[go: up one dir, main page]

CN103149806A - 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法 - Google Patents

照明光学装置、曝光装置及元件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103149806A
CN103149806A CN2013100527208A CN201310052720A CN103149806A CN 103149806 A CN103149806 A CN 103149806A CN 2013100527208 A CN2013100527208 A CN 2013100527208A CN 201310052720 A CN201310052720 A CN 201310052720A CN 103149806 A CN103149806 A CN 103149806A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
exposure
illumination
illumination optics
optics device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013100527208A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103149806B (zh
Inventor
广田弘之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN103149806A publication Critical patent/CN103149806A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103149806B publication Critical patent/CN103149806B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70158—Diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)

Abstract

照明光学装置（13）将输出自曝光用光源（12）的曝光用光（EL）导向被照射物体（R）。照明光学装置(13)具备排列成矩阵状的多个空间光调变构件(22)，各空间光调变构件(22)将具有可动反射面的多个反射光学元件排列成矩阵状而分别构成。又，各空间光调变构件中的至少1个配置在从光源输出的光的光路内。

Description

照明光学装置、曝光装置及元件制造方法
本专利申请是申请号为200880015567.9的名称为“照明光学装置、曝光装置及元件制造方法”的发明专利申请的分案申请，原申请的申请日是2008年10月10日。
技术领域
本发明是关于用以照射被照射物体的照明光学装置、具备该照明光学装置的曝光装置、以及使用该曝光装置的元件制造方法。
背景技术
以往，制造半导体集成电路等微等微元件时所使用的曝光装置，有例如特开2002－353105号公报中所揭示的曝光装置。此曝光装置，具备用以照射形成有既定图案的标线片等掩模的照明光学装置，以及用以将该照明光学装置照射掩模而形成的图案像投影至涂有感光性材料的晶圆、玻璃板等基板的投影光学装置。
照明光学装置，具备用以调整在掩模的被照射面上的光瞳亮度分布的空间光调变构件。此空间光调变构件具备排列成矩阵状的多个反射光学元件，在各该反射光学元件的反射面分别涂有反射膜。此外，各反射光学元件，藉由各自的反射面将来自光源的曝光用光分别反射向掩模。
又，各反射光学元件，能变更反射面相对曝光用光分别对各反射面的入射方向的倾斜角。此外，藉由就各反射光学元件变更反射面相对曝光用光光轴的倾斜角，即能适当调整在掩模被照射面上的光瞳亮度分布。
发明内容
近来，为谋求上述图案像对基板的投影效率及精度的提升，而强烈希望达成曝光用光的高输出化。然而，由于在构成空间光调变构件的各反射光学元件的反射面涂布(coating)耐久性较高的反射膜是非常困难的，因此多是分别涂布耐久性较低的反射膜。因此，空间光调变构件的寿命，会因从光源输出的曝光用光的强度越强而使得反射膜的恶化越快、或因绕至各反射光学元件驱动部分的光量变多而导致该驱动部分的破损而变短。如上所述，此种曝光用光的强度较强的场合与曝光用光的强度较弱的场合相较，会有空间光调变构件的更换较快情形。
然而，上述构成的曝光装置，有时必须在暂时停止曝光装置的驱动的状态下进行空间光调变构件的更换。承上所述，由于光源输出的曝光用光的强度越强、更换空间光调变构件的时间即越快，因此在曝光用光的光路内配置空间光调变构件的曝光装置，会因光源的高输出而使得微元件的制造效率反而有降低下之虞。
本发明有鉴于上述情形，其目的是提供一种即使在从光源输出的光的光路内配置空间光调变构件的场合，亦能对光源的高输出化而提升元件制造效率作出贡献的照明光学装置、曝光装置及元件制造方法。
本发明的照明光学装置，将从光源输出、沿既定光路行进的光导向被照射物体，其特征在于：具备多个空间光调变构件，由具有可动反射面的多个反射光学元件排列成矩阵状所构成；各该空间光调变构件中的至少1个配置在该光路内。
根据上述构成，从光源输出的光藉由排列成矩阵状的多个空间光调变构件而被导向被照射物体。因此，与使用1个空间光调变构件将光源输出的光导向被照射物体的公知情形相较，可藉由空间光调变构件使用数的增加份，延迟使曝光装置的驱动暂时停止以更换空间光调变构件的时序。因此，即使是在光源输出的光的光路内配置空间光调变构件的场合，亦能对光源高输出化带来的元件制造效率的提升作出贡献。
根据本发明，光源高输出化带来的元件制造效率的提升作出贡献。
附图说明
图1显示第1实施形态的曝光装置的概略构成图。
图2显示第1实施形态的可动多反射镜的概略立体图。
图3显示构成可动多反射镜的反射镜要件的排列态样的概略立体图。
图4显示驱动反射镜要件的驱动部构成的概略立体图。
图5显示第2实施形态的照明光学装置的一部分的概略构成图。
图6显示第3实施形态的照明光学装置的一部分的概略构成图。
图7显示第4实施形态的照明光学装置的一部分的概略构成图。
图8显示第5实施形态的照明光学装置的一部分的概略构成图。
图9元件的制造例的流程图。
图10与半导体元件的情形时的基板处理相关的详细流程图。
具体实施方式
＜第1实施形态＞
以下，针对将本发明予以具体化的第1实施形态，根据图1～图4加以说明。
如图1所示，本实施形态的曝光装置11，由供应来自曝光用光源12的曝光用光EL的照明光学装置13、用以保持形成有既定图案的标线片R(掩模(即光罩，以下均称为掩模)亦可)的标线片载台14、投影光学装置15、以及用以保持表面涂有光阻等感光性材料的晶圆W的晶圆载台16所构成。曝光用光源12，例如由ArF准分子激光光源构成。此外，从曝光用光源12射出的曝光用光EL藉由通过照明光学装置13，而被调整成均匀的照明标线片R上的图案。
标线片载台14，在后述投影光学装置15的物体面侧，被配置成其标线片R的装载面与投影光学装置15的光轴方向大致正交。此投影光学装置15具备内部填充有氮等非活性气体的镜筒17，此镜筒17内沿曝光用光EL的光路设有未图示的多个透镜。此外，以曝光用光EL照明的标线片R上的图案像，在通过投影光学装置15而缩小为既定缩小倍率的状态下，被投影转印至晶圆载台16上的晶圆W。此处，所谓光路是指在使用状态下，光通过的路径。
其次，根据图1说明本实施形态的照明光学装置131如下。
照明光学装置13，具备从曝光用光源12输出的曝光用光EL入射的中继光学系18。此中继光学系18，具备典型上从曝光用光源12侧起依序沿光轴AX1配置的第1正透镜19、负透镜20及第2正透镜21。此外，从曝光用光源12射入中继光学系18的曝光用光EL，是在其剖面形状被放大的状态下射出至曝光用光源12的相反侧。
照明光学装置13中，在中继光学系18的曝光用光源12的相反侧，如图1及图2所示，以无法移动的状态设有由多(图2中仅显示15个)个可动多反射镜22排列成矩阵状的反射光学系23。此反射光学系23具备平板状的基台24，在该基台24上，Y方向形成有5列由并列于X方向的3个可动多反射镜22组成的反射镜列。又，在各可动多反射镜22分别形成有能反射曝光用光EL的略矩形的有效区域25，在所有可动多反射镜22的有效区域25分别射入曝光用光EL。此外，上述可动多反射镜22的排列(亦即，X方向3个、Y方向5个)仅为一例，可动多反射镜22的排列及数量可以是与上述排列不同的排列及数量。
被各可动多反射镜22反射的曝光用光EL，经过沿着与各可动多反射镜22入射侧的光轴AX1成既定角度的光轴AX2配置的聚光光学系(分布形成光学系)26射入光学积分器(本实施形态为复眼透镜)27。此处，聚光光学系26的前侧焦点位置，位于各可动多反射镜22的各反射镜要件所在的排列面P1的附近，聚光光学系26的后侧焦点位置则位于光学积分器27的入射面附近的面P2。此光学积分器27是由多(图1中仅显示5个)个透镜元件28二维排列而构成。又，射入至光学积分器27的曝光用光EL，被各透镜元件28分歧为多个光束。其结果，在光学积分器27的图1中右侧面(亦即，像面)形成多数个光源像。
从光学积分器27射出的曝光用光EL、亦即从多数个光源像射出的光束，通过聚光光学系29而成为分别重叠聚光的状态照射掩模遮帘30。之后，通过掩模遮帘30的开口部31的曝光用光EL，经聚光光学系32而照射标线片R。又，在标线片R中被曝光用光EL照射的照射区域的光瞳亮度分布，经适当调整。
本实施形态中，以光学积分器27形成的二次光源作为光源，对被配置于照明光学系I L的被照射面的标线片R进行柯勒(Koehler)照明。因此，形成二次光源的位置P3与投影光学系PL的孔径光阑AS的位置P4为光学共轭，可称二次光源的形成面P3为照明光学系IL的照明光瞳面。典型上，相对照明光瞳面，被照射面(配置掩模M的面、或包含投影光学系PL就照明光学系考量时配置晶圆W的面)为光学性傅利叶变换面。
又，本实施形态，在光学积分器27的射出侧设有用以反射曝光用光EL的一部分的分歧反射镜，并设有用以接收分歧反射镜的反射光的曝光量感测器SE1。可藉由监测此曝光量感测器SE1的输出以进行曝光量控制。
又，本实施形态中，在晶圆载台16设有用以监测到达晶圆W的曝光用光的光瞳亮度分布的光瞳亮度分布检测部SE2。此光瞳强度分布检测部的构成，已揭示于例如日本特开2006－59834号公报及与此对应的美国专利公开第2008／0030707号公报。此处，作为参照援用美国专利公开第2008／0030707号公报。
其次，根据图2～图4说明可动多反射镜22的构成如下。
如图2及图3所示，可动多反射镜22具备多个在反射面34涂(coa t ing)有反射膜的俯视正方形的反射镜要件33，各该反射镜要件33分别排列成矩阵状。这些各反射镜要件33，为谋求降低在反射光学系23的光量损失而以极力缩小相邻反射镜要件33彼此间的间隙的方式配置。此外，各反射镜要件33为变更相对曝光用光EL的光路的倾斜角而被设计成分别可动。又，在以下记载中，将「反射镜要件33相对于曝光用光EL的光路的倾斜角」、简单的称为「反射镜要件33的倾斜角」。如图1所示，可动多反射镜22的各反射镜要件，是沿着位于XY平面的排列面P1排列。
本实施形态的反射光学系23，是由多种类(本实施形态中为2种)的可动多反射镜22A,22B构成。具体而言，在Y方向、在图2中最靠近前方的反射镜列、位于各反射镜列正中间的反射镜列、以及位于最内侧的反射镜列由第1可动多反射镜22A分别构成，另一方面，其余的反射镜列则由第2可动多反射镜22B分别构成。第1可动多反射镜22A，如图4所示，具备多个能以第1轴S1为中心旋动的反射镜要件33。另一方面，第2可动多反射镜22B，具备多个能以和第1轴S1大致正交的第2轴S2为中心旋动的反射镜要件33。又，第1轴S1相当于反射镜要件33的两对角线中、第1对角线的轴，且第2轴S2为相当于与第1对角线正交的第2对角线的轴。
其次，根据图4，说明构成第1可动多反射镜22A的反射镜要件33的驱动部。又，构成第2可动多反射镜22B的反射镜要件33的驱动部，除了以第2轴S2为中心使反射镜要件33旋动的点外，与构成第1可动多反射镜22A的反射镜要件33的驱动部构成相同，因此省略其说明。
如图4所示，构成第1可动多反射镜22A的反射镜要件33的驱动部35，具备与反射镜要件33的形状对应对应的正方形板状的基材36，在该基材36四角中位于第1轴S1上的两角，分别立设有支柱构件37。此外，在驱动部35设有延伸于第1轴S1的延设方向的铰链构件38，该铰链构件38在能以第1轴S1为中心旋转的状态支撑于支柱构件37。此外，在铰链构件38的长边方向中心部设有突出于Z方向的突出部39，反射镜要件33透过突出部39被固定于铰链构件38。
在铰链构件38的长边方向的第1端部侧及第2端部侧，分别形成有从铰链构件38延伸于与第1轴S1正交的两方向的第1电极部40。又，基材36上与4个第1电极部40对应的位置分别设有第2电极部41。在彼此处于对应关系的第1电极部40与第2电极部41之间产生电位差的情形时，藉由依据这些各电位差而作用的静电力，铰链构件38以第1轴S1为中心旋转的结果，反射镜要件33即以第1轴S1为中心旋动。亦即，反射镜要件33的倾斜角，可藉由调整彼此处于对应关系的各电极部40,41间的各电位差来进行控制。
此外，入射于各可动多反射镜22A,22B的曝光用光EL，分别被偏向于与射入的各反射镜要件33的倾斜角对应的方向。此处，由于可视为是分布形成光学系的聚光光学系26具有将入射光的角度资讯转换为位置资讯的功能，亦即，藉各别调整各反射镜要件33的倾斜角，将曝光用光EL在光学积分器27的入射面附近的面P2的剖面形状变形为所欲的大小及形状。又，此聚光光学系26，使经由可动多反射镜22A的曝光用光EL的一部分与经由可动多反射镜22B的曝光用光的一部分，在面P2至少部分重叠。由于来自多个可动多反射镜22A,22B的曝光用光重叠，因此能提前在重叠区域的光强度均一性。
换言之，藉由各可动多反射镜22A,22B而在空间上角度调变的光，因聚光光学系26而成为在空间上调变的光，在面P2形成所欲光强度分布的光瞳强度分布。
又，所谓光瞳强度分布，是指在照明光学系的照明光瞳面或与该照明光瞳面光学上共轭面的光强度分布(亮度分布)。在光学积分器27分割的波面分割数比较大的情形时，形成在光学积分器27的入射面附近的面P2的全面的光强度分布、与二次光源全体的全面的光强度分布(光瞳强度分布)显示了非常高的相关性。因此，在光学积分器27的入射面、及与该入射面光学上共轭面P3,P4的光强度分布，亦可称为光瞳强度分布。
如以上所述，在亦为光学积分器27的后侧焦点面的面P3，会形成与剖面形状经变形为所欲的大小及形状的曝光用光EL具有大致相同光强度分布的二次光源。进一步的，在与光学积分器27的后侧焦点面光学上共轭的其他照明光瞳位置、亦即在聚光光学系32的光瞳位置及投影光学系PL的光瞳位置，会形成与形成在面P3的光瞳强度分布对应的光强度分布。
又，作为光瞳强度分布，举一例而言，可使用环带状、多个极状(2极状、4极状等)的光强度分布。此处，在形成有环带状的光瞳强度分布的情形可进行环带照明，而在形成有多个极状的光瞳强度分布的情形则可进行多极照明。
承上所述，本实施形态可获得如下的效果。
(1)从曝光用光源12输出的曝光用光EL，是藉由构成反射光学系23的所有可动多反射镜22A,22B被反射向聚光光学系26侧而导向标线片R。因此，即使来自曝光用光源12的曝光用光EL经高输出化，入射至各可动多反射镜22A,22B的曝光用光EL的强度，与从曝光用光源12输出的所有所有曝光用光EL入射至1个可动多反射镜22的公知情形相较是较弱的。其结果，曝光用光EL所入射的各反射镜要件33的反射面所涂(coating)的反射膜恶化，与公知情形相较会变得较慢，可动多反射镜22A,22B的寿命获得延长。亦即，能延迟更换可动多反射镜22A,22B的时序。因此，即使是在从曝光用光源12输出的曝光用光EL的光路内配置可动多反射镜22A,22B的场合，亦能对曝光用光源12的高输出化带来的半导体元件制造效率的提升作出贡献。
(2)构成第1可动多反射镜22A的反射镜要件33的旋动方向与构成第2可动多反射镜22B的反射镜要件33的旋动方向，彼此互异。因此，与反射光学系23仅由一种可动多反射镜22(例如第1可动多反射镜22A)构成的情形相较，可提高使照射标线片R的曝光用光EL的大小及形状变形时的自由度。
(3)由于排列面P1与入射侧光轴AX1所夹角度α、以及排列面P1与射出侧光轴AX2所夹角度β，是设定为在沿排列面P1的面、可动多反射镜22A,22B的多个反射镜要件33以外部分(典型上，反射镜要件33间的间隙)及在可动多反射镜22A,22B的有效区域25以外的领域，0次反射光N会朝向聚光光学系26的入射光瞳外，因此可防止0次反射光对光瞳亮度分布造成的影响，典型上，可防止在光轴AX2附近的位置形成光点。
＜第2实施形态＞
其次，依据图5说明本发明的第2实施形态。第2实施形态中，曝光用光源12与反射光学系23之间配置的光学元件与第1实施形态不同。因此，与以下的说明中，主要说明与第1实施形态不同的部分，与第1实施形态相同或相当的构件构成赋予相同符号省略重复的说明。
如图5所示，在曝光用光源12与反射光学系23之间，设有沿光轴AX1配置的一对角锥台旋转三棱镜对50，该角锥台旋转三棱镜对50由配置在曝光用光源12侧的第1棱镜构件51与配置在反射光学系23侧的第2棱镜构件52构成。第1棱镜构件51中，在曝光用光源12侧形成有与曝光用光EL的光轴正交的平面、且在反射光学系23侧形成有凹状的折射面51a。此折射面51a，是由与曝光用光EL的光轴正交的平面状的中央部、以及与以光轴为中心的四角锥体的侧面对应的周边角锥部构成。
又，第2棱镜构件52中，在反射光学系23侧形成有与曝光用光EL的光轴正交的平面，且在第1棱镜构件51侧形成有该第1棱镜构件51的折射面51a的形状对应的凸状折射面52a。此折射面52a，由与曝光用光EL的光轴正交的平面状的中央部、以及与以光轴为中心的四角锥体的侧面对应的周边角锥部构成。
此外，在曝光用光EL的光路内，将各棱镜构件51,52相距既定间隔h的状态分别配置的情形时，从曝光用光源12入射至角锥台旋转三棱镜对50的曝光用光EL，被分歧为多条光束。又，既定间隔h，调整为可动多反射镜22的有效区域25分别位于各光束的行进方向。因此，被角锥台旋转三棱镜对50分歧为多条的光束，在排列成矩阵状的可动多反射镜22的有效区域25分别反射向聚光光学系26侧。
因此，本实施形态中，除上述第1实施形态的(1)(2)的效果外，亦获得以下所示的效果。
(3)可动多反射镜22的有效区域25，分别位于被角锥台旋转三棱镜对50分歧为多条的各光束的行进方向。因此，反射光学系23中可动多反射镜22的非配置位置及可动多反射镜22中的有效区域25以外的部分，几乎没有曝光用光EL的入射。因此，能降低在反射光学系23的光量损失。此外，亦能限制反射光学系23中可动多反射镜22的非配置位置及可动多反射镜22中的有效区域25以外的部分，因曝光用光EL的照射使温度上升而随之而来的可动多反射镜22的恶化。
(4)由于在可视为光束分歧部的角锥台旋转三棱镜对50与各可动多反射镜22a,22b,22c间的光路中没有配置具有功率(焦距的逆数)的构件，因此在各可动多反射镜的反射镜要件会入射可视为平行光束的光束，故能提升在面P2的光瞳亮度分布的控制性。另一方面，在入射于反射镜要件的光束具有角度分布的情形时，由于经由聚光光学系26来自反射镜要件的光而在面P2形成的光点会扩散，因此光瞳亮度分布的控制性变得困难。
又，本实施形态中，多个可动多反射镜22中的可动多反射镜22a所配置的第1位置、另一可动多反射镜22c所配置的第2位置，可视为隔着(夹着)从光源12输出的光的光路轴的入射侧光轴AX1的构成。此外，亦可视为角锥台旋转三棱镜对50(光束分歧部)以包含光轴AX1的面(图中的XY平面)将光束予以分歧的构成。
＜第3实施形态＞
其次，依据图6说明本发明的第3实施形态。又，第3实施形态，用以将曝光用光EL分歧为多条光路的光学元件与第2实施形态不同。因此，在以下的说明中，主要说明与上述各实施形态相异的部分，与上述各实施形态相同或相当的构件构成赋予相同符号省略重复的说明。
如图6所示，在曝光用光源12与反射光学系23之间，设有多极照明用(例如4极照明用)的绕射光学元件55。此绕射光学元件55是透射型绕射光学元件，藉由在透明基板、在每一曝光用光EL的波长程度间距形成段差而构成。此绕射光学元件55，在射入平行的曝光用光EL的情形时，将该曝光用光EL分歧为多条(例如4条)光束。其结果，在反射光学系23形成多极(例如4极)的照射区域。此外，绕射光学元件55的配置态样，调整为可动多反射镜22的有效区域25分别位于藉将入射的曝光用光EL予以分歧所形成的各光束内。
又，绕射光学元件55为了在相距既定距离的多个区域的各个形成大致均一的照射区域，因此在绕射光学元件55的面内具有多个波面分割区域。此处，属于多个波面分割区域中的第1组的波面分割区域，是朝向射入多个照射区域中的第1照射区域的曝光用光EL。
据此，第1照射区域即被经由属于第1组的多个波面分割区域的多条光束加以重叠照射，而成为均一的照度分布。同样的，多个波面分割区域中属于与第1组不同的第2组的波面分割区域，是朝向射入多个照射区域中与第1照射区域不同的第2照射区域的曝光用光EL。据此，第2照射区域即经由属于第2组的多个波面分割区域的多条光束重叠照射，而成为均一的照度分布。
例如，作为本实施形态的绕射光学元件55，可使用美国专利第5,850,300号公报所揭示者。此处，援用美国专利第5,850,300号公报作为参照。
承上所述，本实施形态，除具有与上述第2实施形态的(1)～(4)相同的作用效果外，亦能获得以下所示效果。
(5)由于绕射光学元件55将光强度分布加以均一化，因此即使从光源12输出的光EL的剖面内强度分布不均一，多个可动多反射镜22亦能被均一强度分布的光照射。因此，能提升形成于面P2的光瞳亮度分布的控制性。另一方面，由于在多个可动多反射镜22被不均一强度分布的光照射时，此强度分布的不均一性会对光瞳亮度分布造成影响，因此可考虑此不均一性控制可动多反射镜22的各反射镜要件。如此，其控制将变得复杂。
＜第4实施形态＞
其次，依据图7说明本发明的第4实施形态。又，第4实施形态中，用以将曝光用光EL分歧为多条光路的光学元件与第2及第3实施形态不同。因此，与以下的说明中，主要说明与上述各实施形态的不同部分，与上述各实施形态相同或相当的构件构成则赋予相同符号省略重复的说明。
如图7所示，在曝光用光源12与反射光学系23之间设有复眼透镜60，该复眼透镜60是将多个(图7中仅显示4个)透镜元件61加以二维排列所构成。此外，在复眼透镜60与反射光学系23之间配设有中继光学系18A，该中继光学系18A可使被复眼透镜60分歧的多条光束分别再成像于各可动多反射镜22的有效区域25。
又，本实施形态的反射光学系23中，各可动多反射镜22分别排列成在位置上与复眼透镜60的各透镜元件61对应。例如，使用排列于X方向的4个复眼透镜60的情形，反射光学系23即是4个可动多反射镜22沿X方向排列的构成。藉由作成此种构成，即能获得与上述第2及第3实施形态相同的作用效果。
又，入射至各可动多反射镜22的曝光用光EL，有可能产生其大部分被反射至聚光光学系26侧，而残余的部分(以下，称「反射光」。)则被反射至复眼透镜60侧的情形。此种反射光，会因配置在反射光学系23与复眼透镜60间的中继光学系18A而限制其往复眼透镜60的入射。因此，能抑制形成于复眼透镜60的像面的多数光源像因反射光而产生紊乱。如此，中继光学系可视为限制来自各可动多反射镜22的反射光入射至光束分歧部的限制构件。
＜第5实施形态＞
其次，依据图8说明本发明的第5实施形态。又，第5实施形态与第1实施形态不同处在于，使曝光用光EL仅照射于构成反射光学系23的各可动多反射镜22中的部分可动多反射镜22。因此，与以下的说明中，主要说明与第1实施形态不同的部分，与第1实施形态相同或相当的构件构成赋予相同符号省略重复的说明。
如图8所示,在本实施形态的照明光学装置13,设有使反射光学系23沿X方向移动的移动机构65。又，反射光学系23，其多个(图8中仅显示5个)可动多反射镜22沿X方向配置。在这些各可动多反射镜22中的部分可动多反射镜22(例如2个可动多反射镜22)，会入射从曝光用光源12输出的曝光用光EL，另一方面，在其余可动多反射镜22则不会入射曝光用光EL。
随着曝光用光EL所入射的可动多反射镜22的特性的经时变化(例如反射膜的恶化及反射镜要件33的驱动部35的恶化)，用以将图案像照射于晶圆W的曝光用光EL的强度开始降低、或在晶圆W上的光瞳亮度分布开始紊乱时，即驱动移动机构65，使曝光用光EL入射至尚未有曝光用光EL入射的可动多反射镜22。
例如,在监测中的曝光量感测器SE1的输出降低的情形时、以及以光瞳亮度分布检测部SE2所测量的光瞳亮度分布偏离目标值在可容许范围外的情形等时,控制部66即对移动机构65送出更换可动多反射镜22的控制讯号。
亦即，如以上所述，本实施形态的曝光装置11，可在不使曝光装置11的驱动暂时停止的状态下，变更从曝光用光源12输出的曝光用光EL所入射的可动多反射镜22。因此，即使是在从曝光用光源12输出的曝光用光EL的光路内配置可动多反射镜22的情形时，亦能对曝光用光源12的高输出化带来的半导体元件制造效率的提升作出贡献。
又，上述各实施形态亦可变更为以下的其他实施形态。
各实施形态中，反射光学系23可由3种类以上的多个种类的可动多反射镜22,22A,22B构成。例如，反射光学系23除第1可动多反射镜22A及第2可动多反射镜22B外，亦可具备以和第1轴S1及第2轴S2交叉的第3轴(例如延X方向延伸的轴)为中心旋动的反射镜要件33所构成的第3可动多反射镜。
各实施形态中，第1可动多反射镜22A，亦可具备能以和第1轴S1平行的轴为中心旋动的反射镜要件33。同样的，第2可动多反射镜22B，亦可具备能以和第2轴S2平行的轴为中心旋动的反射镜要件33。
各实施形态中，第1轴S1可以不是沿反射镜要件33的对角线延伸、而是例如沿X方向延伸的轴。此场合，第2轴S2可以是沿Y方向延伸的轴。
各实施形态中，反射光学系23可以是由一种可动多反射镜22(例如第1可动多反射镜22A)所构成者。
第5实施形态中，亦可将曝光用光EL入射的可动多反射镜22，使其以每一预先设定的既定时间进行变更。
第5实施形态中，曝光用光EL所入射的可动多反射镜22的数目，可以是2个以外的任意数(例如1个或3个)。
第5实施形态中，在变更曝光用光EL所入射的可动多反射镜22时，可仅变更曝光用光EL所入射的各可动多反射镜22中的至少1个。
又，各实施形态中，可动多反射镜22具备彼此以正交的轴为中心旋动(倾斜的自由度为2自由度)的反射镜要件33。作为此种空间光调变构件，可使用例如特表平10－503300号公报及与此对应的欧洲专利公开第779530号公报、特开2004－78136号公报及与此对应的美国专利第6,900,915号公报、特表2006－524349号公报及与此对应的美国专利第7,095,546号公报、以及特开2006－113437号公报所揭示的空间光调变构件。此处，作为参照援用欧洲专利公开第779530号公报、美国专利第6,900,915号公报及美国专利第7,095,546号公报。
又，各实施形态中，可动多反射镜22虽可将二维排列的多个反射镜要件的面向(倾斜)加以个别控制者，但亦可使用可将例如二维排列的多个反射面的高度(位置)加以个别控制的空间光调变构件。此种空间光调变构件，可使用例如特开平6－281869号公报及与此对应的美国专利第5,312,513号公报、以及特表2004－520618号公报及与此对应的美国专利第6,885,493号公报的图1d所揭示的空间光调变构件。这些空间光调变构件，可藉由形成二维高度分布而将与绕射面相同的作用赋予入射光。此处，作为参照援用美国专利第5,312,513号公报及美国专利第6,885,493号公报。
又，实施形态中，可依据例如特表2006－513442号公报及与此对应的美国专利第6,891,655号公报、特表2005－524112号公报及与此对应的美国专利公开第2005／0095749号公报的揭示，将可动多反射镜22加以变形。此处，作为参照援用美国专利第6,891,655号公报及美国专利公开第2005／0095749号公报。
又，各实施形态中，亦可应用揭示于美国专利公开第2006／0203214号公报、美国专利公开第2006／0170901号公报及美国专利公开第2007／0146676号公报的极化照明方法。此处，作为参照援用美国专利公开第2006／0203214号公报、美国专利公开第2006／0170901号公报及美国专利公开第2007／0146676号公报。
又，各实施形态中，曝光装置11不仅是制造半导体元件等微元件，亦可以是用以制造光曝光装置、EUV曝光装置、X线曝光装置、及电子线曝光装置等所使用的标线片或掩模，而从母标线片将电路图案转印至玻璃基板或硅晶圆等的曝光装置。此外，曝光装置11亦可以是用以制造包含液晶显示元件(LCD)等的显示器的制造而将元件图案转印至玻璃板上的曝光装置、用以制造薄膜磁头等而将元件图案转印至陶瓷晶圆等的曝光装置、以及CCD等摄影元件的制造所使用的曝光装置等。
又，上述各实施形态的照明光学装置13，可搭载于在被照射物体与基板相对移动的状态下将被照射物体的图案转印至基板、并使基板依序步进移动的扫描步进机，以及在被照射物体与基板静止的状态下将被照射物体的图案转印至基板、并使基板依序步进移动的步进重复方式的步进机。
各实施形态中，曝光用光源12可以是能供应例如g线(436nm)、i线(365nm)、KrF准分子激光(248nm)、F2激光(157nm)、Kr2激光(146nm)、Ar2激光(126nm)等的曝光用光源。又，曝光用光源12，亦可以是使用将自DFB半导体激光或光纤激光振荡的红外区域或可视区域的单一波长激光，以例如掺杂铒(或铒与钇两者)的光纤放大器加以放大，使用非线性光学结晶波长转换为紫外光的高次谐波的曝光用光源。
接着，说明使用本发明实施形态的曝光装置11制造元件的制造方法，在微影制造工艺(即制程，以下均称为制造工艺)中使用的微元件制造方法的实施形态。图9显示微元件(IC及LSI等的半导体晶片、液晶面板、CCD、薄膜磁头、微机器等)的制造例的流程图。
如图6所示，首先，在步骤S101(设计步骤)中，进行微元件的功能、性能设计(例如半导体元件的电路设计等)，并进行用以实现该功能的图案设计。接着，在步骤S102(掩模制造步骤)中，制作形成有所设计的电路图案的掩模。另一方面，在步骤S103(晶圆制造步骤)，使用硅、玻璃、陶瓷等材料制造基板(使用硅材料时即为晶圆W)。
其次，在步骤S104(基板处理步骤)中，使用以步骤S101～步骤S104所准备的掩模与基板，如后所述的，藉由微影技术等在基板上形成实际的电路等。接着，在步骤S105(元件组装步骤)中，使用以步骤S104处理后的基板进行元件组装。在此步骤S105中，视需要包含切割步骤、结合步骤以及封装步骤(晶片植入)等步骤。最后，在步骤S106(检查步骤)中，进行步骤S105中所制作的微元件的动作确认测试、耐久性测试等的检查。在经过此等步骤后完微元件的制作，即可出货。
图10显示在半导体元件的场合时的步骤S104的一详细制造工艺例的图。
在步骤S111(氧化步骤)使晶圆表面氧化。在步骤S112(CVD步骤)中于晶圆表面形成绝缘膜。在步骤S113(电极形成步骤)中藉由蒸镀于晶圆上形成电极。在步骤S114(离子植入步骤)中将离子植入晶圆。以上的各步骤S111～步骤S114，构成晶圆处理的各阶段的前处理制造工艺，在各阶段中视所需的处理来选择实施。
在晶圆制造工艺的各阶段中，当结束上述前处理制造工艺，即以下述方式实施后处理制造工艺。该后处理制造工艺，首先，在步骤S115(光阻形成步骤)将感光剂涂布于晶圆。接着，在步骤S116(曝光步骤)中藉由以上说明的微影系统(曝光装置11)将掩模的电路图案转印于晶圆上。其次，在步骤S117(显像步骤)中，将经步骤S116曝光后的基板予以显影，在基板表面形成由电路图案构成的掩模层。接着，在步骤S118(蚀刻步骤)中，藉由蚀刻来除去残留有光阻部分的以外部分的露出构件。接着，在步骤S119(光阻除去步骤)中，去除蚀刻完成后不需的光阻。亦即，在步骤S118及步骤S119中，透过掩模层进行基板表面的加工。藉由重复这些前处理制造工艺与后处理制造工艺，在基板上形成多重的电路图案。
以上说明的实施形态，仅为易于理解本发明所作的记载，并非用于限定本发明。因此，上述实施形态所揭示的各要素，包含属于本发明技术范围的所有设计变更及均等物。此外，上述实施形态的各构成要素等，可任意的加以组合等。

Claims (11)

1.一种照明光学装置，借由从光源供应的照明光照射被照射面，且与将配置于该被照射面的光罩的图案转印至涂有感光性材料的基板上的曝光装置组合使用，其特征在于，具备：
空间光调变构件，由具有可动反射面的多个反射光学元件排列成矩阵状所构成；
复眼透镜，具有配置于该光路、二维排列的透镜组件；以及
中继光学系，配置于该复眼透镜与该空间光调变构件之间；
来自该光源的光经过该复眼透镜、该中继光学系及该空间光调变构件到达照明对象物体。
2.如权利要求1所述的照明光学装置，其特征在于，其中，该复眼透镜使来自该复眼透镜的光束再成像于该空间光调变构件。
3.如权利要求1所述的照明光学装置，其特征在于，其中，该复眼透镜为再成像光学系统。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的照明光学装置，其特征在于，其中，经过该复眼透镜的来自该光源的光射入该中继光学系；
经过该中继光学系的来自该复眼透镜的光射入该空间光调变构件。
5.如权利要求2或3所述的照明光学装置，其特征在于，其中，该空间光调变构件具备配置在第1位置的第1空间光调变构件、与配置在与该第1位置不同的第2位置的第2空间光调变构件；
该第1及第2位置，隔着从该光源输出的光的该光路的轴。
6.如权利要求5所述的照明光学装置，其特征在于，其进一步具备分布形成光学系，将经过该空间光调变构件的光加以聚光，以在该照明光学装置的照明光瞳形成既定光强度分布。
7.如权利要求6所述的照明光学装置，其特征在于，其中，该分布形成光学系，可将经过该第1空间光调变构件的光束的至少一部分、与经过该第2空间光调变构件的光束的至少一部分，在该照明光瞳加以重叠。
8.如权利要求1至3中任一权利要求所述的照明光学装置，其特征在于，其中，各该反射光学元件，为使该反射角相对入射于各反射面的光的轴的倾斜角变化而可动。
9.如权利要求1至3中任一权利要求所述的照明光学装置，其特征在于，其中，该照明光学装置与将光罩的图案转印至涂有感光性材料的基板上的曝光装置组合使用，可在该被照射面配置该图案。
10.一种曝光装置，其特征在于其具备：
权利要求1至9中任一权利要求所述的照明光学装置；
保持机构，用以保持形成有既定图案所构成的被照射物体；以及
投影光学装置，用以将从该光源输出的光透过该照明光学装置照射该被照射物体而形成的图案像，投影至涂有感光性材料的基板上。
11.一种元件的制造方法，其特征在于其包含：
曝光步骤，使用权利要求10所述的曝光装置，将该既定图案曝光至该基板；
显影步骤，在该曝光步骤后将该基板加以显影，以在该基板表面形成对应该既定图案的形状的掩模层；以及
加工步骤，是在该显影步骤后透过该掩模层加工该基板表面。
CN201310052720.8A 2007-10-12 2008-10-10 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法 Expired - Fee Related CN103149806B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-266691 2007-10-12
JP2007266691 2007-10-12
CN200880015567.9A CN101681117B (zh) 2007-10-12 2008-10-10 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880015567.9A Division CN101681117B (zh) 2007-10-12 2008-10-10 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103149806A true CN103149806A (zh) 2013-06-12
CN103149806B CN103149806B (zh) 2016-04-06

Family

ID=40224031

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880015567.9A Expired - Fee Related CN101681117B (zh) 2007-10-12 2008-10-10 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法
CN201310052891.0A Expired - Fee Related CN103149807B (zh) 2007-10-12 2008-10-10 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法
CN201310052720.8A Expired - Fee Related CN103149806B (zh) 2007-10-12 2008-10-10 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880015567.9A Expired - Fee Related CN101681117B (zh) 2007-10-12 2008-10-10 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法
CN201310052891.0A Expired - Fee Related CN103149807B (zh) 2007-10-12 2008-10-10 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (3) US9097981B2 (zh)
EP (5) EP2515171B1 (zh)
JP (6) JP5267029B2 (zh)
KR (4) KR20150031493A (zh)
CN (3) CN101681117B (zh)
HK (3) HK1180775A1 (zh)
TW (1) TWI459149B (zh)
WO (1) WO2009048170A1 (zh)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2270597B1 (en) * 2003-04-09 2017-11-01 Nikon Corporation Exposure method and apparatus and device manufacturing method
TWI609409B (zh) 2003-10-28 2017-12-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI519819B (zh) * 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI395068B (zh) * 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI511182B (zh) 2004-02-06 2015-12-01 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
SG10201602750RA (en) 2007-10-16 2016-05-30 Nikon Corp Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
CN101681123B (zh) * 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009145048A1 (ja) * 2008-05-28 2009-12-03 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
NL2004831A (en) * 2009-06-17 2010-12-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
CN102472974B (zh) * 2009-07-17 2014-05-07 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备以及测量有关包含在其中的光学表面的参数的方法
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2011078070A1 (ja) 2009-12-23 2011-06-30 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR20120116329A (ko) 2010-02-20 2012-10-22 가부시키가이샤 니콘 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법
US20110205519A1 (en) 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5700272B2 (ja) * 2010-04-13 2015-04-15 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101154005B1 (ko) 2010-04-30 2012-06-07 에스케이하이닉스 주식회사 노광 장치의 회절광학소자 관리방법
JP2012004465A (ja) 2010-06-19 2012-01-05 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102011006100A1 (de) * 2011-03-25 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
US10120283B2 (en) * 2011-06-06 2018-11-06 Nikon Corporation Illumination method, illumination optical device, and exposure device
TWI661224B (zh) 2011-06-13 2019-06-01 日商尼康股份有限公司 照明光學系統、曝光裝置以及元件製造方法
US8823921B2 (en) * 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
US9732934B2 (en) 2011-10-28 2017-08-15 Nikon Corporation Illumination device for optimizing polarization in an illumination pupil
WO2013115208A1 (ja) * 2012-02-03 2013-08-08 株式会社ニコン 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102013201506A1 (de) * 2012-02-17 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102013201509A1 (de) * 2012-02-17 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
WO2015080057A1 (ja) 2013-11-27 2015-06-04 株式会社ニコン 空間光変調器、光描画装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP6269096B2 (ja) * 2014-01-21 2018-01-31 株式会社ニコン 顕微鏡装置および顕微鏡システム
TWI707207B (zh) * 2014-11-27 2020-10-11 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 包含多個可個別控制之寫入頭的微影裝置
KR20180123006A (ko) * 2016-03-14 2018-11-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 리소그래피 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JP6993100B2 (ja) * 2017-04-27 2022-01-13 オリンパス株式会社 観察装置および観察方法
CN110398880B (zh) * 2018-04-24 2021-09-28 台湾积体电路制造股份有限公司 曝光设备及曝光方法
CN111856745B (zh) * 2019-04-30 2023-03-17 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种光照射装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH113849A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
EP1262836A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-04 Asml Lithographic apparatus
JP2002353105A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置，該照明光学装置を備えた露光装置，およびマイクロデバイスの製造方法
CN1576908A (zh) * 2003-07-02 2005-02-09 株式会社瑞萨科技 起偏器、投影透镜系统、曝光装置及曝光方法
US20060175556A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN1879062A (zh) * 2003-09-12 2006-12-13 卡尔蔡司Smt股份公司 用于微光刻投影曝光设备的照明系统

Family Cites Families (898)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3293882B2 (ja) 1992-03-27 2002-06-17 株式会社東芝 投影露光装置
JPS444993Y1 (zh) 1964-05-28 1969-02-24
JPS5857066B2 (ja) 1979-06-29 1983-12-17 古河電気工業株式会社 リニアモ−タ
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57152129A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Sanyo Electric Co Ltd Developing method of resist
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5845502U (ja) 1981-09-21 1983-03-26 株式会社津山金属製作所 広角反射器
JPS5849932A (ja) 1981-09-21 1983-03-24 Ushio Inc 照度分布パタ−ンの調整器
JPS58115945A (ja) 1981-12-29 1983-07-09 Toyoda Gosei Co Ltd ハンドル部への電力伝送と信号送受方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS59226317A (ja) 1983-06-06 1984-12-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS59155843A (ja) 1984-01-27 1984-09-05 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6145923A (ja) 1984-08-10 1986-03-06 Aronshiya:Kk 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法
JPH0682598B2 (ja) 1984-10-11 1994-10-19 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPS61217434A (ja) 1985-03-20 1986-09-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 搬送用装置
JPS6194342U (zh) 1984-11-27 1986-06-18
JPS61156736A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 露光装置
JPS61196532A (ja) 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
JPS61251025A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
JPS61270049A (ja) 1985-05-24 1986-11-29 Toshiba Corp テ−ブル装置
JPS622540A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系
JPS622539A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc 照明光学系
US4683420A (en) 1985-07-10 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Acousto-optic system for testing high speed circuits
JPS6217705A (ja) 1985-07-16 1987-01-26 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク光学系用照明装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62100161A (ja) 1985-10-23 1987-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 平面モ−タ
JPS62120026A (ja) 1985-11-20 1987-06-01 Fujitsu Ltd Ｘ線露光装置
JPH07105323B2 (ja) 1985-11-22 1995-11-13 株式会社日立製作所 露光方法
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62153710A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Furukawa Alum Co Ltd ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS62188316A (ja) 1986-02-14 1987-08-17 Canon Inc 投影露光装置
JPS62203526A (ja) 1986-02-28 1987-09-08 トヨタ自動車株式会社 無線電力伝送装置
JP2506616B2 (ja) 1986-07-02 1996-06-12 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法
JPS6336526A (ja) 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置
JPH0695511B2 (ja) 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63128713A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法
JPS63131008A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Fujitsu Ltd 光学的アライメント方法
JPS63141313A (ja) 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd 薄板変形装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63160192A (ja) 1986-12-23 1988-07-02 株式会社明電舎 高周波加熱装置の接続導体
JPS63231217A (ja) 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH0718699B2 (ja) 1987-05-08 1995-03-06 株式会社ニコン 表面変位検出装置
JPS63292005A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Nikon Corp 走り誤差補正をなした移動量検出装置
JPH07117371B2 (ja) 1987-07-14 1995-12-18 株式会社ニコン 測定装置
JPS6426704U (zh) 1987-08-07 1989-02-15
JPS6468926A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Nikon Corp Measurement of image distortion in projection optical system
JPH0191419A (ja) 1987-10-01 1989-04-11 Canon Inc 露光装置
JPH01115033A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Hitachi Ltd ガス放電表示装置
JPH01147516A (ja) 1987-12-04 1989-06-09 Canon Inc ビーム位置制御装置
JP2728133B2 (ja) 1987-12-09 1998-03-18 株式会社リコー デジタル画像形成装置
JPH01202833A (ja) 1988-02-09 1989-08-15 Toshiba Corp 高精度ｘｙステージ装置
JPH0831513B2 (ja) 1988-02-22 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0545102Y2 (zh) 1988-02-24 1993-11-17
JPH01255404A (ja) 1988-04-05 1989-10-12 Toshiba Corp 浮上用電磁石装置
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH01278240A (ja) 1988-04-28 1989-11-08 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用無停電電源
JPH01286478A (ja) 1988-05-13 1989-11-17 Hitachi Ltd ビーム均一化光学系おゆび製造法
JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH01314247A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Fuji Plant Kogyo Kk プリント基板の自動露光装置
JPH0831514B2 (ja) 1988-06-21 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0242382A (ja) 1988-08-02 1990-02-13 Canon Inc 移動ステージ構造
JPH0265149A (ja) 1988-08-30 1990-03-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2729058B2 (ja) 1988-08-31 1998-03-18 山形日本電気株式会社 半導体装置の露光装置
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JP2682067B2 (ja) 1988-10-17 1997-11-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2697014B2 (ja) 1988-10-26 1998-01-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH02139146A (ja) 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段６自由度位置決めテーブル
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
JPH07104442B2 (ja) 1989-04-06 1995-11-13 旭硝子株式会社 フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法
DE3907136A1 (de) 1989-03-06 1990-09-13 Jagenberg Ag Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen
JPH02261073A (ja) 1989-03-29 1990-10-23 Sony Corp 超音波モータ
JPH02287308A (ja) 1989-04-03 1990-11-27 Mikhailovich Khodosovich Vladimir 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法
JPH02285320A (ja) 1989-04-27 1990-11-22 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡の絞装置
JP2527807B2 (ja) * 1989-05-09 1996-08-28 住友大阪セメント株式会社 光学的連想識別装置
JPH02298431A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 放電加工装置
JPH02311237A (ja) 1989-05-25 1990-12-26 Fuji Electric Co Ltd 搬送装置
JPH0341399A (ja) 1989-07-10 1991-02-21 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0364811A (ja) 1989-07-31 1991-03-20 Okazaki Seisakusho:Kk 中空心線ｍｉケーブルと中空心線ｍｉケーブルの製造方法
JPH0372298A (ja) 1989-08-14 1991-03-27 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0394445A (ja) 1989-09-06 1991-04-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ搬送システム
JPH03132663A (ja) 1989-10-18 1991-06-06 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03134341A (ja) 1989-10-20 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置
JP3067142B2 (ja) 1989-11-28 2000-07-17 富士通株式会社 ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法
JP2784225B2 (ja) 1989-11-28 1998-08-06 双葉電子工業株式会社 相対移動量測定装置
JPH03211812A (ja) 1990-01-17 1991-09-17 Canon Inc 露光装置
JPH03263810A (ja) 1990-03-14 1991-11-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 半導体露光装置の振動制御方法
JPH0710897B2 (ja) 1990-04-27 1995-02-08 日本油脂株式会社 プラスチックレンズ
JPH0432154A (ja) 1990-05-25 1992-02-04 Iwasaki Electric Co Ltd メタルハライドランプ装置
US5153428A (en) * 1990-06-15 1992-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Confocal laser scanning microscope having relay lens and a slit for removing stray light
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP3077176B2 (ja) 1990-08-13 2000-08-14 株式会社ニコン 露光方法、装置、及び素子製造方法
JP2995820B2 (ja) 1990-08-21 1999-12-27 株式会社ニコン 露光方法及び方法，並びにデバイス製造方法
JP3049774B2 (ja) 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JPH04130710A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Hitachi Ltd 露光装置
JP2548834B2 (ja) 1990-09-25 1996-10-30 三菱電機株式会社 電子ビーム寸法測定装置
JPH04133414A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JPH04152512A (ja) 1990-10-16 1992-05-26 Fujitsu Ltd ウエハチャック
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
JPH04179115A (ja) 1990-11-08 1992-06-25 Nec Kyushu Ltd 縮小投影露光装置
JP3094439B2 (ja) 1990-11-21 2000-10-03 株式会社ニコン 露光方法
JPH0480052U (zh) 1990-11-27 1992-07-13
JPH04235558A (ja) 1991-01-11 1992-08-24 Toshiba Corp 露光装置
JP3084761B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及びマスク
JP3255168B2 (ja) 1991-02-28 2002-02-12 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置
JP3084760B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP3200894B2 (ja) 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
JP2860174B2 (ja) 1991-03-05 1999-02-24 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
JPH04280619A (ja) 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH04282539A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 Hitachi Ltd 反射・帯電防止膜の形成方法
JPH05259069A (ja) 1991-03-13 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ周辺露光方法
JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1992-08-03 Hitachi Ltd 投影式露光方法
JPH04296092A (ja) 1991-03-26 1992-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー装置
JP2602345Y2 (ja) 1991-03-29 2000-01-11 京セラ株式会社 静圧軸受装置
US5251222A (en) * 1991-04-01 1993-10-05 Teledyne Industries, Inc. Active multi-stage cavity sensor
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH04330961A (ja) 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
FR2676288B1 (fr) 1991-05-07 1994-06-17 Thomson Csf Collecteur d'eclairage pour projecteur.
JPH04343307A (ja) 1991-05-20 1992-11-30 Ricoh Co Ltd レーザー調整装置
JP2884830B2 (ja) 1991-05-28 1999-04-19 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
JPH0590128A (ja) 1991-06-13 1993-04-09 Nikon Corp 露光装置
JPH0513292A (ja) 1991-07-02 1993-01-22 Nikon Corp 露光装置
JPH0545886A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nikon Corp 角形基板の露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH05109601A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JPH05129184A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JPH05127086A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05199680A (ja) 1992-01-17 1993-08-06 Honda Motor Co Ltd 電源装置
JPH0794969B2 (ja) 1992-01-29 1995-10-11 株式会社ソルテック 位置合せ方法及びその装置
JP3194155B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH05217837A (ja) 1992-02-04 1993-08-27 Toshiba Corp Ｘｙ移動テーブル
JP3153372B2 (ja) 1992-02-26 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH05241324A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Nikon Corp フォトマスク及び露光方法
JPH05243364A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置
JP3278896B2 (ja) 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3242693B2 (ja) 1992-05-15 2001-12-25 富士通株式会社 ペリクル貼り付け装置
JP2673130B2 (ja) 1992-05-20 1997-11-05 株式会社キトー 走行用レールの吊下支持装置
JPH0629204A (ja) 1992-07-08 1994-02-04 Fujitsu Ltd レジスト現像方法及び装置
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07318847A (ja) 1994-05-26 1995-12-08 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06104167A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 露光装置及び半導体装置の製造方法
JP2599827Y2 (ja) 1992-10-01 1999-09-20 株式会社ニコン ペリクルフレーム
JP2884947B2 (ja) 1992-10-01 1999-04-19 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法
JP2724787B2 (ja) 1992-10-09 1998-03-09 キヤノン株式会社 位置決め装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06124872A (ja) 1992-10-14 1994-05-06 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06148399A (ja) 1992-11-05 1994-05-27 Nikon Corp Ｘ線用多層膜ミラーおよびｘ線顕微鏡
JPH06163350A (ja) 1992-11-19 1994-06-10 Matsushita Electron Corp 投影露光方法および装置
US5383000A (en) * 1992-11-24 1995-01-17 General Signal Corporation Partial coherence varier for microlithographic system
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH06177007A (ja) 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JPH06186025A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Yunisun:Kk 三次元測定装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3201027B2 (ja) 1992-12-22 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JPH06204121A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2765422B2 (ja) 1992-12-28 1998-06-18 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2786070B2 (ja) 1993-01-29 1998-08-13 セントラル硝子株式会社 透明板状体の検査方法およびその装置
JPH07245258A (ja) 1994-03-08 1995-09-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JPH06241720A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Sony Corp 変位量の測定方法及び変位計
JPH06244082A (ja) 1993-02-19 1994-09-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3291818B2 (ja) 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3537843B2 (ja) 1993-03-19 2004-06-14 株式会社テクノ菱和 クリーンルーム用イオナイザー
US5461410A (en) * 1993-03-29 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Gray scale printing using spatial light modulators
JPH0777191B2 (ja) 1993-04-06 1995-08-16 日本電気株式会社 露光光投射装置
US5815248A (en) * 1993-04-22 1998-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator
JP3309871B2 (ja) 1993-04-27 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JPH06326174A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd ウェハ真空吸着装置
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JP3844787B2 (ja) 1993-09-02 2006-11-15 日産化学工業株式会社 フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法
JP3359123B2 (ja) 1993-09-20 2002-12-24 キヤノン株式会社 収差補正光学系
JP3099933B2 (ja) 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
JPH07122469A (ja) 1993-10-20 1995-05-12 Nikon Corp 投影露光装置
JP3376045B2 (ja) 1993-11-09 2003-02-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07134955A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Hitachi Ltd 表示装置およびその反射率調整方法
JP3339144B2 (ja) 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JP3278303B2 (ja) 1993-11-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07147223A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Hitachi Ltd パターン形成方法
EP1209508B1 (en) 1993-12-01 2004-10-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display for 3D images
JPH07167998A (ja) 1993-12-15 1995-07-04 Nikon Corp レーザープラズマｘ線源用標的
JP3487517B2 (ja) 1993-12-16 2004-01-19 株式会社リコー 往復移動装置
JP3508190B2 (ja) 1993-12-21 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 照明装置及び投写型表示装置
JPH07183201A (ja) 1993-12-21 1995-07-21 Nec Corp 露光装置および露光方法
JPH07190741A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 測定誤差補正法
JPH07220989A (ja) 1994-01-27 1995-08-18 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP3372633B2 (ja) 1994-02-04 2003-02-04 キヤノン株式会社 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置
JP2836483B2 (ja) 1994-05-13 1998-12-14 日本電気株式会社 照明光学装置
US5610733A (en) * 1994-02-28 1997-03-11 Digital Optics Corporation Beam-homogenizer
JPH07239212A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
US5850300A (en) 1994-02-28 1998-12-15 Digital Optics Corporation Diffractive beam homogenizer having free-form fringes
JPH07243814A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Fujitsu Ltd 線幅測定方法
JPH07263315A (ja) 1994-03-25 1995-10-13 Toshiba Corp 投影露光装置
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JPH07283119A (ja) 1994-04-14 1995-10-27 Hitachi Ltd 露光装置および露光方法
JP3193567B2 (ja) 1994-04-27 2001-07-30 キヤノン株式会社 基板収容容器
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP3800616B2 (ja) 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JP3205663B2 (ja) 1994-06-29 2001-09-04 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JP3090577B2 (ja) 1994-06-29 2000-09-25 浜松ホトニクス株式会社 導電体層除去方法およびシステム
JPH0822948A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3205468B2 (ja) 1994-07-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
JPH0846751A (ja) 1994-07-29 1996-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 照明光学系
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08151220A (ja) 1994-11-28 1996-06-11 Nippon Sekiei Glass Kk 石英ガラスの成形方法
JPH08162397A (ja) 1994-11-30 1996-06-21 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08195375A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Sony Corp 回転乾燥方法および回転乾燥装置
JPH08203803A (ja) 1995-01-24 1996-08-09 Nikon Corp 露光装置
JP3521544B2 (ja) 1995-05-24 2004-04-19 株式会社ニコン 露光装置
JP3312164B2 (ja) 1995-04-07 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
JPH08297699A (ja) 1995-04-26 1996-11-12 Hitachi Ltd 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法
JPH08313842A (ja) 1995-05-15 1996-11-29 Nikon Corp 照明光学系および該光学系を備えた露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5680588A (en) 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system
JP3531297B2 (ja) 1995-06-19 2004-05-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP3561556B2 (ja) 1995-06-29 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ マスクの製造方法
JP3637639B2 (ja) 1995-07-10 2005-04-13 株式会社ニコン 露光装置
JPH09108551A (ja) 1995-08-11 1997-04-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 浄水器
JPH0961686A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Nikon Corp プラスチックレンズ
JPH0982626A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP3487527B2 (ja) 1995-09-14 2004-01-19 株式会社東芝 光屈折装置
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
JPH0992593A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
DE19535392A1 (de) 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
KR100505202B1 (ko) 1995-09-27 2005-11-25 칼 짜이스 에스엠테 아게 줌장치
JP3433403B2 (ja) 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
JPH09134870A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd パターン形成方法および形成装置
JPH09148406A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JPH09151658A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Nichibei Co Ltd 移動間仕切壁のランナ連結装置
JPH09160004A (ja) 1995-12-01 1997-06-20 Denso Corp 液晶セル及びその空セル
JP3406957B2 (ja) 1995-12-06 2003-05-19 キヤノン株式会社 光学素子及びそれを用いた露光装置
JPH09162106A (ja) 1995-12-11 1997-06-20 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09178415A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Nikon Corp 光波干渉測定装置
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
JP3232473B2 (ja) 1996-01-10 2001-11-26 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3189661B2 (ja) 1996-02-05 2001-07-16 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP3576685B2 (ja) 1996-02-07 2004-10-13 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH09227294A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 人工水晶の製造方法
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JP3782151B2 (ja) 1996-03-06 2006-06-07 キヤノン株式会社 エキシマレーザー発振装置のガス供給装置
JPH09243892A (ja) 1996-03-06 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子
JP3601174B2 (ja) 1996-03-14 2004-12-15 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH09281077A (ja) 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd キャピラリ−電気泳動装置
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
JP2691341B2 (ja) 1996-05-27 1997-12-17 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09326338A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Nikon Corp 製造管理装置
JPH09325255A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Olympus Optical Co Ltd 電子カメラ
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH102865A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Nikon Corp レチクルの検査装置およびその検査方法
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1032160A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp パターン露光方法及び露光装置
JP3646415B2 (ja) 1996-07-18 2005-05-11 ソニー株式会社 マスク欠陥の検出方法
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
JP3646757B2 (ja) 1996-08-22 2005-05-11 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPH1079337A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 投影露光装置
JPH1055713A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Ushio Inc 紫外線照射装置
JPH1062305A (ja) 1996-08-19 1998-03-06 Advantest Corp Ｃｃｄカメラの感度補正方法およびｃｃｄカメラ感度補正機能付ｌｃｄパネル表示試験システム
JPH1082611A (ja) 1996-09-10 1998-03-31 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH1092735A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
JP2914315B2 (ja) 1996-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法
JPH10104427A (ja) 1996-10-03 1998-04-24 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
JPH10116778A (ja) 1996-10-09 1998-05-06 Canon Inc スキャン露光装置
JPH10116779A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp ステージ装置
JP3955985B2 (ja) 1996-10-16 2007-08-08 株式会社ニコン マーク位置検出装置及び方法
KR100191329B1 (ko) 1996-10-23 1999-06-15 윤종용 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치.
JP3991166B2 (ja) 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JPH10135099A (ja) 1996-10-25 1998-05-22 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
DE69738910D1 (de) 1996-11-28 2008-09-25 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
JP3624065B2 (ja) 1996-11-29 2005-02-23 キヤノン株式会社 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置
JPH10169249A (ja) 1996-12-12 1998-06-23 Ohbayashi Corp 免震構造
JPH10189700A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp ウェーハ保持機構
JP2910716B2 (ja) 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
JPH10206714A (ja) 1997-01-20 1998-08-07 Canon Inc レンズ移動装置
JP2926325B2 (ja) 1997-01-23 1999-07-28 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH10209018A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線マスクフレームおよびｘ線マスクの保持方法
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10294268A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH118194A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH113856A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JPH1114876A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Nikon Corp 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Nikon Corp 試料保持装置および走査型露光装置
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 2003-06-03 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1187237A (ja) 1997-09-10 1999-03-30 Nikon Corp アライメント装置
JP4164905B2 (ja) 1997-09-25 2008-10-15 株式会社ニコン 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JPH11111819A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd ウェハーの固定方法及び露光装置
JPH11111818A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハ保持装置及びウェハ保持具
JPH11111601A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Nikon Corp 露光方法及び装置
JPH11195602A (ja) 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
JP3097620B2 (ja) 1997-10-09 2000-10-10 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11142556A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置
JPH11150062A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nikon Corp 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11162831A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JPH11163103A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JPH11159571A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Nikon Corp 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1504799A (en) 1997-12-16 1999-07-05 Nikon Corporation Aligner, exposure method and method of manufacturing device
JP3673633B2 (ja) 1997-12-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 投影光学系の組立調整方法
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
JPH11204390A (ja) 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JPH11219882A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Nikon Corp ステージ及び露光装置
JP3820728B2 (ja) 1998-02-04 2006-09-13 東レ株式会社 基板の測定装置
JPH11288879A (ja) 1998-02-04 1999-10-19 Hitachi Ltd 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法
JPH11233434A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4207240B2 (ja) 1998-02-20 2009-01-14 株式会社ニコン 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
JPH11260791A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
JPH11260686A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp 露光方法
JPH11264756A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
WO1999049366A1 (fr) 1998-03-20 1999-09-30 Nikon Corporation Photomasque et systeme d'exposition par projection
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
EP1083462A4 (en) 1998-03-26 2003-12-03 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, PHOTOMASK, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, MICROELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JPH11307610A (ja) 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp 基板搬送装置及び露光装置
JPH11312631A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
JP4090115B2 (ja) 1998-06-09 2008-05-28 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
AU4167199A (en) 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000021748A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
JP2000021742A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
DE19829612A1 (de) 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
JP2000032403A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
JP2000036449A (ja) 1998-07-17 2000-02-02 Nikon Corp 露光装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
WO2000011706A1 (fr) 1998-08-18 2000-03-02 Nikon Corporation Illuminateur et appareil d'exposition a la projection
JP2000081320A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2000092815A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
JP4132397B2 (ja) 1998-09-16 2008-08-13 積水化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
JP4065923B2 (ja) 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP2000121498A (ja) 1998-10-15 2000-04-28 Nikon Corp 結像性能の評価方法及び装置
JP2000121491A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Nikon Corp 光学系の評価方法
US6466304B1 (en) * 1998-10-22 2002-10-15 Asm Lithography B.V. Illumination device for projection system and method for fabricating
JP2001176766A (ja) 1998-10-29 2001-06-29 Nikon Corp 照明装置及び投影露光装置
JP2000147346A (ja) 1998-11-09 2000-05-26 Toshiba Corp モールドレンズの取付機構
JP2000180371A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Sharp Corp 異物検査装置および半導体工程装置
US6406148B1 (en) * 1998-12-31 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Electronic color switching in field sequential video displays
JP4146952B2 (ja) 1999-01-11 2008-09-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000208407A (ja) 1999-01-19 2000-07-28 Nikon Corp 露光装置
JPH1198U (ja) 1999-02-08 1999-07-21 株式会社ニコン ペリクルフレ―ム
JP2000243684A (ja) 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000240717A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Canon Inc 能動的除振装置
JP2000252201A (ja) 1999-03-02 2000-09-14 Nikon Corp 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法
JP2000286176A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置
JP2000283889A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法
WO2000067303A1 (fr) 1999-04-28 2000-11-09 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition
DE19921795A1 (de) 1999-05-11 2000-11-23 Zeiss Carl Fa Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie
JP2000003874A (ja) 1999-06-15 2000-01-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001007015A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Canon Inc ステージ装置
WO2001003170A1 (fr) 1999-06-30 2001-01-11 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
JP2001020951A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Toto Ltd 静圧気体軸受
JP2001023996A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 半導体製造方法
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
JP2001037201A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2001044097A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US6280034B1 (en) 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
JP3110023B1 (ja) 1999-09-02 2000-11-20 岩堀 雅行 燃料放出装置
JP2001083472A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp 光変調装置、光源装置、及び露光装置
JP4362857B2 (ja) 1999-09-10 2009-11-11 株式会社ニコン 光源装置及び露光装置
US6940582B1 (en) 1999-09-20 2005-09-06 Nikon Corporation Parallel link mechanism, exposure system and method of manufacturing the same, and method of manufacturing devices
JP2001097734A (ja) 1999-09-30 2001-04-10 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス製容器およびその製造方法
KR100625625B1 (ko) 1999-10-07 2006-09-20 가부시키가이샤 니콘 기판, 스테이지 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 장치 및노광 방법
JP2001110707A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置の光学系
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001135560A (ja) 1999-11-04 2001-05-18 Nikon Corp 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
JP2001135562A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Hitachi Ltd リソグラフィ装置
JP2001144004A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2001167996A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
JP2002118058A (ja) 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
JP2001203140A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3413485B2 (ja) 2000-01-31 2003-06-03 住友重機械工業株式会社 リニアモータにおける推力リップル測定方法
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2007-12-05 松下電器産業株式会社 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
JP2001228404A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Nikon Engineering Co Ltd 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2001242269A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
DE10010131A1 (de) 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
JP2001265581A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法
JP2001267227A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001272764A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法
JP2001338868A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
JP4689064B2 (ja) 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2001282526A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2001296105A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Nikon Corp 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法
JP2001297976A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Canon Inc 露光方法及び露光装置
JP3514439B2 (ja) 2000-04-20 2004-03-31 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法
JP2001307983A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001304332A (ja) 2000-04-24 2001-10-31 Canon Inc 能動制振装置
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
AU2001257191A1 (en) 2000-04-25 2001-11-07 Silicon Valley Group Inc Optical reduction system with elimination of reticle diffraction induced bias
WO2001081977A2 (en) 2000-04-25 2001-11-01 Silicon Valley Group, Inc. Optical reduction system with control of illumination polarization
JP2002057097A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法
KR20010112107A (ko) 2000-06-14 2001-12-20 시마무라 테루오 투영 광학계 및 해당 투영 광학계를 구비한 노광 장치
JP4811623B2 (ja) 2000-06-14 2011-11-09 株式会社ニコン 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2002016124A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002015978A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2002043213A (ja) 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
KR100775796B1 (ko) 2000-08-18 2007-11-12 가부시키가이샤 니콘 광학소자 유지장치
JP3645801B2 (ja) 2000-08-24 2005-05-11 ペンタックス株式会社 ビーム列検出方法および検出用位相フィルター
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
JP4504537B2 (ja) 2000-08-29 2010-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2002093690A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002093686A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002091922A (ja) 2000-09-20 2002-03-29 Fujitsu General Ltd アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
US20020075467A1 (en) 2000-12-20 2002-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP2002158157A (ja) 2000-11-17 2002-05-31 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2002170495A (ja) 2000-11-28 2002-06-14 Akira Sekino 隔壁一体型合成樹脂背面基板
JP2002231619A (ja) 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002190438A (ja) 2000-12-21 2002-07-05 Nikon Corp 露光装置
JP2002198284A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2002203763A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002195912A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002202221A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Nikon Corp 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3495992B2 (ja) 2001-01-26 2004-02-09 キヤノン株式会社 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
JP2002227924A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Canon Inc 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
CN1491427A (zh) 2001-02-06 2004-04-21 ������������ʽ���� 曝光装置、曝光法和器件制造法
DE10113612A1 (de) 2001-02-23 2002-09-05 Zeiss Carl Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem
TWI285295B (en) 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
JP2002258487A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4501292B2 (ja) 2001-03-05 2010-07-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法
WO2002080185A1 (fr) 2001-03-28 2002-10-10 Nikon Corporation Dispositif a etages, dispositif d'exposition et procede de fabrication du dispositif
JP2002289505A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置，露光装置の調整方法，マイクロデバイスの製造方法
JP2002365783A (ja) 2001-04-05 2002-12-18 Sony Corp マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
JP2002324743A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2002329651A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法
DE10124566A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
DE10124803A1 (de) 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
JP4622160B2 (ja) 2001-05-31 2011-02-02 旭硝子株式会社 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置
JP2002359174A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Mitsubishi Electric Corp 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム
US7015491B2 (en) * 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
JP4689081B2 (ja) 2001-06-06 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法
JP3734432B2 (ja) 2001-06-07 2006-01-11 三星電子株式会社 マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法
JPWO2002101804A1 (ja) 2001-06-11 2004-09-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置
JP2002367523A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法
KR20030036254A (ko) * 2001-06-13 2003-05-09 가부시키가이샤 니콘 주사노광방법 및 주사형 노광장치 그리고 디바이스 제조방법
JP2002373849A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
JP2003017003A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Canon Inc ランプおよび光源装置
JP2003015040A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2003028673A (ja) 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
JP2003045712A (ja) 2001-07-26 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 防水コイル及びその製造方法
JP4522024B2 (ja) 2001-07-27 2010-08-11 キヤノン株式会社 水銀ランプ、照明装置及び露光装置
JP2003043223A (ja) 2001-07-30 2003-02-13 Nikon Corp 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置
JP2003059803A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置
JP2003059286A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2003068600A (ja) 2001-08-22 2003-03-07 Canon Inc 露光装置、および基板チャックの冷却方法
JP4183166B2 (ja) 2001-08-31 2008-11-19 京セラ株式会社 位置決め装置用部材
JP2003075703A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Konica Corp 光学ユニット及び光学装置
JP2003081654A (ja) 2001-09-06 2003-03-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 合成石英ガラスおよびその製造方法
JPWO2003023832A1 (ja) 2001-09-07 2004-12-24 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US6819490B2 (en) * 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
SE0103006D0 (sv) 2001-09-10 2001-09-10 Micronic Lasersystems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and reading/writing of a pattern on a workpiece
JP2003084445A (ja) 2001-09-13 2003-03-19 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法
JP4160286B2 (ja) 2001-09-21 2008-10-01 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法
JP3910032B2 (ja) 2001-09-25 2007-04-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
JP4082160B2 (ja) 2001-10-01 2008-04-30 ソニー株式会社 プリズム及び投影装置
EP1694079B1 (en) 2001-10-01 2008-07-23 Sony Corporation Polarization selecting prism for a projection device
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP4412450B2 (ja) 2001-10-05 2010-02-10 信越化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP2003124095A (ja) 2001-10-11 2003-04-25 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003130132A (ja) 2001-10-22 2003-05-08 Nec Ameniplantex Ltd 除振機構
US6577379B1 (en) * 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
JP4362999B2 (ja) 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US6900915B2 (en) 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
JP4307813B2 (ja) 2001-11-14 2009-08-05 株式会社リコー 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置
JP3809095B2 (ja) 2001-11-29 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システムおよび露光装置
JP2003161882A (ja) 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP2003166856A (ja) 2001-11-29 2003-06-13 Fuji Electric Co Ltd 光学式エンコーダ
JP3945569B2 (ja) 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2003188087A (ja) 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法
US6577429B1 (en) 2002-01-15 2003-06-10 Eastman Kodak Company Laser projection display system
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP3809381B2 (ja) 2002-01-28 2006-08-16 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003229347A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Canon Inc 半導体製造装置
JP2003233001A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003240906A (ja) 2002-02-20 2003-08-27 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止体およびその製造方法
JP2003258071A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
WO2003075328A1 (fr) * 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif
JP2003263119A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Fuji Xerox Co Ltd リブ付き電極およびその製造方法
JP3984841B2 (ja) 2002-03-07 2007-10-03 キヤノン株式会社 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP3975787B2 (ja) 2002-03-12 2007-09-12 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP4100011B2 (ja) 2002-03-13 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置、有機ｅｌ装置の製造装置及び製造方法
JP4335495B2 (ja) 2002-03-27 2009-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置
JP2003297727A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
AU2003236023A1 (en) 2002-04-09 2003-10-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure device, and device manufacturing method
IL164483A0 (en) * 2002-04-10 2005-12-18 Fujinon Corp Exposure head, exposure apparatus, and applicationthereof
JP2004006440A (ja) * 2002-04-10 2004-01-08 Fuji Photo Film Co Ltd レーザ装置、露光ヘッド、及び露光装置
US6960035B2 (en) * 2002-04-10 2005-11-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method
DE10310690A1 (de) 2002-04-12 2003-10-30 Heidelberger Druckmasch Ag Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine
US20050095749A1 (en) 2002-04-29 2005-05-05 Mathias Krellmann Device for protecting a chip and method for operating a chip
JP2005524112A (ja) 2002-04-29 2005-08-11 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン チップの保護装置およびチップの作動方法
JP2004015187A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ
JP4037179B2 (ja) 2002-06-04 2008-01-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法、洗浄装置
JP2004014876A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
DE60319462T2 (de) 2002-06-11 2009-03-12 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP2004022708A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Nikon Corp 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法
JP2004179172A (ja) 2002-06-26 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
JP4012771B2 (ja) 2002-06-28 2007-11-21 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム
JP4546019B2 (ja) * 2002-07-03 2010-09-15 株式会社日立製作所 露光装置
JP2004039952A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置
JP2004040039A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Sony Corp 露光方法の選択方法
JP2004045063A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Topcon Corp 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板
JP2004063847A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びステージ装置
JP2004071851A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Canon Inc 半導体露光方法及び露光装置
JP2004085612A (ja) 2002-08-22 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法
JP4095376B2 (ja) 2002-08-28 2008-06-04 キヤノン株式会社 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP4214547B2 (ja) 2002-08-29 2009-01-28 株式会社オーク製作所 ビーム成形光学素子およびそれを備えたパターン描画装置
JP2004095653A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Nikon Corp 露光装置
JP2004145269A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Nikon Corp 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法
EP1395049A1 (en) 2002-09-02 2004-03-03 Sony International (Europe) GmbH Illumination unit for a projection system
SE0202584D0 (sv) 2002-09-02 2002-09-02 Micronic Laser Systems Ab A Method and device for coherence reduction
US20050141583A1 (en) * 2002-09-02 2005-06-30 Torbjorn Sandstrom Method and device for coherence reduction
JP2004103674A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004101362A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2004098012A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器
JP2004111579A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4269610B2 (ja) 2002-09-17 2009-05-27 株式会社ニコン 露光装置及び露光装置の製造方法
KR100480620B1 (ko) * 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
JP2004119497A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Huabang Electronic Co Ltd 半導体製造設備と方法
JP4333866B2 (ja) 2002-09-26 2009-09-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US6958867B2 (en) * 2002-09-30 2005-10-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Illumination optical system, exposure device using the illumination optical system, and exposure method
JP2005018013A (ja) 2002-09-30 2005-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系およびそれを用いた露光装置並びに露光方法
JP2004128307A (ja) 2002-10-04 2004-04-22 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法
JP2004134682A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Nikon Corp 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置
US6665119B1 (en) 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
JP2004140145A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置
JP2004146702A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004153064A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004153096A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004152705A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004165249A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP2004163555A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Olympus Corp 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP2004165416A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Nikon Corp 露光装置及び建屋
JP2004172471A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4378938B2 (ja) 2002-11-25 2009-12-09 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
US6844927B2 (en) 2002-11-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection
TWI281099B (en) * 2002-12-02 2007-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4314555B2 (ja) 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置
TW200412617A (en) 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
EP1571701A4 (en) 2002-12-10 2008-04-09 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
AU2003289007A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Optical device and projection exposure apparatus using such optical device
KR20110086130A (ko) 2002-12-10 2011-07-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
AU2003289199A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
CN101852993A (zh) 2002-12-10 2010-10-06 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
AU2003289237A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
JP2004301825A (ja) 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
JP2004193425A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Nikon Corp 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2004198748A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004205698A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
US6891655B2 (en) 2003-01-02 2005-05-10 Micronic Laser Systems Ab High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices
JP2004221253A (ja) 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
EP1583946B1 (en) * 2003-01-15 2006-11-08 Micronic Laser Systems Ab A method to detect a defective pixel
JP2004224421A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Autom Mach Works Ltd 製品供給装置
JP2004228497A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Nikon Corp 露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP4280509B2 (ja) * 2003-01-31 2009-06-17 キヤノン株式会社 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法
JP2004241666A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Nikon Corp 計測方法及び露光方法
JP2004007417A (ja) 2003-02-10 2004-01-08 Fujitsu Ltd 情報提供システム
JP2004266259A (ja) * 2003-02-10 2004-09-24 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4366948B2 (ja) 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004259828A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 半導体露光装置
KR101563453B1 (ko) 2003-02-26 2015-10-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2004259985A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法
JP2004260081A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置
JP4305003B2 (ja) 2003-02-27 2009-07-29 株式会社ニコン Ｅｕｖ光学系及びｅｕｖ露光装置
JP2004260115A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
SE0300516D0 (sv) 2003-02-28 2003-02-28 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
WO2004086470A1 (ja) 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004294202A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 画面の欠陥検出方法及び装置
JP4265257B2 (ja) 2003-03-28 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-07 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2004304135A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
DE602004020200D1 (de) 2003-04-07 2009-05-07 Nippon Kogaku Kk Belichtungsgerät und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
JP4288413B2 (ja) 2003-04-07 2009-07-01 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4281397B2 (ja) 2003-04-07 2009-06-17 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4374964B2 (ja) 2003-09-26 2009-12-02 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4341277B2 (ja) 2003-04-07 2009-10-07 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法
JP4465974B2 (ja) 2003-04-07 2010-05-26 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4428115B2 (ja) 2003-04-11 2010-03-10 株式会社ニコン 液浸リソグラフィシステム
JP2004319724A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Ses Co Ltd 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造
JPWO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2006-07-13 株式会社ニコン 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2004094301A1 (en) 2003-04-24 2004-11-04 Metconnex Canada Inc. A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
US7095546B2 (en) 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
JP2004335808A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
JP2004335864A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP4487168B2 (ja) 2003-05-09 2010-06-23 株式会社ニコン ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置
JP2004342987A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Canon Inc ステージ装置
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
TWI616932B (zh) 2003-05-23 2018-03-01 Nikon Corp Exposure device and component manufacturing method
TWI470671B (zh) 2003-05-23 2015-01-21 尼康股份有限公司 Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
CN101614966B (zh) 2003-05-28 2015-06-17 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
JP2004356410A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
US7061591B2 (en) * 2003-05-30 2006-06-13 Asml Holding N.V. Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004109780A1 (ja) 2003-06-04 2004-12-16 Nikon Corporation ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JP2005005295A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005005395A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nikon Corp ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法
JP2005005521A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
DE602004024782D1 (de) 2003-06-19 2010-02-04 Nippon Kogaku Kk Belichtungseinrichtung und bauelementeherstellungsverfahren
JP2005011990A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法
JP2005019628A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005026634A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
EP1646075B1 (en) 2003-07-09 2011-06-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2005032909A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系およびそれを用いた露光装置
WO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2005-01-27 Nikon Corporation フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2005051147A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005055811A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Olympus Corp 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法
JP2005064210A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Nikon Corp 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JP4262031B2 (ja) 2003-08-19 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
SG140603A1 (en) 2003-08-29 2008-03-28 Nikon Corp Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
US7714983B2 (en) * 2003-09-12 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
JP2005091023A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Minolta Co Ltd 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置
JP2005093948A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005093324A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Toshiba Corp 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7064880B2 (en) 2003-09-25 2006-06-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Projector and projection method
JP2005123586A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影装置および投影方法
US7692784B2 (en) * 2003-09-26 2010-04-06 Tidal Photonics, Inc. Apparatus and methods relating to enhanced spectral measurement systems
JP4385702B2 (ja) 2003-09-29 2009-12-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005114882A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2005116831A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Nikon Corp 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JPWO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2007-11-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JPWO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2006-12-28 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005127460A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 免震除振床システム
TWI609409B (zh) 2003-10-28 2017-12-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP4605014B2 (ja) 2003-10-28 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
US7148952B2 (en) 2003-10-31 2006-12-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005140999A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
WO2005048326A1 (ja) 2003-11-13 2005-05-26 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JPWO2005048325A1 (ja) 2003-11-17 2007-11-29 株式会社ニコン ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
JP4470095B2 (ja) 2003-11-20 2010-06-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4552428B2 (ja) 2003-12-02 2010-09-29 株式会社ニコン 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005175177A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 光学装置及び露光装置
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
WO2005057636A1 (ja) 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation ステージ装置、露光装置、及び露光方法
JP3102327U (ja) 2003-12-17 2004-07-02 国統国際股▲ふん▼有限公司 可撓管の漏れ止め機構
JP4954444B2 (ja) 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
KR101324810B1 (ko) 2004-01-05 2013-11-01 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4586367B2 (ja) 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP4474927B2 (ja) 2004-01-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005209705A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP4319189B2 (ja) 2004-01-26 2009-08-26 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7580559B2 (en) 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
TWI511182B (zh) 2004-02-06 2015-12-01 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
KR101166007B1 (ko) 2004-02-10 2012-07-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법
JP4370992B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-25 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
US20080151200A1 (en) 2004-02-19 2008-06-26 Nikon Corporation Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
US8023100B2 (en) 2004-02-20 2011-09-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, supply method and recovery method, exposure method, and device producing method
JP4693088B2 (ja) 2004-02-20 2011-06-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2005234359A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Ricoh Co Ltd 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置
JP4333404B2 (ja) 2004-02-25 2009-09-16 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005243870A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Pentax Corp パターン描画装置
JP2005243904A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
US7551261B2 (en) * 2004-02-26 2009-06-23 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
US6977718B1 (en) 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2005251549A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Nikon Corp マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法
JP2005257740A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP4778685B2 (ja) 2004-03-10 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005276932A (ja) 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005309380A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置
JP2005302825A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Canon Inc 露光装置
JP4474979B2 (ja) 2004-04-15 2010-06-09 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
EP2490248A3 (en) 2004-04-19 2018-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005311020A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4569157B2 (ja) 2004-04-27 2010-10-27 株式会社ニコン 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
JP2005340605A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Nikon Corp 露光装置およびその調整方法
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
US7123348B2 (en) * 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
JP2006005197A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Canon Inc 露光装置
JP4419701B2 (ja) 2004-06-21 2010-02-24 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
US7116403B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006017895A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Integrated Solutions:Kk 露光装置
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4444743B2 (ja) 2004-07-07 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7283209B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
US7259827B2 (en) 2004-07-14 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Diffuser unit, lithographic apparatus, method for homogenizing a beam of radiation, a device manufacturing method and device manufactured thereby
EP1788694A4 (en) 2004-07-15 2014-07-02 Nikon Corp EQUIPMENT FOR PLANAR MOTOR, STAGE EQUIPMENT, EXPOSURE EQUIPMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE
JP2006032750A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
JP4411158B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-10 キヤノン株式会社 露光装置
JP2006049758A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Nikon Corp 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置
JP2006054328A (ja) 2004-08-12 2006-02-23 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006054364A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Nikon Corp 基板吸着装置、露光装置
JP4599936B2 (ja) 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
WO2006019124A1 (ja) 2004-08-18 2006-02-23 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006073584A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
JP4779973B2 (ja) 2004-09-01 2011-09-28 株式会社ニコン 基板ホルダ及びステージ装置並びに露光装置
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006080281A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Nikon Corp ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JPWO2006028188A1 (ja) 2004-09-10 2008-05-08 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
US7079225B2 (en) * 2004-09-14 2006-07-18 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006086141A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
EP1804278A4 (en) 2004-09-14 2011-03-02 Nikon Corp CORRECTION METHOD AND EXPOSURE DEVICE
JP2006086442A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
KR20070054635A (ko) 2004-09-17 2007-05-29 가부시키가이샤 니콘 노광용 기판, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4804358B2 (ja) 2004-09-27 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 空間光変調装置、光学処理装置、及びカップリングプリズムの使用方法
JP2006100363A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
GB2419208A (en) * 2004-10-18 2006-04-19 Qinetiq Ltd Optical correlation employing an optical bit delay
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
US7177012B2 (en) * 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006120985A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006128192A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN101598903A (zh) 2004-11-01 2009-12-09 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法
JP4517354B2 (ja) 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1816671A4 (en) 2004-11-11 2010-01-13 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SUBSTRATE
JP2006140366A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
US7333177B2 (en) * 2004-11-30 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005150759A (ja) 2004-12-15 2005-06-09 Nikon Corp 走査型露光装置
EP3428724A1 (en) 2004-12-15 2019-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
JP2006170811A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Nikon Corp 多層膜反射鏡、ｅｕｖ露光装置、及び軟ｘ線光学機器
JP2006171426A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系及びそれを用いた露光装置
JP2006170899A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Sendai Nikon:Kk 光電式エンコーダ
WO2006068233A1 (ja) 2004-12-24 2006-06-29 Nikon Corporation 磁気案内装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2006177865A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Ntn Corp 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置
JP4402582B2 (ja) 2004-12-27 2010-01-20 大日本印刷株式会社 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置
US20060138349A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4632793B2 (ja) 2005-01-12 2011-02-16 京セラ株式会社 ナビゲーション機能付き携帯型端末機
TWI453795B (zh) 2005-01-21 2014-09-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
EP1850464A4 (en) 2005-01-21 2017-03-15 Nikon Corporation Linear motor, stage apparatus, and exposure apparatus
JP2006208432A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光方法および装置
KR100664325B1 (ko) * 2005-02-04 2007-01-04 삼성전자주식회사 광 터널 및 이를 포함하는 프로젝션 장치
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
JPWO2006085626A1 (ja) * 2005-02-14 2008-06-26 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP4650619B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-16 株式会社ニコン 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置
JP2006253572A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1866700A1 (en) 2005-03-15 2007-12-19 Carl Zeiss SMT AG Projection exposure method and projection exposure system therefor
WO2006100889A1 (ja) 2005-03-23 2006-09-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機ｅｌ層の形成方法
JP4858744B2 (ja) 2005-03-24 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置
JP4561425B2 (ja) * 2005-03-24 2010-10-13 ソニー株式会社 ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法
US7548302B2 (en) 2005-03-29 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317506B2 (en) * 2005-03-29 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Variable illumination source
JP2006278820A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP4493538B2 (ja) * 2005-03-31 2010-06-30 富士通株式会社 波長選択スイッチ
JP4546315B2 (ja) 2005-04-07 2010-09-15 株式会社神戸製鋼所 微細加工用型の製造方法
US20080246937A1 (en) 2005-04-27 2008-10-09 Nikon Corporation Exposing Method, Exposure Apparatus, Device Fabricating Method, and Film Evaluating Method
US7400382B2 (en) * 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
EP1882895A4 (en) 2005-05-12 2012-06-27 Techno Dream 21 Co Ltd MEASURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL SHAPING AND EQUIPMENT THEREFOR
JP2006343023A (ja) 2005-06-08 2006-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 冷却器
JP4771753B2 (ja) * 2005-06-08 2011-09-14 新光電気工業株式会社 面光源制御装置および面光源制御方法
JP2006351586A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4710427B2 (ja) 2005-06-15 2011-06-29 株式会社ニコン 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
KR101302244B1 (ko) * 2005-07-01 2013-09-02 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 및 시스템
JP4684774B2 (ja) 2005-07-05 2011-05-18 株式会社ナノシステムソリューションズ 露光装置
JP2007027188A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Nano System Solutions:Kk 露光用照明光源の形成方法、露光用照明光源装置、露光方法及び露光装置
EP1918983A4 (en) 2005-08-05 2010-03-31 Nikon Corp STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE
JP2007048819A (ja) 2005-08-08 2007-02-22 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007043980A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Sanei Gen Ffi Inc 焼成和洋菓子用品質改良剤
JP2007087306A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Yokohama National Univ 目標画像指定作成方式
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
JP4640090B2 (ja) 2005-10-04 2011-03-02 ウシオ電機株式会社 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構
JP2007113939A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Nikon Corp 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法
JP2007120334A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp 車両駆動システムの異常診断装置
JP2007120333A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器
JP4809037B2 (ja) 2005-10-27 2011-11-02 日本カニゼン株式会社 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品
KR20080066836A (ko) 2005-11-09 2008-07-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2007150295A (ja) * 2005-11-10 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム
JPWO2007055373A1 (ja) 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
TWI479271B (zh) * 2005-11-15 2015-04-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
JP2007142313A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Nikon Corp 計測工具及び調整方法
JP2007144864A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置
EP1965414A4 (en) 2005-12-06 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
KR101539517B1 (ko) 2005-12-08 2015-07-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4800901B2 (ja) 2005-12-12 2011-10-26 矢崎総業株式会社 電圧検出装置及び絶縁インタフェース
US20070166134A1 (en) 2005-12-20 2007-07-19 Motoko Suzuki Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus
JP2007170938A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Sendai Nikon:Kk エンコーダ
JP2007178727A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Seiko Epson Corp 照明装置及びプロジェクタ
JP2007207821A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2007258691A (ja) 2006-02-21 2007-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法
US7532378B2 (en) * 2006-02-21 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device
US7525642B2 (en) * 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007227637A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Canon Inc 液浸露光装置
CN101389982A (zh) 2006-02-27 2009-03-18 株式会社尼康 分色镜
JP2007234110A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法
JP4929762B2 (ja) 2006-03-03 2012-05-09 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2007100081A1 (ja) 2006-03-03 2007-09-07 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP4879619B2 (ja) * 2006-03-20 2012-02-22 オリンパス株式会社 レーザ加工装置
JP2007280623A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
JP2007295702A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Toshiba Mach Co Ltd リニアモータ、および、ステージ駆動装置
JPWO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2009-09-24 株式会社ニコン 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
JP4873138B2 (ja) 2006-06-21 2012-02-08 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及びプログラム
KR101427433B1 (ko) * 2006-08-02 2014-08-08 가부시키가이샤 니콘 결함 검출 장치 및 결함 검출 방법
JP4883482B2 (ja) 2006-08-18 2012-02-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2008058580A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Canon Inc 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム
JP2008064924A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Seiko Epson Corp 定着装置及び画像形成装置
EP2068349A4 (en) 2006-09-29 2011-03-30 Nikon Corp STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE
KR100855628B1 (ko) * 2006-10-02 2008-09-03 삼성전기주식회사 광변조기 검사를 위한 장치 및 방법
US7804603B2 (en) * 2006-10-03 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Measurement apparatus and method
JP2007051300A (ja) 2006-10-10 2007-03-01 Teijin Chem Ltd 難燃性樹脂組成物
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
WO2008065977A1 (fr) 2006-11-27 2008-06-05 Nikon Corporation Procédé d'exposition, procédé de formation de motif, dispositif d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif
JP2007274881A (ja) 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
WO2008078668A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Miura Co., Ltd. ボイラ給水用補給水の供給方法
KR20150036734A (ko) 2006-12-27 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의 제조 방법
TW200846838A (en) 2007-01-26 2008-12-01 Nikon Corp Support structure and exposure apparatus
JP4639338B2 (ja) * 2007-03-20 2011-02-23 国立大学法人 大分大学 胸部ｘ線画像からのリブケイジ境界検出方法
US8937706B2 (en) * 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US9250536B2 (en) * 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP5345132B2 (ja) 2007-04-25 2013-11-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ露光装置においてマスクを照明するための照明系
JP5304644B2 (ja) 2007-05-09 2013-10-02 株式会社ニコン フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法
BRPI0812782B1 (pt) 2007-05-31 2019-01-22 Panasonic Corp aparelho de captura de imagem, aparelho de provisão de informação adicional e método para uso em um aparelho de provisão de informação adicional
US7573564B2 (en) * 2007-06-26 2009-08-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Systems for doppler tracking using photonic mixing detectors
JP5090803B2 (ja) * 2007-06-29 2012-12-05 株式会社オーク製作所 描画装置
JP5194650B2 (ja) 2007-08-31 2013-05-08 株式会社ニコン 電子カメラ
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
SG10201602750RA (en) * 2007-10-16 2016-05-30 Nikon Corp Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
US8379187B2 (en) * 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4499774B2 (ja) 2007-10-24 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
WO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2009-12-23 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
JP5467531B2 (ja) 2008-06-26 2014-04-09 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置
WO2010001537A1 (ja) 2008-06-30 2010-01-07 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置、薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置、及び回路形成装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH113849A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
JP2002353105A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置，該照明光学装置を備えた露光装置，およびマイクロデバイスの製造方法
EP1262836A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-04 Asml Lithographic apparatus
CN1576908A (zh) * 2003-07-02 2005-02-09 株式会社瑞萨科技 起偏器、投影透镜系统、曝光装置及曝光方法
CN1879062A (zh) * 2003-09-12 2006-12-13 卡尔蔡司Smt股份公司 用于微光刻投影曝光设备的照明系统
US20060175556A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP5267029B2 (ja) 2013-08-21
JP2018077494A (ja) 2018-05-17
CN103149806B (zh) 2016-04-06
EP2181360A1 (en) 2010-05-05
EP2527920B1 (en) 2017-08-30
JP5673715B2 (ja) 2015-02-18
HK1180775A1 (zh) 2013-10-25
JP2017045064A (ja) 2017-03-02
KR101924745B1 (ko) 2018-12-03
CN103149807A (zh) 2013-06-12
CN103149807B (zh) 2016-04-06
KR20180129981A (ko) 2018-12-05
CN101681117B (zh) 2014-05-14
KR20170065683A (ko) 2017-06-13
JP5867576B2 (ja) 2016-02-24
EP2515171B1 (en) 2017-08-30
US20180314162A1 (en) 2018-11-01
HK1180776A1 (zh) 2013-10-25
JP2015073129A (ja) 2015-04-16
KR20150031493A (ko) 2015-03-24
JP6525045B2 (ja) 2019-06-05
US9097981B2 (en) 2015-08-04
CN101681117A (zh) 2010-03-24
EP2498132A1 (en) 2012-09-12
HK1136648A1 (zh) 2010-07-02
EP2518564A1 (en) 2012-10-31
JP2016035593A (ja) 2016-03-17
WO2009048170A1 (en) 2009-04-16
EP2527920A1 (en) 2012-11-28
US20150261096A1 (en) 2015-09-17
US10101666B2 (en) 2018-10-16
US20090128886A1 (en) 2009-05-21
EP2515171A1 (en) 2012-10-24
JP2009111369A (ja) 2009-05-21
TWI459149B (zh) 2014-11-01
JP2013138255A (ja) 2013-07-11
TW200916982A (en) 2009-04-16
KR20100081972A (ko) 2010-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101681117B (zh) 照明光学装置、曝光装置及元件制造方法
TWI454850B (zh) 照明光學裝置以及曝光裝置
CN101681123B (zh) 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US7706072B2 (en) Optical integrator, illumination optical device, photolithograph, photolithography, and method for fabricating device
CN102472987A (zh) 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
US20120015306A1 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2000057459A1 (fr) Méthode d&#39;exposition et dispositif correspondant
US20060286482A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a resettable or reversible contrast enhancing layer in a multiple exposure system
JP7582181B2 (ja) 露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法
TWI874373B (zh) 曝光裝置、照明光學系統以及元件製造方法
KR20210144669A (ko) 노광 장치, 조명 광학계 및 디바이스 제조 방법
JP6183635B2 (ja) オプティカルインテグレータ、照明ユニット、伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2014146718A (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2014107309A (ja) 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2014086627A (ja) 監視装置、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR20210144672A (ko) 노광 장치, 조명 광학계 및 디바이스 제조 방법
JP2013098208A (ja) 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法、および照明方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1180775

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1180775

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160406

Termination date: 20201010