DE1085262B - Verfahren zur Herstellung von mit vakuumdichten Einschmelzungen versehenen Sinterkoerpern, die als Sockel fuer elektrische Anordnungen, insbesondere Halbleiteranordnungen dienen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von mit vakuumdichten Einschmelzungen versehenen Sinterkoerpern, die als Sockel fuer elektrische Anordnungen, insbesondere Halbleiteranordnungen dienenInfo
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mit vakuumdichten Einschmelzungen versehenen
Sinterkörpern, die als Sockel für elektrische Anordnungen dienen, bei dem ein schmelzbares, isolierendes
Material körniger Konsistenz um die in bestimmter gegenseitiger Lage in einer Preßform angeordneten
Zuleitungen verteilt und anschließend einem Preß- und Sinterverfahren unterworfen wird.
Die Herstellung derartiger Sinterkörper, die in sich und hinsichtlich der Einschmelzungen von metallischen
Zuführungsleitungen vakuumdicht abschließen, hat neuerdings insbesondere im Zusammenhang mit
der Entwicklung auf dem Halbleitergebiet, insbesondere mit der Transistorherstellung, erhöhte Bedeutung
gewonnen. Wegen der Feuchtigkeits- und Verunreinigungsempfindlichkeit von Halbleiteranordnungen ist
es erwünscht, sie in vakuumdichtschließenden Umhüllungen unterzubringen. Gebräuchliche Ausführungsformen derartiger Umhüllungen weisen einen an einem
Ende offenen becherförmigen Metallmantel auf, welcher die Halbleiteranordnung teilweise umschließt
und an seiner offenen Seite mit einem geeigneten Abschlußteil, beispielsweise einem Sockel, welcher einen
isolierenden Kern aus gesintertem, keramischem oder sonstigem Material aufweist, verschlossen ist. Durch
diesen isolierenden Kern müssen die elektrischen Zuleitungen zu der im Inneren befindlichen Halbleiteranordnung
vakuumdichtschließend hindurchgeführt werden. Üblicherweise ist der Sockel in der Weise
ausgeführt, daß der erwähnte Sinterkörper von einem metallischen Bund umgeben ist, der mit dem Sinterkörper
vakuumdicht schließt und gleichzeitig eine einfache Verbindung mit dem becherförmigen Metallmantel
gestattet.
Bei der Herstellung derartiger Sockel mit Bund und Sinterkörper besteht einmal die Aufgabe, genau
die erforderliche Menge des für die Herstellung des Sinterkörpers verwendeten isolierenden, schmelzbaren
Materials vorzusehen. Ist die verwendete Menge zu groß, kann es vorkommen, daß das Material beim
Sintern über den Rand bzw. den Umfangsflansch des Bundes hinausfließt, wodurch der vakuumdichte Abschluß
mit der Metallumhüllung erschwert oder verhindert wird; bei Verwendung einer zu geringen
Menge des Schmelzmaterials ergibt sich eine unzureichende mechanische Festigkeit, welche ebenfalls die
Dichtigkeit des Abschlusses beeinträchtigen kann.
Ein weiteres Problem bei der Herstellung derartiger Sinterkörper ist die Aufrechterhaltung der für
die Zuleitungen vorgeschriebenen richtigen Lage während des gesamten Herstellungsverfahrens.
Ein weiteres Problem besteht hinsichtlich der Erzielung eines wirklich vakuumdichten Abschlusses
zwischen dem Sinterkörper und den eingeschmolzenen Verfahren zur Herstellung
von mit vakuumdichten Einschmelzungen versehenen Sinterkörpern, die als Sockel
von mit vakuumdichten Einschmelzungen versehenen Sinterkörpern, die als Sockel
für elektrische Anordnungen,
insbesondere Halbleiteranordnungen
dienen
Anmelder:
Philco Corporation,
Philadelphia, Pa. (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. C. Wallach, Patentanwalt,
München 2, Kaufingerstr. 8
München 2, Kaufingerstr. 8
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 24. April 1957
V. St. v. Amerika vom 24. April 1957
Henry Paul Beerman, Skokie, 111.,
und Ford Kenyon Clarke, Chalfonte, Pa. (V. St. A.),
sind als Erfinder genannt worden
Zuleitungen sowie gegebenenfalls zwischen dem Sinterkörper und dem diesen umgebenden metallischen
Bund.
Es sind Verfahren, zur Herstellung derartiger mit vakuumdichten Einschmelzungen versehener Sinterkörper,
die als Sockel für elektrische Anordnungen verwendbar sind, bekannt, bei welchen ein schmelzbares,
isolierendes Material körniger Konsistenz, wie beispielsweise Glaspulver, um die in bestimmter
gegenseitiger Lage in einer Preßform angeordneten Zuleitungen verteilt und anschließend einem Preß-
und Sinterverfahren unterworfen wird.
Es ist ein Verfahren dieser Art bekannt, bei dem das körnige Material ohne Bindesubstanz vor dem
Sintern im kalten Zustand unter Aufrechterhaltung der vorbestimmten Lage der Zuleitungen hinreichend
stark gepreßt und anschließend unter Druck gesintert wird.
Es ist ferner ein ähnliches Verfahren bekannt, welches
sich von dem vorerwähnten dadurch unterscheidet, daß das körnige Material mit einer Bindesubstanz
vor dem Sintern im kalten Zustand stark gepreßt und anschließend druckfrei gesintert wird.
Schließlich ist auch ein Verfahren dieser Art zur Herstellung von mit vakuumdichten Einschmelzungen
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3 4
versehenen Sinterkörpern bekannt, bei dem die Sinte- Herstellungsverfahrens wiedergibt, wobei der Schnitt
rung ohne zusätzlichen Druck und ohne Bindesubstanz in einer die Längsachse der Vorrichtung enthaltenden
erfolgt. Ebene geführt ist,
Bei all diesen bekannten Verfahren besteht eine Fig. 4 den Preßvorgang während des Herstellungs-Schwierigkeit
darin, die richtige Lage der Zuleitun- 5 Verfahrens,
gen innerhalb des Sinterkerns während des Herstel- Fig. 5 den selbsttragenden, mechanisch zusammen-
lungsverfahrens zu gewährleisten. Hierzu war es bis- gefügten Sockel vor dem Brennen oder dichten Ab-
her erforderlich, die gewünschte Lage der Zuleitungen schließen.
während des gesamten Herstellungsverfahrens, insbe- Das vorliegende Herstellungsverfahren kann so
sondere auch während des Sinterverfahrens, durch io ausgeführt werden, daß ein Gemisch von Materialien
besondere äußere Einrichtvorrichtungen in Gestalt mit verschiedenen Schmelzpunkten mit wenigstens
von Lehren od. dgl. aufrechtzuerhalten. Dies führt ins- einem verfiüssigbaren Bestandteil in körniger Form,
besondere bei denjenigen Verfahren, bei welchen die beispielsweise Glaspulver, um in einer bestimmten
Sinterung unter Druck bzw. mit einer Pressung er- gegenseitigen Lage in einer Preßform angeordnete
folgt, zu Schwierigkeiten; aber auch bei den Verfah- 15 Zuleitungen zusammengepreßt wird, wobei durch die
ren mit Sinterung ohne Preßdruck stellt die Notwen- mechanische Zusammenfügung der Teilchen eine hin-
digkeit, äußere Lehren zur Aufrechterhaltung der reichend innige Berührung zwischen den Zuleitungen
richtigen Lage der Zuleitungen zu verwenden, einen und dem Kernmaterial erzielt wird.
erheblichen Nachteil dar. Insbesondere gilt dies bei Es wird darauf hingewiesen, daß der im folgenden
der Herstellung von Sinterkörpern für Sockel von 20 gebrauchten Bezeichnung »Glas« eine breite Bedeu-
Halbleiteranordnungen wegen der häufig äußerst klei- tung zukommt; sie schließt Gläser, Fritten, Glasuren
nen Abmessungen und der damit verbundenen engen und andere Materialien ähnlicher Art ein.
Toleranzen. Diese kalt gepreßten Einheiten werden sodann in
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Ver- einen Ofen gebracht und auf eine zwischen den
fahren zu schaffen, bei dem die genannten Nachteile 25 Schmelzpunkten der den Abschluß bildenden Stoffe
der bekannten Verfahren vermieden werden und das liegende Temperatur erhitzt, wobei die Bezeichnung
besonders zur Verwendung bei der Herstellung von Schmelzpunkt in bezug auf Glas durch den Bereich
Halbleiteranordnungen, d. h. bei hohen Anforderun- der Temperatur gegeben ist, in welchem üblicherweise
gen an die Genauigkeit und an den Reinheitsgrad bei Dichtungsabschlüsse ausgeführt werden. Durch die
geringen Abmessungen der Gesamtanordnung geeig- 30 Anwendung einer zwischen den Schmelzpunkten der
net ist und andererseits eine für fabrikatorische An- weiteren Bestandteile liegenden Brenntemperatur
wendung im großen Maßstab geeignete Einfachheit werden die Zuleitungsdrähte mit dem niedrigeraufweist,
schmelzenden Bestandteil des Kerns hermetisch ab-
Zu diesem Zweck wird das Verfahren der eingangs schließend verbunden, während das Material mit
genannten Art gemäß der Erfindung so ausgeführt, 35 höherem Schmelzpunkt in Form einzelner, miteindaß
zur Herstellung des Sinterkerns ein Gemisch von ander und mit den Zuleitungen durch den zement-Materialien
mit verschiedenen Schmelzpunkten mit artig gesinterten Kern verbundener Teilchen zurückwenigstens
einem verflüssigbaren Bestandteil verwen- bleibt, wobei dieses Konglomerat zur Erhaltung der
det wird und daß dieses Gemisch beim Sintern auf für die richtige Drahthalterung während der Abdichteine
oberhalb des Schmelzpunktes des verflüssigbaren 40 phase erwünschten mechanischen Starre dient. Diese
Bestandteils, jedoch unterhalb der Schmelzpunkte der Regelung des Flüssigkeitsgrades der zusammenübrigen
Bestandteile liegende Temperatur erhitzt gesetzten Masse durch geeignete Bemessung des Anwird,
teiles hoch- und niedrigschmelzender Bestandteile ge-
Durch diese Maßnahme werden die mit der Auf- stattet ein einfaches Verfahren zur richtigen Halterung
rechterhaltung der richtigen Lage der Zuleitungen bei 45 der Zuleitungen während des Abdichtens und erübrigt
den bisher bekannten Verfahren verbundenen Schwie- somit die Notwendigkeit äußerer Einrichtmittel für
rigkeiten vermieden. Es bildet sich dann nämlich wäh- die Zuleitungen.
rend des Sinterns eine Dispersion in dem somit nur Das richtige Gemisch, d. h. der jeweils zum Erhalt
teilweise verflüssigten Sinterkern, der dadurch eine der erforderlichen hermetischen Abdichtung und der
zur selbsttätigen Aufrechterhaltung der richtigen 50 zur Leitungshalterung erforderlichen mechanischen
Lage der Zuleitungen ausreichende mechanische Starre geeignete Prozentgehalt der einzelnen Stoffe,
Eigenstarre auch während des Sinterns behält. kann in jedem einzelnen Fall experimentell leicht be-
Nach einer besonders vorteilhaften Ausführungs- stimmt werden.
form der Erfindung ist vorgesehen, daß zur Herstel- Insbesondere muß das den Kern bildende Gemisch
lung des Sinterkerns ein homogenes Gemisch von 55 den richtigen Anteil an hitzebeständigen und an
Glaspulvern mit verschiedenen Schmelzpunkten ver- niedrigschmelzenden Materialien aufweisen, damit
wendet wird, welches bei dem anschließenden Sinter- während des Abdichtverfahrene ein festflüssiger Kom-
prozeß auf eine zwischen den Schmelzpunkten der plex gebildet wird, der hinreichend viskos ist, um die
verschiedenen Bestandteile liegende Temperatur er- zur Aufrechterhaltung der vorgeschriebenen gegen-
hitzt wird. 60 seitigen Lage der Zuleitungen während des Brennens
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung erforderliche mechanische Starre aufzuweisen, wäh-
ergeben sich aus der Beschreibung des Ausführungs- rend er zum anderen gleichzeitig eine brauchbare her-
beispiels an Hand der Zeichnung; in dieser zeigt metische Abdichtung gestattet.
Fig. 1 in Ansicht eine Halbleiteranordnung, die In Fig. 1 ist ein hermetisch abgeschlossener Transi-
eine Ausführungsform der Erfindung verkörpert, wo- 65 stör 10 dargestellt. Diese Ausführung weist eine den
bei Teile weggebrochen sind, Transistor 12 umhüllende becherförmige Metallhülse
Fig. 2 eine bei der Herstellung dieser aus einem 11 sowie einen nach dem vorliegenden Verfahren her-
Stück bestehenden Sockel dienende Vorrichtung in gestellten Sockel 13 auf, wobei die beiden Teile ent-
auseinandergenommenem Zustand, lang der Verbindungsflächen ihrer Umfangsflansche
Fig. 3 einen Querschnitt, der die Anfangsphase des yu 14 und 15 hermetisch abgeschlossen werden.
In Fig. 2 ist mit 19 eine Preßform bezeichnet, welche einen Hohlraum 20 aufweist, in dessen Boden
öffnungen 21 in geeigneter Anordnung vorgesehen sind, welche die Leitungen 18 aufnehmen und in
ihrer richtigen Lage halten. Der Hohlraum 20 ist von solcher Tiefe, daß der Bund 16 beim Einsetzen in
diesen Hohlraum auf dessen Boden 22 auf ruht, während die Unterseite des RandHansches 15 des Bundes
gerade gegen die Oberseite des Würfels 19 zum Anliegen kommt. ίο
Der Anfangsschritt des Herstellungsprozesses besteht lediglich darin, daß geeignete Leitungen, beispielsweise
die mit 18 bezeichneten Zuleitungen von etwa 0,4 mm Stärke, sowie der Stahlbund 16 in die
sie jeweils aufnehmenden öffnungen eingeführt werden. Wenn diese Teile ihre Lage, wie in Fig. 3 gezeigt,
einnehmen, wird im darauffolgenden Verfahrensschritt der Hohlraum 20 mit einer pulverförmigen
Glasmischung 23 gefüllt. Eine bevorzugte Zusammensetzung dieser Mischung bei dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel enthält 15 bis 20 Gewichtsprozent einer pulverförmigen Glasfritte mit
niedrigem Schmelzpunkt, die bei einer Temperatur im Bereich von 600 bis 650° C einen dichten Abschluß
liefert. Ansonsten enthält die Mischung noch eine hitzebeständigere Fritte, die bei Temperaturen
zwischen 800 und 825° C normalerweise einen dichten Abschluß ergibt.
Diese Mischung aus Glaspulver oder Fritten wird sodann mit Hilfe des in geeigneter Weise mit OfF-nungen
versehenen Zylinders 24 zusammengepreßt, der mittels hydraulischer oder sonstiger Vorrichtungen
unter Druck mit der Mischung in Berührung gebracht wird, wobei die öffnungen 25 in dem
Druckzylinder 24 so gerichtet und angeordnet sind, daß sie mit den in dem Würfel bzw. der Form 22 vorgesehenen
Leitungsführungen so zusammenpassen, daß die richtige Lage der Leitungen während dem
Zusammenpressen der Mischung erhalten bleibt, wie dies in Fig. 4 gezeigt ist.
Der vorzugsweise aus etwa 0,25-mm-Material gearbeitete
Bund 16 hat einen Innendurchmesser von etwa 3,8 mm. Es wurde festgestellt, daß eine mittels
des Zylinders 24, der in dem Bund 16 gleiten kann, auf das Gemisch ausgeübte Kraft von etwa 1360 kg
eine hinreichende mechanische Verbindung der Teilchen hervorruft, um die Zuleitungen während der folgenden
Schritte des Herstellungsverfahrens in der erforderlichen Lage zu halten, und daß der Druck
eine innige Berührung zwischen den Zuleitungen und dem Kern gewährleistet, so daß ein ausreichend
dichter Abschluß beim darauffolgenden Brennen erzielt wird. Darüber hinaus dient diese durch Druck
hervorgerufene mechanische Verbindung der Teilchen dazu, das schmelzbare Kernmaterial in dem
Bund so zu befestigen, daß das aus Bund und zusammengepreßtem Kern bestehende Ganze nach
dem Herausnehmen aus der Form ein selbsttragendes, gut zusammengefügtes Gebilde darstellt. Diese kalt
gepreßten Sockel nach Art von Fig. 5 werden hierauf in einem elektrischen Ofen oder mit einer sonstigen
Vorrichtung auf eine Temperatur von ewa 765° C erhitzt, wobei mit dieser Temperatur recht zufriedenstellende
Ergebnisse erzielt wurden. Diese Brenntemperatur ist jedoch nicht kritisch, sondern liegt
zwischen den Temperaturen, bei welcher einer der Glasbestandteile schmelzen würde, wenn er allein
verwendet würde, so daß ein Kern entsteht, in welchem die niedrigschmelzende Fritte als die glasige
Phase dient, welche sich mit dem homogen verteilten hitzebeständigen Material zur Bildung einer fest
gefügten Masse vereinigt, während die nicht gesinterten Teilchen des Kerns dazu dienen, die Festigkeit
des zusammengesetzten Gemisches so weit zu erhöhen, daß die Mater allen während des Abdichtverfahrens
auftretenden Verzerrungskräften standhält und so die Aufrechterhaltung der gewünschten Lage der Zuleitungen
stets gewährleistet.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung von mit vakuumdichten Einschmelzungen versehenen Sinterkörpern,
die als Sockel für elektrische Anordnungen, insbesondere Halbleiteranordnungen, dienen, bei dem ein schmelzbares, isolierendes
Material körniger Konsistenz um die in bestimmter gegenseitiger Lage in einer Preßform angeordneten
Zuleitungen verteilt und anschließend einem Preß- und Sinterverfahren unterworfen wird, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Herstellung des Sinterkerns ein Gemisch von Materialien mit verschiedenen
Schmelzpunkten mit wenigstens einem verflüssigbaren Bestandteil verwendet wird und
daß dieses Gemisch beim Sintern auf eine oberhalb des Schmelzpunktes des verflüssigbaren Bestandteils,
jedoch unterhalb der Schmelzpunkte der übrigen Bestandteile liegende Temperatur erhitzt
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung des Sinterkerns ein
homogenes Gemisch von Glaspulvern mit verschiedenen Schmelzpunkten verwendet wird, welches
bei dem anschließenden Sinterprozeß auf eine zwischen den Schmelzpunkten der verschiedenen
Bestandteile liegende Temperatur erhitzt wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestandteile
des Gemisches mit verschiedenen Schmelzpunkten in solchem Verhältnis gewählt werden,
daß der Kern bei dem nachfolgenden Sinterprozeß eine Dispersion nicht gesinterter Teilchen in dem
teilweise verflüssigten Gemisch bildet, derart, daß der Kern während des Sinterns eine zur Aufrechterhaltung
der richtigen gegenseitigen Lage der Zuleitungen hinreichende mechanische Starre aufweist
und daß gleichzeitig eine hermetisch dichte Verbindung der Zuleitungen mit dem Sinterkern
erzielt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch
von Stoffen mit verschiedenen Schmelzpunkten vor dem Sintern zu einer selbsttragenden, festgefügten
Masse gepreßt wird, welche die Lage der . darin angeordneten Zuleitungen aufrechterhält.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterkern
in einem metallischen Bund von im wesentlichen zylindrischer Gestalt hergestellt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1764699;
schweizerische Patentschriften Nr. 222 880, 242035.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1239020B (de) * | 1960-12-15 | 1967-04-20 | Corning Glass Works | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit Zufuehrungsleitungen, die mitdem Gehaeuse dicht verschmolzen sind |
DE1254255B (de) * | 1961-10-27 | 1967-11-16 | Westinghouse Electric Corp | Pulverpress- und Sinterverfahren zur Herstellung metallischer Elektrodenzuleitungen fuer Halbleiterbauelemente |
DE1255204B (de) * | 1961-08-18 | 1967-11-30 | Corning Glass Works | Verfahren zur Herstellung von vakuumdichten Einschmelzungen in sockelfoermigen Sinterkoerpern fuer elektronische Bauelemente |
DE1639574B1 (de) * | 1961-07-27 | 1969-09-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Vorrichtung zum Verkapseln eines Halbleiterelements unter Schutzgas |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3088299A (en) * | 1960-07-14 | 1963-05-07 | Philco Corp | Method of making glass to metal seal |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH222880A (de) * | 1940-03-27 | 1942-08-15 | Philips Nv | Vorrichtung mit einer vakuum- und gasdichten Einschmelzung und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung. |
CH242035A (de) * | 1944-04-04 | 1946-04-15 | Patelhold Patentverwertung | Verfahren zur Herstellung von Sinterglaskörpern. |
DE1764699U (de) * | 1955-02-04 | 1958-04-10 | Siemens Ag | Richtleiter- oder transistoranordnung. |
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- 1958-04-24 GB GB13022/58A patent/GB863022A/en not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH222880A (de) * | 1940-03-27 | 1942-08-15 | Philips Nv | Vorrichtung mit einer vakuum- und gasdichten Einschmelzung und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung. |
CH242035A (de) * | 1944-04-04 | 1946-04-15 | Patelhold Patentverwertung | Verfahren zur Herstellung von Sinterglaskörpern. |
DE1764699U (de) * | 1955-02-04 | 1958-04-10 | Siemens Ag | Richtleiter- oder transistoranordnung. |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1239020B (de) * | 1960-12-15 | 1967-04-20 | Corning Glass Works | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit Zufuehrungsleitungen, die mitdem Gehaeuse dicht verschmolzen sind |
DE1639574B1 (de) * | 1961-07-27 | 1969-09-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Vorrichtung zum Verkapseln eines Halbleiterelements unter Schutzgas |
DE1255204B (de) * | 1961-08-18 | 1967-11-30 | Corning Glass Works | Verfahren zur Herstellung von vakuumdichten Einschmelzungen in sockelfoermigen Sinterkoerpern fuer elektronische Bauelemente |
DE1254255B (de) * | 1961-10-27 | 1967-11-16 | Westinghouse Electric Corp | Pulverpress- und Sinterverfahren zur Herstellung metallischer Elektrodenzuleitungen fuer Halbleiterbauelemente |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1198796A (fr) | 1959-12-09 |
GB863022A (en) | 1961-03-15 |
BE566982A (de) |
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