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DE2535500C3 - Einrichtung zur Feststellung von Änderungen der Konzentrationen von unverbrannten Kohlenwasserstoffen - Google Patents

Einrichtung zur Feststellung von Änderungen der Konzentrationen von unverbrannten Kohlenwasserstoffen

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DE2535500C3
DE2535500C3 DE2535500A DE2535500A DE2535500C3 DE 2535500 C3 DE2535500 C3 DE 2535500C3 DE 2535500 A DE2535500 A DE 2535500A DE 2535500 A DE2535500 A DE 2535500A DE 2535500 C3 DE2535500 C3 DE 2535500C3
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DE
Germany
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layer
unburned hydrocarbons
exhaust gas
electrode
oxide
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DE2535500A
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DE2535500A1 (de
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Takeshi Yokohama Kanagawa Fujishiro
Naomasa Fukuchiyama Sunano
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Nissan Motor Co Ltd
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Nissan Motor Co Ltd
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    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
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Description

2. Einrichtung nach Anspr ;ch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der η-leitende Oxidhalbleiter ein gesintertes Gemisch von drei Oxiden ist, wobei das erste Oxid aus ZnO und SnO2, das zweite Oxid aus V2O5 und Sb2O3 und das dritte aus AI2O3, SiO2, Cu2O. Ag2O, PbO und Nd2O3 ausgewählt sind, während der p-leitende Oxidhalbleiter ein gesintertes ternäres Oxid ist, das einen ersten, aus La und Sm ausgewählten Bestandteil, einen zweiten, aus Mg, Ca, Sr und Zr ausgewählten Bestandteil und einen dritten, aus Cr, Ni und Co ausgewählten Bestandteil enthält.
3. Einrichtung n?.ch Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mengen des ersten, zweiten und dritten Oxids des n-leitcnden Oxidhalblciiers jeweils 85 bis 99 Masse-%, 0,5 bis 12 Masse-% bzw. 0,05 bis 8 Masse-% betragen.
4. Einrichtung nach einem der Ansprüche I bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der n-lcitende Oxidhalbleitcr wenigstens ein katalytisches Metall in einer Menge von 0,1 bis IO Masse-% des Gemisches aufweist, wobei das katalytische Metall aus Mn, Pt und Pd ausgewählt ist.
5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der p-lcitendc Oxidhalbleiter durch die Formel
darstellbar ist, wobei M, M' und M" den ersten, zweiten bzw. dritten Bestandteil angeben, während χ im Bereich von 0,1 bis 0,8 und y im Bereich von 0 bis 0,1 liegen.
6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der p-leitende Oxidhalbleiter wenigstens ein katalytisch wirkendes Metall in einer Menge von 0,1 bis 2 Masse-% des ternären Oxids aufweist, wobei das katalytisch wirkende Metall aus Pt und Pd ausgewählt ist,
7, Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Tragteil (12) einen zylindrischen Bereich hat, daß weiterhin die ersten und zweiten Schichten (20, 22) auf der äußeren Umfangsoberfläche des zylindrischen Bereiches im allgemeinen symmetrisch in bezug auf die longitudinale Achse des zylindrischen Bereiches arsgebildet sind, daß die erste, zweite und dritte Elektrode (14, 16, 18) auf der äußeren Umfangsfläche ausgebildet sind, und daß die erste Elektrode (14) einen kreisförmigen Querschnitt hat, während die zweite und dritte Elektrode (16, 18) im allgemeinen symmetrisch in bezug auf die Achse in Abständen von der ersten Elektrode, die jeweils gleich den axialen Längen der ersten bzw. zweiten Schichten (20,22) sind, angeordnet sind.
8. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch eine poröse Schicht aus AI2O3, die auf der ersten und zweiten Schicht (20, 22) ausgebildet ist.
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Feststellung von Änderungen der Konzentration von unverbrannten Kohlenwasserstoffen im Abgas gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei der Verringerung der Luftverunreinigungen, die auf die Verbrennungsmotoren von Kraftfahrzeugen zurückzuführen sind, hat sich die katalytische Umwandlung der schädlichen Bestandteile des Abgases in unschädliche Gase als ein sehr wirksames Verfahren herausgestellt; dieses Verfahren wird insbesondere dazu eingesetzt, die Konzentrationen an Kohlenmonoxid (CO) und unverbrannten Kohlenwasserstoffen (I IC) zu verringern. Wird ein katalytischer Umwandler in die Abgasleitung des Motors montiert, so muß verhindert werden, daß die Temperatur in dem Umwandler allzu stark ansteigt, da der Katalysator in dem Umwandler beschädigt wird und seine katalytische Wirksamkeil verliert, wenn er sehr hohen Temperaturen ausgesetzt
4r> wird. In der Praxis stellen Fehlzündungen des Motors eine Hauptursache für einen extrem starken Temperaturanstieg dar.
Die Gesamtkonzentration an unverbrannten Kohlenwaserstöffen im Abgas liegt üblicherweise unter 2500 ppm, wenn das Abgas bei normalem Betrieb des Motors in den Umwandler strömt; dieser Wert muß jedoch beim Auftreten von Fehlzündungen mit einem Faktor multipliziert werden, der zwischen 2 und IO licgi und noch höher worden kann. Diese erhöhten Konzentrationen an unverbrannten Kohlenwasserstoffen führen zur Erzeugung einer größeren Reaktionswärmemenge in dem Umwandler. Das Auftreten von Fehlzündungen kann deshalb festgestellt werden, indem Änderungen der Konzentrationen an unverbrannten Kohlenwasserstoffen in dem Abgas festgestellt werden. Wenn die Änderungen der Konzentrationen mit einem Fühler gemessen werden, der ein elektrisches Signal erzeugt, das in einer Beziehung zu den Konzentrationen steht, so kann das Signal zu einer Alarmvorrichtung gegeben werden, die dann den Fahrer warnen kann, daß der Motor nicht richtig läuft und/oder daß der Katalysator überhitzt wird; das jeweils angezeigte Signal hängt von einer Änderung des Pegels bzw.
Wertes oder der Art des Signals ab. Als Alternative hierzu kann das Signal zu einem Steuersystem geführt werden, um die Zuflußrate des Abgases zu dem katalytischen Umwandler zu steuern, indem beispielsweise ein Teil des Abgases zeitweilig an dem Umwandler vorbeigeleitet wird, wenn ein überhitzen des Katalysators zu befürchten ist.
Es gibt Oxidhalbleiter, deren elektronische Leitfähigkeit sich ändert, wenn sie einem reduzierenden Gas ausgesetzt werden; ein solcher Oxidhalbleiter laut sich bei dem obenerwähnten Fühler einsetzen, da die unverbrannten Kohlenwasserstoffe in dem Abgas reduzierende Verbindungen enthalten; als Beispiele sollen Isobutan undTolusl genannt werden.
Die herkömmlichen Fühler für unverbrannte Kohlen-Wasserstoffe, die in den Abgasleitungen der Verbrennungsmotoren von Kraftfahrzeugen eingesetzt werden, verwenden als Hauptbestandteil ein gesintertes Element aus einem η-leitenden Oxidhalbleiter, der SnO3 enthält. Es wird angenommen, daß die Änderungen der in elektronischen Leitfähigkeit dieses Elements mit Variationen der Konzentrationen an unverbrannfm Kohlenwasserstoffen in dem Abgas auf die Änderungen der Oberflächenleitfähigkeit des Halbleiterelemems zurückzuführen sind, die durch die Absorption von unverbrannten Kohlenwasserstoffen auf der Oberfläche des Elements verursacht werden. Wird dieses Element jedoch einem in der Praxis auftretenden Abgas ausgesetzt, so stören die in einem sehr weiten Bereich erfolgenden Variationen der Abgastemperatur die j< > Messung der Konzentrationen an unverbrannten Kohlenwasserstoffen mit diesem Fühler, da die Ändc rungen der Volumenleilfähigkeil des Elements mit den Variationen der Gastemperatur die Änderungen der Oberflachenleitfähigkeit an Größe übertreffen. Wird ein r-, solcher Fühler in einer Abgasleitung montiert, so sollte er üblicherweise nahe bei oder zumindest in einem Abstand von dem Auspuffkrümmer angeordnet werden, der kleiner als ein Meter ist; dabei muß die Ansprechempfindlichkeit einer Alarmvorrichtung oder eines Steuersystems für die Strömung auf das von dem Fühler erzeugte Signal berücksichtigt werden. Die Abgastemperatur schwankt in einem solchen Abstand von dem Auspuffkrümmer üblicherweise in einem Bereich von näherungsweise 400° bis ungefähr 800"C und ändert sich kontinuierlich fiber einen weiten Bereich. Der Fühler des oben beschriebenen Typs kann andererseits nicht so scharf und exakt auf die Änderungen der Konzentrationen an unverbrannten Kohlenwasserstoffen ansprechen, wenn die Umge- w bungstemperatur ständig auf einem Wert über 300°C liegt, wie es für die Praxis erforderlich ist.
Aus der DE-OS 23 34 506 ist bereits ein Gasdetektorelement bekannt, mit dessen Hilfe unverbrannte Kohlenwasserstoffe in Abgasen mittels eines Leitfähig- v> keitsfühlers nachgewiesen werden können, der als aktives Element einen Oxidhalbleiter besitzt. Dieses bekannte Delektorelemcnt dient zum Aufspüren von spurenreduzierenden Substanzen sowie zur Bestimmung von Sauerstoffkonzentralioncn.
Das bekannte Detektorelement ist jedoch nicht zum Überwachen des Gehaltes an unverbrannten Kohlenwasserstoffen im Abgas einer Brennkraftmaschine geeignet, weil dort relativ hohe Temperaturen von 400 bis 800°C herrschen und diese Temperaturen sich schädlich auf das bekannte Detektorelement auswirken würden. So muß ein für den genannten Zweck geeignetes Detektorelement nicht nur gegen die genannten Temperaturen beständig sein, sondern muß auch sicherstellen, daß die ermittelten Werte nicht durch thermisch bedingte Widerstandsänderungen in den Oxidhalbleitern verfälscht werden.
Ferner ist es aus der US-PS 36 95 848 bereits bekannt, daß sich bei Oxidhalbleitern mit η-Charakteristik eine Steigerung der Leitfähigkeit bei steigenden Konzentrationen an unverbrannten Kohlenwasserstoffen in der Umgebungsatmosphäre einstellt, wohingegen bei Oxidhalbleitern mit p-Charakteristik die Leitfähigkeiten mit steigenden Konzentrationen an unverbrannten Kohlenwasserstoffen abnehmen.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung zur Abfühlung von Änderungen der Konzentrationen an unverbrannten Kohlenwasserstoffen im Abgas von Verbrennungsmotoren zu schaffen, die empfindlich und exakt sogar dann auf Änderungen der Konzentrationen an unverbrannten Kohlenwasserstoffen anspricht, wenn die Temperatur des Abgases, dem der Fühler ausgesetzt wird, sich kontinuierlich und merklich über einen zwischen ung-iähr 300 und 8000C liegenden Bereich ändert.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer Einrichtung der angegebenen Gattung durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 genannten Merkmale gelöst
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die schematischen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Fühlelements eines Fühlers,
F i g. 2 eine Seitenansicht, teilweise im Schnitt, dieses mit einem Schutzrohr bedeckten Fühlelements,
Fig.3 eine graphische Darstellung der Leitfähigkeilskennlinie eines η-leitenden Halbleiters, der bei dem Fühler nach F i g. I als Fühlelement verwendet wird,
F i g. 4 eine ähnliche graphische Darstellung fur einen p-leitenden Halbleiter, der als weiteres Fühlelement des Fühlers verwendet wird, und
F i g. 5 ein Schaltbild eines Fühlers,
Wie sich F i g. 1 entnehmen läßt, ist ein Fühlelement 10 eines Fühlers auf der äußeren Oberfläche eines Tragteils 12 ausgebildet, das bei diesem Beispiel zylindrisch und mit einem Absatz bzw. einer Stufe versehen ist, so daß ein Endbereich 12a mit kleinerem Durchmesser entsteht. Das Tragteil 12 besteht aus einem hitzebeständigen und elektrisch nichtleitendem oder dielektrischem Material; als Beispiel für ein solches Material sollen dis Aluminiumoxid enthaltenden keramischen Materialien genannt werden. Drei Elektroden 14, 16 und 18 sind auf der Oberfläche des Endbereiches 12u n;it kleinem Durchmesser fest und voneinander getrennt angebracht. Diese Elektroden 14, 16 und 18 werden aus einem korrosionsfesten und hiszebeständigen Material hergestellt; nach einer bevorzugten Ausführungsform werden sie ausgebildet, indem eine Paste, die femverteiltes Platin, Gold oder Palladium aufweist, auf die Oberfläche des Endbereiches 12a gebracht wird; diese Paste wird anschließend erwärmt, um das Metall zu verschmelzen und die flüssige Komponente der Paste zu entfernen. Auf der Oberfläche des Endbereiches 12a wird eine erste Halbleiterschicht 20 in der Weise ausgebildet, daß sie den Spalt zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 14 bzw. 16 füllt. Diese Elektrodenschicht 20 ist elektrisch sowohl mit der ersten als auch mit der zweiten Elektrode 14
bzw. 16 verbunden, jedoch gegen die dritte Elektrode 18 isoliert. In ähnlicher Weise wird eine zweite Halbleiterschicht 22 nahe bei, jedoch getrennt von der ersten Schicht 20 ausgebildet. Die zweite Schicht 22 ist elektrisch sowohl mit der ersten als auch mit der dritten Elektrode 14 bzw. 18 verbunden, jedoch gegen die zweite Elektrode 16 isoliert. Jede dieser Elektroden 14, 16 und 18 ist mit einer Leitung 24 verbunden.
Die erste bzw. zweite Halbleiterschicht 20 bzw. 22 bestehen jeweils aus zwei unterschiedlichen Arten von Oxidhalbleitern. Die erste Schicht 20 besteht aus einem n-leitcnden Oxidhalblciter, der sich dadurch aus/eiehnet. daß seine Leitfähigkeit mit einer Erhöhung der Konzentration einer reduzierenden Substanz in der Umgebungsatmosphäre zunimmt. Die zweite Schicht 22 besieht aus einem p-lcitcndcn Oxidhalbleiter, bei dem die Leitfähigkeit mit einer Erhöhung der gleichen Konzentration abnimmt. Was die Temperaturabhängigkeil betrillt, so nimmt bei beiden Üxidhaibieitcrn die Leitfähigkeit mit einer Erhöhung der Temperatur /u. Die gesamte Konzentration von unverbrannten Kohlenwasserstoffen (MC) im Abgas einer Maschine bzw. eines Motors kann durch einen dieser beiden n-leitcnden bzw. p-leilendcn Oxidhalbleiter festgestellt werden, da die Anteile an effektiv reduzierenden Bestandteilen im Verhältnis zu den gesamten unverbrannten Kohlenwasserstoffen mit Änderungen in der Gcsamtkon/entration an unverbrannten Kohlenwasserstoffen im Abgas nahezu unverändert bleiben.
Im vorliegenden Fall werden zwei spezifische O\idgcmische als n- bzw. p-lcitende Halbleiter für die Halbleiterschichten 20 b/w. 22 verwendet, um eine scharfe Ansprechempfindlichkeit auf Änderungen in den Konzentrationen an unverbrannten Kohlenwasserstoffen im Abgas sogar bei höheren Temperaturen /u erreichen, die mindestens im Hereich von ungefähr JOO bis ungefähr 800 C liegen. Ein gesintertes Oxidgemisch wird als η-leitender Halbleiter verwendet: dieses Gemisch besteht aus 3 bis 5 Oxiden, die aus ilen folgenden Materialien ausgewählt sind: SnO;. ZnO. Sb2Oj. V2O5. Al2O3. Cu2O. SiO2. Ag2O und Nd2Oj. Eine 1/ί»·ϊΙ\ lic^h HMrl/pnilii Μρπιτρ Mr, Pl ι ιη< 1/r»iHpr PrI 1:11111
zu dem Oxidgemisch hinzugefügt werden. Der p-lcitende Halbleiter ist ein gesintertes ternäres bzw. Dreistoffoxid, das folgende Substanzen enthält: La oder Sm: Mg. Ca. Sr oder Zr: und Cr. Co oder Ni. Eine katal\tisch wirkende Menge Pt und/oder Pd kann zu dem ternären Oxid hinzugefügt werden.
Im folgenden sollen bevorzugte Ausführungsbeispiele der η-leitenden Oxidhalbleiter zusammengestellt «erden:
ZnO (85-93 Masse-%) : V2O5 (7-12%) : Ag2O (0.5-3%)
ZnO (85 - 93%): V2O5 (7-12%): PbO (0.5 - 3%) SnO2 (95-99%): Sb2O3 (03-4%): ALO3 (0.05-3%)
SnO2(85 - 93%):Sb2O3(3 - 7%): SiO2 (0.5 - 8%) SnO2 (85 - 93%): Sb2O3 (3 - 7 %): Nd2O3 (0.5 - 8%) SnO2(85-93%): Sb2O3(3 - 7%):Cu2O (0.5 - 8%)
Wenigstens eine der Substanzen Mn. Pt und Pd kann zu einem der obigen Gemische als Katalysator in einer Menge von 0,1 bis 10 Masse-% des Oxidgemisches hinzugefügt werden.
Bevorzugte Ausführungsformen der p-leitenden Oxidhalbleiter sind in den folgenden Formeln dargestellt:
La i-,Ca ,CrOi-,
Lai-,Zr1CrOj-.,
Lai-,Mg1NiOi-,
ί Snii -,Sr1CoOi-,
dabei liegt ν im Bereich von 0,1 bis 0,8, während y einen
Wert von O bis 0,1 in Abhängigkeil von den Sinterbedingungen annimmt. Pt und/oder Pd kann zu
ίο einem dieser ternären Oxide in einer Menge von 0.1 bis 2 Masse-% des ternären Oxids hinzugefügt werden.
Diese n- bzw. p-leitenden Oxidhalblciter /eigen eine andere Änderung der Leitfähigkeit, wenn sie einem Alkohol oder Kohlenmonoxid ausgesetzt werden als
ii wenn sie reduzierenden Kohlenwasserstoffen ausgesetzt werden.
Die Halblcilerschicht 20 wird ausgebildet, indem eine Paste auf die Oberfläche des Endbereiches 12,i des Tragteiis i2 aufgebracht wird, die ein Gemisch von
2<> feinvcrteilten Oxiden enthält, wie es oben beschrieben wurde: anschließend wird die Paste an Luft bei einer Temperatur von 1000 bis I IOO"C gesintert. Die /weite Halbleiterschicht 22 wird im allgemeinen auf die gleiche Weise mn der Ausnahme hergestellt, dal) sich in der
;i Paste La und Ca in der Form von La(OH)) bzw. CaCOi befinden und daß die Sintertemperatur im Rereich von 1300 bis 1600 C liegt. Die ersten und zweiten Schichten 20 b/w. 2_ können mit einer dünnen und gasdurchlässigen Schicht aus AI2Oj beschichtet werden, um die
i" Halbleiter gegen physikalische Schäden und Absorption von Wasserdämpfen zu schützen. Eine solche Schul/ schicht kann im allgemeinen auf ähnliche Weise hergestellt werden, wie es für die Halblciterschichtcn 20 und 22 beschrieben wurde: da/u wird eine Paste
:■ verwendet, die pulverförmiges AI2Oi enthält.
Die Abhängigkeit des Widerstandes der n-leitenden Oxidhalbleiterschicht 20 /wischen der ersten b/w. /weiten Elektrode 14 b/w. 16 von der Temperatur b/w. der Gesamtkonzentration an unverbrannten kohlen-
■'·" Wasserstoffen in der Umgebungsatmosphäre sind in graphischer Darstellung in Fig. 3 gezeigt, wobei cm
SnO2: Sb2O3: SiO2
■: · im Verhältnis von (96 : 3.5 : 5) verwendet wurde, dem (M (0.5%) zugesetzt wurde. Die Kurve A stellt die Änderungen des Widerstandes in reiner Luft dar. während die Kurven Si und S2 jeweils die Änderungen in zwei unterschiedliche zusammengesetzten Abgasen darstellen. F i g. 4 zeigt eine ähnliche graphische Darstellung für die p-leitende Oxidhalbleiterschichi 22 mit einer Zusammensetzung, die formelmäßig durch
dargestellt werden kann, dem Pd (1%) zugesetzt wurde: ein weiterer Unterschied liegt darin, daß die Kurve S3 die Änderung des Widerstandes in einem weiteren, anders Zusammengesetzen Abgas darstellt.
Ein wesentliches Merkmal des Fühlers liegt darin, daß bei dem Fühlelement 10 die η-leitende Oxidhalbleiterschicht 20 und die p-leitende Oxidhalbleiterschicht 22 elektrisch in Reihe miteinander zur Vorbereitung einer Brückenschaltung geschaltet sind, wie sie in Fig.5 dargestellt wird. Eine vier Arme aufweisende Brücke wird aufgebaut, indem eine elektrische Verbindung zwischen der zweiten und dritten Elektrode 16 bzw. 18 durch eine Schaltung hergestellt wird, die aus zwei festen Widerständen 26 und 28 besteht, die in Reihe mit
einem /wischen ihnen liegenden Verbindungspunkt 30 geschaltet ist. Da sich die Widerstände der n-leitenden bzw. p-leitenden Halbleiterschichten 20 bzw. 22 mit einer Änderung der Gesamtkonzentration an unverbrannten Kohlenwasserstoffen in dem Abgas in umgekehrter Richtung ändern, ist der Fühler sehr viel empflndlicher als ein herkömmlicher Fühler, der nur einen a-leitenden Halbleiter aufweist. Weiterhin sorgen die Widerstände 26 und 28 für eine Kompensation der thermisch bedingten Änderungen der Widerstände der Halbleiter 20 und 22. wenn die Widerstände 26 und 28 so angeordnet sind, daß sie auch dem Abgas ausgesetzt werden.
Wenn der Fühler in der Abgasleitung eines Automotors zwischen dem Auspuffkrümmer und einem katalytischen Umwandler installiert wird, so können Fehlzündungen des Motors aufgrund der scharfen und exakten Ansprechempfindlichkeit des Fühlers für Änderungen in der Gesamtkonzentration an unverbrannten Kohlenwasserstoffen rasch festgestellt werden. Dadurch können Vorkehrungen gegen mögliche Beschädigungen oder eine Zerstörung durch Überhitzen li^s Katalysators in dem Umwandler ergriffen werden.
Der Fühler kann entweder als Ganzes aufgebaut oder in ähnlicher Weise wie die herkömmlichen Fühler für Gaskonzentrationen ausgebildet sein. Nach einer bevorzugten Ausführungsform ist das Tragteil 12 für das Fühlelement 10 fest in ein Schutzrohr 32 eingeschlossen, das beispielsweise aus rostfreiem Stahl besteht, wie es in Fig. 2 dargestellt ist. Das Fühlelement 10 wird durch dieses Rohr 32 bedeckt, so daß zwischen ihnen ein ringförmiger Raum ausgebildet ist. Das Rohr 32 weist
ίο mehrere in axialer Richtung verlaufende Lamellen bzw. Schlitze 34 auf. die in seiner Unifangswand an einem Endbereich ausgebildet sind, der das Fühlelement 10 bedeckt. Die Leitungen 24 erstrecken sich durch axiale Löcher, die in dem Tragteil 12 ausgebildet sind, zu dem anderen F.nde des Rohres 32 und sind mit Anschlüssen 36 verbunden, die an dem Rohr 32 angebracht sind. Der F.ndbereich des Rohres 32 an der Anschlußseite ist nach einer bevorzugten Ausführungsform mit einem isolierenden und hitzebeständigen Füllmaterial 38. wie beispielsweise einem Aluminiumoxidzement, gefüllt. Die Widerstände 26 und 28 können in dem gleichen Rohr 32 montiert werden; als Alternative hierzu können sie an einem getrennten Teil gehaltert werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche;
1. Einrichtung zur Feststellung von Änderungen der Konzentration von unverbrannten Kohlenwasserstoffen im Abgas mit einem seine Leitfähigkeit unter Einwirkung der Kohlenwasserstoffe ändernden Oxidhalbleiter, gekennzeichnet durch
a) ein Tragteil (12) aus einem dielektrischen und hitzebeständigen Material,
b) eine erste Schicht (20) aus einem n-leitenden Oxidhalbleiter, die an einer Stelle auf einer Oberfläche des Tragteils (12) ausgebildet ist,
c) eine zweite Schicht (22) aus einem p-Ieitenden Oxidhalbleiter, die an einer Stelle auf der Oberfläche des Tragteils (12) im Abstand von der ersten Schicht (20) ausgebildet ist,
d) eine erste, in Kontakt mit der ersten und der zweiten Schicht (20, 22) angeordnete Elektrode (14).
e) eine zweite, in Kontakt mit der ersten Schicht (20) und im Abstand von der ersten Elektrode (14) angeordnete Elektrode (16),
f) eine dritte, in Kontakt mit der zweiten Schicht (22) und im Abstand von der ersten und zweiten Elektrode (14, 16) angeordnete Elektrode (18) und
g) zwei in Reihe miteinander geschaltete Widerstände (25, 28), die mit der ersten und zweiten Schicht (20, 22) elektrisch zu einer Meßbrücke mit vier Armen verbunden sind.
DE2535500A 1974-08-09 1975-08-08 Einrichtung zur Feststellung von Änderungen der Konzentrationen von unverbrannten Kohlenwasserstoffen Expired DE2535500C3 (de)

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