[go: up one dir, main page]

CN101866107B - 四级光掩模及其使用方法以及光掩模坯料 - Google Patents

四级光掩模及其使用方法以及光掩模坯料 Download PDF

Info

Publication number
CN101866107B
CN101866107B CN2010102024411A CN201010202441A CN101866107B CN 101866107 B CN101866107 B CN 101866107B CN 2010102024411 A CN2010102024411 A CN 2010102024411A CN 201010202441 A CN201010202441 A CN 201010202441A CN 101866107 B CN101866107 B CN 101866107B
Authority
CN
China
Prior art keywords
smooth
photomask
half transmitting
transmissive film
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2010102024411A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101866107A (zh
Inventor
佐野道明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Publication of CN101866107A publication Critical patent/CN101866107A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101866107B publication Critical patent/CN101866107B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

公开了一种四级光掩模及其使用方法以及四级光掩模制造用光掩模坯料。所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分，并在转印目标上形成厚度阶段性地或连续地变化的抗蚀图案，所述四级光掩模的特征在于，所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成，所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上设置光半透射性的第二光半透射膜而构成，所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同，所述遮光部分通过在所述透明衬底的表面上层叠所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜而构成。

Description

四级光掩模及其使用方法以及光掩模坯料
技术领域
本发明涉及一种用于制造液晶显示器(此后称为LCD)等的薄膜晶体管(此后称为TFT)的四级光掩模的制造方法，另外还涉及在这种制造方法中所使用的光掩模坯料。 
背景技术
例如日本未审查的专利申请公开物(JP-A)No.H09-146259(此后称为专利文献1)披露了一种多级的光掩模，其中透光率在多级，即三级或更多级改变。在形成光学元件的折射面或反射面时要用到多级光掩模。 
专利文献1中所披露的多级光掩模通过如下方式来制造。首先，在形成在透明衬底上的金属化合物等的膜上形成抗蚀膜，并且对所述抗蚀膜进行曝光/写入和显影，由此形成第一抗蚀图案。然后，使用第一抗蚀图案作为掩模对金属化合物等的膜进行蚀刻。之后，在金属化合物等的膜上再次形成抗蚀膜，并且对所述抗蚀膜进行曝光/写入和显影，由此形成第二抗蚀图案。然后，使用第二抗蚀图案作为掩模对金属化合物等的膜再次进行蚀刻。通过重复形成抗蚀图案和蚀刻预定次数的金属化合物等的膜，从而得到多级光掩模。 
发明内容
然而，由于在专利文献1所披露的多级光掩模制造方法中，蚀刻金属化合物等的膜的次数与用于形成所述蚀刻的抗蚀图案的曝光/写入次数彼此相等，所以增加了曝光/写入的次数。例如，为了制造适于在四个级别上改变透光率的四级光掩模，有必要进行三次曝光/写入。 
因此，本发明的目的在于，提出一种四级光掩模制造方法，其可通过光刻以较少次数写入而制造四级光掩模，并且另外还提出在这种制造方法中所使用的光掩模坯料。 
(第一方面) 
制造四级光掩模的方法包括遮光部分、光透射部分和具有不同透光率的第一与第二光半透射部分。所述方法包括准备光掩模坯料的步骤，其中以指定的顺序在透明的衬底上形成由对彼此的蚀刻具有抗蚀性的材料制成的第一光半透射膜和遮光膜，并且在光掩模坯料的遮光膜上形成第一抗蚀图案。第一抗蚀图案具有与光透射部分和第二光半透射部分相对应的敞开区域。所述方法另外还包括如下步骤：使用第一抗蚀图案作为掩模来蚀刻遮光膜，然后蚀刻第一光半透射膜，之后将第一抗蚀图案剥除。所述方法还进一步包括如下步骤：在透明的衬底和遮光膜上形成第二光半透射膜，并且在第二光半透射膜上形成第二抗蚀图案。第二抗蚀图案具有与光透射部分和第一光半透射部分相对应的敞开区域。此外所述方法还包括如下步骤：使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻第二光半透射膜和遮光膜，然后将第二抗蚀图案去除，由此形成光透射部分、遮光部分、第一光半透射部分和第二光半透射部分。 
(第二方面) 
制造四级光掩模的方法包括遮光部分、光透射部分和具有不同透光率的第一与第二光半透射部分。所述方法包括准备光掩模坯料的步骤，其中以指定的顺序在透明的衬底上形成由对彼此的蚀刻具有抗蚀性的材料制成的第一光半透射膜和遮光膜，并且在光掩模坯料的遮光膜上形成第一抗蚀图案。第一抗蚀图案具有与光透射部分和第二光半透射部分相对应的敞开区域。所述方法另外还包括如下步骤：使用第一抗蚀图案作为掩模来蚀刻遮光膜，然后将第一抗蚀图案剥除，之后使用遮光膜作为掩模来蚀刻第一光半透射膜。所述方法还进一步包括如下步骤：在透明的衬底和遮光膜上形成第二光半透射膜，并且在第二光半透射膜上形成第二抗蚀图案。第二抗蚀图案具有与光透射部分和第一光半透射部分相对应的敞开区域。此外所述方法还包括如下步骤：使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻第二光半透射膜和遮光膜，然后将第二抗蚀图案去除，由此形成光透射部分、遮光部分、第一光半透射部分和第二光半透射部分。 
(第三方面) 
在根据第一或第二方面的方法中，优选第二光半透射膜由能够通过与遮光膜的蚀刻相同的蚀刻而被蚀刻的材料制成。 
(第四方面) 
在根据第一或第二方面的方法中，优选第一光半透射膜由含有硅化钼作为主要成分的材料制成，并且遮光膜和第二光半透射膜中的每一个都由含有铬作为主要成分的材料制成。 
(第五方面) 
在根据第一或第二方面的方法中使用光掩模坯料。所述光掩模坯料具有在透明衬底上的形成图案的膜，所述膜包括堆叠在一起的第一光半透射膜和遮光膜，以及在所述形成图案的膜上形成的第二光半透射膜。 
(第六方面) 
制造四级光掩模的方法包括遮光部分、光透射部分和具有不同透光率的第一与第二光半透射部分。所述方法包括准备光掩模坯料的步骤，其中以指定的顺序在透明的衬底上形成第一光半透射膜、第二光半透射膜和遮光膜。第一光半透射膜和遮光膜由使二者对第二光半透射膜的材料的蚀刻具有抗蚀性的材料制成。所述方法还包括在光掩模坯料的遮光膜上形成第一抗蚀图案的步骤。第一抗蚀图案具有与光透射部分和第一光半透射部分相对应的敞开区域。所述方法另外还包括如下步骤：使用第一抗蚀图案作为掩模来蚀刻遮光膜，然后蚀刻第二光半透射膜，之后将第一抗蚀图案剥除。所述方法还进一步包括如下步骤：形成具有与光透射部分和第二光半透射部分相对应的敞开区域的第二抗蚀图案，并且使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻遮光膜和第一光半透射膜，然后将第二抗蚀图案去除，由此形成光透射部分、遮光部分、第一光半透射部分和第二光半透射部分。 
(第七方面) 
制造四级光掩模的方法包括遮光部分、光透射部分和具有不同透光率的第一与第二光半透射部分。所述方法包括准备光掩模坯料的步骤，其中以指定的顺序在透明的衬底上形成第一光半透射膜、第二光半透射膜和遮光膜。第一光半透射膜和遮光膜由使二者对第二光半透射膜的材料的蚀刻具有抗蚀性的材料制成。所述方法还包括在光掩模坯料的遮光膜上形成第一抗蚀图案的步骤。第一抗蚀图案具有与光透射部分和第一光半透射部分相对应的敞开区域。所述方法另外还包括如下步骤：使用第一抗蚀图案作为掩模来蚀刻遮光膜，然后将第一抗蚀图案剥除，之后使用遮光膜作为掩模来蚀刻第二光半透射膜。所述方法还进一步包括如下步骤：形成具有与光透射部分和第二光半透射部分相对应的敞开区域的第二抗蚀图案，并且使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻遮光膜和第一光半透射膜，然后将第二抗蚀图案去除，由此形成光透射部分、遮光部分、第一光半透射部分和第二光半透射部分。 
(第八方面) 
在根据第六或第七方面的方法中，优选第一光半透射膜和遮光膜能够通过相同的蚀刻剂而被蚀刻。 
(第九方面) 
在根据第八方面的方法中，优选第二光半透射膜由含有硅化钼作为主要成分的材料制成，并且第一光半透射膜和遮光膜中的每一个都由含有铬作为主要成分的材料制成。 
(第十方面) 
在根据第六、七或九方面中的任一方面的方法中使用光掩模坯料。以指定的顺序在透明的衬底上堆叠第一光半透射膜、第二光半透射膜和遮光膜。 
根据本发明的第一至第四方面，以指定的顺序在透明衬底上形成由对彼此的蚀刻具有抗蚀性的材料制成的第一光半透射膜和遮光膜，并且在所述遮光膜上形成有第二光半透射膜，其优选由能够通过与遮光膜的蚀刻相 同的蚀刻而被蚀刻的材料制成。因此，通过对彼此的蚀刻具有抗蚀性的膜和对彼此的蚀刻不具有抗蚀性的膜的组合，可以采用光刻以减少的写入次数来制造四级光掩模。 
根据本发明的第六至第九方面，以指定的顺序在透明衬底上形成第一光半透射膜、第二光半透射膜和遮光膜。第一光半透射膜和遮光膜由能够采用相同的蚀刻而被蚀刻的材料制成，而第二光半透射膜由对第一光半透射膜和遮光膜的材料具有抗蚀性的材料制成。因此，通过对彼此的蚀刻具有抗蚀性的膜和对彼此的蚀刻不具有抗蚀性的膜的组合，可以采用光刻以减少的写入次数来制造四级光掩模。 
附图说明
图1A至1I为特别用于阐明按照根据本发明的四级光掩模制造方法中的第一实施方式的四级灰度掩模制造过程的视图； 
图2A和2B分别为通过图1A至1I的制造过程而制造的四级灰度掩模的俯视图和侧剖视图，其中图2B一起示出了四级灰度掩模和转印目标； 
图3A至3G为特别用于阐明按照根据本发明的四级光掩模制造方法中的第二实施方式的四级灰度掩模制造过程的视图； 
图4A和4B分别为通过图3A至3G的制造过程而制造的四级灰度掩模的俯视图和侧剖视图，其中图4B一起示出了四级灰度掩模和转印目标。 
具体实施方式
下面将对照附图对本发明的一些实施方式加以阐述。 
(第一实施方式) 
图1A至1I为特别地示出按照根据本发明的四级光掩模制造方法中的第一实施方式的四级灰度掩模制造过程的视图。图2A和2B分别为通过图1A至1I的制造过程而制造的四级灰度掩模的俯视图和侧剖视图。 
在图2A和2B中所示的灰度掩模10例如用于制造液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)等的薄膜晶体管(TFT)或滤色器，并且适于在转印目标11上形成抗蚀图案12，所述抗蚀图案12的厚度逐步地或连续地变化。在图2B中，符号19A、19B和19C分别指代在转印目标11上堆叠 的膜。也就是说，根据本实施方式，转印目标11通过以指定的顺序在衬底19上堆叠膜19A、19B和19C而形成。 
灰度掩模10包括：遮光部分13，其适于遮挡曝光光线(透光率几乎为0％)；光透射部分14，其适于几乎100％地透射曝光光线；第一光半透射部分15A和第二光半透射部分15B，其中的每一个都适于在使用灰度掩模10时将曝光光线的透光率减小到大约20％至50％。上述除了遮光部分13和光透射部分14之外还具有一个或多个光半透射部分的光掩模称为灰度掩模。第一光半透射部分15A和第二光半透射部分15B具有不同的透光率，并且根据本实施方式，第一光半透射部分15A的透光率被设置得低于第二光半透射部分15B的透光率。因此，灰度掩模10被配置为四级灰度掩模，其中曝光光线的透光率在四个级别不同。 
第一光半透射部分15A通过在诸如玻璃衬底的透明衬底16的表面上形成光半透射的第一光半透射膜17A来实现。第二光半透射部分15B通过在透明衬底16的表面上形成光半透射的第二光半透射膜17B来实现。遮光部分13通过以指定的顺序在光透射的衬底16的表面上堆叠第一光半透射膜17A、遮光膜18和第二光半透射膜17B而形成。 
第一光半透射膜17A是含有金属和硅的薄膜，并且优选是含有作为主要成分的硅化钼(MoSi)的膜。例如，含有MoSi(MoSi2)、MoSiN、MoSiON、MoSiCON等等。第二光半透射膜17B和遮光膜18中的每一个都是含有作为主要成分的铬的膜，其中铬对于遮光膜18来说是优选的，而氮化铬、氧化铬、氮氧化铬、氟化铬等对于第二光半透射膜17B来说是优选的。第一光半透射部分15A的透光率基于对第一光半透射膜17A的材料和厚度的选取来设定。第二光半透射部分15B的透光率基于对第二光半透射膜17B的材料和厚度的选取来设定。遮光部分13的透光率基于对第一光半透射膜17A、第二光半透射膜17B和遮光膜18的材料和厚度的选取来设定。 
在使用上述四级灰度掩模10时，曝光光线在遮光部分13不透射，曝光光线在第二光半透射部分15B减少，曝光光线在第一光半透射部分15A比在第二光半透射部分15B进一步减少。由此，被敷在转印目标11上的抗蚀膜(正性光刻胶膜)形成下面的抗蚀图案12。抗蚀图案12被如此配 置：在与遮光部分13相对应的部分处的抗蚀膜厚度T1最大，并且在与第一光半透射部分15A相对应的部分处的抗蚀膜厚度T2小于抗蚀膜厚度T1，但大于在与第二光半透射部分15B相对应的部分处的抗蚀膜厚度T3。抗蚀图案12在与光透射部分14相对应的部分处没有抗蚀膜。 
对具有上述抗蚀图案12的转印目标11进行如下处理。首先，在抗蚀图案12的没有抗蚀膜的部分处(与光透射部分14相对应的部分)，例如对转印目标11上的膜19A、19B和19C进行第一次蚀刻。接着，通过灰化等将抗蚀图案12的抗蚀膜厚度为T3的部分(与第二光半透射部分15B相对应的部分)去除，在所述部分处，例如对转印目标11上的膜19B和19C进行第二次蚀刻。然后，通过灰化等将抗蚀图案12的抗蚀膜厚度为T2的部分(与第一光半透射部分15A相对应的部分)去除，在所述部分处，例如对转印目标11上的膜19C进行第三次蚀刻。通过这种方式，只用单个的灰度掩模10即可进行与采用三个惯常的光掩模实现的处理相当的处理，由此减少了掩模的数量。 
现在将参照图1A至1I对制造上述四级灰度掩模10的制造过程加以阐述。 
首先，以指定的顺序在透明衬底16的表面上形成第一光半透射膜17A和遮光膜18，由此形成和准备光掩模坯料20(图1A)。第一光半透射膜17A和遮光膜18中的每一个在灰度掩模10的制造过程中都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性。例如，第一光半透射膜17A由对铬蚀刻气体或液体具有抗蚀性的材料制成，而遮光膜18由对MoSi蚀刻气体或液体具有抗蚀性的材料制成。 
然后，在光掩模坯料20的遮光膜18上形成抗蚀膜(正性光刻胶膜)，并且利用电子束或激光写入设备将所述抗蚀膜曝光/写入并随后显影，由此形成第一抗蚀图案21(图1B)。第一抗蚀图案21被形成的形状具有与将被制造的灰度掩模10的光透射部分14和第二光半透射部分15B相对应的敞开区域。 
之后，使用铬蚀刻气体或液体并使用第一抗蚀图案21作为掩模对形成有第一抗蚀图案21的光掩模坯料20的遮光膜18进行干式蚀刻或湿式蚀刻(图1C)。通过所述蚀刻，遮光膜18被形成遮光膜图案22。由于第 一光半透射膜17A具有对铬蚀刻气体或液体的抗蚀性，所以很难在遮光膜18的蚀刻期间对第一光半透射膜17A进行蚀刻。 
在形成遮光膜图案22之后，将第一抗蚀图案21剥除(图1D)。然后，使用MoSi蚀刻气体或液体并使用遮光膜图案22作为掩模对第一光半透射膜17A进行干式蚀刻或湿式蚀刻，由此形成第一光半透射膜图案23(图1E)。可以在以后将图1D中的第一抗蚀图案21剥除。也就是说，可以规定，在形成遮光膜图案22之后，通过使用第一抗蚀图案21和遮光膜图案22作为掩模对第一光半透射膜17A进行干式蚀刻或湿式蚀刻，由此形成第一光半透射膜图案23，然后将第一抗蚀图案21剥除。由于遮光膜18具有对MoSi蚀刻气体或液体的抗蚀性，所以在第一光半透射膜17A的蚀刻期间不会对遮光膜18进行蚀刻。利用例如含有从氢氟酸、硅氢氟酸和氟化氢铵中选取的至少一种氟化合物和从过氧化氢、硝酸和硫酸中选取的至少一种氧化剂的蚀刻液体作为MoSi蚀刻液体。 
在形成上述第一光半透射膜图案23之后，在遮光膜18和被曝光的透明衬底16上形成第二光半透射膜17B，由此形成另一光掩模坯料24(图1F)。第二光半透射膜17B由能够通过与遮光膜18的蚀刻相同的蚀刻而被蚀刻的材料制成。因此，第二光半透射膜17B和遮光膜18中的每一个都仅具有对另一个的蚀刻的小的抗蚀性。如图1E和1F所示，对光掩模坯料24进行如此配置，从而在透明衬底16上堆叠的第一光半透射膜17A和遮光膜18被分别形成第一光半透射膜图案23和遮光膜图案22，并且在这些形成图案的膜上形成第二光半透射膜17B。 
然后，在光掩模坯料24的第二光半透射膜17B上形成抗蚀膜，并且以与上述相同的方式对所述抗蚀膜进行曝光/写入和显影，由此形成第二抗蚀图案25(图1G)。第二抗蚀图案25被形成的形状具有与光透射部分14和第一光半透射部分15A相对应的敞开区域。 
之后，使用铬蚀刻气体或液体并使用第二抗蚀图案25作为掩模对第二光半透射膜17B和遮光膜18进行干式蚀刻或湿式蚀刻(图1H)。然后，通过将余下的第二抗蚀图案25去除(剥除)，得到四级灰度掩模10，所述四级灰度掩模10具有堆叠在一起的光透射部分14、通过第一光半透射膜17A形成的第一光半透射部分15A、通过第二光半透射膜17B形成的第二 光半透射部分15B、通过第一光半透射膜17A、遮光部分18和第二光半透射膜17B形成的遮光部分13(图1I)。 
根据前述实施方式得到下面的效果。根据灰度掩模10的制造过程，以指定的顺序在光透射的衬底16上形成由对彼此的蚀刻具有抗蚀性的材料制成的第一光半透射膜17A和遮光膜18，并且在所述遮光膜18上形成有第二光半透射膜17B，所述第二光半透射膜17B由能够通过与遮光膜18的蚀刻相同的蚀刻而被蚀刻的材料制成。因此，通过对彼此的蚀刻具有大的抗蚀性的膜和对彼此的蚀刻具有相对小的抗蚀性的膜的组合，可以将通过光刻的写入的次数减少至两次来制造四级光掩模10。 
(第二实施方式) 
图3A至3G为示出按照根据本发明的四级光掩模制造方法中的第二实施方式的四级灰度掩模制造过程的视图。图4A和4B分别为通过图3A至3G的制造过程而制造的四级灰度掩模的俯视图和侧剖视图。根据第二实施方式，相同的符号指代与前述第一实施方式中的那些部分相同的部分，因此省去其说明。 
在图4A和4B中所示的灰度掩模30同样也例如用于制造液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)等的薄膜晶体管(TFT)或滤色器，并且适于在转印目标31上形成抗蚀图案32，所述抗蚀图案32的厚度逐步地或连续地变化。 
灰度掩模30包括：遮光部分33，其适于遮挡曝光光线(透光率几乎为0％)；光透射部分34，其适于几乎100％地透射曝光光线；第一光半透射部分35A和第二光半透射部分35B，其中的每一个都适于在使用灰度掩模30时将曝光光线的透光率减小到大约20％至50％。第一光半透射部分35A和第二光半透射部分35B具有不同的透光率，并且根据本实施方式，第一光半透射部分35A的透光率被设置得高于第二光半透射部分35B的透光率。因此，如同第一实施方式的灰度掩模10，灰度掩模30同样也是四级灰度掩模，其中曝光光线的透光率在四个级别不同。 
第一光半透射部分35A通过在诸如玻璃衬底的透明衬底16的表面上形成光半透射的第一光半透射膜37A来实现。第二光半透射部分35B通 过在透明衬底16的表面上堆叠第一光半透射膜37A和光半透射的第二光半透射膜37B来实现。遮光部分33通过以指定的顺序在透明衬底16的表面上堆叠第一光半透射膜37A、第二光半透射膜37B和遮光膜38而形成。 
第二光半透射膜37B是含有金属和硅的薄膜，并且优选是含有作为主要成分的硅化钼(MoSi)的膜。例如，含有MoSi(MoSi2)、MoSiN、MoSiON、MoSiCON等等。第一光半透射膜37A和遮光膜38中的每一个都是含有作为主要成分的铬的膜，其中铬对于遮光膜38来说是优选的，而氮化铬、氧化铬、氮氧化铬、氟化铬等对于第一光半透射膜37A来说是优选的。第一光半透射部分35A的透光率基于对第一光半透射膜37A的材料和厚度的选取来设定。第二光半透射部分35B的透光率基于对第一光半透射膜37A和第二光半透射膜37B的材料和厚度的选取来设定。 
在使用上述四级灰度掩模30时，曝光光线在遮光部分33不透射，曝光光线在第一光半透射部分35A减少，曝光光线在第二光半透射部分35B比在第一光半透射部分35A进一步减少。由此，被敷在转印目标31上的抗蚀膜(正性光刻胶膜)形成下面的抗蚀图案32。抗蚀图案32被如此配置：在与遮光部分33相对应的部分处的抗蚀膜厚度T11最大，并且在与第二光半透射部分35B相对应的部分处的抗蚀膜厚度T12小于抗蚀膜厚度T11，但大于在与第一光半透射部分35A相对应的部分处的抗蚀膜厚度T13。抗蚀图案32在与光透射部分34相对应的部分处没有抗蚀膜。 
对具有上述抗蚀图案32的转印目标31进行如下处理。首先，在抗蚀图案32的没有抗蚀膜的部分处(与光透射部分34相对应的部分)，例如对转印目标31上的膜19A、19B和19C进行第一次蚀刻。接着，通过灰化等将抗蚀图案32的抗蚀膜厚度为T13的部分(与第一光半透射部分35A相对应的部分)去除，在所述部分处，例如对转印目标31上的膜19B和19C进行第二次蚀刻。然后，通过灰化等将抗蚀图案32的抗蚀膜厚度为T12的部分(与第二光半透射部分35B相对应的部分)去除，在所述部分处，例如对转印目标31上的膜19C进行第三次蚀刻。通过这种方式，只用单个的灰度掩模30即可进行与采用三个惯常的光掩模实现的那些处理相当的处理，由此减少了掩模的数量。 
现在将参照图3A至3G对制造上述四级灰度掩模30的制造过程加以 阐述。 
首先，以指定的顺序在透明衬底16的表面上形成第一光半透射膜37A、第二光半透射膜37B和遮光膜38，由此形成和准备光掩模坯料40(图3A)。第二光半透射膜37B和遮光膜38中的每一个在灰度掩模30的制造过程中都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性。例如，第二光半透射膜37B由对铬蚀刻气体或液体的抗蚀性的材料制成，而遮光膜38由对MoSi蚀刻气体或液体具有抗蚀性的材料制成。第一光半透射膜37A由能够通过与遮光膜38的蚀刻相同的蚀刻而被蚀刻的材料制成。因此，第一光半透射膜37A和遮光膜38中的每一个都仅有对另一个的蚀刻的小的抗蚀性。 
然后，在光掩模坯料40的遮光膜38上形成抗蚀膜(正性光刻胶膜)，并且利用电子束或激光写入设备将所述抗蚀膜曝光/写入并随后显影，由此形成第一抗蚀图案41(图3B)。第一抗蚀图案41被形成的形状具有与有将制造的灰度掩模30的光透射部分34和第一光半透射部分35A相对应的敞开区域。 
之后，使用铬蚀刻气体或液体并使用第一抗蚀图案41作为掩模对形成有第一抗蚀图案41的光掩模坯料40的遮光膜38进行干式蚀刻或湿式蚀刻(图3C)。通过所述蚀刻，遮光膜38被形成遮光膜图案42。由于第二光半透射膜37B具有对铬蚀刻气体或液体的抗蚀性，所以防止了在遮光膜38的蚀刻期间使得第二光半透射膜37B被蚀刻。 
在形成遮光膜图案42之后，将第一抗蚀图案41剥除，然后，使用MoSi蚀刻气体或液体并使用遮光膜图案42作为掩模对第二光半透射膜37B进行干式蚀刻或湿式蚀刻，由此形成第二光半透射膜图案43(图3D)。根据本实施方式，同样也可以在以后将第一抗蚀图案41剥除。也就是说，可以规定，在形成遮光膜图案42之后，通过使用第一抗蚀图案41和遮光膜图案42作为掩模对第二光半透射膜37B进行干式蚀刻或湿式蚀刻，由此形成第二光半透射膜图案43，然后将第一抗蚀图案41剥除。由于遮光膜38和第一光半透射膜37A中的每一个都具有对MoSi蚀刻气体或液体的抗蚀性，所以防止了所述这些膜在第二光半透射膜37B的蚀刻期间被蚀刻。 
在形成上述第二光半透射膜图案43之后，在遮光膜38和被曝光的第 一光半透射膜37A上形成抗蚀膜。然后以与上述相同的方式对所述抗蚀膜进行曝光/写入和显影，由此形成第二抗蚀图案44(图3E)。第二抗蚀图案44被形成的形状具有与光透射部分34和第二光半透射部分35B相对应的敞开区域。 
之后，使用铬蚀刻气体或液体并使用第二抗蚀图案44作为掩模对遮光膜38和第一光半透射膜37A进行干式蚀刻或湿式蚀刻(图3F)。然后，通过将余下的第二抗蚀图案44去除(剥除)，得到四级灰度掩模30，所述四级灰度掩模30具有堆叠在一起的光透射部分34、通过第一光半透射膜37A形成的第一光半透射部分35A、通过堆叠在一起的第一光半透射膜37A和第二光半透射膜37B形成的第二光半透射部分35B、通过堆叠在一起的第一光半透射膜37A、第二光半透射膜37B和遮光膜38形成的遮光部分33(图3G)。 
根据前述实施方式得到下面的效果。根据灰度掩模30的制造过程，以指定的顺序在透明的衬底16上形成第一光半透射膜37A、第二光半透射膜37B和遮光膜38，其中所述第一光半透射膜37A和遮光膜38由能够通过同样的蚀刻而被蚀刻的材料制成，而第二光半透射膜37B由对第一光半透射膜37A和遮光膜38的材料的蚀刻具有抗蚀性的材料制成。因此，通过对彼此的蚀刻具有抗蚀性的膜和对彼此的蚀刻不具有抗蚀性的膜的组合，可以将采用光刻的写入的次数减少至两次来制造四级光掩模30。 
尽管已经借助于两个实施方式对本发明加以阐述，但本发明不限于此。 

Claims (8)

1.一种四级光掩模，所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分，并且所述遮光部分、第一光半透射部分和第二光半透射部分分别在转印目标上形成厚度阶段性地或连续地变化的抗蚀图案，所述四级光掩模的特征在于，
所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成，
所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上设置光半透射性的第二光半透射膜而构成，
所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同，
所述遮光部分通过在所述透明衬底的表面上按所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜的顺序层叠而构成，
所述第一光半透射膜和所述遮光膜为对彼此的蚀刻具有抗蚀性的膜，
所述第二光半透射膜和所述遮光膜由能够通过同种蚀刻气体或蚀刻液体蚀刻的材料构成。
2.如权利要求1所述的四级光掩模，其特征在于，
在所述转印目标上形成如下抗蚀图案：与所述遮光部分对应的部分的膜厚最厚，与所述第一光半透射部分对应的部分的膜厚次之，与所述第二光半透射部分对应的部分的膜厚薄，与所述光透射部分对应的部分无膜。
3.如权利要求1或2所述的四级光掩模，其特征在于，
所述第一光半透射部分和所述第二光半透射部分的曝光光的透光率为20～50％。
4.如权利要求1或2所述的四级光掩模，其特征在于，
所述第一光半透射膜含有硅化钼，所述第二光半透射膜和所述遮光膜含有铬作为主要成分。
5.一种四级光掩模的使用方法，所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分，所述四级光掩模的使用方法的特征在于，
所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成，
所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上设置光半透射性的第二光半透射膜而构成，
所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同，
所述遮光部分通过在所述透明衬底的表面上按所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜的顺序层叠而构成，
所述第一光半透射膜和所述遮光膜为对彼此的蚀刻具有抗蚀性的膜，
使用所述第二光半透射膜和所述遮光膜由能够通过同种蚀刻气体或蚀刻液体蚀刻的材料构成的四级光掩模进行曝光，在转印目标上形成抗蚀图案，
在与所述光透射部分对应的部分，在所述转印目标上实施第一蚀刻，
去除所述抗蚀图案中的与所述第二光半透射部分对应的部分，在所述转印目标上实施第二蚀刻，
进而，去除所述抗蚀图案中的与所述第一光半透射部分对应的部分，在所述转印目标上实施第三蚀刻。
6.如权利要求5所述的四级光掩模的使用方法，其特征在于，
对转印目标上的第一膜、第二膜及第三膜实施所述第一蚀刻，
对转印目标上的第二膜及第三膜进行实施第二蚀刻，
对转印目标上的第三膜实施所述第三蚀刻。
7.如权利要求5所述的四级光掩模的使用方法，其特征在于，
通过灰化去除所述抗蚀图案。
8.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
包括权利要求5～7中任一项所述的使用方法。
CN2010102024411A 2006-02-20 2007-02-16 四级光掩模及其使用方法以及光掩模坯料 Active CN101866107B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006043011 2006-02-20
JP2006-043011 2006-02-20

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100841365A Division CN101025564B (zh) 2006-02-20 2007-02-16 四级光掩模制造方法和其中所使用的光掩模坯料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101866107A CN101866107A (zh) 2010-10-20
CN101866107B true CN101866107B (zh) 2013-08-07

Family

ID=38612597

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102024411A Active CN101866107B (zh) 2006-02-20 2007-02-16 四级光掩模及其使用方法以及光掩模坯料
CN2007100841365A Active CN101025564B (zh) 2006-02-20 2007-02-16 四级光掩模制造方法和其中所使用的光掩模坯料

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100841365A Active CN101025564B (zh) 2006-02-20 2007-02-16 四级光掩模制造方法和其中所使用的光掩模坯料

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4642140B2 (zh)
KR (3) KR101100522B1 (zh)
CN (2) CN101866107B (zh)
TW (1) TWI432885B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009057660A1 (ja) * 2007-11-01 2009-05-07 Ulvac Coating Corporation ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、及びハーフトーンマスクの製造方法
JP4714311B2 (ja) * 2008-02-28 2011-06-29 Ｈｏｙａ株式会社 多階調フォトマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板用パターン転写方法
JP2010044149A (ja) * 2008-08-11 2010-02-25 Hoya Corp 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び多階調フォトマスクを用いた表示装置の製造方法
JP5121020B2 (ja) * 2008-09-26 2013-01-16 Ｈｏｙａ株式会社 多階調フォトマスク、フォトマスクブランク、及びパターン転写方法
TW201030451A (en) * 2008-09-30 2010-08-16 Hoya Corp Multi-tone photomask and method of manufacturing the same
KR101186890B1 (ko) * 2009-05-21 2012-10-02 엘지이노텍 주식회사 하프톤 마스크 및 이의 제조 방법
JP2011027878A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Hoya Corp 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
TWI422966B (zh) * 2009-07-30 2014-01-11 Hoya Corp 多調式光罩、光罩基底、多調式光罩之製造方法、及圖案轉印方法
KR101269062B1 (ko) 2012-06-29 2013-05-29 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크 제조방법
JP5635577B2 (ja) * 2012-09-26 2014-12-03 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法
KR102093101B1 (ko) * 2014-08-25 2020-04-14 (주)에스앤에스텍 다계조 포토마스크 및 그의 제조 방법
JP6726553B2 (ja) * 2015-09-26 2020-07-22 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
US12131371B2 (en) 2016-09-06 2024-10-29 Nike, Inc. Method, platform, and device for personalized shopping
US20180160777A1 (en) 2016-12-14 2018-06-14 Black Brass, Inc. Foot measuring and sizing application
KR102339381B1 (ko) 2017-01-06 2021-12-15 나이키 이노베이트 씨.브이. 자동 쇼핑 어시스턴트를 이용한 개인화 쇼핑을 위한 시스템, 플랫폼 및 방법
WO2019005986A1 (en) 2017-06-27 2019-01-03 Nike Innovate C.V. SYSTEM, PLATFORM AND METHOD OF PERSONALIZED PURCHASE USING AN AUTOMATED PURCHASE ASSISTANT
US12211076B2 (en) 2018-01-24 2025-01-28 Nike, Inc. System, platform and method for personalized shopping using a virtual shopping assistant
CN109188854B (zh) * 2018-10-18 2020-06-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置
KR20230028316A (ko) 2020-05-29 2023-02-28 나이키 이노베이트 씨.브이. 캡처된 이미지를 처리하기 위한 시스템 및 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000047011A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 윤종용 박막의 사진 식각 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
JP2003029393A (ja) * 2001-07-12 2003-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd マスク、それを用いたパターン形成方法およびリソグラフィ方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09146259A (ja) * 1995-08-29 1997-06-06 Ricoh Opt Ind Co Ltd グラデーションマスクとその製造方法およびグラデーションマスクを用いた特殊表面形状の創成方法
JPH1115134A (ja) * 1997-06-26 1999-01-22 Hitachi Ltd ホトマスクおよびそれを用いたパタン形成方法
CN1379461A (zh) * 2001-03-30 2002-11-13 华邦电子股份有限公司 内连线结构的双嵌工艺
JP2003121978A (ja) * 2001-10-12 2003-04-23 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP3984116B2 (ja) * 2002-07-09 2007-10-03 株式会社東芝 フォトマスクの製造方法
JP3727911B2 (ja) * 2002-09-25 2005-12-21 株式会社東芝 マスク、マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP3854241B2 (ja) * 2003-04-25 2006-12-06 株式会社東芝 フォーカスモニタ用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
EP1668413A2 (en) * 2003-09-05 2006-06-14 Schott AG Phase shift mask blank with increased uniformity
JP2006317665A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
JP4968709B2 (ja) * 2006-03-17 2012-07-04 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクの製造方法
JP2007271696A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Hoya Corp グレートーンマスクブランク及びフォトマスク
KR101255616B1 (ko) * 2006-07-28 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 다중톤 광마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 기판의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000047011A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 윤종용 박막의 사진 식각 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
JP2003029393A (ja) * 2001-07-12 2003-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd マスク、それを用いたパターン形成方法およびリソグラフィ方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101100522B1 (ko) 2011-12-29
KR101045450B1 (ko) 2011-06-30
TW200736819A (en) 2007-10-01
TWI432885B (zh) 2014-04-01
JP2010198042A (ja) 2010-09-09
KR20070083210A (ko) 2007-08-23
CN101025564B (zh) 2010-12-15
CN101866107A (zh) 2010-10-20
CN101025564A (zh) 2007-08-29
KR20110074834A (ko) 2011-07-04
KR20100131404A (ko) 2010-12-15
JP4642140B2 (ja) 2011-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101866107B (zh) 四级光掩模及其使用方法以及光掩模坯料
JP4570632B2 (ja) ４階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク加工品
JP4393290B2 (ja) グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法
JP4806701B2 (ja) グレートーンマスク及びその製造方法
JP4968709B2 (ja) グレートーンマスクの製造方法
JP4961990B2 (ja) マスクブランクおよび階調マスク
JP5201762B2 (ja) グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法、並びにパターン転写方法
JP4521694B2 (ja) グレートーンマスク及び薄膜トランジスタの製造方法
KR101560385B1 (ko) 위상 쉬프트 마스크 블랭크, 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조 방법
KR20120021325A (ko) 5계조 포토마스크의 제조 방법 및 5계조 포토마스크와 패턴 전사 방법
KR101785177B1 (ko) 위상 시프트 마스크 및 그의 제조방법
JP2006030320A (ja) グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法
KR101751605B1 (ko) 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법
JP2009237419A (ja) 多階調フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法
KR20180037172A (ko) 바이너리 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 바이너리 포토마스크의 제조 방법
JP4615032B2 (ja) 多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
CN101025566A (zh) 图案形成方法和灰度掩模制造方法
JP2009229893A (ja) 多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
JP6872061B2 (ja) フォトマスク及び表示装置の製造方法
JP4848071B2 (ja) ５階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
JP4792148B2 (ja) ５階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
JP4714312B2 (ja) 多階調フォトマスク及び多階調フォトマスクの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: Japan Tokyo 160-8347 Shinjuku Shinjuku six chome 10 No. 1

Patentee after: HOYA Corporation

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Patentee before: HOYA Corporation