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DE19716674A1 - Halbleiter-Bauteil - Google Patents

Halbleiter-Bauteil

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DE19716674A1
DE19716674A1 DE1997116674 DE19716674A DE19716674A1 DE 19716674 A1 DE19716674 A1 DE 19716674A1 DE 1997116674 DE1997116674 DE 1997116674 DE 19716674 A DE19716674 A DE 19716674A DE 19716674 A1 DE19716674 A1 DE 19716674A1
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DE
Germany
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chips
semiconductor
housing
support plate
semiconductor component
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DE1997116674
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English (en)
Inventor
Stefan Schmauser
Xaver Schloegel
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Infineon Technologies AG
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
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Publication date
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Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauteil, insbesondere für Mehrfachschalter. In der Leistungselektronik werden heutzutage häufig Halbleiter-Bauteile eingesetzt, bei denen mehrere, d. h. zumindest zwei, Halbleiter-Bauelemente bzw. Halbleiter-Chips in einem Gehäuse angeordnet sind. Aufgrund der Technologie moderner Halbleiter-Bauelemente - es handelt sich hierbei in der Regel um MOS-Transistoren - ist es notwendig, daß eine elektrische Trennung der einzelnen Halbleiter-Chips vorgesehen ist.
Aus der US 5,019,893 ist ein derartiges Halbleiter-Bauteil bekannt, bei dem in einem Gehäuse zwei Trageplatten angeordnet sind, die elektrisch isoliert voneinander beabstandet sind. Auf jeder dieser Trageplatten ist ein Halbleiter-Chip angeordnet. Die Halbleiter-Chips sind aufgrund der isolierten Beabstandung der Trageplatten ebenfalls voneinander isoliert. Das Gehäuse umgibt die Trageplattenanordnung mit den Chips vollständig, so daß der Nachteil besteht, daß die insbesondere bei Leistungsbauelementen in erheblichem Maße anfallenden Wärme über das Gehäuse abgeführt werden muß.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiter-Bauteil vorzusehen, bei dem mit geringem Aufwand eine verbesserte Wärmeabfuhr gewährleistet ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst.
Es sind zumindest zwei Halbleiter-Chips vorgesehen, die jeweils auf voneinander getrennten Trageplatten angeordnet sind. Weiterhin ist ein Gehäuse vorgesehen, das eine Unterseite aufweist, die eine Seite der Trageplatte, die vom Halbleiterchip abgewandt ist, freiläßt. Auf diese Weise deckt das Gehäuse die Trageplatte auf der dem Halbleiter-Chip abgewandten Seite der Trageplatte nicht ab, so daß die vom Halbleiter-Chip erzeugte Wärme leicht über die Trageplatte abführbar ist.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
Fig. 1 zeigt im Querschnitt ein erfindungsgemäßes Halbleiter-Bau­ teil und
Fig. 2 zeigt als schematische Darstellung eine Draufsicht auf eine Leadframe-Halbleiter-Chipanordnung.
In Fig. 1 ist eine Trageplatte 2 dargestellt, auf der ein Halbleiter-Chip 1 angeordnet ist. Weiterhin ist ein Anschlußelement 5 vorgesehen, das auf gebogene Weise an den Halbleiter-Chip herangeführt ist. Zum Kontaktieren des Anschlußelements 5 und des Halbleiterchips 1 ist eine Bondverbindung 6 vorgesehen.
Weiterhin ist ein Gehäuse 3 vorgesehen, das die Trageplatte 2 mit dem Chip 1 einschließlich einem Teil des Anschlußelementes 5 mit der Bondverbindung abdeckt. Das Gehäuse 3 ist derart ausgebildet, daß es seitlich mit der Trageplatte 2 abschließt, diese jedoch auf der Unterseite, d. h. der vom Halbleiter-Chip 1 abgewandten Seite, nicht abdeckt.
Gemäß Fig. 2 ist eine Leadframe-Anordnung zu sehen, bei der ein oberes Band B ausgebildet ist, von dem die Trageplatten 2 abgehen. Weiterhin ist ein unteres Band U ausgebildet, das zur Trageplatte 2 benachbarte Anschlußelemente 5 verbindet, wobei zwischen jeweils zwei Anschlußelementen 5, die einer Trageplatte 2 zugeordnet sind, ein drittes Anschlußelement vorgesehen ist, das direkt mit der Trageplatte 1 verbunden ist.
Wie aus Fig. 2 weiterhin erkenntlich ist, wird zur Herstellung des Halbleiter-Bauteils auf jede Trageplatte 2 ein Halbleiter-Chip 1 aufgebracht, der sodann mittels Bondverbindungen 6 mit einem jeweils in die Nähe herangeführten Anschlußelement 5 verbunden ist. Das mit der Trageplatte 1 verbundene Anschlußelement dient zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiter-Chipseite, die mit der Trageplatte 1 verbunden ist. Nach dieser Vormontage, werden entsprechend der gewünschten Anzahl vormontierte Halbleiter-Chips von einem Gehäuse 3 mittels Preßmasse eingeschlossen, deren Außenränder in Fig. 2 mittels der gestrichelten Linie 4 angedeutet ist. Nachdem der Halbleiterchip vom Gehäuse umgeben ist, wird das obere Verbindungsband B von den Trageplatten 1 abgetrennt. Weiterhin werden die Verbindungen zwischen den Anschlußelementen 5, die durch das untere Band U gebildet sind, getrennt. Auf diese Weise entsteht ein Halbleiter-Bau­ teil, das voneinander elektrisch isolierte Anschlüsse aufweist, bei dem auch die Trageplatten 2 voneinander elektrisch isoliert sind. Wie aus Fig. 2 weiterhin zu sehen ist, werden ebenfalls die Räume zwischen den Trageplatten und über die Trageplatten seitlich hinausgehende Bereiche von der Preßmasse des Gehäuses 3 umgeben. Auf diese Weise entsteht eine Unterseite des Gehäuses 3, die sowohl mit den Trageplatten als auch mit den Anschlußelementen abschließt, wobei die der Chip zugewandten Seite gegenüberliegenden Seite der Trageplatte 2 nicht von der Preßmasse abgedeckt ist.
Auf diese Weise kann das Halbleiter-Bauteil mit seinem Gehäuse beispielsweise so montiert werden, daß auf der Unterseite des Halbleiter-Bauteiles über die einseitig freiliegende Trageplatte 2, die durch die Halbleiter-Chips im Betrieb erzeugte Wärme leicht abführbar ist.

Claims (4)

1. Halbleiter-Bauteil mit
- zumindest zwei Halbleiter-Chips (1), die jeweils auf voneinander getrennten Trageplatten (2) angeordnet sind und einem Gehäuse (3), dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (3) eine Unterseite aufweist, die eine Seite der Trageplatte (2), die vom Halbleiter-Chip (1) abgewandt ist, freiläßt.
2. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (3) aus Preßmasse hergestellt ist.
3. Halbleiter-Bauteil nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (3) an der Trageplatte (2) anliegt.
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