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TWI422966B - 多調式光罩、光罩基底、多調式光罩之製造方法、及圖案轉印方法 - Google Patents

多調式光罩、光罩基底、多調式光罩之製造方法、及圖案轉印方法 Download PDF

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TWI422966B
TWI422966B TW099123197A TW99123197A TWI422966B TW I422966 B TWI422966 B TW I422966B TW 099123197 A TW099123197 A TW 099123197A TW 99123197 A TW99123197 A TW 99123197A TW I422966 B TWI422966 B TW I422966B
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TW099123197A
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TW201109836A (en
Inventor
Yutaka Yoshikawa
Tomonori Fukumoto
Original Assignee
Hoya Corp
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Publication date
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Publication of TW201109836A publication Critical patent/TW201109836A/zh
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Description

多調式光罩、光罩基底、多調式光罩之製造方法、及圖案轉印方法
本發明係關於一種於例如液晶顯示裝置等之平板顯示器(Flat Panel Display，以下稱作FPD)等之製造中使用之多調式光罩、用於製造該多調式光罩之光罩基底、該多調式光罩之製造方法、及使用該多調式光罩之圖案轉印方法。
用於例如液晶顯示裝置之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)基板係使用透明基板上形成有包含遮光部及透光部之轉印圖案之光罩，經例如5次~6次光微影步驟製造而成。近年來，為了削減光微影步驟數，而逐漸使用透明基板上形成有包括遮光部、半透光部、透光部之轉印圖案之多調式光罩(參照日本專利特開2007-249198號公報)。
對多調式光罩之使用者即FPD製造者而言，減小形成於多調式光罩上之轉印圖案之線寬(CD(critical dimension，臨界尺寸))的面內分佈對達成優異之FPD性能方面極為重要。因此，於多調式光罩之製造中，例如對於設計值，必需嚴格控制線寬不均一。例如，對於設計線寬，必需達成中心值位於±0.1 μm，更佳為±0.05 μm之範圍內，且面內分佈為0.1 μm，更佳為面內分佈位於0.05 μm之範圍內等規格。
如需製造上述多調式光罩，可應用例如下述步驟：準備透明基板上依序積層有半透光膜及遮光膜之光罩基底；於上述光罩基底上形成覆蓋遮光部之形成預定區域之第1光阻圖案，並將上述第1光阻圖案作為光罩，對上述遮光膜進行蝕刻，形成遮光膜圖案；以及，去除上述第1光阻圖案，於上述光罩基底上形成至少覆蓋半透光部之形成預定區域之第2光阻圖案，並將上述遮光膜圖案及上述第2光阻圖案作為光罩，對上述半透光膜進行蝕刻，形成半透光膜圖案之步驟。
FPD製造用之光罩係尺寸較大，例如為一邊300 mm以上之正方形，或者近來需要提高面板製造效率之光罩則為一邊為1000 mm以上之正方形。因此，作為遮光膜之蝕刻方法，無需真空蝕刻腔室之濕式蝕刻較為有利。然而，發明人等發現，於上述多調式光罩之製造方法中存在下述情形：若進行遮光膜之濕式蝕刻，則即便面內之一部分蝕刻結束，而其他部分中直至達到特定之線寬(CD)蝕刻仍未結束，導致出現線寬之面內不均一。此種情況下，將導致難以決定蝕刻之終點。亦即，若於蝕刻速度較快部分之蝕刻結束時刻使蝕刻結束，則導致其他部分會產生遮光圖案之線寬大於設計值之不良狀況。又，若對應著蝕刻速度較慢之部分，延長蝕刻時間，則會對蝕刻速度較快之部分進一步進行側面蝕刻，導致CD小於設計值。
換言之，發明人等發現：於上述多調式光罩之製造方法中，難以抑制光罩基底之面內之蝕刻率的局部變化。經詳細研究，發現因需要形成之轉印圖案之形狀，而導致遮光膜之蝕刻率較大側產生變化、或者導致遮光膜之蝕刻率較小側產生變化之傾向。其結果，存在如下情形：遮光膜圖案之線寬與設計值之差異(CD Shift)增加，或局部產生遮光膜之蝕刻不良(遮光膜之去除不良)，從而使多調式光罩之品質降低，製造良率惡化。
本發明之目的在於提供一種無論何種轉印圖案之形狀均可使遮光膜之面內之蝕刻率均一化，從而提昇多調式光罩之品質，使製造良率提高之多調式光罩、用於製造該多調式光罩之光罩基底、及該多調式光罩之製造方法。又，本發明之目的在於提供一種可藉由使用上述多調式光罩而改善FPD等之製造良率之圖案轉印方法。
本發明之第1態樣係一種多調式光罩，其係於透明基板上形成有包括遮光部、透光部、及半透光部之特定之轉印圖案者，上述遮光部係由具有導電性之蝕刻均衡器膜、半透光膜、及遮光膜依序積層於上述透明基板上而成，上述半透光部係由上述蝕刻均衡器膜及上述半透光膜依序積層於上述透明基板上而成，上述透光部係使上述透明基板露出而成。
本發明之第2態樣係一種多調式光罩，其特徵在於：其係於透明基板上形成有包括遮光部、透光部、及半透光部之特定之轉印圖案者，上述遮光部係由具有導電性之蝕刻均衡器膜、半透光膜、及遮光膜依序積層於上述透明基板上而成，上述半透光部係由上述蝕刻均衡器膜及上述半透光膜依序積層於上述透明基板上而成，上述透光部係使形成於上述透明基板上之上述蝕刻均衡器膜之至少一部分露 出而成。
本發明之第3態樣係如第1或第2態樣之多調式光罩，其中上述蝕刻均衡器膜係具有片電阻值為10kΩ/□以下之導電性。
本發明之第4態樣係如第1至第3態樣中任一態樣之多調式光罩，其中上述蝕刻均衡器膜係包含金屬或金屬化合物。
本發明之第5態樣係如第1至第4態樣中任一態樣之多調式光罩，其中上述蝕刻均衡器膜之對於曝光光線之透射率為60%以上。
本發明之第6態樣係如第1至第5態樣中任一態樣之多調式光罩，其中上述轉印圖案中所含之上述遮光部之圖案線寬與上述遮光部之設計值之差係為50nm以下。
本發明之第7態樣係如第1至第6態樣中任一態樣之多調式光罩，其中上述半透光部所含之上述半透光膜之膜厚係小於上述遮光部所含之上述半透光膜之膜厚。
本發明之第8態樣係如第1至第7態樣中任一態樣之多調式光罩，其中上述半透光部係包括：第1半透光部，其係由上述蝕刻均衡器膜及上述半透光膜依序積層於上述透明基板上而成；以及第2半透光部，其係使形成於上述透明基板上之上述蝕刻均衡器膜露出而成。
本發明之第9態樣係一種光罩基底，其係藉由於透明基板上依序積層有半透光膜及遮光膜，且分別對上述半透光膜與上述遮光膜實施圖案化處理，而於上述透明基板上形成有包括遮光部、透光部、及半透光部之特定之轉印圖案者，且，於上述半透光膜與上述透明基板之間，形成有具有導電性之蝕刻均衡器膜。
本發明之第10態樣係如第9態樣之光罩基底，其中上述蝕刻均衡器膜係具有片電阻值為10 kΩ/□以下之導電性。
本發明之第11態樣係如第9或第10態樣之光罩基底，其中上述蝕刻均衡器膜係包含金屬或金屬化合物。
本發明之第12態樣係一種多調式光罩之製造方法，其係於透明基板上形成有包括遮光部、透光部、及半透光部之特定之轉印圖案之多調式光罩之製造方法，且，上述多調式光罩之製造方法包括：準備光罩基底之步驟，該光罩基底係於上述透明基板上依序積層有具有導電性之蝕刻均衡器膜、半透光膜、及遮光膜；第1蝕刻步驟，其係將形成於上述光罩基底上之第1光阻圖案作為光罩，至少對上述遮光膜進行蝕刻；以及第2蝕刻步驟，其係於去除上述第1光阻圖案之後，於經上述第1蝕刻之光罩基底上形成第2光阻圖案，並至少將上述第2光阻圖案作為光罩，對上述遮光膜或上述半透光膜進行蝕刻；且，於上述第1蝕刻步驟中，藉由上述蝕刻均衡器膜而使所形成之上述遮光膜圖案之面內電位分佈均一化。
本發明之第13態樣係如第12態樣之多調式光罩之製造方法，其包括：第1蝕刻步驟，該第1蝕刻步驟係於上述光罩基底上形成覆蓋上述遮光部之形成預定區域之第1光阻圖案，並將上述第1光阻圖案作為光罩，對上述遮光膜進行蝕刻，形成遮光膜圖案；以及第2蝕刻步驟，該第2蝕刻步驟係於去除上述第1光阻圖案之後，於經上述第1蝕刻之光罩基底上形成至少覆蓋上述半透光部之形成預定區域之第2光阻圖案，並至少將上述第2光阻圖案作為光罩，對上述半透光膜進行蝕刻，形成半透光膜圖案。
本發明之第14態樣係一種圖案轉印方法，其包括下述步驟：使用如第1至第8態樣中任一態樣之多調式光罩、使用如第9至第11態樣中任一態樣之光罩基底而製造之多調式光罩、或者如第12或第13態樣之製造方法所得之多調式光罩，對被轉印體照射曝光光線，將上述轉印圖案轉印至形成於上述被轉印體上之光阻膜。
根據本發明之多調式光罩、光罩基底、及多調式光罩之製造方法，無論何種轉印圖案之形狀均可使遮光膜之蝕刻率於面內均一化，從而提昇多調式光罩之線寬精度等之品質，使製造良率提高。又，根據本發明之圖案轉印方法，可藉由使用上述多調式光罩來改善FPD等之製造良率。
 <本發明之一實施形態>
以下，一面主要參照圖1A、圖1B、圖2、圖6，一面說明本發明之一實施形態。
圖1A係本實施形態之多調式光罩之局部剖面圖(模式圖)，圖1B係藉由使用該多調式光罩之圖案轉印步驟而形成於被轉印體上之光阻圖案的局部剖面圖。圖2係例示本實施形態之多調式光罩之製造步驟之流程的概略圖。圖6係表示於本實施形態之多調式光罩之製造步驟中，藉由蝕刻均衡器膜而使遮光膜之蝕刻率均一化之情況的概略圖。
(1)多調式光罩之構成
圖1A所示之多調式光罩100係於製造例如LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)之薄膜電晶體(TFT)、彩色濾光片、PDP(plasma display panel，電漿顯示面板)等時使用。其中，圖1A係例示光罩之積層結構者，實際之圖案未必與此相同。
多調式光罩100係具有轉印圖案，該轉印圖案包括：於使用該多調式光罩100時阻隔曝光光線(光透射率約為0%)之遮光部121；使曝光光線之透射率降低至例如5%~60%(將充分寬廣之透光部之透射率設為100%時)之半透光部122；以及使曝光光線100%透射之透光部123。上述中所謂充分寬廣，係指對曝光光學系統之解像度充分寬廣、即圖案之線寬之變化不影響透射率之寬廣度，例如20μm見方以上之寬廣度。
遮光部121係由具有導電性之蝕刻均衡器膜111、半透光膜112及遮光膜113依序積層於透明基板110上而成。又，半透光部122係由蝕刻均衡器膜111及半透光膜112依序積層於透明基板110上，且使半透光膜112之上表面露出而成。又，透光部123係使透明基板110露出而成。此處，於不損及本發明效果之範圍內，於上述膜之間及上下亦可存在其他膜。不僅限於構成遮光部121之遮光膜113之上表面露出之情形，亦可於遮光膜113上形成有其他膜。 又，如下所述，於透光部123亦可殘留透射率較高之蝕刻均衡器膜111，以取代使透明基板110之上表面露出。再者，使蝕刻均衡器膜111、半透光膜112及遮光膜113圖案化處理之情況將於下文中說明。
透明基板110係構成為包括例如石英(SiO2 )玻璃、或者含有SiO2 、Al2 O3 、B2 O3 、RO、R2 O等之低膨脹玻璃等之平板。透明基板110之主面(表面及背面)係經研磨等而構成為平坦且平滑。透明基板110可設為例如一邊為300mm以上之正方形，且可設為例如一邊為1000mm~2400mm之矩形。透明基板110之厚度可為例如3mm~20mm。
蝕刻均衡器膜111係構成為具有片電阻值例如為10kΩ/□以下，較佳為5kΩ/□以下，更佳為2kΩ/□以下之導電性之膜。蝕刻均衡器膜111之膜厚例如可為20Å~500Å，較佳為50Å~300Å。蝕刻均衡器膜111可構成為包含金屬或金屬化合物之膜。作為金屬，可使用Cr、Al、CoW、Ni、Mo等，作為金屬化合物，可使用上述金屬之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物、碳氮氧化物等。然而，若金屬含量過小，則將難以確保上述導電性，故而，較佳為確保特定金屬含量之組成。又，較佳為，相對於用於半透光膜112之蝕刻之蝕刻液(或蝕刻氣體)具有抗蝕刻性。此時，蝕刻均衡器膜111可作為以下述方式對半透光膜112進行蝕刻時之蝕刻阻止層，發揮功能。
對用於蝕刻均衡器膜111之膜之曝光光線透射率並無特別限制。再者，蝕刻均衡器膜111係於使遮光膜113及半透光膜112分別圖案化，完成作為蝕刻均衡器之功能之後，可將殘留於透光部123之部分去除。另一方面，亦可使殘留於透光部123之蝕刻均衡器膜111之至少一部分保留下來，用作多調式光罩100之一部分。如此情形時，較佳為，使用於蝕刻均衡器膜111之膜之曝光光線透射率為60%以上。例如，可使蝕刻均衡器膜111殘留，或使經減薄之一部分殘留，且直接用作多調式光罩100之透光部123。此時，蝕刻均衡器膜111較佳為使用對於透明基板110具有80%以上之曝光光線透射率之膜。作為此時可使用之透射率較高之膜素材，例如可為ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、ATO(Antimony Tin Oxide，摻銻氧化錫)、氧化鋅、銻錫合金、氫氧化鎂、氧化錫等。如此情形時，更佳為，使蝕刻均衡器膜111對於曝光光線之透射率相對於透明基板為85%以上。
再者，於本實施形態中，係於透明基板110上包括積層有蝕刻均衡器膜111、半透光膜112及遮光膜113之遮光部121；積層有蝕刻均衡器膜111及半透光膜112之半透光部122；以及露出透明基板110之透光部123，但除此以外，於透明基板110上亦可包括殘留有蝕刻均衡器膜111之至少一部分之第2半透光部。即，如下所述，若適當地選擇蝕刻均衡器膜111之曝光光線透射率，則可用作4階光罩，亦可藉由其膜厚之選擇，而進行透射率之調整。此時之蝕刻均衡器膜111之透射率係由需要使用該多調式光罩100來製造之元件之加工條件而決定，但例如可於5%~80%之範圍內進行選擇。
半透光膜112係包含鉻化合物、及至少含矽與鉬之化合物，例如可包含CrO、CrN、CrC、MoSix、MoSiN、MoSiON、MoSiCON等。半透光膜112係構成為可使用氟(F)系蝕刻液(或蝕刻氣體)進行蝕刻。又，較佳為，半透光膜112具有對上述鉻用蝕刻液(或蝕刻氣體)之抗蝕刻性。如此情形時，半透光膜112可作為以下述方式使用鉻用蝕刻液對遮光膜113進行蝕刻時之蝕刻阻止層而發揮功能。再者，構成半透光部122之半透光膜112之厚度亦可減薄至小於構成遮光部121之半透光膜112之厚度。藉此，便可將半透光部122之透射率精密地調整為所需值。
半透光膜112對於曝光光線之膜透射率較佳為5%~80%。更佳為7%~70%。可藉由此種透射率，而提高形成FPD等顯示裝置時之加工良率。該膜透射率可藉由上述素材之選擇及膜厚之選擇而獲得。
遮光膜113實質上係以鉻(Cr)為主成分。再者，若於遮光膜113之表面上設置Cr化合物(CrO、CrC、CrN等)之層，則可使表面具有反射抑制功能。遮光膜113係構成為可使用例如包含硝酸鈰銨((NH4 )2 Ce(NO3 )6 )及過氯酸(HClO4 )之鉻用蝕刻液進行蝕刻。
於圖1B中，例示藉由使用多調式光罩100之圖案轉印步驟而形成於被轉印體1上之光阻圖案4p的局部剖面圖。光阻圖案4p係經由多調式光罩100對形成於被轉印體1上之正型光阻膜4照射曝光光線並進行顯影而形成。被轉印體1係包括基板2、及依序積層於基板2上之金屬薄膜、絕緣層、半導體層等任意之被加工層3a~3c，且正型光阻膜4以均一之厚度預先形成於被加工層3c上。再者，可構成為被加工層3b對於被加工層3c之蝕刻具有耐受性，且被加工層3a對於被加工層3b之蝕刻具有耐受性。
若經由多調式光罩100，對正型光阻膜4照射曝光光線，則遮光部121不會使曝光光線透射，又，曝光光線之光量將以半透光部122、透光部123之順序階段性增加。而且，正型光阻膜4係於與各遮光部121、半透光部122分別對應之區域中膜厚依序變薄，且於與透光部123對應之區域被去除。由此，於被轉印體1上形成膜厚階段性不同之光阻圖案4p。
形成光阻圖案4p後，則可自表面側將未由光阻圖案4p所覆蓋之區域(與透光部123對應之區域)中露出之被加工層3c~3a依序蝕刻去除(第1蝕刻)。繼而，將光阻圖案4p灰化(減薄)，去除膜厚最薄之區域(與半透光部122對應之區域)，從而依序將新露出之被加工層3c、3b蝕刻去除(第2蝕刻)。可藉由以此方式，使用膜厚階段性不同之光阻圖案4p，而實施先前之相當於2片光罩之步驟，從而減少光罩片數，使光微影步驟簡化。
(2)多調式光罩之製造方法
繼而，一面參照圖2，一面說明本實施形態之多調式光罩100之製造方法。
(光罩基底準備步驟)
首先，如圖2(a)所例示，準備由具有導電性之蝕刻均衡器膜111、半透光膜112、及遮光膜113依序積層於透明基板110上而成之光罩基底100b。如此般，本實施形態之光罩基底100b係包括具有某種程度之導電性之素材彼此之導通部分(此處為包括至少含矽與鉬之化合物的半透光膜112與以Cr為主成分之遮光膜113之接觸面)。
於遮光膜113上形成有第1光阻膜131。第1光阻膜131可由正型光阻材料或負型光阻材料所構成。於以下說明中，係假設第1光阻膜131由正型光阻材料所形成。第1光阻膜131可使用例如旋轉塗佈或狹縫式塗佈機(slit coater)等方法而形成。
(第1蝕刻步驟)
其次，藉由雷射描繪機等進行描繪曝光，使第1光阻膜131之一部分感光，並藉由噴霧方式等方法將顯影液供給至第1光阻膜131上進行顯影，形成覆蓋遮光部121之形成預定區域之第1光阻圖案131p。形成有第1光阻圖案131p之狀態例示於圖2(b)中。
繼而，將所形成之第1光阻圖案131p作為光罩，對遮光膜113進行蝕刻，形成遮光膜圖案113p，並且使半透光膜112之上表面局部露出。形成有遮光膜圖案113p之狀態例示於圖2(c)中。蝕刻係藉由包含硝酸鈰銨((NH4 )2 Ce(NO3 )6 )及過氯酸(HClO4 )之上述鉻用蝕刻液來進行。該蝕刻液具有導電性，且發揮電解液之作用。
再者，隨著遮光膜113之蝕刻之進行，若露出半透光膜 112，則成為異質金屬(遮光膜113與半透光膜112各自所含之金屬)以彼此具有接合部分之狀態浸漬於電解液(蝕刻液)中的狀態。
再者，如上所述，當使用先前之光罩基底(於透明基板上依序積層有半透光膜與遮光膜且不具有蝕刻均衡器膜之光罩基底)時，存在遮光膜之蝕刻率於面內不一致之情形。尤其發現了因轉印圖案之形狀不同，蝕刻率局部降低或上升等現象。根據發明人等研究之結果，確認如下情形：自蝕刻開始至半透光膜112露出為止之遮光膜113之濕式蝕刻行為係其後自進行蝕刻，半透光膜112露出之時間點起產生變化。亦即，可認為受到自半透光膜112露出之時間點起所產生之電池形成造成之新的要因影響(電子之供給狀態之變化)，蝕刻行為轉移到不同之狀態。該所謂新的狀態，係指與面內之圖案形狀之不同、密度之不同、或遮光部與半透光部之面積比之不同中至少一種存在關係。
而且，發明人等認為存在下述情形：因上述影響，而導致遮光膜圖案之線寬局部與設計值不同，或者導致局部產生遮光膜之蝕刻不良(遮光膜之去除不良)，從而使多調式光罩之品質降低，製造良率惡化。
與此相對，本實施形態之光罩基底100b係於半透光膜112之下層側包括具有導電性之蝕刻均衡器膜111。藉此，無論何種轉印圖案之形狀，均使遮光膜113之蝕刻率始終維持穩定且均一化(使遮光膜113之蝕刻率之局部變化受到抑制)。藉此，只要適當地選擇蝕刻終點，則可防止遮光膜圖案113p之線寬局部與設計值局部，或局部產生遮光膜113之蝕刻不良(遮光膜113之去除不良)。再者，蝕刻均衡器膜111對蝕刻率之均一化效果將於下文中說明。
遮光膜圖案113p之形成結束後，則剝離去除第1光阻圖案131p。接著，形成分別覆蓋殘留之遮光膜113(遮光膜圖案113p)及露出之半透光膜112之上表面的第2光阻膜132。第2光阻膜132可包含正型光阻材料或負型光阻材料。於以下說明中，假設第2光阻膜132由正型光阻材料所形成。第2光阻膜132可使用例如旋轉塗佈或狹縫式塗佈機等之方法而形成。形成有第2光阻膜132之狀態例示於圖2(d)中。
(第2蝕刻步驟)
其次，藉由雷射描繪機等進行描繪曝光，使第2光阻膜132之一部分感光，並藉由噴霧方式等方法將顯影液供給至第2光阻膜132中進行顯影，形成至少覆蓋半透光部122之形成預定區域之第2光阻圖案132p。形成有第2光阻圖案132p之狀態例示於圖2(e)中。再者，如圖2(e)所例示，第2光阻圖案132p可以不僅覆蓋半透光部122之形成預定區域，而且覆蓋遮光膜圖案113p之一部分或整個部分之方式形成。
其次，將所形成之遮光膜圖案113p及第2光阻圖案132p作為光罩，依序對半透光膜112及蝕刻均衡器膜111進行蝕刻，形成半透光膜圖案112p及蝕刻均衡器膜圖案111p，並且使透光基板110局部露出。再者，半透光膜112之蝕刻可使用上述氟(F)系蝕刻液(或蝕刻氣體)來進行。又，蝕刻均衡器膜111之蝕刻可藉由根據構成蝕刻均衡器膜111之材料而適當選擇之蝕刻液(或蝕刻氣體)來進行。
接著，剝離去除第2光阻圖案132p，結束本實施形態之多調式光罩100之製造方法。
(3)蝕刻均衡器膜之效果
如上所述，於進行第1蝕刻步驟時，不斷進行蝕刻，將遮光膜113局部去除，藉此，使半透光膜112局部露出，從而成為以遮光膜113與半透光膜112彼此具有接合部分之狀態，分別浸漬於電解液(蝕刻液)中之狀態。此處，遮光膜113與半透光膜112係為包含各不相同之金屬之材料，且具有某種程度之導電性，因此，浸漬於電解液中之遮光膜與半透光膜例如構成類似於賈法尼(galvano)電池等之化學電池，且自該時間點起，遮光膜113之蝕刻行為由所形成之電池之電子轉移所支配。而且，其結果，存在蝕刻率降低或上升之情形。利用圖11，說明浸漬於電解液中之彼此具有接合部分之異質金屬對蝕刻率產生之效果(亦將其稱作電池效應)。
圖11(a)係表示蝕刻率之測定系統，且表示使包含Cr之Cr單體板、包含Mo之Mo單體板、使Cr板與Mo板重合之Cr-Mo積層板(異質金屬接觸、導通)分別浸漬於上述鉻用蝕刻液中之情況。
圖11(b)係表示Cr單體板、Cr-Mo積層板、Mo單體板之各蝕刻率之測定結果的圖表。根據圖11(b)，可知Cr-Mo積層板中之Cr之蝕刻率減少至Cr單體板之Cr之蝕刻率的一半以下。又，可知Cr-Mo積層板中之Mo之蝕刻率較Mo單體板之Mo之蝕刻率更為增加。亦即，可知若使彼此導通之異質金屬浸漬於電解液中，則會對蝕刻率產生影響，使離子化傾向較小之金屬(此處為Cr)之蝕刻率降低，並且使離子化傾向較大之金屬(此處為鉬)之蝕刻率增加。由以上結果可理解如下，於多調式光罩100之濕式蝕刻時，包含互不相同之金屬之遮光膜113與半透光膜112分別具有特定之導電性，且於兩者導通之狀態下與蝕刻液接觸時，產生與僅將遮光膜113浸漬於蝕刻液中時不同之蝕刻行為，使得蝕刻率出現變化。
此處，實施上述第1蝕刻步驟而使半透光膜112露出之露出面積係根據轉印圖案之形狀而局部不同。即，因轉印圖案之形狀，露出之半透光膜112之面積有大亦有小。根據發明人等之見解，於先前之多調式光罩之製造步驟中，半透光膜112之露出面積與蝕刻中途之遮光膜113圖案之面積之比、相互之距離、各自之形狀差異導致上述電池效應出現強弱，藉此，產生遮光膜113之蝕刻率無法於面內達到均一之問題。即，因轉印圖案之形狀，既存在遮光膜113之蝕刻率之變化較大之部位，亦存在遮光膜113之蝕刻率之變化較小之部位，蝕刻之終點無法於面內達到固定。關於所涉及之現象，將發明人等所考察之模型表示於圖7中。
圖7係表示於先前之多調式光罩之製造步驟中，遮光膜113之蝕刻率根據轉印圖案之形狀而局部變化之情況的概略圖。於圖7中，包含MoSi之半透光膜112與包含Cr之遮光膜113係依序不經由蝕刻均衡器膜111而積層於透明基板110上。而且，將形成於遮光膜113上之光阻圖案131p作為光罩，使用上述鉻用蝕刻液(電解液)對遮光膜113進行蝕刻，形成遮光膜圖案113p，並且使半透光膜112之上表面局部露出。再者，於圖中右側，半透光膜112之露出面積較大，而於圖中左側，半透光膜112之露出面積較小。
如圖7所示，由於半透光膜112露出而接觸蝕刻液(電解液)，故而，使得形成半透光膜112之Mo離子化，例如產生MoMo3+ +3e- 等反應。與露出面積較小之圖中左側之半透光膜112相比，於露出面積較大之圖中右側之半透光膜112中則產生更多之電子。藉由Mo之離子化而產生之電子(e- )係自半透光膜112供給至遮光膜113。亦即，與圖中左側之遮光膜113(遮光膜圖案113p)相比，圖中右側之遮光膜113(遮光膜圖案113p)中被供給更多之電子。其結果，產生Cr之離子化反應難以進行之狀況。此時形成之自上述Mo向各遮光膜圖案113p之電子供給狀態不同，因此，各遮光圖案113P之電位變得不均一，導致遮光膜113之蝕刻率局部不均一。例如，圖中右側遮光膜113之蝕刻率之降低變得較圖中左側之遮光膜113之蝕刻率之降低更顯著。
因此，發明人等對減少根據轉印圖案之形狀而產生之電池效應之強弱、即遮光膜圖案113p之電位差之方法進行了積極研究，上述遮光膜圖案113p之電位差係根據相對於作 為蝕刻對象之遮光膜113之面積的附近之半透光膜112之露出面積的大小而產生。其結果，發現可藉由將具有導電性之蝕刻均衡器膜111設置於半透光膜112之下層側，而使所形成之各遮光膜圖案113p之電位均一化，從而抑制遮光膜113之蝕刻率之局部變化。即，發現可藉由設置蝕刻均衡器膜111，而使遮光膜113面內之任意部分之電位均實質相等，從而使蝕刻Cr時之離子化之傾向均一化。
圖6中表示於本實施形態之多調式光罩100之製造步驟中，遮光膜113之蝕刻率藉由蝕刻均衡器膜111而均一化之模型(遮光膜圖案113p之電位藉由蝕刻均衡器膜111而均一化之情況)。於圖6中，具有特定之導電性之包含金屬或金屬化合物之蝕刻均衡器膜111、包含MoSi之半透光膜112、以Cr為主成分之遮光膜113係依序積層於透明基板110上。而且，與圖7相同，將形成於遮光膜113上之光阻圖案131p作為光罩，使用上述鉻用蝕刻液(電解液)，對遮光膜113進行蝕刻，形成遮光膜圖案113p。而且，半透光膜112之上表面隨著蝕刻之進行而局部地露出。又，與圖7相同，圖中右側中，半透光膜112之露出面積較大，圖中左側中，半透光膜112之露出面積較小。
如圖6所示，因半透光膜112露出而接觸蝕刻液(電解液)，故使得形成半透光膜112之Mo離子化，例如產生MoMo3+ +3e- 等反應。與露出面積較小之圖中左側之半透光膜112相比，於露出面積較大之圖中右側之半透光膜112中則產生更多之電子。藉由Mo之離子化而產生之電子(e- )係自半透光膜112流向遮光膜113。此處，蝕刻均衡器膜111因具有導電性，故圖中右側中所產生之電子不僅流入至圖中右側之遮光膜113(遮光膜圖案113p)，而且經由蝕刻均衡器膜111、圖中左側之半透光膜112，流入至圖中左側之遮光膜113(遮光膜圖案113p)。藉此，所形成之各遮光膜圖案113p之電位得以均一化，從而使得遮光膜113之蝕刻率局部均一化。
利用圖8~圖10，說明證實上述效果之測定結果。
圖8係表示於對遮光膜113進行蝕刻時，相對於成為蝕刻對象之遮光膜面積而言，蝕刻中產生之半透光膜112之露出面積較小之情形的模式圖，圖8(a)係表示對透明基板110上依序積層有蝕刻均衡器膜111、半透光膜112及遮光膜113之樣品1(具有與本實施形態之光罩基底100b相同之積層結構之樣品)進行蝕刻之情形，圖8(b)係表示對透明基板110上依序積層有半透光膜112及遮光膜113之樣品2(具有與先前之多調式用光罩基底相同之積層結構之樣品)進行蝕刻之情形，圖8(c)係表示對透明基板110上形成有遮光膜113之樣品3(具有與先前之二元式光罩基底相同之積層結構之樣品)進行蝕刻之情形。再者，蝕刻係藉由對各樣品之表面塗佈光阻膜，形成僅蝕刻部中去除光阻之光阻圖案之後，將Cr蝕刻液供給至露出之遮光膜113而進行。
又，圖9係表示對遮光膜113進行蝕刻時，於蝕刻部之附近，露出有面積大於該蝕刻部之面積之半透光膜112(圖中之符號201所示之部位)之情形的模式圖，圖9(a)係表示對透明基板110上依序積層有蝕刻均衡器膜111、半透光膜112及遮光膜113之樣品4(具有與本實施形態之光罩基底100b相同之積層結構之樣品)進行蝕刻之情形，圖9(b)係表示對透明基板110上依序積層有半透光膜112及遮光膜113之樣品5(具有與先前之多調式用光罩基底相同之積層結構之樣品)進行蝕刻之情形，圖9(c)係表示對透明基板110上形成有遮光膜113之樣品6(具有與先前之二元式光罩基底相同之積層結構之樣品)進行蝕刻之情形。再者，與圖8相同，蝕刻係藉由對各樣品之表面塗佈光阻膜，形成僅蝕刻部去除光阻之光阻圖案之後，將Cr蝕刻液供給至露出之遮光膜113而進行。
再者，於本測定中，為了明確把握蝕刻均衡器膜111之作用，而對蝕刻條件與圖案進行設計。即，使蝕刻時間長於實際之蝕刻時間，進而，使圖案之配置為圖8、9所示，藉此，選擇可顯著地把握有無蝕刻均衡器膜111而引起之下述CD Shift之差異的條件。
圖10係針對上述樣品1~6，表示遮光膜圖案113p之測定部200中之線寬(圖8、9中之蝕刻部之線寬)與設計值之差異(稱作CD shift)的圖表。圖10中之◇標記、Δ標記、□標記分別表示圖8之樣品1、2、3中之CD shift(μm)。又，圖11中之◆標記、▲標記、■標記分別表示圖9之樣品4、5、6中之CD shift(μm)。
如圖10所示，對上述樣品1~6各進行3次關於遮光膜113之蝕刻之驗證，於每次驗證中分別測定CD shift(μm)。其結果可知，於具有與本實施形態之光罩基底100b相同之積層結構之樣品1(◇標記)、樣品4(◆標記)中，無論半透光膜112之露出面積如何，CD shift均始終降至0.100(μm)以下。與此相對，可知於包含與不具有蝕刻均衡器膜111之先前之多調式用光罩基底相同之積層結構之樣品2(Δ標記)、樣品5(▲標記)中，若半透光膜112之露出面積變大，則CD shift自0.0500(μm)增大至0.300(μm)為止。再者，可知於具有與先前之二元式光罩基底相同之積層結構之樣品3(□標記)、樣品6(■標記)中，因未產生電池效應，故CD shift始終降至0.1000(μm)以下。
再者，如上所述，於本測定中，確認到可將CD shift控制於0.1 μm以下，但可知於實際之TFT製造用光罩中，可使CD Shift為0.05 μm以下，從而亦可製造更具有CD Shift為0.03 μm以下之規格之光罩。
如上所述，根據本實施形態，無論轉印圖案之形狀如何均可藉由設置蝕刻均衡器膜111，而使遮光膜113之蝕刻率之變化均一化，從而提昇多調式光罩100之品質，使製造良率提高。又，根據使用本實施形態之多調式光罩100之圖案轉印方法，可改善FPD等之製造良率。
再者，顯著呈現本實施形態之效果係半透光膜112與遮光膜113均具有某種程度之導電性之情形。其原因在於，於此情況下，因第1蝕刻步驟(濕式蝕刻步驟)而導致構成電池。例如，當半透光膜112與遮光膜113均包括達到10 kΩ/□以下、進而5 kΩ/□以下之導電性材料時，可顯著獲得本實施形態之效果。
又，本實施形態之蝕刻均衡器膜111若為具有起到用以使面內之蝕刻行為均一化之電子傳輸作用、供給作用之程度之導電性者即可。再者，更佳為具有較半透光膜112及遮光膜113所具有之導電性更高之導電性(低片電阻值)。進而，較佳為具有半透光膜112及遮光膜113所分別具有之片電阻值的1/5以下之片電阻值。藉此，即便轉印圖案於面內具有各種形狀分佈及密度分佈，亦可充分達成順利進行電子供給之效果，從而縮小轉印圖案整體之面內之電位差。
<本發明之另一實施形態>
本實施形態之多調式光罩100'與上述實施形態不同之處在於構成為4階光罩之方面。
圖3A係本實施形態之多調式光罩100'之局部剖面圖(模式圖)，圖3B係藉由使用該多調式光罩100'之圖案轉印步驟而形成於被轉印體1上之光阻圖案的局部剖面圖。圖4係例示本實施形態之多調式光罩100'之製造步驟之流程的概略圖。
(1)多調式光罩之構成
本實施形態之多調式光罩100'係具有轉印圖案，該轉印圖案包括：於使用該多調式光罩100'時阻隔曝光光線(透射率約為0%)之遮光部121；使曝光光線之透射率降低至5%以上70%以下(將充分寬廣之透光部123之透射率設為100%時，以下相同)，較佳為降低至5%以上50%以下左右之第1半透光部122a；使曝光光線之透射率降低至5%以上80%以下，較佳為降低至7%以上70%以下左右之第2半透光部122b；以及使曝光光線100%透射之透光部123。於上述中，所謂充分寬廣，係指對曝光光學系統之解像度充分寬廣、即圖案之線寬變化不影響透射率之寬廣度，例如20μm見方以上之寬廣度。
遮光部121係與上述實施形態相同，由具有導電性之蝕刻均衡器膜111、半透光膜112及遮光膜113依序積層於透明基板110上而成。又，第1半透光部122a係與上述實施形態之半透光部122相同，由蝕刻均衡器膜111及半透光膜112依序積層於透明基板110而成。第2半透光部122b係使形成於透明基板110上之蝕刻均衡器膜111露出而成。又，透光部123係與上述實施形態相同，使透明基板110局部露出而成。此處，不僅限於構成遮光部121之遮光膜113之上表面露出之情形，亦可於遮光膜113上形成有其他膜。再者，使蝕刻均衡器膜111、半透光膜112及遮光膜113圖案化處理之情況將於下文中說明。
透明基板110、蝕刻均衡器膜111、半透光膜112、遮光膜113之構成係與上述實施形態相同。再者，構成第2半透光部122b之蝕刻均衡器膜111之厚度亦可減薄至小於構成遮光部121及第1半透光部122a之蝕刻均衡器膜111之厚度。藉此，可將第2半透光部122b之透射率精密地調整為所需之值。
藉由使用多調式光罩100'之圖案轉印步驟而形成於被轉 印體1之光阻圖案4p'之局部剖面圖例示於圖3(b)中。光阻圖案4p'係藉由經由多調式光罩100'，對形成於被轉印體1上之正型光阻膜4照射曝光光線進行顯影而形成。被轉印體1係包括基板2、及依序積層於基板2上之金屬薄膜、絕緣層、半導體層等任意之被加工層3a~3c，正型光阻膜4可以均一之厚度預先形成於被加工層3c上。再者，可構成為被加工層3b相對被加工層3c之蝕刻具有耐受性，且被加工層3a相對被加工層3b之蝕刻具有耐受性。
若經由多調式光罩100'對正型光阻膜4照射曝光光線，則遮光部121不會使曝光光線透射，又，曝光光線之光量係以第1半透光部122a、第2半透光部122b、透光部123之順序階段性增加。而且，正型光阻膜4係於分別與遮光部121、第1半透光部122a、第2半透光部122b對應之區域中膜厚依序變薄，且於與透光部123對應之區域中被去除。以此方式，於被轉印體1上形成膜厚階段性不同之光阻圖案4p'。
若形成光阻圖案4p'，則可自表面側，將未被光阻圖案4p'覆蓋之區域(與透光部123對應之區域)中露出之被加工層3c~3a依序蝕刻去除(第1蝕刻)。接著，使光阻圖案4p'灰化(減薄)，去除膜厚最薄之區域(與第2半透光部122b對應之區域)，並將新露出之被加工層3c、3b依序蝕刻去除(第2蝕刻)。繼而，進一步使光阻圖案4p'灰化(減薄)，去除膜厚僅次於最薄之區域(與第1半透光部122a對應之區域)，並將新露出之被加工層3c依序蝕刻去除(第3蝕刻)。可藉由以 此方式，使用膜厚階段性不同之光阻圖案4p'，而進行先前之相當於3片光罩之步驟，從而可削減光罩片數，故可使光微影步驟簡化。
(2)多調式光罩之製造方法
繼而，一面參照圖4一面說明本實施形態之多調式光罩100'之製造方法。
(光罩基底準備步驟)
首先，如圖4(a)所例示，準備由具有導電性之蝕刻均衡器膜111、半透光膜112、及遮光膜113依序積層於透明基板110上而成之光罩基底100b。於遮光膜113上形成第1光阻膜131。
(第1蝕刻步驟)
其次，藉由雷射描繪機等進行描繪曝光，使第1光阻膜131之一部分感光，並藉由噴霧方式等方法將顯影液供給至第1光阻膜131進行顯影，形成覆蓋遮光部121之形成預定區域之第1光阻圖案131p。形成有第1光阻圖案131p之狀態例示於圖4(b)中。
其次，將所形成之第1光阻圖案131p作為光罩，對遮光膜113進行蝕刻，形成遮光膜圖案113p，並且使半透光膜112之上表面局部露出。形成有遮光膜圖案113p之狀態例示於圖4(c)中。蝕刻係藉由上述鉻用蝕刻液而進行。該蝕刻液具有導電性，且作為電解液而發揮作用。
繼之，於藉由剝離等去除第1光阻圖案131p之後，形成分別覆蓋殘留之遮光膜113及露出之半透光膜112之上表面 的第2光阻膜132。形成有第2光阻膜132之狀態例示於圖4(d)中。
(第2蝕刻步驟)
其次，藉由雷射描繪機等進行描繪曝光，使第2光阻膜132之一部分感光，並藉由噴霧方式等方法將顯影液供給至第2光阻膜132進行顯影，形成至少覆蓋第1半透光部122a之形成預定區域之第2光阻圖案132p。形成有第2光阻圖案132p之狀態例示於圖4(e)中。再者，如圖4(e)所例示，第2光阻圖案132p可以不僅覆蓋第1半透光部122a之形成預定區域，而且覆蓋遮光膜圖案113p之一部分或整個部分之方式形成。
其次，將所形成之遮光膜圖案113p及第2光阻圖案132p作為光罩，對半透光膜112進行蝕刻，形成半透光膜圖案112p，並且使蝕刻均衡器膜111之上表面局部露出。
接著，於藉由剝離等去除第2光阻圖案132p之後，形成分別覆蓋殘留之遮光膜113、半透光膜112、及露出之蝕刻均衡器膜111之上表面的第3光阻膜133。形成有第3光阻膜133之狀態例示於圖4(f)中。
(第3圖案化步驟)
其次，藉由雷射描繪機等進行描繪曝光，使第3光阻膜133之一部分感光，並藉由噴霧方式等方法將顯影液供給至第3光阻膜133進行顯影，形成至少覆蓋第2半透光部122b之形成預定區域之第3光阻圖案133p。形成有第3光阻圖案133p之狀態例示於圖4(g)中。再者，如圖4(g)所例 示，第3光阻圖案133p可以不僅覆蓋第2半透光部122b之形成預定區域，而且覆蓋遮光膜圖案113p及半透光膜圖案112p之一部分或整個部分之方式形成。
其次，將所形成之第3光阻圖案133p作為光罩，對蝕刻均衡器膜111進行蝕刻，形成蝕刻均衡器膜圖案111p，並且使透明基板110之上表面局部露出。接著，藉由剝離等去除第3光阻圖案133p，從而結束本實施形態之多調式光罩100'之製造方法。
藉由本實施形態，亦可發揮與上述實施形態相同之效果。亦即，無論轉印圖案之形狀如何均可藉由設置蝕刻均衡器膜111，而使遮光膜113之蝕刻率之變化均一化，從而提昇多調式光罩100'之品質，使製造良率提高。又，根據使用本實施形態之多調式光罩100'之圖案轉印方法，可改善FPD等之製造良率。
<本發明之又一實施形態>
以上，具體地說明瞭本發明之實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態，可於不脫離其精神之範圍內進行各種變更。
例如，如圖5所例示，上述多調式光罩100所具有之透光部123亦可構成為使形成於透明基板110上之蝕刻均衡器膜111露出。
1．．．被轉印體
2．．．基板
3a、3b、3c．．．被加工層
4．．．正型光阻膜
4p、4p'．．．光阻圖案
100、100'．．．多調式光罩
100b．．．光罩基底
110．．．透明基板
111．．．蝕刻均衡器膜
111p．．．蝕刻均衡器膜圖案
112．．．半透光膜
112p．．．半透光膜圖案
113．．．遮光膜
113p．．．遮光膜圖案
121．．．遮光部
122．．．半透光部
122a．．．第1半透光部
122b．．．第2半透光部
123．．．透光部
131．．．第1光阻膜
131p．．．第1光阻圖案
132．．．第2光阻膜
133．．．第3光阻膜
200．．．測定部
201．．．相對蝕刻部之面積而言面積較大之半透光膜112
圖1A係本發明一實施形態之多調式光罩的局部剖面圖(模式圖)，圖1B係藉由使用該多調式光罩之圖案轉印步驟 而形成於被轉印體上之光阻圖案的局部剖面圖。
圖2(a)-(f)係例示本發明一實施形態之多調式光罩之製造步驟之流程的概略圖。
圖3A係本發明另一實施形態之多調式光罩的局部剖面圖(模式圖)，圖3B係藉由使用該多調式光罩之圖案轉印步驟而形成於被轉印體上之光阻圖案的局部剖面圖。
圖4(a)-(h)係例示本發明另一實施形態之多調式光罩之製造步驟之流程的概略圖。
圖5係本發明之又一實施形態之多調式光罩的局部剖面圖(模式圖)。
圖6係表示於本發明一實施形態之多調式光罩之製造步驟中，藉由蝕刻均衡器膜而使遮光膜之蝕刻率均一化之情況的概略圖。
圖7係表示於先前之多調式光罩之製造步驟中，遮光膜之蝕刻率因轉印圖案之形狀而產生局部變化之情況的概略圖。
圖8係表示蝕刻遮光膜時之半透光膜之露出面積較小之情形的模式圖，圖8(a)係表示對透明基板上依序積層有蝕刻均衡器膜、半透光膜、及遮光膜之樣品1進行蝕刻之情形，圖8(b)係表示對透明基板上依序積層有半透光膜及遮光膜之樣品2進行蝕刻之情形，圖8(c)係表示對透明基板上形成有遮光膜之樣品3進行蝕刻之情形。
圖9係表示蝕刻遮光膜時之半透光膜之露出面積較大之情形的模式圖，圖9(a)係表示對透明基板上依序積層有蝕刻均衡器膜、半透光膜、及遮光膜之樣品4進行蝕刻之情形，圖9(b)係表示對透明基板上依序積層有半透光膜及遮光膜之樣品5進行蝕刻之情形，圖9(c)係表示對透明基板上形成有遮光膜之樣品6進行蝕刻之情形。
圖10係表示遮光膜圖案之線寬與設計值之差異之測定結果的圖表。
圖11係表示浸漬於電解液中之異質金屬之接合影響蝕刻率之效果的概略圖，圖11(a)係表示蝕刻率之測定系統，圖11(b)表示Cr單體板、構成Cr-Mo積層板之Cr板、構成Cr-Mo積層板之Mo板、Mo單體板之各蝕刻率的測定結果。
100‧‧‧多調式光罩
110‧‧‧透明基板
111‧‧‧蝕刻均衡器膜
112‧‧‧半透光膜
113‧‧‧遮光膜
121‧‧‧遮光部
122‧‧‧半透光部
123‧‧‧透光部

Claims (14)

  1. 一種多調式光罩，其特徵在於：其係於透明基板上形成有包括遮光部、透光部、及半透光部之特定之轉印圖案者，且上述遮光部係由具有導電性之蝕刻均衡器膜、半透光膜、及遮光膜依序積層於上述透明基板上而成，上述半透光部係由上述蝕刻均衡器膜及上述半透光膜依序積層於上述透明基板上而成，上述透光部係使上述透明基板露出而成。
  2. 一種多調式光罩，其特徵在於：其係於透明基板上形成有包括遮光部、透光部、及半透光部之特定之轉印圖案者，且上述遮光部係由具有導電性之蝕刻均衡器膜、半透光膜、及遮光膜依序積層於上述透明基板上而成，上述半透光部係由上述蝕刻均衡器膜及上述半透光膜依序積層於上述透明基板上而成，上述透光部係使形成於上述透明基板上之上述蝕刻均衡器膜之至少一部分露出而成。
  3. 如請求項1或2之多調式光罩，其中上述蝕刻均衡器膜係具有片電阻值為10kΩ/□以下之導電性。
  4. 如請求項1或2之多調式光罩，其中上述蝕刻均衡器膜係包含金屬或金屬化合物。
  5. 如請求項1或2之多調式光罩，其中上述蝕刻均衡器膜之對於曝光光線之透射率為60%以上。
  6. 如請求項1或2之多調式光罩，其中上述轉印圖案中所含之上述遮光部之圖案線寬與上述遮光部之設計值之線寬之差係為50nm以下。
  7. 如請求項1或2之多調式光罩，其中上述半透光部所含之上述半透光膜之膜厚係小於上述遮光部所含之上述半透光膜之膜厚。
  8. 如請求項1或2之多調式光罩，其中上述半透光部係包括：第1半透光部，其係由上述蝕刻均衡器膜及上述半透光膜依序積層於上述透明基板上而成；以及第2半透光部，其係使形成於上述透明基板上之上述蝕刻均衡器膜露出而成。
  9. 一種光罩基底，其特徵在於：其係藉由於透明基板上依序積層半透光膜及遮光膜，且分別對上述半透光膜、與上述遮光膜實施圖案化處理，而於上述透明基板上形成有包括遮光部、透光部、及半透光部之特定之轉印圖案者，且於上述半透光膜與上述透明基板之間，形成有具有導電性之蝕刻均衡器膜。
  10. 如請求項9之光罩基底，其中上述蝕刻均衡器膜係具有片電阻值為10kΩ/□以下之導電性。
  11. 如請求項9或10之光罩基底，其中上述蝕刻均衡器膜係包含金屬或金屬化合物。
  12. 一種多調式光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明 基板上形成有包括遮光部、透光部、及半透光部之特定之轉印圖案之多調式光罩之製造方法，且上述多調式光罩之製造方法包括：準備光罩基底之步驟，該光罩基底係於上述透明基板上依序積層有具有導電性之蝕刻均衡器膜、半透光膜、及遮光膜；第1蝕刻步驟，其係將形成於上述光罩基底上之第1光阻圖案作為光罩，至少對上述遮光膜進行蝕刻；以及第2蝕刻步驟，其係於去除上述第1光阻圖案之後，於經上述第1蝕刻之光罩基底上形成第2光阻圖案，並至少將上述第2光阻圖案作為光罩，對上述遮光膜或上述半透光膜進行蝕刻；且，於上述第1蝕刻步驟中，藉由上述蝕刻均衡器膜而使所形成之上述遮光膜圖案之面內電位分佈均一化。
  13. 如請求項12之多調式光罩之製造方法，其包括：第1蝕刻步驟，該第1蝕刻步驟係於上述光罩基底上形成覆蓋上述遮光部之形成預定區域之第1光阻圖案，並將上述第1光阻圖案作為光罩，對上述遮光膜進行蝕刻，形成遮光膜圖案；以及第2蝕刻步驟，該第2蝕刻步驟係於去除上述第1光阻圖案之後，於經上述第1蝕刻之光罩基底上形成至少覆蓋上述半透光部之形成預定區域之第2光阻圖案，並至少將上述第2光阻圖案作為光罩，對上述半透光膜進行蝕刻，形成半透光膜圖案。
  14. 一種圖案轉印方法，其特徵在於包括下述步驟：使用如請求項1或2之多調式光罩、或者利用如請求項9或10之光罩基底所製造之多調式光罩、或者由如請求項12或13之製造方法所得之多調式光罩，對被轉印體照射曝光光線，將上述轉印圖案轉印至形成於上述被轉印體上之光阻膜。
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