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CN103887209A - 液处理装置和液处理方法 - Google Patents

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CN103887209A CN201310713222.3A CN201310713222A CN103887209A CN 103887209 A CN103887209 A CN 103887209A CN 201310713222 A CN201310713222 A CN 201310713222A CN 103887209 A CN103887209 A CN 103887209A
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Abstract

本发明提供液处理装置和液处理方法。利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。根据来自控制部(101)的控制信号,将抗蚀剂液(L)经由过滤器(52)吸入到泵(70)内,将被吸入到泵内的抗蚀剂液的一部分自喷射嘴(7)喷射,使余下的抗蚀剂液返回到供给管路(51b)中的位于过滤器的初级侧的部分,将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,对合成后的抗蚀剂液以与喷射量和返回量之比的合成相应的次数进行抗蚀剂液的喷射和由过滤器进行的过滤。

Description

液处理装置和液处理方法
技术领域
本专利申请主张享有2012年12月20日提出的作为日本申请的特愿2012-277600、2013年4月16日提出的作为日本申请的特愿2013-085361、2013年10月1日提出的作为日本申请的特愿2013-206089以及2013年10月1日提出的作为日本申请的特愿2013-206090的利益。以引用的方式将上述在先申请的全部公开内容作为本说明书的一部分。
本发明涉及向例如半导体晶圆、LCD用玻璃基板等被处理基板表面供给处理液以进行处理的液处理装置和液处理方法。
背景技术
通常,在制造半导体器件的光刻技术中,在半导体晶圆、FPD基板等(以下称作晶圆等)上涂敷光致抗蚀剂,将由此形成的抗蚀膜与规定的电路图案相对应地曝光并对该曝光图案进行显影处理,从而在抗蚀膜上形成电路图案。
在这样的光刻工序中,在向晶圆等供给的抗蚀剂液、显影液等处理液中,由于各种原因而有可能混入氮气等的气泡、微粒(异物),当将混有气泡、微粒的处理液供给到晶圆等时,有可能产生涂敷不均、缺陷。因此,在用于将处理液向晶圆等涂敷的液处理装置中设有用于通过过滤将混入到处理液中的气泡、微粒去除的过滤器。
作为用于使混入到处理液中的气泡、微粒的过滤效率提高的装置,公知有处理液处置装置,该处理液处置装置设有多个过滤器,并将通过了上述过滤器后的处理液向晶圆等供给。然而,在设有多个过滤器的情况下,会使液处理装置大型化并需要大幅度的变更。
以往,公知有循环过滤式的药液供给系统,该循环过滤式的药液供给系统包括:第1容器和第2容器,该第1容器和第2容器用于贮存药液(处理液);第1泵,其设于将第1容器和第2容器连接起来的第1配管,用于使贮存在第1容器内的药液流向第2容器;第1过滤器,其设于第1配管;第2配管,其用于将第1容器和第2容器连接起来;以及第2泵,其设于第2配管,用于使贮存在第2容器内的药液流向上述第1容器(参照专利文献1)。
另外,作为设有一个过滤器的循环过滤式的另一液处理装置,公知有光致抗蚀剂涂敷液供给装置,该光致抗蚀剂涂敷液供给装置包括:光致抗蚀剂涂敷液(处理液)的缓冲容器;循环过滤装置,其在自缓冲容器抽取光致抗蚀剂涂敷液的一部分并利用过滤器将该一部分的光致抗蚀剂涂敷液过滤后使该一部分的光致抗蚀剂涂敷液返回到缓冲容器;以及配管,其用于将光致抗蚀剂涂敷液自缓冲容器或循环装置向光致抗蚀剂涂敷装置输送(参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2011-238666号公报(权利要求书和图7)
专利文献2:国际公开2006/057345号公报(权利要求书和图4)
在专利文献1和专利文献2所记载的液处理装置中,使由过滤器过滤后的药液(处理液)返回到第1容器(缓冲容器),将返回到第1容器内的药液向晶圆喷射。因此,为了谋求提高药液的过滤效率,需要将返回到第1容器内的药液以多次循环的方式多次过滤。然而,由于将药液以多次循环的方式过滤会使生产率降低,因此,期望开发出一种将药液以多次循环的方式过滤且不会使生产率降低的液处理装置。
发明内容
本发明是考虑到上述情况而做成的,其目的在于通过对经由过滤器循环的处理液的喷射和循环次数进行控制而无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并且谋求防止生产率降低。
为了解决上述问题,本发明提供一种液处理装置,其特征在于,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;返回管路,其将该泵的喷射侧和上述过滤器的初级侧连接起来;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵以及第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,根据来自上述控制部的控制信号,将由于上述泵的吸入而通过上述过滤器的处理液的一部分自上述喷射嘴喷射,使余下的处理液返回到供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分,将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤。
此处,与上述喷射量和上述返回量之比的合成相对应的次数(合成过滤次数)是指将处理液以规定的次数通过过滤器后的清洁度置换成过滤次数所得到的合成过滤次数、换言之是指将以已过滤的状态返回到初级侧的供给管路内的处理液和以未过滤的状态补充的处理液合成所得到的处理液的清洁度置换成过滤次数所得到的合成过滤次数。例如,所谓的合成过滤次数为5次的处理液,表示与使相同量的未处理的处理液通过过滤器5次后的清洁度相等的意思。
另外,在该技术方案中,上述泵优选为可变容量泵。另外,在该技术方案中,上述返回管路由将上述泵和供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分连接起来的管路构成。在该情况下,优选在上述返回管路上夹设有开闭阀并将该开闭阀形成为能够由上述控制部控制。另外,在上述技术方案中,上述返回管路也可以由将上述泵和供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分连接起来的管路构成。
另外,在上述技术方案中,上述返回管路也可以由将上述泵和上述过滤器的初级侧连接起来的主返回管路、以及将上述过滤器的次级侧和该过滤器的初级侧连接起来的副返回管路构成。在该情况下,优选在上述主返回管路和副返回管路上分别夹设有开闭阀并将上述开闭阀形成为能够由上述控制部控制。
另外,在该技术方案中,上述第2开闭阀和第3开闭阀也可以由能够控制流量的开闭阀构成。由此,能够将喷射量和返回量设定为规定的比例。
本发明提供一种液处理方法,该液处理方法是使用液处理装置的液处理方法,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;返回管路,其将该泵的喷射侧和上述过滤器的初级侧连接起来;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵以及第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该液处理方法的特征在于,该液处理方法包括以下工序:利用上述泵的吸入将通过上述过滤器的规定量的处理液吸入到上述泵内的工序;将吸入到上述泵内的上述处理液的一部分自上述喷射嘴喷射的工序;使上述泵内的余下的处理液返回到上述过滤器的初级侧的工序;将与喷射量相等的补充量以加入到返回量中而进行合成的工序;以及对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行的过滤的工序。
另外,本发明提供一种液处理用存储介质,该液处理用存储介质是用于液处理装置的、存储有使计算机执行控制程序的软件的可计算机读取的液处理用存储介质,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在上述过滤器的次级侧的上述供给管路上;返回管路,其将该泵的喷射侧和上述过滤器的初级侧连接起来;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀分别设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部、上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部以及上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵以及第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,其特征在于,上述控制程序被编入,以便执行以下工序:利用上述泵的吸入将要通过上述过滤器的规定量的处理液吸入到上述泵内的工序;将吸入到上述泵内的上述处理液的一部分自上述喷射嘴喷射的工序;使上述泵内的余下的处理液返回上述过滤器的初级侧的工序;将与上述喷射量相等的补充量以加入上述返回量的方式合成的工序;以及对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量的比相对应的次数进行上述处理液的喷射和基于上述过滤器的过滤的工序。
为了解决上述问题,本发明提供一种液处理装置,其特征在于,该液处理装置包括:该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;返回管路,其将该泵的喷射侧和上述过滤器的初级侧连接起来;供给泵,其夹设在上述供给管路中的将上述处理容器和上述过滤器的初级侧连接起来的部分上;吸入开闭阀和喷射开闭阀,该吸入开闭阀设于上述供给泵的吸入侧,该喷射开闭阀设于上述供给泵喷射侧;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵、上述第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀、上述供给泵、上述供给开闭阀以及喷射开闭阀,根据来自上述控制部的控制信号,将由于上述泵的吸入而通过上述过滤器的处理液的一部分自上述喷射嘴喷射,使余下的处理液返回到供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分,通过驱动上述供给泵而将与上述喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,并对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤。
在该技术方案中,优选的是,在与上述过滤器相连接的排放管路上夹设有排放阀并将该排放阀形成为能够由上述控制部控制。
此处,与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数(合成过滤次数)是指将处理液以规定的次数通过过滤器后的清洁度置换成过滤次数所得到的合成过滤次数、换言之是指将以已过滤的状态返回到初级侧的供给管路内的处理液和以未过滤的状态补充的处理液合成所得到的处理液的清洁度置换成过滤次数所得到的合成过滤次数。例如,所谓的合成过滤次数为5次的处理液,表示与使相同量的未处理的处理液通过过滤器5次后的清洁度相等的意思。
另外,在该技术方案中,优选上述泵和上述供给泵为可变容量泵。另外,在该技术方案中,上述返回管路由将上述泵和供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分连接起来的管路构成或者由将上述泵和供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分连接起来的管路构成。
另外,在该技术方案中,上述第2开闭阀和第3开闭阀也可以由能够控制流量的开闭阀构成。由此,能够将喷射量和返回量设定为规定的比例。
本发明提供一种液处理方法,该液处理方法是使用液处理装置的液处理方法,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;返回管路,其将该泵的喷射侧和上述泵的初级侧连接起来;供给泵,其夹设在上述供给管路中的将上述处理容器和上述过滤器的初级侧连接起来的部分上;吸入开闭阀和喷射开闭阀,该吸入开闭阀设于上述供给泵的吸入侧,该喷射开闭阀设于上述供给泵的喷射侧;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵、上述第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀、上述供给泵、上述供给开闭阀以及喷射开闭阀,该液处理方法的特征在于,该液处理方法包括以下工序:利用上述泵的吸入将通过上述过滤器的规定量的处理液吸入到上述泵内的工序;将吸入到上述泵内的上述处理液的一部分自上述喷射嘴喷射的工序;使上述泵内的余下的处理液返回到上述过滤器的初级侧的工序;通过驱动上述供给泵而将与上述喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成的工序;以及对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比的合成相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤的工序。
在该情况下,也可以同时进行自上述喷射嘴喷射处理液的工序和将喷射量以上的补充量吸入到上述供给泵内的工序。
本发明的特征在于,在与上述过滤器相连接的排放管路上夹设有排放阀并将该排放阀形成为能够由上述控制部控制,上述液处理方法还包括在进行上述合成的工序时打开上述排放阀而将在处理液中存在的气泡自上述过滤器排出的脱气工序。
另外,本发明提供一种液处理用存储介质,该液处理用存储介质是用于液处理装置的、存储有使计算机执行控制程序的软件的可计算机读取的液处理用存储介质,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在上述过滤器的次级侧的上述供给管路上;返回管路,其将该泵的喷射侧和上述过滤器的初级侧连接起来;供给泵,其夹设在将上述处理容器和上述过滤器的初级侧连接的上述供给管路上;吸入开闭阀和喷射开闭阀,该吸入开闭阀和喷射开闭阀分别设于上述供给泵的吸入侧和喷射侧;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀分别设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部、上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部以及上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵、上述第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀、上述供给泵、上述供给开闭阀以及喷射开闭阀,其特征在于,上述控制程序被编入,以便执行以下工序:利用上述泵的吸入将要通过上述过滤器的规定量的处理液吸入到上述泵内的工序;将吸入到上述泵内的上述处理液的一部分自上述喷射嘴喷射的工序;使上述泵内的余下的处理液返回上述过滤器的初级侧的工序;通过驱动上述供给泵而将与上述喷射量相等的补充量以加入上述返回量的方式合成的工序;以及对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量的合成比相对应的次数进行上述处理液的喷射和基于上述过滤器的过滤的工序。
为了解决上述问题,本发明提供一种液处理装置,其特征在于,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;捕集器罐,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧与上述泵的之间的部分上并与具有排放阀的排放管路相连接;返回管路,其由将上述泵的喷射侧和上述捕集器罐连接起来的第1返回管路、以及将上述捕集器罐和上述过滤器的初级侧连接起来的第2返回管路构成;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵、第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀以及上述排放阀,根据来自上述控制部的控制信号,将由于上述泵的吸入而通过上述过滤器的处理液的一部分自上述喷射嘴喷射,在使余下的处理液返回到供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分时,多次进行气泡明显化工序和脱气工序,在该气泡明显化工序中,通过驱动上述泵而在对上述泵与上述捕集器罐之间的区域进行减压后进行加压,从而使在上述区域内的处理液中存在的微细气泡明显化,在该脱气工序中,将明显化后的气泡自上述捕集器罐排出。
在上述液处理装置中,也可以是,在上述供给管路中的将上述过滤器的次级侧和上述捕集器罐连接起来的部分上夹设有开闭阀并将该开闭阀形成为能够由上述控制部控制,在关闭上述开闭阀的状态下,通过驱动上述泵而多次进行上述气泡明显化工序和脱气工序。
本发明的特征在于,在上述液处理装置中,根据来自上述控制部的信号,在多次进行上述气泡明显化工序和脱气工序之后,将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,对合成后处理液以与上述喷射量和上述返回量之比的合成相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤。
此处,与上述喷射量和上述返回量之比相对应的次数(合成过滤次数)是指将处理液以规定的次数通过过滤器后的清洁度置换成过滤次数所得到的合成过滤次数、换言之是指将以已过滤的状态返回到初级侧的供给管路内的处理液和以未过滤的状态补充的处理液合成所得到的处理液的清洁度置换成过滤次数所得到的合成过滤次数。例如,所谓的合成过滤次数为5次的处理液,表示与使相同量的未处理的处理液通过过滤器5次后的清洁度相等的意思。
另外,在该技术方案中,优选上述泵为可变容量泵。
另外,在该技术方案中,上述第2开闭阀和第3开闭阀也可以由能够控制流量的开闭阀构成。由此,能够将喷射量和返回量设定为规定的比例。
本发明提供一种液处理方法,该液处理方法是使用液处理装置的液处理方法,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;捕集器罐,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧与上述泵的之间的部分上并与具有排放阀的排放管路相连接;返回管路,其由将上述泵的喷射侧和上述捕集器罐连接起来的第1返回管路、以及将上述捕集器罐和上述过滤器的初级侧连接起来的第2返回管路构成;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵、第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀以及上述排放阀,该液处理方法的特征在于,该液处理方法包括以下工序:利用上述泵的吸入将通过上述过滤器的规定量的处理液吸入到上述泵内的工序;将吸入到上述泵内的上述处理液的一部分自上述喷射嘴喷射的工序;使上述泵内的余下的处理液返回上述过滤器的初级侧的工序;通过驱动上述泵而在对上述泵与上述捕集器罐之间的区域进行减压后进行加压,使在上述区域内的处理液中存在的微细气泡明显化的气泡明显化工序;以及将明显化后的气泡自上述捕集器罐排出的脱气工序,在该液处理方法中多次进行上述气泡明显化工序和上述脱气工序。
在上述液处理方法中,也可以是,在上述供给管路中的将上述过滤器的次级侧和上述捕集器罐连接起来的部分上夹设有开闭阀并将该开闭阀形成为能够由上述控制部控制,在关闭上述开闭阀的状态下,通过驱动上述泵而多次进行上述气泡明显化工序和脱气工序。
本发明的特征在于,在上述液处理方法中还包括以下工序:在多次进行上述气泡明显化工序和脱气工序之后将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成的工序;以及对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比的合成相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤的工序。
另外,本发明提供一种液处理用存储介质,该液处理用存储介质是用于液处理装置的、存储有使计算机执行控制程序的软件的可计算机读取的液处理用存储介质,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在上述过滤器的次级侧的上述供给管路上;捕集器罐,其夹设在上述过滤器的次级侧与上述泵的之间的上述供给管路上并与具有排放阀的排放管路相连接;第1返回管路,其将上述泵的喷射侧和上述捕集器罐连接起来;返回管路,其由将上述捕集器罐和上述过滤器的初级侧连接的第2返回管路构成;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀分别设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部、上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部以及上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵、第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀以及上述排放阀,其特征在于,上述控制程序被编入,以便执行以下工序:利用上述泵的吸入将要通过上述过滤器的规定量的处理液吸入到上述泵内的工序;将吸入到上述泵内的上述处理液的一部分自上述喷射嘴喷射的工序;使上述泵内的余下的处理液返回上述过滤器的初级侧的工序;通过驱动上述泵而对上述泵与上述捕集器罐之间的区域减压后加压,从而使在上述区域内的处理液中存在的微细气泡明显化的工序;以及将明显化后的气泡自上述捕集器罐排出的工序,并且通过上述控制程序而多次进行上述气泡明显化工序和上述脱气工序。
本发明的特征在于,在上述液处理用存储介质中编入程序以便进一步执行以下工序:在多次进行上述气泡明显化工序和脱气工序之后将与上述喷射量相等的补充量以加入上述返回量的方式合成的工序;以及对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量的比相对应的次数进行上述处理液的喷射和基于上述过滤器的过滤的工序。
采用本发明的液处理装置和液处理方法以及存储介质,根据来自控制部的控制信号,将由于泵的吸入而通过过滤器的处理液的一部分自喷射嘴喷射,使余下的处理液返回过滤器的初级侧,并将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,对合成后的处理液以与喷射量和返回量之比相应的次数进行处理液的喷射和由过滤器进行过滤,因此无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
采用本发明的液处理装置和液处理方法以及存储介质,根据来自控制部的控制信号,将由于泵的吸入而通过过滤器的处理液的一部分自喷射嘴喷射,使余下的处理液返回过滤器的初级侧,通过驱动供给泵而将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,并对合成后的处理液以与喷射量和返回量之比的合成相应的次数进行处理液的喷射和由过滤器进行过滤,因此无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
采用本发明的液处理装置和液处理方法以及存储介质,根据来自控制部的控制信号,将由于泵的吸入而通过过滤器的处理液的一部分自喷射嘴喷射,在使余下的处理液返回过滤器的初级侧时,通过使在处理液中存在的微细气泡明显化并进行脱气,能够高效地去除在处理液中存在的气泡。另外,将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,并对合成后的处理液以与喷射量和返回量之比的合成相应的次数进行处理液的喷射和由过滤器进行过滤,由此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
附图说明
图1是表示将曝光处理装置连接于应用有本发明的液处理装置的涂敷·显影处理装置而成的整个处理系统的概略立体图。
图2是上述处理系统的概略俯视图。
图3是表示本发明的液处理装置的第1实施方式的概略剖视图。
图4是表示第1-1实施方式的液处理装置中的泵吸入动作的概略剖视图。
图5是表示第1-1实施方式的液处理装置中的处理液喷射动作的概略剖视图。
图6是表示第1-1实施方式的液处理装置中的处理液循环动作的概略剖视图。
图7是表示第1-1实施方式的液处理装置中的泵的概略剖视图。
图8是表示第1-1实施方式的液处理装置中的第1次泵吸入动作时的合成过滤次数的概略剖视图。
图9是表示第1-1实施方式的液处理装置中的处理液喷射动作时的喷射量的概略剖视图。
图10是表示第1-1实施方式的液处理装置中的处理液循环动作时的循环量和合成过滤次数的概略剖视图。
图11是表示第1-1实施方式的液处理装置中的第2次泵吸入动作时的合成过滤次数的概略剖视图。
图12是表示第1-1实施方式的液处理装置中的一系列的泵吸入动作、处理液喷射动作以及处理液循环动作的流程图。
图13是表示相对于向晶圆喷射抗蚀剂液的喷射量和抗蚀剂液的返回量之比例的、合成过滤次数的图表。
图14是表示本发明的液处理装置的第1-2实施方式的概略剖视图。
图15是表示第1-2实施方式的液处理装置中的泵吸入动作的概略剖视图。
图16是表示第1-2实施方式的液处理装置中的处理液喷射动作的概略剖视图。
图17是表示第1-2实施方式的液处理装置中的处理液循环动作的概略剖视图。
图18是表示本发明的液处理装置的第1-3实施方式的概略剖视图。
图19是表示第1-3实施方式的液处理装置中的泵吸入动作的概略剖视图。
图20是表示第1-3实施方式的液处理装置中的处理液喷射动作的概略剖视图。
图21是表示第1-3实施方式的液处理装置中的处理液循环动作的概略剖视图。
图22是表示本发明的液处理装置的第1-3实施方式的一变形例的概略剖视图。
图23是表示本发明的液处理装置的第1-3实施方式的另一变形例的概略剖视图。
图24是表示本发明的液处理装置的第1-3实施方式的又一变形例的概略剖视图。
图25是表示本发明的液处理装置的第1-3实施方式的再一变形例的概略剖视图。
图26是表示本发明的液理装置的第1-4实施方式的概略剖视图。
图27是表示本发明的液处理装置的第2-1实施方式的概略剖视图。
图28是表示第2-1实施方式的液处理装置中的泵吸入动作的概略剖视图。
图29是表示第2-1实施方式的液处理装置中的处理液喷射动作的概略剖视图。
图30是表示第2-1实施方式的液处理装置中的处理液喷射动作和向供给泵吸入处理液的动作的概略剖视图。
图31是表示第2-1实施方式的液处理装置中的处理液循环动作的概略剖视图。
图32是表示第2-1实施方式的液处理装置中的第1次泵吸入动作时的合成过滤次数的概略剖视图。
图33是表示第2-1实施方式的液处理装置中的处理液喷射动作时的喷射量的概略剖视图。
图34是表示第2-1实施方式的液处理装置中的处理液循环动作时的循环量和合成过滤次数的概略剖视图。
图35是表示第2-1实施方式的液处理装置中的第2次泵吸入动作时的合成过滤次数的概略剖视图。
图36是表示本发明的液处理装置的第2-2实施方式的概略剖视图。
图37是表示第2-2实施方式的液处理装置中的泵吸入动作的概略剖视图。
图38是表示第2-2实施方式的液处理装置中的处理液喷射动作的概略剖视图。
图39是表示第2-2实施方式的液处理装置中的处理液循环动作的概略剖视图。
图40是表示本发明的液处理装置的第2-3实施方式的概略剖视图。
图41是表示本发明的液处理装置的第3-2实施方式的概略剖视图。
图42是表示第3-2实施方式的液处理装置中的泵吸入动作的概略剖视图。
图43是表示第3-2实施方式的液处理装置中的处理液喷射动作的概略剖视图。
图44是表示第3-2实施方式的液处理装置中的处理液循环动作的概略剖视图。
图45是表示本发明的液处理装置的气泡明显化工序(a)和脱气工序(b)的概略剖视图。
图46是表示向本发明的液处理装置的捕集器罐补充处理液的动作的概略剖视图。
图47是表示本发明的液处理装置的另一气泡明显化工序(a)和另一脱气工序(b)的概略剖视图。
图48是表示向本发明的液处理装置的捕集器罐补充处理液的动作的概略剖视图。
具体实施方式
第1实施方式
以下,根据附图说明本发明的实施方式。在此,说明将本发明的液处理装置(抗蚀剂液处理装置)应用于涂敷·显影处理装置的情况。
如图1和图2所示,上述涂敷·显影处理装置包括:承载站1,其用于输入输出承载件10,该承载件10密闭地收纳多张、例如25张作为被处理基板的晶圆W;处理部2,其用于对自该承载站1取出后的晶圆W实施抗蚀剂涂敷和显影处理等;曝光部4,其用于在晶圆W的表面上形成有光可透过的液层的状态下对晶圆W的表面进行浸液曝光;以及转接部3,其连接于处理部2与曝光部4之间,用于进行晶圆W的交接。
在承载站1中设有:载置部11,其能够以排列多个承载件10的方式载置多个承载件10;开闭部12,其设于自该载置部11看去的前方的壁面;以及交接部件A1,其用于经由开闭部12自承载件10取出晶圆W。
转接部3由设于处理部2与曝光部4之间的、前后设置的第1输送室3A和第2输送室3B构成,在第1输送室3A中设有第1晶圆输送部30A,在第2输送室3B中设有第2晶圆输送部30B。
另外,承载站1的进深侧与处理部2相连接,该处理部2的周围被壳体20包围,在该处理部2中,自近前侧起依次交替排列地设有架单元U1、U2、U3和主输送部件A2、A3,该架单元U1、U2、U3设有多层的加热/冷却系统的单元,主输送部件A2、A3用于在液处理单元U4、U5各单元之间交接晶圆W。另外,从承载站1看去,主输送部件A2、A3配置在由分隔壁21围成的空间内,该分隔壁21由沿前后方向配置的架单元U1、U2、U3那一侧的一面部、后述的例如右侧的液处理单元U4、U5那一侧的一面部、以及形成左侧的一面的背面部构成。另外,在承载站1与处理部2之间、处理部2与转接部3之间配置有温湿度调节单元22,该温湿度调节单元22包括各单元所使用的处理液的温度调节装置、温湿度调节用的管道等。
架单元U1、U2、U3具有将用于进行在液处理单元U4、U5进行的处理的前处理和后处理的各种单元层叠多层例如10层而成的结构,上述各种单元的组合包括用于加热(烘烤)晶圆W的加热单元(未图示)和用于冷却晶圆W的冷却单元(未图示)等。另外,例如,如图1所示,向晶圆W供给规定的处理液以进行处理的液处理单元U4、U5构成为在抗蚀剂、显影液等的药液收纳部14之上将用于涂敷防反射膜的防反射膜涂敷单元(BCT)23、用于向晶圆W涂敷抗蚀剂液的涂敷单元(COT)24、用于向晶圆W供给显影液以进行显影处理的显影单元(DEV)25等层叠多层、例如5层。涂敷单元(COT)24具有本发明的液处理装置5。
参照图1和图2简单说明如上那样构成的涂敷·显影处理装置中的晶圆的流动的一个例子。首先,将收纳有例如25张晶圆W的承载件10载置于载置部11后,将承载件10的盖体连同开闭部12一起拆下,利用交接部件A1取出晶圆W。然后,将晶圆W经由构成架单元U1的一层的交接单元(未图示)交接到主输送部件A2,作为涂敷处理的预处理,进行例如防反射膜形成处理、冷却处理,之后,利用涂敷单元(COT)24在晶圆W上涂敷抗蚀剂液。接着,利用构成架单元U1~架单元U3中的一个架的加热单元加热(烘烤处理)晶圆W,并且进行冷却,之后,利用主输送部件A2将晶圆W经由架单元U3的交接单元输入到转接部3。在该转接部3中,利用第1输送室3A的第1晶圆输送部30A和第2输送室3B的第2晶圆输送部30B将晶圆W输送到曝光部4,以与晶圆W的表面相对的方式配置曝光部件(未图示)而对晶圆W曝光。在曝光后,以相反的路径将晶圆W输送到主输送部件A2,并在显影单元(DEV)25中显影而形成图案。然后,使晶圆W返回到被载置在载置部11上的原来的承载件10。
接下来,说明本发明的液处理装置5的第1-1实施方式。
第1-1实施方式
如图3所示,本发明的液处理装置5包括:处理液容器60,其用于贮存作为处理液的抗蚀剂液L;喷射嘴7,其用于向作为被处理基板的晶圆喷射(供给)抗蚀剂液L;供给管路51,其将处理液容器60和喷射嘴7连接起来;过滤器52,其夹设在供给管路51上,用于过滤抗蚀剂液L;泵70,其夹设在供给管路51中的位于过滤器52的次级侧的部分上;捕集器罐53,其夹设在供给管路51中的将过滤器52的次级侧和泵70的初级侧连接起来的部分上;返回管路55,其将泵70的喷射侧和过滤器52的初级侧连接起来;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀V1~V3,该第1开闭阀V1设于泵70与过滤器52相连接的连接部、该第2开闭阀V2设于泵70与喷射嘴7相连接的连接部以及该第3开闭阀V3设于泵70与返回管路55相连接的连接部;以及控制部101,其用于控制泵70和第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀V1~V3。
此处,在第1实施方式中,将泵70的喷射侧和过滤器52的初级侧连接起来的返回管路55相当于将泵70与捕集器罐53连接的第1返回管路55a、以及将捕集器罐53与第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来的第2返回管路55b。
供给管路51包括:第1处理液供给管路51a,其将处理液容器60和用于暂时贮存自该处理液容器60引导过来的抗蚀剂液L的缓冲罐61连接起来;第2处理液供给管路51b,其将缓冲罐61和泵70连接起来;第3处理液供给管路51c,其将泵70和喷射嘴7连接起来。在第2处理液供给管路51b上夹设有过滤器52,在第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的次级侧的部分上夹设有捕集器罐53。另外,在第3处理液供给管路51c上夹设有用于对自喷射嘴7喷射的抗蚀剂液L进行供给控制的供给控制阀57。另外,在过滤器52与捕集器罐53之间夹设有用于将在抗蚀剂液L中产生的气泡排出的排放管路56。
在处理液容器60的上部设有与非活性气体例如氮气(N2)的供给源62相连接的第1气体供给管路58a。另外,在该第1气体供给管路58a上夹设有能够进行可变调整的作为压力调整部件的电空调节器R。该电空调节器R具有通过来自后述的控制部101的控制信号进行工作的操作部例如比例螺线管和通过该螺线管的工作而开闭的阀机构,该电空调节器R构成为通过阀机构的开闭来调整压力。另外,在缓冲罐61的上部设有用于将滞留在缓冲罐61中的非活性气体例如氮气(N2)释放到大气中的第2气体供给管路58b。
在第1气体供给管路58a的位于电空调节器R与处理液容器60之间的部分上夹设有电磁式的开闭阀V11。另外,在第1处理液供给管路51a上夹设有电磁式的开闭阀V12。另外,在第2处理液供给管路51b中的位于缓冲罐61与过滤器52之间的、第2处理液供给管路51b和第2返回管路55b相连接的连接部的次级侧的部分上夹设有电磁式的开闭阀V13。另外,在第2返回管路55b上夹设有电磁式的开闭阀V14。另外,在排放管路56上夹设有电磁式的开闭阀V15、V16。通过来自控制部101的控制信号来控制开闭阀V11~开闭阀V16及电空调节器R。
在缓冲罐61上设有用于监视所贮存的抗蚀剂液L的规定的液面位置(充填完成位置、需要补充位置)并检测贮存剩余量的上限液面传感器61a、下限液面传感器61b。在自处理液容器60向缓冲罐61供给抗蚀剂液L的情况下,当上限液面传感器61a检测到抗蚀剂液L的液面位置时,开闭阀V11、V12关闭,停止自处理液容器60向缓冲罐61供给抗蚀剂液L。另外,当下限液面传感器61b检测到抗蚀剂液L的液面位置时,开闭阀V11、V12打开,开始自处理液容器60向缓冲罐61供给抗蚀剂液L。
接下来,根据图7说明泵70的详细构造。图7所示的泵70是作为可变容量泵的隔膜泵,该隔膜泵70由作为挠性构件的隔膜71分隔成泵室72和工作室73。
在泵室72中设有:初级侧连通路72a,其经由开闭阀V1与第2处理液供给管路51b相连接,用于吸入第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L;次级侧连通路72b,其经由开闭阀V2与第3处理液供给管路51c相连接,用于向第3处理液供给管路51c喷射抗蚀剂液L;以及循环侧连通路72c,其经由开闭阀V3与第1返回管路55a相连接,用于向第1返回管路55a喷射抗蚀剂液L。
工作室73与根据来自控制部101的信号来控制工作室73内的气体的减压和加压的驱动部件74相连接。驱动部件74包括空气加压源75a(以下称作加压源75a)、空气减压源75b(以下称作减压源75b)、作为流量传感器的流量计77、电空调节器78以及压力传感器79。
工作室73设有经由供排切换阀V4与驱动部件74那一侧相连接的供排路73a,该供排路73a经由供排切换阀V4与管路76相连接,该管路76选择性地与加压源75a或减压源75b相连通。在该情况下,管路76由以下管路形成:主管路76a,其与工作室73相连接;排气管路76b,其自该主管路76a分支,并与减压源75b相连接;以及加压管路76c,其与加压源75a相连接。在主管路76a上夹设有作为流量传感器的流量计77,在电空调节器78中形成有夹设在排气管路76b上的用于调整排气压的压力调整机构和夹设在加压管路76c上的用于调整加压即空气压的压力调整机构。在该情况下,电空调节器78形成为包括:共用的连通模块78a,其用于选择性地连接到排气管路76b或加压管路76c;两个停止模块78b,该停止模块78b用于将排气管路76b的连通切断,该停止模块78c用于将加压管路76c的连通切断;以及电磁切换部78d,其用于对连通模块78a、停止模块78b、78c进行切换操作。另外,在电空调节器78上设有压力传感器79,能够利用压力传感器79来检测与管路76相连接的工作室73内的压力。
在与如上那样构成的隔膜泵70的工作室73那一侧相连接的工作空气的供排部中,构成驱动部件74的上述流量计77、压力传感器79以及电空调节器78分别与控制部101电连接。并且,形成为由流量计77检测出的管路76内的排气流量和由压力传感器79检测出的管路76内的压力被传递(输入)到控制部101、且来自控制部101的控制信号被传递(输出)到电空调节器78。
控制部101内置在作为存储介质的控制计算机100内,除了控制部101之外,控制计算机100还内置有:控制程序存储库102,其用于存储控制程序;读取部103,其用于自外部读取数据;以及存储部104,其用于存储数据。另外,控制计算机100还具有与控制部101相连接的输入部105、用于显示液处理装置5的各种状态的监视部106、以及嵌装于读取部103且存储有使控制计算机100执行控制程序的软件的计算机可读取的存储介质107,该控制计算机100构成为根据控制程序来向上述各部输出控制信号。在控制程序存储库102中存储有控制程序,该控制程序用于执行以下处理:向泵70吸入抗蚀剂液L、自泵70向喷射嘴7喷射抗蚀剂液L、自泵70经由返回管路55向第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分供给抗蚀剂液L、使自缓冲罐61补充的抗蚀剂液L和经由返回管路55返回的抗蚀剂液L合成、利用过滤器52以与向喷射嘴7喷射抗蚀剂液L的喷射量和自泵70经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L的返回量之比相应的次数对合成后的抗蚀剂液L进行过滤。
另外,控制程序被存储在硬盘、光盘、闪存器、软盘以及存储卡等存储介质107中并被自上述存储介质107安装到控制计算机100中而被使用。
接下来,根据图4~图6和图8~图13说明该实施方式中的液处理装置5的动作。首先,根据来自控制部101的控制信号,打开夹设在第1气体供给管路58a上的开闭阀V11和夹设在第1处理液供给管路51a上的开闭阀V12,利用自N2气体供给源62供给到处理液容器60内的N2气体的加压将抗蚀剂液L供给到缓冲罐61内。
当向缓冲罐61内供给(补充)规定量的抗蚀剂液L时,根据来自接收到来自上限液面传感器61a的检测信号的控制部101的控制信号关闭开闭阀V11、V12。此时,开闭阀V1打开,开闭阀V2、V3关闭。另外,将供排切换阀V4切换到排气侧,在该状态下,利用压力传感器79检测隔膜泵70的工作室73内的压力,将检测出的压力的检测信号传递(输入)到控制部101。另外,在将供排切换阀V4切换到排气侧之后,打开开闭阀V13。
接下来,电空调节器78与减压源75b侧相连通而将工作室73内的空气排出。此时,由流量计77检测排气流量并将检测出的排气流量的检测信号传递(输入)到控制部101。通过进行工作室73内的空气的排气,将规定量的抗蚀剂液L自第2处理液供给管路51b吸入至泵室72(步骤S1)。此时,由于抗蚀剂液L通过过滤器,因此抗蚀剂液L的过滤次数是1次。
接下来,关闭开闭阀V1、V3并打开开闭阀V2和供给控制阀57。此时,将供排切换阀V4切换至吸气侧,并将电空调节器78与加压侧相连通而向工作室73内供给空气,从而使被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之一)经由喷射嘴7向晶圆喷射(步骤S2)。
在该情况下,能够利用向工作室73内供给的空气的供给量调整被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的量。即,通过减少向工作室73供给的空气的供给量而减少工作室73的体积的增加,从而使向晶圆喷射的抗蚀剂液L的喷射量变少。另外,通过增加向工作室73供给的空气的供给量而增多工作室73的体积的增加,从而使向晶圆喷射的抗蚀剂液L的喷射量变多。在该实施方式中,向晶圆喷射被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的五分之一。另外,根据存储在存储部104中的数据决定向工作室73供给的空气的供给量。
此外,作为调整被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的量的方法,既可以通过调整空气的供给时间来替代对向工作室73内供给的空气的供给量进行调整,也可以利用自控制部101发出的脉冲信号来调整向工作室73内供给的空气的供给。
接下来,关闭开闭阀V1、V2并打开开闭阀V3、V14,通过增加工作室73内的空气的供给量,从而使被吸入到泵室72内的余下的抗蚀剂液L(例如五分之四)经由返回管路55a、55b返回到第2处理液供给管路51b(步骤S3)内。在该实施方式中,使在步骤S1中被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的五分之四返回到第2处理液供给管路51b内。
接下来,关闭开闭阀V3并打开开闭阀V1、V13,由此,使返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和补充到缓冲罐61内的抗蚀剂液L合成,在返回到步骤S1的状态下,将合成后的抗蚀剂液L吸入到泵室72内。此时,自缓冲罐61向泵室72供给的抗蚀剂液L的量与向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量相等。因而,在该实施方式中,自缓冲罐61向第2处理液供给管路51b补充被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的五分之一的量的抗蚀剂液L。
此处,经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b后的抗蚀剂液L已经被过滤器52过滤,但自缓冲罐61供给的抗蚀剂液L没有被过滤器52过滤。因而,在将由经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和自缓冲罐61补充的抗蚀剂液L合成而成的抗蚀剂液L的过滤次数作为抗蚀剂液L的合成过滤次数而求出时,抗蚀剂液L的合成过滤次数与被吸入到泵70内的抗蚀剂液L的向晶圆喷射的喷射量以及抗蚀剂液L向第2处理液供给管路51b返回的返回量之间的关系由如下的计算式(1)表示。
An=(a+b)/a-b/a×{b/(a+b)}n-1···(1)
此处,An是向晶圆喷射的抗蚀剂液L的合成过滤次数,将由计算式(1)表示的合成过滤次数称作循环合成过滤次数。另外,a、b是向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量与抗蚀剂液L向返回管路55返回的返回量之比中的比数数值,n是使抗蚀剂液L通过过滤器52的次数(处理次数)。另外,抗蚀剂液L的合成过滤次数An相当于与本发明的喷射量和返回量之比率的合成相应的次数。根据上述计算式(1),通过增大处理次数n,合成过滤次数An饱和到(a+b)/a的值。将该An、n、a、b的关系表示在图13中。
如图13所示,在a=1、b=4时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近5的方式收敛。同样地,在a=1、b=2时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近3的方式收敛,在a=1、b=1时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近2的方式收敛,在a=2、b=1时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近1.5的方式收敛,在a=5、b=1时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近1.2的方式收敛。
在该实施方式中,经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和自缓冲罐61供给的抗蚀剂液L的流量之比是4比1,经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L的过滤次数是1次,自缓冲罐61供给的抗蚀剂液L的过滤次数是0次。在该情况下,如图10和图11所示,被供给到第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分中的抗蚀剂液L的合成过滤次数是0.8次,通过使该抗蚀剂液L通过过滤器52,使抗蚀剂液L的合成过滤次数成为1.8次。
通过重复这样的步骤S1~步骤S3来重复以下工序:使泵70吸入抗蚀剂液L,将被吸入到泵70内的抗蚀剂液L的一部分(五分之一)向晶圆喷射并使被吸入到泵70内的抗蚀剂液L的残余(五分之四)返回第2处理液供给管路51b,自缓冲罐61补充抗蚀剂液L。作为一个例子,将向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量和抗蚀剂液L返回到第2处理液供给管路51b的返回量之比设为1比4时,由于a=1、b=4,因此,若根据上述计算式(1)计算合成过滤次数,则在重复5次步骤S1~步骤S3的情况下(n=5),合成过滤次数A5为3.36次。
接下来,根据表1说明第1实施方式的效果。在表1中,示出了相对于循环合成过滤的合成过滤次数An及后述的往复合成过滤的合成过滤次数An的、进行步骤S1~步骤S3时花费的时间(循环时间)和微粒标准化数。此处,微粒标准化数是指,将进行了循环合成过滤或往复合成过滤后的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量与将没有进行过滤的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量之比、或将进行了循环合成过滤或往复合成过滤后的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量与将进行了1次过滤的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量之比。
表1
Figure BDA0000442586530000271
在进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法中,循环时间是24.9秒,微粒标准化数是17,相对于1次过滤的微粒标准化数是77。因而,在进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法中,能够实现与进行1次过滤时大致相同的循环时间,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为17%,与进行了1次过滤后的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为77%。
另外,在进行合成过滤次数An为10次的循环合成过滤方法中,循环时间是35.9秒,微粒标准化数是7,相对于1次过滤的微粒标准化数是32。因而,在进行合成过滤次数An为10次的循环合成过滤方法中,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为7%,与进行了1次过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为32%。另外,与进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法相比,也能够将微粒数量抑制为41%。
因而,能够确保与由过滤器进行1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
第1-2实施方式
接下来,根据图14~图17说明本发明的液处理装置的第1-2实施方式。此外,在第1-2实施方式中,对于与第1-1实施方式相同的结构,对相同部分标注相同的附图标记而省略说明。
在第1-2实施方式的液处理装置5中,成为省略了第1-1实施方式中的第2返回管路55b和开闭阀V14的结构,返回管路65由将泵70的喷射侧和捕集器罐53连接起来的第1返回管路65a、以及第2处理液供给管路51b中的将捕集器罐53和过滤器52的次级侧连接起来的部分形成。
关于步骤S1、S2,第1-2实施方式的动作与表示在第1-1实施方式中进行的动作的图12的步骤S1(图15所示的向泵室72吸入抗蚀剂液L)、步骤S2(图16所示的向晶圆W喷射抗蚀剂液L)相同,但步骤S3不同。即,如图17所示,在使吸入到泵70内的抗蚀剂液L返回第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分时的抗蚀剂液L的路径与第1-1实施方式不同。
如图17所示,在将流入到泵70内的抗蚀剂液L的一部分向晶圆喷射之后,在关闭开闭阀V1、V2并打开开闭阀V3、V13的状态下向工作室73内供给空气,由此,使流入到泵室72内的抗蚀剂液L经由返回管路65a和过滤器52返回到第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分内。然后,与第1-1实施方式同样地,自缓冲罐61补充与向晶圆W喷射抗蚀剂液L的喷射量等量的抗蚀剂液L。因而,在向泵70吸入抗蚀剂液L时和抗蚀剂液L向第2处理液供给管路51b返回时,抗蚀剂液L被过滤器52过滤。
因而,被吸入到泵70内的抗蚀剂液L的一部分在第1返回管路65a和第2处理液供给管路51b中通过的过程、换言之在第2处理液供给管路51b中往复的过程中被过滤器52过滤(以下称作循环往复合成过滤)。此时向晶圆喷射的抗蚀剂液L的合成过滤次数An与被吸入到泵70内的抗蚀剂液L向晶圆喷射的喷射量以及抗蚀剂液L向第2处理液供给管路51b返回的返回量之间的关系由如下的计算式(2)表示。
An=(a+2b)/a-2b/a×{b/(a+b)}n-1···(2)
此处,将计算式(2)表示的合成过滤次数称作循环往复合成过滤次数。
在作为一个例子将向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量和抗蚀剂液L返回到第2处理液供给管路51b的返回量之比设为1比4时,由于a=1、b=4,因此,若根据上述计算式(2)计算合成过滤次数,则在重复5次步骤S1~步骤S3的情况下(n=5),合成过滤次数A5为4.21次。
接下来,根据表1说明第1-2实施方式的效果。在第1-2实施方式中的进行合成过滤次数An为5次的循环往复合成过滤方法中,循环时间是20.5秒,微粒标准化数是18,相对于1次过滤的微粒标准化数是82。因而,在进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法中,能够实现比进行1次过滤时快的循环时间,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为18%,与进行了1次过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为82%。
另外,在进行合成过滤次数An为10次的循环往复合成过滤方法中,循环时间是26.0秒,微粒标准化数是8,相对于1次过滤的微粒标准化数是36。因而,在进行合成过滤次数An为10次的循环往复合成过滤方法中,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为8%,与进行了1次过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为36%。另外,与进行合成过滤次数An为5次的循环往复合成过滤方法相比,也能够将微粒数量抑制为44%。
因而,与第1-1实施方式同样地,能够确保与由过滤器进行1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
另外,在第1-2实施方式的循环往复合成过滤方法中,在使抗蚀剂液L返回第2处理液供给管路51b时,也使抗蚀剂液L通过过滤器52,因此,在第1-2实施方式中,与第1-1实施方式相比,能够减少附着在晶圆之上的微粒的数量。
第1-3实施方式
根据图18~图21说明本发明的液处理装置的第1-3实施方式。此外,在第1-3实施方式中,对于与第1-1实施方式及第1-2实施方式相同的结构,对相同部分标注相同的附图标记而省略说明。
第1-3实施方式的返回管路85包括构成主返回管路的第1主返回管路85a和第2主返回管路85b以及将过滤器52的次级侧和过滤器52的初级侧连接起来的副返回管路85c。第1主返回管路85a将泵70的喷射侧和捕集器罐53连接起来,第2主返回管路85b将捕集器罐53和第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来。在该情况下,第2主返回管路85b连接于第2处理液供给管路51b中的位于开闭阀V13与过滤器52之间的部分。另外,副返回管路85c将第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52与捕集器罐53之间的部分和第2处理液供给管路51b中的位于缓冲罐61与过滤器52之间的部分连接起来。
在第2处理液供给管路51b中的、位于过滤器52的次级侧的部分和副返回管路85c相连接的连接部同捕集器罐53之间的部分上夹设有电磁式的开闭阀V21。另外,在第2主返回管路85b上夹设有电磁式的开闭阀V24,在副返回管路85c上夹设有电磁式的开闭阀V25。上述开闭阀V21、V24、V25形成为能够由来自上述控制部(未图示)的控制信号控制。
关于步骤S1、S2,第1-3实施方式的动作与表示在第1-1实施方式中进行的动作的图12的步骤S1(图19所示的向泵室72吸入抗蚀剂液L)及步骤S2(图20所示的向晶圆W喷射抗蚀剂液L)相同,但步骤S3不同。
即,如图21所示,在使流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L经由返回管路85返回第2处理液供给管路51b时,关闭开闭阀V2并打开开闭阀V24、V25,通过使驱动部件74驱动而使被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之四)流入到返回管路85中
接下来,如图19所示,关闭开闭阀V3、V24、V25并打开开闭阀V1、V13、V21,使返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和补充到缓冲罐61内的抗蚀剂液L合成,在返回到步骤S1的状态下,将合成后的抗蚀剂液L吸入到泵室72内。
因而,与第1-1实施方式及第1-2实施方式同样地,能够确保与没有由过滤器进行抗蚀剂液的过滤时及进行了1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
接下来,参照图22~图25说明第1-3实施方式的变形例。
在图22所示的变形例中,第1-3实施方式的返回管路86包括将泵70的喷射侧和捕集器罐53连接起来的第1主返回管路86a、将捕集器罐53和过滤器52的吸入侧连接起来的第2主返回管路86b以及将过滤器52的喷射侧和第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来的副返回管路86c。此处,第1主返回管路86a和第2主返回管路86b相当于本发明中的主返回管路。另外,在第2主返回管路86b上夹设有电磁式的开闭阀V24,在副返回管路86c上夹设有电磁式的开闭阀V25,上述开闭阀V24、V25形成为能够由来自上述控制部(未图示)的控制信号控制。
在图23所示的变形例中,第1-3实施方式的返回管路87包括将泵70的喷射侧和捕集器罐53连接起来的第1主返回管路87a、将捕集器罐53和第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来的第2主返回管路87b以及将过滤器52的喷射侧和第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来的副返回管路87c。此处,第1主返回管路87a和第2主返回管路87b相当于本发明中的主返回管路。另外,在第2主返回管路87b上夹设有电磁式的开闭阀V24,在副返回管路87c上夹设有电磁式的开闭阀V25,上述开闭阀V24、V25形成为能够由来自上述控制部(未图示)的控制信号控制。
在图24所示的变形例中,第1-3实施方式的返回管路88包括将泵70的喷射侧和捕集器罐53连接起来的第1主返回管路88a、将捕集器罐53和过滤器52的吸入侧连接起来的第2主返回管路88b以及与第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的次级侧的部分及第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分向连接的副返回管路88c。此处,第1主返回管路88a和第2主返回管路88b相当于本发明中的主返回管路。另外,在第2主返回管路88b上夹设有电磁式的开闭阀V24,在副返回管路88c上夹设有电磁式的开闭阀V25,上述开闭阀V24、V25形成为能够由来自上述控制部(未图示)的控制信号控制。
在图25所示的变形例中,第1-3实施方式的返回管路89包括将泵70的喷射侧和第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来的主返回管路89a以及与第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的次级侧的部分及第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分相连接的的副返回管路89b。另外,在返回管路89a上夹设有电磁式的开闭阀V24,该开闭阀V24形成为能够由来自未图示的控制部101的控制信号控制。
图22~图24所示的第1-3实施方式的变形例的动作与图12所示的步骤S1(图19所示的向泵室72吸入抗蚀剂液L)及步骤S2(图20所示的向晶圆W喷射抗蚀剂液L)为相同的动作,但步骤S3不同。
即,在使流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L经由返回管路86返回第2处理液供给管路51b时,关闭开闭阀V2并打开开闭阀V24、V25,通过使驱动部件74驱动而使被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之四)流入到返回管路86中。另外,在使流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L经由返回管路87、88返回第2处理液供给管路51b时,同样地,也关闭开闭阀V2并打开开闭阀V24、V25,通过使驱动部件74驱动而使被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之四)流入到返回管路87、88内。
另外,关于步骤S1、S2,图25所示的第1-3实施方式的变形例的动作与在图19和图20所示的第1-3实施方式中进行的动作为相同的动作,但对于图21所示的步骤S3,在使在主返回管路89a中流通的抗蚀剂液L不经由捕集器罐53就流入到过滤器52这点上与在图19和图20所示的第1-3实施方式中进行的动作不同。
此外,在图22~图24的第1-3实施方式的变形例中,也可以是,如图25所示那样,将不经由捕集器罐53的结构组合到返回管路86、87、88中。
因而,在第1-3实施方式的变形例中,与第1-1实施方式及第1-2实施方式同样地,能够确保与没有由过滤器进行抗蚀剂液的过滤时及进行了1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
第1-4实施方式
根据图26说明本发明的液处理装置的第1-4实施方式。此外,在第1-4实施方式中,对于与第1-1实施方式相同的结构,对相同部分标注相同的附图标记而省略说明。
在第1-4实施方式中,在隔膜泵70与第3处理液供给管路51c相连接的连接部替代开闭阀V2而设有止回阀(未图示),流量调整阀V6夹设在第3处理液供给管路51c中的第3处理液供给管路51c与返回管路55相连接的连接部的次级侧的部分上。流量调整阀V6是能够调整向喷射嘴7喷射的抗蚀剂液L的流量的开闭阀。
另外,替代设于隔膜泵70与返回管路55相连接的连接部的开闭阀V3,而将流量调整阀V5夹设在泵70与捕集器罐53之间的第1返回管路55a上。流量调整阀V5是能够调整向第2处理液供给管路51b返回的抗蚀剂液L的流量的开闭阀。该流量调整阀V5、V6由控制部101控制。
另外,第4实施方式的返回管路55包括将第3处理液供给管路51c和捕集器罐53连接起来的第1返回管路55a以及将捕集器罐53和第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来的第2返回管路55b。
关于步骤S1,第1-4实施方式的动作与表示在第1-1实施方式中进行的动作的图12的步骤S1(向泵室72吸入抗蚀剂液L)相同,但步骤S2(向晶圆W喷射抗蚀剂液L)及步骤S3(抗蚀剂液L向返回管路55返回)不同。在使流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L经由喷射嘴7向晶圆W喷射时,关闭开闭阀V1和流量调整阀V5并打开流量调整阀V6,通过使驱动部件74驱动而将被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之一)喷射。此时,在第3处理液供给管路51c中流通的抗蚀剂液L的流量由流量调整阀V4调整。
接下来,在使流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b时,关闭流量调整阀V6并打开流量调整阀V5,通过使驱动部件74驱动而使被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之四)流入到返回管路55中。此时,返回到第2处理液供给管路51b的抗蚀剂液L的流量由流量调整阀V5调整。
因而,与第1-1实施方式~第1-3实施方式同样地,能够确保与没有由过滤器进行抗蚀剂液的过滤时和进行了1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
此外,在第1-4实施方式中,使用了与第1-1实施方式相同结构的夹设在第2处理液供给管路51b和排放管路56上的捕集器罐53、过滤器52以及开闭阀V13~开闭阀V16,但也可以使用与第1-2实施方式和第1-3实施方式相同结构的第2处理液供给管路51b、排放管路56、捕集器罐53、过滤器52以及开闭阀V13~开闭阀V16。即使设为这样的结构,也无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
第2实施方式
以下,根据图27~图40说明本发明的第2实施方式。在此,说明将本发明的液处理装置(抗蚀剂液处理装置)应用于涂敷·显影处理装置的情况。此外,在第2实施方式中,对于与图1~图27所示的第1实施方式相同的部分标注相同的附图标记而省略详细说明。
接下来,说明本发明的液处理装置5的第2-1实施方式。
第2-1实施方式
如图27所示,本发明的液处理装置5包括:处理液容器60,其用于贮存作为处理液的抗蚀剂液L;喷射嘴7,其用于向作为被处理基板的晶圆喷射(供给)抗蚀剂液L;供给管路51,其将处理液容器60和喷射嘴7连接起来;过滤器52,其夹设在供给管路51上,用于过滤抗蚀剂液L;泵70,其夹设在供给管路51中的位于过滤器52的次级侧的部分上;返回管路55,其将泵70的喷射侧和过滤器52的初级侧连接起来;供给泵80,其夹设在供给管路51中的将处理液容器60和过滤器52连接起来的部分上;吸入开闭阀V6和喷射开闭阀V7,该吸入开闭阀V6设于供给泵80的吸入侧,该喷射开闭阀V7设于供给泵80的喷射侧;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀V1~V3,该第1开闭阀V1设于泵70与过滤器52相连接的连接部、该第2开闭阀V2设于泵70与喷射嘴7相连接的连接部,该第3开闭阀V3设于泵70与返回管路55相连接的连接部;以及控制部101,其用于控制泵70、第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀V1~V3、供给泵80、吸入开闭阀V6以及喷射开闭阀V7。
此处,在第2-1实施方式中,将泵70的喷射侧和过滤器52的初级侧连接的返回管路55相当于将泵70和捕集器罐53连接起来的第1返回管路55a以及将捕集器罐53和第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来的第2返回管路55b。
供给管路51包括:第1处理液供给管路51a,其将处理液容器60和用于暂时贮存自该处理液容器60引导过来的抗蚀剂液L的缓冲罐61连接起来;第2处理液供给管路51b,其将缓冲罐61和泵70连接起来;第3处理液供给管路51c,其将泵70和喷射嘴7连接起来。在第2处理液供给管路51b上夹设有供给泵80和过滤器52,在第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的次级侧的部分上夹设有捕集器罐53。另外,在第3处理液供给管路51c上夹设有用于对自喷射嘴7喷射的抗蚀剂液L进行供给控制的供给控制阀57。另外,在过滤器52与捕集器罐53之间夹设有用于将在抗蚀剂液L中产生的气泡排出的排放管路56。
在第1气体供给管路58a的位于电空调节器R与处理液容器60之间的部分上夹设有电磁式的开闭阀V11。另外,在第1处理液供给管路51a上夹设有电磁式的开闭阀V12。另外,在第2处理液供给管路51b的位于缓冲罐61与过滤器52之间的部分上夹设有电磁式的开闭阀V13。另外,在第2返回管路55b上夹设有电磁式的开闭阀V14。另外,在排放管路56上夹设有电磁式的开闭阀V15、V16。开闭阀V11~开闭阀V16和电空调节器R由来自控制部101的控制信号控制。
另一方面,供给泵80由作为可变容量泵的滚动边缘隔膜泵(rolling edge diaphragm)形成,并由作为驱动部件的步进马达81驱动。在与该供给泵80的吸入侧即缓冲罐61那一侧相连通的吸入路径(未图示)上设有电磁式的吸入开闭阀V6,在与喷射侧即过滤器52那一侧相连通的喷射路径(未图示)上设有电磁式的喷射开闭阀V7。
采用如上那样构成的供给泵80,能够控制抗蚀剂液L的喷射量,并且从吸入到喷射为止能够以相同的速度进行控制,因此能够防止气泡混入。
控制部101内置在作为存储介质的控制计算机100内,除了控制部101之外,控制计算机100还内置有:控制程序存储库102,其用于存储控制程序;读取部103,其用于自外部读取数据;以及存储部104,其用于存储数据。另外,控制计算机100还具有与控制部101相连接的输入部105、用于显示液处理装置5的各种状态的监视部106、以及嵌装于读取部103且存储有使控制计算机100执行控制程序的软件的计算机可读取的存储介质107,该控制计算机100构成为根据控制程序来向上述各部输出控制信号。
在控制程序存储库102中存储有控制程序,该控制程序用于执行以下处理:向泵70吸入抗蚀剂液L、自泵70向喷射嘴7喷射抗蚀剂液L、自泵70经由返回管路55向第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分供给抗蚀剂液L、使利用供给泵80的驱动自缓冲罐61补充的抗蚀剂液L和经由返回管路55返回的抗蚀剂液L合成、利用过滤器52以与向喷射嘴7喷射抗蚀剂液L的喷射量和自泵70经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L的返回量之比相应的次数对合成后的抗蚀剂液L进行过滤。
另外,在控制程序存储库102中存储有用于在由过滤器52进行过滤时执行脱气工序的控制程序,在该脱气工序中,打开排放阀V15,自过滤器52排出抗蚀剂液L中的气泡。
另外,控制程序存储在硬盘、光盘、闪存器、软盘、存储卡等存储介质107中并被自上述存储介质107安装到控制计算机100中而被使用。
接下来,根据图28~图30和图32~图35说明该实施方式中的液处理装置5的动作。首先,根据来自控制部101的控制信号,打开夹设在第1气体供给管路58a上的开闭阀V11和夹设在第1处理液供给管路51a上的开闭阀V12,利用自N2气体供给源62供给到处理液容器60内的N2气体的加压将抗蚀剂液L供给到缓冲罐61内。
当向缓冲罐61内供给(补充)规定量的抗蚀剂液L时,根据来自接收到来自上限液面传感器61a的检测信号的控制部101的控制信号关闭开闭阀V11、V12。此时,开闭阀V1打开,开闭阀V2、V3关闭。另外,将供排切换阀V4切换到排气侧,在该状态下,利用压力传感器79检测隔膜泵70的工作室73内的压力,将检测出的压力的检测信号传递(输入)到控制部101。另外,在将供排切换阀V4切换到排气侧之后,打开供给泵80的喷射开闭阀V7,打开开闭阀V13。
接下来,电空调节器78与减压源75b侧相连通而将工作室73内的空气排出。此时,由流量计77检测排气流量并将检测出的排气流量的检测信号传递(输入)到控制部101。通过进行工作室73内的空气的排气,将规定量的抗蚀剂液L自第2处理液供给管路51b吸入至泵室72(步骤S1)。此时,由于抗蚀剂液L通过过滤器,因此抗蚀剂液L的过滤次数是1次。
接下来,关闭第1开闭阀V1和第3开闭阀V3并打开第2开闭阀V2和供给控制阀57。此时,将供排切换阀V4切换至吸气侧,并将电空调节器78与加压侧相连通而向工作室73内供给空气,从而使被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之一)经由喷射嘴7向晶圆喷射(步骤S2)。
在该情况下,能够利用向工作室73内供给的空气的供给量调整被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的量。即,通过减少向工作室73供给的空气的供给量而减少工作室73的体积的增加,从而使向晶圆喷射的抗蚀剂液L的喷射量变少。另外,通过增加向工作室73供给的空气的供给量而增多工作室73的体积的增加,从而使向晶圆喷射的抗蚀剂液L的喷射量变多。在该实施方式中,向晶圆喷射被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的五分之一。另外,根据存储在存储部104中的数据决定向工作室73供给的空气的供给量。
此外,作为调整被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的量的方法,既可以通过调整空气的供给时间来替代对向工作室73内供给的空气的供给量进行调整,也可以利用自控制部101发出的脉冲信号来调整向工作室73内供给的空气的供给。
接下来,关闭第1开闭阀V1和第2开闭阀V2并打开第3开闭阀V3和开闭阀V14,通过增加工作室73内的空气的供给量,使被吸入到泵室72内的余下的抗蚀剂液L(例如五分之四)经由返回管路55a、55b返回到第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分(步骤S3)。在该实施方式中,使在步骤S1中被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的五分之四返回到第2处理液供给管路51b内。
接下来,关闭第3开闭阀V3,打开供给泵80的喷射开闭阀V7而驱动供给泵80,并打开第1开闭阀V1和开闭阀V13,由此,使返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和被吸入到供给泵80内的抗蚀剂液L合成,在返回到步骤S1的状态下,将合成后的抗蚀剂液L吸入到泵室72内。此时,自缓冲罐61向泵室72供给的抗蚀剂液L的量与向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量相等。因而,在该实施方式中,通过供给泵80的驱动而自缓冲罐61向第2处理液供给管路51b补充被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的五分之一的量的抗蚀剂液L。
此外,在利用过滤器52对合成后的抗蚀剂液L进行过滤时,打开排放阀V15,将在抗蚀剂液L中存在的气泡自过滤器52经由排放管路56排出。
此处,经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b后的抗蚀剂液L已经被过滤器52过滤,但自缓冲罐61供给的抗蚀剂液L没有被过滤器52过滤。因而,在将由经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和自缓冲罐61补充的抗蚀剂液L合成而成的抗蚀剂液L的过滤次数作为抗蚀剂液L的合成过滤次数而求出时,抗蚀剂液L的合成过滤次数与被吸入到泵70内的抗蚀剂液L的向晶圆喷射的喷射量以及抗蚀剂液L向第2处理液供给管路51b返回的返回量之间的关系由如下的计算式(1)表示。
An=(a+b)/a-b/a×{b/(a+b)}n-1···(1)
此处,An是向晶圆喷射的抗蚀剂液L的合成过滤次数,将由计算式(1)表示的合成过滤次数称作循环合成过滤次数。另外,a、b是向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量与抗蚀剂液L向返回管路55返回的返回量之比中的比数数值,n是使抗蚀剂液L通过过滤器52的次数(处理次数)。另外,抗蚀剂液L的合成过滤次数An相当于与本发明的喷射量和返回量之比率的合成相对应的次数。根据上述计算式(1),通过增大处理次数n,合成过滤次数An饱和到(a+b)/a的值。将该An、n、a、b的关系表示在图13中。
如图13所示,在a=1、b=4时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近5的方式收敛。同样地,在a=1、b=2时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近3的方式收敛,在a=1、b=1时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近2的方式收敛,在a=2、b=1时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近1.5的方式收敛,在a=5、b=1时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近1.2的方式收敛。
在该实施方式中,经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和自缓冲罐61供给的抗蚀剂液L的流量之比是4比1,经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L的过滤次数是1次,自缓冲罐61供给的抗蚀剂液L的过滤次数是0次。在该情况下,如图34和图35所示,被供给到第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分中的抗蚀剂液L的合成过滤次数是0.8次,通过使该抗蚀剂液L通过过滤器52,使抗蚀剂液L的合成过滤次数成为1.8次。
通过重复这样的步骤S1~步骤S3来重复以下工序:使泵70吸入抗蚀剂液L,将被吸入到泵70内的抗蚀剂液L的一部分(五分之一)向晶圆喷射并使被吸入到泵70内的抗蚀剂液L的残余(五分之四)返回第2处理液供给管路51b,自缓冲罐61补充抗蚀剂液L。作为一个例子,将向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量和抗蚀剂液L返回到第2处理液供给管路51b的返回量之比设为1比4时,由于a=1、b=4,因此,若根据上述计算式(1)计算合成过滤次数,则在重复5次步骤S1~步骤S3的情况下(n=5),合成过滤次数A5为3.36次。
接下来,根据表1说明第2-1实施方式的效果。在表1中,示出了相对于循环合成过滤的合成过滤次数An及后述的往复合成过滤的合成过滤次数An的、进行步骤S1~步骤S3时花费的时间(循环时间)和微粒标准化数。此处,微粒标准化数是指,将进行了循环合成过滤或往复合成过滤后的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量与将没有进行过滤的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量之比、或将进行了循环合成过滤或往复合成过滤后的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量与将进行了1次过滤的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量之比。
表1
Figure BDA0000442586530000421
在进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法中,循环时间是24.9秒,微粒标准化数是17,相对于1次过滤的微粒标准化数是77。因而,在进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法中,能够实现与进行1次过滤时大致相同的循环时间,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为17%,与进行了1次过滤后的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为77%。
另外,在进行合成过滤次数An为10次的循环合成过滤方法中,循环时间是35.9秒,微粒标准化数是7,相对于1次过滤的微粒标准化数是32。因而,在进行合成过滤次数An为10次的循环合成过滤方法中,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为7%,与进行了1次过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为32%。另外,与进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法相比,也能够将微粒数量抑制为41%
因而,能够确保与由过滤器进行1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
在该实施方式中,在将被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的一部分经由喷射嘴7向晶圆喷射的状态下,没有将抗蚀剂液L自缓冲罐61吸入到供给泵80内,但是,也可以是,如图30所示,同时进行自喷射嘴7喷射抗蚀剂液L的工序和将喷射量以上的补充量的抗蚀剂液L吸入到供给泵80内的工序。由此,在正在自喷射嘴7喷射抗蚀剂液L时将喷射量以上的补充量的抗蚀剂液L吸入到供给泵80内,因此能够谋求提高生产率。
第2-2实施方式
接下来,根据图36~图39说明本发明的液处理装置的第2-2实施方式。此外,在第2-2实施方式中,对于与第2-1实施方式相同的结构,对相同部分标注相同的附图标记而省略说明。
在第2-2实施方式中,将隔膜泵70的喷射侧和过滤器52的初级侧连接起来的返回管路55相当于能够经由捕集器罐53和过滤器52向第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分供给抗蚀剂液L的第1返回管路55a。
关于步骤S1、S2,第2-2实施方式的动作与表示在第2-1实施方式中进行的动作的图12的步骤S1、S2相同,但步骤S3不同。即,在使吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L返回第2处理液供给管路51b时的抗蚀剂液L的路径不同。
如图39所示,在将流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分向晶圆喷射之后,在关闭第1开闭阀V1、第2开闭阀V2和开闭阀V14并打开第3开闭阀V3和开闭阀V13的状态下向工作室73内供给空气,由此,使流入到泵室72内的抗蚀剂液L经由返回管路55a和过滤器52返回到第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分。然后,与第2-1实施方式同样地,自缓冲罐61补充与向晶圆W喷射抗蚀剂液L的喷射量等量的抗蚀剂液L。因而,在将抗蚀剂液L向隔膜泵70吸入时和使抗蚀剂液L向第2处理液供给管路51b返回时,抗蚀剂液L被过滤器52过滤。
因而,被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分在第1返回管路55a和第2处理液供给管路51b中通过的过程、换言之在第2处理液供给管路51b中往复的过程中被过滤器52过滤(以下称作往复合成过滤)。此时向晶圆喷射的抗蚀剂液L的合成过滤次数An与被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L向晶圆喷射的喷射量以及抗蚀剂液L向第2处理液供给管路51b返回的返回量之间的关系由如下的计算式(2)表示。
An=(a+2b)/a-2b/a×{b/(a+b)}n-1···(2)
此处,将计算式(2)表示的合成过滤次数称作往复合成过滤次数。
在作为一个例子将向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量和抗蚀剂液L返回到第2处理液供给管路51b的返回量之比设为1比4时,由于a=1、b=4,因此,若根据上述计算式(2)计算合成过滤次数,则在重复5次步骤S1~步骤S3的情况下(n=5),合成过滤次数A5为4.21次。
接下来,根据表1说明第2-2实施方式的效果。在第2-2实施方式中的进行合成过滤次数An为5次的往复合成过滤方法中,循环时间是20.5秒,微粒标准化数是18,相对于1次过滤的微粒标准化数是82。因而,在进行合成过滤次数An为5次的往复合成过滤方法中,能够实现比进行1次过滤时快的循环时间,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为18%,与进行了1次过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为82%。
另外,在进行合成过滤次数An为10次的循环往复合成过滤方法中,循环时间是26.0秒,微粒标准化数是8,相对于1次过滤的微粒标准化数是36。因而,在进行合成过滤次数An为10次的往复合成过滤方法中,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为8%,与进行了1次过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为36%。另外,与进行合成过滤次数An为5次的往复合成过滤方法相比,也能够将微粒数量抑制为44%。
因而,与第2-1实施方式同样地,能够确保与由过滤器进行1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
另外,在第2-2实施方式的往复合成过滤方法中,在使抗蚀剂液L返回第2处理液供给管路51b时,也使抗蚀剂液L通过过滤器52,因此,在第2-2实施方式中,与第2-1实施方式相比,能够减少附着在晶圆之上的微粒的数量。
第2-3实施方式
根据图40说明本发明的液处理装置的第2-3实施方式。此外,在第2-3实施方式中,对于与第1实施方式相同的结构,对相同部分标注相同的附图标记而省略说明。
在第2-3实施方式中,在隔膜泵70与第3处理液供给管路51c相连接的连接部替代开闭阀V2而设有止回阀(未图示),流量调整阀V4夹设在第3处理液供给管路51c中的第3处理液供给管路51c与返回管路55相连接的连接部的次级侧的部分上。流量调整阀V4是能够调整向喷射嘴7喷射的抗蚀剂液L的流量的开闭阀。
另外,替代设于隔膜泵70与返回管路55相连接的连接部的第3开闭阀V3,而将流量调整阀V5夹设在隔膜泵70与捕集器罐53之间的第1返回管路55a上。流量调整阀V5是能够调整向第2处理液供给管路51b返回的抗蚀剂液L的流量的开闭阀。该流量调整阀V4、V5由控制部101控制。
关于步骤S1,第2-3实施方式的动作与表示在第2-1实施方式中进行的动作的图12的步骤S1相同,但步骤S2及步骤S3不同。在使流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L经由喷射嘴7向晶圆W喷射时,关闭开闭阀V1和流量调整阀V5并打开流量调整阀V4,通过使驱动部件74驱动而将被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之一)喷射。此时,在第3处理液供给管路51c中流通的抗蚀剂液L的流量由流量调整阀V4调整。
接下来,在使流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b时,关闭流量调整阀V4并打开流量调整阀V5,通过使驱动部件74驱动而使被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之四)流入到返回管路55中。此时,返回到第2处理液供给管路51b的抗蚀剂液L的流量由流量调整阀V5调整。
因而,与第2-1实施方式、第2-2实施方式同样地,能够确保与在没有由过滤器进行抗蚀剂液的过滤时及进行了1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
第3实施方式
以下,根据图41~图48说明本发明的第3实施方式。在此,说明将本发明的液处理装置(抗蚀剂液处理装置)应用于涂敷·显影处理装置的情况。此外,在第3实施方式中,对于与图1~图27所示的第1实施方式相同的部分标注相同的附图标记而省略详细说明。
接下来,说明本发明的液处理装置5的第3-1实施方式。
第3-1实施方式
如图3所示,本发明的液处理装置5包括:处理液容器60,其用于贮存作为处理液的抗蚀剂液L;喷射嘴7,其用于向作为被处理基板的晶圆喷射(供给)抗蚀剂液L;供给管路51,其将处理液容器60和喷射嘴7连接起来;过滤器52,其夹设在供给管路51上,用于过滤抗蚀剂液L;泵70,其夹设在供给管路51中的位于过滤器52的次级侧的部分上;返回管路55,其将泵70的喷射侧和过滤器52的初级侧连接起来;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀V1~V3,该第1开闭阀V1分别设于泵70与过滤器52相连接的连接部、该第2开闭阀V2设于泵70与喷射嘴7相连接的连接部以及该第3开闭阀V3设于泵70与返回管路55相连接的连接部;以及控制部101,其用于控制泵70和第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀V1~V3。
此处,在第3-1实施方式中,将泵70的喷射侧和过滤器52的初级侧连接起来的返回管路55相当于将泵70和捕集器罐53连接起来的第1返回管路55a以及将捕集器罐53和第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来的第2返回管路55b。
在第1气体供给管路58a的位于电空调节器R与处理液容器60之间的部分上夹设有电磁式的开闭阀V11。另外,在第1处理液供给管路51a上夹设有电磁式的开闭阀V12。另外,在第2处理液供给管路51b的位于缓冲罐61与过滤器52之间的部分上夹设有电磁式的开闭阀V13。另外,在第2返回管路55b上夹设有电磁式的开闭阀V14。另外,在排放管路56上夹设有电磁式的排放阀V15、V16。通过来自控制部101的控制信号来控制开闭阀V11~V14、排放阀V15、V16及电空调节器R。
控制部101内置在作为存储介质的控制计算机100内,除了控制部101之外,控制计算机100还内置有:控制程序存储部102,其用于存储控制程序;读取部103,其用于自外部读取数据;以及存储部104,其用于存储数据。另外,控制计算机100还具有与控制部101相连接的输入部105、用于显示液处理装置5的各种状态的监视部106、以及嵌装于读取部103且存储有使控制计算机100执行控制程序的软件的计算机可读取的存储介质107,该控制计算机100构成为根据控制程序来向上述各部输出控制信号。
在控制程序存储部102中存储有控制程序,该控制程序用于执行以下处理:向隔膜泵70吸入抗蚀剂液L、自泵70向喷射嘴7喷射抗蚀剂液L、自隔膜泵70经由返回管路55向第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分供给抗蚀剂液L、使自缓冲罐61补充的抗蚀剂液L和经由返回管路55返回的抗蚀剂液L合成、利用过滤器52以与向喷射嘴7喷射抗蚀剂液L的喷射量和自泵70经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L的返回量之比相应的次数对合成后的抗蚀剂液L进行过滤。
另外,在控制程序存储部102中存储有控制程序,该控制程序用于执行以下工序并进行多次:气泡明显化工序,在使抗蚀剂液L自隔膜泵70经由返回管路55返回过滤器52的初级侧时,驱动隔膜泵70,在将隔膜泵70与捕集器罐53之间的区域减压后进行加压,以使在上述区域内的抗蚀剂液L中存在的微细气泡明显化;脱气工序,将被明显化了的气泡自捕集器罐排出。
另外,控制程序被存储在硬盘、光盘、闪存器、软盘以及存储卡等存储介质107中并被自上述存储介质107安装到控制计算机100中而被使用。
接下来,根据第1实施方式中的图4~图6和图8~图13说明该实施方式中的液处理装置5的动作。首先,根据来自控制部101的控制信号,打开夹设在第1气体供给管路58a上的开闭阀V11和夹设在第1处理液供给管路51a上的开闭阀V12,利用自N2气体供给源62供给到处理液容器60内的N2气体的加压将抗蚀剂液L供给到缓冲罐61内
当向缓冲罐61内供给(补充)规定量的抗蚀剂液L时,根据来自接收到来自上限液面传感器61a的检测信号的控制部101的控制信号关闭开闭阀V11、V12。此时,第1开闭阀V1打开,第2开闭阀V2、第3开闭阀V3关闭。另外,将供排切换阀V4切换到排气侧,在该状态下,利用压力传感器79检测隔膜泵70的工作室73内的压力,将检测出的压力的检测信号传递(输入)到控制部101。另外,在将供排切换阀V4切换到排气侧之后,打开开闭阀V13。
接下来,电空调节器78与减压源75b侧相连通而将工作室73内的空气排出。此时,由流量计77检测排气流量并将检测出的排气流量的检测信号传递(输入)到控制部101。通过进行工作室73内的空气的排气,将规定量的抗蚀剂液L自第2处理液供给管路51b吸入至泵室72(步骤S1)。此时,由于抗蚀剂液L通过过滤器,因此抗蚀剂液L的过滤次数是1次。
接下来,关闭第1开闭阀V1、第3开闭阀V3并打开第2开闭阀V2和供给控制阀57。此时,将供排切换阀V4切换至吸气侧,并将电空调节器78与加压侧相连通而向工作室73内供给空气,从而使被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之一)经由喷射嘴7向晶圆喷射(步骤S2)。
在该情况下,能够利用向工作室73内供给的空气的供给量调整被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的量。即,通过减少向工作室73供给的空气的供给量而减少工作室73的体积的增加,从而使向晶圆喷射的抗蚀剂液L的喷射量变少。另外,通过增加向工作室73供给的空气的供给量而增多工作室73的体积的增加,从而使向晶圆喷射的抗蚀剂液L的喷射量变多。在该实施方式中,向晶圆喷射被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的五分之一。另外,根据存储在存储部104中的数据决定向工作室73供给的空气的供给量。
此外,作为调整被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的量的方法,既可以通过调整空气的供给时间来替代对向工作室73内供给的空气的供给量进行调整,也可以利用自控制部101发出的脉冲信号来调整向工作室73内供给的空气的供给。
接下来,根据图45和图46说明使隔膜泵70与捕集器罐53之间的区域内的抗蚀剂液L中的气体(微细气泡)明显化的气泡明显化工序和将明显化了的气体向外部排出的脱气工序。此外,排放阀V15、V16、吸入侧的第1开闭阀V1、第2开闭阀V2、第3开闭阀V3、供排切换阀V4以及开闭阀V14与图7所示的该控制部101相连接,并根据来自该控制部101的控制信号进行开闭动作。
如图45的(a)所示,在捕集器罐53中设有用于利用未图示的液位传感器来设定抗蚀剂液L的贮存量的上限的传感器线I1,在抗蚀剂液L超过传感器线I1时关闭开闭阀V13,由此,向泵室72和捕集器罐53补充抗蚀剂液L的操作结束。此时,在捕集器罐53的上部形成有气层,在泵室72内充满了抗蚀剂液L。
接着,在关闭吸入侧的第1开闭阀V1、第2开闭阀V2、第3开闭阀V3、排放阀V15、V16以及开闭阀V14的状态下排出工作室73内的空气,由此使泵室72成为负压。通过使泵室72成为负压,从而使在流入到泵室72内的抗蚀剂液L中存在的微细的气泡明显化(气泡明显化工序)。
此处,在上述气泡明显化工序中,也可以在打开吸入侧的第1开闭阀V1并关闭第2开闭阀V2、第3开闭阀V3、排放阀V15、V16以及开闭阀V14的状态下排出工作室73内的空气。通过在打开吸入侧的第1开闭阀V1的状态下排出工作室73内的空气,能够减少在使补充到泵室72和捕集器罐53内的抗蚀剂液L中的气泡明显化时所需要的隔膜泵70的排气量。
此处,说明通过在打开吸入侧的第1开闭阀V1的状态下排出工作室73内的空气而能够减少隔膜泵70的排气量的理由。在随着工作室73内的空气的排气而使泵室72的体积增加时,泵室72和捕集器罐53内的抗蚀剂液L的体积基本上没有变化,但捕集器罐53内的气层的体积增加。因此,该气层的压力随着体积的增加而减小。另外,由于与该气层相接触的抗蚀剂液L的压力与气层的压力维持平衡,因此抗蚀剂液L的压力也减小。由于能够溶入到抗蚀剂液L内的微细的气泡随着抗蚀剂液L的压力的减小而减少,因此,通过使抗蚀剂液L的压力减小,从而使不能溶入的气泡明显化。
因而,通过在打开吸入侧的第1开闭阀V1的状态下排出工作室73内的空气,即使是排气量较少的隔膜泵,也能够使在抗蚀剂液L中存在的微细的气泡明显化。
接着,如图45的(b)所示,在关闭吸入侧的第1开闭阀V1的状态下打开第3开闭阀V3和开闭阀V14,在将供排切换阀V4切换到加压源75a那一侧的状态下将电空调节器78与加压侧相连通,从而向工作室73内供给空气。通过向工作室73内供给空气,从而使在流入到泵室72内的抗蚀剂液L中明显化了的气泡向贮存在捕集器罐53内的抗蚀剂液L移动(气泡移动工序)。此处,由于排放阀V16关闭,因此,移动到捕集器罐53内的气泡成为捕集器罐53上部的气层而对捕集器罐53内的抗蚀剂液L加压。因此,贮存在捕集器罐53内的抗蚀剂液L的一部分向第2返回管路55b流通,贮存在捕集器罐53内的抗蚀剂液L的贮存量减少。
当多次进行气泡明显化工序和气泡移动工序而使贮存在捕集器罐53内的抗蚀剂液L的贮存量达到由未图示的液位传感器检测的传感器线I2以下时,在如图46所示那样关闭开闭阀V14的状态下打开排放阀V16,将捕集器罐53内的气泡经由排放管路56向外部排出(脱气工序)。此时,打开开闭阀V13,使贮存在缓冲罐61内的抗蚀剂液L的一部分经由第2处理液供给管路51b流入到捕集器罐53内。在流入到捕集器罐53内的抗蚀剂液L的液面到达传感器线I1时关闭开闭阀V13,使抗蚀剂液L向捕集器罐53的流入结束。
通过上述结构,能够在使补充到隔膜泵70与捕集器罐53之间的区域内的抗蚀剂液L中溶解的气体(微细气泡)明显化之后进行脱气。因此,能够抑制气体向返回过滤器52的初级侧的抗蚀剂液L中混入。
另外,由于如此重复进行气泡明显化工序和脱气工序,因此能够高效地将在贮存在泵室72和捕集器罐53内的抗蚀剂液L中存在的气泡去除。
通过上述设置,使在抗蚀剂液L中存在的微细气泡明显化并进行脱气而去除微细气泡,之后,关闭第1开闭阀V1和第2开闭阀V2,并打开第3开闭阀V3和开闭阀V14,增加工作室73内的空气的供给量,从而使被吸入到泵室72内的余下的抗蚀剂液L(例如五分之四)经由返回管路55a、55b返回到第2处理液供给管路51b内(步骤S3)。在该实施方式中,使在步骤S1中被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的五分之四返回到第2处理液供给管路51b内。
接下来,关闭第3开闭阀V3并打开第1开闭阀V1和开闭阀V13,由此,使返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和补充到缓冲罐61内的抗蚀剂液L合成,在返回到步骤S1的状态下,将合成后的抗蚀剂液L吸入到泵室72内。此时,自缓冲罐61向泵室72供给的抗蚀剂液L的量与向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量相等。因而,在该实施方式中,自缓冲罐61向第2处理液供给管路51b补充被吸入到泵室72内的抗蚀剂液L的五分之一的量的抗蚀剂液L。
此处,经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b后的抗蚀剂液L已经被过滤器52过滤,但自缓冲罐61供给的抗蚀剂液L没有被过滤器52过滤。因而,在将由经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和自缓冲罐61补充的抗蚀剂液L合成而成的抗蚀剂液L的过滤次数作为抗蚀剂液L的合成过滤次数而求出时,抗蚀剂液L的合成过滤次数与被吸入到泵70内的抗蚀剂液L的向晶圆喷射的喷射量以及抗蚀剂液L向第2处理液供给管路51b返回的返回量之间的关系由如下的计算式(1)表示。
An=(a+b)/a-b/a×{b/(a+b)}n-1···(1)
此处,An是向晶圆喷射的抗蚀剂液L的合成过滤次数,将由计算式(1)表示的合成过滤次数称作循环合成过滤次数。另外,a、b是向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量与抗蚀剂液L向返回管路55返回的返回量之比,n是使抗蚀剂液L通过过滤器52的次数(处理次数)。另外,抗蚀剂液L的合成过滤次数An相当于与本发明的喷射量和返回量之比率的合成相应的次数。根据上述计算式(1),通过增大处理次数n,合成过滤次数An饱和到(a+b)/a的值。将该An、n、a、b的关系表示在图13中。
如图13所示,在a=1、b=4时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近5的方式收敛。同样地,在a=1、b=2时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近3的方式收敛,在a=1、b=1时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近2的方式收敛,在a=2、b=1时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近1.5的方式收敛,在a=5、b=1时,随着处理次数n的增加,合成过滤次数An以接近1.2的方式收敛。
在该实施方式中,经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和自缓冲罐61供给的抗蚀剂液L的流量之比是4比1,经由返回管路55返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L的过滤次数是1次,自缓冲罐61供给的抗蚀剂液L的过滤次数是0次。在该情况下,如图10和图11所示,被供给到第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分中的抗蚀剂液L的合成过滤次数是0.8次,通过使该抗蚀剂液L通过过滤器52,使抗蚀剂液L的合成过滤次数成为1.8次。
通过重复这样的步骤S1~步骤S3来重复以下工序:使隔膜泵70吸入抗蚀剂液L,将被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分(五分之一)向晶圆喷射并使被吸入到泵70内的抗蚀剂液L的残余(五分之四)返回第2处理液供给管路51b,自缓冲罐61补充抗蚀剂液L。作为一个例子,将向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量和抗蚀剂液L返回到第2处理液供给管路51b的返回量之比设为1比4时,由于a=1、b=4,因此,若根据上述计算式(1)计算合成过滤次数,则在重复5次步骤S1~步骤S3的情况下(n=5),合成过滤次数A5为3.36次。
接下来,根据表1说明第3-1实施方式的效果。在表1中,示出了相对于循环合成过滤的合成过滤次数An及后述的往复合成过滤的合成过滤次数An的、进行步骤S1~步骤S3时花费的时间(循环时间)和微粒标准化数。此处,微粒标准化数是指,将进行了循环合成过滤或往复合成过滤后的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量与将没有进行过滤的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量之比、或将进行了循环合成过滤或往复合成过滤后的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量与将进行了1次过滤的抗蚀剂液L喷射到晶圆上时的微粒数量之比。
表1
Figure BDA0000442586530000541
Figure BDA0000442586530000551
在进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法中,循环时间是24.9秒,微粒标准化数是17,相对于1次过滤的微粒标准化数是77。因而,在进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法中,能够实现与进行1次过滤时大致相同的循环时间,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为17%,与进行了1次过滤后的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为77%。
另外,在进行合成过滤次数An为10次的循环合成过滤方法中,循环时间是35.9秒,微粒标准化数是7,相对于1次过滤的微粒标准化数是32。因而,在进行合成过滤次数An为10次的循环合成过滤方法中,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为7%,与进行了1次过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为32%。另外,与进行合成过滤次数An为5次的循环合成过滤方法相比,也能够将微粒数量抑制为41%。
因而,能够确保与由过滤器进行1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
第3-2实施方式
接下来,根据图41~图44说明本发明的液处理装置的第3-2实施方式。此外,在第3-2实施方式中,对于与第3-1实施方式相同的结构,对相同部分标注相同的附图标记而省略说明。
在第3-2实施方式中,将隔膜泵70的喷射侧和过滤器52的初级侧连接起来的返回管路55相当于能够经由捕集器罐53和过滤器52向第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分供给抗蚀剂液L的第1返回管路55a。
关于步骤S1、S2,第3-2实施方式的动作与表示在第1实施方式中进行的动作的图12的步骤S1、S2相同,但步骤S3不同。即,在使吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L返回到第2处理液供给管路51b时的抗蚀剂液L的路径不同。
在将流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分向晶圆喷射之后,在关闭第1开闭阀V1、第2开闭阀V2和开闭阀V14并打开第3开闭阀V3和开闭阀V13的状态下向工作室73内供给空气,由此,使流入到泵室72内的抗蚀剂液L经由返回管路55a和过滤器52返回到第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分。然后,与第1实施方式同样地,自缓冲罐61补充与向晶圆W喷射抗蚀剂液L的喷射量等量的抗蚀剂液L。因而,在将抗蚀剂液L向隔膜泵70吸入时和使抗蚀剂液L向第2处理液供给管路51b返回时,抗蚀剂液L被过滤器52过滤。
因而,被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分在第1返回管路55a和第2处理液供给管路51b中通过的过程、换言之在第2处理液供给管路51b中往复的过程中被过滤器52过滤(以下称作往复合成过滤)。此时向晶圆喷射的抗蚀剂液L的合成过滤次数An与被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L向晶圆喷射的喷射量以及抗蚀剂液L向第2处理液供给管路51b返回的返回量之间的关系由如下的计算式(2)表示。
An=(a+2b)/a-2b/a×{b/(a+b)}n-1···(2)
此处,将计算式(2)表示的合成过滤次数称作往复合成过滤次数。
在作为一个例子,将向晶圆喷射抗蚀剂液L的喷射量和抗蚀剂液L返回到第2处理液供给管路51b的返回量之比设为1比4时,由于a=1、b=4,因此,若根据上述计算式(2)计算合成过滤次数,则在重复5次步骤S1~步骤S3的情况下(n=5),合成过滤次数A5为4.21次。
接下来,根据表1说明第3-2实施方式的效果。在第3-2实施方式中的进行合成过滤次数An为5次的往复合成过滤方法中,循环时间是20.5秒,微粒标准化数是18,相对于1次过滤的微粒标准化数是82。因而,在进行合成过滤次数An为5次的往复合成过滤方法中,能够实现比进行1次过滤时快的循环时间,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为18%,与进行了1次过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为82%。
另外,在进行合成过滤次数An为10次的循环往复合成过滤方法中,循环时间是26.0秒,微粒标准化数是8,相对于1次过滤的微粒标准化数是36。因而,在进行合成过滤次数An为10次的往复合成过滤方法中,与没有过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为8%,与进行了1次过滤的抗蚀剂液L相比,能够将微粒数量抑制为36%。另外,与进行合成过滤次数An为5次的往复合成过滤方法相比,也能够将微粒数量抑制为44%。
因而,与第3-1实施方式同样地,能够确保与进行1次过滤器的过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
另外,在第3-2实施方式的往复合成过滤方法中,在使抗蚀剂液L返回到第2处理液供给管路51b时,也使抗蚀剂液L通过过滤器52,因此,在第3-2实施方式中,与第3-1实施方式相比,能够减少附着在晶圆之上的微粒的数量。
第3-3实施方式
根据图47~图48和第1实施方式中的图18~图21说明本发明的液处理装置的第3-3实施方式。此外,在第3-3实施方式中,对于与第3-1实施方式及第3-2实施方式相同的结构,对相同部分标注相同的附图标记而省略说明。
第3-3实施方式的返回管路85包括构成主返回管路的第1主返回管路85a和第2主返回管路85b以及将过滤器52的次级侧和过滤器52的初级侧连接起来的副返回管路85c。第1主返回管路85a将泵70的喷射侧和捕集器罐53连接起来,第2主返回管路85b将捕集器罐53和第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52的初级侧的部分连接起来。在该情况下,第2主返回管路85b连接于第2处理液供给管路51b中的位于开闭阀V13与过滤器52之间的部分。另外,副返回管路85c将第2处理液供给管路51b中的位于过滤器52与捕集器罐53之间的部分和第2处理液供给管路51b中的位于缓冲罐61与过滤器52之间的部分连接起来。
在第2处理液供给管路51b中的、位于过滤器52的次级侧的部分和副返回管路85c相连接的连接部同捕集器罐53之间的部分上夹设有电磁式的开闭阀V21。另外,在第2主返回管路85b上夹设有电磁式的开闭阀V24,在副返回管路85c上夹设有电磁式的开闭阀V25。上述开闭阀V21、V24、V25形成为能够由来自上述控制部(未图示)的控制信号控制。
关于步骤S1、S2,第3-3实施方式的动作与表示在第3-1实施方式中进行的动作的图12的步骤S1(图19所示的向泵室72吸入抗蚀剂液L)及步骤S2(图20所示的向晶圆W喷射抗蚀剂液L)相同,但步骤S3不同。
即,如图21所示,在使流入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L经由返回管路85返回第2处理液供给管路51b时,关闭第2开闭阀V2并打开开闭阀V24、V25,通过使驱动部件74驱动而使被吸入到隔膜泵70内的抗蚀剂液L的一部分(例如五分之四)流入到返回管路85中。
接下来,如图19所示,关闭第3开闭阀V3和开闭阀V24、V25并打开第1开闭阀V1和开闭阀V13、V21,从而使返回到第2处理液供给管路51b内的抗蚀剂液L和补充到缓冲罐61内的抗蚀剂液L合成,在返回到步骤S1的状态下,将合成后的抗蚀剂液L吸入到泵室72内。
因而,与第3-1实施方式及第3-2实施方式同样地,能够确保与在没有由过滤器52进行抗蚀剂液的过滤时和进行了1次过滤时相同的生产率并提高过滤效率,因此,无需大幅度变更装置就能够利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。
接下来,根据图47和图48说明第3-3实施方式中的使隔膜泵70与捕集器罐53之间的区域内的抗蚀剂液L中的气体(微细气泡)明显化的气泡明显化工序和将明显化了的气体向外部排出的脱气工序。此外,排放阀V15、V16、吸入侧的第1开闭阀V1、第2开闭阀V2、第3开闭阀V3、供排切换阀V4、开闭阀V14以及开闭阀21与图7所示的该控制部101相连接,并根据来自该控制部101的控制信号进行开闭动作。
如图47的(a)所示,在捕集器罐53中设有用于利用未图示的液位传感器来设定抗蚀剂液L的贮存量的上限的传感器线I1,在抗蚀剂液L超过传感器线I1时关闭开闭阀V13、V21,由此,向泵室72和捕集器罐53补充抗蚀剂液L的操作结束。此时,在捕集器罐53的上部形成有气层,在泵室72内充满了抗蚀剂液L。
接着,在打开吸入侧的第1开闭阀V1并关闭第2开闭阀V2、第3开闭阀V3、排放阀V15、V16以及开闭阀V14的状态下排出工作室73内的空气,由此使泵室72成为负压。
通过在打开吸入侧的第1开闭阀V1的状态下排出工作室73内的空气,能够减少在使补充到泵室72和捕集器罐53内的抗蚀剂液L中的气泡明显化时所需要的隔膜泵70的排气量。
此处,说明通过在打开吸入侧的第1开闭阀V1的状态下排出工作室73内的空气而能够减少隔膜泵70的排气量的理由。在随着工作室73内的空气的排气而使泵室72的体积增加时,泵室72和捕集器罐53内的抗蚀剂液L的体积基本上没有变化,但捕集器罐53内的气层的体积增加。因此,该气层的压力随着体积的增加而减小。另外,由于与该气层相接触的抗蚀剂液L的压力与气层的压力维持平衡,因此抗蚀剂液L的压力也减小。由于能够溶入到抗蚀剂液L内的微细的气泡随着抗蚀剂液L的压力的减小而减少,因此,通过使抗蚀剂液L的压力减小,从而使不能溶入的气泡明显化(气泡明显化工序)。
接着,如图47的(b)所示,在关闭吸入侧的第1开闭阀V1的状态下打开第3开闭阀V3和开闭阀V14,在将供排切换阀V4切换到加压源75a那一侧的状态下将电空调节器78与加压侧相连通,从而向工作室73内供给空气。通过向工作室73内供给空气,从而使在流入到泵室72内的抗蚀剂液L中明显化了的气泡向贮存在捕集器罐53内的抗蚀剂液L移动(气泡移动工序)。此处,由于排放阀V16关闭,因此,移动到捕集器罐53内的气泡和在捕集器罐53内的抗蚀剂液L中明显化了的气泡成为捕集器罐53上部的气层而对捕集器罐53内的抗蚀剂液L加压。因此,贮存在捕集器罐53内的抗蚀剂液L的一部分向第2返回管路55b流通,贮存在捕集器罐53内的抗蚀剂液L的贮存量减少。
当多次进行气泡明显化工序和气泡移动工序而使贮存在捕集器罐53内的抗蚀剂液L的贮存量达到由未图示的液位传感器检测的传感器线I2以下时,在如图48所示那样关闭开闭阀V14的状态下打开排放阀V16,将捕集器罐53内的气泡经由排放管路56向外部排出(脱气工序)。此时,打开开闭阀V13,使贮存在缓冲罐61内的抗蚀剂液L的一部分经由第2处理液供给管路51b流入到捕集器罐53内。在流入到捕集器罐53内的抗蚀剂液L的液面到达传感器线I1时关闭开闭阀V13,使抗蚀剂液L向捕集器罐53的流入结束。
通过上述结构,能够在使补充到隔膜泵70与捕集器罐53之间的区域内的抗蚀剂液L中溶解的气体(微细气泡)明显化之后进行脱气。因此,能够抑制气体向返回过滤器52的初级侧的抗蚀剂液L中混入。
另外,由于如此重复进行气泡明显化工序和脱气工序,因此能够高效地将在贮存在泵室72和捕集器罐53内的抗蚀剂液L中存在的气泡去除。
此外,在第3-1实施方式和第3-2实施方式中,通过在第2处理液供给管路51b中的将过滤器52的次级侧和捕集器罐53连接起来的部分上夹设开闭阀V21,还能够将第3实施方式中的气泡明显化工序和脱气工序应用于第3-1实施方式和第3-2实施方式。

Claims (26)

1.一种液处理装置,其特征在于,
该液处理装置包括:
处理液容器,其用于贮存处理液;
喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;
供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;
过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;
泵,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;
返回管路,其将该泵的喷射侧和上述过滤器的初级侧连接起来;
第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及
控制部,其用于控制上述泵以及第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,
根据来自上述控制部的控制信号,将由于上述泵的吸入而通过上述过滤器的处理液的一部分自上述喷射嘴喷射,使余下的处理液返回到供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分,将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数进行喷射和由上述过滤器进行过滤。
2.根据权利要求1所述的液处理装置,其特征在于,
上述泵是可变容量泵。
3.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
上述返回管路是将上述泵和供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分连接起来的管路。
4.根据权利要求3所述的液处理装置,其特征在于,
在上述返回管路上夹设有开闭阀并将该开闭阀形成为能够由上述控制部控制。
5.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
上述返回管路是将上述泵和供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分连接起来的管路。
6.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
上述返回管路由将上述泵和上述过滤器的初级侧连接起来的主返回管路、以及将上述过滤器的次级侧和该过滤器的初级侧连接起来的副返回管路构成。
7.根据权利要求6所述的液处理装置,其特征在于,
在上述主返回管路和副返回管路上分别夹设有开闭阀并将上述开闭阀形成为能够由上述控制部控制。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的液处理装置,其特征在于,
上述第2开闭阀和第3开闭阀是能够控制流量的开闭阀。
9.一种液处理方法,该液处理方法是使用液处理装置的液处理方法,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;返回管路,其将该泵的喷射侧和上述过滤器的初级侧连接起来;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵以及第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,
该液处理方法的特征在于,
该液处理方法包括以下工序:
利用上述泵的吸入将通过上述过滤器的规定量的处理液吸入到上述泵内的工序;
将吸入到上述泵内的上述处理液的一部分自上述喷射嘴喷射的工序;
使上述泵内的余下的处理液返回到上述过滤器的初级侧的工序;
将与喷射量相等的补充量以加入到返回量中而进行合成的工序;以及
对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤的工序。
10.一种液处理装置,其特征在于,
该液处理装置包括:
处理液容器,其用于贮存处理液;
喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;
供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;
过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;
泵,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;
返回管路,其将该泵的喷射侧和上述过滤器的初级侧连接起来;
供给泵,其夹设在上述供给管路中的将上述处理容器和上述过滤器的初级侧连接起来的部分上;
吸入开闭阀和喷射开闭阀,该吸入开闭阀设于上述供给泵的吸入侧,该喷射开闭阀设于上述供给泵的喷射侧;
第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及
控制部,其用于控制上述泵、上述第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀、上述供给泵、上述供给开闭阀以及喷射开闭阀,
根据来自上述控制部的控制信号,将由于上述泵的吸入而通过上述过滤器的处理液的一部分自上述喷射嘴喷射,使余下的处理液返回到供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分,通过驱动上述供给泵而将与上述喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,并对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤。
11.根据权利要求10所述的液处理装置,其特征在于,
在与上述过滤器相连接的排放管路上夹设有排放阀并将该排放阀形成为能够由上述控制部控制。
12.根据权利要求10或11所述的液处理装置,其特征在于,
上述泵和上述供给泵是可变容量泵。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的液处理装置,其特征在于,
上述返回管路是将上述泵和供给管路中的上述过滤器的初级侧的部分连接起来的管路。
14.根据权利要求10至12中任一项所述的液处理装置,其特征在于,
上述返回管路是将上述泵和供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分连接起来的管路。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的液处理装置,其特征在于,
上述第2开闭阀和第3开闭阀是能够控制流量的开闭阀。
16.一种液处理方法,该液处理方法是使用液处理装置的液处理方法,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;返回管路,其将该泵的喷射侧和上述泵的初级侧连接起来;供给泵,其夹设在上述供给管路中的将上述处理容器和上述过滤器的初级侧连接起来的部分上;吸入开闭阀和喷射开闭阀,该吸入开闭阀设于上述供给泵的吸入侧,该喷射开闭阀设于上述供给泵的喷射侧;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵、上述第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀、上述供给泵、上述供给开闭阀以及喷射开闭阀,
该液处理方法的特征在于,
该液处理方法包括以下工序:
利用上述泵的吸入将通过上述过滤器的规定量的处理液吸入到上述泵内的工序;
将吸入到上述泵内的上述处理液的一部分自上述喷射嘴喷射的工序;
使上述泵内的余下的处理液返回到上述过滤器的初级侧的工序;
通过驱动上述供给泵而将与上述喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成的工序;以及
对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤的工序。
17.根据权利要求16所述的液处理方法,其特征在于,
该液处理方法包括同时进行自上述喷射嘴喷射处理液的工序和将喷射量以上的补充量吸入到上述供给泵内的工序。
18.根据权利要求16所述的液处理方法,其特征在于,
在与上述过滤器相连接的排放管路上夹设有排放阀并将该排放阀形成为能够由上述控制部控制,上述液处理方法还包括在进行上述合成的工序时打开上述排放阀而将在处理液中存在的气泡自上述过滤器排出的脱气工序。
19.一种液处理装置,其特征在于,
该液处理装置包括:
处理液容器,其用于贮存处理液;
喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;
供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;
过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;
泵,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;
捕集器罐,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧与上述泵的之间的部分上并与具有排放阀的排放管路相连接;
返回管路,其由将上述泵的喷射侧和上述捕集器罐连接起来的第1返回管路、以及将上述捕集器罐和上述过滤器的初级侧连接起来的第2返回管路构成;
第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及
控制部,其用于控制上述泵、第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀以及上述排放阀,
根据来自上述控制部的控制信号,将由于上述泵的吸入而通过上述过滤器的处理液的一部分自上述喷射嘴喷射,在使余下的处理液返回到供给管路中的位于上述过滤器的初级侧的部分时,多次进行气泡明显化工序和脱气工序,在该气泡明显化工序中,通过驱动上述泵而在对上述泵与上述捕集器罐之间的区域进行减压后进行加压,从而使在上述区域内的处理液中存在的微细气泡明显化,在该脱气工序中,将明显化后的气泡自上述捕集器罐排出。
20.根据权利要求19所述的液处理装置,其特征在于,
在上述供给管路中的将上述过滤器的次级侧和上述捕集器罐连接起来的部分上夹设有开闭阀并将该开闭阀形成为能够由上述控制部控制,
在关闭上述开闭阀的状态下,通过驱动上述泵而多次进行上述气泡明显化工序和脱气工序。
21.根据权利要求19或20所述的液处理装置,其特征在于,
根据来自上述控制部的信号,在多次进行上述气泡明显化工序和脱气工序之后,将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成,对合成后处理液以与上述喷射量和上述返回量之比的合成相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤。
22.根据权利要求19至21中任一项所述的液处理装置,其特征在于,
上述泵是可变容量泵。
23.根据权利要求19至22中任一项所述的液处理装置,其特征在于,
上述第2开闭阀和第3开闭阀是能够控制流量的开闭阀。
24.一种液处理方法,该液处理方法是使用液处理装置的液处理方法,该液处理装置包括:处理液容器,其用于贮存处理液;喷射嘴,其用于向被处理基板喷射上述处理液;供给管路,其将上述处理液容器和上述喷射嘴连接起来;过滤器,其夹设在上述供给管路上,用于过滤上述处理液;泵,其夹设在供给管路中的位于上述过滤器的次级侧的部分上;捕集器罐,其夹设在上述供给管路中的位于上述过滤器的次级侧与上述泵的之间的部分上并与具有排放阀的排放管路相连接;返回管路,其由将上述泵的喷射侧和上述捕集器罐连接起来的第1返回管路、以及将上述捕集器罐和上述过滤器的初级侧连接起来的第2返回管路构成;第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀,该第1开闭阀设于上述泵与上述过滤器相连接的连接部,该第2开闭阀设于上述泵与上述喷射嘴相连接的连接部,该第3开闭阀设于上述泵与上述返回管路相连接的连接部;以及控制部,其用于控制上述泵、第1开闭阀、第2开闭阀和第3开闭阀以及上述排放阀,
该液处理方法的特征在于,
该液处理方法包括以下工序:
利用上述泵的吸入将通过上述过滤器的规定量的处理液吸入到上述泵内的工序;
将吸入到上述泵内的上述处理液的一部分自上述喷射嘴喷射的工序;
使上述泵内的余下的处理液返回上述过滤器的初级侧的工序;
通过驱动上述泵而在对上述泵与上述捕集器罐之间的区域进行减压后进行加压,使在上述区域内的处理液中存在的微细气泡明显化的气泡明显化工序;
以及将明显化后的气泡自上述捕集器罐排出的脱气工序,
在该液处理方法中多次进行上述气泡明显化工序和上述脱气工序。
25.根据权利要求24所述的液处理方法,其特征在于,
在上述供给管路中的将上述过滤器的次级侧和上述捕集器罐连接起来的部分上夹设有开闭阀并将该开闭阀形成为能够由上述控制部控制,在关闭上述开闭阀的状态下,通过驱动上述泵而多次进行上述气泡明显化工序和脱气工序。
26.根据权利要求24或25所述的液处理方法,其特征在于,
上述液处理方法还包括以下工序:
在多次进行上述气泡明显化工序和脱气工序之后将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成的工序;以及
对合成后的处理液以与上述喷射量和上述返回量之比的合成相应的次数进行上述处理液的喷射和由上述过滤器进行过滤的工序。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107768280A (zh) * 2016-08-23 2018-03-06 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法和记录介质
CN109482381A (zh) * 2017-09-11 2019-03-19 东京毅力科创株式会社 处理液供给装置以及基板处理系统
CN109752868A (zh) * 2017-11-06 2019-05-14 夏普株式会社 液体循环装置
CN110034041A (zh) * 2018-01-12 2019-07-19 株式会社斯库林集团 处理液供给装置及其脱气方法
CN115116891A (zh) * 2021-03-23 2022-09-27 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6020405B2 (ja) * 2013-10-02 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP5967045B2 (ja) * 2013-10-02 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP6370567B2 (ja) * 2014-03-13 2018-08-08 エイブリック株式会社 現像装置
KR101950565B1 (ko) * 2014-05-15 2019-02-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 포토레지스트 공급 시스템에서의 증가한 재순환 및 필터링을 위한 방법 및 장치
JP2016084719A (ja) * 2014-10-23 2016-05-19 東京エレクトロン株式会社 送液方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US10121685B2 (en) * 2015-03-31 2018-11-06 Tokyo Electron Limited Treatment solution supply method, non-transitory computer-readable storage medium, and treatment solution supply apparatus
US10295903B2 (en) * 2016-08-25 2019-05-21 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium
JP6942497B2 (ja) * 2016-09-08 2021-09-29 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置
JP6966260B2 (ja) 2017-08-30 2021-11-10 株式会社Screenホールディングス ポンプ装置、処理液供給装置および基板処理装置
JP6966265B2 (ja) 2017-08-31 2021-11-10 株式会社Screenホールディングス ポンプ装置、処理液供給装置、基板処理装置、液抜き方法および液置換方法
CN111433888B (zh) 2017-12-12 2023-09-26 东京毅力科创株式会社 液供给装置和液供给方法
TWI800623B (zh) 2018-03-23 2023-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 液處理裝置及液處理方法
US11273396B2 (en) 2018-08-31 2022-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Liquid supply system with improved bubble venting capacity
CN112786479B (zh) * 2019-11-08 2022-12-02 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 管理液体供应的系统与方法
KR102616521B1 (ko) * 2020-10-08 2023-12-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
CN112170125A (zh) * 2020-10-09 2021-01-05 昆山聚创新能源科技有限公司 电池涂布机浆料自动输送系统
CN113814097B (zh) * 2020-10-14 2023-05-12 台湾积体电路制造股份有限公司 液体供应系统以及液体供应方法
HUE069497T2 (hu) * 2020-10-23 2025-03-28 Lg Energy Solution Ltd Elektróda szigetelõ folyadék adagoló berendezés és eljárás elektróda szigetelõ folyadék adagolására
WO2024219301A1 (ja) * 2023-04-18 2024-10-24 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW497168B (en) * 2000-03-27 2002-08-01 Tokyo Electron Ltd Treatment solution supply apparatus and treatment solution supply method
JP2007035733A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薬液処理装置
US20080087615A1 (en) * 2004-11-25 2008-04-17 Katsuto Taniguchi Photoresist Coating Liquid Supplying Apparatus, And Photoresist Coating Liquid Supplying Method And Photoresist Coating Apparatus Using Such Photoresist Coating Liquid Supplying Apparatus
JP2011238666A (ja) * 2010-05-06 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 薬液供給システム、これを備える基板処理装置、およびこの基板処理装置を備える塗布現像システム
CN102683245A (zh) * 2011-03-16 2012-09-19 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH057345A (ja) 1991-06-21 1993-01-14 Canon Inc 撮像装置
JP2972970B2 (ja) * 1992-04-24 1999-11-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4011210B2 (ja) * 1998-10-13 2007-11-21 株式会社コガネイ 薬液供給方法および薬液供給装置
JP3583058B2 (ja) * 1999-07-02 2004-10-27 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置
JP2001267282A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3890229B2 (ja) * 2001-12-27 2007-03-07 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給装置の脱気方法
JP3947398B2 (ja) * 2001-12-28 2007-07-18 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
JP4590877B2 (ja) * 2004-02-09 2010-12-01 凸版印刷株式会社 塗工装置
KR100772844B1 (ko) * 2005-11-30 2007-11-02 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 감광액 공급장치
US20080169230A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Toshiba America Electronic Components, Inc. Pumping and Dispensing System for Coating Semiconductor Wafers
KR100935975B1 (ko) * 2007-03-27 2010-01-08 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
JP4954105B2 (ja) * 2008-01-29 2012-06-13 東京応化工業株式会社 薬液の再利用システム
JP4879253B2 (ja) * 2008-12-04 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置
JP2013505656A (ja) * 2009-09-29 2013-02-14 エヌイーシー ヨーロッパ リミテッド 自己組織化無線ネットワークで通信を実行する方法
JP5038378B2 (ja) * 2009-11-11 2012-10-03 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
JP2011238820A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Toppan Printing Co Ltd 塗布装置
JP5255660B2 (ja) * 2011-01-18 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 薬液供給方法及び薬液供給システム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW497168B (en) * 2000-03-27 2002-08-01 Tokyo Electron Ltd Treatment solution supply apparatus and treatment solution supply method
US20080087615A1 (en) * 2004-11-25 2008-04-17 Katsuto Taniguchi Photoresist Coating Liquid Supplying Apparatus, And Photoresist Coating Liquid Supplying Method And Photoresist Coating Apparatus Using Such Photoresist Coating Liquid Supplying Apparatus
JP2007035733A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薬液処理装置
JP2011238666A (ja) * 2010-05-06 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 薬液供給システム、これを備える基板処理装置、およびこの基板処理装置を備える塗布現像システム
CN102683245A (zh) * 2011-03-16 2012-09-19 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107768280A (zh) * 2016-08-23 2018-03-06 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法和记录介质
CN109482381A (zh) * 2017-09-11 2019-03-19 东京毅力科创株式会社 处理液供给装置以及基板处理系统
CN109482381B (zh) * 2017-09-11 2022-06-14 东京毅力科创株式会社 处理液供给装置以及基板处理系统
TWI795432B (zh) * 2017-09-11 2023-03-11 日商東京威力科創股份有限公司 處理液供給裝置及基板處理系統
CN109752868A (zh) * 2017-11-06 2019-05-14 夏普株式会社 液体循环装置
CN109752868B (zh) * 2017-11-06 2021-07-13 夏普株式会社 液体循环装置
CN110034041A (zh) * 2018-01-12 2019-07-19 株式会社斯库林集团 处理液供给装置及其脱气方法
CN110034041B (zh) * 2018-01-12 2023-08-04 株式会社斯库林集团 处理液供给装置及其脱气方法
CN115116891A (zh) * 2021-03-23 2022-09-27 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法

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