JP2000243573A - 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法Info
- Publication number
- JP2000243573A JP2000243573A JP11039604A JP3960499A JP2000243573A JP 2000243573 A JP2000243573 A JP 2000243573A JP 11039604 A JP11039604 A JP 11039604A JP 3960499 A JP3960499 A JP 3960499A JP 2000243573 A JP2000243573 A JP 2000243573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic compound
- compound material
- material layer
- light
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 96
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 91
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明電極と金属電極との間のリーク電流の発
生を抑制した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供
する。 【解決手段】 透光性の基板上に少なくとも、透明電極
と、発光層を含む有機化合物材料層と、金属電極と、が
順に積層されて形成され、発光層の発光界面を境にした
透明電極側の有機化合物材料層又は透明電極に最大屈折
率段差の界面を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子であって、透明電極側の有機化合物材料層は、有機化
合物材料層の透明電極側の膜厚に対する発光効率特性に
おける１次極大値及び２次極大値の発光効率の間の極小
値を生じる膜厚以上となるように、形成されている。
生を抑制した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供
する。 【解決手段】 透光性の基板上に少なくとも、透明電極
と、発光層を含む有機化合物材料層と、金属電極と、が
順に積層されて形成され、発光層の発光界面を境にした
透明電極側の有機化合物材料層又は透明電極に最大屈折
率段差の界面を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子であって、透明電極側の有機化合物材料層は、有機化
合物材料層の透明電極側の膜厚に対する発光効率特性に
おける１次極大値及び２次極大値の発光効率の間の極小
値を生じる膜厚以上となるように、形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光するエレクトロルミネッセンスを呈する有機化合
物を利用し、かかる有機ＥＬ材料からなる発光層を備え
た有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ
素子ともいう）及びその製造方法に関する。
て発光するエレクトロルミネッセンスを呈する有機化合
物を利用し、かかる有機ＥＬ材料からなる発光層を備え
た有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ
素子ともいう）及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、有機化合物材料を用いた有機Ｅ
Ｌ素子は、図１に示すように、ダイオード特性を有する
電流注入型の素子であり、電流量に対応した輝度で発光
する素子である。かかる素子の複数をマトリクス状に配
列してデイスプレイパネルが開発されつつある（特開平
８−３１５９８１号）。表示面としてのガラス基板２上
に、インジウム錫酸化物いわゆるＩＴＯの膜を成膜後、
エッチングによってパターニングして形成し透明電極の
陽極３とした基板を用いる。デイスプレイパネルを構成
する各有機ＥＬ素子１は、透明電極３上に、蒸着法など
を利用して、発光層を含む複数の有機化合物材料層４、
金属電極からなる陰極５を、順次、積層した構造を有し
ている。また、有機化合物材料層４として、発光層の他
に、必要に応じて、正孔輸送機能層（正孔注入層、正孔
輸送層）と電子輸送機能層（電子注入層、電子輸送層）
などが適宜設けられる。
Ｌ素子は、図１に示すように、ダイオード特性を有する
電流注入型の素子であり、電流量に対応した輝度で発光
する素子である。かかる素子の複数をマトリクス状に配
列してデイスプレイパネルが開発されつつある（特開平
８−３１５９８１号）。表示面としてのガラス基板２上
に、インジウム錫酸化物いわゆるＩＴＯの膜を成膜後、
エッチングによってパターニングして形成し透明電極の
陽極３とした基板を用いる。デイスプレイパネルを構成
する各有機ＥＬ素子１は、透明電極３上に、蒸着法など
を利用して、発光層を含む複数の有機化合物材料層４、
金属電極からなる陰極５を、順次、積層した構造を有し
ている。また、有機化合物材料層４として、発光層の他
に、必要に応じて、正孔輸送機能層（正孔注入層、正孔
輸送層）と電子輸送機能層（電子注入層、電子輸送層）
などが適宜設けられる。
【０００３】有機化合物材料層は高抵抗であることか
ら、従来から、有機化合物材料層は極力薄く形成して駆
動電圧を下げるようにしている。
ら、従来から、有機化合物材料層は極力薄く形成して駆
動電圧を下げるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】有機化合物材料層を極
力薄く形成して上記構成の有機ＥＬ素子１を製造する場
合、ガラス基板２に各層を蒸着などにより順次形成する
ために、図２に示すように、各層の蒸着時に、例えば陽
極３上に異物固体のゴミ６などが存在すると、ゴミ６に
よってその下部接触点の周縁部には蒸着粒子が蒸着しに
くいので、ゴミ６下部周縁部すなわち陰部分６ａの電極
は、有機化合物材料層４の膜厚が他の領域に比べて薄く
なる傾向がある。その結果、ゴミ６の近傍では陽極３と
陰極５とが近接して、電界集中が生じ、発光輝度が局所
的に変化することがある。また、場合によっては、陽極
３と陰極５とが接触して短絡が生じ、素子１の破壊につ
ながることもある。
力薄く形成して上記構成の有機ＥＬ素子１を製造する場
合、ガラス基板２に各層を蒸着などにより順次形成する
ために、図２に示すように、各層の蒸着時に、例えば陽
極３上に異物固体のゴミ６などが存在すると、ゴミ６に
よってその下部接触点の周縁部には蒸着粒子が蒸着しに
くいので、ゴミ６下部周縁部すなわち陰部分６ａの電極
は、有機化合物材料層４の膜厚が他の領域に比べて薄く
なる傾向がある。その結果、ゴミ６の近傍では陽極３と
陰極５とが近接して、電界集中が生じ、発光輝度が局所
的に変化することがある。また、場合によっては、陽極
３と陰極５とが接触して短絡が生じ、素子１の破壊につ
ながることもある。
【０００５】そこで、各層の蒸着前の基板２の洗浄など
の対策が取られているが、これだけでは一旦付着したゴ
ミを完全に除去することは困難であった。本発明の目的
は、上記問題点に鑑みて、透明電極と金属電極との間の
リーク電流の発生を抑制した有機ＥＬ素子とその製造方
法を提供することである。
の対策が取られているが、これだけでは一旦付着したゴ
ミを完全に除去することは困難であった。本発明の目的
は、上記問題点に鑑みて、透明電極と金属電極との間の
リーク電流の発生を抑制した有機ＥＬ素子とその製造方
法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による有機エレク
トロルミネッセンス素子は、透光性の基板上に少なくと
も、透明電極と、発光層を含む有機化合物材料層と、金
属電極と、が順に積層されて形成され、前記発光層の発
光界面を境にした透明電極側の前記有機化合物材料層又
は前記透明電極に最大屈折率段差の界面を有する有機エ
レクトロルミネッセンス素子であって、前記透明電極側
の有機化合物材料層は、前記有機化合物材料層の透明電
極側の膜厚に対する発光効率特性における１次極大値及
び２次極大値の発光効率の間の極小値を生じる膜厚以上
となるように、形成されていることを特徴とする。
トロルミネッセンス素子は、透光性の基板上に少なくと
も、透明電極と、発光層を含む有機化合物材料層と、金
属電極と、が順に積層されて形成され、前記発光層の発
光界面を境にした透明電極側の前記有機化合物材料層又
は前記透明電極に最大屈折率段差の界面を有する有機エ
レクトロルミネッセンス素子であって、前記透明電極側
の有機化合物材料層は、前記有機化合物材料層の透明電
極側の膜厚に対する発光効率特性における１次極大値及
び２次極大値の発光効率の間の極小値を生じる膜厚以上
となるように、形成されていることを特徴とする。
【０００７】本発明による有機エレクトロルミネッセン
ス素子においては、前記有機化合物材料層の透明電極側
の膜厚は、波長λの光を主成分として発光する前記発光
層の発光界面から前記最大屈折率段差の界面までの光学
距離が前記波長λの１／４の偶数倍と略等しくなるよう
に、成膜されていることを特徴とする。本発明による有
機エレクトロルミネッセンス素子においては、前記有機
化合物材料層の金属電極側の膜厚は、前記発光層の発光
界面から前記金属電極との界面までの光学距離が前記波
長λの１／４の奇数倍と略等しくなるように、成膜され
ていることを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
ス素子においては、前記有機化合物材料層の透明電極側
の膜厚は、波長λの光を主成分として発光する前記発光
層の発光界面から前記最大屈折率段差の界面までの光学
距離が前記波長λの１／４の偶数倍と略等しくなるよう
に、成膜されていることを特徴とする。本発明による有
機エレクトロルミネッセンス素子においては、前記有機
化合物材料層の金属電極側の膜厚は、前記発光層の発光
界面から前記金属電極との界面までの光学距離が前記波
長λの１／４の奇数倍と略等しくなるように、成膜され
ていることを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
【０００８】また、本発明による有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法は、透光性の基板上に少なくと
も、透明電極と、発光層を含む有機化合物材料層と、金
属電極と、が順に積層されて形成され、前記発光層の発
光界面を境にした透明電極側の前記有機化合物材料層又
は前記透明電極に最大屈折率段差の界面を有する有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、透光
性の基板上に形成された透明電極上に、波長λの光を主
成分として発光させるべき発光層を除く前記有機化合物
材料層のうちの１つ以上の層を、前記発光層の発光界面
から前記最大屈折率段差の界面までの光学距離が前記波
長λの１／４の偶数倍と略等しくなるような膜厚で、積
層して、透明電極側の前記有機化合物材料層を形成する
第１の有機化合物材料層形成工程と、前記透明電極側の
前記有機化合物材料層上に発光層及び残る前記有機化合
物材料層を、前記発光層の発光界面から前記金属電極と
の界面までの光学距離が前記波長λの１／４の奇数倍と
略等しくなるような膜厚で、積層して、金属電極側の前
記有機化合物材料層を形成する第２の有機化合物材料層
形成工程と、前記金属電極側の有機化合物材料層上に金
属電極を形成する金属電極形成工程と、からなることを
特徴とする。
ッセンス素子の製造方法は、透光性の基板上に少なくと
も、透明電極と、発光層を含む有機化合物材料層と、金
属電極と、が順に積層されて形成され、前記発光層の発
光界面を境にした透明電極側の前記有機化合物材料層又
は前記透明電極に最大屈折率段差の界面を有する有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、透光
性の基板上に形成された透明電極上に、波長λの光を主
成分として発光させるべき発光層を除く前記有機化合物
材料層のうちの１つ以上の層を、前記発光層の発光界面
から前記最大屈折率段差の界面までの光学距離が前記波
長λの１／４の偶数倍と略等しくなるような膜厚で、積
層して、透明電極側の前記有機化合物材料層を形成する
第１の有機化合物材料層形成工程と、前記透明電極側の
前記有機化合物材料層上に発光層及び残る前記有機化合
物材料層を、前記発光層の発光界面から前記金属電極と
の界面までの光学距離が前記波長λの１／４の奇数倍と
略等しくなるような膜厚で、積層して、金属電極側の前
記有機化合物材料層を形成する第２の有機化合物材料層
形成工程と、前記金属電極側の有機化合物材料層上に金
属電極を形成する金属電極形成工程と、からなることを
特徴とする。
【０００９】本発明による有機エレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法において、前記有機化合物材料層及び
金属電極は、蒸着により積層されることを特徴とする。
本発明によれば、有機化合物材料層の膜厚、特に透明電
極側膜厚を厚くしていくと高次の発光効率ピークが出現
する現象を利用し、透明電極と発光層との間に位置する
有機化合物材料層の膜厚を調整することにより、発光効
率（電流に対する輝度比）を悪化させることなくリーク
防止を達成した素子を提供することができる。
ス素子の製造方法において、前記有機化合物材料層及び
金属電極は、蒸着により積層されることを特徴とする。
本発明によれば、有機化合物材料層の膜厚、特に透明電
極側膜厚を厚くしていくと高次の発光効率ピークが出現
する現象を利用し、透明電極と発光層との間に位置する
有機化合物材料層の膜厚を調整することにより、発光効
率（電流に対する輝度比）を悪化させることなくリーク
防止を達成した素子を提供することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明による有機ＥＬ素子及びそ
の製造方法の実施例を図面を参照しつつ説明する。発明
者は有機化合物材料層の透明電極側膜厚を順次厚くした
有機ＥＬ素子の複数の特性を調べた結果、有機ＥＬ素子
において有機化合物材料層の透明電極側膜厚を厚くする
ことにより高次の発光効率ピークが出現する現象を知見
し、本発明に到った。
の製造方法の実施例を図面を参照しつつ説明する。発明
者は有機化合物材料層の透明電極側膜厚を順次厚くした
有機ＥＬ素子の複数の特性を調べた結果、有機ＥＬ素子
において有機化合物材料層の透明電極側膜厚を厚くする
ことにより高次の発光効率ピークが出現する現象を知見
し、本発明に到った。
【００１１】有機ＥＬ素子において発光層中での発光強
度の分布は、正孔輸送層などが存在する透明電極側の境
界面においては強く、電子輸送層などが存在する金属電
極側に向かうほど減少し、発光層の膜厚に関する指数関
数分布であり、かかる透明電極側の界面が発光強度ピー
クを有する発光界面として知られている。図３に示すよ
うに、ガラス基板２上に、ＩＴＯの透明電極３、発光層
を含む複数の有機化合物材料層４ｄ及び４Ｄ、金属電極
５を順次、積層した構造の有機ＥＬ素子１において、有
機化合物材料層は、発光層の発光界面１０を境にして透
明電極側４ｄと金属電極側４Ｄに分けられる。 図３に
示すように、有機ＥＬ素子１において、金属電極５及び
有機化合物材料層４Ｄの界面は全反射面とみなすことが
できる。よって、発光層の発光界面１０から金属電極へ
向かう光は金属電極５で全反射され、発光界面１０を通
過して、外部発光に寄与する。もちろん、透明電極３へ
向かう光のほとんどは基板２を通過して、外部発光に寄
与する。
度の分布は、正孔輸送層などが存在する透明電極側の境
界面においては強く、電子輸送層などが存在する金属電
極側に向かうほど減少し、発光層の膜厚に関する指数関
数分布であり、かかる透明電極側の界面が発光強度ピー
クを有する発光界面として知られている。図３に示すよ
うに、ガラス基板２上に、ＩＴＯの透明電極３、発光層
を含む複数の有機化合物材料層４ｄ及び４Ｄ、金属電極
５を順次、積層した構造の有機ＥＬ素子１において、有
機化合物材料層は、発光層の発光界面１０を境にして透
明電極側４ｄと金属電極側４Ｄに分けられる。 図３に
示すように、有機ＥＬ素子１において、金属電極５及び
有機化合物材料層４Ｄの界面は全反射面とみなすことが
できる。よって、発光層の発光界面１０から金属電極へ
向かう光は金属電極５で全反射され、発光界面１０を通
過して、外部発光に寄与する。もちろん、透明電極３へ
向かう光のほとんどは基板２を通過して、外部発光に寄
与する。
【００１２】一方、ガラス基板２と透明電極３の屈折率
段差は他の隣接層の屈折率差よりも格段に大きいので、
かかる透明電極側に最大屈折率段差の界面は反射面とし
て作用も顕著である。有機化合物材料層４ｄ、４Ｄでは
屈折率は略１．８程度で、ＩＴＯ透明電極３では屈折率
は略２．０程度で、ガラス（ソーダライムガラス）基板
２では屈折率は略１．５程度であるので、有機化合物材
料層４ｄ及び透明電極３間の屈折率差は０．２で、ガラ
ス基板２及び透明電極３間の屈折率差は０．５であり、
透明電極側ではガラス基板２及び透明電極３の屈折率差
が最大である。よって、発光層の発光界面１０から透明
電極３へ向かい発光界面１０へ戻る光では、有機化合物
材料層４ｄ及び透明電極３間などの小さな屈折率差を無
視してガラス基板２及び透明電極３の最大屈折率段差を
考慮する。なお、最大屈折率段差は、ガラス基板及び透
明電極だけでなく、有機化合物材料層４ｄ内部にも高い
屈折率材料を成膜して形成することもできる。
段差は他の隣接層の屈折率差よりも格段に大きいので、
かかる透明電極側に最大屈折率段差の界面は反射面とし
て作用も顕著である。有機化合物材料層４ｄ、４Ｄでは
屈折率は略１．８程度で、ＩＴＯ透明電極３では屈折率
は略２．０程度で、ガラス（ソーダライムガラス）基板
２では屈折率は略１．５程度であるので、有機化合物材
料層４ｄ及び透明電極３間の屈折率差は０．２で、ガラ
ス基板２及び透明電極３間の屈折率差は０．５であり、
透明電極側ではガラス基板２及び透明電極３の屈折率差
が最大である。よって、発光層の発光界面１０から透明
電極３へ向かい発光界面１０へ戻る光では、有機化合物
材料層４ｄ及び透明電極３間などの小さな屈折率差を無
視してガラス基板２及び透明電極３の最大屈折率段差を
考慮する。なお、最大屈折率段差は、ガラス基板及び透
明電極だけでなく、有機化合物材料層４ｄ内部にも高い
屈折率材料を成膜して形成することもできる。
【００１３】これにより、素子では図３のように、発光
界面で発生した光放出ルートは、主に、（１）発光界面
から直接外部へ向かい放出、（２）金属電極で外面反射
して発光界面に戻って外部へ向かい放出、及び（３）ガ
ラスで内面反射して発光界面に戻って外部へ向かい放
出、のいずれかとなり、界面に復帰する（２）及び
（３）の光の干渉の不具合によって、発光効率は左右さ
れる。以下に、波長λの光を主成分として発光する有機
化合物材料層の発光層について最適な膜の設計を説明す
る。
界面で発生した光放出ルートは、主に、（１）発光界面
から直接外部へ向かい放出、（２）金属電極で外面反射
して発光界面に戻って外部へ向かい放出、及び（３）ガ
ラスで内面反射して発光界面に戻って外部へ向かい放
出、のいずれかとなり、界面に復帰する（２）及び
（３）の光の干渉の不具合によって、発光効率は左右さ
れる。以下に、波長λの光を主成分として発光する有機
化合物材料層の発光層について最適な膜の設計を説明す
る。
【００１４】まず、上記（３）の有機化合物材料層の透
明電極側４ｄの光放出ルートにおける干渉を考える。図
３に示されるように、透明電極３と基板ガラス２との界
面で内面反射して発光界面に戻る光の全体の屈折率ｎ及
び膜厚ｄとすると、その光路長２ｎｄは、有機化合物材
料層の光路長と透明電極の光路長の合計で
明電極側４ｄの光放出ルートにおける干渉を考える。図
３に示されるように、透明電極３と基板ガラス２との界
面で内面反射して発光界面に戻る光の全体の屈折率ｎ及
び膜厚ｄとすると、その光路長２ｎｄは、有機化合物材
料層の光路長と透明電極の光路長の合計で
【００１５】
【数１】２ｎｄ＝２（ｎorgｄorg＋ｎITOｄITO） （式中、ｎorgは有機化合物材料層４ｄの屈折率を、ｄ
orgは有機化合物材料層４ｄの膜厚を、ｎITOは透明電極
３の屈折率を、ｄITOは透明電極３の膜厚をそれぞれ示
す）と表される。よって、この往復する光の光路長２ｎ
ｄが発光して取り出すべき波長λと波数の積に等しい時
に、戻る光と発光される光との干渉が最大となる。よっ
て、図４に示されるように、干渉効果が最大となる有機
化合物材料層４ｄの膜厚設定のための発光界面から最大
屈折率段差の界面までの光学距離は、
orgは有機化合物材料層４ｄの膜厚を、ｎITOは透明電極
３の屈折率を、ｄITOは透明電極３の膜厚をそれぞれ示
す）と表される。よって、この往復する光の光路長２ｎ
ｄが発光して取り出すべき波長λと波数の積に等しい時
に、戻る光と発光される光との干渉が最大となる。よっ
て、図４に示されるように、干渉効果が最大となる有機
化合物材料層４ｄの膜厚設定のための発光界面から最大
屈折率段差の界面までの光学距離は、
【００１６】
【数２】２（ｎorgｄorg＋ｎITOｄITO）＝ｊ・λ ∴（ｎorgｄorg＋ｎITOｄITO）＝２ｊ・（λ／４） （式中、ｊ＝１、２、３・・・の整数）と表される。こ
の光学距離近傍となるように有機化合物材料層４ｄ及び
透明電極３の合計膜厚を設定すれば、干渉により発光効
率が向上する。すなわち、有機化合物材料層の透明電極
側の膜厚を、発光界面１０から最大屈折率段差の界面ま
での光学距離（ｎorgｄorg＋ｎITOｄITO）が波長λの１
／４の偶数倍と略等しくなるように、成膜すればよい。
の光学距離近傍となるように有機化合物材料層４ｄ及び
透明電極３の合計膜厚を設定すれば、干渉により発光効
率が向上する。すなわち、有機化合物材料層の透明電極
側の膜厚を、発光界面１０から最大屈折率段差の界面ま
での光学距離（ｎorgｄorg＋ｎITOｄITO）が波長λの１
／４の偶数倍と略等しくなるように、成膜すればよい。
【００１７】さらに、上記（２）の有機化合物材料層の
金属電極側４Ｄの光放出ルートにおける干渉を考える。
図３に示されるように、金属電極５と金属電極側有機化
合物材料層４Ｄとの界面では外面反射であるので、光の
反射前後で位相差πが生じる。よって、発光界面に戻る
光の全体の金属電極側有機化合物材料層４Ｄの屈折率ｎ
及び膜厚Ｄとするとその光路長２ｎＤと表されるので、
この往復する光の光路長２ｎＤが図５に示されるように
λ／２λ、３λ／２λ、５λ／２λ・・・の発光して取
り出すべき波長と等しい時に、戻る光と発光される光と
の干渉が最大となる。よって、干渉効果が最大となる有
機化合物材料層４Ｄの膜厚すなわち発光界面１０から金
属電極５の界面までの光学距離は、
金属電極側４Ｄの光放出ルートにおける干渉を考える。
図３に示されるように、金属電極５と金属電極側有機化
合物材料層４Ｄとの界面では外面反射であるので、光の
反射前後で位相差πが生じる。よって、発光界面に戻る
光の全体の金属電極側有機化合物材料層４Ｄの屈折率ｎ
及び膜厚Ｄとするとその光路長２ｎＤと表されるので、
この往復する光の光路長２ｎＤが図５に示されるように
λ／２λ、３λ／２λ、５λ／２λ・・・の発光して取
り出すべき波長と等しい時に、戻る光と発光される光と
の干渉が最大となる。よって、干渉効果が最大となる有
機化合物材料層４Ｄの膜厚すなわち発光界面１０から金
属電極５の界面までの光学距離は、
【００１８】
【数３】２ｎＤ＝［２（ｊ−１）／２］λ ∴ｎＤ＝［２（ｊ−１）／４］λ （式中、ｊ＝１、２、３・・・の整数）と表される。こ
の光学距離近傍となるように有機化合物材料層４Ｄの膜
厚Ｄを設定すれば、干渉により発光効率が向上する。す
なわち、有機化合物材料層の金属電極側の膜厚Ｄは、発
光層の発光界面１０から金属電極５との界面までの光学
距離ｎＤが波長λの１／４の奇数倍と略等しくなるよう
に、成膜すればよい。
の光学距離近傍となるように有機化合物材料層４Ｄの膜
厚Ｄを設定すれば、干渉により発光効率が向上する。す
なわち、有機化合物材料層の金属電極側の膜厚Ｄは、発
光層の発光界面１０から金属電極５との界面までの光学
距離ｎＤが波長λの１／４の奇数倍と略等しくなるよう
に、成膜すればよい。
【００１９】有機ＥＬ素子を製造する場合には、第１の
有機化合物材料層形成工程として、透光性の基板上に形
成された透明電極上に、波長λの光を主成分として発光
させるべき発光層を除く有機化合物材料層のうちの１つ
以上の層を、発光層の発光界面から最大屈折率段差の界
面までの光学距離が波長λの１／４の偶数倍と略等しく
なるような膜厚で、積層して、透明電極側の有機化合物
材料層を形成する。続いて、第２の有機化合物材料層形
成工程として、透明電極側の有機化合物材料層上に発光
層及び残る有機化合物材料層を、発光層の発光界面から
金属電極との界面までの光学距離が波長λの１／４の奇
数倍と略等しくなるような膜厚で、積層して、金属電極
側の有機化合物材料層を形成し、その後、金属電極側の
有機化合物材料層上に金属電極を形成する。
有機化合物材料層形成工程として、透光性の基板上に形
成された透明電極上に、波長λの光を主成分として発光
させるべき発光層を除く有機化合物材料層のうちの１つ
以上の層を、発光層の発光界面から最大屈折率段差の界
面までの光学距離が波長λの１／４の偶数倍と略等しく
なるような膜厚で、積層して、透明電極側の有機化合物
材料層を形成する。続いて、第２の有機化合物材料層形
成工程として、透明電極側の有機化合物材料層上に発光
層及び残る有機化合物材料層を、発光層の発光界面から
金属電極との界面までの光学距離が波長λの１／４の奇
数倍と略等しくなるような膜厚で、積層して、金属電極
側の有機化合物材料層を形成し、その後、金属電極側の
有機化合物材料層上に金属電極を形成する。
【００２０】このように、上記素子構造のため、有機化
合物材料層の膜厚を徐々に厚くしていくと、光放出ルー
トの位相が一致する膜厚が順次出現し、特に、有機化合
物材料層の透明電極側の膜厚に対する発光効率特性にお
ける極大値及び極小値を示すようになる。従来、膜厚発
光効率特性において１次極大値近傍に有機化合物材料層
の膜厚を設定して、該膜厚を徐々に増加させると、発光
効率が漸次低下する傾向が知られていたが、さらに該膜
厚を厚くして、膜厚発光効率特性における１次及び２次
極大値の発光効率の間の極小値を生じる膜厚以上となる
ように設定することにより、２次極大値になるまで発光
効率は向上する。
合物材料層の膜厚を徐々に厚くしていくと、光放出ルー
トの位相が一致する膜厚が順次出現し、特に、有機化合
物材料層の透明電極側の膜厚に対する発光効率特性にお
ける極大値及び極小値を示すようになる。従来、膜厚発
光効率特性において１次極大値近傍に有機化合物材料層
の膜厚を設定して、該膜厚を徐々に増加させると、発光
効率が漸次低下する傾向が知られていたが、さらに該膜
厚を厚くして、膜厚発光効率特性における１次及び２次
極大値の発光効率の間の極小値を生じる膜厚以上となる
ように設定することにより、２次極大値になるまで発光
効率は向上する。
【００２１】膜厚発光効率特性における高次極大値ピー
ク出現の実験による確認を行った。正孔輸送層の膜厚を
変化させて、図６に示されるように、基板２上に透明電
極（陽極）３／正孔注入層４１／正孔輸送層４２／発光
層４３／電子注入層４４／金属電極（陰極）５の順に成
膜して、それぞれの材料（膜厚）をＩＴＯ（110nm）／
ＭＴＤＡＴＡ（25nm）／ＴＰＤ（40〜200nm）／アルミ
オキシンキレートＡｌｑ3にキナクリドンを添加（60n
m）／アルミニウムリチウム合金Ａｌ−Ｌｉ（100nm）と
した有機ＥＬ素子を複数作製した。発光層は波長５２５
nmの光を主成分として発光する。
ク出現の実験による確認を行った。正孔輸送層の膜厚を
変化させて、図６に示されるように、基板２上に透明電
極（陽極）３／正孔注入層４１／正孔輸送層４２／発光
層４３／電子注入層４４／金属電極（陰極）５の順に成
膜して、それぞれの材料（膜厚）をＩＴＯ（110nm）／
ＭＴＤＡＴＡ（25nm）／ＴＰＤ（40〜200nm）／アルミ
オキシンキレートＡｌｑ3にキナクリドンを添加（60n
m）／アルミニウムリチウム合金Ａｌ−Ｌｉ（100nm）と
した有機ＥＬ素子を複数作製した。発光層は波長５２５
nmの光を主成分として発光する。
【００２２】各素子について、順方向電圧（素子が発光
する方向の電圧）を印加して、輝度電流Ｌ／Ｉ効率、輝
度効率及び外部量子効率を測定し、さらに、一定輝度発
光となるように順方向に一定電流を供給したときの素子
の両端にかかる駆動電圧、及び逆方向電圧を印加して素
子が破壊すなわちリークする直前の電圧値（耐電圧）を
測定した。図７は、ＴＰＤ膜厚に関するＬ／Ｉ効率、輝
度効率及び外部量子効率の特性を示す。図８は、ＴＰＤ
膜厚に関する駆動電圧及び逆方向電圧の特性を示す。
する方向の電圧）を印加して、輝度電流Ｌ／Ｉ効率、輝
度効率及び外部量子効率を測定し、さらに、一定輝度発
光となるように順方向に一定電流を供給したときの素子
の両端にかかる駆動電圧、及び逆方向電圧を印加して素
子が破壊すなわちリークする直前の電圧値（耐電圧）を
測定した。図７は、ＴＰＤ膜厚に関するＬ／Ｉ効率、輝
度効率及び外部量子効率の特性を示す。図８は、ＴＰＤ
膜厚に関する駆動電圧及び逆方向電圧の特性を示す。
【００２３】図７から明らかなように、対電流輝度効率
は、図には現れていないが１次のピークが２０nm膜厚近
傍に生じると推測され、更にＴＰＤ膜厚を厚くしていく
と、極小値が１００nm膜厚近傍に生じ、２次のピークが
１８０nm膜厚近傍に生じていることがわかる。よって、
ＴＰＤ膜厚を厚くしても高次のピークに合せ込むこと
で、実用的な素子特性が得られる。すなわち、有機化合
物材料層の透明電極側のＴＰＤ膜厚に対する発光効率特
性における１次極大値及び２次極大値の発光効率の間の
極小値を越える膜厚１２０nm以上、好ましくは１７０〜
２００nmの膜厚となるＴＰＤを有する素子が実用的な素
子となる。また、図７から明らかなように、かかる素子
は、ＴＰＤ膜厚を厚くしていくと、対電流駆動電圧及び
耐久電圧は上昇し、１次極大値及び２次極大値の発光効
率の間の極小値を生じる膜厚１２０nm以上では十分な耐
電圧特性を有することがわかる。
は、図には現れていないが１次のピークが２０nm膜厚近
傍に生じると推測され、更にＴＰＤ膜厚を厚くしていく
と、極小値が１００nm膜厚近傍に生じ、２次のピークが
１８０nm膜厚近傍に生じていることがわかる。よって、
ＴＰＤ膜厚を厚くしても高次のピークに合せ込むこと
で、実用的な素子特性が得られる。すなわち、有機化合
物材料層の透明電極側のＴＰＤ膜厚に対する発光効率特
性における１次極大値及び２次極大値の発光効率の間の
極小値を越える膜厚１２０nm以上、好ましくは１７０〜
２００nmの膜厚となるＴＰＤを有する素子が実用的な素
子となる。また、図７から明らかなように、かかる素子
は、ＴＰＤ膜厚を厚くしていくと、対電流駆動電圧及び
耐久電圧は上昇し、１次極大値及び２次極大値の発光効
率の間の極小値を生じる膜厚１２０nm以上では十分な耐
電圧特性を有することがわかる。
【００２４】さらに、本発明により、蒸着形成される有
機化合物材料層の厚さを厚くすることにより、図２に示
すようにゴミの陰となる部分６ａでの有機化合物材料層
４の肉薄部分も十分となり素子のリークは発生しにく
い。上記実施例の透明電極側の有機化合物材料層上に発
光層及び残る有機化合物材料層を積層する第２の有機化
合物材料層形成工程では、発光層の発光界面から金属電
極との界面までの光学距離が波長λの１／４の奇数倍と
略等しくなるような膜厚で、金属電極側の有機化合物材
料層を形成しているが、明るさの視角依存性を考慮して
これを向上させるために、特許第２８４３９２４号に記
載されているように、膜厚輝度減衰特性に応じて、発光
層を含む金属電極側の有機化合物材料層を設定膜厚より
も薄く形成しても良い。
機化合物材料層の厚さを厚くすることにより、図２に示
すようにゴミの陰となる部分６ａでの有機化合物材料層
４の肉薄部分も十分となり素子のリークは発生しにく
い。上記実施例の透明電極側の有機化合物材料層上に発
光層及び残る有機化合物材料層を積層する第２の有機化
合物材料層形成工程では、発光層の発光界面から金属電
極との界面までの光学距離が波長λの１／４の奇数倍と
略等しくなるような膜厚で、金属電極側の有機化合物材
料層を形成しているが、明るさの視角依存性を考慮して
これを向上させるために、特許第２８４３９２４号に記
載されているように、膜厚輝度減衰特性に応じて、発光
層を含む金属電極側の有機化合物材料層を設定膜厚より
も薄く形成しても良い。
【００２５】また、上記実施例では最大屈折率段差の界
面であるガラス基板２と透明電極３の界面のみ反射面と
して考慮したが、この間に半透明層を設けることで積極
的に反射面として活用してもよい。また、透明電極の屈
折率よりも極端に大きい屈折率を有するガラス基板を用
いて界面を反射層として作用させるときは、光の反射前
後で位相差πが生じることを考慮して膜厚Ｄを設定すれ
ばよい。また、正孔輸送層ではなく正孔注入層の膜厚を
変化させてもよく、正孔注入層を成膜せずにＩＴＯ陽極
１上に正孔輸送層を形成した構造でも良い。
面であるガラス基板２と透明電極３の界面のみ反射面と
して考慮したが、この間に半透明層を設けることで積極
的に反射面として活用してもよい。また、透明電極の屈
折率よりも極端に大きい屈折率を有するガラス基板を用
いて界面を反射層として作用させるときは、光の反射前
後で位相差πが生じることを考慮して膜厚Ｄを設定すれ
ばよい。また、正孔輸送層ではなく正孔注入層の膜厚を
変化させてもよく、正孔注入層を成膜せずにＩＴＯ陽極
１上に正孔輸送層を形成した構造でも良い。
【図１】有機ＥＬ素子を示す断面図である。
【図２】製造過程における有機ＥＬ素子を示す断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明による有機ＥＬ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明による有機ＥＬ素子の有機化合物材料層
における内面反射を示す断面図である。
における内面反射を示す断面図である。
【図５】本発明による有機ＥＬ素子の有機化合物材料層
における外面反射を示す断面図である。
における外面反射を示す断面図である。
【図６】本発明による有機ＥＬ素子の実施例の断面図で
ある。
ある。
【図７】本発明による有機ＥＬ素子の正孔輸送層膜厚に
関するＬ／Ｉ効率、輝度効率及び外部量子効率の特性を
示すグラフである。
関するＬ／Ｉ効率、輝度効率及び外部量子効率の特性を
示すグラフである。
【図８】本発明による有機ＥＬ素子の正孔輸送層膜厚に
関する駆動電圧及び逆方向電圧の特性を示すグラフであ
る。
関する駆動電圧及び逆方向電圧の特性を示すグラフであ
る。
【図９】 本発明による有機ＥＬ素子の他の実施例の断
面図である。
面図である。
１ 有機ＥＬ素子 ２ 透明基板 ３ 透明電極 ４ 有機化合物材料層 ５ 金属電極 １０ 発光界面 ４１ 正孔注入層 ４２ 正孔輸送層 ４３ 発光層 ４４a 電子輸送層 ４４ 電子注入層
Claims (5)
- 【請求項１】 透光性の基板上に少なくとも、透明電極
と、発光層を含む有機化合物材料層と、金属電極と、が
順に積層されて形成され、前記発光層の発光界面を境に
した透明電極側の前記有機化合物材料層又は前記透明電
極に最大屈折率段差の界面を有する有機エレクトロルミ
ネッセンス素子であって、前記透明電極側の有機化合物
材料層は、前記有機化合物材料層の透明電極側の膜厚に
対する発光効率特性における１次極大値及び２次極大値
の発光効率の間の極小値を生じる膜厚以上の厚さを有す
るように、形成されていることを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記有機化合物材料層の透明電極側の膜
厚は、波長λの光を主成分として発光する前記発光層の
発光界面から前記最大屈折率段差の界面までの光学距離
が前記波長λの１／４の偶数倍と略等しくなるように、
成膜されていることを特徴とする請求項１記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 前記有機化合物材料層の金属電極側の膜
厚は、前記発光層の発光界面から前記金属電極との界面
までの光学距離が前記波長λの１／４の奇数倍と略等し
くなるように、成膜されていることを特徴とする請求項
２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 透光性の基板上に少なくとも、透明電極
と、発光層を含む有機化合物材料層と、金属電極と、が
順に積層されて形成され、前記発光層の発光界面を境に
した透明電極側の前記有機化合物材料層又は前記透明電
極に最大屈折率段差の界面を有する有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法であって、 透光性の基板上に形成された透明電極上に、波長λの光
を主成分として発光させるべき発光層を除く前記有機化
合物材料層のうちの１つ以上の層を、前記発光層の発光
界面から前記最大屈折率段差の界面までの光学距離が前
記波長λの１／４の偶数倍と略等しくなるような膜厚
で、積層して、透明電極側の前記有機化合物材料層を形
成する第１の有機化合物材料層形成工程と、 前記透明電極側の前記有機化合物材料層上に発光層及び
残る前記有機化合物材料層を、前記発光層の発光界面か
ら前記金属電極との界面までの光学距離が前記波長λの
１／４の奇数倍と略等しくなるような膜厚で、積層し
て、金属電極側の前記有機化合物材料層を形成する第２
の有機化合物材料層形成工程と、 前記金属電極側の有機化合物材料層上に金属電極を形成
する金属電極形成工程と、 からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記有機化合物材料層及び金属電極は、
蒸着により積層されることを特徴とする請求項３または
４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03960499A JP4001692B2 (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| EP00101657A EP1030382B1 (en) | 1999-02-18 | 2000-02-01 | Organic electroluminescence device and process for fabricating the same |
| DE60042802T DE60042802D1 (de) | 1999-02-18 | 2000-02-01 | Organische elektrolumineszente Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
| US09/496,951 US6505901B1 (en) | 1999-02-18 | 2000-02-03 | Organic electroluminescence device and process for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03960499A JP4001692B2 (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243573A true JP2000243573A (ja) | 2000-09-08 |
| JP4001692B2 JP4001692B2 (ja) | 2007-10-31 |
Family
ID=12557731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03960499A Expired - Lifetime JP4001692B2 (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6505901B1 (ja) |
| EP (1) | EP1030382B1 (ja) |
| JP (1) | JP4001692B2 (ja) |
| DE (1) | DE60042802D1 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006085615A1 (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Tohoku Pioneer Corporation | 自発光素子および自発光パネル |
| WO2006098188A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2007019487A (ja) * | 2005-06-09 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
| JP2007273902A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Optrex Corp | 有機ｌｅｄ素子 |
| WO2010071195A1 (ja) | 2008-12-19 | 2010-06-24 | パナソニック電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2012028064A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置 |
| US8183564B2 (en) | 2007-11-22 | 2012-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Multicolor display apparatus |
| US8227981B2 (en) | 2010-01-29 | 2012-07-24 | Sony Corporation | Light-emitting device, illumination apparatus, and display apparatus |
| US8269227B2 (en) | 2005-06-09 | 2012-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| US8357930B2 (en) | 2007-08-28 | 2013-01-22 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence device |
| US8487335B2 (en) | 2011-03-17 | 2013-07-16 | Sony Corporation | Light emitting device, illumination apparatus and display apparatus |
| DE112012001417T5 (de) | 2011-03-24 | 2013-12-24 | Panasonic Corp. | Weißes Licht emittierendes organisches Elektrolumineszenzelement und weißes Licht emittierende organische Elektrolumineszenzplatte |
| WO2013190656A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014003041A (ja) * | 2004-09-24 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2014127303A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Cbc Kk | 有機ｅｌデバイスの製造方法 |
| US8809882B2 (en) | 2011-03-28 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Light emitting element, illumination device, and display apparatus |
| US8946684B2 (en) | 2010-01-29 | 2015-02-03 | Sony Corporation | Light-emitting device, illumination apparatus, and display apparatus |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068472A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 有機発光素子およびそれを用いた有機発光表示装置 |
| TW594617B (en) * | 2002-03-13 | 2004-06-21 | Sanyo Electric Co | Organic EL display panel and method for making the same |
| JP4716699B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-07-06 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP4428979B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-03-10 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP4497881B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル |
| JP4475942B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-06-09 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| JP4439260B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-03-24 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP2005197009A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法及び製造装置 |
| KR20060046476A (ko) * | 2004-06-18 | 2006-05-17 | 산요덴키가부시키가이샤 | 일렉트로루미네센스 패널 |
| EP1624502B1 (en) * | 2004-08-04 | 2015-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, and electronic appliance |
| JP2006092936A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toyota Industries Corp | 有機ｅｌ装置 |
| JP2006244712A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| TW200642524A (en) * | 2005-02-28 | 2006-12-01 | Sanyo Electric Co | Organic electro-luminescence device |
| JP4573672B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| US8729795B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| KR100982412B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2010-09-15 | (주)에이디에스 | 전기광학소자 및 이의 제작 방법 |
| JP5595033B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-09-24 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| TWI527211B (zh) | 2012-12-28 | 2016-03-21 | Ｌｇ顯示器股份有限公司 | 有機發光顯示裝置及其製造方法 |
| JP6174877B2 (ja) | 2013-03-21 | 2017-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| JP6114592B2 (ja) | 2013-03-21 | 2017-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその製造方法、電子機器 |
| KR101809813B1 (ko) | 2016-01-14 | 2017-12-15 | 광운대학교 산학협력단 | 계면 조절 첨가제가 도핑된 저분자 발광층에 기반한 자체계량 용액 공정 유기발광소자 |
| US11917840B2 (en) | 2018-05-18 | 2024-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device with reflective electrode and light-emitting layer |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0443861B2 (en) * | 1990-02-23 | 2008-05-28 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic electroluminescence device |
| US5093698A (en) * | 1991-02-12 | 1992-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device |
| JP2843924B2 (ja) | 1991-06-24 | 1999-01-06 | パイオニア株式会社 | 面発光装置 |
| JPH05307997A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2846571B2 (ja) * | 1994-02-25 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3813217B2 (ja) | 1995-03-13 | 2006-08-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
| JP3479344B2 (ja) * | 1994-08-08 | 2003-12-15 | アヴェンティス・リサーチ・ウント・テクノロジーズ・ゲーエムベーハー・ウント・コー・カーゲー | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5981092A (en) * | 1996-03-25 | 1999-11-09 | Tdk Corporation | Organic El device |
| EP0818943B1 (en) * | 1996-07-09 | 2005-02-23 | Sony Corporation | Electroluminescent device |
| WO1998030071A1 (fr) * | 1996-12-28 | 1998-07-09 | Tdk Corporation | Elements electroluminescents organiques |
| JPH10270171A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JPH1187068A (ja) * | 1997-07-15 | 1999-03-30 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US6166488A (en) * | 1998-12-29 | 2000-12-26 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
| JP2000208277A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP4543446B2 (ja) * | 1999-04-05 | 2010-09-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
-
1999
- 1999-02-18 JP JP03960499A patent/JP4001692B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-01 DE DE60042802T patent/DE60042802D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-01 EP EP00101657A patent/EP1030382B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-03 US US09/496,951 patent/US6505901B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014003041A (ja) * | 2004-09-24 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| WO2006085615A1 (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Tohoku Pioneer Corporation | 自発光素子および自発光パネル |
| WO2006098188A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPWO2006098188A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2008-08-21 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7777413B2 (en) | 2005-03-17 | 2010-08-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having an optical resonator |
| JP2007019487A (ja) * | 2005-06-09 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
| US8461605B2 (en) | 2005-06-09 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| US8269227B2 (en) | 2005-06-09 | 2012-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| JP2007273902A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Optrex Corp | 有機ｌｅｄ素子 |
| US8357930B2 (en) | 2007-08-28 | 2013-01-22 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence device |
| US8183564B2 (en) | 2007-11-22 | 2012-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Multicolor display apparatus |
| WO2010071195A1 (ja) | 2008-12-19 | 2010-06-24 | パナソニック電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8569750B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-10-29 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence element |
| US8227981B2 (en) | 2010-01-29 | 2012-07-24 | Sony Corporation | Light-emitting device, illumination apparatus, and display apparatus |
| US8736161B2 (en) | 2010-01-29 | 2014-05-27 | Sony Corporation | Light-emitting device, illumination apparatus, and display apparatus |
| US8946684B2 (en) | 2010-01-29 | 2015-02-03 | Sony Corporation | Light-emitting device, illumination apparatus, and display apparatus |
| JP2012028064A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置 |
| US8487335B2 (en) | 2011-03-17 | 2013-07-16 | Sony Corporation | Light emitting device, illumination apparatus and display apparatus |
| DE112012001417T5 (de) | 2011-03-24 | 2013-12-24 | Panasonic Corp. | Weißes Licht emittierendes organisches Elektrolumineszenzelement und weißes Licht emittierende organische Elektrolumineszenzplatte |
| US9184404B2 (en) | 2011-03-24 | 2015-11-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | White light-emitting organic electroluminescent element and white light-emitting organic electroluminescent panel |
| US8809882B2 (en) | 2011-03-28 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Light emitting element, illumination device, and display apparatus |
| WO2013190656A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014127303A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Cbc Kk | 有機ｅｌデバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1030382A2 (en) | 2000-08-23 |
| EP1030382B1 (en) | 2009-08-26 |
| JP4001692B2 (ja) | 2007-10-31 |
| US6505901B1 (en) | 2003-01-14 |
| DE60042802D1 (de) | 2009-10-08 |
| EP1030382A3 (en) | 2004-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4001692B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
| CN1271892C (zh) | 电致发光元件 | |
| US20200035770A1 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
| US6406801B1 (en) | Optical resonator type organic electroluminescent element | |
| JP4951130B2 (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
| JP4950870B2 (ja) | 有機発光装置 | |
| JP4164251B2 (ja) | 有機ｅｌカラーディスプレイ及びその製造方法 | |
| KR100779440B1 (ko) | 유기 ｅｌ 장치 | |
| US20060273712A1 (en) | Organic electroluminescence display apparatus | |
| JP4637831B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置 | |
| KR20060122742A (ko) | 투명 발광 소자 | |
| JP4832781B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| WO2006104256A1 (ja) | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JP2004192890A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP4769068B2 (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
| CN1366788A (zh) | 有机el装置及显示面板 | |
| JP3242992B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR101321956B1 (ko) | 광 추출 유전층을 가지는 유기 양면 발광 다이오드 | |
| KR100885579B1 (ko) | 유기 ｅｌ 디스플레이 | |
| US20030020397A1 (en) | Enhancement of luminance and life in electroluminescent devices | |
| KR100528916B1 (ko) | 배면발광형 전계발광소자 | |
| JP2006139932A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| US20070057631A1 (en) | Organic el panel | |
| JP3374035B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004152751A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051102 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051229 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060405 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060605 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070416 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070814 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070815 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824 Year of fee payment: 6 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |