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CN1839478A - 具有微腔色域子像素的oled器件 - Google Patents

具有微腔色域子像素的oled器件 Download PDF

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CN1839478A
CN1839478A CNA2004800239271A CN200480023927A CN1839478A CN 1839478 A CN1839478 A CN 1839478A CN A2004800239271 A CNA2004800239271 A CN A2004800239271A CN 200480023927 A CN200480023927 A CN 200480023927A CN 1839478 A CN1839478 A CN 1839478A
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Abstract

一种OLED器件，包括发光像素阵列，每一像素包括具有有机层的子像素，所述有机层包括至少一层产生光的发射层和分隔电极，而且其中具有至少三个产生颜色，所述颜色限定了颜色色域，的色域子像素和至少一个产生位于所述色域子像素产生的所述色域之内的光的子像素；和其中所述色域子像素的至少一个包括反射体和半透明反射体，所述反射体和半透明反射体形成微腔。

Description

具有微腔色域子像素的OLED器件
发明领域
本发明涉及微腔有机电致发光(EL)器件。
发明背景
最近人们已经证实，全色有机电致发光(EL)，也称作有机发光器件或(OLED)可以作为一种新型平板显示器。有机EL器件的简单形式包括用于注入空穴的阳极、用于注入电子的阴极、和夹在这些电极之间对产生光发射的电荷重新结合提供支持的有机EL介质。在共同受让的美国专利No.4356429中描述了有机EL器件的例子。为了构建pixilaed显示器件，比如用作，例如，电视、计算机显示器、电话显示屏或数码相机显示屏，可以将单独的有机EL元件排列成矩阵模式的像素阵列。为了制备多色显示，将像素进一步排列成子像素，其中每个子像素发出不同的颜色。像素矩阵可以采用简单无源矩阵或者有源矩阵驱动方案电驱动。在无源矩阵中，有机EL层夹在两套正交电极中，该电极成行和成列排列。在共同受让的美国专利No.5276380中公开了无源矩阵驱动有机EL器件的例子。在有源矩阵的构造中，每个像素由多个电路元件，比如晶体管、电容器和信号线驱动。美国专利No.5550066(共同受让的)、6281634和6456013中公开了这种有源矩阵有机EL器件的例子。
全色OLED器件也是本领域公知的。通常，金色OLED器件由具有三种子像素，即红色、绿色和蓝色，的像素构建而成。这种排列称作RGB设计。美国专利NO.6281634公开了RGB设计的例子。最近，人们也描述了由具有四种子像素，即红色、绿色、蓝色和白色，的像素构建而成的全色有机电致发光(EL)器件。这种排列称作RGBW设计。在共同受让的美国专利申请2002/0186214A1中公开RGBW器件的例子。在RGBW器件中，采用高效率的白光发射像素显示数字图像内容的一部分。这导致和由相似OLED材料构成的RGB相比，能量消耗得到改善。但是，在这种设计中，红色、绿色和蓝色子像素的效率没有得到改善。所以，对于显示纯红色、纯蓝色或纯绿色的数字图像内容的任何部分而言，比如，例如通常在许多个人数字助理(PDA)、电话或数码相机应用中采用的图标和工具条，并没有节省功率。而且，添加第四种子像素导致所有的红色、绿色和蓝色子像素必需小型化制备，以在每单位面积里适配总数目相同的子像素和实现与具有可比性的RGB器件相同的器件像素分辨率。这样导致为了使得该纯红、纯蓝或纯绿内容以相同亮度显示，相关的红色、绿色和蓝色子像素的每单位面积电流密度必须增加。已知随着电流密度的增加，OLED器件会更快地退化或者效率下降。对于RGBW显示而言，这可能导致和等价的RGB显示相比，纯红、纯绿或纯蓝的并且通常显示为比如，例如图标和工具条，的内容使得图像老化得更快，并因而降低整体器件寿命。
所以，需要其中红色、绿色和蓝色子像素的效率和寿命都得到改善的RGBW器件。
发明综述
本发明的目的是采用具有色域子像素和色域内子像素的像素的OLED显示器件，所述显示器件可以基本上改善色域子像素的效率。
本目的通过包括下列的OLED器件得以实现：
(a)发光像素阵列，每一像素包括具有有机层的子像素，所述有机层包括至少一层产生光的发射层分隔的电极，而且其中具有至少三个产生颜色，所述颜色限定了颜色色域，的色域子像素和至少一个产生位于所述色域子像素产生的所述色域之内的光的子像素；和
(b)其中所述色域子像素的至少一个包括反射体和半透明反射体，所述反射体和半透明反射体形成微腔。
通过构造具有微腔结构的色域子像素，本发明改善了效率和寿命。进一步的优点在于这种器件可以采用对所有子像素而言是共用的OLED有机层构造而成，无需为了形成所述子像素而精确图案化。又一个优点在于这种器件可以在无需滤色单元的情况下构造而成，从而降低了成本。
附图简述
图1a-d描述了可用于本发明的RGBW像素模式设计；
图2示出了根据本发明实施方案的像素的横截面图；
图3示出了根据本发明的另一实施方案的像素的横截面图；和
图4示出了根据本发明另一实施方案的像素的横截面图。
发明详述
RGBW显示是采用色域内发射(within-gamut emission)改善功率消耗的显示类型的例子。这种显示器件能够通过采用具有至少四种不同颜色子像素的像素显示彩色图像。子像素的至少三种是发射不同颜色的色域子像素(gamut subpixel)，这些不同颜色限定了显示的色域。例如，色域子像素可以发射红色、绿色或蓝色的光。通过两种或多种色域子像素的不同强度照射，可以生成其它颜色。这些新颜色是色域内颜色。这种显示器件也具有至少一个附加的子像素，该子像素是色域内子像素(within-gamut subpixel)，发射色域内色光，比如白色。本发明所用的术语白色是指观察者感知到的接近白色的任何光发射。这些色域内子像素通常比色域子像素效率更高。图1示出了RGBW器件的像素构造的例子。
图1a示出了RGBW器件像素20的带状模式构造。像素20包括色域子像素21a、21b和21c，以及色域内子像素21d。这些子像素可以分别具有例如红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)。
图1b示出了RGBW器件像素20的四边形模式构造。像素20包括色域子像素21a、21b和21c，以及色域内子像素21d。这些子像素可以分别具有例如红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)。
图1c示出了RGBW器件像素20的另一种模式构造。像素20包括色域子像素21a、21b和21c，以及色域内子像素21d。这些子像素可以分别具有例如红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)。
图1d示出了RGBW器件像素20的另一种模式构造。像素20包括色域子像素21a、21b和21c，以及色域内子像素21d。这些子像素可以分别具有例如红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)。
其它RGBW模式可以应用到本发明中。而且，也可以应用具有超过4个子像素的模式。尽管在上述例子中所示子像素于某种次序排列，但是在其它实施方案中这些子像素可以以不同的次序排列。而且，尽管所示的子像素尺寸和形状都相同，但是本领域技术人员会认识到，其它实施方案可以具有尺寸和形状不同的子像素。
由于色域内子像素往往比色域子像素的至少之一的效率高，所以这种类型的显示比常规OLED显示的效率高。通常，色域内子像素比所有色域子像素的效率高。每个子像素都可以采用设计来发射不同色光的分开OLED材料制备。但是，优选构造对所有子像素采用共有的公共宽带或发射白光的OLED材料。采用宽带或发白光的OLED材料不再需要将该OLED材料对每个像素图案化。在这种情况下，可以为一些子像素采用滤色片，将宽带或白色发射转变成单独的颜色。例如，可以在RGBW器件的色域子像素中采用红、绿和蓝滤色片形成红色、绿色和蓝色，同时该色域内子像素保持不滤色状态而发白光。由于该色域内子像素没有滤色片，所以比色域子像素效率高。
图2示出了根据本发明的器件的一个像素的横截面，该像素具有例如带状模式，具有三个色域子像素21a、21b和21c以及一个色域内子像素21d。这些子像素发射具有色域颜色的光30a、30b和30c以及具有色域内颜色的光30d。图2所示的器件是有源矩阵，具有有源矩阵线路110，但是在本发明中可以应用可替换的实施方案，所述可替换实施方案是没有有源矩阵线路的无源矩阵。图2还示出了底部发射型构造，即光(30a、30b、30c和30d)沿着基体方向提取出来。采用微腔结构形成色域子像素21a、21b和21c。采用发射体和半透明反射体形成微腔结构。在发射体和半透明反射体中间形成有机EL介质。发射体和半透明反射体之间的层构成光学型腔，随后调整该型腔的厚度和折射系数，以在所需波长处发生共振。在(美国专利No.6406801 B1、5780174A1和JP11288786)中给出了微腔结构的例子。发射体的优选材料具有高发射性，包括Ag、Al、Au或者由这些材料的一种或多种构成的合金。半透明反射体具有部分反射性以及部分透射性。半透明反射体的优选材料包括Ag、Au或者由这两种材料的一种或全部组成的合金。这些材料的厚度经选择后使其具有半透明，即部分透射和部分反射。该厚度可以为例如5nm-50nm，更优选为15nm-30nm。如果采用导电材料形成反射体或半反射体，那么该反射体、半透明反射体或者这两者也可以行使有机EL介质的电极，或者阳极或者阴极，的功能。由具有交替高折射系数和低折射系数的透明材料的1/4波长堆组成的可替换半透明反射体也是本领域技术人员公知的，可用于本发明。在通过基体观察光的底部发射型构造中，比如如图所示，半透明反射体位于有机EL层和基体之间，而反射体位于基体、半透明反射体和有机EL层的上方。可替换地，在通过与基体相对方向观察光的顶部发射型构造中，反射体位于有机EL层和基体之间，而半透明反射体位于基体、反射体和有机EL层的上方。
有源矩阵线路110形成在基体100上方。有源矩阵线路110包括第一薄膜晶体管(TFT)，该晶体管由半导体有源层111、栅介电体112、栅导体113、第一绝缘层114和第二绝缘层117构成。有源矩阵线路110还包括携带亮度信号的一条信号线116和向晶体管供电的一条电源线115。制备TFT线路的方法是本领域公知的。尽管对每个子像素仅仅示出了单个晶体管、信号线和电源线，但是通常每个子像素也具有第二晶体管(未示出)以及电容器(未示出)和附件的选择线(未示出)。具有不同数量和构造的线路元件的线路的许多类型都是本领域公知的，应该理解很多种这些线路都可用于本发明。有源矩阵构造的例子包括美国专利No.5550066、6281634和6501466。尽管制备的图示TFT具有薄膜半导体有源层111，但是应该理解当具有半导性基体时，该基体实际上可以行使此功能。尽管图示的顶栅结构中栅导体113和栅介电体112位于半导电有源层111上方，但是，可以具有反结构(称作底栅)的TFT可以用来驱动有机EL器件，也是本领域公知的。
在有源矩阵线路上方，分别在色域子像素21a、21b和21c中形成了半透明反射体120a、120b和120c。这些半透明反射体120a、120b和120c可以由反射性材料，比如Ag、Au、Al和其合金形成，为了同样具有半透明性，这些金属制得很薄。虽然没有要求，但是该半透明反射体也可能充当用于有机EL介质得电极之一。
色域内子像素21d没有半透明反射体，但相反只有透明电极130。透明电极130通常由金属氧化物构成，所述金属氧化物比如但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化钼(MoOx)、氧化碲(TeOx)、氧化锑(SbOx)和氧化锌(ZnOx)。透明电极130也或者如图所示直接，或者通过中间导体向下连接到有源矩阵元件上。采用透明电极而没有半透明反射体，导致该色域内子像素不具有微腔结构。
对于色域子像素21a而言，在半透明反射体120a上形成了透明型腔分隔层140a。透明型腔分隔层140a可以由金属氧化物构成，所述金属氧化物比如但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化钼(MoOx)、氧化碲(TeOx)、氧化锑(SbOx)和氧化锌(ZnOx)。在这种情况下，该透明型腔分隔层140a同时充当该有机EL介质210的电极，使得该透明型腔分隔层140a必须向下电连接到该有源矩阵元件上。该电连接可以直接实现，或者，如果该半透明反射体120a是导电材料，比如Ag、Al、Au或其合金，则可以通过图示的半透明反射体120a或者其它中间导体来实现。如果透明型腔分隔层140a没有导电性，那么该半透明反射体120a可以充当该有机EL介质210的电极，所以会向下电连接到该有源矩阵线路110上。可替换地，透明电极130、透明型腔分隔层140a和半透明反射体120a可以由三层(或更多)不同层形成，在这种情况下，该透明电极会和该有源矩阵线路发生电接触，而该型腔分隔层可以位于该透明电极和半透明电极之间。为了调节该型腔使其在子像素21a的色光(例如红色)所需的波长处发生共振，结合有机EL介质210的厚度和折射系数对透明型腔分隔层140a的厚度和折射系数进行最优化。调整厚度和折射系数来实现所需的微腔发射，是本领域公知的。
色域子像素21b同样采用位于半透明反射体120b上的型腔分隔层140b构建。在这种情况下，为了调节该型腔使其在子像素21a的色光(例如绿色)所需的不同波长处发生共振，结合有机EL介质210的厚度和折射系数对型腔分隔层140b的厚度和折射系数进行最优化。
本图所示的色域子像素21c没有型腔分隔层。在这种情况下，为了调节该型腔使其在子像素21c的色光(例如蓝色)所需的不同波长处发生共振，仅仅对有机EL介质210的厚度和折射系数进行最优化。如果该有机EL介质210是所有子像素共用的，如图所示，那么有机EL介质210仅仅针对该色域子像素进行最优化，而其它色域子像素通过其各自的型腔分隔层分开调整。这种构造使得需要沉积和图案化的不同型腔分隔层的数目最小。但是，在可替换的实施方案中，所有的色域子像素可以包括型腔分隔层，其中每一子像素分开进行最优化以调整到所需的颜色。为了使得该有机EL介质210可以在无需为每一子像素进行图案化的条件下沉积，优选采用这些上述的型腔分隔层。但是，在可替换的实施方案中，可以对该有机EL介质的有机层的一层或多层进行图案化，并分开调节厚度或折射系数，从而调整每一色域子像素的微腔。在这种构造中，可以采用或去除型腔分隔层。但是，这要求对有机层的至少一层进行精确的图案化。
如上所述，为了使沉积步骤和图案化步骤的数目最小化，色域子像素之一可以不具有型腔分隔层。减少沉积和图案化步骤数目的另一种优选方法是采用同一材料、厚度和折射系数形成该非色域子像素的型腔分隔层，例如型腔分隔层140b，和透明电极，例如透明电极130，之一。
像素间介电层160，如同美国专利No.6246179所述，优选用来覆盖透明电极的边缘，以防在该区域出现短路或强电场。如果型腔分隔层具有导电性或者形成了电极的一部分，那么该像素间介电层160还可以覆盖该型腔分隔层，如图所示。尽管使用该像素间介电层160是优选的，但是这并不是成功实施本发明所必需的。
每个子像素还包括形成有机EL介质210的有机层。有很多种其中本发明可以成功实践的有机EL介质210层的构造。例如，在共同受让的EP1187235、美国专利公开No.20020025419(共同受让的)、EP1182244、美国专利No.5693283(共同受让的)、5503910、5405709(共同受让的)和5283182中，描述了发射宽带或白光的有机EL介质层的例子。如同在共同受让的EP1187235A2中所述，通过包含下列层，可以获得发射白光的有机EL介质：空穴注入层211、设置在该空穴注入层211上方而且掺杂有用于在黄色光谱区发光的红荧烯化合物的空穴传输层212、位于该空穴传输层212上方而且掺杂有发蓝光的化合物的发光层213、和位于该发光层213上方的电子传输层214。其中针对不同子像素采用了一种或多种不同有机EL介质材料的可替换性实施方案，也可用于本发明。
在该有机EL介质210上形成了反射体220。反射体220可以由比如Al、Ag、Au或其合金的材料形成。反射体220还可以充当该有机EL基质210的第二电极。
经过图示的透明型腔分隔层位于半透明反射体和有机EL介质之间，但是，在可替换的实施方案中，可以相反在该有机EL介质和反射体之间形成型腔阶段分隔层(cavity step spacer)。
在另一可替换的实施方案中，其中有机EL介质210的一层或多层并不是所有子像素所共用的，相反却是针对每一子像素单独进行图案化，那么可以去除型腔分隔层，而且可以通过针对每一色域子像素分别调整形成该有机EL基质210的一层或多层的厚度、折射系数或全部，来调整色域子像素的微腔。在这种情况下，如果该有机EL介质210被设计成发宽带光，则可以优选对该色域内子像素和一个或多个色域子像素的有机EL介质210层的一层或多层采用同一厚度，从而使沉积步骤的数目最小化。
图3示出了本发明的又一实施方案的横截面，该实施方案是顶部发射，即光(30a、30b、30c和30d)从远离基体的方向上提取。为了实现该顶部发射构造，反射体150a、150b、150c和150d位于有机EL介质210和基体100之间。这些反射体150a、150b、150c和150d可以比如Ag、Au、Al或其合金的材料形成。这些反射体150a、150b、150c和150d也可以充当有机EL介质210的电极，如图所示，在这种情况下，它必须向下连接到有源矩阵线路上。在该实施方案中，对色域子像素21a、21b和21c而言，半透明反射体230必须形成在有机EL基质210上。但是，为了不出现在色域内子像素21d中，该半透明反射体230必须进行图案化。在该色域内子像素21d上，必须使用透明电极240。尽管并不要求，但是透明电极可以位于其它子像素上方，如图所示，从而不再需要图案化。透明电极240可以由金属氧化物构成，所述金属氧化物比如但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化钼(MoOx)、氧化碲(TeOx)、氧化锑(SbOx)和氧化锌(ZnOx)。
尽管在图3中反射体(150a、150b、150c和150d)形成了有机EL介质210的一个电极，但是在可替换的实施方案中，可以在该反射体上方和有机EL介质210的下方形成分开的电极，该分开电极随后成为色域子像素21a、21b和21c的微腔空腔的一部分。该电极可以由金属氧化物构成，所述金属氧化物比如但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化钼(MoOx)、氧化碲(TeOx)、氧化锑(SbOx)和氧化锌(ZnOx)。
经过图3所示的透明电极240位于半透明反射体230上方，但是在可替换的实施方案中，它可以位于该半透明反射体230和有机EL介质210之间。在这种情况下，对所有子像素而言，透明电极240会形成有机EL介质210的电极之一，而且成为微腔空腔的一部分。
上述实施方案举例说明了通过采用微腔改善所有色域子像素的效率和寿命、同时仍然保持从色域内子像素产生宽带或白光发射的能力的例子。但是，其它实施方案是可行的，其中仅仅一些色域子像素通过采用微腔结构得到改善。也就是说，有些色域子像素并没有经过构造形成微腔。这种构造的例子示于图4，它具有两个微腔色域子像素22b和22c、一个非微腔色域子像素22a和色域内子像素22d。在这种情况下，采用反射体220和透明电极130a形成了非微腔色域子像素22a。该透明电极可以和该色域内子像素22d的透明电极130d所用的材料和厚度相同。如果所用的有机EL介质210发射白光或宽带光，那么可以为这些子像素采用滤色片301来实现所需的色域颜色。采用滤色片强宽带发射转变成具体颜色的窄带发射，是本领域公知的。只要至少一个色域子像素构造成微腔形式，那么根据本发明就可以实现寿命和效率的一些改进。
已经特别参考某些优选实施方案对本发明进行了详细描述，但是应该理解可以进行改变和修改，这些修改和改变都落在本发明的精神和范围内。
部件列表
20   像素
21a  色域子像素
21b  色域子像素
21c  色域子像素
21d  色域内子像素
22a  非微腔色域子像素
22b  微腔色域子像素
22c  微腔色域子像素
22d  色域内子像素
30a  光
30b  光
30c  光
30d  光
100  基体
110  有源矩阵线路
111  半导体有源层
112  栅介电体
113  栅介电体
114  第一绝缘层
115  电源线
116  信号线
117  第二绝缘层
120a 半透明反射体
120b 半透明反射体
120c 半透明反射体
130  透明电极
130a 透明电极
130d 透明电极
140a 透明型腔分隔层
140b 透明型腔分隔层
150a 反射体
150b 反射体
150c 反射体
150d 反射体
160  像素间介电体
210  空穴注入层
212  空穴传输层
213  发光层
214  电子传输层
220  反射体
230  半透明反射体
240  透明电极
310  滤色片

Claims (17)

1.OLED器件，包括：
(a)发光像素阵列，每一像素包括具有有机层的子像素，所述有机层包括至少一层产生光的发射层和分隔电极，而且其中具有至少三个产生颜色，所述颜色限定了颜色色域，的色域子像素和至少一个产生位于所述色域子像素产生的颜色色域之内的光的子像素；和
(b)其中所述色域子像素的至少一个包括反射体和半透明反射体，所述反射体和半透明反射体形成微腔。
2.权利要求1的OLED器件，其中所述反射体也充当所述子像素至少之一的电极。
3.权利要求1的OLED器件，其中所述半透明反射体也充当一个或多个所述子像素的电极。
4.权利要求1的OLED器件，其中由所述色域子像素产生的所述颜色是红色、绿色和蓝色，以及由所述色域内子像素产生的颜色是白色。
5.权利要求1的OLED器件，其中所述有机层产生宽带反射，而且是所有像素的所有子像素是共用的。
6.权利要求5的OLED器件，其中所述色域子像素的至少一个还包括滤色单元。
7.权利要求1的OLED器件，其中所述器件是无源矩阵器件。
8.权利要求1的OLED器件，其中所述器件是有源矩阵器件。
9.权利要求1的OLED器件，其中所述具有微腔结构的色域子像素还包括透明型腔分隔层，其中结合有机层针对每一色域子像素的厚度和折射系数，分别针对每一不同颜色的色域子像素分开调节所述透明型腔分隔层的厚度、所述透明型腔分隔层的折射系数、或者两者，以调整所述微腔到所需的颜色。
10.权利要求9的OLED器件，其中所述色域子像素之一的所述透明型腔分隔层由与至少一个所述色域内子像素的透明电极的相同材料和厚度形成。
11.权利要求1的OLED器件，其中具有微腔结构的所述色域子像素中，除了一个之外还包括透明型腔分隔层，其中结合有机层针对每一色域子像素的厚度和折射系数，分别针对每一不同颜色的色域子像素分开调节所述透明型腔分隔层的厚度、所述透明型腔分隔层的折射系数、或者两者，以调整所述微腔到所需的颜色。
12.权利要求1的OLED器件，其中所述色域子像素之一的所述透明型腔分隔层由和至少一个所述色域内子像素的所述透明电极相同的材料和厚度形成。
13.权利要求1的OLED器件，其中所述有机层的一层或多层针对一个或多个子像素分开进行图案化。
14.权利要求13的OLED器件，其中所述有机层的一层或多层针对每个色域子像素分开进行图案化。
15.权利要求13的OLED器件，其中有机层产生宽带发射，而且所述有机层的所有层对于所述色域子像素的一个或多个以及所述色域内子像素的一个或多个是相同的。
16.权利要求1的OLED器件，其中所述器件是底部发射型。
17.权利要求1的OLED器件，其中所述器件是顶部发射型。
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WO (1) WO2005020344A1 (zh)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101978527A (zh) * 2008-01-18 2011-02-16 阿斯特朗非凡安全有限公司 有包含掺杂有机层的微腔的有机发光二极管及其制造工艺
US8040052B2 (en) 2007-03-07 2011-10-18 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
CN102270750A (zh) * 2011-07-26 2011-12-07 昆山维信诺显示技术有限公司 有机电致发光器件、显示设备及制备方法
CN103681741A (zh) * 2012-08-28 2014-03-26 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN103872068A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 京东方科技集团股份有限公司 一种可变色发光元件、像素结构及显示装置
CN103915468A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN104157668A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 三星显示有限公司 有机电致发光显示器
CN104538431A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 北京维信诺科技有限公司 一种oled器件及其制备方法、显示器
CN105489632A (zh) * 2016-01-15 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制造方法、oled显示面板和oled显示装置
CN105590947A (zh) * 2014-11-07 2016-05-18 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN105720081A (zh) * 2016-02-24 2016-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法
WO2016127308A1 (zh) * 2015-02-10 2016-08-18 华为技术有限公司 一种显示面板
WO2017063295A1 (zh) * 2015-10-12 2017-04-20 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN107634084A (zh) * 2017-09-13 2018-01-26 云谷（固安）科技有限公司 顶发射白光oled显示装置
CN110911463A (zh) * 2019-11-28 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示背板及其制作方法和oled显示装置
CN111512460A (zh) * 2017-12-26 2020-08-07 索尼半导体解决方案公司 显示元件和电子装置
CN112074894A (zh) * 2018-05-11 2020-12-11 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块及电子设备
CN112088580A (zh) * 2018-05-15 2020-12-15 索尼半导体解决方案公司 显示装置、用于制造显示装置的方法以及电子设备
CN112889157A (zh) * 2018-10-22 2021-06-01 麦克罗欧莱德公司 能够日夜显示的显示装置
CN113328053A (zh) * 2021-05-20 2021-08-31 武汉华星光电技术有限公司 显示面板

Families Citing this family (153)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
US20050116615A1 (en) * 2003-09-30 2005-06-02 Shoichiro Matsumoto Light emissive display device
JP4497881B2 (ja) 2003-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
JP4716699B2 (ja) * 2003-09-30 2011-07-06 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
JP4895490B2 (ja) * 2003-09-30 2012-03-14 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
JP4428979B2 (ja) * 2003-09-30 2010-03-10 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
TW200515836A (en) * 2003-10-22 2005-05-01 Hannstar Display Corp Organic electroluminescent element
JP3994994B2 (ja) * 2003-10-23 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
KR100527198B1 (ko) * 2003-11-12 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 양면으로 화면을 표시할 수 있는 평면표시장치
KR100611157B1 (ko) * 2003-11-29 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP4439260B2 (ja) * 2003-12-26 2010-03-24 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
CN100551187C (zh) 2003-12-26 2009-10-14 株式会社半导体能源研究所 发光元件
JP4475942B2 (ja) 2003-12-26 2010-06-09 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
WO2005086539A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100579192B1 (ko) * 2004-03-11 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 전면 발광 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의제조방법
JP4454354B2 (ja) * 2004-03-25 2010-04-21 三洋電機株式会社 発光表示装置
JP4143569B2 (ja) * 2004-05-14 2008-09-03 キヤノン株式会社 カラー表示装置
KR100755398B1 (ko) * 2004-05-21 2007-09-04 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
KR100704258B1 (ko) * 2004-06-02 2007-04-06 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치 및 전자 기기
US7196469B2 (en) * 2004-06-18 2007-03-27 Eastman Kodak Company Reducing undesirable absorption in a microcavity OLED
KR20060046476A (ko) 2004-06-18 2006-05-17 산요덴키가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 패널
JP4239983B2 (ja) * 2004-07-13 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
CN101027942B (zh) * 2004-09-24 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件
KR101122229B1 (ko) * 2004-10-05 2012-03-19 삼성전자주식회사 4색 액정 표시 장치
KR100579186B1 (ko) * 2004-10-15 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
TWI339835B (en) 2005-02-03 2011-04-01 Chimei Innolux Corp Pixel structure for a color display device, organic light emitting device module, electronic device and method of rendering color of a pixel in a display device
JP4573672B2 (ja) 2005-02-28 2010-11-04 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
US7190122B2 (en) * 2005-03-01 2007-03-13 Eastman Kodak Company OLED display with improved active matrix circuitry
JP2006253015A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスカラー発光装置
TWI282699B (en) * 2005-03-14 2007-06-11 Au Optronics Corp Method of fabrication organic light emitting diode display
JP4830328B2 (ja) * 2005-03-25 2011-12-07 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP4742639B2 (ja) * 2005-03-25 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP5072243B2 (ja) * 2005-03-25 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100729060B1 (ko) * 2005-03-31 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP4507964B2 (ja) * 2005-04-15 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US7271537B2 (en) * 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
JP4876453B2 (ja) * 2005-06-29 2012-02-15 ソニー株式会社 有機発光素子および有機発光装置
US7531959B2 (en) * 2005-06-29 2009-05-12 Eastman Kodak Company White light tandem OLED display with filters
US7564182B2 (en) * 2005-06-29 2009-07-21 Eastman Kodak Company Broadband light tandem OLED display
US8729795B2 (en) * 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
WO2007004106A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device
JP4197000B2 (ja) * 2005-07-07 2008-12-17 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置および電子機器
US8102111B2 (en) * 2005-07-15 2012-01-24 Seiko Epson Corporation Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus
TWI262038B (en) * 2005-08-12 2006-09-11 Au Optronics Corp Pixel structure and organic electroluminescent panel with the structure
US20070063192A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-22 Toppoly Optoelectronics Corp. Systems for emitting light incorporating pixel structures of organic light-emitting diodes
TWI326379B (en) * 2005-09-20 2010-06-21 Au Optronics Corp A double-sided liquid crystal display
EP2472506B1 (en) * 2005-10-14 2015-12-16 Samsung Display Co., Ltd. Improved gamut mapping and subpixel rendering systems and methods
US7742205B2 (en) * 2005-12-16 2010-06-22 Vp Assets Limited Registered In British Virgin Islands Perceptual color matching method between two different polychromatic displays
JP2007179828A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Fujifilm Corp 有機電界発光素子およびその製造方法
JP4678319B2 (ja) * 2006-03-15 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US7888860B2 (en) * 2006-08-25 2011-02-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device
JP4816354B2 (ja) * 2006-09-15 2011-11-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101350658B1 (ko) * 2006-09-22 2014-01-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100823511B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP2008170756A (ja) 2007-01-12 2008-07-24 Sony Corp 表示装置
JP4582102B2 (ja) * 2007-03-08 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法ならびに電子機器
JP4529988B2 (ja) * 2007-03-08 2010-08-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置ならびに電子機器
TWI359626B (en) * 2007-03-22 2012-03-01 Au Optronics Corp Electro-luminescence display
US8183767B2 (en) * 2007-07-06 2012-05-22 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus and imaging system using the same
US7859188B2 (en) * 2007-08-21 2010-12-28 Global Oled Technology Llc LED device having improved contrast
US7888858B2 (en) * 2007-08-21 2011-02-15 Global Oled Technology Llc Light emitting diode device incorporating a white light emitting layer in combination with a plurality of optical microcavities
US7855508B2 (en) * 2007-09-17 2010-12-21 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US7948172B2 (en) * 2007-09-28 2011-05-24 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US7741770B2 (en) * 2007-10-05 2010-06-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US8063552B2 (en) * 2007-10-22 2011-11-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US8076838B2 (en) * 2007-10-31 2011-12-13 Seiko Epson Corporation Light emitting device
FR2925746B1 (fr) * 2007-12-21 2010-01-01 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage comportant des filtres colores et des elements photoemissifs alignes electroniquement
US8013516B2 (en) * 2008-01-23 2011-09-06 Global Oled Technology Llc LED device having improved power distribution
KR101458908B1 (ko) * 2008-04-01 2014-11-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20090089151A (ko) * 2008-02-18 2009-08-21 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US7973470B2 (en) 2008-02-26 2011-07-05 Global Oled Technology Llc Led device having improved color
US7893612B2 (en) * 2008-02-27 2011-02-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
KR101448003B1 (ko) * 2008-04-04 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101469031B1 (ko) * 2008-04-16 2014-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100909389B1 (ko) * 2008-04-21 2009-07-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치
KR20090112088A (ko) * 2008-04-23 2009-10-28 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8193695B2 (en) * 2008-07-17 2012-06-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device and manufacturing method thereof
KR101518740B1 (ko) * 2008-08-04 2015-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5117326B2 (ja) 2008-08-29 2013-01-16 富士フイルム株式会社 カラー表示装置及びその製造方法
KR101574130B1 (ko) * 2008-09-01 2015-12-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9385167B2 (en) 2008-10-01 2016-07-05 Universal Display Corporation OLED display architecture
US20100225252A1 (en) * 2008-10-01 2010-09-09 Universal Display Corporation Novel amoled display architecture
US8022612B2 (en) * 2008-11-10 2011-09-20 Global Oled Technology, Llc. White-light LED having two or more commonly controlled portions with improved angular color performance
KR101649224B1 (ko) * 2008-12-16 2016-08-18 엘지디스플레이 주식회사 백색 전면발광 유기전계발광 표시장치
JP2010232163A (ja) 2009-03-03 2010-10-14 Fujifilm Corp 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ
KR101116825B1 (ko) * 2009-08-06 2012-02-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101094298B1 (ko) * 2009-08-18 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101321878B1 (ko) * 2009-09-25 2013-10-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR101084177B1 (ko) * 2009-11-30 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR101108167B1 (ko) * 2010-02-12 2012-02-06 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101084196B1 (ko) * 2010-02-19 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8334545B2 (en) * 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
JP5670178B2 (ja) 2010-12-28 2015-02-18 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光装置
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
TWI562424B (en) * 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
JP2012204164A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR101784994B1 (ko) * 2011-03-31 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101960759B1 (ko) 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR101917752B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치
JP2012252829A (ja) * 2011-06-01 2012-12-20 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法
WO2013008765A1 (en) 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module
KR101821739B1 (ko) 2011-08-25 2018-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5927601B2 (ja) * 2011-09-07 2016-06-01 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光パネル、表示装置および電子機器
US9721998B2 (en) * 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR101407309B1 (ko) * 2011-11-15 2014-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
GB201200823D0 (en) * 2012-01-18 2012-02-29 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescence
US9065077B2 (en) 2012-06-15 2015-06-23 Apple, Inc. Back channel etch metal-oxide thin film transistor and process
JP2014026902A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
US8987027B2 (en) 2012-08-31 2015-03-24 Apple Inc. Two doping regions in lightly doped drain for thin film transistors and associated doping processes
US9685557B2 (en) 2012-08-31 2017-06-20 Apple Inc. Different lightly doped drain length control for self-align light drain doping process
US8999771B2 (en) 2012-09-28 2015-04-07 Apple Inc. Protection layer for halftone process of third metal
US9000452B2 (en) 2012-09-28 2015-04-07 Industrial Technology Research Institute Display with filter structure
US9201276B2 (en) 2012-10-17 2015-12-01 Apple Inc. Process architecture for color filter array in active matrix liquid crystal display
JP6111643B2 (ja) * 2012-12-17 2017-04-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
US20140203245A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-24 Apple Inc. Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display Having Variable Optical Path Length for Microcavity
US9001297B2 (en) 2013-01-29 2015-04-07 Apple Inc. Third metal layer for thin film transistor with reduced defects in liquid crystal display
US9088003B2 (en) * 2013-03-06 2015-07-21 Apple Inc. Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
KR102054848B1 (ko) * 2013-06-04 2019-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102098068B1 (ko) * 2013-08-13 2020-04-07 엘지디스플레이 주식회사 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치
KR102094805B1 (ko) * 2013-10-15 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이장치 및 그 제조방법
JP6488082B2 (ja) * 2013-12-02 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、および照明装置
KR102184939B1 (ko) * 2014-03-28 2020-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
TWI567971B (zh) * 2014-04-22 2017-01-21 友達光電股份有限公司 發光裝置
KR102349722B1 (ko) * 2014-05-27 2022-01-10 유니버셜 디스플레이 코포레이션 연장된 수명을 갖는 고 해상도 저 전력 소비 oled 디스플레이
US9874775B2 (en) * 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
TWI525379B (zh) 2014-06-04 2016-03-11 聯詠科技股份有限公司 顯示裝置及其驅動模組
US9455304B2 (en) * 2014-06-26 2016-09-27 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with white and blue diodes
US9269749B2 (en) * 2014-07-07 2016-02-23 Au Optronics Corporation Organic electroluminescence display panel
KR102377360B1 (ko) * 2014-08-08 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 표시 장치, 디스플레이 패널, 전자 기기
JP5918340B2 (ja) * 2014-11-25 2016-05-18 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラー表示装置及びその製造方法
EP3236502A4 (en) * 2014-12-18 2018-08-01 Lg Electronics Inc. Organic light-emitting diode display device
CN104600097A (zh) * 2015-02-06 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元结构、有机发光显示面板及显示装置
KR102421582B1 (ko) * 2015-02-24 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10170521B2 (en) * 2015-12-30 2019-01-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
US10797113B2 (en) 2016-01-25 2020-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with layered electrode structures
CN107275359B (zh) 2016-04-08 2021-08-13 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
WO2017195560A1 (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR102569723B1 (ko) * 2016-05-13 2023-08-22 엘지디스플레이 주식회사 마이크로 캐비티 구조를 적용한 백색 유기전계발광 표시장치
KR102083459B1 (ko) * 2017-11-30 2020-03-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이를 이용한 안경형 증강현실기기
CN108597386B (zh) * 2018-01-08 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 彩膜、微led器件及其制作方法、显示装置
US11917840B2 (en) 2018-05-18 2024-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with reflective electrode and light-emitting layer
CN108900772A (zh) * 2018-07-19 2018-11-27 维沃移动通信有限公司 一种移动终端及图像拍摄方法
US11211587B2 (en) 2018-07-30 2021-12-28 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with structured electrode
CN109686768B (zh) * 2018-12-25 2021-04-30 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US11903232B2 (en) 2019-03-07 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units
TWI691109B (zh) * 2019-05-09 2020-04-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
US20220231095A1 (en) * 2019-05-13 2022-07-21 3M Innovative Properties Company Organic light emitting diode display
KR102717046B1 (ko) * 2019-11-29 2024-10-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN111223904B (zh) * 2019-12-20 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置及其控制方法
KR102697893B1 (ko) 2019-12-31 2024-08-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20220018140A (ko) * 2020-08-05 2022-02-15 삼성디스플레이 주식회사 광조사장치 및 이의 제조방법

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US5283182A (en) 1986-09-17 1994-02-01 Beecham Group Plc Preparation of immobilized hydantoinase stabilized with divalent metal ions
US5276380A (en) 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
JPH06275831A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ
JP2797883B2 (ja) 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
US5405709A (en) 1993-09-13 1995-04-11 Eastman Kodak Company White light emitting internal junction organic electroluminescent device
US5503910A (en) 1994-03-29 1996-04-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
JP2838063B2 (ja) * 1995-09-20 1998-12-16 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5780174A (en) 1995-10-27 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
US5683823A (en) 1996-01-26 1997-11-04 Eastman Kodak Company White light-emitting organic electroluminescent devices
JPH11288786A (ja) 1998-02-04 1999-10-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光共振型有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000068069A (ja) 1998-08-13 2000-03-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
GB9818092D0 (en) 1998-08-19 1998-10-14 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
JP2000228284A (ja) 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
GB2349979A (en) 1999-05-10 2000-11-15 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting devices
US6521360B2 (en) 1999-06-08 2003-02-18 City University Of Hong Kong White and colored organic electroluminescent devices using single emitting material by novel color change technique
JP4497596B2 (ja) 1999-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP4255610B2 (ja) 1999-12-28 2009-04-15 出光興産株式会社 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子
US6696177B1 (en) 2000-08-30 2004-02-24 Eastman Kodak Company White organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency
US7012588B2 (en) 2001-06-05 2006-03-14 Eastman Kodak Company Method for saving power in an organic electroluminescent display using white light emitting elements
JP2003234186A (ja) 2001-12-06 2003-08-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP2003178875A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Asahi Glass Co Ltd カラー有機ｅｌディスプレイ
KR100875097B1 (ko) * 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
US7230594B2 (en) * 2002-12-16 2007-06-12 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
US6812637B2 (en) * 2003-03-13 2004-11-02 Eastman Kodak Company OLED display with auxiliary electrode
US6919681B2 (en) * 2003-04-30 2005-07-19 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
US6903378B2 (en) * 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8040052B2 (en) 2007-03-07 2011-10-18 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
CN101978527A (zh) * 2008-01-18 2011-02-16 阿斯特朗非凡安全有限公司 有包含掺杂有机层的微腔的有机发光二极管及其制造工艺
CN102270750A (zh) * 2011-07-26 2011-12-07 昆山维信诺显示技术有限公司 有机电致发光器件、显示设备及制备方法
CN103681741A (zh) * 2012-08-28 2014-03-26 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN103681741B (zh) * 2012-08-28 2016-05-18 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN103872068A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 京东方科技集团股份有限公司 一种可变色发光元件、像素结构及显示装置
CN103915468A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN103915468B (zh) * 2012-12-31 2016-12-28 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN104157668A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 三星显示有限公司 有机电致发光显示器
CN104157668B (zh) * 2013-05-13 2018-10-16 三星显示有限公司 有机电致发光显示器
CN105590947A (zh) * 2014-11-07 2016-05-18 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN105590947B (zh) * 2014-11-07 2021-01-26 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN104538431A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 北京维信诺科技有限公司 一种oled器件及其制备方法、显示器
CN104538431B (zh) * 2014-12-31 2017-11-24 北京维信诺科技有限公司 一种oled器件及其制备方法、显示器
WO2016127308A1 (zh) * 2015-02-10 2016-08-18 华为技术有限公司 一种显示面板
CN106170864A (zh) * 2015-02-10 2016-11-30 华为技术有限公司 一种显示面板
CN106170864B (zh) * 2015-02-10 2019-01-18 华为技术有限公司 一种显示面板
WO2017063295A1 (zh) * 2015-10-12 2017-04-20 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN105489632A (zh) * 2016-01-15 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制造方法、oled显示面板和oled显示装置
US10727446B2 (en) 2016-01-15 2020-07-28 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED array substrate with microcavity structure, and OLED display panel
US9954035B2 (en) 2016-02-24 2018-04-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode with a plurality composite electrode having different thicknesses
CN105720081A (zh) * 2016-02-24 2016-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法
CN105720081B (zh) * 2016-02-24 2021-04-16 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法
CN107634084A (zh) * 2017-09-13 2018-01-26 云谷（固安）科技有限公司 顶发射白光oled显示装置
CN111512460A (zh) * 2017-12-26 2020-08-07 索尼半导体解决方案公司 显示元件和电子装置
US11587981B2 (en) 2018-05-11 2023-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including a semi-transmissive layer
US12167660B2 (en) 2018-05-11 2024-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device including semi-transmissive layer
CN112074894A (zh) * 2018-05-11 2020-12-11 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块及电子设备
CN112088580A (zh) * 2018-05-15 2020-12-15 索尼半导体解决方案公司 显示装置、用于制造显示装置的方法以及电子设备
CN112889157A (zh) * 2018-10-22 2021-06-01 麦克罗欧莱德公司 能够日夜显示的显示装置
CN112889157B (zh) * 2018-10-22 2024-03-12 麦克罗欧莱德公司 能够日夜显示的显示装置
CN110911463A (zh) * 2019-11-28 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示背板及其制作方法和oled显示装置
CN113328053A (zh) * 2021-05-20 2021-08-31 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
US12183247B2 (en) 2021-05-20 2024-12-31 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN100459144C (zh) 2009-02-04
JP4741492B2 (ja) 2011-08-03
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KR20060079194A (ko) 2006-07-05

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