[go: up one dir, main page]

CN102291860B - 一种自限温氧化物电热膜的制造方法 - Google Patents

一种自限温氧化物电热膜的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102291860B
CN102291860B CN 201110102380 CN201110102380A CN102291860B CN 102291860 B CN102291860 B CN 102291860B CN 201110102380 CN201110102380 CN 201110102380 CN 201110102380 A CN201110102380 A CN 201110102380A CN 102291860 B CN102291860 B CN 102291860B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
film forming
oxide electric
manufacturing
automatic temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201110102380
Other languages
English (en)
Other versions
CN102291860A (zh
Inventor
许子燕
马秀芝
曲令江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN 201110102380 priority Critical patent/CN102291860B/zh
Publication of CN102291860A publication Critical patent/CN102291860A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102291860B publication Critical patent/CN102291860B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

一种自限温氧化物电热膜的制造方法,包括配制成膜液、净化基材、成膜、制作电极、通电老化工序,其特征是:成膜液配方以四氯化锡(100g)为主料,三氯化锑(1.8g)为掺杂剂,二氯化铜(1.7g)和二氯化锰(2g)为高温抗老化剂,钛酸钡(5g)为高压阻值稳定剂,氢氟酸适量为掺杂助溶剂,无水乙醇(100g)为溶剂。优点是:优化组方,物尽其用,锑、氟共掺,提高膜层质量,筛选二氯化铜和二氯化锰作添加剂,提高膜层抗老化性,选择有特性的钛酸钡作添加剂,保护阻值高压下的稳定性,膜层具有自限温性能,高温下衰减慢,寿命长,导电性与稳定性好,适应性强。适用于氧化物电热膜的制造。

Description

一种自限温氧化物电热膜的制造方法
技术领域
本发明属于一种以材料或材料性质为特征的欧姆电阻发热薄膜,特别涉及一种具有自限温性能的氧化物电热膜的制造方法。
背景技术
透明导电氧化物材料是半导体家族中的重要一员,因其具有良好的光电性和节能效果,应用前景更为重要而广泛。常用的透明导电氧化物膜主要包括:SnO2、In2O3、ZnO、Cd2InO4及其掺杂体系,他们的共同缺点是高温稳定性差,衰减快,寿命短,限制了使用范围。中国专利申请号:200710119631.5“具有自恒温透明高温电热膜管的生产方法”中提出以锡、锑、铜、镍的氯化物和乙醇按重量比8∶1∶1∶1∶10混合作镀膜液,采用喷涂热解法制膜,可得到“正温度系数具有自恒温性能且使用寿命长,稳定性好,安全可靠的电热膜。”与已有技术相比,该专利大大加大了掺杂剂Sb及其他添加剂的用量,想用提高正温度系数达到目的。但我们知道采用高价阳离子替位,能提高本征透明导电膜的电学性能,却不是越多越好。当掺杂量达到某一临界值时,电子浓度趋于一个饱和值,如继续提高掺杂水平,外来杂质在膜中与氧反应,生成不导电的第二相,致使电子迁移率急剧下降。在载流子浓度和迁移率的综合作用下,迁移率起主导作用,电阻率呈上升趋势,导电性随之下降。因此,要想保证电热膜的导电性与稳定性,必须综合考虑膜层的电阻率、载流子浓度和迁移率三者与掺杂物类及数量之间的辩证关系,优化组方,从源头给予保证。
发明内容
本发明的目的是根据上述技术所存在的问题,筛选优化组方,提供一种自限温氧化物电热膜的制造方法,从源头上保证电热膜的导电性与稳定性。
本发明的自限温氧化物电热膜的制造方法包括:配制成膜液,净化基材,基材上成膜,制作电极,通电老化,其具体工艺是:
(1)以四氯化锡为主料,三氯化锑为掺杂剂,二氯化铜和二氯化锰为高温抗老化剂,钛酸钡为高压阻值稳定剂,氢氟酸适量为掺杂助溶剂,无水乙醇为溶剂配制成膜液,
成膜液配方组分重量比如下:
四氯化锡(SnCl4·5H2O)——100g…….主料
三氯化锑(SbCl3)——-1.8g…….掺杂剂
二氯化铜(CuCl2·2H2O)——1.7g…….抗老化剂
二氯化锰(MnCl2·4H2O)——2.0g…….抗老化剂
钛酸钡(BaTiO3)——5.0g…….高压阻值稳定剂
氢氟酸(HF)——适量……掺杂助溶剂
无水乙醇(CH3CH2OH)——100g…….溶剂
配制方法:
第一步,按配方称取钛酸钡(BaTiO3),溶于氢氟酸(HF)中,成钛酸钡溶液,盖好,备用,
第二步,按配方称取其他各组分-四氯化锡(SnCl4·5H2O),三氯化锑(SbCl3),二氯化铜(CuCl2·2H2O),二氯化锰(MnCl2·4H2O),溶于无水乙醇(CH3CH2OH)中,搅拌下慢慢加入第一步的钛酸钡溶液,充分搅拌均匀,置0-8℃的冷柜中备成膜用。
(2)净化基材
把玻璃、陶瓷类硬质耐温绝缘基材,竖立于超声波清洗机中,用自来水冲洗干净,擦去水汽,置于120-150℃下烘箱中烘干,盖好,备用。对云母板、矿棉纸类轻柔的耐温绝缘基材,用脱脂棉擦去灰尘油污。(必要时沾点酒精擦)
(3)成膜
把净化干燥好的耐温绝缘基材装上工夹具,送入600-650℃的生成炉中,用经过净化除去油水杂质的压缩空气(压力为0.2-0.4MPa),把成膜液雾化喷入生成炉,高温下空气中的氧和水汽与成膜液各组分发生一系列化学反应,生成的氧化物导电晶粒嵌入基材表面晶格中,积淀成膜,使原本绝缘的基材表面形成一层稳定性、导电性均良好的功能性薄膜,
Figure BSA00000479704300021
Figure BSA00000479704300022
Figure BSA00000479704300023
同理:
Figure BSA00000479704300026
生成的铜锰氧化物是一种稳定性良好的半导体材料,叠加效应可以预防电热膜高温下老化衰减。
(4)制作电极
根据需要在电热膜的适当位置涂刷银浆,于150-200℃烘干后,送入600-650℃还原炉还原20-30分钟,致电极呈均匀致密的银白色为合格。
(5)通电老化
用机械连接方法在电极处引出电源线,用高于工作电压1.25倍的电压通电老化3-10分钟,使晶格有序化,变电阻率高且不稳定的SnO相为电阻率低又很稳定的SnO2相,提高膜层的导电性与稳定性。
本发明与现有技术相比,其优点是:
1,优化组方,物尽其用
透明导电氧化物膜是半导体材料,其电阻率的大小,载流子浓度的高低及载流子迁移率的快慢,是直接反映膜层导电性与稳定性好坏的重要参数,而三者与掺杂物类、数量关系极为密切又不尽相同。相同的是一开始都随掺杂量的增加而向着有利的方向发展,当掺杂量达到一定值后,则走向反面,不同的是三者的临界值大小各不相同。综合考虑三者与掺杂物类、数量之间的辩证关系,我们筛选优化成膜液组方,不仅节省了原材料,使物尽其用,还有效地提高了成膜速度与稳定性。
2,锑(Sb)氟(F)共掺,提高膜层质量
为了提高膜层的导电性,通常采用掺杂高价阳离子替位Sn4+离子,或掺杂低价阴离子替位O2-离子。我们采用共掺方式,
用Sb5+与F-分别替位Sn4+和O2-
结果膜层的导电性与稳定性均有显著提高。
3,筛选二氯化铜(CuCl2·2H2O)和二氯化锰(MnCl2·4H2O)作添加剂,提高膜层抗老化性
二氯化铜和二氯化锰高温下与水或氧反应生成的氧化铜与氧化锰,能进一步固溶为三元的铜锰氧化物锰酸铜:
Figure BSA00000479704300032
Figure BSA00000479704300034
锰酸铜是稳定性很好的半导体材料,和掺杂的SnO2膜组成多晶复合体,有助于提高膜层的整体抗老化性。
4,选择有特性的钛酸钡作添加剂,保护阻值高压下的稳定性
钛酸钡是一种重要的铁电体,(介电常数很大,并随外电场变化的物质),有稳定的电滞性质。选它作添加剂,可加强膜层在一定的温度范围内以极化的形式贮存电能,而不是以电流的形式消耗电能,避免电流造成膜层高压下显微结构和电阻的永久变化,提高电阻的电压承受能力,保证膜层阻值的高压稳定性。
具体实施方式
本发明的自限温氧化物电热膜的制造方法包括:配制成膜液,净化基材,基材上成膜,制作电极,通电老化,其具体工艺是:
(1)配制成膜液
配方重量比为:
四氯化锡(SnCL4·5H2O)——100g…….主料
三氯化锑(SbCl3)——1.8g…….掺杂剂
二氯化铜(CuCl2·2H2O)——1.7g…….抗老化剂
二氯化锰(MnCl2·4H2O)——2.0g…….抗老化剂
钛酸钡(BaTiO3)——5.0g…….高压阻值稳定剂
氢氟酸(HF)——适量……掺杂助溶剂
无水乙醇(CH3CH2OH)——100g…….溶剂
配制步骤:
第一步,按配方称取钛酸钡(BaTiO3),溶于氢氟酸(HF)中,盖好,备用。
第二步,按配方称取其他各组分,溶于无水乙醇中,搅拌下慢慢加入钛酸钡溶液,充分搅拌均匀,置0-8℃的冷柜中备用。
(2)净化基材
把玻璃、陶瓷类硬质耐温绝缘基材,竖立于超声波清洗机中,用自来水冲洗干净,擦去水汽,置于120-150℃下烘箱中烘干,盖好,备用。对云母板、矿棉纸类轻柔的耐温绝缘基材,用脱脂棉擦去灰尘油污即可。(必要时沾点酒精擦,)
(3)成膜
把净化干燥好的耐温绝缘基材装上工夹具,送入600-650℃的生成炉中,用经过净化除去油水杂质的压缩空气(压力为0.2-0.4MPa),把成膜液雾化喷入生成炉,高温下空气中的氧和水汽与成膜液各组分发生一系列化学反应,生成的氧化物导电晶粒嵌入基材表面晶格中,积淀成膜,使原本绝缘的基材表面形成一层稳定性,导电性均良好的功能性薄膜。
(4)制作电极
根据需要在电热膜的适当位置涂刷银浆,与150-200℃烘干后,送入600-650℃还原炉还原20-30分钟,致电极呈均匀致密的银白色为合格。
(5)通电老化
在电极处用机械连接方法,引出电源线,用高于工作电压1.25倍的电压通电老化3-10分钟,使晶格有序化,变电阻率高且不稳定的SnO相为电阻率低又很稳定的SnO2相,提高膜层的导电性与稳定性。

Claims (3)

1.一种自限温氧化物电热膜的制造方法,包括配制成膜液、净化基材、基材上成膜、制作电极、通电老化,其特征是:
所述的成膜液组成重量比为:
SnCL4·5H2O——100g.......主料
SbCl3——1.8g.......掺杂剂
CuCl2·2H2O——1.7g.......抗老化剂
MnCl2·4H2O——2.0g.......抗老化剂
BaTiO3——5.0g.......高压阻值稳定剂
HF——适量......掺杂助溶剂
CH3CH2OH——100g.......溶剂
配制方法为:
第一步:按配方称取钛酸钡,溶于氢氟酸中,盖好,备用,
第二步;按配方称取其他各组分,溶于无水乙醇中,搅拌下慢慢加入钛酸钡溶液,充分搅拌均匀,置0-8℃的冷柜中备成膜用。
2.如权利要求1所述的自限温氧化物电热膜的制造方法,其特征是:所述的净化基材,是把硬质耐温绝缘基材,竖立于超声波清洗机中用自来水冲洗干净,擦去水汽,于120-150℃下烘干,盖好,备用,对轻柔的耐温绝缘基材,用脱脂棉擦去灰尘油污。
3.如权利要求1所述自限温氧化物电热膜的制造方法,其特征是:所述的基材上成膜,是把净化干燥好的耐温绝缘基材装上工夹具,送入600-650℃的生成炉中,用经过净化除去油水杂质的压缩空气,把成膜液雾化喷入生成炉中,高温下空气中的氧和水汽与成膜液各组分发生一系列化学反应,生成的氧化物导电晶粒嵌入基材表面晶格中,积淀成膜,在绝缘基材表面形成一层稳定性、导电性良好的功能性薄膜,在膜的适当位置涂刷银浆制作电极,引线,通电老化,制成电热元件。
CN 201110102380 2011-04-25 2011-04-25 一种自限温氧化物电热膜的制造方法 Expired - Fee Related CN102291860B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110102380 CN102291860B (zh) 2011-04-25 2011-04-25 一种自限温氧化物电热膜的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110102380 CN102291860B (zh) 2011-04-25 2011-04-25 一种自限温氧化物电热膜的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102291860A CN102291860A (zh) 2011-12-21
CN102291860B true CN102291860B (zh) 2013-02-27

Family

ID=45337896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201110102380 Expired - Fee Related CN102291860B (zh) 2011-04-25 2011-04-25 一种自限温氧化物电热膜的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102291860B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3245921A4 (en) * 2015-02-11 2018-06-20 Foshan Shunde Midea Electrical Heating Appliances Manufacturing Co. Ltd. Electrothermal film layer manufacturing method, electrothermal film layer, electrically-heating plate, and cooking utensil

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103757612B (zh) * 2013-05-30 2016-04-20 杨葆华 环保多功能导电膜的制造方法
CN104091882A (zh) * 2014-07-03 2014-10-08 陈国栋 一种双层高辐射电热膜结构及制备方法
CN105992409B (zh) * 2015-02-11 2020-03-20 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 电热膜层的制造方法、电热膜层、电加热盘和烹饪器具
CN106358325A (zh) * 2016-08-30 2017-01-25 丁玉琴 一种耐高温强附着型电热膜的制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0252489A2 (de) * 1986-07-11 1988-01-13 Nukem GmbH Transparentes, leitfähiges Schichtsystem
EP0654956A1 (en) * 1993-11-24 1995-05-24 U'LAMP ENTERPRISES Co., Ltd. A method of manufacturing an electric heating film
CN1032673C (zh) * 1992-12-11 1996-08-28 戴金利 一种电热膜的制造方法和所制成的电热膜
CN101355831A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 刘占友 具有自恒温透明高温电热膜管的生产方法
CN101608074A (zh) * 2009-06-18 2009-12-23 东莞市龙记环保科技有限公司 一种耐高温节能纳米电热膜水及其制作方法
CN101668359A (zh) * 2009-08-11 2010-03-10 罗日良 一种电热膜及其制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6329410A (ja) * 1986-07-11 1988-02-08 ヌ−ケン・ゲ−エムベ−ハ− 透明導電層システム
JPH02259366A (ja) * 1989-03-29 1990-10-22 Nippon Alum Mfg Co Ltd 遠赤外線放射チタン材

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0252489A2 (de) * 1986-07-11 1988-01-13 Nukem GmbH Transparentes, leitfähiges Schichtsystem
CN1032673C (zh) * 1992-12-11 1996-08-28 戴金利 一种电热膜的制造方法和所制成的电热膜
EP0654956A1 (en) * 1993-11-24 1995-05-24 U'LAMP ENTERPRISES Co., Ltd. A method of manufacturing an electric heating film
CN101355831A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 刘占友 具有自恒温透明高温电热膜管的生产方法
CN101608074A (zh) * 2009-06-18 2009-12-23 东莞市龙记环保科技有限公司 一种耐高温节能纳米电热膜水及其制作方法
CN101668359A (zh) * 2009-08-11 2010-03-10 罗日良 一种电热膜及其制造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平2-259366A 1990.10.22
JP昭63-029410A 1988.02.08

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3245921A4 (en) * 2015-02-11 2018-06-20 Foshan Shunde Midea Electrical Heating Appliances Manufacturing Co. Ltd. Electrothermal film layer manufacturing method, electrothermal film layer, electrically-heating plate, and cooking utensil

Also Published As

Publication number Publication date
CN102291860A (zh) 2011-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102291860B (zh) 一种自限温氧化物电热膜的制造方法
CN102504540B (zh) 一种高介电常数硅橡胶及其制备方法
JP5281714B2 (ja) ニッケル内電極と整合されるセラミック媒体材料及びそれによって得られたコンデンサの製備方法
CN102065589B (zh) 一种耐高温透明电热膜的制作方法
TW201141964A (en) Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
CN105948743A (zh) 一种改性共掺杂二氧化钛高介电陶瓷材料及其制备方法和应用
CN109775813B (zh) 一种用于钛基氧化物电极的复合中间层及一种钛基氧化物电极及其制备方法
CN104370539A (zh) 一种高使用温度无铅ptcr陶瓷及其制备方法
Yin et al. A method to improve the performance of all-inorganic halide perovskite CsPbBr3 memory
CN108929111B (zh) 一种超高放电储能密度的介质薄膜及其制备方法
CN101894641B (zh) 一种提高热敏电阻器生产效率的方法
CN103708562B (zh) 一种高剩余极化强度的Bi0.90Ho0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜及其制备方法
CN110395714B (zh) 一种锑掺杂SnO2@碳纳米管复合电热膜的制备方法
CN111137953A (zh) 一种钛基锡铱系氧化物涂层电极的制备工艺
CN115231917A (zh) 一种高介电性能的钛酸铜钙薄膜及其制备方法
CN102693782B (zh) 一种廉价透明导电膜的制造方法
CN1165204C (zh) 一种锡锑氧化物导电膜及其制造方法
KR102399154B1 (ko) Co 및 Ti로 치환된 층상 페로브스카이트를 포함하는 고체산화물 연료전지용 공기극 소재, 및 이를 포함하는 고체산화물 연료전지용 공기극
CN106245007A (zh) 一种取向ito薄膜的制备方法
Chen et al. Water‐Induced Degradation of Barium Titanate Ceramics Studied by Electrochemical Hydrogen Charging
Chen et al. Multifunctional Eu3+-doped Bi12TiO20 thin films: resistive switching, dielectric, and photoluminescent properties
CN110257786A (zh) 一种掺杂银的氧化锡靶材及其制备方法和应用
CN105932088A (zh) 一种具有钙钛矿结构的异质结薄膜光电器件及其制备方法
CN1167310C (zh) 一种锡锑氧化物导电膜的制造方法
WO2005055662A1 (fr) Film chauffant electrique inorganique multifonction, a haute efficacite, resistant aux temperatures elevees, et son procede de production

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 100076, 175, Huai Road, Fengtai District, Beijing, Nanyuan

Applicant after: Xu Ziyan

Applicant after: Ma Xiuzhi

Applicant after: Qu Lingjiang

Address before: 100086, room 1, unit 5, building 82, Zhichun Road 501, Haidian District, Beijing, China

Applicant before: Ma Xiuzhi

Applicant before: Xu Ziyan

Applicant before: Qu Lingjiang

CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Xu Ziyan

Inventor after: Ma Xiuzhi

Inventor after: Qu Lingjiang

Inventor before: Ma Xiuzhi

Inventor before: Xu Ziyan

Inventor before: Qu Lingjiang

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: MA XIUZHI TO: XU ZIYAN

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: MA XIUZHI XU ZIYAN QU LINGJIANG TO: XU ZIYAN MA XIUZHI QU LINGJIANG

GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130227

Termination date: 20180425

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee