配を示すグ
ラフ。
ラフ。
【図８】本発明の他の実施例を示す有機電界発光表示装
置の断面図。
置の断面図。
【図９】本発明の他の実施例を示す有機電界発光表示装
置の断面図。
置の断面図。
【図１０】図９に示された有機電界発光表示装置の配列
を示す図。
を示す図。
【図１１】本発明による有機電界発光表示装置の他の実
施形態を示す断面図。
施形態を示す断面図。
【図１２】本発明による有機電界発光表示装置の他の実
施形態を示す断面図。
施形態を示す断面図。
【図１３】本発明による有機電界発光表示装置の他の実
施形態を示す断面図。
施形態を示す断面図。
【図１４】本発明による有機電界発光表示装置の他の実
施形態を示す断面図。
施形態を示す断面図。
【図１５】従来の有機電界発光表示装置の断面図。
５０ 基板
６０ 第１電極部
７０ 有機電界発光部
７１ ホール輸送層
７２ 発光層
７３ 電子輸送層
８０ 第２電極部
９０ 封止層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/28 Ｈ０５Ｂ 33/28
(72)発明者 朴 昌元
大韓民国京畿道水原市靈通洞1047−１番地
清明マウル４団地建栄アパート421棟902
号
(72)発明者 朴 鎮宇
大韓民国京畿道水原市長安区棗園洞881番
地 韓一タウンアパート127棟406号
(72)発明者 申 東纉
大韓民国京畿道華城市台安邑半月里860番
地 現代アパート302棟304号
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB17 AB18 BB00 BB06
BB07 CB01 CC00 DB03 FA02
Claims (37)
- 【請求項１】 透明な基板と、 前記基板の上面に所定パターンで形成されて透明な導電
性材質よりなる第１電極部と、 前記第１電極部の上部に所定のパターンの有機膜が積層
されてなる有機電界発光部と、 前記第１電極部と対応するように前記有機電界発光部の
上面に所定のパターンで形成された第２電極部と、 前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記第２電極部
を覆って保護するように形成されるとともに、第１成分
とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群
から選択された一つ以上の第２成分とを含んでなる封止
層とを備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 【請求項２】 前記第１成分はＳｉＯｘ（ｘ＞１）、Ｓ
ｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、
ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択さ
れる一つ以上の誘電性物質であることを特徴とする請求
項１に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項３】 前記封止層は厚さ方向に漸進的な濃度勾
配を有することを特徴とする請求項１または請求項２に
記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項４】 前記漸進的な濃度勾配は、前記封止層の
厚さ方向に沿って外部光の入射方向から離れるほど光吸
収率が漸進的に増加するようになっていることを特徴と
する請求項１に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項５】 前記漸進的な濃度勾配は、前記封止層の
厚さ方向に沿って外部光の入射方向から離れるほど前記
誘電性物質の含量は次第に減少し、前記第２成分の金属
成分の含量は次第に増加するように分布されていること
を特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項６】 前記第２電極部はＣａが蒸着されてなる
第１電極層と、前記第１電極層の上面に形成された導電
性透明電極層とよりなることを特徴とする請求項１に記
載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項７】 前記第２電極部の面抵抗が１Ω／□以下
であることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光
表示装置。 - 【請求項８】 前記第２電極部がＩＴＯよりなることを
特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項９】 前記封止層の内部に、第１電極部、有機
電界発光部及び第２電極部を覆う保護膜がさらに備わっ
ていることを特徴とする請求項１または請求項８に記載
の有機電界発光表示装置。 - 【請求項１０】 透明な基板と、 前記基板の上面に所定パターンで形成されて透明な導電
性材質よりなる第１電極部と、 前記第１電極部の上部に所定パターンの有機膜が積層さ
れてなる有機電界発光部と、 前記有機電界発光部の上面に形成されるとともに、第１
成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりな
る群から選択された一つ以上の第２成分とよりなる第２
電極部と、 前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記第２電極部
を覆う封止層とを備えてなることを特徴とする有機電界
発光表示装置。 - 【請求項１１】 前記第２電極部の第１成分と第２成分
とが厚さ方向に漸進的な濃度勾配を有することを特徴と
する請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項１２】 前記漸進的な濃度勾配は前記第２電極
部の厚さ方向に沿って外部光の入射方向から離れるほど
光吸収率が次第に増加するようになっていることを特徴
とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項１３】 前記漸進的な濃度勾配は、前記第２電
極部の厚さ方向に沿って外部光の入射方向から離れるほ
ど前記誘電性物質の含量は次第に増加し、前記金属成分
の含量は次第に減少するように分布されていることを特
徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項１４】 前記封止層はアルミニウムまたはこの
合金よりなり、前記封止層と第１電極部とを絶縁させる
絶縁層を具備してなることを特徴とする請求項１０に記
載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項１５】 透明な基板と、 前記基板の上面に形成されて外部光を吸収する外光吸収
膜と、 前記外光吸収膜の上面に形成された第２電極部と、 前記第２電極部の上面に所定パターンの有機膜が積層さ
れてなる有機電界発光部と、 前記有機電界発光部の上面に所定パターンで形成された
第１電極部とを含んでなることを特徴とする有機電界発
光表示装置。 - 【請求項１６】 前記外光吸収膜は、 ＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、
ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴ
Ｏよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質より
なる第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、
Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよ
りなることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発
光表示装置。 - 【請求項１７】 前記外光吸収膜は漸進的な濃度勾配を
有するように構成されていることを特徴とする請求項１
５及び請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項１８】 前記外光吸収膜の第１成分と第２成分
とが封止層の厚さによって漸進的な濃度勾配を有するよ
うになっていることを特徴とする請求項１６に記載の有
機電界発光表示装置。 - 【請求項１９】 前記外光吸収膜は、外部光の入射方向
から離れるほど前記第１成分の誘電性物質の含量は次第
に増加し、前記第２成分の金属成分の含量は次第に減少
するように分布されていることを特徴とする請求項１６
に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項２０】 透明な基板と、 前記基板上に所定のパターンで形成されたアノード層
と、前記アノード層の上面に有機膜が積層されてなる有
機電界発光部と、前記有機電界発光部が露出されるよう
に前記基板の上面に形成された絶縁性保護膜と、前記有
機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に所定のパター
ンで形成されたカソード層を含む画素領域と、 前記透明な基板上に形成されて前記アノード層に選択的
に電位を印加するための薄膜トランジスタを含む駆動領
域と、前記基板の上面に前記アノード層と絶縁される外
光吸収膜が形成されたことを特徴とする有機電界発光表
示装置。 - 【請求項２１】 前記外光吸収膜は、 ＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、
ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴ
Ｏよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質より
なる第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、
Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよ
りなることを特徴とする請求項２０に記載の有機電界発
光表示装置。 - 【請求項２２】 前記外光吸収膜は漸進的な濃度勾配を
有するように構成されることを特徴とする請求項２１に
記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項２３】 前記外光吸収膜の上面に形成されたバ
ッファ層をさらに具備してなることを特徴とする請求項
２０に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項２４】 前記アノード層とカソード層とが透明
電極であることを特徴とする請求項２０に記載の有機電
界発光表示装置。 - 【請求項２５】 前記外光吸収膜は前記基板の全面に形
成されたことを特徴とする請求項２０に記載の有機電界
発光表示装置。 - 【請求項２６】 前記外光吸収膜は前記画素領域を除外
した前記基板の全面にわたって形成されたことを特徴と
する請求項２０に記載の有機電界発光表示装置。 - 【請求項２７】 透明な基板と、 前記基板上に所定のパターンで形成されたアノード層
と、前記アノード層の上面に有機膜が積層されてなる有
機電界発光部と、前記有機電界発光部が露出されるよう
に前記基板の上面に形成された絶縁性保護膜と、前記有
機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に所定のパター
ンで形成されたカソード層を含む画素領域と、 前記透明な基板上に形成されて前記アノード層に選択的
に電圧を印加するための薄膜トランジスタを含む駆動領
域とを含み、 前記アノード層が外光吸収膜よりなることを特徴とする
有機電界発光表示装置。 - 【請求項２８】 前記アノード層をなす外光吸収膜は、 ＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、
ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴ
Ｏよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質より
なる第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、
Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよ
りなることを特徴とする請求項２７に記載の有機電界発
光表示装置。 - 【請求項２９】 透明な基板と、前記基板に形成された
バッファ層と、前記バッファ層に形成された薄膜トラン
ジスタと、前記薄膜トランジスタを埋め込む中間絶縁体
層と、前記中間絶縁体層の上面に所定のパターンで形成
されて前記薄膜トランジスタにより選択的に電位が印加
される透明電極層と、前記透明電極層が露出されるよう
に開口部が形成された絶縁性保護膜と、前記透明電極層
の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前
記有機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に所定のパ
ターンで形成されたカソード層とを含み、 前記有機電界発光部と対応する領域を除外した中間絶縁
体層と絶縁性保護膜との間に外光吸収膜が形成されたこ
とを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 【請求項３０】 前記外光吸収膜は、 ＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、
ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴ
Ｏよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質より
なる第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、
Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよ
りなることを特徴とする請求項２９に記載の有機電界発
光表示装置。 - 【請求項３１】 透明な基板と、前記基板に形成された
バッファ層と、前記バッファ層に形成された薄膜トラン
ジスタと、前記薄膜トランジスタを埋め込む中間絶縁体
層と、前記中間絶縁体層の上面に所定のパターンで形成
されて前記薄膜トランジスタにより選択的に電位が印加
される透明電極層と、前記透明電極層が露出されるよう
に開口部が形成された絶縁性保護膜と、前記透明電極層
の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前
記有機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に所定のパ
ターンで形成された透明なカソード層とを含み、 前記カソード層が誘電性物質である第１成分と、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択
された一つ以上の第２成分とを含んでなることを特徴と
する有機電界発光表示装置。 - 【請求項３２】 前記カソード層の第１成分は、ＳｉＯ
ｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ
２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯより
なる群から選択される一つ以上の誘電性物質であること
を特徴とする請求項３１に記載の有機電界発光表示装
置。 - 【請求項３３】 前記第１成分と第２成分とがカソード
層の厚さ方向に漸進的な濃度勾配を有することを特徴と
する請求項３１または請求項３２に記載の有機電界発光
表示装置。 - 【請求項３４】 透明な基板を備える第１段階と、 前記基板に所定パターンの第１電極部を形成する第２段
階と、 前記第１電極部の上面に多数の有機膜が積層されてなる
有機電界発光部を形成する第３段階と、 前記有機電界発光部の上面に第１電極部と共に前記有機
電界発光部を駆動させるための第２電極部を形成する第
４段階と、 誘電性物質の第１成分と金属物質の第２成分とが濃度勾
配を有し、かつ前記第１電極部、前記有機電界発光部及
び前記第２電極部を覆う封止層を形成する第５段階とを
含んでなることを特徴とする有機電界発光表示装置の製
造方法。 - 【請求項３５】 前記５段階において、 相異なる融点特性を有する誘電性物質のＳｉＯを３ない
し５０重量％含みかつＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の金
属を５０ないし９７重量％含んでなる誘電性物質と金属
の混合物を、一つの蒸着ボートに投入する段階と、前記
封止層を形成するため前記蒸着ボートの温度を順次増加
させつつＳｉＯと金属とを蒸着する段階とを含んでなる
ことを特徴とする請求項３４に記載の有機電界発光表示
装置の製造方法。 - 【請求項３６】 透明な基板と、 前記基板の上面に所定パターンで形成され透明な導電性
材質よりなる第１電極部と、 前記第１電極部の上部に所定パターンの有機膜が積層さ
れてなる有機電界発光部と、 前記第１電極部と対応するように前記有機電界発光部の
上面に所定のパターンで形成された第２電極部と、 前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記第２電極部
を覆って保護するように形成されるとともに、その厚さ
方向に濃度勾配の構成を有する封止層とを含んでなるこ
とを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 【請求項３７】 透明な基板と、 前記基板に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層に形成された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを埋め込む中間絶縁体層と、 前記中間絶縁体層の上面に所定のパターンで形成されて
前記薄膜トランジスタにより選択的に電位が印加される
透明電極層と、 前記透明電極層が露出されるように開口部が形成された
絶縁性保護膜と、 前記透明電極層の上面に有機膜が積層されてなる有機電
界発光部と、 前記有機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に所定の
パターンで形成された透明なカソード層を含み、 前記カソード層はその厚さ方向に濃度勾配の構成を有す
ることを特徴とする有機電界発光表示装置。
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