CN101237189B - 正激变换器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种正激变换器，包括电源、输入控制回路、变压器和整流滤波电路，输入控制回路包含主开关管，变压器的副边绕组至少包括副边主绕组，整流滤波电路包含整流管和N沟道JFET续流管，整流管的门极和续流管的漏极接变压器副边主绕组的正同名端，整流管的漏极与变压器副边主绕组的另一端连接，续流管的源极与整流管的源极同接输出地；变压器的副边绕组输出驱动控制信号，副边绕组与续流管的门极之间设置有向续流管提供脉冲驱动信号的驱动电路。JFET续流管的通断由变压器绕组的电压信号控制，使正激变换器工作于同步整流状态。由于驱动信号直接来自于变压器绕组，因此不需要专用的驱动器，也无需另外的电源，简单可靠。

Description

正激变换器

技术领域

本发明涉及应用同步整流技术的功率转换器件，尤其是涉及一种正激变换器。

背景技术

近年来，在低电压功率转换方面的一个最重要发展是采用同步整流技术。相对于传统的二极管实现整流方式，同步整流技术大幅度降低了整流功率器件的导通压降，从而降低了整流器件的导通损耗，提升了变换器的整机转换效率。由于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的良好特性，目前实现同步整流的整流管和续流管基本上采用低导通阻抗的MOSFET。近来出现了一种适用于同步整流的JFET(结型场效应晶体管)。相对于传统的JFET，新的JFET制造技术有很大的改进。传统的JFET多应用于小功率小电流场合。新的JFET在导通阻抗、导通电流方面有很大的突破，特别是耗尽型功率JFET，具有与低阻抗MOSFET类似的特性。相对于低导通阻抗的MOSFET，耗尽型JFET除了具有类似的3mΩ～4mΩ导通阻抗，还具有更快开关速度，其低门极电荷、上升时间、下降时间等参数均优于同类MOSFET，JFET无体二极管，也可以内加肖特基二极管，制造成本更低，在低压同步整流方面具有很大的应用潜力。由于JFET的特性，在同步整流电路中一般采用MOSFET作整流管和JFET作续流管的结构。相对于MOSFET的驱动特性，耗尽型JFET的驱动方式有很大不同。耗尽型JFET在门极输入电压为零时处于“常开”状态，在施加一定负压时关断。为使N沟道的JFET完全导通，门极驱动信号要使JFET的门极电压保持0.7V左右并保持一定的门极驱动电流。

正激变换器是最简单的隔离降压式DC/DC变换器，其输出端的LC滤波器非常适合输出大电流，可以有效抑制输出电压纹波。在所有的隔离DC/DC变换器中，正激变换器成为低电压大电流功率变换器的首选拓扑结构。为实现N沟道耗尽型功率JFET在正激变换电路中的应用，必须有良好的驱动电路控制JFET的开关。但是现有JFET驱动均需要良好的方波输入信号源实现，无法直接应用于变换电路较为复杂的JFET驱动电路。而且这些驱动电路还需要辅助电路或专用的驱动器实现，如Power-One的专利US 6741099和Lovoltech的专利US 6661276均需要专用的驱动器和供电电源，TI的专利US 2608535则需要专用驱动器和负电源。

发明内容

本发明所解决的技术问题是，提供一种不需要辅助电路或专用的驱动器，也不需额外的辅助电源的正激变换器。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种正激变换器，包括电源、输入控制回路、变压器和整流滤波电路，所述变压器的原边绕组至少包括原边主绕组，所述输入控制回路包含主开关管，所述变压器的原边主绕组接于电源的正极和所述主开关管的漏极之间，所述主开关管的源极与电源负极同接输入地；所述变压器的副边绕组至少包括副边主绕组，所述整流滤波电路包含整流管和N沟道JFET续流管，所述整流管的门极和所述续流管的漏极接变压器副边主绕组的正同名端，所述整流管的漏极与所述变压器副边主绕组的另一端连接，所述续流管的源极与所述整流管的源极同接输出地；

其特征在于：所述变压器的副边绕组输出驱动控制信号，所述变压器的副边绕组与所述续流管的门极之间设置有向所述续流管提供脉冲驱动信号的驱动电路。

优选地，所述驱动电路包含充电电路、放电电路和电平耦合电路；所述电平耦合电路具有并联连接的耦合电阻和耦合电感，所述电平耦合电路的一端接所述充电电路的输出端，其另一端接所述续流管的门极；所述充、放电电路接收来自所述副边绕组的电信号，并在所述主开关管的控制下择一地导通或关断，产生所述续流管的驱动信号。

优选地，所述变压器副边绕组还包括辅助绕组，所述辅助绕组提供所述驱动控制信号，所述充电电路包括第二二极管，所述放电电路包括三极管，所述辅助绕组的正同名端接地，另一端接所述第二二极管的阳极与所述三极管的发射极，所述三极管的基极通过第一电阻接地，其集电极与所述第二二极管的阴极接所述电平耦合电路的输入端。

可以在所述第一电阻两端并接辅助电容，使所述三极管的导通速度加快。

可以在所述三极管的发射极串接辅助二极管，防止所述变压器副边辅助绕组电压反向击穿所述三极管的BE结。

也可以采用第四开关管来构成所述充电电路和所述放电电路，所述辅助绕组的正同名端接地，另一端接所述第四开关管的源极，所述第四开关管的门极通过第一电阻接地，其漏极接所述电平耦合电路的输入端。

优选地，所述变压器副边绕组还包括辅助绕组，所述辅助绕组提供驱动控制信号，所述充电电路包括第二二极管，所述放电电路包括第四二极管，所述辅助绕组的正同名端接地，其另一端连接第二二极管的阳极和第四二极管的阴极，所述电平耦合电路的输入端接所述第二二极管的阴极，其输出端接所述续流管的门极，同时与第四二极管的阳极连接。

可以在所述第四二极管与电平耦合电路的输出端之间串接二极管，以使所述放电电路的正向导通压降高于所述续流管的门极对源极PN结的导通压降。

优选地，所述变压器副边主绕组提供驱动控制信号，所述充电电路包括充电二极管，所述放电电路包括开关管，该开关管的发射极接地，其基极通过第二电阻接所述变压器副边主绕组正同名端，所述充电二极管的阳极接所述整流管的漏极和所述变压器副边主绕组负同名端，所述充电二极管的阴极和所述开关管的集电极接所述电平耦合电路的输入端。

上述正激变换器可采用辅助绕组复位正激电路，其包括串联连接于输入电源正负极间的退磁绕组和第一二极管，所述第一二极管的阳极接地，所述退磁绕组的负同名端与所述变压器原边主绕组的正同名端连接于输入电源的正极。

上述正激变换器也可采用双管正激电路，其包括第一二极管、第五开关管和第三二极管，所述第一二极管的阳极接地，阴极接所述变压器原边主绕组的正同名端和所述第五开关管的源极，所述第三二极管阳极接所述主开关管的漏极和变压器原边主绕组的负同名端，阴极接输入电源的正极和所述第五开关管的漏极。

上述正激变换器也可采用有源箝位电路，其包括箝位开关管和箝位电容，所述箝位开关管的源极接地，漏极接所述箝位电容的一端，所述箝位电容的另一端接所述变压器原边主绕组的负同名端与所述主开关管的漏极。

本发明有益的技术效果在于：

本发明在现有的正激变换器中设置了驱动电路，该驱动电路中的充电电路和放电电路接收来自变压器副边绕组的电信号，其中充电电路在主开关管关断时导通，通过电平耦合电路向所述续流管的门极提供高电平信号；放电电路在主开关管开通时导通，续流管的门极通过放电电路的作用获得低电平信号。JFET的通断由变压器绕组的电压信号控制，使正激变换器工作于同步整流状态。由于利用变压器绕组的电压信号控制同步整流电路中用作续流管的N沟道耗尽型JFET的通断，驱动信号直接来自于变压器绕组以实现自驱动，因此不需要专用的驱动器，也无需另外的电源甚至负电源供电，简单可靠。

当正激变换器关机时，电平耦合电路中的耦合电感通过耦合电阻进行放电，JFET门极电平慢慢升高到零，JFET在变换器关断时保持关断状态一段时间，因此变换器的输出不会出现关机负压。这可以一定程度上避免变换器关机负压问题。

附图说明

图1a是采用N沟道耗尽型JFET作续流管的辅助绕组复位正激变换器的基本电路图。

图1b是图1a中变换器的各功率管驱动和变压器绕组两端的电压时序波形。

图2a是具有第一种基本形式的驱动电路的辅助绕组复位正激变换器电路图。

图2b是图2a中各功率管驱动和变压器绕组两端的电压时序波形图。

图3是图2a所示实施例的一种替代方案的正激变换器电路图。

图4是具有第一种基本形式的驱动电路的双管正激变换器电路图。

图5是具有第一种基本形式的驱动电路的有源箝位正激变换器电路图。

图6是具有第二种基本形式的驱动电路的辅助绕组复位正激变换器电路图。

图7是具有第二种基本形式的驱动电路的双管正激变换器电路图。

图8是具有第二种基本形式的驱动电路的有源箝位正激变换器电路图。

图9是具有第三种基本形式的驱动电路的辅助绕组复位正激变换器电路图。

图10是图9所示实施例的一种替代方案的正激变换器电路图。

图11是具有第三种基本形式的驱动电路的双管正激变换器电路图。

图12是具有第三种基本形式的驱动电路的有源箝位正激变换器电路图。

具体实施方式

以下通过具体实施方式并结合附图对本发明作进一步详细的描述。

图1a是采用N沟道耗尽型JFET作续流管的辅助绕组复位正激变换器的基本电路图，其中续流管Q3需要一定的驱动信号才能够工作。图1b是图1a中变换器的各功率管驱动和变压器绕组两端的电压时序波形。用已有技术实现JFET的驱动需要良好的方波输入信号源。

本发明正激变换器的JFET驱动电路包括充电电路、放电电路和电平耦合电路三部分。驱动电路同时提供JFET导通期间的门极驱动电流。而根据拓扑结构的不同，JFET续流管的驱动电路有三种基本形式。

具体实施方式一

如图2a所示，该正激变换器具有第一种基本形式的驱动电路，而输入控制回路采用辅助绕组复位正激电路。

其中Q1是N沟道MOSFET主开关管，Q2是N沟道MOSFET整流管，Q3是N沟道耗尽型JEFET续流管。V1是输入电源，电感C1用于输入滤波，分别连接输入电源V1的正负同名端。变压器TX1的原副边两侧分别有两个绕组。原边的两个绕组分别是原边主绕组和退磁绕组。原边主绕组的正同名端(将原边主绕组接电源正极的一端称为正端，相同名的端即正同名端，图中以黑点表示)和退磁绕组的异名端连接在一起，接点接到输入电源V1的正同名端。原边绕组的另一端与主开关管Q1的漏极连接，主开关管Q1的源极接输入电源地，即输入电源V1地负同名端。退磁绕组的另一端与第一二极管D1的阴极连接，第一二极管D1的阳极连接输入地。副边绕组包含副边主绕组和辅助绕组。副边主绕组的正同名端连接输出滤波器L1的一端、续流管Q3的漏极和整流管Q2的门极。输出滤波器L1的另一端连接输出负载R1和输出滤波器C2的一端。负载R1和C2的另一端连接到输出地。副边主绕组的另一端连接整流管Q2的漏极。整流管Q2的源极和续流管Q3的源极一起连接到输出地。副边侧辅助绕组的正同名端连接输出地。副边的辅助绕组的另一端连接第二二极管D2的阳极和三极管Q4的发射极。三极管Q4的基极通过电阻R2连接到输出地。耦合电阻R3和耦合电感C3并联在一起构成耦合电路，一端连接D2的阴极和Q4的集电极，另一端连接到续流管Q3的门极。

本实施例的正激变换器工作原理如下：续流管Q3的驱动控制信号来自于辅助绕组。在主开关管Q1开通时刻，变压器绕组的正同名端极性为正，整流管Q2导通。此时辅助绕组的下端电压为负值。三极管Q4和耦合电阻R3之间的节点A由于三极管Q4导通变为负值。在主开关管Q1关断时刻，变压器正同名端极性为负，辅助绕组通过第二二极管D2给A点充电，该节点保持为恒定的正电压。所以A点随着主开关管Q1的通断，保持良好的方波波形，如图2b所示。由于耦合电感C3和续流管Q3门极对源极PN结的存在，续流管Q3的门极形成了电压幅值为零到负的耦合电平，最高电压为0.7V，控制续流管Q3的通断。由于耦合电阻R3的存在，通过耦合电感C3的放电，续流管Q3保持一定的门极驱动电流。由于耦合电感C3和耦合电阻R3较大，A点电平基本保持不变。通过以上过程可将变压器副边绕组或辅助绕组的信号整形成高电平为0.7V，低电平小于-2V的脉冲驱动信号，同时在JFET导通阶段维持一定的门极驱动电流。

同时，为了加快三极管Q4的导通，电阻R2可以并接一定容量的电容。为防止辅助绕组电压较高时反向击穿三极管Q4的BE结，可在三极管Q4的发射结串接一个二极管进行保护。

如图3所示，可将三极管Q4和二极管D2用一个N沟道MOSFET管Q41代替，作为为本实施例的一种替代方案。第四开关管Q41构成了驱动电路中的充电、放电电路部分，变压器副边辅助绕组的正同名端接地，另一端接所述第四开关管Q41的源极，Q41的门极通过电阻R2接地，其漏极接所述电平耦合电路的输入端。

图4所示为本发明具有第一种基本形式的驱动电路在双管正激电路的推广，其与实施例一的区别在于变换器的输入控制回路部分采用双管正激电路。它包括第一二极管D1、第五开关管Q5和第三二极管D3，第一二极管D1的阳极接地，阴极接变压器原边主绕组的正同名端和第五开关管Q5的源极，第三二极管D3阳极接主开关管Q1的漏极和变压器原边主绕组的另一端，D3的阴极接输入电源V1的正极和第五开关管Q5的漏极。

图5所示为本发明具有第一种基本形式的驱动电路在有源箝位电路的推广，其与实施例一的区别在于变换器的输入控制回路部分采用有源箝位电路。它包括箝位开关管Q6和箝位电容C4，箝位开关管Q6的源极接地，漏极接箝位电C4的一端，箝位电容C4的另一端接变压器原边主绕组的异名端与主开关管Q1的漏极。

以上为具有第一种基本形式的JEFET续流管驱动电路的正激变换器，其特点是：充电电路和放电电路处于并联状态，由同一个绕组对同一个节点进行充放电，然后由RC并联的电平耦合电路对该节点进行电平转换，形成门极驱动信号。

具体实施方式二

如图6所示，该正激变换器具有第二种基本形式的驱动电路，而输入控制回路采用辅助绕组复位正激电路。除驱动电路部分外，此实施例的正激变换器与实施例一的正激变换器其余部分结构相同。

该正激变换器驱动电路中的充电电路部分包括第二二极管D2，放电电路包括第四二极管D4和第五二极管D5，变压器副边辅助绕组的正同名端接地，其另一端连接第二二极管D2的阳极和第四二极管D4的阴极，电平耦合电路的输入端接第二二极管D2的阴极，输出端接续流管Q3的门极，同时与第五二极管D5的阳极连接。

本实施例中，续流管Q3的驱动控制信号也是来自于变压器副边辅助绕组，但是工作原理与第一种基本形式的驱动电路略有不同。主开关管Q1开通时连接第四二极管D4的绕组端极性为负，副边辅助绕组通过第四二极管D4、第五二极管D5对续流管Q3的门极放电，Q3门极电平为负，同时由于电感C3的耦合，第二二极管D2与电感C3之间节点电平迅速变低；主开关管Q1关断时连接第二二极管D2绕组端的极性为正，副边辅助绕组通过第二二极管D2对D2和电感C3之间的节点进行充电，由于电感C3的耦合作用，续流管Q3门极电压迅速升高。所以续流管Q3门极形成了0.7V到负电压的方波信号。第四二极管D4支路上串接第五二极管D5可防止主开关管Q1关断期间变压器绕组电压过零时形成放电通路。所串联二极管的数量可根据实际需要调整，只需串联支路的正向导通压降高于续流管Q3门极对源极PN结的导通压降即可。

图7所示为本发明具有第二种基本形式的驱动电路在双管正激电路的推广，其与实施例二的区别在于变换器的输入控制回路部分采用双管正激电路拓扑结构。

图8所示为本发明具有第二种基本形式的驱动电路在有源箝位电路的推广，其与实施例二的区别在于变换器的输入控制回路部分采用有源箝位电路拓扑结构。

以上为具有第二种基本形式的JEFET续流管驱动电路的正激变换器，第二种基本形式的特点与第一种有所不同，它由同一个绕组进行充放电，但是充电电路连接RC并联的电平耦合电路，而放电电路直接连接JFET门极和电平耦合电路。

具体实施方式三

如图9所示，该正激变换器具有第三种基本形式的驱动电路，而输入控制回路采用辅助绕组复位正激电路。除驱动电路部分外，此实施例的正激变换器与实施例一、二的正激变换器其余部分结构相同。

与实施例一、二中驱动控制信号来自变压器副边辅助绕组不同，本实施的驱动控制信号来自变压器副边主绕组。驱动电路中，充电电路包括充电二极管D2a，放电电路包括开关三极管Q4a，该开关三极管Q4a的发射极接地，其基极通过电阻R2a接所述变压器副边主绕组正同名端，充电二极管D2a的阳极接整流管Q2的漏极和变压器副边主绕组另一端，充电二极管D2a的阴极和开关三极管Q4a的集电极的接点连接到电平耦合电路的输入端。

本实施例中，续流管Q3的驱动控制信号来自于变压器副边，工作原理与第一种基本形式的驱动电路大致相同。主开关管Q1开通时副边绕组正同名端通过开关三极管Q4a的导通使Q4a和耦合电阻R3之间的节点对地放电；主开关管Q1关断时副边绕组通过充电二极管D2a对三极管Q4a和电阻R3之间的节点进行充电。三极管Q4a和电阻R3之间节点形成了零到正电压的方波信号。由于电感C3的耦合作用，续流管Q3门极形成了电压幅值为零到负的自举电平。

如图10所示，可以将本实施例中的开关管Q4a由NPN三极管更换成N沟道MOSFET管Q4a1。

图11所示为本发明具有第三种基本形式的驱动电路在双管正激电路的推广，其与实施例三的区别在于变换器的输入控制回路部分采用双管正激电路拓扑结构。

图12所示为本发明具有第三种基本形式的驱动电路在有源箝位电路的推广，其与实施例三的区别在于变换器的输入控制回路部分采用有源箝位电路拓扑结构。

以上为具有第三种基本形式的JEFET续流管驱动电路的正激变换器。第三种基本形式的特点是：充电电路和放电电路对同一个节点进行充放电，然后由RC并联的电平耦合电路进行电平转换，形成门极驱动信号。但是充电电路和放电电路不处于并联状态，充电电路连接副边绕组，放电电路接地，对地进行放电。

在本发明上述各具体实施方式中，当变换器关机时，续流管Q3门极电平为负值，耦合电感C3通过耦合电阻R3进行放电，续流管Q3门极电平慢慢升高到零。所以续流管Q3在变换器关断时保持关断状态一段时间，变换器的输出不会出现关机负压。

由于JFET的制造工艺决定了JFET本身没有体二极管，但在制造时可以在内部加一个肖特基二极管。上述各电路中的JFET均指带肖特基二极管器件，如果没有内加二极管，则需要在JFET的DS极之间反并一个肖特基二极管。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。

Claims (12)

1.一种正激变换器，包括电源(V1)、输入控制回路、变压器(TX1)和整流滤波电路，所述变压器的原边绕组至少包括原边主绕组，所述输入控制回路包含主开关管(Q1)，所述变压器的原边主绕组接于电源(V1)的正极和所述主开关管(Q1)的漏极之间，所述主开关管(Q1)的源极与电源负极同接输入地；所述变压器的副边绕组至少包括副边主绕组，所述整流滤波电路包含整流管(Q2)和N沟道JFET续流管(Q3)，所述整流管(Q2)的门极和所述续流管(Q3)的漏极接变压器副边主绕组的正同名端，所述整流管(Q2)的漏极与所述变压器副边主绕组的另一端连接，所述续流管(Q3)的源极与所述整流管(Q2)的源极同接输出地；

其特征在于：所述变压器的副边绕组输出驱动控制信号，所述变压器的副边绕组与所述续流管(Q3)的门极之间设置有向所述续流管(Q3)提供脉冲驱动信号的驱动电路。

2.如权利要求1所述的正激变换器，其特征在于，所述驱动电路包含充电电路、放电电路和电平耦合电路；所述电平耦合电路具有并联连接的耦合电阻(R3)和耦合电感(C3)，所述电平耦合电路的一端接所述充电电路的输出端，其另一端接所述续流管(Q3)的门极；所述充、放电电路接收来自所述副边绕组的电信号，并在所述主开关管(Q1)的控制下择一地导通或关断，产生所述续流管(Q3)的驱动信号。

3.如权利要求2所述的正激变换器，其特征在于，所述变压器副边绕组还包括辅助绕组，所述辅助绕组提供所述驱动控制信号，所述充电电路包括第二二极管(D2)，所述放电电路包括三极管(Q4)，所述辅助绕组的正同名端接地，另一端接所述第二二极管(D2)的阳极与所述三极管(Q4)的发射极，所述三极管(Q4)的基极通过第一电阻(R2)接地，其集电极与所述第二二极管(D2)的阴极接所述电平耦合电路的输入端。

4.如权利要求3所述的正激变换器，其特征在于，在所述第一电阻(R2)两端并接有辅助电容。

5.如权利要求3所述的正激变换器，其特征在于，在所述三极管(Q4)的发射极串接有辅助二极管。

6.如权利要求2所述的正激变换器，其特征在于，所述变压器副边绕组还包括辅助绕组，所述辅助绕组提供所述驱动控制信号，所述充电电路和所述放电电路包括第四开关管(Q41)，所述辅助绕组的正同名端接地，另一端接所述第四开关管(Q41)的源极，所述第四开关管(Q41)的门极通过第一电阻(R2)接地，其漏极接所述电平耦合电路的输入端。

7.如权利要求2所述的正激变换器，其特征在于，所述变压器副边绕组还包括辅助绕组，所述辅助绕组提供所述驱动控制信号，所述充电电路包括第二二极管(D2)，所述放电电路包括第四二极管(D4)，所述辅助绕组的正同名端接地，其另一端连接第二二极管(D2)的阳极和第四二极管(D4)的阴极，所述电平耦合电路的输入端接所述第二二极管(D2)的阴极，其输出端接所述续流管(Q3)的门极，同时与第四二极管(D4)的阳极连接。

8.如权利要求7所述的正激变换器，其特征在于，在所述第四二极管(D4)与所述电平耦合电路的输出端之间串接至少一个二极管(D5)。

9.如权利要求2所述的正激变换器，其特征在于，所述变压器副边主绕组提供驱动控制信号，所述充电电路包括充电二极管(D2a)，所述放电电路包括开关管(Q4a)，该开关管(Q4a)的发射极接地，其基极通过第二电阻(R2a)接所述变压器副边主绕组正同名端，所述充电二极管(D2a)的阳极接所述整流管(Q2)的漏极和所述变压器副边主绕组负同名端，所述充电二极管(D2a)的阴极和所述开关管(Q4a)的集电极接所述电平耦合电路的输入端。

10.如权利要求1～9中任一项所述的正激变换器，其特征在于，所述正激变换器采用辅助绕组复位电路，其包括串联连接于输入电源(V1)正负极间的退磁绕组和第一二极管(D1)，所述第一二极管(D1)的阳极接地，所述退磁绕组的负同名端与所述变压器原边主绕组的正同名端连接于输入电源(V1)的正极。

11.如权利要求1～9中任一项所述的正激变换器，其特征在于，所述正激变换器采用双管正激电路，其包括第一二极管(D1)、第五开关管(Q5)和第三二极管(D3)，所述第一二极管(D1)的阳极接地，阴极接所述变压器原边主绕组的正同名端和所述第五开关管(Q5)的源极，所述第三二极管(D3)阳极接所述主开关管(Q1)的漏极和变压器原边主绕组的负同名端，阴极接输入电源(V1)的正极和所述第五开关管(Q5)的漏极。

12.如权利要求1～9中任一项所述的正激变换器，其特征在于，所述正激变换器采用有源箝位电路，其包括箝位开关管(Q6)和箝位电容(C4)，所述箝位开关管(Q6)的源极接地，漏极接所述箝位电容(C4)的一端，所述箝位电容(C4)的另一端接所述变压器原边主绕组的负同名端与所述主开关管(Q1)的漏极。

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