CN102456624B - 有机电致发光显示器的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种有机电致发光显示器的阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括：在基板上形成半导体层、半导体虚拟图案、第一存储电极和第一栅绝缘层；在半导体层和第一存储电极上形成第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上形成栅极和第二存储电极；在半导体层的两侧中掺入杂质，从而形成欧姆接触层；在栅极和第二存储电极上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成源极、漏极和第三存储电极；在源极、漏极和第三存储电极上形成钝化层；在钝化层上形成第一电极和第四存储电极；以及在第一电极上形成衬垫料和堤。

Description

有机电致发光显示器的阵列基板及其制造方法

本发明要求2010年11月2日提交的韩国专利申请No.10-2010-0108271的优先权，在此通过引用的方式包含该专利申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及有机电致发光显示器的阵列基板及其制造方法，尤其涉及包含多晶硅薄膜晶体管的有机电致发光显示器的阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着信息技术的迅速发展，已快速研发出显示大量信息的显示器。最近，已提出和积极研究外形薄、重量轻、且功耗低的平板显示器（FPD）。

在这些显示器中，有机电致发光显示器因为具有下述多个优点而备受瞩目：有机电致发光显示器具有高亮度和低驱动电压；因为有机电致发光显示器是自发光的，因此具有极好的对比度和超薄的厚度；有机电致发光显示器具有几微秒的响应时间，而且具有显示运动图像时的优势；有机电致发光显示器具有宽视角，而且在低温下稳定；因为有机电致发光显示器由5V到15V的直流(DC)低压驱动，所以容易设计和生产驱动电路；因为实质上仅仅需要沉积和封装装置，所以有机电致发光显示器的制造工艺非常简单。在有机电致发光显示器中，有源矩阵型显示器一直被广泛采用。

有机电致发光显示器包括阵列基板，在阵列基板上形成开/关各个像素区的薄膜晶体管。薄膜晶体管可采用多晶硅作为半导体层。包括多晶硅薄膜晶体管的有机电致发光显示器的阵列基板一般通过9或者10个掩模工序来制造。

在基板上形成材料层之后，掩模工序包含以下步骤：在材料层上形成光刻胶层；利用光掩模将光刻胶层曝光；使曝光后的光刻胶层显影以形成光刻胶图案；利用光刻胶图案作为掩模蚀刻所述材料层；和剥离光刻胶图案。

因此，为了执行一个掩模工序，需要每个步骤的装置和材料，且每个步骤也都需要时间。在制造有机电致发光显示器时，一直在尝试和努力减少掩模工序。

同时，在包含多晶硅薄膜晶体管的有机电致发光显示器中，为了图像显示的稳定性，在每个像素区中都需要大容量的存储电容器。

另外，如果显示器具有高分辨率，那么像素区的尺寸减小，而且由于存储电容器的电极面积减小，存储电容器的容量降低。为了增加存储电容器的容量，可以增加存储电容器的电极面积，这样会减小显示器的孔径比。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种有机电致发光显示器及其制造方法，其基本克服了现有技术的局限和缺点导致的一个或者多个问题。

本发明的一个目的是提供一种包括多晶硅薄膜晶体管且具有高容量存储电容器的有机电致发光显示器。

本发明的另一个目的是提供一种制造有机电致发光显示器的方法，所述方法减少了掩模工序，同时增加了存储电容器的容量。

本发明的其它特征和优点将在随后的描述中进行说明，一部分特征和优点会从描述的内容明显看出，或者在实施本发明时得知。本发明的这些和其它优点由说明书、权利要求和附图特别指出的结构实现和获得。

为了实现这些和其它优点，根据本发明的目的，如具体表述和宽泛说明的：一种有机电致发光显示器的阵列基板的制造方法，包括：制备包括像素区、驱动区和存储区的基板；在基板上形成半导体层、半导体虚拟图案、第一存储电极和第一栅绝缘层，其中半导体层和第一栅绝缘层的第一部分顺序设置在驱动区，半导体虚拟图案、第一栅绝缘层的第二部分以及第一存储电极顺序设置在存储区；在半导体层和第一存储电极上形成第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上形成栅极和第二存储电极，其中栅极与半导体层的中心部分对应，第二存储电极和第一存储电极对应；利用栅极作为掺杂掩模，在半导体层的两侧中掺入杂质，从而形成欧姆接触层；在栅极和第二存储电极上形成层间绝缘层，其中层间绝缘层具有露出欧姆接触层的第一和第二接触孔；在层间绝缘层上形成源极、漏极和第三存储电极，其中源极、漏极和欧姆接触层接触，第三存储电极和第二存储电极对应；在源极、漏极和第三存储电极上形成钝化层，其中钝化层具有露出漏极的漏极接触孔；在钝化层上形成第一电极和第四存储电极，其中第一电极通过漏极接触孔和漏极接触，第四存储电极和第三存储电极对应；以及在第一电极上形成衬垫料和堤，其中衬垫料设置在相邻像素区之间并且具有第一厚度，堤沿着像素区的边界设置并且具有比第一厚度薄的第二厚度。

另一方面，一种有机电致发光显示器的阵列基板，包括：具有像素区、驱动区和存储区的基板；形成在基板上的半导体层、半导体虚拟图案、第一存储电极和第一栅绝缘层，其中半导体层和第一栅绝缘层的第一部分顺序设置在驱动区，半导体虚拟图案、第一栅绝缘层的第二部分以及第一存储电极顺序设置在存储区；在第一栅绝缘层的第一部分和第一存储电极上的第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上的栅极和第二存储电极，其中栅极与半导体层的中心部分对应，第二存储电极和第一存储电极对应；在栅极和第二存储电极上的层间绝缘层，其中层间绝缘层在中心部分的两侧具有露出半导体层的侧部的第一和第二接触孔；在层间绝缘层上的源极、漏极和第三存储电极，其中源极、漏极和半导体层的侧部接触，第三存储电极和第二存储电极对应；在源极、漏极和第三存储电极上的钝化层，其中钝化层具有露出漏极的漏极接触孔；在钝化层上的第一电极和第四存储电极，其中第一电极和漏极接触，第四存储电极和第三存储电极对应；在第一电极上的衬垫料和堤，其中衬垫料设置在相邻像素区之间并且具有第一厚度，堤沿着像素区的边界设置并且具有比第一厚度薄的第二厚度。

应该理解的是，上述概括说明和接下来的详细说明都是例示性的和解释性的，对要求保护的发明提供进一步的解释。

附图说明

附图提供对本发明的进一步的理解，且包含在说明书中并构成说明书的一部分，附图图解了本发明的实施例并且和说明书一起用于解释本发明的原理。

图1A到1R是横截面图，图示了在根据本发明示范性实施例制造有机电致发光显示器的阵列基板的各步骤中有机电致发光显示器的阵列基板的像素区。

具体实施方式

现在详细说明附图中给出的本发明的实施例。

图1A到1R是横截面图，图示了在根据本发明示范性实施例制造有机电致发光显示器的阵列基板的各步骤中有机电致发光显示器的阵列基板的像素区。为说明的方便，在每一个像素区P中，将形成薄膜晶体管的区域定义为驱动区DA，将形成存储电容器的区域定义为存储区StgA。驱动区DA中的薄膜晶体管用作和有机发光二极管连接的驱动薄膜晶体管，虽然未图示，但形成和驱动薄膜晶体管结构相同的开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管与栅线和数据线连接。

在图1A中，通过沉积例如氮化硅(SiN_x)或者氧化硅(SiO₂)的无机绝缘材料，在基板110上形成缓冲层111。当使非晶硅结晶成多晶硅时，基板110中的诸如钾离子(K+)或钠离子(Na+)的碱离子可能会因例如激光照射或者热处理所产生的热量而发生扩散。缓冲层111防止多晶硅的半导体层由于碱离子而劣化。根据基板110的材料，可以省略缓冲层111。

然后，通过在缓冲层111上沉积非晶硅，在基板110的基本整个表面上形成非晶硅层105。

在图1B中，通过使图1A中的非晶硅层105结晶，形成多晶硅层106。和图1A中的非晶硅层105相比，多晶硅层106的迁移率特性得到了改善。在图1A中的非晶硅层105和多晶硅层106中没有掺杂杂质。有利的是，可以执行固相结晶法或者激光结晶法，使图1A中的非晶硅层105结晶。

特别地，固相结晶法可以是在600摄氏度到800摄氏度的温度下执行热处理的热结晶法，或者是在600摄氏度到700摄氏度的温度下利用交变磁场装置的交变磁场结晶法。激光结晶法可以是准分子激光退火法或者连续横向固化法。

在图1C中，例如通过沉积诸如氮化硅(SiN_x)或者氧化硅(SiO₂)的无机绝缘材料，在多晶硅层106上形成第一绝缘层108。

接下来，通过沉积金属材料，例如铝（Al）、诸如铝钕（AlNd）的铝合金、钼(Mo)和钼钛(MoTi)合金中的一种，在第一绝缘层108的基本整个表面上形成第一金属层109。

在图1D中，通过涂覆光刻胶，在第一金属层109上形成光刻胶层180。光掩模195设置在光刻胶层180的上方，通过该光掩模195使光刻胶层180曝光。光掩模195包括透光区TA、挡光区BA和半透光区HTA。

半透光区HTA可以包括狭缝或者多层涂层。当光线通过半透光区HTA时，光线可以被狭缝衍射或者被部分透射。因此，通过半透光区HTA的光强要低于通过透光区TA的光强。

在图1E中，将通过图1D的光掩模195曝光的图1D的光刻胶层180显影，从而在第一金属层109上形成第一光刻胶图案181a和第二光刻胶图案181b。第一光刻胶图案181a和图1D中光掩模195的透光区TA对应，且第一光刻胶图案181a具有第一厚度。第二光刻胶图案181b和图1D中光掩模195的半透光区HTA对应，且第二光刻胶图案181b具有比第一厚度薄的第二厚度。与图1D的挡光区BA对应的图1D中的光刻胶层180被除去，从而暴露第一金属层109。

在图1F中，利用第一和第二光刻胶图案181a和181b作为蚀刻掩模，顺序蚀刻和除去图1E的第一金属层109、图1E的第一绝缘层108和多晶硅层106，从而形成半导体层113、第一金属虚拟(dummy)图案172、虚拟多晶硅图案170、第一存储电极117和第一栅绝缘层114。在驱动区DA顺序形成多晶硅半导体层113、第一栅绝缘层114的第一部分和第一金属虚拟图案172。在存储区StgA顺序形成虚拟多晶硅图案170、第一栅绝缘层114的第二部分和第一存储电极117。

在图1G中，执行灰化工序，从而除去图1F中具有第二厚度的第二光刻胶图案181b，并露出驱动区DA中的第一金属虚拟图案172。

此时，由于灰化工序，也减小了第一光刻胶图案181a的第一厚度，而第一光刻胶图案181a仍然保留在第一存储电极117上。

在图1H中，将因除去图1F中的第二光刻胶图案181b而露出的图1G中的第一金属虚拟图案172除去，从而露出驱动区DA中的第一栅绝缘层114的第一部分。

接下来，在图1I中，剥离和除去图1H的第一光刻胶图案181a，使第一存储电极117露出。

在图1J中，通过在第一存储电极117和第一栅绝缘层114的第一部分上沉积诸如氧化硅(SiO₂)或者氮化硅(SiN_x)的无机绝缘材料，在基板110的基本整个表面上形成第二栅绝缘层118。

这里，有利的是，第二栅绝缘层118可以由不同于第一栅绝缘层114的材料形成。例如，当第一栅绝缘层114由氧化硅(SiO₂)形成时，第二栅绝缘层118可以由氮化硅(SiN_x)形成。或者，当第一栅绝缘层114由氮化硅(SiN_x)形成时，第二栅绝缘层118可以由氧化硅(SiO₂)形成。

在图1K中，通过沉积具有相对低的电阻率的一种或者多于两种的金属材料，例如铝（Al）、诸如铝钕（AlNd）的铝合金、钼(Mo)或者钼钛(MoTi)合金，在第二栅绝缘层118上形成栅金属层（未示出），利用掩模工序对栅金属层构图，从而形成栅线（未示出）、栅极120和第二存储电极122。栅线沿着像素区P的边界在第一方向上延伸。栅极120和栅线电连接，且栅极120与半导体层113的中心部分对应地设置在驱动区DA中。第二存储电极122设置在存储区StgA中。顺序形成在存储区StgA中的第一存储电极117、第二栅绝缘层118和第二存储电极122构成第一存储电容器StgC1。

接下来，在图1L中，利用栅极120作为掺杂掩模，将n型或者p型杂质掺到半导体层113中，在半导体层113中心部分的两侧形成含掺杂的欧姆接触层113b。半导体层113的由于栅极120而没有掺杂的中心部分成为有源层113a。

在图1M中，通过沉积诸如氧化硅(SiO₂)或者氮化硅(SiN_x)的无机绝缘材料，或涂布诸如苯并环丁烯(BCB)或者光学丙烯酸的有机绝缘材料，在包括栅极120、栅线（未示出）和第二存储电极122的基板110的基本整个表面上形成层间绝缘层123。

通过掩模工序将层间绝缘层123和第一栅绝缘层114一起构图，从而形成分别露出半导体层113的欧姆接触层113b的半导体接触孔125。

接下来，在图1N中，通过沉积一种或者多于两种的金属材料，例如铝（Al）、诸如铝钕（AlNd）的铝合金、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)或者钼钛(MoTi)合金，在具有半导体接触孔125的层间绝缘层123的基本整个表面上形成第二金属层（未示出）。通过掩模工序中对第二金属层构图，从而形成数据线（未示出）、电源线（未示出）、以及源极和漏极133和136。数据线沿着像素区P的另一边界在第二方向上延伸，数据线和栅线交叉以限定像素区P。电源线和数据线隔开，并且和数据线平行。源极和漏极133和136设置在驱动区DA中并且彼此间隔开。源极和漏极133和136通过半导体接触孔125分别和欧姆接触层113b接触。栅极120、半导体层113以及源极和漏极133和136形成薄膜晶体管Tr，特别是驱动薄膜晶体管。

这里，源极133延伸到存储区StgA中，且从源极133延伸且布置在存储区StgA中的部分成为第三存储电极134。在存储区StgA中，第二存储电极122、层间绝缘层123和第三存储电极134构成第二存储电容器StgC2。第一和第二存储电容器StgC1和StgC2通过第二存储电极122彼此并联，存储电容器StgC1和StgC2的总容量增加。

在图1O中，通过涂布有机绝缘材料，例如苯并环丁烯(BCB)或者光学丙烯酸，在包含源极和漏极133和136、数据线、电源线以及第三存储电极134的基板110的基本整个表面上形成钝化层140。钝化层具有平坦顶面，使下层的台阶变平。利用掩模工序将钝化层140构图，从而形成露出薄膜晶体管Tr的漏极136的漏极接触孔143。漏极接触孔143使随后形成在钝化层140上的有机发光二极管的第一电极和驱动薄膜晶体管Tr的漏极136接触。

接下来，在图1P中，通过沉积具有相对高的功函数的透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)，然后对该透明导电材料构图，在具有漏极接触孔143的钝化层140上形成第一电极147。第一电极147通过漏极接触孔143和漏极136接触。

这里，为了改善发光效率，可以在沉积透明导电材料之前沉积具有相对高的反射率的金属材料，例如铝（Al）、诸如铝钕（AlNd）的铝合金或者银(Ag)，然后将所述金属材料与沉积的透明导电材料一起构图，从而形成第一电极，该第一电极具有双层结构，下层为具有相对高的反射率的金属材料，上层为具有相对高的功函数的透明导电材料。在这种情况下，有机电致发光显示器可以是通过有机发光二极管的第二电极发光的顶部发光型。

同时，第一电极147延伸到存储区StgA中，第一电极147在存储区StgA中的部分用作第四存储电极148。第四存储电极148、钝化层140和第三存储电极134构成第三存储电容器StgC3。第二和第三存储电容器StgC2和StgC3通过第三存储电极134彼此并联，像素区P中存储电容器的总容量增加。

本发明中，存储区StgA中的第一、第二和第三存储电容器StgC1、StgC2和StgC3并联，和现有技术相比，总存储容量增加。

在图1Q中，通过涂布具有感光特性的有机绝缘材料，例如，光学丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)或者聚酰亚胺，在第一电极147上形成第三绝缘层153。在第三绝缘层153上放置光掩模197，利用该光掩模197使第三绝缘层153曝光。光掩模197包括透光区TA、挡光区BA和半透光区HTA。由于光掩模197的半透光区HTA，可以发生衍射曝光或者半色调曝光。

在图1R中，通过将图1Q中曝光的第三绝缘层153显影，形成衬垫料160和堤155。衬垫料160与图1Q中的光掩模197的挡光区BA对应，且衬垫料160具有第一厚度。在相邻的像素区P之间且沿着像素区P的边界设置衬垫料160。堤155与图1Q中的光掩模197的半透光区HTA对应，且堤155具有比第一厚度薄的第二厚度。沿着像素区P的边界设置所述堤155。堤155和第一电极147重叠。

这里，除去图1Q中的第三绝缘层153的与图1Q中的光掩模197的透光区TA对应的部分，以暴露像素区P中的第一电极147。于是，完成了有机电致发光显示器的阵列基板。

在本发明的实施例中，用7个掩模工序制造包括衬垫料160和堤155的阵列基板。因此和现有技术中用9个掩模工序制造的阵列基板相比，阵列基板的制造工序减少了。这减少了制造时间和成本。

同时，尽管图中未示出，但通过在衬垫料160上放置具有和像素区P对应的开口的遮罩（shadow mask）以使遮罩和衬垫料160接触，和在真空下实施热沉积，来形成有机发光层。随后，通过在整个显示区上沉积具有相对低的功函数的金属材料，例如铝、铝合金、铝镁合金、镁银合金或者银，在有机发光层上形成第二电极。第一电极148、有机发光层和第二电极构成有机发光二极管。

然后，在阵列基板上方放置配对基板（counter substrate）。在真空或者惰性气体氛围中沿着阵列基板和配对基板的边缘形成密封图案，然后将阵列基板和配对基板彼此粘接。或者，阵列基板和配对基板可以由它们之间的面密封剂粘接到一起。

于是，完成了本发明的有机电致发光显示器。

在本发明的包括多晶硅薄膜晶体管的阵列基板中，三个存储电容器并联连接，它们的电极彼此重叠。单位面积上的存储容量增加。

用7个掩模工序制造本发明的包括多晶硅薄膜晶体管的阵列基板，和现有技术相比，减少了制造工序。此外，也降低了制造成本。

显然对本领域技术人员来说，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，能够对本发明做出各种各样的修改和变更。因此，本发明覆盖在权利要求及其等价物的范围内对本发明作出的各种修改和变更。

Claims (14)

1.一种有机电致发光显示器的阵列基板的制造方法，包括：

制备包括像素区、驱动区和存储区的基板；

在所述基板上形成半导体层、半导体虚拟图案、第一栅绝缘层和第一存储电极，其中所述半导体层和第一栅绝缘层的第一部分顺序设置在所述驱动区，所述半导体虚拟图案、第一栅绝缘层的第二部分以及第一存储电极顺序设置在所述存储区；

在半导体层和第一存储电极上形成第二栅绝缘层；

在第二栅绝缘层上形成栅极和第二存储电极，其中所述栅极与半导体层的中心部分对应，所述第二存储电极和第一存储电极对应；

利用栅极作为掺杂掩模，在半导体层的两侧中掺入杂质，从而形成欧姆接触层；

在栅极和第二存储电极上形成层间绝缘层，其中所述层间绝缘层具有露出欧姆接触层的第一和第二接触孔；

在层间绝缘层上形成源极、漏极和第三存储电极，其中所述源极、漏极和欧姆接触层接触，所述第三存储电极和第二存储电极对应；

在源极、漏极和第三存储电极上形成钝化层，其中所述钝化层具有露出漏极的漏极接触孔；

在钝化层上形成第一电极和第四存储电极，其中所述第一电极通过漏极接触孔和漏极接触，所述第四存储电极和第三存储电极对应；以及

在第一电极上形成衬垫料和堤，其中所述衬垫料设置在相邻像素区之间并且具有第一厚度，所述堤沿着像素区的边界设置并且具有比第一厚度薄的第二厚度，

其中所述第一存储电极、第二栅绝缘层和第二存储电极形成第一存储电容器，所述第二存储电极、层间绝缘层和第三存储电极形成第二存储电容器，所述第三存储电极、钝化层和第四存储电极形成第三存储电容器，其中所述第一、第二和第三存储电容器并联连接，

其中所述第三存储电极和源极连接，所述第四存储电极和第一电极连接。

2.权利要求1所述的方法，其中形成所述半导体层、半导体虚拟图案、第一栅绝缘层和第一存储电极包括：

在基板上形成非晶硅层；

通过使非晶硅层结晶，形成多晶硅层；

在多晶硅层上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成第一金属层；

形成存储区中的第一光刻胶图案和驱动区中的第二光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案比所述第二光刻胶图案厚；

利用第一和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模，除去第一金属层、第一绝缘层和多晶硅层，以在存储区中形成半导体虚拟图案、第一栅绝缘层的第二部分和第一存储电极，和在驱动区中形成半导体层、第一栅绝缘层的第一部分和金属虚拟图案；

通过灰化工序除去第二光刻胶图案，以露出金属虚拟图案；

除去金属虚拟图案，以露出第一栅绝缘层的第一部分；以及

除去第一光刻胶图案。

3.权利要求1所述的方法，其中所述钝化层具有平坦顶面。

4.权利要求1所述的方法，其中在所述第一电极上形成衬垫料和堤包括：

通过涂布感光有机绝缘材料，在第一电极上形成绝缘层；

通过包括透光区、挡光区和半透光区的掩模曝光所述绝缘层；

使曝光后的绝缘层显影，以形成堤和衬垫料。

5.权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极和第二存储电极包括形成栅线，形成所述源极、漏极和第三存储电极包括形成数据线和电源线，其中所述栅线和数据线彼此交叉以限定像素区，所述电源线和数据线平行。

6.权利要求1所述的方法，还包括在形成所述半导体层、半导体虚拟图案、第一栅绝缘层和第一存储电极之前，在基板上形成缓冲层的步骤。

7.权利要求1所述的方法，其中形成所述第一电极和第四存储电极包括：

在钝化层上形成金属材料的下导电层，其中所述金属材料是铝、铝钕合金或者银；

在下导电层上形成透明导电材料的上导电层，其中所述透明导电材料是氧化铟锡或者氧化铟锌；和

将上导电层和下导电层构图。

8.权利要求1所述的方法，其中形成所述第一电极和第四存储电极包括：

在钝化层上形成氧化铟锡或者氧化铟锌的透明导电层；以及

将所述透明导电层构图。

9.一种有机电致发光显示器的阵列基板，包括：

具有像素区、驱动区和存储区的基板；

形成在基板上的半导体层、半导体虚拟图案、第一栅绝缘层和第一存储电极，其中所述半导体层和第一栅绝缘层的第一部分顺序设置在驱动区，所述半导体虚拟图案、第一栅绝缘层的第二部分以及第一存储电极顺序设置在存储区；

在第一栅绝缘层的第一部分和第一存储电极上的第二栅绝缘层；

在第二栅绝缘层上的栅极和第二存储电极，其中所述栅极与半导体层的中心部分对应，所述第二存储电极和第一存储电极对应；

在栅极和第二存储电极上的层间绝缘层，其中所述层间绝缘层在中心部分的两侧具有露出半导体层的侧部的第一和第二接触孔；

在层间绝缘层上的源极、漏极和第三存储电极，其中所述源极、漏极和半导体层的侧部接触，所述第三存储电极和第二存储电极对应；

在源极、漏极和第三存储电极上的钝化层，其中所述钝化层具有露出漏极的漏极接触孔；

在钝化层上的第一电极和第四存储电极，其中所述第一电极和漏极接触，所述第四存储电极和第三存储电极对应；

在第一电极上的衬垫料和堤，其中所述衬垫料设置在相邻像素区之间并且具有第一厚度，所述堤沿着像素区的边界设置并且具有比第一厚度薄的第二厚度，

其中所述第一存储电极、第二栅绝缘层和第二存储电极形成第一存储电容器，所述第二存储电极、层间绝缘层和第三存储电极形成第二存储电容器，所述第三存储电极、钝化层和第四存储电极形成第三存储电容器，其中所述第一、第二和第三存储电容器并联连接，

其中所述第三存储电极和源极连接，所述第四存储电极和第一电极连接。

10.权利要求9所述的阵列基板，其中所述源极和第三存储电极由相同的材料制造且位于同一层上。

11.权利要求9所述的阵列基板，其中所述第一电极和第四存储电极由相同的材料制造且位于同一层上。

12.权利要求9所述的阵列基板，还包括：

和所述栅极设置在同一层上的栅线；

和所述源极、漏极设置在同一层上的数据线，其中所述栅线和数据线彼此交叉以限定像素区；以及

和所述数据线隔开且和所述数据线平行设置的电源线。

13.权利要求9所述的阵列基板，其中所述半导体层包括与半导体层的中心部分对应的有源层和与半导体层的两侧部对应的欧姆接触层，其中所述欧姆接触层中包含掺杂。

14.权利要求9所述的阵列基板，还包括缓冲层，所述缓冲层位于半导体层和基板之间以及半导体虚拟图案和基板之间。