JP2010139919A - Ｅｃｂモードの液晶表示パネル。 - Google Patents

Abstract

【課題】容易な方法で、かつ、液晶表示パネルのサイズが大きくなることを抑制しながら
、駆動領域と非駆動領域との境界近傍に生じる光漏れ領域を非駆動領域側へ押し込んで目
立たなくしたＥＣＢモードの液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネル１０Ａは、駆動領域１１と非駆動領
域１２とを有しアレイ基板ＡＲの非駆動領域１２に隣接する駆動領域１１の画素電極２２
ａは、非駆動領域１２に隣接しない画素電極２２よりも面積が大きくされて非駆動領域１
２側に長く延在されていることを特徴としている。
【選択図】 図４

Description

本発明は、電界効果複屈折（ＥＣＢ…Electrically Controlled Birefringene）モード
の液晶表示パネルに関し、特に駆動領域の周縁の光漏れを少なくしたＥＣＢモードの液晶
表示パネルに関する。

液晶表示装置はＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴があ
るため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示装置は、所定方向に整
列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を表示
させるものである。これには外光が液晶層に入光し、反射板で再び液晶層を透光して出光
する反射型と、バックライト装置からの射光が液晶層を透光する透過型と、その両方を備
えた半透過型がある。

これらの液晶表示パネルには、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Supertwiste
d Nematic）モード、ＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モード、ＥＣＢ（
Electrically Controlled Birefringence）モード等のものが知られている。ＥＣＢモー
ドの液晶表示パネルは、誘電異方性が正のネマティック液晶を用いた複屈折性を利用した
もので、液晶分子への印加電圧によってリタデーションを変化させ、位相差フィルムとの
組合せにより液晶層の光の透過及び不透過をコントロールすることにより画像を表示する
ものである。このＥＣＢモードの液晶表示パネルを用いると、液晶層の厚みやフィルムの
バラツキの影響によって輝度や色度が変動しやすく、またコントラストが低くなるという
弱点があるものの、反射及び透過の両表示が可能であるため、屋外でも優れた視認性を有
するように形成することができる。

また、ＥＣＢモードの液晶表示パネルは、カラーフィルタを用いなくても、液晶層の複
屈折作用と少なくとも１枚の偏光板の偏光作用とを利用して光を着色することができるた
めに、バックライトの消費電力を少なくすることもできる。このために、ＥＣＢモードの
液晶表示パネルは携帯電話装置をはじめとするモバイル機器において広く用いられている
。

しかしながら、ＥＣＢモードの液晶表示パネルにおいては、駆動領域表示と非駆動領域
との境界部分の一方に光漏れが生じることが観察されている。このようなＥＣＢモードの
液晶表示パネルにおける光漏れはアレイ基板の液晶方向配向処理（ラビング処理）の開始
方向とは反対側の駆動領域と非駆動領域との境界部分に生じる。なお、駆動領域とは液晶
分子に電界が印加されて画像が表示される領域を意味する。下記特許文献１に示されてい
るように、ＥＣＢモードの液晶表示パネルにおける光漏れは次のような理由から生じるも
のと推定されている。すなわち、ＥＣＢモードの液晶表示パネル８０においては、図８に
示すように、アレイ基板ＡＲ側の配向膜のラビング処理方向８１とカラーフィルタ基板Ｃ
Ｆ側の配向膜のラビング処理方向８２とは１８０℃ずれた方向となっている。このような
ＥＣＢモードの液晶表示パネル８０において、駆動領域８３に電界が印加された場合、液
晶分子８４は水平方向から垂直方向に立ち上がろうとする。このときの等電位線８５は、
駆動領域８３内では、図８の破線で示したように、実質的にアレイ基板ＡＲと平行なる。
しかしながら、非駆動領域８６においては、等電位線８５は、電界が印加されていないた
めに、駆動領域８３から非駆動領域８６に出たとたんに急激に落ち込むことになる。

このとき、アレイ基板ＡＲのラビング処理方向８１と同じ方向に液晶分子８４が配向す
る駆動領域８３と非駆動領域８６との間の境界部分Ｘにおいては、非駆動領域８６の液晶
分子８４の立ち上がり方向と駆動領域８３内における液晶分子８４の立ち上がり方向が同
じとなる。そのため、境界部分Ｘでは、液晶分子８４の配向の乱れは生じない。しかしな
がら、電界が印加された際には、ラビング処理された配向膜によってもたらされるプレチ
ルト角に起因する立ち上がり方向の規制よりも電界の影響による立ち上がり規制の方が強
くなる。従って、アレイ基板ＡＲのラビング処理方向８１と反対側の方向に液晶分子８４
が配向する駆動領域８３と非駆動領域８６との間の境界部分Ｙにおいては、非駆動領域８
６側の液晶分子８４の立ち上がり方向は等電位線８５が急激に落ち込むことによる影響に
強く支配される。そのため、境界部分Ｙでは、非駆動領域８６における液晶分子８４の配
向方向は駆動領域８３内における液晶分子８４の立ち上がり方向と相反する方向となって
しまうので、液晶分子８４の配向が乱れ、光漏れが生じるものと考えられている。

このような光漏れは、最外周側の駆動領域と非駆動領域の境界部に輝線となって表れる
ため、表示画質の低下に繋がる。そこで、下記記特許文献１には、非駆動領域で等電位線
が急激に落ち込むことを防止するための電界を印加するダミー画素を設けたＥＣＢモード
の液晶表示パネルが開示されている。
特開２００７−２６４２３３号公報

上記特許文献１に開示されているＥＣＢモードの液晶表示パネルによれば、駆動領域の
周囲に形成されたダミー画素に波電界が印加されているため、従来例のＥＣＢモードの液
晶表示パネルのような等電位線が急激に落ち込むことがなくなるので、駆動領域と非駆動
領域との境界部での光漏れを抑制することができる。しかしながら、上記特許文献１に記
載のＥＣＢモードの液晶表示パネルは、電界を印加するダミー画素を追加するという大幅
な設計変更が必要であり、また、非駆動領域が広くなって液晶表示パネルのサイズが大き
くなるという問題点が存在している。

本発明は、このような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、容易な方
法で、かつ、液晶表示パネルのサイズが大きくなることを抑制しながら、駆動領域と非駆
動領域との境界近傍に生じる光漏れ領域を非駆動領域側へ押し込んで目立たなくしたＥＣ
Ｂモードの液晶表示パネルを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネルは、液晶層を挟持し
て対向配置された第１基板及び第２基板を有し、前記第１基板は駆動領域と非駆動領域と
を有し、前記駆動領域には、互いに絶縁された状態でマトリクス状に形成された複数の信
号線及び走査線と、複数のサブ画素が形成され、前記サブ画素には前記液晶層を駆動する
画素電極が形成されている、電界効果複屈折モードの液晶表示パネルであって、前記非駆
動領域に隣接する画素電極は、前記非駆動領域に隣接しない画素電極よりも面積が大きく
されて前記非駆動領域側に長く延在されていることを特徴とする。

本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネルにおいては、非駆動領域に隣接する画素電極は
、前記非駆動領域に隣接しない画素電極よりも面積が大きくされて前記非駆動領域側に長
く延在されている。このような構成を備えていると、非駆動領域に隣接する画素電極の等
電位線の落ち込む領域が非駆動領域側に移行するので、光漏れを起こす領域は非駆動領域
側に移行されることとなる。そのため、本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネルによれば
、たとえ、非駆動領域と駆動領域との境界部の近傍で光漏れが生じても、外部から駆動領
域を視認した場合には目立たなくなり、良好な表示画質のＥＣＢモードの液晶表示パネル
が得られる。しかも、本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネルによれば、従来例のように
別途非駆動領域に電界が印加されるダミー画素を形成する必要がなくなり、単に非駆動領
域に隣接する画素電極のサイズを大きくするという簡単な構成によって見かけ上の光漏れ
を抑制することができるようになる。

なお、本発明における駆動領域は、各サブ画素が画像表示のために駆動されている領域
のことを意味し、表示領域と同意である。また、本発明における非駆動領域とは、遮光部
材で遮光されている領域である非表示領域を含むが、画像表示のために駆動されてはいな
いが、外部から視認できる装飾用の領域を含む意味で用いられている。また、本発明のＥ
ＣＢモードの液晶表示パネルは、透過型のものであっても半透過型のものであってもよい
。

また、本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネルにおいては、前記第２基板は前記第１基
板の非駆動領域に対向する位置に遮光層が形成され、前記第１基板の非駆動領域に隣接す
る画素電極は前記遮光層と平面視で重畳する位置まで延在されていることを特徴とする。

本発明のＥＣＢモードの液晶表示装置においては、非駆動領域に隣接する画素電極の等
電位線の落ち込む領域が非表示領域側に移行するので、光漏れを起こす領域は非駆動領域
側に移行されることとなる。しかも、第２基板には、第１基板の非駆動領域に対向する位
置に遮光層が形成されているため、非駆動領域と駆動領域との境界部の近傍で光漏れが生
じても、この光漏れは遮光層によって遮光されるので、より光漏れは視認し難くなる。そ
のため、本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネルによれば、より良好な表示画質のＥＣＢ
モードの液晶表示パネルが得られる。

また、本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネルにおいては、前記非駆動領域に隣接する
駆動領域のサブ画素は、前記信号線間の距離が前記非駆動領域に隣接しないサブ画素より
も長く形成されていることが好ましい。

液晶表示パネルの信号線間距離を長くすると、両方の信号線間距離が長くなり、非駆動
領域に隣接する駆動領域のサブ画素の画素電極の幅が長くなる。また、非駆動領域に隣接
する画素電極に対応する信号線間距離を変えずに画素電極の幅を大きくすると、平面視で
画素電極と信号線との間の重畳幅が大きくなるため、画素電極と信号線との間の寄生容量
が大きくなる。そのため、本発明の液晶表示パネルによれば、簡単な構成によって上記本
発明の効果を奏させることができるようになるとと共に、平面視で画素電極と信号線との
間の重畳幅を増加させないで済むので、寄生容量が増加することがないため、クロストー
クが増大することもなくなる。

また、本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネルにおいては、前記画素電極の表面には液
晶方向配向処理が施され、前記画素電極は前記液晶方向配向処理の方向とは逆方向に延在
されていることが好ましい。

ＥＣＢモードの液晶表示パネルにおいては、光漏れは、非駆動領域における液晶分子の
配向方向と駆動領域における液晶分子の立ち上がり方向とが相反する方向となる駆動領域
と非駆動領域との間の境界部分で生じる。本発明のＥＣＢモードの液晶表示パネルにおい
ては、画素電極は液晶方向配向処理の方向とは逆方向に延在されているため、非駆動領域
の液晶分子の立ち上がり方向と駆動領域における液晶分子の立ち上がり方向が同じとなる
ので、効率よく光漏れを低減することができるようになる。

以下、実施形態及び図面を参照にして本発明を実施するための最良の形態を透過型のＥ
ＣＢモードの液晶表示パネルを例にとって説明する。しかしながら、以下に示す実施形態
は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではなく、本発明は特許
請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用
し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面においては
、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を
異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない。

図１は第１実施形態にかかるＥＣＢモードの液晶表示装置の概要を示す模式平面図であ
る。図２は図１のII部分の拡大図である。図３は図２のIII−III線の断面図である。図４
は図２のIV−IV線の断面図である。図５は図２のＶ−Ｖ線の断面図である。図６は第２実
施形態の図２に対応する平面図である。図７は第２実施形態の図４に対応する断面図であ
る。図８はＥＣＢモードの液晶表示装置における駆動領域と非駆動領域の境界における液
晶分子の配向状態及び等電位線を示す概略断面図である。

［第１実施形態］
第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａは、透過型のＥＣＢモードの液晶表示パネルであ
る。この第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａの要部の構成を図１〜図５を用いて説明す
る。図１に示すように、液晶表示パネル１０Ａは、液晶分子に電界を印加して画像を表示
する駆動領域１１が中央部分に配設されており、この駆動領域１１以外の部分が非駆動領
域１２となっている。図１において、駆動領域１１の左右に隣接して電圧が印加されてい
ないダミー画素領域１３が非駆動領域１２に設けられている。

まず、駆動領域の構成について説明する。図２〜図４に示すように、液晶表示パネル１
０Ａは液晶層ＬＣがアレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦで挟持される構成となって
いる。アレイ基板ＡＲは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなる第
１透明基板１４を基体としている。第１透明基板１４上には、液晶ＬＣに面する側に、ア
ルミニウムやモリブデン等の金属からなる走査線１５が図２のＸ軸方向（行方向）に延設
されている。走査線１５からはゲート電極Ｇが図２の上方に延設されている。また、補助
容量線１６が走査線１５と平行に形成されており、各サブ画素ＳＰの形成予定位置の補助
容量線１６は、図２に示すように、後述のコンタクトホール２３と対向する部分が幅広に
形成されて補助容量電極１７となっている。

また、走査線１５及びゲート電極Ｇ並びに補助容量線１６及び補助容量電極１７を覆う
ようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲート絶縁膜１８が積層されている
。そして、平面視でゲート電極Ｇと重なるゲート絶縁膜１８上には非晶質シリコンや多結
晶シリコンなどからなる半導体層１９が形成されている。ゲート絶縁膜１８上にはアルミ
ニウムやモリブデン等の金属からなる複数の信号線２０が図２のＹ軸方向（列方向）に延
設されている。この信号線２０からはソース電極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは半導
体層１９の表面と部分的に接触している。

更に、信号線２０及びソース電極Ｓと同一の材料で同時に形成されたドレイン電極Ｄが
ゲート絶縁膜１８上に設けられており、このドレイン電極Ｄはソース電極Ｓと近接配置さ
れて半導体層１９と部分的に接触すると共に、平面視で補助容量電極１７と重畳している
。走査線１５と信号線２０とによって囲まれた領域が１サブ画素ＳＰ領域に相当する。例
えば光の３原色であるＲ（赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）の３つサブ画素ＳＰで１画素を構成
している。１画素は略正方形であるので、これを３等分する各サブ画素ＳＰは走査線１５
が短辺で信号線２０が長辺の長方形となる。ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１８、半導体層
１９、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチング素子となる薄膜トランジスタ
ー（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が構成され、それぞれのサブ画素ＳＰにこのＴＦＴ
が形成されている。

更に、信号線２０、ＴＦＴ及びゲート絶縁膜１８の露出部分を覆うようにして例えば窒
化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜２１が積層されている。そし
て、パッシベーション膜２１を覆うようにして、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）ないしＩ
ＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる画素電極２２が形成されている
。パッシベーション膜２１を貫通してドレイン電極Ｄに達するコンタクトホール２３が形
成されており、このコンタクトホール２３を介して画素電極２２とドレイン電極Ｄとが電
気的に接続されている。画素電極２２を覆うようにして例えばポリイミドからなる配向膜
２４が積層されている。配向膜２４には信号線２０の延在方向に対して４５度傾いた方向
（図１で右上に向かって４５度の方向）に液晶方向配向処理（ラビング処理）が施されて
いる。

カラーフィルタ基板ＣＦは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からな
る第２透明基板２５を基体としている。第２透明基板２５には、不透明な樹脂材料からな
る遮光層２６と、サブ画素ＳＰ毎に異なる色の光（例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ）を透過するカラ
ーフィルタ層２７が形成されている。図２に示すように、遮光層２６はＴＦＴ、走査線１
５、信号線２０と平面視で重なるように形成されている。サブ画素ＳＰの遮光層２６が形
成されていない領域にはカラーフィルタ層２７が形成されている。遮光層２６とカラーフ
ィルタ層２７を覆うようにして例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなるオーバー
コート層２９が積層されている。このオーバーコート層２９は異なる色のカラーフィルタ
層２７による段差を平坦にし、また、遮光層２６やカラーフィルタ層２７から流出する不
純物が液晶層ＬＣに入らないように遮断するために設けられるものである。オーバーコー
ト層２９を覆うようにしてＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる共通電極２９
が全サブ画素ＳＰに跨って形成されている。共通電極２９を覆うようにして例えばポリイ
ミドからなる配向膜３０が形成されている。この配向膜３０にはアレイ基板ＡＲの配向膜
２４とは逆方向の液晶方向配向処理が施されている（図１参照）。

このようにして形成されたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを互いに対向さ
せ、両基板の周囲にシール材（不図示）を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間
に液晶を充填することにより第１実施形態にかかる液晶表示パネル１０Ａが得られる。な
お、液晶層ＣＬを所定の厚みに保持するためのスペーサ（不図示）がカラーフィルタ基板
ＣＦに形成されている。

上述の構成により、薄膜トランジスＴＦＴがＯＮ状態になって画素電極２２と共通電極
２９間に電圧が印加されると両電極２２、２９間に電界が発生して液晶層ＬＣの液晶分子
の配向が変化する。これにより、液晶層ＬＣの光透過率が変化して画像を表示することと
なる。補助容量電極１７とドレインＤとゲート絶縁膜１８により補助容量が形成され、Ｔ
ＦＴがＯＦＦ状態になったときに両電極２２、２９間の電界を所定時間保持するようにな
っている。

非駆動領域１２の左右のダミーサブ画素領域１３（図１参照）には、例えば１列ずつダ
ミーサブ画素ＤＳＰが形成されている。ダミーサブ画素ＤＳＰは駆動領域１１のサブ画素
ＳＰと同様の構成を備えている。しかしながら、ダミーサブ画素ＤＳＰはここでは静電気
保護素子として作動するように設けられたものであり、液晶表示パネル１０Ａに静電気が
誘導された場合等のときにダミーサブ画素ＤＳＰのダミー画素電極２２ｂに電流が流れる
ようにされており、通常の画像が表示されているときにはダミー画素電極２２ｂに電界は
印加されておらず、電流は流れない。また、ダミーサブ画素ＤＳＰに対応する位置のカラ
ーフィルタ基板ＣＦ側は、画像を表示しないために、全面に遮光層２６が形成されている
。

このように、通常の画像が表示されているときには、ダミーサブ画素ＤＳＰのダミー画
素電極２２ｂに電流は流れないために、図４に示すように、等電位線３１は駆動領域１１
と非駆動領域１２の境界近傍で急激に落ち込むことになる。アレイ基板ＡＲ側の配向膜２
４のラビング処理方向は右上方向に４５度であるので、左側の等電位線３１の落ち込みが
駆動領域１１と非駆動領域１２の境界近傍に光漏れを生じる位置Ｚとなる（図１参照）。
そこで、図２及び図４に示すように、第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａでは、非駆動
領域１２に隣接する駆動領域１１のサブ画素ＳＰの画素電極２２ａを、他のサブ画素ＳＰ
の画素電極２２の幅Ｌ１よりも長さＬ２だけ非駆動領域１２側に延在させている。そのた
め、駆動領域１１に隣接する非駆動領域１２のサブ画素ＤＳＰのダミー画素電極２２ｂの
幅はＬ１−Ｌ２と小さくなっている。

このような構成を採用すると、画素電極２２ａは液晶方向配向処理の方向とは逆方向に
延在されているので、光漏れを生じさせる原因となる等電位線３１の落ち込み領域を、非
駆動領域１２に隣接する駆動領域１１のサブ画素ＳＰの可視領域（カラーフィルタ層２７
が形成されている領域）から非駆動領域１２側に遠ざけることができる。しかも、カラー
フィルタ基板ＣＦの非駆動領域１２には遮光層２６が形成されているため、非駆動領域１
２と駆動領域１１との境界部の近傍で光漏れが生じても、この光漏れは遮光層２６によっ
て遮光されるので、光漏れは視認し難くなる。

このように、第１実施形態のＥＣＢモードの液晶表示パネル１０Ａによれば、単に非駆
動領域１２に隣接する駆動領域１１のサブ画素ＳＰの画素電極２２ａを長さＬ２だけ非駆
動領域１２側へ延在するという簡単な構成を採用するだけで、非駆動領域１２と駆動領域
１１との境界部の近傍で生じる光漏れの影響を低減することができるようになる。なお、
第１実施形態のＥＣＢモードの液晶表示パネル１０Ａでは、駆動領域１１に隣接する非駆
動領域１２も遮光層２６で被覆する構成としたが、この駆動領域１１に隣接する非駆動領
域１２のサブ画素ＤＳＰを装飾用領域として使用する場合は、遮光層２６を省略すること
ができる。この場合、装飾用領域は、液晶に電界が印加されないために画像表示はできな
いが、観察者に明るい額縁のように視認させることができ、しかも、この装飾用領域で光
漏れが生じても、観察者には装飾として視認されるため、表示画質に悪影響を与えること
は少ない。

［第２実施形態］
第２実施形態のＥＣＢモードの液晶表示パネル１０Ｂを図６及び図７を用いて説明する
。第２実施形態の液晶表示パネル１０Ｂは、第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａの信号
線２０の位置を変更したものであり、その他の構成は実質的に同一である。そのため、第
２実施形態の液晶表示パネル１０Ｂにおいては、第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａと
構成が同一の部分については同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。

第１実施形態のＥＣＢモードの液晶表示パネル１０Ａでは、図２に示したように、非駆
動領域１２に隣接する駆動領域１１のサブ画素ＳＰの画素電極２２ａを非駆動領域１２側
へ延在させたため、この画素電極２２ａは平面視で信号線２０を跨った状態に形成される
。このような構成であると、画素電極２２ａと走査線２０との間に形成される寄生容量が
大きくなるので、クロストークが生じるようになる。そこで、第２実施形態の第２実施形
態のＥＣＢモードの液晶表示パネル１０Ｂは、図７及び図８に示したように、非駆動領域
１２に隣接する駆動領域１１のサブ画素ＳＰでは、画素電極２２ａを他のサブ画素ＳＰの
画素電極２２の幅Ｌ３よりも長さＬ４だけ非駆動領域１２側に延在させ、更に、信号線２
０間距離を他のサブ画素ＳＰの信号線２０間距離Ｌ５よりも長さＬ４だけ離間させている
。そのため、駆動領域１１に隣接する非駆動領域１２のサブ画素ＤＳＰのダミー画素電極
２２ｂの幅はＬ３−Ｌ４と小さくなっていると共に、信号線２０間距離もＬ５−Ｌ４と小
さくなっている。

このような構成を採用すると、非駆動領域１２に隣接する駆動領域１１のサブ画素ＳＰ
では、画素電極２２ａの両側に位置する信号線２０との相対的配置関係を、他のサブ画素
ＳＰの信号線２０との相対的配置関係と同様とすることができる。そのため、第２実施形
態の液晶表示パネル１０Ｂでは、第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａの場合とは異なり
、画素電極２２ａと信号線２０との間に形成される寄生容量が大きくならないようにする
ことができるので、光漏れの影響が少なくしかも、クロストークが少ないＥＣＢモードの
液晶表示パネル１０Ｂが得られる。

なお、上記の第１実施形態及び第２実施形態では、透過型のＥＣＢモードの液晶表示パ
ネルについて説明した。しかしながら、本発明は半透過型のＥＣＢモードの液晶表示パネ
ルに対しても適用可能である。

第１実施形態にかかるＥＣＢモードの液晶表示装置の概要を示す模式平面図である。 図１のII部分の拡大図である。 図２のIII−III線の断面図である。 図２のIV−IV線の断面図である。 図２のＶ−Ｖ線の断面図である。 第２実施形態の図２に対応する平面図である。 第２実施形態の図４に対応する断面図である。 ＥＣＢモードの液晶表示装置における駆動領域と非駆動領域の境界における液晶分子の配向状態及び等電位線を示す概略断面図である。

符号の説明

１０Ａ、１０Ｂ…液晶表示パネル １１…駆動領域 １２…非駆動領域 １３…ダミー
画素領域 １４…第１透明基板 １５…走査線 １６…補助容量線 １７…補助容量用端
子 １８…ゲート絶縁膜 １９…半導体層 ２０…信号線 ２１…パッシベーション膜
２２、２２ａ、２２ｂ…画素電極 ２３…コンタクトホール ２４…第１配向膜 ２５…
第２透明基板 ２６…遮光層 ２７…カラーフィルタ層 ２８…オーバーコート層 ２９
…共通電極 ３０…配向膜 ３１…等電位線 ＬＣ…液晶層 ＡＲ…アレイ基板 ＣＦ…
カラーフィルタ基板 ＳＰ…サブ画素 ＤＳＰ…ダミーサブ画素

Claims (4)

1. 液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板を有し、
   前記第１基板は駆動領域と非駆動領域とを有し、
   前記駆動領域には、互いに絶縁された状態でマトリクス状に形成された複数の信号線及
   び走査線と、複数のサブ画素が形成され、
   前記サブ画素には前記液晶層を駆動する画素電極が形成されている、
   電界効果複屈折モードの液晶表示パネルであって、
   前記非駆動領域に隣接する画素電極は、前記非駆動領域に隣接しない画素電極よりも面
   積が大きくされて前記非駆動領域側に長く延在されていることを特徴とする電界効果複屈
   折モードの液晶表示パネル。
2. 前記第２基板は前記第１基板の非駆動領域に対向する位置に遮光層が形成され、前記第
   １基板の非駆動領域に隣接する画素電極は前記遮光層と平面視で重畳する位置まで延在さ
   れていることを特徴とする請求項１に記載の電界効果複屈折モードの液晶表示パネル。
3. 前記非駆動領域に隣接する駆動領域のサブ画素は、前記信号線間の距離が前記非駆動領
   域に隣接しないサブ画素よりも長く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電
   界効果複屈折モードの液晶表示パネル。
4. 前記画素電極の表面には液晶方向配向処理が施され、前記画素電極は前記液晶方向配向
   処理の方向とは逆方向に延在されていることを特徴とする請求項１に記載の電界効果複屈
   折モードの液晶表示パネル。

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