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CN1808546A - 图像显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种可以高可靠性地进行高亮度显示的图像显示装置。在发光元件(1)和驱动晶体管(3)之间设置晶体管开关(2)，使得由(开关(2)导通时的栅极电压)－(驱动晶体管(3)的阈值电压Vth)表述的电压值比施加在发光元件的公共电极8上的电压值小。

Description

图像显示装置
技术领域
本发明涉及一种可以高可靠性地进行高亮度显示的图像显示装置。
背景技术
下面利用图8和图9对所涉及的现有技术进行说明。
首先对现有技术示例的结构进行说明。
图8是使用现有技术的有机EL(电致发光)显示器的像素电路图。在每个像素213上设置有机EL元件201，有机EL元件201的一端连接公共电极208，另一端经由电源开关202、驱动TFT(薄膜晶体管)203与电源线207相连接。复位开关204连接在驱动TFT 203的栅极-漏极之间。驱动TFT 203的栅极还经由信号存储电容205与信号线206相连接。此外，通过电源控制线(PWR)211对电源开关202进行控制，通过复位控制线(RST)210对复位开关204进行控制。
接着，利用图9对该现有技术示例的动作进行说明。
图9是现有技术中，向像素写入信号电压时间、即数据(DT)输入时间(DTIN)以及发光显示时间(ILMI)的动作时序图。在此由于上述电源开关202、复位开关204使用如图8所示的pMOS，因此图9的每个波形其下部与每个开关的导通(ON)相对应，其上部与截止(OFF)相对应。
在1帧期间(1FRM)前一半的信号电压写入时间(DTIN)中，选择写入的像素首先通过电源控制线(PWR)211使电源开关202变成ON，接着通过复位控制线(RST)210使复位开关204变成ON。此时，经由二极管连接的驱动TFT 203以及电源开关202，电流从电源线207流入有机EL元件201。
接着，当通过电源控制线(PWR)211使电源开关202变成OFF时，在驱动TFT 203的漏极端变成阈值电压Vth的时刻，驱动TFT 203变为截止。此时，向信号线206施加规定的信号电压(数据信号DT)，将该信号电压与上述阈值电压Vth的差输入至信号存储电容205。
接下来，由于通过复位控制线(RST)210使复位开关204变成OFF，因此上述数据信号DT的电压存储在存储电容205中，完成向像素写入信号电压的过程。
在作为一帧期间(1FRM)后一半的发光显示时间(ILMI)中，对所有像素经由信号线206输入扫描信号SS(规定的三角波信号)，并且通过电源控制线(PWR)211使电源开关202导通。此时，由于在施加至信号线206的三角波信号电压与预先写入的信号电压相等的情况下向驱动TFT 203的栅极施加阈值电压Vth，因此可以根据已写入的信号电压确定有机EL元件201的发光期间。由此，由于有机EL元件201在与上述影像信号电压相对应的发光期间中发光，由此观察者可以识别具有灰度等级(階調)的图像。
此外，由于如上所述根据一帧期间内的规定期间向信号线206输入数据信号DT或扫描信号SS，因此图中表示成DT/SS。
如上所述的现有技术示例在专利文献1等中有详细地记载。
另外，在非专利文献1中公开了使用有机EL的图像显示装置的像素电路以及其驱动方法。
【专利文献1】日本专利特开2003-122301号公报
【非专利文献1】SID 98技术论文文摘，1998年，第11-14页(SID 98 Digest of Technical Papers)
根据报告，有机EL显示器有在TFT基板下方向发光显示的底部发光型，和在TFT基板上方向发光显示的顶部发光型。在此，已知这两种类型各有优缺点。由于底部发光型没有将发光层设置在TFT电路之上，因此发光区域不能较大，不利于高精细化和长寿命化。另一方面，由于顶部发光型通过透过设置在发光层上部的薄膜阴极金属膜而发出的光来进行显示，因此会损失一部分发出的光，不利于发光亮度的提高。
为了提高顶部发光型的发光亮度，在发光层上部不设置薄膜阴极金属膜，而是最好在发光层上部设置ITO这样的透明导电膜。可是由于ITO这样的透明导电膜对于发光层来说起到空穴注入层的作用，因此必须使用相对于现有技术的像素驱动电路、导电特性相反的阳极接地电路。
在将现有技术的像素驱动电路形成这种阳极接地电路时，使用nMOS来代替pMOS即可。可是，与pMOS相比，nMOS存在长时间可靠性差这样的问题。虽然pMOS通过空穴电流进行驱动，但是在空穴中具有相对于二氧化硅栅极绝缘膜难以注入的性质。另一方面，虽然nMOS通过电子电流进行驱动，但是在电子中具有相对于二氧化硅栅极绝缘膜容易注入的性质。
当由于对栅极绝缘膜的电子注入使nMOS劣化时，可能会使对有机EL发光层的驱动能力减少，并且引起亮度的降低。特别是在发光层的发光亮度变小的时候，由于电源电压的大部分都施加在像素驱动电路上了，因此可能加剧使用nMOS的像素驱动电路的劣化。
发明内容
下面，示出了在该说明书中公开的本发明中具有代表性的解决上述技术问题的手段的几个示例。即，本发明所涉及的图像显示装置具有灰度等级信号电压发生电路、像素以及排列多个所述像素的显示部，其中像素具有根据所述灰度等级信号电压模拟地控制亮度的发光元件以及该发光元件的亮度控制电路，其特征在于：在所述发光元件和所述亮度控制电路之间设置其漏极侧连接所述发光元件、源极侧连接所述亮度控制电路、通过导通和截止2个值控制栅极电压的晶体管开关，所述晶体管开关导通时的栅极电压值比施加在所述发光元件另一端的电压值小。
此外，还提供了一种图像显示装置，其具有灰度等级信号电压发生电路、像素以及排列所述多个像素的显示部，其中像素具有根据所述灰度等级信号电压模拟地控制亮度的发光元件以及该发光元件的亮度控制电路，在所述发光元件和所述亮度控制电路之间具有其漏极侧连接所述发光元件、源极侧连接所述亮度控制电路、通过导通和截止2个值控制栅极电压的晶体管开关，控制所述晶体管开关导通时的动作点使其成为饱和区。
此外，提供了一种图像显示装置，其具有灰度等级信号电压发生电路、像素以及排列所述多个像素的显示部，其中像素具有根据所述灰度等级信号电压模拟地控制亮度的发光元件以及该发光元件的亮度控制电路，其特征在于：所述亮度控制电路具有通过导通和截止2个值控制栅极电压的第一晶体管开关，在所述发光元件和所述亮度控制电路之间具有其漏极侧连接所述发光元件、源极侧连接所述亮度控制电路、通过导通和截止2个值控制栅极电压的第二晶体管开关，所述第二晶体管开关的栅极电压振幅比所述第一晶体管开关的栅极电压振幅小。
本发明的效果是，可以避免使用nMOS的像素驱动电路的劣化。
附图说明
图1是表示本发明所涉及的图像显示装置的第一实施例的有机EL显示器的像素电路图。
图2是根据第一实施例的像素的动作时序图。
图3是第一实施例的有机EL显示板的构成图。
图4是第一实施例的有机EL元件的结构图。
图5是表示本发明所涉及的图像显示装置的第二实施例的有机EL显示器的像素电路图。
图6是根据第二实施例的像素的动作时序图。
图7是表示本发明所涉及的图像显示装置的第三实施例的TV图像显示装置的构成图。
图8是使用现有技术的有机EL显示器的像素电路图。
图9是现有技术的像素的动作时序图。
1有机EL元件                2电源开关
3，63驱动TFT               4复位开关
5信号存储电容              6信号线
7接地线                    8透明公共电极
10复位控制线               11电源控制线
13，53像素           22垂直像素扫描电路
23信号电压生成电路   24切换电路
31，32AND电路        33OR电路
37面板内部10V生成电路38面板内部5V生成电路
40玻璃基板           50AZ控制线
51AZB+控制线         52信号线
62AZB+开关           64AZ开关
65偏移消除电容       68像素开关
69存储电容           100TV图像显示装置
101有机EL显示板      102无线接口(I/F)电路
103I/O电路           104微处理器(MPU)
106显示板控制器      108数据总线
109面板外部10V生成电路(PWR 10V)
110面板外部5V生成电路(PWR 5V)
DT  数据信号
FRM 帧期间
MM  帧存储器
SEL 选择信号
SS  扫描信号
PWR+驱动电压
RST 复位信号
具体实施方式
下面将参照附图对本发明所涉及的图像显示装置的实施例做出详细的说明。
【实施例1】
下面利用图1～图4，对本发明第一实施例、其构成以及动作按顺序做出描述。图1是作为本发明第一实施例的有机EL显示器的像素电路图。有机EL元件1设置在像素13上，有机EL元件1的阳极侧连接施加有规定的正电压的透明公共电极8，另一端经由电源开关2、驱动TFT 3连接接地线7。复位开关4连接在驱动TFT 3的栅极-漏极之间。驱动TFT 3的栅极还经由信号存储电容5连接信号线6。此外，电源开关2通过经由电源控制线11施加的驱动电压PWR+而被控制，复位开关4通过经由复位控制线10施加的RST信号而被控制。虽然上述像素电路的构成与利用图8已描述过的现有技术示例的像素电路构成的电流施加方向相反，并且相当于用nMOS代替pMOS的构成，但是正如下面描述的那样，本发明的特征在于经由电源控制线11施加驱动电压PWR+。
接下来，利用图2对本发明的动作进行描述。
图2是在本实施例中，在一帧期间(1FRM)向像素写入信号电压时间DTIN和发光显示时间ILMI的动作时序图。在此，由于上述电源开关2、复位开关4是如图2所示的nMOS，因此图2的每个波形其上部与每个开关的ON相对应，其下部与OFF相对应。
在作为1帧期间的前一半的信号电压写入时间(DTIN)中，选择写入的像素首先通过电源控制线11的驱动电压PWR+使电源开关2变成ON，接着通过复位控制线10的复位信号RST使复位开关4变成ON。此时，经由二极管连接的驱动TFT 3以及电源开关2，电流从公共电极8流入有机EL元件1。
接着，当通过电源控制线11的驱动电压PWR+使电源开关2OFF时，在驱动TFT 3的漏极端变成阈值电压Vth的时刻，驱动TFT 3截止。此时，通过向信号线6施加规定的数据信号电压DT，该信号电压与上述阈值电压Vth的差输入至信号存储电容5。
接下来，由于通过复位控制线10的信号RST使复位开关4变成OFF，因此上述信号电压存储在存储电容5中，完成向像素的信号电压写入的过程。
接着，在作为一帧期间的后一半的发光显示时间(ILMI)中，对所有像素经由信号线6输入模拟信号的规定的三角波信号(扫描信号)SS，并且通过电源控制线11的驱动电压PWR+使电源开关2导通。此时，由于在信号线6的三角波信号电压SS与预先写入的信号电压相等的情况下驱动TFT 3的栅极上被施加阈值电压Vth，因此可以根据已写入的信号电压确定有机EL元件1的发光期间。由此，由于有机EL元件1在与上述影像信号电压相对应的发光期间发光，因此观察者可以识别具有灰度等级的图像。
此外，由于如上所述根据一帧期间内的规定期间向信号线6输入数据信号DT或扫描信号SS，因此图中表示成DT/SS。
上述动作基本上与利用图9已描述过的现有技术示例的动作类似。可是，在本实施例中，通过电源控制线11的驱动电压PWR+的电源开关2的导通电压不是作为完全ON的10V，而是作为半导通(HALF-ON)的5V，这一点上存在很大差异。这意味着电源开关2的导通状态不是使电源开关晶体管进入非饱和状态的完全的ON，而是进入饱和状态的不完全的ON。这种情况下，作为电源开关2的源极点的、图1所示的“A点”的电压即使在电源开关2导通时也不会变成作为半导通的(5V-Vth)以上的电压。当“A点”的电压上升到(5V-Vth)电压时，电源开关2将截止。
此外，在此，该实施例中施加在公共电极8上的有机EL元件发光电压绿色用和红色用大约为10V，蓝色用大约为11V。在作为1帧期间后一半的发光显示时间ILMI中，在经由信号线6输入规定的三角波信号SS时，由于在有机EL元件1发光的上升沿时间以及下降沿时间驱动TFT 3的导通减弱，同时有机EL元件1的阴极-阳极之间的电压降也很小，因此电源开关2的导通状态为电源开关晶体管进入非饱和状态的完全ON的情况下，将作为在公共电极8和接地线7之间施加的电源电压的大部分的大约为10-11V施加到驱动TFT 3的漏极-源极之间。
可是，由于电源开关2的导通状态是使电源开关晶体管进入饱和状态的不完全ON，因此即使是在作为驱动TFT 3的漏极的“A点”上也不会施加(5V-Vth)以上的电压。由此将作为nMOS的驱动TFT 3的漏极-源极之间的电压限制在(5V-Vth)以下，驱动TFT 3的劣化就不会成为问题。
此外，电源开关2截止时，将在公共电极8和接地线7之间施加的电源电压的大部分施加到电源开关2的两端。可是，这时在电源开关2中流动的电流为0的开关截止期间，由于沟道电流为0劣化不会成为问题，另外由于导通和截止的过渡时间是极其快速的，因此同样劣化也不会成为问题。
接着，利用图3对该实施例的显示板的构成进行描述。
图3是该实施例的有机EL显示板的构成图。像素13在显示区域21上配置成矩阵状，像素13在垂直方向上与信号线6连接、在水平方向上与电源控制线(PWR+)11以及复位控制线(RST)10相连接。信号线6的一端经过切换数据信号DT和三角波信号SS的切换电路24输入至信号电压生成电路23。
电源控制线11的驱动电压PWR+还与按各个像素的每一行设置的逻辑或(OR)电路33相连接，OR电路33的一个输入端进一步地连接逻辑与(AND)电路32，此外AND电路32的一个输入端进一步地连接垂直像素扫描电路22。复位控制线RST与按各个像素的每一行设置的AND电路31相连接，此外AND电路31的一个输入端进一步地连接垂直扫描电路22。
上述AND电路31、32、OR电路33的另一输入端如图所示，在垂直方向上公共地分别与复位控制定时控制线34、写入时电源控制定时控制线35、发光时电源控制定时控制线36相连接。名称如所表示的那样：复位控制定时控制线34是用于传输对在垂直像素扫描电路22上选择的像素行的复位控制线进行控制的信号的线、写入时电源控制定时控制线35是用于传输对在垂直像素扫描电路22中选择的像素行的写入时的电源控制线进行控制的信号的线、发光时电源控制定时线36是用于传输对所有像素发光时的电源控制线进行控制的信号的线。
如图中所示，对于垂直像素扫描电路22、AND电路31、32、信号电压生成电路23以及切换电路24，由以3V作为输入电压并生成10V电压的面板内部10V生成电路37提供电源电压。此外对于OR电路33，由以3V电压作为输入并生成5V电压的面板内部5V生成电路38提供电源电压。由此，在该实施例中，配合由不同电压驱动的两种类型的电路，设置了两种类型的电源电压生成电路37、38。
虽然为了简化图示仅在图1中记载了6个像素，但是实际上像素个数为640(水平)×RGB×480(垂直)。此外在显示区域21内，像素13、数据信号/三角波切换电路24、信号电压生成电路23、垂直像素扫描电路22、AND电路31、32、OR电路33、面板内部10V生成电路37、面板内部5V生成电路38全部使用多晶Si-TFT，并且都设置在单个玻璃基板40上。
最后，利用图4对该实施例的有机EL元件1的结构进行描述。
图4是示出根据该实施例的有机EL元件1的附近的像素13的截面图。电源开关2和驱动TFT 3设置在玻璃基板40上，电源控制线11作为栅极配线设置在电源开关2上。此外作为金属层的接地线7连接在驱动TFT 3的一端。在此，与接地线7同层的金属层作为阴极电极42连接至电源开关2的一端，在其上设置了有机EL元件的发光层1、作为阳极电极的透明公共电极8。此外，在有机EL元件的发光层1的周围形成用于避免有机EL元件的端部电场集中的保护膜43。
在此，当电源开关2半导通，且驱动TFT 3通过三角波信号SS导通时，规定的电流流入有机EL元件1中，有机EL元件1的发光45通过阴极电极42被反射，几乎没有衰减地透过透明公共电极8进行显示。
在该实施例中，虽然像素内的TFT全部使用由多晶Si形成的nMOS晶体管，但是如果使各个控制电压的正负相反，则可以使用适当的pMOS晶体管，此外不局限于多晶Si，也可以将其它有机/无机半导体薄膜用于晶体管。
此外，发光元件也不局限于有机EL元件，也可以使用无机EL元件和FED(场发射器件)之类的一般发光元件。在该实施例中，由于并不是本发明的本质内容因此省略了对发光层的详细记载，但是作为有机EL元件的结构也可以采用低分子型、高分子型等多种分子结构。
进一步，在该实施例中接地线7的电位设置成0V，没有必要一定要将该电位设置成0V，此外更不必说对有机EL元件的发光电压和各个控制电压在满足上述主旨的范围内也可以进行适当地改变。
实施例2
利用图5和图6对本发明所涉及的像素显示装置的第二实施例进行描述。
图5是该实施例的有机EL显示器的像素电路图。在每个像素53上设置有有机EL元件1，有机EL元件1的一端连接透明电极8，另一端经由AZB+开关62、驱动TFT 63连接至接地线7。在驱动TFT63的栅极-漏极之间、和栅极-源极之间分别连接AZ开关64和存储电容69。此外驱动TFT 63的栅极通过偏移消除电容65以及像素开关68连接信号线66。此外AZB+开关62通过AZB+控制线51进行控制，AZ开关64通过AZ控制线50进行控制，像素开关68通过信号线52的选择信号SEL进行控制。
接下来，利用图6对该实施例的动作进行描述。
图6是该实施例中像素的动作时序图。在此，由于上述AZB+开关62、AZ开关64、像素开关68是如图5所示的nMOS，因此图6的各个波形其上部与每个开关的ON相对应，其下部与OFF相对应。
在选择写入的像素中，首先通过SEL线52使像素开关68变成ON，通过AZ控制线50使AZ开关64变成ON。此时，由于AZB+开关62处于半导通(Half-ON)状态，因此经由AZB+开关62和二极管连接的驱动TFT 63，电流从透明公共电极8流入有机EL元件1。
接着，当通过AZB+控制线51使AZB开关62截止时，在驱动TFT 63的漏极端变成阈值电压Vth的时刻，驱动TFT 63截止。此时，向信号线66施加“0电平”的信号电压数据DT，将该信号电压与上述阈值电压Vth的差输入至信号存储电容65。
接下来，在通过AZ控制线50使AZ开关64变成OFF之后，向信号线66施加影像信号电压数据DT。此时，在驱动TFT 63的栅极上对上述阈值电压Vth进行加法运算，生成与上述影像信号电压相对应的电压，该电压通过SEL线52使像素开关68变成OFF，因此被存储在存储电容69中。
此后，通过使AZB+开关62导通，完成向像素的信号电压写入过程，有机EL元件1在与上述影像信号电压和“0电平”电压之间的电压差相对应的亮度下，持续发光直到下一写入期间。
该实施例与在例如SID 98 Digest of Technical Papers、第11-14页(参照非专利文献1)等中记载的现有技术类似。
可是，在该实施例中，并不是通过AZB+控制线51使AZB开关62导通的电压为完全ON的10V，而是作为半导通(HALF-ON)的5V，这一点上存在很大差异。这意味着AZB开关62的导通状态不是使AZB开关晶体管进入非饱和状态的完全的ON，而是进入饱和状态的不完全的ON。
这种情况也与第一实施例相同，作为AZB开关62的源极点的、图5所示的“B点”的电压，即使在AZB开关62导通时也不会变成作为半导通的(5V-Vth)以上的电压。当“B点”的电压上升到(5V-Vth)电压时，AZB开关62截止。此外，在此，该实施例中施加在公共电极8上的有机EL元件发光电压为，绿色用和红色用大约为10V，蓝色用大约为11V。
在驱动TFT 63的栅极上，对上述阈值电压Vth进行加法运算，生成与上述影像信号的电压数据DT相对应的电压，通过使AZB开关62半导通，有机EL元件1在与述影像信号电压和“0电平”电压之间的电压差相对应的亮度下，持续发光直到下一写入期间，尽管这些已经被描述过，但是这时由于当影像信号电压的电平小并且有机EL元件1的发光亮度弱时，驱动TFT 63的导通就变弱，此外同时有机EL元件1的阴极-阳极之间的电压降也变小，因此AZB开关62的导通状态为使电源开关晶体管进入非饱和状态的完全ON的情况下，作为在公共电极8和接地线7之间施加的电源电压的大部分的大约为10-11V施加到驱动TFT 63的漏极-源极之间。
可是，由于AZB开关62的导通状态是使电源开关晶体管进入饱和状态的不完全ON，因此即使是在作为驱动TFT 63的漏极的“B点”上也不会施加(5V-Vth)以上的电压。由此将作为nMOS的驱动TFT 63的漏极-源极之间的电压限制在(5V-Vth)以下，驱动TFT 63的劣化就不会成为问题。
此外，AZB开关62截止时，在公共电极8和接地线7之间施加的电源电压的大部分施加到AZB开关62的两端。可是，这时在AZB开关62中流动的电流为0的开关截止期间，由于沟道电流为0劣化不会成为问题，另外由于导通和截止的过渡期间是极其快速的，因此同样劣化也不会成为问题。根据上述要点，在该实施例中的AZB开关62与第一实施例中的电源开关2起到同样作用。
由于在该实施例中显示板的构成和有机EL元件的结构与在先的第一实施例的结构相似，因此为了说明的简化在此省略对其的描述。
实施例3
利用图7对本发明所涉及的图像显示装置的第三实施例进行描述。
图7是作为第三实施例的TV图像显示装置100的构成图。在接收地面波数字信号等的无线接口(I/F)电路102中，被压缩的图像数据等从外部作为无线数据被输入，无线I/F电路102的输出经由I/O(输入/输出)电路103与数据总线108相连接。除此之外数据总线108上还连接着微处理器(MPU)104、显示板控制器106、帧存储器(MM)107等。进一步，显示板控制器106的输出输入到有机EL显示板101。此外在TV图像显示装置100内还设置有面板外部10V生成电路(PWR 10V)109以及面板外部5V生成电路(PWR 5V)110。此外，在此由于有机EL显示板101具有与在先展示的第一实施例基本上同样的构成和动作，因此在此省略对其内部的构成和动作的记载。但是，虽然在第一实施例中有机EL显示板内使用多晶Si-TFT，并且设置有面板内部10V生成电路37和面板内部5V生成电路38，但是在该实施例中这些部件在面板以外使用单独部件，设置为面板外部10V生成电路109以及面板外部5V生成电路110。
下面对该实施例的动作进行描述。首先无线I/F电路102根据命令从外部取得经过压缩的图像数据，经由I/O电路103将该图像数据传输至微处理器104和帧存储器107中。微处理器104接收来自用户的命令操作，根据需要驱动整个TV图像显示装置100，进行对压缩图像数据的解码和信号处理、信息显示。在此，经过信号处理过的图像数据可以被暂时地存储在帧存储器107中。
在此，在微处理器104输出显示命令的情况下，根据该指示经由显示板控制器(CTL)106从帧存储器107向有机EL显示板101输入图像数据，有机EL显示板101实时显示输入的图像数据。此时显示板控制器106为了同步显示图像，输出必须的规定的定时脉冲，并且面板外部10V生成电路109以及面板外部5V生成电路110向有机EL显示板101提供规定的电源电压。此外，有机EL显示板101使用这些信号和电源电压，实时显示输入的图像数据，这些已经在第一实施例的描述中述及。此外，虽然在该TV图像显示装置100中另外含有二次电池，用于提供驱动整个图像显示终端100的电力，但是由于这些内容不是本发明的本质内容，因此在此省略对其的描述。
根据该实施例，可以提供一种高可靠性地进行高亮度显示的图像显示终端100。此外，在该实施例中，虽然将在第一实施例中已说明的有机EL显示板用作图像显示装置，但是本领域技术人员可以理解，也可以使用除此以外的满足本发明主旨的具有其它结构的显示板。
以上，根据已说明的各个实施例，即使在发光元件的发光亮度弱的时候，电源电压在晶体管开关中也能得以分散，可以避免使用nMOS的像素驱动电路的劣化。由此，就可以提供一种高可靠性地进行高亮度显示的图像显示装置。

Claims (18)

1.一种图像显示装置，具有：
灰度等级信号电压发生电路；
像素，其具有根据所述灰度等级信号电压模拟地控制亮度的发光元件、和该发光元件的亮度控制电路；以及
排列了多个所述像素的显示部；
其特征在于：
在所述发光元件和所述亮度控制电路之间设置晶体管开关，其漏极侧连接至所述发光元件、源极侧连接至所述亮度控制电路、并通过导通和截止2个值控制栅极电压，所述晶体管开关导通时的栅极电压值比施加在所述发光元件另一端的电压值小。
2.如权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
在所述发光元件的亮度控制电路和所述晶体管开关中含有n沟道TFT。
3.如权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
所述发光元件为有机EL元件。
4.如权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
在绝缘基板上形成所述显示部。
5.如权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
在所述发光元件的另一端施加的电压值根据各发光元件的显示颜色而不同。
6.如权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
所述发光元件的亮度控制电路通过对在一帧期间内各发光元件的发光时间进行调制或对发光强度进行调制，来控制各像素的模拟亮度。
7.一种图像显示装置，具有：
灰度等级信号电压发生电路；
像素，其具有根据所述灰度等级信号电压模拟地控制亮度的发光元件、和该发光元件的亮度控制电路；以及
排列了所述多个像素的显示部；
其特征在于：
在所述发光元件和所述亮度控制电路之间具有晶体管开关，其漏极侧连接至所述发光元件、源极侧连接至所述亮度控制电路、并通过导通和截止2个值控制栅极电压；
控制所述晶体管开关导通时的动作点使其成为饱和区。
8.如权利要求7所述的图像显示装置，其特征在于：
在所述发光元件的亮度控制电路和所述晶体管开关中含有n沟道TFT。
9.如权利要求7所述的图像显示装置，其特征在于：
所述发光元件为有机EL元件。
10.如权利要求7所述的图像显示装置，其特征在于：
在绝缘基板上形成所述显示部。
11.如权利要求7所述的图像显示装置，其特征在于：
在所述发光元件的另一端施加的电压值根据各发光元件的显示颜色而不同。
12.如权利要求7所述的图像显示装置，其特征在于：
所述发光元件的亮度控制电路通过对在一帧期间内各发光元件的发光时间进行调制或对发光强度进行调制，来控制各像素的模拟亮度。
13.一种图像显示装置，具有：
灰度等级信号电压发生电路；
像素，其具有根据所述灰度等级信号电压模拟地控制亮度的发光元件、和该发光元件的亮度控制电路；以及
排列了所述多个像素的显示部；
其特征在于：
所述亮度控制电路具有通过导通和截止2个值控制栅极电压的第一晶体管开关；
在所述发光元件和所述亮度控制电路之间具有第二晶体管开关，其漏极侧连接至所述发光元件、源极侧连接至所述亮度控制电路、并通过导通和截止2个值控制栅极电压；
所述第二晶体管开关的栅极电压振幅比所述第一晶体管开关的栅极电压振幅小。
14.如权利要求13所述的图像显示装置，其特征在于：
在所述发光元件的亮度控制电路和所述晶体管开关中含有n沟道TFT。
15.如权利要求13所述的图像显示装置，其特征在于：
所述发光元件为有机EL元件。
16.如权利要求13所述的图像显示装置，其特征在于：
在绝缘基板上形成所述显示部。
17.如权利要求13所述的图像显示装置，其特征在于：
在所述发光元件的另一端施加的电压值根据各发光元件的显示颜色而不同。
18.如权利要求13所述的图像显示装置，其特征在于：
所述发光元件的亮度控制电路通过对在一帧期间内各发光元件的发光时间进行调制或对发光强度进行调制，来控制各像素的模拟亮度。
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Denomination of invention: Projection lens for image display equipment

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License type: Common License

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