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CN107887400A - 光组件和光模块 - Google Patents

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CN107887400A CN201710756782.5A CN201710756782A CN107887400A CN 107887400 A CN107887400 A CN 107887400A CN 201710756782 A CN201710756782 A CN 201710756782A CN 107887400 A CN107887400 A CN 107887400A
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Abstract

本发明在具有多个通道的光组件中，使用于多个通道各自的连接的引线中的、引线长度能成为最长的通道的引线长度更短。光组件具备：具备多个元件端子组的光电转换装置及具备IC芯片和多个元件端子组且多个元件端子组和多个IC端子组中的一方分别是配置有第1连接端子和第2连接端子的两端子结构，多个元件端子组和多个IC端子组中的另一方分别是3端子结构，在多个元件端子组的两端和多个IC端子组的两端中的、都位于内侧的两端分别是两端子结构时，分别在两端的两端子结构中，将第1连接端子配置于比第2连接端子更靠外侧，并且在都位于外侧的两端分别是两端子结构的情况下，分别在两端的两端子结构中，将第1连接端子配置于比第2连接端子更靠内侧。

Description

光组件和光模块
技术领域
本发明涉及光组件和搭载有光组件的光模块。
背景技术
光通信所使用的光模块使用了在内部具备1个或多个光组件的光模块，该1个或多个光组件具备发送功能和/或接收功能。近年来，收容于光模块的光接收组件中使用了具备多个受光元件的阵列型受光装置。以下对具备阵列型受光装置的光接收组件进行说明，该阵列型受光装置具备例如4个受光元件。图13是收纳于现有技术所涉及的光模块中的光接收组件200的局部分解立体图。图13所示的光接收组件200所具备的阵列型受光装置201是4通道阵列型受光装置，其具备：受光元件阵列202，其具备4个受光元件211(参照图14)；以及载体203，其保持受光元件阵列202。在受光元件阵列202的半导体基板的背面设置有受光窗205。4个受光窗205从图13的右侧依次表示为受光窗205a、205b、205c、205d。受光元件阵列202接收向受光窗205入射的信号光并转换成电信号。电信号经由电信号控制装置300被IC芯片400放大，检测为光电流。将接收通道编号从图13的右侧依次设为第1通道、第2通道、第3通道、第4通道。在此，电信号控制装置300是指在内部设置有具有放大功能的IC芯片400的集成电路。
图14是从形成有受光窗的一侧的相反侧观察现有技术所涉及的受光元件阵列202的立体图。在半绝缘性的Fe掺杂InP基板219上从图14的左侧依次形成有第1受光元件211a、第2受光元件211b、第3受光元件211c、第4受光元件211d。4个受光元件211中，各受光元件211的第1导电型电极台面部314和第1导电型电极316、第2导电型电极台面部315和第2导电型电极317沿着各受光元件211所排列的方向相同的方向以相同的朝向配置。各受光台面部312a、312b、312c、312d中的、相邻的中心部的间隔是例如0.5mm，能够分别独立地接收从半绝缘性的Fe掺杂InP基板219的背面侧入射的光。
图15是图13所示的现有技术的光接收组件的俯视图。在载体203设置有由第1导电型的第1连接端子306(306a、306b、306c、306d)和第2导电型的第2连接端子307(307a、307b、307c、307d)构成的4个元件端子组324，通过将第1导电型电极(例如P型电极)316a、316b、316c、316d与载体203的第1连接端子306a、306b、306c、306d连接固定、将第2导电型电极(例如N型电极)317a、317b、317c、317d与载体203的第2连接端子307a、307b、307c、307d连接固定，由此受光元件阵列202被固定于载体203。电信号控制装置300具有由第1导电型的第3连接端子308(308a、308b、308c、308d)和设置于各第3连接端子的两侧的第2导电型的第4连接端子309(309a、309b、309c、309d)构成的4个3端子型的输入端子即IC端子组370。第3连接端子308a、308b、308c、308d的间距例如为0.75mm。受光元件阵列202的各受光元件211的第1导电型电极316a、316b、316c、316d和第2导电型电极317a、317b、317c、317d，与电信号控制装置300的第3连接端子308a、308b、308c、308d和第4连接端子309a、309b、309c、309d电连接。并且，第1连接端子306a、306b、306c、306d利用基于引线500的GSG型连接与第3连接端子308a、308b、308c、308d电连接，第2连接端子307a、307b、307c、307d利用基于引线500的GSG型连接与第4连接端子309a、309b、309c、309d电连接。在此，第1连接端子306a和第3连接端子308a由引线500a彼此连接，第1连接端子306b和第3连接端子308b由引线500b彼此连接，第1连接端子306c和第3连接端子308c由引线500c彼此连接，第1连接端子306d和第3连接端子308d由引线500d彼此连接。由此，输入到受光窗205a、205b、205c、205d的信号光被独立地转换成电信号，经由电信号控制装置300被IC芯片400放大，能够检测为光电流。为了在具备多个受光元件211的阵列型受光装置201中获得优异的频率响应特性，需要降低甚至全部通道的IC芯片400的电感。
图16是表示现有技术所涉及的光接收组件200的各通道的频率响应特性的图。如图16所示，与第2通道和第3通道相比较，第1通道和第4通道在15～20GHz附近的峰值变大。尤其是，与其他通道相比较第4通道的峰值最大，3dB截止频率是22GHz左右，与其他通道相比较，劣化了3GHz以上。图17是表示现有技术所涉及的各通道的25Gbps下的接收灵敏度特性的图。如图17所示，第4通道的峰值较大，3dB截止频率较低，因此，接收灵敏度特性产生了饱和(floor)。
专利文献
专利文献1：日本特开2012-256853号公报；
专利文献2：日本特开2013-38216号公报。
非专利文献
非专利文献1：2015年电子信息通信学会综合大会C-4-12。
发明内容
在此，根据发明人等的研究，获得了如下见解：在现有技术所涉及的光接收组件200中第4通道的特性劣化的原因在于，第4通道中的引线500d的长度比第1通道中的引线500a、第2通道中的引线500b、以及第3通道中的引线500c长。具体而言，认为：由于第4通道中的引线500d比引线500a～500d长，因此第4通道处的电感增加，从而频率响应特性劣化。此外，现有技术所涉及的电极和引线(日语说明书制作者注：电极和引线都具有多个方式)的配置的例子记载于日本特开2012-256853号公报、日本特开2013-038216号公报、以及2015年电子信息通信学会综合大会C-4-12。
本发明基于发明人等的上述见解，是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，在具有多个通道的光组件中，使多个通道各自的连接所使用的引线中的、引线的长度能成为最长的通道的引线的长度更短。更具体而言，缩小多个通道间的引线的长度之差。
(1)为了解决上述问题，本发明所涉及的光组件具备光电转换装置和电信号控制装置，所述光电转换装置具备：多个光电转换元件；以及多个元件端子组，其与所述多个光电转换元件分别电连接，沿着第1方向依次排列配置，所述电信号控制装置具备多个IC端子组，该多个IC端子组与所述多个元件端子组电连接，沿着所述第1方向依次排列配置，所述多个元件端子组和所述多个IC端子组彼此分开并且相对，所述多个元件端子组和所述多个IC端子组中的任一方分别是两端子结构，在该两端子结构中，第1导电型的第1连接端子和第2导电型的第2连接端子沿着所述第1方向排列配置，所述多个元件端子组和所述多个IC端子组中的另一方分别是3端子结构，在该3端子结构中，所述第1导电型的第3连接端子和所述第2导电型的两个第4连接端子按照一方的所述第4连接端子、所述第3连接端子、以及另一方的所述第4连接端子的顺序沿着所述第1方向排列配置，各所述两端子结构的所述第1连接端子通过引线与所对应的所述3端子结构的所述第3连接端子电连接，各所述两端子结构的所述第2连接端子通过引线与所对应的所述3端子结构的两个所述第4连接端子分别电连接，在所述第1方向上，所述多个元件端子组中位于两端的元件端子组的中心位置均位于比所述多个IC端子组中的位于两端的IC端子组的中心位置更靠内侧的位置、或更靠外侧的位置，在所述多个元件端子组的两端、以及在所述多个IC端子组的两端中的中心位置都位于内侧的一方的两端分别是所述两端子结构的情况下，在该都位于内侧的一方的两端处的每个所述两端子结构中，将所述第1连接端子配置于比所述第2连接端子更靠外侧，在所述多个元件端子组的两端和在所述多个IC端子组的两端中的中心位置都位于外侧的一方的两端分别是所述两端子结构的情况下，在该都位于外侧的一方的两端处的每个所述两端子结构中，将所述第1连接端子配置于比所述第2连接端子更靠内侧。
(2)根据上述(1)所记载的光组件，也可以是，在所述多个元件端子组的两端和所述多个IC端子组的两端中的中心位置都位于内侧的一方的两端分别是所述两端子结构的情况下，分贝从该两端到内侧重复有多个按照所述第1连接端子和所述第2连接端子的顺序配置的所述两端子结构，在所述多个元件端子组的两端和所述多个IC端子组的两端中的中心位置都位于外侧的一方的两端分别是所述两端子结构的情况下，分别从该两端到内侧重复有多个按照所述第2连接端子和所述第1连接端子的顺序配置的所述两端子结构。
(3)根据上述(1)或(2)所记载的光组件，也可以是，所述光电转换装置还具备载体，该载体具有：上表面，其搭载所述多个元件端子组；前表面，其搭载所述多个光电转换元件，各所述光电转换元件具有第1导电型电极和第2导电型电极，在所述载体的前表面上，所述多个光电转换元件沿着第1方向排列配置，在各所述光电转换元件中所述第1导电型电极和所述第2导电型电极在所述载体的前表面上沿着与所述第1方向交叉的方向排列配置，在所述载体的前表面配置有：第1连接配线，其用于将所述第1导电型电极与所述第1连接端子彼此电连接；以及第2连接配线，其用于将所述第2导电型电极与所述第2连接端子彼此电连接。
(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的光组件，也可以是，该光组件还具备与所述电气信号控制装置电连接的IC芯片。
(5)根据上述(4)所记载的光组件，也可以是，所述光电转换装置是搭载多个受光元件的阵列型受光装置，所述IC芯片具备将各所述受光元件所输出的电信号放大的前置放大电路。
(6)根据上述(1)～(3)中任一项所述的光组件，也可以是，所述光电转换装置是阵列型半导体激光装置。
(7)本发明所涉及的光模块具备：上述(1)～(5)中任一项所述的光组件；电路基板；以及壳体，其内置所述光组件和所述电路基板。
根据本发明，在具有多个通道的光组件中，能够使多个通道各自的连接所使用的引线中的、引线的长度能成为最长的通道的引线的长度更短。进而能够缩小多个通道间的引线的长度之差。
附图说明
图1是第1实施方式所涉及的光模块的分解立体图。
图2是收纳于图1所示的光模块中的光接收组件的局部分解立体图。
图3是从前表面侧观察第1实施方式所涉及的受光元件阵列的立体图。
图4是从前表面侧观察第1实施方式的载体的立体图。
图5是第1实施方式的第1例所涉及的光接收组件的俯视图。
图6是表示第1实施方式所涉及的各通道的频率响应特性的图。
图7是表示第1实施方式所涉及的各通道的25Gbps下的接收灵敏度特性的图。
图8是第1实施方式的第2例所涉及的光接收组件的俯视图。
图9是第1实施方式的第3例所涉及的光接收组件的俯视图。
图10是第1实施方式的第4例所涉及的光接收组件的俯视图。
图11是从前表面侧观察第2实施方式所涉及的受光元件阵列的立体图。
图12是从前表面侧观察第2实施方式所涉及的载体的立体图。
图13是收纳于现有技术所涉及的光模块中的光接收组件的局部分解立体图。
图14是从电极侧观察现有技术所涉及的受光元件阵列的立体图。
图15是图13所示的现有技术所涉及的光接收组件的俯视图。
图16是表示现有技术所涉及的各通道的频率响应特性的图。
图17是表示现有技术所涉及的各通道的25Gbps下的接收灵敏度特性的图。
附图标记说明
1光模块、2光发送组件、4光接收组件、6电接口、8光学接口、9壳体、10，100，101，200光接收组件、18保护膜、19，219FE掺杂INP基板、20光电转换装置、21，203，210载体、22，211受光元件、22a第1受光元件、22b第2受光元件、22c第3受光元件、22d第4受光元件、23，202，230受光元件阵列、24，124，324元件端子组、25，205受光窗、30，300电信号控制装置、32，312受光台面部、33N型INP接触层、34，314第1导电型电极台面部、35，315第2导电型电极台面部、36，316第1导电型电极、37，317第2导电型电极、40，400IC芯片、46，176，306第1连接端子、47，177，307第2连接端子、56，57焊锡材料、66第1连接配线、67第2连接配线、70，170，370IC端子组、78，178，308第3连接端子、79，179，309第4连接端子、80，90，180，190，500引线、201阵列型受光装置。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，对于附图，对相同或同等的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[第1实施方式]
图1是第1实施方式所涉及的光模块1的分解立体图。光模块1内置有两个光组件。具体而言，是用于将电信号转换成光信号的光发送组件2(TOSA：Transmitter OpticalSub-Assembly，光发射次组件)和用于将光信号转换成电信号的光接收组件4(ROSA：Receiver Optical Sub-Assembly，光接收次组件)。在发送侧，将由未图示的主基板发送的电信号经由电接口6通向光模块1内的电路基板而转换成光信号，将该光信号从光学接口8发送。在接收侧，接收光信号，将电信号向未图示的主侧基板输出。光模块1具有由一对半壳体构成的壳体9，在该壳体9的内部收纳有电子零部件。
图2是收纳于图1所示的光模块1的光接收组件10的局部分解立体图。
光接收组件10的结构包括光电转换装置20、电信号控制装置30、以及IC芯片40。
光电转换装置20包括：载体21；多个通道的受光元件阵列23，其搭载有多个光电转换元件(这里，设为受光元件22)；以及多个元件端子组24(参照图4)，其与多个受光元件22(参照图3)分别电连接，并沿着第1方向依次排列配置。在此，第1方向是图2的左右方向。在载体21的上表面形成有多个元件端子组24，在载体21的前表面搭载有受光元件阵列23。图2所示的受光元件阵列23表示的是在半导体基板的前表面排列形成有4个受光元件22的4通道的受光元件阵列23。在受光元件阵列23的半导体基板的背面具备受光窗25。4个受光窗25从图2的右侧依次表示为受光窗25a、25b、25c、25d。受光元件阵列23接收向受光窗25入射的光信号而转换成电信号。在此，将接收通道编号从图2的右侧起依次设为第1通道、第2通道、第3通道、第4通道。
图3是从前表面侧观察第1实施方式所涉及的受光元件阵列23的立体图。受光元件阵列23在半绝缘性的Fe掺杂InP基板19上从左侧依次形成有第1受光元件22a、第2受光元件22b、第3受光元件22c、以及第4受光元件22d。第1受光元件22a具备：n型InP接触层33a，其形成于半绝缘性的Fe掺杂InP基板19上；以及受光台面部32a，其形成于该n型InP接触层33a的上部，并包括能够接收从Fe掺杂InP基板19的背面侧入射的光信号的PN接合部。受光台面部32a从顶部侧看来具有p型InGaAs接触层、p型InGaAlAs缓冲层、n型InGaAs光吸收层、以及n型InGaAlAs缓冲层层叠而成的多层构造。Fe掺杂InP基板19的整个表面被绝缘性的保护膜18包覆，但是在受光台面部32a的上表面以圆形图案设置有开口部，并且在n型InP接触层33a的一部分以矩形图案设置有开口部。受光台面部32a的周围形成有第1导电型电极台面部34a和第2导电型电极台面部35a，它们的高度与受光台面部32a的高度相同、或高于受光台面部32a的高度。将经由开口部与受光台面部32a的顶部即p型InGaAs接触层电连接的第1导电型电极36a(例如p型电极)引出到第1导电型电极台面部34a的上表面。另外，将经由开口部与n型InP接触层33a电连接的第2导电型电极37a(例如n型电极)引出到第2导电型电极台面部35a的上表面。此外，对于第2受光元件22b～第4受光元件22d，也具有与上述的第1受光元件22a同样的结构。在此，使第1受光元件22a、第2受光元件22b、第3受光元件22c、以及第4受光元件22d相对于受光元件阵列23的中心线C1(作为各受光元件22所排列的方向的第1方向的中心线)对称地配置。也就是说，各受光元件22的第1导电型电极36相对于受光元件阵列23的中心线C1被配置于比第2导电型电极37更靠外侧的位置。换言之，从受光元件阵列23的第1方向的两端分别朝向受光元件阵列23的内侧(中心线C1)，并按照第1导电型电极36、第2导电型电极37的顺序配置。
图4是从前表面侧观察第1实施方式所涉及的载体21的立体图。在载体21上从右侧起依次形成有与第1受光元件22a连接的元件端子组24a、与第2受光元件22b连接的元件端子组24b、与第3受光元件22c连接的元件端子组24c、以及与第4受光元件22d连接的元件端子组24d。元件端子组24a是由第1导电型的第1连接端子46a和第2导电型的第2连接端子47a构成的两端子结构。第1连接端子46a形成于载体21的上表面。同样地，第2连接端子47a形成于载体21的上表面。此外，载体21的上表面呈矩形形状，第1方向是该矩形形状的长度方向。在元件端子组24b～元件端子组24d中，也具有与元件端子组24a同样的结构。在此，各元件端子组24在载体21的上表面上，相对于载体21的中心线C2(作为元件端子组24所排列的方向的第1方向的中心线)被对称地配置。也就是说，各元件端子组24的第1连接端子46相对于载体21的中心线C2配置于比第2连接端子47更靠外侧的位置。换言之，从载体21的第1方向的两端分别朝向载体21的内侧(中心线C2)，按照第1连接端子46a、第2连接端子47a的顺序配置的两端子结构重复有多个。另外，在载体21的前表面形成有用于将第1导电型电极36和第1连接端子46彼此电连接的第1连接配线66(66a～66d)、以及用于将第2导电型电极37和第2连接端子47彼此电连接的第2连接配线67(67a～67d)。第1连接配线66和第2连接配线67在载体21的前表面上，从第1导电型电极36和第2导电型电极37分别朝向载体21的上表面呈直线状延伸，到达第1连接端子46和第2连接端子47。
在形成于载体21的前表面的第1连接配线66和第2连接配线67的一部分，分别形成有焊锡材料56和焊锡材料57。在将受光元件阵列23搭载于载体21时，第1连接配线66和第1导电型电极36a经由焊锡材料56彼此电连接且物理连接，第2连接配线67和第2导电型电极37a经由焊锡材料57彼此电连接且物理连接。
电信号控制装置30包括多个IC端子组70(参照图5)，该多个IC端子组70将多个元件端子组24与IC芯片40电连接，并沿着第1方向依次排列配置。多个IC端子组70被配置于电信号控制装置30的上表面。
IC芯片40与多个受光元件22分别电连接，对由多个受光元件22输出的多个电信号进行控制。IC芯片40具备例如将由多个受光元件22输出的多个电信号放大并检测为光电流的前置放大电路。此外，在本实施方式中，虽然IC芯片40和电控制装置30被记载为独立个体，但是电控制装置30是集成电路，且包括其一部分成为放大电路(IC芯片40)的电控制装置30。
多个元件端子组24和多个IC端子组70彼此分开，并且相对。另外，多个元件端子组24和多个IC端子组70经由引线被电连接。下面，使用图5来对第1实施方式的第1例所涉及的光接收组件10中的、多个元件端子组24和多个IC端子组70的具体结构进行说明。
图5是第1实施方式的第1例所涉及的光接收组件10的俯视图。如图5所示，在第1实施方式的第1例中，4个元件端子组24(24a～24d)(相当于多个元件端子组和多个IC端子组中的任一方)分别是两端子结构，4个IC端子组70(70a～70d)(相当于多个元件端子组和多个IC端子组中的另一方)分别是3端子结构。两端子结构是指，从载体21的上表面侧来看，第1导电型的第1连接端子46和第2导电型的第2连接端子47都向着与第1方向交叉的第2方向延伸，并且沿着第1方向排列配置。另外，3端子结构是指，第1导电型的第3连接端子78和第2导电型的两个第4连接端子79都向第2方向延伸，并且按照一方的第4连接端子79、第3连接端子78、以及另一方的第4连接端子79的顺序沿着第1方向排列配置。第2方向是与第1方向交叉的方向，在此与第1方向正交。第1实施方式的第1例表示4个元件端子组24a～24d分别是上述两端子结构，且4个IC端子组70a～70d分别是上述3端子结构的情况。
另外，在第1方向上，4个元件端子组24中的位于两端的元件端子组24a和元件端子组24d各自的中心位置(E1和E2)，分别位于比4个IC端子组70中的位于两端的IC端子组70a和IC端子组70d各自的中心位置(E3和E4)都更靠内侧的位置。第1例表示的是4个元件端子组24(24a～24d)的两端(元件端子组24a和元件端子组24d)为其中心位置都位于内侧的情况的两端，且都位于内侧时的两端为两端子结构的情况。在4个元件端子组24(24a～24d)中分别位于两端的元件端子组24(元件端子组24a和元件端子组24d)中的两端子结构中，将第1连接端子46配置于比第2连接端子47更靠外侧的位置。其中，在元件端子组24a中，第1连接端子46a被配置于比第2连接端子47a更靠外侧的位置，在元件端子组24d中，第1连接端子46d被配置于比第2连接端子47d更靠外侧的位置。在本说明书中，除非特别记载的情况，当表示元件端子组与IC端子组的位置关系时，针对端子组的两端的位置关系，表述为内侧/外侧，但这是表示第1方向上的端子组的中心位置(在图5中说来，就是E1～E4)的位置关系。在此，端子组的中心位置是指，将成为沿着第1方向位于两侧的端子各自的外缘的位置连结的线段的中点。另外，端子组的两端表示多个端子组中的两端的端子组(在图5中说来，就是24a、24d、70a、70d)。
并且，元件端子组24a～24d分别经由引线80(80a～80d)和引线90(90a～90d)与所对应的IC端子组70a～70d电连接。元件端子组24a的第1连接端子46a通过引线80a与所对应的IC端子组70a的第3连接端子78a电连接。另外，元件端子组24a的第2连接端子47a通过引线90a，与所对应的IC端子组70a的两个第4连接端子79a分别电连接。对于元件端子组24b～24d与IC端子组70b～70d之间的连接，也具有与元件端子组24a和IC端子组70a之间的连接同样的结构。
根据第1实施方式的第1例，分别在两端的元件端子组24(元件端子组24a和元件端子组24d)中的两端子结构中，相较于第1连接端子46被配置于比第2连接端子47更靠内侧的位置的情况，能够分别在两端的元件端子组24中缩短将第1连接端子46与第3连接端子78连结的引线80的长度。这样可以形成在引线80的长度能成为最长的两端的元件端子组24中缩短引线80的构造，其结果是，能够降低两端的通道(这里就是第1通道和第4通道)处的电感，抑制频率响应特性的劣化。
进而，优选使多个元件端子组24的第1方向的中心线与多个IC端子组70的第1方向的中心线更接近，进一步优选为在实质上一致。在该情况下，能够使配置于两端的两根引线80都缩短，并且能够减小两根引线80的长度之差。进一步优选为能够使两根引线80的长度一致。
另外，优选不只是形成两端的两端子结构中的第1连接端子46和第2连接端子47的配置，而是使从两端分别到内侧(载体21的第1方向的中心线或多个元件端子组24的第1方向的中心线)按照第1连接端子46、第2连接端子47的顺序配置的两端子结构重复有多个。与两端处的两端子结构同样地，可以将从两端以相同的数量进一步配置于内侧的1对两端子结构设为能够使引线80的长度更短的构造。
在此，在元件端子组24和IC端子组70分别具有N个的情况下，且在N是4以上的偶数的情况下，N个元件端子组24的第1方向的中心线从一端在第N/2个的元件端子组24与第N/2+1个元件端子组24之间贯穿，N个IC端子组70的第1方向的中心线从一端在第N/2个IC端子组70与第N/2+1个IC端子组70之间贯穿。优选此时N个元件端子组24的第1方向的中心线从一端在第N/2个IC端子组70与第N/2+1个IC端子组70之间贯穿，进一步优选为N个元件端子组24的第1方向的中心线与N个IC端子组70的第1方向的中心线一致。并且，优选使从N个元件端子组24的两端分别朝向中心线，并按照第1连接端子46、第2连接端子47的顺序配置的元件端子组24重复有N/2个。
另外，在N是5以上的奇数的情况下，N个元件端子组24的第1方向的中心线从一端贯穿第(N+1)/2个元件端子组24，N个IC端子组70的第1方向的中心线从一端贯穿第(N+1)/2个IC端子组70。优选此时N个元件端子组24的第1方向的中心线从一端贯穿第(N+1)/2个IC端子组70，进一步优选为N个元件端子组24的第1方向的中心线与N个IC端子组70的第1方向的中心线一致。并且，优选使从N个元件端子组24的两端分别朝向中心线，并按照第1连接端子46、第2连接端子47的顺序配置的元件端子组24重复有(N-1)/2个。此时，(N+1)/2个元件端子组24中的第1连接端子46和第2连接端子47的配置顺序任意确定即可。
这样，多个元件端子组24的第1方向的中心线与多个IC端子组70的第1方向的中心线更接近，进一步优选为在实质上一致，从而能够使两端的引线80(引线80a和引线80d)的长度之差减小，从而能够使两端的通道的频率响应特性彼此接近。进而，通过使从多个元件端子组24的两端分别到内侧按照第1连接端子46、第2连接端子47的顺序配置的两端子结构重复有多个，能够减小各引线80的长度的偏差，其结果是，能够减少多个通道的频率响应特性的偏差。
在此，表示第1实施方式的第1例所涉及的光接收组件10的进行了特性评价的结果。对各第1连接端子46a～46d施加1.5V的负偏压，将波长1310nm、强度10μW的光信号输入到各受光窗25后，其结果是各通道都获得了0.8A/W的受光灵敏度。另外，1.5V的负偏压时的暗电流在各通道都处于室温时获得1nA以下的充分低的值，在处于85°时获得10nA以下的充分低的值。
图6是表示第1实施方式的第1例所涉及的各通道的频率响应特性的图。如图6所示，两端的第1通道和第4通道的频率响应特性与内侧的第2通道和第3通道相比较，在15～20GHz附近处的峰值变大，但是3dB截止频率在所有通道获得了25GHz左右的良好的频率响应特性。另外，与图16所示的现有例子所涉及的频率响应特性相比较，第4通道的频率响应特性有所提高，使第1通道的频率响应特性和第4通道的频率响应特性彼此接近。
图7是表示第1实施方式的第1例所涉及的各通道的25Gbps下的接收灵敏度特性的图。如图7所示，在所有通道中，获得了良好的特性。另外，与图17所示的以往例的接收灵敏度特性相比较，第4通道的接收灵敏度特性有所提高，不会产生饱和，使第1通道的接收灵敏度特性和第4通道的接收灵敏度特性彼此接近。另外，虽未图示，但过载特性也形成为最大接收灵敏度Prmax>14.5dBm，从而获得了良好的特性。
这样，根据第1实施方式的第1例，使两端的通道的频率响应特性提高，使各通道的元件特性的偏差减少，从而光接收组件10能够获得良好的接收特性。
此外，多个元件端子组24和多个IC端子组70的结构并不限定于图5所示的例子。下面，对第1实施方式的光接收组件10的另一个例子进行说明。
图8是第1实施方式的第2例所涉及的光接收组件100的俯视图。如图8所示，第2例表示4个元件端子组124(124a～124d)分别是3端子结构、4个IC端子组170(170a～170d)分别是两端子结构的情况。
另外，在第1方向上，4个IC端子组170中的位于两端的IC端子组170a和IC端子组170d各自的中心位置，分别位于比4个元件端子组124中的位于两端的元件端子组124a和元件端子组124d各自的中心位置都更靠内侧的位置。第2例表示的是4个IC端子组170(170a～170d)的两端(IC端子组170a和IC端子组170d)为其中心位置都位于内侧时的两端，且都位于内侧时的两端分别为两端子结构的情况。在4个IC端子组170(170a～170d)中分别位于两端的IC端子组170(IC端子组170a和IC端子组170d)中的两端子结构中，将第1连接端子176配置于比第2连接端子177更靠外侧的位置。这里，在IC端子组170a中，将第1连接端子176a配置于比第2连接端子177a更靠外侧的位置，在元件端子组124d中，将第1连接端子176d配置于比第2连接端子177d更靠外侧的位置。
并且，元件端子组124a～124d分别经由引线180(180a～180d)和引线190(190a～190d)，与所对应的IC端子组170a～170d电连接。IC端子组170a的第1连接端子176a通过引线180a与所对应的元件端子组124a的第3连接端子178a电连接。另外，IC端子组170a的第2连接端子177a通过引线190a与所对应的元件端子组124a的两个第4连接端子179a分别电连接。对于元件端子组124b～124d和IC端子组170b～170d之间的连接，也具有与元件端子组124a和IC端子组170a之间的连接同样的结构。
根据第1实施方式的第2例，在分别位于两端的IC端子组170(IC端子组170a和IC端子组170d)的两端子结构中，相较于第1连接端子176被配置于比第2连接端子177更靠内侧的位置的情况，能够分别在位于两端的IC端子组170中缩短将第1连接端子176与第3连接端子178连结的引线180的长度。这样，可以形成在引线180的长度能成为最长的两端处的IC端子组170中缩短引线180的构造，其结果是，降低两端的通道(这里就是第1通道和第4通道)处的电感，使频率响应特性提高。
进一步地，与第1例同样地，优选多个元件端子组124的第1方向的中心线与多个IC端子组170的第1方向的中心线更接近，进一步优选为在实质上一致。另外，优选不只是形成两端的两端子结构中的第1连接端子176和第2连接端子177的配置，而是使从两端分别到内侧(电信号控制装置30的第1方向的中心线或多个IC端子组170的第1方向的中心线)按照第1连接端子176、第2连接端子177的顺序配置的两端子结构重复有多个。
图9是第1实施方式的第3例所涉及的光接收组件101的俯视图。如图9所示，第3例与第2例同样地，表示4个元件端子组124(124a～124d)分别是3端子结构，且4个IC端子组170(170a～170d)分别是两端子结构的情况。由于第3例所涉及的光接收组件101中的、元件端子组124和IC端子组170的结构与图8所示的第2例所涉及的光接收组件100相同，因此省略重复的说明。这里，仅对与第2例所涉及的光接收组件100不同的结构进行说明。
在第1方向上，4个IC端子组170中的位于两端的IC端子组170a和IC端子组170d各自的中心位置，分别位于比4个元件端子组124中的位于两端的元件端子组124a和元件端子组124d各自的中心位置都更靠外侧的位置。第3例表示的是4个IC端子组170(170a～170d)的两端(IC端子组170a和IC端子组170d)为其中心位置都位于外侧时的两端，且都位于外侧时的两端分别为两端子结构的情况。在4个IC端子组170(170a～170d)中分别位于两端的IC端子组170(IC端子组170a和IC端子组170d)的两端子结构中，将第1连接端子176配置于比第2连接端子177更靠内侧的位置。这里，在IC端子组170a中，将第1连接端子176a配置于比第2连接端子177a更靠内侧的位置，在IC端子组170d中，将第1连接端子176d配置于比第2连接端子177d更靠内侧的位置。
并且，元件端子组124a～124d分别经由引线180(180a～180d)和引线190(190a～190d)与所对应的IC端子组170a～170d电连接。
根据第1实施方式的第3例，在分别位于两端的IC端子组170(IC端子组170a和IC端子组170d)的两端子结构中，相较于第1连接端子176配置于比第2连接端子177更靠外侧的位置的情况，能够分别在位于两端的IC端子组170中缩短将第1连接端子176和第3连接端子178连结的引线180的长度。这样，可以形成在引线180的长度能成为最长的两端处的IC端子组170中缩短引线180的构造，其结果是，降低两端的通道(这里就是第1通道和第4通道)处的电感，提高频率响应特性。
进一步地，与第1例和第2例同样地，优选多个元件端子组124的第1方向的中心线与多个IC端子组170的第1方向的中心线更接近，进一步优选为在实质上一致。另外，优选不只是形成两端的两端子结构中的第1连接端子176和第2连接端子177的配置，而是使从两端分别到内侧(电信号控制装置30的第1方向的中心线或多个IC端子组170的第1方向的中心线)按照第2连接端子177、第1连接端子176的顺序配置的两端子结构重复有多个。
图10是第1实施方式的第4例所涉及的光接收组件的俯视图。如图10所示，第4例与第1例同样地，表示4个元件端子组24a～24d分别是上述的两端子结构，且4个IC端子组70a～70d分别是上述的3端子结构的情况。由于第4例所涉及的光接收组件102中的、元件端子组24和IC端子组70的结构与图5所示的光接收组件10相同，因此省略重复的说明。这里，对与图5所示的光接收组件10不同的结构进行说明。
在第1方向上，4个元件端子组24中的位于两端的元件端子组24a和元件端子组24d各自的中心位置，分别位于比4个IC端子组70中的位于两端的IC端子组70a和IC端子组70d各自的中心位置都更靠外侧的位置。第4例表示的是4个元件端子组24(24a～24d)的两端(元件端子组24a和元件端子组24d)为其中心位置都位于外侧时的两端，且都位于外侧时的两端分别是两端子结构的情况。分别在4个元件端子组24(24a～24d)的两端的元件端子组24(元件端子组24a和元件端子组24d)的两端子结构中，将第1连接端子46配置于比第2连接端子47更靠内侧的位置。这里，在元件端子组24a中，将第1连接端子46a配置于比第2连接端子47a更靠内侧的位置，在元件端子组24d中，将第1连接端子46d配置于比第2连接端子47d更靠内侧的位置。
并且，元件端子组24a～24d分别经由引线80(80a～80d)和引线90(90a～90d)与所对应的IC端子组70a～70d连接。
根据第1实施方式的第4例，在分别位于两端的元件端子组24(元件端子组24a和元件端子组24d)的两端子结构中，相较于第1连接端子46配置于比第2连接端子47更靠外侧的位置的情况，能够分别在位于两端的元件端子组24中缩短将第1连接端子46和第3连接端子78连结的引线80的长度。这样，可以形成在引线80的长度能成为最长的两端处的元件端子组24中缩短引线80的构造，其结果是，降低两端的通道(这里就是第1通道和第4通道)处的电感，提高频率响应特性。
进一步地，与第1～第3例同样地，优选多个元件端子组24的第1方向的中心线与多个IC端子组70的第1方向的中心线更接近，进一步优选为在实质上一致。另外，优选不只是形成两端的两端子结构中的第1连接端子46和第2连接端子47的配置，而是使从两端分别到内侧(载体21的第1方向的中心线或多个元件端子组24的第1方向的中心线)按照第2连接端子47、第1连接端子46的顺序配置的两端子结构重复有多个。
这样，在本实施方式所涉及的光接收组件中，多个元件端子组和多个IC端子组彼此分开并且相对，多个元件端子组和多个IC端子组中的任一方分别是两端子结构，在该两端子结构中，第1导电型的第1连接端子和第2导电型的第2连接端子都向着与第1方向交叉的第2方向延伸，并且沿着第1方向排列配置，多个元件端子组和多个IC端子组中的另一方分别具有3端子结构，在该3端子结构中，第1导电型的第3连接端子和第2导电型的两个第4连接端子都向着第2方向延伸，并且按照一方的第4连接端子、第3连接端子、以及另一方的第4连接端子的顺序沿着第1方向排列配置。另外，在第1方向上，多个元件端子组中位于两端的元件端子组各自的中心位置均分别位于比所述多个IC端子组中的位于两端的IC端子组各自的中心位置更靠内侧的位置、或更靠外侧的位置，在多个元件端子组的两端、以及在多个IC端子组的两端中其中心位置都位于内侧时的两端分别是两端子结构的情况下，分别在该都位于内侧时的两端的两端子结构中，将第1连接端子配置于比第2连接端子更靠外侧的位置，在多个元件端子组的两端、以及在多个IC端子组的两端中其中心位置都位于外侧时的两端分别是两端子结构的情况下，分别在该都位于外侧时的两端的两端子结构中，将第1连接端子配置于比第2连接端子更靠内侧的位置。并且，两端子结构的第1连接端子通过引线与所对应的3端子结构的第3连接端子电连接。另外，两端子结构的第2连接端子通过引线与所对应的3端子结构的两个第4连接端子分别电连接。
第1实施方式所涉及的光接收组件具有上述结构，由此能够在引线的长度能成为最长的两端的通道中缩短引线的长度。其结果是，抑制两端的通道的频率响应特性的劣化，并使各通道的元件特性的偏差减小，由此可以使光接收组件获得良好的频率响应特性。
[第2实施方式]
图11是从前表面侧观察第2实施方式所涉及的受光元件阵列230的立体图。第2实施方式所涉及的受光元件阵列230除了各受光元件22的配置、以及将各受光元件22与元件端子组24连接的连接配线不同之外，具有与第1实施方式所涉及的受光元件阵列23的结构同样的结构，因此，省略重复的说明。这里，对与第1实施方式所涉及的受光元件阵列23的结构不同的结构进行说明。
受光元件阵列230在半绝缘性的Fe掺杂InP基板19上从左侧依次形成有第1受光元件22a、第2受光元件22b、第3受光元件22c、以及第4受光元件22d。各受光元件22的第1导电型电极36被配置于比第2导电型电极37更靠上表面侧的位置。此外，各受光元件22的第1导电型电极36也可以配置于比第2导电型电极37更靠下表面侧的位置。也就是说，各受光元件22的第1导电型电极36和第2导电型电极37沿着与各受光元件22所排列的方向交叉的方向排列配置。
图12是从前表面侧观察第2实施方式所涉及的载体210的立体图。在第2实施方式的受光元件阵列230中，各受光元件22的第1导电型电极36和第2导电型电极37在载体210的前表面上沿着与各受光元件22所排列的方向(第1方向)交叉的方向(第3方向)排列。因此，第1连接配线66和第2连接配线67中的至少一者具有在载体210的前表面上弯曲的部分，使得各元件端子组24的第1连接端子46在载体210的上表面上相对于载体210的中心线C3(元件端子组24所排列的方向即第1方向的中心线)配置于比第2连接端子47靠外侧的位置。例如，如图12所示，在一对第1连接配线66和第2连接配线67上，将第1连接配线66在载体210的前表面上配置于比受光元件22的第1方向的中心线更靠外侧(载体210的前表面上的离第1方向的中心线C4较远的一侧)的位置，将第2连接配线67配置于比受光元件22的第1方向的中心线更靠内侧(载体210的前表面上的离第1方向的中心线C4较远的一侧)的位置。
如第2实施方式那样，即使是在各受光元件22的第1导电型电极36和第2导电型电极37在载体210的前表面上沿着与各受光元件22所排列的方向交叉的方向排列的情况下，也能够将各元件端子组24的第1连接端子46配置在相对于载体的中心线C3比第2连接端子47更靠外侧的位置。由此，与第1实施方式同样地，能够在引线的长度能成为最长的两端的通道中缩短引线的长度。其结果是，抑制两端的通道的频率响应特性的劣化，由此使各通道的频率响应特性的偏差减少，从而光接收组件10可以获得良好的频率响应特性。
另外，通过各受光元件22的第1导电型电极36和第2导电型电极37沿着与各受光元件22所排列的方向正交的方向排列配置，在将受光元件阵列230搭载于载体210之前使用探针来从第1通道到第4通道连续地检查电特性的情况下，无需切换探针的排列，检查变得容易。
此外，本发明并不限定于上述实施方式。例如，在上述实施方式中，以光从半导体基板的背面入射的背面入射型受光元件阵列为例进行了说明，但也可以是受光台面部位于表侧、且通过背面侧搭载载体的形态。在该情况下，受光元件阵列与载体之际的电连接由引线进行。进而，在该实施方式的情况下，也可以从受光元件阵列的电极直接将引线与电信号控制装置的IC端子组连接。在该情况下，受光元件阵列的电极成为元件端子组。
进而，在上述实施方式中，对光接收组件内的阵列型受光装置与电信号控制装置之间的连接进行了说明，但也能够适用于光发送组件内的阵列型半导体激光装置与驱动电路之间的连接。在将本发明适用于光发送组件的情况下，IC芯片对向多个光电转换元件输出的电信号进行控制。
另外，在上述的实施方式中，在载体上，元件端子组被配置在与供光电转换元件搭载的面(前表面)不同的上表面，但也可以是与供光电转换元件搭载的面相同的面或者配置于第3面(例如背面部)。
另外，虽然示出了在光组件的内部设置有IC芯片的实施方式，但也可以是光组件的外部设置有IC芯片。在该情况下，电信号控制装置也可以是具备IC端子组的电路基板(PCB)等。
虽然在此描述了目前认为是本发明的一些具体实施方式，但是应该理解为可以进行各种修改，并且，其意图在于所附的权利要求书所包括的所有在本发明的主旨和范围内的如上所述的修改。

Claims (7)

1.一种光组件，其具备光电转换装置和电信号控制装置，
所述光电转换装置具备：多个光电转换元件；以及多个元件端子组，其与所述多个光电转换元件分别电连接，沿着第1方向依次排列配置；
所述电信号控制装置具备多个IC端子组，该多个IC端子组与所述多个元件端子组电连接，沿着所述第1方向依次排列配置，
该光组件的特征在于，
所述多个元件端子组和所述多个IC端子组彼此分开并且相对，
所述多个元件端子组和所述多个IC端子组中的任一方分别是两端子结构，在该两端子结构中，第1导电型的第1连接端子和第2导电型的第2连接端子沿着所述第1方向排列配置，
所述多个元件端子组和所述多个IC端子组中的另一方分别是3端子结构，在该3端子结构中，所述第1导电型的第3连接端子和所述第2导电型的两个第4连接端子按照一方的所述第4连接端子、所述第3连接端子、以及另一方的所述第4连接端子的顺序沿着所述第1方向排列配置，
各所述两端子结构的所述第1连接端子通过引线与所对应的所述3端子结构的所述第3连接端子电连接，各所述两端子结构的所述第2连接端子通过引线与所对应的所述3端子结构的两个所述第4连接端子分别电连接，
在所述第1方向上，所述多个元件端子组中位于两端的元件端子组的中心位置均位于比所述多个IC端子组中的位于两端的IC端子组的中心位置更靠内侧的位置、或更靠外侧的位置，
在所述多个元件端子组的两端和所述多个IC端子组的两端中的中心位置都位于内侧的一方的两端分别是所述两端子结构的情况下，在该都位于内侧的一方的两端处的每个所述两端子结构中，将所述第1连接端子配置于比所述第2连接端子更靠外侧，在所述多个元件端子组的两端和所述多个IC端子组的两端中的中心位置都位于外侧的一方的两端分别是所述两端子结构的情况下，在该都位于外侧的一方的两端处的每个所述两端子结构中，将所述第1连接端子配置于比所述第2连接端子更靠内侧。
2.根据权利要求1所述的光组件，其特征在于，
在所述多个元件端子组的两端和所述多个IC端子组的两端中的中心位置都位于内侧的一方的两端分别是所述两端子结构的情况下，分别从该两端到内侧重复有多个按照所述第1连接端子和所述第2连接端子的顺序配置的所述两端子结构，
在所述多个元件端子组的两端和所述多个IC端子组的两端中的中心位置都位于外侧的一方的两端分别是所述两端子结构的情况下，分别从该两端到内侧重复有多个按照所述第2连接端子和所述第1连接端子的顺序配置的所述两端子结构。
3.根据权利要求1所述的光组件，其特征在于，
所述光电转换装置还具备载体，该载体具有：上表面，其搭载所述多个元件端子组；以及前表面，其搭载所述多个光电转换元件，
各所述光电转换元件具有第1导电型电极和第2导电型电极，
在所述载体的前表面上，所述多个光电转换元件沿着第1方向排列配置，在各所述光电转换元件中所述第1导电型电极和所述第2导电型电极在所述载体的前表面上沿着与所述第1方向交叉的方向排列配置，
在所述载体的前表面配置有：第1连接配线，其用于将所述第1导电型电极与所述第1连接端子彼此电连接；以及第2连接配线，其用于将所述第2导电型电极与所述第2连接端子彼此电连接。
4.根据权利要求1所述的光组件，其特征在于，
该光组件还具备与所述电信号控制装置电连接的IC芯片。
5.根据权利要求4所述的光组件，其特征在于，
所述光电转换装置是搭载多个受光元件的阵列型受光装置，
所述IC芯片具备将各所述受光元件所输出的电信号放大的前置放大电路。
6.根据权利要求1所述的光组件，其特征在于，
所述光电转换装置是阵列型半导体激光装置。
7.一种光模块，其特征在于，
该光模块具备：权利要求1所述的光组件；
电路基板；以及
壳体，其内置所述光组件和所述电路基板。
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