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CN103336393B - 一种像素结构、阵列基板及显示装置 - Google Patents

一种像素结构、阵列基板及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种像素结构、阵列基板及显示装置，属于液晶显示技术领域，其可解决现有的像素结构的狭缝电极中间形成的暗影区较宽的问题。本发明的像素结构，包括狭缝电极和板状电极，所述狭缝电极包括至少两层结构，每层结构包括多个电极部以及位于相邻的电极部之间的多个狭缝，上层结构的电极部设于下层结构的狭缝上方，且所有各层的电极部在阵列基板上的投影均不重合；所述板状电极设于狭缝电极下方，且与狭缝电极通过绝缘层隔开。

Description

一种像素结构、阵列基板及显示装置
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种像素结构、阵列基板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示装置（Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD）是一种主要的平板显示装置（Flat PanelDisplay，简称FPD）。
根据驱动液晶的电场方向，TFT-LCD分为垂直电场型和水平电场型。其中，垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极；然而水平电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。水平电场型TFT-LCD，尤其是ADS型TFT-LCD具有广视角、开口率高等优点，广泛应用于液晶显示技术领域。
如图1所示，ADS型TFT-LCD有多种不同类型，但这些不同类型的ADS型TFT-LCD都有一个共同点，通过板状电极102和狭缝电极103形成水平电场。其中板状电极102可为公共电极而狭缝电极103为像素电极，或者也可反之。
结合图2所示，ADS型TFT-LCD包括板状电极102和位于板状电极102上的一层狭缝电极103（包括条状的电极部1031和狭缝1032且与板状电极102通过绝缘层104隔开），板状电极102设于基底101上方(狭缝电极103和片状电极102的材料均可采用透明的氧化铟锡（ITO）等。但现有的一层结构的狭缝电极103设计会导致电场分布不合理，在图2中可以看出，在狭缝电极103的中部会形成较宽的暗影区Q1，导致透过率下降，引起使用者对产品性能的满意度降低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的像素结构的狭缝电极中间会形成的暗影区较宽的问题，提供一种可以减少暗影区的像素结构、阵列基板及显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种像素结构，包括狭缝电极和板状电极，所述狭缝电极包括至少两层结构，每层结构包括多个电极部以及位于相邻的电极部之间的多个狭缝，上层结构的电极部设于下层结构的狭缝上方，且所有各层的电极部在基底上的投影均不重合；所述板状电极设于狭缝电极下方，且与狭缝电极间通过绝缘层隔开。
本发明的像素结构的狭缝电极的所有层的电极部宽度之和远大于现有的像素结构的狭缝电极的电极部宽度之和，因而使得狭缝电极与板状电极的总相对面积增大，进而使得狭缝电极与板状电极间的电场强度增大，从而可以有效地减少像素结构的暗影区。
优选的是所述狭缝电极的每层结构的所有电极部电连接；所述狭缝电极的各层结构之间电连接。
进一步优选的是，所述狭缝电极的每层结构的所有电极部通过连接条电连接；
所述狭缝电极的各层结构的连接条或电极部通过贯穿狭缝电极各层结构间的绝缘层的过孔或外围引线电连接。
优选的是，所述狭缝电极任意一层结构中的狭缝的宽度均在3～6um之间。
优选的是，所述狭缝电极任意一层结构中的电极部宽度均在2～3um之间。
优选的是，所述狭缝电极包括两层结构。
进一步优选的是，所述狭缝电极为像素电极，所述板状电极为公共电极，或
所述狭缝电极为公共电极，所述板状电极为像素电极。
进一步优选的是，所述狭缝电极材料为氧化铟锡，所述板状电极材料为氧化铟锡。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括上述任意一种像素结构。
由于本发明的阵列基板包括上述像素结构，故其透过率高。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述阵列基板。
由于该显示装置包括上述阵列基板，故其显示效果更好。
附图说明
图1为现有的像素结构的结构示意图；
图2为现有的像素结构的发光强度的仿真图；
图3为本发明的实施例1的像素结构的结构示意图；
图4为本发明的实施例1的像素结构的发光强度的仿真图；以及，
图5为本发明的实施例1与现有的像素结构的透过率仿真比较图。
其中附图标记为：101、基底；102、板状电极；103、狭缝电极；1031、电极部；1032、狭缝；104、绝缘层；Q1、暗影区；S1、现有的像素结构的透过率曲线；S2、本发明的实施例1的像素结构的透过率曲线。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
结合图3所示，本实施例提供一种像素结构，包括狭缝电极103和板状电极102，所述狭缝电极103包括至少两层结构，每层结构包括多个条状电极部1031以及位于相邻的电极部1031之间的多个狭缝1032，上层结构的电极部1031设于下层结构的狭缝1032上方，且所有各层的电极部1031在基底101上的投影均不重合；所述板状电极102设于狭缝电极103下方，且与狭缝电极103间通过绝缘层104隔开，当然狭缝电极103的各层结构间也通过绝缘层104隔开。
在像素结构中，在保证同一层结构的狭缝宽度不减小的情况下，狭缝电极103与板状电极102的相对面积越大，狭缝电极103与板状电极102间的电场强度越大，进而可以使得像素结构的暗影区Q1减小（如图4所示）。本实施例将狭缝电极103的电极部1031多层设置，只要各电极部1031在基底101上的投影无重合即可，很容易看出多层的电极部1031在基底101上的投影的宽度之和大于现有的像素结构的狭缝电极103的电极部1031宽度之和（也可以理解为本实施例的狭缝电极103是在现有的一层结构的狭缝电极103的狭缝1032上方增加电极部1031），故其狭缝电极103与板状电极102间的电场强度也较大，从而可以有效地减小暗影区Q1分布，提高透过率。
所述狭缝电极103的每层结构的所有电极部电连接。所述狭缝电极103的各层结构之间电连接。
其中，所述狭缝电极103的每层结构可以包括至少一个与该层的所有电极部1031电连接的连接条；所述狭缝电极103的各层结构之间电连接。
所述狭缝电极103各层结构的连接条可以通过贯穿狭缝电极103各层结构间的绝缘层104的过孔电连接或通过外围引线实现电连接。
一般各层结构的连接条可与电极部1031的同一端或不同端电连接，只要保证所述狭缝电极103各层结构是相互电连接即可。
当然各层结构的连接条与电极部1031的同一端电连接且位于像素结构的周边，这样布线更简单。
优选的，所述狭缝电极103任意一层结构中的狭缝1032的宽度可以均在3～6um之间。所述狭缝电极103任意一层结构中的电极部1031宽度均在2～3um之间。具体可以根据工艺能够实现的程度决定电极部1031与狭缝1032的宽度，所有层狭缝电极103的电极部宽度1031之和越大，狭缝1032越小，狭缝电极103与板状电极102间的电场强度越大，像素结构的透过率越高，暗影区Q1越小。
优选的，所述狭缝电极103可以包括两层结构（如图3所示）。在远离基底101方向依次为，狭缝电极103的第一层结构，狭缝电极103的第二层结构，两层结构的狭缝电极103在制作工艺上简单，容易实现，成本较低。
优选的，所述狭缝电极103可以为像素电极，所述板状电极102为公共电极。所述狭缝电极103也可以为公共电极，所述板状电极102为像素电极。
其中，所述狭缝电极103材料优选可以为氧化铟锡等透明导电材料，所述板状电极102材料也可以为氧化铟锡等透明导电材料。因为氧化铟锡材料可以透光，可以大大提高像素结构的开口率，当然其他的透光材料也是可以的。
如图5所示，分别模拟现有像素结构和本实施例像素结构的“透过率-像素电极电压”曲线，其中公共电极电压保持0V，而像素电极的电压在0～6V；通过两条模拟曲线可见（其中S1为现有的像素结构的透过率曲线，S2为本实施例的像素结构的透过率曲线），在像素电极的电压增加约到5V之后，本实施例的像素结构的透过率即超过了现有像素结构的透过率。
其中，像素结构还包括存储电容（图中未画出），在透过率提高的同时存储电容的存储电荷增加，有助于像素结构的充放电。
实施例2：
本实施例提供一种阵列基板，本实施例的阵列基板包括实施例1所述的像素结构。
当然，在阵列基板中还应具有薄膜晶体管、扫描线（Scan）等其他的已知结构，在此不再详细描述。
由于本实施例的阵列基板具有实施例1所述的像素结构，故其可用于实现高质量的显示。
实施例3
本实施例提供一种显示装置，本实施例的阵列基板包括实施例2所述的阵列基板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例的显示装置中具有实施例2中的阵列基板，故其暗影区Q1减小，具有更高的透过率，画面的显示效果更好。
当然，本实施例的显示装置中还可以包括其他常规结构，如电源单元、显示驱动单元等。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种像素结构，包括狭缝电极和板状电极，其特征在于，
所述狭缝电极包括至少两层结构，每层结构包括多个条状的电极部以及位于相邻的电极部之间的多个狭缝，上层结构的电极部设于下层结构的狭缝上方，且所有各层的电极部在基底上的投影均不重合；
所述板状电极设于狭缝电极下方，且与狭缝电极间通过绝缘层隔开；
所述狭缝电极的每层结构的所有电极部电连接；
所述狭缝电极的各层结构之间电连接。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极的每层结构的所有电极部通过连接条电连接；
所述狭缝电极的各层结构的连接条或电极部通过贯穿狭缝电极各层结构间的绝缘层的过孔或外围引线电连接。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极任意一层结构中的狭缝的宽度均在3～6um之间。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极任意一层结构中的电极部宽度均在2～3um之间。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极包括两层结构。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的像素结构，其特征在于，
所述狭缝电极为像素电极，所述板状电极为公共电极，
或
所述狭缝电极为公共电极，所述板状电极为像素电极。
7.根据权利要求1～5中任意一项所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极材料为氧化铟锡，所述板状电极材料为氧化铟锡。
8.一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～7中任意一项所述的像素结构。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板。
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