[go: up one dir, main page]

DE3316693C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3316693C2
DE3316693C2 DE3316693A DE3316693A DE3316693C2 DE 3316693 C2 DE3316693 C2 DE 3316693C2 DE 3316693 A DE3316693 A DE 3316693A DE 3316693 A DE3316693 A DE 3316693A DE 3316693 C2 DE3316693 C2 DE 3316693C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
reaction chamber
gas
oxygen
silazanes
siloxanes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE3316693A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3316693A1 (de
Inventor
Joerg Dipl.-Phys. Dr. 8755 Albstadt De Kieser
Michael Dipl.-Phys. 6450 Hanau De Neusch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold AG filed Critical Leybold AG
Priority to DE19833316693 priority Critical patent/DE3316693A1/de
Priority to US06/606,920 priority patent/US4569738A/en
Priority to JP59089601A priority patent/JPS6036663A/ja
Publication of DE3316693A1 publication Critical patent/DE3316693A1/de
Priority to US06/797,635 priority patent/US4661409A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE3316693C2 publication Critical patent/DE3316693C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/28—Other inorganic materials
    • C03C2217/282—Carbides, silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • C03C2218/153—Deposition methods from the vapour phase by cvd by plasma-enhanced cvd
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • Y10T428/31645—Next to addition polymer from unsaturated monomers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31692—Next to addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31696—Including polyene monomers [e.g., butadiene, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Die Bezeichnung "amorpher Kohlenstoff" für eine derartige Schicht resultiert aus Untersuchungen, die auf eine weit­ gehend amorphe Struktur schließen lassen. Inzwischen wurde auch nachgewiesen, daß innerhalb kleiner Bereiche eine typische Diamantbindung vorliegt.
Die betreffenden Schichten haben eine große Härte, sind chemisch inert und für Infrarot-Strahlung durchlässig, so daß für die Anwendung derartiger Schichten als mechanische und chemische Schutzschichten auf allen möglichen Substraten des täglichen Bedarfs sowie als optisch wirksame Schicht auf speziellen infrarot-durchlässigen optischen Substraten ein erheblicher Bedarf vorliegt.
Durch die DE-OS 27 36 514 bzw. die ihr entsprechende GB-PS 15 82 231 ist ein Verfahren bekannt, bei dem das Substrat mit dem Substrathalter eine Platte eines Kon­ densators bildet, der an eine Frequenz zwischen 0,5 und 100 MHz gelegt wird. Die andere Kondensatorplatte kann dabei die Grundplatte der Reaktionskammer sein, sie kann aber auch durch eine zweite, in der Reaktionskammer untergebrachte Kondensatorplatte gebildet werden. In jedem Falle befinden sich beide Kondensatorplatten innerhalb der Reaktionskammer und sind infolgedessen auch der ionisierten Gasatmosphäre ausgesetzt, was für diejenige Platte, die den Substrathalter bildet, ohnehin unerläßlich ist.
Die Erfahrung hat jedoch gezeigt, daß mit dem bekannten Verfahren bzw. mit der bekannten Vorrichtung nur Nieder­ schlagsgeschwindigkeiten des Kohlenstoffs zwischen 1,0 und 3,0 nm/sec erreicht werden können. Schwierigkeiten macht dabei weiterhin die Erzielung guter Schichtdickengleich­ mäßigkeiten, da sowohl ein ungleichmäßiger Energieeintrag in das Plasma bzw. eine örtliche unterschiedliche Intensität des Plasmas sowie Abweichungen der Monomerkonzentration im Bereich des Substrats zu entsprechenden Schichtdickenab­ weichungen führt. Hierbei wirkt erschwerend, daß beim Aufbau der Schicht gasförmige Reaktionsprodukte entstehen, die laufend abgepumpt werden müssen. Mit dem gegenwärtig bekannten Verfahren werden bei flächenförmigen Substraten mit einem Durchmesser von nur 20 cm Schichtdickenab­ weichungen von etwa 5% über die gesamte Fläche erreicht. Es handelt sich dabei vermutlich nur um eine Herstellung im Labormaßstab, die auf großtechnische Verfahren nicht bzw. nicht ohne weiteres übertragbar ist.
Durch die DE-OS 32 44 391 gehört ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zum Stande der Technik, durch das die amorphen Kohlenstoffschichten unmittelbar auf der Substratoberfläche niedergeschlagen werden.
Das Mikrowellengebiet liegt in einem Frequenzbereich, der sich von etwa 915 bis 2540 MHz erstreckt, d. h. die Frequenz ist um mindestens etwa den Faktor 10 größer als die Frequenz bei dem zuvor genannten Stande der Technik. Durch die Erhöhung der Frequenz wird in Verbindung mit einer entsprechenden Leistungssteigerung eine um mindestens den Faktor 7 größere Abscheidungsgeschwindigkeit erzielt, d. h. mit dem Mikrowellenverfahren sind ohne weiteres Abscheidungs­ geschwindigkeiten von etwa 20 nm/sec zu erzielen. Durch die Anordnung der Energiequelle für die Anregung des Gasplasmas, d. h. der Wellenleiterstruktur, außerhalb der Reaktionskammer und damit außerhalb des Reaktionsgases, läßt sich der Energieeintrag beträchtlich erhöhen, ohne daß es zu elek­ trisch und thermisch nicht mehr beherrschbaren Problemen kommt. Die beim Stande der Technik beschriebene Wellenleiter­ struktur erlaubt über ihre gesamte Länge einen gleichmäßigen Energieeintrag, so daß die Schichtdickengleichmäßigkeit bzw. -verteilung in Verbindung mit einer Relativbewegung des Substrats gegenüber der Wellenleiterstruktur wesentlich verbessert werden kann. Selbst bei einer Vervielfachung der Substratfläche ist es möglich, Schichten mit einer Dicken­ gleichmäßigkeit zu erzeugen, bei der die Abweichungen kleiner sind ale etwa 3 bis 4%.
Trotz der hohen Niederschlagsgeschwindigkeit sind die erzielten Schichten von einer außerordentlichen Härte, sowie auch von einer hohen chemischen Beständigkeit, so daß sie als Schutzschichten für eine Vielzahl von Substraten anwend­ bar sind.
Als Kohlenwasserstoffverbindung, die entweder gasförmig ist oder in den gasförmigen Zustand versetzbar ist, sind Azetylen, Benzol, Methan sowie weitere ketten- oder ringförmige Kohlenwasserstoffe geeignet, und zwar bevorzugt solche, die Mehrfachbindungen aufweisen.
Während das Verfahren nach dem Stande der Technik bereits auf speziellen Substratmaterialien wie Germanium zu einer ausreichenden Haftfestigkeit führt, wurden bei Mineralglas, Metallen, Kunststoffen sowie anorganischem Isoliermaterial Mängel bezüglich der Haftung der Schicht am Substrat festgestellt. Es kann vermutet werden, daß dies mindestens teilweise auf unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten zwischen den Materialien zurückzuführen ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs beschriebenen Art anzugeben, mit dem die Abscheidungsgeschwindigkeit beträchtlich erhöht, großflächige Substrate gleichförmig zu beschichten sind und bei dem auch bei einer ganzen Reihe von Substratmaterialien die Haftfestigkeit der Schicht gesteigert wird.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß durch die Maßnahmen im Kennzeichen des Patentanspruchs 1.
Die aus Siloxan und/oder Silazan gebildeten Polymere haben sich als ausgezeichnete Haftvermittler sowohl gegenüber dem Substratwerkstoff als auch gegenüber der amorphen Kohlenstoff­ schicht erwiesen. Bezüglich der Haftfestigkeit zwischen der Siloxan- bzw. Silazanschicht und der amorphen Kohlenstoff­ schicht ist noch folgendes von Bedeutung: Die Reaktions­ kammer enthält auch bei einer spontanen Unterbrechung der Zufuhr von Siloxan bzw. Silazan eine gewisse Menge dieses Gases, das sich allmählich durch Kondensation auf der Substratoberfläche verbraucht. Wird nun unter Aufrechter­ haltung einer druckabhängig geregelten Gasversorgung mit der Beendigung der Zufuhr an Siloxan bzw. Silazan die gasförmige Kohlenwasserstoffverbindung eingeleitet, so nimmt etwa gleichzeitig die Silazan- bzw. Siloxan-Konzentration ab, während die Konzentration der Kohlenwasserstoffverbindung zunimmt. Bereits dieser Vorgang führt zu einem gewissen allmählichen Übergang der Schichtmaterialien, der als eine Art Verzahnung zwischen den Schichtmaterialien gedeutet werden kann. Dieser Vorgang kann noch dadurch verbessert werden, daß durch allmähliche Drosselung der Zufuhr des ersten Reaktionsgases (Siloxan, Silazan) und durch allmäh­ liche Steigerung der Zufuhr der Kohlenwasserstoffverbindung die Übergangszone verbreitert werden kann, wodurch sich der Hafteffekt noch steigern läßt.
Es ist weiterhin möglich, die Härte der Haftschicht noch dadurch zu steigern, daß die Gase aus der Gruppe der Siloxane bzw. Silazane der Reaktionskammer im Gemisch mit einem sauerstoffhaltigen Gas oder reinem Sauerstoff zugeführt werden, wobei der Anteil des sauerstoffhaltigen Gases bzw. Sauerstoffs, bezogen auf die gesamte Gasmenge, zwischen 10 und 50 Volumenprozent gewählt wird. Es ist stets vorteilhaft, auch der Haftschicht, selbst wenn sie sehr dünn ist, eine große Härte zu verleihen, um die Wirkung der an sich sehr harten amorphen Kohlenstoffschicht noch zu steigern.
Ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes und eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden nachfolgend anhand der Fig. 1 und 2 näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein beschichtetes Substrat und
Fig. 2 eine perspektivische Darstellung einer bekannten Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens in vereinfachter Ausführung.
In Fig. 1 ist ein aus Mineralglas bestehendes Substrat S dargestellt, auf dem sich eine Haftschicht H aus einem Polymer eines Siloxans oder Silazans befindet, auf die wiederum eine amorphe Kohlenstoffschicht C aufgebracht ist. Zwischen beiden Schichten befindet sich eine Übergangs- oder Mischzone M, die sich zwischen zwei gestrichelt dargestellten Grenzflächen erstreckt. An der unteren Grenzfläche beträgt die Zusammensetzung noch 100% des Polymeren des Siloxans bzw. Silazans, während die Zusammensetzung an der oberen Grenzfläche 100% der amorphen Kohlenstoffschicht ausmacht. Zwischen diesen beiden Grenzflächen ist der Übergang im Hinblick auf die beiden Schichtmaterialien im wesentlichen kontinuierlich.
In Fig. 2 ist eine Reaktionskammer dargestellt, in der ein plattenförmiges Substrat 2 auf einem ebenen Substratträger 3 angeordnet ist. Das Substrat 2 wird dabei mittels des Substratträgers 3 in Richtung des Pfeils 4 geradlinig durch die Reaktionskammer 1 transportiert.
Der Substratträger 3 kann dabei zwischen einem nicht gezeig­ ten Vorratsmagazin und einem gleichfalls nicht gezeigten Aufnahmemagazin transportiert werden, die an den beiden Enden der Reaktionskammer 1 angeordnet sind. Es können aber auch an beiden Enden der Reaktionskammer 1 Chargierschleusen vorgesehen werden.
Derartige Konstruktionsprinzipien von Reaktionskammern und Schleusen oder Druckstufenstrecken sind jedoch Stand der Technik, so daß sich ein weiteres Eingehen hierauf erübrigt.
Die aus Metall bestehende Reaktionskammer 1 ist dabei mit einem Fenster 5 aus einem mikrowellendurchlässigen Werkstoff wie Quarzglas oder Aluminiumoxidkeramik, Polytetrafluoräthylen etc. versehen. Das Fenster ist in der Draufsicht rechteckig, wobei die Länge mindestens den Breitenabmessungen des Substrats 2 bzw. des Substratträgers 3 quer zur Transport­ richtung (Pfeil 4) entspricht.
Oberhalb des Fensters 5 sind zwei Wellenleiterstrukturen 6 und 7 angeordnet, die aus zwei geraden Holmen 8 bzw. 9 bestehen, die paarweise parallel zueinander verlaufen und zwischen denen sich gleichlange Sprossen 10 bzw. 11 erstrecken, die mit den Holmen 8 bzw. 9 in metallischer Verbindung stehen.
Die Sprossen 10 bzw. 11 sind abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern elektrisch leitend verbunden, die der Einfachheit halber weggelassen wurden. Ausbildung und Anordnung solcher Wellenleiterstrukturen sind in der US-PS 38 14 983 (Fig. 4 bis 8) dargestellt.
Gemäß Fig. 2 steht die erste Wellenleiterstruktur 6 über einen Hohlleiter 8 mit einem Mikrowellensender 9 in Verbindung, wobei die Verbindung durch eine gestrichelte Linie nur schematisch angedeutet ist. Wesentlicher Teil des Mikrowellensenders 9 ist ein Magnetron. Die Ankopplung der Wellenleiterstruktur 6 an den Hohlleiter 8 ist gleichfalls Stand der Technik und beispielhaft in der bereits genannten US-PS 38 14 983, Fig. 4 und 5, dargestellt. Das jenseitige Ende der Wellenleiterstruktur 6 ist über einen weiteren Hohlleiter 10 mit einer sogenannten Blindlast 11 verbunden, die einen Mikrowellenkurzschluß darstellt. Die Wellenleiterstruktur 6 verläuft unter einem spitzen Winkel zum Fenster 5 und zum Substratträger 3, wobei der größte Abstand an demjenigen Ende vorhanden ist, an dem sich der Hohlleiter 8 befindet.
Die Wellenleiterstruktur 7 ist - gleichfalls quer zur Transportrichtung des Substrats ausgerichtet - räumlich neben der Wellenleiterstruktur 6 angeordnet; sie verläuft jedoch in entgegengesetzter Richtung und hat den gleichen spitzen Winkel zur Substratoberfläche. Das am weitesten von der Substratoberfläche entfernte Ende der Wellenleiter­ struktur 7 ist gleichfalls über einen Hohlleiter 12 in völlig analoger Weise mit dem gleichen Mikrowellensender 9 verbunden. Das jenseitige Ende der Wellenleiterstruktur ist, gleichfalls in analoger Weise, über einen weiteren Hohl­ leiter 13 mit einer weiteren Blindlast 14 verbunden.
Das Plasma wird innerhalb der Reaktionskammer 1 gebildet, in der sich die reaktionsfähigen Gase wie beispielsweise Siloxan oder Silazan für die Haftschicht und/oder ein gasförmiger Kohlenwasserstoff für die Bildung der amorphen Kohlenstoffschicht befindet. Zusätzlich kann auch Sauerstoff bzw. ein sauerstoffhaltiges Gas wie Wasserdampf in die Reaktionskammer 1 eingeleitet werden.
Durch die Wellenleiterstrukturen 6 und 7 werden unterhalb des Fensters 5 zwei langgestreckte plasmaerfüllte Räume ausgebildet, die von den Substraten nacheinander durchlaufen werden. Es versteht sich, daß die Wellenleiterstrukturen 6 und 7 zusammen mit den am Ende angeordneten Hohlleitern in ihrer Projektion auf das Fenster 5 in dessen lichtem Quer­ schnitt liegen. Weitere Einzelheiten einer solchen Vorrich­ tung sind in der DE-OS 31 47 986 und in der DE-OS 32 44 391 offenbart. Die zuletzt genannte Druckschrift zeigt auch eine vollständige Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Beispiel 1
In einer Vorrichtung gemäß Fig. 2 wurde ein Glassubstrat mit den Abmessungen 0,4×0,4 m2 auf einem ungekühlten Substrathalter in die Reaktionskammer eingebracht. Nach Evakuieren des Rezipienten auf einen Druck unterhalb 10-4 mbar wurde Hexamethyldisiloxan eingelassen und die Dosierung so eingestellt, daß sich ein konstanter Druck von 1×10-2 mbar einstellte. Mit einer Eingangsleistung von 2 kW bei 2,45 GHz in beiden Strukturen stellte sich unmittelbar nach dem Zünden des Plasmas ein Druck von 4×10-2 mbar ein. Nach 2 s wurde die Hexamethyldisiloxanzufuhr unterbrochen und durch Azetylen unter Aufrechterhaltung des Betriebsdrucks ersetzt. Während der Aufenthaltsdauer von 50 s im Plasma ergab sich eine Gesamtdicke des Schichtsystems von 1µm, was einer mittleren Abscheiderate von 20 nm/s entspricht. Die Schicht­ dickenabweichung über die gesamte Substratfläche betrug ±4%. Bei der Charakterisierung der Schicht ergaben sich folgende Merkmale: Die Schicht mit einem Brechungsindex von 1,8 weist im Infrarotbereich eine Transmission von durchschnittlich 95% auf. Außerdem ergaben sich im Infrarotspektrum keine Hinweise auf Kohlenstoffmehrfachbindungen. Die Schicht ist sehr hart (VH 50 000 N×mm-2) und hat im Vergleich zu Schichten ohne Haftvermittler eine wesentlich verbesserte Haftfestigkeit.
Beispiel 2
In einem zweiten Versuch wurde unter sonst identischen Bedingungen Benzol statt Azetylen verwendet. Die entstandene Schicht hatte die gleichen Eigenschaften wie im Beispiel 1.

Claims (3)

1. Verfahren zum Herstellen von amorphen Kohlenstoff­ schichten auf Substraten durch Zersetzen einer gas­ förmigen Kohlenwasserstoffverbindung in einer ioni­ sierten Gasatmosphäre innerhalb einer Reaktionskammer, wobei zur Anregung des Plasmas ein elektromagnetisches Wechselfeld mit einer Frequenz im Mikrowellengebiet gewählt wird und wobei die Mikrowellenenergie durch mindestens eine außerhalb der Reaktionskammer liegende Wellenleiterstruktur in die Gasatmosphäre eingebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß
  • a) in einem vorausgehenden Verfahrensschritt zunächst ein Gas aus der Gruppe der Siloxane oder Silazane in die Reaktionskammer eingeleitet wird,
  • b) auf den Substraten eine Haftschicht aus einem Polymer der Siloxane bzw. Silazane gebildet wird,
  • c) anschließend die gasförmige Kohlenwasserstoffver­ bindung in die Reaktionskammer eingeleitet wird und daß
  • d) auf der Haftschicht die amorphe Kohlenstoffschicht gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gaszufuhr der Siloxane bzw. Silazane allmählich gedrosselt und etwa gleichzeitig die Gaszufuhr des Kohlenwasserstoffs auf die für den stationären Betrieb erforderliche Rate gesteigert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gase aus der Gruppe der Siloxane bzw. Silazane der Reaktionskammer im Gemisch mit einem sauerstoffhaltigen Gas oder reinem Sauerstoff zugeführt werden, und daß der Anteil des sauerstoffhaltigen Gases bzw. Sauerstoffs, bezogen auf die gesamte Gasmenge, zwischen 10 und 50 Volumensprozent beträgt.
DE19833316693 1983-05-06 1983-05-06 Verfahren zum herstellen von amorphen kohlenstoffschichten auf substraten und durch das verfahren beschichtete substrate Granted DE3316693A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833316693 DE3316693A1 (de) 1983-05-06 1983-05-06 Verfahren zum herstellen von amorphen kohlenstoffschichten auf substraten und durch das verfahren beschichtete substrate
US06/606,920 US4569738A (en) 1983-05-06 1984-05-04 Method of producing amorphous carbon coatings on substrates by plasma deposition
JP59089601A JPS6036663A (ja) 1983-05-06 1984-05-07 無定形炭素層の製法
US06/797,635 US4661409A (en) 1983-05-06 1985-11-13 Method of producing amorphous carbon coatings on substrates and substrates coated by this method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833316693 DE3316693A1 (de) 1983-05-06 1983-05-06 Verfahren zum herstellen von amorphen kohlenstoffschichten auf substraten und durch das verfahren beschichtete substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3316693A1 DE3316693A1 (de) 1984-11-08
DE3316693C2 true DE3316693C2 (de) 1991-07-25

Family

ID=6198387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833316693 Granted DE3316693A1 (de) 1983-05-06 1983-05-06 Verfahren zum herstellen von amorphen kohlenstoffschichten auf substraten und durch das verfahren beschichtete substrate

Country Status (3)

Country Link
US (2) US4569738A (de)
JP (1) JPS6036663A (de)
DE (1) DE3316693A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3832692A1 (de) * 1988-09-27 1990-03-29 Leybold Ag Dichtungselement mit einem absperrkoerper aus einem metallischen oder nichtmetallischen werkstoff und verfahren zum auftragen von hartstoffschichten auf den absperrkoerper
DE19952465C1 (de) * 1999-10-29 2001-03-01 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung einer haftfesten, diamantähnlichen Kohlenstoffschicht auf einer Substratoberfläche
US6200914B1 (en) 1996-08-07 2001-03-13 Siemens Aktiengesellschaft Electrically poorly conductive material for producing an insulation sleeve
DE10056242A1 (de) * 2000-11-14 2002-05-23 Alstom Switzerland Ltd Kondensationswärmeübertrager

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD258341A3 (de) * 1986-03-14 1988-07-20 Hochvakuum Dresden Veb Verfahren zur herstellung haftfester ic-schichten
US4753414A (en) * 1986-04-14 1988-06-28 Balzers Optical Corporation Carbon coatings in replicated optics art
DE3630419A1 (de) * 1986-09-06 1988-03-10 Kernforschungsanlage Juelich Verfahren zur beschichtung von hoher waermebelastung ausgesetzten bauelementen mit einer amorphen wasserstoffhaltigen kohlenstoffschicht
DE3635524A1 (de) * 1986-10-18 1988-04-28 Leybold Ag Verfahren zum herstellen von schutzschichten auf magnetischen datentraegern und durch das verfahren hergestellter datentraeger
US4777090A (en) * 1986-11-03 1988-10-11 Ovonic Synthetic Materials Company Coated article and method of manufacturing the article
DE3644822A1 (de) * 1986-12-31 1988-07-14 Basf Ag Verfahren zur herstellung von scheibenfoermigen magnetischen aufzeichnungstraegern
JPH0676666B2 (ja) * 1987-02-10 1994-09-28 株式会社半導体エネルギ−研究所 炭素膜作製方法
US5270029A (en) * 1987-02-24 1993-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Carbon substance and its manufacturing method
US4857395A (en) * 1987-10-08 1989-08-15 The Standard Oil Company Graphite composites and process for the manufacture thereof
US4923578A (en) * 1987-10-08 1990-05-08 The Standard Oil Company Graphite composites and process for the manufacture thereof
US5283087A (en) * 1988-02-05 1994-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
US5041303A (en) * 1988-03-07 1991-08-20 Polyplasma Incorporated Process for modifying large polymeric surfaces
US6224952B1 (en) * 1988-03-07 2001-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same
US5190824A (en) 1988-03-07 1993-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating
US5202156A (en) * 1988-08-16 1993-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Method of making an optical element mold with a hard carbon film
EP0381109A3 (de) * 1989-02-01 1990-12-12 Siemens Aktiengesellschaft Feuchtesperre für organische Dielektrika
EP0381111B1 (de) * 1989-02-01 1995-05-31 Siemens Aktiengesellschaft Elektroaktive Passivierschicht
US5023056A (en) * 1989-12-27 1991-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Plasma generator utilizing dielectric member for carrying microwave energy
US4980196A (en) * 1990-02-14 1990-12-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of coating steel substrate using low temperature plasma processes and priming
JPH046265A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 鉄系合金基体への固体潤滑被膜の形成方法および固体潤滑被膜をもつ摺動部材
US5073785A (en) * 1990-04-30 1991-12-17 Xerox Corporation Coating processes for an ink jet printhead
KR930011413B1 (ko) * 1990-09-25 1993-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법
US5527596A (en) * 1990-09-27 1996-06-18 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant coated substrate product
US5268217A (en) * 1990-09-27 1993-12-07 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant coated substrate product
US5637353A (en) * 1990-09-27 1997-06-10 Monsanto Company Abrasion wear resistant coated substrate product
US5190807A (en) * 1990-10-18 1993-03-02 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant polymeric substrate product
JP2929779B2 (ja) * 1991-02-15 1999-08-03 トヨタ自動車株式会社 炭素被膜付撥水ガラス
US5442160A (en) * 1992-01-22 1995-08-15 Avco Corporation Microwave fiber coating apparatus
DE4204082A1 (de) * 1992-02-12 1993-08-19 Leybold Ag Verfahren zur herstellung einer haftvermittelnden schicht auf werkstueckoberflaechen
US5470447A (en) * 1992-08-19 1995-11-28 Stormedia, Inc. Method for applying a protective coating on a magnetic recording head
US5249554A (en) * 1993-01-08 1993-10-05 Ford Motor Company Powertrain component with adherent film having a graded composition
US5237967A (en) * 1993-01-08 1993-08-24 Ford Motor Company Powertrain component with amorphous hydrogenated carbon film
US5405515A (en) * 1993-08-17 1995-04-11 Fang; Pao-Hsien Method and apparatus for production of a carbon nitride
US5565248A (en) * 1994-02-09 1996-10-15 The Coca-Cola Company Method and apparatus for coating hollow containers through plasma-assisted deposition of an inorganic substance
US6149982A (en) * 1994-02-16 2000-11-21 The Coca-Cola Company Method of forming a coating on an inner surface
ATE179914T1 (de) * 1994-02-16 1999-05-15 Coca Cola Co Hohler behälter mit inerter oder undurchlässiger innerer oberfläche durch plasmaunterstütze oberflächereaktion oder in situ polymerisation
US5571470A (en) 1994-02-18 1996-11-05 The Coca-Cola Company Method for fabricating a thin inner barrier layer within a preform
US5846649A (en) * 1994-03-03 1998-12-08 Monsanto Company Highly durable and abrasion-resistant dielectric coatings for lenses
US5618619A (en) * 1994-03-03 1997-04-08 Monsanto Company Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates
US5464667A (en) * 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
GB9420089D0 (en) * 1994-10-05 1994-11-16 Applied Vision Ltd Coatings for optical lens having low surface energy properties
US5543605A (en) * 1995-04-13 1996-08-06 Avco Corporation Microwave fiber coating apparatus
US5712000A (en) * 1995-10-12 1998-01-27 Hughes Aircraft Company Large-scale, low pressure plasma-ion deposition of diamondlike carbon films
US6243112B1 (en) 1996-07-01 2001-06-05 Xerox Corporation High density remote plasma deposited fluoropolymer films
US5948532A (en) * 1996-12-10 1999-09-07 International Business Machines Corporation Cermet adhesion layer with carbonaceous wear layer for head/disk interfaces
US6150719A (en) 1997-07-28 2000-11-21 General Electric Company Amorphous hydrogenated carbon hermetic structure and fabrication method
US6155675A (en) 1997-08-28 2000-12-05 Hewlett-Packard Company Printhead structure and method for producing the same
US6062679A (en) * 1997-08-28 2000-05-16 Hewlett-Packard Company Printhead for an inkjet cartridge and method for producing the same
US6071597A (en) * 1997-08-28 2000-06-06 3M Innovative Properties Company Flexible circuits and carriers and process for manufacture
US6203898B1 (en) 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating
US6974629B1 (en) 1999-08-06 2005-12-13 Cardinal Cg Company Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces
US6660365B1 (en) * 1998-12-21 2003-12-09 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6964731B1 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
WO2000060663A1 (de) * 1999-04-01 2000-10-12 Infineon Technologies Ag Integrierter schaltkreis mit schutzschicht aus diamantähnlichem amorphem kohlenstoff
US6579833B1 (en) 1999-09-01 2003-06-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Process for converting a metal carbide to carbon by etching in halogens
US6290331B1 (en) 1999-09-09 2001-09-18 Hewlett-Packard Company High efficiency orifice plate structure and printhead using the same
US6496680B2 (en) 2000-02-16 2002-12-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image fixing device and method using ultrasonic vibration
US6749813B1 (en) 2000-03-05 2004-06-15 3M Innovative Properties Company Fluid handling devices with diamond-like films
US6795636B1 (en) 2000-03-05 2004-09-21 3M Innovative Properties Company Radiation-transmissive films on glass articles
US6696157B1 (en) 2000-03-05 2004-02-24 3M Innovative Properties Company Diamond-like glass thin films
EP1158088A3 (de) * 2000-05-26 2003-01-22 Voith Paper Patent GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Faserstoffsuspension
US7106939B2 (en) * 2001-09-19 2006-09-12 3M Innovative Properties Company Optical and optoelectronic articles
CA2550331A1 (en) * 2003-12-22 2005-07-14 Cardinal Cg Compagny Graded photocatalytic coatings
US7713632B2 (en) 2004-07-12 2010-05-11 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings
KR100700000B1 (ko) * 2004-10-19 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 표시장치와 그 제조방법
US7923114B2 (en) * 2004-12-03 2011-04-12 Cardinal Cg Company Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films
US8092660B2 (en) * 2004-12-03 2012-01-10 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films
US7989094B2 (en) * 2006-04-19 2011-08-02 Cardinal Cg Company Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
CA2664369A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings
KR20090107882A (ko) * 2008-04-10 2009-10-14 삼성전자주식회사 고정층을 포함하는 경사 조성 봉지 박막 및 그의 제조방법
NZ603877A (en) 2010-06-03 2014-08-29 Cryovac Inc Plate and apparatus for forming a plastic material flanged hollow article
US9752861B2 (en) * 2012-10-26 2017-09-05 The Board Of Regents, The University Of Texas System Flexible strain sensors
EP3541762B1 (de) 2016-11-17 2022-03-02 Cardinal CG Company Statisch-dissipative beschichtungstechnologie

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4060660A (en) * 1976-01-15 1977-11-29 Rca Corporation Deposition of transparent amorphous carbon films
GB1582231A (en) * 1976-08-13 1981-01-07 Nat Res Dev Application of a layer of carbonaceous material to a surface
JPS5518403A (en) * 1978-07-25 1980-02-08 Toshiba Corp Formation of organic thin film
US4181772A (en) * 1978-12-13 1980-01-01 Xerox Corporation Adhesive generator overcoated photoreceptors
CA1159729A (en) * 1980-02-11 1984-01-03 James B. Mcgee Adhesion of metals to solid substrates
EP0048542B2 (de) * 1980-08-21 1993-03-31 National Research Development Corporation Überziehen von infrarottransparentem Halbleitermaterial
DE3147986C2 (de) * 1981-12-04 1992-02-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren
DE3224426A1 (de) * 1982-06-30 1984-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von regenerierfaehigen dielektrikumsschichten durch polymerisation von gasen
DE3244391A1 (de) * 1982-12-01 1984-06-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zur beschichtung von substraten durch plasmapolymerisation
US4483883A (en) * 1982-12-22 1984-11-20 Energy Conversion Devices, Inc. Upstream cathode assembly
US4524106A (en) * 1983-06-23 1985-06-18 Energy Conversion Devices, Inc. Decorative carbon coating and method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3832692A1 (de) * 1988-09-27 1990-03-29 Leybold Ag Dichtungselement mit einem absperrkoerper aus einem metallischen oder nichtmetallischen werkstoff und verfahren zum auftragen von hartstoffschichten auf den absperrkoerper
US6200914B1 (en) 1996-08-07 2001-03-13 Siemens Aktiengesellschaft Electrically poorly conductive material for producing an insulation sleeve
DE19952465C1 (de) * 1999-10-29 2001-03-01 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung einer haftfesten, diamantähnlichen Kohlenstoffschicht auf einer Substratoberfläche
DE10056242A1 (de) * 2000-11-14 2002-05-23 Alstom Switzerland Ltd Kondensationswärmeübertrager
US6942022B2 (en) 2000-11-14 2005-09-13 Alstom Technology Ltd. Condensation heat-transfer device

Also Published As

Publication number Publication date
DE3316693A1 (de) 1984-11-08
US4569738A (en) 1986-02-11
JPS6036663A (ja) 1985-02-25
US4661409A (en) 1987-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3316693C2 (de)
EP0718418B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht
DE4132556C2 (de)
EP1088116B1 (de) Verfahren zum aufbringen eines schichtsystems auf oberflächen
DE68918196T2 (de) Mehrlagig keramisch beschichtete Metallplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE3785826T2 (de) Maske zum Niederschlag von Pastenmaterial.
DE69217233T2 (de) Vorrichtung und verfahren zum beschichten von substraten mittels plasmaentladung
EP0228394B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten von substraten mittels einer plasmaentladung
DE2736514C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Oberflächen mit Kohlenstoff
DE68917563T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Pigmentschuppen.
DE3016022C2 (de) Hochfrequenzplasmabeschichtungsverfahren und Vorrichtung zu seiner Durchführung
EP1711643B1 (de) Verfahren zur herstellung eines ultrabarriere-schichtsystems
DE2245374A1 (de) Mehrstufige integrierte wellenleiterstruktur und verfahren zu ihrer herstellung
DE3926023A1 (de) Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE3235868A1 (de) Einrichtung zum aufbringen duenner schichten aus auf ein plasma reagierender dampfphase
DE4039352C2 (de)
DE4122229A1 (de) Verfahren zur metallisierung einer oberflaeche
EP0402798B1 (de) Beschichtungsvorrichtung
EP2150633B1 (de) Verfahren zum beschichten eines substrats
DE60007099T2 (de) Verfahren zur oberflächenbehandlung von polymeren
DE102007025151A1 (de) Verfahren zum Beschichten eines Substrats
DE2853875A1 (de) Verfahren zur herstellung eines cadmiumstannat-films
EP0291444B1 (de) Herstellung von Polymer-Metallverbindungen durch Abscheidung in Glimmentladungszonen
WO2012163977A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines floatglasbandes
DE10012516C1 (de) Kunststoffbauteil mit Schutzschicht und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LEYBOLD AG, 6450 HANAU, DE

8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee