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CN1649145A - 部件内置模块和配备部件内置模块的电子设备 - Google Patents

部件内置模块和配备部件内置模块的电子设备 Download PDF

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CN1649145A
CN1649145A CNA2005100047723A CN200510004772A CN1649145A CN 1649145 A CN1649145 A CN 1649145A CN A2005100047723 A CNA2005100047723 A CN A2005100047723A CN 200510004772 A CN200510004772 A CN 200510004772A CN 1649145 A CN1649145 A CN 1649145A
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CN
China
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module
wiring
component built
sheet
built
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CNA2005100047723A
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朝日俊行
辛岛靖治
一柳贵志
中谷诚一
西山东作
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种不必转接孔形成工序就能制造的部件内置模块。部件内置模块(100)具有绝缘性薄片状基体(10)，该基体具有上侧表面(10a)和面对该上侧表面的下侧表面(10b)以及连接上侧表面与下侧表面的侧面(10c)；从上侧表面经由侧面延伸到下侧表面的至少一条布线(20)；和配置在薄片状基体内的电子部件(32)。根据本发明，与以前相比，可提供可有效制造的部件内置模块。

Description

部件内置模块和配备部件内置模块的电子设备
技术领域
本发明涉及一种部件内置模块和配备这种部件内置模块的电子装置、例如便携用电子设备。本发明的模块具体而言是将电子部件配置在基体内的模块。
背景技术
随着近年来的电子学设备的小型化、薄型化、高功能化，日益强烈要求安装在印刷电路基板上的电子部件的高密度安装和安装电子部件的电路基板的高功能化。在这种状况下，开发了将电子部件进入电路基板中的部件内置模块(或部件内置电路基板)(例如参照后述的特开平11-220262号公报)。
在部件内置模块中，通常将安装在印刷基板(或印刷电路基板)表面上的有源部件(例如半导体元件)、无源部件(例如电容器)等电子部件进入基体中，所以可削减基板的面积。另外，与部件表面安装的情况相比，由于配置电子部件的自由度高，所以可预见通过电子部件间的布线最佳化来改善高频特性等。
在陶瓷基板的领域中，已实用化内置电子部件的LTCC(low temperaturecofired ceramics)基板。但是，由于该基板重、易裂，所以难以适用于大型的基板中，并且，由于需要高温烧结，所以不能内置LSI等半导体元件，被大大制约。最近引人注目的是在使用树脂的印刷基板内内置部件的部件内置模块，它与LTCC基板不同，具有对基板大小的制约少、还可内置LSI的优点。
下面，参照图1来说明特开平11-220262号公报中公开的部件内置模块(或电路部件内置模块)。图1所示的电路部件内置模块400由层叠绝缘性基板401a、401b和401c而成的基板401、形成于基板401主表面和内部的布线图案(或布线层)402a、402b、402c和402d、与配置于基板401的内部、连接于布线图案的电路部件403a和403b构成。布线图案402a、402b、402c和402d通过内部转接孔(via hole)404电连接。绝缘性基板401a、401b和401c由例如包含无机真料和热固化性树脂的混合物构成。
在特开平11-220262号公报中公开的电路部件内置模块400中，由内部转接孔404来电连接各布线图案(402a、402b、402c和402d)。这种内部转接孔连接法可在必要的布线图案之间进行连接，另外，电路部件的安装性也好，所以可很好地使用。包含图示的电路部件内置模块400，现有的部件电路基板通过交互转接孔或通孔来确保上侧主表面与下侧主表面的电导通。
若根据涉及现有印刷布线板和组合布线基板领域中的技术常识，则在制造部件内置模块时，必需形成内部转接孔或通孔等转接孔。该转接孔的形成在挖孔工序的同时，由于还需要埋入导电性胶的工序或电镀工序，所以伴随有进行这些工序的复杂。但是，因为必需这些工序，所以难以省略该工序来开发效率更高的制造方法。另外，因为基于转接孔的连接需要脊(land)等连接构件，所以基板的尺寸会增大该连接构件所占的大小。此外，涉及使电子部件的内置与转接孔的形成都成立的条件(例如制造绝缘性基板的情况下的树脂混合物的粘度等)的自由度小，因此，例如也难以进行引线接合。
在这种状况下，本发明人不拘于现有的技术常识，着力于开发与以前不同类型的、不需转接孔形成工序的部件内置模块。
发明内容
本发明鉴于上述问题做出，其主要目的在于提供一种可以较高效率来进行制造的部件内置模块及其制造方法。本发明的另一目的在于提供一种配备这种部件内置模块的电子设备。
第1方面，本发明提供一种部件内置模块，这种部件内置模块的特征在于，包含：
绝缘性薄片状基体，具有上侧表面、与该上侧表面相对的下侧表面、以及连接上、下侧表面的侧面；
至少一条布线，该布线具有i)位于侧面至少一部分上的侧面布线部；ii)与侧面布线部彼此连接、且位于上侧表面的至少一部分上的上侧表面布线部；和与侧面布线部彼此连接、且位于下侧表面的至少一部分上的下侧表面布线部中至少一个；和
配置在该薄片状基体内的电子部件。
就本发明的部件内置模块而言，‘薄片状基体’一般具有厚度尺寸比其它尺寸小的形态，‘侧面’相当于与厚度方向平行的面，‘上侧表面’和‘下侧表面’分别相当于与厚度方向垂直的面。尤其是，薄片状基体也可以是厚度的尺寸与其它尺寸大致相同的形态(例如立方体)。此时，位于薄片状基体的一个表面(方便地将其设为侧面)上的布线还在与该表面正交的彼此平行的两个表面中至少一个表面延伸的形态的基板，包括在本发明的部件内置模块中，将与侧面正交的该两个表面设为上侧表面和下侧表面。薄片状基体如后所述，也可在上侧表面和/或下侧表面具有凹部。另外，在绝缘性基体具有从上侧表面贯穿到下侧表面的开口部的情况下，规定该开口部的面也变为侧面。另外，所谓‘上侧’和‘下侧’的术语为了指示垂直于厚度方向的两个表面而方便地采用，希望注意的是，不在绝对地确定使用时等的位置的含义下使用。
本发明的部件内置模块的特征在于，在薄片状基体的表面中，具有从侧面向上侧表面和下侧表面至少之一延伸的布线。该布线位于侧面的至少一部分上，并在上侧表面和/或下侧表面的至少一部分上延伸。在本说明书中，为了与仅位于上侧表面或下侧表面的其它布线相区别，将该布线方便地称为‘U/L形侧布线(U/L-shaped side wiring)。U形侧布线是如下布线，即具有位于薄片状基体侧面的侧面布线部、以及上侧表面布线部以及下侧表面布线部两者，在侧面与上侧表面的交界和侧面与下侧表面的交界，垂直弯曲或呈弧状完全，具有构成大致U字部分的布线。L形侧布线仅具有侧面布线部、以及上侧表面布线部中下侧表面布线部之一，在侧面与上侧表面或下侧表面的交界垂直弯曲，或呈弧状弯曲，具有大致L字的部件。在本说明书中，使用‘/’，将这些布线统称为‘U/L形侧布线’。U/L形侧布线的侧面布线部确保上侧表面与下侧表面的电导通，或在将部件内置模块的下侧表面(或上侧表面)作为安装面安装在其它电路基板上时，确保上侧表面(或下侧表面)与该其它电路基板的电导通。就本发明的部件内置模块而言，概括地说，U/L形侧布线是其一部分在薄片状基体的上侧表面上延伸、另一部分在薄片状基体的下侧表面延伸、位于这些一部分之间的其它一部分在薄片状基体的侧面上延伸的U形侧布线。
U/L形侧布线如后所述，有时与其它电气要素(例如形成于上侧表面的布线图案)一体化，不能与该其它电气要素明确区别。即便在这种情况下，只要包含具有侧面布线部、以及上侧表面布线部和下侧表面布线部中的至少一方的布线部分，则包含这种布线部分的部件内置布线基板也包含于本发明的部件内置布线基板中。另外，U/L形侧布线在例如侧面布线部未沿与厚度方向平行的方向延伸的情况下，变为扭曲或变形的U字或L字形，但这也包含于U/L形侧布线中。U/L形侧布线例如也可在侧面分支，但只要分支的各布线经过的路径为大致U字或大致L字，则这种分支后的布线也包含于U/L形侧布线中。
在本发明的部件内置模块的一个方式中，薄片状基体的上侧表面和下侧表面的至少一方或双方具有布线图案(或布线层)、电连接要素和电子部件的至少之一，作为电气要素，U/L形侧布线通过其一部分(端部或此外的部分、即端部以外的中途的部分)连接于这种电气要素上。例如，在部件内置模块的一个方式中，在上侧表面的电气要素与下侧表面的电气要素之间，存在经由薄片状基体的侧面并在其间延伸的U/L形侧布线，即，这种电气要素之间的电导通通过U/L形侧布线来确保。
另外，配置在薄片状基体内的电子部件在一个方式下，按规定与上侧表面和/或下侧表面的电气要素至少之一电连接。取代或除此之外，电子部件也可直接与U/L形侧布线的一部分(例如端部)电连接。在其它方式中，电子部件也可不与部件内置模块的任一其它部分电连接，即仅仅被内置。
作为内置于薄片状基体内的电子部件，可示例半导体元件等有源部件、或电容器、电感、电阻和弹性表面波元件等无源部件。内置的电子部件的数量不特别特定，选择电子部件的数量和种类，使部件内置模块按规定动作。
在本发明的部件内置模块的一个最佳方式中，为了电连接模块的上侧表面的电气要素与下侧表面的电气要素，存在经由薄片状基体的侧面并在这些电气要素之间延伸的U/L形侧布线，不存在从上述的上侧表面贯穿到下侧表面的转接孔。即，U/L形侧布线代替了转接孔。最好是，在上侧表面和下侧表面中存在多个电气要素，因此，存在多个代替连接其的转接孔的U/L形侧布线，尤其是最好在上侧表面和下侧表面中存在大量电气要素。
作为电气要素的布线图案是形成于薄片状基体的上侧表面或下侧表面的规定布线的集合体，在这种布线的一部分上连接U/L形侧布线的一部分(例如端部)。作为电气要素的电连接要素是指为了电连接布线和电子部件等而插入的要素，可示例脊、衬垫和端子等。将这种电连接要素连接于U/L形侧布线的一部分上。这种布线图案或电连接要素最好事先与U/L形侧布线的该一部分一体形成。例如如后所述，例如通过蚀刻一个金属层，在U/L形侧布线和电气要素的连续状态下一起形成。在未一体形成的情况下，也可使用电连接材料(例如焊锡、金属或引线等导电性材料)来连接U/L形侧布线与电气要素。
另外，作为构成电气要素的电子部件，可示例半导体元件等有源部件、和电容器、电感、电阻和弹性表面波元件等无源部件，在这种电子部件的端子上直接或经上述电连接材料连接U/L形侧布线的一部分(例如端部)。在一个最佳方式中，将多条U/L形侧布线电连接于电子部件的多个终端上。
在本发明的部件内置模块中，薄片状基体也可由包含树脂的材料构成，最好是由包含树脂与无机填料的合成材料构成的绝缘性基板。树脂是固化性树脂(最好是热固化性树脂)和热塑性树脂中至少之一。在固化性树脂的情况下，就完成状态的部件内置模块而言，固化性树脂实质上完全固化。在一个方式中，薄片状基体的上侧表面或下侧表面具有由长边和长度比该长边短的短边构成的大致长方形的形状。
在一个方式中，在上述或后述的本发明的部件内置模块的上方和/或下方层叠另外部件内置模块。该另外部件内置模块可以是本发明的部件内置模块，也可以是已知的其它种类的部件内置模块。另外，也可层叠通常的电路基板(未内置部件)来代替其它部件内置模块。在另一方式中，在部件内置模块的上侧表面和下侧表面的至少之一上上安装电子部件。
在本发明的部件内置模块的一个方式中，U/L形侧布线内、侧面布线部的至少一部分沿垂直于薄片状基体厚度方向的方向埋设于薄片状基体内形成。结果，被埋设的布线的表面存在于从薄片状基体的侧面凹下的位置。这种埋设的布线构成侧面布线部的一部分，最好构成侧面布线部的全部。在最佳方式中，U/L形侧布线内，除侧面布线部外，上侧表面布线部和下侧表面布线部中邻接于侧面布线部的部分或整个表面也埋设于薄片状基体内形成。结果，U/L形侧布线的拐角部、即在薄片状基体的角部分周围延伸的布线部分变为从薄片状基体的表面凹下的状态。在其它方式中，U/L形侧布线的表面也可以与薄片状基体的表面共面。
因此，在上述布线部分存在时的一个最佳方式中，U/L形侧布线的侧面布线部的露出面全部埋设于薄片状基体内，结果，U/L形侧布线的侧面布线部的露出面在与基体的侧面共面的状态下、或从侧面向薄片状基体的内部凹下的状态下延伸。在最佳方式中，U/L形侧布线的侧面布线部的端部、即U/L形侧布线的拐角部分(基体的上侧表面或下侧表面与侧面交叉的部分)中，U/L形侧布线的露出面形成凹下的底面。
在本发明的部件内置模块的一个方式中，U/L形侧布线在部件内置模块中例如可用作共面线路。用作共面线路的U/L形侧布线如上所述，最好埋入薄片状基体的侧面中形成。
薄片状基体除电子部件外，其内部还可包含屏蔽构件。在该方式的一例中，薄片状基体在屏蔽构件的两侧内置电子部件(即内置夹持屏蔽构件的相对的两个电子部件)，必要时，将各个电子部件按规定连接于位于上侧表面的电气要素(例如布线图案)上，另外，按规定连接于位于下侧表面的电气要素(例如布线图案)上。
在本发明的部件内置模块的一个方式中，配置于薄片状基体内的电子部件的一部分在薄片状基体上露出。在一个最佳实例中，形成放热构件，以接触电子部件的露出部位。
在第2方面，本发明提供一种部件内置模块的制造方法(为了与后述的部件内置模块的制造方法相区别，也称为‘第1部件内置模块制造方法’)，该方法包含如下工序：
(1-A)准备部件内置模块形成构件(为了与后述的部件内置模块制造方法中使用的部件内置模块形成构件相区别，将该部件内置模块形成构件方便地称为‘部件内置模块形成构件A’)，该构件具有载体薄片(carrier sheet)、配置在该载体薄片上的具有至少一条布线的布线图案和电子部件、和配置在这些布线图案和电子部件上的包含树脂的绝缘层；
(1-B)弯曲(或折叠)部件内置模块形成构件，使绝缘层彼此相对，该至少一条布线的一部分经相对的绝缘层彼此相对，并且该至少一条布线的其它部分在由绝缘层的弯曲部件形成的、弯曲后的绝缘层的侧面上延伸；
(1-C)固化折叠后的部件内置模块形成构件A的绝缘层的树脂。
在工序(1-B)中，最好绝缘层通过弯曲来在接触状态下彼此相对。所谓绝缘层相对是指绝缘层处于重叠状态，可以是在绝缘层之间存在空间的状态下重叠，也可以是绝缘层在接触状态下重叠。
通过包含如下工序的制造方法来实施部件内置模块形成构件A的准备，即工序(1-A)，该制造方法包含：
(1-a)准备具有载体薄片和形成于其上的金属层的层叠体；
(1-b)加工金属层，形成至少具有一条布线的布线图案，同时，在必要的情况下，使位于应配置电子部件的部位下方的载体薄片露出；
(1-c)在露出的载体薄片和/或布线图案上配置电子部件；和
(1-d)在布线图案和电子部件上，形成包含树脂的绝缘层。
在工序(1-c)中，当仅在布线图案上配置电子部件，不必直接接触配置于载体薄片上的情况下，就工序(1-b)而言，不必在配置电子部件的部位使载体薄片露出，在该含义下，记载为‘必要的情况’。
另外，必要时，在工序(1-c)之后，在工序(1-d)之前，最好按规定电连接电子部件与布线图案。这种电连接就工序(1-c)而言，通过配置电子部件，电连接布线图案与电子部件，且在不必此上的连接的情况下，可省略。就部件内置模块形成构件而言，在需要使电子部件电气独立的情况下，不需这种电连接。
就该制造方法而言，工序(1-d)中的绝缘层的形成可以形成以覆盖布线图案整体，也可形成为布线图案的一部分未由绝缘层覆盖。
在第3方面，本发明提供一种部件内置模块的另一制造方法(为了与上述部件内置模块的制造方法相区别，也称为‘第2部件内置模块制造方法’)，其中，包含如下工序：
(2-A)准备部件内置模块形成构件(为了与上述第1制造方法中使用的部件内置模块形成构件相区别，称为‘部件内置模块形成构件B’)，该构件具有载体薄片、配置在该载体薄片上的具有至少一条布线的布线图案、配置在布线图案上的包含树脂的绝缘层、和配置在绝缘层上的电子部件；
(2-B)弯曲(或折叠)部件内置模块形成构件B，使绝缘层彼此相对，该至少一条布线的一部分经相对的绝缘层彼此相对，并且该至少一条布线的其它部分在由绝缘层的弯曲部分形成的、弯曲后的绝缘层的侧面上延伸；
(2-C)固化折叠后的部件内置模块形成构件B的绝缘层的树脂。就该制造方法而言，弯曲的结果，经相对的绝缘层彼此相对的布线部分变为本发明的部件内置模块中的上侧表面布线部和下侧表面布线部，在绝缘层的侧面上延伸的部分变为本发明的部件内置模块中的侧面布线部。
就工序(2-B)而言，通过弯曲，优选绝缘层在接触状态下彼此相对。所谓绝缘层相对是指绝缘层处于重叠状态，可以是在绝缘层之间存在空间的状态下重叠，也可以是在绝缘层接触状态下重叠。
通过包含如下工序的制造方法来实施部件内置模块形成构件B的准备，即工序(2-A)，该制造方法包含：
(2-a)准备具有载体薄片和形成于其上的金属层的层叠体；
(2-b)加工金属层，形成至少具有一条布线的布线图案；
(2-c)在布线图案上，形成包含树脂的绝缘层；
(2-d)在绝缘层上配置电子部件。
就该部件内置模块形成构件B的制造方法而言，绝缘层即可形成以覆盖布线图案的整体，也可形成为布线图案的一部分未由绝缘层覆盖，而是露出。在布线图案的一部分未由绝缘层覆盖的情况下，在配置电子部件之后，必要时，可通过适当的方法来电连接电子部件与布线图案的露出部分。
在一个方式下，就任一部件内置模块的制造方法而言，折叠部件内置模块形成构件的工序实施使至少1条布线形成U/L形侧布线。在另一方式中，在如此折叠之前，折叠部件内置模块形成构件的其它部分(即通过折叠来形成U/L形侧布线的部分以外的其它部分)，布线图案中包含的其它布线(为了方便，将之称为‘布线s’)的一部分经在接触状态下相对的绝缘层彼此相对，并且，布线s的其它部分在通过绝缘层的弯曲部分形成的、弯曲后的绝缘层的侧面上延伸。之后，折叠部件内置模块形成构件，使至少1条布线形成U/L形侧布线，相对的布线s的一部分在绝缘层的厚度方向上位于弯曲后的绝缘层的上侧表面与下侧表面之间，以形成U/L形侧布线。布线s的一部分例如可经绝缘层与U/L形侧布线相对，尤其是最好位于U形侧布线的上侧表面布线部与下侧表面布线部之间。位于绝缘层内的布线s的部分如后所述，可构成屏蔽构件。
就上述两种第1和第2部件内置模块的制造方法和部件内置模块形成构件A和B的制造方法各自而言，所用的材料(例如树脂、层叠体等)可使用实质上相同种类的材料。形成于载体薄片上的绝缘层最好包含固化性树脂，尤其是热固化性树脂。此时，在制造部件内置模块形成构件的时刻，不完全固化，最好是所谓的半固化状态。在制造部件基板时，最好在固化时(即工序(1-C)或工序(2-C))使之完全固化。
就任一部件内置模块的制造方法而言，通过在工序(C)中固化树脂，相对的绝缘层实质上成为一体，构成本发明的部件内置模块的薄片状基体。固化可通过任一适当手段来实施，例如通过加热来固化。此时，固化性树脂最好是热固化性树脂(例如环氧树脂)，最好包含无机填充材料(例如Al2O3、MgO、BN、AlN和SiC)。在树脂是热塑性树脂的情况下，在形成树脂层时加热，使树脂熔融或软化，在熔融或软化的状态下实施弯曲，之后，冷却树脂，从而固化。
并且，本发明在第4方面提供一种部件内置模块的再一制造方法(为了与上述部件内置模块的制造方法相区别，也称为‘第3部件内置模块制造方法’)，该方法包含如下工序：
(3-A)准备部件内置模块形成构件(为了与上述第1和第2制造方法中使用的部件内置模块形成构件相区别，称为‘部件内置模块形成构件C’)，该构件具有载体薄片、配置在该载体薄片上的具有至少一条布线的布线图案和电子部件；
(3-B)弯曲部件内置模块形成构件C，使布线图案变为内侧，该至少一条布线的一部分相互对置，并且在对置的部分之间形成空隙；
(3-C)向空隙内注入包含固化性树脂的材料，在布线图案之间形成树脂层；
(3-D)使该树脂层固化；和
(3-E)去除载体薄片，使该布线图案露出。就该制造方法而言，首先通过弯曲部件内置模块形成构件C来形成U/L形侧布线，通过向由弯曲部件内置模块形成构件C形成的凹部注入包含固化性树脂的材料，并使之固化，形成绝缘层。部件内置模块形成构件C通过实施上述部件内置模块形成构件A的方法中的工序(1-a)至(1-c)来得到。载体薄片的至少一个布线可以弯曲成U字形状，使其弯曲形成凹部。或者载体薄片的至少一个布线形成矩形的轮(即在最终的模块中使形成两个U/L形侧布线)，弯曲成矩形的筒形。或者将载体薄片在适当的金属模具中弯曲，通过该金属模具与载体薄片来密封在布线间形成的空隙。在通过弯曲在载体薄片中不存在通过空隙的部分时(即通过载体薄片和/或金属模具将空隙完全包围时)，在载体薄片或金属模具中设置树脂注入用的孔，注入树脂。也可以通过选择适当的弯曲方在六面体的两个以上的侧面(例如整个四个侧面)上配置U/L形侧配线。
本发明的部件内置模块可用于适当的电子设备任一种，例如，可用于便携用电子设备中。此时，电子设备配备本发明的部件内置模块、和容纳部件内置模块的壳体。因此，在第5方面，本发明提供一种具有上述本发明的部件内置模块的电子设备。
本发明的部件内置模块由于具有绝缘性薄片状基体；配置在薄片状基体内的电子部件；和U/L形侧布线，该布线从薄片状基体的上侧表面经由侧面延伸到下侧表面，或从薄片状基体的上侧表面或下侧表面延伸到侧面，并在侧面终止，所以不必形成转接孔。因此，根据本发明，与以前相比，可提供可有效制造的部件内置模块。
附图说明
图1是模式表示现有的部件内置模块400的立体图。
图2是模式表示本发明实施方式1的部件内置模块100的立体图。
图3是模式表示本发明实施方式1的部件内置模块100的截面图。
图4(a)-(d)是说明部件内置模块形成构件的制造方法用的工序截面图。
图5(a)-(c)是说明部件内置模块形成构件的制造方法用的工序截面图。
图6(a)和(b)是说明部件内置模块的第1制造方法的工序截面图。
图7(a)和(b)分别是模式表示本发明实施方式2的部件内置模块200的底面图和截面图。
图8(a)-(c)是说明部件内置模块200的制造方法用的工序截面图。
图9是模式表示本发明实施方式2的部件内置模块210的截面图。
图10是模式表示本发明实施方式2的部件内置模块220的截面图。
图11是模式表示本发明实施方式2的部件内置模块的截面图。
图12是本发明部件内置模块中的U/L形侧布线20的主要部分放大图。
图13是本发明部件内置模块中的U/L形侧布线20的主要部分放大图。
图14是本发明部件内置模块中的U/L形侧布线20的主要部分放大图。
图15(a)-(e)是说明本发明实施方式3的部件内置模块100的制造方法用的工序截面图。
图16(a)和(b)是说明本发明实施方式4的、制造在内部设置屏蔽构件(屏蔽层)35的部件内置模块100的方法用的工序截面图。
图17是本发明实施方式5的部件内置模块100’中的U/L形侧布线20的主要部分放大图。
图18是表示将图17所示的部件内置模块100’焊在印刷基板60上的状态的主要部分放大图。
图19是表示将本发明实施方式5的部件内置模块100”焊在印刷基板60上的状态的主要部分放大图。
图20是表示经连接器80将部件内置模块100安装在印刷基板60上的构成的截面图。
图21是说明本发明实施方式6的部件内置模块制造方法用的工序截面图。
图22是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图23是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图24是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图25是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图26是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图27是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图28是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图29是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图30是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图31是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图32是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图33是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图34是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图35是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图36是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图37是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图38是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图39是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的底面图。
图40是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的底面图。
图41是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的底面图。
图42是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300中的半导体元件的端子与布线的排列的底面图。
图43是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图44是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图45是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图46是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图47是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图48是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图49是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图50是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图51是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图52是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图53是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图54是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图55是模式表示本发明实施方式7的部件内置模块300一例的截面图。
图56(a)-(c)是说明部件内置模块的第2制造方法用的工序截面图。
图57(a)-(c)是说明部件内置模块的第2制造方法用的工序截面图。
图58(a)-(d)是说明部件内置模块的第3制造方法用的工序截面图。
图中：10-薄片状基体，15-薄片，20-布线，22-凸部，30-电子部件，32-半导体元件，33-端子，32a-元件端子，32b-金属细线，32c-突起，32d-焊锡球，33-端子，34-无源部件(芯片部件)，35-屏蔽构件(屏蔽层)，40-载体薄片，42-金属层，44-布线图案，60-印刷基板，62-半导体元件，63-导线，64-无源部件(芯片部件)，66-电子部件，70-焊锡，71-第一辊，72-第二辊，73-辊，80-连接器，100-部件内置模块，100’，100”-部件内置模块，200，210，220，300-部件内置模块，400，500-部件内置模块。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。图中，为了简化说明和容易理解，原则上用相同的参照符号表示实质上具有相同功能的构成要素。另外，本发明不限于以下实施方式。
(实施方式1)
参照图2和图3，说明本发明的实施方式1的部件内置模块(或电路部件内置模块)100。图2是模式表示本实施方式的部件内置模块100的构成的立体图，图3是图2所示部件内置模块100的模式截面图。
图2和图3所示部件内置模块100具有薄片状基体10、配置在薄片状基体10内的电子部件30(32、34)、和多个U/L形侧布线20(在图示的方式中，为U形侧布线)。薄片状基体10具有上侧表面10a、面对上侧表面10a的下侧表面10b、和连接上侧表面10a与下侧表面10b的侧面10c。U/L形侧布线20的一端连接于位于薄片状基体10的上侧表面10a的电气要素20a(例如脊等端子)上。从电气要素20a延伸的U/L形侧布线20通过薄片状基体10的侧面10c，到达下侧表面10b，另外，U/L形侧布线20的另一端连接于位于薄片状基体10的下侧表面10b的电气要素(例如脊等端子)20b上。在图示的状态下，多条U/L形侧布线20的至少一条如图3所示，经由电气要素20a和导线(或金属细线)32b，电连接于电子部件32上。在其它方式中，U/L形侧布线20也可以仅经导线(或金属细线)32b、或仅经电气要素20a，直接电连接于电子部件30(32、34)上。
在图2和图3所示实例中，在薄片状基体10内的上方内置半导体元件(例如裸芯片等)，作为电子部件32，在薄片状基体10内的下方，内置芯片部件(例如芯片电感、芯片电容或芯片电阻等)，作为电子部件34。在半导体元件32中，形成端子(元件端子)32a，元件端子32a与脊20a通过引线接合、由金属细线32b连接。芯片部件32例如通过锡焊安装在形成于薄片状基体10的下侧表面10b中的布线图案(包含脊20b的布线图案)中。
在本实施方式中，U/L形侧布线20两端连接于脊20a和20b上。脊20a和20b成为将该部件内置模块连接于其它基板或半导体元件等上的端子，在该含义下用符号20a和20b表示的电气要素被称为端子。U/L形侧布线20以及脊20a和20b最好事先一体形成。薄片状基体10的上侧表面10a(和下侧表面10b)大致为平面，具有大致矩形的形状。如后面详细描述，但本实施方式的薄片状基体10最好通过折叠包含半固化状态的树脂的绝缘层、之后、将折叠的包含半固化状态的树脂的绝缘层变为完全固化状态来形成。在表现此情况的图3中，用虚线表示折叠时产生的重合面(即在接触状态下相对的绝缘层规定的面)11，但在实际中，由于变为完全固化状态时绝缘层中包含的树脂软化或熔融变为一体，所以多不存在虚线11等重合面。
在本实施方式的部件内置模块100中，薄片状基体10中的上侧表面10a与下侧表面10b之间的电导通通过U/L形侧布线20来进行。U/L形侧布线20具有进行薄片状基体10中的上侧表面10a与下侧表面10b的电导通的功能，所以不在薄片状基体10中形成用于确保上侧表面10a与下侧表面10b之间的电导通用的转接孔。换言之，在本实施方式的部件内置模块100中，不必以前的部件内置模块必需的转接孔。
在本说明书中，‘转接孔’的术语用作包含‘内部转接孔’和‘通孔’的统称术语。一般，‘转接孔’和‘通孔’不明确区别来使用，但所谓‘转接孔’是指彼此电连接布线图案的贯穿孔，主要指为了电连接多层布线基板的绝缘层两侧的布线图案之间而形成的孔，‘通孔’主要是指进行上侧表面的布线图案与下侧表面的布线图案之间的电连接用的贯穿孔。在本说明书中，‘转接孔’是通过薄片状基体的孔，用来实现电导通。这种孔可以是填充导电性材料的状态，也可以具有由导电性材料形成的被膜。
部件内置模块100最好是包含由含有树脂等有机材料的材料构成的薄片状基体的有机(organic)部件内置模块。本实施方式的部件内置模块的薄片状基体10在一个方式中由包含树脂(例如热固化性树脂和/或热塑性树脂)和无机填料的合成材料形成，树脂最好使用热固化性树脂。也可实质上不用无机填料，仅由热固化性树脂来构成薄片状基体10。热固化性树脂例如是环氧树脂等，在添加无机填料的情况下，可使用例如Al2O3、SiO2、MgO、BN和AlN等填料。通过添加无机填料，可控制薄片状基体10的各种物性，所以最好由包含无机填料的合成材料来形成薄片状基体10。
U/L形侧布线20例如由铜箔形成，其厚度例如为3-50微米左右。U/L形侧布线20的条数例如为8条以上。在图2所示构成中，形成18条。在图2和图3所示构成中，除图示的U/L形侧布线20外，还通过由一个铜箔同时形成端子20a和20b来一体形成。另外，在图示的模块中，除U/L形侧布线外，也可形成未连接于端子20a和20b上的U/L形侧布线，作为伪布线。
可向伪布线赋予使布线密度变均匀的功能。另外，也可将伪布线用作检查用布线。另外，也可通过伪布线来与调查安装部件内置模块100的印刷基板的匹配，或在伪布线中装载检查用部件(或电路常数调整用部件)，调整部件内置模块和/或电路基板的常数(例如特性电阻)。检查用部件(或电路常数调整用部件)例如是芯片部件(芯片电感、芯片电阻和芯片电容等)，该部件可在最终制品阶段取下，或原样装载。
U/L形侧布线20的最大条数取决于半导体元件等电子部件32的端子数和部件内置模块100的尺寸等。并且，考虑U/L形侧布线20的线宽和间隔(线-间隔；L/S)来确定U/L形侧布线的最大条数。例如，在对应于通常的安装面积的规定尺寸的部件内置模块中，U/L形侧布线20的最大条数例如为500条左右。当然，也可形成该数量以上或以下的U/L形侧布线20。
在图2所示构成中，端子(脊)20a是连接U/L形侧布线20的电气要素，排列在薄片状基体10的上侧表面10a中的外缘区域中。即，在本实例中，对应于内置于薄片状基体10的上侧表面10a正下方的电子部件(例如裸芯片半导体元件)32的端子32a的排列，按外围类型来排列连接U/L形侧布线20的一端的端子(脊)20a。使连接薄片状基体10的下侧表面10b中的U/L形侧布线20另一端部的端子(脊)20b的排列对应于芯片部件34的配置，只要对应于安装部件内置模块100的印刷基板(例如母板)的端子排列来确定即可。例如，端子20b可在薄片状基体10的下侧表面10b中排列成栅格状。具体而言，将端子20b作为脊，形成脊栅格阵列(LGA)状，或形成装载焊锡球的球栅格阵列(BGA)状。
考虑配置在部件内置模块100内的电子部件30的尺寸和个数、安装部件内置模块100的印刷基板的大小以及部件内置模块100的布线数与布线的线-间隔(L/S)等来确定部件内置模块100的尺寸，不特别限定。在一例中，薄片状基体10的上侧表面的面积为200mm2以下。
本实施方式的部件内置模块100中的薄片状基体10具有大致六面体(通常厚度尺寸与其它尺寸相比相当小的长方体)的形状，薄片状基体10的上侧表面10a和下侧表面10b形成大致矩形。这里，‘大致六面体和大致矩形’除几何学含义下的六面体和矩形(长方形)外，还包含角和边带圆的六面体和矩形，另外，也包含面不完全是平面而有弯曲等的六面体和矩形等。在图2所示构成中，在薄片状基体10的边所在区域没有棱角、带圆的情况下(即为倒角后的形状的情况下)，得到缓和U/L形侧布线20断线等的效果。
在图2所示实例中，薄片状基体10的上侧表面10a具有备有长边10L和短边10S的大致长方形的形状，长边10L的长度是短边10S的长度的例如3倍以下。在本实施方式的构成中，最好设存在于薄片状基体10的侧面10c上的U/L形侧布线20的宽度为0.25mm以下，另外，最好布线20间的间隔为0.3mm以下。薄片状基体10的厚度例如为0.1-2mm左右。
在部件内置模块中形成转接孔的情况下，若基体为正方形，则可最有效地排列多个转接孔。换言之，在基体为细长的长方形或长圆形的情况下，与正方形的情况相比，不能有效设置多个转接孔。另一方面，在本实施方式的部件内置模块100的情况下，通过规定U/L形侧布线20的线-间隔(L/S)，可排列U/L形侧布线20，所以不仅正方形的基体，在长方形(例如长边10L为短边10S的1.4倍以上的长方形)的基体中也可有效形成多个U/L形侧布线20。在图2所示方式中，在大致六面体的薄片状基体10中的两个侧面10c中，形成U/L形侧布线20，但U/L形侧布线延伸的面、位置和长度等不限于此。例如，在形成较多U/L形侧布线20的情况下，也可在所有侧面10c中形成U/L形侧布线20。
下面，参照图4-图6来说明图2和图3所示本实施方式的部件内置模块100的制造方法的一个方式。图4-图6与图3一样，是模式截面图。
图4(a)-(d)和图5(a)-(c)示出用于说明形成包含半固化状态树脂的薄片15来作为部件内置模块形成构件A的方法的工序。如上所述，部件内置模块形成构件A具有载体薄片、配置在该载体薄片上的具有至少一条布线(应构成U/L形侧布线的布线)的布线图案和电子部件、和配置在这些布线图案和电子部件上的包含固化性树脂的绝缘层。电子部件可以直接配置在布线图案上(参照图4(c))，也可直接配置在去除金属箔后露出的载体薄片上(参照图4(d))。
部件内置模块形成构件A可通过如下方法来准备，该方法包含如下工序：
(1-a)准备具有载体薄片40和形成于其上的金属层42的层叠体41；
(1-b)加工金属层42，形成至少具有一条布线的布线图案44，同时，在必要的情况下，使位于应配置电子部件32的部位下方的载体薄片露出；
(1-c)在露出的载体薄片和/或布线图案上配置电子部件32；和
(1-d)在布线图案44和电子部件32上，形成包含固化性树脂的绝缘层15。
如图4(c)所示，在按规定仅在布线图案44上配置电子部件32的情况(即不必在载体薄片上直接接触配置电子部件的情况)下，在工序(1-b)中，不必使位于应配置电子部件32的部位正方的载体薄片40露出。如图4(d)所示，在载体薄片40上直接配置电子部件32的情况下，在对应于配置部位的部分来使载体薄片40露出。当然，载体薄片40可通过形成布线图案在布线不在的部分露出。
另外，必要时，在工序(1-c)之后、工序(1-d)之前，如图4(c)和(d)所示，按规定电连接电子部件32与布线图案44，例如利用金属细线32b来连接。这种电连接在工序(1-c)中，通过配置电子部件，在电连接布线图案与电子部件的情况下，或不必连接布线图案与电子部件的情况下可省略。
首先，准备层叠体的工序(1-a)如图4(a)所示，通过准备在一个表面中形成金属层42的载体薄片40来实施。金属层42例如由铜箔构成，载体薄片40例如由金属箔(铜箔或铝箔)或树脂薄片等构成。金属层42和载体薄片40的厚度例如分别为3-50微米左右和25-200微米左右。已知为了制造电路基板而形成的各种层叠体来作为该层叠体。
接着，加工上述层叠体的金属层42的工序(1-b)也可通过任一适当的已知方法来实施。如图4(b)所示，作为布图工序，已知形成规定布线图案44、和去除对应于应配置电子部件32的部分的金属层部分后使载体薄片露出。这种工序例如可通过使用掩膜的蚀刻加工来实施。
接着，在工序(1-c)中，配置电子部件。在一个方式中，如图4(c)所示，在布线图案44上配置电子部件32和34。在另一方式中，如图4(d)所示，在露出的载体薄片40上直接配置电子部件32和34。在任一方式中，必要时，都安装成电连接布线图案44与电子部件32和34。在图示的方式中，通过引线接合，使用金属细线32b来连接部件内置模块中在构成U/L形侧布线的布线20一端形成的脊20a与电子部件(例如半导体元件(裸芯片))32的端子(未图示)。另外，其它电子部件(例如芯片部件)34连接于形成于部件内置模块中构成U/L形侧布线20的布线20另一端的脊20b上，进而电连接于布线图案44上。这里，芯片部件34的安装可通过焊接来进行。
接着，在工序(1-d)中形成绝缘层。如图5(a)和(b)所示，在载体薄片40上涂布树脂，形成绝缘层15，以覆盖电子部件32和34以及布线图案44。所用的树脂是电绝缘性的热固化性树脂和/或热塑性树脂。最好是处于半固化状态的固化性树脂，尤其是热固化性树脂。树脂如上所述，也可包含填料。绝缘层15的厚度例如为50-100微米左右。
例如，在载体薄片40上涂布处于B-阶段状态的包含热固化性树脂与无机填料的合成材料。在一例中，相对于热固化性树脂100重量份，无机填料包含100重量份以上(最好是140-180重量份)。所谓B-阶段状态是指在中间阶段使固化反应停止的状态，若进一步加热B-阶段状态的树脂，则一旦软化(熔融)后，达到完全固化。另外，将完全固化的状态称为C-阶段。
作为无机填料，在添加Al2O3、BN或AlN等的情况下，可使部件内置模块的导热性变好。另外，通过选择适当的无机填料，可调整热膨胀系数。树脂成分的热膨胀系数较大，但通过添加SiO2或AlN等，可减小绝缘层(部件内置模块中的薄片状基体)的热膨胀系数。另外，不同情况下，通过添加MgO，可使导热率变好，同时增大热膨胀系数。另外，若为SiO2(尤其是非晶质SiO2)，则在能减小热膨胀系数的同时，降低介电常数。
如上所述形成绝缘层时，可得到部件内置模块形成构件A。在工序(1-d)之后，部件内置模块形成构件A为具有载体薄片的状态，在该状态下，可直接用于部件内置模块的第1制造方法的工序(1-A)中。
使用上述得到的部件内置模块形成构件A，通过如下第1部件内置模块制造方法来制造部件内置模块，该方法包含如下工序：
(1-B)折叠部件内置模块形成构件A，使部件内置模块形成构件A的绝缘层在接触状态下相对，构成布线图案的至少一条布线的一部分变为经接触状态下相对的绝缘层彼此相对的上侧表面布线部与下侧表面布线部，并且该至少一条布线的其它部分变为侧面布线部，在接触状态下相对的绝缘层的侧面上延伸；和
(1-C)在折叠状态下固化部件内置模块形成构件A的绝缘层的树脂。
在实施工序(1-B)时，在弯曲部件内置模块形成构件A之前，如图5(c)所示，去除载体薄片40，以薄片方式得到在表面形成布线图案44的绝缘层15。该薄片15中，布线图案44在其表面露出，同时，内置电子部件32和34。当制造部件内置模块形成构件A时，如图4(d)所示，在将电子部件直接配置在载体薄片上的情况下，变为电子部件32的下侧表面露出的状态。
在工序(1-B)中，例如折叠薄片15，变为图6(a)所示构造(图示方式下，将薄片15折叠到正好一半)。即，绝缘层15弯曲成在虚线11所示面中，在接触状态下相对，构成布线图案的至少一条布线20的一部分(20-1和20-2)经绝缘层15变为相对的上侧表面布线部与下侧表面布线部，并且该至少一条布线的其它部分(20-3)变为在弯曲后的绝缘层15的侧面上延伸的侧面布线部。因此，由上侧表面布线部20-1、下侧表面布线部20-2和侧面布线部20-3构成的布线20构成从绝缘层15的上侧表面经由侧面延伸到下侧表面的至少一条布线、即U/L形侧布线。图6(a)所示构造除绝缘层15的图中左侧侧面不存在U/L形侧布线和绝缘层重叠外，实质上与图3所示部件内置模块100的构造一样。为了得到图3所示构造，例如必需使形成U/L形侧布线的布线位于部件内置模块形成构件A的两处，在该部位折叠部件(参照图8)。另外，图6(a)示出在图2所示部件内置模块中，在一个侧面中没有U/L形侧布线的部位切断的截面。
接着，在工序(1-C)中，当加热和加压使图6(a)所示构造体完全固化时，如图6(b)所示，重叠的绝缘层变为一个薄片状基体10，该薄片状基体构成本发明的部件内置模块100。在图6(b)所示状态下，因为薄片状基体10完全固化，所以变为C-阶段。树脂在为热塑性的情况下，在加热和加压后，只要冷却，即变为固化状态。另外，图6(b)中示出绝缘层的接触面11，但也可在固化后明确地不存在。
如上所述，也可在折叠部件内置模块形成构件之前，如图5(c)所示，不去除载体薄片40，而在折叠部件内置模块形成构件之后，在固化之前，去除载体薄片40。另外，载体薄片40的去除也可在部件内置模块完成后、例如固化后、或在安装部件内置模块之前来实施。
图6(a)中，为了容易理解，用虚线11表示折叠薄片15时呈现的重合面。加热和加压后，薄片15一体化构成薄片状基体10，所以多不存在重合面11，但也可残留。
下面，说明第2部件内置模块制造方法。第2部件内置模块制造方法与第1部件内置模块制造方法的不同之处在于上述工序(2-A)中使用的部件内置模块形成构件为部件内置模块形成构件B。其它与第1部件内置模块制造方法相同。
参照图56和图57来说明部件内置模块形成构件B的制造方法。在该制造方法中，与在先的部件内置模块形成构件A的制造方法一样，实施如下工序：
(2-a)准备具有载体薄片40和形成于其上的金属层的层叠体；和
(2-b)加工金属层，形成至少具有一条布线的布线图案44。
之后，实施如下工序：
(2-c)在布线图案44上，形成包含树脂的绝缘层15，最好是包含固化性树脂(尤其是热固化性树脂)的绝缘层15；和
(2-d)在绝缘层15上配置电子部件32。
在该方法中，与部件内置模块形成构件A的制造方法不同，首先形成绝缘层15，在形成的绝缘层上配置电子部件32。绝缘层可以形成为覆盖形成的布线图案44的整体(参照图56(a))，也可形成为布线图案的一部分露出，覆盖剩余部分(参照图57(a))。在使布线图案的一部分露出的情况下，必要时，可按规定通过例如金属细线32b来电连接布线图案的露出部分与配置的电子部件32。如此得到的部件内置模块形成构件B与第1部件内置模块制造方法的工序(1-B)和(1-C)一样，经上述工序(2-B)和工序(2-C)，通过折叠部件内置模块形成构件B，使绝缘层固化，得到本发明的部件内置模块500。
图56(a)示出部件内置模块形成构件B的模式截面图，形成绝缘层15，以覆盖形成于载体薄片40上的布线图案44的整体，在绝缘层上配置具有端子33的电子部件32。折叠这种部件内置模块形成构件，如图56(b)所示，使工序(2-A)中构成布线图案44的至少一条布线形成U/L形侧布线20，之后，在工序(2-B)中，通过加热和加压，得到部件内置模块。另外，部件内置模块也可通过从图56(a)所示部件内置模块形成构件B的状态去除载体薄片40之后，如图56(c)所示折叠，之后，固化的方法来制造。在其它方式中，在具有图56(a)所示载体薄片40的状态下折叠，变为图56(b)的状态，使之固化后，去除载体薄片40，得到部件内置模块，也可在用作部件内置模块之前，作为具有载体薄片的状态不变。
为了容易理解，在工序(2-A)中，折叠部件内置模块形成构件B，在接触状态下使绝缘层彼此相对时，通过改变相对的绝缘层的重合程度，使部件内置模块形成构件B中露出的电子部件的表面(图56或图57中为上侧表面)从部件内置模块的上侧表面和下侧表面之一(图56中为上侧表面)露出(例如图56所示，在部件内置模块的上侧露出状态)，或如图57所示，可完全埋设在部件内置模块的内部。并且，必要时，调整绝缘层的重合程度和/或加热加压条件，构成绝缘层的材料埋入端子33之间的区域(参照图56(a))。
并且，参照图58，说明第3部件内置模块制造方法。第3部件内置模块制造方法实施上述部件内置模块部件A的制造工序(1-a)至(1-c)，得到图58(a)所示的部件内置模块形成构件C(工序(3-A))。接着，如图58(b)所示，弯曲该部件内置模块形成构件C，使布线层44变为内侧，应变为U/L形侧布线20的部分变为大致U字形(工序(3-B))。之后，如图58(c)所示，向通过弯曲形成的凹部中注入包含固化性树脂的材料15a(工序3-C)。注入的材料是从在先示例为构成绝缘性薄片状基体的材料中选择的、最好是包含热固化性树脂和无机填料的合成材料。通过加热和加压使注入的材料中包含的固化性树脂固化后(工序3-D)，去除载体薄片40使布线层露出时(工序3-E)，得到图58(d)所示的本发明的部件内置模块100。
如上所述，若制造部件内置模块，则可得到具有U/L形侧布线20、内置电子部件32、34的薄片状基体10。由于薄片状基体10的上侧表面10a与下侧表面10b之间的电导通由U/L形侧布线20确保，所以不必在薄片状基体10中形成转接孔，因此，可省略形成转接孔的工序。
这样，由于本发明的部件内置模块不必形成转接孔，所以没有伴随使用冲孔或激光器等转接孔的加工的构成基体薄片的材料的限制。因此，例如可在构成基体薄片的材料(即形成绝缘层的材料)中混入难以吸收激光的材料(玻璃、二氧化硅等)填料。结果，可使用这种填料来调整基体材料的物性(导热率、热膨胀系数)。另外，由于在使用导电性胶的转接孔连接中一般需要最佳化构成绝缘层的材料的粘度来稳定转接孔形状，所以容易伴随电子部件的内置而产生空隙。相反，由于本发明的部件内置模块可以使用适于电子部件内置的柔软的树脂，所以可抑制空隙的生成。另外，由于不受材料限制，也可较自由地采用引线接合等安装方法。
并且，本发明的部件内置模块的制造方法可通过省略要求高精度的转接孔形成工序本身来简化和低成本化基板的制造方法。另外，由于也不必冲孔或激光器装置等设备，所以可使部件内置模块的制造成本降低。另外，通过折叠具有布线图案和形成于其上的薄片状绝缘层的部件内置模块形成构件，形成部件内置模块，所以不必转接孔连接中所需的、在部件内置模块的上下面使位置配合来形成脊的工序，另外，也不必执行在制作含有转接孔的部件内置模块的情况下的、转接孔与脊的位置配合工序。
另外，U/L形侧布线20通过折叠部件内置模块形成构件可较容易地形成，另外，与转接孔连接相比，可容易对应于窄间距。此外，通过用U/L形侧布线20、而非转接孔来连接上侧表面与下侧表面，也可使部件内置模块的可靠性提高。即，在转接孔连接的情况下，由于通过转接孔部(导电性胶或电镀)与脊部的接触来进行电耦合，所以当基体沿厚度方向热膨胀时，接触部离开，结果，基板的可靠性下降。另一方面，在本发明的情况下，因为可由从金属层(例如铜箔)加工的U/L形侧布线20(即U/L形侧布线为一体的)来连接上侧表面与下侧表面，所以与转接孔连接相比，可使可靠性提高。U/L形侧布线20最好由具有电解铜箔(ED箔)的层叠体来形成。当由电解铜箔形成U/L形侧布线20时，由于铜箔厚度均匀，所以有利于电阻控制和/或布线图案形成。
另外，在本发明的部件内置模块的制造方法中，也具有可在制造中途的阶段进行检查的优点。例如，在图4(c)所示部件内置模块形成构件的制造途中的阶段，由于可完成电子部件与布线图案的电连接，所以可在该阶段进行电气检查。检查可通过调查规定部位的电阻值、例如使用扫描仪和万用表来自动测试执行。另外，不仅确认电阻值，也可确认实动作。实施这些检查，在部件内置模块形成构件的阶段中，当判断为连接不好的情况下，可容易进行电子部件的修复(更换)。结果，可使部件内置模块的制造中的成品率提高。另外，即便在制造试作类型的部件内置模块(部件内置模块)的情况下，能进行修复也是很好的。相反，在图1所示的现有部件内置模块400中，难以在制造中途的阶段进行电子部件与布线之间的电连接的检查。
根据本发明的部件内置模块的制造方法，由于不必以前所需的转接孔形成工序就能提供部件内置模块，所以可使部件内置模块的制造效率提高。另外，本发明的部件内置模块尽管安装面积小，但由于不必形成转接孔，所以可形成更多的端子。结果，可对应于小型化、多管脚化和窄间距化的趋势。此外，本发明的部件内置模块可缩短电子部件间的连接距离，可降低模块的噪声。
(实施方式2)
下面，参照图7(a)和(b)，说明本发明实施方式2的部件内置模块。图7(a)是模式表示本实施方式的部件内置模块200的构成的底面图，图7(b)是图7(a)所示部件内置模块200的模式截面图。但是，图7(b)所示端子33的位置未与图7(a)所示端子的位置正确对应。对应于电子部件，在一个方式中，是图7(a)所示排列，在其它方式中，是图7(b)所示排列。在后述任一实施方式中，为了简化说明，省略或简化与实施方式1相关说明的部件、要素和制造方法的说明。
图7(a)和(b)所示的部件内置模块200具有作为电子部件的半导体元件32、内置半导体元件32的薄片状基体10、和沿薄片状基体10的上侧表面10a、下侧表面10b和侧面10c延伸的U/L形侧布线20。图2所示部件内置模块100中的半导体元件32与U/L形侧布线20电连接，但在本实施方式的部件内置模块200中，尽管半导体元件32内置于薄片状基体10中，但半导体元件32未与U/L形侧布线20电连接。
在本实施方式的部件内置模块200中，半导体元件32的底面从薄片状基体10的底面(下侧表面)10b露出，另外，在半导体元件32的底面中二维排列多个端子33。在薄片状基体10的底面10b中，配置多个与U/L形侧布线20连接的脊20b。在本实施方式的部件内置模块200中，由于半导体元件32与U/L形侧布线20未直接电连接，所以在想电连接二者的情况下，可将部件内置模块200安装在例如布线基板(母板)上，经该布线基板来电连接二者。本实施方式的部件内置模块具有不必将内置的半导体元件32与其它布线等连接的优点。除半导体元件32外，也可在薄片状基体10中内置无源部件(例如图3的芯片部件34)。
本实施方式的半导体元件32是例如将端子33排列成面阵列状的面阵列型半导体组件。在图7所示实例中，使用面阵列CSP(面阵列芯片尺寸组件)来作为半导体元件32。作为面阵列CSP，例如可使用LGA(脊栅格阵列)类型的CSP、或BGA(球栅格阵列)类型的CSP。图7所示的半导体元件(面阵列CSP)32是LGA类型的CSP。作为面阵列CSP，可使用如下的CSP，即将裸芯片安装在隔板(中间基板)中，由该隔板，将裸芯片的外围端子排列变换成面阵列端子排列(例如FBGA、FLGA等)，或不使用隔板，在裸芯片上形成绝缘层，并在该绝缘层上进行再布线(布线的缠绕)，从而将裸芯片的外围端子排列变换成面阵列端子排列(例如RCSP、实际尺寸CSP等)。
下面，参照图8(a)-(c)来说明本实施方式的部件内置模块200的制造方法一例。
首先，准备部件内置模块形成构件B。部件内置模块形成构件B如图8(a)所示，构成为在载体薄片40上形成布线图案44，在布线图案44上形成绝缘层15，在绝缘层15上配置作为电子部件的半导体元件(面阵列CSP)32。绝缘层15是形成于具有包含构成U/L形侧布线20的布线的布线图案44的载体薄片40上的、例如半固化状态(B阶段)的树脂层。这种部件内置模块形成构件B如下得到，即在如图4(a)-图4(b)所示形成布线图案44之后，如图56(a)所示，在载体薄片40上形成绝缘层15，以覆盖布线图案44，之后，配置电子部件32。
接着，如图8(b)所示，将部件内置模块形成构件B的右侧绝缘层15与载体薄片40一起弯曲。随着，如图8(c)所示，折叠绝缘层15，使绝缘层(15-1和15-2)彼此相对，形成薄片状基体10的局部形状。这些绝缘层既可如图所示接触(用虚线图示接触面)，也可在相对的绝缘层之间存在空隙部。通过该折叠，U/L形侧布线20的侧面布线部在绝缘层15的弯曲部延伸。该弯曲部构成薄片状基体10的侧面。部件内置模块形成构件B左侧的绝缘层15也同样被折叠，在完成薄片状基体10的整体形状之后，若加热和加压该折叠体，则树脂完全固化，得到包含薄片状基体10的本发明的部件内置模块200。
下面，说明部件内置模块200的变形例。在一个变形例中，可在本发明的部件内置模块200中进一步安装追加的电子部件。在图9所示部件内置模块210中，在图7所示部件内置模块200的上面，安装半导体组件，作为追加的电子部件62。在图9所示的部件内置模块210中，连接位于薄片状基体10上面、并与U/L形侧布线20连接的端子(脊)20a、和半导体组件62的端子(导线)63。在图9所示状态下，电子部件32和62按三维方向排列(即重叠在薄片状基体的厚度方向上)，实质可利用的安装面积被扩大。
另外，在图9所示构成中，符号20a’表示从脊20a延伸的布线图案的布线部分，包含该部分来形成电路。另外，在半导体组件62与薄片状基体10的上侧表面之间，可以形成间隙，也可以在薄片状基体10的上侧表面中形成焊锡抗蚀剂。另外，若半导体组件62的导线63具有一定程度的导线高度(或长度)，则也可在半导体组件62与薄片状基体10的上面之间配置其它的电子部件。
图10所示的部件内置模块220与图9所示的部件内置模块210相比，不同之处在于半导体元件32的构成。图10所示的部件内置模块220构成为半导体元件32，例如是裸芯片，倒装片安装该裸芯片32。经连接构件(例如突起)32c将裸芯片32的元件端子32a连接于布线20b’上。布线20b’可以与其它布线彼此连接，也可以是独立的脊。布线20b’用作将部件内置模块连接于其它电路基板上的端子，在该含义下有时称为‘端子’。在与半导体元件32连接的布线20b’用作端子的情况下，其排列可以是一维排列(外围端子排列)，也可以是二维排列(面阵列端子排列)。另外，布线20b’也可构成为连接U/L形侧布线20的端子(20b)，也可不电连接布线20b’与U/L形侧布线20。该部件内置模块220可通过第1部件内置模块制造方法来制造。
在图9和图10所示方式中，除半导体元件32外，也可内置其它电子部件(例如芯片部件)。另外，在实施方式1和2中，说明内置半导体元件32的构成，但本发明的部件内置模块也可构成为如图11所示，仅内置无源部件(图示的芯片部件等)34，或构成为追加地内置这些部件。图11所示的无源部件34利用焊锡70电连接于布线20b’的一部分上。布线20b’也可以是电连接U/L形侧布线20端部的电气要素(例如脊)。
当经由图4(a)-图5(c)的状态形成包含构成U/L形侧布线的布线20的布线图案44时，位于薄片状基体10表面上的U/L形侧布线20的整体被埋入薄片状基体10的表面内。这以放大薄片状基体的局部后用立体图来模式地示于图13中。即，如图所示，布线20的顶面(露出面)20f和薄片状基体10的表面(例如侧面10c)共面(实质上相同的平面)。这样，当配置U/L形侧布线20时，与使布线20(尤其是拐角部20c)从薄片状基体的表面突出的情况相比，可抑制布线20切断和破损，布线20的连接可靠性提高。
另外，如图12所示，U/L形侧布线20的露出面20f从薄片状基体10的侧面10c凹下并位于薄片状基体10的内部侧的情况下，露出面20f与外部接触的概率大大降低，所以可有效防止U/L形侧布线20的切断和破损等。尤其是，因为U/L形侧布线20的拐角部20c是容易产生与外部接触的部分，所以如图12所示，从布线保护的方面看，最好从薄片状基体的表面(或边缘)凹下来形成该拐角部20c。因此，U/L形侧布线20的上侧表面布线部和/或下侧表面布线部的露出面也如图所示，最好从各自的表面凹下。
如图12所示，布线20的顶面(或露出面)20f从薄片状基体10的侧面10c凹下、形成阶梯10d可通过下示的方法来实施。首先，在图4(b)所示的布线图案44的形成工序中，当去除金属层42的无用部分(即未形成布线图案的金属层的部分)时，除了该金属层的不要部分外，还蚀刻去除位于其下方的载体薄片40的一部分，在载体薄片中形成凹部。之后，当实施图5(a)所示的形成绝缘层用的树脂涂布工序(例如涂布合成材料的工序)时，树脂超过布线图案44的表面(金属层与载体薄片的接触面)的水平面，得到进入形成于载体薄片40中的凹部的部件内置模块形成构件。折叠后加压和加压形成一体，之后，当去除载体薄片时，在薄片状基体10的表面与U/L形侧布线20的露出面之间形成阶梯10d。根据该方法，形成对应于形成于载体薄片中的凹部深度的阶梯10d。
作为其它方法，也可通过将保护U/L形侧布线20用的树脂或薄膜赋予薄片状基体的去除布线的部分，在U/L形侧布线20的顶面20f与薄片状基体10的表面之间设置阶梯，或使顶面20f与薄片状基体10的表面共面。
另外，在本发明的部件内置模块100中，也可将U/L形侧布线20构成共面线路。由此，可构成适于高速信号用布线的部件内置模块。当详细说明时，如图14所示，若形成作为信号布线的U/L形侧布线20s和作为接地布线并位于相邻布线间的U/L形侧布线20g，则这些U/L形侧布线20s和20g构成共面构造。由此，可控制特性电阻，另外，可回避具有转接孔的部件内置模块中产生的、转接孔与布线的电阻不匹配部的问题。
(实施方式3)
在本发明的部件内置模块的制造方法中，弯曲具有包含半固化状态树脂的薄片15的部件内置模块形成构件，之后，将该薄片15变为完全固化状态，从而形成薄片状基体10。根据该方法，可对应于折叠方法来简单制造具有三维立体构造(即在薄片厚度方向上也具有一定尺寸的构造)的部件内置模块。例如，也可形成具有配备凸部和凹部中至少一个的形状的部件内置模块。这种基板可通过折叠薄片15以变为配备凸部和凹部至少一个的形状、之后使其完全固化来形成。这里，将制造这种部件内置模块的方法说明为实施方式3。
这种部件内置模块具体而言，例如通过包含图15(a)-(e)所示工序的方法来制造。首先，如图15(a)所示，形成布线图案44，准备内置电子部件32的薄片(包含半固化状态树脂的薄片)15，作为部件内置模块形成构件A。之后，如图15(b)和(c)所示，弯曲构成具有凸部55和凹部56的形状。之后，加热加压，如图15(d)所示，得到三维形状(这里为U字型)的部件内置模块100。
图15(d)所示的部件内置模块100如图15(e)所示，构成可三维安装的部件内置模块。详细说明时，将部件内置模块100的凸部55的下面(图15(d)中为最下面)安装在印刷基板60上，在部件内置模块100与印刷基板60之间，配置安装在印刷基板60上的其它电子部件(例如芯片部件)64。在部件内置模块100的顶面(图15(d)中为最上面)中还安装其它电子部件(例如半导体芯片)62。即，若使用图15(d)所示部件内置模块100，则当从上方看时，在同一区域中，除内置的电子部件32外，还立体安装其它电子部件62和64。结果，即便在安装面积小的情况下，也可安装更多的电子部件。
在使用窄间距或多管脚的半导体芯片来作为内置于部件内置模块100内的电子部件(图15(e)中例如为半导体芯片32)和/或装载于部件内置模块100上的电子部件(图15(e)中例如为半导体芯片62)时，从高密度安装的观点看，最好使用例如端子的间距间隔为150微米以下的半导体芯片、和具有16个以上端子的半导体芯片等。在部件内置模块100上，不仅可装载半导体芯片等电子部件，也可装载表面安装元件(芯片元件，例如芯片电感、芯片电阻和芯片电容等)等电子部件，或装载半导体芯片和表面安装元件二者。
本实施方式的部件内置模块100不仅容易形成图15(d)所示形状，也可通过折叠而容易形成具有各种凹凸的形状。相反，在利用转接孔来确保上下面的导通的部件内置模块的情况下，转接孔的形状可能会随着想要的模块形状的变化而变化，或难以进行位置配合，结果，导致连接可靠性降低。另外，本实施方式的部件内置模块可通过折叠半固化状态的树脂薄片、之后将该折叠后的半固化状态的树脂薄片变为完全固化状态来制造，所以较容易形成自由形状，因此，从形状自由性的观点看也是有利的。
并且，在具有转接孔的部件内置模块的情况下，难以自由变更部件内置模块的厚度(尤其是变厚)。即，对于具有转接孔的部件内置模块，当其厚度过厚时，由于形成高纵横比的转接孔(通孔)，所以难以适当形成转接孔。例如，在利用激光器等实施开孔的情况下，容易形成圆锥形的转接孔，另一方面，在用钻头等实施开孔的情况下，弯曲形成转接孔，或钻头弯曲，折断。在本实施方式的部件内置模块100的情况下，由于利用U/L形侧布线20来确保上下面的电气要素的导通，所以可避免高纵横比的转接孔中产生的问题。
(实施方式4)
在本发明的部件内置模块的另一方式中，如图16(a)和(b)所示，也可利用薄片15的折叠来在部件内置模块100的内部设置屏蔽构件(屏蔽层)35。如图所示，仅折叠薄片15，在部件内置模块的内部形成屏蔽构件35。即，可简单地追加屏蔽构件。此时，屏蔽构件35基本上由与U/L形侧布线20相同的材料构成。根据该方法，可向部件内置模块的内部简单地导入屏蔽构件，可容易地屏蔽噪声。
具有屏蔽构件的部件内置模块可通过在第1和第2制造方法任一中、如下实施折叠工序(B)来制造。首先，将与图5一样的部件内置模块形成构件39的左侧部分的绝缘层15-1与位于其下方的布线一起弯曲，如图16(a)所示，使绝缘层15-1和15-2彼此相对，同时，经相对的绝缘层15-1和15-2使弯曲后的布线44的一部分44-1和44-2相对，并且，布线44的剩余部分44-3在相对的绝缘层15-1和15-2的侧面上延伸。
之后，如图16(b)所示，将右侧部分的绝缘层15-3与位于其下方的布线一起弯曲，使绝缘层15-3位于布线部分44-1上，使这些绝缘层15-1～3彼此相对，形成U/L形侧布线20，同时，使在先弯曲的布线部分44-1位于绝缘层之间，从而在先弯曲的布线部分44-1构成屏蔽构件35。
若在部件内置模块100的内部(即薄片状基体10的内部)形成屏蔽构件35，则在基板(例如母板)上安装部件内置模块100时，可截断来自该基板的电波，保护电子部件32。另外，如图16(b)所示，当在部件内置模块100的薄片状基体的上面侧与下面侧双方配置电子部件(32、34)时，通过屏蔽构件35位于电子部件32与电子部件34之间，可有效抑制部件内置模块100内接近配置的电子部件32与电子部件34之间的电磁波干扰。
本实施方式的部件内置模块100也可层叠多个，多级化。例如，也可在第1部件内置模块100上还装载第2部件内置模块100。此时，按规定电连接这些模块。另外，也可多级化(3级以上)。既可层叠相同种类的部件内置模块100，也可层叠不同种类的模块。例如，使用内置半导体存储器的模块作为第1部件内置模块100，使用内置LSI(例如逻辑LSI)的模块作为第2部件内置模块100，得到多级化的模块。多级化的模块也可如后所述，使用不具有屏蔽构件的其它方式的部件内置模块来组装。
(实施方式5)
在上述实施方式中，U/L形侧布线是除在薄片状基体的侧面外，也在上侧表面和下侧表面上延伸的U形侧布线。在另一最佳方式中，U/L形侧布线不在上侧表面和下侧表面的任一表面上延伸。即，U/L形侧布线也可是在基体薄片的侧面上和基体薄片的上或下侧表面上延伸的L形侧布线。L形布线或者是布线的露出面与基体薄片的侧面或上侧表面或下侧表面实质上共面的状态，或者是从侧面突出。另外，L形布线也可是从薄片状基体的侧面和上侧(或下侧)表面凹下的状态，图17示出这种方式。
在图17所示的部件内置模块100’中，U/L形侧布线20的一个端部20b位于薄片状基体10的侧面下边缘(即侧面10c与下侧表面10b的交界部(或拐角部))。U/L形侧布线20不在下侧表面10b上延伸。
图17所示构成与图12所示构成类似，位于侧面10c上的U/L形侧布线20的露出面20f也位于比之侧面10c更靠近薄片状基体10的内部侧。另外，位于薄片状基体10上侧拐角部的U/L形侧布线20的露出面20c也比该拐角部的表面更靠近薄片状基体10的内部侧。
图18模式示出将图17所示的部件内置模块100’安装在印刷基板60上的状态。在U/L形侧布线20的端部20b(参照图17)上形成焊锡连接部70，从而，电连接部件内置模块100’与印刷基板60的布线图案61。在图17所示的部件内置模块100’中，U/L形侧布线从薄片状基体的侧面凹下阶梯10d部分的结果，在侧面10c的一部分中形成沟部分。该沟在形成焊锡连接部时，用作存放焊锡的堤，同时，用作导流沟。另外，在图18所示的安装方法(焊锡)中，从印刷基板60的上方(例如法线方向)看，可简单确认焊锡70的焊接程度。即，若使用U/L形侧布线20在侧面作为终端的部件内置模块100’，则容易检查在焊锡后进行的焊锡接合部。
图19示出薄片状基体10的侧面10c与作为U/L形侧布线20顶面的露出面20f实质构成共面的部件内置模块100”。如图17所示，即便在没有阶梯10d的情况下(或U/L形侧布线20的顶面20f从侧面10c突出的情况下)，也可在U/L形侧布线20的端部设置焊锡连接部70，焊接部件内置模块100”与印刷基板60的布线图案61。此时，同样容易检查焊锡接合部。
从焊锡的观点看，在图17-图19所示的部件内置模块100’和100”中，U/L形侧布线20的端部20b最好按规定间隔隔开位于薄片状基体10的侧面10c上。此时，不仅端部，U/L形侧布线的侧面布线部也最好按规定间隔隔开排列于薄片状基体的侧面上。
上述说明的部件内置模块都形成为U/L形侧布线20在薄片状基体10的侧面10c上延伸，所以也可如图20所示安装。即，使例如图2所示部件内置模块100与安装在其中的电子部件(例如芯片部件或半导体芯片)66构成的模块嵌入配置在印刷基板(母板)60上的连接器(机械连接器)80中。此时，由于电气和物理连接部件内置模块100中的U/L形侧布线20的侧面布线部与连接器80，所以经连接器80来电连接模块与印刷基板60。连接器80构成为可嵌合部件内置模块100的侧面10c，利用该连接器，可垂直安装电子部件66，就安装面积小的电子设备而言，可安装多个部件。图20中，示出图2所示的部件内置模块，但垂直安装也适用于上述和下述说明的任一部件内置模块中。
作为安装面积小的电子设备，例如便携电话和PDA等便携用电子设备。即，若使用配备电子部件66、部件内置模块100、连接器80和印刷基板60的组件，则能较容易地进行电子部件的垂直安装。也可对应于部件内置模块100的布线图案，在部件内置模块100的薄片状基体10的下侧表面10b中安装电子部件66。
(实施方式6)
参照图21来说明连续制造本发明的部件内置模块的方法。图21是表示本发明的部件内置模块制造方法工序的模式图。本发明的部件内置模块例如图21所示，可通过包含使用辊的工序的制造方法来连续制造。
如图21所示，从第1辊71提供加工金属层后形成的具有规定布线图案的载体薄片40，从第2辊72提供由半固化状态的树脂构成的薄片15。之后，在箭头81的部位，在载体薄片40和/或布线图案上，装载电子部件30。接着，在箭头82的部位，在辊73之间层叠载体薄片40与薄片15，从而在薄片15内埋入电子部件30。
之后，在箭头83的部位，弯曲内置电子部件30的薄片15与载体薄片的层叠体并形成规定形状后，在箭头84的部位切断，之后，加热和加压，得到本发明的部件内置模块。即便将电子部件配置在布线图案上，未如期望那样电连接电子部件与布线图案的情况下，或将电子部件配置于载体薄片上的情况下，也可在必要时，在配置电子部件30之后，将电子部件30适当电连接于布线图案上(未图示)。
另外，在另一方式中，也可不在辊73之前实施装载电子部件，在利用辊73将具有规定布线图案的载体薄片40与薄片15层叠成一体后，将电子部件30配置在薄片15上。此时，可制造图56(c)所示的部件内置模块。
图21所示的制造方法可使用辊来连续制造部件内置模块，在所需的搬运手段简便这一点上是有利的。另外，连续制作部件内置模块与成批处理相比，可实现装置的待机时间缩短和人员削减等效果。
(实施方式7)
参照图22-图55来说明本发明的部件内置模块的各种方式，作为实施方式7。图22-图38和图43-图55是模式表示本发明的部件内置模块300的构造的截面图，图39-图42是模式表示从下侧(或上侧)看本发明的部件内置模块300的状态的底面图(或上面图)。另外，省略或简化实质上与上述实施方式中说明的事项没有差异的事项。请注意这些图示的部件内置模块有时作为上述实施方式任一的变形例来理解。
图22所示的部件内置模块300构成为，作为电子部件内置的裸芯片的半导体元件32经焊锡球32d连接在形成于薄片状基体10底面上的布线20b’上。布线20b’与图10所示的布线20b’一样，可以是独立的脊，也可以与其它布线连接。也可将与电子部件连接的布线20b’的至少一个(即多个布线20b’中的部分或全部)构成连接U/L形侧布线20端部的电气要素，即构成端子20b。在该方式下，U/L形侧布线20的端部与端子20b最好通过由层叠在载体薄片上的金属层形成来构成一体。
图23所示的部件内置模块300构成为，将具有导线32e的作为电子部件的半导体组件32内置于薄片状基体10内。将半导体组件32的导线32e连接于位于薄片状基体10底面上的布线图案的布线20b上。与图22的情况一样，可将多个布线20b’中的至少一个构成连接U/L形侧布线20的端子20b。该部件内置模块300可通过第1部件内置模块制造方法来制造。此时，在利用导线32e将半导体组件32连接在形成于载体薄片中的布线图案上后，通过在后的加热和加压，用绝缘层的材料来填充形成于半导体组件32与载体薄片之间的空隙。结果，用薄片状基体的材料覆盖半导体组件32的底面。
图22所示的部件内置模块300如图24所示，也可构成为使上下逆转。此时，电子部件32被连接在位于上侧表面的布线图案的布线20a’上。图24所示的部件内置模块300可以是与图22所示的部件内置模块实质相同的构造，也可以是在安装部件用的端子、和安装在电路基板上的端子的位置上下颠倒等方面不同。
图23所示的部件内置模块300也可如图25所示，构成使上下逆转。图25所示的部件内置模块300可以是与图23所示的部件内置模块实质相同的构造，也可以是在安装部件用的端子、和安装在电路基板上的端子的位置上下颠倒等方面不同。
图26所示的部件内置模块300构成为，在薄片状基体10内具有多个电子部件、例如裸芯片半导体元件32和芯片部件34。裸芯片32通过金属细线32b连接于端子20a上。芯片部件34连接端子20b来安装。端子20a和20b都是连接于U/L形侧布线20上的电气要素。芯片部件34与端子20b可经焊锡等连接构件来电连接。该部件内置模块可通过参照图57说明的第2部件内置模块制造方法来制造。
图27所示的部件内置模块300构成为在薄片状基体10内的侧面内侧安装追加的电子部件、例如芯片部件34。即，该部件内置模块300构成为在图26所示构成的模块中还内置芯片部件34。该部件内置模块300中，将芯片部件34连接安装在位于薄片状基体10侧面的U/L形侧布线20上。
图28所示的部件内置模块300与图7(b)所示的部件内置模块200一样，但在电子部件、例如半导体元件32的上面和下面两者在薄片状基体10的上侧表面和下侧表面露出这一点不同。使与形成端子33的面相对的电子部件的面从薄片状基体10露出，从而使半导体元件32等电子部件的放热性提高。该部件内置模块通过将半导体元件32装载在载体薄片的露出面上、实施与图8所示工序一样的工序来制造。
图29所示的部件内置模块300在图28所示构成的部件内置模块的上侧表面中形成金属膜35。即，在图29所示构成中，金属膜35用作促进从半导体元件32的上面放热的放热构件，从而，可使半导体元件32的放热性进一步提高。另外，金属膜35就至少与布线图案接触的部分而言，为电绝缘性，与布线图案电绝缘。布线图案与金属膜之间的电绝缘例如通过在两者之间配置树脂薄膜来实现。另外，也可在金属膜中设置放热片。
图30所示的部件内置模块300构成为裸芯片的半导体元件32的底面在薄片状基体10的下侧表面露出。裸芯片32经金属细线32b连接于与U/L形侧布线20连接的端子20b上。
图30所示的部件内置模块300如图31所示，也可构成为使上下逆转。图31所示的部件内置模块300可以是与图30所示的部件内置模块实质相同的构造，也可以是在安装部件用的端子、和安装在电路基板上的端子的位置上下颠倒等方面不同。
图32所示的部件内置模块300构成为，在间隔重叠的状态下、在薄片状基体10内具有两个电子部件、例如半导体元件32A、32B。半导体元件(裸芯片)32A经金属细线32b连接于与U/L形侧布线20连接的端子20a上。半导体元件(裸芯片)32B经金属细线32b连接于与U/L形侧布线20连接的端子20b上。另外，也可将追加的电子部件(例如无源部件(芯片部件))配置在薄片状基体10内。
如图32所示，在内置多个电子部件32A和32B的情况下，也可如图33所示，接触地直接重叠这些电子部件，即构成堆叠状态。
图33所示的部件内置模块300也可如图34所示，还具有芯片部件等电子部件34。
图28-31所示的部件内置模块300中电子部件32的一部分在薄片状基体10的表面露出，而图32-34和图35-38所示的部件内置模块300中半导体元件32全部配置在薄片状基体10内，不从薄片状基体10露出(即完全内置的状态)。从这些图可知，本发明中，所谓部件内置模块是指至少一个电子部件的至少一部分位于(即包含于)基体内的模块。本领域的技术人员可以容易判断是否内置电子部件。
这种电子部件内置模块包含埋设电子部件的薄片状基体，此时，所谓‘埋设’是指电子部件的至少一个表面在薄片状基体的表面露出，电子部件的该表面与薄片状基体的该表面实质上处于共面关系的状态(例如图28-图31所示状态)和实质上封入电子部件的状态(例如图32-图38所示状态)之一的状态。这里所说的‘电子部件的表面’是电子部件主体的表面，忽视从电子部件主体突出的要素，例如附属于电子部件的端子、导线和连接用的突起电极等。
图35所示的部件内置模块300构成为连接作为电子部件的裸芯片的半导体元件32中形成的突起32c、和与U/L形侧布线20连接的端子20b。突起32c例如是金突起，形成于裸芯片32的元件端子(未图示)上。
图36所示的部件内置模块300构成为裸芯片的半导体元件32经金属细线32b连接于与U/L形侧布线20连接的端子20b上。该部件内置模块300可通过参照图57说明的第2部件内置模块制造方法来制造。
图35和图36所示的部件内置模块300也可分别如图37和图38所示，构成为使上下逆转。图37和图38所示的部件内置模块300可以是与图35和图36所示的部件内置模块实质相同的构造，也可以是在安装部件用的端子、和安装在电路基板上的端子的位置上下颠倒等方面不同。
图39所示的底面图示出例如图28所示部件内置模块300的底面中的端子33的排列。在端子33为焊锡球的情况下，最好在半导体元件32的表面形成焊锡抗蚀剂。另外，上述其它方式的部件内置模块也最好在该表面具有同样的端子排列。例如，图22所示的部件内置模块中，在形成布线20b’作为端子的情况下，端子排列与图39一样，但半导体元件32不在底面露出。在图24所示的部件内置模块的情况下，在形成布线20a’作为端子的情况下，端子排列与图39一样，但半导体元件32不露出。
图40所示的底面图示出例如图23所示的部件内置模块300底面的端子33的排列。在图23所示的部件内置模块300的情况下，在图40所示的底面结构中，半导体元件32不露出，薄片状基体的材料覆盖半导体组件32的底面。请注意，图中为了容易理解，显示半导体组件32的位置。另外，在图25所示部件内置模块300的情况下，图40所示的端子排列对应于部件内置模块的上侧表面。
图41是与图40一样的部件内置模块的底面图，在将部件内置模块中的脊20b(或20a)和U/L形侧布线20排列在薄片状基体的4边上这一点与图40所示不同。图40和图41所示的脊20b是方脊，但如图39所示，也可形成为圆脊，或将图39所示的圆脊形成为方脊。
图42模式示出经金属细线32b连接于半导体元件(元件本身被封入薄片状基体内，所以看不见)的端子32a上的脊状布线20b’(或20a’)的排列、和与U/L形侧布线20连接的脊20b(或20a)的排列的一例。端子32a典型地埋入薄片状基体内，为不露出(作为一例，参照图3)状态，在其它方式中，可在薄片状基体的下侧(或上侧)表面露出，或从这种表面突出。在图42所示实例中，脊状布线20b’不与U/L形侧布线20电连接，但也可将脊状布线20b’电连接于U/L形侧布线20上，脊状布线20b’的至少一个构成与U/L形侧布线20连接的脊20b。
图43-图49所示本发明的部件内置模块300具有在其上侧表面装载电子部件的构成。下面，说明这种部件内置模块的各种方式。
图43所示的部件内置模块300构成为在其上侧表面(即内置半导体元件32的薄片状基体10的上侧表面)配置半导体组件62。半导体组件62的导线63连接于与U/L形侧布线20连接的端子20a上。半导体元件(裸芯片)32经金属细线32b连接在形成于薄片状基体10底面(下侧表面)上的、脊状独立或与其它布线彼此连接的布线20b’(或与U/L形侧布线20连接的脊20b)上。
图44所示的部件内置模块300具有在薄片状基体10的上侧表面配置裸芯片62的构成。裸芯片62经金属细线62b连接于与形成于薄片状基体10上侧表面中的U/L形侧布线20连接的脊20a上。另外，半导体元件(裸芯片)32也经金属细线32b连接于与U/L形侧布线20连接的脊20a上。在图45所示构成中，半导体元件(裸芯片)32经金属细线32b连接于布线20b’(或与U/L形侧布线20连接的脊20b)上。
图46所示的部件内置模块300构成也具有突起62C的半导体元件(裸芯片)62配置在薄片状基体10的上侧表面上。突起62c连接于与U/L形侧布线20的端子20a上。半导体元件(裸芯片)32经金属细线32b连接在脊状独立或与其它布线彼此连接的布线20b’(或与U/L形侧布线20连接的脊20b)上。在图46所示实例中，在半导体元件62c与薄片状基体10的上侧表面之间，形成充填材(underfill)64。通过充填材64，可抑制在半导体元件32的下面产生空隙，可使半导体元件32与薄片状基体10之间的粘接强度提高。另外，通过选择适当的材料，还可缓和半导体元件32与薄片状基体10之间的热膨胀差。
图47所示的部件内置模块300构成为在薄片状基体10的上侧表面的布线图案上配置在元件端子62a上装载焊锡球62d的半导体元件62。半导体元件(裸芯片)62经金属细线32b连接于脊状独立或与其它布线彼此连接的布线20b’(或与U/L形侧布线20连接的脊20b)上。
图48所示的部件内置模块300构成为在薄片状基体10的上方设置两个半导体元件62A和62B。在图48所示实例中，就图47所示模块而言，在半导体元件62A的上方配置具有导线63的半导体组件62B，将导线63连接于与U/L形侧布线20连接的脊20a上。
在上述图43-图48所示方式中，将半导体元件63作为电子部件装载在薄片状基体10的上面，但也可如图49所示，装载无源部件(芯片部件)64来作为电子部件。另外，也可装载半导体元件和无源部件双方。
如上所述，也可层叠多个本发明的部件内置模块，得到多级化的模块。图50所示的部件内置模块300具有层叠两个部件内置模块的构成。在本例中，上方的部件内置模块与下方的部件内置模块通过连接构件(焊锡球)64d电连接。层叠的部件内置模块的数量不限于两个，也可层叠三个以上的部件内置模块。
如上所述，由于本发明的部件内置模块可较容易地形成任意形状，所以如图51所示，可构成配备具有凸部22的薄片状基体10的部件内置模块300。并且，如图52所示，可在存在于两个凸部22之间的薄片状基体10的凹部底面部分安装芯片部件64。在其它方式中，如图53所示，也可将部件内置模块安装在布线基板60上，使薄片状基体10的凹部容纳位于布线基板(母板)60上的芯片部件64。
另外，如图54所示，也可在薄片状基体10的下侧与上侧双方中形成凸部22。另外，在图55所示的部件内置模块300中，在构成由上下凸部22形成的凹部的底的薄片状基体10的表面安装芯片部件64，并在安装后的上侧芯片部件64的上方配置半导体元件62。在图55所示实例中，将半导体元件62的导线63连接于U/L形侧布线20上。
本发明的部件内置模块、例如上述实施方式的部件内置模块100、200、300等可被容纳于便携用电子设备的壳体内，与便携用电子设备的其它部件一起来构筑便携用电子设备。本发明的实施方式的部件内置模块最好适用于便携用电子设备中、对安装面积有严格要求的电子设备、例如便携电话中，也可适用于其它便携用电子设备(例如PDA等)中。另外，本发明的部件内置模块可通过本发明的部件内置模块制造方法来较高效地制造。

Claims (28)

1、一种部件内置模块，包含：
绝缘性薄片状基体，具有上侧表面、与该上侧表面相对的下侧表面、以及连接上、下侧表面的侧面；
至少一条布线，该布线具有i)位于侧面至少一部分上的侧面布线部；和ii)与侧面布线部彼此连接、且位于上侧表面的至少一部上的下侧分上的上侧表面布线部以及与侧面布线部彼此连接、且位于下侧表面的至少一部分表面布线部中至少一个；和
配置在薄片状基体内的电子部件。
2、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
所述至少一条布线电连接上侧表面的电气要素与下侧表面的电气要素。
3、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
不具有贯穿薄片状基体的转接孔。
4、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
将所述布线的至少一个端部连接于脊上，一体形成该布线与脊。
5、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
电连接所述布线与电子部件。
6、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
薄片状基体由含有树脂的材料构成。
7、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
薄片状基体由含有树脂和无机填料的合成材料构成。
8、根据权利要求6所述的部件内置模块，其特征在于：
树脂至少是热固化性树脂和热塑性树脂之一。
9、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
薄片状基体的上侧表面具有由长边与长度比长边短的短边构成的大致长方形的形状。
10、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
电子部件是半导体元件。
11、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
将多种电子部件配置在薄片状基体内，电子部件的至少一个是半导体元件。
12、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
在部件内置模块的上侧表面和下侧表面的至少之一上，层叠其它部件内置模块。
13、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
在部件内置模块的上侧表面和下侧表面的至少之一上，载置电子部件。
14、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
所述布线的侧面布线部形成为其至少一部分被埋入薄片状基体的侧面上。
15、根据权利要求14所述的部件内置模块，其特征在于：
所述布线的侧面布线部的顶面位于比薄片状基体的侧面更靠近薄片状基体的内部侧。
16、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
位于所述布线的薄片状基体的拐角部的部分位于比规定拐角部的薄片状基体的表面更靠近薄片状基体的内部侧。
17、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
多条所述布线规定共面线路。
18、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
在薄片状基体的内部具有屏蔽构件。
19、根据权利要求18所述的部件内置模块，其特征在于：
将至少两个电子部件配置在薄片状基体内，至少一个电子部件位于屏蔽构件与薄片状基体的上侧表面之间，其它的至少一个电子部件位于屏蔽构件与薄片状基体的下侧表面之间。
20、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
电子部件的一部分露出于薄片状基体的表面，以与露出的电子部件的一部分连接的方式配置放热构件。
21、根据权利要求1所述的部件内置模块，其特征在于：
通过折叠包含半固化状态树脂而成的薄片、之后完全固化折叠后的薄片来形成薄片状基体。
22、根据权利要求21所述的部件内置模块，其特征在于：
包含树脂而成的薄片，具有包含所述布线作为一部分的布线图案。
23、一种电子设备，具有权利要求1所述的部件内置模块和容纳该模块的框体。
24、一种部件内置模块制造方法，其中，包含如下工序：
(1-A)准备部件内置模块形成构件，该构件具有载体薄片、配置在该载体薄片上的具有至少一条布线的布线图案和电子部件、以及配置在这些布线图案和电子部件上的包含树脂的绝缘层；
(1-B)折叠部件内置模块形成构件，使绝缘层彼此相对，该至少一条布线的一部分经相对的绝缘层彼此相对，并且该至少一条布线的其它部分在由绝缘层的弯曲部件形成的、弯曲后的绝缘层的侧面上延伸；
(1-C)固化折叠后的部件内置模块形成构件的绝缘层的树脂。
25、根据权利要求24所述的部件内置模块制造方法，其特征在于：
通过部件内置模块形成构件的制造方法来准备部件内置模块形成构件，该部件内置模块形成构件的制造方法包含如下工序，
(1-a)准备具有载体薄片和形成于其上的金属层的层叠体；
(1-b)加工金属层，形成至少具有一条布线的布线图案，同时，在必要的情况下，使位于应配置电子部件的部位下方的载体薄片露出；
(1-c)在露出的载体薄片和/或布线图案上配置电子部件；和
(1-d)在布线图案和电子部件上，形成包含树脂的绝缘层。
26、一种部件内置模块制造方法，其中，包含如下工序：
(2-A)准备部件内置模块形成构件，该构件具有载体薄片、配置在该载体薄片上的具有至少一条布线的布线图案、配置在布线图案上的包含树脂的绝缘层、和配置在绝缘层上的电子部件；
(2-B)折叠部件内置模块形成构件，使绝缘层彼此相对，该至少一条布线的一部分经相对的绝缘层彼此相对，并且该至少一条布线的其它部分在由绝缘层的弯曲部件形成的、弯曲后的绝缘层的侧面上延伸；
(2-C)固化折叠后的部件内置模块形成构件的绝缘层的树脂。
27、根据权利要求26所述的部件内置模块制造方法，其特征在于：
通过部件内置模块形成构件的制造方法来准备部件内置模块形成构件，该部件内置模块形成构件的制造方法包含如下工序，
(2-a)准备具有载体薄片和形成于其上的金属层的层叠体；
(2-b)加工金属层，形成至少具有一条布线的布线图案；
(2-c)在布线图案上，形成包含树脂的绝缘层；
(2-d)在绝缘层上配置电子部件。
28、一种连接构件的制造方法，是部件内置模块的制造方法，其中，包含如下工序：
(3-A)准备部件内置模块形成构件，该构件具有载体薄片、配置在该载体薄片上的具有至少一条布线的布线图案和电子部件；
(3-B)弯曲部件内置模块形成构件，使布线图案变为内侧，该至少一条布线的一部分相互对置并且在对置的部分之间形成空隙；
(3-C)向空隙内注入包含固化性树脂的材料形成树脂层；
(3-D)使该树脂层固化，形成电绝缘层；和
(3-E)去除载体薄片，使该布线层露出。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800217B (zh) * 2009-02-10 2012-07-25 夏普株式会社 半导体模块
CN104080268A (zh) * 2014-07-04 2014-10-01 杭州华三通信技术有限公司 一种pcb板
CN105225792A (zh) * 2014-06-09 2016-01-06 美磊科技股份有限公司 磁性构件
CN106206908A (zh) * 2015-05-26 2016-12-07 科锐 具有应力减轻措施的表面安装器件
CN106559954A (zh) * 2016-10-31 2017-04-05 努比亚技术有限公司 多层电路板
CN107658275A (zh) * 2013-05-31 2018-02-02 日月光半导体制造股份有限公司 堆叠式多封装模块及其制造方法
CN108307584A (zh) * 2017-01-13 2018-07-20 株式会社村田制作所 元器件模块
CN112702836A (zh) * 2020-12-28 2021-04-23 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种带侧壁焊盘的载片结构及其制作方法
CN113141722A (zh) * 2021-04-21 2021-07-20 广东科视光学技术股份有限公司 一种在玻璃基板上通过曝光机曝光原理形成接驳线路的方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7198965B2 (en) * 2002-11-06 2007-04-03 Irvine Sensors Corp. Method for making a neo-layer comprising embedded discrete components
WO2005050677A1 (ja) * 2003-11-18 2005-06-02 Minowa Koa Inc. 表面実装型複合電子部品及びその製造法
JP2006093549A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Orion Denki Kk プリント基板にアース接続用ランドを備えた電子機器
DE102006008332B4 (de) * 2005-07-11 2009-06-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer funktionellen Baueinheit und funktionelle Baueinheit
US7910406B2 (en) 2005-11-02 2011-03-22 Panasonic Corporation Electronic circuit device and method for manufacturing same
JP2007227596A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体モジュール及びその製造方法
JP4770514B2 (ja) * 2006-02-27 2011-09-14 株式会社デンソー 電子装置
US9601412B2 (en) * 2007-06-08 2017-03-21 Cyntec Co., Ltd. Three-dimensional package structure
JP2010034294A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその設計方法
FR2937796A1 (fr) * 2008-10-29 2010-04-30 St Microelectronics Grenoble Dispositif semi-conducteur a ecran de protection
US9355962B2 (en) * 2009-06-12 2016-05-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package stacking system with redistribution and method of manufacture thereof
JP5626892B2 (ja) * 2011-01-17 2014-11-19 日本電気株式会社 ３次元実装型半導体装置、および電子機器
US8966747B2 (en) 2011-05-11 2015-03-03 Vlt, Inc. Method of forming an electrical contact
US8767408B2 (en) * 2012-02-08 2014-07-01 Apple Inc. Three dimensional passive multi-component structures
TWI476479B (zh) * 2012-06-21 2015-03-11 Au Optronics Corp 扇出線路
DE102013100197A1 (de) * 2013-01-10 2014-07-10 Continental Automotive Gmbh Sensoreinheit für ein Kraftfahrzeug zur Montage auf einer Leiterplatte und Mitteln zum Dämpfen der Übertragung hochfrequenter Störungen
CN106663673A (zh) * 2013-08-28 2017-05-10 坤佰康有限责任公司 半导体晶片和封装拼板式基台
US10257937B2 (en) * 2014-07-07 2019-04-09 Infineon Technologies Austria Ag Device for electrically coupling a plurality of semiconductor device layers by a common conductive layer
US10264664B1 (en) * 2015-06-04 2019-04-16 Vlt, Inc. Method of electrically interconnecting circuit assemblies
US10785871B1 (en) 2018-12-12 2020-09-22 Vlt, Inc. Panel molded electronic assemblies with integral terminals
DE112019003834T5 (de) * 2018-07-31 2021-05-06 Ams Sensors Asia Pte. Ltd. GEHÄUSE EINSCHLIEßLICH PORTIONS OF A LEAD FRAME ALS ELEKTRISCH STROMZUFÜHRUNGEN
KR102733545B1 (ko) * 2019-03-19 2024-11-21 어플라이드 머티어리얼스 이탈리아 에스.알.엘. 증착 장치, 기판 상의 증착 방법, 기판 구조 및 기판 지지부
KR102179672B1 (ko) * 2019-05-29 2020-11-17 주식회사 테토스 기판 측면부 배선 형성 방법
CN113423173B (zh) * 2021-05-29 2023-09-29 华为技术有限公司 电子元件封装体、电子元件封装组件及电子设备

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8412674D0 (en) 1984-05-18 1984-06-27 British Telecomm Integrated circuit chip carrier
US5235131A (en) * 1992-03-30 1993-08-10 Motorola, Inc. RF shield fabrication method
US5266833A (en) * 1992-03-30 1993-11-30 Capps David F Integrated circuit bus structure
JPH09260568A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2810647B2 (ja) * 1996-04-30 1998-10-15 山一電機株式会社 Ｉｃパッケージ
JP2004146856A (ja) 1996-12-03 2004-05-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその実装方法
JP3695893B2 (ja) 1996-12-03 2005-09-14 沖電気工業株式会社 半導体装置とその製造方法および実装方法
JP3462026B2 (ja) * 1997-01-10 2003-11-05 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP3205305B2 (ja) 1997-03-26 2001-09-04 松下電器産業株式会社 半導体装置
TW366570B (en) 1997-03-26 1999-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and the wiring unit
JP2976917B2 (ja) * 1997-03-31 1999-11-10 日本電気株式会社 半導体装置
JP3375555B2 (ja) 1997-11-25 2003-02-10 松下電器産業株式会社 回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法
US6038133A (en) * 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
JPH11231115A (ja) * 1997-12-02 1999-08-27 Canon Inc 光学素子
WO1999030370A1 (fr) * 1997-12-09 1999-06-17 Seiko Epson Corporation Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication, dispositif electro-optique et procede de fabrication, et appareil electronique y ayant recours
JP3842444B2 (ja) * 1998-07-24 2006-11-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
KR100304959B1 (ko) * 1998-10-21 2001-09-24 김영환 칩 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP3699609B2 (ja) 1999-04-28 2005-09-28 京セラ株式会社 電子部品搭載用基板
US6441476B1 (en) * 2000-10-18 2002-08-27 Seiko Epson Corporation Flexible tape carrier with external terminals formed on interposers
US6710456B1 (en) * 2000-08-31 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Composite interposer for BGA packages
JP2002231755A (ja) 2000-12-01 2002-08-16 Kanebo Ltd 半導体パッケージおよびその製法
JP3822549B2 (ja) * 2002-09-26 2006-09-20 富士通株式会社 配線基板
US20040156177A1 (en) * 2003-02-12 2004-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Package of electronic components and method for producing the same
KR100592786B1 (ko) * 2003-08-22 2006-06-26 삼성전자주식회사 면 실장형 반도체 패키지를 이용한 적층 패키지 및 그제조 방법
US20050047137A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-03 Era Optoelectronics Inc. Cross-shaped laser rays generator with non-spherical lens
US7042717B2 (en) * 2003-09-12 2006-05-09 Lsi Logic Corporation Data storage system with a removable backplane having a array of disk drives
JP2006100302A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Sharp Corp 高周波モジュールおよびその製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800217B (zh) * 2009-02-10 2012-07-25 夏普株式会社 半导体模块
CN107658275A (zh) * 2013-05-31 2018-02-02 日月光半导体制造股份有限公司 堆叠式多封装模块及其制造方法
CN105225792A (zh) * 2014-06-09 2016-01-06 美磊科技股份有限公司 磁性构件
CN104080268B (zh) * 2014-07-04 2017-11-14 新华三技术有限公司 一种pcb板
CN104080268A (zh) * 2014-07-04 2014-10-01 杭州华三通信技术有限公司 一种pcb板
CN106206908A (zh) * 2015-05-26 2016-12-07 科锐 具有应力减轻措施的表面安装器件
CN106206908B (zh) * 2015-05-26 2018-11-06 科锐 具有应力减轻措施的表面安装器件
CN106559954A (zh) * 2016-10-31 2017-04-05 努比亚技术有限公司 多层电路板
CN108307584A (zh) * 2017-01-13 2018-07-20 株式会社村田制作所 元器件模块
CN112702836A (zh) * 2020-12-28 2021-04-23 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种带侧壁焊盘的载片结构及其制作方法
CN112702836B (zh) * 2020-12-28 2022-03-15 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种带侧壁焊盘的载片结构及其制作方法
CN113141722A (zh) * 2021-04-21 2021-07-20 广东科视光学技术股份有限公司 一种在玻璃基板上通过曝光机曝光原理形成接驳线路的方法
CN113141722B (zh) * 2021-04-21 2022-04-29 广东科视光学技术股份有限公司 一种在玻璃基板上通过曝光机曝光原理形成接驳线路的方法

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