CN103353695B - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板及显示装置,包括公共电极线、以及多个阵列分布的像素单元,每一个像素单元包括位于衬底基板上且依次排列的第一公共电极、像素电极、以及第二公共电极,像素电极为板状电极,第二公共电极为狭缝电极;像素电极与第二公共电极、第一公共电极之间均设有绝缘保护层,且像素电极与第一公共电极、第二公共电极在衬底基板上的投影均有重叠;第一公共电极和第二公共电极均与公共电极线电性连接。本发明提供的阵列基板有效地改善了显示装置在使用时出现闪烁现象的问题,同时也降低了公共电压信号在传输过程中出现的延迟,防止了串扰不良,提高了显示装置的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
在液晶显示技术领域中,因高级超维场转换技术(ADvancedSuperDimensionSwitch,ADS)型阵列基板具有视角宽等优点,所以得到广泛的使用。ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。
如图1至图3所示为目前已有的ADS产品的一种实现方式,其阵列基板包括多个像素单元,每一个像素单元包括在衬底基板01上均匀沉积的栅绝缘层02,在栅绝缘层02上方设有与源电极03电性连接的像素电极04,像素电极04的上方为均匀沉积的钝化层05,而在钝化层05上方为与公共电极线电性连接的公共电极06,其中公共电极06为狭缝电极。在通电状态下,像素电极04和公共电极06形成多维电场,以驱动液晶进行显示;同时,像素电极04和公共电极06交叠的部分形成存储电容,用以维持像素电极04上的电压。
但是,上述ADS产品的阵列基板中,像素单元中公共电极线的电阻较大,使公共电压信号在传输的过程当中产生延迟而出现串扰不良,影响显示装置的显示效果;另外,由于ADS型阵列基板的分辨率越来越高,而每一个像素单元中的公共电极06需要采用狭缝电极,从而导致每个像素单元中的存储电容变得非常小,使得显示装置在使用时容易出现闪烁现象,从而影响了显示装置的显示效果。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板,用以改善显示装置在使用时出现闪烁现象的问题,同时降低公共电压信号在传输过程中出现的延迟,以防止串扰不良的发生。
另外,本发明还提供了一种具有上述阵列基板的显示装置。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种阵列基板,包括公共电极线、以及多个阵列分布的像素单元,每一个所述像素单元包括位于衬底基板上且依次排列的第一公共电极、像素电极、以及第二公共电极,所述像素电极为板状电极,所述第二公共电极为狭缝电极;所述像素电极与所述第二公共电极和第一公共电极之间均设有绝缘保护层,且所述像素电极与所述第一公共电极、第二公共电极在所述衬底基板上的投影均有重叠;所述第一公共电极和第二公共电极均与公共电极线电性连接。
优选地,所述第一公共电极为板状电极。
优选地,相邻列的所述像素单元内的所述第一公共电极之间通过条形电极电性连接;或,
相邻列的所述像素单元的第一公共电极之间通过过桥线电性连接。
优选地,相邻行的所述像素单元的所述第一公共电极之间通过条形电极电性连接;或,
相邻行的所述像素单元的第一公共电极之间通过过桥线电性连接。
优选地,所述第二公共电极与所述第一公共电极通过过孔电性连接,且所述第一公共电极通过所述第二公共电极与所述公共电极线电性连接。
优选地,每一个所述像素单元中的所述第一公共电极与所述第二公共电极通过过孔电性连接。
优选地,每间隔至少一列的所述像素单元中的所述第一公共电极与所述第二公共电极通过过孔电性连接。
优选地,所述第一公共电极、第二公共电极、以及像素电极均采用氧化铟锡电极。
优选地,所述第一公共电极与所述衬底基板直接接触。
本发明还提供了一种显示装置,包括上述技术方案中提到的任一种阵列基板。
本发明提供了一种阵列基板,包括公共电极线、以及多个阵列分布的像素单元,每一个像素单元包括位于衬底基板上且依次排列的第一公共电极、像素电极、以及第二公共电极,像素电极为板状电极,第二公共电极为狭缝电极;像素电极与第二公共电极和第一公共电极之间均设有绝缘保护层,且像素电极与第一公共电极、第二公共电极在衬底基板上的投影均有重叠;第一公共电极和第二公共电极均与公共电极线电性连接。
本发明提供的阵列基板工作时,每一个像素单元中,像素电极不仅能够与第一公共电极形成存储电容,而且也能够与第二公共电极形成存储电容,使得每一个像素单元中的存储电容增加,改善了显示装置在使用时出现闪烁现象的问题;同时,第一公共电极和第二公共电极都与公共电极线电性连接,使得第一公共电极和第二公共电极均与公共电极线形成并联电阻,有效地减小了每一个像素单元内的电阻,从而降低了公共电压信号在公共电极线上传输过程出现的延迟。
因此,本发明提供的阵列基板有效地改善了显示装置在使用时出现闪烁现象的问题,同时也降低了公共电压信号在传输的过程出现的延迟,以防止串扰不良的发生,进而提高了显示装置的显示效果。
附图说明
图1为现有技术中的一种ADS型阵列基板中的未设置公共电极的像素单元平面示意图;
图2为现有技术中的一种ADS型阵列基板中设置有公共电极的一个像素单元平面示意图;
图3为现有技术中的一种ADS型阵列基板中一个像素单元显示区域的侧视结构示意图;
图4为本发明提供的阵列基板中未设置第二公共电极的像素单元平面示意图;
图5为本发明提供的阵列基板中像素单元显示区域的一种侧视结构示意图。
其中,图中标记:
01、衬底基板;02、栅绝缘层;03、源电极;
04、像素电极;05、钝化层;06、公共电极;
1、衬底基板;2、第一公共电极;3、像素电极;
4、第二公共电极;5、绝缘保护层;6、过孔;
7、条形电极;8、公共电极线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参考图4、图5,本发明提供了一种阵列基板,包括公共电极线8、以及多个阵列分布的像素单元,每一个像素单元包括位于衬底基板1上且依次排列的第一公共电极2、像素电极3、以及第二公共电极4,像素电极3为板状电极,第二公共电极4为狭缝电极;像素电极3与第二公共电极4和第一公共电极2之间均设有绝缘保护层5,且像素电极3与第一公共电极2、第二公共电极4在衬底基板1上的投影均有重叠;第一公共电极2和第二公共电极4均与公共电极线8电性连接。本实施例中,只需保证公共电极线8与公共电极能够电性连接,而不考虑与其他电极线的连接,因此,此处不对公共电极线8的布线方式进行限定。
本发明提供的阵列基板工作时,每一个像素单元中,像素电极3不仅能够与第一公共电极2形成存储电容,而且也能够与第二公共电极4形成存储电容,使得每一个像素单元中的存储电容增加,改善了显示装置在使用时出现闪烁现象的问题;同时,第一公共电极2和第二公共电极4都与公共电极线8电性连接,使得第一公共电极2和第二公共电极4均与公共电极线8形成并联电阻,有效地减小了每一个像素单元内的电阻,从而降低了公共电压信号在公共电极线8上传输过程出现的延迟。
因此,本发明提供的阵列基板有效地改善了显示装置在使用时出现闪烁现象的问题,同时也降低了公共电压信号在传输的过程出现的延迟,以防止串扰不良的发生,提高了显示装置的显示效果。
第一公共电极2可以根据显示需要选用板状电极、狭缝电极或其它结构形状的电极,优选地,第一公共电极2采用板状电极,以方便在阵列基板制作过程中调节第一公共电极2和像素电极3在衬底基板1上投影的重叠面积。
为了进一步减小第一公共电极和公共电极线8并联后的电阻,具体地,可以将任意相邻列的两个像素单元中的第一公共电极2之间电性连接,使得同一行的多个第一公共电极2形成一个串联电阻,而该串联电阻与公共电极线8形成的并联电阻更小,更有利于降低公共电压信号在公共电极线8上传输过程出现的延迟;此外,这样的结构还有利于提高整个显示装置中公共电压的均一性。
如图4所示,更具体地,相邻列的像素单元中的第一公共电极2之间通过条形电极7电性连接;或者,相邻列的像素单元中的第一公共电极2之间通过过桥线电性连接。
另外,也可以将相邻行的像素单元中的第一公共电极2电性连接,使得同一列的多个第一公共电极2形成一个串联电阻,从而减小并联电阻,进一步降低公共电压信号在公共电极线8上传输过程出现的延迟。
更具体地,相邻行的像素单元的第一公共电极2之间通过条形电极7电性连接;或,
相邻行的像素单元的第一公共电极2之间通过过桥线电性连接。
当然,也可以将相邻行和相邻列的像素单元中的第一公共电极2之间均通过条形电极7、过桥线或其它电连接元件进行电性连接,形成交叉式的连接,以减小第一公共电极2和公共电极线8所形成的并联电阻。
上述各像素单元中的第一公共电极2之间进行电性连接时,采用条形电极7连接的方式更好,且条形电极7可以采用与第一公共电极2相同的材料制作而成,能够使得接触电阻更小。
如图4、图5所示,具体地,上述第二公共电极4与第一公共电极2通过过孔6电性连接,且第一公共电极2通过第二公共电极4与公共电极线8电性连接。
第二公共电极4与第一公共电极2通过过孔6电性连接,这样,可以间接地将第一公共电极2与公共电极线8电性连接,不用再在第一公共电极2与公共电极线8之间设置电连接元件,减少了像素单元内电连接元件的数量。
更具体地,每一个像素单元中的第一公共电极2与第二公共电极4都可以通过过孔6连接,这样,每一个第一公共电极2都能够通过第二公共电极4间接地与公共电极线8电性连接,从而使得第一公共电极2与公共电极线8电性连接的更为稳定;
或者,
每间隔至少一列的像素单元中的第一公共电极2与第二公共电极4通过过孔6电性连接,这样,在相邻列的两个像素单元中的第一公共电极2之间电性连接的情况下,可以先将一个像素单元中的第一公共电极2与第二公共电极4过孔6连接,然后再将与该像素单元间隔一列、两列、三列或者四列后的像素单元中的第一公共电极2与第二公共电极4再通过过孔6电性连接。由于过孔区域上方的液晶无法得到有效控制,因此后一种将每间隔至少一列的像素单元第一公共电极2与第二公共电极4通过过孔6电性连接的方式,比前一种连接方式可以得到更高的开口率。
更具体地,本发明提供的阵列基板的像素单元内的第一公共电极2、第二公共电极4、以及像素电极3均采用氧化铟锡电极。条形电极7的材料可以与第一公共电极2的材料相同,所以条形电极7也可以采用氧化铟锡电极。
如图5所示,具体地,第一公共电极2与衬底基板1直接接触,即本发明提供的阵列基板中每一个像素单元内的第一公共电极2均直接形成于衬底基板1上。
具体地,上述绝缘保护层5的材料可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者其它能够用于阵列基板的现有技术中已知的绝缘材料。
在上述技术方案的基础上,本发明还提供了一种显示装置,包括上述技术方案中提到的任一种阵列基板。该显示装置可以是:液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
显然,本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1.一种阵列基板,包括公共电极线、以及多个阵列分布的像素单元,所述公共电极线伸入显示面板的显示区域,其特征在于,每一个所述像素单元包括位于衬底基板上且依次排列的第一公共电极、像素电极、以及第二公共电极,所述像素电极为板状电极,所述第二公共电极为狭缝电极;所述像素电极与所述第二公共电极、第一公共电极之间均设有绝缘保护层,且所述像素电极与所述第一公共电极、第二公共电极在所述衬底基板上的投影均有重叠;所述第一公共电极和第二公共电极均与所述公共电极线电性连接;其中:
任意相邻列的两个像素单元中的第一公共电极之间电性连接;或者,相邻行的像素单元中的第一公共电极电性连接;或者,相邻行和相邻列的像素单元中的第一公共电极之间均通过条形电极或者过桥线电性连接,形成交叉式的连接;
所述第一公共电极与所述第二公共电极通过过孔电性连接,且所述第一公共电极通过所述第二公共电极与所述公共电极线电性连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极为板状电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每一个所述像素单元中的所述第一公共电极与所述第二公共电极通过过孔电性连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每间隔至少一列的所述像素单元中的所述第一公共电极与所述第二公共电极通过过孔电性连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极、第二公共电极、以及像素电极均采用氧化铟锡电极。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极与所述衬底基板直接接触。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~6任一项所述的阵列基板。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1487346A (zh) * | 2002-10-04 | 2004-04-07 | Lg.飞利浦Lcd有限公司 | 面内切换模式液晶显示器件及其制造方法 |
CN102033365A (zh) * | 2009-10-08 | 2011-04-27 | 海帝士科技公司 | Ffs模式lcd及其制造方法 |
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---|---|---|---|---|
CN1487346A (zh) * | 2002-10-04 | 2004-04-07 | Lg.飞利浦Lcd有限公司 | 面内切换模式液晶显示器件及其制造方法 |
CN102033365A (zh) * | 2009-10-08 | 2011-04-27 | 海帝士科技公司 | Ffs模式lcd及其制造方法 |
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