[go: up one dir, main page]

KR101839929B1 - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101839929B1
KR101839929B1 KR1020110024341A KR20110024341A KR101839929B1 KR 101839929 B1 KR101839929 B1 KR 101839929B1 KR 1020110024341 A KR1020110024341 A KR 1020110024341A KR 20110024341 A KR20110024341 A KR 20110024341A KR 101839929 B1 KR101839929 B1 KR 101839929B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
intermediate layer
pixel defining
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020110024341A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120106305A (ko
Inventor
발레리 프루신스키
렌 카플란
정세호
현원식
김민수
박경태
정병성
마장석
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110024341A priority Critical patent/KR101839929B1/ko
Priority to US13/366,253 priority patent/US8946733B2/en
Publication of KR20120106305A publication Critical patent/KR20120106305A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101839929B1 publication Critical patent/KR101839929B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

화질 특성을 향상하도록 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되고 상기 제1 전극의 소정의 영역을 노출하도록 형성된 화소 정의막, 상기 노출된 제1 전극의 소정의 영역상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 상기 기판을 향하는 방향 또는 그 반대 방향에 형성된 외광 산란면을 구비하고 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법{Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 화질 특성을 향상하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 중간층, 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 중간층은 유기 발광층을 구비하고, 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 가하면 유기 발광층에서 가시광선을 발생하게 된다.
유기 발광 표시 장치의 화질 특성은 여러 가지 요소에 의하여 좌우되는데 그 중 하나의 요소가 콘트라스트 특성이다. 특히 유기 발광 표시 장치 사용 시 외광이 유기 발광 표시 장치로 입사되고, 입사된 외광이 유기 발광 표시 장치 내의 전극 표면, 기타 금속층의 표면에서 반사되어 다시 사용자 측으로 진행되어 콘트라스트가 저하된다.
결과적으로 유기 발광 표시 장치의 화질 특성을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명은 화질 특성을 용이하게 향상하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되고 상기 제1 전극의 소정의 영역을 노출하도록 형성된 화소 정의막, 상기 노출된 제1 전극의 소정의 영역상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 상기 기판을 향하는 방향 또는 그 반대 방향에 형성된 외광 산란면을 구비하고 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 외광 산란면은 요철면으로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 외광 산란면은 러빙 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 외광 산란면은 상기 중간층 및 상기 화소 정의막에 대응하는 영역에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 중간층 및 상기 화소 정의막은 요철면을 구비하고, 상기 광산란면은 상기 중간층 및 상기 화소 정의막의 요철면과 접할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 광산란면은 상기 중간층및 상기 화소 정의막의 요철면의 요철 형태에 대응하는 요철면을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 중간층 및 상기 화소 정의막 상에 형성되는 삽입층을 더 포함하고, 상기 삽입층 상부에 제2 전극이 형성되고, 상기 삽입층은 요철면을 구비하고, 상기 광산란면은 상기 삽입층의 요철면과 접할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 광산란면은 상기 삽입층의 요철면의 요철 형태에 대응하는 요철면을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 삽입층은 복수의 트렌치를 구비하고, 상기 트렌치를 통하여 상기 제2 전극이 상기 중간층과 접할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 삽입층은 고분자 물질을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 삽입층은 블랙 매트릭스 물질을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 삽입층은 컬러 필터 물질을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제2 전극 상에 형성되는 커버층을 더 포함하고, 상기 광산란면은 상기 제2 전극의 면 중 상기 기판을 향하는 방향의 반대면에 형성되고, 상기 커버층은 상기 광산란면과 접할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 커버층은 외광 흡수 물질을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 형성되고 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고, 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 기판상에 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 상기 제1 전극의 소정의 영역을 노출하도록 화소 정의막, 상기 노출된 제1 전극의 영역 상에 유기 발광층을 구비하는 중간층을 형성하는 단계 및 상기 기판을 향하는 방향 또는 그 반대 방향에 외광 산란면을 구비하고 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 외광 산란면은 러빙 공정을 이용하여 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 러빙 공정은 러빙 부재에 의하여 수행하고, 상기 러빙 부재는 흡착홀을 구비하고, 상기 러빙 공정 시 발생하는 잔여물은 상기 흡착홀에 의하여 배기될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 러빙 부재는 본체부 및 상기 본체부의 외주면에 배치된 러빙천을 구비하고, 상기 본체부는 상기 러빙천에 의하여 덮이지 않고 노출된 노출면을 구비하고, 상기 흡착홀은 상기 노출면에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 중간층 및 상기 화소 정의막은 러빙 공정에 의하여 상기 제2 전극을 향하는 표면이 요철면으로 형성되고, 상기 제2 전극의 광산란면은 상기 유기 발광층 및 화소 정의막의 요철면과 접할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 중간층 및 상기 화소 정의막과 상기 제2 전극 사이에 삽입층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 삽입층은 러빙 공정에 의하여 형성된 요철면을 구비하고, 상기 광산란면은 상기 요철면과 접할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 러빙 공정 시 상기 삽입층이 복수의 트렌치를 구비하여 상기 트렌치를 통하여 노출된 중간층과 상기 제2 전극이 접하도록 할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제2 전극의 상부에 커버층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 전극의 광산란면은 상기 제2 전극의 면 중 상기 기판을 향하는 면의 반대면을 러빙 공정을 진행하여 형성하고, 상기 광산란면은 상기 커버층과 접할 수 있다.
본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 화질 특성을 용이하게 향상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 X 방향에서 본 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조방법을 도시한 순차적인 단면도들이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조방법을 도시한 순차적인 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조방법을 도시한 순차적인 단면도들이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조방법을 도시한 단면도들이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치(100)를 도시한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 X 방향에서 본 개략적인 평면도이다. 설명의 편의를 위하여 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치(100) 중 화소 정의막(114) 및 중간층(115)만을 도시하고 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(101), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 전극(113), 중간층(115) 및 제2 전극(117)을 포함한다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(103), 게이트 전극(105), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)을 구비한다.
본 실시예는 능동 구동형(active matrix type) 유기 발광 표시 장치(100)에 관한 것으로서 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하고 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉 본 발명이 수동 구동형(passive matrix type) 유기 발광 표시 장치에도 적용됨은 물론이다.
각 부재의 구성에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다. 이 때 기판(101)을 형성하는 플라스틱 재질은 다양한 유기물들 중 선택된 하나 이상일 수 있다. 특히 유기 발광 표시 장치(100)의 기판(101)의 반대방향으로 영상이 구현되는 전면 발광형인 경우에는 기판(101)이 투명할 필요가 없으므로 기판(101)이 금속 재질로 형성될 수도 있다.
기판(101)상에 버퍼층(102)이 형성된다. 버퍼층(102)은 SiO2또는 SiNx 를 함유할 수 있다. 버퍼층(102)은 기판(101)의 상부에 평탄한 면을 제공하고 기판(101)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지한다.
버퍼층(102)상에 소정 패턴의 활성층(103)이 형성된다. 활성층(103)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체나 유기 반도체로 형성될 수 있고 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함한다. 활성층(103)의 소스 영역 및 드레인 영역은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘으로 형성한 후에 3족 또는 5족 불순물을 도핑하여 형성할 수 있다.
활성층(103)의 상부에는 게이트 절연막(104)이 형성되고, 게이트 절연막(104)상부의 소정 영역에는 게이트 전극(105)이 형성된다. 게이트 절연막(104)은 활성층(103)과 게이트 전극(105)을 절연하기 위한 것으로 유기물 또는 SiNx, SiO2같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 전극(105)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 인접한 층과의 밀착성, 평탄성, 전기 저항 및 가공성 등을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
게이트 전극(105)의 상부로는 층간 절연막(107)이 형성된다. 층간 절연막(107) 및 게이트 절연막(104)은 활성층(103)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고 이러한 활성층(103)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)이 형성된다.
소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)은 다양한 도전 물질을 이용하여 형성할 수 있고, 단층 구조 또는 복층 구조일 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)는 하나 이상의 캐패시터(111)를 더 포함할 수 있다. 캐패시터(111)는 제1 캐패시터 전극(106) 및 제2 캐패시터 전극(110)을 구비한다. 제1 캐패시터 전극(106)은 게이트 절연막(104)에 형성되고 게이트 전극(105)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제2 캐패시터 전극(110)은 층간 절연막(107)상에 형성되는데 소스 전극(108) 또는 드레인 전극(109)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 또한 제2 캐패시터 전극(110)은 소스 전극(108)의 일단과 연장된 형태로 형성될 수 있다.
본 실시예의 캐패시터(111)의 구성은 구체적인 예로서 기타 다양한 형태를 가질 수 있음은 물론이다.
박막 트랜지스터(TFT)상부에 패시베이션층(112)이 형성된다. 구체적으로 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)을 덮도록 패시베이션층(112)이 형성된다. 또한 패시베이션층(112)은 캐패시터(111)를 덮는다. 패시베이션층(112)은 다양한 종류의 절연물을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적인 예로서 패시베이션층(112)은 유기 절연물 또는 무기 절연물을 이용하여 형성할 수 있고, 유기 절연물과 무기 절연물의 복합 형태로 형성할 수도 있다.
패시베이션층(112)은 드레인 전극(109)의 전체를 덮지 않고 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 드레인 전극(109)과 연결되도록 제1 전극(113)이 형성된다.
제1 전극(113)상에 절연물로 화소 정의막(114)을 형성한다. 화소 정의막(114)은 제1 전극(113)의 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 제1 전극(113)과 접하도록 중간층(115)을 형성한다. 그리고, 중간층(115)과 연결되도록 제2 전극(117)을 형성한다.
중간층(115)의 표면은 요철면(115a)으로 형성되고, 화소 정의막(114)의 표면은 요철면(114a)으로 형성된다. 중간층(115)의 요철면(115a) 및 화소 정의막(114)의 요철면(114a)의 요철 형태는 일정한 방향으로 연장된 스트라이프 형태일 수 있다. 즉 도 2에 도시한 것과 같이 중간층(115)의 요철면(115a)의 돌출부(115b)는 스트라이프 형태일 수 있고, 화소 정의막(114)의 요철면(114a)의 돌출부(114b)는 스트라이프 형태일 수 있다. 이러한 요철면(114a, 115a)의 형태는 러빙 공정에 의하여 용이하게 형성된다. 즉 일 방향으로 러빙 공정을 진행하면 일정한 방향으로 연장된 스트라이프 형태를 갖도록 요철면(114a, 115a)을 형성할 수 있다.
그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 요철면(114a, 115a)의 형태가 복수의 방향으로 형성된 스트라이프 형태일 수 있다. 즉 러빙 공정 시 복수의 방향으로 진행하여 다양한 방향으로 형성된 스트라이프 형태를 구현할 수 있다.
제2 전극(117)은 광산란면(117a)을 구비하는데, 구체적으로 제2 전극(117)의 면 중 기판(101)을 향하는 방향의 면에 광산란면(117a)이 형성된다. 광산란면(117a)은 중간층(115)의 요철면(115a) 및 화소 정의막(114)의 요철면(114a)과 접한다. 광산란면(117a)은 요철면(114a, 115a)의 요철 형태에 대응하는 요철 형태를 갖는 요철면으로 형성된다.
유기 발광 표시 장치(100)사용 시 유기 발광 표시 장치(100)로 입사된 외광은 광산란면(117a)에 도달하게 되면 요철 형태의 광산란면(117a)에서 산란하게 되고 유기 발광 표시 장치(100)외부로 취출되지 않고 소멸된다.
중간층(115)은 유기 발광층을 구비하고 제1 전극(113)과 제2 전극(117)을 통하여 전압이 인가되면 유기 발광층에서 가시 광선을 발생한다.
제2 전극(117) 상에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(115) 및 기타층을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 제2 전극(117)의 면 중 기판(101)을 향하는 면에 광산란면(117a)을 포함한다. 광산란면(117a)을 통하여 유기 발광 표시 장치(100)방향으로 입사된 외광이 산란하여 소멸하므로 유기 발광 표시 장치(100)내에서 반사하는 외광의 양이 감소하고 결과적으로 유기 발광 표시 장치(100)의 콘트라스트가 향상되어 화질 특성이 향상된다.
또한 중간층(115) 및 화소 정의막(114)에 요철면(114a, 115a)을 형성하고, 요철면(114a, 115a)과 접하도록 제2 전극(117)을 형성하므로 광산란면(117a)을 용이하게 형성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치(200)를 도시한 개략적인 단면도이다. 도 3을 참조하면 유기 발광 표시 장치(200)는 기판(201), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 전극(213), 중간층(215), 삽입층(216) 및 제2 전극(217)을 포함한다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(203), 게이트 전극(205), 소스 전극(208) 및 드레인 전극(209)을 구비한다.
기판(201)상에 버퍼층(202)이 형성되고, 버퍼층(202)상에 소정 패턴의 활성층(203)이 형성된다. 활성층(203)의 상부에는 게이트 절연막(204)이 형성되고, 게이트 절연막(204)상부의 소정 영역에는 게이트 전극(205)이 형성된다. 게이트 전극(205)의 상부로는 층간 절연막(207)이 형성된다. 층간 절연막(207) 및 게이트 절연막(204)은 활성층(203)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고 이러한 활성층(203)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(208) 및 드레인 전극(209)이 형성된다.
유기 발광 표시 장치(200)는 하나 이상의 캐패시터(211)를 더 포함할 수 있다. 캐패시터(211)는 제1 캐패시터 전극(206) 및 제2 캐패시터 전극(210)을 구비한다. 제1 캐패시터 전극(206)은 게이트 절연막(204)에 형성되고 게이트 전극(205)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제2 캐패시터 전극(210)은 층간 절연막(207)상에 형성되는데 소스 전극(208) 또는 드레인 전극(209)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 또한 제2 캐패시터 전극(210)은 소스 전극(208)과 일체로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)상부에 패시베이션층(212)이 형성된다. 또한 패시베이션층(212)은 캐패시터(211)를 덮는다. 패시베이션층(212)은 드레인 전극(209)의 전체를 덮지 않고 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 드레인 전극(209)과 연결되도록 제1 전극(213)이 형성된다.
제1 전극(213)상에 절연물로 화소 정의막(214)을 형성한다. 화소 정의막(214)은 제1 전극(213)의 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 제1 전극(213)과 접하도록 중간층(215)을 형성한다.
중간층(215)상에 삽입층(216)이 형성되고 삽입층(216)상에 제2 전극(217)을 형성한다. 중간층(215)은 공정의 편의를 위하여 화소 정의막(214)상에도 형성되는 것이 바람직하다. 삽입층(216)의 표면은 요철면(216a)으로 형성된다. 또한 삽입층(216)은 복수의 트렌치(216b)를 구비한다. 트렌치(216b)를 통하여 중간층(215)이 노출되는데 노출된 중간층(215)과 제2 전극(217)이 접한다.
삽입층(216)의 요철면(216a)의 요철 형태는 일정한 방향으로 연장된 스트라이프 형태일 수 있다. 또한 삽입층(216)의 트렌치(216b)도 스트라이프 형태일 수 있다.
삽입층(216)은 다양한 소재를 포함할 수 있는데, 고분자 물질을 포함할 수 있고, 구체적인 예로서 가시 광선을 투과하는 폴리 이미드 물질로 형성할 수 있다.
또한 삽입층(216)은 외광 반사 방지 효과를 높이기 위하여 블랙 매트릭스 물질을 포함할 수 있다. 이 때 삽입층(216)은 블랙 매트릭스 물질을 전체적으로 함유할 수도 있고, 삽입층(216)의 일면이 블랙 매트릭스 물질로 코팅될 수도 있다.
또한 삽입층(216)은 컬러 필터 물질을 포함할 수 있다. 이 경우 입사된 외광중 삽입층(216)의 컬러 필터 물질을 통과한 부분은 삽입층(216)을 통과하면서 필터링되어 중간층(215)에서 발생하는 가시 광선의 효율을 향상한다. 즉 유기 발광 표시 장치(200)의 각 부화소별 중간층(215)에 구비된 유기 발광층에 대응하는 색과 동일한 계열의 색을 갖는 컬러 필터 물질을 포함하도록 삽입층(216)을 형성하여 광효율을 향상할 수 있다.
제2 전극(217)은 광산란면(217a)을 구비하는데, 구체적으로 제2 전극(217)의 면 중 기판(201)을 향하는 방향의 면에 광산란면(217a)이 형성된다. 광산란면(217a)은 삽입층(216)의 요철면(216a)과 접한다. 광산란면(217a)은 요철면(216a)의 요철 형태에 대응하는 요철 형태를 갖는 요철면으로 형성된다.
유기 발광 표시 장치(200)사용 시 유기 발광 표시 장치(200)로 입사된 외광은 광산란면(217a)에 도달하게 되면 요철 형태의 광산란면(217a)에서 산란하게 되고 유기 발광 표시 장치(200)외부로 취출되지 않고 소멸된다.
중간층(215)은 유기 발광층을 구비하고 제1 전극(213)과 제2 전극(217)을 통하여 전압이 인가되면 유기 발광층에서 가시 광선을 발생한다.
제2 전극(217) 상에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(200)는 제2 전극(217)의 면 중 기판(201)을 향하는 면에 광산란면(217a)을 포함한다. 광산란면(217a)을 통하여 유기 발광 표시 장치(200)방향으로 입사된 외광이 산란하여 소멸하므로 유기 발광 표시 장치(200)내에서 반사하는 외광의 양이 감소하고 결과적으로 유기 발광 표시 장치(200)의 콘트라스트가 향상되어 화질 특성이 향상된다.
또한 삽입층(216)에 요철면(216a)을 형성하고, 요철면(216a)과 접하도록 제2 전극(217)을 형성하므로 광산란면(217a)을 용이하게 형성할 수 있다.
특히 중간층(215)에 요철면을 형성하지 않으므로 중간층(215)의 표면 손상으로 인하여 중간층(215)의 유기 발광층에서 발생하는 가시 광선의 광특성 변화를 방지하고, 이를 통하여 유기 발광 표시 장치(200)의 화질 특성 향상 효과를 증대한다.
또한 삽입층(216)을 블랙 매트릭스 물질을 함유하도록 하여 외광 반사 방지 효과를 증대하거나, 삽입층(216)이 컬러 필터 물질을 함유하도록 하여 유기 발광 표시 장치(200)의 광효율을 현저하게 향상할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치(300)를 도시한 개략적인 단면도이다. 도 4를 참조하면 유기 발광 표시 장치(300)는 기판(301), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 전극(313), 중간층(315), 제2 전극(317) 및 커버층(318)을 포함한다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(303), 게이트 전극(305), 소스 전극(308) 및 드레인 전극(309)을 구비한다.
기판(301)상에 버퍼층(302)이 형성되고, 버퍼층(302)상에 소정 패턴의 활성층(303)이 형성된다. 활성층(303)의 상부에는 게이트 절연막(304)이 형성되고, 게이트 절연막(304)상부의 소정 영역에는 게이트 전극(305)이 형성된다. 게이트 전극(305)의 상부로는 층간 절연막(307)이 형성된다. 층간 절연막(307) 및 게이트 절연막(304)은 활성층(303)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고 이러한 활성층(303)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(308) 및 드레인 전극(309)이 형성된다.
유기 발광 표시 장치(300)는 하나 이상의 캐패시터(311)를 더 포함할 수 있다. 캐패시터(311)는 제1 캐패시터 전극(306) 및 제2 캐패시터 전극(310)을 구비한다. 제1 캐패시터 전극(306)은 게이트 절연막(304)에 형성되고 게이트 전극(305)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제2 캐패시터 전극(310)은 층간 절연막(307)상에 형성되는데 소스 전극(308) 또는 드레인 전극(309)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 또한 제2 캐패시터 전극(310)은 소스 전극(308)과 일체로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)상부에 패시베이션층(312)이 형성된다. 또한 패시베이션층(312)은 캐패시터(311)를 덮는다. 패시베이션층(312)은 드레인 전극(309)의 전체를 덮지 않고 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 드레인 전극(309)과 연결되도록 제1 전극(313)이 형성된다.
제1 전극(313)상에 절연물로 화소 정의막(314)을 형성한다. 화소 정의막(314)은 제1 전극(313)의 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 제1 전극(313)과 접하도록 중간층(315)을 형성한다.
중간층(315)상에 제2 전극(317)을 형성한다. 제2 전극(317)은 상부 표면에 광산란면(317a)을 구비하는데, 구체적으로 제2 전극(317)의 면 중 기판(301)을 향하는 방향의 반대 방향의 면에 광산란면(317a)이 형성된다. 광산란면(317a)은 요철면으로 형성되고 구체적으로 일정한 방향으로 연장된 스트라이프 형태일 수 있다.
유기 발광 표시 장치(300)사용 시 유기 발광 표시 장치(300)로 입사된 외광은 광산란면(317a)에 도달하게 되면 요철 형태의 광산란면(317a)에서 산란하게 되고 유기 발광 표시 장치(300)외부로 취출되지 않고 소멸된다.
제2 전극(317)상에 커버층(318)을 형성한다. 커버층(318)은 제2 전극(317)상에 형성되어 제2 전극(317), 특히 제2 전극(317)의 광산란면(317a)을 보호한다. 또한 외광 반사 방지 효과를 향상하도록 커버층(318)이 외광 흡수 물질을 함유할 수 있다.
중간층(315)은 유기 발광층을 구비하고 제1 전극(313)과 제2 전극(317)을 통하여 전압이 인가되면 유기 발광층에서 가시 광선을 발생한다.
커버층(318) 상에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(300)는 제2 전극(317)의 면 중 기판(301)을 향하는 방향의 반대 방향의 면에 광산란면(317a)을 포함한다. 광산란면(317a)을 통하여 유기 발광 표시 장치(300)방향으로 입사된 외광이 산란하여 소멸하므로 유기 발광 표시 장치(300)내에서 반사하는 외광의 양이 감소하고 결과적으로 유기 발광 표시 장치(300)의 콘트라스트가 향상되어 화질 특성이 향상된다.
또한 중간층(315), 화소 정의막(314)에 요철면을 형성하지 않으므로 중간층(315)의 표면 손상으로 인하여 중간층(315)의 유기 발광층에서 발생하는 가시 광선의 광특성 변화를 방지하고, 이를 통하여 유기 발광 표시 장치(300)의 화질 특성 향상 효과를 증대한다.
또한 제2 전극(317)의 상부에 커버층(318)을 형성하여 제2 전극(317)의 광산란면(317a)을 효과적으로 보호하여 외광 산란 효과를 계속적으로 유지하고, 커버층(318)이 외광 흡수 물질을 함유하도록 하여 외광 반사 방지 효과 증대를 통한 콘트라스트 향상 효과 및 유기 발광 표시 장치(300)의 화질 특성 향상 효과가 증대된다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조방법을 도시한 순차적인 단면도들이다.
도 5a를 참조하면 기판(101)상에 버퍼층(102)을 형성한다. 버퍼층(102)상에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(103), 게이트 전극(105), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)을 구비한다. 활성층(103)과 게이트 전극(105)을 절연하도록 게이트 절연막(104)이 형성되고, 게이트 전극(105)과 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)을 절연하도록 층간 절연막(107)이 형성된다.
또한 기판(101)상에 하나 이상의 캐패시터(111)를 형성할 수 있다. 캐패시터(111)는 제1 캐패시터 전극(106) 및 제2 캐패시터 전극(110)을 구비한다. 제1 캐패시터 전극(106)은 게이트 절연막(104)에 형성되고 게이트 전극(105)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제2 캐패시터 전극(110)은 층간 절연막(107)상에 형성되는데 소스 전극(108) 또는 드레인 전극(109)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 또한 제2 캐패시터 전극(110)은 소스 전극(108)과 일체로 형성될 수 있다.
본 실시예의 캐패시터(111)의 구성은 구체적인 예로서 기타 다양한 형태를 가질 수 있음은 물론이다.
박막 트랜지스터(TFT)상부에 패시베이션층(112)을 형성하고, 드레인 전극(109)과 연결되도록 제1 전극(113)이 형성된다. 제1 전극(113)상에 절연물로 화소 정의막(114)을 형성한다. 화소 정의막(114)은 제1 전극(113)의 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 제1 전극(113)과 접하도록 중간층(115)을 형성한다.
중간층(115)은 가시 광선을 발생하는 유기 발광층을 구비한다.
그리고 나서 러빙 부재(500)를 이용하여 중간층(115) 및 화소 정의막(114)의 노출된 표면에 러빙 공정을 진행한다. 러빙 부재(500)는 도시하지 않았으나 러빙천을 구비하여 러빙 공정 후 일정한 형태의 요철면을 형성할 수 있다.
도 5b를 참조하면 러빙 부재(500)를 이용하여 러빙 공정을 진행하여 중간층(115)의 표면에 요철면(115a)이 형성되고, 화소 정의막(114)의 표면에 요철면(114a)이 형성된 것이 도시되어 있다.
중간층(115)의 요철면(115a) 및 화소 정의막(114)의 요철면(114a)의 요철 형태는 일정한 방향으로 연장된 스트라이프 형태일 수 있다. 즉 러빙 부재(500)를 일정한 방향으로 이동하면서 러빙 공정을 진행하여 일정한 방향을 향하는 스트라이프 형태를 갖도록 요철면(114a, 115a)을 형성할 수 있다.
그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 요철면(114a, 115a)의 형태가 복수의 방향으로 형성된 스트라이프 형태일 수 있다. 즉 러빙 공정 시 복수의 방향으로 진행하여 다양한 방향으로 형성된 스트라이프 형태를 구현할 수 있다.
그리고 나서 도 5c를 참조하면 제2 전극(117)을 형성하여 유기 발광 표시 장치(100)를 완성한다. 제2 전극(117)은 광산란면(117a)을 구비하는데, 구체적으로 제2 전극(117)의 면 중 기판(101)을 향하는 방향의 면에 광산란면(117a)이 형성된다. 광산란면(117a)은 중간층(115)의 요철면(115a) 및 화소 정의막(114)의 요철면(114a)과 접한다. 광산란면(117a)은 요철면(114a, 115a)의 요철 형태에 대응하는 요철 형태를 갖는 요철면으로 형성된다.
제2 전극(117) 상에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(115) 및 기타층을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100) 제조 방법은 러빙 공정을 이용하여 중간층(115) 및 화소 정의막(114)에 요철면(114a, 115a)을 형성하고, 요철면(114a, 115a)과 접하도록 제2 전극(117)을 형성하므로 광산란면(117a)을 용이하게 형성할 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조방법을 도시한 순차적인 단면도들이다.
도 6a를 참조하면 기판(201)상에 버퍼층(202)을 형성한다. 버퍼층(202)상에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(203), 게이트 전극(205), 소스 전극(208) 및 드레인 전극(209)을 구비한다. 활성층(203)과 게이트 전극(205)을 절연하도록 게이트 절연막(204)이 형성되고, 게이트 전극(205)과 소스 전극(208) 및 드레인 전극(209)을 절연하도록 층간 절연막(207)이 형성된다.
또한 기판(201)상에 하나 이상의 캐패시터(211)를 형성할 수 있다. 캐패시터(211)는 제1 캐패시터 전극(206) 및 제2 캐패시터 전극(210)을 구비한다. 제1 캐패시터 전극(206)은 게이트 절연막(204)에 형성되고 게이트 전극(205)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제2 캐패시터 전극(210)은 층간 절연막(207)상에 형성되는데 소스 전극(208) 또는 드레인 전극(209)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 또한 제2 캐패시터 전극(210)은 소스 전극(208)과 일체로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)상부에 패시베이션층(212)을 형성하고, 드레인 전극(209)과 연결되도록 제1 전극(213)을 형성한다. 제1 전극(213)상에 절연물로 화소 정의막(214)을 형성한다. 화소 정의막(214)은 제1 전극(213)의 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 제1 전극(213)과 접하도록 중간층(215)을 형성한다. 중간층(215)은 유기 발광층을 구비한다.
중간층(215)상에 삽입층(216)을 형성한다. 삽입층(216)은 다양한 소재를 포함할 수 있는데, 고분자 물질을 포함할 수 있고, 구체적인 예로서 가시 광선을 투과하는 폴리 이미드 물질로 형성할 수 있다.
또한 삽입층(216)은 외광 반사 방지 효과를 높이기 위하여 블랙 매트릭스 물질을 포함할 수 있다. 이 때 삽입층(216)은 블랙 매트릭스 물질을 전체적으로 함유하도록 형성할 수도 있고, 삽입층(216)의 일면이 블랙 매트릭스 물질로 코팅될 수도 있다.
또한 삽입층(216)은 컬러 필터 물질을 포함할 수 있다. 이 경우 입사된 외광중 컬러 필터 물질을 통과한 부분은 컬러 필터 물질에 의하여 필터링되어 중간층(215)에서 발생하는 가시 광선의 효율을 향상한다. 이를 통하여 최종적으로 완성될 유기 발광 표시 장치(200)의 광효율을 향상할 수 있다.
그리고 나서 러빙 부재(500)를 이용하여 삽입층(216)의 노출된 표면에 러빙 공정을 진행한다. 러빙 부재(500)는 도시하지 않았으나 러빙천을 구비하여 러빙 공정 후 일정한 형태의 요철면을 형성할 수 있다.
도 6b를 참조하면 러빙 부재(500)를 이용하여 러빙 공정을 진행한 후에 삽입층(216)의 표면에 요철면(216a)이 형성된 것이 도시되어 있다. 이 때 삽입층(216)은 복수의 트렌치(216b)를 구비하도록 러빙 공정을 진행한다. 트렌치(216b)를 통하여 중간층(215)이 노출되도록 한다.
그리고 나서 도 6c를 참조하면 삽입층(216)상에 제2 전극(217)을 형성하여 유기 발광 표시 장치(200)를 완성한다. 트렌치(216b)를 통하여 중간층(215)이 노출되는데 노출된 중간층(215)과 제2 전극(217)이 접한다.
삽입층(216)의 요철면(216a)의 요철 형태는 일정한 방향으로 연장된 스트라이프 형태일 수 있다. 또한 삽입층(216)의 트렌치(216b)도 스트라이프 형태일 수 있다.
제2 전극(217)은 광산란면(217a)을 구비하는데, 구체적으로 제2 전극(217)의 면 중 기판(201)을 향하는 방향의 면에 광산란면(217a)이 형성된다. 광산란면(217a)은 삽입층(216)의 요철면(216a)과 접한다. 광산란면(217a)은 요철면(216a)의 요철 형태에 대응하는 요철 형태를 갖는 요철면으로 형성된다.
제2 전극(217) 상에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(200) 제조 방법은 러빙 공정을 이용하여 삽입층(216)에 요철면(216a)을 형성하고, 요철면(216a)과 접하도록 제2 전극(217)을 형성하므로 광산란면(217a)을 용이하게 형성할 수 있다.
특히 중간층(215)에 요철면을 형성하지 않으므로 중간층(215)의 표면 손상으로 인하여 중간층(215)의 유기 발광층에서 발생하는 가시 광선의 광특성 변화를 방지하고, 이를 통하여 유기 발광 표시 장치(200)의 화질 특성 향상 효과를 증대한다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조방법을 도시한 순차적인 단면도들이다.
도 7a를 참조하면 기판(301) 상에 버퍼층(302)을 형성한다. 버퍼층(302)상에 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(303), 게이트 전극(305), 소스 전극(308) 및 드레인 전극(309)을 구비한다. 활성층(303)과 게이트 전극(305)을 절연하도록 게이트 절연막(304)이 형성되고, 게이트 전극(305)과 소스 전극(308) 및 드레인 전극(309)을 절연하도록 층간 절연막(307)이 형성된다.
또한 기판(301)상에 하나 이상의 캐패시터(311)를 형성할 수 있다. 캐패시터(311)는 제1 캐패시터 전극(306) 및 제2 캐패시터 전극(310)을 구비한다. 제1 캐패시터 전극(306)은 게이트 절연막(304)에 형성되고 게이트 전극(305)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제2 캐패시터 전극(310)은 층간 절연막(307)상에 형성되는데 소스 전극(308) 또는 드레인 전극(309)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 또한 제2 캐패시터 전극(310)은 소스 전극(308)과 일체로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)상부에 패시베이션층(312)을 형성하고 드레인 전극(309)과 연결되도록 제1 전극(313)이 형성된다. 제1 전극(313)상에 절연물로 화소 정의막(314)을 형성한다. 화소 정의막(314)은 제1 전극(313)의 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 제1 전극(313)과 접하도록 중간층(315)을 형성한다.
중간층(315)상에 제2 전극(317)을 형성한다.
그리고 나서 러빙 부재(500)를 이용하여 제2 전극(317)의 표면에 러빙 공정을 진행한다. 러빙 부재(500)는 도시하지 않았으나 러빙천을 구비하여 러빙 공정 후 일정한 형태의 요철면을 형성할 수 있다.
도 7b를 참조하면 러빙 부재(500)를 이용하여 러빙 공정을 진행하여 제2 전극(317)의 표면에 광산란면(317a)이 형성된 것이 도시되어 있다. 구체적으로 제2 전극(317)의 면 중 기판(301)을 향하는 방향의 반대 방향의 면에 광산란면(317a)이 형성된다. 광산란면(317a)은 요철면으로 형성되고 구체적으로 일정한 방향으로 연장된 스트라이프 형태일 수 있다.
그리고 나서 도 7c를 참조하면 제2 전극(317)상에 커버층(318)을 형성하여 유기 발광 표시 장치(300)를 완성한다. 커버층(318)은 제2 전극(317)상에 형성되어 제2 전극(317), 특히 제2 전극(317)의 광산란면(317a)을 보호한다. 또한 외광 반사 방지 효과를 향상하도록 커버층(318)이 외광 흡수 물질을 함유할 수 있다.
커버층(318) 상에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(300) 제조 방법은 러빙 공정을 이용하여 제2 전극(317)의 표면에 광산란면(317a)을 용이하게 형성할 수 있다. 또한 중간층(315), 화소 정의막(314)에 요철면을 형성하지 않으므로 중간층(315)의 표면 손상으로 인하여 중간층(315)의 유기 발광층에서 발생하는 가시 광선의 광특성 변화를 방지하고, 이를 통하여 유기 발광 표시 장치(300)의 화질 특성 향상 효과를 증대한다.
또한 제2 전극(317)의 상부에 커버층(318)을 형성하여 제2 전극(317)의 광산란면(317a)을 효과적으로 보호하여 외광 산란 효과를 계속적으로 유지하고, 커버층(318)이 외광 흡수 물질을 함유하도록 하여 외광 반사 방지 효과 증대를 통한 콘트라스트 향상 효과 및 유기 발광 표시 장치(300)의 화질 특성 향상 효과가 증대된다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 도시한 순차적인 단면도들이다.
도 8a를 참조하면 기판(101)상에 버퍼층(102)을 형성한다. 버퍼층(102)상에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(103), 게이트 전극(105), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)을 구비한다. 활성층(103)과 게이트 전극(105)을 절연하도록 게이트 절연막(104)이 형성되고, 게이트 전극(105)과 소스 전극(108) 및 드레인 전극(109)을 절연하도록 층간 절연막(107)이 형성된다.
또한 기판(101)상에 하나 이상의 캐패시터(111)를 형성할 수 있다. 캐패시터(111)는 제1 캐패시터 전극(106) 및 제2 캐패시터 전극(110)을 구비한다. 제1 캐패시터 전극(106)은 게이트 절연막(104)에 형성되고 게이트 전극(105)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제2 캐패시터 전극(110)은 층간 절연막(107)상에 형성되는데 소스 전극(108) 또는 드레인 전극(109)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 또한 제2 캐패시터 전극(110)은 소스 전극(108)과 일체로 형성될 수 있다.
본 실시예의 캐패시터(111)의 구성은 구체적인 예로서 기타 다양한 형태를 가질 수 있음은 물론이다.
박막 트랜지스터(TFT)상부에 패시베이션층(112)을 형성하고, 드레인 전극(109)과 연결되도록 제1 전극(113)이 형성된다. 제1 전극(113)상에 절연물로 화소 정의막(114)을 형성한다. 화소 정의막(114)은 제1 전극(113)의 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 제1 전극(113)과 접하도록 중간층(115)을 형성한다.
중간층(115)은 가시 광선을 발생하는 유기 발광층을 구비한다.
그리고 나서 러빙 부재(600)를 이용하여 중간층(115) 및 화소 정의막(114)의 노출된 표면에 러빙 공정을 진행한다. 러빙 부재(600)는 도시하지 않았으나 러빙천을 구비하여 러빙 공정 후 일정한 형태의 요철면을 형성할 수 있다.
도 8b은 도 8a의 러빙 부재(600)를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 8b를 참조하면 러빙 부재(600)는 본체부(610) 및 러빙천(620)을 구비한다. 본체부(610)는 러빙천(620)으로 덮이지 않은 노출면(611)을 구비하고, 노출면(611)에는 복수의 흡착홀(612)이 형성된다. 러빙 공정 시에는 잔존물이 발생하는데 구체적으로 도 8a의 중간층(115) 및 화소 정의막(114)의 표면을 러빙 공정 진행 시 중간층(115) 및 화소 정의막(114)의 표면에서 이탈된 부스러기 등이 잔존하게 된다. 이러한 잔존물은 후속공정에서 완성될 유기 발광 표시 장치(100)의 화질 특성을 저하한다. 본 실시예에서는 러빙 공정 후 발생하는 잔존물을 흡착홀(612)을 통하여 제거한다. 즉 잔존물이 흡착홀(612)에 흡입되어 중간층(115) 및 화소 정의막(114)의 표면이 러빙 공정 진행후에 잔존물에 의하여 오염되지 않는다. 잔존물은 흡착홀(612)을 통하여 본체부(610)내의 소정의 공간부(613)로 이동하게 된다. 이러한 잔존물은 도 8b에 도시한 화살표 방향(A 방향)으로 제거할 수 있는데, 수동으로 제거하거나 A 방향으로 흡착을 할 수 있는 펌프를 연결하여 잔존물을 제거할 수 있다.
그리고 나서 도 8c를 참조하면 러빙 부재(600)를 이용하여 러빙 공정을 진행하여 중간층(115)의 표면에 요철면(115a)이 형성되고, 화소 정의막(114)의 표면에 요철면(114a)이 형성된 것이 도시되어 있다.
중간층(115)의 요철면(115a) 및 화소 정의막(114)의 요철면(114a)의 요철 형태는 일정한 방향으로 연장된 스트라이프 형태일 수 있다. 즉 러빙 부재(500)를 일정한 방향으로 이동하면서 러빙 공정을 진행하여 일정한 방향을 향하는 스트라이프 형태를 갖도록 요철면(114a, 115a)을 형성할 수 있다.
그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 요철면(114a, 115a)의 형태가 복수의 방향으로 형성된 스트라이프 형태일 수 있다. 즉 러빙 공정 시 복수의 방향으로 진행하여 다양한 방향으로 형성된 스트라이프 형태를 구현할 수 있다.
그리고 나서 도 8d를 참조하면 제2 전극(117)을 형성하여 유기 발광 표시 장치(100)를 완성한다. 제2 전극(117)은 광산란면(117a)을 구비하는데, 구체적으로 제2 전극(117)의 면 중 기판(101)을 향하는 방향의 면에 광산란면(117a)이 형성된다. 광산란면(117a)은 중간층(115)의 요철면(115a) 및 화소 정의막(114)의 요철면(114a)과 접한다. 광산란면(117a)은 요철면(114a, 115a)의 요철 형태에 대응하는 요철 형태를 갖는 요철면으로 형성된다.
제2 전극(117) 상에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(115) 및 기타층을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 실시예에서는 러빙 부재(600)를 이용하여 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 것을 설명하였으나 러빙 부재(600)를 이용하여 도 3 및 도 4의 유기 발광 표시 장치(200, 300)를 제조할 수 있음은 물론이다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100) 제조 방법은 러빙 공정을 이용하여 중간층(115) 및 화소 정의막(114)에 요철면(114a, 115a)을 형성하고, 요철면(114a, 115a)과 접하도록 제2 전극(117)을 형성하므로 광산란면(117a)을 용이하게 형성할 수 있다.
또한 러빙 공정 시 흡착홀(612)을 구비한 러빙 부재(600)를 이용하여 중간층(115) 및 화소 정의막(114)의 표면이 러빙 공정 후 발생하는 잔존물에 의하여 오염되는 것을 용이하게 방지한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100, 200, 300: 유기 발광 표시 장치
101, 201, 301: 기판
103, 203, 303: 활성층
105, 205, 305: 게이트 전극
108, 208, 308: 소스 전극
109, 209, 309: 드레인 전극
113, 213, 313: 제1 전극
114, 214, 314: 화소 정의막
115, 215, 315: 중간층
117, 217, 317: 제2 전극
117a, 217a, 317a: 광산란면
216: 삽입층
216b: 트렌치
318: 커버층
500, 600: 러빙 부재
610: 본체부
620: 러빙천
612: 흡착홀
TFT: 박막 트랜지스터

Claims (27)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성되고 상기 제1 전극의 소정의 영역을 노출하도록 형성된 개구부를 갖는 화소 정의막;
    상기 노출된 제1 전극의 소정의 영역상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층;및
    상기 기판을 향하는 방향 또는 그 반대 방향에 형성된 광산란면을 구비하고 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 광 산란면은 상기 화소 정의막 및 상기 중간층을 형성한 후에 상기 화소 정의막 및 중간층의 면 중 상기 제2 전극을 향하는 상면에 형성된 것이고,
    상기 중간층은 상기 화소 정의막의 개구부내에서 상기 제1 전극과 중첩된 영역을 포함하고,
    상기 중간층의 영역 중 상기 화소 정의막의 개구부내에서 상기 제1 전극과 중첩된 영역의 상기 제1 전극을 향하는 하면은 평탄면을 포함하고, 그 반대면인 상면은 요철면을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 광 산란면은 요철면으로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 광 산란면은 상기 중간층 및 상기 화소 정의막에 대응하는 영역에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 중간층 및 상기 화소 정의막은 요철면을 구비하고, 상기 광산란면은 상기 중간층 및 상기 화소 정의막의 요철면과 접하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 광산란면은 상기 중간층및 상기 화소 정의막의 요철면의 요철 형태에 대응하는 요철면을 갖는 유기 발광 표시 장치.
  7. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성되고 상기 제1 전극의 소정의 영역을 노출하도록 형성된 화소 정의막;
    상기 노출된 제1 전극의 소정의 영역상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층;및
    상기 기판을 향하는 방향 또는 그 반대 방향에 형성된 광산란면을 구비하고 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 중간층 및 상기 화소 정의막 상에 형성되는 삽입층을 더 포함하고,
    상기 삽입층 상부에 제2 전극이 형성되고,
    상기 삽입층은 요철면을 구비하고, 상기 광산란면은 상기 삽입층의 요철면과 접하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 광산란면은 상기 삽입층의 요철면의 요철 형태에 대응하는 요철면을 갖는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 삽입층은 복수의 트렌치를 구비하고, 상기 트렌치를 통하여 상기 제2 전극이 상기 중간층과 접하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 삽입층은 고분자 물질을 함유하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 삽입층은 블랙 매트릭스 물질을 함유하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제7 항에 있어서,
    상기 삽입층은 컬러 필터 물질을 함유하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성되고 상기 제1 전극의 소정의 영역을 노출하도록 형성된 개구부를 갖는 화소 정의막;
    상기 노출된 제1 전극의 소정의 영역상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층;및
    상기 기판을 향하는 방향 또는 그 반대 방향에 형성된 광산란면을 구비하고 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극 상에 형성되는 커버층을 더 포함하고,
    상기 광산란면은 상기 제2 전극의 면 중 상기 기판을 향하는 방향의 반대면에 형성되고, 상기 커버층은 상기 광산란면과 접하고,
    상기 광산란면은 제2 전극을 형성하고 나서, 상기 제2 전극의 표면에 대한 공정을 진행하여 형성된 것이고,
    상기 광산란면은 상기 커버층과 접하는 요철면을 포함하고,
    상기 요철면은 적어도 일 방향으로 연장된 스트라이프 형태의 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 커버층은 광 흡수 물질을 함유하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제1 항, 제7 항 또는 제13 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 형성되고 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고, 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 기판상에 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 상기 제1 전극의 소정의 영역을 노출하도록 개구부를 갖는 화소 정의막, 상기 노출된 제1 전극의 영역 상에 유기 발광층을 구비하는 중간층을 형성하는 단계 및
    상기 기판을 향하는 방향 또는 그 반대 방향에 광산란면을 구비하고 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 광산란면은 상기 화소 정의막 및 상기 중간층을 형성한 후에 상기 화소 정의막 및 중간층의 면 중 상기 제2 전극을 향하는 상면에 형성된 것이고,
    상기 중간층은 상기 화소 정의막의 개구부내에서 상기 제1 전극과 중첩된 영역을 포함하고,
    상기 중간층의 영역 중 상기 화소 정의막의 개구부내에서 상기 제1 전극과 중첩된 영역의 상기 제1 전극을 향하는 하면은 평탄면을 포함하고, 그 반대면인 상면은 요철면을 포함하도록 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 중간층 및 상기 화소 정의막은 러빙 공정에 의하여 상기 제2 전극을 향하는 표면이 요철면으로 형성되고,
    상기 제2 전극의 광산란면은 상기 유기 발광층 및 화소 정의막의 요철면과 접하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  21. 기판상에 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 상기 제1 전극의 소정의 영역을 노출하는 화소 정의막, 상기 노출된 제1 전극의 영역 상에 유기 발광층을 구비하는 중간층을 형성하는 단계 및
    상기 기판을 향하는 방향 또는 그 반대 방향에 광산란면을 구비하고 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 중간층 및 상기 화소 정의막과 상기 제2 전극 사이에 삽입층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 삽입층은 러빙 공정에 의하여 형성된 요철면을 구비하고, 상기 광산란면은 상기 요철면과 접하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 러빙 공정 시 상기 삽입층이 복수의 트렌치를 구비하여 상기 트렌치를 통하여 노출된 중간층과 상기 제2 전극이 접하도록 하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  23. 기판상에 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 상기 제1 전극의 소정의 영역을 노출하도록 개구부를 갖는 화소 정의막, 상기 노출된 제1 전극의 영역 상에 유기 발광층을 구비하는 중간층을 형성하는 단계 및
    상기 기판을 향하는 방향 또는 그 반대 방향에 광산란면을 구비하고 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 전극의 상부에 커버층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 전극의 광산란면은 상기 제2 전극의 면 중 상기 기판을 향하는 면의 반대면을 러빙 공정을 진행하여 형성하고, 상기 광산란면은 상기 커버층과 접하고,
    상기 광산란면은 제2 전극을 형성하고 나서, 상기 제2 전극의 표면에 대한 공정을 진행하여 형성하고,
    상기 광산란면은 상기 커버층과 접하는 요철면을 포함하고,
    상기 요철면은 적어도 일 방향으로 연장된 스트라이프 형태의 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  24. 제1 항, 제7 항 또는 제13 항에 있어서,
    상기 광산란면은 러빙 공정을 이용하여 형성된 유기 발광 표시 장치.
  25. 제16 항, 제21 항 또는 제23 항에 있어서,
    상기 광산란면은 러빙 공정을 이용하여 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  26. 제25 항에 있어서,
    상기 러빙 공정은 러빙 부재에 의하여 수행하고,
    상기 러빙 부재는 흡착홀을 구비하고, 상기 러빙 공정 시 발생하는 잔여물은 상기 흡착홀에 의하여 배기되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  27. 제26 항에 있어서,
    상기 러빙 부재는 본체부 및 상기 본체부의 외주면에 배치된 러빙천을 구비하고, 상기 본체부는 상기 러빙천에 의하여 덮이지 않고 노출된 노출면을 구비하고, 상기 흡착홀은 상기 노출면에 형성된 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
KR1020110024341A 2011-03-18 2011-03-18 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 Active KR101839929B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110024341A KR101839929B1 (ko) 2011-03-18 2011-03-18 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US13/366,253 US8946733B2 (en) 2011-03-18 2012-02-03 Organic light-emitting display apparatus having a light-scattering face and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110024341A KR101839929B1 (ko) 2011-03-18 2011-03-18 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120106305A KR20120106305A (ko) 2012-09-26
KR101839929B1 true KR101839929B1 (ko) 2018-03-20

Family

ID=46827778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110024341A Active KR101839929B1 (ko) 2011-03-18 2011-03-18 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8946733B2 (ko)
KR (1) KR101839929B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11587990B2 (en) 2021-06-08 2023-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device and touch input system including the same

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103563103A (zh) * 2011-05-25 2014-02-05 同和电子科技有限公司 发光元件芯片及其制造方法
KR102052432B1 (ko) * 2012-11-13 2019-12-05 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR102080009B1 (ko) * 2013-05-29 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP2015034948A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR102278603B1 (ko) * 2014-04-14 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN103985717A (zh) 2014-05-13 2014-08-13 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
KR102214977B1 (ko) * 2014-07-31 2021-02-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102417123B1 (ko) * 2014-11-17 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160066650A (ko) * 2014-12-02 2016-06-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
KR102389668B1 (ko) * 2015-08-19 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102409955B1 (ko) * 2015-08-25 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102568781B1 (ko) * 2016-05-31 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102570552B1 (ko) * 2016-06-03 2023-08-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법
KR102518130B1 (ko) * 2016-08-04 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN107170761B (zh) 2017-06-12 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN208622729U (zh) * 2018-09-14 2019-03-19 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板以及显示装置
CN109616491A (zh) 2018-10-23 2019-04-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN110335960B (zh) * 2019-06-18 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、显示装置
US11222855B2 (en) * 2019-09-05 2022-01-11 Skyworks Solutions, Inc. Moisture barrier for bond pads and integrated circuit having the same
CN110797384B (zh) * 2019-11-22 2021-09-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
US12342693B2 (en) * 2021-05-14 2025-06-24 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device having conductive element with recessed portion having uneven surface

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646936B1 (ko) * 2005-10-18 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073446A (en) 1990-07-26 1991-12-17 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode
US5047687A (en) 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
JP2813495B2 (ja) 1991-07-26 1998-10-22 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子の封止方法
JP3170542B2 (ja) 1993-12-08 2001-05-28 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
JP3615817B2 (ja) 1995-02-14 2005-02-02 株式会社アルバック 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP3694060B2 (ja) 1995-05-11 2005-09-14 勝美 吉野 有機発光ダイオード及びその製造方法
JPH09274990A (ja) 1996-04-08 1997-10-21 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP3774897B2 (ja) 1997-06-03 2006-05-17 ソニー株式会社 有機電界発光素子
KR100388271B1 (ko) 2000-10-14 2003-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100472502B1 (ko) 2001-12-26 2005-03-08 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP2004200146A (ja) 2002-12-05 2004-07-15 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法並びに電子機器
KR100528914B1 (ko) 2003-05-01 2005-11-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100600887B1 (ko) 2005-01-05 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR100740309B1 (ko) 2005-01-10 2007-07-18 (주)케이디티 휘어질 수 있는 풀 칼라 유기 발광 디스플레이 및 그제조방법
KR101264328B1 (ko) 2006-02-17 2013-05-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드
KR100786469B1 (ko) 2006-06-09 2007-12-17 삼성에스디아이 주식회사 유기발광소자 및 그 제조방법
KR100955882B1 (ko) 2008-01-03 2010-05-06 (주)건양 음이온 함유 수용성 고분자층을 포함하는 고분자 유기 전계발광 소자 및 그 제조방법
TWI401992B (zh) * 2008-12-01 2013-07-11 Innolux Corp 影像顯示裝置、影像顯示系統及其製造方法
KR101097330B1 (ko) * 2010-01-19 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조 하는 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646936B1 (ko) * 2005-10-18 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11587990B2 (en) 2021-06-08 2023-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device and touch input system including the same
US11812652B2 (en) 2021-06-08 2023-11-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device and touch input system including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120106305A (ko) 2012-09-26
US20120235175A1 (en) 2012-09-20
US8946733B2 (en) 2015-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101839929B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN110010797B (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法
KR102253870B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102260991B1 (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
TWI730991B (zh) 有機ｅｌ裝置、有機ｅｌ裝置之製造方法、電子機器
KR102724230B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101810048B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20140135568A (ko) 유기발광표시장치
US7825570B2 (en) LED device having improved contrast
KR101611924B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR101704686B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102400751B1 (ko) 전계발광 표시장치
KR20140124614A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN106409859B (zh) 可折叠的有机发光显示装置
KR20190093830A (ko) 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20150081728A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN100461444C (zh) 发光显示器及其制造方法
KR20130126639A (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 액정 표시 장치
JP6692194B2 (ja) 表示装置
JPWO2021005434A5 (ja) 表示装置
KR20200134752A (ko) 발광 표시 장치
KR20170126078A (ko) 봉지막을 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치
KR20190034902A (ko) 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치
KR102645606B1 (ko) 유기발광장치 및 그 제조방법
KR102608318B1 (ko) 유기발광장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20110318

N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

Patent event date: 20120725

Comment text: Notification of Change of Applicant

Patent event code: PN23011R01D

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20160317

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20110318

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20170717

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20171226

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20180313

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20180314

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210302

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220302

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20250224

Start annual number: 8

End annual number: 8