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CN105408948B - 用于有机电子器件的基板 - Google Patents

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CN105408948B
CN105408948B CN201480042230.2A CN201480042230A CN105408948B CN 105408948 B CN105408948 B CN 105408948B CN 201480042230 A CN201480042230 A CN 201480042230A CN 105408948 B CN105408948 B CN 105408948B
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LG Display Co Ltd
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Abstract

本申请涉及一种用于有机电子器件的基板。本申请可提供一种基板，其可用于制造通过具有合适的雾度而具有优异的物理性质(如透光率)的柔性器件，并且在需要时所述柔性器件可维持其他物理性质，如表面平滑度和折射率。

Description

用于有机电子器件的基板
技术领域
本申请涉及一种用于有机电子器件的基板及其用途。
背景技术
有机电子器件(OED)的类型包括有机发光器件(OLED)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)或有机晶体管。例如，传统OED依次包括玻璃基板、透明电极层、包括发光单元的有机层和反射电极层。
在称作底部发光器件(bottom emitting device)的结构中，所述透明电极层可形成为透明电极层，且所述反射电极层可形成为反射电极层。此外，在称作顶部发光器件(topemitting device)的结构中，所述透明电极层可形成为反射电极层，且所述反射电极层可形成为透明电极层。电子(electron)和空穴(hole)由电极层被注入，并在发光单元中重新结合(recombine)，从而产生光。在底部发光器件中，所述光可被发射至基板；在顶部发光器件中，所述光可被发射至反射电极层。
在由有机层发射出的光中，部分在临界角入射到各层的界面处的一部分光或更多光由于全内反射(total internal reflection)而不被发射和捕获，因而仅发射非常少量的光。因此，例如，如专利文献1所公开，试图提高光提取效率。然而，目前已知的光提取技术通常使用硬质基板如玻璃基板，因此不被有效地应用于使用具有与玻璃基板不同的性质的柔性(flexible)基板的器件中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3861758号
发明内容
技术问题
本申请旨在提供一种可用于制造柔性器件的基板，所述柔性器件具有合适的雾度和优异的物理性质，如光提取效率，并且在需要时其还具有其他优异的物理性质，如表面平滑度和折射率。
技术方案
一方面，OED的示例性基板可包括聚酰亚胺膜作为基底膜。所述聚酰亚胺膜可通过使用最少量的光散射颗粒或不使用光散射颗粒来产生雾度。因此，聚酰亚胺与一般的雾度塑料膜相比可具有优异的平滑度，并在OED中显示出优异的作用。由于聚酰亚胺膜的折射率可根据需要自由调整，因而其还能根据用途实现传统塑料膜难以实现的高折射率。在需要时，除基底膜外，基板还可包括高折射层。
通常，聚酰亚胺通过下述过程制备：通过四羧酸二酐和二胺化合物的缩合反应制备聚酰胺酸，然后将该酰胺酸进行酰亚胺化。因此，本申请的聚酰亚胺基底膜还可包括二酐和二胺化合物的缩合单元(即聚酰胺酸单元)、或其酰亚胺化单元(即聚酰亚胺单元)。
在本申请中，上述雾度和折射率中的至少一种可使用至少两种包括在聚酰亚胺基底膜中的单元进行调整。因此，聚酰亚胺基底膜可包括第一四羧酸二酐和第一二胺化合物的缩合单元或其酰亚胺化单元作为第一单元，以及第二四羧酸二酐和第二二胺化合物的缩合单元或其酰亚胺化单元作为第二单元。
在基底膜中，第一单元和第二单元可存在于一种聚合物或不同聚合物中。也就是说，基底膜可包括含有第一单元和第二单元的共聚物，或者包括含有第一单元的聚合物和含有第二单元的聚合物。此外，第一单元和第二单元各自可为包括在预定聚合物(predetermined polymer)或聚合物中的链。
第一单元和第二单元可具有不同的物理性质以调整雾度和折射率中的至少一种。例如，第一单元和第二单元可具有彼此相同的折射率。除非另有特别说明，术语“折射率”是相对于波长为550nm的光测量出的折射率。例如，第一单元和第二单元之间的折射率的差的绝对值可为0.01或更大。在另一实施例中，所述折射率的差的绝对值可为约0.02、0.03、0.04、0.05或0.06或更大。折射率的差的绝对值可为约0.2、0.15、0.1或0.08或更小。如上所述，调整第一单元和第二单元的折射率的方法没有特别限制，例如，可通过选择构成各单元的成分来调整。例如，如下文将要描述的，用于形成单元的二酐或二胺化合物各自可选自芳族、脂族或脂环族的二酐或二胺化合物。当选择已知通常提供高折射率的芳族化合物时，可形成具有相对高折射率的单元。
在另一实例中，第一单元和第二单元可具有不同的极性。例如，第一单元和第二单元之一或两者都可包含至少一种极性官能团。在这种情况下，第一单元所包含的极性官能团的摩尔数与第二单元所包含的极性官能团的摩尔数的差的绝对值可以为2或更大。在另一实例中，摩尔数的差的绝对值可以为10、8、6或4或更小。极性官能团可被上述二酐或二胺化合物取代。所用的极性官能团的类型可为，但不特别限于：卤素原子如氟或氯、被卤素如氟或氯取代的卤代烷基基团、氰基基团、硝基基团、羟基基团、烷氧基基团、氰酸酯基团或硫代氰酸酯基团，就应用方便性而言，所用的极性官能团是卤素原子或卤代烷基基团。此处，卤代烷基基团或烷氧基基团可以是具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4个碳原子的卤代烷基基团或烷氧基基团。被上述极性官能团取代的各种二酐或二胺化合物可以是已知的，或可以通过常规方法合成。
聚酰亚胺基底膜的雾度可使用第一单元和第二单元之间的折射率或极性的差异来均匀地调整。具有不同折射率或极性的不同类型的聚酰亚胺的混合物可形成不透明的乳液，据认为，乳液的不透明性被转移至膜上。因此，若调整了用于形成乳液的成分的折射率或极性的差异，则聚酰亚胺膜的雾度可被调整。此外，若在此过程中调整了具有高折射率的单元的比例，则整个膜的折射率也可被容易地调整。由于雾度由聚合物单元本身产生，而不是通过使用常规散射颗粒产生雾度的方法产生，因此聚合物可具有优异的表面平滑度和均匀的雾度。
基底膜中第一单元和第二单元的比例可根据所需的折射率和雾度调整而没有特别限制。例如，基底膜可包括约3至100、3至80、3至60、3至40、3至20或3至15重量份的第一单元，相对于100重量份的第二单元计，但本申请不限于此。
用于形成包括第一单元和第二单元的聚酰亚胺的二酐或二胺化合物的类型以及使用它们形成单元的方法都没有特别限制。在聚酰亚胺的相关领域中，用于合成聚酰亚胺的各种二酐或二胺化合物是已知的，合适的类型可根据所需的折射率或极性从已知成分中选择。
例如，作为可用作二酐的脂族、脂环族或芳族四羧酸二酐，可使用：丁烷四羧酸二酐、戊烷四羧酸二酐、己烷四羧酸二酐、环戊烷四羧酸二酐、二环戊烷四羧酸二酐、环丙烷四羧酸二酐、甲基环己烷四羧酸二酐、3，3′，4，4′-苯甲酮四羧酸二酐、3，4，9，10-苝四羧酸二酐、4，4′-磺酰基二邻苯二甲酸二酐、3，3′，4，4′-二苯基四羧酸二酐、1，2，5，6-萘四羧酸二酐、2，3，6，7-萘四羧酸二酐、1，4，5，8-萘四羧酸二酐、2，3，5，6-吡啶四羧酸二酐、间-三联苯基-3，3′，4，4′-四羧酸二酐、对-三联苯基-3，3′，4，4′-四羧酸二酐、4，4′-氧二邻苯二甲酸二酐、1，1，1，3，3，3-六氟-2，2-双[(2，3或3，4-二羧基苯氧基)苯基丙烷二酐、2，2-双[4-(2，3-或3，4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐或1，1，1，3，3，3-六氟-2，2-双[4-(2，3-或4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐；作为芳族、脂族或脂环族二胺化合物，可使用：芳族二胺例如对苯二胺(PDA)、间苯二胺(m-PDA)、2，4，6-三甲基-1，3-苯二胺、2，3，5，6-四甲基-1，4-苯二胺、4，4′-二氨基二苯醚、3，4′-二氨基二苯醚、3，3′-二氨基二苯醚、4，4′-二氨基二苯基硫醚、4，4′-二氨基二苯基甲烷、3，4′-二氨基二苯基甲烷、3，3′-二氨基二苯基甲烷、4，4′-亚甲基-双(2-甲基苯胺)、4，4′-亚甲基-双(2，6-二甲基苯胺)、4，4′-亚甲基-双(2，6-二乙基苯胺)、4，4′-亚甲基-双(2-异丙基-6-甲基苯胺)、4，4′-亚甲基-双(2，6-二异丙基苯胺)、4，4′-二氨基二苯基砜、3，3′-二氨基二苯基砜、联苯胺、邻联甲苯胺、间联甲苯胺、3，3′，5，5′-四甲基联苯胺、2，2′-双(三氟甲基)联苯胺、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(6HMDA)、2，2′-双(三氟甲基)-联苯胺(2，2′-双(三氟甲基)联苯胺、TFMB)、3，3′-双(三氟甲基)-4，4′-二氨基联苯(3，3′-TFDB)、4，4′-双(3-氨基苯氧基)二苯基砜(DBSDA)、双(3-氨基苯基)砜(3DDS)、双(4-氨基苯基)砜(4DDS)、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯(APB-133)、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯(APB-134)、2，2′-双[3(3-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(3-BDAF)、2，2′-双[4(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(4-BDAF)、2，2′-双(3-氨基苯基)六氟丙烷(3，3′-6F)、2，2′-双(4-氨基苯基)六氟丙烷(4，4′-6F)或4，4′-氧联苯胺(ODA)，或脂族二胺例如1，6-己二胺、1，4-环己二胺、1，3-环己二胺、1，4-双(氨基甲基)环己烷、1，3-双(氨基甲基)环己烷、4，4′-二氨基二环己基甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二甲基二环己基甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二甲基二环己基甲烷、1，2-双-(2-氨基乙氧基)乙烷、双(3-氨基丙基)醚、1，4-双(3-氨基丙基)哌嗪、3，9-双(3-氨基丙基)-2，4，8，10-四氧杂螺[5.5]-十一烷或1，3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷，但本申请并不限于此。
基底膜可为透光膜。术语“透光膜”可以指对可见光区的任一种光或整个可见光区的光具有的透光率为例如50％、60％、70％或80％或更高的膜。
基底膜的雾度可根据需要调整，并可在一定范围内(例如3至90％)调整。本文使用的术语“雾度”可根据ASTM D1003使用装置例如雾度计HM-150进行测量。此处，雾度的另一下限可以是例如约5或10％。此外，雾度的另一上限可以是例如约85％、80％、75％、70％、65％、60％、55％、50％、45％、40％、35％或30％。如上所述，在本申请中，雾度可通过选择基底膜的聚合物的单元而产生，因此，基底膜可不包括散射颗粒，或包括少量的散射颗粒。本文使用的术语“散射颗粒”可以指具有与周围基质不同的折射率的颗粒，且其平均粒径达到可根据入射光的波长散射入射光的程度。本申请的基底膜可包括约10wt％、8wt％、6wt％、4wt％、2wt％或1wt％或更少的散射颗粒，相对于基底膜的总重量计，或者可实质上不包括散射颗粒。
基底膜可具有约5至70ppm/℃的热膨胀系数(CTE)。这样的范围可有利于防止在其中混合有有机材料层和无机材料层的结构中产生缺陷，如层间分层(interlayerdelamination)。
基底膜可具有约200℃或更高的玻璃化转变温度。这样的玻璃化转变温度可以是基底膜的玻璃化转变温度，或是在其上形成下述缓冲层的基底膜的玻璃化转变温度。这样的范围可适于OED制造过程中用于沉积或图案化的高温工艺。在另一实施例中，玻璃化转变温度可为约210℃、220℃、230℃、240℃或250℃或更高。玻璃化转变温度的上限可以是例如约400℃、350℃或300℃，但并不特别限于此。
在基底膜中，均方根(RMS)可在约0.1至5nm的范围内调整。这样的RMS可以是基底膜表面的RMS，或是基底膜的下述缓冲层表面的RMS。表面粗糙度的范围可有利于提高其上形成的层的性能。例如，当在基底膜上形成具有阻隔性的无机材料层，该无机材料层是在具有以上范围的RMS的表面上形成时，可形成具有优异的防水性能的层。在另一实例中，RMS可以为约4、3、2.5或2nm或更小。
基底膜可具有约1.5、1.6、1.7、1.75或1.8或更大的折射率。OED中基底膜的折射率范围可有利于提高器件的发光效率。基底膜的折射率的上限可为例如约2.0，但并不特别限于此。基底膜的高折射率可通过选择如上所述的构建膜的单元来调整，或在需要时通过将合适量的具有高折射率的成分混合来实现。
基底膜的厚度可根据所需性能——但不特别限于此——例如柔韧性、光提取效率或阻隔性在合适的范围内进行选择。例如，基底膜可具有约10至50μm、或20至30μm的厚度。
在需要时，基板可进一步包括在基底膜上形成的高折射层。本文使用的术语“高折射层”可以指对波长为550nm的光具有的折射率为1.7、1.8、1.85或1.9或更高的层。高折射层的折射率的上限可以是例如约2.0。如上所述，由于高折射层形成于基底膜上，因而可提高所需性能例如高提取效率。
高折射层可包括高折射颗粒和(例如)粘合剂。例如，高折射层可使用由高折射颗粒和粘合剂混合而成的组合物来形成。此处，作为粘合剂，可使用已知的材料而没有特别限制。作为粘合剂，例如，可使用本领域已知的各种有机粘合剂、无机粘合剂或无机/有机粘合剂。考虑到器件的使用寿命或对制造过程中进行的高温工艺、光刻工艺或刻蚀工艺的优异抗性，可选择具有优异的耐热性和耐化学性的有机粘合剂、无机粘合剂、或有机/无机粘合剂。粘合剂可具有例如约1.4、1.45、1.5、1.6、1.65或1.7或更大的折射率。粘合剂的折射率的上限可在这样的范围内选择：此范围考虑到混合在一起的颗粒的折射率，满足高折射层的折射率。作为粘合剂，例如，可使用含有聚酰亚胺、聚酰胺酸的热固化或光固化的单体、低聚体或聚合的有机材料；具有芴环、尿烷、环氧化物、聚酯或丙烯酸酯的卡尔多(caldo)树脂；或无机材料，或有机/无机结合材料，如二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、环氧树脂或聚硅氧烷。
高折射层可进一步包括高折射颗粒。本文使用的术语“高折射颗粒”可以是例如折射率为1.8、2.0、2.2、2.5、2.6或2.7或更高的颗粒。高折射颗粒的折射率的上限可在这样的范围内选择：此范围考虑到混合在一起的粘合剂的折射率，可满足高折射层的折射率。高折射颗粒可具有例如约1至100、10至90、10至80、10至70、10至60、10至50或10至45nm的平均粒径。高折射颗粒可以是例如氧化铝、硅酸铝、二氧化钛或氧化锆。高折射颗粒是例如折射率为2.5或更高的金红石型二氧化钛颗粒。金红石型二氧化钛可具有比其他颗粒更高的折射率，因此所需的折射率可以相对小的比例进行调整。高折射层中高折射颗粒的比例可在能够确保上述高折射层的折射率的范围内调整。
无机材料层可存在于基底膜上，在某些情况下，无机材料层可起到高折射层的作用。本文使用的术语“无机材料层”可以是包括基于重量计的50％或更多或60％的无机材料的层。无机材料层可以仅包含无机材料，或在包含此范围的无机材料时还包含其他成分，如有机材料。
无机材料层可以是例如阻挡层。本文使用的术语“阻挡层”可以是能够防止、抑制或减少外部因素(如水或蒸汽)透过的层，所述外部因素可对器件(例如有机层)的性能产生不好的影响。例如，阻挡层可具有10-4g/m2/天或更小的水蒸气穿透率(WVTR)。在本说明书中，WVTR可以是使用测量器(如PERMATRAN-W3/31，MOCON，Inc.)在40℃和90％相对湿度下测量出的值。
阻挡层可由任一种已知能减少、防止或抑制外部因素(如水和氧气)透过的材料形成。所述材料可以是已知的以下材料：金属，例如In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti或Ni；金属氧化物，例如TiO、TiO2、Ti3O3、Al2O3、MgO、SiO、SiO2、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、ZrO2、Nb2O3或CeO2；金属氮化物，例如SiN；金属氮氧化物，例如SiON；金属氟化物，例如MgF2、LiF、AlF3或CaF2；吸收率为1％或更高的吸收材料或吸收系数为0.1％或更小的防水材料。
例如，无机材料层可具有低结晶度，或实质上具有非结晶性。当由一般的沉积方法形成时，无机材料层由于材料的性质而具有高的结晶可能性，因此不易满足上述结晶度。然而，通过采用以下任一种方法形成的无机材料层满足上述结晶度：使用氧化层(如金属氧化物层)形成无机层的方法、重复形成薄层的方法、重复形成薄层的过程中调整使各亚层由不同材料形成的方法、以及使用不同材料形成各亚层但所有的亚层形成为氧化物层(如金属氧化物层)的方法。
无机材料层可与基底膜的折射率有小的差异是合适的。特别地，在这种情况下，这可有助于形成具有优异光提取效率的基板。例如，无机材料层和基底膜之间的折射率的差的绝对值可以为约1、0.7、0.5或0.3或更小。因此，当基底膜具有如上所述的高折射率时，无机材料层也可具有相同水平的折射率。例如，阻挡层的折射率可以为约1.5、1.6、1.7或1.75或更高。当应用本申请基板的OED是OLED时，基底膜的折射率的范围可有利于提高器件的发光效率。无机材料层的折射率的上限可以为例如约2.0，但并不特别限于此。
无机材料层的厚度可根据由所需用途产生的效果来确定，在一个实例中，厚度的范围可以为约10至100、10至90、10至80、10至70、10至60、10至50或20至50nm，但并不特别限于此。
当无机材料层可具有单层或多层结构时，其可需要具有多层结构以满足上述结晶度。多层结构可包括其中堆叠相同类型或不同类型的无机材料层的结构。以多层结构形成无机材料层可有助于形成具有上述界面粘结性和上述结晶度的无机材料层。此外，以多层结构形成无机材料层可有助于形成具有上述折射率的无机材料层。
具有多层结构的无机材料可包括至少第一亚层和第二亚层的堆叠结构。考虑到无机材料层所需的界面粘结性、结晶度、阻隔性或折射率，可以调整第一亚层和第二亚层的厚度。例如，可将第一亚层和第二亚层的厚度都调整在7、6、5、4、3或2nm或更小的范围内。亚层的厚度的下限没有特别限制。当亚层的厚度较小时，可有助于增加对界面粘结性、结晶度、阻隔性和折射率的调整，当亚层的厚度较小时，可增加所需的工艺数以达到所需厚度。因此，亚层的厚度的下限可根据所需厚度等在合适的范围内确定，且可被调整为约0.1nm或更大。
考虑到界面粘结性、结晶度、阻隔性和折射率，包括在具有多层结构的无机材料层中的所有亚层的厚度可在上述范围内调整。在这种情况下，无机材料层可不包括厚度大于10、9、8、7、6或5nm的亚层。
包括在无机材料层中的亚层的数目没有限制。其可根据亚层的厚度和所需的无机材料层的厚度进行调整。在一个实例中，无机材料层可包括2至50个亚层。在此范围内，可包括4、6、8或10或更多个亚层。此外，在此范围内，可包括45、40、35、30、25、20或15个或更少的亚层。当无机材料层包括3个或更多个亚层时，所有的亚层都可以是第一亚层或第二亚层，此外，可包括第三亚层或更高次序的亚层。
亚层可由各种材料中的一种形成，并可由各种金属或非金属的氧化物、氮化物或氮氧化物形成，以有助于界面粘结性、结晶度、阻隔性和折射率。因此，第一亚层和第二亚层可以是氧化物层、氮化物层或氮氧化物层。在需要时，包括在无机材料层中的所有亚层都可由氧化物形成。能够用于此情况中的氧化物的类型可以从能够形成上述阻挡层的氧化物中恰当地选择而没有特别限制。在亚层中，彼此接触的亚层可有助于界面粘结性、结晶度、阻隔性和折射率，只要这些亚层由不同材料形成。因此，当第一亚层和第二亚层彼此接触时，不同的材料可以是例如不同的氧化物、氮化物或氮氧化物。即使无机材料层包括第三亚层、第四亚层或如上所述的更高次序的亚层，但这些彼此接触的亚层可由不同材料(如不同的氧化物)形成是有利的。
第一亚层可具有第一折射率，第二亚层可具有不同于第一折射率的第二折射率。当将所述层堆叠时，有利的是，可确保上述效果且无机材料层的折射率可在上述范围内调整。第一折射率和第二折射率之间的差的绝对值可以是例如0.1或更大。在另一实例中，绝对值可以是0.2、0.3、0.4、0.5或0.6或更大。此外，在另一实例中，绝对值可以在2、1.8、1.6、1.4或1.2或更小的范围内。第一折射率和第二折射率的范围没有特别限制，只要它们在上述范围内，但例如，第一亚层的折射率可以在1.4至1.9的范围内，第二亚层的折射率可以在2.0至2.6的范围内。第一亚层和第二亚层可以是金属氧化物层。例如，第一亚层的合适材料可以是Al2O3，第二亚层的合适材料可以是TiO2。只要可以获得上述范围的折射率且最终的堆叠结构可具有阻隔性，则各种材料都可使用。
无机材料层或各亚层可通过已知的方法形成，但为确保界面粘结性，通过原子层沉积(ALD)形成无机材料层或各亚层是有利的。ALD可包括将前体(如有机金属)和前体(如水)交替沉积在待粘附的表面上的过程，并且在此过程中，前体的单层可交替形成并相互反应。当基底膜中包含预定官能团(如上述羟基基团)时，由ALD形成的层可在形成过程中与该官能团反应，从而确保所需的界面粘结性。除非另有特别说明，本文使用的术语“ALD层”可指通过ALD形成的无机材料层。
除ALD外，可使用的形成无机材料层或亚层的方法可包括物理气相沉积(PVD)如溅射、脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、或激光分子束外延(L-MBE)，或化学气相沉积(CVD)如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)、引发化学气相沉积(iCVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。在需要时，可根据所使用的材料从上述方法中选择一种合适的方法，从而使无机材料层的性能最大化。
本申请的基板可包括额外的层。例如，本申请的基板可进一步包括在无机材料层和基底膜之间的缓冲层，以实现无机材料层和基底膜之间的界面粘结性。但是，缓冲层不是必须的成分，例如，只要实现了界面粘结性，则可不需要缓冲层。
本申请的基板可进一步包括存在于无机材料层上的电极层。
作为电极层，可使用常规用于OED的空穴注入电极层或电子注入电极层。电极层可以是透明电极层或反射电极层。
例如，空穴注入电极层可由具有相对高功函数(work function)的材料形成，在需要时，可由透明材料或反射材料形成。例如，空穴注入电极层可包括功函数为约4.0eV或更大的金属、合金、导电化合物或其至少两种的混合物。这样的材料可以是：金属，如金；CuI；铟锡氧化物(ITO)；铟锌氧化物(IZO)；锌锡氧化物(ZTO)；掺杂铝或铟的氧化锌；镁铟氧化物；镍钨氧化物；氧化物，如ZnO、SnO2或In2O3；金属氮化物，如氮化镓；金属硒化物，如硒化锌；金属硫化物，如硫化锌。透明的空穴注入电极层还可由金属薄膜(如Au、Ag或Cu)和高折射透明材料(如ZnS、TiO2或ITO)堆叠而形成。
空穴注入电极层可通过任选的方法形成，例如沉积、溅射、化学沉积或电化学法。此外，形成的电极层根据其用途可通过已知的光刻法或使用荫罩(shadow mask)的方法进行图案化。
电子注入电极层可例如使用具有相对低功函数的材料形成，并可使用用于形成空穴注入电极层的材料中的合适的透明或反射材料形成，但本申请不限于此。电子注入电极层也可通过例如沉积或溅射形成，或在需要时可被适当地图案化。
可形成具有例如约90至200、90至180或90至150nm的厚度的电极层。
在另一方面，本申请提供一种OED。OED可包括上述用于OED的基板和具有第一电极层、有机材料层和第二电极层的器件区，所述器件区存在于基板的无机材料层上。当用于OED的基板包括上述电极层时，该电极层可用作第一电极层。
示例性的OED可包括含有基底膜和无机材料层的基板、第一电极层、有机材料层、第二电极层、第二无机材料层和覆盖膜，它们以顶部方向依次存在。这些层可直接堆叠而在相邻层之间没有其他层，或可借助其他层堆叠。
除非另有特别说明，本文使用的术语“顶部方向”指的是从第一电极层至第二电极层的方向，且本文使用的术语“底部方向”指的是从第二电极层至第一电极层的方向。
在本说明书的下文中，为了描述方便，在上述结构中，将包括第一电极层下存在的所有因素(不包括第一电极层)的区域称为基板区，将包括第一电极层、第二电极层、及于其间存在的所有因素的区域称为器件区，将包括第二电极层上存在的所有因素(不包括第二电极层)的区域称为上部区。
除上述基底膜外，基板区可包括额外的层。作为存在于基板区中的额外的层，可使用载体基板、阻挡膜或粘合层。
作为能够包括在基板区中的另一种层，可使用阻挡膜。与使用具有优异阻隔性的材料性能的基板(如玻璃基板)的刚性结构相比，在柔性结构中，可使用具有相对低阻隔性的基底膜，因此额外的阻挡膜可存在，例如在基底膜下，以弥补阻隔性。作为阻挡膜，可使用在需要时可确保合适的阻隔性和透光率的膜，而没有特别限制。
阻挡膜可例如使用粘合层粘附至基底膜。本文使用的术语“粘合层”包括通常称为粘合剂的材料，和使用称为压敏粘合剂的材料和称为粘合剂的材料形成的层。用于形成粘合层的材料可以是，例如已知的压敏粘合剂/粘合剂材料如丙烯酸聚合物、硅聚合物、橡胶基聚合物、乙烯乙酸乙烯酯(EVA)聚合物，或烯烃聚合物如聚异丁烯(PIB)，但并不特别限于此。
可将合适的防水材料与粘合层混合。在下文中，本文使用的术语“与防水材料混合的粘合层”可以是具有阻隔性的粘合层。本文使用的术语“防水材料”可被用作可通过物理或化学反应吸收或除去从外部环境引入的水或蒸汽的成分。可与粘合层混合的防水材料的具体类型可为例如以下的一种或至少两种的混合物：金属氧化物、有机金属氧化物、金属盐和五氧化二磷(P2O5)，但不特别限于此。此处，金属氧化物的具体实例可为但不限于：氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)或氧化镁(MgO)；金属盐可为但不限于：硫酸盐如硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钠(Na2SO4)、硫酸钙(CaSO4)、硫酸镁(MgSO4)、硫酸钴(CoSO4)、硫酸镓(Ga2(SO4)3)、硫酸钛(Ti(SO4)2)或硫酸镍(NiSO4)，金属卤化物如氯化钙(CaCl2)、氯化镁(MgCl2)、氯化锶(SrCl2)、氯化钇(YCl3)、氯化铜(CuCl2)、氟化铯(CsF)、氟化钽(TaF5)、氟化铌(NbF5)、溴化锂(LiBr)、溴化钙(CaBr2)、溴化铯(CeBr3)、溴化硒(SeBr4)、溴化钒(VBr3)、溴化镁(MgBr2)、碘化钡(BaI2)或碘化镁(MgI2)，或金属氯酸盐如高氯酸钡(Ba(ClO4)2)或高氯酸镁(Mg(ClO4)2)。
合适的散射颗粒可混入粘合层，因而粘合层可显示出合适的雾度。当粘合层显示出雾度时，可提高光提取效率。可混入粘合层的散射颗粒的类型没有特别限制，考虑到用于形成粘合层的树脂的折射率，可选择包括在散射层中的合适类型的散射颗粒。
作为可存在于基板区中的另一种层，可使用可暂时或永久粘附在基底膜下的载体基板。通常，作为载体基板，可使用刚性基板，例如玻璃基板。
基板区可以各种结构形成。例如，基板区可具有其中第一无机层和基底膜以底部方向依次形成的结构、其中缓冲层和/或散射层在第一无机层和基底膜之间形成的结构、或其中载体膜或阻挡膜在需要时通过粘合层被粘附在基底膜下的结构。
有机材料层存在于第一电极层和第二电极层之间。有机材料层可包括至少一种或两种发光单元。在这样的结构中，由发光单元产生的光可通过反射电极层的反射被发射至透明电极层。
当存在至少两个发光单元时，中间电极层或电荷产生层可进一步存在于多个发光单元之间，用于合适的发射。因此，发光单元可被中间电极层或具有电荷产生特征的电荷产生层(CGL)分隔开。
构成发光单元的材料没有特别限制。具有各种发射中心波长的荧光或磷光有机材料是本领域已知的，可选择合适类型的已知材料以形成发光单元。用于发光单元的材料可为，但不限于：Alq-基材料，如三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(Alg3)、4-MAlq3或Gaq3；环戊二烯衍生物，如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺-FPA、PhTDAOXD(Ph3Si)或1，2，3，4，5-五苯基-1，3-环戊二烯(PPCP)；4，4’-双(2，2’-二苯基乙烯基)-1，1’-联苯(DPVBi)、均二苯乙烯或其衍生物；4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、DDP、AAAP或NPAMLI；或磷光材料如吡啶甲酸酯(Firpic)、间吡啶甲酸酯、N-吡啶甲酸酯、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、fac-三[2-(4，5’-二氟苯基)吡啶-C’2，N]铱(III)(Firppy)或双(2-(2’-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶-N，C3’)铱(乙酰丙酮)(Btp2Ir(acac))。发光层可包括上述材料作为主体，以及主体-掺杂物体系，所述主体-掺杂物体系包括苝、二苯乙烯联苯、DPT、喹吖啶酮、红荧烯、BTX、ABTX或DCJTB作为掺杂物。
发光单元还可通过使用显示出发光特征的合适的化合物而形成，所述化合物选自电子接收有机化合物(electron accepting organic compound)或电子供给有机化合物(electron donating organic compound)，所述化合物将在下文中进行描述。
有机材料层可以进一步包括本领域已知的各种其他功能层的各种结构形成，只要其包括发光单元。作为能够包括在有机材料层中的层，可使用电子注入层、空穴阻挡层、电子传输层、空穴传输层或空穴注入层。
电子注入层或电子传输层可使用例如电子接收有机化合物来形成。此处，作为电子接收有机化合物，可使用已知的任选化合物而没有特别限制。作为这种有机化合物，可使用多环化合物，如对三联苯(p-terphenyl)或四联苯(quaterphenyl)或其衍生物；多环烃化合物，如萘、稠四苯(tetracene)、芘(pyrene)、六苯并苯(coronene)、(chrysene)、蒽(anthracene)、二苯基蒽、并四苯(naphthacene)或菲(phenanthrene)或其衍生物；或杂环化合物，如邻二氮杂菲、红菲绕啉、啡啶、吖啶、喹啉、喹喔啉(quinoxaline)或吩嗪(phenazine)或其衍生物。此外，如下化合物可用作包含在低反射层中的电子接收有机化合物：荧光素(fluoroceine)、苝(perylene)、酞苝(phthaloperylene)、萘并苝(naphthaloperylene)、苝酮(perynone)、酞苝酮(phthaloperynone)、萘并苝酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、噁二唑、醛连氮(aldazine)、双苯并噁唑啉(bisbenzoxazoline)、联苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪、环戊二烯、8-羟基喹啉(oxine)、氨基喹啉、亚胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃(thiopyrane)、聚甲炔(polymethine)、部花青(merocyanine)、喹吖啶酮、红荧烯或其衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1988-295695号、第1996-22557号、第1996-81472号、第1993-009470号或1993-017764号公报中公开的金属螯合络合物，例如具有至少一种金属螯合羟基喹啉类化合物(如8-羟基喹啉盐)作为配位体的金属络合物，所述8-羟基喹啉盐包括三(8-羟基喹啉)铝、双(8-羟基喹啉)镁、双[苯并(f)-8-羟基喹啉]锌、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)铟、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉锂、三(5-氯-8-羟基喹啉)镓、双(5-氯-8-羟基喹啉)钙及其衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1993-202011号、第1995-179394号、第1995-278124号或第1995-228579号公报中公开的噁二唑化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1995-157473号公报中公开的三嗪化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-203963号公报中公开的茋(stilbene)衍生物；二苯乙烯基亚芳基(distyrylarylene)衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-132080号或第1994-88072号公报中公开的苯乙烯基衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-100857号或第1994-207170号公报中公开的二烯烃衍生物；荧光增白剂，如苯并噁唑化合物、苯并噻唑或苯并咪唑化合物；均二苯乙烯化合物，如1，4-双(2-甲基苯乙烯基)苯、1，4-双(3-甲基苯乙烯基)苯、1，4-双(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1，4-双(2-乙基苯乙烯基)苄基、1，4-双(3-乙基苯乙烯基)苯、1，4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1，4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物，如2，5-双(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2，5-双(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2，5-双[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2，5-双(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2，5-双[2-(4-联苯)乙烯基]吡嗪或2，5-双[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二亚甲基dimethylidine)化合物，如1，4-E苯基二亚甲基、4，4’-亚苯基二亚甲基、2，5-二甲苯二亚甲基、2，6-亚萘基二亚甲基、1，4-亚联苯基二亚甲基、1，4-对-亚苯基二亚甲基、9，10-蒽二基二亚甲基或4，4’-(2，2-二-叔丁基苯基乙烯基)联苯、4，4’-(2，2-二苯基乙烯基)联苯或其衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-49079号或第1994-293778号公报中公开的硅烷胺(silanamine)衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-279322号或第1994-279323号公开的多官能苯乙烯基化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-107648号或第1994-092947号公报中公开的噁二唑衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-206865号公报中公开的蒽化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-145146号公报中公开的羟基喹啉(oxinate)衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1992-96990号公报中公开的四苯基丁二烯化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1991-296595号公报中公开的有机三官能化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1990-191694号公报中公开的香豆素衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1990-196885号公报中公开的苝衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1990-255789号公报中公开的萘衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1990-289676号或第1990-88689号公报中公开的酞苝酮(phthaloperynone)衍生物；或在专利公布文本如日本专利申请第1990-250292号公报中公开的苯乙烯基胺衍生物。此外，本文中，可使用如LiF或CsF的材料形成电子注入层。
空穴阻挡层可为如下的一种层：其能够通过防止经注入的空穴穿过发光单元进入电子注入电极层而改善器件的使用寿命及效率，且需要时可使用已知材料形成于发光层和电子注入电极层之间的适当部分。
空穴注入层或空穴传输层可包括例如电子供给有机化合物。作为电子供给有机化合物，可使用N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基苯基、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-二氨基联苯、2，2-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)丙烷、N，N，N’，N’-四-对甲苯基-4，4’-二氨基联苯、双(4-二-对甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(4-甲氧基苯基)-4，4’-二氨基联苯、N，N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基二苯基醚、4，4’-双(二苯基氨基)四联苯、4-N，N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N，N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1，1-双(4-二-对三氨基苯基)环己烷、1，1-双(4-二-对三氨基苯基)-4-苯基环己烷、双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N，N，N-三(对甲苯基)胺、4-(二-对甲苯基氨基)-4’-[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋、N，N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基联苯、N-苯基咔唑、4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对三联苯、4，4’-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯、1，5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘、4，4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对三联苯、4，4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(8-氟蒽基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]联苯、4，4’-双[N-(1-蔻基)-N-苯基氨基]联苯、2，6-双(二-对甲苯基氨基)萘、2，6-双[二-(1-萘基)氨基]萘、2，6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4，4’-双[N，N-二(2-萘基)氨基]三联苯、4，4’-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}联苯、4，4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]联苯、2，6-双[N，N-二-(2-萘基)氨基]芴或4，4’-双(N，N-二-对甲苯基氨基)三联苯或芳胺化合物如双(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本申请不限于此。
空穴注入层或空穴传输层可通过将有机化合物分散在聚合物中形成，或者使用由有机化合物所产生的聚合物形成。此外，也可使用π-共轭聚合物，如聚对苯乙炔及其衍生物；空穴传输非共轭聚合物，如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷的σ-共轭聚合物。
空穴注入层可使用导电聚合物形成，所述导电聚合物为例如：金属酞菁如铜酞菁或非金属酞菁、碳膜和聚苯胺，或者空穴注入层可通过使用芳胺化合物作为氧化剂而与路易斯酸反应形成。
有机材料层的具体结构没有特别限制。用于形成空穴注入电极层或电子注入电极层和有机层(例如发光单元)、电子注入或传输层、或空穴注入或传输层的各种材料和方法是本领域已知的，并且所有方法都可用于制造OED。
OED的上部区可包括无机材料层和覆盖膜，其在顶部方向依次形成。为了将无机材料层与用于OED的基板的无机材料层分开，可将包括在上部区的无机材料层称为第二无机材料层，包括在基板中的无机材料层称为第一无机材料层。
存在第二无机材料层以防止、抑制或减少外部材料的透过，从而获得耐久性，具体材料和形成方法可与第一无机材料层的类别中所描述的相似。然而，当第二无机材料层被设计用于向基板区发射光时，不需要形成第二无机材料层以具有高折射率，这与第一无机材料层的高折射率相同。
存在于第二无机材料层上的覆盖膜可以是用于保护OED的结构，例如其是已知的阻挡膜、金属板、或导电膜、或其至少两种的堆叠结构。上部区中的覆盖膜可通过粘合层(如上述具有阻隔性的粘合层)被粘附在第二无机材料层的顶部表面。
在又一方面，本申请提供OED——例如OLED——的用途。OLED可有效地应用于液晶显示器(LCD)的背光源、照明装置、传感器、打印机或影印机的光源、车辆仪表板的光源、信号灯、领航灯、显示装置、用于平面发光装置的光源、显示器、装饰品或其他种类的光源。在一个实例中，本申请涉及一种包括OLED的照明装置。当所述OLED应用于照明装置或其他用途时，构成所述装置的其他组件及构成所述装置的方法并无特别限制，只要使用OLED，可使用相关领域已知的所有的任选材料或方法。
技术效果
根据本申请，基板可用于制造柔性器件，所述柔性器件显示出合适的雾度以具有优异的物理性质如透光率，并且在需要时还具有优异的物理性质如表面平滑度和折射率。
具体实施方式
下文中，本发明的示例性实施方案将参照本申请的实施例进行详细地描述。然而，本发明的范围并不限于以下公开的实施方案。
制备实施例1：制造聚酰亚胺基板(A)
第一聚酰胺酸溶液(折射率：约1.625)通过在一个反应器中的3，3’，4，4’-二苯基四羧酸二酐(BPDA)和对苯二胺(PDA)的缩合反应而合成，第二聚酰胺酸溶液(折射率：约1.56)通过在另一个反应器中的BPDA和2，2’-双(三氟甲基)联苯胺(TFMB)的缩合反应而合成。用于形成膜的组合物通过下述过程制备：将第一聚酰胺酸溶液与第二聚酰胺酸溶液以5：95(第一聚酰胺酸：第二聚酰胺酸)的比例混合，基于固形物的重量计，使用搅拌器将该混合物搅拌16小时或更久。随后，聚酰亚胺基板(A)通过下述过程合成：将用于形成膜的组合物旋涂在厚度约为20μm的玻璃基板上，将所得玻璃基板在烘箱中以约2℃/min的速率加热，将该基板在80℃下保持15分钟、在150℃下保持30分钟、在220℃下保持30分钟、并在350℃下保持1小时以进行酰亚胺化。基板(A)的雾度根据ASTM D1003使用雾度计HM-150分析出约为5％，透光率约为85％。
制备实施例2：制造聚酰亚胺基板(B)
聚酰亚胺基板(B)通过与制备实施例1中所述的相同方法制造，不同之处在于，使用通过下述过程制备的用于形成膜的组合物：将通过BPDA和TFMB的缩合反应制备的第一聚酰胺酸溶液(折射率：约1.56)与通过2，2’-双-(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(FDA)和TFMB的缩合反应制备的第二聚酰胺酸溶液(折射率：约1.541)以5∶95(第一聚酰胺酸：第二聚酰胺酸)的比例混合，基于固形物的重量计。合成的基底膜的雾度根据ASTM D1003使用雾度计HM-150检测约为5.12％，透光率约为86.4％。
制备实施例3：制造聚酰亚胺基板(C)
聚酰亚胺基板(C)通过与制备实施例1中所述的相同方法制造，不同之处在于，使用通过下述过程制备的用于形成膜的组合物：将通过BPDA和TFMB的缩合反应制备的第一聚酰胺酸溶液(折射率：约1.56)与通过FDA和TFMB的缩合反应制备的第二聚酰胺酸溶液(折射率：约1.541)以10：90(第一聚酰胺酸：第二聚酰胺酸)的比例混合。合成的基底膜的雾度根据ASTM D1003使用雾度计HM-150检测约为16.44％，透光率约为83.5％。
制备实施例4：制造聚酰亚胺基板(D)
聚酰亚胺基板(D)通过与制备实施例1中所述的相同方法制造，不同之处在于，使用通过下述过程制备的用于形成膜的组合物：将通过BPDA和PDA的缩合反应制备的第一聚酰胺酸溶液(折射率：约1.625)与通过BPDA和TFMB的缩合反应制备的第二聚酰胺酸溶液(折射率：约1.56)以10：90(第一聚酰胺酸：第二聚酰胺酸)的比例混合，并加入粒径在不显示出散射能力的范围内的高折射填料(金红石型TiO2，折射率：约2.8)。合成的基底膜的雾度根据ASTM D1003使用雾度计HM-150检测约为9％，透光率约为81％，且反射率约为1.8。
制备实施例5：制造聚酰亚胺基板(E)
聚酰亚胺基板(E)通过与制备实施例1中所述的相同方法制造，不同之处在于将通过FDA和TFMB的缩合反应制备的聚酰胺酸溶液(折射率：约1.541)用作用于形成膜的组合物。合成的基底膜的雾度根据ASTM D1003使用雾度计HM-150检测约为1.2％，透光率约为92％。
实施例1
OED在形成于玻璃基板上的聚酰亚胺基板(A)——其为制备实施例1中制造的——上形成。OED通过形成器件区并用合适的封装材料封装该器件区而制备，所述器件区通过在聚酰亚胺基板(A)上使用已知材料依次形成空穴注入透明电极层、空穴传输层、发射波长在约380至550nm范围内的第一发光单元、n-型有机半导体层、p-型有机半导体层、发射波长在约500至700nm范围内的第二发光单元、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和电子注入反射电极层而制备。通过已知方法测量出所制造的OED的量子效率约为35.4％。
实施例2
OED在制备实施例2中制备的形成于玻璃基板上的聚酰亚胺基板(B)上形成。首先，在聚酰亚胺基板(B)上形成阻挡层。通过以下过程形成阻挡层以获得约1.8的最终折射率：通过ALD交替沉积折射率为1.6至1.8的Al2O3层(单沉积)和折射率约为2.0至2.4的TiO2层(单沉积)。Al2O3层通过在约200℃下采用已知的ALD交替吸收三甲基铝层作为前体和水(H2O)层而形成，TiO2层也通过在约200℃下采用已知的ALD交替吸收TiCl4层作为前体和水(H2O)层而形成。在这种情况下，通过调整各Al2O3层和TiO2层的厚度在约2至5nm的范围内来形成最终厚度约为40nm的阻挡层。随后，OED通过形成器件区并用合适的封装材料封装该器件区而制造，所述器件区通过在阻挡层上使用已知方法依次形成空穴注入透明电极层、空穴传输层、发射波长在380至550nm范围内的第一发光单元、n-型有机半导体层、p-型有机半导体层、发射波长在约500至700nm范围内的第二发光单元、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和电子注入反射电极层而制备。通过已知方法测量出所制造的OED的量子效率约为41.6％。
实施例3
OED通过与实施例1中所述的相同方法形成，不同之处在于使用制备实施例3中制造的聚酰亚胺基板(C)。通过已知方法测量出所制造的OED的量子效率约为41.6％。
实施例4
OED通过与实施例1中所述的相同方法形成，不同之处在于使用制备实施例4中制造的聚酰亚胺基板(D)。通过已知方法测量出所制造的OED的量子效率约为42％。
对比实施例1
OED通过与实施例1中所述的相同方法形成，不同之处在于使用制备实施例5中制备的聚酰亚胺基板(E)。通过已知方法测量出所制备的OED的量子效率约为31.9％。

Claims (15)

1.一种用于有机电子器件的基板，包括：
基底膜，所述基底膜具有的雾度为3至30％，且包括第一聚合物作为第一单元和包括第二聚合物作为第二单元，所述第一聚合物具有第一四羧酸二酐和第一二胺化合物的缩合单元或其酰亚胺化单元，所述第二聚合物具有第二四羧酸二酐和第二二胺化合物的缩合单元或其酰亚胺化单元，
其中所述第一四羧酸二酐和所述第二四羧酸二酐是芳族四羧酸二酐，和
其中所述基底膜对波长为550nm的光的折射率为1.8或更高。
2.如权利要求1所述的基板，其中第一单元和第二单元之间的折射率的差的绝对值为0.01或更大。
3.如权利要求1所述的基板，其中第一单元包含的极性官能团的摩尔数和第二单元包含的极性官能团的摩尔数之间的差的绝对值为2或更大。
4.如权利要求3所述的基板，其中所述极性官能团为卤素原子、卤代烷基基团、氰基基团、硝基基团、烷氧基基团、氰酸酯基团或硫代氰酸酯基团。
5.如权利要求1所述的基板，其中所述基底膜包括3至30重量份的第一单元，相对于100重量份的第二单元计。
6.如权利要求1所述的基板，其中所述基底膜的均方根(RMS)为5nm或更小。
7.如权利要求1所述的基板，其中基底膜中散射颗粒的比例为10wt％或更少。
8.如权利要求1所述的基板，还包括：
在基底膜表面上形成的高折射层，其对波长为550nm的光的折射率为1.7或更高。
9.如权利要求8所述的基板，其中所述高折射层是无机材料层。
10.如权利要求9所述的基板，其中所述无机材料层包括第一亚层和第二亚层的堆叠结构。
11.如权利要求10所述的基板，其中第一亚层和第二亚层的厚度各自为7nm或更小。
12.如权利要求10所述的基板，其中所述第一亚层的折射率是1.4至1.9，所述第二亚层的折射率是2.0至2.6。
13.一种有机电子器件，包括：
权利要求1所述的用于有机电子器件的基板；和
器件区，其具有第一电极层、有机材料层和第二电极层，所述第一电极层、有机材料层和第二电极层存在于基板的无机材料层上。
14.一种用于显示器的光源，包括：
权利要求13所述的有机电子器件。
15.一种照明装置，包括：
权利要求13所述的有机电子器件。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9985251B2 (en) * 2014-10-28 2018-05-29 The Trustees of Princeton University, Office of Technology and Trademark Licensing Process for fabricating a porous film in a scattering layer
US20190036082A1 (en) * 2016-01-29 2019-01-31 Sabic Global Technologies B.V. Integrated substrate, method for the manufacture thereof, and optical devices comprising the integrated substrate
KR102079423B1 (ko) * 2016-10-31 2020-02-19 주식회사 엘지화학 폴리이미드 필름 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조된 폴리이미드 필름
KR102153509B1 (ko) * 2018-11-05 2020-09-09 피아이첨단소재 주식회사 치수 안정성이 향상된 초박막 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법
KR102274527B1 (ko) * 2018-11-20 2021-07-07 주식회사 엘지화학 플렉서블 소자 제조용 적층체 및 이를 이용한 플렉서블 소자 제조 방법
JP7349253B2 (ja) * 2019-03-29 2023-09-22 株式会社カネカ ポリアミド酸、ポリアミド酸溶液、ポリイミド、ポリイミド膜、積層体およびフレキシブルデバイス、ならびにポリイミド膜の製造方法。
KR102260028B1 (ko) * 2019-09-27 2021-06-03 피아이첨단소재 주식회사 폴리아믹산 조성물, 폴리아믹산 조성물의 제조방법 및 이를 포함하는 폴리이미드
KR102260048B1 (ko) * 2019-09-27 2021-06-03 피아이첨단소재 주식회사 폴리아믹산 조성물, 폴리아믹산 조성물의 제조방법 및 이를 포함하는 폴리이미드
KR102260038B1 (ko) * 2019-09-27 2021-06-03 피아이첨단소재 주식회사 폴리아믹산 조성물, 폴리아믹산 조성물의 제조방법 및 이를 포함하는 폴리이미드
KR102260052B1 (ko) * 2019-09-27 2021-06-03 피아이첨단소재 주식회사 폴리아믹산 조성물, 폴리아믹산 조성물의 제조방법 및 이를 포함하는 폴리이미드
KR102347633B1 (ko) * 2019-11-07 2022-01-10 피아이첨단소재 주식회사 유전특성이 개선된 폴리이미드 필름 및 그 제조방법
KR102345722B1 (ko) * 2019-11-07 2022-01-03 피아이첨단소재 주식회사 고내열 저유전 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법
KR102347588B1 (ko) * 2019-11-07 2022-01-10 피아이첨단소재 주식회사 고내열 저유전 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법
KR102347634B1 (ko) * 2019-11-13 2022-01-10 피아이첨단소재 주식회사 고접착 저유전 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법
KR102347632B1 (ko) * 2019-11-13 2022-01-10 피아이첨단소재 주식회사 저유전 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법
KR102396418B1 (ko) * 2019-11-29 2022-05-12 피아이첨단소재 주식회사 폴리이미드 필름, 이의 제조 방법, 및 이를 포함한 연성 금속박 적층판
CN118418556B (zh) * 2024-05-14 2024-10-22 江苏思尔德科技有限公司 一种柔性导电阻隔薄膜及其制备方法与应用

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1348609A (zh) * 1999-04-28 2002-05-08 E·I·内穆尔杜邦公司 具有改进的抗氧和抗湿降解性的挠性有机电子器件
EP1548856A2 (en) * 2003-12-26 2005-06-29 Nitto Denko Corporation Electroluminescence device, planar light source and display using the same
CN101885732A (zh) * 2010-06-23 2010-11-17 中国科学院上海有机化学研究所 硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物、及制法和应用
CN101971387A (zh) * 2008-07-03 2011-02-09 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造有机电子器件的方法和有机电子器件
WO2011033751A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 三井化学株式会社 透明熱可塑性ポリイミド、およびそれを含む透明基板
WO2012014740A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102362369A (zh) * 2009-03-24 2012-02-22 欧司朗光电半导体有限公司 用于光电子器件的薄层封装，其制造方法以及光电子器件
JP2013077585A (ja) * 2013-02-01 2013-04-25 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置
JP2013082774A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Kaneka Corp 透明ポリイミドフィルムおよびその製造方法
CN103155194A (zh) * 2010-10-07 2013-06-12 株式会社Lg化学 有机电子器件用衬底及其制造方法
CN103240936A (zh) * 2012-02-10 2013-08-14 新日铁住金化学株式会社 透明挠性层叠体及层叠体卷

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61111359A (ja) * 1984-11-06 1986-05-29 Ube Ind Ltd ポリイミド膜
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH0288689A (ja) 1988-09-26 1990-03-28 Mitsubishi Kasei Corp 電界発光素子
JPH02289676A (ja) 1989-01-13 1990-11-29 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP2651233B2 (ja) 1989-01-20 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜有機ｅｌ素子
JPH02196885A (ja) 1989-01-25 1990-08-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JP2879080B2 (ja) 1989-03-23 1999-04-05 株式会社リコー 電界発光素子
JPH02255789A (ja) 1989-03-29 1990-10-16 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電場発光素子
JPH03296595A (ja) 1990-04-13 1991-12-27 Kao Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
US5166308A (en) * 1990-04-30 1992-11-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copolyimide film with improved properties
JP2997021B2 (ja) 1990-08-10 2000-01-11 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891784B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891783B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH05202011A (ja) 1992-01-27 1993-08-10 Toshiba Corp オキサジアゾール誘導体
JPH0649079A (ja) 1992-04-02 1994-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法並びに該シラナミン誘導体を用いたｅｌ素子
JPH06107648A (ja) 1992-09-29 1994-04-19 Ricoh Co Ltd 新規なオキサジアゾール化合物
JP3341090B2 (ja) 1992-07-27 2002-11-05 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法
JP3228301B2 (ja) 1992-09-07 2001-11-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3163589B2 (ja) 1992-09-21 2001-05-08 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06206865A (ja) 1992-10-14 1994-07-26 Chisso Corp 新規アントラセン化合物と該化合物を用いる電界発光素子
JP3287421B2 (ja) 1992-10-19 2002-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06145146A (ja) 1992-11-06 1994-05-24 Chisso Corp オキシネイト誘導体
JP3366401B2 (ja) 1992-11-20 2003-01-14 出光興産株式会社 白色有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06203963A (ja) 1993-01-08 1994-07-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3214674B2 (ja) 1993-03-26 2001-10-02 出光興産株式会社 新規スチリル化合物，その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3211994B2 (ja) 1993-03-26 2001-09-25 出光興産株式会社 ４官能スチリル化合物およびその製造法
JPH06293778A (ja) 1993-04-05 1994-10-21 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法
JPH07157473A (ja) 1993-12-06 1995-06-20 Chisso Corp トリアジン誘導体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子
JP3300827B2 (ja) 1993-12-21 2002-07-08 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3539995B2 (ja) 1993-12-21 2004-07-07 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3496080B2 (ja) 1993-12-24 2004-02-09 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体およびその製造方法
JP3168806B2 (ja) * 1994-01-11 2001-05-21 信越化学工業株式会社 ポリイミド共重合体及びその製造方法
US6064355A (en) 1994-05-24 2000-05-16 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for playback with a virtual reality system
DE69526614T2 (de) 1994-09-12 2002-09-19 Motorola, Inc. Lichtemittierende Vorrichtungen die Organometallische Komplexe enthalten.
JPH10180950A (ja) * 1996-12-25 1998-07-07 Lintec Corp 防眩性ハードコートフィルム及びその製造方法
JP2001126861A (ja) 1999-10-25 2001-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100589067B1 (ko) * 2001-10-30 2006-06-14 가부시키가이샤 가네카 감광성 수지 조성물, 이것을 이용한 감광성 필름 및 적층체
US6962756B2 (en) * 2001-11-02 2005-11-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Transparent electrically-conductive film and its use
JP3861758B2 (ja) 2002-07-05 2006-12-20 株式会社豊田自動織機 照明装置及び表示装置
KR100548625B1 (ko) * 2003-03-24 2006-01-31 주식회사 엘지화학 고내열성 투명 폴리이미드 전구체 및 이를 이용한 감광성수지 조성물
WO2004105149A1 (en) * 2003-05-16 2004-12-02 E.I. Dupont De Nemours And Company Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition
JP2005038661A (ja) 2003-07-17 2005-02-10 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び光源
EP2333609A3 (en) * 2005-07-05 2013-03-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive adhesive composition, and obtained using the same, adhesive film, adhesive sheet, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and electronic part
US7550194B2 (en) * 2005-08-03 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low color polyimide compositions useful in optical type applications and methods and compositions relating thereto
US20090226642A1 (en) * 2005-08-03 2009-09-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low color polyimide compositions useful in optical type applications and methods and compositions relating thereto
US20070066739A1 (en) * 2005-09-16 2007-03-22 General Electric Company Coated articles of manufacture made of high Tg polymer blends
JP2007335253A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
CN101790899A (zh) 2007-08-27 2010-07-28 松下电工株式会社 有机el发光元件
US9073287B2 (en) * 2008-12-15 2015-07-07 Industrial Technology Research Insititute Organic/inorganic multi-layered gas barrier film
KR101370197B1 (ko) * 2008-12-30 2014-03-06 코오롱인더스트리 주식회사 폴리이미드 필름
US9631054B2 (en) * 2010-07-23 2017-04-25 E I Du Pont De Nemours And Company Matte finish polyimide films and methods relating thereto
KR101660315B1 (ko) 2010-02-11 2016-09-28 삼성전자 주식회사 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름
JP2012107178A (ja) 2010-03-31 2012-06-07 Sekisui Chem Co Ltd ポリイミド樹脂組成物
JP2012051995A (ja) 2010-08-31 2012-03-15 Kaneka Corp ポリイミドフィルムおよびその製造方法
KR20120024358A (ko) 2010-09-06 2012-03-14 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법
US8547015B2 (en) * 2010-10-20 2013-10-01 3M Innovative Properties Company Light extraction films for organic light emitting devices (OLEDs)
JP5921832B2 (ja) * 2011-08-11 2016-05-24 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ナノコンポジット、ナノコンポジットの製造方法及び面発光素子
JP2013076026A (ja) 2011-09-30 2013-04-25 Sekisui Chem Co Ltd ポリイミド樹脂組成物
KR101248019B1 (ko) * 2011-11-17 2013-03-27 웅진케미칼 주식회사 열안정성이 우수한 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법
TWI444114B (zh) * 2011-12-26 2014-07-01 Chi Mei Corp 具有離型層的基板結構及其製造方法
KR101382170B1 (ko) * 2012-07-03 2014-04-07 주식회사 엘지화학 폴리아믹산 고분자 복합체 및 이의 제조방법
EP2690124B1 (en) * 2012-07-27 2015-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd Composition Comprising Polyimide Block Copolymer And Inorganic Particles, Method Of Preparing The Same, Article Including The Same, And Display Device Including The Article
JP6274109B2 (ja) * 2012-09-27 2018-02-07 三菱瓦斯化学株式会社 ポリイミド樹脂組成物
JP6028974B2 (ja) * 2012-11-14 2016-11-24 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ナノコンポジット、ナノコンポジットの製造方法、及び面発光素子
KR101387031B1 (ko) 2013-02-28 2014-04-18 한국과학기술원 유리섬유직물이 매립된 플렉시블 디스플레이용 무색투명 폴리이미드 필름 제조방법
US20140319488A1 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Veeco Ald Inc. Thin film formation for device sensitive to environment
TWI550000B (zh) * 2013-07-11 2016-09-21 達邁科技股份有限公司 聚醯亞胺膜
JP6230308B2 (ja) * 2013-07-16 2017-11-15 ソマール株式会社 透明ポリイミド共重合体、ポリイミド樹脂組成物及び成形体、並びにこの共重合体の製造方法
US20160194542A1 (en) * 2013-10-23 2016-07-07 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Polyimide resin composition, and heat-conductive adhesive film produced using same
KR102206028B1 (ko) * 2013-11-25 2021-01-21 삼성전자주식회사 신규 화합물, 상기 화합물을 이용하여 제조된 폴리(이미드-아미드) 코폴리머, 및 상기 폴리(이미드-아미드)를 포함하는 성형품
TWI607868B (zh) * 2014-08-29 2017-12-11 達邁科技股份有限公司 聚醯亞胺膜及其製成和組合方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1348609A (zh) * 1999-04-28 2002-05-08 E·I·内穆尔杜邦公司 具有改进的抗氧和抗湿降解性的挠性有机电子器件
EP1548856A2 (en) * 2003-12-26 2005-06-29 Nitto Denko Corporation Electroluminescence device, planar light source and display using the same
CN101971387A (zh) * 2008-07-03 2011-02-09 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造有机电子器件的方法和有机电子器件
CN102362369A (zh) * 2009-03-24 2012-02-22 欧司朗光电半导体有限公司 用于光电子器件的薄层封装，其制造方法以及光电子器件
WO2011033751A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 三井化学株式会社 透明熱可塑性ポリイミド、およびそれを含む透明基板
CN101885732A (zh) * 2010-06-23 2010-11-17 中国科学院上海有机化学研究所 硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物、及制法和应用
WO2012014740A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN103155194A (zh) * 2010-10-07 2013-06-12 株式会社Lg化学 有机电子器件用衬底及其制造方法
JP2013082774A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Kaneka Corp 透明ポリイミドフィルムおよびその製造方法
CN103240936A (zh) * 2012-02-10 2013-08-14 新日铁住金化学株式会社 透明挠性层叠体及层叠体卷
JP2013077585A (ja) * 2013-02-01 2013-04-25 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI598004B (zh) 2017-09-01
KR20150037691A (ko) 2015-04-08
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JP2016533005A (ja) 2016-10-20
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TW201528885A (zh) 2015-07-16
KR20150037574A (ko) 2015-04-08

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