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KR101450877B1 - 액정표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

액정표시장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR101450877B1
KR101450877B1 KR1020070118234A KR20070118234A KR101450877B1 KR 101450877 B1 KR101450877 B1 KR 101450877B1 KR 1020070118234 A KR1020070118234 A KR 1020070118234A KR 20070118234 A KR20070118234 A KR 20070118234A KR 101450877 B1 KR101450877 B1 KR 101450877B1
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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 방향족 화합물을 갖는 광배향성 화합물로부터 배향막을 형성하고, 상기 배향막의 가교 공정을 더 수행함에 따라, 상기 배향막의 열안정성 저하 및 잔상을 개선할 수 있는 액정표시장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
액정, 열안정성, 잔상, 배향, 말레이미드, 광분해

Description

액정표시장치 및 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
액정표시장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 열적 안정성을 갖는 광배향막을 포함하는 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device ; LCD)는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술 집약적이며 부가가치가 높은 차세대 첨단 디스플레이(display) 소자로 각광받고 있다.
이와 같은 액정 표시 장치는 광의 투과도에 따라 영상을 표시하는 액정패널 및 상기 액정 패널에 상기 광을 제공하는 백라이트를 포함한다.
액정패널은 박막트랜지스터와 화소전극을 갖는 하부기판, 상기 하부기판과 대향되고 블랙매트릭스 및 컬러 필터를 갖는 상부기판, 그리고 상기 두 기판들 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
액정패널의 특성(예를 들면, 광투과성, 시야각, 콘트라스트등)은 액정의 배열특성과 밀접한 관계를 가지고 있다. 이로써, 액정패널은 상기 액정을 일정한 방 향으로 배열하기 위해, 액정을 형성하기 전에 기판상에 배향막을 형성한다. 상기 배향막을 형성하는 공정은 배향물질이 형성된 기판상에 러빙천을 물리적으로 접촉시키는 러빙공정이 널리 이용되고 있다. 여기서, 러빙공정은 정전기의 발생을 초래할 수 있으며, 이에 따른 상기 정전기는 기판상에 형성된 박막트랜지스터의 손상을 초래할 수 있으며, 배향막의 표면을 오염시킬 수 있다.
러빙 공정에 의한 문제점을 해결하기 위해, 비접촉식 방식의 액정 배향 방법이 연구되어 지고 있다. 비접촉식 방식의 예로서는 광조사를 이용하는 방법일 수 있다. 광조사를 이용하는 방법은 크게 광이성화법, 광분해법 및 광중합법등을 포함할 수 있다.
이들 중 광분해법은 광배향성 물질을 포함하는 유기물질에 광을 조사하여 특정한 방향으로 분자의 부분 결합을 선택적으로 절단하는 광분해 반응을 이용하여 광학 이방성을 발생시켜 액정을 배열시키는 방식이다. 이때, 광분해법은 상기 유기물질이 분해하며 배향막을 형성함에 따라, 배향막에 포함된 유기물질의 분자량은 감소되므로, 배향막의 열적 특성이 저하될 수 있다. 이에 따라, 배향막에 열적 스트레스가 가해질 경우, 배향막의 배향력이 변형되어 액정 배향이 틀어지게 된다. 이로 인해, 액정 배향의 제어가 어려워지게 되고, 결국 열적 스트레스가 가해진 일정 영역의 휘도가 상승하는 잔상문제를 초래할 수 있다.
본 발명의 하나의 과제는 열적 안정성 및 잔상 문제를 해결할 수 있는 액정표시장치 및 이의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 액정표시장치를 제공한다. 상기 액정표시장치는 제 1 기판, 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판, 상기 제 1 및 제 2 기판사이에 개재된 액정층, 및 상기 제 1 및 제 2 기판 중 적어도 어느 하나의 내측면에 배치되며, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 형성된 배향막을 포함한다.
Figure 112007083100205-pat00001
여기서, R은 방향족계 화합물이다.
예를 들면, 상기 R은 하기 화학식 2 내지 6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112007083100205-pat00002
Figure 112007083100205-pat00003
Figure 112007083100205-pat00004
Figure 112007083100205-pat00005
Figure 112007083100205-pat00006
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 액정표시장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 제 1 기판을 제공하는 단계, 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판을 제공하는 단계, 상기 제 1 및 제 2 기판 중 적어도 어느 하나의 내측면에 배치되며, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로 배향막을 형성하는 단계, 및 상기 제 1 및 제 2 기판사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112007083100205-pat00007
여기서, R은 방향족계 화합물이다.
상기 배향막을 형성하는 단계는 상기 제 1 또는 제 2 기판의 내측면에 상기 화학식 1을 포함하는 조성액을 도포하여 배향 전구체막을 형성하는 단계, 상기 배향막을 형성하기 위해 상기 배향 전구체막에 광을 조사하는 단계, 상기 배향막에 가교 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
이에 더하여, 상기 배향조성물은 점도가 증가되는 것을 방지하기 위해, 상기 배향조성물은 하기 화학식 7로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다.
Figure 112007083100205-pat00008
본 발명의 배향막은 광조사에 의한 광분해법과 같이 비접식 방식으로 형성됨에 따라, 배향막 표면의 오염 및 정전기 발생을 방지할 수 있다.
또한, 상기 배향막은 방향족 화합물을 구비하고, 광분해 후에 형성된 부산물 을 가교시키는 공정을 추가하여, 상기 배향막의 유리전이온도를 향상시킴으로써 상기 배향막의 열안정성 및 잔상을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들은 액정표시장치의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 1를 참조하면, 액정표시장치는 제 1 기판(100), 제 1 기판(100)과 마주하는 제 2 기판(200), 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)사이에 개재된 액정층(300) 및 상기 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(200) 중 적어도 어느 하나의 내측면에 배치된 배향막(400a, 400b)을 포함한다.
구체적으로, 상기 제 1 기판(100)은 영상을 표현하기 위한 다수의 화소들이 배치되어 있다. 여기서, 화소들은 상기 제 1 기판(100)상에 서로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선(도면에는 도시되지 않음)에 의해 정의될 수 있다. 상기 각 화소에는 게이트 배선과 데이터 배선에 전기적으로 연결된 박막트랜지스터(Tr)가 배 치되어 있다. 여기서, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 배선으로부터 분기된 게이트 전극(110), 게이트 전극(110)을 덮는 게이트 절연막(120), 게이트 전극(110)과 대응된 게이트 절연막(120)상에 배치된 반도체 패턴(130), 반도체 패턴(130)상에 배치된 소스전극(140a), 반도체 패턴(130)상에 배치되며 소스전극(140a)과 이격된 드레인 전극(140b)을 포함한다.
상기 제 1 기판(100)상에 상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮는 보호막(150)이 배치되어 있다. 상기 보호막(150)상에 상기 드레인 전극(140b)과 전기적으로 연결된 화소전극(180)이 배치되어 있다.
상기 화소전극(180)을 포함하는 제 1 기판(100)의 전면에 제 1 배향막(400a)이 배치되어 있다.
상기 제 1 배향막(400a)은 상기 액정층(300)을 구성하는 액정분자들을 일정한 방향으로 배향시키는 역할을 한다.
상기 제 1 배향막(400a)은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 형성될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112007083100205-pat00009
여기서, R은 방향족 화합물일 수 있다. 예를 들면, 상기 R은 하기 화학식 2 내지 6으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112007083100205-pat00010
[화학식 3]
Figure 112007083100205-pat00011
[화학식 4]
Figure 112007083100205-pat00012
[화학식 5]
Figure 112007083100205-pat00013
[화학식 6]
Figure 112007083100205-pat00014
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 광을 조사할 경우, 액정의 배향을 위한 이방성을 가지기 위하여, 말레이미드기를 갖는 시클로부탄이미드링계 화합물 및 부 산물로 분해될 수 있다. 상기 부산물은 액정의 배향에 영향을 미치지 않는다. 상기 부산물은 광산화물일 수 있다. 상기 부산물에 의해 상기 제 1 배향막(400a)의 열안정성이 저하될 수 있다. 이를 해결하기 위해, 상기 부산물은 제 1 배향막(400a)을 형성하는 공정에서 열처리 공정에 의해 서로 가교될 수 있다. 이에 더하여, 상기 시클로부탄이미드링 및 상기 부산물에 방향족 화합물인 R을 가질 수 있다. 즉, 상기 제 1 배향막(400a)의 부산물은 서로 가교되고, 또한, 상기 제 1 배향막(400a)에 포함된 화합물에 방향족 화합물을 가짐에 따라, 상기 제 1 배향막(400a)의 유리전이온도가 향상될 수 있다. 이로써, 상기 제 l 배향막(400a)의 열안정성은 향상되고, 결국, 상기 제 1 배향막(400a)의 잔상문제를 해결할 수 있다.
상기 제 2 기판(200)의 내측면에 색상을 구현하기 위한 컬러필터 패턴(220)이 배치되어 있다. 자세하게, 상기 제 2 기판(200)의 내측면에 빛샘을 방지하기 위한 블랙매트릭스(210)가 배치되어 있다. 상기 블랙매트릭스(210)는 영상을 표시하기 위한 화소를 노출하는 개구부가 형성되어 있다. 상기 개구부, 즉 화소에 컬러필터 패턴(220)이 배치되어 있다. 상기 블랙매트릭스(210) 및 컬러필터 패턴(220)을 포함하는 제 2 기판(200)의 전면에 오버코트층(230)이 더 배치될 수 있다. 상기 오버코트층(230)은 평탄한 상면을 가짐에 따라 상기 블랙매트릭스(210) 및 컬러필터 패턴(220)에 의해 형성된 단차를 제거한다.
상기 오버코트층(230)상에 공통전극(240)이 배치되어 있다. 여기서, 상기 공통전극(240) 및 화소전극(240)에 의해 형성된 전계에 의해 액정층(300)의 액정분자들은 구동된다.
상기 공통전극(230)상에 상기 제 1 배향막(400a)과 마주하는 제 2 배향막(400b)이 더 배치되어 있을 수 있다. 상기 제 2 배향막(400b)은 상기 제 1 배향막(400a)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
도 2a 내지 도 2d들은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 액정표시장치를 제조하기 위해, 다수의 화소들이 정의된 제 1 기판(100)상에 서로 교차하는 게이트 배선과 데이터 배선 및 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차부에 박막트랜지스터(Tr)를 형성한다. 상기 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 배선으로부터 분기된 게이트 전극(110), 게이트 전극(110)을 덮는 게이트 절연막(120), 게이트 전극(110)과 대응된 게이트 절연막(120)상에 배치된 반도체 패턴(130), 반도체 패턴(130)상에 배치된 소스전극(140a), 반도체 패턴(130)상에 배치되며 소스전극(140a)과 이격된 드레인 전극(140b)을 포함할 수 있다.
상기 박막트랜지스터(Tr)를 제 1 기판(110)상에 보호막(150)을 형성한다. 상기 보호막(150)은 유기막, 무기막 및 이들의 적층막으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 보호막(150)이 유기막으로 형성될 경우, 상기 보호막(150)은 슬릿 코팅, 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법 등을 통해 형성할 수 있다. 반면, 상기 보호막(150)이 무기막으로 형성될 경우, 상기 보호막(150)은 화학기상증착법을 통해 형성할 수 있다.
상기 보호막(150)상에 상기 드레인 전극(140b)과 전기적으로 연결된 화소전극(180)을 형성한다. 상기 화소전극(180)을 형성하기 위해, 상기 보호막(150)상에 투명 도전막을 형성한다. 상기 투명 도전막은 증착법으로 형성할 수 있다. 상기 투명 도전막의 재질의 예로서는 ITO 또는 IZO일 수 있다. 상기 투명 도전막을 식각하여, 상기 제 1 전극(180)을 형성할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 제 1 전극(180)을 포함하는 제 1 기판(100)상에 제 1 배향막(400a)을 형성한다.
상기 제 1 배향막(400a)을 형성하기 위해, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 배향 조성물을 도포하여, 배향 전구체막을 형성한다.
[화학식 1]
Figure 112007083100205-pat00015
여기서, R은 방향족 화합물일 수 있다. 예를 들면, 상기 R은 하기 화학식 2 내지 6으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112007083100205-pat00016
[화학식 3]
Figure 112007083100205-pat00017
[화학식 4]
Figure 112007083100205-pat00018
[화학식 5]
Figure 112007083100205-pat00019
[화학식 6]
Figure 112007083100205-pat00020
상기 배향 전구체막을 형성하는 방법의 예로서는 슬릿 코팅법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법등일 수 있다.
상기 배향 전구체막에 광을 조사하여, 제 1 배향막(400a)을 형성할 수 있다. 상기 광은 편광된 자외선 또는 비편광된 자외선일 수 있다. 상기 광을 조사하는 광원의 예로서는 고압 수은 램프, 크세논 램프등일 수 있다. 상기 광의 세기는 0. 5 내지 10 J/cm2일 수 있다. 여기서, 상기 광의 세기가 약 1 J/cm2일 경우, 상기 화학 식 1로 표시되는 화합물이 충분하게 분해될 수 있다.
상기 광이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물로 조사될 경우, 하기 반응식 1과 같이 분해될 수 있다.
Figure 112007083100205-pat00021
상기 반응식 1에서와 같이, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 이방성을 가지기 위해 말레이미드기를 갖는 시클로부탄이미드링계 화합물 및 부산물로 분해될 수 있다.
상기 광을 조사하는 공정은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 분해공정에서 카르보닐기의 산화를 방지하기 위해 질소 분위기 하에서 이루어질 수 있다. 이로써, 상기 카르보닐기의 산화로 인해 잔상 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 부산물은 말레이미드기 및 방향족 화합물을 포함하고 있어, 내열성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 상기 부산물은 액정의 배향에 영향을 미치지 않는다. 그러나, 상기 제 1 배향막(400a)에 열적 스트레스가 지속적으로 가해질 경우, 상기 부산물은 시클로부탄이미드링계 화합물과 재결합되거나, 제 1 배향막(400a)의 변형을 일으킬 수 있다.
이를 해결하기 위해, 상기 부산물을 서로 가교시키기 위해, 상기 제 1 배향막(400a)을 포함하는 제 1 기판(100)에 열처리 공정을 수행한다. 상기 부산물은 말레이미드기의 경화공정으로 서로 가교되어, 상기 부산물의 반응이 더 이상 발생하지 않을 수 있다. 이로써, 상기 제 1 배향막(400a)의 변형을 방지하여, 잔상 문제를 해결할 수 있다. 또한, 제 1 배향막(400a) 자체의 유리전이온도가 향상됨에 따라, 열에 의한 제 1 배향막(400a)의 유동성이 낮아진다. 즉, 상기 제 1 배향막(400a)의 열 안정성을 향상시킬 수 있다.
이에 더하여, 상기 배향 조성물은 점도의 상승을 제어하기 위하여, 에테르기를 포함하는 말레이미드계 화합물, 예컨대 하기 화학식 7로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다.
[화학식 7]
Figure 112007083100205-pat00022
상기 열처리 온도의 범위는 100 내지 300℃일 수 있다. 여기서, 상기 열처리 온도가 100℃이하일 경우, 상기 제 1 배향막(400a)의 가교 공정이 수행안 될 수 있 다. 반면, 상기 열처리 온도가 400℃초과할 경우, 상기 제 1 배향막(400a)의 열분해가 일어날 수 있다.
상기 가교 공정은 사이드 반응을 방지하기 위해 질소 분위기하에서 수행될 수 있다.
이에 더하여, 상기 배향 공정과 상기 가교 공정은 동일한 챔버내에서 이루어지거나, 서로 다른 챔버내에서 수행될 수 있다.
도 2c를 참조하면, 상기 제 1 기판(100)상에 박막트랜지스터(Tr)를 형성하는 것을 별개로 제 2 기판(200)을 제공한다.
상기 제 2 기판(200)상에 다수의 개구부를 갖는 블랙매트릭스(210)를 형성한다. 즉, 상기 블랙매트릭스(210)는 상기 제 1 기판(100)의 게이트 배선 및 데이터 배선 및 박막트랜지스터와 대응하여 상기 제 2 기판(200)상에 배치된다.
상기 블랙매트릭스(210)는 상기 제 2 기판(200)상에 블랙 수지막을 형성한 후, 상기 블랙 수지막을 노광 및 현상하여 형성할 수 있다. 이와 달리, 상기 블랙매트릭스(210)가 크롬과 같은 무기물질로 형성될 경우, 포토레지스트를 이용한 식각 공정으로 형성할 수 있다.
상기 개구부에 컬러필터 패턴(220)을 형성한다. 상기 컬러필터 패턴(220)을 형성하기 위해, 상기 블랙매트릭스(210)를 포함하는 제 2 기판(200)상에 컬러필터 수지막을 형성한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 상기 컬러필터 패턴(220)을 형성한다.
상기 블랙매트릭스(210) 및 상기 컬러필터 패턴(220)을 포함하는 제 2 기 판(200)상에 오버코트층(230)을 형성한다.
상기 오버코트층(230)상에 공통전극(240)을 형성한다. 상기 공통전극(240)은 투명한 도전막, 예컨대 ITO 또는 IZO로 형성할 수 있다.
상기 공통전극(240)상에 제 2 배향막(400b)을 더 형성할 수 있다. 상기 제 2 배향막(400b)은 상기 제 1 배향막(400a)을 형성하는 방법과 동일한 방법으로 형성할 수 있다.
도 2d를 참조하면, 상기 제 1 및 제 2 기판의 에지를 따라 밀봉부재(도면에는 도시하지 않음.)를 형성한다. 이후, 상기 제 1 및 제 2 기판상에 액정을 적하한 후, 상기 밀봉부재를 이용하여 상기 제 1 및 제 2 기판을 합착한다. 본 발명의 실시예에서, 상기 액정층을 형성하는 방법을 액정 적하방식으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 액정층은 액정 주입법을 통해 형성할 수도 있다.
이하, 가교 공정 여부에 따른 배향막의 특성 변화를 관찰하였다.
배향막의 가교 공정 전후의 잔상 변화를 측정하기 위해, 상기 제 2 실시예를 참조하여 제 1 및 제 2 액정표시장치(A1, A2)와 제 3 및 제 4 액정표시장치(B1, B2)를 제조하였다. 상기 제 1 및 제 2 액정표시장치(A1, A2)의 배향막은 하기 화학식 8로 표시되는 화합물로부터 형성하였다. 상기 제 2 액정표시장치(A2)의 배향막은 가교 공정을 수행하였고, 상기 제 1 액정표시장치(A1)의 배향막은 가교 공정을 수행하지 않았다.
또한, 상기 제 3 및 제 4 액정표시장치(B1, B2)는 하기 화학식 9로 표시되는 화합물로부터 형성하였다. 상기 제 4 액정표시장치(B2)의 배향막은 가교 공정을 수 행하였고, 상기 제 3 액정표시장치(B1)의 배향막은 가교 공정을 수행하지 않았다.
상기 가교 공정은 230℃의 열처리로 수행하였다.
Figure 112007083100205-pat00023
Figure 112007083100205-pat00024
도 3은 배향막의 가교 공정 여부에 따른 잔상을 측정한 그래프이다.
도 3에서와 같이, 상기 제 1 액정표시장치(A1)에 비해 상기 제 2 액정표시장치(A2)의 잔상이 개선되었다. 또한, 상기 제 3 액정표시장치(B1)에 비해 상기 제 4 액정표시장치(B2)의 잔상이 개선되었다. 이로써, 가교공정으로 인해, 잔상이 개선됨을 확인할 수 있었다.
이에 더하여, 상기 제 2 액정표시장치(A2)에 비해 상기 제 4 액정표시장치(B2)의 잔상이 더 개선됨을 확인할 수 있었다.
도 4는 UV 조사에너지에 따른 배향막의 유리전이온도 변화를 도시한 그래프이다. 도 4는 상기 제 3 및 제 4 액정표시장치의 UV 조사에너지에 따른 배향막의 유리전이온도 변화를 도시한 그래프이다.
도 4에서와 같이, 상기 제 3 액정표시장치(B1)는 UV 조사에너지의 증가에 따라 유리전이온도가 감소됨을 확인할 수 있었다. 반면, 상기 제 4 액정표시장치(B2)는 UV 조사에너지의 증가에 따라 유리전이온도가 거의 일정함을 확인할 수 있었다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 배향막은 방향족 화합물을 가지고, 상기 배향막을 형성하는 공정에서 가교 공정을 더 수행함에 따라, 상기 배향막의 유리전이온도를 향상시켜, 결과적으로 상기 배향막의 열적 안정성 향상 및 잔상 문제가 개선됨을 확인할 수 있었다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d들은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 3은 배향막의 가교 공정 여부에 따른 잔상을 측정한 그래프이다.
도 4는 UV 조사에너지에 따른 배향막의 유리전이온도 변화를 도시한 그래프이다.
(도면의 주요 부분에 대한 참조 부호의 설명)
100 : 제 1 기판
200 : 제 2 기판
300 : 액정층
400a : 제 1 배향막
400b : 제 2 배향막

Claims (10)

  1. 제 1 기판;
    상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판;
    상기 제 1 및 제 2 기판사이에 개재된 액정층; 및
    상기 제 1 및 제 2 기판 중 적어도 어느 하나의 내측면에 배치되며, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 배향 조성물로부터 형성된 배향막을 포함하고,
    하기 화학식 1로 표시되는 화합물은 광 조사시 말레이미드기를 갖는 시클로부탄이미드링계 화합물 및 말레이미드기 및 방향족 화합물을 포함하는 부산물로 분해되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    [화학식 1]
    Figure 112014045106634-pat00025
    여기서, R은 방향족계 화합물이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 R은 하기 화학식 2 내지 6 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    [화학식 2]
    Figure 112007083100205-pat00026
    [화학식 3]
    Figure 112007083100205-pat00027
    [화학식 4]
    Figure 112007083100205-pat00028
    [화학식 5]
    Figure 112007083100205-pat00029
    [화학식 6]
    Figure 112007083100205-pat00030
  3. 제 1 기판을 제공하는 단계;
    상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판을 제공하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 기판 중 적어도 어느 하나의 내측면에 하기 화학식 1을 포함하는 배향 조성물을 도포하여 배향 전구체막을 형성하는 단계;
    상기 배향 전구체막에 광을 조사하여 하기 화학식 1을 말레이미드기를 갖는 시클로부탄이미드링계 화합물 및 말레이미드기 및 방향족 화합물을 포함하는 부산물로 분해하여 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 및 제 2 기판사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조 방법.
    [화학식 1]
    Figure 112014045106634-pat00031
    여기서, R은 방향족계 화합물이다.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 배향막을 형성하는 단계는
    상기 배향막에 가교 공정을 수행하여 상기 부산물을 서로 가교시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 광을 조사하는 단계는 질소 분위기하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 가교 공정은 상기 배향막에 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 가교 공정은 100 내지 300℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 가교 공정은 질소 분위기하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 배향 조성물은 하기 화학식 7로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    [화학식 7]
    Figure 112014045106634-pat00039
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 배향 조성물은 하기 화학식 7로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
    [화학식 7]
    Figure 112014045106634-pat00040
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