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WO2007037504A1 - ３−５族窒化物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法 - Google Patents

３−５族窒化物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法 Download PDF

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WO2007037504A1
WO2007037504A1 PCT/JP2006/319822 JP2006319822W WO2007037504A1 WO 2007037504 A1 WO2007037504 A1 WO 2007037504A1 JP 2006319822 W JP2006319822 W JP 2006319822W WO 2007037504 A1 WO2007037504 A1 WO 2007037504A1
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WO
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layer
substrate
light
group
growth
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/319822
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English (en)
French (fr)
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WO2007037504A9 (ja
Inventor
Sadanori Yamanaka
Kazumasa Ueda
Yoshihiko Tsuchida
Original Assignee
Sumitomo Chemical Company, Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Company, Limited filed Critical Sumitomo Chemical Company, Limited
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Priority to DE112006002505T priority patent/DE112006002505T5/de
Priority to US11/992,653 priority patent/US8691674B2/en
Priority to GB0805044A priority patent/GB2444448A/en
Publication of WO2007037504A1 publication Critical patent/WO2007037504A1/ja
Publication of WO2007037504A9 publication Critical patent/WO2007037504A9/ja

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Definitions

  • the present invention relates to 3-5 half-keyed materials ⁇ the 3 ⁇ 4 method and the light emitting device method.
  • the growth substrate (hereinafter referred to as the substrate) is usually a group 3-5 nitride semiconductor manufactured by metalorganic vapor phase epitaxy (MOV layer growth) on a sapphire substrate.
  • MOV layer growth metalorganic vapor phase epitaxy
  • the group 3-5 nitride book and the substrate may be damaged in the separation process and the 3-5 nitride semiconductor may be damaged, and sufficient light output cannot be obtained. Disclosure of the invention
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a group 3-5 without a substrate and a method for manufacturing the element, which are preferably used for a light emitting element.
  • the present inventors have completed the present invention as a result of studying a Group 3-5 nitride semiconductor in order to solve the above problems.
  • the present invention provides a 3-5 manufacturing method including steps (1), (11) and (in) in this order.
  • (I I I) A process of separating the substrate and the semiconductor layer by irradiating light between the substrate and the semiconductor layer.
  • the present invention also includes the steps (1), (11), (i n) and the following (IV) in this order.
  • the method for producing a Group 3-5 nitride semiconductor of the present invention includes disposing machine particles on a substrate.
  • the substrate is made of, for example, sapphire S i CS i MgAl 2 0 4 L iTa CrB 2 G a N or A 1 N.
  • the substrate is preferably preferred to sapphire GaN AIN because of the efficient transmission of energy to the vicinity of the substrate or the 3 ⁇ 43 ⁇ 41 plate and the half of the substrate.
  • the substrate is preferably sapphire SiC is sapphire.
  • the substrate is particularly preferably sapphire.
  • the machine particles are made of, for example, oxide, nitride, carbide, boride, sulfide, or selenium.
  • oxides examples include silica, alumina, siliconia, titania, ceria, ionotium, aluminum carnot (YAG), and the like.
  • Nitride includes silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, and the like.
  • Carbides include silicon carbide (SiC) boron carbide, tiremont clay, and the like.
  • SiC silicon carbide
  • An example of this is a quartz phosphor containing cerium or eurohum as an activator.
  • S 1 Silicon (S 1) Ninogel (N i) Tank Stainless (W) a) Chromium (Cr) Titanium (T i) McShim (Mg) Potassium Aluminum (A 1) Gold (Au) ⁇ (Ag) ( (Zn) force, lifted when the machine particles are processed on the above-mentioned oxides, nitrides, carbides, lanthanum, lanthanides, metal materials, for example, corn corn, S 1-001 S Machine 1 1 Has a biobond as the main skeleton, S 1 is an organically substituted polymer, and is heated to about 500 ° C to become silica.
  • the machine particle may be one of the above-mentioned inorganic particles or a mixture thereof.
  • the to-machine particle made of one inorganic substance is preferably made of cornica.
  • Plate-shaped T has a ratio of LZT of 15 to 100.
  • Needle-shaped for example, the ratio LZW or 15-: L00
  • indeterminate various shapes or irregular shapes.
  • It may be spherical, preferably spherical. More preferably, the child is spherical silica.
  • Spherical silica is recommended to be included in the colloidal force due to monodisperse carbon and easily available view.
  • Colloidal silica is colloidal in silica particles or solvent (water, etc.) and is a method of ion exchange of sodium.
  • the correlation coefficient is calculated using the standard particle sedimentation method and other abduction methods.
  • Correlation It is possible to obtain a plurality of standard particles by calculating the average number of trees measured by the centrifugal method and creating a KIE curve. RIE Centrifugation »From the average tree obtained by the measurement method of ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ Average tree slab is obtained.
  • the method is to immerse the substrate in the slurry containing the tachiko and the medium. You can do it by way.
  • the coverage of the particles on the substrate is 4 ⁇ from the top with a scanning electron microscope (SEM)!
  • SEM scanning electron microscope
  • the manufacturing method of the present invention includes the step (11) of growing a semiconductor layer, and the step (1) of growing a semi-layer on a normal substrate.
  • the semiconductor layer may include, for example, a nitride semiconductor light-emitting element layer or a single layer or a multilayer (such as a mm layer) for making the layer a high-quality crystal.
  • the semi-f layer adjacent to the substrate or the adjacent semi-f layer may have impurity defects.
  • Such semiconductor layers can be listed at low temperatures (eg 500 ° C) (eg InGaN GaN), nofa layer or GaN or nofa layer thickness is usually 10 A or more, preferably 10 OA More than preferred More than usual Usually less than 500 OA, preferably less than 100 OA.
  • the semiconductor layer may or may not be formed with a facenot structure. If the coverage of the insulator is high, the semiconductor layer that forms the facenot structure is easily planarized.
  • the semiconductor layer usually includes an n-type layer, an active layer, a p-type layer in this order, and a Hanover layer.
  • the active layer is, for example, ⁇ ⁇ ⁇ well layer ⁇
  • the following 3 can be carried out by introducing it into the reactor using a carrier.
  • Group 3 raw materials are, for example, trimethyl potassium [(CH 3 ) 3 Ga or less TM triethyl gallium [(C 2 H 5 ) 3 Ga or less TEG.
  • [R, R 2 R 3 such as] represents i and an alkyl group.
  • the formula R, R 2 [R, R 2 R 3 ] such as triisoftylaluminum [(1 — C 4 H 9 ) 3 A1] represents an alkyl group.
  • Triethyl Insyl [(C 2 H 5 ) 3 In]
  • [ ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ rogen atom] is represented by an insulative halide.
  • TMG as the source of potassium, or ⁇ as insom / as the source.
  • 5 ⁇ ⁇ ⁇ is for example ammonia hyaluronan methylhumanlasin 1 ⁇ p-type tohunt is preferable, for example Mg Zn Cd Ca Be.
  • the Mg raw material used as p-type Tohunt is, for example, hisunochrome magnonum [(C 5 H 5 ) 2 Mg] hismethylenek enthusichenilema [(C 5 H 4 CH 3 ) 2 Mg] Nylon H 5 ) 2 Mg] and the Ca raw material is hiscyclogenta sheryl calcium Ca] and its inducement f, for example, hismethylen chlorohenscher calcium CH 3 ) 2 Ca] histil cyclohenta Shenyl Calcium [(C 5 H 4 Hisalurocyclohenthashenyl Calcium [(C 5 F 5 ) 2 Ca] Renyl Calcium and its derivatives Carnoum acetylite and its derivatives (4, 4-Cifloro 1-Futhene 1-Inyl) 1 Carenum, Hessefelum
  • the reactor is usually equipped with a supply line that supplies raw materials from the storage container to the reactor.
  • There is a heating device such as an infrared lamp inside. . Heating device The raw W supplied to the reactor through the IN or the substrate is decomposed and semiconducted on the substrate ⁇
  • the Group 3 raw material is, for example, chlorous acid, which reacts gallium metal with hydrogen chloride residue at high temperature, and chlorous acid, which is formed by reacting elemental residue with high temperature.
  • Group 5hara is ammonia.
  • the carrier gas is preferably nitrogen, hydrogen, alkone, helium, or the like. These may be used alone or in combination.
  • the method of introducing the group 3 raw material of the semiconductor and the group 5 source material into the reactor may be performed.
  • the group 3 source material may be potassium aluminum indium.
  • gold group 5 raw materials are, for example, nitrogen and ammonia waste.
  • the semi-layer usually starts to grow where the to-particles do not fail, and then the facenot structure is formed.
  • the surface of this layer may be further flattened.
  • the facet structure may be formed by advancing, so that the half-f layer is grown. Also good.
  • the dislocations that have reached this growth point are bent in the opposite direction, and the child is buried in the semi-layer and decreases. From the view, it is preferably a racer light.
  • the light usually has a wavelength that is a group 3-5 nitride, and has one more than half of the 3-5 group nitride Hanf Kanoff. 3 -5 ⁇ semiconductor or GaN (wavelength of Hantokiyanofu about 3 4e if light is shorter than about 365 nm good.
  • 3-53 ⁇ 4semiconductor half introduction of impurity defects into the book and hankyano 3-5 5-semiconductor half ⁇ the age at which the absorption into the book is increased ⁇ the light to be irradiated 1 ⁇ There may be.
  • Age oscillation mode using laser light ⁇ Oscillation Normal Hals oscillation Oscillation force From the view of reducing the reverberation, it is preferable to use CW-excited Q-Sinochihals oscillation with high ns order.
  • the light is 3_53 ⁇ 43 ⁇ 4 compound half ⁇ the absorption region is large to make the book efficient.
  • the light is supplied to the substrate and 3-5 nitride half in the form of a Shonoto line area. From the viewpoint of shortening the working time of light or sonoto-line racer light, the light beam from the substrate side is slightly moved from the interface of the base semiconductor to the 3-5 nitride semiconductor side (Tefocus).
  • Step (1) is a step of arranging particles 2 on the substrate 1 as shown in 01 (A) (11 ) Where substrate 1 (for example, sapphire) is placed on substrate 1 (for example, sapphire, 2 forces) or half: layer 3 (for example, 3—5 compounds such as G a N) Of this, it is a part of the machine 2 or a growth area 1B.
  • step (ill) light is emitted from the substrate 1 side as shown in 01 (D).
  • the present invention has a semiconductor layer 3 or a single layer 3-5 as shown in 01, 3-5 other semi-layers, or a method of 3-5 halved halves composed of two or more layers.
  • Substrate 11 Hasoucha layer 12 (for example, I nG A 1 GaN A 1 N) n-type layer 13 (for example, n-GaN n- Al Ga 4 p-type layer 15 (Mg I ⁇ F Al GaN Mg 1 ⁇ F GaN ) ⁇ ii method of group 3-5 nitride half consisting of this 15-growth barrier 14A-14E (eg I nGaN GaN Al I nGaN) -14J (eg I nGaN GaN Al I nGaN) Canonoff layer Annof GaN Antof A 1 (GaN).
  • n-growth barrier 14A-14E eg I nGaN GaN Al I nGaN
  • -14J eg I nGaN GaN Al I nGaN
  • the present invention is, for example, a step of arranging particles to a GaN substrate ( ⁇ n G a N half layer and G a N half layer sequentially growing step ( ⁇ ') and G light ⁇ GaN substrate and I n GaN semi-layer ⁇ including the step of separating this layer (in ').
  • a layered structure of GaN substrate / In nGaN half-layer is obtained in step (11'). region containing the inorganic particles or I n G a n half ⁇ in the vicinity the layer or body layer.
  • the region where the In GaN semiconductor layer is decomposed is a fusion of the Group 3 material and the nitrogen cathode material.
  • Warps such ⁇ expansion index difference sapphire and GaN by the operation ( ⁇ expansion 5 X 10- 6 / ° C 5 59 X 10- 6 Z ° C (30 OK perpendicular to the crystal c-plane) producing process of producing In the manufacturing method of the present invention, it is possible to divide with the substrate by relatively low light irradiation, and 3-5mm half of the product can be obtained. Production of group 5 nitride semiconductors I will improve.
  • the method for producing a light-emitting device according to the present invention comprises the steps (1), (11), (in) and the electrode described above.
  • the n electrode is in contact with the n-type contact layer and preferably contains at least one element selected from the group consisting of V as a main component, preferably A 1 TiAl VA1.
  • the p-electrode is Ni Au N iZAuZP t on the p-type contact layer.
  • the vacuum deposition apparatus is used. The formation is usually performed by applying the resist to the resist.
  • the pattern of the electrode is vacuum-deposited according to the pattern of the photolithographic process. Will be described. Conducted in 03 Conduction I Joined to the raw support and supplied with electricity in the vertical direction.
  • the surface of the semiconductor layer 23 is rubbed, and as shown in 03 (B), the p electrode 24 (for example, NiZAu NiZAuZPt) adhesion adhesion layer TiZPt) Adhesion layer 26 (for example, Au Cu Au Sn for crimping) Formed).
  • the p electrode 24 for example, NiZAu NiZAuZPt
  • adhesion adhesion layer TiZPt for example, Au Cu Au Sn for crimping
  • Conductive book 27 is prepared and conductive f raw support 27 is attached to conductive book 27 as shown in the above-mentioned adhesion improving layer 2 03 (B). .
  • Conductive ⁇ present 27 example is S i GaAs semi f the Cu A 1 W Mo H f La Ta I r Ru Os metal material preferably ⁇ expansion 1 5X 10- 6 Z. C or less metal material.
  • Conductivity ⁇ This 27 is preferably surface or mirror-polished or is preferably about 1 Onm or less in a dish-type surface ffig measuring device 27 is an omnibus that reduces warpage, and thickness ⁇ 30 m ⁇ 200 m or better
  • the laminated half-layer ⁇ main layer 23 formoc electrode p upper layer 25 adhesive layer 26 (adhesive layer 26) adhesion improving layer 25 conductive 145 ⁇ laminate is obtained. Bonding is done by, for example, ⁇ crimping and bonding with Han Yu Metal
  • an electrode 28 for example, a transparent electrode is formed on the n-type layer is obtained as a light emitting element having this surface as the light emitting surface.
  • the transparent electrode is made of, for example, ZnO. And adjust the size by cutting etc. ⁇
  • Sapphire with mirror-polished C surface was used as the substrate.
  • the coating surface on the surface of the board was 60%, and the atmospheric pressure MOVPE method was used. It was buried in the group 5 nitride semiconductor layer Pressure Lid temperature 485 ° C Carrier gas Hydrogen condition
  • Carrier gangue G was supplied to grow a GaN NOFA layer with a thickness of about 50 OA.
  • n-type GaN composed of GaN Failure of structure made of InGaN and well layer (multi-quantum well structure) GaN A 1 3-5 nitride semiconductor that emits blue light by sequentially growing p-type layer made of aN made of GaN ° ⁇ Amount 20 10 40 sccm each Pressure 0 8 Pa I CP Haas husher 100 W After the end of the trienotink, the excess agent was removed.
  • an anode P electrode On the surface of the isolated epitaxial crystal, an anode P electrode was formed. ⁇ The surface of the epitaxial crystal surface was ultrasonically irradiated with an acetone solution (0 ° C). After forming a resist coating on this surface and then spraying the resist with one kink and one-tone development, N1 150A Au 30ft off method is formed in a vacuum evaporation system. did. A nitrogen atmosphere containing 5% by volume of oxygen was treated at 0 ° C. for 10 minutes to prepare an N 1 Au aminoc p electrode. Use a dish-type surface roughness measuring device with an average surface roughness of about 5 nm.
  • the stasis was scanned in a line at 35 Omm / sec. After one lie, the stasis was moved 15 m in parallel and the line was scanned repeatedly.
  • Light CW excitation YV_ ⁇ 4 triple harmonic racer (wavelength 355 n -. There Te those in Hals frequency 15 kHz by Q Suinochiharusu oscillation moat TEMo output of the third harmonic is Te sample surface 0 26W (laser 5A)
  • the light was incident from the sapphire substrate side, and the Tephoe light B3 ⁇ 4H «K was craned from the sapphire side so that it was swept from the sapphire crystal interface to the GaN side at 450 m.
  • the sample was placed in water at 100 ° C, and sapphire was formed on the surface where the sapphire was separated as a net-like n electrode A 1ZP t.
  • the electrode was formed by a BHF polishing method.
  • Group 5 Nitride Semiconductors Removal of Ga Removal of low crystalline layer Surface planarization Next Kink to resist On top of the surface Hatan exposure No After turning turn development, vacuum ⁇
  • the light emitting element showed clear blue light emission at 20 mA current. In addition, clear blue light emission was obtained with high light output at a current of 200 mA.
  • Ratio K 1 Ratio K 1
  • Example 1 Except that the inorganic particles were not used, the same as in Example 1 was obtained.
  • Example 2 Same as Example 1 Racer radiant output 0 3 9W (Laser side stream 2 2 B shot. Paste after irradiation was applied from the sapphire side. A The entire surface near the N interface was transparent. Did not release even when placed in water at 0 ° C. The color changed from transparent to gray. The sample was suffocated when placed in 10 ° C water. The obtained light-emitting element did not emit light at a current of 20111.
  • Example 2 Racer radiant output 0 3 9W (Laser side stream 2 2 B shot. Paste after irradiation was applied from the sapphire side. A The entire surface near the N interface was transparent. Did not release even when placed in water at 0 ° C. The color changed from transparent to gray. The sample was suffocated when placed in 10 ° C water. The obtained light-emitting element did not emit light at a current of 20111.
  • Example 2 Example 2
  • Sapphire with mirror-polished C surface was used as the substrate.
  • the inorganic particles used were Rika (Nyphos Yuichi KE-W50 (trade name) made by Nihon Kogyo Co., Ltd.) as the inorganic particles.
  • the substrate was senotened on the stainless steel, and 2 facility liqueurs were applied on it, and dried. When SEMTl ⁇ was applied, the coverage of the silica plate surface was 60% Using the normal pressure MOVPE method, the following conditions were used to grow Group 3-5 nitride semiconductor on the substrate, and then the phosphor particles were grown to Group 3-5 nitride.
  • Sapphire with mirror-polished C surface was used as the substrate.
  • Rika Nihon Shokubai Co., Ltd. Nyhos Yuichi KE- W50 (trade name) used in the average was used.
  • the substrate was applied to the stainless steel, and 2 Italinori force was applied on it. After SEM drying, the coverage of the surface of the substrate was 60%, using the normal pressure MOVPE method, and growing the group 3-5 nitride semiconductor on the substrate under the following conditions. 3–5 nitride semiconductor layer buried / grown Pressure lid temperature 485 ° C Carrier cass Hydrogen condition Carrier gans G was supplied to grow a GaN Hanofa layer with a thickness of about 50 OA.
  • Resist coating on the surface of the n-type layer exposed region of Group 3-5 nitride semiconductor Reha turn exposure (Hatan made for device isolation, after hatan development, and deep exposure where n-type layer is exposed by CP-Laieno tink.
  • the n-type layer surface was exposed (mesa shape) I CP Trinotink Gas C l 2 CH 2 C 1 2 Ar Mixed Cass Flow Rate 2 s ccm Pressure 0 8 Pa I CP No.
  • remove the excess mask with an organic solvent apply the resist on the exposed n-type layer surface, develop one kink pattern on the resist, and deposit 10 nm of V in a vacuum deposition system.
  • a 1 the separation grooves of E arsenide evening Kinya les crystals containing Ominoku n the electrode VZA to form a first electrode eight turn 3-5 nitride semiconductor was racer light by 100 nm vapor-off method.
  • racer light CW excitation YV0 4 racer 3rd harmonic (The frequency is 35 kHz, and the frequency is 35 kHz, and about Q Sinochiha.
  • the oscillation mote is TEM.
  • the output of the 3rd harmonic is about 0 2 W on the sample surface. Yukin was incident from the surface of the crystal, and it was oligopolized and located on the surface of the crystal.
  • the separation groove width was less than 20 m.
  • the sample «(Group 3-5 nitride semiconductor) was vacuum-adsorbed and fixed to the stasis.
  • the line was scanned at O mm / sec, and after scanning for one line, it moved 15 lines, and the line was scanned repeatedly to irradiate the entire surface of the sample.
  • Light V_ ⁇ 4 triple harmonic racer Yes (wavelength 3 5 5 nm) Te those in frequency Hals by Chiyonoha Q Suinochi eight Riresu width output of 8 ns about oscillation moat fold harmonic Te attempts surface 0 2 6W
  • the light was incident from the sapphire substrate side and telefocused at a position of 4500 m on the sapphire GaN side, and focused.
  • the 3-5 type light emitting device was obtained in the same manner as in Example 3 because the particles were not ffiffl.
  • Example 3 Racer solar output 0 2 6 W (Laser stream 1 was irradiated. The sample after photoirradiation was glazed from the sapphire substrate side. The entire surface near the sapphire interface was transparent. When added to about 6 O t :, it did not safar.
  • the 3-5 type light emitting device was obtained in the same manner as in Example 3 except that the machine particles were not reversed.
  • Racer output 0 3 9W (Laser stream 2 was irradiated.
  • the test tube after the light was irradiated from the sapphire substrate side.
  • the entire surface near the sapphire interface was transparent.
  • I added to 60 ° C I didn't safa. It turned from a transparent surface to gray.
  • the sample was heated to about 60 ° C, it was released.
  • the independent group 3-5 nitride semiconductor lateral light emitting device had a current of 20 m.
  • Sapphire with mirror-polished C surface was used as the substrate.
  • the machine particles we used the Nori force particles contained in Rika (Nippon Shokubai Co., Ltd. Nhoster KE-W50 (trade name) average).
  • the surface coverage of the sheet was 60% using the atmospheric pressure MOVPE method under the following conditions on the substrate: 3-5 — 5 embedded in a semiconductor layer Pressure lid temperature 485 ° C
  • Hydrogen gas carrier gas was supplied to grow a G a N Hanofa layer with a thickness of about 50 OA. Change to ° C and supply carrier residue ammonia TMG to change G a N layer Cef evening temperature to 1040, change pressure to 1 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ and supply carrier and TMG to grow G a ⁇ layer.
  • I nGaN-made full heterostructure obstacles and well layers made of ⁇ (multiple Quantum well structure 3-5 Nitride semiconductor is treated in N 2 at 70 ° C for 20 minutes, and p-type layer is low-resisted.
  • 3-5 ⁇ The surface was sonicated with a aceton solution (60 ° C).
  • I TO was deposited 120 nm in a vacuum deposition system, and this surface cloth resist was mixed with one kink. 3 ⁇ 43 ⁇ 4T enotink was used to form an ominoc ⁇ + electrode. After the formation of hatan, the remaining lens was peeled off.
  • the separation groove of the Yech Yuyar crystal containing the group 3-5 nitride semiconductor was laser-lighted.
  • the racer light is the third harmonic of the CW-pumped YV 0 4 racer (Has a frequency of 35 kHz with a wavelength of 3 5 noher, and is about Q Sinochiha.
  • the oscillation mode is T EM 0.
  • the output of the third harmonic is About 0 2 W on the trial surface, a single light was incident from the surface of the crystal of the crystal and was positioned on the crystal surface
  • the separation groove width was 20 z / m or less.
  • the element size was 4 2 0 m parallel, and this was repeated Repeatedly, the laser crystal was radiated in a net-like pattern into multiple areas of mX 4 2 0 m.
  • the sample (Group 3-5 nitride semiconductor) was vacuum-adsorbed and fixed on the stage, scanned 0 mm / sec linearly, and after scanning for one line, 1 5 ⁇ Light was incident from the side of the sapphire substrate, and was telefocused at a position 450 m on the side of the sapphire ZG a N Yuyakina.
  • Mitsuaki «1 wheat sample was seeded from the sapphire side.
  • the color changed from sapphire and G a N to gray.
  • the film In the center of the resin tape with the test plate fixed on a 4 inch link jig, the film has a thickness of 1mm Z 25mm. Film Both adhesive layers are thin and adhesive I
  • the sapphire substrate was peeled off at about 60 ° C with the surface of the sapphire substrate facing upward on the Iffl sheet and heated to about 60 ° C.
  • This step sapphire release surface of Ehitakisharu crystals are to remove the remaining G a immersed in Hanofatofuno acid (B min.
  • 3-5 group nitride half is extended on the substrate, and 3-5 layer half is embedded in the main layer.
  • Pressure 1 Kas Nitrogen conditions Carrier gas Ammonia TMG and TM I aN Hanofa layer is grown.
  • an n-type layer composed of GaN GaN I n GaN and a barrier layer (multi-quantum well structure) GaN Al P-type layer composed of GaN n + -type layer composed of GaN We obtain a group 3-5 nitride semi-luminous compound that emits blue light from the evening.
  • the remaining resist is peeled off. 3—Apply Renst on the surface of the n-type layer exposed region of Group 5 nitride semiconductor.
  • Reha turn exposure (fabrication for device isolation) After developing 8 turns and after exposure I Depth of n-type layer exposed by CP trienoch Enochin is exposed to expose the n-type layer surface (mesa shape). Remove the trienotink mask with an organic solvent. Apply Lentst on exposed n-type layer surface, make one-tone pattern on resist, deposit 10 nm of V in a vacuum deposition system, and form VZA 1-electrode pattern that forms Aminok n electrode by vapor deposition of A 1 at 100 nm ⁇ T The Laser light is emitted from the separation groove of Yoshiaki Kishi, who contains a Group 3-5 nitride semiconductor.
  • Racer light is CW-pumped YV0 3rd harmonic of 4 racer (having a frequency of 35 kHz by Hares with a wavelength of 35 Noher, about Q Sinochiha)
  • Oscillation mote is TEMQO 3rd harmonic output about 0 2W
  • a single light is incident from the surface of the epitaxial crystal, and the crystal surface is occupied and moved to the position Scanning the stasis with 1 OmmZs ec and scanning 5 times for one line ⁇
  • a sample (Group 3-5 nitride semiconductor) is vacuum-adsorbed and fixed to the stasis. The Omm / sec is scanned linearly, and after the scanning for one line is completed, the line is moved 15 times and the scanning is repeated linearly.
  • the surface of the GaN substrate crystal is turned up by implanting from the resin table where the sample with the GaN substrate peel side up is placed.
  • the obtained independent 3-5 3 ⁇ 4 ⁇ compound light-emitting element shows clear light emission.
  • the light-emitting element has high light at «I current 20 mA
  • a method for manufacturing a light emitting device exhibiting high light emission output there is provided a substrate 3-5 nitride half suitable for use in a light emitting device.

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Abstract

３−５族窒化物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法を提供する。３−５族窒化物半導体の製造方法は工程(i)、(ii)及び(iii)をこの順に含む。発光素子の製造方法は工程(i)、(ii)、(iii)及び(iv)をこの順に含む。(i)基板上に無機粒子を配置する工程、(ii)半導体層を成長させる工程、(iii)基板と半導体層の間に光を照射して基板と半導体層を分離する工程、(iv) 電極を形成する工程。

Description

明 細 書
3 5¾§化物半 f本の％i方法及ひ 素子の 方法 腿分野
本発明は 3— 5鍵化物半 {本の ¾方法及ひ発光素子の 方法に関 背景腿
青色 LED等に広く删されている式 I nxGayA lzN ( ≤x≤l ≤z≤l x + y + z = l) て示される 3— 5族窒化物半導体は 一 板上に成長させている。 成長用基板 （以下 基板という。 ） は 通常 サ 3-5族窒化物半導体はサファイア基板の上に有機金属気相成長 (MOV ェヒ夕キンャル成長させる方法にて製造されている。
3 - 5族窒化物半 (本は LEDに広く使用されるようになるに従って 求められるようになった。
高い発光出力を示す発光素子として サファイア基板の い 3 - 5族窒 案されている。
サファイア基板 その上に G a N層を含む 3— 5族窒化物半導体層 及 の電極からなる «の 3— 5鍵化物半導体 ¾ ^素子からサファイア基 発光素子はサファイア基板による放埶の妨けかなくなり 高電流密度駆動 \ 業的な 方法は実用化されておらず 自立基板を使つた 3— 5族窒化 法も開発されていない。
それに代わって サファイア基板の上に 3— 5族窒化物半導体を成長 を分離する 3一 5 化物半 本の 方法力、各種提案されている （特 1 7 7 8号公報 特開 2 0 0 1— 1 7 6 8 1 3号公報） 。
しかし これら公報記載の方法ては 3— 5族窒化物 本と基板を や 分離工程において 3 - 5 化物半導体か損傷し十分な発光出力を られないことかあった。 発明の開示
本発明の目的は 発光素子に好適に使用される 基板の い 3— 5族 造方法 及ひ 素子の製造方法を提供することにある。
本発明者等は 前記課題を解决するため 3— 5族窒化物半導体の製 討した結果 本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は 工程 (1) (11)及ひ (i n)をこの順に含む 3— 5體 造方法を提供する。
ω基板上に舰機拉子を配置する工程
(I I)半導体層を成長させる工程
(I I I)基板と半導体層の間に光を昭射して基板と半導体層を分離する工程。 また本発明は 前記工程 (1) (11) (i n)及ひ次の (IV)をこの順に含む
Figure imgf000004_0001
02 ¾Φ発明の ¾i方法により得られる 3 - 5族窒化物半 03〖ま本発明の発光素子の製造方法の例を示す。
符号の説明
1 基板
1 A 基板の表面
1B 半 {本層の成長領域
2 機粒子
3 半 {本層 （3— 5族窒化物)
11 基板
12 八ノファ層
13 n型層
14 活性層
14A〜14F 障翻
14 G〜； L 4 J 井戸層
14K キヤノフ層
15 p型層
21 基板
22 無機粒子
23 半 {本層 （3— 5族窒化物) \
発明を実施するための最良の形態
3― 5纏 の S£¾¾
本発明の 3— 5族窒化物半導体の製造方法は 基板上に 機粒子を配置 含む。
基板は 例えば サファイア S i C S i MgAl2〇4 L iTa CrB2 G a N又は A 1 Nからなる。 のように 基板か¾¾1 板と 3— 化物半 {本の界面近傍にェネルキーを効率良く伝えること 観卢、から 基板は好ましくはサファイア G aN A I N より好ま 了てある。 また 3— 5族窒化物半導体との反応性 埶膨張係数差 高温 ェハ入手の容易 等の観占からは 基板は好ましくはサファイア S i C はサファイアてある。
これらの観占から 基板はサファイアてあることか特に好ましい。 機粒子は 例えば 酸化 ¾ 窒化物 炭化物 硼化物 硫化物 セレ からなる。
酸化物は シリカ アルミナ シルコニァ チタニア セリア 酸化 ひイノトリウムアルミニウムカー不ノト （YAG) 等てある。
窒化物は 窒化珪素 窒化アルミニウム 窒化硼素等てある。
炭化物は 炭化珪素 （S i C) 炭化硼素 タイヤモント クラファイ 類等てある。 \ たものの例として 付活剤としてセリウムやユーロヒゥムを含む 珪¾ の蛍光体か挙けられる。
金属としては 珪素 (S 1) ニノゲル （N i) タンクステン （W) a) クロム （Cr) チタン （T i) マク不シゥム （Mg) カリレシ アルミニウム （A 1) 金 （Au) 银 （Ag) (Zn) 力、挙けら 組機粒子は 加曜理したとき 前記の酸化物 窒化物 炭化物 蘭匕 レン化物 金属となる材料てあってもよく 例えは ンリコーンてあって ーンは S 1—〇一 S 1の钲機 I生結合を主骨格として持ち S 1に有機置換 のホリマーてあり 約 500°Cに加埶処理すると シリカとなる。
機粒子は 上記の 1つの無機物からなる粒子 またはこれらの混合物 のいすれてあってもよい。 1つの無機物からなる to機粒子は好ましく しくはンリカからなる。
to機粒子は 形状か 状 （例えは 断面か円 楕円てあるもの） 板状 Tのァスヘクト比 LZTか 1 5〜100てあるもの。 ） 針状 （例えは の比 LZWか 1 5〜： L 00てあるもの。 ） 又は不定形 （様々な形状の粒 として形状か不揃いのもの。 ) てあつてもよく 好ましくは球状てある。 子は球状シリカてあることかより好ましい。 球状シリカとしては 単分散 カ^ [つたものか容易に入手てきる観占、から コロイタルシリ力に含まれる 奨される。 コロイタルシリカは ンリカ粒子か溶媒 （水等） にコロイト状 てあり ナトリウムをイオン交換する方法 テトラエチリレオルソシリ \ は 遠心 y解法以外の測定法 例えば 動的光散乱法 コール夕一カウン 一回折法 電子顕微鏡により測定してもよいか その場合には 較正して より測定した 平均 ®圣に購すればよい。 例えば 標準となる粒子の 心沈降法及ひ他の拉度測定法て求め これらの相関係数を算出する。 相関 異なる複数の標準粒子について 遠心 «法により測定した 平均樹圣 数を算出して KIE曲線を作成することにより ¾めることカ^?ましい。 RIE 遠心 »法^ ^の測定法て得られた平均樹圣から 髓平均樹圣か求めら 配置は 例えは 立子と媒体を含むスラリー中へ基板を浸漬する方 リーを基板に塗布や した後 する方法て行えはよい。 Of本は 水 エタノール イソフロ八ノール n—フタノール エチレンクリコール ァミト メチルエヂルケトン メチルイソフチルケトン等てあり 好まし 塗布は スヒンコートにより行うことか好ましく この方法によれば to 度を均一にてきる。 腿は スヒナ一を用いて行ってもよい。
機粒子の基板に対する被覆率は 走^ 電子顕微鏡 (S EM) て 4¾ 基板表面を上から！^したときの測定視野内 （面積 S) における粒子数 P 粒径 dにより 次式て求めれはよい。
被覆率 ( ) = ( ( ά / 2 ) 2 Χ π Ρ 1 0 0 ) ZS
to機粒子か 1つの無機物からなる場合 »立子の基板に対する被覆率 上 好ましくは 3 0 %以上 さらに好ましくは 5 0 %以上てあり 通常 9 本発明の製造方法は 半導体層を成長させる工程 (11)を含み 通常 工 to機拉子及ひ基板の上に半 本層を成長させる工程 (1 を含む。
半導体層は 通常 3— 5族窒化物てあり 好ましくは I nxGayAlz 0≤y≤l 0≤z≤l x + y+z = l) て示される窒化物てある。 半 も 2層以上あってもよい。 また半導体層は 例えは 窒化物半導体発光素 な層 又はその層を高品質の結晶にするための 単層あるいは多層 (mm 層等） を含んてもよい。
また ^^する工程 (in)において 基板の分離を容易にする観占、から ち 基板に隣接する半 f本層又はその近傍の半 f本層には不純物 欠陥等 てもよい。 このような半導体層としては 低温 （例えは 500°C) て成 層 （例えば I nGaN GaN) か挙けられる ノ、ノファ層か G aNか ノファ層の厚さは 通常 10 A以上 好ましくは 10 OA以上 より好ま 以上てあり 通常 500 OA以下 好ましくは 100 OA以下 より好ま 以下てある。
さらに 半導体層は ファセノト構造を形成するもの 又は 形成しな もよいか 舰»立子の被覆率か い場合 ファセノト構造を形 るもの ァセノト構造を形成する半導体層は 平坦化しやすい。 前述のように 半導体層は 通常 n型層 活性層 p型層をこの順に してハノファ層を含む。 また 活性層は例えば^ ϋ 井戸層 キヤノフ \
3-5族窒化物半導体層を M〇 V P Eにより成長させる場合 次の 3 をキヤリァカスにより 反応炉に導入する方法て行えはよい。
3族原料は 例えは トリメチルカリウム [ (CH3) 3Ga 以下 TM トリェチルガリウム [ (C2H5) 3Ga 以下 TEGという。 ] のような [R, R2 R3は i 及アルキル基を示す。 〕 て表されるトリアルキルカ トリメチルアルミニウム [ (CH3) 3A1 以下 TMAという。 ] トリェチルアルミニウム [ (C2H5) 3A1 以下 TEAという。 ] トリイソフチルアルミニウム [ ( 1 — C4H9) 3A1] のような式 R,R2 [R, R2 R3は賺アルキル基を示す。 〕 て表されるトリアルキルア 卜リメチレアミンァラン [ (CH3) 3N A1H3]
トリメチルインシゥム [ (CH3) 3 I n 以下 TM Iという。 ]
トリェチルインシゥム [ (C2H5) 3 I n] のような式 R,R2R3 I n (R, R2 R3は低級アルキル基を示す。 〕 て表されるトリアルキルィ シェチルインシゥムクロライ'ト [ (C2H5) 2 I nC 1] のようなトリア ムから 1ないし 2つのアルキル基を八ロケン原子に置換したもの
インシゥムクロライト [I nC l] のような式 I nX
〔Χ¾Λロゲン原子〕 て表されるハロゲン化インシゥム等てある。 これら ても組合わせて用いてもよい 3族原料のうち カリウム源として TMG /原として ΤΜΑ インシゥム /原として ΤΜΙカ^?ましい。
5ί^ΙΤ は 例えは アンモニア ヒ卜ランン メチルヒトラシン 1 \ p型トーハントは 例えは Mg Zn Cd Ca Be 好ましく ある。 p型トーハントとして使用される Mg原料は 例えは ヒスノクロ マグ不ンゥム [ (C5H5) 2Mg] ヒスメチレンク口ヘンタシェニリレマ [ (C5H4CH3) 2Mg] ヒスェチルンクロヘンタンェニルマク不ノウ H5) 2Mg] てあり Ca原料は ヒスシクロヘンタシェ二ルカルシウム Ca] 及ひその誘 f本 例えは ヒスメチルンクロヘンタシェ二ルカルシ CH3) 2Ca] ヒスェチルシクロヘンタシェ二ルカルシウム [ (C5H4 ヒスハーフロロシクロヘンタシェニルカルシウム [ (C5F5) 2Ca] レニルカルシウム及ひその誘導体 カルノウムァセチリト及ひその誘導体 (4， 4—シフロロ一 3—フテン一 1—ィニル） 一カ レンゥム ヒスフエ ルンゥムてある。 これらは 又は組合せ使用すれはよレ
成長時の雰囲気ガス及ひ原料のキャリアカスは 例えは 窒素 水素 ゥム 好ましく〖お Jc素 ヘリウムか挙けられる。 これらは 虫て用いて いてもよい。 反応炉は 通常 原料を保管容器から反応炉に供給する供給ライン 及 備える。 サセフタ〖«板を加埶する装置てあり 反応炉内に置かれている は 半導体層を均一に成長させるため 通常 動力によって回転する構造 サセフ夕は その内部に赤外線ランフのような加埶装置かある。 加埶装置 インを通して反応炉に供給される原 Wか基板上て埶分解し 基板上に半導 \
3族原料は 例えば ガリウム金属と塩化水素カスを高温て反応させる する塩化力リゥムカス ィンシゥム金属と塩ィ [^素カスを高温て反応させ 成する塩化ィンシゥムガスてある。
5族原 は 例えば アンモニアてある。
キャリアガスは 例えば 窒素 水素 アルコン ヘリウム 好ましく ムてある。 これらは単独又は組合わせて用いれはよい。 また 3— 5族窒化物半導体層を MB Eにより成長させる場合 半導体 の 3族原料のカスと 5族原料を前記の反応炉に導入する方法て行えはよい 3族原料は 例えは カリウム アルミニウム インシゥムのような金 5族原料は 例えは 窒素やアンモニアのカスてある。 工程 (11)ては 通常 半 本層は to機粒子の雜しないところを成長 を開始し 次いて ファセノト構造か形成される。
工程 (11)ては さらに 半 {本層の表面を平坦化してもよく 例えは 進させることにより ファセノト構造を形成しなから半 f本層を成長する 基板のファセノト構造を埋め込んて平坦化させてもよい。 このような成長 ノトまて到達した転位は^向に曲けられ 子は半 本層に埋没し 陥か減少する。 る観占、から 好ましくはレーサー光てある。 光は 通常 3— 5族窒化物 れる波長を持つものてあり 3 - 5族窒化物半 f本のハン卜キヤノフより 一を持つ。 3 -5 匕物半導体か GaN (ハントキヤノフ 約 3 4e 合 光の波長は約 365 nmより短けれはよい。 レーサー光としては 例 Y V〇4の 3倍高調波 （波長 355 nm) または 4倍高調波 （波長 266 (波長 193nm) KrF (波長 248nm) XeC 1 (波長 308 エキシマか挙けられ ェ不ルキー均 生の観 から 好ましくは YAG又 。
また 3— 5¾¾化物半 {本に不純物 欠陥等を導入してハン卜キヤノ し 3— 5鍵化物半 {本への吸収を大きくする齢 ^射する光〖1Λント さいェ不ルキーを持つものてあってもよい。
レーサー光を用いる齢 発振形態 ^振 ノーマルハルス発振 ス発振力 けられ 響を小さくする観 、から 好ましくは nsオータ 高ヒークハヮ一を有する CW励起 Qスィノチハルス発振てある。 光は 3_5¾¾化物半 {本を効率良く^するため 吸収領域か大き い。 光は スホノト ライン エリア等の形態て 基板と 3— 5窒化物半 にェ不ルキーを供給する。 光かスホノト ライン状のレーサー光てある場 する作業時間を短縮させる観卢から 基板側から させた光の隹 を基 物半導体の界面から少し 3— 5窒化物半導体側に移動 （テフオーカス） さ \ 本発明の製造方法は 工程 (iu)にて基板を分離した後 3— 5族窒化 (例えは 剥離面） に残存する i給もある^ »立子を!^する工程を含 は 例えは エノチンクのような化学的処理 研削や研磨のような物理 ばよい。 本発明の 3— 5族窒化物半導体の製造方法の実 Ml様を 01によリ説明 工程 (1)ては 01 (A) に示すように 基板 1の上に 機粒子 2を配 工程 (11)ては 基板 1 (例えは サファイア） 上に配置した 機垃子 2 力） か半 :層 3 (例えは G a Nのような 3— 5 化物） 成長時 マ し 基板 1の面 1 Aのうち to機拉子 2の い部分か成長領域 1Bとなる。 置された基板 1上に 半導体層 3の成長に必要な原料カス等を供給してェ 長すると 01 (B) に示すように 半 {本層 3は成長領域 1Bから成長 を埋め込むように成長する。 さらに ェヒ夕キンャル成長を続けると 0 ように 機粒子 2か半導体層 3に埋め込まれ 3_5S¾化物半 {本3 1 (B) のように 無 »立子 2を配置した基板 1上に半 {本層 3をファセ しなから成長させ さらに 01 (C) のように ^^向成長を {¾1させ ァセノト構造を埋め込んて平坦化すると ファセノトまて到達した転位は れるため to»立子 2を半導体層 3内に埋 /殳させて配することかてき 高 有する 3― 5鍵化物半 {本か得られる。
工程 (ill)ては 01 (D) に示すように 基板 1側から光を曰 射する。 また本願発明は 01に示すような 半導体層 3か単層てある 3— 5 他 半 本層 3か 2以上の層からなる 3— 5鍵化物半 本の |½方法を 例えは 02に示すように 基板 11 ハソファ層 12 (例えば I nG A 1 GaN A 1 N) n型層 13 (例えは n— GaN n— Al Ga 4 p型層 15 (Mg I ^一フ Al GaN Mg 1 ^一フ GaN) 15をこの ャル成長することからなる 3— 5族窒化物半 本の ¾ii方法か挙けられる 障麵 14A〜14E (例えば I nGaN GaN Al I nGaN) 〜14J (例えは I nGaN GaN Al I nGaN) キヤノフ層 アン卜ーフ GaN アントーフ A 1 GaN) からなる。 さらに本発明は 例えは GaN基板の上に to機粒子を配置する工程 (ι n G a N半 本層及ひ G a N半 本層を順に成長する工程 (ιι') 及ひ G 光を^射して GaN基板と I n GaN半 {本層を分離する工程 (in' )から 含む。 この例ては 工程 (11' )にて GaN基 ¾/I nGaN半 層ノ の積層構造か得られ 無機粒子を含有する領域か I n G a N半 {本層又は 体層近傍にある。 GaN基板側から YV〇4レーサーの 2倍高調波 （波長 昍射すると 光は GaN基板ては吸収されす I nGaN半導体層て吸収 により I n G a N半導体層の埶分解された領域ては 3族材料と窒素カ浙 料の融卢、以上にすると GaN基板及ひ GaN半導体層か別々に回収され \ い。 このような操作により サファイアと GaNの埶膨張率差 （埶膨張率 5 X 10— 6/°C 5 59 X 10— 6Z°C (30 OK 結晶 c面に垂直方向） 生する製造過程に反りを低減てきる。 本発明の製造方法ては 比較的低ェ不ルキーの光^射によって基板と半 れ、 3— 5脑匕物半 {本か得られる。 ェ不ルキーによるフロセス制限〖 3-5族窒化物半導体の生産 I生か向上する。
本発明の発光素子の製造方法は 前記の工程 (1) (11) (in)及ひ電極
(IV)を含む。
電極は n電極 p電極てある。 n電極は n型コンタクト層に接触し 例 及ひ Vからなる群から選はれる少なくとも 1つの元素を主成分として含む 好ましくは A 1 T iAl VA1てある。 p電極は p型コンタクト層に Ni Au N iZAuZP tてある。 形成は 例えは 真空蒸着装置を用 形成は 通常 レンスト塗布 レシストへ一キング ハターン露光 ハタ なフォトリソクラフイエ程により 電極を真空蒸着する方法て行えばよい 本発明の発光素子の製造方法の実施態様を 03により説明する。 03に 導電 I生支持体に接合して 縦方向に通電てきる 3— 5族窒化物半導体の両 \ その後 半導体層 23の表面を冼净し 03 (B) に示すように その ク p電極 24 (例えば NiZAu NiZAuZPt) 密着 ί生向上層 TiZPt) 接着層 26 (例えは 埶圧着用 Au Cu Au Snのよ 属） を形成する。
導電性 本 27を用意し 導電 f生支 本 27に前記の密着性向上層 2 03 (B) に示すように 導電性 本 27に密着 I生向上層 25及ひ廳己 形成すること力、好ましい。 導電性^本 27は 例えは S i GaAs な半 f本 Cu A 1 W Mo H f La Ta I r Ru Os 金属材料 好ましくは埶膨張率 1 5X 10—6 Z。C以下の金属材料 より てある。 導電性^本 27は 表面か鏡面研磨されていることか好ましく さか皿式の表面 ffig測定装置にて約 1 Onm以下てあることか好ましい 27は 反りを軽減する観占、から 厚さ杓 30 m〜約 200 mか好ま
03 (C) に示すように貼り合わせ 半 {本層23 ォーミノク p電極 上層 25 接着層 26 (接着層 26) 密着性向上層 25 導電 145^ 積層体を得る。 接着は 例えは 埶圧着 ハン夕金属による接着により行
03 (D) に示すように基板 21側より光を昭射し 03に示すように する。
次に 3に示すように n型層の上に電極 28 (例えば 透明電極 形成すれは この面を発光面とする発光素子か得られる。 透明電極は 例 Zn〇からなる。 発光素子は 必要に応して切断等して大きさを調節して \
実施例
実施例により本発明を詳細に説明するか 本発明は実施例に される 実施例 1
基板として C面を鏡面研磨したサファイアを用いた。 機拉子として リカ （ （株） 日本謹某製 シーホス夕一 KE— W50 (商品名） 平均粒 に含まれるシリカ粒子を用いた。 スヒナ一に基板をセノトし その上に 2 イタルノリ力を塗布し スヒン乾燥した。 SEMて したところ ンリ 板表面の被覆车は 60%てあつた。 常圧 MOVPE法を用い 次の条件て 基板上に 3— 5族窒化物半導体 ル成長させて シリカ粒子を 3— 5族窒化物半導体層に埋没させた。 圧力 フタ温度 485°C キャリアガス 水素の条件て キャリアカス アン Gを供給して 厚みか約 50 OAの G a N低 ί^Λノファ層を成長した。 1 00°Cに変更し キャリアカス アンモニア TMGを供給して ファセ ためのアントーフ GaN層を成長した。 サセフ夕温度を 1040°Cに変更 4気圧に変更し キャリアカス アンモニア及ひ TMGを供給してアン卜 成長した。 その後 GaNからなる n型層 GaN I n G aNからなる 造の障翻と井戸層 （多重量子井戸構造） GaN A 1 GaNからなる a Nからなる p型層を順に成長し 青色発光を示す 3 - 5族窒化物半導体 ° \ 量 各々 20 10 40sccm 圧力 0 8Pa I CPハヮー ァスハヮー 100Wの条件て行った。 トライエノチンク終了後 余分 剤て除去した。 素子分離されたェヒタキシャル結晶の表面にォーミノク P電極を形^ Γ ェヒタキシャル結晶表面の冼净を アセトン溶液による超音波冼净 埶 0°C) 超 ·による超音波冼净を川頁に行った。 ォーミノク p電極てある 形成するために この表面上にレシスト塗布 レシストへ一キンク ハタ 一ン現像を)噴に行つた後 真空蒸着装置にて N 1を 150A Auを 30 フトオフ法により電極八ターンを形成した。 酸素を 5体積％を含む窒素雰 0°C 10分間 理して N 1 Auォーミノク p電極を作製した。 皿式の表面粗度測定装置による平均表面粗さ 5 nm程度に表面鏡面研 00 mの 2ィンチ径 M oを金属: ¾K本として用レ寸こ。 金属 本の表面 着性を向上させ カゝっ ォーミノク ρ電極と 層か相互拡散しそれそれ せないための相互拡散を防止する層として Τ 1 ZP tを真空蒸着法によっ 00A/500 A形成した後 窒素雰囲気中て 350 °C 30分埶処理し 接着層として厚さ 1000 OAの Au— Sn合金層 (Au 80 %- S n 蒸着法て形成した。 Mo支 本上に形成したものと同し層構造の密着性向 3— 5族窒化物半導体の接着層と Mo支持体の接着層を真空埶圧着によ 10—3To r r以下 温度 300°C 時間 5分間 荷重 6000N せた。 試料 （3— 5族窒化物半 {本と細本を貼りあわせたもの） を真空吸 定した。 そのステーシを 35 Omm/s e cて線状にスキャンし 1ライ 終了後 15 m平行にステーシを移動し 線状にスキャンを繰り返し 昭射した。 光は CW励起 YV〇4レーサーの 3倍高調波 （波長 355 n —により周波数 15 kHzのハルスにしたものてあり Qスィノチハルス 発振モートは TEMo。 3倍高調波の出力は試料面て 0 26W (レーザ 5A) てあつた。 また 光はサファイア基板側から入射させ サファイア キシャル界面から GaN側 450 mの位置に声占、かくるようにテフォー 光 B¾H« K をサファイア側から鶴した。 サファイアと GaN界面 明から灰色に変色していた。 試料を 100°Cの水中に入れてサファイアを サファイアを分離した面に ォーミノク n電極として網目状 A 1ZP t 成した。 電極の形成は BHF冼净 研磨法により 3— 5族窒化物半導体 いる G aの除去 低結晶層の除去 表面の平坦化を行った。 次に 表面上 レシストへ一キンク ハターン露光 ノ \ターン現像を順^ ί亍つた後 真空 \ 発光素子は 流 2 0mAにて 明瞭な青色発光を示した。 また 電流 2 0 0mAにて 高い光出力て明瞭な青色発光を示した。 比 K 1
機粒子を使用しなかったこと以外は実施例 1と同様にして Mo導電 (4 3― 5 化物半導体の Ιί¾発光素子を得た。
実施例 1と同様 レーサー^射出力 0 2 6W (レーサー ^!J^流て 1 を昭射した。 光昭射の終わった貼り合せ試料をサファイア側から «I ^した G a N界面近傍の全面は透明てあった。 試料は 1 0 0°Cの水中に入れても 分離しなかった。 比較^! 2
無機粒子を使用しなかったこと以外は実施例 1と同様にして Mo導電 3 - 5¾¾化物半 {本の fi¾発光素子を得た。
実施例 1と同様 レーサー昭射出力 0 3 9W (レーサー ¾ 流 2 2 B 射した。 光 射の終わった貼り をサファイア側から した。 a N界面近傍の全面は透明てあった。 試 は 1 0 0°Cの水中に入れても 離しなかった。 比棚 3 透明から灰色に変色していた。 試料は 10 o°cの水中に入れたとき サフ た。 得られた発光素子は 電流20111八ては 発光〖おさなかった。 実施例 2
基板として C面を鏡 ®研磨したサファイアを用いた。 無機粒子とし リカ （ （株） 日本雇製 ンーホス夕一 KE— W50 (商品名） 平均 に含まれるンリカ粒子を用いた。 スヒナ一に基板をセノトし その上に 2 イタルンリカを塗布し スヒン乾燥した。 SEMTl^したところ シリ 板表面の被覆率は 60%てあつた。 常圧 MOVPE法を用い 次の条件て 基板上に 3— 5族窒化物半導 ル成長させ ンリカ粒子を 3— 5族窒化物半導体層に埋没させた。 圧力 夕温度 485°C キャリアカス 水素の条件て キャリアカス アンモ を供給して 厚みか杓 50 OAの G a N低 、ノファ層を成長した。 サセ 0°Cに変更し キャリアガス アンモニア TMG及ひシランを供給して 形成するための G a N層を成長した。 サセフ夕温度を 1040°Cに変更し 王に変更し キャリアガス アンモニア TMG及ひシランを供給して した その後 GaNからなる n型層 GaN I n G aNからなる夕フ と井戸層 （多重量子井戸構造） GaN Al GaNからなるキヤ カゝらなる p型層を順に成長し 青色発光を示す 3 - 5鍵化物半 本を得 \ 実施例 3
基板として C面を鏡面研磨したサファイアを用いた。 to機 ¾子として リカ （ （株） 日本触媒製 ンーホス夕一 KE— W50 (商品名） 平均 に含まれるシリカ拉子を用いた。 スヒナ一に基板をセノトし その上に 2 イタルノリ力を塗布し スヒン乾燥した。 SEMて！^したところ ンリ 板表面の被覆率は 60%てあつた。 常圧 MOVPE法を用い 次の条件て 基板上に 3— 5族窒化物半導体 ル成長させて ンリカ粒子を 3— 5族窒化物半導体層に埋 /殳させた。 圧力 フタ温度 485°C キャリアカス 水素の条件て キャリアカス アン Gを供給して 厚みか約 50 OAの GaNハノファ層を成長した サセフ 0°Cに変更し キャリアカス アンモニア TMGを供給して G a N層 セフタ温度を 1040 に変更し 圧力を 1Z4気圧に変更し キャリア ァ及ひ TMGを供給して G a N層を成長した。 その後 031^からなる11 I nGa Nからなる夕フルへテロ構造の障^!と井戸層 （多重量子井戸構 A 1 GaNからなるキヤノフ層 〇&1^からなる 型層 I nGaNから 川頁に成長し ェヒタキシャル結晶の厚さ 20 zmの青色 を示す 3-5 を得た。 3— 5¾¾化物半導体を N2 中 700°C20 処理し p型層を低抵 \ を l lて混合した/ s rエノチンクして ォーミノク n+電極となる I した。 ハターン形成後 残存するレシストを剥離した。
3― 5族窒化物半導体の n型層露出領域の表面上にレシスト塗布 レ ハターン露光 （素子分離用ハターン作 ハターン現像してハターニ の後 I CP卜ライエノチンクによって n型層か露出する深さまて 晶をエノチンクし n型層表面を露出 （メサ形状） した。 I CPトライ ノチンクガス C l2 CH2C 12 A rの混合カス カス流量 各々 2 s ccm 圧力 0 8Pa I CPノ、ヮー 200W ハイアスハヮ一 件て行った。 トライエノチンク終了後 余分のマスクを有機溶剤て^ ¾し 露出した n型層表面上に レシスト塗布 レシストへ一キンク ハター ン現像し 真空蒸着装置にて Vを 10 nm蒸着し A 1を 100 nm蒸着 オフ法により ォーミノク n電極となる VZA 1電極八ターンを形成した 3— 5族窒化物半導体を含むェヒ夕キンャ レ結晶の分離溝をレーサー光 した。 レーサー光は CW励起 YV04レーサーの 3倍高調波 （波長 35 ノハーにより周波数 35 kHzのノ、ルスにしたものてあり Qスィノチハ 程度 発振モートは TEM。。 3倍高調波の出力は試料面て約 0 2 W サ一光をェヒ夕キン 吉晶表面側から入射させ 結晶表面に婢占、位置カ した。 分離溝幅は 20 m以下てあった。 ステーシを 1 OmmZs e cて 試 « ( 3— 5族窒化物半導体） を真空吸着てステーシに固定した。 その O mm/ s e cて線状にスキャンし 1ライン分のスキャン終了後 1 5 ーンを移動し 線状にスキャンを繰り返し 試料全面に光を^射した。 光 V〇4レーサーの 3倍高調波 （波長 3 5 5 nm) をチヨノハーにより周波 ハルスにしたものてあり Qスイノチ八リレス幅は 8 n s程度 発振モート 倍高調波の出力は試 面て 0 2 6W (レーサ¾1¾¾流て 1 9 5 A) て 光はサファイア基板側から入射させ サファイア G a Nェヒ夕キンャル 側 4 5 0 mの位置に声占、かくるようにテフォーカスした。 光昭！^ 言 ¾ をサファイア側から聽した。 サファイアと G a N界面 明から灰色に変色していた。 試料を 4インチ髓のリンク治具上に固定した樹 Jl^"ーフの中心部に ーフは 杓 7 O 厚の P V CZアクリル系へ一スフイルムに約 1 厚 Z 2 5 mmの粘着層厚てある。 フィルム 粘着層両者とも薄く 粘着性の た。
樹脂テーフ上に サファイア基板側を上方としェヒ夕キンャリ1 吉晶表面 いた試料を約 6 0 °Cに加埶し サファイア基板を剥離した。 この段階て あるェヒ夕キノャル結晶のサファイア剥離面を ハノファートフノ酸 （B 分に浸し 残存した G aを除去した。 得られた独立した 3― 5 ^化物半 f本の,の発光素子は MM 明瞭な発光を示した。 また 発光素子は ®i ^流 2 0 0 mAにて 高い 青色発光を示した。 比翻 4
機粒子を ffifflしなかったこと は実施例 3と同様にして 3— 5 型発光素子を得た。
実施例 3と同様 レーサー日 射出力 0 2 6 W (レーサー 流て 1 を^射した。 光日 射後の試料をサファイア基板側から鹏した。 サファイ 界面近傍の全面か透明てあった。 試料を約 6 O t:に加孰したとき サファ しなかった。 比棚 5
機粒子を翻しなかつたこと は実施例 3と同様にして 3— 5 型発光素子を得た。
実施例 3と同様 レーサー^射出力 0 3 9W (レーサー 流て 2 を^射した。 光昭射後の試斗をサファイア基板側から謹した。 サファイ 界面近傍の全面か透明てあった。 試料を約 6 0 °Cに加執したとき サファ しなかった。 面か透明から灰色に変色していた。 試料を約 60°Cに加埶したとき サフ 離した。
独立した 3— 5族窒化物半導体の横型の発光素子は 電流 20m かった。 実施例 4
基板として C面を鏡面研磨したサファイアを用いた。 機粒子とし リカ （ （株） 日本触媒製 ンーホスター KE—W50 (商品名） 平均 に含まれるノリ力粒子を用いた。 スヒナ一に基板をセノトし その上に 2 イタルンリカを塗布し スヒン乾燥した。 SEMて!^したところ シリ 板表面の被覆率は 60%てあつた。 常圧 MOVPE法を用い 次の条件て 基板上に 3— 5ί^¾化物半 {本 ル成長させて ノリ力拉子を 3— 5 化物半導体層に埋 /殳させた。 圧力 フタ温度 485°C キャリアカス 水素の条件て キャリアガス アン Gを供給して 厚みか約 50 OAの G a Nハノファ層を成長した。 1½フ 0°Cに変更し キャリアカス アンモニア TMGを供給して G a N層 セフ夕温度を 1040 に変更し 圧力を 1Ζ4¾ΕΕに変更し キャリア ァ及ひ TMGを供給して G a Ν層を成長した。 その後 0&1^からなる11 I nGaNからなる夕フルへテロ構造の障 ΙΙϋと井戸層 （多重量子井戸構 3― 5族窒化物半導体を N2 中 7 0 0 °C 2 0分埶処理し p型層を低抵 次に 3— 5 ^^化物半導体の表面にォーミノク n +電極を形成するため 化物半導体表面をァセトン溶液による超音波冼净 埶王水冼净 （ 6 0 °C) 超音波冼净した。 真空蒸着装置にて I TOを 1 2 0 nm蒸着し この表面 布 レシストへ一キンク ハターン露光 ハターン現像した後 塩化第二 を 1 1て混合した？ ¾¾Tエノチンクして ォーミノク η+電極となる I した。 ハターン形成後 残存するレンストを剥離した。
3 - 5族窒化物半導体を含むェヒ夕キンャル結晶の分離溝をレーサー光 した。 レーサー光は CW励起 YV 0 4レーサーの 3倍高調波 （波長 3 5 ノハーにより周波数 3 5 k H zのハルスにしたものてあり Qスィノチハ 程度 発振モートは T EM0。 3倍高調波の出力は試科面て約 0 2 Wて サ一光をェヒ夕キンャル結晶表面側から入射させ 結晶表面に声卢位置か した。 分離溝幅は 2 0 z/m以下てあった。 ステーシを 1 OmmZ s e cて ライン分の 5回スキャン終了後 素子サイスてある 4 2 0 m 平行にス た。 これを繰り返し ェヒ夕キンャル結晶に網目状にレーサー光を^射さ mX 4 2 0 mの複数の領域に分画した。 試料 （3— 5族窒化物半導体） を真空吸着てステ一シに固定した。 その 0 mm/ s e cて線状にスキャンし 1ライン分のスキヤン終了後 1 5 ヽ 光はサフアイァ基板側から入射させ サフアイァ ZG a Nェヒ夕キンャ 側 450 mの位置に隹占、かくるようにテフォーカスした。
光昭 «1麦 試料をサファイア側から鹏した。 サファイアと G a N界 明から灰色に変色していた。 試斗を 4インチ程度のリンク治具上に固定した樹脂テーフの中心部に —フは 約 70 厚の PVCノアクリル系へ一スフイルムに杓 1 厚 Z 25mmの粘着層厚てある。 フィルム 粘着層両者とも薄く 粘着 I生の た
Iffl ーフ上に サファイア基板側を上方としェヒタキシャ H吉晶表面 いた を約 60°Cに加埶し サファイア基板を剥離した。 この段階て あるェヒタキシャル結晶のサファイア剥離面を ハノファートフノ酸 （B 分に浸し 残存した G aを除去した。 3 -5纏化物半 本のォーミノク電極を形^ Tるため サファイア剥 ライエノチングにより エノチンクカス C l 2 CH2C 12 Arの混 量 各々 20 10 40 s c cm 圧力 0 8Pa I CPハヮー ァスハヮー 100Wの条件てェヒ夕キンャル結晶を約 100 OAエノチ 露出した n型層表面上に 真空蒸着装置にて Vを 10 nm蒸着 1を 得られた独立した 3— 5 ¾ ^化物半 本の■の発光素子は β« 明瞭な発光を示した。 また 発光素子は 駆 l¾ 流 200mAにて 高 青色発光を示した。 実施例 5
基板として C面を鏡面研磨した G a Nを用いる。 立子として コ ( (株） 日本触媒製 シ一ホス夕一 KE— W50 (商品名） 平均粒径 5 まれるンリカ粒子を用いる。 スヒナ一に基板をセノトし その上に 20 ルンリカを塗布し スヒン ¾J®する。
MOVPE法を用い 次の条件て 基板上に 3— 5族窒化物半 ：をェ 長させて ンリ力粒子を 3— 5脑匕物半 {本層に埋 /殳させる。 圧力 1 カス 窒素の条件て キャリアガス アンモニア TMG及ひ TM Iを供 aNハノファ層を成長する。 ^フタ温度を 900 に変更し キャリア ァ TMGを供給して G a N層を成長する。 サセフ夕温度を 1040°C を 1Z4気圧に変更し キャリアガス アンモニア及ひ TMGを供給して する。 その後 GaNからなる n型層 GaN I n G aNからなる夕フ 障 ΙΙϋと井戸層 （多重量子井戸構造） GaN Al GaNからなるキヤ からなる P型層 GaNからなる n+型層を順に成長し ェヒ夕キンャル mの青色発光を示す 3-5族窒化物半 本を得る。 \ 布 レシストへ一キンク ハターン露光 ハターン現像し 塩化第二铁 1 1て 合した溶 エノチンクして ォーミノク n+電極となる I T る。 ハターン形成後 残存するレシストを剥離する。 3— 5族窒化物半導体の n型層露出領域の表面上にレンスト塗布 レ ハターン露光 （素子分離用ハターン作製） 八ターン現像してハターニ 後 I CPトライエノチンクによって n型層か露出する深さまて ェヒ をエノチンクし n型層表面を露出 （メサ形状） する。 トライエノチンク マスクを有機溶剤て除去する。 露出した n型層表面上に レンスト塗布 レシストへ一キング ハター ン現像し 真空蒸着装置にて Vを 10 nm蒸着し A 1を 100 nm蒸 法により ォーミノク n電極となる VZA 1電極ハターンを形^ Tる。 3-5族窒化物半導体を含むェヒ夕キシ 吉晶の分離溝をレーサー光 する。 レーサー光は CW励起 YV04レーサーの 3倍高調波 （波長 35 ノハーにより周波数 35 kHzのハレスにしたものてあり Qスィノチハ 程度 発振モートは TEMQO 3倍高調波の出力は試和斗面て約 0 2W 一光をェヒタキシャル結晶表面側から入射させ 結晶表面に隹占、位置か来 る。 ステーシを 1 OmmZs e cてスキャンし 1ライン分の 5回スキャ \ 試 ( 3— 5族窒化物半導体） を真空吸着てステーシに固定する。 その Omm/ s e cて線状にスキャンし 1ライン分のスキャン終了後 1 5 ーシを移動し 線状にスキャンを繰り返し ¾全面に光を眧射する。 光 V〇4レーサーの 2倍高調波 （波長 5 3 2 nm) ハルスてある。 また 光 から入射させ G a NZェヒタキンャル結晶界面からェヒタキシャル結晶 かくるようにテフォーカスする。 試料を 4インチ程度のリング治具上に固定した樹脂テーフの中心部に —フは 約 7 0 m厚の P VCノアクリル系へ一スフイルムに約1 0 m g fノ 2 5mmの粘着層厚てある。 フィルム 粘着層両者とも薄く 粘 用いる。
榭 JI^"ーフ上に G a N基板側を上方としェヒタキシャル結晶表面側を 言 ト斗をカロ埶し G a N基板を剥離する。 この段階て 樹脂テーフ上にある 結晶の G a N基板剥離面の残存物を除去する。
G a N基板剥離面側を上方とする試料か置かれている樹脂テーフから フ^ 植したことにより ェヒ夕キンャル結晶表面側を上方にする。 得られた独立した 3— 5 ¾ ^化物半 f本の の発光素子は 流 明瞭な発光を示す。 また 発光素子は «I電流 2 0 0mAにて 高い光 \ 本発明によれは 高い発光出力を示す発光素子の製造方法か提供される によれは 発光素子に好適に使用される 基板の钲ぃ 3— 5族窒化物半 提供される。
Figure imgf000033_0001

Claims

請求の範囲 工程 (l) (11)及ひ (m)をこの順に含む 3— 5族窒化物半 (本の Mii (1)基板上に te機粒子を配置する工程
(1 半導体層を成長させる工程
(111)基板と半 #{本層の間に光を昭射して基板と半 本層を分 る 工程 (1)の基板は サファイア S i C S i MgAl2〇4 L i
Cr B2 G aN又は A l Nからなる請^項 1記載の方法。 工程 (1)の基板は 性てある請求項 1記載の方法。
基板は サファイア G a Ν又は A 1 Νからなる請 項 3記 to灘立子は 酸化物 窒化物 炭化物 硼化物 硫化物 セレン化物 る群より選はれる少なくとも 1つを含む請求項 1記載の方法。
酸化物は ンリカ アルミナ シルコニァ チタニア セリア 酸ィ( 及ひィノトリゥムアルミニウムカー不ノ卜から選はれる少なくとも 項 5記載の方法。
酸化物はンリカてある請求項 6記載の方法。
舰»立子は 形状か 状 板状 針状又は不定形てある請求項 1記載 舰»立子は 形状か 状てある請求項 8記載の方法
to機粒子は 平均粒径か 5 n m以上 50 m以下てある請求項 9記 工程 (11)の半 {本層は 3— 5纏化物からなる請求項 1記載の方 工程 (11)は n型層の成長サフ工程 活 I生層の成長サフ工程及ひ p \ 光は さらに 钲機粒子に昭射される請求項 1記載の方法。
工程 (1) (1 1) (i n)及ひ (IV)をこの順に含む発光素子の 方法。
(I)基板上に 機粒子を配置する工程
(I I)半 層を成長させる工程
(11 1)基板と半導体層の間に光を^射して基板と半導体層を分離する
(IV) 電極を形 βΤΤる工程。
工程 (1 1)は η型層の成長サフ工程 活性層の成長サフ工程及ひ ρ 工程を含む請求項 1 6記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009102218A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Siltron Inc 化合物半導体基板の製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010157604A (ja) 2008-12-26 2010-07-15 Showa Denko Kk 半導体発光素子の製造方法
KR101009203B1 (ko) * 2009-04-13 2011-01-19 인하대학교 산학협력단 재사용 가능한 질화갈륨기판을 구비하는 질화갈륨계 발광 다이오드장치의 질화갈륨기판 분리방법
US8580593B2 (en) 2009-09-10 2013-11-12 Micron Technology, Inc. Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices
KR100999684B1 (ko) * 2009-10-21 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR20130007557A (ko) 2010-01-27 2013-01-18 예일 유니버시티 ＧａＮ 소자의 전도도 기반 선택적 에칭 및 그의 응용
KR101137514B1 (ko) * 2011-03-11 2012-04-20 한국광기술원 나노 입자를 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
US8569153B2 (en) * 2011-11-30 2013-10-29 Avogy, Inc. Method and system for carbon doping control in gallium nitride based devices
US8603898B2 (en) 2012-03-30 2013-12-10 Applied Materials, Inc. Method for forming group III/V conformal layers on silicon substrates
CN104008960B (zh) * 2013-02-22 2016-10-12 北京邮电大学 一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法
JP6248359B2 (ja) * 2013-12-20 2017-12-20 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体層の表面処理方法
US11095096B2 (en) 2014-04-16 2021-08-17 Yale University Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
JP7016259B6 (ja) 2014-09-30 2023-12-15 イェール ユニバーシティー 多孔質窒化ガリウム層およびそれを含む半導体発光デバイス
KR20160049180A (ko) * 2014-10-24 2016-05-09 일진엘이디(주) 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US11018231B2 (en) 2014-12-01 2021-05-25 Yale University Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers
EP3298624B1 (en) 2015-05-19 2023-04-19 Yale University A method and device concerning iii-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer
CN105742430A (zh) * 2016-03-07 2016-07-06 太原理工大学 一种led外延结构及其制备方法
US10373825B1 (en) 2018-05-29 2019-08-06 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Method for manufacturing gallium nitride substrate using core-shell nanoparticle
TWI728846B (zh) * 2020-06-19 2021-05-21 錼創顯示科技股份有限公司 發光半導體結構及發光半導體基板
CN114050104B (zh) * 2021-11-12 2022-09-30 松山湖材料实验室 氮化铝单晶衬底的加工方法及紫外发光器件的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998014986A1 (de) * 1996-10-01 1998-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum trennen zweier materialschichten voneinander und nach diesem verfahren hergestellte elektronische bauelemente
JP2003163337A (ja) * 2001-08-10 2003-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 剥離方法および半導体装置の作製方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9600469D0 (en) * 1996-01-10 1996-03-13 Secr Defence Three dimensional etching process
TW417315B (en) * 1998-06-18 2001-01-01 Sumitomo Electric Industries GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same
JP3668031B2 (ja) 1999-01-29 2005-07-06 三洋電機株式会社 窒化物系半導体発光素子の製造方法
US6177359B1 (en) * 1999-06-07 2001-01-23 Agilent Technologies, Inc. Method for detaching an epitaxial layer from one substrate and transferring it to another substrate
EP1104031B1 (en) * 1999-11-15 2012-04-11 Panasonic Corporation Nitride semiconductor laser diode and method of fabricating the same
JP3518455B2 (ja) 1999-12-15 2004-04-12 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体基板の作製方法
JP2001313259A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子
US6852161B2 (en) * 2000-08-18 2005-02-08 Showa Denko K.K. Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device
US6562701B2 (en) * 2001-03-23 2003-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing nitride semiconductor substrate
TW554398B (en) * 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
JP3856750B2 (ja) * 2001-11-13 2006-12-13 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3968566B2 (ja) * 2002-03-26 2007-08-29 日立電線株式会社 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス
JP4115187B2 (ja) 2002-07-19 2008-07-09 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
KR101183776B1 (ko) * 2003-08-19 2012-09-17 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 소자
JP4868709B2 (ja) * 2004-03-09 2012-02-01 三洋電機株式会社 発光素子
JP4720125B2 (ja) * 2004-08-10 2011-07-13 日立電線株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体
KR100631905B1 (ko) * 2005-02-22 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조방법
KR100712753B1 (ko) * 2005-03-09 2007-04-30 주식회사 실트론 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법
TWI415288B (zh) 2005-03-22 2013-11-11 Sumitomo Chemical Co 獨立基板、其製造方法，以及半導體發光元件
JP4749803B2 (ja) 2005-08-26 2011-08-17 住友化学株式会社 半導体積層基板およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998014986A1 (de) * 1996-10-01 1998-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum trennen zweier materialschichten voneinander und nach diesem verfahren hergestellte elektronische bauelemente
JP2003163337A (ja) * 2001-08-10 2003-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 剥離方法および半導体装置の作製方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009102218A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Siltron Inc 化合物半導体基板の製造方法
EP2053637A3 (en) * 2007-10-24 2010-04-28 Siltron Inc. Method for preparing compound semiconductor substrate
US8158496B2 (en) 2007-10-24 2012-04-17 Siltron Inc. Method for preparing compound semiconductor substrate
EP2333817A3 (en) * 2007-10-24 2012-05-23 Siltron Inc. Method for preparing compound semiconductor substrate

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