CN101059636A

CN101059636A - 液晶显示装置

Info

Publication number: CN101059636A
Application number: CNA2007101044295A
Authority: CN
Inventors: 川村彻也; 佐藤政志; 大川政德; 鸭志田健太; 仓桥永年; 岩户宏明
Original assignee: Hitachi Displays Ltd
Current assignee: Japan Display Inc; Panasonic Intellectual Property Corp of America
Priority date: 2006-04-21
Filing date: 2007-04-20
Publication date: 2007-10-24
Anticipated expiration: 2027-04-20
Also published as: CN101059636B; US20080036936A1; JP2007292879A; US7764330B2; US8289464B2; US20100214205A1

Abstract

本发明提供一种TFT方式的液晶显示装置，能处理薄膜晶体管的动作异常。在栅极配线(GL)上形成与数据信号布线(DL)和像素电极(PX)相连接的普通晶体管(CTFT)、和浮接状态的备用晶体管(FTFT)。在普通晶体管(CTFT)产生动作异常的情况下，通过切断线(CL)将其从数据信号布线(DL)断开，并且，将其从经由通孔(TH)连接的像素电极(PX)断开。然后，利用修正线(RL)将备用晶体管(FTFT)连接到数据信号布线(DL)和像素电极(PX)。

Description

液晶显示装置

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管方式的液晶显示装置，尤其是处理薄膜晶体管的动作异常的液晶显示装置。

背景技术

液晶显示元件，在进行了取向处理的两块基板之间放入液晶材料，并用密封部件密封周边，通过控制夹持在两块基板之间的液晶材料的取向状态来进行显示。该取向状态的控制方法有多种，但通常使用如下方法：在两块基板表面的取向处理中，对稳定状态的液晶材料的取向状态进行控制，利用至少设置在一个基板上的电极对液晶材料施加电场，使液晶材料从稳定状态开始变化。

TFT方式的液晶显示装置，在画面的纵向和横向上分别布置有：数据信号布线，传送与施加在各像素的液晶上的电压大小对应的数据；扫描信号布线，控制向各像素写入数据信号，在呈矩阵状配置的各像素分别连接有1个以上的晶体管。

在这些晶体管发生动作异常的情况下，取决于异常的内容和液晶的动作模式的关系，产生亮点缺陷或者黑点缺陷。修正这些缺陷有各种方法，但对动作异常的晶体管进行修正是很困难的，通常采用如下方法：取消基于晶体管的驱动动作，使像素电极与其他布线短路进行黑点化修正；或者使之与其他像素电极短路，使得在两个像素中进行相同的显示，从而使缺陷变得不明显。

这样，在晶体管发生动作异常的情况下，将异常晶体管从像素电极断开，同时将像素电极与其他布线或相邻的像素电极连接，从而使缺陷变得不明显。

另外，在下述专利文献1中记载有在1个像素连接2个晶体管，断开变得异常的晶体管的方案。

因此，本发明的目的在于，提供一种消除薄膜晶体管的动作异常的液晶显示装置。

专利文献1：日本特开平5-341316号公报

发明内容

为了修正由薄膜晶体管动作异常导致的作为显示装置的缺陷，在将连接于动作异常晶体管的像素从动作异常晶体管断开并连接到其他布线进行黑点化的情况下，和本来要显示的画面无关地，被黑点化的像素继续显示黑。

彩色液晶显示装置，由于具有3色以上的滤色片的各像素同时点亮来显示白色，因此，在产生1色黑点时，在白显示状态下该1色没点亮，因此，人们看到的是该没点亮的颜色的补色。尤其在像素尺寸较大的液晶TV等的使用中，虽然是黑色缺陷，但在白显示中将成为带颜色的点缺陷被看到。

另外，将连接于动作异常晶体管的像素从动作异常晶体管断开并与相邻的像素连接的方法，在显示白色的情况下是有效的，但是，例如在使用单色的滤色片来显示红、绿、蓝的情况下，出现原本可以不发光的像素发光、或者应该发光的像素不发光的现象，因此，难以说是完全的修正。

并且，作为在一个像素连接两个晶体管的方法，栅极布线和数据布线之间的寄生电容增大，发生信号延迟的问题，画面内的亮度变得不均匀，因此，在大画面且高精细的产品中不能采用。

这样，需要在薄膜晶体管动作异常的情况下，也能够实现画面内均匀的白色显示、画面内均匀的单色显示以及画面内均匀的亮度显示。

本发明除了普通像素驱动用晶体管之外，还形成没有与数据信号布线和像素电极相连接的备用晶体管。并且，在发现了普通像素电极驱动用晶体管动作异常的阶段，将该晶体管从数据信号布线和像素电极断开，并将备用晶体管与数据信号布线和像素电极连接。

以上，根据本发明，对于由薄膜晶体管动作异常产生的点缺陷，通过断开动作异常的薄膜晶体管并连接到备用薄膜晶体管，能够进行没有白显示和单色显示中的黑点或由信号延迟引起的色偏差的显示。

另外，因为可以在薄膜晶体管的最后工序中修正缺陷，因此，可以将检查/修正工序集中在最后工序，能够实现工艺的简化。

附图说明

图1A～1C是本发明的液晶显示装置中的像素部的基本结构的第一实施例的结构图。

图2A～2C是像素部的第二实施例的结构图。

图3A～3C是像素部的第三实施例的结构图。

图4A～4C是像素部的第四实施例的结构图。

图5A～5C是像素部的第五实施例的结构图。

图6A～6C是像素部的第六实施例的结构图。

图7A～7C是像素部的第七实施例的结构图。

图8A～8B是像素部的第八实施例的结构图。

图9A～9B是像素部的第九实施例的结构图。

图10是像素部的第十实施例的结构图。

图11A～11C是像素部的第十一实施例的结构图。

图12是像素部的第十二实施例的结构图。

图13A～13C是像素部的第十三实施例的结构图。

图14A～14C是像素部的第十四实施例的结构图。

图15A～15C是像素部的第十五实施例的结构图。

图16A～16C是像素部的第十六实施例的结构图。

图17A～17B是像素部的第十七实施例的结构图。

图18是像素部的第十八实施例的结构图。

图19是像素部的第十九实施例的结构图。

图20是像素部的第二十实施例的结构图。

图21是像素部的第二十一实施例的结构图。

图22是像素部的第二十二实施例的结构图。

符号说明

CSL...保持电容布线、DL...数据信号布线、PX...像素电极、CTFT...普通晶体管、FTFT...备用晶体管、GL...栅极布线、CL...切断线、TH...通孔、D...漏极电极、S...源极电极、CH...接触孔、RL...修正线(导电体)、C...沟道、EL...引出线、FM...浮接金属线、LS...激光点、RP...导电体区域、SP...盒隙间隔物。

具体实施方式

下面，使用附图对本发明的实施例进行说明。

【第一实施例】

图1A、图1B、图1C是在具有呈矩阵状配置的像素部的液晶显示装置中其像素部的基本结构图，图1A是通常的薄膜晶体管没有动作异常时的结构图，图1B是省略了保持电容布线CSL的结构图，图1C是对动作异常修正后的与图1A对应的结构图。

在图1A、图1B、图1C中，在栅极布线GL上形成有普通晶体管CTFT和备用晶体管FTFT，其中，普通晶体管CTFT与数据信号布线DL和像素电极PX相连接，备用晶体管FTFT与数据信号布线DL和像素电极PX未连接。

在图1A、1B所示的普通晶体管CTFT产生动作异常时，利用图1C所示的切断线CL，将动作异常的晶体管CTFT从数据信号布线DL断开，并且，从经由通孔TH连接的像素电极PX断开。

并且，如图1C所示，在备用晶体管FTFT的漏极电极D、源极电极S以及数据信号布线DL形成接触孔CH后，利用修正线RL连接数据信号布线DL和备用晶体管FTFT的源极电极S，并且，连接像素电极PX和备用晶体管FTFT的漏极电极D。作为该修正线RL的连接方法，只要是可局部地形成导电体的方法即可，在现有技术、例如激光CVD等中可毫无问题地连接。

在本实施例中，由于采用在最上层存在像素电极PX的构造，所以如图1C所示，在像素电极PX部分没有形成接触孔。另外，显然即使在像素电极PX部分上存在某些绝缘膜的情况下，也除去这些绝缘膜后与备用晶体管FTFT相连接。

【第二实施例】

图2A、图2B、图2C是本实施例的像素部的结构图，与图1A、图1B、图1C所示的第一实施例不同的是，从备用晶体管FTFT的源极电极S向与沟道C相反方向突起或者形成引出线EL。图2A、图2B、图2C对应于图1A、图1B、图1C，省略相同附图标记的说明。

在图2A、图2B、图2C中，在将备用晶体管FTFT连接到数据信号布线DL和像素电极PX时，在沟道C的正上方部分错误地形成了接触孔CH或导电体RL的情况下，担心备用晶体管FTFT的动作异常。另外，在形成接触孔和形成导电体的过程中使用激光CVD等加热工艺的情况下，同样担心对备用晶体管造成不良影响。

为此，最好是尽可能设置某些引出部分，在远离备用晶体管FTFT的部分进行接触孔CH的形成和导电体RL的连接。

因此，通过从备用晶体管FTFT的源极电极S形成引出线EL，缓和由备用晶体管FTFT的动作异常或加热导致的不良影响。

在本实施例中，这种引出线EL的根数和形状，考虑像素部修正作业的容易性和热量等副作用来决定即可，未必是图2所示的形状。

【第三实施例】

图3A、图3B、图3C是本实施例的像素部的结构图，与图2A、图2B、图2C所示的第二实施例不同的是，将修正连接用的引出线EL引出到栅极布线GL的外侧。图3A、图3B、图3C对应于图2A、图2B、图2C，省略相同附图标记的说明。

在图3A、图3B、图3C中，在将备用晶体管FTFT与数据信号布线DL和像素电极PX连接时，在形成接触孔CH和连接导电体EL的过程中使用激光CVD等热工艺。因此，如第二实施例那样，在栅极布线GL上配置引出线EL并形成接触孔CH的情况下，引出线EL和栅极布线GL之间的绝热膜可能因热而被破坏。因此，在本实施例中，当将布线从备用晶体管FTFT引出到栅极布线GL的外侧时，能够在引出部分不担心破坏基底绝缘膜地实施连接作业。

在本实施例中，从备用晶体管FTFT到栅极布线GL的外侧仅设置了1根引出线EL，但引出线EL的根数可以考虑像素部的修正作业的容易性和热量等副作用的平衡来决定，1根、2根都可以。

【第四实施例】

图4A、图4B、图4C是本实施例的像素部的结构图，与图2A、图2B、图2C、图3A、图3B、图3C所示的第二、三实施例不同的是，使引出线EL与像素电极PX和保持电容布线CSL不交叉。图4A、图4B、图4C对应于图2A、图2B、图2C、图3A、图3B、图3C，省略相同附图标记的说明。

在图4A、图4B、图4C中，当从备用晶体管FTFT的漏极电极D引出的引出线EL与像素电极PX平面交叉时，像素电极PX(或漏极电极D)和栅极布线GL之间的寄生电容变大，导致画面内的显示均匀性产生问题。因此，在本实施例中，在像素电极PX方向形成引出线EL的情况下，引出线EL与像素电极PX不平面交叉。同样地，引出线EL与保持电容布线CSL也不平面交叉。

【第五实施例】

图5A、图5B、图5C是本实施例的像素部的结构图，和以前的实施例不同的是，从备用晶体管FTFT引出的引出线EL与数据布线DL和像素电极PX都平面交叉，但是使引出线EL处于未直流地连接的浮接(floating)状态。图5A、图5B、图5C对应以前的图A、图B、图C，省略相同附图标记的说明。

在图5A、图5B、图5C中，浮接金属线FM和栅极布线GL在相同的层，且与数据信号布线DL隔着绝缘层而平面交叉。从备用晶体管FTFT引出的引出线EL和数据信号布线DL在相同的层，且隔着绝缘膜与浮接金属线FM重叠。如图5C所示，能够通过利用激光等热熔敷的激光点LS连接该重叠部分，从而容易地连接备用晶体管FTFT的源极电极S和数据信号布线DL。

在本实施例中，通过在浮接金属线FM的平面交叉部分的两处使数据信号布线DL和引出布线EL进行电容耦合，从而使数据信号布线DL和栅极布线GL进行电容耦合，因此，与第一实施例相比，栅极布线GL和数据信号布线DL之间的耦合电容变大。但与以往那样总是将数据信号布线和备用晶体管直接连接的情况相比，能够使栅极布线和数据信号布线的电容耦合变小。

另外，在本实施例中采用如下结构：从备用晶体管FTFT引出的引出线EL与像素电极PX平面交叉且不直流地连接。关于该结构还具有如下优点：仅通过激光等的热熔敷用激光点LS连接备用晶体管FTFT和像素电极PX。关于该结构，虽然与第一实施例相比像素电极PX和栅极布线GL电容耦合值变大，但是与以往相比像素电极和栅极布线的耦合电容较小。

在本实施例中，从备用晶体管FTFT引出的引出线EL与数据信号布线DL和像素电极PX都平面交叉，但是，也可以构成为与任意一者不平面交叉。

【第六实施例】

图6A、图6B、图6C是本实施例的像素部的结构图，与图3A、图3B、图3C所示的第三实施例不同的是，在栅极布线GL设置了切口部分。图6A、图6B、图6C对应于图3A、图3B、图3C，省略相同附图标记的说明。

在图6A、图6B、图6C中，为了使从备用晶体管FTFT引出的引出线EL从栅极布线GL露出，在栅极布线GL设置了切口部分。在如第三实施例那样在栅极布线GL不设置切断部分，使引出线EL从栅极布线GL露出的情况下，为了避免对上侧像素电极等的干扰，有可能导致像素部的开口率降低。因此，在本实施例中，仅在设置从备用晶体管FTFT引出的引出线EL的栅极布线GL的部分设置切口，从而能够抑制开口率的下降，并能够将栅极布线的阻抗增加抑制在最小限度。

【第七实施例】

图7A、图7B、图7C是本实施例的像素部的结构图，与图2A、图2B、图2C所示第二实施例不同的是，使引出线EL的一部分变粗。图7A、图7B、图7C对应于图2A、图2B、图2C，省略相同附图标记的说明。

在图7A、图7B、图7C中，使从备用晶体管FTFT引出的引出线EL的一部分变粗，从而在与数据布线DL连接时，容易地进行接触孔CH的形成和导电体RL的连接作业。在使从备用晶体管FTFT引出的引出线EL的宽度整体变粗时，与栅极布线GL的交叉面积增大，由于栅极绝缘膜的异常等，引出线EL和栅极布线GL发生短路不良的担心变强。另外，当使与像素电极PX连接的引出线变粗时，变粗的引出线和栅极布线GL的交叉面积增加，栅极布线GL和像素电极PX的电容耦合变大，使修正后的像素部的亮度和未修正的像素部的辉度相同有可能变得困难。因此，不是使整条引出线变粗而只是使用于连接的一部分变粗，有利于提高修正作业性和排除其他担心事项。

【第八实施方式】

图8A、图8B是本实施例的像素部的结构图，与图7A、图7B、图7C所示的第七实施方式不同的是，在使引出线EL变粗的部分周边的栅极布线GL形成切口部。图8A表示开口的切口部，图8B表示栅极布线GL中的切口部。

在图8A、图8B中，将栅极布线GL的切口部设置在普通晶体管CTFT和备用晶体管FTFT之间，在切口部分引出从备用晶体管FTFT引出的引出线EL。这样，由于普通晶体管CTFT和备用晶体管FTFT的距离远离，所以两个晶体管因异物等同时变为不良的可能性就降低，冗余性提高。

【第九实施方式】

图9A、图9B是本实施例的像素部的结构图，与图5A、图5B、图5C所示的第五实施例不同的是，与备用晶体管FTFT的源极电极S平行地使引出线EL从栅极布线GL露出。图9A表示使引出线EL弯曲的情况，图9表示将弯曲的引出线EL的末端配置在栅极布线GL的切口部的情况。

在图9A、图9B中，以与栅极布线GL的方向接近正交的角度、例如90°±45°左右引出，直到从栅极布线GL露出从备用晶体管FTFT引出的引出线EL，然后，使引出线EL在数据信号布线DL的方向弯曲。

在本实施例中，与第五实施例相比，由于栅极布线GL和引出线EL的交叉面积小，所以能够降低备用晶体管FTFT和栅极布线GL短路不良发生率。

在图9A中，能够在修正作业中缩短成膜的导电体的距离，并能够提高修正效率。

在图9B中，使引出线EL的末端线宽变粗，从而将该末端设置在栅极布线GL的一部分的切口部上，因此，与第八实施例相比，能够抑制栅极布线GL的阻抗上升，还能够将引出线EL的末端和栅极布线GL的短路不良发生率抑制在最小限度，并能够在引出线EL设定线宽扩大领域。

【第十实施例】

图10是本实施例的像素部的结构图，是与图4A、图4B、图4C所示的第四实施例相同的结构，但是将两根引出线的角度设为45°以上。图中的附图标记和以前说明的相同。

在图10中，在从备用晶体管FTFT设置两根引出线EL时，引出线EL的两处前端以备用晶体管FTFT的沟道C的中心为顶点所成的角度在45°以上。当将引出线在相同方向引出时，由于引出线接近，所以在接近的引出线连接导电体的修正作业中，有可能发生短路不良。为了防止发生短路不良，在本实施例中，需要使引出线的前端远远地分离。

【第十一实施例】

图11A、图11B、图11C是本实施例的像素部的结构图，与图4A、图4B、图4C所示的第四实施例不同的是，在像素电极PX的一部分设置有切口部。图11A、图11B、图11C对应于图4A、图4B、图4C，省略相同附图标记的说明。

在图11中，为了防止从备用晶体管FTFT引出的引出线EL和像素电极PX交叉，在像素电极PX设定有切口部。通过在像素电极PX的一部分设置切口，能够将像素部的开口率的下降抑制在最小限度，并能够防止栅极布线GL和像素电极PX之间的寄生电容增加。

【第十二实施例】

图12是本实施例的像素部的结构图，与图4A、图4B、图4C所示的第四实施例不同的是，在保持电容布线CSL的一部分设置有切口部。图12中的附图标记和此前说明的相同。

在图12中，为了防止从备用晶体管FTFT引出的引出线EL和保持电容布线CSL交叉，切断了保持电容布线。通过切断保持电容布线，能够将开口率的下降抑制在最小限度，并防止栅极布线GL和保持电容布线CSL的寄生电容增加。在本实施例中，虽然部分地切断了保持电容CSL线宽，但即使保持相同线宽使之迂回，也能够得到同样的效果。

【第十三实施例】

图13A、图13B、图13C是本实施例的像素部的结构图，与图4所示的第四实施例不同的是，代替在修正作业时形成的接触孔CH，预先形成通孔TH。图13A、图13B、图13C对应于图4A、图4B、图4C，省略相同附图标记的说明。

在图13A、图13B、图13C中，在备用晶体管FTFT的引出线EL的先端和数据信号布线DL中，在除去绝缘膜的区域设置通孔TH。在将备用晶体管FTFT连接在数据信号布线DL和像素电极PX时，不需要如第四实施例那样在连接作业时形成接触孔，本实施例中，能够有效地进行连接作业。

【第十四实施例】

图14A、图14B、图14C是本实施例的像素部的结构图，与图13A、图13B、图13C所示的第十三实施例不同的是，在通孔TH上设置有导电体区域RP。图14A、图14B、图14C对应于图13A、图13B、图13C，省略相同附图标记的说明。

在图14A、图14B、图14C中，通孔TH上利用像素电极PX的材料将连接用导电体领域RP设置在与像素电极PX相同的层上。通过在通孔TH上利用导电体设置连接区域，不管通孔TH的大小或引出线EL的源极漏极金属线宽如何，都能够确保必要的连接区域。

另外，与第十三实施例相比，在本实施例中，在形成像素电极PX的图案时，导电体领域RP下的数据信号布线DL和备用晶体管FTFT的引出布线EL不会接触到像素电极PX的蚀刻液，因此，能够不留意形成像素电极PX时对数据信号布线DL和引出线EL的损伤地，选择数据信号布线DL和像素电极PX的材料及其蚀刻液。

在本实施例中，在与像素电极PX相同的层、使用相同的材料形成导电体区域RP，形成导电体区域RP的层和材料可以在数据信号布线DL或备用晶体管FTFT的源极漏极电极的上层，而未必在与像素电极PX相同的层、且是相同的材料。

【第十五实施例】

图15A、图15B、图15C是本实施例的像素部的结构图，与图14A、图14B、图14C所示的第十四实施例不同的是，用像素电极PX的材料形成从备用晶体管FTFT引出的引出线EL。图15A、图15B、图15C对应于图13A、图13B、图13C，省略相同附图标记的说明。

在图15A、图15B、图15C中，由于从备用晶体管FTFT的源极漏源金属通过通孔TH将引出线EL引出，因此，能够减小源极漏极金属和栅极布线GL的交叉面积。由像素电极PX的材料形成的引出线EL，在与栅极布线GL之间，具有栅极绝缘膜及其上层绝缘膜这两层，由此，能够降低引出线EL和栅极布线GL的短路不良发生的可能性。

在本实施例中，引出线EL与像素电极PX在相同的层且为相同材料，但是只要是比像素电极PX更靠上层的导电体材料即可。另外，本实施例中，在数据信号布线DL和备用晶体管FTFT都设置了通孔TH和由像素电极PX的材料形成的引出线EL，但是，未必两者同时设置，可以在数据信号布线DL上或者备用晶体管FTFT上单独设置各自的引出线EL。

【第十六实施例】

图16A、图16B、图16C是本实施例的像素部的结构图，与图1A、图1B、图1C所示的第一实施例不同的是，使数据信号布线DL的一部分的线宽变粗。图16A、图16B、图16C对应于图1A、图1B、图1C，省略相同附图标记的说明。

在图16A、图16B、图16C中，为了易于连接备用晶体管FTFT，将与栅极布线GL不交叉的数据信号布线DL的一部分线宽变粗。当数据信号布线DL细时，不能取得与备用晶体管FTFT充分接触的区域，有可能在形成接触孔CH的连接作业时发生断线等。

因此，当设置使与栅极布线GL不交叉的部分的数据信号布线DL的线宽变粗的领域时，能够不担心这些问题地进行连接作业。

【第十七实施例】

图17A、图17B是本实施例的像素部的结构图，与此前的实施例不同的是，采用比普通晶体管CTFT的尺寸小的备用晶体管FTFT。图17A表示普通晶体管CTFT的沟道C是纵型的像素部，图17B表示普通晶体管CTFT的沟道C是横型的像素部，图中的附图标记与此前说明的相同。

在图17A、图17B中，备用晶体管FTFT的沟道宽度尺寸比普通晶体管CTFT的沟道宽度尺寸小。本来，普通晶体管CTFT和备用晶体管FTFT应该准备相同大小且相同性能的晶体管，但是，当如本实施方法那样安装了沟道宽度尺寸小的晶体管的情况下，假定不施加电压而为黑显示的显示器，从数据信号布线DL的电压低的灰色至黑色的信号，用沟道宽度尺寸小的晶体管也能够正确地传送到像素电极PX。但是，在施加电压高的白画面显示中，仅修正后的像素为灰色，但与不修正而完全黑显示的情况相比，在本实施例中，能够使灰色不显著，特别适用于各像素尺寸小的小型高精细液晶显示装置。

【第十八实施例】

图18是本实施例的像素部的结构图，和此前的实施例不同的是，在像素部配置了盒隙间隔物(cell gap spacer)SP。其他构成和此前说明的相同。

在图18中，配置有保持TFT基板和对置基板之间的距离的盒隙间隔物SP，其中，TFT基板形成有晶体管CTFT、FTFT，对置基板与该TFT基板相对置。配置有该盒隙间隔物SP的像素部中的备用晶体管FTFT的沟道宽度尺寸，比没有配置盒隙间隔物SP的像素部中的备用晶体管FTFT小。

在液晶显示装置中，具有保持TFT基板和对置基板之间的距离的盒隙间隔物SP，但有时会通过光刻等将它们配置在特定像素部的特定区域。此时，当在配置盒隙间隔物的位置形成有与普通晶体管相同大小的备用晶体管时，存在控制间隔物配置变困难的情况。为了避免这种情况，在配置间隔物的像素部中，使备用晶体管变小以避免与间隔物在配置上的干扰。

【第十九实施例】

图19是本实施的像素部的结构图，与图18所示的第十八实施例不同的是，在配置有盒隙间隔物SP的像素部和未配置有盒隙间隔物SP的像素部变更了备用晶体管FTFT的位置。其他构成和第十八实施例相同。

在图19中，在配置有盒隙间隔物SP的像素部开口率降低，但备用晶体管FTFT的配置和盒隙间隔物SP的配置不相干扰。在本实施例中，特别适用于像素尺寸大的大画面低精细度产品。

【第二十实施例】

图20是本实施例的像素部的结构图，与图18所示的第十八实施例不同的是，仅在配置有盒隙间隔物SP的像素部没有配置备用晶体管。其他结构与第十八实施例相同。

在图20中，配置于像素部的备用晶体管FTFT的尺寸和普通晶体管CTFT无论相不相同，其尺寸都没有关系。在本实施例中，显然避免了盒隙间隔物SP和备用晶体管FTFT在配置上的干扰。在没有配置备用晶体管的像素部中的普通晶体管CTFT异常时，能够利用相邻的备用晶体管FTFT。

【第二十一实施例】

图21是本实施例的像素部的结构图，与此前的实施例不同的是，是普通晶体管CTFT的异常在形成像素电极PX前就能发现时的结构图。图中的附图标记与此前说明的实施例相同。

在图21中，当普通晶体管CTFT的异常在形成像素电极PX前就能发现的情况下，在形成像素电极PX时，对像素电极PX进行加工，采用与像素电极PX相同的材料来形成导电体RL。

在此，像素电极PX加工是指，可以在蚀刻加工像素电极PX前直接描绘涂敷导电体RL用的蚀刻抗蚀剂。另外，例如可以对以非结晶状态成膜等待蚀刻的成为像素电极PX的ITO膜加热，使形成导电体RL的区域结晶化，来防止蚀刻该领域。

如果要连接导电体RL和备用晶体管FTFT，可以事先在源极漏极膜上的绝缘膜形成通孔TH，或者在形成导电体RL后进行热熔敷。在本实施例中，为了连接备用晶体管FTFT和数据信号布线DL，不必形成新的导电体，就能够有效地进行修正。

【第二十二实施例】

图22是本实施例的像素部的结构图，与此前的实施例不同的是，将沟道尺寸小的两个备用晶体管FTFT连接在一个像素部上进行修正。图中的附图标记与此前说明的实施例相同。

在图22中，在备用晶体管FTFT沟道尺寸小的情况下，连接相邻的多个(两个以上)的备用晶体管FTFT进行修正。能够缩小备用晶体管FTFT的尺寸，并向像素电极PX提供足够的电荷。

以上的实施例说明了保持电容布线CSL和栅极布线GL独立的TFT方式的液晶显示装置，本发明的要点是在TFT方式的液晶显示装置的各像素部配置备用晶体管，能够适用于所有TFT方式的液晶显示装置。

Claims

1.一种具有呈矩阵状配置的像素部的液晶显示装置，其特征在于：

在上述像素部设置有普通晶体管和备用晶体管，其中，上述备用晶体管不与数据信号布线和像素电极相连接。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

在上述备用晶体管设置引出线。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：

从栅极布线露出地形成上述引出线。

4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述引出线，在从栅极布线露出前以与栅极布线方向接近正交的角度(90°±45°)形成，在露出后向数据信号布线方向弯曲地形成。

5.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：

在栅极布线设置切口部，使得上述引出线与栅极布线不平面交叉。

6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述切口部被设置在普通晶体管和备用晶体管之间。

7.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：

以与像素电极不平面交叉的方式形成上述引出线。

8.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：

以与保持电容布线不平面交叉的方式形成上述引出线。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述保持电容布线，以与引出线不平面交叉的方式迂回地形成，或者，在与引出线平面交叉的部分设置切口部。

10.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：

以与像素电极平面交叉的方式形成上述引出线。

11.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于：

在上述平面交叉的像素电极部分设置切口部。

12.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述引出线的一部分形成得较粗。

13.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：

在上述引出线上和数据信号布线上的至少一处形成通孔。

14.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

在上述备用晶体管设置有两根引出线，两根引出线各自的前端和备用晶体管沟道的中心的连接线所成的角度为45°以上。

15.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述数据信号布线，与栅极布线不交叉部分的一部分线宽形成得较粗。

16.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述备用晶体管的尺寸比普通晶体管小。

17.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

使上述备用晶体管的尺寸比普通晶体管小，在像素部配置间隔物。

18.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述备用晶体管，在配置间隔物的像素部和除此以外的像素部中，被配置在不同的位置。

19.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述备用晶体管仅被配置在没有配置间隔物的像素部。

20.一种具有呈矩阵状配置的像素部的液晶显示装置，其特征在于：

在上述像素部设置有普通晶体管、备用晶体管以及浮接金属线，其中，上述备用晶体管不与数据信号布线和像素电极相连接，上述浮接金属线与数据信号布线交叉。

21.根据权利要求20所述的液晶显示装置，其特征在于：

与上述浮接金属线交叉的引出线被设置在备用晶体管。

22.一种具有呈矩阵状配置的像素部的液晶显示装置，其特征在于：

在上述像素部设置有普通晶体管和备用晶体管，其中，上述备用晶体管不与数据信号布线和像素电极相连接，

在从上述备用晶体管引出的引出线和上述数据信号布线的至少一根线上设置导电体区域。

23.根据权利要求22所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述导电体领域经由通孔与引出线或者数据信号布线相连接。