DE1149827B - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens - Google Patents

Description

DEUTSCHES

PATENTAMT

W 26432 Vmc/21g

ANMELDETAG: 23. SEPTEMBER 1959

BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABE DER AUSLEGESCHRIFT: 6. JUNI 1963

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Gehäuse aus einem becherförmigen Teil, auf dessen Boden das Halbleiterelement mit der einen Elektrode befestigt ist, und einem die Öffnung des Gehäuses abschließenden Deckel, durch welchen ein starrer Anschlußbolzen von der anderen Elektrode des Halbleiterelements bis zu der durch ihn gebildeten äußeren elektrischen Anschlußstelle herausgeführt ist, sowie auf eine Vorrichtung zur zweckmäßigen Durchführung eines solchen Verfahrens.

Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines verbesserten Verfahrens zur Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung, welches eine relativ einfache und schnelle gegenseitige mechanische Verbindung der an der Bildung des Kammerraumes für den Einschluß des Halbleiterelementes beteiligten Aufbauelemente ermöglicht, für eine automatisch technische Fertigung geeignet ist, und welches eine Halbleiteranordnung als Erzeugnis herzustellen gestattet, welches bei einer mechanischen Beanspruchung nur in geringem Maße durch Brucherscheinungen in seiner Betriebstüchtigkeit gefährdet werden kann.

Zur Erreichung dieses Zieles wird bei der Herstellung einer solchen eingangs angeführten Halbleiteranordnung nach dem Verfahren gemäß der Erfindung der Deckel formschlüssig in je einem Sitz an der äußeren Mantelfläche des Anschlußbolzens und an der inneren Mantelfläche der Becherform jeweils unmittelbar durch eine Verformung dieser Körper festgespannt.

Um eine hermetische Abdichtung des das Halbleiterelement enthaltenden Kammerraumes zu sichern, können der mit dem Anschlußbolzen und der Becherform als Dichtungskörper zusammengespannte Deckel und deren gegenseitige Verbindungsstellen mit einem zusätzlich auf sie aufgebrachten Überzug versehen werden.

Durch eine solche neuartige Bauform wird vor allem erreicht, daß, nachdem der Anschlußbolzen in die Kammer eingeführt worden ist und der Deckel auf den Tragflächen der beiden Teile, Anschlußbolzen und becherförmigen Gehäuseteil, zur Auflage gebracht ist sowie anschließend die Festspannung dieses Deckels durch die integrierenden Klemmglieder an dem Anschlußbolzen bzw. becherförmigen Gehäuseteil vorgenommen worden ist, alle drei Glieder zusammen ein die Kammer bildendes starres System ergeben, welches lediglich durch einen zusätzlichen Überzug des Deckels und der Klemmglieder mit zusätzlichem Dichtungsmaterial dann ein herme-Verfahren zum Herstellen

einer Halbleiteranordnung

und Vorrichtung zur Durchführung

dieses Verfahrens

Anmelder:

Westinghouse Electric Corporation,
East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)

Vertreter: Dr.-Ing. P. Ohrt, Patentanwalt,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 25. September 1958 (Nr. 763 245)

Howard A. Wagner, Irwin, Pa. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden

tisch dicht nach außen abgeschlossenes Kammersystem darstellt.

Für den Aufbau eines Gehäuses an einem Elektrolytkondensator war ein Deckel bekannt, in welchem eine äußere Scheibe aus Gummi und eine innere Scheibe aus Isoliermaterial mit einer Lötfahne mittels eines durch zentrale Bohrungen dieser Teile hindurchgeführten metallischen Hohlnietes zusammengespannt wurden. Durch diesen Hohlniet und den Flansch einer innen an dem Deckel liegenden, mit dem Kondensatorwickel verbundenen Anschlußleitung war ein massiver Niet aus Aluminium hindurchgeführt. Der Rand des Deckels wurde auf eine Schulter an der Innenmantelfläche des zylindrischen Gehäuses aufgesetzt und der Rand dieses Gehäuses um den Rand des Deckels herumgepreßt.

Es war weiterhin bei Elektrolytkondensatoren bekannt, einen Anschlußbolzen durch einen metallischen Deckel hindurchzuführen, wobei auf diesem Anschlußbolzen offenbar auf jeder Seite dieser Deckelplatte ein besonderer Hülsenteil vorgesehen war, so daß diese beiden Hülsenteile nach Art von Flanschen diese Deckelplatte zwischen sich einspannen sollten. Auf dem im Gehäuse liegenden Teil dieses Bolzens und einer diesen umschließenden Zone der inneren Fläche des Deckels war die poröse Tan-

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talmasse des Elektrolytkondensators getragen. Der Aufbau einer zweckmäßig für die Durchführung desRand des metallischen Deckels wurde, nachdem die selben benutzten Vorrichtung ergeben werden, wird genannten Teile mit ihm vereinigt worden waren, auf nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug geden auf einer Schulter des becherförmigen Gehäuses nommen. Soweit in den verschiedenen Figuren liegenden inneren Dichtungsring aufgelegt, auf diesen 5 gleichartige Teile vorhanden sind, sind diese unmittel-Deckelrand ein äußerer Dichtungsring sowie ein bar mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Metallring aufgelegt und dann ein Randteil des Ge- Fig. 1 ist eine teilweise Schnittansicht eines Aus-

häuses nach innen eingerollt, um zwischen diesem führungsbeispiels der Erfindung; eingerollten Teil und der genannten Schulter des Fig. 2 ist eine teilweise Schnittansicht eines

becherförmigen Gehäuses als Abstützglieder die io anderen Ausführungsbeispiels; Dichtungsringe und zwischen diesen den Rand des pig. 3 j_{st e}ine teilweise Schnittansicht der Glieder

metallischen Deckels festzuspannen. der Form, welche in einem Fertigungsschritt während

Bei Spitzentransistoren war es bekannt, in einen des Herstellungsprozesses gemäß der Erfindung behohkyhnderförmigen Gehäuseteil, z. B. aus Keramik, nutzt wird.

kolbenartige Teile bis zu einer gewissen Entfernung i_S J_n pig. 1 ist eine Umhüllung 11 gezeigt, welche ihrer äußeren Kolbenfläche von dem freien Rand des _emen B_asj_s_ _od_er Grundplattenteil 13 und einen Hohlzylinders einzuführen, wobei durch diese kolben- Wandteil 15 aufweist. Der Wandteü 15 ist mit einer artigen Teile Bolzen bzw. Anschlußdrähte hindurch- Tragfläche 17 und einem klemmenden Teil 19 vergeführt waren, von denen der eine Bolzen Träger des gehen. Eine Halbleitervorrichtung 21, welche eine Kristallkörpers und der andere Träger der Spitzen- _ao Diode darstellt, ist in innigem Kontakt mit der kontakteinrichtung war. Die äußere Fläche jedes in inneren Oberfläche des Grundplattenteiles 13 ander Hülse eingepreßten kolbenartigen Teiles sowie geordnet. In einigen Fällen kann es wünschenswert ein Teil am Ende des Hülsenkörpers bildete somit _sei[lj eine dünne Isolierscheibe, welche nicht besoneine Becherform, welche zum Zwecke der Abdich- ders dargestellt ist, rund um die Halbleitervorrichtung des Gehäuses mit emem Bindemittel auf der _{25 tung 2}1 vorzusehen, um zu sichern, daß die Vorrich-Basis von Polyäthoxylin gefüllt wurde. _tung ni_{cht durch} Kurzschluß ausfällt. Ein Anschluß-

Es war auch bekannt, bei einer Transistoranord- bolzen 23, welcher elektrisch mit einer äußeren nung, zwei becherförmige Gehäuseteile zu benutzen, Schaltung verbunden sein kann, ist teilweise innerderen Bodenteile aus Isoliermaterial bestanden und halb eines Hohlraumes 20 angeordnet, welcher durch als elektrisch isolierende Durchführung eines mas- ₃₀ das Grundplattenglied 13 und den Wandteil 15 des siven elektrischen Anschlußleiters dienten, welcher Umhüllungsgliedes 11 gebildet wird, und ist im Abunmittelbar über seine Endfläche oder über von _stand von dem Wandteil 15 gehalten. Der Anschlußdieser getragene Federkontakte sich gegen die am bolzen 23 ist mit einer Tragfläche 25, einer Kontakt-Halbleiterkörper vorhandenen Elektroden abstützte. oberfläche 27 und einem klemmenden Glied 28 ver-Dabei war dieses Halbleiterelement von einem ring- _{35 se}h_en. Die Kontaktoberfläche 27 des Anschlußbolzens scheibenförmigen Körper auf dessen innerer Rand- 23 ist mittels einer Kontaktfeder 30 mit einer der zone getragen, und dieser Ringscheibenkörper war Elektroden der Halbleitervorrichtung 21 verbunden, mit seinem äußeren Rand zwischen Flanschen der Dj_e Kontaktoberfläche 27, die Kontaktfeder 30 und beiden Gehäuseteile oder dem Flansch eines der Ge- die Oberflächen der Halbleitervorrichtungen 21, häuseteile und einer Schulter des anderen Gehäuse- ₄₀ welche mit der Kontaktfeder 30 und dem Grundteiles dadurch festgespannt, daß ein Randteil des pkttenglied 13 in Kontakt sind, können verzinnt sein, letzteren Gehäuseteiles um den Rand des Flansch- _um einen besseren elektrischen Kontakt zu schaffen, teiles des anderen Gehäuseteiles herumgepreßt wurde. Obgleich die Kontaktfeder 30 nur in einer Form ver-Weiterhin war eine Halbleiteranordnung bekannt, anschaulicht ist, so kann sie doch irgendeine gebei welcher in einen becherförmigen, mit Flüssigkeit 45 wünschte Form haben, durch welche ein elektrischer gefüllten und in seinem Boden mit einem dicht ein- Kontakt zwischen dem Anschlußbolzen 23 und einer gesetzten elektrischen Anschlußkörper versehenen Oberfläche der Halbleitervorrichtung 21 vorgesehen Gehäuseteil ein napfförmiger Teil eingesetzt und an wird. Es kann auch in einigen Fällen wünschenswert seinem Rand mit der Innenmantelfläche des geann- sein, ein Lot an den Verbindungsstellen auften becherförmigen Gehäuseteils verlötet wurde. Der 50 zubringen, welche zwischen der Kontaktoberfläche 27 napfförmige Teil betrug an seiner inneren Boden- des Anschlußbolzens 23 und der Halbleitervorrichfläche das elektrische Halbleiterelement mit einem tung 21 sowie zwischen der Halbleitervorrichtung 21 starren Anschlußbolzen, der aus der Napfform her- und dem Grundplattenglied 13 hergestellt werden, ausragte. Auf den Bolzen war eine Isolierstoffring- Eine elektrisch isolierende Dichtung 29 ist zwi-

scheibe aufgeschoben, die mit ihrem Rand an der 55 _schen dem Wandteil 15 des Umhüllungsgliedes 11 Innenseite der Napfform anlag, um zu verhindern, und des Anschlußbolzens 23 angeordnet, so daß sie daß beim Ausgießen des Zwischenraumes zwischen auf den Tragoberflächen 17 und 25 des Wandteiles dem Anschlußbolzen und der Wand des Napfes mit 15 bzw. des Anschlußbolzens 23 ruht. Die Dichtung einer Vergußmasse aus erhärtendem Kunststoff die 29 ist starr in ihrer Lage mittels der klemmenden noch flüssige, jedoch rasch erhärtende Vergußmasse 60 Glieder 19 und 28 gehalten, welche integrierend mit bis zu dem Halbleiterkörper des Halbleiterelementes dem Wandteil 15 bzw. dem Anschlußbolzen 23 sind, und den an diesem vorhandenen Elektroden vor- Eine Lage 31 aus Isoliermaterial bedeckt die klemdringen konnte. menden Glieder 19 und 28 und die Dichtung 29, um

Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand eine hermetisch abgedichtete Kammer 20 zu schaffen, einiger Ausführungsbeispiele, in deren Verlauf sich 65 Die Dichtung 29 kann aus einem geeigneten isolierennoch weitere vorteilhaft in Verbindung mit dem den Material, wie einem lamellierten plastischen grundsätzlichen Verfahren nach der Erfindung be- Material bestehen, z. B. aus durch Glas verstärktem nutzbare Einzelmerkmale und der grundsätzliche Kunstharz, oder es kann aus einem keramischen

Material, wie Glas, bestehen. Der Überzug 31, welcher auf die Dichtung 29 und die klemmenden Glieder 19 und 28 aufgebracht ist, kann ein geeignetes Isoliermaterial sein, wie z. B. ein Siloxan- oder ein Epoxydkunstharz sein. In einigen Fällen kann es auch erwünscht sein, Glas als Überzug 31 zu benutzen. Ein geeignetes Glasmaterial kann aus einem pulverigen Glas hergestellt werden. Natürlich hängt die Art des Isoliermaterials, welches als Dichtungs-

worfen werden wird. Wenn z. B. die Vorrichtung hohen Temperaturen unterworfen werden soll, sollte ein Material benutzt werden, welches bei diesen Temperaturwerten nicht zerstört werden wird.

Fig. 2 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, in welchem der Wandteil 15 des Umhüllungsgliedes 11 mit einem simsförmigen Tragteil 41 an der inneren Oberfläche versehen ist. Der An-

die klemmenden Glieder 19 und 28 über die Dichtung 29, um diese Dichtung 29 starr in der Lage zu halten. Die Formenglieder 51 und 53 können in der Stellung, wie sie in Fig. 3 gezeigt ist, benutzt werden, um gleichzeitig das Wandteilklemmglied und das Anschlußklemmglied 28 zu verformen, oder sie können einzeln benutzt werden, um zuerst eines der Klemmglieder und dann das andere zu verformen. Das Formenglied 51, welches benutzt wird, um das An-

material benutzt wird, ab von den Bedingungen, io schlußklemmglied 28 zu verformen, ist mit einem welchen die Vorrichtung bei ihrer Benutzung unter- schneidenden Rand 55 versehen, so daß ein Teil des

Anschlußbolzens 23 von dem Hauptkörper desselben weggeschert und über die Dichtung 29 verformt werden kann, um einen klemmenden Teil zu schaffen. 15 Der Anschlußbolzen 23 kann maschinell so bearbeitet werden, daß nur eine Biegekraft und nicht eine scherende Kraft erforderlich sein würde, um das Klemmglied 28 über die Dichtung zu verformen. Das Formenglied 53, welches benutzt wird, um das Wandschlußbolzen 23 ist auch mit einem simsförmigen 20 klemmglied 19 zu verformen, ist mit Verformungs-Tragteil 43 versehen, welcher im wesentlichen mit teilen 57 versehen, welche unter Druck die Verfordem Simsteil 41 des Wandteiles 15 in der gleichen mung des Wandklemmgliedes 19 über die Dichtung Ebene liegt, wenn der Anschlußbolzen 23 in die 29 bewirken. Eine Schicht 31 aus Dichtungsmaterial Kammer 20 eingeführt ist, welche durch den Grund- wird dann auf die Klemmglieder 19 und 28 sowie plattenteil 13 und den Wandteil 15 des Umhüllungs- 25 die Dichtung 29 aufgebracht, um eine hermetisch abgliedes 11 gebildet wird. Eine geeignete Dichtung 29 gedichtete Vorrichtung zu schaffen, wird, wenn sie in ihrer eigentlichen Lage ist, auf den Wenn erwünscht, kann die Dichtung 29 an dem

Simsteilen 43 und 41 des Anschlußbolzens 23 bzw. Anschlußbolzen 23 befestigt werden, bevor der Andes Wandteiles 15 ruhen. In einigen Fällen kann es schlußbolzen 23 in die Kammer 20 eingeführt wird, wünschenswert sein, eine dünne Isolierscheibe, 30 Wenn diesem Verfahren gefolgt wird, so wird die welche jedoch nicht besonders gezeigt ist, zwischen Dichtung 29 auf dem Anschlußbolzen 23 in seine der Dichtung 29 und den Simsteilen 41 und 43 ein- . Lage gebracht, so daß es auf der Tragfläche 25 ruht, zufügen, um auf diese Weise das Dichtungsmaterial Das Formenglied 51 wird dann in eine Lage konzen-31 an einer Beeinflussung der Halbleitervorrichtung irisch zu dem Anschlußbolzen 23 gebracht, und das 21 zu hindern. Die Dichtung 29 ist in ihrer Lage 35 Anschlußklemmglied 28 wird verformt, um die Dichdurch die klemmenden Glieder 19 und 28 gehalten, tung29 in der Lage zwischen dem Klemmglied 28 welche mit dem Wandteil 15 bzw. dem Anschluß- und der Tragfläche 25 zu halten. Der mit der Dichbolzen 23 integrierend sind. Diese besondere Aus- tung 29 vereinigte Anschlußbolzen 23 wird dann in führung hat den Vorteil, daß die Toleranzen, welche die Kammer 20 eingeführt, und das Wandklemmfür die Simsteile 41 und 43 und die Dichtung 29 er- 40 glied 19 wird über die Dichtung 29 mittels des forderlich sind, viel geringer sind als die für die Formengliedes 53 verformt.

Einzelteile nach Fig. 1 notwendigen Toleranzen. Natürlich soll die Beschreibung der Erfindung so

Wenn erwünscht, kann die äußere Oberfläche des verstanden werden, daß die Darstellung der HaIb-Wandteiles 15 mit Gewinden, welche jedoch nicht leiteranordnung 21, wie sie in den Fig. 1 und 2 gebesonders gezeigt sind, versehen werden, oder der 45 zeigt ist, nur für Veranschaulichungszwecke bestimmt Grundplattenteil 13 kann mit einem hervortretenden, ist und nicht auf diese Form beschränkt sein soll. Die

Halbleitervorrichtung 21 kann irgendeine geeignete Bauform haben, wie z. B. die einer verschiedenen Anzahl Schichten, Schichten von verschiedener Größe usw.

Mehrere Hundert Dioden sind in dieser Weise eingekapselt und unter hohen Feuchtigkeitsbedingungen geprüft worden, ohne daß ein Ausfall eintrat. Es wird geschätzt, daß diese Art der Dichtung über zwei 20 erstreckt. Die Dichtung 29 kann am Anschluß- 55 Drittel der Kosten einsparen wird, welche für frühere bolzen 23 durch eine Verformung des klemmenden Glasdichtungen aufzuwenden waren und in wirt-Gliedes 28 befestigt werden, entweder bevor oder schaftlicher Weise die Anwendung von dreiphasigen nachdem der Anschlußbolzen 23 in die Kammer 20 Siliziumgleichrichtern und Wechselstromgeneratoren eingeführt und in bezug auf den Wandteil 15 in seine für Kraftfahrzeuganwendungen möglich machen wird. Stelle gebracht ist. Wenn das letztere Verfahren be- 60 Es ist nicht nur eine wirtschaftliche Einsparung bei nutzt wird, d. h., wo der Anschlußbolzen 23 in die der Fertigung dieser Vorrichtung, sondern eine Ein-

mit Gewinde versehenen, nicht besonders gezeigten Montageglied versehen werden, um eine elektrische Verbindung zu einer Anschlußklemme der Vorrichtung herzustellen.

Bei der Herstellung der Vorrichtung wird der Anschlußbolzen 23 in die Kammer 20 eingeführt, welche durch den Wandteil 15 und den Grundplattenteil 13 gebildet wird, so daß es sich teilweise in die Kammer

Kammer 20 eingeführt wird, bevor die Dichtung 29 befestigt ist, wird die Dichtung 29 in ihre Lage gebracht, so daß es auf den Tragflächen 17 und 25 des Wandteiles 15 und des Anschlußbolzens 23 ruht. Die Teile 51 und 53, welche in Fig. 3 gezeigt sind, sind konzentrisch zu dem Anschlußbolzen 23 in ihre Lage gebracht und verformen bei Anwendung von Druck

sparung infolge des Fortfalls von Brucherscheinungen auf Grund von mechanischen Beanspruchungen erreicht.

Wenngleich die vorliegende Erfindung nur in einigen wenigen Ausführungsformen gezeigt worden ist, so ist es für den Fachmann augenscheinlich, daß sie in ihrer Anwendung nicht auf diese Ausführungs-

formen beschränkt ist, sondern für verschiedene Abänderungen und Abwandlungen geeignet ist, ohne daß dabei von dem Grundgedanken der Erfindung abgewichen wird.

Claims (11)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Gehäuse aus einem becherförmigen Teil, auf dessen Boden das Halbleiterelement mit der einen Elektrode befestigt ist, und einem die Öffnung des Gehäuses abschließenden Deckel, durch welchen ein starrer Anschlußbolzen von der anderen Elektrode des Halbleiterelements bis zu der durch ihn gebildeten äußeren elektrischen Anschlußstelle herausgeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckel formschlüssig in je einem Sitz an der äußeren Mantelfläche des Anschlußbolzens und an der inneren Mantelfläche der Becherform jeweils unmittelbar durch eine Verformung dieser Körper fest- _zo gespannt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sitzflächen für den Deckel an der Becherform und an dem Anschlußbolzen derart gewählt werden, daß diese beiden Körper bei Anwendung eines in ihrer Achsrichtung wirkenden Hilfswerkzeuges für ihre Verformung zu diesem unmittelbar jeweils das mechanische Widerlager bilden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Verbindung zwischen dem Anschlußbolzen und der dem Boden der Becherform gegenüberliegenden Elektrode des Halbleiterelements durch ein federndes Zwischenglied hergestellt wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf den mit dem Anschlußbolzen und der Becherform als Dichtungskörper zusammengespannten Deckel und deren gegenseitige Verbindungsstellen für die hermetische Abdichtung des von ihnen umschlossenen Raumes ein zusätzlicher Überzug aufgebracht wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Dichtungskörper aus Isoliermaterial hergestellt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Dichtungskörper aus durch Glas verstärktem Kunstharz hergestellt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet daß der dichtende Überzug aus einem Kunstharz hergestellt wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwei einander konzentrisch umschließende hohlzylinderförmige Teile als Hilfsvorrichtung mit dem Hohlraum des inneren Körpers auf den äußeren Teil des in die Kammer eingeführten Teiles aufgeschoben werden, die an ihren der Kammer zugewandten Stirnflächen mit solchen Formen ausgebildet sind, die eine Verformung der integrierenden Teile der Wand des becherförmigen Behälters und der Außenmantelfläche des in die Kammer eingeführten Anschlußbolzens als klemmende Glieder um den Rand der zwischen beiden Teilen eingeführten Dichtung herum bei«Anwendung von Druck auf die genannten konzentrischen Körper herbeiführen.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden konzentrischen Teile der Hilfsvorrichtung nacheinander unter Druck gesetzt werden, um zunächst jeweils die integrierenden klemmenden Güeder des einen der genannten Teile — in die Kammer eingeführter Anschlußbolzen und Kammerbehälter — um die Dichtung herum und nacheinander zu verformen.

10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß für das Festspannen des Dichtungskörpers an den Tragflächen beider genannter Teile — in die Kammer eingeführte Zuleitung und Kammerbehälter — die beiden konzentrischen Hohlkörper gleichzeitig betätigt bzw. unter Druck gesetzt werden.

11. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Formen an den Stirnflächen der beiden konzentrischen Glieder der Hilfsvorrichtung gleichzeitig mit schneidenden Rändern versehen sind, so daß sie die gewünschten klemmenden Glieder unmittelbar aus dem Körper des in die Kammer eingeführten Anschlußbolzens und aus der Wand des becherförmigen Gehäuseteiles herausscheren und anschließend derart verformen, daß durch die klemmenden Glieder die Dichtung an den Tragflächen der beiden Teile — in die Kammer eingeführter Anschlußbolzen und becherförmiger Teil des Gehäuses — festgespannt wird.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 030 462;
USA.-Patentschriften Nr. 2 744 217, 2 847 622;
britische Patentschrift Nr. 794 843;
französische Patentschrift Nr. 1149 240.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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