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CN105159002A - 像素结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种像素结构，包括扫描线、数据线、分享信号线、主动元件、第一像素电极、第二像素电极、分享开关元件、第一分享电容器以及第二分享电容器。分享信号线平行于扫描线设置。第一像素电极与主动元件电连接。第二像素电极与第一像素电极分离开来且与主动元件电连接。分享开关元件与分享信号线以及主动元件电连接。第一分享电容器包括上电极以及下电极，彼此重叠设置。上电极与分享开关元件电连接。第二分享电容器包括第一电极以及第二电极，彼此重叠设置。第一电极与第一像素电极电连接，且第二电极与分享开关元件电连接。

Description

像素结构
技术领域
本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种显示面板的像素结构。
背景技术
随着光电与半导体技术上的进步，其带动了平面显示器的蓬勃发展。在诸多平面显示器中，液晶显示器由于因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性，因而成为市场的主流。目前，液晶显示器在显示画面时通常具备广视角的特性，以满足多位使用者同时观看同一台显示装置的需求。然而，具备广视角特性的显示器所存在的色偏(colorwashout)现象也是为人所诟病。为了解决色偏的问题，现有技术上的像素结构的设计会降低显示面板的开口率(apertureratio)或带来影像残留的问题(imagesticking)。因此，如何克服上述问题并兼顾显示开口率以及广视角显示效果，为目前所欲研究的主题。
发明内容
本发明提供一种像素结构，可用以解决色偏以及影像残留的问题，且可同时提高显示开口率并兼顾广视角的显示效果。
本发明的像素结构包括扫描线、数据线、分享信号线、主动元件、第一像素电极、第二像素电极、分享开关元件、第一分享电容器以及第二分享电容器。分享信号线平行于扫描线设置。主动元件与扫描线以及数据线电连接。第一像素电极与主动元件电连接。第二像素电极与第一像素电极分离开来且与主动元件电连接。分享开关元件与分享信号线以及主动元件电连接。第一分享电容器包括上电极以及下电极。上电极以及下电极彼此重叠设置，其中，上电极与分享开关元件电连接。第二分享电容器包括第一电极以及第二电极。第一电极以及第二电极彼此重叠设置，其中，第一电极与第一像素电极电连接，且第二电极与分享开关元件电连接。
基于上述，本发明的像素结构包括有上电极以及下电极彼此重叠设置的第一分享电容器，以及第一电极以及第二电极彼此重叠设置的第二分享电容器。因此，本发明的像素结构可用以解决色偏以及影像残留的问题，且可同时提高显示开口率并兼顾广视角的显示效果。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。
图2为本发明一实施例的像素结构示意图。
图3为本发明另一实施例的像素结构示意图。
【符号说明】
100：显示面板
110：像素阵列基板
120：对向基板
130：显示介质
200、300：像素结构
Sub1、Sub2：基板
PA：像素阵列
EL：电极层
SP：间隙物
SL：扫描线
DL：数据线
SgL：分享信号线
TFT：主动元件
G、Ga：栅极
S、Sa：源极
Da：漏极
D1：第一漏极
D2：第二漏极
PE1：第一像素电极
PE2：第二像素电极
CW1：第一接触窗
CW2：第二接触窗
SWE：分享开关元件
SC1：第一分享电容器
SC2：第二分享电容器
TE：上电极
BE：下电极
FE：第一电极
SE：第二电极
TdE：第三电极
CEP：共用电极图案
EP：延伸部
具体实施方式
图1为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图1，显示面板100包括像素阵列基板110、对向基板120以及显示介质130。显示面板100例如是液晶显示面板或是其他形式的显示面板。
像素阵列基板110包括基板sub1以及像素阵列PA。基板sub1的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。像素阵列PA配置在基板sub1上，且像素阵列PA包括多个像素结构。关于像素结构的设计将于后文中详细地描述。
对向基板120位于像素阵列基板110的对向侧。对向基板120包括基板sub2以及电极层EL。基板sub2的材质可为玻璃、石英或有机聚合物等等。电极层EL是全面地覆盖于基板sub2上。电极层EL为透明导电层，其材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物或者是铟锌氧化物。
显示介质130位于像素阵列基板110与对向基板120之间。当显示面板100为液晶显示面板时，显示介质130例如是液晶分子。像素阵列基板110与对向基板120之间设置有多个间隙物SP。间隙物SP与像素阵列基板110以及对向基板120接触以维持适当的晶穴间隙。特别是，间隙物SP是设置在像素阵列PA的各个像素结构中。
图2为本发明一实施例的像素结构示意图。为了清楚地说明本发明的实施例，图2仅绘示出图1的像素阵列PA的其中一个像素结构，此领域技术人员应可以理解，图1的像素阵列PA实际上即是由多个图2所示的像素结构组成阵列形式所构成。请参考图2，像素结构200包括扫描线SL、数据线DL、分享信号线SgL、主动元件TFT、第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、分享开关元件SWE、第一分享电容器SC1以及第二分享电容器SC2。
在本实施例中，扫描线SL与数据线DL彼此交越设置。换言之，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不平行，较佳的是，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向垂直。另外，分享信号线SgL平行于扫描线SL设置。基于导电性的考量，扫描线SL、数据线DL与分享信号线SgL一般是使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其他实施例，扫描线SL、数据线DL与分享信号线SgL也可以使用其他导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层或其他合适的材料。另外，遮光图案层(未绘示)是对应于扫描线SL以及数据线DL设置，并用以防止漏光。
主动元件TFT可以是底部栅极型薄膜晶体管或是顶部栅极型薄膜晶体管。主动元件TFT与扫描线SL以及数据线DL电连接。主动元件TFT包括栅极G、源极S、第一漏极D1、第二漏极D2以及通道(未绘示)。栅极G与扫描线SL连接，且源极S位于栅极G上方。第一漏极D1对应源极S设置，且与第一像素电极PE1电连接。第二漏极D2对应源极S设置，且与第二像素电极PE2电连接。在本实施例中，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2是以块状电极来表示，但不限于此。举例来说，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2亦可以是具有狭缝图案的电极。
第一像素电极PE1是与主动元件TFT电连接。特别是，第一接触窗CW1位于主动元件TFT的第一漏极D1与第一像素电极PE1之间以使两者电连接。第二像素电极PE2与第一像素电极PE1分离开来且与主动元件TFT电连接。特别是，第二接触窗CW2位于主动元件TFT的第二漏极D2与第二像素电极PE2之间以使两者电连接，其中，第一接触窗CW1以及第二接触窗CW2位于扫描线SL的同一侧。另外，第一接触窗CW1与第二接触窗CW2位于扫描线SL以及分享信号线SgL之间。再者，第一像素电极PE1与分享信号线SgL部分重叠，而第二像素电极PE2与扫描线SL部分重叠。
在本实施例中，分享开关元件SWE与分享信号线SgL以及主动元件TFT电连接。分享开关元件SWE包括栅极Ga、源极Sa、漏极Da以及通道(未绘示)。
第一分享电容器SC1包括上电极TE以及下电极BE。上电极TE以及下电极BE彼此重叠设置，其中，上电极TE与分享开关元件SWE电连接。另外，间隙物SP是对应设置在第一分享电容器SC1的上方，因此可达到节省空间的优点。
第二分享电容器SC2包括第一电极FE以及第二电极SE，且第一电极FE以及第二电极SE彼此重叠设置。第一电极FE与第一像素电极PE1电连接，且第一电极FE与第一像素电极PE1可为同一层。第二电极SE与分享开关元件SWE电连接。另外，第二分享电容器SC2更包括第三电极TdE。第三电极TdE与第二电极SE重叠设置。第三电极TdE与扫描线SL电连接，且第三电极TdE与扫描线SL可为同一层。
在本实施例中，像素结构200还包括共用电极图案CEP与第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2重叠设置，以形成第一储存电容器以及第二储存电容器。另外，第一分享电容器SC1的下电极BE与共用电极图案CEP连接，且下电极BE与共用电极图案CEP可为同一层。承上所述，像素结构200中第一分享电容器SC1以及第二分享电容器SC2的设计可用以解决色偏以及影像残留的问题，并且可同时提高显示开口率并兼顾广视角的显示效果。
图3为本发明另一实施例的像素结构示意图。接着，请参考图3进行说明。图3的像素结构300与图2的像素结构200类似，因此相同元件以相同标号表示，且不予赘述。图3的像素结构300与图2的像素结构200的差异在于，像素结构300的第二分享电容器SC2不包括第三电极TdE。相对的，像素结构300的第二分享电容器的第二电极SE还包括延伸部EP，而延伸部EP与扫描线SL重叠设置。承上所述，像素结构300中第一分享电容器SC1以及第二分享电容器SC2的设计可用以解决色偏以及影像残留的问题，并且可同时提高显示开口率并兼顾广视角的显示效果。
综上所述，本发明像素结构包括有上电极TE以及下电极BE彼此重叠设置的第一分享电容器SC1，以及第一电极FE以及第二电极SE彼此重叠设置的第二分享电容器SC2。另外，第一像素电极PE1与分享信号线SgL部分重叠，而第二像素电极PE2与扫描线SL部分重叠。因此，本发明的像素结构设计可用以解决色偏以及影像残留的问题，并且可同时提高显示开口率并兼顾广视角的显示效果。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的一般技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当权利要求所界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：
一扫描线以及一数据线；
一分享信号线，平行所述扫描线设置；
一主动元件，与所述扫描线以及所述数据线电连接；
一第一像素电极，与所述主动元件电连接；
一第二像素电极，与所述第一像素电极分离开来且与所述主动元件电连接；
一分享开关元件，与所述分享信号线以及所述主动元件电连接；
一第一分享电容器，其包括一上电极以及一下电极，且所述上电极以及所述下电极彼此重叠设置，其中所述上电极与所述分享开关元件电连接；以及
一第二分享电容器，其包括一第一电极以及一第二电极，且所述第一电极以及所述第二电极彼此重叠设置，其中所述第一电极与所述第一像素电极电连接，且所述第二电极与所述分享开关元件电连接。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二分享电容器还包括一第三电极，所述第三电极与所述第二电极重叠设置，且所述第三电极与所述扫描线电连接。
3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二分享电容器的所述第二电极还包括一延伸部，所述延伸部与所述扫描线重叠设置。
4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括一遮光图案层，对应所述扫描线以及所述数据线设置。
5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括一间隙物，对应设置在所述第一分享电容器的上方。
6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述主动元件包括：
一栅极，与所述扫描线连接；
一源极，位于所述栅极上方；
一第一漏极，对应所述源极设置，且与所述第一像素电极电连接；
一第二漏极，对应所述源极设置，且与所述第二像素电极电连接。
7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括：
一第一接触窗，位于所述第一漏极与所述第一像素电极之间以使两者电连接；以及
一第二接触窗，位于所述第二漏极与所述第二像素电极之间以使两者电连接，其中所述第一接触窗以及所述第二接触窗位于所述扫描线的同一侧。
8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述第一接触窗与所述第二接触窗位于所述扫描线以及所述分享信号线之间。
9.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述第一像素电极与所述分享信号线部分重叠，且所述第二像素电极与所述扫描线部分重叠。
10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括一共用电极图案，与所述第一像素电极以及所述第二像素电极重叠设置，以形成一第一储存电容器以及一第二储存电容器。
11.如权利要求10所述的像素结构，其特征在于，所述第一分享电容器的所述下电极与所述共用电极图案连接。
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