CN100523972C - 液晶面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶面板，其包含：延伸存在于邻接的第一像素与第二像素之间的配线；前述第一像素用的第一像素组件部；前述第二像素用的第二像素组件部；前述第一像素用的第一像素电极；前述第二像素用的第二像素电极。前述第一像素组件部是相对于前述配线设置在前述第一像素侧。前述第二像素组件部是与前述第一像素组件部一同，相对于前述配线设置在前述第一像素侧。前述第一像素用的第一像素电极是相对于前述配线在前述第一像素侧，与前述第一像素组件部连接。前述第二像素用的第二像素电极是以横越前述配线的方式配置，而相对于前述配线在前述第一像素侧，与前述第二像素组件部连接。

Description

液晶面板

技术领域

本发明涉及一种液晶面板，特别是为了进行色度调整等而调整像素的开口面积这种情况的液晶面板。

背景技术

图11至图13是表示现有的TN(Twisted Nematic扭转向列)模式液晶面板130T的显示区域的四像素份的平面结构(配置)。为了易于理解，图11是图示从图12去除像素电极152的状态，图12是图示从图13去除黑矩阵(BM)162的状态。

在液晶面板130T中，像素P是对应于黑矩阵162的开口部，依据该开口部的形状形成轮廓。像素P是设置在邻接的漏极配线146之间。液晶面板130T的各像素P是相同大小。在邻接的漏极配线146之间的区域146B，分别配置有像素P用的像素TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)170、保持电容172及像素电极152。

图14至图17是表示现有的FFS(Fringe Field Switching边缘电场转换)模式液晶面板130F的显示区域的四像素份的平面结构(配置)。为了易于理解，图14是图示从图15去除像素电极152的状态，图15是图示从图16去除共同电极160的状态，图16是图示从图17去除黑矩阵162的状态。

在液晶面板130F中，共同电极160设置在阵列(array)衬底上，且重迭于像素电极152而配置。通过在共同电极160与像素电极152之间，由共同电极160的开缝而产生的电场，控制液晶的配向状态。在液晶面板130F中，像素P是由黑矩阵162的开口部所形成，且设置在邻接的漏极配线146之间。液晶面板130F的各像素P是相同大小。在邻接的漏极配线146之间的区域146B，分别配置有像素P用的像素TFT170、像素电极152及共同电极160。此外，在黑矩阵162的开口部形成有滤色器。

已知有一种利用例如红(R)、绿(G)、蓝(B)及青(cyan)(C)的4色来扩大色再现区域的广色域化技术。在广色域化技术中，为了调整色度而有必要减小特定色的像素的开口面积，例如利用对向衬底的黑矩阵或TFT衬底的金属配线对像素P的一部分进行遮光，以使像素开口面积减少。

在现有的色度调整方法中，图18(a)是显示色度调整前的状态，图18(b)是显示色度调整后的状态。图18(a)及图18(b)中是例示各像素的开口率在色度调整前全部为60％，且为了进行色度调整而将特定显示色的像素Q的像素开口面积设为邻接的像素P的一半的情况。此时，利用黑矩阵等将像素Q的开口率设定为30％。

然而，为了进行色度调整而对像素进行遮光时，会有液晶面板的整体亮度也降低的情况。在图18(b)的例中，在色度调整后面板开口率降低至45％，结果液晶面板整体的亮度会降低。

发明内容

本发明的目的是提供一种在为了进行色度调整而减小像素的开口面积时，可避免液晶面板整体的亮度降低的液晶面板。

根据本发明的一个方面，液晶面板包含：延伸存在于邻接的第一像素与第二像素之间的配线；前述第一像素用的第一像素组件部；及前述第二像素用的第二像素组件部；前述第一像素用的第一像素电极；前述第二像素用的第二像素电极。前述第一像素组件部是相对于前述配线设置在前述第一像素侧。前述第二像素组件部是与前述第一像素组件部一同，相对于前述配线，设置在前述第一像素侧。前述第一像素用的第一像素电极是相对于前述配线在前述第一像素侧，与前述第一像素组件部连接。前述第二像素用的第二像素电极是以横越前述配线的方式配置，而相对于前述配线在前述第一像素侧，与前述第二像素组件部连接。

附图说明

图1(a)及图1(b)是说明本发明的液晶面板的像素的示意图。

图2是说明本发明实施形态的TN模式液晶面板的剖视图。

图3至图5是说明本发明实施形态的TN模式液晶面板的平面图。

图6是说明本发明实施形态的FFS模式液晶面板的剖视图。

图7至图10是说明本发明实施形态的FFS模式液晶面板的平面图。

图11至图13是说明现有的TN模式液晶面板的平面图。

图14至图17是说明现有的FFS模式液晶面板的平面图。

图18(a)及图18(b)是说明现有的色度调整方法的示意图。

具体实施方式

以下，利用图示详细说明本发明的实施形态。

图1(a)及图1(b)是说明本发明的液晶面板的像素的示意图。图1(b)是本发明的液晶面板的示意图，为了进行色度调整而使像素P1、P2的开口面积相异。图1(a)是未进行色度调整的、用于比较的液晶面板的示意图，全部的像素P的开口面积相等。

这里，在液晶面板的显示面的平面图中，像素一般被认为是可调整亮度的最小单位区域。各像素，例如通过滤色器(CF)设定着色区域，分别显示预定的显示色，例如红(R)、绿(G)、蓝(B)及青(C)的任一显示色。此外，通过邻近的各色的上述像素的集合体构成彩色显示用的一个单位，该集合体也被称为像素(pixel)。此时，作为亮度变化的最小单位的上述像素有时也被称为子像素(sub pixel)。

例示性的结构如后述，各像素的开口部可由黑矩阵(遮光膜)等规定轮廓、大小等。在设置于后述的阵列衬底上的多个漏极配线的中心线间区域(以下称配线间区域)内，在漏极配线的延伸方向并列配置有多个像素。并列配置在配线间区域内的多个像素是由黑矩阵等区分隔开。即，各配线间区域是在漏极配线的延伸方向划分为多个区域，在各区域设置有像素。这里，将该区域称为像素配置区域。像素配置区域是在液晶面板的显示区域中被规定为例如矩阵状，此时像素是被配置成矩阵状。

该像素配置区域中，除了黑矩阵的配置部分及存在于像素内的遮光性元件(例如TFT、保持电容、配线等)的配置部分之外，剩余的部分成为像素的开口部。该开口部的面积就是像素开口面积。

如图1(a)所示，在比较用的液晶面板中，各像素P的结构相同。其例示，像素P的开口部相对于像素配置区域的面积比、即像素开口率为60％的情况。此时，液晶面板整体的开口率(面板开口率)也大致为60％。

相对于此，如图1(b)所示，本发明的液晶面板的像素P2具有使存在于上述像素P内的遮光性元件的一部分移动至相邻的像素的结构。由此，像素P2与像素P相比可以使像素开口面积即像素开口率增加。另一方面，像素P1被设定为预定显示色的像素，该预定显示色的像素P1，为了进行色度调整而被设定为，与像素P2相比可以使像素开口面积即像素开口率减小。为减小在像素P1的像素开口面积，而利用追加的上述遮光性元件的一部分。

这里，上述经设定的像素P1是与像素P2相比，显示包含强度较强波长显示色的像素，在通过例如红(R)、绿(G)、蓝(B)及青(C)的4色进行彩色显示的液晶面板的情况中，像素P1的显示色是绿色或青，像素P2的显示色是蓝色或红色。由此进行色度的调整。

例如，为了进行色度调整，将像素P1的像素开口面积设定为像素P2的像素开口面积的一半时，通过将存在于像素P内的遮光性元件的20％设置于像素P1，即可分别将像素P2及像素P1的像素开口率设为80％及40％。根据该例，与现有的色度调整方法(参照图18(b))相比较，可得知像素P2的开口面积会增加，且随着像素P2的开口面积的增加，像素P1的开口面积的减小量可在较小范围内。

再者，根据上述例，面板开口率为60％，与未进行色度调整的液晶面板相同(参照图1(a))。即，根据本发明的液晶面板，无须使液晶面板整体的亮度降低，即可进行色度调整。或者，与现有的色度调整方法相比较，也可提升液晶面板整体的亮度。

图2是说明本发明的液晶面板一个示例，TN模式液晶面板30T的阵列衬底32T的剖视图，图3至图5是说明液晶面板30T的显示区域的四像素份的平面图(配置图)。图2是图3中的2-2线的剖视图。

液晶面板30T具有，在对向配置的阵列衬底32T与未图示对向衬底之间夹有未图示液晶的结构。在液晶面板30T中，通过阵列衬底32T的像素电极52与对向衬底的未图示共同电极之间的电场，控制液晶的配向状态，并调整像素的亮度。液晶面板30T不仅适用于TN模式，也可适用在VA(Vertical Alignment垂直配向)模式、ECB(Electricallycontrollable birefringence电场控制双折射)模式等。

首先，参照图2说明阵列衬底32T的剖面结构。

阵列衬底32T是由透光性衬底34、半导体层36、栅绝缘膜38、栅配线40、保持电容配线42、层间绝缘膜44、漏极配线46、源极电极48、平坦化膜50及像素电极52所构成。

透光性衬底34是由例如玻璃所构成。半导体层36是由例如多晶硅所构成，且配置在透光性衬底34上。栅绝缘膜38是由例如氧化硅、氮化硅等所构成，覆盖半导体层36，并且配置在透光性衬底34上。栅配线40是由例如钼Mo、铝Al等金属所构成。栅配线40是与半导体层36相对向配置在栅绝缘膜38上，并与栅绝缘膜38及半导体层36一同构成像素TFT70。栅配线也称为扫描线。保持电容配线42是由例如与栅配线40相同的材料所构成。保持电容配线42是与半导体层36相对向而配置在栅绝缘膜38上，与栅绝缘膜38及半导体层36一同构成保持电容72。

层间绝缘膜44是由例如氧化硅、氮化硅等所构成，覆盖栅配线40及保持电容配线42，并且配置在栅绝缘膜38上。贯通层间绝缘膜44与栅极绝缘膜38而设有接触孔。该接触孔设置在半导体层36中，分别接于像素TFT70的源极及漏极的位置。漏极配线46是由例如钼Mo、铝Al、锑Ti等金属所构成。漏极配线46配置在层间绝缘膜44上，且通过一侧的上述接触孔连接在半导体层36。此外，漏极配线也称为信号线。源极电极48是由例如与漏极配线46相同的材料所构成。源极电极48配置在层间绝缘膜44上，且通过另一侧的上述接触孔连接在半导体层36。

这里，在半导体层36中，将连接有漏极配线46的部分设为像素TFT70的漏极，将通过源极电极48连接有像素电极52的部分设为像素TFT70的源极，但也可与上述相反地称呼源极与漏极。为了使保持电容72与像素TFT70的源极连接，在半导体层36的源极侧使保持电容配线42与半导体层36相对向。

平坦化膜50是由例如丙烯酸等绝缘性透明树脂等所构成，覆盖漏极配线46及源极电极48，并且配置在层间绝缘膜44上。贯通平坦化膜50到源极电极48设有接触孔。像素电极52是由例如ITO(indium tinoxide氧化铟锡)等透明导电材料所构成，像素电极52是配置在平坦化膜50上，并且通过上述接触孔连接在源极电极48。

通过以上结构，在液晶面板30T中，通过像素TFT70及源极电极48电性(以电路方式)连接有漏极配线46及像素电极52；通过像素TFT70，漏极配线46与保持电容72电性(以电路方式)连接。因此，施加在漏极配线46的电位是通过像素TFT70施加在像素电极52及保持电容72。

接着，参照图3至图5，说明液晶面板30T的显示区域的四像素份的平面结构(配置)。为了容易理解，图3是表示从图4去除像素电极52的状态，图4是表示从图5去除黑矩阵62的状态，图3至图5中省略透光性衬底34等。此外，图4中以粗的点划线表示像素电极52，图5中以涂黑表示黑矩阵62，所述线的种类及涂黑是用以使图示更易于理解。

在液晶面板30T中，多条漏极配线46是分别以直线状延伸(图示的例中为沿纵方向延伸)。多条漏极配线46是排列在与延伸方向交叉的方向(这里为垂直正交的方向，图示的例中为横方向)，并相互平行地排列配置。这里例示是在多条漏极配线46整体中，各漏极配线46的排列间距相同的情况。而且，各漏极配线46的宽度(该配线48的排列方向的尺寸)也设为相同。此外，在图中表示的漏极配线46为直线状的情况，但也可是例如局部具有弯曲部但整体朝上述延伸方向延伸。此外，像素排列也可形成条纹状排列、三角形配列、马赛克排列等。

通过多条漏极配线46将多个像素配置区域46B规定在漏极配线46的排列方向。对于所述多个像素配置区域46B每隔一个配置两个像素P1、P2用的像素TFT70。即，配置有像素TFT70的像素配置区域46B及未配置有像素TFT70的像素配置区域46B是相互交替排列在漏极配线46的排列方向，在配置有像素TFT70的像素配置区域46B内配置有两个像素TFT70。再者，排列在漏极配线46的延伸方向的所有像素配置区域46B，并不一定必须要是未配置有像素TFT70的像素配置区域46B。例如，配置有像素TFT70的像素配置区域46B与未配置有像素TFT70的像素配置区域46B，也可以是相互交替排列在漏极配线46的延伸方向。

在图示的例中，关于各像素TFT70，半导体层36是呈类U字型延伸(图中该类U字型是上下反转)，栅配线40是横切该类U字型的两个腕部朝漏极配线46的排列方向、即与漏极配线46交叉的方向延伸。在该结构中，各像素TFT70的源极及漏极是位在与栅配线40相同侧(即一侧)。由此，像素TFT70是具有栅配线40在源极及漏极之间与半导体层36交叉两次的结构，即具有在半导体层36的源极及漏极之间设有两个栅电极的结构。栅配线40是共同设置在上述两个像素TFT70。而且，像素P1用的像素TFT70的源极及漏极、及像素P2用的像素TFT70的源极及漏极是相对于栅配线40设置在一侧。

再者，在图中关于上述两个像素TFT70的示例，一侧(在图中为左侧)的像素TFT70的半导体层36是将其一部分重迭在漏极配线46而配置的，另一侧(在图中为右侧)的像素TFT70的半导体层36是以未重迭于漏极配线46的方式配置。但是也可以重迭或未重迭于漏极配线46的方式配置两方的半导体层36。

上述两个像素TFT70是在像素配置区域46B中排列在漏极配线46的排列方向。上述两个像素TFT70中的每一个，其源极是设置在像素配置区域46B的靠近中央处，漏极是设置在漏极配线46侧。漏极分别连接在最近的漏极配线46，从而使两个像素TFT70分别连接在漏极配线46。即，像素P2用的像素TFT70连接在延伸于像素P1、P2间的漏极配线46，像素P1用的像素TFT70是连接在上述漏极配线46的旁边的漏极配线46。源极分别通过源极电极48而连接在像素电极52，并且连接在保持电容72。分别连接在各像素TFT70的像素电极52与保持电容72并未相互接触。

连接于一侧(图中的左侧)像素TFT70的像素电极52是整体设置在配置有上述两个像素TFT70的像素配置区域46B内。而且，在图示中，是例示该像素电极52的边缘未与漏极配线46重迭的情况，但也可设为与漏极配线46重迭的大小。

连接于另一侧(图中的右侧)像素TFT70的像素电极52是在配置有上述两个像素TFT70的像素配置区域46B中，连接于该另一侧的像素TFT70。即，像素P1用及像素P2用的两像素电极52是相对于漏极配线46在像素P1侧中，分别连接在对应的像素TFT70。连接于上述另一侧像素TFT70的像素电极52是横越该另一方连接像素TFT70的漏极配线46，到达邻接的像素配置区域46B(未配置有上述像素TFT70的像素配置区域46B)，并扩展至该邻接的像素配置区域46B内。即，该像素电极52是呈类L字形(图中为上下反转的L字形)。再者，在L字形的像素电极52，在未配置有像素TFT70的像素配置区域46B内的部分，是与配置有两个像素TFT70的像素配置区域46B内的上述像素电极52相比，在漏极配线46的延伸方向更长，因此较为宽广。此外在图中，是例示除了横越漏极配线46的部分以外，类L字形的像素电极52的边缘未重迭于漏极配线46的情况，但也可设为与漏极配线46重迭的大小。

在配置有两个像素TFT70的像素配置区域46B中，沿漏极配线46的排列方向排列配置有像素P1、P2用的上述两个保持电容72。保持电容72是排列配置在像素TFT70和漏极配线46的延伸方向。如上所述，连接有保持电容72的像素P1、P2用的源极是相对于栅配线40而设置在一侧，因此像素P1、P2用的保持电容72也是相对于栅配线40而设置在一侧。

黑矩阵62是由例如铬与氧化铬的积层膜所构成，并设置在对向衬底。黑矩阵62是设置在邻接的像素电极52之间，并对应于各像素配置区域46B设置有开口部62P1或开口部62P2。此时，黑矩阵62是重迭于各漏极配线46且沿着各漏极配线46而设置。一方的开口部62P1是对应于像素电极52而设置在配置有上述两个像素TFT70的像素配置区域46B，并规定像素P1的轮廓。另一方的开口部62P2是对应于像素电极52而设置在未配置有上述两个像素TFT70的像素配置区域46B，并规定像素P2的轮廓。在液晶面板30T中，黑矩阵62也设置在上述两个像素TFT70及类L字形的像素电极52中配置有上述两个像素TFT70的像素配置区域46B内的部分，因此开口部P2，即像素P2较大。

漏极配线46、栅配线40、保持电容配线42、及源极电极48是与黑矩阵同様地具有遮光性，也可与黑矩阵一同规定像素的开口部。

关于液晶面板30T，当将像素TFT70及保持电容72通称为像素组件部时，像素P2用的像素组件部是与像素P1用的像素组件部，一同设置在配置有像素P1的像素配置区域46B。即，像素P2的像素组件部是相对于漏极配线46(以该配线46为基准)配置在像素P1侧，而并未配置在像素P2侧。因此，像素P2用的像素组件部并不会对像素P2进行遮光。对像素P2(即开口部62P2)进行遮光的只有在图示的例中，与该像素P2重迭的栅配线40及保持电容配线42。因此，像素P2的开口面积是比像素P1更广，且与现有的液晶面板130T相比较有所增加。

为了进行色度调整等而以预定比例使像素P1的开口面积比像素P2的开口面积更加减小时，由于液晶面板30T，如上所述像素P2的开口面积会增加。因此，与现有的色度调整方法(参照图18(b))相比较，像素P1的开口面积的减小量可在较小范围内。因此，无须使液晶面板整体的亮度降低，即可进行色度调整等。或者，与现有的色度调整方法相比较，也可提升液晶面板整体的亮度。

图6是说明本发明的液晶面板另一示例的FFS模式液晶面板30F的阵列衬底32F的剖视图。图7至图10是说明液晶面板30F的显示区域的四像素份的平面图(配置图)。图6是图7中的6-6线的剖视图。

液晶面板30F是具有在对向配置的阵列衬底32F与未图示对向衬底之间夹有未图示液晶的结构。在液晶面板30F中，通过阵列衬底32F的像素电极52与共同电极60之间的电场，控制液晶的配向状态，并调整像素的亮度。

首先，参照图6说明阵列衬底32F的剖面结构。

阵列衬底32F是具备以下的结构：从阵列衬底32T(参照图2)去除保持电容配线42(即保持电容72)、并对上述阵列衬底32T追加共同电极配线54、共同电极用中继电极56、FFS绝缘膜58、共同电极60。

共同电极配线54是由例如与栅配线40相同的材料所构成，且配置在栅绝缘膜38上，由层间绝缘膜44所覆盖。在层间绝缘膜44设置有到达共同电极配线54的接触孔。共同电极用中继电极56是由例如与漏极配线46相同的材料所构成。共同电极用中继电极56是配置在层间绝缘膜44上，并且通过接触孔连接在共同电极配线54。

FFS绝缘膜58是由例如氮化硅等所构成，覆盖像素电极52并且配置在平坦化膜50上。在平坦化膜50设有到达共同电极用中继电极56的接触孔。在该接触孔的侧壁上设置有FFS绝缘膜58。共同电极60是由例如ITO(氧化铟锡)等透明导电材料所构成。共同电极60配置在FFS绝缘膜58上并且通过上述接触孔连接在共同电极用中继电极56。共同电极60是通过FFS绝缘膜58，与像素电极52相对向而设置，且在与像素电极52对向的部分具有多个开缝。通过在像素电极52与共同电极60之间由该开缝产生的电场，控制液晶的配向状态。

接着，参照图7至图10，说明液晶面板30F的显示区域的四像素份的平面结构(配置)。为了容易理解，图7是表示从图8去除像素电极52的状态，图8是表示从图9去除共同电极60的状态，图9是表示从图10去除黑矩阵62的状态，图7至图10中省略透光性衬底34等。此外，图8等图中以粗的点划线表示像素电极52，图9等图中以粗的实线表示共同电极60，图10中以涂黑表示黑矩阵62，所述线的种类及涂黑是用以使图示更易于理解。

在液晶面板30F中，与上述液晶面板30T同様地，配置有两个像素TFT70的像素配置区域46B及未配置有像素TFT70的像素配置区域46B是相互交替排列。连接于一侧(图中的左侧)的像素TFT70的像素电极52是整体设置在配置有上述两个像素TFT70的像素配置区域46B内。连接于另一侧(图中的右侧)的像素TFT70的像素电极52是横跨连接有该像素TFT70的漏极配线46，并遍布于邻接的两像素配置区域46B而配置。

在图7至图10的例示中，像素P1、P2用的半导体层36是以相互反向的方式设置成类U字形的形状(图中，像素P1用的半导体层36是以上下反转的形态设置成类U字形)。此时，像素P1用的像素TFT70的源极及漏极是设置在栅配线40的一侧，像素P2用的像素TFT70的源极及漏极是设置在相对于栅配线40的另一侧。再者，像素TFT70的该配置形态也可适用于上述液晶面板32T。相反地，关于液晶面板32T，例示的像素TFT70的上述配置形态(参照图3及图4)也可适用于液晶面板32F。

共同电极60是重迭于像素电极52而设置在各像素配置区域46B。图中是例示将共同电极60设置在各像素配置区域46B的情况。在各像素P1、P2分别包含有像素电极52、及通过该像素电极52与FFS绝缘膜58而设置的共同电极60，以构成保持电容。也可在邻接的多个像素P1、P2，甚至所有的像素P1、P2共同的设置共同电极，此时也可在各像素P1、P2不设置共同电极配线54及共同电极用中继电极56。

黑矩阵62是可与上述液晶面板30T的情况同様地设置。图中是例示，黑矩阵62并未与设置在像素配置区域46B内的两个像素TFT70重迭，且两个开口部62P1、62P1为相同形状及大小的情况。

关于液晶面板30F，当将像素TFT70称为像素组件部时，像素P2用的像素组件部是与像素P1用的像素组件部，一同设置在配置有像素P1的像素配置区域46B。因此，与上述液晶面板30T同样地，无须使液晶面板整体的亮度降低，即可进行色度调整等。或者，与现有的色度调整方法相比较，也可提升液晶面板整体的亮度。

再者，上述是例示像素组件部包含像素TFT70而构成的情况、和包含保持电容72而构成的情况。对像素设置其它组件时，该其它组件也可包含在移动至邻接的像素配置区域46B的像素组件部。

而且，上述是例示相当于像素TFT70在半导体层36的源极与漏极之间设置两个栅电极时的结构。像素TFT70也可使用一般的TFT，即栅配线42在源极与漏极之间与半导体层36交叉一次的构成的TFT。再者，也可使用其它开关组件、例如MIM(Metal Insulator Metal金属绝缘层金属)组件，来取代像素TFT70。此外，使用TFT作为上述开关组件的阵列衬底也被称为TFT衬底。

再者，上述虽是例示液晶面板30T、30F进行红(R)、绿(G)、蓝(B)及青(C)的4色的彩色显示的情况，但并非限定于所述颜色，且显示色的数量并非限定于4色。

再者，以4色的着色区域构成1像素时，可以在色相随波长而变化的可见光区域(380至780nm)中，由蓝色系色相的着色区域、红色系色相的着色区域、及从蓝色至黄色的色相中选择出的两种色相的着色区域共同构成该像素。这里是使用上述的色系，但例如为蓝色系时并非限定为纯粹蓝色的色相，也包含蓝紫或蓝绿等。若为红色系的色相，则并非限定为红色，也包含橘色。此外，所述着色区域也可以单一的着色层(滤色器)来构成，也可重迭多种不同的色相的着色层来构成。再者，这些着色区域虽是以色相来说明，该色相是适当变更彩度、亮度并设定颜色而得到的。

就具体的色相的范围而言，蓝色系色相的着色区域是蓝紫至蓝绿，更佳为深蓝色至蓝色。红色系色相的着色区域是橘色至红色。从蓝色至黄色的色相中选择出的一侧着色区域是蓝色至绿色，更佳为青至绿色。由蓝色至黄色的色相所选择的另一侧着色区域是绿色至橘色，更佳为绿色至黄色或绿色至黄绿色。

这里，各着色区域并不一定要使用相同的色相。例如，将绿色系的色相使用在由蓝色至黄色的色相所选择的两个着色区域时，相对于一侧的绿色系，另一侧使用蓝色系或黄绿色系的色相。

由此，可实现比现有的RGB着色区域更广范围的色再现性。

以上是以色相说明广范围的色再现性，以下是以穿透着色区域的波长来说明。

蓝色系的着色区域是波长的峰值位于415至500nm的着色区域，更佳为位于435至485nm的着色区域。红色系的着色区域是波长的峰值位于600nm以上的着色区域，更佳为位于605nm以上的着色区域。在蓝色至黄色的色相中所选择的一侧的着色区域是波长的峰值位于485至535nm的着色区域，更佳为位于495至520nm的着色区域。在蓝色至黄色的色相中所选择的另一侧的着色区域是波长的峰值位于500至590nm的着色区域，更佳为位于510至585nm的着色区域，或位于530至565nm的着色区域。

接着，以x、y色度图来表现。蓝色系的着色区域是位于x≦0.151、y≦0.056的着色区域，更佳为0.134≦x≦0.151、0.034≦y≦0.056的着色区域。红色系的着色区域是位于0.643≦x、y≦0.333的着色区域，更佳为0.643≦x≦0.690、0.299≦y≦0.333的着色区域。在蓝色至黄色的色相中所选择的一侧的着色区域是位于x≦0.164、0.453≦y的着色区域，更佳为0.098≦x≦0.164、0.453≦y≦0.759的着色区域。在蓝色至黄色的色相中所选择的另一侧的着色区域是位于0.257≦x、0.606≦y的着色区域，更佳为0.257≦x≦0.357、0.606≦y≦0.670的着色区域。

对液晶面板30T、30F照射背光的背光单元也可使用LED(LightEmitting Diode发光二极管)、荧光管、有机EL(Electro Luminescence电场发光)来作为RGB的各光源。或也可使用白色光源。此外，白色光源也可是由蓝色发光体和YAG荧光体(钇、铝、石榴石是荧光体)所产生的白色光源。

RGB光源较佳为下述者。即，B的光源是以波长的峰值位于435nm至485nm者为佳。G的光源是以波长的峰值位于520nm至545nm者为佳。R的光源是以波长的峰值位于610nm至650nm者为佳。

而且，只要依据RGB光源的波长，适当地选定上述滤色器，即可获得更广范围的色再现性。

再者，也可使用波长的峰值例如为450nm与565nm的具有多峰值的光源。

此外，以上述4色的着色区域的构成为例，以下可列举：色相为红色、蓝色、绿色、青(cyan)的着色区域，色相为红色、蓝色、绿色、黄色的着色区域，色相为红色、蓝色、深绿色、黄色的着色区域，色相为红色、蓝色、翠绿色(emerald)、黄色的着色区域，色相为红色、蓝色、深绿色、黄绿色的着色区域，或色相为红色、青、深绿色、黄绿色的着色区域。

Claims (13)

1.一种液晶面板，其具备：延伸存在于邻接的第一像素与第二像素之间的配线；相对于前述配线设置在前述第一像素侧的前述第一像素用的第一像素组件部；与前述第一像素组件部一同，相对于前述配线设置在前述第一像素侧的前述第二像素用的第二像素组件部；相对于前述配线在前述第一像素侧，与前述第一像素组件部连接的前述第一像素用的第一像素电极；以及以横越前述配线的方式配置，而相对于前述配线在前述第一像素侧，与前述第二像素组件部连接的前述第二像素用的第二像素电极。

2.如权利要求1所述的液晶面板，其中，前述第二像素电极是呈类L字形。

3.如权利要求1所述的液晶面板，其中，前述第一像素是与前述第二像素相比，显示包含强度较强波长的显示色的像素。

4.如权利要求3所述的液晶面板，其中，包含前述强度较强波长的显示色是青或绿色。

5.一种液晶面板，其具备：延伸存在于邻接的第一像素与第二像素之间的漏极配线；相对于前述漏极配线设置在前述第一像素侧的前述第一像素用的第一晶体管；与前述第一晶体管一同，相对于前述漏极配线设置在前述第一像素侧的前述第二像素用的第二晶体管；相对于前述漏极配线在前述第一像素侧，与前述第一晶体管连接的前述第一像素用的第一像素电极；以及以横越前述漏极配线的方式配置，而相对于前述漏极配线在前述第一像素侧，与前述第二晶体管连接的前述第二像素用的第二像素电极。

6.如权利要求5所述的液晶面板，其具备：延伸存在于与前述漏极配线交叉的方向的栅配线；前述第一晶体管及前述第二晶体管各自的源极与漏极是相对于前述栅配线设置在一侧。

7.如权利要求6所述的液晶面板，其具备：相对于前述漏极配线设置在前述第一像素侧的前述第一像素用的第一保持电容；与前述第一保持电容一同，相对于前述漏极配线设置在前述第一像素侧的前述第二像素用的第二保持电容；前述第一保持电容及前述第二保持电容是相对于前述栅配线设置在一侧。

8.如权利要求7所述的液晶面板，其中，前述第二像素电极是呈类L字形；前述第一保持电容及前述第二保持电容是分别排列配置在前述第一晶体管及前述第二晶体管和漏极配线的延伸方向。

9.如权利要求5所述的液晶面板，其具备：延伸存在于与前述漏极配线交叉的方向的栅配线；前述第一晶体管的源极与漏极是相对于前述栅配线设置在一侧，前述第二晶体管的源极与漏极是相对于前述栅配线设置在另一侧。

10.如权利要求9所述的液晶面板，其中，前述第一像素用的保持电容是包含前述第一像素电极、及与该第一像素电极隔着绝缘膜而设置的第一共同电极，前述第二像素用的保持电容是包含前述第二像素电极、及与该第二像素电极隔着绝缘膜而设置的第二共同电极。

11.如权利要求5所述的液晶面板，其中，前述第二像素用的第二晶体管是电性连接于前述漏极配线，前述第一像素用的第一晶体管是电性连接于与前述漏极配线不同的漏极配线。

12.如权利要求5所述的液晶面板，其中，前述第一像素与前述第二像素相比，显示包含强度较强波长的显示色的像素。

13.如权利要求12所述的液晶面板，其中，包含前述强度较强波长的显示色是青或绿色。

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