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WO2016136741A1 - 封止用フィルム及びそれを用いた電子部品装置 - Google Patents

封止用フィルム及びそれを用いた電子部品装置 Download PDF

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Publication number
WO2016136741A1
WO2016136741A1 PCT/JP2016/055264 JP2016055264W WO2016136741A1 WO 2016136741 A1 WO2016136741 A1 WO 2016136741A1 JP 2016055264 W JP2016055264 W JP 2016055264W WO 2016136741 A1 WO2016136741 A1 WO 2016136741A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component
film
epoxy resin
sealing
mass
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/055264
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
裕介 渡瀬
野村　豊
弘邦 荻原
知世 金子
正也 鳥羽
鈴木　雅彦
藤本　大輔
Original Assignee
日立化成株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立化成株式会社 filed Critical 日立化成株式会社
Priority to CN201680009781.8A priority Critical patent/CN107210274B/zh
Priority to KR1020177022300A priority patent/KR20170121171A/ko
Priority to JP2017502386A priority patent/JP6749887B2/ja
Publication of WO2016136741A1 publication Critical patent/WO2016136741A1/ja

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
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    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/16—Applications used for films
    • C08L2203/162—Applications used for films sealable films

Definitions

  • the present invention relates to a sealing film and an electronic component device using the same.
  • semiconductor devices As the electronic devices become lighter and thinner, semiconductor devices are becoming smaller and thinner. For example, semiconductor devices having almost the same size as a semiconductor element, and a package-on-package method in which a semiconductor device is stacked on the semiconductor device are also actively performed. Therefore, it is expected that semiconductor devices will be further reduced in size and thickness in the future.
  • Patent Documents 1 to 3 semiconductor elements manufactured from a semiconductor wafer and separated into pieces are rearranged so as to have an appropriate interval, and then these are used using a solid or liquid sealing resin.
  • a mounting method including a sealing step and a semiconductor device manufactured using the method are disclosed. In this method, a process such as formation of wiring for arranging external connection terminals and external connection terminals, etc. is performed on a sealed molded product in which a plurality of semiconductor elements are sealed. As the number of semiconductor elements increases, the number of semiconductor devices that can be manufactured in a single process increases.
  • the sealing of the rearranged semiconductor elements is performed by molding by molding a liquid or solid resin sealing material with a mold.
  • transfer molding has been used in which a pellet-shaped resin sealing material is melted and sealed by pouring the sealing resin into a mold.
  • transfer molding is performed by pouring molten resin, an unfilled portion may occur when a large area is to be sealed.
  • the present inventors have been able to deal with a sealing molding method that does not require a mold, have little concern about dust generation, and can be expected to form a panel of the above-described sealing molding as a film. It was examined to laminate or press a sealing resin in the form of a tube.
  • a film-like sealing resin After sealing the semiconductor element arranged on the temporary fixing material with the sealing resin, the sealing molded product is peeled off from the temporary fixing material, and this is cured, and then rewiring is performed. Enter the layer formation process. At this time, if the cured body after curing is warped, the rewiring layer cannot be formed horizontally.
  • the cured body is adsorbed by an adsorber to be leveled.
  • the cured body is not sufficiently adsorbed by the adsorber, and it tends to be difficult to form a rewiring layer.
  • An object of the present invention is to provide a sealing film that can satisfactorily seal an electronic component such as a semiconductor element and can form a cured body in which the amount of warping is sufficiently suppressed, and an electronic device using the film To provide parts.
  • the inventors of the present invention attempted to reduce warpage by increasing the filler content in the film to bring the CTE (thermal expansion coefficient) of the sealing film closer to the CTE of the semiconductor chip.
  • increasing the filler content deteriorated the fluidity, and caused another problem of generation of resin flow marks and generation of unfilled portions. Therefore, the present inventors, based on the assumption that the stress generated during the process of curing the molded product after sealing and the amount of cure shrinkage affect the warp after curing, the composition of the stress relaxation component and the sealed molded product The relationship with the amount of warpage of the cured product was examined.
  • the present inventors have found that a sealed body in which a silicon chip is sealed with a sealing film containing a specific amount of a specific elastomer component has a sufficiently small amount of warping even after curing. Based on this, the present invention has been completed.
  • the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) one or more elastomers selected from the group consisting of butadiene rubber and silicone rubber, and (D) an inorganic filler.
  • the content of the component (C) is 0.5 to 7.0% by mass based on the total mass of the component (A), the component (B), the component (C) and the component (D).
  • a sealing film is provided.
  • an electronic component such as a semiconductor element can be satisfactorily sealed, and a cured body in which the amount of warping is sufficiently suppressed can be formed. Formation is possible.
  • the sealing film of the present invention is a liquid epoxy resin at 25 ° C. as the component (A), based on the total mass of the components (A), (B), (C) and (D). May be contained in an amount of 5% by mass or more. In this case, the curvature of the cured body can be further suppressed.
  • the sealing film of the present invention may further contain (E) a curing accelerator.
  • the sealing film of the present invention may contain 0.2 to 1.5% by mass of (F) an organic solvent based on the total mass of the sealing film.
  • F an organic solvent
  • the content of the component (D) is 65% by mass or more based on the total mass of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D). It may be.
  • content of (D) component exists in the said range, the difference of the thermal expansion coefficient of the film for sealing and a to-be-sealed body can be decreased, and the curvature of a hardening body can be made smaller.
  • the film for sealing of the present invention can have a thickness of 50 to 250 ⁇ m.
  • the present invention also provides an electronic component device comprising an electronic component and the cured body of the sealing film that seals the electronic component.
  • an electronic film such as a semiconductor element can be satisfactorily sealed, and a sealing film capable of forming a cured body in which the amount of warpage is sufficiently suppressed, and an electronic device using the film Parts can be provided.
  • the present embodiment a mode for carrying out the present invention (hereinafter referred to as “the present embodiment”) will be described in detail.
  • this invention is not limited to the following embodiment.
  • the sealing film of the present embodiment includes (A) an epoxy resin (hereinafter sometimes referred to as “component (A)”), (B) a curing agent (hereinafter sometimes referred to as “component (B)”), and (C) butadiene.
  • component (A) an epoxy resin
  • component (B) a curing agent
  • component (C) butadiene
  • component (C) is 0.5 to 7.0% by mass based on the total mass of component (A), component (B), component (C) and component (D) .
  • the resin film for sealing of this embodiment may further contain (E) a curing accelerator (hereinafter also referred to as “component (E)”).
  • component (E) a curing accelerator
  • the sealing resin film contains the component (E)
  • the content of the component (C) is the total of the components (A), (B), (C), (D) and (E). It may be 0.5 to 7.0% by mass based on the mass.
  • Epoxy resin (A)
  • the epoxy resin can be used without particular limitation as long as it has two or more glycidyl groups in one molecule.
  • the component (A) for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AP type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, bisphenol B type epoxy resin, bisphenol BP type epoxy resin, bisphenol C type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin Bisphenol F type epoxy resin, bisphenol G type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol PH type epoxy resin, bisphenol TMC type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, hexane Bisphenol S type epoxy resin such as diol bisphenol S diglycidyl ether, novolak phenol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin , Naphthalene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, bixylenol type epoxy resins such as bixylenol diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol
  • a commercially available epoxy resin can also be used for component (A).
  • epoxy resins for example, trade name: EXA4700 (tetrafunctional naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, trade name: NC-7000 (polyfunctional solid epoxy resin containing naphthalene skeleton) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • Naphthalene type epoxy resins such as Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: EPPN-502H (trisphenol epoxy resin) and other epoxides of condensation products of phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group (trisphenol type) Epoxy resin);
  • liquid epoxy resin As a component, you may use a liquid epoxy resin at 25 degreeC.
  • the liquid epoxy resin is not particularly limited as long as it is liquid at 25 ° C.
  • liquid epoxy resins include bisphenol A, bisphenol F, biphenyl, novolac, dicyclopentadiene, polyfunctional phenol, naphthalene, aralkyl-modified, alicyclic, and alcoholic glycidyl.
  • Examples include ether, glycidylamine-based resins, and glycidyl ester-based resins. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the liquid epoxy resin may be a bisphenol F type epoxy resin from the viewpoint of imparting handleability.
  • the epoxy resin that is liquid at 25 ° C. refers to one having a viscosity at 25 ° C. of 400 Pa ⁇ s or less as measured with an E-type viscometer or a B-type viscometer.
  • the content of the component (A) is based on the total mass of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D) from the viewpoint of imparting good handling properties to the sealing film. It may be 5 to 20% by mass, 5 to 15% by mass, or 6 to 11% by mass.
  • content of (A) component is a (A) component and (B) component from a viewpoint which provides favorable handleability to the film for sealing.
  • (C) component, (D) component and (E) component based on the total mass may be 5-20% by mass, 5-15% by mass, 6-11% by mass There may be.
  • the content thereof is (A) component and (B) component from the viewpoint of imparting good handleability to the sealing film.
  • (C) component and (D) component may be 5 mass% or more based on the total mass, and may be 6 mass% or more.
  • the content of the liquid epoxy resin at 25 ° C. is the total mass of the component (A), component (B), component (C) and component (D).
  • standard 20 mass% or less may be sufficient, 15 mass% or less may be sufficient, and 11 mass% or less may be sufficient.
  • the content of the epoxy resin that is liquid at 25 ° C. is from the viewpoint of imparting good handleability to the film for sealing. 5% by mass or more, or 6% by mass or more may be used based on the total mass of the component (B), the component (C), the component (D) and the component (E).
  • the content of the epoxy resin that is liquid at 25 ° C. is (A) component, (B) component, (C) component, (D) component, and (E). Based on the total mass of the components, it may be 20% by mass or less, 15% by mass or less, or 11% by mass or less.
  • the curing agent can be used without particular limitation as long as it has two or more functional groups capable of reacting with a glycidyl group in one molecule.
  • the functional group capable of reacting with the glycidyl group include a phenolic hydroxyl group, an amine, and an acid anhydride (such as phthalic anhydride).
  • the component (B) include phenol resins, acid anhydrides, imidazole compounds, aliphatic amines, and alicyclic amines.
  • one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • phenol resin any known phenol resin can be used without particular limitation as long as it has two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule.
  • the phenol resin include phenols such as phenol, cresol, xylenol, resorcinol, catechol, bisphenol A, bisphenol F, and naphthols such as ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol, dihydroxynaphthalene, and formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde.
  • Resins obtained by condensation or cocondensation with aldehydes such as salicylaldehyde under acidic catalyst, biphenyl skeleton type phenol resin, paraxylylene modified phenol resin, metaxylylene / paraxylylene modified phenol resin, melamine modified phenol resin, terpene modified phenol resin , Dicyclopentadiene modified phenolic resin, cyclopentadiene modified phenolic resin, polycyclic aromatic ring modified phenolic resin, Examples include xylylene-modified naphthol resin.
  • a phenol resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • a commercially available phenol resin can also be used for the phenol resin.
  • examples of commercially available phenol resins include trade names of DIC Corporation: Phenolite LF2882, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149, Phenolite VH-4150, Phenolite VH4170, Mitsui Chemicals, Inc.
  • the content of the component (B) may be 50 to 75 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A) from the viewpoint of reducing unreacted components (A) and (B). It may be ⁇ 60 parts by mass, or may be 60 to 65 parts by mass.
  • the ratio of the component (A) and the component (B) is the ratio of the equivalent of the glycidyl group of the component (A) to the equivalent of the functional group capable of reacting with the glycidyl group in the component (B) (equivalent of the glycidyl group in the epoxy resin /
  • the equivalent of the functional group that reacts with the glycidyl group in the curing agent) may be 0.7 to 2.0, 0.8 to 1.8, or 0.9 to 1.7. May be. When this ratio is in the above range, the unreacted component (A) or component (B) is decreased, and desired cured film properties tend to be easily obtained when the sealing film is cured.
  • the (C) elastomer is preferably at least one elastomer selected from the group consisting of butadiene rubber and silicone rubber from the viewpoint of dispersibility and solubility.
  • examples of such component (C) include styrene butadiene particles, silicone powder, silicone oligomer, and silicone rubber subjected to resin modification with silicone resin. These may be used alone or in combination of two or more.
  • core-shell type particles containing a skeleton derived from butadiene or silicone as a block copolymer or a graft copolymer are preferred.
  • C Some commercially available components (C) are sold not in the form of an elastomer but in a liquid epoxy resin in advance, and these can be used without any problem.
  • examples of those in which the elastomer is previously dispersed in the liquid epoxy resin include trade names: MX-136, MX-217, MX-267, and MX-965 manufactured by Kaneka Corporation.
  • the content of the component (C) may be 0.5 to 7.0% by mass based on the total mass of the components (A), (B), (C), and (D), It may be 1.0 to 6.0% by mass or less, 1.0 to 5.7% by mass, or 1.0 to 4.6% by mass.
  • content of a component is the said range, when hardening the sealing molding which sealed electronic components, such as a semiconductor element, with the film for sealing, it fully suppresses the curvature of a hardening body. And a subsequent rewiring layer can be formed.
  • content of (C) component is (A) component, (B) component, (C) component, (D) component, and (E) component.
  • the average particle size of component (C) can be used without any particular limitation.
  • the average particle size of component (C) may be 50 ⁇ m or less, or 20 ⁇ m or less. It may be 0 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the component (C) may be 0.05 ⁇ m or more, 0.1 ⁇ m or more, 0.5 ⁇ m or more, 1.0 ⁇ m It may be the above.
  • Inorganic filler As an inorganic filler, a conventionally well-known inorganic filler can be used and it is not limited to a specific thing.
  • the component (D) include barium sulfate, barium titanate, amorphous silica, crystalline silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, silicon nitride, An example is aluminum nitride.
  • component (D) the desired cured film characteristics can be obtained because it is easy to improve dispersibility in the resin and to suppress sedimentation in the varnish by surface modification or the like, and since it has a relatively small coefficient of thermal expansion. Since it is easy to obtain, silicas may be used.
  • (D) Component may be subjected to surface modification.
  • the method of surface modification is not particularly limited. For example, even if a method using a silane coupling agent is used because the surface modification is simple and there are many types of functional groups, and it is easy to impart desired characteristics. Good.
  • the silane coupling agent include alkyl silane, alkoxy silane, vinyl silane, epoxy silane, amino silane, acrylic silane, methacryl silane, mercapto silane, sulfide silane, isocyanate silane, sulfur silane, styryl silane, alkyl chloro silane, and the like.
  • silane coupling agent examples include methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, trimethylmethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane.
  • the content of the component (D) may be 65 to 95% by mass based on the total mass of the components (A), (B), (C) and (D), and 75 to 90% by mass. % Or 80 to 90% by mass.
  • content of the component (D) is 65% by mass or more, the thermal expansion coefficient of the sealing film can be effectively reduced, and the warpage of the semiconductor device or the electronic component device tends to be reduced.
  • content of (D) component is 95 mass% or less, it exists in the tendency for the crack of the film for sealing or the raise of the melt viscosity of the film for sealing to be suppressed in the drying process at the time of coating.
  • the content of the component (D) is 90% by mass or less, this tendency is further increased.
  • the content of the component (D) may be 65% by mass or more. 70 mass% or more may be sufficient and 80 mass% or more may be sufficient.
  • content of (D) component is (A) component, (B) component, (C) component, (D) component, and (E) component. 65 to 95% by mass, 75 to 90% by mass, or 80 to 90% by mass based on the total mass.
  • the thermal expansion coefficient of the sealing film can be effectively reduced, and the warpage of the semiconductor device or the electronic component device tends to be reduced.
  • content of (D) component is 95 mass% or less, it exists in the tendency for the crack of the film for sealing or the raise of the melt viscosity of the film for sealing to be suppressed in the drying process at the time of coating.
  • the content of the component (D) is 90% by mass or less, this tendency is further increased.
  • the content of the component (D) may be 65% by mass or more. 70 mass% or more may be sufficient and 80 mass% or more may be sufficient.
  • the average particle diameter of the component (D) may be 0.01 to 50 ⁇ m, 0.1 to 25 ⁇ m, or 0.3 to 10 ⁇ m.
  • the average particle diameter is 0.01 ⁇ m or more, the aggregation of the inorganic filler is suppressed, and the inorganic filler tends to be easily dispersed.
  • the average particle size is 50 ⁇ m or less, sedimentation of the inorganic filler in the varnish is suppressed, and the production of the sealing film tends to be easy.
  • the average particle diameter is a particle diameter at a point corresponding to a volume of 50% when a cumulative frequency distribution curve based on the particle diameter is obtained with the total volume of the particles being 100%, and a particle size distribution measuring apparatus using a laser diffraction scattering method. Etc. can be measured.
  • the sealing film of this embodiment may further contain (E) a curing accelerator.
  • the curing accelerator can be used without particular limitation, and may be an amine-based or phosphorus-based curing accelerator.
  • amine-based curing accelerators include imidazole compounds, aliphatic amines, aromatic amines, modified amines, and polyamide resins.
  • phosphorus curing accelerator include organic phosphorus compounds such as phosphine oxide, phosphonium salt, and diphosphine.
  • the component (E) may be an imidazole compound from the viewpoint of being rich in derivatives and easily obtaining a desired activation temperature.
  • the content of component (E) may be 0.01 to 5% by mass or 0.1 to 3% by mass based on the total mass of component (A) and component (B). 0.3 to 1.5% by mass.
  • the content of the component (E) is 0.01% by mass or more, a sufficient curing acceleration effect is easily obtained.
  • the content of the component (E) is 5% by mass or less, the progress of curing during the drying process during storage or during storage is suppressed, and the molding accompanying cracking of the sealing film or an increase in melt viscosity There is a tendency for defects to decrease.
  • the sealing film of this embodiment may further contain (F) an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as component (F)).
  • component (F) an organic solvent
  • a conventionally well-known organic solvent can be used for (F) component.
  • the component (F) is preferably one that can dissolve components other than the component (D).
  • components other than the component (D) For example, aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, terpenes, halogens, esters, ketones, alcohols, aldehydeskind.
  • the component (F) may be an ester, a ketone, or an alcohol from the viewpoint that the environmental load is small and the component (A) and the component (B) are easily dissolved.
  • the component (F) may be a ketone from the viewpoint that the component (A) and the component (B) are particularly easily dissolved.
  • the ketones acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone may be used from the viewpoint of low volatility at room temperature and easy removal during drying.
  • the content of the component (F) contained in the sealing film may be 0.2 to 1.5% by mass, based on the total mass of the sealing film, and 0.3 to 1% by mass. There may be.
  • the content of the component (F) is 0.2% by mass or more based on the total mass of the sealing film, defects such as film cracking are suppressed, and the minimum melt viscosity is suppressed to a low level, so that satisfactory embedding is achieved. There is a tendency to gain.
  • the content of the component (F) is 1.5% by mass or less based on the total mass of the sealing film, the tackiness of the sealing film is suppressed, and the handleability of the film is good. In addition to being obtained, there is a tendency that problems such as foaming due to volatilization of the organic solvent hardly occur during thermosetting.
  • the content of the component (F) contained in the sealing film can be calculated by the method used in the examples of this specification.
  • additives can be used as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Specific examples of such additives include pigments, dyes, mold release agents, antioxidants, surface tension adjusting agents and the like.
  • you may contain a silicone oil in order to improve the dispersibility and solubility of said each component.
  • the sealing film of the present embodiment can be manufactured, for example, as follows. Prepare the varnish which mixed the above-mentioned (A) component, the (B) component, the (C) component, the (D) component, and the (E) component and the additive as necessary in the above-mentioned (F) organic solvent. .
  • the mixing method is not particularly limited, for example, a mill, a mixer, or a stirring blade can be used.
  • the component (F) can assist in dissolving or dispersing the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D) according to this embodiment to form a varnish, or a varnish. .
  • the resin film for sealing contains (E) component
  • (F) component is (A) component which concerns on this embodiment, (B) component, (C) component, (D) component, and (E )
  • the component can be dissolved or dispersed to form a varnish, or the varnish can be assisted.
  • the varnish produced in this manner is applied to a film-like support and then heated and dried by hot air blowing or the like.
  • the film-like support for example, a polymer film, a metal foil or the like can be used.
  • polystyrene film examples include polyolefin films such as polyethylene films, polypropylene films, and polyvinyl chloride films, polyester films such as polyethylene terephthalate films, polycarbonate films, acetylcellulose films, and tetrafluoroethylene films.
  • polystyrene film examples include polyethylene terephthalate films, polycarbonate films, acetylcellulose films, and tetrafluoroethylene films.
  • metal foil examples include copper and aluminum.
  • the thickness of the film-like support is not particularly limited, and may be 2 to 200 ⁇ m from the viewpoint of workability and drying property.
  • the thickness of the film-like support is 2 ⁇ m or more, there is a tendency that problems such as cutting during coating or bending due to the weight of the varnish are suppressed.
  • the thickness of the support is 200 ⁇ m or less, it is easy to suppress problems that hinder solvent drying in the varnish mainly in a dryer in which hot air is blown from both the coated surface and the back surface.
  • the coating method used for coating is not particularly limited, and for example, a coating device such as a comma coater, a bar coater, a kiss coater, a roll coater, a gravure coater, a die coater, or the like can be used.
  • a coating device such as a comma coater, a bar coater, a kiss coater, a roll coater, a gravure coater, a die coater, or the like can be used.
  • the method of heating and drying the varnish applied to the support is not particularly limited, and examples thereof include hot air blowing.
  • Examples of the heat drying conditions include heating at 100 to 140 ° C. for 5 to 20 minutes.
  • the sealing film of this embodiment is formed by removing the component (F).
  • the varnish can be dried so that the (F) component remaining in the film has the above-described content.
  • the sealing film of this embodiment may have a film thickness of 50 to 250 ⁇ m. Also, a plurality of sealing films of this embodiment can be laminated to produce a sealing film exceeding 250 ⁇ m.
  • a layer for the purpose of protection may be formed on the sealing film formed on the film-like support.
  • the handleability tends to be improved.
  • a layer for protection on the sealing film for example, even when the sealing film is wound up, avoid the problem that the sealing film sticks to the back surface of the film-like support. Can do.
  • a polymer film or a metal foil can be used as the layer for the purpose of protection.
  • the polymer film include a polyolefin film such as a polyethylene film, a polypropylene film, and a polyvinyl chloride film, a polyester film such as a polyethylene terephthalate film, a polycarbonate film, an acetylcellulose film, and a tetrafluoroethylene film.
  • the metal foil include copper or aluminum.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the method according to the present embodiment includes a support 1 and a sealing film 2 provided on the support 1 on a semiconductor element 20 to be embedded arranged side by side on a substrate 30 having a temporary fixing material 40.
  • FIG. 1C an electronic component device including a semiconductor element 20 embedded in a cured product 2a obtained by sealing a semiconductor element with a sealing film by a laminating method is obtained.
  • the laminator to be used is not particularly limited, and examples thereof include a roll type and a balloon type laminator.
  • the laminator may be a balloon type capable of vacuum pressurization from the viewpoint of embedding.
  • the laminating temperature is usually below the softening point of the support. Further, the laminating temperature is preferably near the minimum melt viscosity of the sealing film.
  • the pressure at the time of lamination varies depending on the size and density of the semiconductor element or electronic component to be embedded, and may be in the range of 0.2 to 1.5 MPa or in the range of 0.3 to 1.0 MPa.
  • the laminating time is not particularly limited, and may be 20 to 600 seconds, 30 to 300 seconds, or 40 to 120 seconds.
  • Curing can be performed, for example, in an air atmosphere or an inert gas atmosphere.
  • the curing temperature is not particularly limited, and may be 80 to 280 ° C., 100 to 240 ° C., or 120 to 200 ° C. If the curing temperature is 80 ° C. or higher, the curing of the sealing film proceeds sufficiently and the occurrence of defects can be further suppressed. When the curing temperature is 280 ° C. or lower, the occurrence of heat damage to other materials tends to be further suppressed.
  • the curing time is not particularly limited, and may be 30 to 600 minutes, 45 to 300 minutes, or 60 to 240 minutes. If the curing time is within these ranges, curing of the sealing film proceeds sufficiently, and better production efficiency is obtained. A plurality of curing conditions may be combined.
  • sealing film and the electronic component device according to the present invention have been described above.
  • the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and modifications may be made as appropriate without departing from the spirit of the present invention.
  • an electronic component other than the semiconductor element for example, it can be applied to a wiring board material.
  • Epoxy resin A1 Bisphenol F type epoxy resin (trade name: grade 806 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 160, liquid at 25 ° C.)
  • Epoxy resin A2 Naphthalene skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin (trade name: EXA-4750, epoxy equivalent: 182 manufactured by DIC Corporation)
  • Epoxy resin A3 epoxy resin C4: bisphenol F type epoxy resin containing butadiene elastomer with an average particle size of 0.1 ⁇ m (trade name: MX-136 manufactured by Kaneka Corporation, butadiene elastomer content 25 mass%, liquid at 25 ° C.)
  • Epoxy resin A4 (elastomer C5) bisphenol F type epoxy resin and bisphenol A type epoxy resin containing butadiene elastomer having an average particle size of 0.2 ⁇ m (trade name: MX-267 manufactured by Kaneka Corporation, butadiene elastomer content: 37% by mass,
  • Example 1 673.2 g of organic solvent F was put in a 10 L polyethylene container, 3962 g of inorganic filler D3 was added thereto, and inorganic filler D3 was dispersed with a stirring blade.
  • 100 g of epoxy resin A1 which is liquid at 25 ° C. 70 g of epoxy resin A2 which is not liquid at 25 ° C.
  • 180 g of bisphenol F-type epoxy resin A3 containing 0.1 ⁇ m butadiene elastomer 180 g of bisphenol F-type epoxy resin A3 containing 0.1 ⁇ m butadiene elastomer
  • At 25 ° C. 183 g of a curing agent B1 that does not show liquid state was added and stirred.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • the sealing films having a film thickness of 185 ⁇ m and 225 ⁇ m were laminated so that the two sealing films were in contact with each other, and were bonded together with a vacuum pressure laminator under the following conditions.
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • Example 2 Into a 10 L polyethylene container, 1945 g of organic solvent F was added, 9700 g of inorganic filler D1 and 1712 g of D2 were added thereto, and inorganic fillers D1 and D2 were dispersed with stirring blades. In this dispersion, 134 g of epoxy resin A2 that does not show liquid at 25 ° C., 1206 g of bisphenol F type epoxy resin A3 containing 0.1 ⁇ m butadiene elastomer with a particle size of 106 g, no liquid at 25 ° C. 684 g of curing agent B2 was added and stirred. After visually confirming that the curing agent B2 that does not show liquid at 25 ° C.
  • This varnish-like epoxy resin composition was applied on a support (38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate) using a coating machine under the following conditions, and a film for sealing having a film thickness of 185 ⁇ m, 200 ⁇ m and 225 ⁇ m was obtained. Each was produced.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • Example 3 Into a 10 L polyethylene container, 1217 g of organic solvent F was added, 6070 g of inorganic filler D1 and 1071 g of D2 were added thereto, and inorganic fillers D1 and D2 were dispersed with stirring blades. In this dispersion, 808 g of bisphenol F type epoxy resin A4 containing 0.2 ⁇ m particle size butadiene elastomer, 90 g of phenol novolac type epoxy resin A6 containing butadiene elastomer, 66 g of silicone powder C1, and a curing agent that does not show liquid at 25 ° C. 369 g of B2 was added and stirred.
  • organic solvent F 6070 g of inorganic filler D1 and 1071 g of D2 were added thereto, and inorganic fillers D1 and D2 were dispersed with stirring blades.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • Example 4 100 g of organic solvent F was put in a 1 L polyethylene container, 713 g of inorganic filler D1 and 126 g of D2 were added thereto, and inorganic fillers D1 and D2 were dispersed with a stirring blade. To this dispersion, 104 g of bisphenol F type epoxy resin A3 containing butadiene elastomer having a particle size of 0.1 ⁇ m and 52 g of curing agent B2 that does not show a liquid state at 25 ° C. were added and stirred. After visually confirming that the curing agent B2 that does not show liquid at 25 ° C. was dissolved, 0.4 g of the curing accelerator E was added to the dispersion, followed by further stirring for 1 hour.
  • This dispersion was filtered through nylon # 200 mesh (opening 75 ⁇ m), and the filtrate was collected to prepare a varnish-like epoxy resin composition.
  • This varnish-like epoxy resin composition was applied on a support (38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate) using a coating machine under the following conditions, and a film for sealing having a film thickness of 185 ⁇ m, 200 ⁇ m and 225 ⁇ m was obtained. Each was produced.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • Example 5 100 g of organic solvent F was put in a 1 L polyethylene container, 713 g of inorganic filler D1 and 126 g of D2 were added thereto, and inorganic fillers D1 and D2 were dispersed with a stirring blade. To this dispersion, 34 g of epoxy resin A1 which is liquid at 25 ° C., 71 g of bisphenol F type epoxy resin A4 containing butadiene elastomer having a particle size of 0.2 ⁇ m, and 52 g of curing agent B2 which does not show liquid at 25 ° C. are added. Stir. After visually confirming that the curing agent B2 that does not show liquid at 25 ° C.
  • varnish-like epoxy resin composition is applied on a support (38 ⁇ m-thick polyethylene terephthalate) using a coating machine under the following conditions, and the film-like epoxy resin composition has a film thickness of 185 ⁇ m, 200 ⁇ m and 225 ⁇ m. Each thing was produced.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • Example 6 Into a 1 L polyethylene container, 41 g of organic solvent F was added, 204 g of inorganic filler D1 and 36 g of D2 were added thereto, and inorganic fillers D1 and D2 were dispersed with a stirring blade. In this dispersion, 0.2 g of epoxy resin A1 which is liquid at 25 ° C., 30 g of silicone elastomer-containing bisphenol F type epoxy resin and bisphenol A type epoxy resin (epoxy resin A5), and no liquid state at 25 ° C. 15 g of curing agent B2 was added and stirred. After visually confirming that the curing agent B2 that does not show liquid at 25 ° C.
  • epoxy resin A1 which is liquid at 25 ° C.
  • silicone elastomer-containing bisphenol F type epoxy resin and bisphenol A type epoxy resin epoxy resin A5
  • This varnish-like epoxy resin composition was applied on a support (38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate) using a coating machine under the following conditions, and a film for sealing having a film thickness of 185 ⁇ m, 200 ⁇ m and 225 ⁇ m was obtained. Each was produced.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • Example 7 100 g of organic solvent F was put in a 1 L polyethylene container, 713 g of inorganic filler D1 and 126 g of D2 were added thereto, and inorganic fillers D1 and D2 were dispersed with a stirring blade. To this dispersion, 78 g of epoxy resin A1 showing liquid at 25 ° C., 26 g of silicone powder C2, and 53 g of curing agent B2 showing no liquid at 25 ° C. were added and stirred. After visually confirming that the curing agent B2 that does not show liquid at 25 ° C. was dissolved, 0.3 g of the curing accelerator E was added to the dispersion, followed by further stirring for 1 hour.
  • This dispersion was filtered through nylon # 200 mesh (opening 75 ⁇ m), and the filtrate was collected to prepare a varnish-like epoxy resin composition.
  • This varnish-like epoxy resin composition was applied on a support (38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate) using a coating machine under the following conditions, and a film for sealing having a film thickness of 185 ⁇ m, 200 ⁇ m and 225 ⁇ m was obtained. Each was produced.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • Example 8 100 g of organic solvent F was put in a 1 L polyethylene container, 713 g of inorganic filler D1 and 126 g of D2 were added thereto, and inorganic fillers D1 and D2 were dispersed with a stirring blade. To this dispersion liquid, 78 g of epoxy resin A1 showing liquid at 25 ° C., 26 g of silicone powder C3, and 53 g of curing agent B2 showing no liquid at 25 ° C. were added and stirred. After visually confirming that the curing agent B2 that does not show liquid at 25 ° C. was dissolved, 0.3 g of the curing accelerator E was added to the dispersion, followed by further stirring for 1 hour.
  • This dispersion was filtered through nylon # 200 mesh (opening 75 ⁇ m), and the filtrate was collected to prepare a varnish-like epoxy resin composition.
  • This varnish-like epoxy resin composition was applied on a support (38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate) using a coating machine under the following conditions, and a film for sealing having a film thickness of 185 ⁇ m, 200 ⁇ m and 225 ⁇ m was obtained. Each was produced.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • Example 9 100 g of organic solvent F was put in a 1 L polyethylene container, 713 g of inorganic filler D1 and 126 g of D2 were added thereto, and inorganic fillers D1 and D2 were dispersed with a stirring blade. To this dispersion, 78 g of epoxy resin A1 showing liquid at 25 ° C., 26 g of silicone powder C1, and 53 g of curing agent B2 showing no liquid at 25 ° C. were stirred. After visually confirming that the curing agent B2 that does not show liquid at 25 ° C. was dissolved, 0.3 g of the curing accelerator E was added to the dispersion, followed by further stirring for 1 hour.
  • This dispersion was filtered through nylon # 200 mesh (opening 75 ⁇ m), and the filtrate was collected to prepare a varnish-like epoxy resin composition.
  • This varnish-like epoxy resin composition was applied on a support (38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate) using a coating machine under the following conditions, and a film for sealing having a film thickness of 185 ⁇ m, 200 ⁇ m and 225 ⁇ m was obtained. Each was produced.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • This dispersion was filtered through nylon # 200 mesh (opening 75 ⁇ m), and the filtrate was collected to prepare a varnish-like epoxy resin composition.
  • This varnish-like epoxy resin composition was applied on a support (38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate) using a coating machine under the following conditions, and a film for sealing having a film thickness of 185 ⁇ m, 200 ⁇ m and 225 ⁇ m was obtained. Each was produced.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • This dispersion was filtered through nylon # 200 mesh (opening 75 ⁇ m), and the filtrate was collected to prepare a varnish-like epoxy resin composition.
  • This varnish-like epoxy resin composition was applied on a support (38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate) using a coating machine under the following conditions, and a film for sealing having a film thickness of 185 ⁇ m, 200 ⁇ m and 225 ⁇ m was obtained. Each was produced.
  • ⁇ Coating head method Comma ⁇ Coating and drying speed: 1 m / min ⁇ Drying conditions (temperature / furnace length): 110 ° C./3.3 m, 130 ° C./3.3 m, 140 ° C./3.3 m
  • sealing films having a film thickness of 370 ⁇ m and 450 ⁇ m were prepared.
  • the mass of the support cut into a 5 cm square separately measured and the mass of the aluminum cup are subtracted, and the sealing before heating and after heating is performed.
  • the mass of each film was determined.
  • the value which deducted the mass of the sealing film after a heating from the mass of the sealing film before a heating was made into the quantity of the organic solvent contained in the sealing film.
  • the ratio of the quantity of the organic solvent with respect to the mass of the film for sealing before a heating was made into the content rate of the organic solvent.
  • ⁇ Evaluation method> Method for evaluating warpage of cured product when sealing silicon chip using sealing film to make eWLB package
  • sealing film two sealing films with a thickness of 185 ⁇ m are stacked, A film having a thickness of 370 ⁇ m was used.
  • a silicon chip having a thickness of 350 ⁇ m on a SUS plate was sealed using a sealing film to prepare an 8-inch sized eWLB package.
  • the sealing film produced by the method shown in the examples was cut into a circle having a diameter of 20 cm. The entire support was peeled off, placed on a silicon chip placed on a SUS plate, and the chip was sealed under the following conditions using a compression molding apparatus to produce a sealed body.
  • FIG. 2 shows a layout of silicon chips in this measurement system.
  • a 7.3 mm square silicon chip 60 and a 3 mm square silicon chip 70 are arranged on the SUS plate 50 as shown in FIG.
  • Compression mold equipment Product name WCM-300 manufactured by Apic Yamada Co., Ltd.
  • Compression mold molding temperature 140 °C
  • Compression mold pressure 2.5MPa -Compression mold time: 10 minutes
  • the produced sealing body was hardened on the following conditions, and the hardening body was produced.
  • ⁇ Oven Trade name SAFETY OVEN SPH-201 manufactured by ESPEC Corporation
  • Oven temperature 140 °C -Time: 120 minutes
  • the amount of warpage of the produced cured body was measured using the following apparatus.
  • Warp measurement stage device name Combs Co., Ltd., trade name CP-500 -Warp measurement laser beam device name: Product name LK-030 manufactured by Keyence Corporation
  • the center portion of the surface of the cured body was set to 0 (reference point), and the height of the end portion was measured as the amount of warpage, and evaluated based on the following evaluation criteria.
  • Laminator Vacuum pressure laminator (trade name MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) ⁇ Lamination temperature: 90 °C ⁇ Lamination pressure: 0.5 MPa -Vacuum drawing time: 30 seconds-Laminating time: 40 seconds The produced sealing body was hardened on the following conditions, and the hardening body was produced.
  • Oven Trade name SAFETY OVEN SPH-201 manufactured by ESPEC Corporation
  • Oven temperature 140 °C -Time: 120 minutes
  • the amount of warpage of the produced cured body was measured using the following apparatus.
  • Warp measurement stage device name Combs Co., Ltd., trade name CP-500 -Warp measurement laser beam device name: Product name LK-030 manufactured by Keyence Corporation
  • the center of the wafer surface was set to 0 (reference point), the height of the wafer edge was measured as a warp, and evaluated based on the following evaluation criteria.
  • Warp measurement stage device name Combs Co., Ltd., trade name CP-500 -Warp measurement laser beam device name: Product name LK-030 manufactured by Keyence Corporation
  • the center part of the separated silicon wafer surface was set to 0 (reference point), and the height of the end part was measured as a warp, and evaluated based on the following evaluation criteria.
  • Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 shown in Table 2 it was found that the desired effect can be obtained with respect to the warpage of the cured body evaluated by the eWLB package by increasing the addition amount of the elastomer component. Further, from the results of Examples 2 and 3 and Comparative Example 2, it was found that the desired effect can be obtained by increasing the amount of the elastomer added with respect to the warpage of the cured body evaluated with a 12-inch silicon wafer.
  • the elastomer component is added to the sealing film in an amount of 0.5 to 7.0% by mass based on the total mass of the components (A), (B), (C) and (D). By doing, it turned out that the curvature amount of a hardening body can be suppressed.
  • SYMBOLS 1 Support body, 2 ... Sealing film, 2a ... Hardened

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Abstract

　本発明の封止用フィルムは、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）ブタジエン系ゴム及びシリコーン系ゴムからなる群より選択される１種以上のエラストマー、並びに（Ｄ）無機充填材を含有し、（Ｃ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、０．５～７．０質量％である。

Description

封止用フィルム及びそれを用いた電子部品装置
　本発明は、封止用フィルム及びそれを用いた電子部品装置に関する。
　電子機器の軽薄短小化に伴って、半導体装置の小型化及び薄型化が進んでいる。例えば、半導体素子とほぼ同じ大きさの半導体装置、及び半導体装置の上に半導体装置を積むパッケージ・オン・パッケージといった実装形態も盛んに行われている。そのため、今後、半導体装置の小型化及び薄型化が一段と進むことが予想される。
　半導体装置の小型化及び薄型化を実現するうえで課題もある。例えば、半導体素子の微細化が進展し、端子数が増加してくると、半導体素子上にすべての外部接続用端子を設けることが難しくなる。無理に外部接続用端子を設けた場合、端子間のピッチが狭くなるとともに、端子の高さが低くなり、半導体装置を実装した後の接続信頼性の確保が難しくなる。
　そこで近年、新たな実装方式が提案されている。例えば、下記特許文献１～３には、半導体ウェハから作製され、個片化された半導体素子を、適度な間隔を有するように再配置したのち、これらを固形又は液状の封止樹脂を用いて封止する工程を備える実装方法及びこの方法を用いて作製される半導体装置が開示されている。この方式では、複数の半導体素子が封止された封止成型物に対して、外部接続用端子を配置するための配線及び外部接続用端子の形成等の工程が実施されるため、再配置される半導体素子が多いほど、一度の工程で作製可能な半導体装置が増えることになる。
　そこで封止成型物を大きくする検討が行われている。現状、配線形成には半導体製造装置が使用されるため、ウェハ形状に成型された封止成型物の大径化が図られている。別の形状として、より大判化が可能で、半導体製造装置よりも安価なプリント配線板製造装置等の使用が可能となる封止成型物のパネル化も検討されている。
特許第３６１６６１５号公報 特開２００１－２４４３７２号公報 特開２００１－１２７０９５号公報
　再配置した半導体素子の封止は、液状又は固形の樹脂封止材を金型で成型するモールド成型が使用される。従来は、ペレット状の樹脂封止材を溶融させ、金型内に封止樹脂を流し込むことで封止するトランスファーモールド成型が使用されていた。しかしながら、トランスファーモールド成型では、溶融させた樹脂を流し込んで成型するため、大面積を封止しようとする場合、未充填部が発生する可能性がある。
　他の成型方法として、あらかじめ金型又は被封止体に樹脂封止材を供給してから成型を行うコンプレッションモールド成型がある。コンプレッションモールド成型では、被封止体又は金型に直接、封止材を供給するため、大面積の封止でも未充填部が発生しにくい利点がある。しかしながら、この成型方法であっても、被封止体が大型化した場合、液状樹脂封止材では液流れ等が発生し、被封止体上への均一な供給が困難となりやすい。一方、ペレット状の固形樹脂封止材は被封止体上に均一に供給することが難しく、顆粒及び粉体の樹脂封止材は発塵原となって装置及びクリーンルームを汚染することが懸念される。
　他方、金型の大型化に伴う問題もある。大型化した金型は、高い金型精度が求められることから技術面での難易度が上がるとともに、製造コストが大幅に増加する課題も有している。
　上記事情に鑑み本発明者らは、金型を必要としない封止成型方法にも対応でき、発塵の懸念が少なく、上述の封止成型物のパネル化も期待できる封止方法として、フィルム状の封止樹脂をラミネート又はプレスすることを検討した。フィルム状の封止樹脂を用いる場合、仮固定材上に配置した半導体素子を封止樹脂で封止した後、封止成型物を仮固定材から剥離し、これを硬化させた後、再配線層形成プロセスに入る。このとき、硬化後の硬化体が反っていると再配線層を水平に形成することができないため、硬化体を吸着機に吸着させて水平にすることが行われる。しかし、この反りが大きいと、吸着機に硬化体が十分に吸着されず、再配線層を形成することが困難となる傾向にある。
　本発明の目的は、半導体素子等の電子部品を良好に封止することができるとともに、反り量が十分に抑制された硬化体を形成することができる封止用フィルム、及びそれを用いた電子部品を提供することにある。
　本発明者らは、フィルム中のフィラー含有率を上げることで、封止用フィルムのＣＴＥ（熱膨張係数）を半導体チップのＣＴＥに近づけて、低反り化を試みた。しかし、フィラー含有率を上げたことで、流動性が悪化し、樹脂のフローマークの発生及び未充填部分の発生という別の課題が生じた。そこで、本発明者らは、封止後の成型物を硬化する過程で発生する応力及び硬化収縮量が、硬化後の反りに影響するとの推定に基づき、応力緩和成分の配合と封止成型物の硬化体の反り量との関係について検討した。そして、本発明者らは、特定のエラストマー成分を特定量配合した封止用フィルムによってシリコンチップを封止した封止体が、硬化後においても反り量が十分に小さいことを見出し、係る知見に基づき本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）ブタジエン系ゴム及びシリコーン系ゴムからなる群より選択される１種以上のエラストマー、並びに、（Ｄ）無機充填材を含有し、（Ｃ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、０．５～７．０質量％である、封止用フィルムを提供する。
　本発明の封止用フィルムによれば、半導体素子等の電子部品を良好に封止することができるとともに、反り量が十分に抑制された硬化体を形成することができ、続く再配線層の形成が可能となる。
　本発明の封止用フィルムは、上記（Ａ）成分として、２５℃において液状のエポキシ樹脂を、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、５質量％以上含有してもよい。この場合、硬化体の反りをより抑制することができる。
　本発明の封止用フィルムは、（Ｅ）硬化促進剤を更に含有してもよい。
　本発明の封止用フィルムは、（Ｆ）有機溶剤を、封止用フィルムの総質量を基準として、０．２～１．５質量％含有してもよい。有機溶剤の含有量が上記範囲にある場合、封止用フィルムに割れ及び気泡が発生することを抑制でき、より良好な埋め込み性を得ることができる。
　本発明の封止用フィルムにおいて、上記（Ｄ）成分の含有量が、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、６５質量％以上であってもよい。（Ｄ）成分の含有量が上記範囲にある場合、封止用フィルムと被封止体との熱膨張率の差を少なくすることができ、硬化体の反りをより小さくすることができる。
　本発明の封止用フィルムは、フィルムの厚みを５０～２５０μｍとすることができる。
　本発明はまた、電子部品と、該電子部品を封止する、上記封止用フィルムの硬化体とを備える電子部品装置を提供する。
　本発明によれば、半導体素子等の電子部品を良好に封止することができるとともに、反り量が十分に抑制された硬化体を形成することができる封止用フィルム、及びそれを用いた電子部品を提供することができる。
電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 シリコンチップの配置例を示す図である。
　以下、本発明を実施するための形態（以下、「本実施形態」という。）について詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
　本実施形態の封止用フィルムは、（Ａ）エポキシ樹脂（以下（Ａ）成分という場合もある。）、（Ｂ）硬化剤（以下（Ｂ）成分という場合もある。）、（Ｃ）ブタジエン系ゴム及びシリコーン系ゴムからなる群より選択される１種以上のエラストマー（以下（Ｃ）成分という場合もある。）、並びに（Ｄ）無機充填材（以下（Ｄ）成分という場合もある。）を含有し、（Ｃ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、０．５～７．０質量％である。また、本実施形態の封止用樹脂フィルムは、（Ｅ）硬化促進剤（以下（Ｅ）成分という場合もある。）を更に含有してもよい。封止用樹脂フィルムが（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分の総質量を基準として、０．５～７．０質量％であってもよい。
（Ａ）エポキシ樹脂
　（Ａ）エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のグリシジル基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。（Ａ）成分としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＣ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＧ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰＨ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＴＭＣ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ヘキサンジオールビスフェノールＳジグリシジルエーテル等のビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビキシレノールジグリシジルエーテル等のビキシレノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡグリシジルエーテル等の水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びそれらの二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等が挙げられる。（Ａ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。
　（Ａ）成分には、市販のエポキシ樹脂を使用することもできる。市販のエポキシ樹脂としては、例えば、ＤＩＣ株式会社製の商品名：ＥＸＡ４７００（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、日本化薬株式会社製の商品名：ＮＣ－７０００（ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のナフタレン型エポキシ樹脂；日本化薬株式会社製の商品名：ＥＰＰＮ－５０２Ｈ（トリスフェノールエポキシ樹脂）等のフェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ株式会社製の商品名：エピクロンＨＰ－７２００Ｈ（ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂；日本化薬株式会社製の商品名：ＮＣ－３０００Ｈ（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；ＤＩＣ株式会社製の商品名：エピクロンＮ６６０、エピクロンＮ６９０、日本化薬株式会社製の商品名：ＥＯＣＮ－１０４Ｓ等のノボラック型エポキシ樹脂；日産化学工業株式会社製の商品名：ＴＥＰＩＣ等のトリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート、ＤＩＣ株式会社製の商品名：エピクロン８６０、エピクロン９００－ＩＭ、エピクロンＥＸＡ―４８１６、エピクロンＥＸＡ－４８２２、旭チバ株式会社製の商品名：アラルダイトＡＥＲ２８０、東都化成株式会社製の商品名：エポトートＹＤ－１３４、三菱化学株式会社製の商品名：ＪＥＲ８３４、ＪＥＲ８７２、住友化学株式会社製の商品名：ＥＬＡ－１３４、三菱化学株式会社製の商品名：エピコート８０７、８１５、８２５、８２７、８２８、８３４、１００１、１００４、１００７、１００９、ダウケミカル社製の商品名：ＤＥＲ－３３０、３０１、３６１、東都化成株式会社製の商品名：ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；三菱化学株式会社製の商品名：ＪＥＲ８０６等のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ＤＩＣ株式会社製の商品名：エピクロンＨＰ－４０３２等のナフタレン型エポキシ樹脂；ＤＩＣ株式会社製の商品名：エピクロンＨＰ－４０３２等のナフタレン型エポキシ樹脂；ＤＩＣ株式会社製の商品名：エピクロンＮ－７４０等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナガセケムテックス株式会社製の商品名：ナデコールＤＬＣ３０１等の脂肪族エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。
　（Ａ）成分としては、２５℃において液状のエポキシ樹脂を用いてもよい。液状のエポキシ樹脂としては、２５℃において液状を示すものであれば特に限定はされない。液状のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ系、ビスフェノールＦ系、ビフェニル系、ノボラック系、ジシクロペンタジエン系、多官能フェノール系、ナフタレン系、アラルキル変性系、脂環式系及びアルコール系等のグリシジルエーテル、グリシジルアミン系、並びにグリシジルエステル系樹脂が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。液状のエポキシ樹脂としては、上記の中でも、取り扱い性付与の観点から、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂であってもよい。
　本明細書において、２５℃において液状のエポキシ樹脂とは、Ｅ型粘度計又はＢ型粘度計で測定した２５℃における粘度が４００Ｐａ・ｓ以下であるものを指す。
　（Ａ）成分の含有量は、封止用フィルムに良好な取り扱い性を付与する観点から、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、５～２０質量％であってもよく、５～１５質量％であってもよく、６～１１質量％であってもよい。また、封止用樹脂フィルムが（Ｅ）成分を含有する場合、（Ａ）成分の含有量は、封止用フィルムに良好な取り扱い性を付与する観点から、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分の総質量を基準として、５～２０質量％であってもよく、５～１５質量％であってもよく、６～１１質量％であってもよい。
　本実施形態の封止用フィルムが２５℃において液状のエポキシ樹脂を含有する場合、その含有量は、封止用フィルムに良好な取り扱い性を付与する観点から、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、５質量％以上であってもよく、６質量％以上であってもよい。一方、フィルム表面の過度なタックを抑制するという観点から、２５℃において液状のエポキシ樹脂の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、２０質量％以下であってもよく、１５質量％以下であってもよく、１１質量％以下であってもよい。また、封止用樹脂フィルムが（Ｅ）成分を含有する場合、２５℃において液状のエポキシ樹脂の含有量は、封止用フィルムに良好な取り扱い性を付与する観点から、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分の総質量を基準として、５質量％以上であってもよく、６質量％以上であってもよい。一方、フィルム表面の過度なタックを抑制するという観点から、２５℃において液状のエポキシ樹脂の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分の総質量を基準として、２０質量％以下であってもよく、１５質量％以下であってもよく、１１質量％以下であってもよい。
（Ｂ）硬化剤
　（Ｂ）硬化剤としては、グリシジル基と反応できる官能基を１分子中に２個以上有するものであれば特に制限なく用いることができる。グリシジル基と反応できる官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アミン、酸無水物（無水フタル酸等）が挙げられる。（Ｂ）成分としては、例えば、フェノール樹脂、酸無水物、イミダゾール化合物、脂肪族アミン、脂環族アミンが挙げられる。（Ｂ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。
　フェノール樹脂としては、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば、特に制限なく公知のフェノール樹脂を用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合あるいは共縮合させて得られる樹脂、ビフェニル骨格型フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン・パラキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、キシリレン変性ナフトール樹脂が挙げられる。フェノール樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。
　フェノール樹脂には、市販のフェノール樹脂を使用することもできる。市販のフェノール樹脂としては、例えば、ＤＩＣ株式会社製の商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ－２０９０、フェノライトＴＤ－２１４９、フェノライトＶＨ－４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、三井化学株式会社製の商品名：ＸＬＣ－ＬＬ、ＸＬＣ－４Ｌ、新日鉄住金化学株式会社製の商品名：ＳＮ－１００、ＳＮ－３００、ＳＮ－４００、エア・ウォーター株式会社製の商品名：ＳＫレジンＨＥ９１０が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。
　（Ｂ）成分の含有量は、未反応の（Ａ）及び（Ｂ）成分を少なくするという観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、５０～７５質量部であってもよく、５５～６０質量部であってもよく、６０～６５質量部であってもよい。
　（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の比率は、（Ａ）成分のグリシジル基の当量と、（Ｂ）成分におけるグリシジル基と反応できる官能基の当量との比率（エポキシ樹脂におけるグリシジル基の当量／硬化剤におけるグリシジル基と反応する官能基の当量）として、０．７～２．０であってもよく、０．８～１．８であってもよく、０．９～１．７であってもよい。この比率が上記範囲の場合、未反応の（Ａ）成分又は（Ｂ）成分が少なくなり、封止用フィルムを硬化させたときに所望の硬化膜物性が得られやすい傾向にある。
（Ｃ）エラストマー
　（Ｃ）エラストマーとしては、分散性・溶解性の観点から、ブタジエン系ゴム及びシリコーン系ゴムからなる群より選択される１種以上のエラストマーが好ましい。このような（Ｃ）成分としては、例えば、スチレンブタジエン粒子、シリコーンパウダ、シリコーンオリゴマー、シリコーンレジンによる樹脂改質を行ったシリコーンゴム等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。本実施形態においては、ブタジエン又はシリコーンに由来する骨格をブロック共重合体、又はグラフト共重合体として含有するコアシェル型の粒子が好ましい。
　市販の（Ｃ）成分の中には、エラストマー単体ではなく、予め液状のエポキシ樹脂中に分散して販売されているものもあり、これらも問題なく用いることができる。液状のエポキシ樹脂中にエラストマーが予め分散されているものとしては、例えば、株式会社カネカ製の商品名：ＭＸ－１３６、ＭＸ－２１７、ＭＸ－２６７、ＭＸ－９６５等が挙げられる。
　（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、０．５～７．０質量％であってもよく、１．０～６．０質量％以下であってもよく、１．０～５．７質量％であってもよく、１．０～４．６質量％であってもよい。（Ｃ）成分の含有量が、上記範囲であると、半導体素子等の電子部品を封止用フィルムで封止した封止成型物を硬化した際に、硬化体の反りを十分に抑制することができ、続く再配線層を形成することができる。また、封止用樹脂フィルムが（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分の総質量を基準として、０．５～７．０質量％であってもよく、１．０～６．０質量％以下であってもよく、１．０～５．７質量％であってもよく、１．０～４．６質量％であってもよい。（Ｃ）成分の含有量が、上記範囲であると、半導体素子等の電子部品を封止用フィルムで封止した封止成型物を硬化した際に、硬化体の反りを十分に抑制することができ、続く再配線層を形成することができる。
　（Ｃ）成分が粒子である場合、その平均粒径は、特に制限なく用いることができる。ｅＷＬＢ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ　ｗａｆｅｒ　ｌｅｖｅｌ　ｂａｌｌ　ｇｒｉｄ　ａｒｒａｙ）等の用途では、チップ間を埋め込む必要があるため、（Ｃ）成分の平均粒径は５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以下であってもよい。また、分散性の観点から、（Ｃ）成分の平均粒径は０．０５μｍ以上であってもよく、０．１μｍ以上であってもよく、０．５μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよい。
（Ｄ）無機充填材
　（Ｄ）無機充填材としては、従来公知の無機充填材が使用でき、特定のものに限定されない。（Ｄ）成分としては、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウムが挙げられる。（Ｄ）成分としては、表面改質等により、樹脂中への分散性の向上及びワニス中での沈降抑制がしやすいこと、また比較的小さい熱膨張率を有することから所望の硬化膜特性が得られやすいことから、シリカ類であってもよい。
　（Ｄ）成分は、表面改質を行ってもよい。表面改質の手法は特に限定されず、例えば、表面改質が簡便であり、官能基の種類が豊富なため所望の特性を付与しやすいことからシランカップリング剤を用いた手法であってもよい。シランカップリング剤としては、例えば、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシラン等が挙げられる。
　シランカップリング剤としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、ｎ－ドデシルメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルシラノール、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、ｎ－オクチルジメチルクロロシラン、テトラエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ビス（３－（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド、ビス（３－（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィド、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジアリルジメチルシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－（１，３－ジメチルブチリデン）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノシラン等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
　（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として、６５～９５質量％であってもよく、７５～９０質量％であってもよく、８０～９０質量％であってもよい。（Ｄ）成分の含有量が６５質量％以上の場合、封止用フィルムの熱膨張率を効果的に低減でき、半導体装置又は電子部品装置の反りが小さくなる傾向にある。（Ｄ）成分の含有量が９５質量％以下の場合、塗工時の乾燥工程にて封止用フィルムの割れ又は封止用フィルムの溶融粘度の上昇が抑制される傾向にある。（Ｄ）成分の含有量が９０質量％以下の場合、この傾向が更に強まる。また、封止用フィルムと被封止体との熱膨張率の差を少なくし、硬化体の反りをより小さくする観点から、（Ｄ）成分の含有量は、６５質量％以上であってよく、７０質量％以上であってもよく、８０質量％以上であってもよい。また、封止用樹脂フィルムが（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分の総質量を基準として、６５～９５質量％であってもよく、７５～９０質量％であってもよく、８０～９０質量％であってもよい。（Ｄ）成分の含有量が６５質量％以上の場合、封止用フィルムの熱膨張率を効果的に低減でき、半導体装置又は電子部品装置の反りが小さくなる傾向にある。（Ｄ）成分の含有量が９５質量％以下の場合、塗工時の乾燥工程にて封止用フィルムの割れ又は封止用フィルムの溶融粘度の上昇が抑制される傾向にある。（Ｄ）成分の含有量が９０質量％以下の場合、この傾向が更に強まる。また、封止用フィルムと被封止体との熱膨張率の差を少なくし、硬化体の反りをより小さくする観点から、（Ｄ）成分の含有量は、６５質量％以上であってよく、７０質量％以上であってもよく、８０質量％以上であってもよい。
　（Ｄ）成分の平均粒径は、０．０１～５０μｍであってもよく、０．１～２５μｍであってもよく、０．３～１０μｍであってもよい。平均粒径が０．０１μｍ以上の場合、無機充填材の凝集が抑制され、無機充填材の分散が容易となる傾向にある。一方、平均粒径が５０μｍ以下の場合、無機充填材のワニス中での沈降が抑制され、封止用フィルムの作製が容易となる傾向にある。平均粒径とは、粒子の全体積を１００％として粒径による累積度数分布曲線を求めたとき、体積５０％に相当する点の粒径であり、レーザー回折散乱法を用いた粒度分布測定装置等で測定することができる。
（Ｅ）硬化促進剤
　本実施形態の封止用フィルムは、（Ｅ）硬化促進剤を更に含有してもよい。（Ｅ）硬化促進剤としては、特に制限なく用いることができ、アミン系又はリン系の硬化促進剤であってもよい。アミン系の硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物、脂肪族アミン、芳香族アミン、変性アミン、ポリアミド樹脂等が挙げられる。リン系の硬化促進剤としては、例えば、ホスフィンオキサイド、ホスホニウム塩、ダイホスフィン等の有機リン化合物が挙げられる。これらの硬化促進剤の中でも、誘導体が豊富であり、所望の活性温度を得やすい観点から、（Ｅ）成分はイミダゾール化合物であってもよい。
　（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総質量を基準として、０．０１～５質量％であってもよく、０．１～３質量％であってもよく、０．３～１．５質量％であってもよい。（Ｅ）成分の含有量が、０．０１質量％以上の場合には、十分な硬化促進効果が得られやすい。一方、（Ｅ）成分の含有量が、５質量％以下の場合、塗工時の乾燥工程中又は保管中の硬化の進行が抑制され、封止用フィルムの割れ又は溶融粘度の上昇に伴う成型不良が少なくなる傾向にある。
（Ｆ）有機溶媒
　本実施形態の封止用フィルムには、（Ｆ）有機溶剤（以下、（Ｆ）成分という場合もある。）を更に含有させることができる。（Ｆ）成分は、従来公知の有機溶剤が使用できる。（Ｆ）成分は、（Ｄ）成分以外の成分を溶解できるものが好ましく、例えば、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、テルペン類、ハロゲン類、エステル類、ケトン類、アルコール類、アルデヒド類が挙げられる。（Ｆ）成分は、環境負荷が小さく、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を溶解しやすいという観点から、エステル類、ケトン類、アルコール類であってもよい。（Ｆ）成分としては、これらの中でも、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を特に溶解しやすいという観点から、ケトン類であってもよい。ケトン類としては、中でも、室温での揮発が少なく、乾燥時に除去しやすいという観点から、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンであってもよい。
　封止用フィルムに含まれる（Ｆ）成分の含有量は、封止用フィルムの総質量を基準として、０．２～１．５質量％であってもよく、０．３～１質量％であってもよい。（Ｆ）成分の含有量が、封止用フィルムの総質量を基準として、０．２質量％以上の場合、フィルム割れ等の不具合が抑制されるとともに最低溶融粘度が低く抑えられ、良好な埋め込み性が得られる傾向にある。一方で、（Ｆ）成分の含有量が、封止用フィルムの総質量を基準として、１．５質量％以下の場合、封止用フィルムの粘着性が抑えられ、良好なフィルムの取扱い性が得られるとともに、熱硬化時に有機溶剤の揮発に伴う発泡等の不具合が生じにくい傾向にある。封止用フィルムに含まれる（Ｆ）成分の含有量は、本明細書の実施例で用いた方法で算出することができる。
　本実施形態の封止用フィルムには、本発明の効果を損なわない範囲で、更に他の添加剤を用いることができる。このような添加剤の具体例としては、顔料、染料、離型剤、酸化防止剤、表面張力調整剤等を挙げることができる。また、上記各成分の分散性・溶解性を向上させる目的で、シリコーンオイルを含有させてもよい。
　本実施形態の封止用フィルムは、例えば、次のようにして製造することができる。上述した（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分、並びに必要に応じて（Ｅ）成分及び添加剤を、上述した（Ｆ）有機溶剤に混合したワニスを調製する。混合方法は、特に限定されないが、例えば、ミル、ミキサー、撹拌羽が使用できる。（Ｆ）成分は、本実施形態に係る（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分を溶解又は分散しワニスとする、又はワニスとすることを補助することができる。また、封止用樹脂フィルムが（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｆ）成分は、本実施形態に係る（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を溶解又は分散しワニスとする、又はワニスとすることを補助することができる。
　このようにして製造したワニスを、フィルム状の支持体に塗布した後、熱風吹き付け等によって加熱乾燥させる。
　フィルム状の支持体としては、例えば、高分子フィルム、金属箔等を用いることができる。
　高分子フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、アセチルセルロースフィルム、テトラフルオロエチレンフィルム等が挙げられる。金属箔としては、例えば、銅、及びアルミ等が挙げられる。
　フィルム状の支持体の厚みは、特に限定されるものではなく、作業性及び乾燥性の観点から２～２００μｍであってもよい。フィルム状の支持体の厚みが２μｍ以上の場合、塗工時に切れたり、ワニスの重さでたわんだりする不具合が抑えられる傾向にある。支持体の厚みが２００μｍ以下の場合、主に、塗工面と裏面の両面から熱風が吹きつけられる乾燥機において、ワニス中の溶剤乾燥が妨げられる不具合を抑えやすい。
　塗布に使用するコーティング方法は、特に限定されず、例えば、コンマコーター、バーコーター、キスコーター、ロールコーター、グラビアコーター、ダイコーター等の塗工装置を用いることができる。
　支持体に塗布したワニスを加熱乾燥させる方法としては、特に限定されるわけではなく、例えば、熱風吹きつけ等の方法が挙げられる。加熱乾燥の条件としては、例えば、１００～１４０℃で、５～２０分間の加熱が挙げられる。
　塗布したワニスを乾燥する工程で、（Ｆ）成分が除去されることで、本実施形態の封止用フィルムが形成される。なお、封止用フィルムに（Ｆ）成分を含有させる場合、フィルム中に残存する（Ｆ）成分が上述した含有量となるように、ワニスを乾燥させることができる。
　本実施形態の封止用フィルムは、フィルムの厚みが５０～２５０μｍであってもよい。また、本実施形態の封止用フィルムを複数枚積層して、２５０μｍを超える封止用フィルムを製造することもできる。
　フィルム状の支持体に形成した封止用フィルム上に、保護を目的とした層を形成させてもよい。封止用フィルムに保護を目的とした層を形成することで、取扱い性が向上する傾向にある。封止用フィルムに保護を目的とした層を形成する場合、例えば、封止用フィルムを巻き取りした場合にも、フィルム状の支持体の裏面に封止用フィルムが張り付くといった不具合を回避することができる。
　保護を目的とした層としては、例えば、高分子フィルム、又は金属箔を用いることができる。高分子フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、アセチルセルロースフィルム、テトラフルオロエチレンフィルムが挙げられる。金属箔としては、例えば、銅又はアルミが挙げられる。
　次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品装置の製造方法について説明する。ここでは、電子部品が半導体素子である場合について説明する。図１は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態に係る方法は、仮固定材４０を有する基板３０上に並べて配置された被埋め込み対象である半導体素子２０に、支持体１と支持体１上に設けられた封止用フィルム２とを備える支持体付き封止用フィルム１０を対向させ、半導体素子２０に封止用フィルム２を加熱下で押圧することにより、封止用フィルム２に半導体素子２０を埋め込む工程（図１（ａ）及び（ｂ））と、半導体素子が埋め込まれた封止用フィルムを硬化させる工程（図１（ｃ））とを備える。本実施形態においては、ラミネート法によって半導体素子を封止用フィルムによって封止した封止成型物を得、これを熱硬化した硬化物２ａに埋め込まれた半導体素子２０を備える電子部品装置が得られているが、封止成型物をコンプレッションモールドにより得てもよい。
　使用するラミネーターとしては、特に限定されるものではなく、例えば、ロール式、バルーン式等のラミネーターが挙げられる。ラミネーターとしては、これらの中でも、埋め込み性の観点から真空加圧が可能なバルーン式であってもよい。
　ラミネート温度は、通常、支持体の軟化点以下で行う。ラミネート温度は、更に、封止用フィルムの最低溶融粘度付近が好ましい。ラミネート時の圧力は、埋め込む半導体素子又は電子部品のサイズ、密集度によって変わり、０．２～１．５ＭＰａの範囲で行ってもよく、０．３～１．０ＭＰａの範囲で行ってもよい。ラミネート時間も、特に限定されるものではなく、２０～６００秒であってもよく、３０～３００秒であってもよく、４０～１２０秒であってもよい。
　硬化は、例えば、大気雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下で行うことができる。硬化温度としては、特に限定されるものではなく、８０～２８０℃であってもよく、１００～２４０℃であってもよく、１２０～２００℃であってもよい。硬化温度が８０℃以上であれば、封止用フィルムの硬化が十分に進み、不具合の発生を一層抑制することができる。硬化温度が２８０℃以下の場合は、他の材料への熱害の発生を一層抑制することができる傾向にある。硬化時間も、特に限定されるものではなく、３０～６００分であってもよく、４５～３００分であってもよく、６０～２４０分であってもよい。硬化時間がこれらの範囲であれば、封止用フィルムの硬化が十分に進み、より良好な生産効率が得られる。また、硬化条件は、複数を組み合わせてもよい。
　以上、本発明に係る封止用フィルム及び電子部品装置の好適な実施形態について説明した。本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。半導体素子以外の電子部品としては、例えば、配線板材料用途にも適用することができる。
　以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
　封止用フィルムを作製するために下記の成分を用意した。
（Ａ成分：エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂Ａ１：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製の商品名：グレード８０６、エポキシ当量：１６０、２５℃において液状）
エポキシ樹脂Ａ２：ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製の商品名：ＥＸＡ－４７５０、エポキシ当量：１８２）
エポキシ樹脂Ａ３（エラストマーＣ４）：平均粒径０．１μｍブタジエンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（株式会社カネカ製の商品名：ＭＸ－１３６、ブタジエンエラストマー含有量２５質量％、２５℃において液状）
エポキシ樹脂Ａ４（エラストマーＣ５）：平均粒径０．２μｍブタジエンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（株式会社カネカ製の商品名：ＭＸ－２６７、ブタジエンエラストマー含有量３７質量％、２５℃において液状）
エポキシ樹脂Ａ５（エラストマーＣ６）：平均粒径０．１μｍシリコーンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（株式会社カネカ製の商品名：ＭＸ－９６５、シリコーンエラストマー含有量２５質量％、２５℃において液状）
エポキシ樹脂Ａ６（エラストマーＣ７）：平均粒径０．１μｍブタジエンエラストマー含有フェノールノボラック型エポキシ樹脂（株式会社カネカ製の商品名：ＭＸ－２１７、ブタジエンエラストマー含有量２５質量％、２５℃において液状）
（Ｂ成分：硬化剤）
硬化剤Ｂ１：フェノールノボラック（旭有機材工業株式会社製の商品名：ＰＡＰＳ－ＰＮ２、フェノール性水酸基当量：１０４）
硬化剤Ｂ２：ナフタレンジオールノボラック（新日鉄住金化学株式会社製の商品名：ＳＮ－３９５）
（Ｃ成分：エラストマー）
エラストマーＣ１：シリコーンパウダ（信越化学工業株式会社製の商品名：ＫＭＰ－６０５、平均粒径２μｍ）
エラストマーＣ２：シリコーンパウダ（信越化学工業株式会社製の商品名：ＫＭＰ－６００、平均粒径５μｍ）
エラストマーＣ３：シリコーンパウダ（信越化学工業株式会社製の商品名：ＫＭＰ－６０２、平均粒径３０μｍ）
（Ｄ成分：無機充填材）
無機充填材Ｄ１：シリカ（電気化学工業株式会社製の商品名：ＦＢ－５ＳＤＣ、フェニルアミノシラン処理、平均粒径５．０μｍ）
無機充填材Ｄ２：シリカ（電気化学工業株式会社製の商品名：ＳＦＰ－２０Ｍ、フェニルアミノシラン処理、平均粒径０．５μｍ）
無機充填材Ｄ３：シリカ（株式会社アドマテックス製の商品名：ＳＸ－Ｅ２、フェニルアミノシラン処理、／平均粒径５．８μｍ）
（Ｅ成分：硬化促進剤）
硬化促進剤Ｅ：イミダゾール（四国化成工業株式会社製の商品名：２Ｐ４ＭＺ）
（Ｆ成分：有機溶剤）
有機溶剤Ｆ：メチルエチルケトン
＜封止用フィルムの作製＞
（実施例１）
　１０Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを６７３．２ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ３を３９６２ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ３を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂Ａ１を１００ｇ、２５℃にて液状を示さないエポキシ樹脂Ａ２を７０ｇ、粒径０．１μｍブタジエンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂Ａ３を１８０ｇ、及び２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ１を１８３ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ１が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを２．１ｇ加え、更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、フィルムの厚みが１８５μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムについては、２枚の封止用フィルム同士が接するように重ね、真空加圧ラミネーターにより以下の条件で張り合わせた。
・ラミネーター装置：真空加圧ラミネーター（株式会社名機製作所製の商品名ＭＶＬＰ－５００）
・ラミネート温度：９０℃
・ラミネート圧力：０．１５ＭＰａ
・真空引き時間：１０秒
・ラミネート時間：５秒
　こうして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（実施例２）
　１０Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを１９４５ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ１を９７００ｇ、Ｄ２を１７１２ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ１及びＤ２を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示さないエポキシ樹脂Ａ２を１３４ｇ、粒径０．１μｍブタジエンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂Ａ３を１２０６ｇ、シリコーンパウダＣ１を１０６ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２を６８４ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを５．４ｇ加え、更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（実施例３）
　１０Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを１２１７ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ１を６０７０ｇ、Ｄ２を１０７１ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ１及びＤ２を分散させた。この分散液に、粒径０．２μｍブタジエンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂Ａ４を８０８ｇ、ブタジエンエラストマー含有フェノールノボラック型エポキシ樹脂Ａ６を９０ｇ、シリコーンパウダＣ１を６６ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２を３６９ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを２．７ｇ加え、更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（実施例４）
　１Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを１００ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ１を７１３ｇ、Ｄ２を１２６ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ１及びＤ２を分散させた。この分散液に、粒径０．１μｍブタジエンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂Ａ３を１０４ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２を５２ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを０．４ｇ加え、更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（実施例５）
　１Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを１００ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ１を７１３ｇ、Ｄ２を１２６ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ１及びＤ２を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂Ａ１を３４ｇ、粒径０．２μｍブタジエンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂Ａ４を７１ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２を５２ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを０．４ｇ加え、更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍのフィルム状エポキシ樹脂組成物をそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（実施例６）
　１Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを４１ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ１を２０４ｇ、Ｄ２を３６ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ１及びＤ２を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂Ａ１を０．２ｇ、シリコーンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ５）を３０ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２を１５ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを０．１ｇ加え、更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（実施例７）
　１Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを１００ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ１を７１３ｇ、Ｄ２を１２６ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ１及びＤ２を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂Ａ１を７８ｇ、シリコーンパウダＣ２を２６ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２を５３ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを０．３ｇ加えて更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（実施例８）
　１Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを１００ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ１を７１３ｇ、Ｄ２を１２６ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ１及びＤ２を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂Ａ１を７８ｇ、シリコーンパウダＣ３を２６ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２を５３ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを０．３ｇ加えて更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（実施例９）
　１Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを１００ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ１を７１３ｇ、Ｄ２を１２６ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ１及びＤ２を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂Ａ１を７８ｇ、シリコーンパウダＣ１を２６ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２を５３ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを０．３ｇ加えて更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（比較例１）
　１０Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを４０６．８ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ３を２３９４ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ３を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂Ａ１を１６０ｇ、２５℃にて液状を示さないエポキシ樹脂Ａ２を４０ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ１を１２２ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ１が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを１．２ｇ加えて更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過し、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（比較例２）
　１０Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを１３２９．１ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ３を７８２１ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ３を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂Ａ１を３８２ｇ、２５℃にて液状を示さないエポキシ樹脂Ａ２を１３４ｇ、粒径０．１μｍブタジエンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂Ａ３を１１１ｇ、シリコーンエラストマー含有ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ５）を４３ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ１を３８２ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ１が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを４．０ｇ加えて更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過して、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
（比較例３）
　１Ｌのポリエチレン容器に有機溶剤Ｆを１００ｇ入れ、これに無機充填材Ｄ１を７１３ｇ、Ｄ２を１２６ｇ加え、撹拌羽で無機充填材Ｄ１及びＤ２を分散させた。この分散液に、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂Ａ１を９３ｇ、２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２を６４ｇ加えて撹拌した。２５℃にて液状を示さない硬化剤Ｂ２が溶解したのを目視にて確認した後、分散液に、硬化促進剤Ｅを０．４ｇ加えて更に１時間撹拌した。この分散液をナイロン製＃２００メッシュ（開口７５μｍ）でろ過して、ろ液を採取してワニス状エポキシ樹脂組成物を作製した。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体（３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート）上に、以下の条件で塗布し、フィルムの厚みが１８５μｍ、２００μｍ及び２２５μｍの封止用フィルムをそれぞれ作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：１１０℃／３．３ｍ、１３０℃／３．３ｍ、１４０℃／３．３ｍ
　その後、実施例１と同様にして、フィルムの厚みが３７０μｍ及び４５０μｍである封止用フィルムをそれぞれ用意した。
　実施例及び比較例の封止用フィルムの組成について、表１に示す。
　なお、封止用フィルムにおける（Ｆ）成分の含有量は以下のように算出した。得られた支持体付きの封止用フィルムを５ｃｍ角の試料に切り出した。この試料を予め質量を測定したアルミカップに入れて、試料が入ったアルミカップの質量を測定した。次いで、試料をアルミカップに入れたまま、１８０℃のオーブンで１０分間加熱し、室温にて１０分間放置した後、試料が入ったアルミカップの質量を再度測定した。次いで、加熱前又は加熱後の試料が入ったアルミカップの質量の測定値から、別途測定した５ｃｍ角にカットした支持体の質量及びアルミカップの質量を差し引いて、加熱前及び加熱後の封止用フィルムの質量をそれぞれ求めた。そして、加熱前の封止用フィルムの質量から加熱後の封止用フィルムの質量を差し引いた値を封止用フィルムに含まれる有機溶剤の量とした。そして、加熱前の封止用フィルムの質量に対する有機溶媒の量の割合を有機溶媒の含有率とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
＜評価方法＞
（１）封止用フィルムを用いてシリコンチップを封止し、ｅＷＬＢパッケージとした際の硬化物の反り評価方法
　封止用フィルムとしては、厚みが１８５μｍの封止用フィルムを２枚重ね、厚みを３７０μｍとしたフィルムを用いた。以下の手順で、封止用フィルムを用いて、ＳＵＳ板上の厚さ３５０μｍのシリコンチップを封止し、８インチサイズのｅＷＬＢパッケージを作製した。実施例に示す方法で作製した封止用フィルムを直径２０ｃｍの円に切り取った。支持体を全て剥離し、ＳＵＳ板上に配置されたシリコンチップの上に載せ、コンプレッションモールド装置を用いて、以下の条件でチップを封止し、封止体を作製した。図２には、本測定系におけるシリコンチップの配置図を示す。ＳＵＳ板５０上に、７．３ｍｍ角シリコンチップ６０及び３ｍｍ角シリコンチップ７０を図２のように配置した。
・コンプレッションモールド装置：アピックヤマダ株式会社製の商品名ＷＣＭ－３００
・コンプレッションモールド成型温度：１４０℃
・コンプレッションモールド圧力：２．５ＭＰa
・コンプレッションモールド時間：１０分
　作製した封止体を以下の条件で硬化し、硬化体を作製した。
・オーブン：エスペック株式会社製の商品名ＳＡＦＥＴＹ　ＯＶＥＮ　ＳＰＨ－２０１
・オーブン温度：１４０℃
・時間：１２０分
　作製した硬化体の反り量を、以下の装置を用いて測定した。
・反り測定ステージ装置名：コムス株式会社製の商品名ＣＰ－５００
・反り測定レーザー光装置名：株式会社キーエンス製の商品名ＬＫ－０３０
　硬化体表面の中心部を０（基準点）として、端部の高さを反り量として測定し、以下の評価基準に基づいて評価した。
○：反り量≦２．０ｍｍ
×：反り量＞２．０ｍｍ
（２）封止用フィルムを１２インチのシリコンウェハにラミネートし、硬化させた際の硬化物の反り評価方法
　封止用フィルムとしては、厚み２００μｍであるフィルムを用いた。以下の手順で、封止用フィルムを用いて、厚さが８００μｍであり、１２インチサイズのシリコンウェハにラミネートし、硬化させて封止体を作製した。ラミネートは以下の条件で実施した。
・ラミネーター装置：真空加圧ラミネーター（株式会社名機製作所製の商品名ＭＶＬＰ－５００）
・ラミネート温度：９０℃
・ラミネート圧力：０．５ＭＰａ
・真空引き時間：３０秒
・ラミネート時間：４０秒
　作製した封止体を以下の条件で硬化し、硬化体を作製した。
・オーブン：エスペック株式会社製の商品名ＳＡＦＥＴＹ　ＯＶＥＮ　ＳＰＨ－２０１
・オーブン温度：１４０℃
・時間：１２０分
　作製した硬化体の反り量を以下の装置を用いて測定した。
・反り測定ステージ装置名：コムス株式会社製の商品名ＣＰ－５００
・反り測定レーザー光装置名：株式会社キーエンス製の商品名ＬＫ－０３０
　ウェハ表面の中心部を０（基準点）として、ウェハ端部の高さを反りとして測定し、以下の評価基準に基づいて評価した。
○：反り量≦２．０ｍｍ
×：反り量＞２．０ｍｍ
（３）封止用フィルムを個片化したシリコンウェハにプレス成型で圧着して硬化させた硬化体の反り評価方法
　封止用フィルムとしては、厚みが２２５μｍの封止用フィルムを２枚重ね、厚みを４５０μｍとしたフィルムを用いた。封止用フィルムを１２０ｍｍ×１０ｍｍのサイズにカットし、１２０ｍｍ×１０ｍｍのサイズにカットした厚さ７２５μｍのシリコンウェハ上に載せ、プレス成型で圧着し、封止体を得た。プレス成型は、以下の条件で実施した。
・圧着装置：株式会社マサダ製作所製の商品名ＭＨ－５０Ｙ
・圧着温度：１４０℃
・ラミネート圧力：１．０ＭＰａ
・圧着時間：２０分
　作製した封止体を以下の条件で硬化し、硬化体を作製した。
・オーブン：エスペック株式会社製の商品名ＳＡＦＥＴＹ　ＯＶＥＮ　ＳＰＨ－２０１
・オーブン温度：１４０℃
・時間：１２０分
　作製した硬化体の反り量を、以下の装置を用いて測定した。
・反り測定ステージ装置名：コムス株式会社製の商品名ＣＰ－５００
・反り測定レーザー光装置名：株式会社キーエンス製の商品名ＬＫ－０３０
　個片化したシリコンウェハ表面の中心部を０（基準点）として、端部の高さを反りとして測定し、以下の評価基準に基づいて評価した。
○：反り量≦１．５ｍｍ
×：反り量＞１．５ｍｍ
＜評価結果＞
　表２に示す実施例１及び比較例１、２の結果から、エラストマー成分の添加量の増加により、ｅＷＬＢパッケージで評価した硬化体の反りに関して所望の効果を得られることが分かった。また、実施例２、３及び比較例２の結果から、１２インチのシリコンウェハで評価した硬化体の反りに関しても、エラストマーの添加量の増加により所望の効果が得られることが分かった。
　表３に示す実施例４～９及び比較例３の結果から、いずれのエラストマー成分を添加した場合でも、硬化体の反りを改善できることが分かる。また、ブタジエンエラストマーと比較して、シリコーンエラストマーの方が、反りの低減に対して効果的であることが分かった。シリコーンエラストマーの中でも、粒径が小さい程、反りの低減に効果があることが分かった。
　以上の結果から、封止用フィルム中にエラストマー成分を、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総質量を基準として０．５～７．０質量％添加することで、硬化体の反り量を抑制できることが分かった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　１…支持体、２…封止用フィルム、２ａ…硬化物、１０…支持体付き封止用フィルム、２０…半導体素子、３０…基板、４０…仮固定材、５０…ＳＵＳ板、６０…７．３ｍｍ角シリコンチップ、７０…３ｍｍ角シリコンチップ

Claims (7)

  1. 　（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）ブタジエン系ゴム及びシリコーン系ゴムからなる群より選択される１種以上のエラストマー、並びに（Ｄ）無機充填材を含有し、
    　前記（Ｃ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分及び前記（Ｄ）成分の総質量を基準として、０．５～７．０質量％である、封止用フィルム。
  2. 　前記（Ａ）成分として、２５℃において液状のエポキシ樹脂を、前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分及び前記（Ｄ）成分の総質量を基準として、５質量％以上含有する、請求項１に記載の封止用フィルム。
  3. 　（Ｅ）硬化促進剤を更に含有する、請求項１又は２に記載の封止用フィルム。
  4. 　（Ｆ）有機溶剤を、前記封止用フィルムの総質量を基準として、０．２～１．５質量％含有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の封止用フィルム。
  5. 　前記（Ｄ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分及び前記（Ｄ）成分の総質量を基準として、６５質量％以上である、請求項１～４のいずれか一項に記載の封止用フィルム。
  6. 　フィルムの厚みが５０～２５０μｍである、請求項１～５のいずれか一項に記載の封止用フィルム。
  7. 　電子部品と、該電子部品を封止する、請求項１～６のいずれか一項に記載の封止用フィルムの硬化体と、を備える、電子部品装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019004458A1 (ja) * 2017-06-29 2019-01-03 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP2019085514A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置
CN113056519A (zh) * 2018-11-14 2021-06-29 长濑化成株式会社 固化性树脂组合物及固化性片材
KR20220041756A (ko) 2020-09-25 2022-04-01 토요잉크Sc홀딩스주식회사 무용제형의 경화성 조성물, 경화물 및 그 제조 방법
WO2024202136A1 (ja) * 2023-03-28 2024-10-03 ナミックス株式会社 エポキシ樹脂組成物、電子部品、半導体装置、半導体装置の製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111757911B (zh) * 2018-12-29 2023-02-28 广东生益科技股份有限公司 树脂组合物、预浸料、层压板、覆金属箔层压板和印刷线路板
KR102463618B1 (ko) * 2020-07-22 2022-11-04 가부시키가이샤 아리사와 세이사쿠쇼 열경화성 수지 조성물, 커버레이 필름, 접착 시트 및 플렉시블 프린트 배선판
JPWO2023067662A1 (ja) * 2021-10-18 2023-04-27

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014029958A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Ajinomoto Co Inc 半導体装置の製造方法
JP2014209565A (ja) * 2013-03-27 2014-11-06 日東電工株式会社 封止シート、封止シートの製造方法及び電子部品パッケージの製造方法
JP2014216526A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 日東電工株式会社 熱硬化性封止樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法
JP2015026821A (ja) * 2013-06-20 2015-02-05 日東電工株式会社 電子デバイスの封止方法、電子デバイスパッケージの製造方法及び封止シート

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3736349B2 (ja) * 1998-08-21 2006-01-18 日立化成工業株式会社 ペースト組成物並びにこれを用いた保護膜及び半導体装置
US20120248634A1 (en) * 2009-11-13 2012-10-04 Kazuyuki Mitsukura Method for manufacturing film-like adhesive, adhesive sheet, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP5703010B2 (ja) * 2010-12-16 2015-04-15 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
CN103703093B (zh) * 2011-06-28 2016-06-15 琳得科株式会社 一种粘着性组合物以及粘着性片
KR20130073191A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 제일모직주식회사 이방 전도성 필름
JP2015166403A (ja) * 2012-06-29 2015-09-24 太陽ホールディングス株式会社 熱硬化型樹脂組成物および熱硬化型樹脂フィルム
JP6135991B2 (ja) * 2012-10-11 2017-05-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 封止用エポキシ樹脂無機複合シート
JP2014086598A (ja) * 2012-10-24 2014-05-12 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び感光性樹脂組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014029958A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Ajinomoto Co Inc 半導体装置の製造方法
JP2014209565A (ja) * 2013-03-27 2014-11-06 日東電工株式会社 封止シート、封止シートの製造方法及び電子部品パッケージの製造方法
JP2014216526A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 日東電工株式会社 熱硬化性封止樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法
JP2015026821A (ja) * 2013-06-20 2015-02-05 日東電工株式会社 電子デバイスの封止方法、電子デバイスパッケージの製造方法及び封止シート

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019004458A1 (ja) * 2017-06-29 2019-01-03 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
CN110719935A (zh) * 2017-06-29 2020-01-21 日立化成株式会社 密封用树脂组合物、重配置晶圆、半导体封装体和半导体封装体的制造方法
JPWO2019004458A1 (ja) * 2017-06-29 2020-04-30 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP7655333B2 (ja) 2017-06-29 2025-04-02 株式会社レゾナック 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP2019085514A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置
JP7065389B2 (ja) 2017-11-08 2022-05-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置
CN113056519A (zh) * 2018-11-14 2021-06-29 长濑化成株式会社 固化性树脂组合物及固化性片材
CN113056519B (zh) * 2018-11-14 2024-02-23 长濑化成株式会社 固化性树脂组合物及固化性片材
KR20220041756A (ko) 2020-09-25 2022-04-01 토요잉크Sc홀딩스주식회사 무용제형의 경화성 조성물, 경화물 및 그 제조 방법
WO2024202136A1 (ja) * 2023-03-28 2024-10-03 ナミックス株式会社 エポキシ樹脂組成物、電子部品、半導体装置、半導体装置の製造方法

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