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CN102674418A - 一种高纯氧化铝颗粒的制备方法 - Google Patents

一种高纯氧化铝颗粒的制备方法 Download PDF

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CN102674418A
CN102674418A CN2012101789576A CN201210178957A CN102674418A CN 102674418 A CN102674418 A CN 102674418A CN 2012101789576 A CN2012101789576 A CN 2012101789576A CN 201210178957 A CN201210178957 A CN 201210178957A CN 102674418 A CN102674418 A CN 102674418A
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CN
China
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high purity
aluminium oxide
purity alumina
purity aluminium
oxide particle
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CN2012101789576A
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English (en)
Inventor
卢胜波
关巍
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DALIAN HILAND PHOTOELECTRIC MATERIAL Co Ltd
Original Assignee
DALIAN HILAND PHOTOELECTRIC MATERIAL Co Ltd
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  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
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Abstract

本发明涉及一种高纯氧化铝颗粒的制备方法。将高纯氧化铝粉体投入气流磨粉碎,粉碎后的粉体放入转盘式成球机,通过成球盘的不断转动,使高纯氧化铝粉体粒子互相粘附长大,成长为高纯氧化铝颗粒坯体。最后,将高纯氧化铝颗粒坯体焙烧,得到高纯氧化铝颗粒。本发明使用的设备简单,易于操作,造价低廉。用此方法制备高纯氧化铝颗粒工艺简单实用,制备的高纯氧化铝颗粒纯度≥99.999%,外观光滑,球形度好,粒度均匀,机械强度高,其松装密度大于2.0g/cm3

Description

一种高纯氧化铝颗粒的制备方法
技术领域
本发明涉及一种高纯氧化铝颗粒的制备方法,特别是由高纯氧化铝粉体直接加工制得高纯氧化铝颗粒的成型方法。属于粉料制备领域。
背景技术
高纯氧化铝是指纯度大于99.999%的氧化铝,高纯氧化铝及其制品广泛应用于蓝宝石单晶、透明多晶陶瓷、YAG、LED、蓄光材料、发光材料、耐火材料和研磨材料等领域。近年来,随着LED产业的飞速发展,市场上对LED用衬底材料蓝宝石单晶的需求量越来越大。为了能够生产出更多更好的蓝宝石单晶,国内外厂商对蓝宝石的原材料氧化铝块的品质要求也越来越高。不仅要求其纯度达到5N(99.999%)标准,对单位体积的填充率也提出了更高的要求。高纯氧化铝颗粒在保证产品纯度要求的同时,可以轻松的进行规则堆积,提高物料的填充率,满足市场需求。
目前,国内外制备的氧化铝颗粒纯度低、松装密度小,并且氧化铝颗粒成型过程操作复杂,在很大程度上增加了制备的费用和实现的难度。
发明内容
本发明的目的,在于克服目前制备方法的缺陷,提供一种以高纯氧化铝粉体为原料加工制备高纯氧化铝颗粒的成型方法。
本发明的目的通过下述技术方案予以实现:将高纯氧化铝粉体投入气流磨中粉碎,可有效解决粉体的团聚现象,有利于成型工艺。加工后的粉体粒度至2-3μm,放入转盘式成球机,通过成球盘的不断转动,使高纯氧化铝粉体粒子互相粘附长大,成长为高纯氧化铝颗粒坯体。当颗粒坯体的直径达到0.5-3mm,就可以从成球盘中取出。最后,将高纯氧化铝颗粒坯体在1400℃-1600℃下经4-5小时焙烧,得到高纯氧化铝颗粒。
本发明使用的设备简单,易于操作,造价低廉。用此方法制备高纯氧化铝颗粒工艺简单实用,烧结后的高纯氧化铝颗粒纯度≥99.999%,外观光滑,球形度好,粒度均匀,机械强度高,其松装密度大于2.0g/cm3
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述:
实施例一
用纯度为99.999%的高纯氧化铝粉体为原料,经气流磨粉碎后,粉体粒度至2-3μm。将此粉体放入转盘式成球机中,设定转盘倾斜角度为45°、转速为25r/min,滚动成型至高纯氧化铝颗粒坯体直径为0.5-3mm,取出装入高纯氧化铝坩埚,送入窑炉进行焙烧。在1400℃的烧结温度下焙烧4-5小时,冷却后得到纯度不低于99.999%、松装密度为1.82g/cm3的高纯氧化铝颗粒。
实施例二
用纯度为99.999%的高纯氧化铝粉体为原料,经气流磨粉碎后,粉体粒度至2-3μm。将此粉体放入转盘式成球机中,设定转盘倾斜角度为45°、转速为25r/min,滚动成型至高纯氧化铝颗粒坯体直径为0.5-3mm,取出装入高纯氧化铝坩埚,送入窑炉进行焙烧。在1500℃的烧结温度下焙烧4-5小时,冷却后得到纯度不低于99.999%、松装密度为2.15g/cm3的高纯氧化铝颗粒。
实施例三
实施例三用纯度为99.999%的高纯氧化铝粉体为原料,经气流磨粉碎后,粉体粒度至2-3μm。将此粉体放入转盘式成球机中,设定转盘倾斜角度为45°、转速为25r/min,滚动成型至高纯氧化铝颗粒坯体直径为0.5-3mm,取出装入高纯氧化铝坩埚,送入窑炉进行焙烧。在1600℃的烧结温度下焙烧4-5小时,冷却后得到纯度不低于99.999%、松装密度为2.30g/cm3的高纯氧化铝颗粒。

Claims (6)

1.一种高纯氧化铝颗粒的制备方法,该方法是:将高纯氧化铝粉体投入气流磨中粉碎,粉碎后放入转盘式成球机,通过成球盘的不断转动,使高纯氧化铝粉体粒子互相粘附长大,成长为高纯氧化铝颗粒坯体,然后从成球盘中取出,最后将高纯氧化铝颗粒坯体焙烧,得到高纯氧化铝颗粒。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:经气流磨粉碎的高纯氧化铝粉体粒度至2-3μm。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:高纯氧化铝粉体通过成球盘的不断转动后,成长为直径达到0.5-3mm的高纯氧化铝颗粒坯体。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:将所述高纯氧化铝颗粒坯体在1400℃-1600℃下经4-5小时焙烧,得到高纯氧化铝颗粒。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于:所述的焙烧是将高纯氧化铝颗粒装入高纯氧化铝坩埚,送入窑炉进行焙烧。
6.根据权利要求1或3所述的制备方法,其特征在于:所述转盘式成球机,设定转盘倾斜角度为45°、转速为25r/min。
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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