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CN100541297C - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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CN100541297C
CN100541297C CNB2006100837168A CN200610083716A CN100541297C CN 100541297 C CN100541297 C CN 100541297C CN B2006100837168 A CNB2006100837168 A CN B2006100837168A CN 200610083716 A CN200610083716 A CN 200610083716A CN 100541297 C CN100541297 C CN 100541297C
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Abstract

一种液晶显示器件,包括:第一和第二基板、在其中至少一种基板上形成的定向层和形成于基板之间的液晶层,其中定向层由包含聚合物主链和与聚合物主链相结合的且在紫外线作用下能够发生光二聚反应的光反应化合物的聚合物材料形成。

Description

液晶显示器件及其制造方法
本申请要求享有于2005年6月14日在韩国提交的韩国专利申请2005-0051034的权益,在此将其全文引入作为参考。
发明领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件,尤其涉及一种液晶显示器件及其制造方法。尽管本发明适用于很大的应用范围,但是尤其适用于实现LCD器件的液晶层中的液晶分子初始取向的定向层。
背景技术
在具有仅仅几厘米厚度的显示屏的超薄平板显示器件中,由于LCD具有低驱动电压、低功耗和轻便的特点,LCD器件已经广泛用作笔记本电脑、电视、太空船和航天器的监视器。通常,LCD器件包括在其上形成滤色层的滤色片基板、面向滤色片基板并具有在其上形成薄膜晶体管的薄膜晶体管层、和形成于这些基板之间的液晶层。在这样一种LCD器件中,液晶层中液晶分子的取向随着用来控制光的能见度而施加的电压的不同而不同,从而产生图像。例如,为了施加电压,在薄膜晶体管基板和/或滤色片基板上形成电极,这样,一个像素电极设置于薄膜晶体管基板上,而一个公共电极设置于滤色片基板上,这样就在两基板之间产生了垂直电场,例如扭曲向列(TN)模式。在另一个例子中,像素电极和公共电极相互平行地设置于薄膜晶体管基板上从而产生水平电场,例如共平面开关(IPS)模式。
图1是说明了现有技术的TN模式LCD器件的分解透视图。如图1所示,薄膜晶体管基板10包括栅线12、与栅线12交叉的数据线14、紧邻栅线12和数据线14交叉点而形成的薄膜晶体管T、和连接薄膜晶体管T的像素电极16。滤色片基板20包括遮光层(或黑矩阵)22、形成于遮光层22中的红、绿和蓝滤色层24、和形成在滤色层24上的公共电极25。薄膜晶体管基板10和滤色片基板20相互粘结以形成液晶面板。液晶分子的液晶层(未示出)形成于基板10和20之间。当在薄膜晶体管基板10上的像素电极16和滤色片基板20上的公共电极25之间产生垂直电场时,薄膜晶体管基板10和滤色片基板20之间的液晶分子(未示出)会发生重新排列或重新取向。
如果液晶分子在基板10和20之间随机排列,那么在液晶层中获得分子的一致性取向就会很困难。因此,尽管图中没有示出,但是在薄膜晶体管基板10和/或在滤色片基板20上仍形成了用于使液晶分子初始取向的定向层。为了用于使液晶分子初始取向而形成定向层的方法,举例来说,可以是摩擦取向法和光取向法。
在摩擦取向法中,在将有机聚合物,例如聚酰亚胺,薄薄地涂覆在基板上之后,用摩擦布缠绕的摩擦辊旋转摩擦有机聚合物,由此使有机聚合物在恒定方向上取向。然而,摩擦取向法存在如下缺点:
第一,当摩擦布的取向成杂乱无序状态时,可能会产生光泄漏问题。图2所示的是无序摩擦布的示意性透视图。如图2所示,当摩擦辊30在形成于基板10或20上的结构上旋转时,缠绕摩擦辊30的摩擦布32的32a部分成混乱无序状态。同样地,当摩擦布的取向成无序状态时,在被无序的摩擦布摩擦过的区域中的有机聚合物链不能被取向,从而由于液晶分子的非一致性排列,导致那个区域产生光泄漏。
第二,当摩擦布没有接触到基板时,也可能发生光泄漏问题。图3所示的是未接触基板的摩擦布的截面图。如上所述,电极层,例如像素电极和公共电极形成在基板上。因此,如图3所示,摩擦布32由于在基板10上的台阶而没有接触到A区域中的基板。在这种情况下,区域A中的液晶分子取向是不一致的,从而导致了光泄漏问题。在TN模式LCD器件中,由于像素电极和公共电极分别形成在不同基板的像素区域中,没有这么多其上形成台阶的区域。然而,在IPS模式的LCD器件中,由于像素电极和公共电极平行地重复形成于基板上的像素区域中,所以存在许多具有台阶形成于其上的区域,因此,光泄漏问题变得很严重。
在摩擦取向法中的前述问题是由于提供摩擦辊和基板之间的物理接触的机理引起的。最近,为了解决摩擦取向法中的这些问题,人们进行各种研究以提供一种不需要物理接触而制造定向层的方法。特别地,取代采用摩擦取向法,而建议采用光取向法,在这种方法中通过向聚合物薄膜上照射偏振紫外(UV)线来产生定向层。为了取向液晶分子,定向层必须具有各向异性结构,这种结构可以在聚合物薄膜在偏振UV线作用下各向异性地反应时形成。
尽管光取向法能够致力于解决上述摩擦取向法相关的上述问题,但是光取向法由于其锚定能低而存在一个严重问题。更明确地说,就摩擦取向法而言,由于有机聚合物的链如上所述以恒定方向排列,并且通过摩擦,一致形成凹槽于基板的表面,通过凹槽和液晶之间的机械相互作用以及链和液晶分子之间的化学相互作用来控制液晶分子的取向。在光取向法中,液晶的取向只受链和液晶分子之间的化学相互作用控制而没有在定向膜表面上形成凹槽。相应地,与摩擦取向法相比,光取向法对液晶分子具有低锚定能,因此导致图像残留的问题。
根据取向材料和UV线之间的反应类别,光取向法可以分类为光分解反应和光二聚反应。图4示出了现有技术中利用光分解反应的光取向法。在光分解反应中,如图4所示,当偏振UV线照射到聚合物定向层上时,位于偏振方向的支链之间的连接被分解,因此只有垂直于偏振方向的支链保留着,从而使液晶分子以该方向排列。
光取向法的图像残留问题严重到这种程度以致于这种方法不能应用于大范围生产线。相比之下,尽管存在光泄漏问题,摩擦取向法已经被用于较大规模的生产线。有必要开发一种液晶分子初始取向的方法,其可以克服现有技术中的摩擦取向法和光取向法存在的问题或使其最小化。
发明内容
相应地,本发明涉及一种LCD器件和制造这种器件的方法,其充分消除了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种具有不引起光泄漏的定向层的LCD器件和制造这种器件的方法。
本发明的另一个目的是提供一种采用具有高锚定能定向层的LCD器件和制造这种器件的方法。
本发明其它的特点和优点将在以下的描述中说明,一部分将从描述中明显看出,或者通过对发明的实践领会到。本发明的目的和其他优点可从文字描述和权利要求以及附图中特别指出的结构中了解和获得。
为了实现这些目标和其他优点,并且依照本发明的目的,一种液晶显示器件包括:第一和第二基板、在其中至少一个基板上形成的定向层、和形成于基板之间的液晶层,其中定向层由包含聚合物主链和与聚合物主链相结合的且在UV线作用下能够发生光二聚反应的光反应化合物的聚合物材料形成。
在本发明的另一方面,制造一种具有第一和第二基板的LCD器件的方法包括在其中至少一个基板上涂覆定向层、摩擦该定向层、和向定向层照射偏振UV线,其中定向层由包含聚合物主链和与聚合物主链相结合的且在UV线作用下能够发生光二聚反应的光反应化合物的聚合物材料形成。
可以理解,上述总体描述和以下用于实施和解释本发明的具体描述都是为了对本发明的权利要求书所要求保护的发明作进一步的解释。
附图说明
本申请所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解,并且包括在该申请中并且作为本申请的一部分,示出了本发明的实施方式并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1所示的是现有技术的TN模式LCD器件的分解透视图;
图2所示的是无序摩擦布的示意性透视图;
图3所示的没有接触基板的摩擦布的截面图;
图4所示的是利用光分解反应的现有技术的光取向法;
图5所示的是根据本发明的实施例的利用光二聚反应的光取向法;
图6所示的是根据本发明的实施例的LCD器件的截面图;
图7A到7E所示的是根据发明的实施例的制造LCD器件的方法。
具体实施方式
下面具体描述本发明的优选实施方式,它们的实施例示于附图中。尽可能无论如何,所有附图采用相同的附图标记表示相同或类似部件。本发明的实施例致力于提供解决现有技术的问题的方法。例如,当摩擦布的取向变得无序或摩擦布没有接触到基板时,涂覆在这样区域的取向材料不能在取向方向上实现取向。本申请的发明者意识到这个问题,并且构思了一种方法:即通过一种为满足需求而独特设计的光取向法使那些通过摩擦取向法未能实现取向的取向材料部分实现取向。并且,通过采用现有技术的摩擦取向法,解决了在光取向法中存在的低锚定能问题。
本发明的实施例中采用的是光取向法中的光二聚反应。因此,包含在UV线的作用下能够发生光二聚反应的光反应化合物的有机聚合物材料都可以被用来制作本发明实施例的定向层。在下文中,将介绍光取向法和在本发明实施例中选择光二聚反应的原因。
图5所示的是根据本发明的实施例的利用光二聚反应的光取向法。如图5所示,在光二聚反应中,当偏振UV线照射时,平行于偏振方向的双键(以箭头标识的)断开并且与紧邻的分子结合。结果,液晶分子沿着导致各向异性的方向(也就是,垂直或平行于偏振方向)取向。
在现有技术的利用光分解作用的光取向法中存在诸多问题。第一,已经被摩擦的定向层的锚定能会由于分解作用而降低;第二,由于光解反应产生的外来物质的原因,会产生图像残留的问题;第三,需要采取额外的用来消除外来物质的步骤以解决与图像残留相关的问题。
因此,本发明的实施例采用了光二聚反应的光取向法,从而提拱了通过摩擦取向法和基于光二聚反应的光取向法两种取向法取向的定向层。定向层由包含聚合物主链和与聚合物主链相结合的且在UV线作用下能发生光二聚反应的光反应化合物的聚合物材料形成。光反应化合物优选地选自肉桂酰基材料、查耳酮基材料、香豆素基材料、和马来酰亚胺基材料。聚合物主链是优选地选自聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚降冰片烯、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯、聚烯烃、聚苯乙烯、聚丙稀酸酯、聚氯乙烯、聚醚、聚酯、聚硫醚、聚砜、聚醚砜、聚醚醚酮、聚脲、聚氨基甲酸乙酯、聚苯并咪唑、聚缩醛、和聚乙酸乙烯酯的聚合物材料。
根据本发明的实施例在制造LCD器件的方法中,摩擦工序和UV照射工序可以同时或分别(不同时间)进行。如果分别(不同时间)进行摩擦工序和UV照射工序,摩擦工序在UV工序之前进行,反之亦然。进一步,UV照射工序在其上涂覆有取向材料的基板的整个表面上进行,或者在基板上形成台阶的定向膜区域进行。也就是说,当摩擦布由于基板表面上台阶的原因没有接触到定向膜时,偏振UV线可以照射到形成台阶的定向膜的区域。通过掩模遮盖住其他区域,特定照射这个区域。当摩擦布的取向无序和/或基板上形成台阶时,偏振UV线可以覆盖基板上定向膜的整个表面。
当偏振UV线只照射在台阶区域时,根据基板是薄膜晶体管基板或者是滤色片基板而形成不同的台阶区域。即使当基板是薄膜晶体管基板时,根据LCD器件是TN模式还是IPS模式,形成不同的台阶区域。在下文中,将更详细地描述本发明的实施例。
图6所示的是根据发明的实施例的LCD器件的截面图;如图6所示,根据本发明的实施例的LCD器件包括下基板100、上基板200、形成于基板100和200上的定向层300a和300b、和形成于基板100和200之间的液晶层400。尽管没有详细显示,对于本领域的普通技术人员,在显然的范围内,根据LCD器件的模式,下基板100和上基板200的结构能作各种修改。这样,TN模式LCD器件的下基板100包括栅线和数据线,彼此交叉以在其上限定像素区域;薄膜晶体管紧邻像素区域中栅线和数据线的交叉处而形成,薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;像素电极与薄膜晶体管的漏极连接。TN模式LCD器件的上基板200包括遮光层、形成在遮光层中的红、绿和蓝色滤色层、和形成在滤色层上的公共电极。
IPS模式LCD器件的下基板100包括栅线和数据线,彼此交叉以在其上限定像素区域;薄膜晶体管紧邻像素区域中栅线和数据线的交叉点而形成,薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;像素电极与薄膜晶体管的漏极连接,并且公共电极平行于像素电极而形成。IPS模式LCD器件的上基板200包括遮光层、形成在遮光层中的红、绿和蓝色滤色层、和形成在滤色层上的涂覆层。另外,在基板100和200之间形成了一个衬垫(未示出)以维持基板100和200之间的单元间隙。球状衬垫或柱状衬垫都可能被用作衬垫。
定向层300a和300b由包含聚合物主链和与聚合物主链相结合的且在UV线作用下能够发生光二聚反应的光反应化合物的聚合物材料形成,如下将作详细描述。将介绍通过UV线作用能够发生光二聚反应的光反应化合物。光反应化合物优选地选自肉桂酰基材料、查耳酮基材料、香豆素基材料和马来酰亚胺基材料。
肉桂酰基材料优选是以如下化学式表示的化合物:
Figure C20061008371600221
其中X选自:-((CH2)nO)m-,-O((CH2)nO)m-、
Figure C20061008371600222
Figure C20061008371600223
Figure C20061008371600224
(m和n是0到10之间的整数),并且Y选自:
Figure C20061008371600225
Figure C20061008371600226
如上的Y中,1到9的每一个优选地选自:-A,-(CA2)nCA3,-O(CA2)nCA3,-(O(CA2)m)nCA3,-O(CA2)nOCA3,-(O(CA2)m)nOCA3
Figure C20061008371600231
Figure C20061008371600232
(m和n是0到10之间的整数,A和B分别代表H,F,Cl,CN,CF3或CH3)。查耳酮基材料优选是以如下化学式表示的化合物:
Figure C20061008371600233
其中,n是0到10之间的整数,选择的1到5的每一个均优选地选自:-A,-(CA2)nCA3,-O(CA2)nCA3,-(O(CA2)m)nCA3,-O(CA2)nOCA3,-(O(CA2)m)nOCA3
Figure C20061008371600234
Figure C20061008371600235
(m和n是0到10之间的整数,A和B分别代表H,F,Cl,CN,CF3或CH3)。
香豆素基材料优选是以如下化学式表示的化合物:
Figure C20061008371600236
其中,选择的1到6中的每一个均优选地选自:-A,-(CA2)nCA3,-O(CA2)nCA3,-(O(CA2)m)nCA3,-O(CA2)nOCA3,-(O(CA2)m)nOCA3
Figure C20061008371600237
Figure C20061008371600241
Figure C20061008371600242
(m和n是0到10之间的整数,A和B分别代表H,F,Cl,CN,CF3或CH3)。
马来酰亚胺基材料优选是以如下化学式表示的化合物:
Figure C20061008371600243
其中,Y选自:
Figure C20061008371600244
Figure C20061008371600245
(n是0到10之间的整数),选择的1和2中的每一个均优选地选自:-H,-F,-CH3,-CF3,-CN,
Figure C20061008371600246
聚合物主链优选地选自如下组的聚合物材料:聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚降冰片烯、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯、聚烯烃、聚苯乙烯、聚丙稀酸酯、聚氯乙烯、聚醚、聚酯、聚硫醚、聚砜、聚醚砜、聚醚醚酮、聚脲、聚氨基甲酸乙酯、聚苯并咪唑、聚缩醛、和聚乙酸乙烯酯。更优选地,聚合物主链是以下列化学式表示的聚酰亚胺化合物或聚酰胺酸化合物:
Figure C20061008371600247
其中使得m+n=1,0≤m≤1且0≤n≤1。以上述化学式表示的聚酰亚胺化合物或聚酰胺酸化合物优选地通过胺和二酸酐之间的反应来制备。二酸酐优选地选自:
Figure C20061008371600251
胺优选地选自如下的(a)到(e):
Figure C20061008371600252
其中X1是O,CO,
Figure C20061008371600253
(n是0到20之间的整数,并且H可被F取代),
Figure C20061008371600254
(n是0到20之间的整数,并且H可被F取代),
Figure C20061008371600261
Figure C20061008371600262
进一步的,X1是邻位-,间位-,对位-或他们的组合结构。
Figure C20061008371600263
其中R1和R2是(CH2)n(n是0到10之间的整数)或
Figure C20061008371600264
Figure C20061008371600265
其中X是(CH2)nH,CN,OCF3,O(CH2)nH,或O(CF2)nCF3。进一步,X是邻位-,间位-,对位-或它们的组合结构。
(d)NH2-(CH2)n-NH2,其中n是1到20之间的整数。
(e)—(CH2)n-NH2,——O(CH2)n——NH2
Figure C20061008371600266
Figure C20061008371600267
Figure C20061008371600271
其中m和n是0到10之间的整数。
定向层是由在前述聚合物主链和前述作为支链的光反应化合物之间的光反应获得的聚合物材料形成。如果聚合物主链是通过二酸酐和胺之间的反应制备的聚酰亚胺化合物或聚酰胺酸化合物,为了结合光反应化合物,二酸酐的氢原子可被光反应化合物所取代或胺的氢原子可被光反应化合物所取代。形成定向层的聚合物材料可应用于摩擦取向法中,且可以发生光取向法中的光二聚反应。该聚合物材料能吸收的光的最大波长λmax为大约270nm至350nm的,从而不会在光取向法进行的过程中发生光分解反应。在构成定向层的聚合物材料中,对位-结构表示为包括苯环的聚合物材料。然而,包括苯环的聚合物材料并不限于对位-结构。也就是说,邻位-,间位-,对位-或他们的组合结构都可以组成聚合物材料。
图7A到7E所示的是根据发明的实施例的制造LCD器件方法的工艺图。如图7A所示,预制下基板100和上基板200,下基板100和上基板200的详细结构及其制造方法随着本领域普通技术人员所知的不同方法而不同。
然后,如图7B所示,将定向层300a和300b分别涂覆在下基板100和上基板200上。尽管在图中在基板100和基板200上都形成定向层300a和300b,但是并不限于这种情况。由于定向层300a和300b有上述相同材料形成,所以这里省略了对于材料的详细描述。
涂覆定向层300a和300b是通过在基板100和200上印刷定向层并固化印刷的定向层来完成的。印刷定向层的步骤优选的是通过将取向成分溶解在有机溶剂中形成的浓度为1~20wt%和粘度为1~1000cps的溶液进行旋转涂覆或滚动涂覆来进行。固化印刷的定向层的步骤优选在60℃到80℃和80℃到230℃的温度范围内进行两次固化。定向层300a和300b优选的涂覆厚度为50nm到200nm。
然后,如图7C所示,摩擦工序在涂覆有定向层300a和300b的基板100和200上进行。摩擦工序通过在预期取向方向上摩擦附有摩擦布520的摩擦辊来进行。
然后,如图7D所示,利用UV照射装置600将偏振UV线照射到已经完成摩擦工序的基板100和200上。UV照射工序可以在摩擦工序之后进行。然而需要注意的是本发明的实施例并不仅限于这种顺序。因此摩擦工序可以在UV照射工序之后进行,或者摩擦工序和UV照射工序同时进行。摩擦工序和UV照射工序需以这样的方式进行即能将来自摩擦工序的定向层部分的取向方向变得与来自UV照射工序的定向层部分的取向方向相同。
UV线可照射到基板100和200的整个表面,或者仅仅在基板100和200形成台阶的台阶区域。在TN模式LCD器件情况下,台阶可形成于下基板100上设有栅线、数据线和薄膜晶体管的区域。在IPS模式LCD器件的情况下,台阶可形成于设有栅线、数据线和薄膜晶体管的区域,和下基板100上设有像素电极和公共电极的区域。因此,UV线可仅仅照射到台阶区域,而定向层的其他区域用掩模遮挡。偏振UV线的照射能量在10mJ和3000mJ的范围内。
至于偏振UV线,部分偏振UV线或者线性偏振UV线均可使用。此外,偏振UV线可以倾斜或者垂直照射到基板上。在倾斜照射的情况下,倾斜角小于等于60°。偏振UV线的照射可以采用扫描类型曝光方法或者全部曝光方法。
然后,如图7E所示,将基板100和200彼此粘结在一起。将基板100和200彼此粘结到一起的步骤可以通过真空注射方法或液晶滴加方法来完成。在真空注射法中,利用将基板100和200彼此粘结之后处于真空状态下的压力差来注射液晶。在液晶滴加法中,在将液晶滴加到任一基板上后,再就基板彼此粘结到一起。随着基板尺寸的增大,由于真空注射法需要更长的液体注射时间,导致生产能力的降低,从而使液晶滴加法成为优选的方法。
第一,由于进行了摩擦工序,所以获得了高锚定能,从而不会产生图像残留。此外,由于进行了照射偏振UV线的工序,LCD器件不再受在摩擦取向法中当摩擦布的取向无序或摩擦布没有接触到基板时会产生光泄漏问题的困扰。而且,由于使用了与能够发生光二聚反应的光反应化合物相结合的聚合物材料作为定向层,因此,在UV照射的工序中不再产生光分解产物。因此,由外来物质和额外清洁引起的与图像残留相关的问题不再出现。
显然在不脱离本发明的精神和范围的情况下,本领域的普通技术人员可以对本发明做出各种改进和变型。因此,本发明包括所有落入所附权利要求及其等效物所包含的范围之内的改进和变型。

Claims (35)

1.一种液晶显示器件,包括:
第一和第二基板;
形成在其中至少一个基板上的定向层;和
形成于基板之间的液晶层;
其中定向层由包含聚合物主链和与聚合物主链相结合的且在紫外线作用下能够发生光二聚反应的光反应化合物的聚合物材料形成,
其中,光反应化合物选自肉桂酰基材料、查耳酮基材料、香豆素基材料、和马来酰亚胺基材料,
其中,肉桂酰基材料是由如下化学式表示:
Figure C2006100837160002C1
其中X选自:-((CH2)nO)m-,-O((CH2)nO)m-、
Figure C2006100837160002C2
Figure C2006100837160002C3
其中,m和n是0到10之间的整数,并且Y选自:
Figure C2006100837160003C1
Figure C2006100837160003C2
在上述的Y中,选择的1到9的每一个分别选自:-A,-(CA2)nCA3,-O(CA2)nCA3,-(O(CA2)m)nCA3,-O(CA2)nOCA3,-(O(CA2)m)nOCA3
Figure C2006100837160003C3
Figure C2006100837160003C4
Figure C2006100837160003C5
其中m和n是0到10之间的整数,A和B分别代表H,F,Cl,CN,CF3或CH3
其中,查耳酮化合物是由如下化学式表示:
其中,n是0到10之间的整数,选择的1到5的每一个均分别选自:-A,-(CA2)nCA3,-O(CA2)nCA3,-(O(CA2)m)nCA3,-O(CA2)nOCA3,-(O(CA2)m)nOCA3
Figure C2006100837160003C7
Figure C2006100837160004C1
其中m和n是0到10之间的整数,A和B分别代表H,F,Cl,CN,CF3或CH3
其中,香豆素化合物是由如下化学式表示:
Figure C2006100837160004C2
其中,选择的1到6中的每一个均选自:-A,-(CA2)nCA3,-O(CA2)nCA3,-(O(CA2)m)nCA3,-O(CA2)nOCA3,-(O(CA2)m)nOCA3
Figure C2006100837160004C3
Figure C2006100837160004C4
其中m和n是0到10之间的整数,A和B分别代表H,F,Cl,CN,CF3或CH3
其中,马来酰亚胺化合物是由如下化学式表示:
Figure C2006100837160004C5
其中,Y选自:
Figure C2006100837160004C6
Figure C2006100837160005C1
其中n是0到10之间的整数,选择的1和2中的每一个均选自:-H,-F,-CH3,-CF3,-CN,
Figure C2006100837160005C2
其中,聚合物主链是聚酰胺酸化合物或以下列化学式表示的聚酰亚胺化合物:
Figure C2006100837160005C3
其中使得m+n=1,0≤m≤1且0≤n≤1;
其中,聚酰亚胺化合物或聚酰胺酸化合物通过胺和二酸酐之间的反应来制备;
其中,二酸酐选自:
Figure C2006100837160005C4
Figure C2006100837160006C1
2.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,二酸酐的氢原子被肉桂酰化合物所取代。
3.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,二酸酐的氢原子被查耳酮化合物所取代。
4.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,二酸酐的氢原子被香豆素化合物所取代。
5.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,二酸酐的氢原子被马来酰亚胺化合物所取代。
6.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,胺在下组a)到e)中选择:
其中X1是O,CO,
Figure C2006100837160006C3
其中n是0到20之间的整数,并且H被F取代,
Figure C2006100837160006C4
其中n是0到20之间的整数,并且H被F取代,
Figure C2006100837160007C1
X1是邻位-,间位-,对位-或他们的组合结构;
Figure C2006100837160007C2
其中R1和R2是(CH2)n,其中n是0到10之间的整数或
Figure C2006100837160007C3
Figure C2006100837160007C4
其中X是(CH2)nH,CN,OCF3,O(CH2)nH,或O(CF2)nCF3
d)NH2-(CH2)n-NH2,其中n是1到20之间的整数;
e)—(CH2)n—NH2
Figure C2006100837160007C5
其中m和n是0到10之间的整数。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器件,其特征在于,胺的氢原子被肉桂酰化合物所取代。
8.根据权利要求6所述的液晶显示器件,其特征在于,胺的氢原子被查耳酮化合物所取代。
9.根据权利要求6所述的液晶显示器件,其特征在于,胺的氢原子被香豆素化合物所取代。
10.根据权利要求6所述的液晶显示器件,其特征在于,胺的氢原子被马来酰亚胺化合物所取代。
11.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,定向层的聚合物材料能吸收的光的最大波长λmax为270nm到350nm。
12.一种制造具有第一和第二基板的液晶显示器件的方法,包括:
在其中至少一个基板上涂覆定向层;
摩擦定向层;和
向定向层上照射偏振紫外线,其中定向层由包含聚合物主链和与聚合物主链相结合的且在紫外线作用下能发生光二聚反应的光反应化合物的聚合物材料形成,
其中,光反应化合物选自肉桂酰基材料、查耳酮基材料、香豆素基材料、和马来酰亚胺基材料,
其中,肉桂酰化合物是由如下化学式表示:
Figure C2006100837160008C1
其中X选自:-((CH2)nO)m-,-O((CH2)nO)m-、
Figure C2006100837160008C2
Figure C2006100837160009C1
Figure C2006100837160009C2
其中m和n是0到10之间的整数,并且Y选自:
Figure C2006100837160009C3
Figure C2006100837160009C4
在上述的Y中,选择的1到9中的每一个分别选自:-A,-(CA2)nCA3,-O(CA2)nCA3,-(O(CA2)m)nCA3,-O(CA2)nOCA3,-(O(CA2)m)nOCA3
Figure C2006100837160009C5
Figure C2006100837160009C6
其中m和n是0到10之间的整数,A和B分别代表H,F,Cl,CN,CF3或CH3
其中,查耳酮化合物是由如下化学式表示:
Figure C2006100837160010C1
其中,n是0到10之间的整数,选择的1到5中的每一个均分别选自:-A,-(CA2)nCA3,-O(CA2)nCA3,-(O(CA2)m)nCA3,-O(CA2)nOCA3,-(O(CA2)m)nOCA3
Figure C2006100837160010C2
Figure C2006100837160010C4
其中m和n是0到10之间的整数,A和B分别代表H,F,Cl,CN,CF3或CH3
其中,香豆素化合物是由如下化学式表示:
其中,选择的1到6中的每一个均分别选自:-A,-(CA2)nCA3,-O(CA2)nCA3,-(O(CA2)m)nCA3,-O(CA2)nOCA3,-(O(CA2)m)nOCA3
Figure C2006100837160010C6
Figure C2006100837160010C7
其中,m和n是0到10之间的整数,A和B分别代表H,F,Cl,CN,CF3或CH3
其中,马来酰亚胺化合物是由如下化学式表示:
Figure C2006100837160011C1
其中,Y选自:
Figure C2006100837160011C2
Figure C2006100837160011C3
其中n是0到10之间的整数,选择的1和2中的每一个均选自:-H,-F,-CH3,-CF3,-CN,
Figure C2006100837160011C4
其中,聚合物主链是聚酰胺酸化合物或以下列化学式表示的聚酰亚胺化合物:
Figure C2006100837160011C5
其中使得m+n=1,0≤m≤1且0≤n≤1;
其中,聚酰亚胺化合物或聚酰胺酸化合物通过胺和二酸酐之间的反应来制备;
其中,二酸酐选自:
Figure C2006100837160011C6
Figure C2006100837160012C1
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,摩擦过的定向层的取向方向与用紫外线照射过的定向层的取向方向相同。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,照射紫外线的步骤在基板的整个表面上进行。
15.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,照射紫外线的步骤仅仅在基板上形成台阶的地方的定向层的区域中进行。
16.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,摩擦工序在照射紫外线步骤之前进行。
17.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,照射紫外线步骤在摩擦工序之前进行。
18.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,在摩擦工序和照射紫外线步骤同时进行。
19.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,照射紫外线的步骤通过照射部分偏振紫外线或线性偏振紫外线进行。
20.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,偏振紫外线具有10mJ至3000mJ范围的照射能量。
21.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,紫外线相对于基板垂直地或倾斜地照射基板。
22.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,涂覆定向层的步骤是通过将取向成分溶解在有机溶剂中形成的浓度为1~20wt%和粘度为1~1000cps的溶液进行旋转涂覆或滚动涂覆来进行。
23.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,进行涂覆定向层的步骤以获得50nm到200nm的厚度。
24.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,进一步包括将两个基板彼此粘结。
25.根据权利要求24所述的方法,其特征在于,彼此粘结两个基板的步骤包括在任意一个基板上滴加液晶。
26.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,二酸酐的氢原子被肉桂酰化合物所取代。
27.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,二酸酐的氢原子被查耳酮化合物所取代。
28.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,二酸酐的氢原子被香豆素化合物所取代。
29.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,二酸酐的氢原子被马来酰亚胺化合物所取代。
30.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,胺选自下组a)至e):
Figure C2006100837160013C1
其中X1是O,CO,
Figure C2006100837160013C2
其中,n是0到20之间的整数,并且H被F取代,
Figure C2006100837160013C3
其中n是0到20之间的整数,并且H被F取代,
Figure C2006100837160014C2
X1是邻位-,间位-,对位-或它们的组合结构;
Figure C2006100837160014C3
其中R1和R2是(CH2)n,其中n是0到10之间的整数或
Figure C2006100837160014C4
Figure C2006100837160014C5
其中X是(CH2)nH,CN,OCF3,O(CH2)nH,或O(CF2)nCF3
d)NH2-(CH2)n-NH2,其中n是1到20之间的整数;
e)—(CH2)n—NH2,—O(CH2)n—NH2
Figure C2006100837160014C6
Figure C2006100837160014C7
Figure C2006100837160015C1
其中m和n是0到10之间的整数。
31.根据权利要求30所述的方法,其特征在于,胺的氢原子被肉桂酰化合物所取代。
32.根据权利要求30所述的方法,其特征在于,胺的氢原子被查耳酮化合物所取代。
33.根据权利要求30所述的方法,其特征在于,胺的氢原子被香豆素化合物所取代。
34.根据权利要求30所述的方法,其特征在于,胺的氢原子被马来酰亚胺化合物所取代。
35.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,定向层的聚合物材料能吸收的光的最大波长λmax为270nm至350nm因而不会因为紫外线的原因而发生光分解。
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