DE19741426C1 - Schaltungsanordnung zur Datenspeicherung - Google Patents
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- 238000013500 data storage Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 18
- 101150110971 CIN7 gene Proteins 0.000 claims description 10
- 101150110298 INV1 gene Proteins 0.000 claims description 10
- 101100397044 Xenopus laevis invs-a gene Proteins 0.000 claims description 10
- 101100286980 Daucus carota INV2 gene Proteins 0.000 claims description 7
- 101100397045 Xenopus laevis invs-b gene Proteins 0.000 claims description 7
- 101100508840 Daucus carota INV3 gene Proteins 0.000 description 7
- 101150070189 CIN3 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 101150087426 Gnal gene Proteins 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 240000008881 Oenanthe javanica Species 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1093—Input synchronization
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/106—Data output latches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/01—Details
- H03K3/012—Modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
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- Electronic Switches (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur
Speicherung von Daten, bei der die Daten taktgesteuert ein-
und ausgelesen werden.
Es ist allgemein bekannt, zur Speicherung, insbesondere zur
kurzen Zwischenspeicherung, von Daten, die in Form logischer
Signale vorliegen, Register einzusetzen. Ein Register behält
seinen logischen Zustand solange bei, bis er durch ein ande
res logisches Signal oder spezielle Steuerbefehle geändert
wird.
Die Speicherung der Daten kann dynamisch, beispielsweise
durch Änderung des Ladezustandes einer Kapazität, oder sta
tisch, beispielsweise mit einer bistabilen Kippstufe, erfol
gen. Aus der US 5,132,577 ist ein Register mit einer solchen
Ladekapazität bekannt.
Die Übernahme von Daten aus dem Register erfolgt meistens zu
festen Zeitpunkten, die von einem Taktsignal bestimmt werden.
Der Ausgang des Registers wird nur bei bestimmten Taktphasen,
beispielsweise bei einer steigenden oder fallenden Flanke,
freigegeben. Eine vollständige Entkopplung des Eingangs vom
Ausgang des Registers erhält man, wenn auch die Übergabe von
Daten an das Register nur zu bestimmten, vom Taktsignal fest
gelegten Zeitpunkten möglich ist, und die Übergabe und Über
nahme zu verschiedenen Zeitpunkten erfolgt. Durch die Ent
kopplung ist sichergestellt, dass ein Datum nicht von einem
nachfolgenden Datum überschrieben wird, bevor es ausgelesen
ist. Prinzipiell besteht ein solches Register aus einer Ein
heit zur Speicherung eines Datums, einem getakteten Schalter
zur Übergabe der Daten an die Einheit und einem getakteten
Schalter zur Übernahme der Daten von einer Vorstufe. Die
Schalter müssen zu jedem Zeitpunkt zueinander unterschiedli
che Schaltzustände einnehmen. Ist ein Schalter geöffnet, so
muss der andere geschlossen sein und umgekehrt.
Die Datenweitergabe vom Eingang zum Ausgang des Registers
setzt sich aus einem Übergabeschritt, bei dem die Daten an
die Schaltung übergeben werden, und einem Übernahmeschritt,
bei dem die Daten von der Schaltung übernommen werden, zusam
men.
Nachteil hierbei ist, dass ein Datum am Eingang des Registers
erst nach einer Periodendauer am Ausgang verfügbar ist. Um
die Daten verlustfrei zu speichern, muss die Taktfrequenz des
Taktsignals doppelt so groß sein wie die Frequenz, mit der
die Daten am Eingang des Registers ihren Zustand ändern kön
nen. Anders ausgedrückt, können Änderungen des Zustandes der
Daten nur mit der halben Frequenz wie der des Taktsignals er
folgen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine effektivere
Möglichkeit zur taktgesteuerten Speicherung von Daten anzuge
ben.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale des
Patentanspruches 1 gelöst.
Die Erfindung hat den Vorteil, dass die Frequenz, mit der die
Daten ihren Inhalt ändern können, gleich der Frequenz des
Taktsignals ist. Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanord
nung werden Eingangsdaten mit jeder fallenden und jeder stei
genden Taktsignalflanke gespeichert.
Vorteilhaft ist weiterhin, dass die Leistungsaufnahme je
Speicherzyklus gegenüber bekannten Schaltungsanordnungen zur
Datenspeicherung nahezu unverändert ist.
Vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung sind in
Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild der Erfindung;
Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel einer Speichervorrichtung;
Fig. 3 ein Signaldiagramm zur Erläuterung der Erfindung und
Fig. 4 eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung.
Gemäß dem Prinzipschaltbild in Fig. 1 weist die erfindungs
gemäße Schaltungsanordnung eine erste Speichervorrichtung M1
und erste Schalteinrichtungen S1, S2 auf. Zu der ersten Spei
chervorrichtung M1 und den ersten Schalteinrichtungenn S1, S2
sind eine zweite Speichervorrichtung M2 und zweite Schaltein
richtungen ST1, ST2 parallelgeschaltet. Die Schalteinrichtun
gen S1, S2, ST1, ST2 sind jeweils taktgesteuert. Die ersten
Schalteinrichtungen S1, S2 sind nach Fig. 1 als ein erster
Schalter S1 vor der ersten Speichervorrichtung M1 und als
zweiter Schalter S2 nach der Speichervorrichtung M1 ausge
führt. Die Schalter S1, S2 sind jeweils von einem Taktsignal
Φ gesteuert. Bei einem bestimmten Taktsignal, beispielsweise
der logischen Eins, ist der Schalter S1 geschlossen und der
Schalter S2 geöffnet.
Die zweiten Schalteinrichtungen ST1, ST2 bestehen hier aus
einem ersten Parallelschalter ST1 vor der zweiten Speicher
vorrichtung M2 und einem zweiten Parallelschalter ST2 nach
der zweiten Speichervorrichtung M2. Den Parallelschaltern
ST1, ST2 ist ebenfalls das Taktsignal Φ zuführbar.
Zu einem bestimmten Zeitpunkt nimmt der erste Parallelschal
ter ST1 den gleichen Zustand an wie der zweite Schalter S2,
der zweite Parallelschalter ST2 den gleichen Zustand wie der
erste Schalter S1 an.
Der Anschluss des Schalters S1, der nicht mit der ersten
Speichervorrichtung M1 verbunden ist und der Anschluss des
ersten Parallelschalters ST1, der nicht mit der zweiten Spei
chervorrichtung M2 verbunden ist, sind miteinander verbunden
und bilden den Eingang IN der Schaltungsanordnung. Der An
schluss des zweiten Schalters S2, der nicht mit der ersten
Speichervorrichtung M1 verbunden ist, und der Anschluss des
zweiten Parallelschalters ST2, der nicht mit der zweiten
Speichervorrichtung M2 verbunden ist, sind miteinander ver
bunden und bilden den Ausgang OUT der Schaltungsanordnung.
Gemäß Fig. 2 lassen sich die erste Speichervorrichtung M1
und die zweite Speichervorrichtung M2 aus jeweils einer Kapa
zität C aufbauen, die zwischen einem Bezugspotential VSS und
einem Außenanschluss der jeweiligen Speichervorrichtung M1,
M2 geschaltet ist. Der Außenanschluss kann der Eingangs- oder
der Ausgangsanschluss der jeweiligen Speichervorrichtung M1,
M2 sein. Bei der ersten Speichervorrichtung M1 wird die Ver
bindung der Kapazität C mit dem Außenanschluss als Knoten
punkt K1, bei der zweiten Speichervorrichtung M2 als Knoten
punkt K2 bezeichnet.
Die Funktionsweise der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung
nach Fig. 1 wird nachfolgend anhand von Fig. 3 erläutert.
Dabei wird ohne Beschränkung der Allgemeinheit für die Spei
chervorrichtungen M1, M2 jeweils die Ausführungsform mit ei
ner Speicherkapazität C nach Fig. 2 zugrundegelegt. Die
prinzipielle Funktionsweise der erfindungsgemäßen Schaltungs
anordnung ist von der Ausführungsform der Speichervorrichtun
gen M1, M2 unabhängig.
Im Signaldiagramm nach Fig. 3 sind über der Zeit t das Takt
signal Φ, ein beliebig gewähltes Eingangssignal INS, ein er
stes Speichersignal MS1, das hier am ersten Knotenpunkt K1
der Speichervorrichtung M1 auftritt, ein zweites Speichersi
gnal MS2, das hier am zweiten Knotenpunkt K2 der Speichervor
richtung M2 auftritt und das Ausgangssignal OUTS der Schal
tungsanordnung aufgetragen.
Es wird davon ausgegangen, dass bei einer logischen Null des
Taktsignals Φ der erste Schalter S1 und der zweite Parallel
schalter ST2 geschlossen sind und der zweite Schalter S2 und
der erste Parallelschalter ST1 geöffnet sind. Bei einer logi
schen Eins des Taktsignals sind der erste Schalter S1 und der
zweite Parallelschalter ST2 geöffnet, der zweite Schalter S2
und der erste Parallelschalter ST1 geschlossen.
Außerdem wird angenommen, dass zu Beginn der Betrachtung alle
Signale logisch Null sind, beispielsweise aufgrund eines Re
sets.
Während das Taktsignal Φ logisch Null ist, wird eine stei
gende Flanke des Eingangssignals INS vom ersten Speichersi
gnal MS1 nach einer kurzen durch die Laufzeit der Signale be
dingten Verzögerung übernommen. Das zweite Speichersignal MS2
nimmt erst nachdem das Taktsignal Φ logisch Eins ist, etwas
zeitverzögert den logischen Zustand des Eingangssignals INS,
also die logische Eins an. Beim Wechsel des Taktsignals Φ
zur logischen Eins wird der zweite Schalter S2 geschlossen
und das Ausgangssignal OUTS übernimmt, wiederum etwa zeitver
zögert, die logische Eins des Speichersignals MS1.
Eine auf die steigende Flanke folgende fallende Flanke des
Taktsignals Φ bleibt auf das erste Speichersignal MS1, das
zweite Speichersignal MS2 und das Ausgangssignal OUTS ohne
Einfluss, solange das Eingangssignal INS auf der logischen
Eins bleibt.
Eine fallende Flanke des Eingangssignals INS wird von dem er
sten Speichersignal MS1 während der logischen Null des Takt
signals Φ übernommen. Das zweite Speichersignal MS2 nimmt
die logische Null des Eingangssignals erst mit der logischen
Eins des Taktsignals Φ an. Etwa zum gleichen Zeitpunkt über
nimmt das Ausgangssignal OUTS die logische Null des ersten
Speichersignals MS1.
Ein erneuter Wechsel des Eingangssignals INS zur logischen
Eins, während das Taktsignal Φ logisch Eins ist, wird von
dem zweiten Speichersignal MS2, lediglich etwas zeitverzö
gert, übernommen. Die Übernahme der logischen Eins des Ein
gangssignals INS erfolgt beim ersten Speichersignal MS1 erst
nach einem Wechsel des Taktsignals Φ zur logischen Null. Et
wa zu diesem Zeitpunkt wird aber bereits die logische Eins
des zweiten Speichersignals MS2 an das Ausgangssignal OUTS
weitergegeben.
Eine fallende Flanke des Eingangssignals INS während einer
logischen Null des Taktsignals Φ wird vom ersten Speichersi
gnal MS1 leicht verzögert übernommen. Beim zweiten Speicher
signal MS2 erfolgt die Übernahme der logischen Null erst nach
dem Wechsel des Taktsignals Φ zur logischen Eins. Etwa zu
diesem Zeitpunkt erfolgt der Wechsel des Ausgangssignals OUTS
zur logischen Null auf Grund der fallenden Flanke des ersten
Speichersignals MS1.
Eine Änderung des Zustandes des Eingangssignals INS wird also
bei jeder Taktflanke, sowohl bei der steigenden als auch bei
der fallenden Flanke, von dem Ausgangssignal OUTS übernommen.
Eine mögliche Umsetzung der Prinzipschaltung nach Fig. 1 in
eine konkrete Schaltung ist in Fig. 4 angegeben. Das Ausfüh
rungsbeispiel nach Fig. 4 weist einen ersten Inverter INV1
auf, der eingangsseitig mit einem ersten Schalttransistor von
einem ersten Leitungstyp SN1 und ausgangsseitig mit einem er
sten Schalttransistor von einem zweiten Leitungstyp SP2 ver
bunden ist. Dem ersten Inverter INV1 ist eine Reihenschaltung
eines Verriegelungstransistors vom zweiten Leitungstyp VP mit
einem zweiten Inverter INV2 parallelgeschaltet. Der Ausgang
des ersten Inverters INV1 ist dabei mit dem Eingang des zwei
ten Inverters INV2 verbunden. Die Gate-Anschlüsse des ersten
Schalttransistors vom ersten Leitungstyp SN1, des Verriege
lungstransistors vom zweiten Leitungstyp VP und des ersten
Schalttransistors vom zweiten Leitungstyp SP1 sind mit einem
Anschluss für das Taktsignal Φ verbunden.
Außerdem enthält das Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 einen
dritten Inverter INV3, der eingangsseitig mit einem zweiten
Schalttransistor vom zweiten Leitungstyp SP2 und ausgangssei
tig mit einem zweiten Schalttransistor vom ersten Leitungstyp
SN2 verbunden ist. Dem dritten Inverter INV3 ist eine Reihen
schaltung aus einem zweiten Verriegelungstransistor VN vom
ersten Leitungstyp und einem vierten Inverter INV4 parallel
geschaltet. Der Ausgang des dritten Inverters INV3 ist dabei
an den Eingang des vierten Inverters INV4 angeschlossen. Die
Gate-Anschlüsse des zweiten Schalttransistors vom zweiten
Leitungstyp SP2, des zweiten Verriegelungstransistors VN und
des zweiten Schalttransistors vom ersten Leitungstyp SN2 sind
mit einem Anschluss für das Taktsignal Φ verbunden.
Bei durchgeschaltetem ersten Verriegelungstransistor VP sind
der erste Inverter INV1 und der zweite Inverter INV2 anti
parallel geschaltet. Analog dazu sind der dritte Inverter
INV3 und der vierte Inverter INV4 antiparallel geschaltet,
wenn der zweite Verriegelungstransistor VN durchgeschaltet
ist.
Die dem ersten Inverter INV1 abgewandte Kanalseite des ersten
Schalttransistors vom ersten Leitungstyp SN1 und die dem
dritten Inverter INV3 abgewandte Kanalseite des zweiten
Schalttransistors vom zweiten Leitungstyp SP2 sind mit dem
Ausgang eines Eingangsinverters EINV verbunden. Eingangssei
tig ist der Eingangsinverter EINV mit dem Eingangsanschluss
IN der Schaltungsanordnung verbunden.
Die dem ersten Inverter INV1 abgewandte Kanalseite des ersten
Schalttransistors vom zweiten Leitungstyp SP1 und die dem
dritten Inverter INV3 abgewandte Kanalseite des zweiten
Schalttransistors vom ersten Leitungstyp SN2 sind mit dem
Eingang eines ersten Ausgangsinverters AINV1 verbunden. Der
Ausgang des ersten Ausgangsinverters AINV1 ist mit dem Ein
gang eines zweiten Ausgangsinverters AINV2 und mit der Seri
enschaltung eines dritten und vierten Ausgangsinverters
AINV3, AINV4 verbunden. Der Ausgang des zweiten Ausgangsin
verters AINV2 ist mit dem Ausgangsanschluss OUT der Schal
tungsanordnung verbunden. Der Ausgang des dem dritten Aus
gangsinverter AINV3 nachgeschalteten vierten Ausgangsinver
ters AINV4 ist an einen invertierenden Ausgang OUT ange
schlossen.
Der Eingangsinverter INV sowie sämtliche Ausgangsinverter
dienen zur Erhöhung der Treiberleistung. Für die prinzipielle
Wirkungsweise des Ausführungsbeispieles sind sie nicht von
Bedeutung. Der erste Inverter INV1, der zweite Inverter INV2
und der Verriegelungstransistor vom zweiten Leitungstyp VP
bilden die Speichervorrichtung M1. Der dritte Inverter INV3,
der vierte Inverter INV4 und der Verriegelungstransistor vom
ersten Leitungstyp VN bilden die Speichervorrichtung M2.
In Fig. 4 ist der erste Schalttransistor vom ersten Leitung
styp SN1 ein n-Kanaltransistor und der zweite Schalttransi
stor vom zweiten Leitungstyp SP2 ein p-Kanaltransistor. Bei
jedem logischen Zustand des Taktsignals Φ wird daher das
Eingangssignal INS in einer der Speichervorrichtungen M1, M2
gespeichert, nämlich bei einer logischen Null des Taktsignals
Φ in der Speichervorrichtung M2 und bei einer logischen Eins
des Taktsignals Φ in der Speichervorrichtung M1.
Bei einer logischen Eins des Taktsignals Φ ist der erste
Schalttransistor SN1 geöffnet und der Verriegelungstransistor
vom zweiten Leitungstyp VP, hier ein p-Kanaltransistor, ge
öffnet. Das Eingangssignal INS wird vom ersten Inverter INV1
invertiert und dem zweiten Inverter INV2 zugeführt. Wechselt
das Taktsignal Φ zur logischen Null, so wird der Verriege
lungstransistor vom zweiten Leitungstyp VP durchgeschaltet.
Aufgrund der Mitkopplungsstruktur des ersten und zweiten In
verters INV1, INV2 wird der logische Zustand der Speichervor
richtung M1 der vor der Durchschaltung des Verriegelungstran
sistors vom zweiten Leitungstyp VP vorlag, beibehalten. Da
der erste Schalttransistor vom ersten Leitungstyp SN1 bei der
logischen Null des Taktsignals Φ gesperrt ist, kann während
dieser Taktphase dieser Zustand nicht vom Eingangssignal INS
überschrieben werden.
Der Speichervorgang der Speichervorrichtung M2 verläuft ana
log.
Die Erfindung ist anhand eines Registers in 1-Phasentechnik,
also mit einer 1-Phasentaktsteuerung, beschrieben. Sie lässt
sich jedoch ohne weiteres auch auf Mehr-Phasentaktsysteme
ausweiten.
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung mit einer ersten Speichervorrichtung
(M1) zur Datenspeicherung und ersten mit einem Taktsignal Φ
getakteten Schalteinrichtungen (S1, S2) zur Entkopplung des
Eingangs (IN) der Schaltungsanordnung von ihrem Ausgang
(OUT), dadurch gekennzeichnet, dass zu der ersten
Speichervorrichtung (M1) und zu den ersten Schalteinrichtun
gen (S1, S2) eine zweite Speichervorrichtung (M2) und zweite
Schalteinrichtungen (ST1, ST2) zur Entkopplung des Eingangs
(IN) der Schaltungsanordnung von ihrem Ausgang (OUT) paral
lelgeschaltet sind und die zweiten Schalteinrichtungen (ST1,
ST2) im Gegentakt zu den entsprechenden ersten Schalteinrich
tungen (S1, S2) getaktet sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, dass die ersten Schalteinrichtungen (S1,
S2) einen ersten MOS-Transistor von einem ersten Leitungstyp
(SN1) vor der ersten Speichervorrichtung (M1) und einen er
sten MOS-Transistor von einem zweiten Leitungstyp (ST1) nach
der ersten Speichervorrichtung (M1) aufweisen und die zweiten
Schalteinrichtungen (ST1, ST2) einen zweiten MOS-Transistor
vom zweiten Leitungstyp (SP2) vor der zweiten Speichervor
richtung (M2) und einen zweiten MOS-Transistor vom ersten
Leitungstyp (SN2) nach der zweiten Speichervorrichtung (M2)
einschließen.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass wenigstens eine der Speichervor
richtungen (M1, M2) ein Paar antiparallelgeschalteten Inver
ter (INV1, INV2) aufweist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass wenigstens eine der Speichervor
richtungen (M1, M2) eine Speicherkapazität (C) aufweist, die
zwischen einem Außenanschluss der jeweiligen Speichervorrich
tung (M1, M2) und einem Bezugspotential (Vss) geschaltet ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19741426A DE19741426C1 (de) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Schaltungsanordnung zur Datenspeicherung |
US09/157,661 US6188636B1 (en) | 1997-09-19 | 1998-09-21 | Circuit configuration for data storage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19741426A DE19741426C1 (de) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Schaltungsanordnung zur Datenspeicherung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19741426C1 true DE19741426C1 (de) | 1999-01-21 |
Family
ID=7842973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19741426A Expired - Fee Related DE19741426C1 (de) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Schaltungsanordnung zur Datenspeicherung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6188636B1 (de) |
DE (1) | DE19741426C1 (de) |
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---|---|
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8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: MICRONAS MUNICH GMBH, 81541 MUENCHEN, DE |
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Effective date: 20140401 |