KR102019191B1 - 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도;
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도;
도 4a ~ 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 도시한 단면도; 및
도 5a ~ 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 도시한 단면도.
220: 제 1 게이트 절연막 221: 게이트 전극
230: 제 2 게이트 절연막 231: 소스 전극
232: 드레인 전극 233: 금속 배선
240: 제 1 절연막 241: 스토리지 전극
242: 제 2 절연막 250: 애노드 전극
260: 뱅크층 Tr: 박막 트랜지스터
Claims (16)
- 기판 상에 형성되는 금속 배선 및 박막 트랜지스터;
상기 금속 배선 및 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 제 1 절연막;
상기 제 1 절연막 상에 형성되고, 상기 금속 배선과 연결되는 스토리지 전극;
상기 스토리지 전극 상에 형성되는 제 2 절연막;
상기 제 2 절연막 상에 형성되고, 상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 스토리지 전극과 중첩되며, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 애노드 전극;
상기 애노드 전극 상에 형성된 발광층; 및
상기 발광층 상에 형성된 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
상기 금속 배선은 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 스토리지 전극은 상기 제 1 절연막이 패터닝되어 노출된 상기 금속 배선과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 절연막은 상기 기판 전면에 형성되어 상기 스토리지 전극 및 상기 제 1 절연막을 모두 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 유기전계발광표시장치는,
상기 제 1 절연막이 패터닝되어 노출된 상기 금속 배선과 직접 접촉하는 연결 배선을 더 포함하고,
상기 스토리지 전극은 상기 연결 배선을 통해 상기 금속 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 연결 배선은 상기 애노드 전극과 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 절연막의 두께는 상기 제 2 절연막의 두께보다 더 큰 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치. - 기판 상에 금속 배선 및 박막 트랜지스터를 형성하는 제 1 단계;
상기 금속 배선 및 상기 박막 트랜지스터 상에 제 1 절연막을 형성하는 제 2 단계;
상기 제 1 절연막을 패터닝하여 상기 금속 배선 및 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 제 3 단계;
상기 노출되는 금속 배선과 연결되도록 상기 제 1 절연막 상에 스토리지 전극을 형성하는 제 4 단계;
상기 스토리지 전극 및 상기 노출된 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 제 2 절연막을 형성하는 제 5 단계;
상기 제 2 절연막을 패터닝하여 상기 박막 트랜지스터를 다시 노출시키는 제 6 단계;
상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 스토리지 전극과 중첩되면서, 상기 노출되는 박막 트랜지스터와 연결되도록, 상기 제 2 절연막 상에 애노드 전극을 형성하는 제 7 단계;
상기 애노드 전극 상에 발광층을 형성하는 제 8 단계; 및
상기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 제 9 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
상기 금속 배선은 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 하나와 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 3 단계 및 상기 제 6 단계에서,
상기 제 1 절연막이 패터닝되어 제거되는 폭은 상기 제 2 절연막이 패터닝되어 제거되는 폭 보다 큰 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 6 단계에서,
상기 제 2 절연막은 건식 식각법으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법. - 기판 상에 금속 배선 및 박막 트랜지스터를 형성하는 제 1 단계;
상기 금속 배선 및 상기 박막 트랜지스터 상에 제 1 절연막을 형성하는 제 2 단계;
상기 제 1 절연막 상에 스토리지 전극을 형성하는 제 3 단계;
상기 스토리지 전극을 덮도록 기판 전면에 제 2 절연막을 형성하는 제 4 단계;
상기 제 2 절연막 및 상기 제 1 절연막을 패터닝하여 상기 금속 배선, 상기 스토리지 전극 및 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 제 5 단계;
상기 노출되는 금속 배선 및 상기 노출되는 스토리지 전극을 연결하는 연결 배선을 상기 제 2 절연막 상에 형성하는 제 6 단계;
상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 스토리지 전극과 중첩되면서, 상기 제 6 단계에서 노출되는 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록, 상기 제 2 절연막 상에 애노드 전극을 형성하는 제 7 단계;
상기 애노드 전극 상에 발광층을 형성하는 제 8 단계; 및
상기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 제 9 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 연결 배선과 상기 애노드 전극은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
상기 금속 배선은 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 하나와 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 제 5 단계에서,
상기 제 2 절연막 및 상기 제 1 절연막은 단일 포토리소그래피 공정을 통해 연속적으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 제 2 절연막 및 상기 제 1 절연막은 건식 식각법으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
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