JP2003006923A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
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- JP2003006923A JP2003006923A JP2001185511A JP2001185511A JP2003006923A JP 2003006923 A JP2003006923 A JP 2003006923A JP 2001185511 A JP2001185511 A JP 2001185511A JP 2001185511 A JP2001185511 A JP 2001185511A JP 2003006923 A JP2003006923 A JP 2003006923A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高線速かつ高記録密度の相変化型光記録媒体
の提供。 【解決手段】 （１）基板上に少なくとも２層の記録層
を有し、光の入射側の記録層（以下、第１記録層とい
う）が少なくともＳｂＴｅを含み、該第１記録層の両側
に隣接する保護層のうち、第１記録層よりも中央側（第
２記録層に近い側）の保護層は、その熱伝導率が５０Ｗ
／ｍ．ｄｅｇ以上で且つその光透過率が３０％以上であ
ることを特徴とする相変化型光記録媒体。 （２）前記第１記録層よりも中央側（第２記録層に近い
側）の保護層が、ＢｅＯ、ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３、ＭｏＳ
ｉ、ＳｉＣの何れかからなることを特徴とする請求項１
記載の相変化型光記録媒体。
の提供。 【解決手段】 （１）基板上に少なくとも２層の記録層
を有し、光の入射側の記録層（以下、第１記録層とい
う）が少なくともＳｂＴｅを含み、該第１記録層の両側
に隣接する保護層のうち、第１記録層よりも中央側（第
２記録層に近い側）の保護層は、その熱伝導率が５０Ｗ
／ｍ．ｄｅｇ以上で且つその光透過率が３０％以上であ
ることを特徴とする相変化型光記録媒体。 （２）前記第１記録層よりも中央側（第２記録層に近い
側）の保護層が、ＢｅＯ、ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３、ＭｏＳ
ｉ、ＳｉＣの何れかからなることを特徴とする請求項１
記載の相変化型光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザなどの光に
より情報の記録・再生などを行なう光情報記録媒体であ
って、特に、コンピューターメモリ、画像及び音声ファ
イル用メモリー、光カードなどに利用される相変化型光
記録媒体に関するものである。
より情報の記録・再生などを行なう光情報記録媒体であ
って、特に、コンピューターメモリ、画像及び音声ファ
イル用メモリー、光カードなどに利用される相変化型光
記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来技術】レーザビームの照射による記録・再生が可
能な光媒体として、結晶−非晶質の転移を利用する相変
化媒体や、色素の穴開きによる反射率差を利用する色素
媒体がある。従来の光記録媒体において、再生専用媒体
に関しては光入射する側から２層のピット層を形成する
ことは容易であった。しかしながら、記録・再生可能な
層を２層設ける場合、１層は光を透過すると共に光を吸
収して記録もできるという相反する物性を満足しなけれ
ばならない。透過するということは、通常の膜厚では吸
収が少なく、厚い放熱層を設けると、光が透過しないの
で放熱が十分でなくなり、アモルファス化し難い。従っ
て高速で記録したり、高密度で記録することは難しい。
能な光媒体として、結晶−非晶質の転移を利用する相変
化媒体や、色素の穴開きによる反射率差を利用する色素
媒体がある。従来の光記録媒体において、再生専用媒体
に関しては光入射する側から２層のピット層を形成する
ことは容易であった。しかしながら、記録・再生可能な
層を２層設ける場合、１層は光を透過すると共に光を吸
収して記録もできるという相反する物性を満足しなけれ
ばならない。透過するということは、通常の膜厚では吸
収が少なく、厚い放熱層を設けると、光が透過しないの
で放熱が十分でなくなり、アモルファス化し難い。従っ
て高速で記録したり、高密度で記録することは難しい。
【０００３】ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷなどの光ディスク
は、ポリカーボネートなどからなるプラスチックの円形
基板、又はその上に設けた記録層に、円周方向に沿って
音、文字、画像などの信号を記録し、その面にアルミニ
ウム、金、銀などの金属を蒸着又はスパッタリングして
反射層を形成したもので、基板面側からレーザ光を入射
して、信号の記録・再生を行なう。近年、コンピュータ
ー等で扱う情報量が増加したことから、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ、ＤＶＤ−ＲＷのような光ディスクの信号記録容量の
増大、及び信号情報の高密度化が進んでいる。ＣＤの記
録容量は６５０ＭＢ程度で、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度で
あるが、今後、更なる高記録密度化が要求されている。
そして、このような高記録密度媒体を実現する手段とし
て、使用するレーザ波長を青色光領域まで短波長化する
ことが提案されている。しかしながら、従来公知の技術
としては、特開平８−２８７４７４号公報に、多層化す
る手段が記載されているものの、具体的な媒体構成に関
する開示はなく、特開平９−１９８７０９号公報には、
相変化記録層２層を有し、光が最初に透過する層がＳｂ
Ｓｅ、もう一つの層がＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５からなる実施
例が開示されているが、実際に高速記録させた場合、記
録感度が悪くなり、高密度記録し辛いことが判ってい
る。
は、ポリカーボネートなどからなるプラスチックの円形
基板、又はその上に設けた記録層に、円周方向に沿って
音、文字、画像などの信号を記録し、その面にアルミニ
ウム、金、銀などの金属を蒸着又はスパッタリングして
反射層を形成したもので、基板面側からレーザ光を入射
して、信号の記録・再生を行なう。近年、コンピュータ
ー等で扱う情報量が増加したことから、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ、ＤＶＤ−ＲＷのような光ディスクの信号記録容量の
増大、及び信号情報の高密度化が進んでいる。ＣＤの記
録容量は６５０ＭＢ程度で、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度で
あるが、今後、更なる高記録密度化が要求されている。
そして、このような高記録密度媒体を実現する手段とし
て、使用するレーザ波長を青色光領域まで短波長化する
ことが提案されている。しかしながら、従来公知の技術
としては、特開平８−２８７４７４号公報に、多層化す
る手段が記載されているものの、具体的な媒体構成に関
する開示はなく、特開平９−１９８７０９号公報には、
相変化記録層２層を有し、光が最初に透過する層がＳｂ
Ｓｅ、もう一つの層がＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５からなる実施
例が開示されているが、実際に高速記録させた場合、記
録感度が悪くなり、高密度記録し辛いことが判ってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の現状に鑑みてなされたものであって、高線速かつ高
記録密度の相変化型光記録媒体の提供を目的とする。
術の現状に鑑みてなされたものであって、高線速かつ高
記録密度の相変化型光記録媒体の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１）〜
２）の発明（以下、本発明１〜２という。）によって解
決される。 １） 基板上に少なくとも２層の記録層を有し、光の入
射側の記録層（以下、第１記録層という）が少なくとも
ＳｂＴｅを含み、該第１記録層の両側に隣接する保護層
のうち、第１記録層よりも中央側（第２記録層に近い
側）の保護層は、その熱伝導率が５０Ｗ／ｍ．ｄｅｇ以
上で且つその光透過率が３０％以上であることを特徴と
する相変化型光記録媒体。 ２） 前記第１記録層よりも中央側（第２記録層に近い
側）の保護層が、ＢｅＯ、ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３、ＭｏＳ
ｉ、ＳｉＣの何れかからなることを特徴とする１）記載
の相変化型光記録媒体。
２）の発明（以下、本発明１〜２という。）によって解
決される。 １） 基板上に少なくとも２層の記録層を有し、光の入
射側の記録層（以下、第１記録層という）が少なくとも
ＳｂＴｅを含み、該第１記録層の両側に隣接する保護層
のうち、第１記録層よりも中央側（第２記録層に近い
側）の保護層は、その熱伝導率が５０Ｗ／ｍ．ｄｅｇ以
上で且つその光透過率が３０％以上であることを特徴と
する相変化型光記録媒体。 ２） 前記第１記録層よりも中央側（第２記録層に近い
側）の保護層が、ＢｅＯ、ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３、ＭｏＳ
ｉ、ＳｉＣの何れかからなることを特徴とする１）記載
の相変化型光記録媒体。
【０００６】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。図１に、本発明の一実施形態に係る光記録媒体の層
構成を示す。基板の材料は、通常ガラス、セラミックス
又は樹脂であり、樹脂基板が成形性やコストの点で好ま
しい。樹脂の例としてはポリカーボネート、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリル−
スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウ
レタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コ
ストの点で優れるポリカーボネート、アクリル樹脂が好
ましい。基板面の一方には凹凸パターンが形成されてお
り、こちら側に耐熱層、記録層などが成膜される。基板
の厚さは特に制限されるものではない。
る。図１に、本発明の一実施形態に係る光記録媒体の層
構成を示す。基板の材料は、通常ガラス、セラミックス
又は樹脂であり、樹脂基板が成形性やコストの点で好ま
しい。樹脂の例としてはポリカーボネート、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリル−
スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウ
レタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コ
ストの点で優れるポリカーボネート、アクリル樹脂が好
ましい。基板面の一方には凹凸パターンが形成されてお
り、こちら側に耐熱層、記録層などが成膜される。基板
の厚さは特に制限されるものではない。
【０００７】光の入射側の記録層（第１記録層）の両側
に隣接する保護層のうち、第１記録層よりも中央側（第
２記録層に近い側）の保護層に相当する保護層２は、熱
伝導率が５０Ｗ／ｍ．ｄｅｇ以上で且つ光透過率が３０
％以上でなければならない。熱伝導率が５０Ｗ／ｍ．ｄ
ｅｇ未満になると、放熱性が悪くなり、小さい記録マー
ク（アモルファスマーク）ができ難くなるので、高密度
記録の点で問題があり、光透過率が３０％未満になる
と、第２記録層に対する記録パワーが足りなくなり記録
が不可能となってしまう。また、熱伝導率が２００ｍＷ
／ｄｅｇ以上になると、熱が放熱され過ぎて記録層で吸
収しなくなり記録感度が悪くなるので、この辺りが上限
である。光透過率の上限は、保護層２が第２記録層に光
を透過させる役目を持つことから１００％でも良い。こ
のような物性を満足する材料としては、例えば、Ｂｅ
Ｏ、ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ ３、ＭｏＳｉ、ＳｉＣなどが挙げ
られる。
に隣接する保護層のうち、第１記録層よりも中央側（第
２記録層に近い側）の保護層に相当する保護層２は、熱
伝導率が５０Ｗ／ｍ．ｄｅｇ以上で且つ光透過率が３０
％以上でなければならない。熱伝導率が５０Ｗ／ｍ．ｄ
ｅｇ未満になると、放熱性が悪くなり、小さい記録マー
ク（アモルファスマーク）ができ難くなるので、高密度
記録の点で問題があり、光透過率が３０％未満になる
と、第２記録層に対する記録パワーが足りなくなり記録
が不可能となってしまう。また、熱伝導率が２００ｍＷ
／ｄｅｇ以上になると、熱が放熱され過ぎて記録層で吸
収しなくなり記録感度が悪くなるので、この辺りが上限
である。光透過率の上限は、保護層２が第２記録層に光
を透過させる役目を持つことから１００％でも良い。こ
のような物性を満足する材料としては、例えば、Ｂｅ
Ｏ、ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ ３、ＭｏＳｉ、ＳｉＣなどが挙げ
られる。
【０００８】保護層１、保護層３及び保護層４は、記録
層の劣化変質を防ぎ、記録層の接着強度を高め、かつ記
録特性を高めるなどの作用を有するものであり、その材
料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａ
ｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２な
どの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、
ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４な
どの硫化物、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣな
どの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いは、それら
の混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層
とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。ま
た、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護層は耐熱
層の役割もするので、その融点を記録層よりも高くする
必要がある。このような保護層は、各種気相成長法、例
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリン
グ法が、量産性、膜質等に優れている。
層の劣化変質を防ぎ、記録層の接着強度を高め、かつ記
録特性を高めるなどの作用を有するものであり、その材
料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａ
ｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２な
どの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、
ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４な
どの硫化物、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣな
どの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いは、それら
の混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層
とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。ま
た、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護層は耐熱
層の役割もするので、その融点を記録層よりも高くする
必要がある。このような保護層は、各種気相成長法、例
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリン
グ法が、量産性、膜質等に優れている。
【０００９】放熱層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｔａなどの金属材料、又はそれらの合金などを用い
ることができる。また、添加元素としては、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用される。
このような反射放熱層は、前記保護層の場合と同様の手
段で形成することができ、スパッタリング法が、量産
性、膜質等に優れている点も同様である。記録層として
は、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＳｂＴｅ、Ｉｎ
Ｔｅ等の結晶相とアモルファス相間で可逆的に変化する
相変化材料を用いる。
ｕ、Ｔａなどの金属材料、又はそれらの合金などを用い
ることができる。また、添加元素としては、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用される。
このような反射放熱層は、前記保護層の場合と同様の手
段で形成することができ、スパッタリング法が、量産
性、膜質等に優れている点も同様である。記録層として
は、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＳｂＴｅ、Ｉｎ
Ｔｅ等の結晶相とアモルファス相間で可逆的に変化する
相変化材料を用いる。
【００１０】図２は、本発明の他の実施形態に係る光記
録媒体の層構成を示すものであって、基板上に保護層１
から放熱層までの層を図１と逆順に設け、保護層１の上
に接着層を介して薄基板を設けている。薄基板は、高Ｎ
Ａ（開口率）の対物レンズに対して、０．３ｍｍ以下の
厚さが要求されるので、シート状とすることが好まし
く、その材料としては、前記基板の材料と同様の樹脂材
料が好ましく用いられる。上記透明シートを用いて光透
過層を形成する方法としては、紫外線硬化型接着剤又は
透明な両面粘着シートを介して、透明シートを貼り付け
る方法が挙げられるが、接着層を介することなく、紫外
線硬化性樹脂を保護層上に塗布し、これを硬化させて光
透過層を形成してもよい。
録媒体の層構成を示すものであって、基板上に保護層１
から放熱層までの層を図１と逆順に設け、保護層１の上
に接着層を介して薄基板を設けている。薄基板は、高Ｎ
Ａ（開口率）の対物レンズに対して、０．３ｍｍ以下の
厚さが要求されるので、シート状とすることが好まし
く、その材料としては、前記基板の材料と同様の樹脂材
料が好ましく用いられる。上記透明シートを用いて光透
過層を形成する方法としては、紫外線硬化型接着剤又は
透明な両面粘着シートを介して、透明シートを貼り付け
る方法が挙げられるが、接着層を介することなく、紫外
線硬化性樹脂を保護層上に塗布し、これを硬化させて光
透過層を形成してもよい。
【００１１】以下、実施例により本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例により限定されるもの
ではない。
するが、本発明はこれらの実施例により限定されるもの
ではない。
【００１２】実施例１
トラックピッチ０．４０μｍ、厚み０．６ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を
４０ｎｍ、記録層１（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５）
を１５ｎｍ、保護層２（ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３）を１５ｎ
ｍ、枚葉スパッタ装置にて成膜し、次いで、スピンコー
トにより紫外線硬化樹脂層を１０μｍ設け、この樹脂層
が硬化する前にスタンパーによる転写を行った。保護層
２（ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３）の透過率は８８％（波長４０
５ｎｍ）、熱伝導率は１７０Ｗ／ｍ．ｄｅｇであった。
次に、保護層３（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を４０ｎｍ、記録
層２（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５）を１２ｎｍ、保
護層４（ＺｎＳ・ＳｉＯ）を１２ｎｍ、放熱層（Ａｇ）
を１００ｎｍ、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、更
に有機保護層（ラジカルＵＶ樹脂）を形成し、図１と同
様の層構成の光記録媒体を作成した。
ーボネート基板上に、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を
４０ｎｍ、記録層１（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５）
を１５ｎｍ、保護層２（ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３）を１５ｎ
ｍ、枚葉スパッタ装置にて成膜し、次いで、スピンコー
トにより紫外線硬化樹脂層を１０μｍ設け、この樹脂層
が硬化する前にスタンパーによる転写を行った。保護層
２（ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３）の透過率は８８％（波長４０
５ｎｍ）、熱伝導率は１７０Ｗ／ｍ．ｄｅｇであった。
次に、保護層３（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を４０ｎｍ、記録
層２（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５）を１２ｎｍ、保
護層４（ＺｎＳ・ＳｉＯ）を１２ｎｍ、放熱層（Ａｇ）
を１００ｎｍ、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、更
に有機保護層（ラジカルＵＶ樹脂）を形成し、図１と同
様の層構成の光記録媒体を作成した。
【００１３】比較例１
保護層２を設けない点を除き、実施例１と同様にして光
記録媒体を作成した。
記録媒体を作成した。
【００１４】実施例１及び比較例１の光記録媒体を、評
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、６．５ｍ／ｓ、
０．１７μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例１の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例１に比べて２０％高くジッタも
２％低く記録できた。
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、６．５ｍ／ｓ、
０．１７μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例１の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例１に比べて２０％高くジッタも
２％低く記録できた。
【００１５】実施例２
トラックピッチ０．３４μｍ、厚み０．６ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、放熱層（Ａｇ）を１００ｎｍ、保
護層４（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を１０ｎｍ、記録層２（Ａ
ｇ２Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２５）を１５ｎｍ、保護層３
（ＺｎＳ・ＳｉＯ ２）を３０ｎｍ、順次、枚葉スパッタ
装置にて成膜し、次いで、スピンコートにより紫外線硬
化樹脂層を２０μｍ設け、この樹脂層が硬化する前にス
タンパーによる転写を行った。次に、保護層２（Ｂｅ
Ｏ）を５ｎｍ、記録層１（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）を１０
ｎｍ、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を４０ｎｍ、順
次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、更にその上に、両面
シート接着剤層２５μｍを介して、厚み０．１ｍｍの薄
基板を接着し、図２と同様の層構成の光記録媒体を作成
した。保護層２（ＢｅＯ）の透過率は８５％（波長４０
５ｎｍ）、熱伝導率は５１Ｗ／ｍ．ｄｅｇであった。
ーボネート基板上に、放熱層（Ａｇ）を１００ｎｍ、保
護層４（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を１０ｎｍ、記録層２（Ａ
ｇ２Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２５）を１５ｎｍ、保護層３
（ＺｎＳ・ＳｉＯ ２）を３０ｎｍ、順次、枚葉スパッタ
装置にて成膜し、次いで、スピンコートにより紫外線硬
化樹脂層を２０μｍ設け、この樹脂層が硬化する前にス
タンパーによる転写を行った。次に、保護層２（Ｂｅ
Ｏ）を５ｎｍ、記録層１（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）を１０
ｎｍ、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を４０ｎｍ、順
次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、更にその上に、両面
シート接着剤層２５μｍを介して、厚み０．１ｍｍの薄
基板を接着し、図２と同様の層構成の光記録媒体を作成
した。保護層２（ＢｅＯ）の透過率は８５％（波長４０
５ｎｍ）、熱伝導率は５１Ｗ／ｍ．ｄｅｇであった。
【００１６】比較例２
保護層２を設けない点を除き、実施例２と同様にして光
記録媒体を作成した。
記録媒体を作成した。
【００１７】実施例２及び比較例２の光記録媒体を、評
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．８５、６．０ｍ／ｓ、
０．１３μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例２の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例２に比べて３３％高くジッタも
４％低く記録できた。
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．８５、６．０ｍ／ｓ、
０．１３μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例２の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例２に比べて３３％高くジッタも
４％低く記録できた。
【００１８】実施例３
トラックピッチ０．４１μｍ、厚み０．６ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を
４０ｎｍ、記録層１（Ｉｎ４Ｓｂ７２Ｔｅ２４）を１２
ｎｍ、保護層２（ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３）を５ｎｍ、順
次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、次いで、スピンコー
トにより紫外線硬化樹脂層を１５μｍ設け、この樹脂層
が硬化する前にスタンパーによる転写を行った。 次
に、保護層３（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を３０ｎｍ、記録層
２（Ｉｎ４Ｓｂ７２Ｔｅ２４）を１２ｎｍ、保護層４
（ＺｎＳ・ＳｉＯ）を１２ｎｍ、放熱層（Ａｇ）を１０
０ｎｍ、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、更に有機
保護層（ラジカルＵＶ樹脂）を形成し、図１と同様の層
構成の光記録媒体を作成した。
ーボネート基板上に、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を
４０ｎｍ、記録層１（Ｉｎ４Ｓｂ７２Ｔｅ２４）を１２
ｎｍ、保護層２（ＡｌＮｘ−Ｙ２Ｏ３）を５ｎｍ、順
次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、次いで、スピンコー
トにより紫外線硬化樹脂層を１５μｍ設け、この樹脂層
が硬化する前にスタンパーによる転写を行った。 次
に、保護層３（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を３０ｎｍ、記録層
２（Ｉｎ４Ｓｂ７２Ｔｅ２４）を１２ｎｍ、保護層４
（ＺｎＳ・ＳｉＯ）を１２ｎｍ、放熱層（Ａｇ）を１０
０ｎｍ、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、更に有機
保護層（ラジカルＵＶ樹脂）を形成し、図１と同様の層
構成の光記録媒体を作成した。
【００１９】比較例３
保護層２を設けない点、及び保護層３の厚みを４０ｎｍ
にした点を除き、実施例３と同様にして光記録媒体を作
成した。
にした点を除き、実施例３と同様にして光記録媒体を作
成した。
【００２０】実施例３及び比較例３の光記録媒体を、評
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、６．５ｍ／ｓ、
０．１７μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例３の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例３に比べて２５％高くジッタも
３％低く記録できた。
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、６．５ｍ／ｓ、
０．１７μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例３の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例３に比べて２５％高くジッタも
３％低く記録できた。
【００２１】実施例４
トラックピッチ０．３６μｍ、厚み０．６ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、放熱層（Ａｇ）を１００ｎｍ、保
護層４（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を１０ｎｍ、記録層２（Ａ
ｇ２Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２５）を１５ｎｍ、保護層３
（ＺｎＳ・ＳｉＯ ２）を２０ｎｍ、順次、枚葉スパッタ
装置にて成膜し、次いで、スピンコートにより紫外線硬
化樹脂層を２０μｍ設け、この樹脂層が硬化する前にス
タンパーによる転写を行った。次に、保護層２（ＭｏＳ
ｉ）を７ｎｍ、記録層１（Ａｇ２Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ
２５）を１０ｎｍ、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を４
０ｎｍ、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、更にその
上に、両面シート接着剤層０．０２ｍｍを介して、厚み
０．０８ｍｍの薄基板を接着し、図２と同様の層構成の
光記録媒体を作成した。保護層２（ＭｏＳｉ）の透過率
は８３％（波長４０５ｎｍ）、熱伝導率は６０Ｗ／ｍ．
ｄｅｇであった。
ーボネート基板上に、放熱層（Ａｇ）を１００ｎｍ、保
護層４（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を１０ｎｍ、記録層２（Ａ
ｇ２Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２５）を１５ｎｍ、保護層３
（ＺｎＳ・ＳｉＯ ２）を２０ｎｍ、順次、枚葉スパッタ
装置にて成膜し、次いで、スピンコートにより紫外線硬
化樹脂層を２０μｍ設け、この樹脂層が硬化する前にス
タンパーによる転写を行った。次に、保護層２（ＭｏＳ
ｉ）を７ｎｍ、記録層１（Ａｇ２Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ
２５）を１０ｎｍ、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を４
０ｎｍ、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、更にその
上に、両面シート接着剤層０．０２ｍｍを介して、厚み
０．０８ｍｍの薄基板を接着し、図２と同様の層構成の
光記録媒体を作成した。保護層２（ＭｏＳｉ）の透過率
は８３％（波長４０５ｎｍ）、熱伝導率は６０Ｗ／ｍ．
ｄｅｇであった。
【００２２】比較例４
保護層２を設けない点、及び保護層３の厚みを１０ｎｍ
にした点を除き、実施例４と同様にして光記録媒体を作
成した。
にした点を除き、実施例４と同様にして光記録媒体を作
成した。
【００２３】実施例４及び比較例４の光記録媒体を、評
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．８５、６．０ｍ／ｓ、
０．１４μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例４の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例４に比べて３５％高くジッタも
５％低く記録できた。
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．８５、６．０ｍ／ｓ、
０．１４μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例４の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例４に比べて３５％高くジッタも
５％低く記録できた。
【００２４】実施例５
トラックピッチ０．４４μｍ、厚み０．６ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を
４０ｎｍ、記録層１（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）を１５ｎ
ｍ、保護層２（ＳｉＣ）を５ｎｍ、順次、枚葉スパッタ
装置にて成膜し、次いで、スピンコートにより紫外線硬
化樹脂層を１５μｍ設け、この樹脂層が硬化する前にス
タンパーによる転写を行った。保護層２（ＳｉＣ）の透
過率は８４％（波長４０５ｎｍ）、熱伝導率は１３０Ｗ
／ｍ．ｄｅｇであった。次に、保護層３（ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ２）を３０ｎｍ、記録層２（Ａｇ２Ｉｎ２Ｓｂ７２Ｔ
ｅ２４）を１２ｎｍ、保護層４（ＺｎＳ・ＳｉＯ）を１
２ｎｍ、放熱層（Ａｇ）を１００ｎｍ、順次、枚葉スパ
ッタ装置にて成膜し、更に有機保護層（ラジカルＵＶ樹
脂）を形成し、図１と同様の層構成の光記録媒体を作成
した。
ーボネート基板上に、保護層１（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）を
４０ｎｍ、記録層１（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）を１５ｎ
ｍ、保護層２（ＳｉＣ）を５ｎｍ、順次、枚葉スパッタ
装置にて成膜し、次いで、スピンコートにより紫外線硬
化樹脂層を１５μｍ設け、この樹脂層が硬化する前にス
タンパーによる転写を行った。保護層２（ＳｉＣ）の透
過率は８４％（波長４０５ｎｍ）、熱伝導率は１３０Ｗ
／ｍ．ｄｅｇであった。次に、保護層３（ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ２）を３０ｎｍ、記録層２（Ａｇ２Ｉｎ２Ｓｂ７２Ｔ
ｅ２４）を１２ｎｍ、保護層４（ＺｎＳ・ＳｉＯ）を１
２ｎｍ、放熱層（Ａｇ）を１００ｎｍ、順次、枚葉スパ
ッタ装置にて成膜し、更に有機保護層（ラジカルＵＶ樹
脂）を形成し、図１と同様の層構成の光記録媒体を作成
した。
【００２５】比較例５
保護層２を設けない点、及び保護層３の厚みを４０ｎｍ
にした点を除き、実施例５と同様にして光記録媒体を作
成した。
にした点を除き、実施例５と同様にして光記録媒体を作
成した。
【００２６】実施例５及び比較例５の光記録媒体を、評
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、６．５ｍ／ｓ、
０．１７μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例５の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例５に比べて２２％高くジッタも
２％低く記録できた。
価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、６．５ｍ／ｓ、
０．１７μｍ／ｂｉｔで評価した結果、実施例５の記録
層１のジッタ最小パワーでのモジュレーション（記録再
生信号振幅）が、比較例５に比べて２２％高くジッタも
２％低く記録できた。
【００２７】
【発明の効果】本発明１、２によれば、光の入射側の記
録層が高線速かつ高密度で記録可能な相変化型光記録媒
体を提供できる。
録層が高線速かつ高密度で記録可能な相変化型光記録媒
体を提供できる。
【図１】本発明の一実施形態に係る光記録媒体の層構成
を示す図。
を示す図。
【図２】本発明の他の実施形態に係る光記録媒体の層構
成を示す図。
成を示す図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｋ
５３４Ｍ
５３４Ｎ
５３５ ５３５Ｃ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも２層の記録層を有
し、光の入射側の記録層（以下、第１記録層という）が
少なくともＳｂＴｅを含み、該第１記録層の両側に隣接
する保護層のうち、第１記録層よりも中央側（第２記録
層に近い側）の保護層は、その熱伝導率が５０Ｗ／ｍ．
ｄｅｇ以上で且つその光透過率が３０％以上であること
を特徴とする相変化型光記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１記録層よりも中央側（第２記録
層に近い側）の保護層が、ＢｅＯ、ＡｌＮｘ−Ｙ
２Ｏ３、ＭｏＳｉ、ＳｉＣの何れかからなることを特徴
とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001185511A JP2003006923A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001185511A JP2003006923A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003006923A true JP2003006923A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19025075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001185511A Pending JP2003006923A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003006923A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100903575B1 (ko) * | 2006-10-05 | 2009-06-23 | 닛뽕빅터 가부시키가이샤 | 다층형 상변화 광기록 매체 |
| US8072863B2 (en) | 2004-12-28 | 2011-12-06 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording method, optical recording apparatus and optical storage medium |
-
2001
- 2001-06-19 JP JP2001185511A patent/JP2003006923A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8072863B2 (en) | 2004-12-28 | 2011-12-06 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording method, optical recording apparatus and optical storage medium |
| KR100903575B1 (ko) * | 2006-10-05 | 2009-06-23 | 닛뽕빅터 가부시키가이샤 | 다층형 상변화 광기록 매체 |
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